Modelo Electroptico de un lser

Javier Mateo Gascn Dpto. Ingeniera Electrnica y Comunicaciones Zaragoza, Febrero de 2003

Esquema de la presentacin
Objetivos Introduccin Caractersticas elctricas del lser Caractersticas electropticas del lser Modelo trmico Modelo del refrigerador Peltier Resumen del modelo

Modelo Electroptico de un lser

Objetivos
Obtencin de un modelo SPICE que simule el comportamiento de un diodo lser real y de los componentes adicionales con l integrados
Destacar la importancia de la temperatura en el comportamiento del lser Este modelo servir de base en el diseo de fuentes pticas estabilizadas
El comportamiento del modelo ser dinmico de forma que las variables que afecten a su funcionamiento se ajustarn con arreglo a las condiciones impuestas externamente y a sus interrelaciones internas

Introduccin
Se van modelar las caractersticas de un lser real: El FU-44SLD-1, de Mitsubishi La mayora de los datos se obtendrn de las hojas de caractersticas dadas por el fabricante El modelo global se crear a partir de modelos especficos que simulen su comportamiento electrnico, su respuesta optoelectrnica y su dependencia con la temperatura Se completar el modelo con la inclusin del refrigerador termoelctrico integrado basado en el efecto Peltier Finalmente, se resumir el modelo global obtenido mostrando la interrelacin entre los bloques parciales que se han diseado

En el diseo de un modelo hay siempre un compromiso entre sencillez y fidelidad

Introduccin
Esquema externo del subcircuito
Relacin entre el circuito hbrido real y el modelo

Real
PD

Modelo

TERMISTOR POPT LD TLASER TTERM

COOLER TCASE TAMB

Adems de los dispositivos fsicos integrados con que cuenta este componente, se aadirn nodos que nos permitirn medir o actuar sobre diferentes variables de inters. As, se han incluido los nodos TLaser, TTerm, TCase y TAmb que dan cuenta de las diferentes temperaturas durante el funcionamiento del dispositivo en Voltios por C, y el nodo POpt que indicar la potencia ptica emitida por el lser en Voltios por mW.

Caractersticas elctricas del lser

Corriente directa (IF) vs. Voltaje directo (VF)
Fundamentalmente se pretende con esta parte simular el comportamiento de la curva IF / VF del lser. Las caractersticas elctricas del diodo lser bsicamente se modelarn mediante un diodo cuyos parmetros DC (RS, IS) se seleccionarn de forma que coincidan sus propiedades con las del lser. Puesto que necesitaremos en otras partes del subcircuito monitorizar la corriente que atraviesa el lser colocamos una fuente de tensin de 0V en serie con el diodo para poder referenciar la corriente que lo atraviesa.
V(10) ANOD V1 I(V1) IF

*MODELO ELECTRONICO .MODEL DLASER D(RS=xx IS=yy) V1 10 1 0V D1 1 9 DLASER

D1 DLASER V(9) CATOD

IS>IS>IS RS<RS<RS

Merece la pena modelar la variacin del comportamiento con la temperatura? Cmo se podra hacer?

Modelo electroptico I
Potencia ptica emitida (Popt) vs. Corriente directa (IF)
Simularemos la potencia ptica mediante alguna variable elctrica. En concreto se desea que el voltaje en el nodo POPT del subcircuito nos indique la potencia ptica en razn de 1V/mW. Adems, como la temperatura del lser condiciona de forma importante su respuesta, incluiremos elementos dependientes de dicha temperatura, la cual, como veremos ms adelante, estar representada mediante la tensin en un determinado nodo. Desarrollaremos el modelo siguiendo las siguientes fases: 1. Modelado del comportamiento estacionario a cuatro temperaturas diferentes segn la figura con elementos discretos 2. Ajuste de los componentes discretos por componentes variables continuos con la temperatura del lser 3. Aadir los elementos necesarios para modelar la respuesta transitoria a un pulso de corriente sin modificar el comportamiento estacionario

Modelo electroptico II
Comportamiento estacionario modelado con elementos discretos
El comportamiento IF-Popt es similar a la curva VF-IF de un diodo. Modelaremos Popt como la corriente que atraviesa un diodo e IF como la tensin que cae en ese diodo. Utilizamos H1, una fuente de tensin controlada por la corriente real IF para generar la tensin que cae en un diodo estndar D2 (sin modificar sus parmetros por defecto). La corriente que atraviese D2 tendr el sentido de Popt. Ajustaremos el factor de escala K, de H1 de forma que esa corriente sea equivalente a 1mA por cada 1mW de Popt. Aadimos V2 para poder mover el codo correspondiente a la Ith del lser y R2 para ajustar la pendiente o eficiencia del lser. En este caso dejamos el diodo estndar y aadimos en serie V2 y R2 porque estos elementos deben variar con la temperatura. Para obtener Popt como tensin en el nodo Popt aadimos V3 de 0V para monitorizar la corriente que pasa por D2 y la convertimos a tensin con H2 con un factor de escala 1000. Obtendremos por tanto 1V en el nodo Popt por cada 1mW de Popt emitida. Debemos obtener el valor de K y cuatro valores de R2 y de V2 que ajusten el modelo a las cuatro temperaturas.
R2 V2 D2 ESTANDAR V(5) POPT
5

V3

H1 VOUT=KIF H2 Popt =1000I (V3)

TL<TL<TL<TL

V2<V2<V2<V2

R2<R2<R2<R2

Modelo electroptico III

Ajuste de los valores discretos de R2 por una resistencia variable con la T del lser
R2 tiene una dependencia prcticamente lineal con la temperatura Modelaremos R2=RNOM (1+P4Tlaser) Tlaser ser la tensin en un nodo del modelo trmico Una posibilidad de resistencia controlada por tensin es la siguiente
RN 10 30 RNOM ER 30 20 POLY(2) 10 30 40 0 0 0 0 0 P4

La resistencia resultante entre los nodos 10 y 20 tiene un valor de

RNOM(1+P4V(40))

El voltaje de control (Tlaser) se aplica entre el nodo 40 y masa.

La sintaxis de una fuente controlada por dos tensiones es la siguiente: En N+ N- POLY(2) NV1+ NV1- NV2+ NV2- P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 Vout=P0+P1*V1+P2*V2+P3*V1^2+P4*V1*V2+P5*V2^2+P6*V1^3+ En nuestro caso tenemos: V(30)-V(20)=P4(V(10)-V(30))V(40) y de esta forma la tensin entre los nodos 10 y 20 es I*RNOM+P4(V(10)-V(30))V(40)=IRNOM(1+P4V(40)) Como sucedera con una resistencia de valor R=RNOM(1+P4V(40))
10 40 20

V(40) TLASER
* SUBCIRCUITO RESISTENCIA VARIABLE .SUBCKT MIVARES 10 20 40 RN 10 30 800 ER 30 20 POLY(2) 10 30 40 0 0 0 0 0 7E-3 .ENDS

Modelo electroptico IV
Ajuste de los valores discretos de V2 por una fuente de tensin controlada por la T del lser
V2 tiene una dependencia con la temperatura que puede aproximarse por un polinomio de 2 grado Modelaremos V2=P0+P1Tlaser+P2 Tlaser2 Directamente se modela como:
E2 N+ N- V(40) 0 P0 P1 P2

El voltaje de control (Tlaser) se aplica entre el nodo 40 y masa

Modelo resultante

D1 ESTANDAR POPT

V3 H1 V1 V(40) TLASER H2 V3

V(40) TLASER

Modelo electroptico V
Modelado de la respuesta transitoria a un pulso de corriente
Fundamentalmente modelaremos el tiempo de subida del lser Adems presenta una ligera oscilacin Aadiremos un circuito paso bajo resonante de 2 grado formado por L3, C3 y R3 L3 y C3 limitan el tiempo de subida y generan la oscilacin. R3 amortigua la oscilacin

Modelo optoelectrnico final

X1 MIVARES R3 L3 D2 ESTANDAR POPT C3 TLASER H1 E1 H2 V2

TLASER

Modelo trmico I
Se deben simular la diferentes temperaturas que alcanzan diferentes puntos crticos del dispositivo
Diodo Lser Termistor Carcasa

El modelo trmico se basa en las siguientes relaciones duales:

La temperatura de un punto en C se simular mediante la tensin en voltios en dicho punto El flujo de calor o potencia disipada entre dos puntos ser la corriente que circule entre ambos. La corriente tendr el sentido de calentar el nodo al que vaya, por tanto de aumentar la tensin en dicho nodo. La relacin debe ser de un amperio por vatio La resistencia trmica expresada en C/W de un elemento frente a otro, se simular mediante una resistencia de igual valor en ohmios Cada elemento podr tener una capacidad o inercia trmica, que se simular mediante un condensador cuyas unidades equivalentes sern 1F=1Ws/C

Las variaciones de temperatura pueden deberse a dos causas:

Variacin de la temperatura ambiente Variacin de la potencia disipada en el diodo lser. Podr aproximarse como la potencia consumida por el lser Pc=VFIF menos la potencia ptica emitida Supondremos que los dems componentes no disipan calor

Modelo trmico II
El modelo propuesto es el siguiente:
T Laser T Carcasa Potencia Disipada

Rlc

T Termistor Rtc Rlt

Rca T Ambiente Cc

I=IFVF

I=Popt

Cl

Ct

* Potencia disipada = Pconsumida - Pemitida * Potencia consumida=VFIF B1 0 13 I=I(V1)*(V(10)-V(9)) * Potencia emitida = corriente por V2 F1 13 0 V2 1

Modelo trmico III

No disponemos de datos del fabricante En un caso real mediramos en una cmara climtica, la potencia ptica emitida, la resistencia del termistor y la temperatura de la carcasa obteniendo una curvas similares a estas:
40.0 2 1 36.0
27. 0 28. 0 1

32.0

26. 0

28.0

25. 0

24.0

24. 0

24.0

72.0

120

168

216

24. 0

72. 0

120

168

216

Evolucin de las temperaturas en el termistor (inferior) y en el lser (superior) frente a un pulso de corriente por el lser de 0 a 25 mA de cuatro minutos de duracin cuando la temperatura ambiente es de 25C

Temperatura de la carcasa en las mismas condiciones del caso anterior

Modelo trmico IV
Clculo de los parmetros trmicos
Una primera aproximacin sera suponer que Rtl es muy pequea y Rlc=Rtc Segn los valores del fabricante a 25C:
If=25mA Vf=1.2 V Pc=30 mW y Popt=5mW Pdisipada=25mW

Las resistencias se calculan a travs de los valores estacionarios finales

Tc (t=240)=27.5C Rca=100 Tl (t=240) =38C Rlc=Rtc=830 Tt (t=240)=37.7C Rtl=25
RLC RLT RTC RCA

PDISIP 25MA

TAMB 25V

Modelo trmico V
TLASER

Clculo de las capacidades trmicas

Las capacidades se pueden calcular a travs de las pendientes de subida de la temperatura en cada elemento
Pdisip 25MA

RLC

TCASE

RLT TTERM RTC Ct

TAMB RCA Cc

Cl

Es razonable suponer que Cc >> Cl > Ct dado el volumen de estos componentes

La pendiente de subida de la T en el lser-termistor vendr dada por la tensin en un condensador CL+CT cargndose con una corriente de 25mA ya que Rlt es pequea Sube 8V en 4 seg. CL+CT=It/V=12mF Si suponemos CL=5CT CL=10mF y CT=2mF La pendiente de subida de la T en la carcasa ser la debida a la carga de Cc con 25mA, con un pequeo retraso debido a la carga previa de CL y CT Sube 0.5V en 10 seg. Cc=It/V=500mF

Modelo del refrigerador Peltier

Un refrigerador basado en el efecto Peltier est formado por un semiconductor que crea una diferencia de temperaturas entre sus caras cuando lo atraviesa una corriente El refrigerador termoelctrico extrae calor del lser hacia la carcasa, que son los nodos a los que trmicamente est unido Supondremos que tiene un comportamiento puramente resistivo, con una eficiencia constante y reversible El modelo propuesto es:
V(1) COOLER V4

T Laser T Carcasa RCOOLER

El fabricante nos dice que cae una tensin de 2V cuando lo atraviesa una corriente de 600mA, lo que nos permite calcular su resistencia El fabricante dice que para una corriente de 600mA puede enfriar 40C al lser cuando la T de la carcasa es de 65. Este dato nos permite obtener la relacin entre la corriente que lo atraviesa y el calor (corriente) que extrae del lser

V(14) COOLER

Resumen del modelo

Modelo Optoelectrnico
X1 MIVARES R3 C3 E1 TLaser L3 D2 ESTANDAR V2 H2 POPT

H1

TLaser

Modelo Electrnico
V(10) ANODO I(V1) IF

V1

D1 DLASER V(9) CATODO

Modelo Cooler Modelo Trmico

Pot. Disipada T Laser Rlc T Carcasa T Laser COOLER +

T Term Rtc Rlt Cl Ct

Rca T Amb. Cc

T Carcasa Rcooler

I=IFVF

I=Popt

COOLER -

Modelo del termistor

La resistencia de un termistor NTC viene dada por la siguiente expresin:

RT = R25C e

1 1 B T + 273.15 298.15

R25C es la resistencia del termistor a 25C y B es el coeficiente trmico dado por el fabricante. Simularemos el termistor mediante un generador no lineal de corriente en funcin de la tensin entre sus terminales. El comando adecuado mediante IsSpice es el siguiente:
Bxx 12 11 I=(V(11)-V(12))/(R25C*EXP(B*(1/(TTermistor+273.15)-1/298.15)))
11

V(11) TERMIST1 V(12) TERMIST2

12

R25C y B se sustituirn por los datos del fabricante y T Termistor se sustituir por V(nn) donde nn es el nodo correspondiente a la temperatura del termistor.

Modelo del fotodiodo PIN

Para modelar el fotodiodo PIN utilizaremos un diodo de caractersticas similares al PIN (CJO), en paralelo con dos fuentes de corriente:
La primera controlada por la tensin de polarizacin inversa de la que depender la corriente de oscuridad. La segunda controlada por la tensin que modela la potencia ptica emitida, que simular la responsividad del fotodiodo PiN.

El modelo quedar como:

V(7) PIN_C G2 Resp

7

G3 Idark

.MODEL DPIN D(CJO=XX) D3 8 7 DPIN G2 7 8 6 0 RESP G3 7 8 7 8 IDARK donde IDARK es el coeficiente de dependencia de la corriente de oscuridad con la tensin de polarizacin y RESP es el coeficiente de dependencia de la corriente generada con la potencia ptica emitida por el lser.
D3 DPIN
8

V(6) POPT+

V(8)

PIN_A

Si se desea mayor grado de aproximacin

Modelar la variacin de la corriente de oscuridad de forma no lineal Modelar la variacin de la corriente de oscuridad con la temperatura Modelar la variacin de la capacidad de la unin con la tensin inversa de polarizacin.

Laser.lib
********************************************** *SRC=FU44SLD;FU44SLD;Diodes;Laser;Laser con PIN, Termistor y Cooler *SYM=FU44SLD .SUBCKT FU44SLD 10 9 8 7 6 15 12 11 13 16 17 19 18 *Este subcircuito simula un Laser ptica y termicamente con PIN, Termistor y Cooler. * *MODELOS * .MODEL DLASER D(RS=6 IS=5E-20) .MODEL ESTANDAR D .MODEL DPIN D(CJO=1PF) * * SUBCIRCUITO RESISTENCIA VARIABLE * .SUBCKT MIVARES 10 20 40 R 10 30 800 ER 30 20 POLY(2) 10 30 40 0 0 0 0 0 7E-3 .ENDS * * MODELO ELECTRONICO * V1 10 1 D1 1 9 DLASER * * MODELO ELECTROOPTICO * H1 2 0 V1 350 X2 25 2 13 MIVARES E2 25 4 13 0 1.873 27.26E-3 611E-6 D2 4 3 ESTANDAR C2 3 0 20PF R2 3 5 3.5 L1 5 24 0.2NH V3 24 0 H2 6 0 V3 1000 * * MODELO TERMICO * F1 13 0 V3 1 B1 0 13 I=I(V1)*(V(10)-V(9)) RLT 13 11 25 RTC 11 12 830 RLC 13 12 830 CL 13 0 10MF CT 11 0 2MF CC 12 0 500MF RCA 12 15 100 * * MODELO COOLER * RCOOLER 14 18 2.7 V5 19 14 F2 13 12 V5 160M * * MODELO TERMISTOR * B4 17 16 I=(V(17)V(16))/(10K*EXP(3250*(1/(V(11)+273.15)1/298.15))) * * MODELO PIN * D3 8 7 DPIN G2 7 8 6 0 0.3M G3 7 8 7 8 20NA .ENDS **********************************************