Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
OPTOELECTRONICĂ
Autori:
EMIL VOICULESCU
TIBERIU MARIŢA
Tehnoredactare computerizată:
Tiberiu Mariţa
Manualul de Optoelectronică se adresează studenţilor
facultăţilor de Electronică şi Telecomunicaţii, inginerilor din
comunicaţii, celorlalţi studenţi de profil electric pasionaţi de Micro
/Optoelectronică, chiar elevilor de liceu din clasele terminale, dacă
noţiunile de bază le sunt cunoscute. Cum cursul care stă la baza
manualului s-a adresat pentru început studenţilor din anul III, el se
citeşte uşor şi reprezintă prima treaptă, pe scara pregătirii
optoelectronice de cinci semestre, a studenţilor de la facultăţile de
Comunicaţii, secţia de Comunicaţii Optice.
Având permanent în minte specificul domeniului, am
considerat că putem uşura procesul asimilării disciplinei de către
studenţii electronişti, precum şi de către ceilalţi interesaţi, prin
elaborarea unui manual practic, cu o largă paletă de dispozitive şi
aplicaţii optoelectronice, cu accent pe fenomenologie. “Mai întâi Ce şi
Cum, şi abia mai apoi Cât”, a fost preceptul pedagogic care ne-a
ghidat în elaborarea manualului. Al doilea volum, care va urma acestei
lucrări încă în acest an, va fi adresat avansaţilor şi va trata domeniul
atât de complex al circuitelor integrate optoelectronice.
PREFAŢĂ
Optoelectronica reuneşte optica tradiţională, domeniul surselor semi-
conductoare emiţătoare de radiaţie, a detectoarelor, a laserelor, a fibrelor optice
şi electronica asociată lor. Ea studiază interacţiunile luminii în domeniul de
lungimi de undă de la zeci de nm la 20 µm, cu materia în stare gazoasă, lichidă
sau solidă şi dispozitivele care se bazează pe aceste interacţiuni. Aceste dispo-
zitive combină părţi optice cu părţi electrice şi s-au dezvoltat enorm în ultimii
20 de ani, ca rezultat al extinderii industriilor materialelor semiconductoare.
Încă de la început noutăţile din laboratoarele de optoelectronică şi-au
găsit aplicarea imediată în practică. Unele dispozitive, cum este dioda electro-
luminiscentă, a pătruns în majoritatea aplicaţiilor profesionale şi de consum
încă din anii 70. Extinderea comunicaţiilor optice a determinat producţii masive
de componente optoelectronice. Acelaşi efect l-au avut lărgirea domeniului de
aplicare al laserelor şi dezvoltarea înregistrării şi stocării optice a informaţiei.
Fiabilitatea, randamentul sporit şi costul scăzut au contribuit la răspândirea
componentelor optoelectronice.
În universităţi, optoelectronica s-a consolidat ca disciplină de sine stătă-
toare, în plus, tot mai multe cursuri de fizică şi de electronică din întreaga lume
includ subiecte de optoelectronică.
Manualele de optoelectronică dedică partea introductivă noţiunilor fun-
damentale de optică, apoi revin sporadic la acestea, când aplicaţiile o impun.
Tratarea eclectică duce uneori cu gândul la rigoarea fizicianului, când aparatul
matematic este dezvoltat peste nevoi, alteori, electronistul care vine din alt
domeniu prezintă doar în mare fenomenologia subtilă şi aparatura optică
dedicată, refugiindu-se rapid înapoi, în câmpul familiar al experienţei profesio-
nale – circuitele şi componentele electronice, nu o dată în detrimentul subiectu-
lui tratat. Prezentul manual ocoleşte, credem, aceste capcane. El corespunde
cursului de Optoelectronică predat în anul III la Facultatea de Electronică şi
Telecomunicaţii, de la Universitatea Tehnică din Cluj-Napoca, la secţiile de
Comunicaţii şi de Electronică Aplicată.
De-a lungul anilor, cursul a fost îmbunătăţit şi actualizat continuu, prin
contactul nemijlocit cu studenţii. Din această cauză, cartea începe cu noţiuni
simple şi evoluează treptat spre aplicaţii reale mai complexe, cu un accent
deosebit pe claritate şi ierarhizarea noţiunilor. Caracterul interactiv al relaţiei cu
studenţii, cărora cursul le-a fost predat încă din 1991, a condus la ideea că
descifrarea şi explicarea fenomenelor implicate, chiar şi a celor mai simple, este
binevenită cu tot backgroundul lor în fizică. A rezultat un material uşor
asimilabil şi o lectură plăcută. Cunoştinţele astefel dobândite s-au dovedit încă
din 1998 suficiente pentru a urma cursurile complementare de Comunicaţii
Optice partea I-a şi a II-a, Circuite Integrate Optoelectronice, Echipamente
7
pentru Comunicaţii Optice (anul VI studii aprofundate – Master), Măsurări
Optoelectronice.
Cartea este structurată pe 10 capitole. Cele mai importante subiecte
tratate sunt: laserele cu semiconductor, LEDurile cu driverele lor, detectoarele
de radiaţie şi electronica asociată, aplicaţiile optocuploarelor, transmisiile de
date pe cabluri optice şi conductoare.
Capitolul 1 este o scurtă trecere în revistă a principalelor noţiuni de
optică şi mecanică cuantică necesare înţelegerii principiului de funcţionare a
dispozitivelor optoelectronice. Aceste noţiuni se presupun a fi cunoscute,
deoarece familiarizarea cititorului cu fizica începe încă din liceu şi se continuă
la facultăţile cu profil electric pe parcursul a două semestre.
Capitolul 2 prezintă principul de funcţionare al diodelor electro-
luminiscente (LEDuri), elementele constructive şi caracteristicile electrooptice
ale acestor dispozitive.
Capitolul 3 prezintă circuitele de comandă ale LEDurilor folosite în
diverse aplicaţii de semnalizare, afişare, transmisie optică ş.a.
În capitolul 4 este descris optocuplorul, tipurile constructive existente,
parametrii specifici şi unele probleme legate de utilizarea lui.
Capitolele 5, 6 şi 7 prezintă câteva clase de aplicaţii specifice ale opto-
cuploarelor: amplificatoarele izolatoare, transmisiile de semnale binare prin
izolare optică şi aplicaţii industriale ale optocuploarelor, împreună cu proble-
matica lor specifică.
Capitolul 8 prezintă principiul de funcţionare, montaje amplificatoare şi
alte aplicaţii ale principalului dispozitiv fotosensibil utilizat în optoelectronică:
fotodioda semiconductoare.
În capitolul 9 sunt prezentate principiile de funcţionare ale laserelor şi
câteva tipuri de lasere folosite în industria optoelectonică şi în special a
comunicaţiilor optice: laserele cu corp solid şi diodele laser semiconductoare.
Ultimul capitol, al 10-lea, este o scurtă introducere într-un domeniu de
vârf al optoelectronicii: comunicaţiile pe fibră optică. Sunt trecute în revistă
câteva probleme specifice comunicaţiilor pe fibră optică, detalierea acestui
domeniu făcând obiectul unor cursuri şi manuale separate.
Partea a doua a lucrării, intitulată Circuite Integrate Optoelectronice, va
continua volumul de faţă cu noţiuni, dispozitive şi circuite avansate, care fac
obiectul a ceea ce se cheamă în zilele noastre Optică Integrată, domeniu cu o
dinamică fără precedent.
Capitolele 1-7 au fost elaborate de Conf. Dr. Ing. Emil Voiculescu, iar
capitolele 8-10 de Asist. Ing. Tiberiu Mariţa. Autorii aduc mulţumiri şi pe
această cale domnului student Iulian Benţa-Kuderna pentru munca depusă la
finalizarea lucrăii.
8
CUPRINS
PREFAŢĂ………………………………………... 7
4. OPTOCUPLORUL ……………………………... 72
4.1. Caracteristici. Utilitate ………………………………………. 72
4.2. Tipuri de optocuploare ………………………………………. 73
4.2.1. Optocuploare analogice ……………………………………… 73
4.2.2. Optocuploare digitale ………………………………………... 75
4.2.3. Alte tipuri de optocuploare …………………………………... 78
4.3. Parametri specifici optocuploarelor.
Măsurarea lor la fabricant …………………………………… 80
4.3.1. Tensiunea şi rezistenţa de izolaţie …………………………… 80
4.3.2. Capacitatea de izolaţie ……………………………………….. 81
4.3.3. Factorul de rejecţie al modului comun ………………………. 81
4.3.4. Factorul de transfer în curent ………………………………... 84
4.3.5. Curentul de întuneric ………………………………………… 87
4.3.6. Caracteristica de intrare ……………………………………… 87
4.3.7. Tensiunea de saturaţie a fototranzistorului ………………….. 88
4.3.8. Viteza ………………………………………………………... 88
4.3.9. Banda de trecere ……………………………………………... 90
4.4. Procedee de creştere a vitezei de comutaţie …………………. 92
4.4.1. Scăderea timpului de comutaţie inversă (t OFF ) ………………. 92
4.4.2. Controlul constantei de timp asociate fototranzistorului ……. 93
4.4.3. Procedee de reducere a timpilor de comutaţie
la comanda în impulsuri ……………………………………... 95
4.5. Îmbătrânirea optocuploarelor ………………………………... 97
4.6. Norme specifice privind utilizarea optocuploarelor …………. 99
7. OPTOCUPLOARE ÎN APLICAŢII
INDUSTRIALE …………………………………. 137
7.1. Circuite de detecţie a prezenţei (existenţei) tensiunii de reţea 138
7.2. Circuite de detecţie a prezenţei curentului …………………... 139
7.3. Detectoare de prag …………………………………………… 141
7.4. Circuite de protecţie pentru optocuploare …………………… 142
7.4.1. Supratensiuni tipice în reţea …………………………………. 142
7.4.2. Tehnici de atenuare a supratensiunilor ………………………. 144
9
1.2. Domenii de frecvenţă şi lungimi de undă
În radiofrecvenţă diferitele oscilaţii se deosebesc în mod tradiţional prin
frecvenţele lor. În radiodifuziune, chiar dacă 75m, 49m, 41m, 31m, 25m, 21m,
16m, 13m, 11m desemnează unde, acestea sunt de fapt game, iar emisiunile
sunt descrise în mod obişnuit prin frecvenţe: 1152 kHz Bucureşti/medii, 150
KHz Bucureşti/lungi, 909 KHz Radio Cluj etc. Banda de radiodifuziune se
întinde în domeniul de frecvenţe 150 KHz ÷ 30 MHz. Urmează 30 MHz ÷ 1
GHz alte unde radio, cum ar fi transmisiile TV. În microunde, descrierea
oscilaţiilor prin frecvenţa lor este de asemenea tradiţională. La radiorelee se
specifică fTX = 7150 MHz, fRX = 7250 MHz, spre exemplu. La transmisiile
prin satelit la fel, 10,3 ÷ 11,6 GHz, în banda SHF europeană.
În optică însă, diferitele oscilaţii sunt definite prin lungimile lor de undă.
Conversia de la frecvenţă la lungimea de undă este imediată:
1
λ = c ⋅T = c ⋅ (1.1)
f
10
Unitatea de măsură pentru lungimea de undă este metrul, multipli şi
submultipli lui. Pentru domeniul optic se folosesc micrometrul (1 µm = 10-6 m)
şi nanometrul (1 nm = 10-9 m). În afara nanometrului şi micronului,
Angströmul (1 = 10-10 m = 10 –4 µm) a fost unitatea de lungime de undă
consacrată dar se foloseşte din ce în ce mai rar.
Se observă că domeniul vizibil reprezintă o mică parte din spectrul ce
face obiectul optoelectronicii. În timp ce domeniul tuturor radiaţiilor optice
(vizibile şi invizibile) se întinde de la λ max (IR) = 0,3 mm la λ min (UV) = 30
nm, domeniul vizibil se întinde de la λ roşu = 0,7 µm la λ violet = 0,4 µm şi este
caracterizat de o mică variaţie a energie cuantice (de la 8 eV la 3,1 eV).
Alte manuale indică pentru domeniile ce fac obiectul optoelectronicii valorile
din tabelul de mai jos şi respectiv figura 1.1:
11
dependenţa sensibilităţii relative, S, a ochiului uman în funcţie de lungimea de
undă pentru cele două tipuri de vedere.
Infraroşu 0,70 µm … 4 mm
Roşu 0,61 µm … 0,70 µm
Oranj 0,59 µm … 0,61 µm
Galben 0,57 µm … 0,59 µm
Vizibil Verde 0,50 µm … 0,57 µm
Albastru 0,45 µm … 0,50 µm
Violet 0,40 µm … 0,45 µm
Ultraviolet 5 nm … 0,39 µm
12
1.3. Proprietăţile fundamentale ale luminii
1.3.1. Reflexia
Legea reflexiei
13
Fig. 1.4. Difuzia prin reflexie pe o suprafaţă neregulată.
1.3.2. Refracţia
Refracţia apare în cazul în care suprafaţa pe care cade fascicolul incident
permite trecerea unei părţi a energiei luminoase prin suprafaţa de separare.
Viteza luminii (a undelor electromagnetice) în vid a fost stabilită de
Maxwell:
1
c= (1.2)
ε 0 ⋅ µ0
1
v= ≠c (1.3)
ε⋅μ
c
n= , (1.4)
v
14
n2) şi că trimitem un fascicol incident I spre suprafaţa de separaţie sub un unghi
oarecare θI , dintr-o sursă punctiformă S. Fie O punctul de incidenţă. La trecerea
în mediul mai dens, raza transmisă T se apropie de normală, θT < θI.
Concomitent, o parte mai mare sau mai mică din fluxul incident este reflectată
în mediul 1, funcţie de coeficientul de reflexie a suprafeţei de separaţie.
Legile refracţiei
Toate refracţiile sunt însoţite de reflexie parţială, aşa cum se poate vedea
şi din figura 1.5 (raza reflectată este desenată punctat). Chiar şi atunci când
fluxul luminos transmis reprezintă cea mai mare parte din cel incident, de
exemplu la unghi incident θI = 0, o parte din fluxul incident este reflectată în
primul mediu. Acest fenomen este cunoscut ca reflexie (pierdere) Fresnel. El
poate fi observat şi în viaţa de zi cu zi, privind în special seara printr-un geam
obişnuit şi observând că acesta reflectă o parte din lumina incidentă.
15
Legea formulată de Fresnel spune că din fluxul total ΦI al unei raze
.
incidente I, o cantitate ΦT = ΦI T suferă o refracţie (transmisie) trecând în
celălalt mediu (raza transmisă T), iar o altă cantitate ΦR = ΦI R se reflectă
.
înapoi în mediul din care provine (raza reflectată R), unde coeficienţii R şi T
se numesc coeficient de reflexie, respectiv de transmisie şi sunt daţi de
ecuaţiile:
2
n − n1
R = 2 (1.6)
n 2 + n1
T = 1− R . (1.7)
16
La reflexia totală nu se pierde energie prin transmisie în mediul 2. Raza
de lumină rămâne confinată (captivă) în mediul optic mai dens, purtătoare a
aceleiaşi energii după reflexie. Acesta e mecanismul ce stă la baza propagării
radiaţiei prin fibrele optice. Fenomenul reflexiei totale îşi găseşte aplicare şi în
instrumentaţia radio / foto-metrică.
1.3.4. Difuzia
Difuzia este o reflexie multiplă, haotică (fig. 1.4), care are drept efect
răspândirea unui fascicol de lumină într-un număr imens de fascicole
secundare, distribuite aleator, şi având drept consecinţă atenuarea progresivă a
fascicolului incident. Difuzia nu trebuie confundată cu absorbţia luminii –
pierderea de energie luminoasă prin transformarea ei în căldură, sau alte forme
de energie.
Exemple clasice sunt:
- imaginea unei guri de tunel când înăuntru este fum sau ceaţă - e uşor de
imaginat atenuarea progresivă a luminii de la intrare. Dacă lipseşte
ceaţa, gura tunelului se vede tot mai slab din cauza absorbţiei luminii;
- praful în bătaia soarelui, printr-o fereastră (fascicol paralel colimat –
soarele fiind foarte departe). Dacă traseul razelor e lung (razele se văd),
lumina este răspândită de particulele de praf şi atenuată sensibil.
1.3.5. Difracţia
17
Fig. 1.7. Experiment care evidenţiază difracţia.
1.3.6. Dispersia
18
Newton a demonstrat astfel experimental structura “curcubeu” a luminii
albe: roşu, portocaliu, galben, verde, albastru, indigo, violet şi nuanţele
intermediare dintre ele.
Razele roşii (frecvenţa cea mai joasă) sunt deviate cel mai puţin la
refracţia prin prismă, violetul este refractat cel mai puternic (frecvenţa cea mai
înaltă). În mod similar sunt deviate şi undele invizibile: infraroşul (IR) mai
puţin, ultravioletul (UV) mai mult.
Newton a realizat şi compunerea luminii albe, prin experimentul invers,
folosind două prisme (fig. 1.9):
19
fascicol parţial polarizat (c) poate fi considerat o sumă a unui fascicol polarizat
(b) cu un fascicol de lumină nepolarizată (a) (fig. 1.10):
Fig. 1.10. Lumina parţial polarizată (c), rezultat al compunerii unei radiaţii polarizate plan (b) cu
una nepolarizată (a).
20
- razele de lumină trecute prin materiale polaroid (ochelari, geamuri,
filtrul pentru ecranul de la calculator, aparate foto şi camere de luat
vederi etc.).
Pe baza regulii de compunere vectorială, lumina polarizată plan se poate
compune cu alte radiaţii. Compunând două unde cu aceeaşi frecvenţă, ambele
polarizate plan, dar în cuadratură, va rezulta o undă cu vectorul electric
evoluând pe o elice (dreaptă sau stângă) în lungul direcţiei de propagare. Acest
procedeu se numeşte polarizare circulară a luminii.
Pe de altă parte, două radiaţii polarizate plan, ortogonale, nu se
influenţează reciproc (proiecţia vectorului electric al uneia dintre radiaţii în
planul de oscilaţie al celeilalte este nulă) şi sunt nemiscibile. De aceea, privind
imagini polarizate orizontal prin ochelari cu polarizare verticală, imaginea
rămâne invizibilă. O întrebuinţare practică a acestui fenomen este încărcarea pe
una şi aceeaşi purtătoare a celor două polarităţi nemiscibile (orizontală şi
verticală) rezultând o capacitate de transmisie dublă. Procedeul este larg utilizat
în microunde, televiziune, radiorelee, sateliţi şi transmisii pe fibră optică.
Cel mai simplu mod de a obţine lumină polarizată a fost demonstrat de
Brewster. El a constatat că iluminând sticla sub un unghi de circa 570, care îi
poartă numele, rezultă două raze polarizate ortogonal (fig. 1.12). Pentru reuşita
experimentului se foloseşte ca rază incidentă I’ lumina parţial polarizată
obţinută prin reflexia pe o primă oglindă. Raza reflectată R este polarizată într-
un plan perpendicular pe planul de incidenţă, iar raza refractată T este
polarizată în planul de incidenţă. În această situaţie raza reflectată este
perpendiculară pe raza refractată.
21
Valoarea de 570 se obţine aplicând legea lui Snell în punctul O:
22
Există două situaţii posibile ale compunerii undelor pe ecran:
- dacă cele două unde sunt defazate cu 1800, va avea loc o interferenţă
distructivă rezultând franje întunecate;
- dacă cele două unde sunt în fază, va avea loc o interferenţă constructivă
rezultând franje luminoase.
1.4. Lentile
Lentilele sunt dispozitive din sticlă, plastic sau alte materiale
transparente care focalizează sau împrăştie razele de lumină. Constituie un
subiect atât de amplu încât o întreagă literatură de specialitate le este dedicată.
Numai materialelor din care se fabrică le-au fost dedicate numeroase cărţi.
Lentilele sunt descrise prin forma suprafeţelor care le mărginesc:
convexe, plane, concave sau combinaţii ale acestora.
Lentilele convergente colimează un flux de lumină divergent, adică
adună într-un fascicol subţire de raze paralele razele divergente, sau focalizează
un fascicol paralel (fig. 1.14).
23
Ca şi caracteristică constructivă generală, lentilele convergente sunt
“mai groase la mijloc” şi pot fi plan-convexe, biconvexe sau menisc convergent
(fig. 1.15).
24
Indicele de refracţie depinde de material şi de lungimea de undă a
radiaţiei aplicate. Aceasta poate să însemne că diferite culori sunt focalizate în
puncte diferite (aberaţie cromatică), ceea ce constituie o problemă serioasă în
tehnica video / foto. Aceasta presupune corecţia fenomenului descris în
adâncime, în lungul axului optic principal, rezultând ansambluri de lentile în
locul uneia singure. Obiectivul unei camere de luat vederi, sau al unui aparat de
fotografiat, reduce aproape toate aberaţiile cromatice.
25
Constanta solară
26
S
Ω= [ sr ] . (1.13)
R2
P
IR = [W / sr ] , (1.14)
Ω
unde P [W] reprezintă puterea radiaţiei.
Φ
IL = [cd ] , (1.15)
Ω
unde Φ [lm] reprezintă fluxul luminos.
P
BR = [W / cm 2 ] , (1.16)
S
unde este P este puterea luminoasă iar S este aria sursei.
27
1.7. Experimente care evidenţiază natura
corpusculară a luminii
Există două experimente clasice care nu pot fi explicate pe baza teoriei
ondulatorii a luminii:
- efectul fotoelectric extern – pus în evidenţă de Heinrich Hertz în 1887 şi
de Hallwachs în 1888;
- efectul Compton, care constă în schimbarea lungimii de undă a
radiaţiilor Röntgen la împrăştierea pe atomi uşori de grafit, descoperit de
Compton în 1923.
28
plasate în fereastra tubului), curentul creşte. Curentul depinde, de
asemenea, de mărimea fluxului incident, dacă frecvenţa este constantă;
- există o valoare de prag a frecvenţei radiaţiei ultraviolete, sub care
fenomenul nu are loc.
W = h ⋅ν (1.18)
unde:
h = 6,225 ⋅10 −34 [ J ⋅ s ] (1.19)
este constanta lui Planck.
29
o bucată de grafit, material cu greutate atomică redusă. Rezultatul interacţiunii
este evaluat cu ajutorul unui spectrometru la diverse unghiuri θ în jurul probei
de grafit (fig. 1.22). Se constată în acest fel că în radiaţia emergentă se
regăseşte frecvenţa incidentă, dar şi o nouă frecvenţă mai joasă (lungime de
undă mai mare), numită frecvenţă (lungime de undă) Compton.
θ
∆λ = 2 ⋅ Λ ⋅ sin 2 , (1.20)
2
unde:
h
Λ= , (1.21)
m0 ⋅ c
se numeşte lungimea de undă Compton, iar
m0 – masa fotonului în repaus şi
c – viteza luminii în vid.
30
2. DIODE ELECTROLUMINISCENTE
(LEDuri)
31
materialele semiconductoare pure, acest interval energetic nu poate fi ocupat de
electroni.
Este posibil, însă, să se introducă impurităţi în semiconductor,
generându-se astfel nivele energetice în interiorul benzii interzise. Impurităţile
care cedează electroni în banda de conducţie sunt denumite donori şi
semiconductorul rezultat este de tip n (datorită sarcinii negative a purtătorilor
electrici majoritari care sunt electronii). Impurităţile care acceptă electroni din
banda de valenţă generând acolo goluri sunt denumite acceptori şi
semiconductorul rezultat este de tip p (datorită sarcinii pozitive a purtătorilor
electrici majoritari care sunt golurile). Benzile energetice şi nivelele energetice
donoare şi acceptoare dintr-un semiconductor sunt ilustrate în figura 2.1:
32
polarizării joncţiunii. Recombinările electronilor şi a golurilor (fig. 2.2) care au
loc în mod continuu generează energie sub formă de fononi. Fononii sunt
cuante de energie emise de recombinările din siliciu (Si), energia rezultată fiind
insuficientă pentru eliberarea de fotoni. La siliciu, energia eliberată în procesele
de recombinare se transferă reţelei cristaline sub formă de vibraţii, adică se
transformă în căldură.
Fig. 2.2. Deplasarea şi recombinarea purtătorilor de sarcină într-o joncţiune p-n polarizată direct.
33
Materialele, ca de exemplu GaP, se caracterizează prin tranziţii indirecte
ale electronilor din banda de valenţă în banda de conducţie, adică procesul
recombinării este fragmentat în doi timpi (fig. 2.4.b). Pe seama impurităţilor
dopante se creează în modelul energetic un nivel intermediar (de captare) situat
între banda de conducţie şi banda de valenţă, în zona interzisă. Fizic, îi
corespund centre de recombinare (“trapping-centers” – capcane) în materialul
p, numite centre izo-electronice. Ele funcţionează ca şi capcane de electroni şi
pun împreună electronii care se dezexcită spontan din banda de conducţie pe
nivelul intermediar cu golurile prezente în centrele de
captare (şi golurile sunt captate în capcană, numai că
golurile sunt luate din banda de valenţă). Efectul este
formarea de excitoni – se formează o pereche de
purtători electron-gol care gravitează unul în jurul
celuilalt, la fel ca un electron în jurul unui nucleu
pozitiv (fig. 2.3.).
Fig. 2.4. Procesul de recombinare al purtătorilor de sarcină la: a. materiale cu tranziţie directă;
b. materiale cu tranziţie indirectă .
34
Notaţia compoundurilor ternare, de exemplu pentru GaAsP, se face
astfel:
GaAs1-xPx = (GaAs)1-x + (GaP)x ,
unde x reprezintă fracţia molară.
Principalele valori ale benzii interzise la materialele curent folosite în
electronica corpului solid sunt date în continuare:
35
În cazul materialelor care nu s-au dovedit utile în optoelectronică,
lungimile de undă cad în afara spectrului vizibil (400 - 700nm) şi chiar al celui
optic:
36
2.2. Elemente constructive caracteristice ale
LEDurilor
Cele câteva elemente tehnologice date în continuare reprezintă
proprietăţi specifice LEDurilor, independente de producător sau anul
fabricaţiei. Majoritatea LEDurilor însă, se fabrică, în prezent, în arii sau fac
parte din afişaje integrate împreună cu optica şi driverele lor.
LEDurile se asamblează industrial pe structuri metalice care reunesc
terminalele (fig. 2.5). Aceste structuri sunt denumite în limba engleză "dam-
bars" – stăvilare şi sunt realizate din aliaj de cupru acoperit cu argint.
În capsulă, catodului i se alocă o arie mai mare decât anodul. Din acest
motiv, pe terminalul catodic poate fi amplasat chip-ul semiconductor (fig. 2.7).
37
Ca şi la o diodă obişnuită, zona dopată p a chip-ului semiconductor se leagă la
anod, iar zona dopată n la catod. Pentru materiale transparente (GaAsP), chip-ul
este aşezat într-o oglindă conică. Aceasta recuperează fluxul scăpat lateral şi îl
dirijează în faţă.
38
Alte tipuri de LEDuri
220
1
Capsula
2
3. LEDul bicolor este de fapt o grupare de două LEDuri de culori diferite legate
în antiparalel (fig. 2.11):
1
K A
LED2
V LED1
A
2 K
39
contratimp. Variind factorul de umplere a tensiunii v, la o frecvenţă f > 100 Hz,
se poate obţine o întreagă gamă de nuanţe cuprinse între cele două culori de
bază (de exemplu cu LED1 roşu şi LED2 galben rezultă aproape toate nuanţele
de portocaliu).
4. Schema bloc a unui LED cu prag de comutaţie este prezentată în figura 2.12.
Comparatorul are histerezis, aşa că bascularea LEDului se face brusc, oricât de
lentă ar fi variaţia VAK.
Tensiune
de prag Comp. Ampl.
40
2.3. Caracteristici electro-optice ale LEDului
2.3.1. Simboluri grafice
Principalele simboluri grafice folosite în reprezentarea LEDurilor sunt
date în figura 2.14:
41
Pe grafic, pentru comparaţie, au fost figurate şi caracteristicile curent-
tensiune ale diodelor de Ge şi Si, însă aşa cum am mai precizat, ele nu au
proprietăţi electroluminiscente şi nu pot fi folosite ca LEDuri. S-au notat cu
VF tensiunea directă (VAK) de la bornele LEDului, iar cu IF curentul direct prin
LED.
Valori nominale uzuale ale curentului IF sunt de 0,1 mA … 5 mA la
tipurile mai noi de LEDuri şi de 5 mA … 20 mA la LEDurile mai vechi. Aceste
valori sunt date în foaia de catalog a LEDului. La proiectarea driverelor pentru
LEDuri este necesar să se asigure un curent IF (maxim la comanda în c.c. sau
mediu la comanda în impulsuri) care să se încadreze în domeniul valorilor
admisibile.
Φ max / 2
10 log = −10 log 2 ≅ −10 ⋅ 0,3 = −3dB (2.8)
Φ max
B3dB = λ 2 − λ1 ≈ 5% ⋅ λ 0 ≈ zeci de nm. (2.9)
42
2.3.4. Caracteristica de directivitate
Caracteristica de directivitate a LEDului este graficul dependenţei
strălucirii B în funcţie de unghiul θ faţă de axul optic al LEDului (figura 2.17):
B(θ )
B rel (θ ) = . (2.11)
B max
43
valori relative Brel = 0,5. Valorile tipice ale unghiului de radiaţie θ1/2 sunt
cuprinse între 3 o şi 30o.
Folosirea unei capsule care este lentilă de imersiune, în care este montat
chipul semiconductor, măreşte strălucirea LEDului. În funcţie de distanţa X
dintre chipul semiconductor şi suprafaţa lentilei, se obţin diferite forme ale
caracteristicii de directivitate (fig. 2.19). Curba a corespunde cazului în care
LEDul este fără lentilă, obţinându-se caracteristica radiatorului Lambertian.
Radiatorul Lambertian este o sursă de radiaţie cu o caracteristică de
directivitate sferică, descrisă de ecuaţia:
Fig. 2.19. Influenţa poziţiei chipului semiconductor asupra caracteristicii de directivitate a LEDului.
44
O comparaţie calitativă a celor trei tipuri de caracteristici se poate face
consultând tabelul următor, în care s-au notat cu D diametrul lentilei şi cu n
indicele ei de refracţie.
Fig. 2.20. Influenţa formei capsulei / lentilei asupra caracteristicii de directivitate a LEDului.
Fig. 2.21 Influenţa materialului capsulei / lentilei asupra caracteristicii de directivitate a LEDului.
În ambele cazuri s-a folosit aceeaşi capsulă sferică şi acelaşi chip semiconductor.
45
Capsula LEDului este fabricată din răşină epoxidică. Capsula sferică
(fig. 2.21.a) permite obţinerea unei caracteristici de directivitate alungite de-a
lungul axului optic, utilă în aplicaţii care necesită o sursă de lumină
concentrată. Prin introducerea unui material difuzant (particule de colorant cu
diametrul mai mic de 10µm care difuzează razele de lumină emise de chipul
electroluminiscent) se obţin LEDuri cu unghiuri de radiaţie mari (mai mari de
30o) care sunt folosite în aplicaţiile de semnalizare luminoasă, afişajele cu
LEDuri etc.(fig. 2.21.b).
46
Fig. 2.23. Comanda LEDurilor în impulsuri.
47
30-50°C/W. Temperatura normală de funcţionare a unui LED montat pe circuit
imprimat este de 20-50°C.
Compensarea variaţiilor de strălucire cu temperatura prin mijloace
electrice se poate realiza prin introducerea unui rezistor de balast în paralel cu
LEDul. Ideea va fi detaliată în capitolul următor, pentru un LED - circuitul din
figura 3.19, pentru grupuri de LEDuri - circuitul din figura 3.11.
48
- detectoare de nivel în lichide (atât transparente cât şi opace);
- detectoare de proximitate (de muchie sau cu apertură şi sistem de
lentile confocale);
- transmisii optice de date la distanţă mică sau mare prin spaţiul liber sau
prin fibre optice;
- afişaje analogice prin coloane de lumină (“bar-graphs”) în aparatele de
măsură, indicatoare, VU-metre;
- iluminat (LEDuri cu strălucire de 25 … 30 lm ), semafoare;
- panouri de afişare de la cele de mici dimensiuni folosite în scop
publicitar la cele gigantice (ecrane de proiecţie) etc.
49
3. CIRCUITE DE COMANDĂ PENTRU
LEDuri
+Vcc
Cu un tranzistor-driver se
poate separa circuitul de afişare de cel
R
de supravegheat (fig. 3.2).
În această schemă tranzistorul
Rb1
T comută între blocare şi saturaţie.
(TTL) T Calculul rezistenţei R se face astfel:
1K
1K Rb2 VCC − V F − VCEsat
R= (3.2)
I Fnom
50
Un inversor sau o poartă logică poate face aceeaşi operaţie (fig. 3.3):
R
+5V
170
C-da
I = 20 mA
F
Se mai foloseşte frecvent circuitul din figura 3.4 (care pune poarta în
regim de suprasarcină, fără a o distruge sau degrada – circuitul a apărut mai
întâi în cataloagele marilor producători de TTL, cum e Texas Instruments):
1
3
C-da 400
2
D
sau circuitul din figura 3.5, în care ieşirea inversorului este şunt pentru LED în
starea “Low” şi îl stinge. Cu ieşirea în “High”, LEDul străluceşte luând curent
de unde poate (cu R rezonabil de mare – sute de ohmi … kilo-ohmi, curentul
LEDului e luat mai ales de la ieşirea inversorului. Dacă inversorul este open-
collector (fig. 3.6) atunci R are rol de rezistenţă de polarizare.
+Vcc +Vcc
R R
C-da 1 2 T
C-da
D D
51
3.2. CIRCUITE DE COMANDĂ ÎN CURENT
CONTINUU
3.2.1. Circuite de comandă pentru şiruri de LEDuri
52
Fig. 3.8. Caracteristica comparativă curent-tensiune pentru diferite diode.
T 1mA.
Calculul rezistorului R
Tranzistorul T este în R.A.N. Deci:
sir de
LED
LEDuri I
I
= β = sute (3.7)
B ,T
53
Pentru reglarea curentului prin LED, exemplul următor (fig. 3.10)
reprezintă o soluţie simplă:
Fig. 3.10.
O altă soluţie pentru rejecţia variaţiilor sursei este folosirea unui rezistor
de balast (R2). Schema din figura 3.11 asigură o strălucire cvasiconstantă pentru
un şir de LEDuri când curentul de alimentare variază substanţial (aproape
50mA):
+V i R1 ID
Vi 5V 10V
I
1 I1 44mA 88mA
ID 5mA 10mA
R2
n
I
2
54
Oricum, punerea în paralel a LEDurilor pentru a avea aceeaşi strălucire,
la aceeaşi tensiune, este o greşeală, iar efectul este acela că dioda cu căderea de
tensiune directă cea mai mică “monopolizează” curentul, deci are toate şansele
să funcţioneze puţin timp (este la fel ca la diodele Zener).
55
Vcc Vcc 16
15
12 14
R5 Vcc R5 Vcc
13
11
Vmax Vmax
12
10
R4 R4 11
9
Vmin 10
Vmin
R1 R1 9
8
8
7
If If
7
6
UAA180 UAA170 6
R3 R3
5 5
4
R2 4 R2
3
2
2 1
Vin Vin 9
Iesiri
1 8
Gnd 7
Gnd 6
56
3.2.3. Comanda pentru strălucire constantă
În cazul în care tensiunea de alimentare poate fluctua, dar se doreşte o
strălucire constantă a LEDurilor, una dintre cele mai simple posibilitate o
reprezintă folosirea unui generator de curent constant, liniar (fig. 3.14):
T2 33
a b
+V (4 ... 40V) Rb
Ib
10K T1 I
I=0,65V/33=20mA
57
Ri
+
Vi
-
I I
P F
PIN
LED
10%
90% out
Fig. 3.16. Circuit cu buclă de stabilizare. Fluxul principal depinde liniar de tensiunea de intrare.
0.6uF
1.5K
R
C
IN
~220V Verde 4007
I = 20 mA
F
Date de proiectare:
În regim tranzitoriu (cazul cel mai defavorabil) se admite un curent
maxim prin LED: IFmax = 200 mA. Rezistorul R are rolul de limitare a
curentului în acest caz:
58
220V 1
XC ≈ = ⇒ C ≈ 0,6 µF (3.13)
I Fef ϖ ⋅C
R2 Rosu
D2
Fuzibil
R1
Echipament
~220V
D1
Verde
Fig. 3.19.
59
IF
Fig.3.20.
+5V
+5V
LED OFF
I SC = 25 mA
R LED ON
a. b.
Fig. 3.21.
Fig. 3.22.
60
3.4.2 Comanda LEDurilor pentru rază mare de acţiune
Aplicaţiile în care se foloseşte comanda LEDurilor pentru rază mare de
acţiune (“bătaie” maximă) sunt cele care necesită transmisii la distanţă. Astfel
de aplicaţii sunt telecomenzile în IR de la cele TV până la cele folosite în
sistemele de alarmă, închidere sau deschidere de uşi de la distanţă, transmisii de
date între două puncte între care este dificil de instalat fire sau cabluri sau cu
perturbaţii mari pentru undele radio, transmisii în spaţiul liber între sateliţi etc.
Desigur există o serie de limitări ale LEDurilor în aceste tipuri de
aplicaţii, în special acolo unde este necesară transmiterea la distanţă mare cu o
bună directivitate, în aceste aplicaţii fiind preferate laserele. Un impediment
important în transmisiile prin aerul atmosferic este atenuarea mare introdusă de
particulele de apă din ceaţă, ploaie, nori, particulele de fum, praf etc. Pentru
transmisii pe distanţe scurte care nu sunt bruiate de condiţiile atmosferice sau
care se fac în încăperi închise, aplicaţiile care folosesc LEDuri sunt ideale
datorită simplităţii (nu necesită sistem optic suplimentar), gabaritului mic,
costului redus, ratei de transmisie mari (până la 100kHz / 100KBiţi/s). Aceste
avantaje au determinat folosirea lor masivă în aproape toate tipurile de
telecomenzi în IR.
S-au conturat o serie de soluţii sau idei de bază în realizarea acestui gen
de aplicaţii:
- transmisiile se fac în IR şi nu în vizibil, pentru a nu fi bruiate de lumina
ambientală;
- comanda se face în impulsuri de amplitudine mare dar de factor de umplere
mic pentru a obţine o valoare medie a curentului care să se încadreze în
domeniul valorilor nominale admisibile şi astfel încât puterea disipată
medie să nu depăşească puterea disipată maximă admisibilă (fig. 3.23):
61
Fig. 3.24. LED triplu – ΦOUT = 3*ΦLED.
+12V
R 100K
4,7K
IF
CQY 77
BRY 56 TUP
0,22 uF
1 10K
62
Emiţătorul unei telecomenzi în IR
+5 V ... +9 V 100
+ D1
1000 uF 1
LD30C
BC238/40
D2
330
1 I
8 1K D3
SAB
IR BC238B 3xLD271
3210 (IR)
D4
63
Energia consumată la fiecare puls al finalului este luată “local” din
condensatorul rezervor de 1000 µF, acesta permiţând utilizarea unei surse de
alimentare mai puţin puternice, chiar baterie obişnuită. Ideea este cunoscută şi
folosită încă din vremea primelor “blitz”-uri.
În figura 3.27 este prezentată o altă variantă de circuit destinată aceluiaşi
scop:
+9V 47
D1 +
0,82 1000 uF
LD30C
BC238/40
330
D2
C-da
12K
2xLD271
4011 BC238B I (IR)
D3
4,7K
64
Barieră de lumină de 15m
65
66
Driver
34mA
+15V
47
C1 Oscilator Oscilator
1kHz 30kHz
22uF +
47
A 4011
29mA / 240mA
SFH400
IN Siemens
12K 4148 BARIERA
270K
IN IR
1nF
1M 8,2K
B BC875
10k
1,2K
1,5nF
100K
Funcţionare:
BD139 If =ct.
BC107
Fig. 3.31.
Fig. 3.32.
67
68
Driver
8 V ... 14 V
1000uF +
1,6
2xIN4148
4,7uF + Grup de
accelerare 1K BD139
Oscilator
cu cuart
4,194mHz 100pF 450mA
14 4011
LD273
(dioda dubla)
4,194MHz
12p 12p
control
1 Rmas
Circuite de comandă
69
+5 V
T1
Registru T2
de
deplasare
T3
in inel
T4
+5 V
Driver R
70
+5 V
R3
R2
R1
T4
R3
R2
R1
T3 I
F
I
Driver R3 F
80mA
R2
R1
T2
t [ms]
R3
R2
R1
T1
+5 V +5 V
Registru
de
deplasare
in inel
open-collector
71
4. OPTOCUPLORUL
I1 I2
Circuit Circuit
"primar" Infasurare Infasurare "secundar"
(T x) primara secundara (Rx)
Tx Rx
Vi Driver
Detector Vo
fotosensibil
Sursa de lumina
Bariera
optica
72
Principala caracteristică a optocuplorului - separarea galvanică - îl face
deosebit de util în numeroase aplicaţii din diverse domenii:
- în comunicaţii sau transmisii de date, la separarea liniilor de comunicaţii
între emiţător şi receptor;
- în electronica de putere, la separarea părţii de comandă sau semnalizare de
partea de forţă (a circuitelor de joasă tensiune de circuitele de înaltă
tensiune);
- în electronica medicală, unde tensiunile / curenţii mari ar putea fi fatali
pacienţilor;
- în mediile explozive sau inflamabile etc.
73
optocuploarele LED-fotodiodă sunt cele mai rapide având frecvenţe de tăiere
de până la 100MHz.
IF I PD
LED PD
HCPL2502
a. b.
74
Principalul dezavantaj al acestor tipuri de optocuploare faţă de cele
realizate cu LED şi fotodiodă este viteza de lucru mult mai mică (fmax = KHz la
LED-fototranzistor, iar la foto-darlington este şi mai mică. Optocuplorul
MB101 a fost “copiat” şi produs şi în România. El avea o tensiune de
străpungere de 5kV ceea ce a stârnit admiraţia la vremea respectivă.
IF
I
SD
Rds=Rds(If) I
DS
a. b. c.
75
contră, dacă VBE ≅ 0,7 V…0,75 V (tranzistor puternic comandat) şi VAKSchottky =
0,4V tipic, rezultă VCEsat ≅ 0,3 V…0,35 V). Tranzistorul va fi puternic deschis,
fără a fi profund în saturaţie. Această idee a avut-o pentru prima oară Baker, de
aici şi numele “Baker Clamp” (limitatoare Baker) dat diodei cu această funcţie.
Vor rezulta timpi de creştere şi de cădere (tON şi tOFF) mult mai mici, ceea ce va
duce la creşterea vitezei de lucru.
0,4 V
T 0,3 V
0,7 V
+Vcc
1
Filtru 6
IF
R
IRED PD L
5 Out
V+
2 D
Compar. To
V-
Te
4 Gnd
3 Enable (Input)
Ecran
76
Optocuplorul cu poartă logică la ieşire (Optically Coupled Gate)
+Vcc=5V
6N137
+Vcc
6N137 E
IF Rl
Io Vo
+ Out
10nF
Gnd E
a. Schema interna b. Circuit cu 6N137
+Vcc2
R1 IF I PD
+Vcc1 R2
Out
In
7404
7405 6N135
77
4.2.3. Alte tipuri de optocuploare
Optocuploare multiple
Ecran
1 11 +Vcc
D1 PD1
10
2
Q1
3
9
4 D2 PD2
Q2
T X 1,2 RX 1,2
Optocuploare cu apertură
78
nepretenţios, are o abatere de măsurare de până la 0,1 mm. Pentru a mări
precizia lui se poate încorpora un sistem de lentile confocale (fig. 4.14).
79
Fig. 4.16. Optocuplor prin reflexie.
80
Vtest
A
Ci-o
Tx Rx
I cm
Ecm
81
Semnalul de mod diferenţial este semnalul util care se transmite prin
optocuplor:
∂I c
Transferul _ util := . (4.2)
∂e DM
Circuitul de măsură al factorului de rejecţie al modului comun folosit de
fabricanţi pentru optocuploarele analogice este prezentat în figura 4.19:
Ecran
Rs IF
C1
+Vcc
I PD
R1
Rl
Edm VF IC
R2
Ccm
C2
Tx Rx
∂I C
∂e DM e DM
CMRR = ⋅ , (4.3)
∂I C eCM
∂eCM
82
Neutrodinarea (neutralizarea)
Cn
+Vrx
R
Rl
Edm
Ci-o
Masa T x Masa Rx
Ecm
83
Cn1
+ Vcc2, Rx
R
+ Vcc1, Tx Rl1
1 Optocuplor 2
dublu + Vcc3, Rx
R
+ Vcc1, Tx Rl2
1 3 (sau 2)
Cn2
84
IF IC
a.
Fig. 4.22. Caracteristica iC(iF) a unui optocuplor LED-fototranzistor.
200 IF IC 56
+
mA
1K
12V
12V
85
Deficienţa acestui circuit este că, odată cu variaţia lui rCE variază şi VCE.
Pentru a obţine o variaţie a curentului iC care să depindă numai de rCE şi
indirect numai de iF, ideea este să menţinem VCE constant. Pentru aceasta se
foloseşte circuitul din figura 4.24:
IF IC R2
+V (Tx) 0V
V+
R1
VCE -
0V + Vo
0,65V
0,65V Ro V-
1,3 V
0,65V
0,65V
86
4.3.5. Curentul de întuneric
Curentului de întuneric este curentul de colector generat de
fototranzistorul optocuplorului atunci când intrările LEDului sunt lăsate în gol.
Circuitul de măsură este prezentat în figura 4.25:
- + R1
1 6
uA
D 56
în gol Q + 12V
2 5
-
200 IF
1K
12V V Rx
F
87
4.3.7. Tensiunea de saturaţie a fototranzistorului
Circuitul de măsură, la fabricant, este prezentat în figura 4.27:
200 IF IC 40K
1K
12V V
CEsat 5V
4.3.8. Viteza
Viteza optocuploarelor se măsoară indirect prin măsurarea timpilor de
comutaţie, în scheme recomandate de fabricanţi.
Reamintim în continuare definiţiile acestor timpi de comutaţie, aşa cum
reies şi din ilustrarea grafică din figura 4.28:
Unde:
- TON este durarta comutaţiei directe; tON = td + tr ;
- tOFF este durarta comutaţiei inverse; tOFF = ts + tf ;
- td este timpul de întârziere (“delay”); td = t0,1 - t0 ;
88
- tr este timpul de creştere (“rise”); tr = t0,9 - t0,1 ;
- t0 este momentul în care semnalul de intrare Vi începe să crească ;
- t0,1 este momentul în care semnalul de ieşire Vo creşte la 0,1 din valoarea
maximă ;
- t0,9 este momentul în care semnalul de ieşire Vo creşte la 0,9 din valoarea
maximă ;
- ts este timpul de stocare (“storage”); ts = t1 - t0,9 ;
- tf este timpul de cădere (“fall”); tf = t0,9 - t0,1 ;
- t1 este momentul în care semnalul de intrare Vi începe să scadă ;
- t0,9 este momentul în care semnalul de ieşire Vo scade la 0,9 din valoarea
maximă ;
- t0,1 este momentul în care semnalul de ieşire Vo scade la 0,1 din valoarea
maximă.
R1
5V 5V
Vo
R2 Q1 (Osciloscop)
Vi
R4
R3
∂V
SR = O . (4.13)
∂t max
89
4.3.9. Banda de trecere
Optocuplorul este prin excelenţă un amplificator de curent. Curentul de
ieşire este în general amplificat şi convertit în tensiune, pentru a putea fi citit
mai departe (fig.4.30 a şi b). Notăm cu A amplificarea transimpedanţă a
întregului ansamblu Tx-Rx al optocuplorului. Această amplificare se exprimă
prin raportul dintre tensiunea de ieşire din Rx (VO) şi curentul de intrare în Tx
(iF):
V
A = O [V / A] . (4.14)
iF
90
0,5V
I F max = I F + i F max = 2mA + = 3mA , (4.15)
500Ω
0,5V
I F min = I F + i F min = 2mA − = 1mA . (4.16)
500Ω
+5V
GCC
1N4148
330
1,3V
1N4148
0,65V Rc
91
4.4. Procedee de creştere a vitezei de comutaţie
Procedeele de creştere a vitezei de comutaţie a optocuploarelor se
folosesc atât la comanda în impulsuri cât şi cu semnale analogice. Scopul este,
în ambele cazuri, lărgirea benzii de trecere prin scăderea timpilor de comutaţie.
92
4.4.2. Controlul constantei de timp asociate
fototranzistorului
τ = Rload ⋅ C BC (4.19)
Evident, cu cât această constantă de timp este mai mică, cu atât timpii de
comutaţie vor fi mai mici, iar banda (B3dB) va fi mai mare. Cum capacitatea
parazită CBC este o proprietate intrinsecă a optocuplorului, ideea este să
reducem rezistenţa de sarcină a fototranzistorului.
O primă soluţie ar fi utilizarea la receptor a unui convertor curent-
tensiune realizat cu AO în montaj inversor (fig. 4.34):
R Vo=R*Ic
0V
IF
IC V+
C-da
Rl
Zi=0
VCE +
V-
τ = C BC ⋅ Z i → 0 (4.20)
93
La montajul cu sarcina în emitor (fig.4.35.a), impedanţa de ieşire în
emitor, Zi, a etajului cu bază comună este mică:
h KΩ
Zi = 11 = ≈ zeciΩ . (4.21)
β sute
Capacitatea parazită a fototranzistorului cu sarcina în emitor (|A|=1)
este:
Ci ≈ (1+ | A |) ⋅ C BC = (1 + 1) ⋅ C BC = 2 ⋅ C BC < 10 pF . (4.22)
τ = Ci ⋅ Zi << (4.23)
V+ V+
Rc Rl
Vo
Q2 Q2
0,65V
Zi
-0,65V
IF IF
I PT
C-da C-da
Q1 Q1
Vo
Rl
V- V-
a. b.
94
VCE ,Q1 const.
I PT = = = I PT ( I F ) , (4.24)
rCE ,Q1 rCE ,Q1
Cum
VO = Rl ⋅ I PT , (4.25)
va rezulta că:
VO = const ⋅ I PT . (4.26)
Vor rezulta timpi de comutaţie mai mici, pentru că Q1 are drept sarcină
pe RE,Q2, care poate fi de câţiva ohmi. Constanta de timp va fi:
Cacc Grup de
accelerare
IF
R1 R2 D1
Vi Rx
D2 V
F
Fig. 4.36. Accelerarea comutaţiei directe prin folosirea unui grup de accelerare.
95
Condensatorul se încărcă apoi prin vi-R1-Cacc-D1 ; în acest timp curentul
iF scade până la valoarea de menţinere (fig. 4.37):
Vi − VF
I F max = max , (4.29)
R1 + R 2
după care se descarcă prin R2.
Dioda D2 protejează LEDul D1 din optocuplor în cazul în care se aplică
circuitului semnal bipolar cu amplitudine mai mare de 2V.
Prepolarizarea LEDului
96
Schema unui emiţător cu prepolarizare este prezentată în figura 4.39:
+5V (Tx)
Rp
1,8K
Ro i0 IP
C-da
560
IF
LED
97
specificaţia din catalog. Deci degradarea CTR se datorează şi degradării
recepţiei.
De asemenea raportul dintre curentul de suprasarcină şi curentul de vârf:
I F −sup rasarcina
R= (4.32)
I F − var f
joacă un rol determinant în degradarea CTR (fig.4.40). Creşterea lui R duce la
reducerea drastică a timpului de viaţă al optocuplorului. Bineînţeles că esenţială
este valoarea absolută a IF-suprasarcină la care se fac măsurătorile.
I F = 10mA I P = 10uA
98
În cazul optocuploarelor digitale se alocă o margine de siguranţă
suficient de mare astfel încât, cu toată degradarea CTR în timp, comutaţia să
rămână sigură. De exemplu, la optocuplorul 6N137 produs de Hewlett Packard
(fig. 4.42), valoarea de prag pentru curentul de comandă a LEDului este
IF=6,3mA.
IF IP +Vcc
+ IO
6N137 Out
Gnd E
a.
Fig. 4.43.
99
Tx
Rx
Tx Rx
GOL
GOL
a.
100
a.
T1
T2
T1
T2
R
1
q q R BE1 R BE2
R
2
a. b.
Fig. 4.47. Drenarea sarcinii din baza tranzistoarelor pentru reducerea timpilor de comutaţie:
a. la optocuploarele cu fotodiodă şi tranzistor; b. practică consacrată şi la tranzistoarele
Darlington.
T1
T2
R2
R1
101
5. AMPLIFICATOARE IZOLATOARE
I=0
Circuit Circuit
Tx A Rx
Ecm
+
102
Caracteristicile de izolaţie dorite pot fi obţinute cu o mare varietate de
cuploare de semnal: transformatoare pe miezuri de ferită (folosite până în anii
60), fotorezistoare, magnetorezistoare, dispozitive cu efect Hall, cuploare
termice, optocuploare LED-fototranzistor etc. Amplificatoare izolatoare
realizate cu oricare dintre aceste dispozitive au aceleaşi asemănări
fundamentale, de principiu.
∆v O
VO − max
δ= . (5.1)
∆v I
V I − max
103
5.1. Amplificatoare cu câştig reglabil
.
Prezentăm în continuare două exemple de amplificatoare cu câştig
reglabil cu circuitul de comandă separat galvanic prin optocuploare (în practică
acest circuit de comandă este de fapt circuitul de sesizare într-un bloc de
putere). Aceste amplificatoare nu sunt amplificatoare izolatoare propriu-zise
care realizează separarea galvanică între semnalul de intrare şi cel de ieşire,
doar comanda de reglare a câştigului făcându-se pe cale optică.
Amplificarea în tensiune a circuitului din primul exemplu (fig. 5.3) se
deduce astfel:
v R2 R2 R R
A = O = 1+ = 1+ = 1 + 2 ⋅ 1 + 1 . (5.2)
vI R1 || rCE R1 ⋅ rCE R1 rCE
R1 + rCE
+24 V
2 x MB101 I
330 5K F
P
1M
Vo
r CE V+ R2
R1 1M -
+
Vi
510K
V-
104
familii de curbe, comportându-se aproape identic. De exemplu, la creşterea lui
I F , r CE va scădea şi, conform ecuaţiei (5.2), amplificarea A va creşte.
Amplificarea în tensiune a circuitului din al doilea exemplu (fig. 5.4) se
deduce astfel:
R1
Vn = v O ⋅ , (5.3)
R1 + R 2
rDS
Vp = vI ⋅ , (5.4)
R + rDS
V p = Vn , (5.5)
v O R 2 rDS R 1
A= = 1 + ⋅ = 1 + 2 ⋅ . (5.6)
vI R1 R + rDS R1 R
1+
rDS
R1 R2
Vn
V+
IF
-
R Vp + Vo
Vi
D
G
S
33K
V-
105
5.2. Compensarea neliniarităţii caracteristicii de
transfer prin reacţie negativă (RN)
V2 = +5V
V1 = +5V R7
I R5 330
LED I 5K Vo
PD
I
div 2uF
5082-4351 Q3
R1 v
BE2
560 Q2
Vi 2uF
V
B
Q1
1V R4 R6
v
v -v R2 BE1 15K 82
470
R3
D1 100
1N4148 V
E
5V − V D1 5V − 0,65V
I div = = ≈ 4,22mA ; (5.7)
R1 + R 2 1030Ω
V B = R 2 ⋅ I div + V BE1 = 470Ω ⋅ 4,22mA + 0,65V = 2,63V ; (5.8)
106
V E V B − V BE1 2,63V − 0,65V
I LED ≈ I E ,Q1 ≈ = = ≈ 19,85mA ≈ 20mA . (5.9)
R3 R3 100Ω
a i
o
Q3
i
i,a R5 V
Q2 o,a
5K
I
PD
R7
330
i
i,f
R4 R6 V
15K 82 o
V
o,f
107
4. Încărcările :
- conexiunea paralel de la intrare se desfăşoară prin scurtcircuitare (Zo);
- conexiunea serie de la ieşire se desfăşoară prin întrerupere (Zi).
Impedanţa Zi se va reflecta la intrarea căii directe:
i
i,f
Zo = R4 || R6 = 82 R4 R6 Zi = R4 + R6 = 15K
15K 82 V
o,f
v o,a
a= , (5.13)
ii,a
ii, f 1
f = =− . (5.14)
v o, f R4
0 i
o
a
I 15K
PD Zi = oo
R7
330
i = i PD
i,f
R4 R6 V
15K 82 V o
o,f
108
7. Câştigul:
vo v o, f
io = =− . (5.15)
R7 R6
R7
vo = − ⋅ v o, f . (5.16)
R6
R7
− ⋅ v o, f
vo R6 R v o, f R 1 R
A= = ≈− 7 ⋅ = − 7 ⋅ = − 7 ⋅ (− R 4 ) (5.17)
i PD i PD R6 ii , f R6 f R6
vo R ⋅R V V
≈ − 7 4 ≈ 60,4 ≈ 0,06 , (5.18)
i PD R6 mA µA
109
5.2.2. Compensarea neliniarităţii caracteristicii de
transfer prin RN cu dispozitiv pereche
110
Amplificator izolator cu reacţie negativă la emiţător (Tx) prin
dispozitiv pereche
R1 R2
R4 R4
Vi R3 R5
OC
Vp V+
Q1 dublu Q2
I F2
-
IF1
+
Vo
V-
111
a curentului I F2 . Drept urmare, va creşte fluxul luminos prin optocuplorul de
reacţie ceea ce va duce la micşorarea rezistenţei colector-emitor r CE1 a
fototranzistorului Q 1 . În conformitate cu ecuaţia 5.19, va rezulta o scădere a
potenţialului v P al bornei neinversoare a amplificatorului operaţional de la
emiţător, deci reacţia este negativă.
Prin cele două LEDuri ale optocuplorului dublu trec curenţi de aceeaşi
valoare: I F1 = I F2 . Aceasta se datorează faptului că cele două optocuploare
sunt identice şi sunt supuse aceluiaşi regim termic (se găsesc în aceeaşi
capsulă). În plus, LEDurile sunt alimentate în paralel de la acelaşi potenţial prin
rezistoare identice. Cei doi curenţi identici prin cele două LEDuri vor genera
prin fototranzistorii corespunzători curenţi de colector identici care vor fi
independenţi de neliniaritatea şi deriva termică a optocuploarelor luate fiecare
în parte.
Într-adevăr, la valori mici şi medii ale curenţilor I F1 şi I F2 prin cele două
LEDuri, ne situăm pe porţiunea liniară a caracteristicii de transfer în curent a
celor două optocuploare (fig.5.9). La valori mari ale curentului de colector,
când se depăşeşte porţiunea liniară a caracteristicii de transfer a
optocuploarelor, reacţia negativă slăbeşte datorită scăderii câştigului în tensiune
al amplificatorului operaţional de la emiţător (r CE1 scade):
R1 + R 2 1
AV ,TX = ⋅ (5.20)
R2 R3
+1
rCE
O altă variantă de realizare a acestui amplificator izolator este prezentată
în figura 5.11. În acest caz cele două LEDuri din optocuplorul dublu sunt
comandate în serie, varianta cea mai bună pentru a obţine curenţi identici prin
cele două LEDuri. Şi în acest caz reacţia prin amplificatorul operaţional de la
emiţător este negativă (RN) deşi calea de reacţie se închide pe borna lui
neinversoare.
R2
+
Vi R1
- V+
Q2
Q1 -
+ Vo
I
F
V-
112
Amplificator izolator cu reacţie negativă globală (atât la Tx cât şi la
Rx) prin dispozitiv pereche
Vi
3 AO1 4.7 K 4.7K I V2+ = +15V
+ F2
6 IPD1 I
2 LM307 PD2
- D2
4
HP 5082-4354
D1 PD2 - AO2
2
4
PD1 6
I 3
LM307
+
F1
V1- = -15 V
Q1 Q2 Vo
vi
I F1 = + I CC1 , (5.21)
R1
− 5 +5
I F 1 = + 3 ... + 3 mA ≈ 1,93...4,0638mA ≈ 1,9...4,1mA , (5.22)
4,7 4,7
I F 1 ≈ 2...4mA . (5.23)
113
Cu potenţiometrul P 2 , undeva la mijlocul cursei (R 4 + P 2 ≅ 4,7 KΩ), se
poate obţine un câştig unitar, adică se poate face din acest amplificator
separator un repetor. Ajustarea câştigului la o valoare unitară este necesară
pentru că dispersia factorului de transfer între cele două optocuploare
încapsulate împreună merge departe, numai ordinul de mărime fiind acelaşi.
Este posibil ca diferenţialul din optocuplor (CI dublu HP 5082-4354) să
fie uşor dezechilibrat. Pentru aceasta, potenţiometrul P 1 se acţionează pentru a
obţine o tensiune de ieşire v o = 0, atunci când tensiunea de intrare v i = 0. Acest
reglaj este o compensare a diferenţelor dintre cele două optocuploare.
Funcţionarea circuitului:
I CC
I F1 = I F 2 = = 3mA . (5.24)
2
114
La o tensiune de intrare simetrică variind între ± 5 V vor rezulta curenţi
prin LEDuri care variază în domeniul de liniaritate a caracteristicii de transfer a
optocuploarelor:
vi − 5V ... + 5V
∆i F = i F 1 − i F 2 = = ≈ −1mA... + 1mA , (5.25)
2 ⋅ 2,7 KΩ 5,4 KΩ
i F 1 = I F 1 + ∆i F = 2mA...4mA , (5.26)
i F 2 = I F 2 + ∆i F = 2mA...4mA , (5.27)
HP 5082-4354
- I C1 R3 - Of f set Adj.
D1 PD1 220
+ 1
5K
LM307 Q1
+ I -
Vi F1 V o3
3
- -5 V ... +5 V -V2 = -15 V +
LM307 R4
1K
- I C2 I R4
D2 PD2
+ 2
5K I R5 50K Vo
LM307 I Q2
F2
R5 - Gain Adj.
-V2 = -15 V -
R1 R2 4
+
2.7 K 2.7 K
LM307
Icc
6 mA
-V2 = -15 V
v 03 = R3 ⋅ I C1 . (5.28)
115
Prin rezistoarele R 4 şi R 5 vor trece curenţii I R4 şi I R5 :
v R
I R 4 = 03 = 3 I C1 , (5.29)
R4 R4
R3
I R5 = I R 4 − I C 2 = I C1 − I C 2 . (5.30)
R4
v 0 = R5 ⋅ (I C 2 − I C1 ). . (5.32)
116
5.3. Transmisia semnalelor analogice prin
modulare / demodulare
Neliniarităţile amplificatoarele izolatoare analogice prezentate până
acum nu pot fi reduse la valori mai mici de 0,5 %… 1%. Transmisia
semnalelor analogice prin separarea galvanică, se mai poate face folosind
tehnici de modulare / demodulare. Aceste tehnici elimină complet distorsiunile
de neliniaritate introduse de optocuploare.
Neliniaritatea caracteristicii de transfer a optocuploarelor introduce
distorsiuni de amplitudine a semnalelor dar nu şi de frecvenţă. Din acest motiv
se foloseşte fie modulaţia în frecvenţă fie PWM (modulaţia în lăţime a
impulsurilor) pentru a transfera semnalul prin optocuplor fără distorsiuni. Prin
intermediul acestor tehnici prin optocuplor se transmite numai semnalul
purtător, digital, informaţia utilă fiind codificată de frecvenţa sau lăţimea
impulsurilor. Schema bloc a unui astfel de amplificator izolator este prezentată
în figura 5.14:
R1 R2
Vi
-
MOD. DMOD.
+ Vo
Amplif .
de
intrare
Fig. 5.14. Schema bloc a unui amplificator izolator cu transmisie prin modulare / demodulare.
R2
v0 = − ⋅ vi . (5.36)
R1
117
Aşa cum se poate vedea şi din schema de mai sus, tensiunea de intrare
v 0 , după ce este amplificată de amplificatorul de intrare, este modulată, apoi
este transferată prin optocuplor sub formă de informaţie luminoasă şi în final
demodulată.
Principalele distorsiuni introduse de un astfel de amplificator izolator
sunt cele introduse de amplificatorul de intrare combinate cu cele ale
modulatorului şi demodulatorului. Principalul avantaj este că optocuplorul nu
introduce nici o eroare atât timp cât timpii lui de comutaţie sunt mult mai mici
decât perioada semnalului purtător. De regulă, se alege o frecvenţă a purtătoarei
mai mică decât minimul frecvenţelor de tăiere ale optocuplorului,
modulatorului şi demodulatorului.
-V
118
Convertorul frecvenţa-tensiune de la recepţie converteşte semnalul binar
de frecvenţă variabilă într-o tensiune proporţională cu această frecvenţă:
v0 = k2 ⋅ f . (5.38)
v 0 = k 2 ⋅ f = k 2 ⋅ k1 ⋅ v i = k ⋅ v i . (5.39)
V IF
Vi + PWM
Comp
Mono- Driver
- stabil LED +
VREF FT J
Reset - Vo
V
Referinta REF
t
de
tensiune
119
este necesar ca frecvenţa tensiunii de referinţă să fie mai mare decât frecvenţa
semnalului de intrare (f_v REF ≈ 5…10 . f_v i ). Rezultatul comparării va fi
semnalul de intrare al unui monostabil care va genera la ieşire o tensiune
dreptunghiulară v PWM cu impulsuri de amplitudine constantă şi lăţime variabilă
(fig. 5.17). Aceste impulsuri de tensiune sunt convertite apoi în impulsuri de
curent de driverul LEDului din optocuplor. Comparatorul de la recepţie
sesizează impulsurile luminoase recepţionate de fotodioda optocuplorului şi le
transformă în impulsuri de tensiune identice (în lăţime) cu cele ale tensiunii
v PWM . Ultimul bloc al receptorului este un integrator care netezeşte forma de
undă de comutaţie, aşa că la ieşire rezultă o tensiune v 0 de valoare medie
proproţională cu tensiunea de intrare v i .
Fig. 5.17. Ilustrare grafică a principiul metodei PWM (modulaţie în lăţime a impulsurilor).
120
bazei tranzistorului Q 1 la circa 2,2 V prin intermediul divizorului de tensiune
format din potenţiometrul P 1 şi rezistorul R 2 :
0,25V
∆i F = = 2,5mAV −V . (5.41)
100Ω
+5 V IF +5 V
1 8
P1 Rl
20K
7 Vo
2
Q2
Vi 0,1uF
Q1
2N3053
C1 6 C2 0,1uF
1,6 V 0,25 Vp-p
HCPL2530 5
DC AC
R2 R3
560 100
1 2
Fig. 5.18. Schema standard dată de fabricant (HP) pentru ridicarea caracteristicii
amplitudine-frecvenţă - varianta I.
121
Reamintim formula de calcul a constantei de timp a optocuplorului:
τ = R l ⋅ C i -o , (5.43)
unde :
- C i-o este capacitatea de cuplaj dintre intrarea şi ieşirea optocuplorului;
- R l este rezistenţa sarcini.
Banda de trecere (f sus ) va depinde de valoarea rezistenţei de sarcină
(fig. 5.19):
122
Tranzistorul de la ieşire, Q 3 , este în montaj de repetor pe emitor, ceea ce face
ca amplificatorul să fie neinversor.
+12 V
8
IF
+5 V
2
1,2K
5,1K
Q3
0,1uF
C tx 2N3904
2,1K
3 6 Q2
Vi 47uF 100 Q1 2N3904
Vo
6N136
2N3904
100 470
5
C rx
1K Re TRIM 0,1uF
FOR
51 UNITY
GAIN 15K
1N4150 22
Fig. 5.20. Schema standard dată de fabricant (HP) pentru ridicarea caracteristicii
amplitudine-frecvenţă - varianta II.
123
6. TRANSMISII DE SEMNALE
BINARE PRIN OPTOCUPLOARE
6.1. Transmisii binare locale
Există numeroase aplicaţii care necesită transmisia de semnal digital, cu
izolare prin optocuploare, între două echipamente sau două blocuri funcţionale
ale aceluiaşi echipament.
Un prim exemplu ar fi transmisia de semnal binar între două dispozitive
DTE (Data Terminal Equipment) şi DCE (Data Communication Equipment),
de exemplu între un calculator şi un modem sau între două echipamente de tip
DTE (calculator – calculator). În acest caz transmisia este realizată prin
intermediul interfeţei seriale RS232 şi separarea galvanică este obligatorie
datorită diferenţei de potenţial care poate să existe între masele celor două
echipamente.
Altă aplicaţie a transmisiilor binare prin optocuploare este folosirea lor
în separarea galvanică la transmisii de semnale analogice, acolo unde este
necesară o liniaritatea foarte bună. Deşi amplificatoarele izolatoare analogice
sunt ieftine, factorul lor de liniaritate nu coboară sub 0,5% … 1%. În acest caz
se preferă conversia la emiţător a semnalului analogic în semnal binar care este
imun la neliniaritatea optocuplorului, transmisia lui prin optocuplor şi în final
conversia din nou în semnal analogic la receptor. Această metodă a fost
descrisă pe larg în capitolul precedent la transmisia prin modulare / demodulare
a semnalelor analogice prin optocuploare.
Alte aplicaţii sunt cele care necesită conversia semnalului analogic în
semnal digital înainte de a fi prelucrat de un sistem cu microprocesor. Aşa este
cazul plăcilor de achiziţie pentru semnale analogice din calculator.
124
b. În starea ON curentul de polarizare I F-ON al LEDului trebuie să aibă o
valoare stabilă, adecvată. Dacă se foloseşte un condensator de
accelerare, pentru mărirea vitezei, această valoare stabilă se va atinge
după descărcarea condensatorului.
c. Trebuie să existe o valoare de prag I F-P a curentului de polarizare a
LEDului optocuplorului care să facă discriminarea între cele două nivele
(High şi Low). Această valoare trebuie să fie mai mare decât cea a
curentului de prepolarizare dacă se foloseşte aşa ceva.
Dacă se folosesc optocuploare analogice, curentul de ieşire depinde
aproximativ liniar de curentul de intrare cu un factor egal cu CTR. În acest caz
trebuie să se ţină seama de influenţa temperaturii şi a degradării în timp a CTR
asupra valorii curentului de prag I F-P . Pentru acesta se alege o valoare a
curentului I F-ON conformă cu specificaţiile din catalog şi se lasă o margine de
siguranţă pentru compensarea influenţelor mai sus amintite.
Dacă se folosesc optocuploare digitale, curentul de ieşire nu mai depinde
liniar de cel de intrare. Din această cauză valoarea curentului de prag I F-P se
poate situa oriunde între cele două limite specificate pentru curentul de ieşire
minim şi cel maxim. O practică bună este proiectarea emiţătorul astfel încât
valoarea I F-OFF a curentului prin LED să fie uşor mai mare decât minimul
specificat.
+5 V, TX 560 I +5 V, RX
2 F 8
2K2 Rc
3 6
7405 7404
In Out
5
Fig. 6.1.
125
Viteza circuitului este dată de viteza optocuplorului folosit, porţile TTL
asigurând oricum o frecvenţă mai mare de 10 MHz (25 MHz).
Alegând un curent I F mic (de ordinul mA) reducem timpul de stocare,
t s . Va rezulta o micşorare a timpului de comutaţie inversă, t OFF . Pentru o
capacitate colector-bază a fototranzistorului C C-B = 10 pF şi R C cel mult de
ordinul kΩ, va rezulta o constantă de timp a fototranzistorului optocuplorului:
τ = C C − B ⋅ RC ≤ 10ns , (6.1)
5V − 1,3V − (0...0,4V )
I F max = ≈ 6mA . (6.2)
560Ω
+5 V, Vcc-RX
+5 V, Vcc-TX 5082-
4487
R1 R2
180 270
I Rl Rl
F1
+
7405 LM339
In - Out
R3
180
I
F2
5082-4354
126
Funcţionarea circuitului este ilustrată de tabelele următoare. Aşa cum se
poate observa din primul tabel, cele două optocuploare lucrează alternativ şi
circuitul este pe ansamblu neinversor:
In I F1 I F2 Out
0 I L1 I H2 0
1 I H1 I L2 1
In I F1 I F2
Vcc − 2V F Vcc − 2V F Vcc − V F
0 = 5,6mA + = 18,5mA
R1 + R3 R1 + R3 R2
Vcc − V F Vcc − V F V F
1 = 19,4mA − = 4,6mA
R1 R2 R3
127
de jos are ieşirea în starea Low, ambele intrări ale ei fiind jos). Optocuplorul de
jos este comutat (“stins”) şi P 2 = Low (semnalul din P 1 a fost transmis).
Ramura de sus rămâne cu optocuplorul “aprins”.
V2 = +5 V
Rs2
180
V1 = +5 V
II
Rp1 RL1
74LS28
2K2
2K2 Open Col.
19,4 mA
P1
74LS04 74LS04 HP4350
V1 = +5 V
Rs1
180
V2 = +5 V
I
74LS28 RL2 Rp2
2K2 2K2
19,4 mA
P2
Open Col.
HP4350 74LS04 74LS04
128
microprocesor (cum este cazul plăcilor de achiziţie pentru semnale analogice
din PC-uri), pentru afişajele cu LEDuri etc.
Transmisa serială (fig. 6.4) este practică pentru convertoare A/D pe 8,
10 şi 12 biţi pentru că, în loc să se folosească câte un optocuplor pentru fiecare
bit, se folosesc unul sau două optocuploare de mare viteză. Astfel, interfaţa se
reduce substanţial, deci şi costul. Dacă nu dispunem de un convertor cu ieşire
serială, putem folosi unul cu ieşiri paralele pe care le convertim apoi într-o
ieşire serială prin intermediul unui registru de deplasare de tip PISO (Parallel
Input / Serial Output).
+Vcc2
+Vcc1 4364
D1
Date D2
Date
SIPO
Tact
Analog D8
Input Tact
10 nF
Conv.
A/D
Rce
Sf arsitul
End 4350/51 conv ersiei
4350/51
Inceputul
Rcs conv ersiei
Start
129
6.2. Transmisii binare, pe fire metalice, la
distanţă
Este foarte frecvent cazul în care este necesar să transmitem informaţia
digitală între echipamente aflate la distanţe de zeci de metri sau chiar mai mari.
Între punctele de masă ale acestor echipamente pot exista diferenţe de tensiune
semnificative. Firele metalice torsadate, care constituie mediul de transmisie,
mai au în plus o capacitate parazită mai mare de 50 pF/m şi semnalul transmis
prin ele poate fi perturbat prin interferenţa electromagnetică cu alte semnale
din exterior. Aceste neajunsuri duc la apariţia de erori şi limitează banda de
transmisie la zeci de KBd pentru distanţe de zeci de metri şi la 1KBd la distanţe
de ordinul kilometrilor. Soluţiile care s-au consacrat pentru a îmbunătăţi rata de
transmisie şi a elimina erorile sunt folosirea transmisiei pe fire metalice cu
separare prin optocuploare sau folosirea unui sistem de comunicaţie pe fibră
optică.
Alegerea uneia sau alteia dintre variante depinde de performanţele
urmărite şi de costuri. În ceea ce priveşte performanţele, fibrele optice s-au
consacrat deja în transmisiile pe distanţe şi la rate de transmisie mari, iar
costurile instalării lor devine tot mai redus. Soluţia cu fire metalice se mai
foloseşte la aplicaţii nepretenţioase, la care distanţa este de ordinul zecilor sau
sutelor de metri şi acolo unde nu este necesară o capacitate de transfer foarte
ridicată. Acest paragraf va trata câteva probleme specifice transmisiilor pe fire
metalice cu separare prin optocuploare, urmând ca o introducere în
comunicaţiile pe fibră optică să fie făcută în ultimul capitol al acestei cărţi.
Distanţele relativ mari între care dorim o conexiune pe fire metalice face
posibilă culegerea din mediul exterior a diferite efecte parazite prin inducţie
electro-magnetică. Sursele care determină aceste efecte parazite sunt:
- Descărcări electrice accidentale (fulgere), variaţii bruşte ale reţelei
electrice de alimentare;
- Câmpuri electrice şi electro-magnetice intense (apar în medii industriale,
de obicei la motoarele electrice mari, transformatoare mari etc.);
- Alte fire metalice purtătoare de informaţii aflate în imediata apropiere a
firului nostru (diafonie).
O altă problemă specifică transmisiilor binare la distanţă este apariţia de
reflexii ale semnalului în cablu şi de distorsiuni ale acestuia (fig. 6.5). Aceasta
130
se soluţionează folosind formatoare de impuls la receptor (dacă distanţele sunt
de zeci de metri) sau prin inserarea de repetoare din loc în loc pe linie (dacă
avem distanţe mai mari).
6.2.2.
131
Transmisia prin buclă de tensiune
Transmisia unipolară
132
Dezavantajul acestei scheme simple este faptul că o variaţie mare a
curentului în linie se observă ca variaţie a curentului direct prin LEDul
optocuplorului, deci se va propaga dincolo, la receptor. Iar dacă valoarea lui i L
creşte foarte mult este posibil ca valoarea lui i F să determine deteriorarea
LEDului. Pe lângă protecţia prin limitare de curent pe care o asigură rezistorul
R f , LEDul e protejat doar de rezistorul R p , ceea ce este insuficient.
Schema este îmbunătăţită prin folosirea unui tranzistor cu rol de
limitator paralel (fig. 6.9)
Fig. 6.9. Schema circuitului de izolare prin optocuplor cu protecţie prin limitare paralelă.
Funcţionarea
- Normală: La creşterea tensiunii v L curentul i F are o creştere
proporţională; i F =1mA…10mA; v F are 1,3V, valoare dată de v L -v BE =
2V - 0,7V = 1,3V.
- Accidentală: La o creştere de valoare mare a tensiunii de linie v L creşte
proporţional şi curentul i L = i C + i F . Deci şi i C şi i F cresc. Astfel
căderea de tensiune pe R BE este mai mare ceea ce va impune o
deschidere mai amplă a tranzistorului, care va circula o cantitate mai
mare de curent. Ca urmare cea mai mare parte din curentul liniei este
vehiculată de tranzistor şi nu de LED.
Această protecţie este asigurată de schema de mai jos (fig. 6.10), care
foloseşte pentru aceasta un tranzistor compus din două tranzistoare
complementare (Q 1 şi Q 2 ).
Funcţionare:
Dacă linia este în repaus , LEDul este stins. Dacă i L creşte, cresc i Q1 ,i Q2
şi i F . Curentul i Q1 este curentul care intră în baza Q 2 ceea ce duce la
133
deschiderea din ce în ce mai amplă a lui Q 2 . Deci la valori mari ale curentului
acest tranzistor va fi şunt pentru LEDul optocuplorului protejându-l.
Fig. 6.10. Schema pentru protecţia optocuplorului la curenţi mari în cazul transmisiei în tensiune.
134
Pentru valori mai mari ale curenţilor se indică protecţia cu tranzistoare (fig.
6.12).
Fig. 6.13. Schemă clasică de transmisie diferenţială prin buclă de curent cu un optocuplor dublu.
135
Funcţionare:
Dacă valoarea curentului din linie este pozitivă atunci traseul acestuia
va fi: D 3 , Q 1 , R, D 6 , D 1 , linie.
Dacă valoarea curentului este negativă, acesta intră prin D 2 , D 4 , R, Q 2 ,
D 5 şi revine în linie.
136
7. OPTOCUPLOARE ÎN APLICAŢII
INDUSTRIALE
c.c.
Logica de Optocuplor protejat Sursa de semnal
comanda la perturbatii tranzitorii (motor, senzor, releu)
c.a.
Intrare Iesire
Semnal
logic Comutator logic +
Circuite logice
Optocuplor Circuit de supraveghere Sarcina
de comanda a semnalelor tranzitorii
Intrare Iesire
137
Protecţiile optocuploarelor seamănă cu cele din circuitele de putere:
limitatoare de tensiune, “snubber”-e RC, varistoare, Zenere de mare putere
(transzorb diodes), reţele de conectare la trecerile prin zero ale tensiunii, reţele
de deconectare la trecerile prin zero ale curentului etc.
Semnalul propriu-zis poate fi semnal logic cu niveluri standard
(“condiţionat”) sau “necondiţionat”, aşa cum este cules de la senzori, şi
exprimând diverşi parametri: presiune, temperatură etc. Semnalele de stare de
la proces pot fi contacte de releu sau de la comutatoare flotante, comutatoare de
proximitate, limitatoare de cursă etc.
Aplicaţiile de separare prin optocuploare pot fi clasificate în:
- sesizarea tensiunilor alternative;
- sesizarea tensiunilor continue;
- sesizarea curentului;
- detecţia de prag.
I I
I F
+ Vcc
Retea Rp
c.a. I I - IF
Mono Out
Stabil
C
Filtraj (T>5*20ms=100ms)
138
Sesizarea prezenţei c.a. prin redresare dublă alternanţă (fig. 7.4) este mai
rapidă cu 10 ms decât la monoalternanţă:
I R
mas I
F
+ Vcc
Retea
c.a. - +
~
C Out
Filtrare si separare
Trigger
de tranzitorii
Schmitt
Fig. 7.4. Circuit de sesizare a tensiunii de reţea prin redresare dublă alternanţă.
139
Bimetal cu rol de protectie la supracurenti
Sarcina
R
F
IF
+ Vcc
Il =IF Out
R
F IF
+ Vcc
R
S
Out
Sarcina
Il
140
Rezistorul de sesizare R S are şi rol de şunt (asemenea şuntului dintr-un
instrument de măsură a curentului). Valoarea ei se calibrează pe considerentul
I lmax .R S = V Fmax ≈ 1,75 V.
Avantajul major al optocuplorului ca element de sesizare (ca traductor)
este acela că permite circuitului de intrare să floteze la orice potenţial mai mic
decât cel de străpungere V str .
Adăugând dioda D la circuitul de mai sus, obţinem un circuit de sesizare
a curentului alternativ, cu detecţie monoalternanţă (fig. 7.7):
R
F
+ Vcc
R D
S
Retea Out
c.a.
Sarcina C
Il
141
Filtrare
R R
+
Rx
C
-
Retea M
142
Suprasarcinile nerepetitive / accidentale (fig. 7.10) se datorează
întreruperilor alimentării la o sarcină inductivă în condiţiile în care i L ≠ 0 la
întreruperea circuitului.
143
7.4.2. Tehnici de atenuare a supratensiunilor
R1 I R
F
F
Retea
c.a. R2 PROT.
sau
c.c. R3
R1 R
F
Retea
c.a.
C PROT.
sau
c.c. R2
144
În circuitul din figura 7.14, C 1 şi C 3 au înlocuit rezistoarele R 1 şi R 2
care, fiind la reţea (220V), disipau mult. Acesta este circuitul cu putere disipată
minimă. Dacă condensatoarele clachează devenind scurt-circuit, optocuplorul
este în pericol. Dacă vârful care le străpunge are amplitudinea suficient de mare
(de ordinul kilovolţilor) el poate trece şi de optocuplor distrugând circuitele
logice de la receptor. Filtrarea vârfurilor este mai slabă ca la circuitul
precedent.
C1
R
F
Retea
C2 PROT.
c.a. C3
R
F
D1
Retea
c.a.
sau V v f PROT.
c.c. D2
Fig. 7.15. Circuit de protecţie realizat diode transzorbs – diode absorbante ale perturbaţiilor.
145
8. FOTODIODA
8.1. Principiul de funcţionare
La iluminarea unei joncţiuni p-n dintr-un material semiconductor,
fotonii absorbiţi în material generează perechi de purtători electron-gol.
Electronii astfel rezultaţi vor putea trece în banda de conducţie contribuind la
apariţia unui curent electric (fotocurent) prin joncţiune.
Deplasarea electronilor spre regiunea n şi a golurilor spre regiunea p este
cel mai probabil să se producă atunci când separarea în perechi electron-gol are
loc într-o regiune a semiconductorului în care există un câmp electric (fig. 8.1).
Altă alternativă la separarea în perechi electron-gol este recombinarea, aceasta
neducând la deplasarea sarcinilor electrice şi deci nici la apariţia unui curent
electric prin joncţiune.
Distribuţia câmpului electric într-o diodă semiconductoare polarizată
invers (fig. 8.1.a) nu este uniformă. În regiunile p+ (strat de contact, puternic
dopat cu purtători de tip p) şi n+ (substrat puternic dopat n) câmpul electric este
mult mai slab decât în stratul de mijloc n - (strat epitaxial slab dopat n). În acest
strat intermediar va lua naştere o regiune golită de purtători datorată apariţiei
fotocurentului. Grosimea acestei regiuni depinde de rezistivitatea stratului
intermediar şi de mărimea tensiunii de polarizare aplicată joncţiunii.
O regiune golită de purtători există chiar şi în absenţa unei tensiuni de
polarizare aplicate. Aceasta se datorează câmpului electric intern produs de
difuzia purtătorilor minoritari de-a lungul joncţiunii. Polarizarea inversă
amplifică acest câmp electric intern şi măreşte grosimea acestei regiuni.
Lungimea de difuzie a unui foton în materialul semiconductor este
dependentă de lungimea lui de undă (fig. 8.1.b). Fotonii cu lungimi de undă
mici sunt absorbiţi la suprafaţa materialului semiconductor, în timp ce fotonii
cu lungimi de undă mari pot difuza pe întreaga lungime a materialului
semiconductor. Din acest motiv, pentru a obţine o fotodiodă cu o bandă
spectrală de răspuns largă, aceasta ar trebui realizată cu un strat p+ foarte
subţire pentru a permite absorbţia lungimilor de undă scurte şi un strat golit de
purtători gros pentru a permite absorbţia lungimilor de undă mari.
Extinderea grosimii regiunii golite de purtători, indiferent de valoarea
tensiunii de polarizare inverse aplicate, este mai uşor de realizat cu materiale
semiconductoare cu o rezistivitate mare a joncţiunii. Suprafeţele de contact ale
cristalului semiconductor trebuie însă să aibă o rezistivitate mică pentru a
permite un bun contact electric al dispozitivului. Diodele p-n, ca de exemplu
celulele solare, sunt realizate prin difuzia unui strat p într-un material n cu
rezistivitate mică. La fotodiodele p-n, un strat subţire p, realizat prin difuzie,
146
asigură un răspuns bun la lungimi de undă scurte, dar este necesară o tensiune
de polarizare inversă mare pentru a extinde regiunea golită de purtători la
adâncimi care să permită un răspuns bun la lungimi de undă mari. Un strat p
gros degradează răspunsul la lungimi de undă mici, dar micşorează tensiunea
de polarizare inversă necesară unui răspuns la lungimi de undă mari.
147
negative de ordinul volţilor ( minim 5 V la diodele PIN realizate de HP)
întreaga regiunea golită de purtători se extinde peste întregul strat I chiar şi la
valori mari ale fluxului luminos incident. Aceasta asigură cea mai bună
liniaritate şi cea mai bună viteză (cca. 1GHz) dispozitivului.
148
Eficienţa cuantică
IP
I TOT ID
+
+ +
VD RL
E VL
149
obţine dacă sarcina este mai mare de 1011 Ω. Operarea în modul liniar se obţine
dacă rezistenţa de sarcină este mult mai mică decât rezistenţa dinamică a
fotodiodei. Valoarea limită superioară pentru operarea în mod liniar este V L ≈
100mV (fig. 8.3) şi depinde de precizia liniarităţii necesară în aplicaţie. Prin
mărirea valorii rezistenţei de sarcină, se poate mări sensibilitatea fotodiodei
pentru a detecta semnale de nivel foarte mic, dar se micşorează mult limitele
domeniului dinamic în care răspunsul este liniar. Valoarea maximă a
rezistenţei de sarcină R L este cuprinsă între 25MΩ la fotodiodele cu arie mare
şi 550 MΩ la dispozitivele cu arie mică.
Fig. 8.4. Familie de caracteristici curent-tensiune ale fotodiodei PIN la diferite nivele ale iluminării.
150
8.4. Configuraţii de bază ale amplificatoarelor
cu fotodiode
Pentru operarea în mod liniar rezistenţa de sarcină a fotodiodei trebuie
să fie cât mai mică posibil. În figura 8.5 este prezentată o configuraţie de
amplificator care permite operarea fotodiodei în acest mod.
Intrarea inversoare a operaţionalului este masă virtuală; rezistenţa
dinamică văzută de fotodiodă este R 1 împărţit la amplificarea căii de reacţie.
Dacă operaţionalul are o impedanţă de intrare foarte ridicată, amplificarea de pe
calea de reacţie a amplificatorului este aproximativ egală cu amplificarea lui de
pe calea directă (în buclă deschisă).
R1
ID
-
+ Vout
R2=R1
Ec
+
151
Modul de operare logaritmic necesită o rezistenţă de sarcină foarte mare
(minim 1GΩ). Aceasta se poate obţine cu montajul din figura 8.6 cu un
operaţional realizat cu FET-uri la intrare.
+
I Vout
P -
R2
R1
R k ⋅T I
VOUT = 1 + 2 ⋅ ⋅ ln1 + P , (8.5)
R1 q IS
unde:
- kT/q ≈ 25mV;
- I S este curentul de saturaţie invers:
I
I S = q⋅VF , (8.6)
e K ⋅T − 1
unde: 0 < I F < 0,1 mA
152
8.5. Aplicaţii cu fotodiode PIN
Amplificator liniar pentru măsurarea densităţii (densimetru)
R1
+ Vref
Α1
-
IF CA3130 R2
I 1
P2
D1 Φ2 D2
Φ1
Divizor de
I P3 R3
fascicol
Φ3
R5
D3
CA3130
Proba -
+ Α2 Vo
R4
2
153
creşterea curentului I F prin D 1 . Fluxul Φ 3 fiind menţinut stabil, el va fi
proporţional cu transmisivitatea optică a oricărui material inserat între divizorul
de fascicol şi D 3 . Se obţine astfel un dispozitiv de măsură a transmisivităţii
stabil. Dacă în schimb se interpune proba de măsurat între divizorul de fascicol
şi D 2 , I P3 va creşte proporţional cu atenuarea. Deoarece A 2 este un amplificator
logaritmic (fig. 8.6) tensiunea de ieşire V OUT va depinde logaritmic de
atenuarea lui Φ 2 , circuitul funcţionând ca densimetru optic.
Sesizor de prezenţă
I P2 + I P2
⋅ AV 1 = 1,80 ⋅10 5 [105,12dB ]
R1
A1 = ⋅ (8.7)
IF ∆V F
R6 +
∆I F
154
diferenţial permite sesizarea diferenţială cu un câştig mai mare cu 6dB decât s-
ar fi obţinut prin stabilizarea fluxului Φ 2 şi sesizarea schimbărilor fluxului Φ 3 .
R1
+ Vref Bus de alarma
Α1 SAU cablat
-
CA3130
R2
IF
I
P2
Obstacol
D1 D2
2N3904
Φ1 Φ2 +
Α2 Q1
-
I P3 CA3130
R3
Divizor de
fascicol 50%
Φ3 D3
R4
R5
R5
Q2
2N3904
155
9. LASERE
Laserele au cunoscut şi cunosc în continuare o dezvoltare şi o răspândire
deosebit de mare începând de la aplicaţii devenite deja “banale” cum ar fi
“laser-pointer-ul” sau deja arhicunoscutul şi răspânditul CD-player sau CD-
ROM şi până la domenii tehnologice de vârf, cum ar fi comunicaţiile pe fibră
optică la mare viteză şi mare distanţă, industria militară, aparatura medicală,
holografie etc. Acest capitol este o introducere şi o scurtă trecere în revistă a
unui domeniu foarte vast căruia îi sunt consacrate sute de cărţi în literatura de
specialitate. Vom prezenta în continuare câteva noţiuni cu privire la
mecanismul fizic care stă la baza producerii radiaţiei laser, componentele
principale ale unui laser, proprietăţile radiaţiei emise etc. Vom încheia prin a
prezenta câteva tipuri de lasere printre care şi cel folosit în comunicaţiile pe
fibră optică (şi nu numai): dioda laser semiconductoare.
156
Dacă E 1 şi E 2 (E 1 < E 2 ) sunt două nivele energetice discrete,
consecutive, ocupate de electroni, raportul dintre numerele de electroni de pe
cele două straturi este dat de următoarea formulă:
E2 − E1
N2 −
K ⋅T
=e <1 (9.1)
N1
unde:
K – constanta lui Boltzman;
T – temperatura absolută (°K);
N 1 – numărul de electroni de pe nivelul energetic inferior;
N 2 – numărul de electroni de pe nivelul energetic superior;
157
Primul dispozitiv care a funcţionat după acest model a fost realizat de
Charles H. Townes de la Columbia University în 1954. El emitea radiaţii în
domeniul de frecvenţă al microundelor şi a fost denumit MASER.
Timpul de viaţă al electronilor pe un nivel energetic excitat este foarte
scurt (t v ≈ ns) şi din această cauză inversiunea de populaţie este greu de
menţinut şi necesită un consum de energie din exterior foarte mare. Materialele
(mediile active) adecvate pentru producerea de radiaţie laser sunt cele ale căror
atomi au şi alte nivele energetice decât cele obişnuite: aşa zisele nivele
energetice metastabile ale căror timpi de viaţă sunt cu mult mai mari (t v ≈ µs ÷
ms). Cu astfel de medii active sunt realizate lasere cu trei, patru sau mai multe
nivele.
Primul laser cu trei nivele a fost laserul cu rubin construit de Theodore
H. Mainman, de la Hughes Aircraft, California, în 1960. Cristalul de rubin
(mediul activ al laserului) este realizat dintr-un material gazdă transparent (oxid
de aluminiu - Al 2 O 3 ), dopat cu ioni de Crom (Cr+3) care îi conferă culoarea
roşie cunoscută. Dar principalul rol al dopantului este de a produce radiaţia
laser (de a emite lumină). Mecanismul de excitare şi de producere a radiaţiei
luminoase într-un laser cu trei nivele, cum este cel cu rubin, este ilustrat în
figura 9.3:
Fig. 9.3. Ilustrare schematică a mecanismului de producere a radiaţiei luminoase la laserele cu trei
nivele.
158
De aici electronii “cad” pe un nivel energetic inferior care este chiar
“nivelul metastabil” (“nivelul superior de laserare” – NSL). Această tranziţie
este neradiativă şi are loc cu disipare de căldură care este preluată de atomii
materialului gazdă. Timpul de viaţă pe nivelul metastabil (t 2 ≈ 103 . t 1 ≈ µs) este
mult mai mare decât pe nivelul excitat şi dacă mecanismul de excitare este
menţinut, se ajunge la o inversiune de populaţie (numărul de electroni de pe
nivelul metastabil este mult mai mare decât cel de pe nivelul de bază).
Mai departe, electronii de pe nivelul metastabil trec pe nivelul de bază
printr-o tranziţie radiativă, rezultând câte un foton de energie: h . ν = ∆E 2 . Se
observă că energia necesară excitării unui electron de pe nivelul de bază pe cel
excitat este mai mare decât energia fotonului rezultat în urma tranziţiei
radiative (∆E 1 > ∆E 2 ). Tranziţia radiativă nu are loc spontan ci stimulat (fig.
9.4). Un electron de pe nivelul superior de laserare va trece pe cel inferior
numai dacă este stimulat (ciocnit) de un alt foton având energia: h . ν = ∆E 2 . În
urma ciocnirii fotonul incident îşi va menţine energia (frecvenţa) iar electronul
ciocnit va trece pe nivelul inferior emiţând la rândul lui un foton cu energia :
h . ν = ∆E 2 . Vor rezulta, aşadar, doi fotoni având aceeaşi fază şi lungime de
undă / frecvenţă. Acest fenomen este multiplicativ şi se produce în avalanşă în
întreg mediul activ. Rezultatul va fi o radiaţie luminoasă coerentă, caracteristica
cea mai importantă a radiaţiei laser.
Laserul cu trei nivele, prin însăşi principiul său de funcţionare are o serie
de dezavantaje. Primul se referă la energia de excitare / pompaj mare necesară
menţinerii inversiunii de populaţie, deoarece majoritatea electronilor din atomii
mediului activ se află pe nivelul de bază. Al doilea se referă la modul de
operare al laserului: întrucât timpul de viaţă pe nivelul metastabil este mult mai
mic decât pe cel de bază, la un moment dat nivelul metastabil se va depopula de
electroni. Atunci va fi necesară repopularea nivelului metastabil, fapt ce face
posibilă operarea acestui laser numai în regim de impulsuri.
159
Aceste neajunsuri sunt eliminate la laserele cu patru nivele. La aceste
lasere în atomii mediului activ se mai introduce un nivel energetic mai ridicat
decât cel de bază care va deveni nivelul inferior de laserare (NIL) (fig. 9.5):
Fig. 9.5. Ilustrare schematică a mecanismului de producere a radiaţiei luminoase la laserele cu patru
nivele.
160
nivelul superior de laserare) sunt de fapt nişte spectre energetice. Aceasta face
ca în practică radiaţia laser emisă să nu mai fie strict monocromatică ci într-un
spectru de lungimi de undă. Oricum, chiar şi aşa, spectrul radiaţiei emise este
foarte îngust datorită discriminării realizate de cavitatea rezonantă a laserului
(despre care vom vorbi mai târziu) şi opticii adiţionale care se poate adăuga. În
general acest spectru are o lăţime de ordinul nanometrilor, ceea ce face ca
laserele să fie mult mai avantajoase decât LEDurile în aplicaţiile în care avem
nevoie de radiaţie mono- sau cvasi-monocromatică, cum ar fi comunicaţiile pe
fibră optică.
Distribuţia nivelelor energetice ale atomului în spectre energetice
discrete are şi un avantaj în cazul în care excitarea atomilor se face prin pompaj
optic: în acest caz lungimea de undă a radiaţiei de pompaj nu mai trebuie aleasă
strict (h . ν pompă = ∆E 1 ) ci se poate încadra într-un domeniu: ∆λ pompă .
Mediul activ
Pompa de energie
161
∆λ pompaj mare, randament mare şi poate fi folosită în mod continuu sau în
impulsuri, lampa cu arc electric, diodele laser cu injecţie care au un ∆λ pompaj
mic etc. În fiecare caz ∆λ pompaj trebuie să se suprapună peste banda de absorbţie
a materialului dopant (E nivel excitat – E nivel de bază ).
Pompajul electric se foloseşte la diodele laser semiconductoare, la care
curentul injectat contribuie la menţinerea inversiunii de populaţie prin
generarea de perechi electroni-goluri care la recombinare emit lumină.
Pompajul electric se foloseşte şi la laserele cu gaz, la care câmpul electric
intens aplicat mediului activ (care este gazul) generează inversiunea de
populaţie. La aceste lasere energia câmpului electric poate fi captată direct de
moleculele gazului care reprezintă mediul activ sau indirect, cum este şi cazul
laserului cu He şi Ne în care mediul activ este Ne dar el preia energia captată de
moleculele de He.
Cavitatea rezonantă
A = (1 + G ) L (9.2)
unde:
- L este distanţa parcursă de foton;
- G este câştigul mediului activ (numărul de emisii stimulate generate pe
unitatea de lungime de către un foton).
162
cu câştig mic se alege o valoare mică pentru x, pentru ca o cantitate cât mai
mare din fluxul luminos generat să fie reîntors în mediul activ pentru a menţine
laserarea.
Această relaţie ne arată ca fotonii care satisfac această relaţie vor suferi
o interferenţă constructivă (pentru că sunt coerenţi – în fază) şi fluxul luminos
pe care îl compun va fi amplificat. Fotonii care nu satisfac această condiţie vor
suferi o interferenţă distructivă şi fluxul luminos generat de ei va fi atenuat.
Deci, din întreg spectrul de lungimi de undă emis de mediul activ, vor fi
amplificate şi vor contribui la realizarea radiaţiei laser doar acele lungimi de
undă (moduri longitudinale) care satisfac condiţia de rezonanţă.
Există mai multe tipuri de cavităţi rezonante. La cea cu oglinzi plan
paralele (fig. 9.6) trebuiesc evitate erorile de aliniere ale oglinzilor. Aceasta
este forma cavităţii la diodele laser semiconductoare, cele două oglinzi
realizându-se prin clivarea materialului semiconductor. La rezonatoarele cu
oglinzi confocale, concentrice, hemisferice sau hemifocale aceste erori de
nealiniere nu mai sunt atât de importante.
9.3.
163
Lasere cu corp solid
Prezentăm în continuare câteva noţiuni despre principiul de funcţionare
al laserelor cu corp solid întrucât din această categorie fac parte şi
amplificatoarele optice cu fibră optică dopată, folosite în comunicaţiile optice.
La laserele cu corp solid mediul activ este un material gazdă, solid,
dopat cu atomi care au proprietăţi electroluminiscente. De obicei materialul
gazdă este un cristal sau o sticlă, care sunt materiale izolatoare din punct de
vedere electric. Din această cauză pompajul de energie pentru menţinerea
inversiunii de populaţie se poate face numai optic.
De aici rezultă şi principalele proprietăţi pe care trebuie să le
îndeplinească materialul gazdă:
- trebuie să fie transparent la lungimea de undă a pompei şi a radiaţie laser
produse;
- trebuie să fie bun disipativ de căldură (să aibă o conductibilitate termică cât
mai mare), deoarece la creşterea temperaturii în mediul activ scade câştigul
G al mediului activ, creşte indicele lui de refracţie şi scade randamentul
laserului. Materialele cristaline îndeplinesc această condiţie; sticla mai
puţin, dar este mai uşor de fabricat şi mai ieftină.
Dopanţii sunt atomi (ioni) care pot emite lumină (permit realizarea
inversiunii de populaţie). Procentul lor în compoziţia mediului activ depinde de
tipul laserului şi în general este de sub 1%. Ionii folosiţi ca dopanţii sunt cei de:
Cr+3 (Crom), Nd+3 (Neodiniu), Er+3 (Erbiu), Ho+3 (Holmiu)etc.
Procedeul de realizare a mediului activ (material gazdă + dopant) este un
proces complex şi se realizează prin creşterea cristalului. Este greu să se
realizeze medii active de dimensiuni mari. Mediile active din sticle sunt mai
uşor de obţinut dar au proprietăţi mai slabe.
Prezentăm în figura 9.7 schema bloc a unui laser corp solid. Cavitatea
rezonantă este formată de oglinzile O 1 şi O 2 . Mediul activ are forma unei bare
şi este aşezat împreună cu lampa de pompaj într-o cavitate reflectorizantă cu
scopul de a mări eficienţa pompajului optic. Secţiunea transversală a acestei
cavităţi poate fi circulară, eliptică (bara cu mediul activ şi lampa sunt aşezate în
focarele elipsei) sau eliptică dublă (două elipse intersectate având un focar
comun, cu două lămpi de pompaj aşezate în focarele elipselor şi cu mediul activ
aşezat în focarul comun).
Lampa de pompaj poate fi o lampă fulger (blitz) realizată dintr-un tub cu
gaz (Xenon) în care se produc descărcări electrice dacă este supus unui câmp
electric intens. Această lampă are putere mare, randament mare, ∆λ pompaj mare
şi se foloseşte la laserele care lucrează în impulsuri. Lampa cu arc se pretează la
laserele care funcţionează în undă continuă. Diodele (ariile de diode) laser
164
semiconductoare au randament mare şi ∆λ pompaj mic şi sunt folosite la pompajul
laserelor cu NdYAG (∆λ pompaj ≈ 750…900 nm).
Laserul cu Rubin
Mediul activ al acestui laser este Rubinul care poate fi găsit în stare
naturală sau produs pe cale sintetică. Rubinul este compus din Al 2 O 3
(materialul gazdă - transparent) dopat cu ioni de Cr+3 (atomii care emit radiaţia
laser) în proporţie de 0,01…0,5 %.
Este un laser cu trei nivele care are două nivele (benzi) energetice
excitate (fig. 9.8), pompajul putându-se face cu o lampă (blitz) cu Xenon.
Benzile de absorbţie ale ionilor de Cr+3 sunt la 550 nm şi 400 nm. Timpul de
viaţă pe nivelele excitate este mic (100ns). De aici electronii cad pe nivelul
metastabil (cu timp de viaţă de 3ms) printr-o tranziţie neradiativă. Tranziţia
laser cu emisie de fotoni are loc la trecerea electronilor de pe nivelul metastabil
pe nivelul de bază. Radiaţia laser emisă este de culoare roşie (694,3 nm).
Laserul cu Rubin are un randament slab (0,1…1 %); poate funcţiona în
impulsuri la frecvenţe de ordinul herzilor şi se foloseşte la măsurători
holografice.
165
Fig. 9.8. Ilustrare schematică a mecanismului de laserare în laserul cu Rubin.
Laserul cu Neodiniu
166
Tranziţia laser principală are loc cu emisie de radiaţie în infraroşu (1060
nm). Laserele cu NdYAG sau cu Nd dopat în sticlă pe bază de fluor mai au o
tranziţie secundară (20% din fluxul radiat) la 1318 nm.
NdYAG este un mediu activ greu de crescut, de aceea se folosesc bare
de dimensiuni mici: 6…9 mm în diametru şi până la 10 cm în lungime. Laserele
realizate cu el pot lucra în impulsuri (de 1ms) sau continuu, au o putere de
ieşire de până la 1000W şi un randament de 0,1…1 %. Se folosesc în aplicaţii
de laborator, militare, medicale etc.
Laserul cu Erbiu
9.4.
167
Dioda laser semiconductoare
168
Compuşii pot fi: binari (GaAs), ternari (Ga 1-x Al x As), quaternari (In 1-x Ga x As 1-
yP ysau In 1-x-y Ga x Al y P).
Emisia de lumină are loc în joncţiunea dintre un strat dopat n şi unul p.
Joncţiunea se poate realiza fie prin difuzie de dopanţi (de tip p respectiv n) într-
un substrat slab dopat (de tip n respectiv p) (fig. 9.12.a) sau prin depozitare
suplimentară de straturi subţiri (creştere epitaxială).
E G = h ⋅ν , (9.5)
sau:
1240
λ= [nm] . (9.6)
EG
169
populaţie în joncţiune (N C > N V ) şi electronii din banda de conducţie sunt
stimulaţi să cadă în banda de valenţă de către alţi fotoni. Are loc, astfel, emisia
stimulată şi fotonii rezultaţi sunt coerenţi.
170
Eficienţa cuantică internă, respectiv externă a joncţiunii se definesc
astfel:
nr. _ fotoni _ generati
η int. = , (9.7)
nr. _ purtatori _ care _ trec _ prin _ jonctiune
171
Fig. 9.16. Diodă laser cu structură simplă hetero-joncţiune.
172
Fig. 9.18. Arie de diode laser.
Fig. 9.19. Forma şi dimensiunile cavităţii rezonante şi a spotului emis de dioda laser.
173
Materiale din care este realizat mediul activ (joncţiunea) pot fi:
- GaAlAs sau Ga As care emit în roşu şi infraroşu apropiat (750nm…900nm),
au cost relativ redus şi sunt folosite la transmisiile pe fibre optice la distanţe
scurte, la pompajul unor lasere cu corp solid (leserul cu Nd) sau la
cititoarele de discuri optice;
- In 1-x Ga x As 1-y P y sau InP care emit în infraroşu (1100nm…1650nm), au cost
mai ridicat şi sunt folosite în comunicaţiile pe fibre optice (1310nm este
lungimea de undă corespunzătoare dispersiei minime iar 1550nm este
lungimea de undă corespunzătoare atenuării minime).
Spectrul radiaţiei emise este foarte îngust, de ordinul nanometrilor.
Distanţa de coerenţă a diodei laser este mică (este invers proporţională
cu numărul de moduri longitudinale - N). Din această cauză nu se pot folosi în
holografie sau interferometrie.
Numărul de moduri longitudinale (N) este dat de ecuaţia:
2⋅ L⋅n = N ⋅λ (9.9)
unde n este indicele de refracţie al mediului activ.
Numărul de moduri transversale (TEM xy ) este invers proporţional cu
grosimea (d) a mediului activ.
Pentru curenţi de comandă mai mari decât curentul de prag (I > I P )
modularea fluxului emis se face direct prin curentul de comandă:
Φ = k⋅I . (9.10)
Acesta este un avantaj din punctul de vedere al simplităţii schemei de
comandă dar şi un dezavantaj dacă ţinem seama de faptul că indicele de
refracţie al mediului activ variază proporţional cu densitatea de curent care o
străbate (j = I / S). De aici va rezulta o lungime de undă a radiaţiei emise
variabilă:
2nL
λ ( n) = . (9.11)
N
Circuitul din figura 9.20 este driverul unei arii de diode laser de putere,
SFH48E1 montată într-o capsulă TO-3, prevăzută cu radiator pe ambază.
Capsula mai conţine o fotodiodă pentru reglarea unei puteri de ieşire constante,
un termistor cu coeficient negativ de temperatură, traductor necesar stabilizării
temperaturii chip-ului şi un element Peltier cu rol de răcire, prevăzut cu
radiator.
Driverul menţine aria de diode laser într-un punct de funcţionare stabil şi
o protejează la polarizarea inversă, supracurent şi supratensiune. Este proiectat
pentru laserare în undă continuă. Curenţii de alimentare / reglare a temperaturii
pot atinge 2,5 A la ieşirile amplificatorului dublu TCA 2465.
174
Oprire de
Vcc urgenta
1N5401
10K 15K
4,7K 0,18
6,7V
BZX85
+ C3V6
2,2K Vcc
-
1 Element
Peltier
Vcc V Temperatura
4,7K
Fin
Vcc
220nF
t
R ~1/ T Termistor
220uF
T CA2465
1,2K SFH 48E1
220nF
Brut
functionare DL
220nF
Ajustare punct de
Monitor
Ajustare temperatura
1
Putere DL
Vcc + Laser 2,2
BZX55
-
A
1K 8,2K 1N4004
C2V4 BZX85
0,47uF 1K C3V0
BSS
BC237
100
1M 33
175
10. COMUNICAŢII PE FIBRĂ OPTICĂ
176
Transmisia luminii prin spaţiul atmosferic s-a dovedit a fi nepractică
datorită faptului că vaporii de apă, oxigenul, şi alte particule existente în aer
atenuează şi absorb radiaţia luminoasă. Din această cauză singura modalitate
practică este folosirea ghidurilor optice. În 1930 J.L.Bird şi C.W.Hansel au
reuşit fiecare să transmită imagini TV printr-un cablu cu fibre optice fără
înveliş. Câţiva ani mai târziu, H. Lamm a reuşit să transmită imagini printr-o
singură fibră din sticlă, însă la acea dată aceste încercări au rămas doar la
stadiul de experimente de laborator.
În 1951, A.C.S. van Heel, H.H. Hopkins şi N.S.Kapany au experimentat
transmisia luminii printr-un mănunchi de fibre. Studiile lor au dus la realizarea
endoscopului folosit în medicină. Termenul de fibră optică a fost folosit pentru
prima dată de Kapany în 1956.
Inventarea laserului (putere de ieşire relativ mare, frecvenţă de modulare
/ bandă mare – ideal pentru sistemele de comunicaţie optică) în anii 60, a dus la
accelerarea eforturilor de cercetare în domeniul comunicaţiilor pe fibră optică.
În 1967, K.C. Kao şi G.A.Bockham de la Standard Telecommunications
Laboratory din Anglia au propus un nou mediu de comunicaţie: fibrele optice
cu înveliş.
Fibrele optice folosite în anii 60 aveau atenuări foarte mari (1000
dB/km) ceea ce a limitat folosirea lor la distanţe mici. În 1970 Kapron, Keck, si
Maurer de la Corning Glass Works din New York au realizat o fibră optică cu
pierderi mai mici de 2 dB/km. Acesta a fost un pas important în realizarea
sistemelor de comunicaţie pe fibră optică. În anii care au urmat, permanenta
îmbunătăţire a cablurilor cu fibre optice şi realizarea de detectori şi surse de
lumină performante şi ieftine au deschis calea dezvoltării de sisteme de
comunicaţii pe fibră optică eficiente şi de înaltă calitate şi capacitate.
177
3. Fibrele optice sunt imune la interferenţe statice cum ar fi cele cauzate de
fulgere, motoare electrice, lămpi fluorescente şi alte surse de zgomot. De
asemenea, fibrele optice nu radiază energie în exterior (nici măcar optică) şi
din această cauză nu sunt generatoare de interferenţe cu alte sisteme de
comunicaţie. Aceasta le face deosebit de utile în aplicaţiile militare, unde
efectele exploziilor nucleare (EMP – electromagnetic pulse interference) are
consecinţe devastatoare şi asupra sistemelor de comunicaţie convenţionale.
4. Fibrele optice sunt mai sigure şi mai uşor de instalat şi întreţinut. Deoarece
sunt izolatoare din punct de vedere electric, nu le sunt asociate tensiuni şi
curenţi electrici. Pot fi folosite în medii lichide sau gazoase fără a exista
pericolul de incendii sau explozii. Sunt mai mici ca dimensiuni şi mai
uşoare decât conductoarele metalice. Din această cauză sunt mai uşor de
mânuit, necesită spaţii de depozitare şi transport mai ieftin.
5. Fibrele prezintă o bună securitate a informaţiei pe care o transmit. Este
aproape imposibil de a intercepta datele transmise prin fibrele optice fără ca
utilizatorul să afle aceasta. Aceasta este o altă proprietate care le face
deosebit de atractive.
6. Cablurile cu fibre optice au un timp de viaţă (exploatare) mai mare decât
cablurile electrice. Aceasta se bazează pe toleranţele mari pe care le au la
schimbările de mediu.
7. Deşi costurile de instalare ale unui sistem cu fibră optică complet nou încă
le depăşesc pe cele pentru sistemele clasice, pe termen lung aceste costuri se
reduc semnificativ.
178
În mod analogic lumina se poate propaga printr-o fibră optică fie prin
reflexie totală internă fie prin refracţie. Felul în care se face această propagare
depinde de modurile de propagare şi de profilul de indice al fibrei.
Analiza completă a performanţelor fibrelor optice se face prin aplicarea
legilor lui Maxwell, aceasta fiind o abordare de o mare complexitate. Însă,
pentru majoritatea aplicaţiilor practice, ecuaţiile lui Maxwell pot fi înlocuite cu
modelul razelor luminoase din optică geometrică, care va asigura totuşi o
analiză suficient de detaliată.
Moduri de propagare
Profilul de indice
179
axa OY distanţa radială de la axul fibrei. În figura 10.3 sunt prezentate profilele
de indice pentru trei tipuri de fibre optice.
Există două tipuri de bază de profile de indice: treaptă şi gradat. O fibră
cu indice treaptă are un miez central cu un indice de refracţie uniform. Miezul
este înconjurat de un înveliş cu un indice de refracţie de asemenea uniform dar
mai mic decât cel al miezului. În figura 10.3 se poate observa că la fibrele cu
indice treaptă există o schimbare bruscă a indicelui de refracţie la suprafaţa de
separare dintre miez şi înveliş. Într-o fibră cu indice gradat indicele de refracţie
al miezului este neuniform, fiind maxim în dreptul axei şi descrescător pe
măsură ce ne îndepărtăm de axul fibrei, ajungând să devină egal cu cel al
învelişului la suprafaţa de separare miez-înveliş.
Fig. 10.3. Tipuri de fibre şi de profile de indice: (a) monomod cu indice treaptă; (b) multimod cu
indice treaptă; (c) multimod cu indice gradat.
180
10.4. Configuraţii tipice de fibre optice
Există trei configuraţii tipice de fibre optice: monomod cu indice treaptă,
multimod cu indice treaptă şi multimod cu indice gradat. La fibrele monomod
se mai folosesc şi alte tipuri de profile de indice în funcţie de performanţele
urmărite (micşorarea dispersiilor, atenuărilor etc.) dar prezentarea acestora nu
face obiectul unui material introductiv.
181
din numeroase astfel de raze cu înclinaţii diferite faţă de axul fibrei) va tinde să
se alungească în durată (distorsionat). Astfel principalul dezavantaj al acestui
tip de fibră este banda / capacitatea de transfer mult mai mică decât la fibrele
monomod. Principalul lor avantaj este uşurinţa cu care poate fi cuplată lumina
în fibră datorită diametrului mare al miezului, astfel încât sursele de lumină
folosite putând fi şi LEDuri. Principala lor aplicaţie este în sisteme de
transmisie nepretenţioase, cu cost redus, de mică capacitate şi de mică distanţă.
182
fibră decât în cazul fibrelor monomod, dar dispersia lor rămâne totuşi mai
mare. Aplicaţii tipice care folosesc fibre cu indice gradat sunt sistemele de
transmisie la mică distanţă care necesită o dispersie redusă (rata de transfer mai
mare).
Fig. 10.5. Căile posibile de propagare ale luminii prin fibra optică cu indice treaptă.
183
Pentru a calcula unghiul limită (critic) α m aplicăm legea lui Snell:
184
Apertura numerică
NA(r ) = n 2 (r ) − n 22 . (10.6)
Exemplu:
Soluţie:
185
10.6. Pierderi în cablurile cu fibre optice
Pierderile în transmisiile pe cabluri cu fibre optice se numără printre cele
mai importante caracteristici ale fibrelor optice de care trebuie să se ţină seama.
Pierderile în fibrele optice se caracterizează prin atenuarea puterii luminoase
transmise şi prin distorsionarea formei semnalului transmis, ceea ce reduce
banda, eficienţa şi performanţa totală a sistemului. Principalele pierderi în
fibrele optice sunt:
- Atenuările datorate absorbţiei;
- Atenuări datorate împrăştierii Rayleigh;
- Pierderile de flux;
- Atenuările de cuplaj;
- Dispersia modală;
- Dispersia cromatică (intramodală).
186
cauze ale absorbţiei ionice pot fi impurificările cu ioni metalici: Cu2+, Fe2+,
Cr3+, Ni2+ etc. care cauzează absorbţii electronice.
187
Valori tipice ale atenuărilor prin fibrele optice în sistemele care sunt la
ora actuală în exploatare sunt de 0.5…1 dB/km. În sistemele avansate se
folosesc fibre cu atenuări de 0.1…0.3 dB/km, iar în sistemele de laborator fibre
cu atenuare de 0.1 dB/km.
Pierderile de flux
Atenuările de cuplaj
188
pentru a se potrivi la perfecţie. Dacă unghiul la care sunt tăiate capetele fibrelor
diferă faţă de direcţia perpendiculară cu un unghi mai mic de 3°, atenuarea va fi
mai mică de 0.5dB.
Fig.10.8. Erori de aliniere ale capetelor fibrelor: (a) nealiniere transversală; (b) nealiniere
longitudinală; (c) nealiniere unghiulară; (d) finisaj imperfect la capetele fibrelor.
Dispersia modală
189
Dispersia modală determină alungirea unui impuls luminos pe măsură ce
acesta se propagă de-a lungul fibrei. Dacă această împrăştiere este accentuată,
se poate întâmpla ca impulsuri consecutive să se suprapună (interferenţă
simbolică). Într-o fibră multimod cu indice treaptă, raza care se propagă axial
va parcurge fibra în timpul cel mai scurt. Raza care se va propaga sub unghi
apropiat de unghiul critic (raza de mod maxim) va parcurge fibra prin reflexii
totale, multiple, la suprafaţa de separaţie miez-înveliş şi va parcurge traiectoria
cea mai lungă şi în consecinţă se va propaga în intervalul de timp cel mai lung
(vezi figura 10.2.b). Dacă aceste raze reprezintă componentele extreme ale unui
mănunchi de raze emise simultan şi care compun un impuls luminos emis de o
sursă de radiaţie, razele componente ale impulsului vor ajunge la capătul fibrei
în intervale de timp diferite şi vor determina alungirea / distorsionarea
impulsului iniţial. Acest fenomen se numeşte dispersie modală şi are ca efecte,
pe lângă alungirea impulsului iniţial, scăderea amplitudinii lui.
În cazul fibrelor monomod cu indice treaptă, din cauză că diametrul lor
este foarte mic, razele luminoase vor parcurge traiectorii cu aproximativ aceeaşi
lungime şi vor ajunge la celălalt capăt al fibrei în acelaşi interval de timp (vezi
figura 10.2.a). Drept consecinţă nu se va produce alungirea impulsului luminos
transmis.
La propagarea unui impuls luminos printr-o fibră multimod cu indice
gradat, razele componente ale acestui impuls luminos vor parcurge traiectorii
diferite (deci de lungimi diferite – vezi figura 10.4). Datorită faptului că
indicele de refracţie este variabil (descrescător spre periferie) razele care se
propagă pe traiectoriile cele mai îndepărtate de miez, care sunt şi cele mai
lungi, se vor propaga cu o viteză mai mică. Pentru un indice de profil optim
ales (de obicei parabolic) va rezulta o egalizare a timpilor de propagare a
razelor componente ale impulsului luminos emis, în consecinţă dispersia
modală fiind mult atenuată.
În figura 10.9 este ilustrată relaţia relativă durată-amplitudine a unui
impuls luminos pe măsură ce acesta se propagă de-a lungul unei fibre optice. Se
poate observa că, pe măsură ce distanţa parcursă prin fibră creşte, razele
luminoase care compun impulsul se împrăştie în timp, ceea ce cauzează o
alungire a impulsului şi o scădere a amplitudinii lui. Se poate observa, de
asemenea, că, la un moment dat impulsul luminos va interfera cu cel care îl
urmează. Acest fenomen (interferenţa simbolică) este o sursă importantă de
erori în transmisiile de semnale digitale. Apariţia lui poate fi împiedicată fie
prin alegerea adecvată a tipului de fibră (cel mai indicat) sau printr-o alegere
adecvată a modului de codificare a datelor (exemplu : banda obţinută pentru o
codificarea UPRZ este dublă faţă de cea pentru o codificare UPNRZ).
190
Fig. 10.9. Efectul dispersiei într-o transmisie digitală pe fibră optică.
Dispersia cromatică
191
radiaţiei luminoase transmise de cca. 1300 nm. Prin modificarea parametrilor
constructivi ai fibrei (profil de indice, material) această valoare a lungimii de
undă poate fi deplasată la o altă valoare (de exemplu la 1550nm – care este
lungimea de undă la care atenuările sunt minime) sau poate fi extinsă la un
domeniu ∆λ de lungimi de undă.
Cele trei blocuri mari ale sistemului sunt emiţătorul, receptorul, şi ghidul
optic (fibra optică). Emiţătorul se compune dintr-o interfaţă analogică sau
digitală, un convertor tensiune-curent, sursa de lumină şi cuplorul sursă–fibră.
Ghidul optic este o fibră optică din sticlă sau plastic. Receptorul se compune
dintr-un cuplor fibră–detector, detectorul de lumină, convertorul curent-
tensiune, care are şi rolul de amplificator şi interfaţa analogică sau digitală.
Într-un emiţător pentru fibră optică, sursa de lumina poate fi modulată
fie printr-un semnal analogic fie printr-unul digital. Interfaţa de intrare face
adaptare de impedanţă şi de nivel de semnal cu circuitul de intrare.
Convertorul tensiune-curent serveşte drept interfaţă electrică între
circuitul de intrare şi sursa de lumină. Sursa de lumină poate fi LED sau diodă
192
laser (LD). Fluxul luminos emis de LED sau LD este proporţional cu curentul
care le parcurge. Din aceasta cauză nu mai este necesară modularea semnalului
de intrare, aceasta făcându-se direct prin curentul obţinut prin conversia
semnalului de intrare cu ajutorul convertorului tensiune – curent.
Cuplorul emiţător–fibră este o interfaţă mecanică. Rolul lui este să
cupleze cât mai eficient lumina emisă de sursa de lumină în fibra optică. Fibra
optică se compune dintr-un miez şi un înveliş din sticlă sau plastic şi o cămaşă
de protecţie din plastic. Cuplorul fibră–receptor este de asemenea un cuplor
mecanic. Rolul său este de a cupla, cu o eficienţă cât mai mare, lumina care
iese din fibra optică la detectorul de lumină.
Detectorul de lumină este cel mai adesea o fotodiodă PIN sau o
fotodiodă în avalanşă (APD – Avalanche Photodiode). Fotodioda converteşte
energia luminoasă în curent. Este necesar un convertor curent – tensiune care să
amplifice şi să convertească acest curent în tensiune.
Interfaţa analogică sau digitală de la ieşirea receptorului este o interfaţă
electrică. Ea face adaptarea de impedanţă şi de nivel de semnal cu circuitul de
ieşire.
Bugetul de flux
PT
10 lg = ATC + N ⋅ ACC + ACR + A0 ⋅ L + A A + AM (10.8)
SR
Unde:
P T – puterea optică furnizată de sursa de radiaţie a emiţătorului;
P R – puterea optică care ajunge la fotodetectorul receptorului;
S R – pragul de sensibilitate al fotodetectorul
A TC – atenuarea de la cuplajul emiţător-fibră;
A CR – atenuarea de la cuplajul fibră-receptor;
193
A CC – atenuarea unei îmbinări dintre două tronsoane de fibră ;
N – numărul de îmbinări ( N = nr. tronsoane –1; L tronson = L / (N+1) );
A 0 – atenuarea pe unitatea de lungime a fibrei [dB/km];
L – lungimea totală a fibrei ;
A A – atenuări adiţionale (degradare + conectică + proiectare + margine
de întreţinere) ;
A M – marginea de flux:
P
AM = 10 log R . (10.9).
SR
194
GLOSAR
AO Amplificator operaţional
APD “Avalanche Photodiode”
CI Circuit integrat
CMR “Common Mode Rejection”: rejecţia semnalului de mod comun
CMRR “Common Mode Rejection Ratio”: factorul de rejecţie al
semnalului de mod comun
a confina “to confine”: ţinerea “captivă” a luminii în F.O.
CTR “Current Transfer Ratio”: factorul de transfer în curent (FTC)
DCE “Data Communication Equipment”: echipament de comunicaţie
folosit în transmisiile de date (exemplu: modemul)
DTE “Data Terminal Equipment”: echipament terminal folosit în
transmisiile de date (exemplu: calculatorul)
FET “Field Effect Transistor”: tranzistor cu efect de câmp
fotocurent Curent generat la iluminarea unei joncţiuni dintr-un material
semiconductor
fotopic Spectrul de sensibilitate al ochiului uman adaptat la lumină
GCC Generator de curent comandat
IC “Integrated Circuit”: circuit integrat (CI)
IR “Infra-Red”: radiaţie luminoasă în domeniul infra-roşu
IRED “Infra-Red LED”: LED cu emisie în infraroşu
LASER “Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation”:
amplificarea luminii prin emisia stimulată a radiaţiei (luminoase).
LD “Laser Diode”: diodă laser
LED “Light Emitting Diode”: diodă electroluminiscentă
MASER “Microwave Amplification by Stimulated Emission of
Radiation”: amplificarea microundelor prin emisia stimulată a
radiaţiei
MOV “Metal Oxid Varistor”: varistor cu oxizi metalici
n- Strat semiconductor slab dopat cu purtători de tip n (electroni)
n+ Strat semiconductor puternic dopat cu purtători de tip n
(electroni)
NA “Numerical Aperture”: apertura numerica a unei fibre optice
NAND Poartă care realizează funcţia logică ŞI negat
NIL Nivelul inferior de laserare: nivelul energetic al atomului pe care
cad electronii în timpul tranziţiei radiative
NSL Nivelul superior de laserare: nivelul energetic al atomului de pe
care cad electronii în timpul tranziţiei radiative
p- Strat semiconductor slab dopat cu purtători de tip p (goluri)
p+ Strat semiconductor puternic dopat cu purtători de tip p (goluri)
195
PD “Photo-Diode”: fotodiodă
PIN P-Intrinsec-N
PISO “Parallel Input / Serial Output”: registru de deplasare cu intrări
paralele şi ieşire serială
PWM “Pulse Width Modulation”: modulaţia în lăţime a impulsurilor.
RAN Regiunea activă normală
RN Reacţie negativă
Rx “Receiver”: bloc / circuit de recepţie
scotopic Spectrul de sensibilitate al ochiului uman adaptat la întuneric
SIPO “Serial Input / Parallel Output”: registru de deplasare cu intrare
serială şi ieşiri paralele
snubber RC Circuit de protecţie pentru dispozitive în comutaţie
transzorbs Diode absorbante ale perturbaţiilor (diode Zenner ultrarapide de
putere)
Tx “Transmitter”: bloc / circuit de emisie
UPNRZ “Uni-Polar Non-Reduced to Zero”: metodă de codificare a
datelor în transmisiile de semnal binar
UPRZ “Uni-Polar Reduced to Zero” : metodă de codificare a datelor în
transmisiile de semnal binar
UV “Ultra Violet”: radiaţie luminoasă în domeniul ultraviolet
196
BIBLIOGRAFIE
197
[13] Laser Focus, The ’96 Laser Focus Buyers Guide: Global Electro-Optic
Products, Services and Companies., PenWell Publishing Company, Vol.
31, Laser Focus World, December 1996.
[20] Schneider Herbert A., Zimmer Hellmut, Physik fur ingenieure. Band 2:
Optik und Struktur der Materie. 3-343-00174-0, Fachbuchverlag GmbH
Leipzig, 1991.
198
[26] Sporea Dan, Bârcă-Gălăţeanu Şerban, Optoelectronică. Dispozitive şi
aplicaţii. Editura Militară, Bucureşti, 1983.
199