Dispozitive electronice _

Capitolul II. NOŢIUNI DE FIZICA

SEMICONDUCTOARELOR

2.1. Materiale în microelectronică

Materialele utilizate în microelectronică se pot clasifica în: (1) materiale

izolatoare (de exemplu oxidul de siliciu, nitrura de siliciu) cu rezistivităţi
mai mari decât 1012 cm şi lăţimi mari ale benzii interzise (EG>7eV). Ele
sunt lipsite de purtători de sarcină liberi şi nu conduc curent electric în
condiţii de lucru uzuale; (2) materialele semiconductoare reprezintă
materialele de bază în microelectronică (exemple: Si, Ge, SiC, GaAs,
InSb, diamant, semiconductori organici). Au rezistivităţi cuprinse între 10 -
1
– 107 cm (Si=240 kcm, GaAs=83Mcm la temperaturi şi dopări
uzuale) şi lăţimi ale benzii interzise mult mai mici decât izolatorii
(exemple: EG-Si=1,11eV, EG-Ge=0,67eV, EG-SiC=2,85eV, EG-C=5,47eV), ce
permit trecerea electronilor în banda de conducţie; (3) materiale
conductoare (metale ca de exemplu Al, Ag, Fe, Cu, Au) cu rezistivităţi
mai mici de 10-3 cm (Au=23ncm, Ag=16ncm, Pt=105ncm) [3]. La
metale banda de valenţă se întrepătrunde cu banda de conducţie, astfel
încât tot timpul există electroni liberi în banda de conducţie, disponibili să
asigure conducţie electrică.

Trebuie subliniat faptul că rezistivitatea semiconductoarelor depinde

esenţial de tipul şi concentraţia impurităţilor, de structură şi condiţii fizice
exterioare: temperatură, iluminare, câmpuri electrice şi magnetice. La
temperaturi joase (în vecinătatea lui 0K) semiconductoarele tind să se
comporte ca izolatorii (), iar la temperaturi mari ca metalele (0).
O dependenţă calitativă a rezistivităţii de temperatură este reprezentată în
figura 2.1.
Când T0K  creşte deoarece impurităţile nu sunt complet ionizate şi
există foarte puţini purtători de sarcină liberi. La temperatura camerei (în

13
vecinatatea lui 300K) rezistivitatea are o regiune de palier, deoarece
numărul purtătorilor generaţi extrinsec este constant, căci s-au ionizat toate
impurităţile, iar mecanismul intrinsec este neglijabil încă.

Temperaturi medii
 (domeniul uzual de
lucru)

Fig. 2.1. Dependenţa rezistivităţii

unui semiconductor, ,
de temperatura, T.

0 300K T
Acesta este domeniul în care se utilizează de obicei dispozitivele
semiconductoare. La temperaturi foarte mari se obţine creşterea
concentraţiei de purtători, prin ruperea legăturilor covalente (mecanismul
de generare intrinsec intră în acţiune), iar rezistivitatea scade mult.

Materialul semiconductor utilizat cel mai frecvent în cadrul dispozitivelor

electronice este siliciul. Între atomii de siliciu se stabilesc legături
covalente, prin punere în comun de electroni. Siliciul, ca şi Germaniul şi
Carbonul sunt elemente cu 4 electroni pe ultimul strat. În jurul fiecărui
atom, octetul electronic realizează cele 4 legături covalente ale atomului
respectiv cu 4 atomi vecini. În figura 2.2. este reprezentată plasarea
spaţială pentru celula elementară a cristalului de siliciu - 4 atomi de Si în
vârful unui tetraedru şi un atom de Si în centrul tetraedrului.
Si
Fig. 2.2. Celula elementară
a monocristalului de siliciu.
Sunt reprezentate accentuat
legăturile chimice ale atomu-
lui de Si central. Si
Si
Si

Si
O reţea de atomi perfect ordonată (ordine ce se repetă în spaţiu pornind de
la celula elementară) se numeşte monocristal. Dispozitivele electronice
clasice se realizează pe siliciu monocristalin.

14
 2.2. Purtători de sarcină în semiconductori
2.2.1. Structura de benzi energetice a corpului solid

Într-o reţea monocristalină semiconductoare, există două tipuri de purtători

de sarcină: electronii şi golurile. În realitate, comportarea electrică a
semiconductoarelor este determinată de evoluţia electronilor din corpul
solid, ce se studiază cu metodele fizicii cuantice. Însă rezultatele obţinute
se pretează la o modelare mai simplă, cu cele două particule fictive.
Electronii sunt particule încărcate cu sarcina electrică (-q), cu masa
efectivă mn şi modelează electronii liberi din banda de conducţie. Golurile
sunt particule încărcate cu sarcina electrică (+q) şi cu masa efectivă mp (
mp> mn) ce modelează electronii legaţi din banda de valenţă.

Fie un cristal pur de siliciu. Să presupunem că la un moment dat un

electron de valenţă al unui atom de siliciu se rupe de atom. El devine
electron liber şi se deplasează printre ceilalţi atomi. În locul de unde s-a
desprins electronul, rămâne un "vid" de electroni, sau un "gol". Acest "gol"
atrage un electron de valenţă din vecinătate. Acesta este electronul legat -
care se dezleagă dintr-o legătură covalentă spre a se lega iarăşi, în locul de
unde lipsea un electron. Aceasta este echivalent cu deplasarea golului în
sens contrar (adică sensul unei sarcini electrice pozitive). Iată şi motivul
pentru care masa golului este mai mare decât masa electronului. Golul este
reprezentarea unui electron legat de atom. Asupra lui acţionează nişte forţe
de atracţie intraatomice. El va fi mai greu de urnit din loc decât electronul
liber, dezlegat de atom. Acest lucru explică doar intuitiv de ce mp> mn.

Aceste noţiuni se înţeleg mai bine dacă se apelează la teoria benzilor

energetice din corpul solid. Când atomii se află la distanţe foarte mari unii
de alţii, electronii sunt localizaţi în jurul nucleului pe nivelele energetice
notate cu: s, p, d, f. Prin apropierea a 2, 3, ….n atomi, la distanţe foarte
mici între ei, egale cu constanta reţelei cristaline, a, creşte foarte mult
probabilitatea ca electronii să treacă de la un atom la altul. Astfel, timpul
de viaţă al electronului, fiind timpul cât el stă pe lângă atomul "părinte",
scade foarte mult căci el poate trece uşor spre alt atom. Spre exemplu, dacă
timpul de viaţă, t, scade de la 10-8s în cazul atomului liber, la 10-15s în
cazul unui atom din reţeaua cristalină, intervalul energetic, E, în care se
poate plasa electronul se modifică în concordanţă cu relaţia de
incertitudine a lui Heisenberg:

15
E  t   (2.1)

Astfel, apare "despicarea" - mărirea - nivelului energetic de la valoarea

E=10-8eV corespunzătoare atomului singur, la valoarea E=0.6eV,
corespunzătoare atomilor din reţeaua cristalină. Cu cât nivelele energetice
sunt mai adânci, probabilitatea ca aceşti electroni mai apropiaţi de nucleu
să treacă la alţi atomi este mai mică, deci timpul de viaţă pe lângă atomul
"părinte" este mai mare; conform relaţiei (2.1) E se lărgeşte mai puţin.
Aşadar, nivelul energetic 1s2 se va despica într-o bandă energetică mai
îngustă, iar aceste benzi vor deveni tot mai largi spre periferia atomului
(vezi fig.2.3).
Banda de valenţă (BV) este banda energetică provenită din despicarea
nivelului energetic de valenţă al unui atom liber, când atomul a fost
apropiat de n atomi în reţeaua cristalină.
Banda de conducţie (BC) este banda energetică provenită din despicarea
nivelului energetic liber, ce ar putea fi ocupat cu electroni la un atom, când
acesta a fost apropiat de n atomi în reţeaua cristalină.
E
0

Banda de
conducţie
(B.C.)

EC
Fig. 2.3. Diagrama
de benzi energetice Ei EG Banda
în volumul unui interzisă
corp solid. (B.I.)
Benzile haşurate EV
vertical sunt Banda de
complet ocupate
cu electroni.
valenţă
(B.V.)

16
Pentru studiul curenţilor prin dispozitivele electronice este suficient să ne
oprim doar la banda de valenţă şi banda de conducţie. Ele sunt separate de
o regiune în care nu există nici un nivel energetic pentru electroni, banda
interzisă, de lăţime EG. Ca notaţii, EC reprezintă nivelul energetic minim al
benzii de conducţie, iar EV nivelul energetic maxim al benzii de valenţă.
Deci EG= EC- EV. Axul energetic, ce trece pe la mijlocul benzii interzise, se
notează cu Ei.

2.2.2. Generarea purtătorilor de sarcină în semiconductoare

A) Semiconductorul intrinsec (pur sau fără impurităţi)

La T=0K, BV este complet ocupată cu electroni; toţi electronii sunt prinşi
în legături covalente şi nu există purtători de sarcină liberi; deci la T=0K
nu pot apărea nici curenţi electrici de conducţie. Ocuparea benzilor
energetice arată ca în figura 2.3; iar rezistivitatea semiconductorului tinde
la infinit ca în figura 2.1.

La T>0K există posibilitatea ca un electron să primească energie termică

de la reţea (trebuie ca aportul energetic să fie mai mare ca EG) astfet încât
să se rupă din legătura covalentă. Acest fenomen, din punct de vedere
energetic corespunde trecerii unui electron din banda de valenţă în banda
de conducţie. Locul rămas liber în banda de valenţă este un "gol" care
poate fi ocupat de un alt electron din banda de valenţă. Astfel, golul se
deplasează în banda de valenţă, iar electronul liber se deplasează în banda
de conducţie. Conducţia curentului electric prin aportul a două benzi
energetice parţial ocupate cu electroni este specifică semiconductoarelor.

B) Semiconductor extrinsec de tip n. Este un semiconductor dopat cu atomi

pentavalenţi (fosforul, arseniul, stibiul), denumiţi impurităţi donoare. Spre
exemplu, în fig.2.2, dacă în centrul tetraedrului se plasează un atom de
Arsen, el se va lega covalent de cei 4 atomi de siliciu vecini şi va deţine un
al 5-lea electron suplimentar. Acest electron se plasează pe un nivel
energetic ED, foarte aproape de banda de conducţie (fig.2.4.a). Mărind
temperatura peste 0K, aceşti electroni slab legaţi sunt primii care sar în
banda de conducţie, devenind electroni liberi. Semiconductorul conţine
însă şi goluri generate prin mecanismul intrinsec; dar concentraţia lor este
mult mai mică. Electronii în semiconductorul de tip n se numesc purtători
majoritari, iar golurile purtători minoritari.

C) Semiconductorul extrinsec de tip p. Este un semiconductor dopat cu

atomi trivalenţi (bor, aluminiu, indiu), denumiţi impurităţi acceptoare.

17
Spre exemplu, în fig.2.2, dacă în centrul tetraedrului se plasează un atom
de Bor, el se va lega covalent de 3 atomi de siliciu vecini. Pentru a se lega
şi de al patrulea atom de siliciu, se va desprinde din vecinătate un electron,
care va satisface a patra legătură chimică B-Si, dar care va lăsa în urmă un
gol. Electronul absorbit în a patra legătură chimică se va plasa pe un nivel
energetic EA, foarte aproape de maximul benzii de valenţă. În paralel apare
şi mecanismul intrinsec, mult mai slab, de generare perechi electron-gol.
Golurile în semiconductorul de tip p se numesc purtători majoritari, iar
electronii purtători minoritari.
E E

B.C B.C

EC EC
ED
Ei Ei

EA
EV EV
B.V B.V

(a) (b)
Fig. 2.4. Generarea de purtători în semiconductori: (a) de tip n; (b) de tip p. Cerculeţele
pline desemnează electroni, cerculeţele goale desemnează goluri.

Concentraţia atomilor de siliciu în reţeaua cristalină este de aproximativ

1022cm-3. Ce înseamnă o dopare cu Bor de 1016cm-3 ? Înseamnă că vom găsi
un atom de bor cam la un milion de atomi se siliciu. Deoarece impurităţile
sunt atât de rare, nivelele acceptoare sau donoare se reprezintă cu linie
întreruptă (pentru a sugera distanţe mari între doi atomi vecini de
impuritate). Când dopările cresc peste 10 18cm-3, distanţa dintre doi atomi
de impuritate se micşorează suficient de mult încât aceste nivele energetice
ED, sau EA, să se despice în benzi energetice (conform relaţiei lui
Hiesenberg). Ele "consumă" astfel din banda interzisă a semiconductorului.
Fenomenul este cunoscut sub numele de "îngustare a benzii interzise".
Detalii despre acest fenomen în referinţa [4].

2.3. Concentraţia purtătorilor de sarcină în semiconductoare

2.3.1. Elemente de statistica purtătorilor

18
Pentru determinarea concentraţiei de electroni în corpul solid, trebuie
cunoscute două funcţii: legea de distribuţie a lor după energie - f(E) şi
densitatea de stări energetice – g(E). Electronilor li se aplică funcţia de
distribuţie Fermi-Dirac,[5]. Această funcţie, notată cu f(E), reprezintă
probabilitatea ca la temperatura T, o stare energetică E, să fie ocupată cu
electroni şi are expresia:
1
f (E)  (2.2)
 E  EF 
1  exp 
 kT 
unde EF, este un nivel energetic fictiv (numit nivelul Fermi) pentru care
probabilitatea de ocupare cu electroni este 1/2. În semiconductoare acest
nivel este plasat în banda interzisă. În semiconductorul intrinsec nivelul E F
se află la mijlocul benzii interzise. În semiconductorul de tip n avem E F>Ei,
iar în semiconductorul de tip p EF<Ei. Într-un semiconductor de tip n
nivelul EF se plasează în banda interzisă mai aproape de EC. Cu cât doparea
semiconductorului este mai mare cu atât EF se apropie tot mai mult de EC.
Pentru dopări mai mari de 1018cm-3 se poate ca: EC-EF < 3kT 
exp [(EC-EF)/kT]<e  în relaţia (2.2) la numitor, termenii 1 şi exp [(EC-
3

EF)/kT] sunt comparabili ca ordin de mărime. Funcţia de distribuţie rămâne

sub forma relaţiei (2.2). Aceste semiconductoare puternic dopate (peste
1018cm-3) se numesc semiconductoare degenerate. În schimb, la dopări mai
mici, nivelul EF se apropie de mijlocul benzii interzise. Astfel, pentru
dopări mai mici de 1018cm-3, într-un semiconductor de tip n, respectiv p
avem: EC-EF > 3kT şi respectiv EF-EV > 3kT. La numitorul relaţiei (2.2) se
poate neglija 1 în raport cu exponenţiala de argument mai mare ca 3 şi se
obţine:

 E  EF 
f (E)  exp    (2.3)
 kT 

Funcţia (2.3) reprezintă funcţia de distribuţie Boltzmann şi se aplică

electronilor din semiconductoarele slab dopate, numite semiconductoare
nedegenerate.

Densitatea de stări energetice, g(E), reprezintă numărul de stări energetice

permise electronilor pe unitatea de volum şi pe unitatea de interval
energetic, în jurul nivelului curent E. Pentru densitatea de stări energetice
se adoptă modelul Sommerfeld, în care cristalul constituie o groapă finită
de potenţial pentru electroni [5,6]:

19
 42m 0 3 / 2
g(E)  3
 E1 / 2 (2.4)
h
unde h este constanta lui Planck, m0 este masa efectiva a particulei. Pentru
densitatea de stări energetice a electronilor din banda de conducţie rezultă:

42m n 3 / 2
g C (E)  3
 E  E C 1 / 2 (2.5)
h
Similar, densitatea stărilor permise în banda de valenţă rezultă:


4 2m p 3 / 2
g V (E)  3
 E V  E 1 / 2 (2.6)
h
unde mn,p reprezintă masa efectivă a electronului, respectiv golului.
Numărul de electroni pe cm2, cu energii cuprinse în intervalul dE din jurul
nivelului E este: f(E)g(E)dE. Pe un interval energetic finit (E min, Emax)
avem:
E max
concentratia de electroni   f (E)g(E)dE (2.7)
E min

2.3.2. Concentraţia de purtători în semiconductoare

nedegenerate

Pentru aflarea concentraţiei de electroni, n 0, din banda de conducţie, relaţia

(2.7) se integrează între EC şi +, cu densitatea de stări energetice dată de
(2.5) şi funcţia de distribuţie Boltzmann (2.3):

42m n 3 / 2 
 E  EF 
n0    exp   E  E C  dE
1/ 2
(2.8)
h 3
EC  kT 

Făcând schimbarea de variabilă: (E-EC)/kT=y şi deci dE=kTdy, rezultă:

42m n kT 3 / 2  E C  E F   1/ 2 y
1/ 2
n0   exp    y e dy (2.9)
h 3
 kT  0
La analiză matematică s-a studiat funcţia "gamma", ca o funcţie integrală
cu parametru:

20
 
( x )   y x 1e  y dy (2.10)
0

Integrala din relaţia (2.9) este (3/2). Utilizând proprietăţile funcţiei

"gamma", [7], rezultă (3 / 2)   2 . Rezultă concentraţia de electroni
din (2.9):

 E  EF 
n 0  N C  exp   C  (2.11)
 kT 
3/ 2
 2m n kT 
unde N C  2    (2.12)
 h2 

NC se numeşte densitatea efectivă a stărilor din banda de conducţie şi se

observă că variază cu T3/2, celelalte mărimi fiind constante.
Similar se calculează concentraţia de goluri, p 0, integrând între - şi EV
relaţia (2.7):


4 2m p 3 / 2 EV
 EF  E 
p0      kT E V  E  dE
1/ 2
exp (2.13)
h3   
În final se obţine:

 E  EV 
p 0  N V  exp   F  (2.14)
 kT 
3/ 2
 2m P kT 
unde N V  2  (2.15)
 h2 

NV se numeşte densitatea efectivă a stărilor din banda de valenţă.

Cazul semiconductorului intrinsec. S-a arătat că prin mecanismul intrinsec

se generează perechi electron-gol. Deci n0=p0=ni numită concentraţia
intrinsecă. Egalând expresiile (2.11) şi (2.14) rezultă poziţia nivelului
Fermi în semiconductorul intrinsec:

E C  E V kT N V E C  E V
EF   ln   Ei (2.16)
2 2 NC 2

Aceasta deoarece NV/NC este de ordinul unităţii, iar kT este neglijabil ca

valoare faţă de EG la temperaturi uzuale. Deci nivelul EF se plasează pe la

21
mijlocul benzii interzise în semiconductorul intrinsec. Făcând produsul
concentraţiilor de electroni şi goluri rezultă:

 E  EV 
n i2  n 0 p 0  N V N C  exp   C  (2.17)
 kT 

De aici şi din (2.12), (2.15) rezultă concentraţia intrinsecă, ni, sub diverse
forme:
 E   E  Ei 
n i  N V N C  exp  G   N C  exp C 
 2kT   kT 
(2.18)
 E  EV 
 N V  exp  i 
 kT 

Concentratia intrinseca este:

 E 
n i  A  T 3 / 2  exp  G  (2.18')
 2kT 

Relaţia (2.18) indică o dependenţă exponenţială puternică a concentraţiei

intrinseci ni de temperatură. Relaţiile (2.12) şi (2.15) dovedesc o
dependenţă de temperatură chiar şi a factorului N C N V . Dar această
dependenţă, de tipul T3/2, este mult mai slabă decât cea exponenţială.

Cazul semiconductorului extrinsec. Concentraţiile de electroni şi goluri la

echilibru termic păstrează aceleaşi expresii ca şi în cazul
semiconductorului intrinsec; doar că acum n 0 p0 într-un punct al
semiconductorului. Se mai deduc şi alte expresii pentru n 0 şi p0 , în funcţie
de ni, pornind de la relaţiile (2.11), (2.14), (2.18):

 E  Ei 
n 0  n i  exp  F  (2.19)
 kT 
 E  EF 
p 0  n i  exp  i  (2.20)
 kT 

La neechilibru termic (de exemplu în cazul aplicării unei tensiuni electrice

pe semiconductor), nivelele EF se înlocuiesc cu cvasinivelele Fermi pentru
electroni şi goluri - EFn, EFp. Din punct de vedere fizic, diferenţa EFn-EFp
reflectă o măsură a stării de neechilibru. Pentru a nu suferi complicaţii
majore, modelele matematice păstrează pentru concentraţiile de electroni şi
goluri - n, p - aceleaşi expresii ca (2.19) şi (2.20); doar că mărimile EFn, EFp
din aceste funcţii nu mai au semnificaţie fizică, ci sunt parametri fictivi:

22
  E  Ei   E i  E Fp 
n  n i  exp  Fn  ; p  n i  exp  
 (2.21)
 kT   kT 

2.3.3. Concentraţiile de purtători în funcţie de dopări

Realizarea practică a dispozitivelor semiconductoare implică pornirea de la

o plachetă de siliciu, de exemplu de tip n, în care ulterior se fac diverse
impurificări (difuzii de tip p, n+, etc). De aceea există zone în care
semiconductorul e dopat atât cu impurităţi donoare cât şi acceptoare. Fie
un domeniu semiconductor în care există impurităţi donoare în
concentraţie ND şi impurităţi acceptoare în concentraţie NA. Ecuaţia de
neutralitate implică o densitate nulă de sarcină electrică în acest domeniu:

 v  q N D  p 0  N A  n 0   0 (2.22)

S-a presupus că toate impurităţile donoare au devenit ioni pozitivi (cu

sarcină +qND); iar cele acceptoare au devenit ioni negativi (cu sarcină -
qNA). Conform relaţiilor (2.19), (2.20) în orice semiconductor dopat, la
echilibru termic, avem:

n 0 p 0  n i2 (2.23)

Relaţia (2.23) este cunoscută sub numele de condiţie de echilibru termic.

Rezolvând sistemul (2.22), (2.23) în raport cu necunoscutele n 0, p0, rezultă:

1
n0  ND  NA  N D  N A 2  4n i2  (2.24)
2  
1
p0  NA  ND  N A  N D 2  4n i2  (2.25)
2  
Acestea sunt expresiile concentraţiilor de purtători în funcţie de dopări.
Într-un semiconductor de tip n cu ND>>NA, se poate scrie simplificat la
echilibru termic:
n i2
n n0  N D ; p n 0  (2.26)
ND

Dacă semiconductorul este compensat (NA=ND) se obţine: n0=p0=ni, adică

are o comportare intrinsecă.

2.3.4. Concentraţiile de purtători în semiconductoarele

degenerate

23
În cazul semiconductoarelor degenerate (cu nivel de dopare - mai mare
decât 1018 cm-3), deducerea concentraţiilor de electroni şi goluri se face
utilizând distribuţia Fermi-Dirac în relaţia (2.7):

42m n 3 / 2 
E  E C 1 / 2
n0      
dE (2.27)
h3 E C 1  exp E E
 F

 kT 
Se face tot schimbarea de variabilă: (E-EC)/kT=y şi se utilizează expresia
integralei Fermi-Dirac de ordinul 2, [4]:

y1 / 2 dy
F1 / 2 ()   (2.28)
0
1  exp( y  )

Concentraţiile de electroni şi goluri la echilibru termic rămân sub formă

integrală:

2  E  EC 
n0  NC  F1 / 2  F  (2.29)
  kT 
2  E  EF 
p0  NV  F1 / 2  V  (2.30)
  kT 

unde mărimile fizice care intervin au semnificaţiile discutate anterior.

Aceste valori se pot calcula doar prin metode numerice de integrare. În
situaţii de neechilibru termic se reînlocuieşte E F din relaţiile de mai sus cu
cvasinivelele Fermi: EFn şi EFp pentru electroni, respectiv goluri.

2.3.5. Problema ionizării impurităţilor

Dacă în semiconductoarele nedegenerate, utilizarea aproximaţiei ionizării

totale a impurităţilor introduce erori foarte mici, la semiconductoarele
degenerate această eroare creşte cu nivelul de dopare, [4]. Era vorba de
presupunerea că toate impurităţile donoare, respectiv acceptoare au pierdut
un electron, respectiv gol şi au devenit ioni pozitivi sau negativi. De
exemplu, pentru o dopare ND=1019cm-3 se vor ioniza doar 47% dintre
atomi.. Se notează cu ND*, NA*, concentraţiile de ioni donori, respectiv
acceptori. Trebuie ca: ND*= NDProbabilitatea de ionizare. Probabilitatea
ca un atom donor să devină ion donor este egală cu probabilitatea ca un gol
să "ocupe" nivelul energetic ED, adică egală cu unu minus probabilitatea de
ocupare cu un electron a nivelului ED. Pentru probabilitatea de ocupare cu
electroni se utilizează funcţia Fermi-Dirac. Similar se raţionează pentru
ionii acceptori.

24
 NA
N *A  N A f (E A )  (2.31)
 E  EF 
1  g A exp  A 
 kT 

 
 
 N D 1  f (E D )  N D 1 
1 
N *D (2.32)
 1  ED  EF 
 1 exp  
 g D  kT  

În relaţiile anterioare s-au considerat şi factorii de degenerare pentru

nivelele donoare şi acceptoare, gD şi gA, ce modelează despicarea nivelelor
energetice ED, EA, în sub-benzi la dopaje mari.
Dacă dorim să fim foarte riguroşi în calculul concentraţiei de electroni şi
goluri, vom ţine cont de sarcina electrică a ionilor acceptori şi donori în
ecuaţia de neutralitate. Concentraţiile lor sunt N D*şi NA*, mai mici decât
dopajele ND şi NA.

2.4. Curenţi în semiconductoare

2.4.1. Curenţi de câmp

Una din cauzele apariţiei curenţilor în semiconductoare este aplicarea unei

diferenţe de potenţial pe semiconductor. În acest caz, purtătorii de sarcină
sunt antrenaţi în direcţia câmpului electric, dar datorită ciocnirilor cu
atomii din reţea, au o traiectorie ca în fig. 2.5.

Si, n
- +V
e-
Electroni
ciocniri
EC în BC
Fig. 2.5. Semiconductor EF
polarizat la tensiunea V Ei
şi diagrama sa energetică. qV
EV Goluri
în BV

25
Curentul care se produce se numeşte curent de câmp sau de drift. În figura
2.5. este reprezentată diagrama energetică a unui semiconductor de tip n
supus unei tensiuni electrice. Dacă semiconductorul are o concentraţie de
impurităţi uniformă (semiconductor omogen), nivelul E F rămâne paralel cu
Ei. Electronii din banda de conducţie (BC) sunt acceleraţi de câmpul
electric şi câştigă energie cinetică, ceea ce determină deplasarea lor în
(BC) spre nivele superioare nivelului EC. În momentul ciocnirii de un atom
ei îşi pierd energia cinetică prin căldură degajată în reţea. Imediat după
ciocnire ei au doar energie potenţială, adică revin în (BC) pe nivelul
energetic EC.
Apoi sunt din nou acceleraţi şi suferă noi ciocniri, ciclul repetându-se. În
schimb, purtătorii minoritari - golurile în fig. 2.5. - câştigă energie cinetică
tot sub influenţa câmpului electric, dar se deplasează în profunzimea benzii
de valenţă. Forţa electrică imprimă electronilor şi golurilor accelera-
ţiile an, aP:
  
Fn  q E  m n a n (2.33)
  
Fp   q E  m p a p

Când legea vitezei este o funcţie de gradul I, cum este cazul mişcării
rectilinii uniform accelerate dintre două ciocniri consecutive, viteza medie
se calculează ca medie aritmetică. Electronii şi golurile au viteza iniţială 0
şi viteza finală atc. Deci:

 a t
vn  n c (2.34)
2

 ap tc
vp 
2
unde tc este timpul dintre două ciocniri consecutive, E este intensitatea
câmpului electric. Înlocuind (2.33) în (2.34) rezultă vitezele v n, vp:

 qt c    qt  
vn    E   n  E şi v p   c  E   p  E (2.35)
2m n 2m p
unde n, p reprezintă mobilităţile electronilor respectiv golurilor şi se
exprimă în cm2/Vs.
Observaţia 1: Dependenţa liniară v-E din (2.35) e valabilă doar la câmpuri
electrice mici. În siliciu, la câmpuri mai intense, această dependenţă devine

26
parabolică ( v ~ E ) şi la câmpuri foarte intense viteza particulelor se
saturează la o valoare constantă (vsat=2107cm/s în Si).
Observaţia 2: În aceste situaţii, se impune o generalizare a noţiunii de
mobilitate. Este vorba despre mobilitatea diferenţială, definită ca:
=dv/dE.
Observaţia 3: Mobilitatea electronilor este mai mare decât mobilitatea
golurilor deoarece mn<mp. Valori ale n, p la diverse dopări în Si, se găsesc
în referinţa [3].
Observaţia 4: Mobilitatea scade când nivelul de dopare sau temperatura
cresc. Explicaţia intuitivă este simplă: purtătorii se deplasează mai greu
într-o "mulţime" prea numeroasă de atomi, ori prea "agitată" termic.

În general, în semiconductori densitatea de curent este:

I
j  qNv (2.36)
A
Înlocuind vitezele pentru electroni şi goluri cu relaţiile (2.35) în (2.36) şi
ţinând cont de sarcina +q a golului şi -q a electronului, rezultă densităţile
de curent:
   
j n  qn n E şi j p  qp p E (2.37)

Prin superpoziţie curentul total de drift este:

    
j  j n  j p  q ( p  p  n n ) E   E (2.38)

unde  este conductivitatea electică a unui semiconductor cu impurităţi.

Relaţia (2.38) este cunoscută şi sub denumirea de forma microscopică a
legii lui Ohm.
Observaţie: Din relaţia (2.38) rezultă şi formula conductivităţii unui
1
semiconductor cu impurităţi:    q (n n  p p ) .


2.4.2. Curenţi de difuzie

Cauza curentului de difuzie este gradientul concentraţiei de purtători.

Cauzele unei concentraţii neuniforme de purtători pot fi: impurificarea
neuniformă (tipică în procesele de implantare ionică, difuzie), injecţia de
purtători dintr-o joncţiune vecină, încălzirea sau iluminarea neuniformă a
semiconductorului. Pentru estimarea acestui curent se utilizează legea lui
Fick, de difuzie a gazelor:

27

Fp  D p  p (2.39)
unde cu "p" s-a notat tot ce ţine de specia care difuzează (de exemplu
golurile), Dp este constanta de difuzie a particulelor, p este gradientul
concentraţiei de particulele, Fp este fluxul de particule, definit ca număr de
particule ce străbate unitatea de arie în unitatea de timp. În urma acestei
definiţii rezultă că densitatea de curent de goluri într-un semiconductor
este:
 
j p  q Fp (2.40)
Din relaţiile (2.39), (2.40) scrise pentru electroni şi goluri, rezultă
densităţile
de curent de difuzie:

 j n  qD n n
 (2.41)
 j p  qD p p


În relaţia (2.41) s-a ţinut cont de semnul sarcinilor electronilor şi golurilor.

2.4.3. Ecuaţii de transport

Atunci când coexistă ambele cauze: câmp electric şi gradient al

concentraţiei de purtători, prin semiconductor va curge un curent electric
determinat de ambii agenţi de transport:
   
j n  j ndrift  j ndif  qn n E  qD n n
   
j p  j pdrift  j pdif  qn p E  qD p p (2.42)

Relaţiile (2.42) se numesc ecuaţii de transport. Curentul de transport este:

  
j  jn  jp (2.43)

În cazul unor câmpuri electrice care variază în timp, apare şi un curent de

deplasare, jd, dat de:

 E
jd   (2.44)
t

28
unde  este permitivitatea dielectrică a semiconductorului, t este timpul.
Curentul total se obţine prin superpoziţia curenţilor de câmp şi de
deplasare:

   E
j tot  jn  jp   (2.45)
t
În semiconductoarele nedegenerate, sunt cunoscute relaţiile dintre
constantele de difuzie şi mobilităţi [4], ca relaţiile lui Einstein:

kT
D n ,p   n ,p (2.46)
q

unde kT/q notată frecvent cu vth, are semnificaţia tensiunii termice.

Un model unitar de exprimare a curenţilor de transport este cel bazat pe
variaţia nivelului energetic Fermi:

 
 j  n d EF

 n n
dx
 
(2.47)
 d EF
 j p  p p 
 dx

Demonstraţia se va face doar pentru o specie de purtători - de exemplu

electronii. Se va presupune o analiză unidimensională pe axa Ox. Atunci

mărimile: n, Ei, EF, V, E vor fi doar de variabilă x. Ştiind că E  gradV şi
relaţia energie-potenţial: E i ( x )  qV( x ) + ct, în caz unidimensional
rezultă:

1 dE i
E (2.48)
q dx

În expresia curentului de transport de electroni (2.42) se înlocuiesc:

câmpul electric E cu relaţia (2.48), constanta de difuzie cu relaţia (2.46),
apoi concentraţia de electroni cu (2.19). Avem succesiv:

29
 1 dE i dn
j n  qn ( x ) n  kT n 
q dx dx
dE i d  E (x)  E i (x) 
 n ( x ) n  kT n  n i exp F 
dx dx  kT 
dE i 1  dE F dE i  dE F
 n ( x ) n  kT n n ( x )     n ( x ) n
dx kT  dx dx  dx

Similar pentru goluri. O consecinţă directă a modelului (2.47), al curenţilor

de transport, este că densitatea de curent a unei specii de purtători este nulă
într-un semiconductor când nivelul Fermi este constant. Această observaţie
este specifică doar semiconductoarelor. În metale, dacă gradientul de
potenţial electric este nul şi curentul este nul. În semiconductoare nu mai
este suficient să avem o absenţă a potenţialului electric pentru a nu avea
curenţi, deoarece aici există şi curenţi de difuzie. Deoarece ponderile
curenţilor de câmp şi de difuzie sunt greu de precizat, relaţia (2.47) are
avantajul unei exprimări unitare - doar prin intermediul unei mărimi fizice
- nivelul Fermi - şi în acelaşi timp foarte exactă (deoarece nu este necesar
să se neglijeze vreuna din componentele curentului).
Definiţie: Un semiconductor se află la echilibru termic când fluxurile de
electroni, de goluri şi cel termic sunt nule, ceea ce este echivalent cu E F =
constant şi T =constant în tot semiconductorul.
Această echivalenţă este asigurată de relaţia (2.47) din care se vede că un
nivel Fermi constant implică: jn=0 şi jp=0. Precizarea suplimentară de
temperatură constantă trebuie făcută deoarece independent de curenţii de
drift sau difuzie, în cazul unui gradient de temperatură în semiconductor,
pot apărea şi curenţi termoelectrici, jth, daţi de relaţia, [4]:
j th  P  T (2.49)

unde  este conductivitatea electrică, P este puterea termoelectrică

diferenţială (ce depinde de densităţile efective de stări din banda de
conducţie şi din banda de valenţă, de mobilităţile şi concentraţiile de
electroni şi goluri), iar T este temperatura. În continuarea cursului se va
neglija această componentă de curent.

În concluzie, se poate spune că un semiconductor se află la echilibru termic

dacă: NU se aplică câmp electric sau magnetic, NU se supune radiaţiilor,
NU se încălzeşte. Se poate întâmpla ca un semiconductor să se afle la
echilibru termic, deci jn=0, jp=0, şi totuşi la scară microscopică să se "vadă
o vânzoleală" de electroni sau goluri. Deoarece numărul de electroni
(goluri) care străbate o secţiune a semiconductorului în timpul t într-un

30
sens este egal cu numărul de electroni (goluri) care străbate secţiunea în
sens contrar. Se poate întâmpla ca mecanismele de difuzie să-i antreneze
într-un sens, iar mecanismele de câmp în sens contrar. Echilibrul poate
avea loc când cele două mecanisme se compensează. Acest exemplu va fi
folosit în înţelegerea fenomenelor ce au loc într-o joncţiune pn
nepolarizată.

2.5. Semiconductoare în regim de neechilibru

2.5.1. Fenomene de generare-recombinare

Generarea de purtători de sarcină într-un semiconductor este preponderent

o generare termică, adică electronii trec în banda de conducţie datorită
energiei termice (interacţiunii fonon-electron). Fononul este o particulă cu
masă şi impuls ce modelează energia termică în interiorul reţelei cristaline.

Fie un semiconductor aflat la echilibru termic la temperatura T. Dacă se

măreşte temperatura la Tf, (Tf>T), creşte agitaţia termică a reţelei; apar
fononi cu energii tot mai mari care ciocnesc electronii şi-i propulsează în
banda de conducţie. Creşte astfel generarea de purtători de sarcină liberi.
La temperatura Tf generarea nu încetează, ci e compensată de recombinare,
căci în final se va stabili un nou echilibru termic la noua temperatură T f.
Deci regimul de neechilibru din acest exemplu este regimul tranzitoriu
dintre T şi Tf, când generarea pedomină faţă de recombinare.

La dispozitivele electronice mai pot interveni ocazional şi alte tipuri de

generări decât termică: generare sub acţiunea luminii, radiaţiilor nucleare,
câmpuri electrice intense. Generarea sub acţiunea luminii are la bază
interacţiunea foton-electron. Fotonul având masa de repaus zero şi un
impuls foarte mic, prin ciocnire cu un electron nu-i poate modifica şi
impulsul, ci doar energia. Pentru a putea genera electroni trebuie ca energia
fotonului să fie mai mare sau egală cu lăţimea benzii interzise a
semiconductorului. Concentraţia purtătorilor de sarcină variază în timp
într-un domeniu semiconductor dat datorită a 3 cauze:
 Generarea ("naşterea") de purtători de sarcină - electroni şi goluri;
 Recombinarea ("moartea" sau "dispariţia") purtătorilor de sarcină;
 Deplasarea ("plecarea" sau "sosirea") purtătorilor de sarcină.

Definiţii: Generarea reprezintă fie fenomenul de trecere a unui electron în

banda de conducţie (generare de electroni), fie de părăsire a benzii de
valenţă (generare de goluri). Recombinarea reprezintă fie fenomenul prin
care un electron părăseşte banda de conducţie (recombinare sau dispariţie

31
de electron de conducţie), fie fenomenul prin care un electron trece în
banda de valenţă (recombinare sau dispariţie a golului).

Observaţie: Fenomenele de generare-recombinare nu conduc la apariţia-

dispariţia de particule fizice, ci numai de particule purtătoare de sarcină
ce pot conduce curentul electric în semiconductoare (electroni, goluri).
Generarea de electroni sau goluri se face cu absorbţia unei energii externe
- energie termică, luminoasă, electrică, magnetică. Recombinarea
purtătorilor se face cu eliberare de energie (termică, adică eliberare de
fononi, luminoasă cu eliberare de fotoni, etc.).

Un rol important în procesele de generare-recombinare îl au defectele

cristaline şi prezenţa atomilor străini (Cu, Fe, Au, Ni), ce introduc nivele
energetice "adânci" în banda interzisă a semiconductorului (figura 2.6).
Spre exemplu, aurul introduce două nivele energetice adânci: unul la
0,54eV faţă de EC, cu caracter "acceptor" şi unul la 0,35eV faţă de EV cu
caracter "donor". Caracterul donor sau acceptor este dat de starea de
ionizare pe care o capătă impuritatea. Aceste nivele sunt energiile
electronilor de valenţă ai atomilor de aur ce se suprapun peste diagrama
energetică a siliciului.

Generarea sau recombinarea poate fi: 1) Directă sau bandă-bandă, când

electronul trece direct din BV în BC sau invers (cazul GaAs); 2) Indirectă
sau prin centri intermediari, când electronul trece din BV pe un nivel
energetic adânc (centru de recombinare), Et, din banda interzisă, apoi de pe
acesta trece în banda de conducţie (cazul Si).

Sb P As Au Pt Fe Zn
EC-Si

0,039 0,04 0,049

0,56eV
0,25
Impurităţi donoare 0,54 0,55 0,51
Ei-Si
Impurităţi acceptoare
0,35 0,36 0,35
0,3 0,31 0,56eV

0,045 0,057 0,072

B Al Ga
Impurităţi ce controlează
rezistivitatea materialului
(introduc nivele superficiale)
EV-Si
Impurităţi ce controlează fenomenele de
generare-recombinare
(introduc nivele adânci)
32
 Fig. 2.6. Plasarea energiilor de ionizare a impurităţilor în banda interzisă a siliciului
(valorile sunt exprimate în eV).

Observaţie: Nu orice nivel energetic adânc, acţionează ca centru de

recombinare. Este posibil ca un electron din BC să treacă pe un nivel E t,
din banda interzisă, iar după un timp să revină în tot în BC (fără să se
recombine în BV !). Starea energetică Et, acţionează acum ca un centru de
alipire (trapă). Este de aşteptat ca acele nivele energetice, Et, centrate cât
mai aproape de mijlocul benzii interzise, Ei, să se comporte ca centri
intermediari de recombinare; cele plasate mai aproape de Ec se comportă ca
trape pentru electroni, iar cele plasate mai aproape de Ev se comportă ca
trape pentru goluri.

2.5.2. Parametrii specifici proceselor de generare-recombinare

Definiţii: Ratele de generare/recombinare pentru electroni, respectiv

goluri (notate respectiv gn, gp, rn, rp) reprezintă numărul de particule ce se
generează / recombină în unitatea de timp, pe unitatea de volum. Rata netă
de recombinare pentru electroni şi goluri se calculează cu relaţiile:
R n  rn  g n şi R p  rp  g p (2.50)

O denumire echivalentă pentru rata netă de recombinare este şi viteza netă

de recombinare ("rate"="viteză", engl.). Pentru a fi înţelese mai uşor aceste
mărimi pot fi asimilate cu "natalitatea" pentru rata de generare, cu
"mortalitatea" pentru rata de recombinare şi cu "sporul natural" luat cu
semn schimbat pentru rata netă de recombinare. Astfel dacă Rp>0,
echivalent rp>gp, predomină recombinarea golurilor, sau "sporul natural" e
negativ. Dacă predomină "natalitatea", adică g p>rp, se obţine un "spor
natural" pozitiv şi din (2.50) rezultă Rp<0.
vtrni

e-

Fig. 2.7. Captarea electronului

pe un nivel energetic Et, de către
un centru de recombinare.

Secţiunea Centri de recombinare

eficace de (atomi Au, Fe, etc)
33
captură, n
Fie un domeniu semiconductor în care se află centri de recombinare în
concentraţie Nt, (vezi fig. 2.7). Nivelul energetic al acestor centri este E t.
Ne vom referi în continuare doar la electroni, raţionamentul pentru goluri
fiind similar. Timpul cât un electron stă în banda de conducţie se numeşte
timp de viaţă intim pentru electron, ni. Secţiunea eficace de captură, n,
specifică fiecărei impurităţi, reprezintă acea arie din jurul unui centru de
recombinare, pentru care probabilitatea de captare a unui electron este
suficient de mare. Electronul ce se deplasează cu viteza termică, v tr, în
reţeaua cristalină, parcurge vtr metri în 1 secundă şi întâlneşte un număr de
centri de recombinare = volumul  concentraţia Nt a centrilor = (vtr 1sec
n)  Nt. Dar electronul trăieşte ni secunde până întâlneşte primul centru
liber, apoi "dispare". Deci:
În 1 sec electronul întâlneşte vtr n Nt centri de recombinare.
În ni sec electronul întâlneşte 1 centru de recombinare.
Rezultă imediat expresia timpului de viaţă intim pentru electron:

1
 ni  (2.51)
v tr  n N t

Din definiţia vitezei de recombinare rezultă următoarea relaţie de legătură

cu timpul de viaţă intim pentru electroni [8]:

n
rn  (2.52)
 ni

2.5.3. Modelul ratei de recombinare cu timpi de viaţă ai

purtătorilor în exces

Purtătorii în exces pot apărea într-o regiune semiconductoare prin injecţia

lor dintr-o zonă adiacentă. Fie n concentraţia totală de electroni. Odată
injectaţi, "noii" electroni nu mai pot fi deosebiţi de cei deja existenţi, în
concentraţie n0, şi deci nu se mai poate evalua timpul lor de viaţă intim. Se
adoptă un model formal, simplificat. Se pot privi purtătorii injectaţi ca "o
nouă specie de purtători", numiţi “în exces” [8], de concentraţie n-n0, care
au un timp de viaţă în banda de conducţie n. Rata lor netă de recombinare
este obţinută din relaţia (2.52):

34
 n  n0 p  p0
Rn  ; Rp  (2.53)
n p

unde Rp este rata netă de recombinare a golurilor în exces (ce se deduce

analog), n,p sunt timpi de viaţă ai purtătorilor în exces (electroni, goluri).
Spre exemplu, rata netă de recombinare pentru electroni în exces trebuia să
se calculeze cu relaţia [8]:
n n
R n  rn  g n 0  rn  rn 0   0 (2.54)
 ni  ni0

unde ni reprezenta timpul de viaţă intim pentru toţi electronii după
injecţie, ni0 reprezenta timpul de viaţă intim pentru electronii dinaintea
injecţiei, când era echilibru termic şi generarea compensa recombinarea
(gn0=rn0). Din relaţiile (2.53) şi (2.54) rezultă un prim model de dependenţă
a parametrului formal n de parametrii cu sens fizic ni , ni0 şi de
concentraţia totală a electronilor, n:

 ni
n  (2.55)
n0   
1 1  ni 
n  n0   ni0 

Observaţie: La nivele mici de injecţie (concentraţia purtătorilor injectaţi,

este mult mai mică decât concentraţia purtătorilor dinaintea injecţiei, n 0),
n0
termenul  1 în relaţia (2.55); se obţine :  n   ni0  const .
n  n0
Acest rezultat este satisfăcător pentru studiul joncţiunii pn din capitolele
următoare.

2.5.4. Modelul Shockley-Read-Hall (SRH)

Ipotezele modelului: 1) Semiconductorul (de tip siliciu) suferă procese de

generare-recombinare indirecte.
2) Există doar un singur nivel energetic intermediar, Et.
3) Concentraţia totală a centrilor de recombinare, de energie, Et, este Nt.
4) Pentru purtătorii captaţi pe nivelele Et se aplică statistică Fermi-Dirac.
Există patru situaţii pentru tranziţia unui electron între BV şi BC,
prezentate în figura 2.8.

EC EC EC EC

Et Et Et Et

EV 35E EV
EV V
 (a) (b) (c) (d)
Fig. 2.8. (a) Captarea unui electron din BC pe nivelul Et; (b) emisia unui electron de pe
Et în BC; (c) capturarea unui gol din BV de către un electron aflat pe Et; (d) emisia unui
gol în BV prin trecerea unui electron din BV pe un nivel Et.

Probabilitatea de ocupare a nivelului energetic Et cu electron este:

1
f (2.56)
 Et  EF 
1  exp  
 kT 
Ratele de desfăşurare a proceselor a-d (notate ra, rb, rc, rd) reprezintă
conform definiţiei exact ratele de generare/recombinare pentru electroni şi
goluri. Ele se obţin înmulţind probabilităţile de ocupare a nivelelor
energetice Et cu concentraţiile de centri liberi sau ocupaţi (pentru electroni
sau goluri).
ra  rn  v tr  n nN t (1  f )
rb  g n  e n N t f
(2.57)
rc  rp  v tr  p pN t f
rd  g p  e p N t (1  f )

unde en,p sunt probabilităţile de emisie a electronilor, respectiv golurilor. În

condiţii de echilibru termic, ratele de generare-recombinare devin egale
pentru fiecare specie de purtători: ra=rb şi rc=rd. Din aceste condiţii se
calculează probabilităţile de emisie en, ep. Spre exemplu, en este:
 E  Ei 
e n  v tr  n n i exp t  (2.58)
 kT 
unde s-a ţinut cont de expresia concentraţiei de electroni la echilibru, n 0,
obţinută în relaţia (2.19). Notând cu nt, pt concentraţiile fictive de electroni,
respectiv goluri pentru care EF=Et, avem:

 E  Ei 
n t  n i exp  t 
 kT  (2.59)
 E  Et 
p t  n i exp  i 
 kT 

36
 n p
În condiţii staţionare (  0,  0 ), rata netă de recombinare pentru
t t
electroni este egală cu rata netă de recombinare pentru goluri:
R n  R p  rn  g n  rp  g p   n n(1  f )  n t f    p pf  p t (1  f )
(2.60)

Din (2.60) se extrage expresia lui f şi apoi a lui 1-f. Cu aceste expresii se
calculează rata netă de recombinare:

 n  p v tr N t (pn  p t n t )
R n  R p  rn  g n  (2.61)
 n (n  n t )   p (p  p t )

În conformitate cu relaţia (2.51) se definesc timpii de viaţă intimi ai

golurilor în raport cu centrii de recombinare complet ocupaţi, p0, şi timpii
de viaţă intimi ai electronilor în raport cu centrii de recombinare complet
neocupaţi cu electroni, n0:
1
 p0 
v tr  p N t
(2.62)
1
n0 
v tr  n N t

Înlocuind (2.62) în (2.61) şi observând din relaţiile (2.59) că n t p t  n i2 ,

rezultă expresia ratei nete de recombinare:
not pn  n i2
Rn  Rp  U  (2.63)
 p 0 (n  n t )   n 0 (p  p t )

Relaţia (2.63) reprezintă modelul Shockley-Read-Hall pentru rata netă de

recombinare şi este foarte convenabil pentru materialul de bază folosit în
dispozitivele electronice - Siliciul. Din relaţia (2.63) se desprind
următoarele concluzii:
- La echilibru termic (p=p0, n=n0, p0n0=ni2) rata netă de recombinare este
nulă.
- În condiţii de exces de purtători (pn>n i2) predomină recombinarea
deoarece Rn>0, Rp>0.
- În condiţii de lipsă de purtători (pn<n i2) predomină generarea deoarece
Rn, Rp<0.
Observaţie: Modelul S-R-H nu este unicul şi nici cel mai bun model. El
ţine de modelarea fenomenelor fizice în semiconductoare. Această
modelare este de un interes major în zilele noastre pentru programele de

37
simulare, ca PISCES, ATLAS, MEDICI. Un utilizator trebuie să seteze un
anumit model, dintr-o librărie, spre exemplu pentru rata netă de
recombinare. Pornind de la modelul S-R-H s-au dezvoltat diverse alte
modele ce doresc să fie cât mai fidele fenomenelor fizice reale din
semiconductor.

2.6. Sistemul ecuaţiilor de bază al fizicii semiconductoarelor

2.6.1. Ecuaţiile de continuitate

Ecuaţiile de continuitate se referă la deducerea variaţiei în timp a

concentraţiilor de purtători. Cauzele variaţiei în timp ale concentraţiilor de
purtători sunt:
(1) Generarea de purtători - care este în primul rând o generare termică, cu
rata gn, sau gp, iar ocazional o generare datorită unor agenţi externi, cu
o rată notată cu GL(de la agentul Luminos - cel mai frecvent);
(2) Recombinare de purtători, care se realizează cu o rată rn sau rp;
(3) Fenomene de transport de purtători.
Dacă în semiconductoare există doar fenomene de transport, se poate scrie
legea conservării sarcinii, care leagă densitatea de sarcină ρ de densitatea
de curent, j:
 
  div j (2.64)
t
Această lege se scrie pentru electroni şi goluri astfel:
n 1 
  div j n
t q

(2.65)
p 1
  div j p
t q

Prin superpoziţia celor trei cauze, (1-3) şi utilizând expresia (2.50), se

obţin ecuaţiile de continuitate pentru electroni şi respectiv pentru goluri:

n 1 
 G L  R n     jn (2.66)
t q
p 1 
 G L  R p     jp (2.67)
t q

2.6.2. Ecuaţia Poisson în semiconductoare

38
Cele două ecuaţii Maxwell referitoare la intensitatea câmpului electric E,

 B
sunt: rot E   (2.68)
t
 v
div E  (2.69)


În absenţa câmpului magnetic, din (2.68) rezultă că: rot E  0 , deci câmpul

electric este un câmp de gradienţi: E  gradV . Aşadar, relaţia (2.69)
devine:

V   v (2.70)

unde v este densitatea de sarcină de volum,  este permitivitatea
dielectrică a mediului. Aceasta este ecuaţia Poisson. Scrisă detaliat într-un
mediu semiconductor, ea devine:

 2V

 2V

2V

q

p  n  N *D  N *A  (2.71)
x 2 y 2 z 2

unde ND*, NA* sunt concentraţiile impurităţilor ionizate donoare şi

acceptoare.

2.6.3. Sistemul ecuaţiilor de bază în semiconductoare

Orice dispozitiv electronic realizat pe materiale semiconductoare poate fi

descris de următorul sistem de ecuaţii, dacă se cunosc condiţiile la limită,
iniţiale şi de dopaj:

Ecuaţiile de transport (relaţiile 2.42 şi 2.45):

   
j n  j ndrift  j ndif  qn n E  qD n n
   
j p  j pdrift  j pdif  qn p E  qD p p

Ecuaţiile de continuitate (relaţiile 2.66, 2.67):

39
 n 1 
 G L  R n     jn
t q
p 1 
 G L  R p     jp
t q

Ecuaţia lui Poisson (relaţia 2.71):

V  
q

p  n  N *D  N *A 
Acest sistem defineşte complet orice dispozitiv electronic semiconductor.
Fiind însă un sistem diferenţial şi cu derivate parţiale este greu de rezolvat
pe cale analitică.
Singură soluţie rămâne cea numerică. Spre exemplu, programe dedicate
simulării dispozitivelor electronice, precum ATLAS, MEDICI, rezolvă
acest sistem de ecuaţii pentru orice dispozitiv electronic.

Mai întâi, trebuie definită structura dispozitivului (coordonate spaţiale,

tipuri de materiale incluse, tipul zonelor semiconductoare, dopări, locul
contactelor metalice, tipul contactelor metalice - vezi anexa I). A doua
etapă este setarea modelelor pentru: statistica distribuţiilor de purtători,
mobilităţile purtătorilor, profilele de dopare, ratele nete de recombinare,
includerea sau nu a unor fenomene fizice ce modelează aplicarea de
câmpuri magnetice, variaţii de temperatură, etc. După această etapă
sistemul ecuaţiilor de bază este scris detaliat cu diverse modele pentru: n,
p, n, p, Dn, Dp, GL, Rn, Rp, ND*, NA*. Aceste modele conţin o sumedenie
de parametri de model şi constante de material, aflate în biblioteci, la care
apelează programul. În etapa a treia se setează metodele numerice prin care
ecuaţiile cu derivate parţiale se scriu ca ecuaţii algebrice; apoi se
precizează metodele de liniarizare a sistemului astfel obţinut şi de
rezolvare a sa. În a patra etapă se definesc stimulii aplicaţi (valorile
tensiunilor aplicate pe terminale). După iteraţii succesive, în care valorile
de start pentru tensiuni reprezintă condiţii iniţiale, se incrementează
tensiunile până la valorile finale. Într-o ultimă etapă se definesc linii de
program de ieşire, în care soluţiile sistemului de bază se stochează în
diverse tipuri de fişiere. Cu ajutorul acestor fişiere de ieşire se pot genera
diverse funcţii de ieşire precum: distribuţii de sarcină, câmp, potenţial,
temperatură, concentraţii de purtători în diverse zone din dispozitiv. Detalii
şi exemple în anexa I, dar şi în referinţa [9].

Limitele investigării dispozitivelor semiconductoare cu ajutorul sistemului

ecuaţiilor de bază este legat în prezent de dimensiunile dispozitivelor.

40
Tehnologiile vor permite în curând ca dispozitivele să fie constituite dintr-
un număr mic de atomi. În acele cazuri, sistemul ecuaţiilor de bază, obţinut
pe considerente statistice nu va mai fi satisfăcător. Atunci va trebui să se
apeleze direct la rezultatele fizicii cuantice.

2.7. Teorema conducţiei electrice neliniare

Cu ajutorul sistemului de bază al ecuaţiilor fizicii semiconductoarelor se

pot deduce modele analitice pentru dispozitivele electronice (spre exemplu
modelul caracteristicilor statice). Aceste modele analitice, ce ţin cont de
fenomenele fizice care au loc şi de proprietăţile de material ale
dispozitivului se numesc modele fizice. Există şi modele empirice ce se
inspiră din modelele fizice, dar care introduc parametri de model fără o
corespondenţă fizică directă. Se apelează la aceste modele, care au
avantajul simplităţii, atunci când rezolvarea matematică a sistemului de
bază devine prea laborioasă. S-a avansat mult pe acest drum în ultimii ani,
datorită invaziei masive de programe de simulare a dispozitivelor şi
circuitelor electronice. Aceste soft-uri au necesitat o masă foarte variată de
modele ale dispozitivelor. În această goană contra-cronometru, după
modele cât mai simple a unor fenomene fizice din ce în ce mai complexe,
rezolvarea sistemului de bază a devenit fie imposibilă, fie prea
consumatoare de timp. De aceea, s-au dezvoltat aşa numitele modele de
fitare, care nu mai au nici o legătură cu fenomenul fizic, ci adoptă un
model pur matematic, care să se suprapună cât mai bine peste măsurătorile
experimentale. Toate aceste modele ridică o problemă comună: extragerea
parametrilor de model.

Caracteristica de bază a componentelor microelectronice active este

neliniaritatea lor. În problematica extragerii parametrilor de model pentru
componentele active apare în mod constant ideea extragerii unor tensiuni
sau curenţi de prag (sau de cot). Aceste "praguri" reprezintă graniţe ale
modelului curent-tensiune, între două regiuni liniare adiacente. Teorema
conducţiei electrice neliniare, enunţată şi justificată pentru prima dată în
1993 de profesorul Adrian Rusu [10, 11] se pretează tuturor componentelor
active pentru determinarea acestor praguri.

Legea fenomenelor de conducţie electrică: Fie o componentă electronică

activă cu n+1 terminale, dintre care unul este legat la masă (referinţă de
potenţial). Curenţii i1, i2, .........in prin celelalte n terminale depind fiecare
de tensiunile v1, v2, ......vn aplicate pe aceste terminale:

41
 i1  i1 ( v1 , v 2 ,.....,v n )
 ____
 ................................ cu v k  (, ), k  1, n (2.73)
i  i ( v , v ,.....,v )
n n 1 2 n

În virtutea consideraţiilor experimentale se observă că fiecare din funcţiile

(i j )1 jn continue şi derivabile admit asimptote orizontale sau oblice în
raport cu fiecare variabile v1, v2, ......vn la capetele domeniului de definiţie.
Teorema conducţiei electrice neliniare (TCEN): Fie o componentă
electronică activă descrisă de legea fenomenelor de conducţie electrică.
Atunci pentru fiecare funcţie (i j )1 jn şi potenţial ( v k )1 k  n există cel
puţin o valoare VTk a pontenţialului vk pentru care:

 3i j
0 (2.74)
v 3k
v k  VTk
Aceste valori VTk (T de la "T"hreshold = prag - engl.) se numesc valori de
prag. Pentru a evita calculul derivatei de ordin 3 a funcţiilor s-a propus o
teoremă matematică utilă, [11]:
Teoremă: Fie f :    , continuă şi cu cel puţin primele trei derivate
continue având proprietăţile:
(1) f ' este strict monotonă ;
(2) f prezintă asimptote oblice la amândouă capetele domeniului de
definiţie.
Atunci zeroul derivatei a treia a lui f se găseşte la abscisa punctului de
intersecţie a celor două asimptote.

Observaţie: În enunţurile anterioare se presupune că orice componentă

electronică activă admite asimptote oblice sau orizontale la capetele
domeniului de definiţie. Cealaltă presupunere, legată de continuitatea şi
derivabilitatea funcţiilor ij-vk este uşor de acceptat, deoarece majoritatea
răspunsurilor din natură au aceste două proprietăţi. Cât este de justificată
prezumţia asimptotelor? Fie că la tensiuni mari se manifestă puternic
efectul rezistenţelor serie ce tind să "supună" dispozitivul legii lui Ohm, fie
din considerente energetice, fie în regimuri de saturaţie sau blocare unde
curenţii tind la o valoare constantă, dispozitivele electronice cunoscute
până acum prezintă experimental aceste comportări asimptotice. Dar un
dispozitiv nou, se va supune şi el acestui criteriu? Răspunsul este
afirmativ. Cauza de fond a neliniarităţii caracteristicilor curent-tensiune
pentru un dispozitiv semiconductor, ţine de dependenţa neliniară a vitezei
de deplasare a purtătorilor de sarcină funcţie de intensitatea câmpului

42
electric, [11]. Următorul model empiric [11], descrie dependenţa vitezei
purtătorilor de câmpul electric aplicat, în siliciu omogen:
0E
v (2.75)
  E  1/ 
1   0  
  v sat   v
0E

vsat
Fig. 2.9. Dependenţa
vitezei de deplasare a
purtătorilor în funcţie
de intensitatea câmpu-
lui electric aplicat în
siliciu.

unde 0 este mobilitatea purtătorilor la Ecâmpuri

T E
mici, vsat=107cm/s pentru
Si, E este intensitatea câmpului electric,  parametru de fitare.
Pentru câmpuri mici relaţia (2.75) se reduce la (2.35), adică o dependenţă
liniară: v=0E. La câmpuri mari (E ), relaţia (2.75) implică saturarea
vitezei: v=vsat.
O aplicaţie a TCEN ar fi determinarea graniţei între câmpuri electrice
"mari" şi câmpuri electrice "mici" din relaţia (2.75). Se observă că funcţia
v-E descrisă de (2.75), nu prezintă asimptote oblice la extremitatea stângă
a domeniului de definiţie (E=0). Se vor face următoarele schimbări de
variabilă: u=ln v şi t=ln E. Pentru simplificare se presupune =1. Se obţine
următoarea funcţie ce se supune TCEN:

0e t
u ( t )  ln ,u :   (2.76)
0e t
1
v sat

Această funcţie admite asimptote orizontale şi oblice:

La +: u  ln v sat
La -: u  t  ln  0 (2.77)

Intersecţia celor două asimptote furnizează pragul:

43
 v sat v
t T  ln  E T  sat (2.78)
0 0

Unde valoarea "de prag", ET, din relaţia (2.78) stabileşte o graniţă între
câmpuri electrice "mari" şi câmpuri electrice "mici". Se observă că
valoarea de prag, ET, se putea obţine şi fără funcţia auxiliară u(t), dacă se
lucra cu funcţia directă v(E) pentru care se extindea noţiunea de asimptotă
definită la analiză matematică la noţiunea de "asimptotă pe vecinătăţi". În
vecinătatea lui zero (E 0), dependenţa v(E) din (2.75) tinde asimptotic
către un comportament liniar: v=0E, iar în vecinătatea lui infinit (E ),
tinde către asimptota orizontală: v=v sat. Intersectând direct aceste două
asimptote pe vecinătăţi rezultă rapid aceeaşi valoare de prag, E T, dată de
(2.78), fără a mai fi nevoie să se apeleze la funcţia auxiliară (2.76).
Deoarece forme de funcţii de tipul (2.75) se mai întâlnesc des în modelarea
componentelor microelectronice active, este recomandabil a se acorda o
atenţie deosebită următoarei clase de funcţii cu parametri a,b, reali,
pozitivi:
av
i( v)  , v0 (2.79)
1  b  v
Deoarece acestor funcţii nu li se poate aplica direct TCEN, se apelează la
funcţia auxiliară u(t) cu u=ln i şi t=ln v:

a  et
u ( t )  ln , t  (,) (2.80)
1  b  e t

i 0<<1 u 0<<1

=1
a/b ln(a/b)
=1

>1 >1

0 VT v 0 tT t
Fig. 2.10. Reprezentarea grafică a funcţiilor i-v şi u-t pentru diverse valori ale
parametrului .

44
Graficele celor două funcţii sunt reprezentate calitativ în fig. 2.10. Se
observă că pentru =1 intersecţia asimptotelor pe vecinătăţi ale funcţiei
directe i-v coincide cu intersecţia asimptotelor funcţiei auxiliare u-t şi
reprezintă punctul de prag.
Pentru >1 nici funcţia directă, nici funcţia auxiliară nu se supun
condiţiilor TCEN deoarece nu admit asimptote la ambele capete ale
domeniului de definiţie.
Pentru 0<<1 funcţia directă nu are asimptote pe vecinătăţi la ambele
capete, dar funcţia auxiliară are asimptote. Aceste asimptote sunt:
a
La +: u  (1  ) t  ln (2.81)
b
La -: u  t  ln a (2.82)
Conform teoremei auxiliare TCEN, valoarea de prag se află la intersecţia
celor două asimptote:
1/ 
1 1 1
t T  ln  VT    (2.83)
 b b
Observaţia 1: Pentru =1 şi b=0/vsat rezultă valoarea de prag a câmpului
dată de (2.83), aceeaşi ca (2.78).
Observaţia 2: Pentru delimitarea nivelelor mici şi mari de injecţie la
tranzistorul bipolar, se aplică modelul (2.80) cu b=, =1/2 şi t=qVBE/kT şi
se obţine din (2.83) aceeaşi expresie ca în literatura de specialitate [11]:

kT 1
VBE ,T  2 ln (2.84)
q 

Observaţia 3: Pentru multe din răspunsurile biosenzorilor se pot aplica

modelele (2.79) sau (2.80) prin fitare. Cu ajutorul TCEN se pot stabili şi
aici praguri cu relaţia (2.83) pentru delimitarea unor domenii de
comportare neliniară [12].
Observaţia 4: Determinarea pragurilor prin intersecţia asimptotelor pe
vecinătăţi poate conduce la rezultate eronate. Aceasta este o simplificare
doar din punct de vedere didactic. Ea se poate adopta doar în cazuri
izolate, ce au fost verificate riguros în prealabil cu TCEN.

2.8. Probleme rezolvate la capitolul II

45
Problema 1. Un monocristal de Si este dopat cu impurităţi donoare şi
acceptoare în următoarele concentraţii: ND=1015cm-3, NA=1,11016cm-3. Se
cunosc: T=300K, ni=1,451010cm-3, n=103cm2/Vs, p=400cm2/Vs. Se cer:
a) Concentraţiile de electroni şi goluri, la echilibru termic; b) Poziţia
nivelului Fermi; c) Tipul semiconductorului şi rezistivitatea sa; d)
Densitatea de curent de conducţie prin semiconductor, dacă se aplică pe el
un câmp electric de intensitate E=2V/cm.

Soluţie: a) Se presupun impurităţile complet ionizate (ND=ND* şi NA=NA*).

Din condiţiile de neutralitate şi echilibru termic (2.22) şi (2.23) se obţin
soluţiile (2.24) şi (2.25). Observând că avem de-a face cu un
semiconductor de tip p (NA>>ND) se obţine:

p0=NA-ND=1016cm-3 şi n0=ni2/p0=2,1104cm-3.
 E  EF 
b) Din p 0  n i  exp  i 
 kT 
p
rezultă E i  E F  kT ln 0  0,348eV EC
ni
Poziţia nivelului Fermi apare pe Ei
diagrama energetică. 0,348eV
EF
EV

1
c) Pentru Si de tip p avem aproximativ:    1,56cm .
qp 0  p

d) Se calculează curentul de câmp: j  qp 0  p E  1,28A / cm 2 .

Problema 2. Un monocristal de Si a fost dopat cu impurităţi donoare şi

acceptoare în următoarele concentraţii: ND=1019cm-3, NA=1,011019cm-3.
Se cunosc: T=300K, ni=1,451010cm-3, EC-ED=0,09eV, EA-EV=0,1eV,
gA=1, gD=1. Se cer: a) Poziţia nivelului Fermi; b) Concentraţiile
purtătorilor liberi; c) Să se stabilească dacă semiconductorul este degenerat
sau nedegenerat; d) Care este procentul ionizării impurităţilor.

Soluţie: a) Deoarece concentraţiile de impurităţi sunt mari (cca 10 19cm-3)

nu se mai poate aplica presupunerea ionizării complete a impurităţilor
(vezi paragraf 2.3.5.). Soluţiile (2.24) şi (2.25) nu ne mai sunt utile
deoarece p0 şi n0 vor apărea în funcţie de ND* şi NA* care la rândul lor

46
depind de necunoscuta E F. Se scrie ecuaţia de neutralitate:
p 0  N *D  n 0  N *A

Vom presupune că semiconductorul este nedegenerat (ceea ce vom verifica

mai târziu) şi vom accepta pentru concentraţiile de electroni şi goluri
expresiile (2.21). Pentru concentraţiile impurităţilor ionizate adoptăm
modelele (2.31) şi (2.32). Atunci ecuaţia de neutralitate se va scrie:

 
 
 Ei  EF   1   E F  Ei 
n i exp    N D 1    n exp  

i
 kT   E E   kT 
 1  exp  D F
 
  kT  
NA

 E  EF 
1  exp  A 
 kT 

 E  EF 
Se notează: exp  i   x. E
 kT 
1,1eV EC
0,09eV
De pe diagrama energetică se vede că: ED

E D  E i  1,1 / 2  0,09  0,46eV 0,55eV Ei

E A  E i  (1,1 / 2  0,1)  0,45eV
EA
0,1eV
Apoi avem: 0 eV EV

 E  EF   E  Ei   E  EF 
exp  D   exp  D  exp  i   xe 18, 4
 kT   kT   kT 
 E  EF   E  Ei   E  EF 
exp  A   exp  A  exp  i   xe 18
 kT   kT   kT 

Înlocuind în ecuaţia de neutralitate, se obţine:

 1  ni NA
n i x  N D 1    
 1  xe 18, 4  x 1  x  e 18

Ţinând cont că xni dă maxim 1019, rezultă că x<109, deci se pot face nişte
aproximaţii mai sus (1 neglijabil în raport cu exp de argument pozitiv, iar

47
exp de argument negativ e neglijabilă faţă de 1 în membrul II). Am evitat
astfel, o ecuaţie de gradul IV. Se obţine ecuaţia de grad II:

ND
n i x 2  ( N D  N A )x   n i  0 . Singura soluţie pozitivă, deci fizic
e18,4
posibilă este x=1,01107. Rezultă poziţia nivelului Fermi faţă de nivelul Ei:

E i  E F  kT ln x  0,405eV .

b) Concentraţiile de goluri şi electroni sunt:

 E  EF 
p 0  n i exp  i   1,5  1017 cm 3
 kT 
 E  Ei 
n 0  n i exp  F   10 3 cm 3 .
 kT 
Deoarece p0>>n0 este semiconductor de tip p.

c) E F  E V  E i  E V  E i  E F  0,145eV şi 3kT=30,025eV=0,075eV.

Deoarece EF-EV>3kT rezultă că semiconductorul este nedegenerat.

d) Procentajul ionizării impurităţilor acceptoare şi donoare este:

N *A 1
pA    51,2%
NA  EA  EF 
1  exp  
 kT 
N *D 1
pD  1  99,99% .
ND  ED  EF 
1  exp  
 kT 

Observaţie: Se putea rezolva iterativ şi ecuaţia de grad IV în x, luând ca

primă iteraţie valoarea x=1,01107, obţinută prin metoda simplificată.

Observaţii: Date utile, [5, 13]:

- Masa de repaus a electronului, m0=9,1·10-31kg, sarcina lui, q=1,6×10-19C.
- Permitivităţi dielectrice relative: εSi=11,8; εSiC=9,7 ; εDiam=5,5;
εSi3N4=7,5; εSiO2=3,9; εSafir=12; εH2=1,000273; εO2=0,00054;
εbenzen=2,23; εapa=80.

48
- Temperaturi de topire: TSi=14200C, TGaAs=14430C, TAu=10630C,
TAg=9610C, TPt=17700C.
- Afinităţi pentru electroni (faţă de nivelul energetic de referinţă al vidului
la temperatura de 300K) : χSi=4,17eV, χDiam=7,2eV.
- Constante universale: Constanta lui Boltzmann, k=1,38×10 -23J/K;
Constanta lui Planck, h = 6,626·10-34Js; constanta gazelor, R=
R=8,314J/mol.K; Numărul lui Avogadro, NA=6,023×1023molecule/mol;
viteza luminii în vid, c0=300000km/s; Volumul molar normal la gaze,
Vμ0=22,42m3/kmol; raza atomului de Hidrogen, rH=1Å=10-10m; constanta
lui Faraday, F=96400C/echivgram, sau F=q·NA; potenţialul standard de
referinţă al electrodului de hidrogen, ΔΦ0=0,000V.

49