INTRODUCCIN

El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario. En la Figura 1 se muestran el smbolo y la curva caracterstica tensin-intensidad del funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de A a K.

Figura 1: Smbolo y curva caracterstica tensin-corriente del diodo ideal. El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto. La punta de la flecha del smbolo circuital, representada en la figura 1, indica el sentido permitido de la corriente.

presenta resistencia nula.

presenta resistencia infinita.

Mediante el siguiente ejemplo se pretende mostrar el funcionamiento ideal de un diodo en circuito sencillo.

Figura 2: Ejemplo de funcionamiento del diodo ideal. Segn est colocada la fuente, la corriente debe circular en sentido horario. En el circuito de la izquierda, el diodo permite dicha circulacin, ya que la corriente entra por el nodo, y ste se comporta como un interruptor cerrado. Debido a esto, se produce una cada de tensin de 10V en la resistencia, y se obtiene una corriente de 5mA. En el circuito de la derecha, el diodo impide el paso de corriente, comportndose como un interruptor abierto, y la cada de tensin en la resistencia es nula: los 10V se aplican al diodo.

DIODO DE UNIN PN
Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unin de dos materiales semiconductores de caractersticas opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. A esta estructura se le aaden dos terminales metlicos para la conexin con el resto del circuito. En la Figura 3: se presenta el esquema de los dos tipos de diodos que se fabrican actualmente, el diodo vertical y el plano.

Figura 3: Esquemas de diodos de unin PN El hecho de que los diodos se fabriquen con estos materiales conlleva algunas desviaciones de comportamiento con respecto al diodo ideal. En este apartado se presenta en primer lugar el proceso de formacin de los diodos de semiconductores para pasar despus a exponer el comportamiento elctrico y las desviaciones con respecto al comportamiento ideal.

Formacin de la unin PN Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una frontera ntida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N (Figura 4). La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene introduciendo tomos del grupo III en la red cristalina (por ejemplo, boro). La zona N dispone de electrones en exceso, procedentes de tomos del grupo V (fsforo). En ambos casos se tienen tambin portadores de signo contrario, aunque en una concentracin varios rdenes de magnitud inferior (portadores minoritarios).

Figura 4: Impurificacin del silicio para la obtencin de diodos PN En cada zona la carga total es neutra: por cada electrn hay un ion positivo, y por cada hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni campos elctricos internos. En el momento mismo de crear dos zonas de diferente concentracin de portadores, entra en juego el mecanismo de la difusin. Como se recordar, este fenmeno tiende a llevar partculas de donde hay ms a donde hay menos. El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unin de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir: Electrones de la zona N pasan a la zona P. Huecos de la zona P pasan a la zona N.

Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrmonos en la regin de la zona P cercana a la unin: 1. El electrn que pasa la unin se recombina con un hueco. Aparece una carga negativa, ya que antes de que llegara el electrn la carga total era nula. 2. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en la zona P, con lo que tambin aparece una carga negativa. El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N. En consecuencia, a ambos lados de la unin se va creando una zona de carga, que es positiva en la zona N y negativa en la zona P (Figura 5).

Figura 5: Formacin de la unin PN En el ejemplo del captulo 5, los gases difunden completamente hasta llenar las dos estancias de la caja y formar una mezcla uniforme. Sin embargo, a diferencia de lo que ocurre con los gases de aquel ejemplo, en este caso estn difundiendo partculas cargadas. La distribucin de cargas formada en la regin de la unin provoca un campo elctrico desde la zona N a la zona P. Este campo elctrico se opone al movimiento de portadores segn la difusin, y va creciendo conforme pasan ms cargas a la zona opuesta. Al final la fuerza de la difusin y la del campo elctrico se equilibran y cesa el trasiego de portadores. En ese momento est ya formado el diodo de unin PN, y como resultado del proceso se ha obtenido: Zona P, semiconductora, con una resistencia RP. Zona N, semiconductora, con una resistencia . Zona de agotamiento (depleccin): No es conductora, puesto que no posee portadores de carga libres. En ella acta un campo elctrico, o bien entre los extremos acta una barrera de potencial.

Hay que tener en cuenta que este proceso sucede instantneamente en el momento en el que se ponen en contacto las zonas N y P, y no necesita de ningn aporte de energa, excepto el de la agitacin trmica. Polarizacin directa El bloque PN descrito en el apartado anterior (Figura 6) en principio no permite el establecimiento de una corriente elctrica entre sus terminales puesto que la zona de depleccin no es conductora.

Figura 6: Diodo PN durante la aplicacin de una tensin inferior a la de barrera Sin embargo, si se aplica una tensin positiva en el nodo, se generar un campo elctrico que "empujar" los huecos hacia la unin, provocando un estrechamiento de la zona de depleccin (Figura 7). Sin embargo, mientras sta exista no ser posible la conduccin.

Figura 7: Diodo PN bajo la accin de una tensin mayor que la de barrera Si la tensin aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de depleccin y el dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo que sucede es lo siguiente (Figura 7): 1. Electrones y huecos se dirigen a la unin. 2. En la unin se recombinan. En resumen, polarizar un diodo PNen directa es aplicar tensin positiva a la zona P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas mviles la zona de depleccin. La tensin aplicada se emplea en: Vencer la barrera de potencial. Mover los portadores de carga.

Polarizacin inversa Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una tensin positiva a la zona N y negativa a la zona P, se retiran portadores mayoritarios prximos a la unin. Estos portadores son atrados hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de depleccin. Esto hace que la corriente debido a los portadores mayoritarios sea nula (Figura 8). Ahora bien, en ambas zonas hay portadores minoritarios. Un diodo polarizado en inversa lo est en directa para los minoritarios, que son atrados hacia la unin. El movimiento de estos portadores minoritarios crea una corriente, aunque muy inferior que la obtenida en polarizacin directa para los mismos niveles de tensin.

Figura 8: Diodo PN polarizado en inversa Al aumentar la tensin inversa, llega un momento en que se produce la ruptura de la zona de depleccin, al igual que sucede en un material aislante: el campo elctrico puede ser tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los tomos de silicio, originando un proceso de rotura por avalancha. (Nota: Sin embargo, ello no conlleva necesariamente la destruccin del diodo, mientras la potencia consumida por el diodo se mantenga en niveles admisibles). Caracterstica tensin-corriente La Figura 9 muestra la caracterstica V-I (tensin-corriente) tpica de un diodo real.

Figura 9: Caracterstica V-I de un diodo de unin PN. En la grfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento explicadas en el apartado anterior: Regin de conduccin en polarizacin directa (PD). o Regin de corte en polarizacin inversa (PI). o Regin de conduccin en polarizacin inversa.

Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy pequea, hasta que no se alcanza la tensin de barrera (VON). El paso de conduccin a corte no es instantneo: a partir de VON la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye progresivamente, hasta quedar limitada slo por las resistencias internas de las zonas P y N. La intensidad que circula por la unin aumenta rpidamente. En el caso de los diodos de silicio, VON se sita en torno a 0,7 V. Cuando se polariza con tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es mucho menor que la que se obtiene para los mismos niveles de tensin que en directa, hasta llegar a la ruptura, en la que de nuevo aumenta. Diferencias entre el diodo de unin PN y el diodo ideal Las principales diferencias entre el comportamiento real y ideal son: 1. 2. 3. 4. La resistencia del diodo en polarizacin directa no es nula. La tensin para la que comienza la conduccin es VON. En polarizacin inversa aparece una pequea corriente. A partir de una tensin en inversa el dispositivo entra en coduccin por avalancha.

En la Figura 10 vemos representadas ms claramente estas diferencias entre los comportamientos del diodo de unin PN e ideal.

Figura 10: Diferencias entre el comportamiento del diodo de unin PN y del diodo ideal Principales caractersticas comerciales A la hora de elegir un diodo para una aplicacin concreta se debe cuidar que presente unas caractersticas apropiadas para dicha aplicacin. Para ello, se debe examinar cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee. Las caractersticas comerciales ms importantes de los diodos que aparecen en cualquier hoja de especificaciones son: 1. Corriente mxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua mxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningn dao, puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule excesivo. Los fabricantes suelen distinguir tres lmites: o o o Corriente mxima continua (IFM) Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se especifica tambin el tiempo que dura el pico Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la que se especifica la frecuencia mxima del pico

1. Tensin de ruptura en polarizacin inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse Voltage, PIV): Es la tensin a la que se produce el fenmeno de ruptura por avalancha. 2. Tensin mxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensin que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operacin en inversa segura. 3. Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensin inversa 4. Cada de tensin en PD, VF (Forward Voltage): Pese a que se ha sealado anteriormente los 0.7V como valor tpico, en muchas ocasiones los fabricantes aportan datos detallados de esta cada de tensin, mediante la grfica I-V del dispositivo. Adems, es frecuente que los fabricantes suministren datos adicionales a cerca del comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la nominal. En el Anejo A.1 de este documento se incluyen unas hojas de datos de diodos a modo de ejemplo.

MODELOS DEL DIODO DE UNION PN

A continuacin se van a explicar los diferentes tipos de modelos propuestos para el funcionamiento de un diodo de unin PN. Modelos para seales continuas Bajo el trmino seales continuas se engloban en este apartado tanto las seales constantes en el tiempo como aquellas que varan con una frecuencia muy baja. Modelo DC del diodo real El comportamiento del diodo real se corresponde con el indicado por la siguiente expresin:

en donde: n, es el factor de idealidad. El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y 2. Depende de las dimensiones del diodo, del material semiconductor, de la magnitud de la corriente directa y del valor de IS. VT, es el potencial trmico del diodo y es funcin de la constante de Boltzmann (K), la carga del electrn (q) y la temperatura absoluta del diodo T(K). La siguiente expresin permite el clculo de VT:

con

El potencial trmico a temperatura ambiente, T=25C, es VT=25.71mV. R es la resistencia combinada de las zonas P y N, de manera que V-IR es la tensin que se est aplicando en la unin PN, siendo I la intensidad que circula por el componente y V la tensin entre terminales externos. IS, es la corriente inversa de saturacin del diodo. Depende de la estructura, del material, del dopado y fuertemente de la temperatura.

La representacin grfica de este modelo se muestra en la Figura 11:

Figura 11: Representacin grfica del modelo del diodo real.

Como puede apreciarse, este modelo no da cuenta de la tensin de ruptura en inversa. El modelo puede completarse mediante la adicin de nuevos parmetros que incluyan efectos no contemplados en la teora bsica. Por ejemplo, algunos modelos empleados en los programas simulacin por ordenador constan de hasta quince parmetros. Sin embargo, a la hora de realizar clculos sobre el papel resulta poco prctico. Por ello es habitual realizar simplificaciones del modelo para obtener soluciones de modo ms simple. Modelo ideal del diodo de unin PN El modelo ideal del diodo de unin PN se obtiene asumiendo las siguientes simplificaciones: Se toma el factor de idealidad como la unidad, n=1. Se supone que la resistencia interna del diodo es muy pequea y que, por lo tanto, la cada de tensin en las zonas P y N es muy pequea, frente a la cada de tensin en la unin PN.

Para V<0, el trmino exponencial es muy pequeo, despreciable frente a la unidad. Entonces la intensidad tiende al valor IS, que como ya se haba indicado anteriormente, es la corriente inversa del diodo. Para V>0, la exponencial crece rpidamente por encima de la unidad. Modelo lineal por tramos Al igual que el modelo real, el modelo ideal sigue siendo poco prctico, dado su carcter no lineal. El modelo lineal por tramos se obtiene como una aproximacin del modelo ideal del diodo de unin PN, considerando las siguientes simplificaciones: En inversa, la corriente a travs de la unin es nula. En directa, la cada de tensin en la unin PN (VON) es constante e independiente de la intensidad que circule por el diodo.

Para calcular el valor de VON se considera un diodo de unin PN de silicio con una I S= 85 fA a una temperatura ambiente de T=25 C. El potencial trmico a esa temperatura es VT=25.7 mV. Tomando como variable independiente la intensidad I, la ecuacin ideal del diodo queda:

A partir de esta expresin, se puede calcular la cada de tensin en el diodo para las magnitudes de corriente habituales en los circuitos electrnicos. Por ejemplo, para un intervalo de corrientes 1 mA < I < 1 A se tienen tensiones 0.6 V <VDIODO< 0.77 V. Como se puede apreciar, mientras que la corriente ha variado 3 rdenes de magnitud, la tensin apenas ha experimentado un cambio de 200 mV, por lo que es posible aproximar la cada de tensin en la unin PN a un valor constante de 0.7 V. Con estas simplificaciones se consigue evitar las expresiones exponenciales que complican los clculos en la resolucin del circuito. Sin embargo, se divide el modelo en dos tramos lineales denominados inversa y directa (o corte y conduccin), cada uno de los cuales obedece a ecuaciones diferentes: el diodo queda convertido en un componente biestado. El modelo lineal por tramos queda sintetizado en la siguiente tabla:

Estado Conduccin Corte

Modelo

Condicin

La Figura 12 muestra la curva caracterstica V-I del modelo lineal

Figura 12: Modelo lineal por tramos del diodo. En la Figura 12, quedan reflejados los dos posibles estados del diodo el diodo: Conduccin o Polarizacin Directa "On", donde la tensin es VON para cualquier valor de la corriente. Corte o Polarizacin Inversa "Off", donde la corriente es nula para cualquier valor de tensin menor que VON.

El uso de este modelo slo est justificado en aquellas ocasiones en las que no se requiere una gran exactitud en los clculos. Modelo para pequeas seales de alterna Hay aplicaciones en las que el diodo se polariza en un punto de tensin positiva, y sobre ese punto se superpone una seal alterna de pequea amplitud.

Figura 13: Diodo polarizado con una seal alterna superpuesta a una continua

El funcionamiento del diodo en esta situacin queda representada grficamente en la Figura 14:

Figura 14: Tensin y corriente en un diodo polarizado con una seal alterna superpuesta a una continua Cuando al diodo se le aplica una tensin dada por la expresin:

la corriente que lo atraviesa puede calcularse aplicando cualquiera de los modelos explicados anteriormente. Si se opta por el modelo exponencial ideal:

Supongamos que conocemos la amplitud de las oscilaciones de la tensin aplicada (VD) y queremos conocer la amplitud de las oscilaciones de la corriente (ID). El mtodo de clculo sera:

Como puede apreciarse, el clculo se complica. Si se considera adems que el diodo est dentro de un circuito es posible que ni siquiera pueda obtenerse una solucin analtica. Para obtener la solucin al problema citado de una forma ms simple se linealiza la curva del diodo en el entorno del punto de operacin, es decir, se sustituye dicha curva por la recta que tiene la misma pendiente en el punto de operacin, segn se aprecia en la Figura 15

Figura 15: Aproximacin de la caracterstica exponencial del diodo por la tangente en el punto de operacin Teniendo en cuenta esta aproximacin, la relacin entre los incrementos de tensin y de corriente pueden relacionarse tal y como se indica:

Obviamente, esta aproximacin ser tanto ms cierta cuanto menores sean los valores de VD e ID. A la derivada de la tensin con respecto a la corriente en el punto de operacin se le llama resistencia dinmica del diodo rD, y su expresin puede determinarse a partir del modelo exponencial del diodo, teniendo en cuenta que si VDQ es mayor que VT puede despreciarse la unidad frente al trmino exponencial:

Como VT 25 mV, la expresin vlida para el clculo de la resistencia dinmica de un diodo en funcin de la corriente de polarizacin continua puede escribirse de la siguiente forma, llamada aproximacin de Shockley:

Esta aproximacin slo es vlida en la regin de conduccin en polarizacin directa del diodo.

APLICACIN DE LOS MODELOS AL ANLISIS DE CIRCUITOS

En este apartado se detallan algunos mtodos vlidos para el anlisis de circuitos con diodos, basndose en los modelos expuestos en el apartado anterior. Modelo exponencial Suponiendo que se dispone de un circuito en el que se desconoce la polarizacin del diodo, los pasos para resolver el problema seran: 1. Sustituir el diodo por una fuente de tensin VD con el signo positivo en el nodo, y nombrar como ID a la corriente que va de nodo a ctodo del diodo 2. Resolver el circuito empleando las variables VD e ID como si fueran conocidas 1. Obtener la expresin que relaciona VD con ID 2. La ecuacin del modelo del diodo proporciona otra relacin entre VD e ID 3. Se resuelve el sistema de dos ecuaciones con dos incgnitas resultante Modelo lineal por tramos Los pasos para calcular las tensiones y corrientes en un circuito con un diodos empleando el modelo lineal por tramos son: 1. Se asume la hiptesis de que el diodo est en uno de los dos estados posibles: corte o conduccin 2. Se sustituye el diodo por el modelo correspondiente y se calculan las tensiones y corrientes del circuito 3. Una vez calculado el punto de polarizacin del diodo se comprueba la validez de la hiptesis: los resultados obtenidos han de ser coherentes con la condicin de existencia. En el caso de que no lo sean, la hiptesis de partida no es correcta y es necesario rehacer todos los clculos desde el punto 1 con el modelo para el estado contrario. Mtodo grfico El procedimiento para el clculo sera ahora: 1. Eliminar el diodo del circuito 2. Calcular el circuito equivalente Thevenin entre los puntos en los que se encontraba conectado el diodo 3. Dibujar la recta de carga correspondiente al circuito Thevenin calculado 4. Dibujar en el mismo grfico la curva caracterstica del diodo 5. Hallar el punto de interseccin de ambas curvas Pequeas seales de alterna Los circuitos en los cuales las excitaciones son suma de una componente continua y otra alterna de pequea amplitud se resuelven aplicando el principio de superposicin (Figura 16)

Figura 16: Anlisis de circuitos con componentes continuas y pequeas seales de alterna El mtodo se resume en los siguientes puntos: 1. Anlisis DC del circuito: Se cortocircuita la fuente de AC y se calcula por cualquiera de lo mtodos anteriores el punto de operacin del diodo. 2. Clculo de la resistencia dinmica del diodo, basndose en los resultados del punto anterior 3. Anlisis AC del circuito: Se cortocircuitan las fuentes DC y se sustituye el diodo por su resistencia dinmica. De ese modo se obtiene el circuito equivalente AC, vlido para el clculo de las amplitudes de las oscilaciones de las seales.

DIODOS ZENER
Algunos diodos se disean para aprovechar la tensin inversa de ruptura, con una curva caracterstica brusca o afilada. Esto se consigue bsicamente a travs del control de los dopados. Con ello se logran tensiones de ruptura de 2V a 200V, y potencias mximas desde 0.5W a 50W. La caracterstica de un diodo zener se muestra en la Figura 17. Tericamente no se diferencia mucho del diodo ideal, aunque la filosofa de empleo es distinta: el diodo zener se utiliza para trabajar en la zona de ruptura, ya que mantiene constante la tensin entre sus terminales (tensin zener, VZ). Una aplicacin muy usual es la estabilizacin de tensiones.

Figura 17: Caracterstica V-I de un diodo Zener. Los parmetros comerciales del diodo zener son los mismos que los de un diodo normal, junto con los siguientes: VZ: Tensin de zener IZM: Corriente mxima en inversa.

NOTA: Hay que tener en cuenta que el fabricante nos da los valores de VZ y IZM en valor absoluto. Al resolver un problema, no hay que olvidar que los valores son negativos con el criterio de signos establecido por el smbolo del componente (Figura 17). El zener es un dispositivo de tres estados operativos: Conduccin en polarizacin directa: Como en un diodo normal Corte en polarizacin inversa: Como en un diodo normal Conduccin en polarizacin inversa: Mantiene constante la V=VZ, con una corriente entre 0 y IZM.

El modelo lineal por tramos para el diodo zener es el siguiente: Estado Corte Modelo Condicin I=0 VZ<V<VON I<0

Conduccin P.D. V=VON I>0 Conduccin P.I. V=VZ

EJEMPLO DE APLICACIN DEL DIODO: RECTIFICACIN

La energa elctrica generada en las centrales de potencia es de tipo alterna sinusoidal. Esta energa se transmite hasta los centros de consumo mediante las redes de distribucin. Sin embargo, en muchas ocasiones, se requiere una tensin de alimentacin continua. Un rectificador es, bsicamente, un dispositivo que transforma la tensin alterna en continua.

Figura 18: Esquema general de la rectificacin. El rectificador es un aparato muy empleado en la vida diaria. Una gran parte de los electrodomsticos utilizados en el hogar llevan incorporado un dispositivo de este tipo. En general, estos aparatos necesitan menos tensin de alimentacin que la suministrada por la red, por ello llevan incorporado en primer lugar un transformador de tensin. El transformador reduce la tensin de la red (220V eficaces es una tensin generalmente demasiado alta para pequeos electrodomsticos) a la tensin deseada. Una vez reducida la tensin, el rectificador convierte la tensin alterna en continua. En este apartado se van a presentar los esquemas rectificadores ms comnmente empleados, partiendo para ello de un circuito bsico, e introduciendo en l los componentes necesarios para mejorar su comportamiento. Notaciones Las notaciones empleadas en este apartado se detallan en la Figura 19.

Figura 19: Notaciones. vi: tensin de entrada, vi=VMsen(wt). VO: tensin de salida. RL: resistencia asociada al aparato o "carga" que se conecta al rectificador.

En el caso ms general, segn la notacin de la figura, la tensin vi sera la tensin de la red , la VO sera la tensin deseada en continua y la RL simbolizara al aparato musical, video, que por ser un elemento pasivo, puede reducirse a una simple resistencia de carga mediante su circuito equivalente Thevenin. Un rectificador funciona en vaco cuando no se le conecta ningn aparato, es decir, cuando la RL no est unida al circuito. En caso de que s est conectada se dice que funciona en carga. Esquema bsico. Rizado de la onda de salida El esquema de la Figura 20 es el ms sencillo de los rectificadores: el diodo. A continuacin se estudia este circuito, para despus discutir la validez del mismo.

Figura 20: Esquema de un sencillo rectificador. Cuando el valor de la tensin de entrada es superior a la de conduccin del diodo se crea una corriente, y se cumple que: VO = vi -VON. Si se desprecia VON frente a vi, cuando la tensin de entrada sea mayor que cero, VO = vi (normalmente siempre se realizar esta simplificacin). Si la tensin de entrada es negativa, vi<0, el diodo D esta en corte, con lo que no existir ninguna corriente. Por lo tanto, la cada de potencial en RL ser nula. Todo esto se puede apreciar en las grficas de la Figura 21. Como se puede apreciar, la tensin de salida VO se parece muy poco a lo que se entiende por tensin continua, es decir, un valor constante en el tiempo. Sin embargo, esta onda no es tan mala como parece. Aunque no es constante, siempre es mayor que cero. Adems, su valor medio es diferente de cero. Con los esquemas ms complejos, se intenta que esta onda de salida se parezca lo ms posible a una lnea horizontal, pero siempre tendremos una desviacin de la ideal, que se cuantifica por el rizado de la onda de salida:

En este caso, el rizado es del 100%. El problema con el que nos encontramos es que cuando el diodo est en corte no se alimenta a la carga. Para disminuir el rizado, es preciso suministrar energa a la carga durante los semiciclos en los que la fuente no acta.

Figura 21: Tensiones en el circuito de la Figura 20. El condensador en los rectificadores Como se recordar, el condensador es un componente que almacena energa. Cuando se somete a una diferencia de potencial, esta obliga a las cargas a situarse entre sus placas. En el momento en el que cesa el potencial, las cargas pueden retornar a un circuito y comportarse como un generador de tensin. En la Figura 22 se presenta el esquema elctrico que aplica este principio a la rectificacin. Lo que se pretende es que sea el condensador el que alimente a la carga cuando no pueda hacerlo la fuente de alimentacin.

Figura 22: Esquema de rectificador con condensador.

Funcionamiento en vaco: Se estudiar en primer lugar el esquema en vaco, es decir, sin carga aplicada.

Figura 23: Funcionamiento en vaco. Sea vI = VMsen(wt), y la cada de tensin en el diodo en conduccin despreciable. En el instante inicial el condensador se encuentra descargado. En un punto entre es mayor que cero, por lo tanto, el diodo D est polarizado en directa. Por l circula una corriente que carga al condensador. Se considera que el condensador se carga instantneamente (VC = vi). La carga del condensador es posible porque hay un camino en el circuito que se lo permite. En el instante , la tensin de entrada es mxima, vi = VM, as como la tensin del condensador. Cuando la tensin de entrada empieza a decrecer el condensador, cargado con una diferencia de potencial VC = VM, intenta seguir el ritmo que le marque la fuente de tensin, disminuyendo VC. Evidentemente, para que el valor de VC disminuya, es necesario que el condensador pierda parte de su carga ( ). Para ello, la corriente de descarga ha de seguir un camino contrario al de la corriente que lo carg, ya que el circuito se encuentra funcionando en vaco, sin ninguna carga RL conectada. La corriente no puede circular dado que el diodo est en inversa para ese sentido de circulacin, con lo que C no puede descargarse y mantiene fija la tensin VM. La siguiente figura refleja la carga y descarga del condensador: , vi

Figura 24: Funcionamiento del condensador.

Se puede deducir fcilmente, aplicando la ley de las mallas que cuando el diodo est en corte , o sea, VD siempre es menor o igual que cero, el diodo nunca conducir y el condensador nunca se descargar.

Figura 25: Tensiones en el circuito de la Figura 22. Por lo tanto el condensador mantiene la diferencia de potencial entre sus terminales. La Figura 25 resume todo lo visto en este subapartado. La onda de salida es perfecta para nuestros propsitos, ya que salvo entre 0 y es totalmente horizontal; pero vamos a ver qu pasa cuando el dispositivo funciona en carga. Funcionamiento en carga: Segn se ha definido previamente, el funcionamiento en carga es el que se obtiene al conectar una carga RL al dispositivo objeto de estudio.

Figura 26: Dispositivo en carga.

Dado un valor de vi entre 0<wt<p/2. Al ser un valor positivo, el diodo est en conduccin. Hay dos caminos posibles para la intensidad que salga del generador. Por un lado, hay una corriente que carga el condensador, y por otro, una corriente que circule por RL. Si suponemos que estamos en bajas frecuencias, el valor de la intensidad que absorbe el condensador es despreciable frente a la que circula por RL, y se puede determinar el valor de la corriente que atraviesa la carga como:

Cuando wt>p/2 como en el caso anterior el diodo entra en corte al intentar descargarse el condensador por l. Sin embargo, ahora el condensador tiene un camino para descargarse a travs de RL. Mientras el diodo est en corte, la parte derecha del circuito se comporta independientemente con respecto al generador.

Figura 27: Descarga de C a travs de RL. El condensador va perdiendo su carga al poder cerrarse una corriente a travs de RL. De este modo, se cumple el objetivo de este diseo: C alimenta a la carga. Volviendo al circuito original. D estar en corte mientras VB sea menor que VA. Por lo tanto hay un punto en el que D vuelve a conducir (VB=VA), repitindose a partir de aqu toda la secuencia. Dicho funcionamiento se muestra en la Figura 28.

Figura 28: Tensiones en el circuito de la Figura 26. Tal como se aprecia en la figura Figura 28, el rizado obtenido es menor que el del esquema anterior. Su valor depende de la rapidez con que se descargue C a travs de la resistencia. Como se recordar, cuanto mayor sea el valor de C, mayor ser el tiempo que necesita para descargarse, y menor el rizado. Como contrapartida, si C es muy grande es posible que no tenga tiempo suficiente para cargarse durante el tiempo de conduccin de D. Seleccin de los componentes Una vez finalizado el anlisis del esquema elctrico de la Figura 22, se aborda seguidamente la tarea de la seleccin de los componentes adecuados para una aplicacin concreta. Diodo A la vista de las grficas de la Figura 28, se pueden calcular las caractersticas comerciales exigibles al diodo del esquema. Corriente mxima en polarizacin directa, IFmax: Mientras est en conduccin y, despreciando su cada de tensin (V(ON)):

Tambin se desprecia la corriente que absorbe C para cargarse.

Tensin mxima en inversa, PIV: Cuando est en corte, VD=vi-VC. VC es siempre mayor que cero, tal y como se aprecia en la figura, y su valor mximo es VM. En este aspecto es ms exigente el funcionamiento en vaco que en carga, ya que cuando llega a ser -VM, VC sigue siendo VM, y se tiene VD=vi-VC=-VM-VM=-2VM.

Los parmetros comerciales del diodo sern, por lo tanto:

PIV=2VM Condensador El valor de la capacidad del condensador se ha de calcular teniendo en cuenta el rizado mximo exigido al aparato. Para la frecuencia de la red elctrica domstica, es posible emplear la siguiente expresin:

en la que: I0: cociente entre la tensin mxima, VM, y la resistencia de carga, RL. tc: tiempo de descarga del condensador. VRIZADO: Diferencia entre la tensin mxima y mnima admisible.

La deduccin de esta frmula ha sido discutida ya en el captulo segundo de estos apuntes.

Rectificador de onda completa

el esquema anterior produce una onda de salida bastante aceptable, cuando el condensador es lo suficientemente grande como para alimentar la carga durante un semiciclo aproximadamente. Sin embargo, se desaprovecha medio ciclo de la red, con lo que la potencia transmitida a la carga se limita. En el siguiente circuito, el puente de diodos consigue que durante el semiciclo negativo tambin alimente la red a la carga.

Figura 29: Rectificador de onda completa.

Dado un valor positivo de la tensin de entrada, vi=V>0. El punto A est sometido al mayor potencial del circuito, V, mientras que D se encuentra a potencial nulo, el menor en ese instante. Por lo tanto, los puntos B y C se encontrarn a un potencial intermedio entre 0 y V voltios. Un circuito que est alimentado entre 0 y 10V, por ejemplo, no tiene sentido que haya un punto del mismo que tenga un potencial mayor que 10V con respecto a la referencia, ya que la tensin slo puede disminuir entre los nodos de los componentes del circuito (esto es vlido slo para el rgimen permanente). Suponiendo que hay una corriente intentando circular. Como VA es mayor que VC el diodo D2 esta en condiciones de conducir, mientras que D1 est en corte. La corriente circular de a C. D4 est en corte, puesto que VDC=VD-VC<0, por lo tanto la intensidad atraviesa RL de arriba a abajo. El retorno de corriente ser por D3, puesto que VB<VA y VB>VD. As pues, D1 y D4 no conducen en el semiciclo positivo de vi. El esquema equivalente sera:

Figura 30: Rectificador de onda completa durante los semiciclos positivos. Mediante un razonamiento anlogo se consigue determinar el esquema equivalente mostrado en la Figura 31.

Figura 31: Rectificador de onda completa durante los semiciclos negativos.

Figura 32: Tensiones en el rectificador de onda completa. En ambos casos, la corriente que circula por RL circula en el mismo sentido, luego la cada de tensin en RL siempre es del mismo signo: Si ahora se filtrase esta seal mediante un condensador, mejorara su rizado. El condensador necesario es de menor capacidad que en el esquema anterior, puesto que debe alimentar durante menos tiempo a la carga.

Diodo

Tipos de diodos de estado slido

Diodo de alto vaco

Un diodo (del griego "dos caminos") es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente elctrica en una nica direccin con caractersticas similares a un interruptor. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con unaresistencia elctrica muy pequea. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De Forest. Los primeros diodos eran vlvulas grandes en chips o tubos de vaco, tambin llamadas vlvulas termoinicas constituidas por dos electrodosrodeados de vaco en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de laslmparas incandescentes. El invento fue realizado en 1904 por John Ambrose Fleming, de la empresa Marconi, basndose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.- Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un filamento (el ctodo) a travs del que circula la corriente, calentndolo por efecto Joule. El filamento est tratado con xido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vaco circundante; electrones que son conducidos electrostticamentehacia una placa caracterstica corvada por un muelle doble cargada positivamente (el nodo), producindose as la conduccin. Evidentemente, si el ctodo no se calienta, no podr ceder electrones. Por esa razn los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco requeran un tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder funcionar y las vlvulas se quemaban con mucha facilidad.

Contenido
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1 Tipos de vlvula diodo 2 Diodo pn o Unin pn 3 Polarizacin directa 4 Polarizacin inversa 5 Curva caracterstica del diodo 6 Modelos matemticos 7 Otros tipos de diodos semiconductores

8 Aplicaciones del diodo 9 Enlaces externos

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Tipos de vlvula diodo

Diodo de alto vaco Diodo de gas Rectificador de mercurio

Diodo pn o Unin pn

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Los diodos pn, son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos p y n, por lo que tambin reciben la denominacin de unin pn. Hay que destacar que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya que en cada cristal, el nmero de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).

Formacin de la zona de carga espacial

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin deelectrones del cristal n al p (Je).

Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de agotamiento, de deplexin,de vaciado, etc. A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinadafuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos. Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio. La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor. Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que no est polarizado. Al extremo p, se le denomina nodo, representndose por la letra A, mientras que la zona n, el ctodo, se representa por la letra C (o K). Existen tambin diodos de proteccin trmica los cuales son capaces de proteger cables.

A (p)

C K (n)

Representacin simblica del diodo pn Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.

Polarizacin directa

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En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que: El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo

que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p,

esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor

que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la

zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.

Polarizacin inversa

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En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin: El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los

cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes

de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres

cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos. Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial

adquiere el mismo potencial elctrico que la batera. En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable.

Curva caracterstica del diodo

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Tensin umbral, de codo o de partida (V ).

La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la

barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente. Corriente mxima (Imax ).

Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo. la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura. Corriente superficial de fugas. Corriente inversa de saturacin (Is ).

Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por

Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas. Tensin de ruptura (Vr ).

Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha. Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos: Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se

generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V. Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material,

menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo

est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 3105V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores. Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede producir por ambos efectos.

Modelos matemticos

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El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y ladiferencia de potencial es:

Donde: I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo VD es la diferencia de tensin entre sus extremos. IS es la corriente de saturacin (aproximadamente 10 12A) q es la carga del electrn cuyo valor es 1.6 * 10 19 T es la temperatura absoluta de la unin k es la constante de Boltzmann n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin

del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio). El trmino VT = kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura,

del orden de 26 mV a temperatura ambiente (300 K 27 C). Con objeto de evitar el uso de exponenciales (a pesar de ser uno de los modelos ms sencillos), en ocasiones se emplean modelos ms simples an, que modelan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son los llamados modelos de continua o de Ram-seal que se muestran en la figura. El ms simple de todos (4) es el diodo ideal.

Otros tipos de diodos semiconductores

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Diodo doble 6CH2P (6X2) de fabricacin rusa usado como rectificador de onda media

Diodo avalancha Fotodiodo Diodo Gunn Diodo lser Diodo LED (e IRED) Diodo p-i-n Diodo Schottky o diodo de barrera Schottky Diodo Shockley (diodo de cuatro capas) Diodo tnel o diodo Esaki Diodo Varicap Diodo Zener [editar]

Aplicaciones del diodo

Rectificador de media onda Rectificador de onda completa Rectificador en paralelo doblador de tension Estabilizador Zener Recortador Circuito fijador Multiplicador de tensin Divisor de tensin