Dispozitive electronice .

Capitolul I. NOŢIUNI INTRODUCTIVE

Cursul de “Dispozitive şi Circuite Electronice” este constituit din două

module: DCE 1 – în care se studiază dispozitivele electronice şi DCE 2 –
care este dedicat circuitelor electronice, circuite ce utilizează cu precădere
dispozitivele studiate în semestrul anterior. Cartea de faţă acoperă
disciplinele: DCE 1, Dispozitive Electronice şi cursul de Modele Spice ale
componentelor electronice.

Dispozitivele electronice conţin o singură componentă activă. Componenta

activă este o structură fizică ce prezintă măcar una din următoarele funcţii
electronice: (1) conducţia electrică unidirecţională, (2) amplificarea de
putere a semnalului. Există şi componente electronice pasive care
realizează funcţii electronice liniare. De asemenea, există şi elemente de
interfaţă, de interconectare şi încapsulare. În consecinţă, dispozitivul
electronic este mulţimea ce conţine următoarele obiecte: componenta
activă, elementele de conectare, terminalele, capsula şi de la caz la caz alte
elemente. De exemplu, o diodă este un dispozitiv electronic şi conţine:
componenta activă – realizată din monocristalul de siliciu dopat n şi p, fire
de conectare spre terminale, terminale metalice, răşina ce umple capsula,
capsula. Aproape toate dispozitivele electronice folosesc conducţia
electrică în corpul solid, de regulă în semiconductoare. În tuburile
electronice conducţia are loc prin deplasarea electronilor în vid, între
electrozi metalici pe care se aplică o tensiune electrică. “ Vidul” trebuie
înţeles ca un gaz rarefiat, în care drumul liber mijlociu al electronilor este
mult mai mare decât distanţa dintre electrozi. În semiconductoare conducţia
electrică este asigurată de două tipuri de purtători, denumiţi generic:
electroni şi goluri.

Electronica mai oferă şi componente de interfaţare, care au rolul de a

“traduce” o mărime fizică neelectrică (mecanică, chimică, optică,
biologică) într-o mărime fizică electrică – uşor măsurabilă. Aceste elemente
se numesc traductoare. Ele nu trebuie să fie neapărat “active”. De exemplu
un film de siliciu de tip p are proprietăţi piezorezistive foarte bune şi ca

9
atare poate sesiza un stres mecanic. Unele componente active au fost
împrumutate ca elemente traductoare în lumea senzorilor: tranzistoarele
ISFET, MEMFET sau magnetotranzistoarele.

Pe lângă caracterul activ, dispozitivele electronice au şi un caracter

parametric, în sensul că un anumit parametru electric poate fi controlat de
o altă mărime electrică independentă. Spre exemplu, rezistenţa canalului
între Sursa şi Drena unui tranzistor TEC–J, poate fi controlată de tensiunea
aplicată pe un alt terminal – poarta.

Dispozitivul electronic poate conţine două borne (electrozi sau terminale),

ca în figura 1.1.a, sau n borne, ca în figura 1.1.b. În primul caz,
caracteristica electrică reprezintă dependenţa curentului i, în funcţie de
tensiunea aplicată pe dispozitiv, v. Dacă în dependenţa i=i(v) timpul nu
apare în mod explicit, atunci ea se numeşte caracteristică statică. Dacă
semnalul aplicat este variabil în timp, v=v(t), atunci se recurge la modele
analitice mai complicate (de exemplu circuitul echivalent în regim
dinamic). Pentru un dispozitiv electronic cu n borne (n– port), caracteristica
statică este reprezentată de dependenţa curent – tensiune asociată unui
terminal, menţinând constante potenţialele celorlalte borne. Spre exemplu,
pentru un triport o caracteristică statică este de exemplu funcţia:
i1  i1 v1  v 2 ct , (potenţialul celui de-al treilea terminal, v3, fiind de regulă
potenţialul de referinţă sau masa).
v1 i1
i
DE in-1 vn-1
DE
v
v2 i2 vn=0

(a) (b)
Fig.1.1. (a) Dispozitiv electronic cu 2 terminale (diport); (b) Dispozitiv electronic cu n
terminale (n- port).

Dispozitivele electronice au caracteristici statice neliniare. Această

neliniaritate trebuie să se manifeste cel puţin la un terminal. Regiunile de
tranziţie, în care curentul trece de la o zonă cu creştere mai slabă la o zonă
cu creştere mai puternică, se explică prin superpoziţia mai multor fenomene
fizice. Delimitarea celor două zone impune aflarea unor puncte de “cot” sau
de “prag”. Aceste puncte se determină într-o manieră unitară, pentru toate
dispozitivele electronice, cu ajutorul teoremei conducţiei electrice neliniare
enunţată şi demonstrată de profesorul Adrian Rusu, teoremă ce va fi
abordată în capitolul următor.

Dispozitivele electronice şi alte elemente de circuit (de exemplu

componentele pasive) intră în componenţa circuitelor electronice. Raţiunea

10
de a fi a circuitelor electronice este de a realiza anumite funcţii specifice,
cum ar fi: redresarea (cu ajutorul diodelor), amplificarea (cu ajutorul
tranzistoarelor), generarea de oscilaţii armonice, stabilizarea tensiunii,
modularea – demodularea semnalelor, stocarea, prelucrarea şi transmiterea
informaţiei (cum este cazul circuitelor digitale). Slujind intereselor
circuitelor pe care le compun, dispozitivele electronice s-au specializat
pentru anumite domenii de aplicaţii. Astfel, dacă tranzistorul bipolar
rămâne fără rival în amplificare, tranzistorul MOS a devenit liderul absolut
în circuitele integrate digitale.

Tehnologia microelectronică a evoluat foarte rapid în ultimii zeci de ani.

Astfel, alături de scopul iniţial, de a realiza circuite integrate, a apărut o
nouă ramură – aceea a microsistemelor integrate. Aceasta, deoarece s-a
constatat că tehnologiile utilizate în microelectronică (precum corodări,
depuneri, epitaxii) erau foarte potrivite pentru obţinenea celor mai
sofisticate arhitecturi în siliciu. Astfel s-a dezvoltat rapid industria
senzorilor integraţi. Elementele traductoare fac parte integrantă din senzor.
De exemplu, un accelerometru cu grindă suspendată în siliciu, poate fi
construit la dimensiuni de doar câţiva microni, utilizând numai tehnologii
microelectronice. Lucrurile au evoluat rapid. Acum MEMS – urile (Micro
– Electro – Mechanical – Systems) sunt integrate pe acelaşi cip cu
elementele traductoare şi toate circuitele aferente de stocare, prelucrare şi
redare a semnalelor.

În goana de a reduce tot mai mult dimensiunile tranzistoarelor, s-a ajuns de

la un cip cu o arie de circa 0,5 cm2, cu mii de tranzistoare în anul 1970, la
un cip cu un miliard de tranzistoare în anul 2000, [1]. Tehnologiile au
permis scalarea dimensiunilor tranzistoarelor de 1 milion de ori în aceşti 30
de ani. Este de la sine înţeles că tranzistoarele actuale integrate au
dimensiuni de ordinul sutelor sau chiar zecilor de nanometri. De aceea, se
vorbeşte astăzi de nanotehnologii. Scăderea dimensiunilor componentelor
active implică scăderea drastică a populaţiilor de atomi ce formează
dispozitivul. În consecinţă, modelele actuale, bazate pe rezultatele fizicii
statistice, se dovedesc a fi tot mai inconsistente. Ce se va întâmpla atunci
când tranzistorul va fi format din câţiva atomi între care se deplasează un
număr mic de electroni? Astfel de dispozitive, denumite dispozitive
cuantice, pot fi modelate doar cu rezultatele directe ale fizicii cuantice.

În fine, din dispozitivele electronice au derivat şi alte tipuri de dispozitive

precum dispozitivele fotonice sau dispozitivele biologice, inspirate din
principii de funcţionare ale dispozitivelor electronice. Astfel s-au creat
calculatoare fotonice, pe aceleaşi principii ca şi cele clasice, doar că
transmiterea informaţiei nu se face cu electroni ci cu fotoni. Realizarea

11
sumei a două semnale cu ajutorul unor enzime [2], poate fi punctul de
plecare spre crearea biocalculatoarelor. De asemenea, biosenzorii au
cunoscut o dezvoltare rapidă în ultimii ani. Spre exemplu, într-un
imunosenzor cu tranzistor MISFET utilizat pentru detectarea concentraţiei
unei specii biochimice, este imposibil de a mai delimita clar partea
biologică de partea electronică.

Dispozitivele principale, prezente în electronica zilelor noastre, vor fi

studiate pe rând în capitolele următoare.

12