CURS 3

TRANZISTOARE – partea I

3.1. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCŢIUNI (TBJ)

3.1.1. Simbol, structură, funcţionare
3.1.2. Caracteristici statice. Aria de funcţionare sigură (AFS)
3.1.3. Modelul de semnal mic cu parametri hibrizi al TBJ
3.1.4. Circuite de polarizare ale TBJ
3.1.5. Surse de curent constant

Tranzistoarele cu joncţiuni reprezintă clasa cea mai larg folosită de

dispozitive electronice. Denumirea de tranzistor provine de la cuvintele din
limba engleză transfer – resistor, cuvinte care exprimă funcţia de bază a
dispozitivului.
Familia tranzistoarelor cu joncţiuni se împarte în două categorii:
tranzistoare bipolare cu joncţiuni (notate pe scurt TBJ) şi tranzistoarele
unipolare, numite şi tranzistoare cu efect de câmp (notate pe scurt TEC).
Tranzistoarele bipolare cu joncţiuni au funcţionarea bazată pe ambele
categorii de purtători (majoritari şi minoritari, de unde şi denumirea lor de
tranzistoare bipolare.
Spre deosebire de TBJ-uri, TEC-urile au funcţionarea bazată pe un
singur tip de purtători (majoritari), de unde şi denumirea lor de tranzistoare
unipolare. În funcţie de modul de realizare a grilei, există două tipuri de TEC-
uri: TEC cu Joncţiune (sau cu grilă Joncţiune, pe scurt notate TEC-J) și TEC
cu grilă izolată (sau TEC Metal-Izolator-Semiconductor, pe scurt notate TEC-
MIS). Totuși, deoarece în cele mai multe cazuri izolatorul utilizat in fabricația
tranzistoarelor TEC-MIS este SiO2 (dioxid de siliciu), denumirea cea mai
comună sub care se întâlnesc acestea este TEC-MOS (Metal-Oxid-
Semiconductor).
Comparativ cu TBJ-urile bipolare, TEC-urile unipolare prezintă
avantajele unei rezistenţe de intrare mai mare, au derivă termică mult mai
mică şi o tehnologie de fabricaţie mai simplă, ocupând astfel o arie de siliciu
redusă în structurile integrate. Ca dezavantaj, ele prezintă însă inconvenientul
unei pante mici a caracteristicilor statice si o putere de iesire mai mica.

3.1. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCŢIUNI (TBJ)

3.1.1. Simbol, structură, funcţionare

TBJ este un dispozitiv semiconductor realizat tehnologic dintr-un
monocristal semiconductor (siliciu sau germaniu) care prezintă o succesiune
de trei regiuni distincte (pnp sau npn), regiunea din mijloc fiind mult mai
subţire şi dopată cu impurităţi de tip diferit faţă de regiunile laterale. Regiunea
centrală se numeşte bază (notată B), iar regiunile laterale se numesc emitor
(notat E), respectiv colector (notat C), după rolul pe care îl au în funcţionarea
tranzistorului. Pe fiecare dintre regiuni este realizat un contact ohmic pe care
se sudează conductoarele terminale. Cele trei regiuni semiconductoare
formează două joncţiuni pn: joncţiunea emitor-bază, numită şi joncţiunea
emitorului (notată J E ) şi joncţiunea collector-bază, numită şi joncţiunea
colectorului (notată J C ). Structura internă şi simbolurile celor două tipuri de
tranzistoare bipolare cu joncţiuni (pnp şi npn) sunt prezentate în fig. 3.1.

u EC uCE

iE p n p iC iE iC
E C E n p n C
u EB iB uCB iB
u BE u BC
B B
u EC uCE

iE iC iE iC
E C E C

u EB iB uCB iB
u BE u BC
B B
a) b)
Fig.3.1. Structurile interne şi simbolurile TBJ-urilor de tip:
a) pnp; b) npn

Relaţia generală între curenţii oricarui tip de TBJ (pnp sau npn) este:
iE  i B  iC , (3.1)
iar relaţia generală între tensiunile dintre cei trei electrozi se află scriind
teorema Kirchoff II în jurul tranzistorului. Astfel, pentru tranzistorul pnp din fig.
3.1.a putem scrie:
u EC  u EB  uCB  0 , (3.2.a)
unde s-a notat prin u EC  VE  VC , u EB  VE  VB , uCB  VC  VB , în care VB, VE,
VC sunt potențialele electrozilor baza, emitor si colector ai tranzistorului.
Similar, pentru tranzistorul npn din fig. 3.1.b putem scrie:
uCE  u BE  u BC  0 (3.2.b)
în care s-a notat prin uCE  VC  VE , u BE  VB  VE , u BC  VB  VC
Cum u EC  u CE , u EB  u BE , u CB  u BC rezultă că relaţiile
(3.2.a) şi (3.2.b) coincid. Prin convenţie, s-au considerat sensurile tensiunilor
celor două joncţiuni J E şi J C dinspre zona p spre zona n.
 Menţionăm că un TBJ nu este echivalent cu două joncţiuni pn ( J E şi
J C ) ci funcţionează independent una faţă de cealaltă, montate în serie şi în
sensuri opuse. Pentru crearea efectului de tranzistor, prin cele două joncţiuni
ce se influenţează reciproc trebuie îndeplinite simultan următoarele condiţii
tehnologice:
1. grosimea W a bazei tranzistorului (fig.3.2) trebuie să fie mult mai
mică decât grosimile regiunilor de emitor şi de colector, de ordinul
W=(1÷10)µm;
2. emitorul trebuie să fie dopat mult mai puternic decât baza;
3. joncţiunile J E şi J C trebuie să fie plane şi paralele între ele
pentru ca toate mărimile electrice să varieze în structură după normala la
joncţiuni (axa x).

Fig. 3.2. TBJ tip pnp în funcţionare normală de amplificator

Funcţionarea TBJ depinde de modul de polarizare (directă sau

inversă) a celor două joncţiuni pn ( J E şi J C ). Astfel există 4 (patru) regimuri
de funcţionare ale TBJ, prezentate în tabelul 3.1.

Tabelul 3.1. Regimurile de funcţionare ale TBJ

Polarizările J E şi J C Regimul de funcţionare Domenii de utilizare ale TBJ
JE polarizată direct Regimul activ normal
Amplificatoare
JC polarizată invers (RAN)
JE polarizată invers Regimul activ inversat
Circuite integrate digitale
JC polarizată direct (RAI)
J E şi J C
Regimul de saturaţie
polarizate direct
Circuite de comutaţie
J E şi J C
Regimul de blocare
polarizate invers

Funcţionarea TBJ în RAN permite acestuia realizarea funcţiei de

amplificare, ilustrată în fig.3.2. Pentru aceasta se aplică joncţiunii emitor-bază
( J E ) o tensiune E E de ordinul zecimilor de volt pentru a o polariza direct
 uEB  EE  0  , iar joncţiunii colector-bază ( J C ) i se aplică o tensiune EC de
ordinul volţilor până la zeci de volţi pentru a o polariza invers  uCE   EC  0  .
Efectul de tranzistor constă în transferul aproape integral în colector al
golurilor difuzate de bază, adică curentul de colector iC va reprezenta o
fracţiune foarte mare  uzual   0,95;0,995 din curentul de emitor iE , la
care se adaugă curentul invers de saturaţie al joncţiunii colector-bază, notat
I CB0 , datorat purtătorilor minoritari de sarcină antrenaţi de câmp, uzual de
ordinal nA-pA. De multe ori I CB0 e neglijabil, deci putem scrie relaţia valabilă
doar la funcționarea TBJ in RAN, ca amplificator:
iC    i E  I CB0    i E (3.3)
Dacă în relaţia (3.3) se neglijează ICB0, se poate defini parametrul  al
TBJ în RAN, numit factor de amplificare în curent static:
def
  iC i E , (3.4)
ce ilustrează ce fracţiune din curentul de emitor ajunge în colector.
În cataloagele de TBJ-uri este definit un alt factor de amplificare în
curent  , uzual de ordinul zeci-sute, care arată de câte ori este amplificat
curentul de colector iC faţă de curentul de bază iB :
def
  iC / i B (3.5),
bazata pe relatia:
iC    iB  ICE0    iB
Relaţia matematică ce exprimă legătura între  şi  se poate
determina folosind relaţiile (3.1) şi (3.3) astfel:
 1 not
iC    iE  ICB0     iB  iC   ICB0  iC  iB  ICB0    iB  ICE0 , (3.6)
1 1
în care se identifică:
i  i  not 1
 c    c  şi I CE 0  I C I 0  I CB 0 , (3.7)
iB 1  iE   1 B 1
ICE0 fiind numit curent rezidual emitor-colector.
Sintetizând cele de mai sus, reţinem faptul că în toate cele patru
regimuri de funcţionare ale TBJ, indiferent de tipul acestuia (pnp sau npn),
sunt valabile relaţiile generale între curenţi date de (3.2). În plus, exclusiv la
funcționarea TBJ în regimul activ normal (RAN) – numit şi regim liniar de
funcţionare al TBJ, când acesta îndeplineşte funcţia de amplificator, apare şi
relaţia suplimentară (3.3) datorită efectului de transistor, factorii de amplificare
în curent  şi  fiind definiţi prin relaţiile (3.4) şi (3.5), iar relaţia de legătură
între ei find dată de relația (3.7).

3.1.2. Caracteristici statice. Aria de funcţionare sigură (AFS)

În schemele practice, unul dintre cei 3 electrozi ai tranzistorului bipolar
cu joncţiuni (E, B sau C) este bornă comună, intrării şi ieşirii TBJ, astfel încât
acesta poate fi privit ca un cuadripol (diport) (Tabelul 3.2). Borna comună dă
numele modului fundamental de conectare a TBJ în montajele practice,
existând astfel conexiunile EC (emitor comun), BC (bază comună) şi CC
(colector comun). Fiecare dintre aceste conexiuni, în funcţie de tipul de TBJ,
are propriile mărimi de intrare (curent și tensiune de la bornele portului de
intrare notat in. în tabelele 3.2 si 3.3), mărimi de ieşire (curent și tensiune de
la bornele portului de ieșire notate ies. în Tabelele 3.2 si 3.3.), şi mărimi de
transfer (curentul de iesire și tensiunea de intrare). Relaţiile matematice între
acestea (ca dependenţă curent-tensiune) precum şi graficele lor se numesc
caracteristici statice ale TBJ, fiind determinate în regim static de c.c.
Reamintim că regimul static presupune ca între electrozii TBJ să se aplice
tensiuni continue. Modurile fundamentale de conectare, mărimile şi
caracteristicile statice ale unui TBJ tip pnp sunt date în tabelul 3.2. În mod
similar, ţinând cont de notaţiile curenţilor şi tensiunilor din fig. 3.1.b. se
constituie tabelul 3.3 al TBJ de tip npn.

Tabelul 3.2. Moduri fundamentale, mărimi şi caracteristici pentru TBJ de tip pnp
iE iC iE
E C iB E
Modul B
fundamental
u EB uCB u EC
de conectare iB iC
al TBJ tip
pnp B B C C

a) Conexiune EC b) Conexiune BC c) Conexiune CC

Mărimi de
iB, uEB iE, uEB IB, uCB
intrare
Mărimi de
iC, uEC iC,uCB IE,uEC
ieşire
Mărimi de
iC, uEB iC,uEB IE,uCB
transfer
Caracteristici
iB=iB(uEB)/iC, uEC=const. iE=iE(uEB)/iC,,uCB= const. iB=iB(uCB)/iE,uEC=const.
intrare
Caracteristici
iC=iC(uEC)/iB,uEB=const. iC=iC(uCB)/iE,uEB= const. iE=iE(uEC)/iB,uCB= const.
ieşire
Caracteristici
iC=iC(uEB)/iB,uEC=const. iC=iC(uEB)/iE,uCB= const. iE=iE(uCB)/iB,uEC= const.
transfer

Tabelul 3.3. Moduri fundamentale, mărimi şi caracteristici pentru TBJ de tip npn
iC iE iC iE
C E
iB E C iB
Modul B B
fundamental de uCE
conectare al TBJ in. u BE iE ies. u BE iB u BC uCB iC
uCE
tip pnp
E E B B C C

a) Conexiune EC b) Conexiune BC c) Conexiune CC

Mărimi de intrare iB,uBE iE,uBE IB,uBC
Mărimi de ieşire iC,uCE iC,uBC IE,uCE
Mărimi de
iC,uBE iC,uBE IE,uBC
transfer
Caracteristici
iB=iB(uBE)/iC, uCE=const. iE=iE(uBE)/iC,,uBC= const. IB=iB(uBC)/iE,uCE=const.
intrare
Caracteristici
iC=iC(uCE)/iB,uBE=const. iC=iC(uBC)/iE,uBE= const. IE=iE(uCE)/iB,uBC= const.
ieşire
Caracteristici
IC=iC(uBE)/iB,uCE=const. iC=iC(uBE)/iE,uBC= const. IE=iE(uBC)/iB,uCE= const.
transfer
 Caracteristicile statice ale TBJ tip pnp şi npn pentru fiecare tip de
conexiune se găsesc în cataloage. Cum fiecare dintre ele este definită având
două mărimi constante, rezultă că se poate lua o mărime drept parametru şi
cea de a doua constantă şi invers, rezultând că fiecare dintre caracteristici se
poate împărţi la rândul ei în alte două familii de caracteristici.
Deoarece TBJ în conexiunea EC îndeplineşte cel mai bine funcţia de
amplificator comparativ cu conexiunile BC şi CC, în figura 3.3. sunt
prezentate, ca exemplu, familiile de caracteristici de intrare şi de ieşire ale
unui TBJ pnp, respectiv npn cu germaniu. Familia de caracteristici de transfer
are, de regulă, aceeaşi alură cu familia de caracteristici de intrare, dar alte
valori pe axa verticală a curentului (înmulţite cu  ) deoarece iC    i B ,
conform relaţiei (3.5).

i B A iC mA i B  80 A iC mA

uCE  1V uCE  1V
80 8 8
i B  60 A
60 6 i B  40 A 6

u CE  5V 4 i B  20 A uCE  5V

40 4
iB  0 2
20 2

0 V  0
2 4 6 8 V  0 V 
u EB  pnp u EC  pnp 0 .1 0 .2 0.3u EB  pnp
0.1 0.2 0.3u npn
BE uCE npn u BE npn

b) familia de caracteristici
a) familia de caracteristici de ieşire iC  iC u EC  c) familia de caracteristici
de intrare iB  i B u
EB
  pentru TBJ tip pnp şi de transfer iC  iC u EB 
pentru TBJ tip pnp şi iC  iC uCE  pentru npn, pentru TBJ tip pnp şi
iB  i B u BE  pentru npn, având uEB= const. pentru iC  iC u EB  pentru
având iC= const. şi uCE= pnp, respectiv uBE= const. npn, având iB= const. şi
const.= parametru. pentru npn şi iB= const. = uCE= const.= parametru.
parametru.
Fig.3.3 Familiile de caracteristici statice ale unui TBJ din Ge, având   10

Principalele limitări în funcţionarea TBJ, pentru ca acesta să nu se

distrugă, sunt:
1. curentul de colector iC al unui TBJ să nu depăşească o valoare
maximă admisă ICM, dată în catalog, deci:
iC  I CM (3.8)
În planul caracteristicilor de ieşire iC  iC uCE  din figura 3.3.b), graficul
iC  iCM  const . reprezintă o dreaptă orizontală.
2. tensiunea colector-emitor uCE a TBJ să nu depăşească o
valoare maximă admisă U CEM , dată în catalog, deci:
uCE  U CEM (3.9)
În planul caracteristicilor de ieşire iC  iC uCE  din fig.3.3.b, graficul
uCE  uCEM  cons tan t reprezintă o dreaptă verticală.
3. puterea disipată pe TBJ, notată p D  uCE  iC să nu depăşească
o valoare maximă admisă PdM , dată în catalog, deci:
uCE  iC  PdM (3.10)
În planul caracteristicilor de ieşire (numite şi caracteristici externe)
iC  iC uCE  din figura 3.3 b), graficul iC  PdM u CE  iC u CE  reprezintă
o hiperbolă numită hiperbola de disipaţie a TBJ.
Puterea disipată maximă admisibilă este o mărime care depinde de
temperatura mediului ambiant şi de modul de cum este evacuată căldura de la
joncţiune în mediul ambiant. În cazul tranzistoarelor de putere medie şi mare,
acestea se montează pe un radiator cu o suprafaţă de disipare aleasă
corespunzător pentru o evacuare mai uşoară a căldurii.
4. numai în cazul TBJ de putere, care se utilizează în circuitele
electronice de putere ca elemente de comutaţie bilaterală sau ca
amplificatoare de putere în circuitele cu sarcină rezonantă, poate apărea
fenomenul de străpungere secundară, datorat gradientelor transversale de
câmp electric. Datorită distribuţiei neuniforme a impurităţilor sau a
neuniformităţii profilului joncţiunii, distribuţia densităţii de curent prin joncţiune
este neuniformă, apărând zone de concentrare a curentului numite şi puncte
fierbinţi unde temperatura creşte şi determină generarea termică de purtători.
Acestea contribuie la creşterea densităţii de curent, deci la creşterea în
continuare a temperaturii concomitent cu scăderea tensiunii uCE .
Temperatura în punctele fierbinţi poate creşte peste valoarea maximă
admisibilă (85° C pentru TBJ cu Ge şi 180° C pentru TBJ cu Si) şi tranzistorul
se distruge ireversibil prin efect termic (se topeşte local) la o putere disipată
mai mică decât puterea maximă admisibilă PdM .
Fenomenul de străpungere secundară are un caracter statistic,
cataloagele oferind o relaţie empirică de forma:
iC    uCE  n , (3.11)
unde  şi n sunt parametri tehnologici de fabricaţie ai dispozitivului.
Graficul acestei curbe arată că ea delimitează caracteristica externă
iC  iC uCE  în două zone: în zona de sub această curbă probabilitatea de
apariţie a fenomenului de străpungere secundară este acceptabil de mică
(1%) în timp ce pentru perechi ( uCE ,iC ) situate deasupra acestei curbe
producătorii nu garantează că TBJ nu se poate distruge prin străpungere
secundară. Grafic, curba (3.11) este mai înclinată decât hiperbola de disipaţie
a TBj. În concluzie, TBJ de putere trebuie să satisfacă şi condiţia
suplimentară:
iC    uCE  n (3.12)
Condiţiile (3.8), (3.9) şi (3.10) pentru TBJ obişnuite, la care se adaugă
condiţia suplimentară (3.12) pentru TBJ de putere delimitează o zonă din
planul caracteristicilor statice iC  iC uCE  în care trebuie să se găsească
perechile de valori ( uCE ,iC ) ale TBJ pentru ca acesta să nu se distrugă nici
prin depăşirea I CM , nici a U CEM , nici a P şi nici să nu apară fenomenul
dM
de străpungere secundară. Această zonă de funcţionare sigură a TBJ poartă
numele de arie de funcţionare sigură (AFS) şi este ilustrată în fig. 3.4.

a) TBJ uzual b) TBJ de putere

Fig. 3.4. Aria de funcţionare sigură a TBJ

3.1.3. Modelul de semnal mic cu parametri hibrizi al TBJ

Prin semnal mic se înţelege semnalul de valoare comparabilă cu
potenţialul termic VT   25mV, 26mV  definit la diodă în cursul anterior. Prin semnal
mare se înţelege semnalul de valoare mult mai mare decât potenţialul termic,
practic de ordinul volţi – zeci de volţi.
Modelul de semnal mic cu parametri hibrizi ai TBJ ţine cont de faptul că un
TBJ poate fi reprezentat în general ca în fig.3.7, unul dintre electrozi fiind comun
intrării şi ieşirii, pe baza tabelelor 3.2 şi 3.3. În fig.3.7. se remarcă existenţa a 4
borne ( 1, 1, 2, 2 ), de unde şi denumirea TBJ de cuadripol, ele formând două câte
două 2 porturi (bornele 1 şi 1’ alcătuiesc portul de intrare, iar bornele 2 și 2’
alcătuiesc portul de ieşire), de unde şi denumirea de diport.

1 ii io 2

ui uo

1 2
Fig.3.7. TBJ ca cuadripol

În total există 4 mărimi electrice corespunzătoare diportului: 2 tensiuni (u 1

şi u2), respectiv 2 curenţi (i1 şi i2), între care se pot stabili 6 sisteme diferite de
ecuaţii, în funcţie de mărimile electrice alese independente, caracterizate de 4
parametri, numiţi parametri de cuadripol. Dintre cele 6 variante posibile, la
frecvenţe joase şi-au câştigat popularitatea parametrii hibrizi. Ei se măsoară
convenabil şi sunt specificaţi în cataloage de regulă la frecvenţa joasă de 1 KHz,
la temperature de 25° C şi pentru un anumit punct de pe caracteristica statică de
ieşire (de exemplu, U CE  5V si I C  1mA ).
Sistemul de ecuaţii cu parametri hibrizi h este definit alegând ca mărimi
electrice independente curentul de intrare ii şi tensiunea de ieşire u o , din care se
obțin celelalte 2 mărimi electrice, ui şi io astfel:
ui  h11ii  h12uo
 (3.31)
io  h21ii  h22uo
Sistemul (3.31) permite definirea parametrilor h în mod direct:
- impedanţa de intrare cu ieşirea în scurtcircuit:
not u
h11  hi  i u 0 , (3.32)
ii o
- factorul de amplificare (transfer) invers în tensiune:
not u
h12  hr  i i 0 , (3.33)
uo i
- factorul de amplificare (transfer) direct în curent
cu ieşirea în scurtcircuit:
not i
h21  h f  o u 0 , (3.34)
ii o
- admitanţa de ieşire cu intrarea în gol:
not i
h22  ho  o i 0 . (3.35)
uo i
Sistemul de ecuaţii (3.31) este modelat prin circuitul echivalent de
cuadripol cu parametri h din fig.3.8.

ii io

hi h f ii 1 ho
ui uo

hr u o


Fig.3.8. Circuit echivalent cu parametri h

Menţionăm că parametrii h depind de modul fundamental de conectare a

TBJ în circuitele electrice, existînd 3 seturi:
1. hie , hre , h fe , hoe pentru conexiunea EC;
2. hib , hrb , h fb , hob pentru conexiunea BC;
 3. hic , hrc , h fc , hoc pentru conexiunea CC.
De aceea în conexiunea BC (vezi şi tabelele 3.2 şi 3.3), care are ii  ie
i
şi io  ic , parametrul h fb  c   , cel definit de relaţia (3.4). De asemenea, în
ie
conexiunea EC având i i  ib şi io  ic , parametrul h fe  ic ib   , cel definit în
relaţia (3.5). Ca şi în cazul circuitului echivalent natural parametrii h din fig.3.8,
prin neglijarea parametrului hre  0 şi h0 e  0 .

3.1.4. Circuite de polarizare ale TBJ. Surse de curent constant

Conform celor anterioare, funcţia îndeplinită de un TBJ care
funcţionează în RAN este funcţia de amplificator. Calculul amplificării unui
amplificator realizat cu TBJ pornește de la rezolvarea circuitului de curent
continuu în care este plasat acesta, numit circuit de polarizare, pe care se
calculează un punct PSF U CE ,IC  numit punct static de funcţionare (PSF) al
TBJ. Acesta este situat pe caracteristica de ieşire a TBJ și trebuie să se afle
în AFS pentru a nu se distruge tranzistorul.
În fig.3.9 sunt prezentate 3 variante de polarizare cu 2 surse de
alimentare a TBJ de tip pnp sau npn în conexiune EC, BC şi CC.

uCB
iC
iB
u EC RE RC RB RE
RB u EB RC
EE  E
iE 
C EB  EC 
EB  E   
  C

a) TBJ în conexiune EC b) TBJ în conexiune BC c) TBJ în conexiune CC

Fig.3.9. Circuite de polarizare a TBJ cu două surse de alimentare

Calculul PSF al TBJ dintr-un circuit de polarizare are la bază scrierea și

rezolvarea unui sistem de ecuații ce conține atât ecuațiile specifice TBJ
(relația între curenți, relația între tensiuni și relația specifică între curenții TBJ
la funcționarea acestuia in RAN ca amplificator) cât și ecuațiile Kirchhoff ale
circuitului de polarizare în care este plasat TBJ.

Aplicaţia 3.1
Se consideră circuitul de polarizare din fig.3.9a) în care se cunosc:
E B  10V , EC  20V , RB  1M , RC  2 . Parametrii TBJ tip pnp sunt:
V EB  0,7V ,  F  100 , iar valorile maxime admisibile pentru acesta date in
catalog sunt: I CM  10 mA , VECM  30V şi PdM  50 mW .
a) determinaţi toţi curenţii ce circulă prin TBJ;
b) determinaţi toate căderile de tensiune pe TBJ;
 c) scrieţi ecuaţia dreptei de sarcină şi determinaţi grafic, calitativ, PSF;
d) verificaţi ipoteza iniţială că TBJ funcţionează în RAN;
e) verificaţi dacă PSF se află în AFS
f) indicați clasa de funcționare a TBJ

Soluţie:
a) si b) Pe fig.3.9.a) au fost reprezentaţi curenţii iB , iC ,i E şi căderile
de tensiune u EB , u EC ,uCB conform convenţiei din fig.3.1.a) pentru TBJ tip
pnp. Folosind datele problemei pentru TBJ şi modelul Ebers-Moll simplificat
pentru funcţionarea în RAN, schema electrică echivalentă a fig.3.9a) este cea
din fig.A3.1.1. Parametrii TBJ ce nu au fost daţi se neglijează.
Folosind relaţiile (3.1), (3.2.a) şi (3.5) ale TBJ în RAN precum şi
ecuaţiile Kirchoff scrise pe circuitul din fig.3.9a) sau din fig.A3.1.1. rezultă
următorul sistem de ecuaţii, in care prima relatie reprezinta relatia generala
intre curentii unui TBJ, a doua relatie reprezinta relatia generala intre
tensiunile TBJ-ului tip pnp din fig.3.9a, a treia relatie reprezinta relatia
spectifica intre curentii TBJ-ului la functionarea in RAN (ca amplificator),
relatia a patra rezulta din aplicarea teoremei Kirchhoff II pe ochiul din stanga
al circuitului din fig.3.9a si relatia a cincea rezulta din aplicarea teoremei
Kirchhoff II pe ochiul din dreapta al circuitului din fig.3.9a:
 I E  I B  IC

u EC  u EB  uCB  0

 IC    I B
E  u  R  I (A.3.1)
 B EB B B
 EC  RC  I C  U EC
Curenţii I B , I C si I E se află pe rand respectiv din a patra, apoi a treia şi
apoi prima relaţie a sistemului (A.3.1):
E B  U EB 10V  0.7V
IB    9,3 A
RB 1M
I C   F  I B  100  9,3 A  0,93mA
I E  I B  I C  9,3A  0,93mA  0,9393mA
In continuare, stiind u EB  0.7V din datele problemei, celelalte două
căderi de tensiune pe TBJ se află din ultima, respectiv din a doua ecuaţie a
sistemului (A.3.1):
U EC  E C  RC  I C  20V  2  0,93mA  19,99814V
U CB  U EC  U EB  19,99814V  0,7V  19,29814V
c) PSF U EC  19,99814V ; I C  0,93mA a fost determinat analitic
calitativ prin relaţii matematice la punctele a) şi b). Grafic, calitativ, PSF se
poate determina prin intersecţia caracteristicii externe a TBJ care este
dependenţa iC  iC u EC  , măsurată la u EB  0,7V  const . şi
i B  9,3A  cons tan t ca parametru, luată din catalog cu ecuaţia:
  1  E
iC  iC u EC     u EC  C , (A.3.2.)
 RC  RC
rezultată prin rescrierea celei de-a patra ecuaţii a sistemului (A3.1), care este
o dreaptă de pantă negativă, numită ecuaţia dreptei de sarcină (fig.A3.1.2). În
concluzie, dreapta de sarcină depinde de circuitul în care este plasat TBJ-ul.
Soluţia grafică a PSF-ului este dată în fig.A3.1.2.
iC

Ec
 10 A
Rc
I B  9,3A  const.
PSF 19,99814 V ;0,93mA 

Ec  20V u EC
 pnp
Fig. A3.1.2. Determinarea grafică a PSF

Comparând fig.A.3.1.2. cu fig. A.3.4.a) se observă că PSF-ul obţinut

corespunde încă funcţionării TBJ în RAN, dar foarte aproape de zona de
blocare caracterizată de I B  0 , I C  0 şi U EC  E B  20V .
d) Conform tabelului 3.1. TBJ funcţionează în RAN dacă J E e
polarizată direct şi J C e polarizată invers. Pentru un TBJ de tip pnp J E e
polarizată direct dacă u EB  0 şi J C e polarizată invers dacă uCB  0 .
Cu valorile numerice date in problema, cum u EB  0,7V  0 şi
uCB  19,29814V  0 , rezultă că TBJ funcţionează în RAN.
e) Pentru un TBJ funcţionând în RAN, condiţiile ca TBJ să se afle în
aria de funcţionare sigură (AFS) reprezentată în fig. A.3.4.a) sunt date de
relaţiile (3.8), (3.9) şi (3.10). În cazul nostru, cu datele din problemă, avem:
iC  0,93mA  ICM  10mA ;
u EC  19,99814V  U ECM  30V ;
Pd  U EC  IC  18,6mW  PdM  50mW ,
deci PSF se situează corect în AFS, fiind astfel protejat contra distrugerii.
f) Daca un TBJ are PSF situat la jumatatea dreptei de sarcină se spune
că funcționează în clasă A. Daca un TBJ are PSF situat la intersecția dreptei
de sarcină cu axa orizontală se spune că funcționează în clasă B. Daca un
TBJ are PSF situat între PSF-urile claselor A și B se spune că funcționează în
clasă AB.
Cele spuse anterior se aplică în cazul acestei aplicații astfel (vezi fig.
A3.1.2): pentru a funcționa in clasă A trebuie ca PSF al TBJ să aibă
coordonatele M  Ec / 2; Ec / 2Rc   M ( 10V ; 5A ) , iar pentru a funcționa in clasă B
trebuie ca PSF-ul TBJ să aibă coordonatele M  Ec / 2; 0   M ( 20V ; 0A ) . PSF-ul
calculat la punctul c) are coordonatele PSF U EC  19,99814V ; IC  0,93mA  , ce îl
plasează între PSF-urile claselor A și B, deci TBJ funcționează clasă AB, dar
foarte aproape ca valori numerice de PSF-ul clasei B de funcționare.
 Schemele practice folosesc o singură sursă de alimentare pentru
polarizarea colectorului şi a bazei. Două astfel de variante sunt prezentate în
fig. 3.10, cea mai des folosită fiind cea din fig. 3.10.b) cu divizor rezistiv de
tensiune în bază, cunoscută ca fiind schema clasică de polarizare a unui TBJ.

RB RC R B1 RC

 E
 EC 
C

RE RB2 RE

b) Circuit clasic de polarizare cu divizor

a) Circuit simplu de polarizare a TBJ
rezistiv de tensiune în bază
Fig.3.10. Circuite de polarizare a TBJ cu o singură sursă de alimentare

Aplicaţia 3.2.
Se consideră circuitul de polarizare din fig.3.10.b), în care se dau:
EC  12V , RB1  36 K , R B 2  6 K , RC  1K , RE  200 . Tranzistorul
tip npn are   100 şi u BE  0,7V . Se cer:
a) calculaţi toţi curenţii şi tensiunile prin TBJ şi determinaţi PSF;
b) verificaţi ipoteza că TBJ funcţionează în RAN;
c) scrieţi ecuaţia dreptei de sarcină.

Fig. A.3.2. Circuit echivalent cu cel din Fig. A.3.3. Circuit echivalent cu cel din
fig.3.10.b), pe care se va aplica teorema fig.A.3.2, pe care s-a aplicat teorema
Thevenin (vezi Cursul 1) Thevenin

Soluţie:
a) Aplicând teorema Thevenin, descrisă în capitolul 1, pentru circuitul
electric liniar format din elementele EC , R B1 şi RB 2 dintre bază şi masă (fig.
 echivalenta A.3.2), se obţine circuitul echivalent de calcul din fig. A3.3, având
componentele:
RB2 6 K
ET  EC   12V  1,714V (A.3.3.)
RB1  RB2 36 K   6 K 
R R 36 K   6 K 
RT  B1 B2   5,143K  (A.3.4.)
RB1  RB2 36 K   6 K 
Sensurile curenţilor şi tensiunilor au fost alese ca în fig. 3.1.b) valabilă
pentru TBJ tip npn. Folosind relaţiile (3.1.), (3.2.b) şi (3.5.), valabile la
funcţionarea TBJ în RAN, precum şi ecuaţiile Kirchoff ale circuitului din
fig.A.3.1.3, se crează sistemul de ecuaţii:
iE  iB  iC

iC    iB

uCE  uBE  u BC  0 (A.3.5.)
E  U  R I  R I
 T BE E E T B
 EC  RC I C  U CE  RE I E
Din prima, a doua şi a patra ecuaţie (A.3.5.) rezultă ecuaţia pentru
determinarea curentului I B :
ET  U BE  RE  iB   I B   RT I B , (A.3.6.)
obţinând:
ET  U BE 1,714V  0.7V
IB    40  A .
RE  1     RT 200    1  100   5143
Imediat se determină I C şi I E din prima şi a doua relaţie (A.3.5.):
I C  I B  100  40 A  4 mA
I E  I B  I C  40 A  4 mA  4,04 mA
Tensiunile U CE şi U BC rezultă apoi din a treia şi din a cincea relaţie
(A.3.5):
U CE  EC  RC I C  R E I E  12V  1K  4 mA  0,2 k  4,04 mA  7 ,2V
U BC  U BE  U CE  0,7V  7 ,2V  6 ,5V
b) TBJ tip npn funcţionează în RAN deoarece J E e polarizată direct
U BE  0,7V  0  şi J C e polarizată invers U BC  6 ,5V  0  , conform tabelului
3.1.
c) Ecuaţia dreptei de sarcină se deduce din ultima relaţie (A.3.5) în care
se exprimă toţi curenţii în funcţie de I C :
EC  RC IC  U CE  RE  I C /   IC   U CE   RC  RE  1 /   1  I C ,

de unde rezultă ecuaţia dreptei de sarcină:

 1  EC
iC  iC  uCE      U CE  (A.3.7.)
 RC  RE  1 /   1  RC  RE  1 /   1
Se observă că ecuaţia dreptei de sarcină (A.3.7.) diferă de ecuaţia dreptei
de sarcină (A.3.2.) din aplicaţia A.3.1. anterioară deoarece s-a modificat circuitul,
deci ecuaţiile Kirchoff sunt altele.
 3.1.5. Surse de curent constant
În schemele electronice cu componente discrete, dar şi în circuitele
integrate analogice apar frecvent surse (generatoare) de curent constant
folosite pentru polarizarea tranzistoarelor. Trei astfel de variante sunt
prezentate în fig.3.11.
Uo Uo E
Io Uo Uo
Io
RB1 U oM R
I1 I2
 U CBM I B2
EC  T2
I B1
T1 U BE 2
RB 2 U BE 1
I E1 IE2
RE RE
ETH R1 R2

I o  const . I  EE Io
o

b) sursă de curentc) exemplu de

a) sursă de curent constant cu generator de curent
constant cu sursă de
rezistenţă în emitor şi divizor de tensiune reactivă în circuitele
tensiune pentru polarizarea bazei integrate cu două
(  E E ) în emitor.
TBJ împerecheate.
Fig. 3.11. Surse de curent constant şi caracteristicile lor tensiune-curent uo  u o io 

 Curentul constant I o generat cu sursa din fig.3.11.a) are expresia:

E  U EB ET
Io  IC  I E  T   const. (3.41)
RE RE
unde ET este sursa de tensiune Thevenin dată de relaţia (A.3.3).
Tranzistorul nu intră în saturaţie cât timp potenţialul colectorului faţă de
masă Uo  U EB , valoarea sa maximă, notată U oM , fiind:
U oM  RE I o  U CEM (3.42)
 Curentul constant I o generat de sursa din fig.3.11.b) are expresia:
EE  U BE EE
I o  IC  I E    const. (3.43)
RE RE
Acest circuit este folosit în construcţia amplificatoarelor diferenţiale.
 Sursa din fig.3.11.c) are tranzistoarele T1 şi T2 împerecheate, adică au
parametri aproape identici (de exemplu, u BE1  u BE2  uBE ).
T1 funcţionează ca diodă, având colectorul şi baza scurtcircuitate (sunt
legate impreuna); aceasta este modalitatea folosită în circuitele
integrate de a crea tehnologic uşor diode. Se remarcă faptul că TBJ nu
este încercuit în circuitele integrate, cercul simbolizând capsula în care
este împachetat acesta. Se scriu teoremele Kirchhoff pentru curenţi şi
relaţiile între curenţii ce circulă prin T1, respectiv prin T2 :
  I 1  I B1  I B 2  I C1

 I E1  I B1  I C1
I
 E 2  I B2  I 2
Din sistemul de ecuaţii de mai sus şi aplicând pe circuit teorema
Kirchhoff pentru tensiuni, rezultă că faptul că curentul I2 al lui T2 “copiază” (de
unde şi numele de “oglindă de curent”) curentul I1 al lui T1 deoarece:
E  U BE1 E
I 2  I C 2  I E 2  I1  I B2  I1    cons tan t (3.44)
R  R1 R
În obţinerea relaţiei (3.44) s-au neglijat I B1 şi U EB1 .