MASTER PRO 2 EN TELECOMMUNICATIONS

DISPOSITIFS ET CIRCUITS MICRO-ONDE

INTRODUCTIONAUXMICROONDES





Equipe des concepteurs :
- Olivier VIDEME










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commerciale, Partage des conditions initiales l'identique)..
REPUBLIQUE DU CAMEROUN
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UNIVERSITE DE YAOUNDE I
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ECOLE NATIONALE SUPERIEURE
POLYTECHNIQUE
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REPUBLIC OF CAMEROUN
Peace - Work Fatherland
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UNIVERSITY OF YAOUNDE I
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NATIONAL ADVANCED SCHOOL
OF ENGENEERING
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INTRODUCTION AUX MICRO-ONDES

1) Dfinition
On appelle micro-onde (microwave en anglais) ou hyperfrquence la bande de
frquences auxquelles les dimensions gomtriques des objets utiliss sont de lordre de
grandeur de la longueur donde lectromagntique.
Ce sont en gnral des ondes lectromagntiques de longueur donde intermdiaire
entre linfrarouge et les ondes de radiodiffusion.

2) Le spectre radiofrquence
Dans le spectre radiofrquence qui stend des frquences extrmement basses aux
frquences extrmement hautes (EHF) nous pouvons situer les micro-ondes entre les hautes
frquences et les frquences extrmement hautes (EHF) qui voluent par dcade comme
lindique le tableau 1 ci-dessous.

Ondes lectromagntiques frquences
Extrmement basses frquences (ELF) 3Hz 300Hz
Frquences audio (VF) 0.3 3KHz
Trs basses frquences (VLF) 3 30KHz
Basses frquences (LF) 30 300KHz
Frquences moyennes (MF) 0.3 3MHz
Hautes frquences (HF) 3 30MHz
Trs hautes frquences (VHF) 30 300MHz
Frquences ultra hautes (UHF) 0.3 3GHz
Frquences super hautes (SHF) 3 30GHz
Frquences extrmement hautes (EHF) 30 300GHz

Tableau 1 : Spectre radiofrquence et micro-onde

Les micro-ondes sont souvent rparties en gammes de frquences correspondant des bandes
normalises dutilisation de guides dondes comme le montre le tableau 2 ci-dessous :

Dsignation Gammes de frquences (GHz)
Bande L de 1 2
Bande S de 2 4
Bande C de 4 8
Bande X de 8 12
Bande K
u
de 12 18
Bande K de 18 26
Bande K
a
de 26 40
Bande Q de 30 50
Bande U de 40 60
Bande V de 46 56
Bande W de 56 100

Tableau 2 : Bandes de frquences micro-ondes



2) Proprits caractristiques des micro-ondes
Les micro-ondes ont la principale proprit de pntrer au cur de matriaux de type
dilectriques pertes entrainant ainsi la dissipation de lnergie.

3) Historique
Les bases thoriques des micro-ondes sont luvre de Maxwell thoricien fondateur
de llectromagntisme moderne qui formula dans les anne 1860, les clbres quations
connues aujourd'hui sous lappellation quation de Maxwell publies en 1873 dans son
trait sur llectricit et le magntisme.
En1888 Hertz fut le premier dmontrer lexistence des ondes lectromagntiques en
construisant un appareil produisant des ondes radios une frquence de lordre de 1GHz. A la
mme priode un groupe exprimental de chercheurs se forme the Hertzians et un membre
du groupe exposa sur les phnomnes lectromagntiques lors dune confrence.
En 1897 Rayleigh dmontra thoriquement la possibilit de faire propager des ondes
dans des tuyaux mtalliques creux section rectangulaire ou circulaire.
Les expriemence de Marconi dans les annes 1890 montrerent quil tait possible
dtablir une liaison entre deux points de la Terre par pe^ropagation donde radiolectrique en
espace libre.
Au dbut du 20

sicle, Bose a dvelopp un dtecteur semiconducteur 60GHz, des

guides dondes rectangulaires, des cornets. Les radios ou tlcommunications modernes
voient le jour avec les travaux de Kennelly et de Heaviside.
Durant ue bonne priode le sujet disparat. Llectronique micro-onde nintresse plus
personne et il faut attendre une trentaine dannes pour voir Schelkunoff et dautres
redcouvrir et dvelopper le sujet. Ce passage vide est d sans doute au succs des ondes
longues en radio qu la difficult dengendrer des ondes lectromagntiques micro-ondes.
En 1920 les premires missions de radiodiffusion eurent lieu.
Dans les annes 1939 le radar se dveloppe rapidement avec la naissance du
magntron tube gnrateur de haute puissance micro-onde.
Outre le radar, les communications par satellite ont t une tape majeure du
dveloppement des micro-ondes et techniques associes.
Entre 1970 et 1980, lusage de linformatique et lapparition des tlcommunications
numriques a fait ngliger les micro-ondes par daucuns.
Ds lors, le dveloppement des micro-ondes fut considrable et les applications
nombreuses et importantes.


4) Evolution des technologies des circuits micro-ondes
Pendant longtemps le guide donde ferm (conventionnel) a fait lobjet dune
utilisation courante en micro-onde. Actuellement la plupart des circuits de tlcommunication
travaillant aux environs de 10GHz sont raliss en technologie planaire. En bref nous disons
que la technologie des circuits micro-ondes a rapidement volu durant la dernire dcade
vers lutilisation de circuits planaires.

4) Avantages et inconvnients de la technologie planaire
La technologie planaire consiste graver les lments de circuits sur un substrat
dilectrique appropri. Elle sest dveloppe en raison de nombreux avantages quelle offre :
rduction dencombrement et de cot qui compense largement les cot de recherche et de
dveloppement. Les circuits micro-ondes raliss en technologie des circuits imprims ont
cependant quelques limitations dont la plus fondamentale reste leur faible capacit de
dissipation de puissance vu la taille des dispositifs et la faible conductivit thermique des
semi-conducteurs par rapport aux mtaux.

5) Applications
Les micro-ondes ne sont connues du grand public que par les fours qui ont pris place
dans les cuisines ces dernires annes. Or ses applications sont aussi nombreuses que varies.
Citons entre autres
Dans lindustrie avec les tlcommunications et des systmes, tels que le radar, leffet du
rayonnement micro-onde sur les pertes dilectriques de leau.
En mdecine lhyperthermie micro-onde permet le traitement des tumeurs cancereuses.
En radioastronomie avec la mise au point des radiotlescopes.
En lectronique avec la ralisation des oscillateurs, amplificateurs, mlange et multiplication
de frquences
En radiomtrie avec lvaluation des caractristiques physiques ou naturelles de la zone
dobservation (tldtection) ; mesure des paramtres physiques divers tels que distance,
position, paisseur, vitesse, dformation etc.
La navigation, la surveillance le guidage des armes.
Nous donnons dans le tableau 3 ci-dessous quelques applications micro-ondes en fonction de
leur bande de frquence.

Ondes lectromagntiques Applications

Extrmement basses frquences (ELF)
Transport et distribution de
l'lectricit ;
Electromnager


Frquences audio (VF)
Transmission de donnes
vocales ;
Mtallurgie ;
Chauffage par induction
Trs basses frquences (VLF) Radio-communications
Basses frquences (LF) Radiodiffusion GO;
Fours induction
Frquences moyennes (MF) Radiodiffusion MO-PO;
Diathermie mdicale
Hautes frquences (HF) Soudage ;
Collage
Trs hautes frquences (VHF) Tlvision ;
Radio FM


Frquences ultra hautes (UHF)
Tlvision ;
Radars ;
Tlphones mobiles ;
Fours micro-ondes ;
Hyperthermie mdicale
Frquences super hautes (SHF) Radars ;
Alarmes anti-intrusion
Frquences extrmement hautes (EHF) Radars ;
Communication par satellite

Tableau 3 : Quelques applications micro-ondes et leur bande de frquences.















MASTER PRO 2 EN TELECOMMUNICATIONS







DISPOSITIFS ET CIRCUITS MICRO-ONDE


Leon 1 :LADIODEAJONCTIONPN





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Leon 1 : LA DIODE A JONCTION PN


1. MISE EN CONTACT DUN SEMI-CONDUCTEUR N AVEC UN SEMICONDUCTEUR
P : DESCRIPTION DES PHENOMENES

On considre un chantillon (barreau de monocristal) semi-conducteur dop avec ND atomes
donneurs par cm
3
. Il est lquilibre la temprature ordinaire (ne subit aucune excitation
lectrique, lumineuse ou thermique) : il possde nno = ND lectrons libres (ce sont ses
porteurs majoritaires) et pno = n
i
2
/ND trous (ses porteurs minoritaires) par cm
3
.
NB : Lindice n est utilis pour signifier quon parle de lchantillon dop de type N, et le second indice
zro pour signifier quon est l quilibre.

On considre dautre part un chantillon du mme monocristal semiconducteur dop avec NA
atomes accepteurs par cm
3
, lui-aussi lquilibre la temprature ordinaire : il possde ppo =
NA trous (qui sont ses porteurs majoritaires) et npo = ni
2
/NA lectrons libres (ses porteurs
minoritaires) par cm
3
.
NB : Lindice p est utilis pour signifier quon parle de lchantillon dop de type P.

Remarque : Dans chaque chantillon lquilibre, la loi daction de masse sapplique et
permet, connaissant le nombre des porteurs majoritaires (apports principalement par le
dopage), de calculer le nombre des porteurs minoritaires :
nno pno = ni
2
dans le barreau de type N
ppo npo = ni
2
dans le barreau de type P
ni (nombre de paires cres par cm
3
) tant connu pour le semi-conducteur considr une
temprature donne.

La neutralit lectrique est vrifie dans chaque chantillon, non seulement de faon
globale, mais aussi de faon locale (cest--dire dans nimporte quel petit lment de
volume).

Ralisons une jonction PN, cest--dire : mettons les deux chantillons en contact parfait (on
entend par- l que ce contact permet aux porteurs de passer librement dun barreau
monocristallin lautre). On admettra que la surface de contact entre les deux barreaux est
un plan, quon appellera plan de jonction. Comme il y a trs peu dlectrons libres dans le
barreau P, les lectrons libres du barreau N vont diffuser dans le barreau P. De mme,
comme il y a trs peu de trous dans le barreau N, les trous du barreau P vont diffuser dans
le barreau N.

Les porteurs qui changent de barreau perdent leur qualit de majoritaire. En franchissant le
plan de jonction pour entrer dans le barreau P, les lectrons libres deviennent des porteurs
minoritaires. Par consquent, dans une rgion du barreau P voisine du plan de jonction, les
lectrons libres minoritaires sont en nombre excdentaire. Les lectrons libres en excs
vont, on le sait, se recombiner avec des trous. Dans ce processus, llectron libre et le trou
disparaissent tous les deux. Linvasion du barreau P par les lectrons libres diffusant depuis
le barreau N (on dit plutt : linjection des lectrons libres dans le barreau P) a pour
consquence de faire disparatre un certain nombre de trous du barreau P dans la rgion
voisine du plan de jonction. La neutralit lectrique est donc dtruite dans cette rgion o,
avant linjection, on avait :

somme des charges positives ppo = somme des charges ngatives NA + npo

Aprs linjection des lectrons libres qui diffusent et leur recombinaison, on a, dans cette
rgion, un dficit de charges positives. On dit que la charge volumique (en coulomb par cm
3
)
est ngative dans la rgion du barreau P qui est voisine du plan de jonction.

De la mme faon, en franchissant le plan de jonction pour entrer dans le barreau N, les
trous deviennent des porteurs minoritaires. Par consquent, dans une rgion du barreau N
voisine du plan de jonction, les trous minoritaires sont en nombre excdentaire. Les trous en
excs vont se recombiner avec des lectrons libres (trs nombreux du ct N). Dans ce
processus, llectron libre et le trou disparaissent tous les deux. Linjection des trous dans le
barreau N a pour consquence de faire disparatre un certain nombre dlectrons libres du
barreau N dans la rgion voisine du plan de jonction. La neutralit lectrique est donc
dtruite dans cette rgion o, avant linjection, on avait :

somme des charges ngatives nno = somme des charges positives ND + pno

Aprs linjection des trous qui diffusent et leur recombinaison, on a, dans cette rgion, un
dficit de charges ngatives.
On dit que la charge volumique (en coulomb par cm
3
) est positive dans la rgion du barreau
N qui est voisine du plan de jonction.

Cette distribution de charges (positives du ct N, ngatives du ct P) est lorigine du
champ lectrique E qui rgne au voisinage du plan de jonction. La rgion entourant le plan
de jonction est appele zone de transition (en abrg : ZT).

Un quilibre est atteint lorsque ce champ lectrique est assez fort pour contenir la
diffusion (le champ, dirig des charges + vers les charges -, cest--dire de N vers P,
soppose au dplacement des porteurs qui diffusent).

Dans la jonction, le potentiel lectrique V est plus lev du ct N (o la densit de charge
despace est positive) que du ct P (o la densit de charge despace est ngative). A ce
saut de potentiel correspond une variation de lnergie potentielle W des porteurs. On parle
ce propos de la barrire de potentiel qui, lorsque le nouvel quilibre est atteint, soppose la
diffusion des porteurs.






CHAMP ELECTRIQUE DU AUX
CHARGES FIXES DECOUVERTES :
Le cristal P, appauvri en trous,
sest charg ngativement,
Le cristal N, appauvri en
lectrons, sest charg
positivement







Figure 1 : Un champ lectrique E rgne dans la ZT dune jonction PN : il est toujours dirig
de N vers P

2. CALCUL DE LA TENSION DE DIFFUSION DUNE JONCTION

On peut calculer la valeur du saut de potentiel, appel gnralement tension de diffusion et
dsign par VD en crivant que le courant d aux lectrons libres qui traversent la jonction
est nul. Ce courant peut tre considr comme la somme :
dun courant de diffusion jdn vhicul par les lectrons qui diffusent de N vers P ;
dun courant de conduction jn dont le champ lectrique E est responsable
j
ntotal
= 0 = jdn + jn
soit encore :
E qn
dx
dn
qD
n n
+ 0

il vient :
nE
KT
q
dx
dn



On intgre les deux membres de lquation prcdente entre les limites xp et xn de la zone
de transition, lorigine des x tant prise au plan de jonction :




n
p
n
p
x
x
x
x
Edx
KT
q
dx
dx
dn
n
1

[ ] ) ( ) ( ]) [ ln( ]) [ ln(
p n p n
x V x V
KT
q
x n x n

D
A
i
D
V
N
n
N
q
KT

]
]
]
]
]
]

2
ln


]
]
]

2
ln
i
D A
D
n
N N
q
KT
V
(1)

La tension de diffusion (ainsi nomme parce quelle soppose la diffusion des porteurs)
dpend des dopages N et P, et aussi de la temprature.

3. MODELE DE SHOCKLEY POUR LA BARRIERE DE POTENTIEL
3.1 Expression du champ lectrique E

Lquation de POISSON, relie le nombre volumique de charges C(x) au champ :

) ( x C
dx
dE

(2)

= permittivit dilectrique du semi-conducteur =
r

0

0
= permittivit dilectrique du vide;
r
= constante dilectrique du semi-conducteur.

On intgre lquation de POISSON en faisant lhypothse que la ZT est vide de porteurs.

La figure 2 montre la rpartition des charges : les aires rectangulaires sont gales par raison
de neutralit, et la ZT stend davantage dans la rgion la moins dope.

NA xp = ND xn (3)

Intgrons sparment dans les deux rgions de la zone de transition :
Dans la ZT ct P (-X
p
<X<0) : dans la ZT ct N (0<X<X
n
):
C(x) = - qNA (4) C(x) = +qND (4b i s )
dE/dx = - q NA / dE/dx = + q ND/
E(x) = (- qNA / ) x + C1 E(x) = (+ qND/ ) x + C2
Condition limite E(-xp) = 0 Condition limite E(xn) = 0
(champ nul dans les rgions neutres)
do :
(5)
( )
p
A
x x
qN
x E +

) (

( )
n
D
x x
qN
x E

) (
(5
bis
)
La figure 3 montre la variation du champ lectrique, qui est maximum en x=0, cest--dire
dans le plan de jonction, o il prend la mme valeur du ct P et du ct N :

EM = -qNAxp / = -qNDxn / (6)
(on retrouve lquation 3).

3.2 Relation entre la hauteur de barrire et lpaisseur de la ZT.

Ecrivons que la diffrence de potentiel existant entre les limites de la ZT est la tension de
diffusion VD (cf : figure 4) :



n
p p
n
x
x x
x
p n D
dx x E dx x E dx x E x V x V V
0
0
) ( ) ( ) ( ) ( ) (

VD = (q/2 )(NA xp
2
+ ND xn
2
)

- relation entre VD et xp :

ND xn
2
= (ND xn )
2
/ ND = (NA xp )
2
/ ND compte tenu de (3)

do : VD = (q xp
2
NA
2
/ 2 )[ (1/NA) + (1/ND) ] (6.a)
Il vient :
D
D A
D A
A
p
V
N N
N N
q N
x
+

2 1
(6.b)

- relation entre VD et xn :

de mme, en remplaant NA
2
xp
2
par ND
2
xn
2
dans (6.a) :

D
D A
D A
D
n
V
N N
N N
q N
x
+

2 1
(6.c)








Figure 2 : Rpartition de la charge volumique (modle de la jonction abrupte)

Figure 3 : Variation du champ lectrique dans la ZT dune jonction PN

Figure 4 : Variation du potentiel dans la ZT dune jonction PN

Do lpaisseur totale de la ZT :
w
o
= x
n
+ x
p
= D
D A
V
N N q

,
`

.
|
+
1 1 2
(7)

En pratique une jonction PN est dissymtrique avec, par exemple, NA >> ND.
Dans ce cas, daprs (3) xp<<xn, et lexpression (7) se simplifie :

w
o
= x
n
= D
D
V
N q
1 2


Relation entre EM, VD et wo :

V
D
=

n
p
x
x
dx x E ) (
= - (aire du triangle de champ) =
2
0 M
E w

2
0 M
D
E w
V

(8)

4. LA JONCTION PN EN TANT QUE DIODE
La proprit essentielle dune jonction PN est de permettre le passage du courant lectrique
dans un sens et pas dans lautre : la jonction PN est une diode.

En polarisation inverse, cest--dire lorsque le ple + de la source de tension est connect au
ct N de la jonction, les trous du ct P et les lectrons libres du ct N sont carts du
plan de jonction. Par suite, la zone de transition slargit : la rgion de charge despace
ngative stend davantage dans la rgion P et la rgion de charge despace positive stend
davantage dans la rgion N. Le champ lectrique rgnant dans la zone de transition est
renforc, et il fait circuler travers la jonction des courants de conduction qui, tout en restant
trs faibles, sont plus importants quen labsence de tension applique. Un premier courant
est vhicul par des lectrons libres (minoritaires) provenant du ct P, et un second courant
par des trous (minoritaires) provenant du ct N. Ces courants de conduction sont plus
grands que les courants de diffusion qu.ils annulaient exactement en labsence de tension
applique. Un courant rsultant non nul (mais trs faible) circule travers la jonction : cest le
courant de saturation inverse.

La polarisation est directe lorsque le ple + de la source de tension est connect au ct P
de la jonction. Dans ce cas, et si lon admet que la tension applique se retrouve
intgralement applique aux limites de la zone de transition, le saut de potentiel est plus petit
quen labsence de polarisation. Le champ lectrique correspondant est plus faible, et les
courants de conduction sont moins grands. De ce fait, ils nquilibrent plus les courants de
diffusion. Ces courants de diffusion de trous et dlectrons libres, qui peuvent tre
relativement importants, sont les composantes du courant direct traversant la diode.

5. LE SCHEMA DES BANDES DANS LE CAS DUNE JONCTION PN
5.1 Avant la mise en contact (figure 5)

Dans le semi-conducteur de type P, le niveau de Fermi est dans la moiti infrieure du gap,
alors quil est dans la moiti suprieure du gap pour le semi-conducteur de type N.

5.2 Une fois le contact ralis

Lunicit du niveau de Fermi est une proprit gnrale des solides en contact parfait. Le
schma des bandes pour la jonction PN lquilibre, non polarise, est donc caractris par
un niveau EF unique qui sert de rfrence pour le dispositif.
La zone de transition qui entoure le plan de jonction est une zone perturbe pour ce qui
concerne le schma des bandes, mais pour x < -xp du ct P et pour x > xn du ct N on
retrouve le schma normal , avec des bandes plates (figure 6).
Du fait de lalignement des deux niveaux de Fermi initiaux, lensemble de la structure des
bandes du ct P se trouve dcale vers les nergies plus grandes par rapport la structure
des bandes du ct N.
Ainsi, le niveau infrieur ECP de la bande de conduction du ct P est dcal vers le haut de
la quantit dnergie +qVD par rapport au niveau infrieur ECN de la bande de conduction du
ct N.
Ceci veut dire quun lectron libre qui se trouve du ct N et qui possde lnergie ECN est
retenu du ct N par une barrire dnergie potentielle de hauteur +qVD. La situation est
analogue pour un trou qui se trouve du ct P et qui possde lnergie EVP : il est retenu du
ct P par la mme barrire dnergie potentielle de hauteur +qVD.
La figure 7 reprsente la variation du potentiel lectrique, ainsi que la variation de lnergie
potentielle des lectrons et celle des trous dans une jonction PN lquilibre non polarise.

5.3 Effet dune polarisation "directe"

En appliquant une tension comme indiqu sur la figure 8 (ct N au - ) , on augmente
lnergie potentielle des lectrons du ct N, par rapport au ct P, de la quantit qVF , la
barrire dnergie potentielle diminue (figure 9) : elle passe de qVD q(VD-VF) . La diffusion
des porteurs travers le plan de jonction sen trouve facilite : le circuit sera parcouru par un
courant dintensit IF (courant direct). Le champ dans la ZT sera moins lev, et lpaisseur
de la ZT sera plus faible (figure 11) :
( )
F D
D A
V V
N N q
w

,
`

.
|
+
1 1 2
"

(9)
w" = x"p + x"n < wo

Lorsque la jonction est polarise en direct, la relation (8) est remplace par :
VD - VF = w" (- E"M) / 2


Figure 5 : Schma des bandes avant le contact

Figure 6 : schma des bandes pour la jonction PN non polarise

Figure 7 : Jonction PN non polarise (a) le ct N de la jonction est un potentiel plus lev que le
ct P (b) lnergie potentielle Wn des lectrons est plus faible du ct N (c) lnergie potentielle des
trous Wp est plus faible du ct P.

La valeur maximum du champ lectrique interne est alors (comme en 6) :
E"M = - q ND x"n /

5.4 Effet dune polarisation "inverse"

Lnergie potentielle des lectrons du ct N est diminue, par rapport sa valeur du ct P,
de la quantit qVR.

La hauteur de la barrire dnergie potentielle est augmente (figure 10) : elle
passe de qVD q(VD+VR ).

La diffusion des porteurs travers le plan de jonction est entrave.
Le champ lectrique dans la ZT est plus lev (figure 11). Seul, un courant de conduction
traverse la ZT, autorisant la circulation dans le circuit dun courant (dit courant inverse) de
trs faible intensit IR.
Lpaisseur de la ZT est plus grande (figure 11) :
( )
R D
D A
V V
N N q
w +

,
`

.
|
+
1 1 2
'

(10)
w = x
p
+ x
n
> w
o

De la mme faon quen (7), on a :
2
) ( '
'
M
R D
E w
V V

+

(11)
La valeur maximum du champ lectrique interne est alors (comme en 6) :
EM = -q ND xn /


Figure 8 : Polarisation directe


Figure 9 : Effet de la polarisation directe sur la barrire
(a) la ddp interne est abaisse de VF
(b) la barrire dnergie potentielle vue par les lectrons du ct N est abaisse de qVF
(c) la barrire dnergie potentielle vue par les trous du ct P est abaisse de qVF



Figure 10 : Effet de la polarisation inverse sur la barrire
(a) la ddp interne est augmente de VR
(b) la barrire dnergie potentielle vue par les lectrons du ct N est augmente de qVR
(c) la barrire dnergie potentielle vue par les trous du ct P est augmente de qVR.


JONCTION PN
NON POLARISEE POLARISEE EN DIRECT POLARISEE EN
INVERSE
EPAISSEUR DE
LA ZT
wo = x
p
+ x
n

(wo = x
n
si NA >>
ND)
D
D A
o
V
N N q
w

,
`

.
|
+
1 1 2

w = x
p
+ x
n

(w = x
n
si NA >> ND)
( )
F D
D A
V V
N N q
w

,
`

.
|
+
1 1 2
"


w = x
p
+ x
n

(w = x
n
si NA >> ND)
( )
R D
D A
V V
N N q
w +

,
`

.
|
+
1 1 2
'


BARRIERE DE
POTENTIEL
]
]
]

2
ln
i
D A
D
n
N N
q
KT
V

(tension de diffusion)
VD - VF
(VF = tension applique)
VD + VR
(-VR = tension
applique)
CHAMP
MAXIMUM
Emax = E(0)
= -q NA xp /
= -q ND xn /
E"max = -q NA x"p /
= -q ND x"n /
Emax = -q NA xp /
= -q ND xn /
AIRE DU
TRIANGLE DE
CHAMP

2
max
E w
V
o
D


2
"
max
"
E w
V V
F D



2
'
'
max
E w
V V
R D
+


Figure 11 : Rpartition des charges, variation du potentiel et du champ lectrique dans la ZT dune
jonction PN.

6. CARACTERISTIQUE ELECTRIQUE DE LA JONCTION
6.1. Description
Si l'on applique une tension U la jonction, cette tension se reporte presque
entirement la zone de dpltion qui prsente une rsistivit trs grande vu la
quasi-absence de charges mobiles. Une tension U ngative (voir figure 12) renforce
le champ de rtention de la diffusion et augmente, par consquent, la hauteur de la
barrire de potentiel, de telle sorte qu'aucune charge libre ne traverse la zone de
charge spatiale.

Figure 12: polarisation de la jonction
Au contraire, si l'on applique une tension U positive (voir figure 12), le champ
lectrique de rtention de la diffusion est diminu et les charges mobiles qui ont une
nergie suprieure celle que reprsente la hauteur de la barrire de potentiel
peuvent traverser la zone de charge spatiale.
Il est utile, ici, de se rappeler que l'nergie moyenne des charges mobiles est lie
la notion de temprature et qu' temprature donne, cette nergie est constante.
6.2. Dfinitions
L'application d'une tension qui diminue la hauteur de la barrire de potentiel par
rapport l'quilibre est appele polarisation directe par opposition la polarisation
inverse qui augmente la hauteur de la barrire de potentiel par rapport l'quilibre.
6.3. Proprit
Une polarisation directe permet le passage d'un courant lectrique dans la jonction
alors qu'une polarisation inverse l'empche. Cette proprit est traduite par les
relations:
(12)
(13)
soit
(14)
o
(15)
dont la drivation sort du cadre de cette tude. La loi exprime par la relation (14) est
reprsente la figure 13.
6.4. Dfinitions
Le courant I
s
est appel courant inverse de saturation; c'est la valeur asymptotique
du courant I en polarisation inverse.
On appelle tension thermodynamique la tension U
T
qui vaut
(16)
o k est la constante de Boltzmann, T la temprature absolue et e la charge de
l'lectron. A 25C, U
T
= 25mV.
Le facteur n est appel coefficient d'mission. Il est voisin de 1 dans les jonctions de
transistors au Si et dans les diodes au Ge. Il est compris entre 1 et 2 dans le cas de
diodes au Si.

Figure 13: caractristique de la jonction

6.5. Commentaires
Le courant inverse de saturation des jonctions au Silicium est de l'ordre de grandeur
de 10
-12
10
-15
A de telle sorte qu'on peut gnralement le considrer comme nul en
polarisation inverse.

Dans les cas pratiques, U >> nU
T
, la relation (14) peut se mettre sous la forme
approche :
(17)

La reprsentation semi-logarithmique de la figure 14 fait apparatre l'erreur commise
en utilisant la relation (17) plutt que (14).
A courant constant, la tension la jonction dcrot de 2 mV pour une augmentation
de temprature de 1C (voir figure 13). On appelle coefficient de temprature la
grandeur qui rend compte de ce phnomne :
(18)
o = -2 mV / C.
7. CAPACITE DE TRANSITION
7.1. Introduction
La largeur de la zone de dpltion dpend de la hauteur de la barrire de potentiel
et, par consquent, de la tension applique. Or, pour varier les dimensions de cette
zone, on doit introduire ou retirer des charges mobiles qui neutralisent les charges
fixes des atomes ioniss. Dans la description de la jonction en rgime dynamique, on
traduit ce comportement capacitif par la notion de capacit de transition.
7.2. Assertion
La largeur l de la zone de dpltion suit la loi:

(19)
dans laquelle le paramtre m est compris entre 1/3, pour une jonction progressive
linaire, et 1/2, pour une jonction abrupte.
7.3. Dfinition
Soit Q
T
la charge de la zone de dpltion dans la rgion neutre n. Un accroissement
dU
B
de la hauteur de la barrire de potentiel, gal l'accroissement dU de tension
appliqu la jonction, provoque un accroissement dQ
T
de la charge Q
T
(voir figure
15).

Figure 15: capacit de transition

On appelle capacit de transition la capacit diffrentielle dfinie par la relation:
(20)
7.4. Description
Comme pour tout condensateur plan, la capacit de transition se calcule d'aprs la
relation:
(21)
o est la permittivit du semi-conducteur, A la section de la jonction et l la largeur
de la zone de dpltion.
Comme la largeur de la zone de dpltion dpend de la tension U applique (20), la
capacit de transition varie galement en fonction de U selon la relation:
(22)
o C
T0
est la capacit de transition tension nulle; elle a pour expression :
(23)
A la figure 16, on a reprsent l'allure de la capacit de transition en fonction de la
tension applique la jonction.

Figure 16: allure de la capacit de transition

7.5. Remarque
Dans les diodes dites VARICAP, on utilise la proprit de variation de la capacit de
transition en fonction de la tension moyenne applique. On a recours de tels
lments en radio, par exemple, pour raliser des circuits oscillants dont la
frquence de rsonance est rgle au moyen d'une tension.
8. DIODES SPECIALES
8.1. Diode PIN

La figure 17 montre la structure schmatise dune diode PIN ralise en technologie mesa.
Cest une jonction PN ayant une zone intrinsque (zone I) entre les couches P et N : en
pratique, cette zone est une zone haute rsistivit de type P (zone p) ou de type N (zone
?), de telle sorte que lon a une diode PpN ou P?N.

Figure 17 Structure dune diode PIN
Cette structure est identique celle des PIN utilises en lectronique de puissance en tant
que redresseurs (bonne tenue en tension) ; cependant, la proprit que lon exploite en
hyperfrquence est totalement diffrente.
Par rapport la diode P
+
N, la diode PIN possde une rgion centrale (W
I
) o le champ
lectrique est constant. En l'absence de polarisation le champ lectrique est trapzodal. La
hauteur de la barrire de potentiel est plus grande que dans une diode PIN (Figure 18).
W
i


Figure 18 Rpartition de la charge volumique et variation du champ lectrique

La rgion intrinsque, lorsque la diode est polarise en direct, prsente une rsistance R
i

gale :

R
i
= K I
d
x

Avec x 0,9 et K un coefficient de proportionnalit.
En polarisation inverse la zone W
I
est dserte, la capacit de la jonction reste constante et
est gale :
d
S
C

Avec :
= permittivit lectrique du dilectrique W
i
.
S = surface de la jonction.
d = paisseur de la zone I.

Le schma quivalent HF de la diode PIN est donc celui de la figure 19, o en polarisation
inverse R
i
= et en polarisation directe le condensateur C est court-circuit par une
rsistance de faible valeur. La rsistance R
s
est lie aux rsistances de contact et de
substrat, linductance L
s
est due au botier et aux fils de connexion.


Figure 19 Schma quivalent dune diode PIN

Utilisations de la diode PIN.
Redresseurs de puissance en BF. La structure PIN peut tenir des tensions inverses
trs grandes (10 kV) et la chute de tension en direct est de l'ordre du volt pour des
courants de 100 A/cm
2
.
Applications hyperfrquences.
1. interrupteurs :
on utilise 2 proprits de la structure : la capacit de la diode varie peu en
fonction de la tension applique; la rsistance de la diode peut tre 10000 fois
plus grande en inverse qu'en direct. on insre la structure sur le chemin de
propagation de l'onde hyperfrquence, en polarisation inverse le signal passe,
en polarisation directe il est rflchi.
2. modulateurs, attnuateurs variables :
on utilise la variation de la rsistance en fonction du courant direct, la
structure tant toujours insre dans le chemin de propagation de l'onde
hyper.

Figure 20 Attnuateur diode PIN

8.2. Diode Tunnel

La diode tunnel ou diode Leo Esaki (scientifique japonais) est obtenue partir d'une
couche P dgnre (N
A
> 10
19
cm
-3
) et d'une couche N dgnre (N
D
> 10
19
cm
-3
).
L'effet tunnel est une consquence de la mcanique quantique. Son principe repose sur la
probabilit non nulle pour un lectron en mouvement de franchir une barrire de potentiel
dnergie suprieure son nergie cintique.
Cet effet est obtenu avec une jonction cre avec des semi-conducteurs fortement dops. La
consquence sapparente un effet davalanche en direct. Le courant qui augmente
rapidement puis dcrot et reprend sa croissance exponentielle (comme pour une diode
classique).
Il en rsulte la caractristique reprsente la Figure 21. La portion o le courant dcrot en
fonction de la tension est la partie utile (entre la tension de pic V
p
et la tension de valle V
v
).
On y observe une conductance ngative, linarise autour du point de repos (V
r
, I
r
).
Lutilisation de la zone autour de ce point ncessite une polarisation particulire qui permet
de travailler en variations.











Figure 21 : Caractristique de la diode tunnel. Figure 22 : Symbole de la diode tunnel.

Cette rsistance (ou conductance) dynamique est mise profit dans les oscillateurs haute-
frquence pour compenser la rsistance dun circuit LC due aux imperfections des lments.

8.3. Diode Gunn
8.3.1. Introduction
Gunn a observ en 1963 que des oscillations de courant se produisaient dans un barreau de
GaAs de quelques dizaines de micromtres lorsquon le soumettait des impulsions de
tension de grande amplitude et que ce systme constituait un gnrateur hyperfrquence
dans la gamme du gigahertz.

La diode Gunn (Figure 23 - il ne s'agit pas proprement parler d'une diode, mais bien d'un
barreau de semi-conducteur deux accs), permet de construire des oscillateurs
hyperfrquences petits, lgers et bon march, et a permis aux hyperfrquences de se
rpandre dans le publique (radars Doppler).

La diode GUNN (Figure 23) est base sur le fait que dans certains semi-conducteurs la
caractristique de vitesse de drive des lectrons en fonction du champ lectrique prsente
une effet de MOBILITE DIFFERENTIELLE NEGATIVE suite au transfert des lectrons dune
valle haute mobilit vers des valles satellites faible mobilit. Ce composant, prsentant
cet effet de volume, appartient la famille des dispositifs transfert dlectrons.


Figure 23 : Diode gunn


8.3.2. Principe de fonctionnement
La diode Gunn fait partie de la famille des "TED" (Transfered Electronic Devices); elle utilise
en effet la mobilit diffrentielle ngative des lectrons dans le GaAs (Arsenure de Gallium).
Cette mobilit diffrentielle est cause par le transfert d'lectrons d'une bande d'nergie
haute mobilit une bande d'nergie basse mobilit (voir Figure 24).

Figure 24 : mobilit des porteurs dans le Si et le GaAs

Dans un barreau de GaAs polaris dans la rgion de mobilit diffrentielle ngative (voir
Figure 24), des charges de polarit identiques s'attirent et s'accumulent exponentiellement.
Toute une srie de modes peuvent apparatre dans une diode Gunn;

Il existe quatre modes de fonctionnement en rgime grand signal qui sont fonction des
paramtres du dispositif et des conditions lectriques opratoires.





- Frquence de rsonance RLC fixe telle que :
f = 1/T
t
= f
t

- Amplitude champ variable toujours >
p





Figure 25 : Oscillateur diode Gunn

1. Mode temps de transit
Ce mode correspond lextension grand signal :
l f = f
t

l rendement faible ~quelques pourcentage
2. Mode domaine retard : T > T
t

Dans ce mode, lextension sinusodale peut descendre sous
p
. On a ici :
l f < f
t

l rendement jusque 20 %
3. Mode domaine touff : f
t
< f < f
d
(=1/t
d
)
Ici, la frquence est suprieure la frquence de transit et pendant une partie de
lalternance, le domaine seffondre avant datteindre lanode (peu utilis...).
4. Mode LSA (Limited Space Charge Accumulation) :
On utilise une frquence daccord telle que les domaines nont plus le temps de se
former. La diode se comporte comme une IMPEDANCE A PARTIE REELLE
NEGATIVE pendant la majeure partie du cycle et le champ lectrique est quasi-
uniforme.

1/t
d
= f = 1/ t
0
avec t
0
= /(qN
D 0
) - (constante de temps dilectrique faibles
champs) (70 GHz : GaAs).
En effet, si la priode dexcitation sinusodale devient plus faible que t
0
, le
porteurs nont plus le temps de transiter dune valle une.


8.4. Diode IMPATT
La diode IMPATT (Figure 26 - IMPact ionization Avalanche Transit-Time) est une diode de
puissance utilise comme composant lectronique hautes frquences et micro-onde.
Cette diode utilise pour des frquences allant de 3 100 GHz. Ces diodes sont utilises
dans plusieurs applications des radars faible puissance aux alarmes. Leur inconvnient
majeur est quils gnrent des bruits de phase dun niveau non ngligeable. Ce rsultat
provient de la nature statistique de la procdure davalanche. Ces diodes sont dexcellents
gnrateurs micro-ondes pour plusieurs applications.


Figure 26 : Diode Impatt

8.5. Diode BARITT

Cest une diode qui ncessite une faible puissance dalimentation et qui trouve son
application dans les oscillateurs locaux pour un systme de communication et pour rcepteur
radar.














MASTER PRO 2 EN TELECOMMUNICATIONS







DISPOSITIFS ET CIRCUITS MICRO-ONDE


Leon 2 :LETRANSISTORMESFET





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Leon 2 : LE TRANSISTOR MESFET

I. INTRODUCTION

Ces dernires dcennies, le dveloppement de la tlphonie mobile a conduit
un essor trs important du secteur des tlcommunications. Le tlphone portable
est devenu un outil de communication de plus en plus performant offrant de plus en
plus de fonctionnalits (texto, email, photo,...). Le besoin croissant de transmettre
des donnes et d'accder un volume important d'informations pour les hommes, o
qu'ils soient, a donn lieu une rflexion sur de nouveaux systmes et normes de
transmission. Ce dveloppement spectaculaire a conduit une recherche de
technologies robustes et fiables que ce soit pour la fabrication des composants, les
techniques de codage. Au niveau des composants, ces volutions ont orient les
recherches vers de nouveaux choix technologiques, entranant une monte en
frquence et autorisant des densits de puissance plus importantes.

L'industrie des technologies hyperfrquence travaille depuis de nombreuses
annes avec le transistor MESFET (MEtal Semi Conductor Field Effect Tranistor).
Celui-ci tait jusqu' prsent ralis principalement en Arsniure de Gallium. Le
Silicium comme l'Arsniure de Gallium et d'autres matriaux sont utiliss beaucoup
trop prs de leurs limites physiques, en particulier au niveau de la densit de
puissance fournie. Les semi-conducteurs grands gaps ont alors suscit un intrt
important. Les proprits physiques et lectriques, que leur confre leur largeur de
bande interdite, sont trs intressantes pour un grand nombre d'applications de
fortes puissances et trs hautes tempratures.

II. PROPRIETES PHYSIQUES DU CARBURE DE SILICIUM

Le Carbure de Silicium (SiC) fut reconnu ds le dbut des annes 1960 pour ses
qualits (champ lectrique, vitesse de saturation et conductivit thermique). C'est un
semi-conducteur grande largeur de bande interdite ayant un gap compris entre 2.2
et 3.3eV selon son polytype (6H ou 4H). De plus, le SiC a un champ de claquage huit
fois plus lev et une conductivit thermique trois fois plus leve que le Silicium, ce
qui permet de fabriquer des composants pouvant supporter des tensions
importantes ; ainsi le Carbure de Silicium prsente des caractristiques physiques
trs intressantes pour des applications hautes tempratures et fortes
puissances.

Le Tableau II-1 prsente les principales proprits du Silicium (Si), de l'Arsniure
de gallium (AsGa), de Nitrure de Gallium (GaN) et du Carbure de Silicium (SiC) pour
une densit de donneurs Nd de 10
17
atomes/cm
3
.

Tableau II-1 : Comparaison des proprits du Si, de l'AsGa, du GaN et du SiC

Gap Eg (eV) Champ de
claquage
(MV.cm
-1
)
Mobilit
lectronique
n

(cm
2
.V
-1
.s
-1
)
Vitesse de
saturation
(cm.s
-1
)
Conductivit
Thermique
(W.cm
-1
.K
-1
)
Si 1.12 0.25 800 1x10
7
1.5
AsGa 1.43 0.4 4900 1x10
7
0.54
GaN 3.4 3 1000 1.5x10
7
1.3
SiC 3.3 2.2 560 2x10
7
3.7

Les paramtres lectroniques qui prsentent le plus d'intrt sont les
caractristiques de transport de charges (trous et lectrons). Dans le domaine des
faibles champs lectriques, les porteurs libres sont en quilibre thermodynamique
avec le rseau et leur vitesse moyenne est proportionnelle au champ lectrique.

En d'autres termes, la mobilit des porteurs est indpendante du champ
lectrique et la vitesse de drive s'crit simplement :
E V
r r
0
t

Avec :
* 0
m
q


: temps de relaxation et m* : masse effective.

La vitesse de drive des porteurs prsente une valeur maximale V
sat
obtenue
pour une valeur critique du champ lectrique note E
c
. La valeur du champ
lectrique, pour laquelle se produit la saturation de la vitesse de drive, est trs
importante puisqu'elle traduit les phnomnes d'acclration des porteurs jusqu'au
rgime de saturation. La vitesse de saturation pour les semi -conducteurs grand
gap est considrablement plus leve que celle du silicium ou de l'arsniure de
gallium. Ce qui permet d'obtenir de forts courants DC et RF pour les transistors
MESFETs SiC.

Lorsque le champ lectrique devient important, les interactions des porteurs avec
les vibrations du rseau entranent une diminution de la mobilit des porteurs. Cette
diminution de la mobilit se traduit par une variation non linaire de la vitesse de
drive des porteurs :
E E V
r r
) ( t

Avec :
sat
V
E
E
+

1
) (
0

La mobilit des lectrons (
n
) et des trous (
p
) sont des paramtres physiques
prpondrants pour les dispositifs microondes. En particulier, ils influent sur les
performances RF, la transconductance (G
m
) et le gain en puissance des transistors
MESFETs de puissance.

Le champ lectrique critique et la conductivit thermique sont les paramtres
physiques d'un semi-conducteur qui fixent les performances en termes de puissance
maximum d'un composant actif. De plus, le champ lectrique d'avalanche fixe la
limite fondamentale de fonctionnement d'un composant de puissance.

Le Carbure de Silicium, de part sa grande largeur de bande interdite, prsente un
fort champ lectrique d'avalanche de l'ordre de 2.106 V/cm. Avec un tel champ de
claquage, il devient alors possible d'appliquer aux transistors MESFETs SiC de fortes
tensions de polarisation de drain, ce qui permet d'obtenir des puissances RF leves
en sortie.

La caractristique de vitesse des porteurs en fonction du champ lectrique (figure
I-7) est fondamentale pour dterminer l'amplitude du courant qui peut circuler dans
un composant. En principe, on souhaite une forte mobilit associe une forte
vitesse de saturation.


Figure I-7 : Caractristique de la vitesse des lectrons en fonction du champ
lectrique pour plusieurs semi-conducteurs avec N
d
= 1017 atomes/cm
3


Les semi-conducteurs grand gap ont une mobilit relativement faible malgr une
vitesse de saturation leve. Pour une densit de dopage de l'ordre de
1017 atomes/cm
3
, la mobilit des lectrons pour le SiC varie de 200 600 cm
2
/V.s.
La mobilit du polytype 4H-SiC est peu prs deux fois celle du polytype 6H-SiC . Le
polytype 6H-SiC a donc l'inconvnient de prsenter une faible mobilit d'lectrons :
c'est une des raisons pour laquelle on prfrera utiliser le polytype 4H-SiC pour des
applications microondes.


III. LE TRANSISTOR MESFET SiC

III.1. Historique et Gnralits

Le principe du transistor effet de champ (FET ou TEC) a t invent en 1952
par W. Shockley. Le Transistor effet de champ est un dispositif unipolaire o seuls
les porteurs majoritaires interviennent dans le fonctionnement. Les lectrons
prsentant les proprits de transport (mobilit, vitesse et coefficient de diffusion) les
plus intressantes, les FETs fabriqus sont principalement de type N. W. Shockley a
imagin trois structures principales de transistors effets de champ correspondant
diffrents contacts de grille qui sont :
grille jonction PN pour le transistor JFET (Junction Field Effect Transistor) ;
grille mtallique isole pour le transistor MOSFET (Metal Oxyde Semi-
conductor Field Effect Transistor) ;
grille mtallique barrire Schottky pour le transistor MESFET (MEtal Semi-
conductor Field Effect Transistor).

Le MESFET fut le premier composant tre fabriqu. Mead proposa en premier
lieu de remplacer le Silicium des premiers FETs par un semi-conducteur tel que
l'Arsniure de Gallium (AsGa). Cette volution au niveau matriau a permis
l'utilisation des MESFETs aux frquences microondes. Les premiers rsultats en
puissance obtenus avec un MESFET datent de 1994. La structure d'un transistor
effet de champ est reprsente par la Figure III-1.



Figure III-1 : Vue en coupe d'un MESFET SiC

En partant du bas de la Figure III-1, il apparat tout d'abord un substrat mono
cristallin en SiC qui doit tre le moins conducteur possible. Il ne joue aucun rle
lectrique mais constitue essentiellement un support mcanique pour le reste du
composant. Sur ce substrat, une fine couche active dope N est insre, soit par
pitaxie, soit par implantation ionique. Deux zones fortement dopes N
+
, l'une sous
l'lectrode de drain, l'autre sous l'lectrode de source sont habituellement rajoutes
la structure par une nouvelle implantation ou par un procd de diffusion. Elles
permettent de rduire les rsistances de contact, nfastes pour les performances du
composant. Les proprits lectriques de la structure sont gnralement amliores
par la prsence d'une couche tampon faiblement dope entre la couche active et le
substrat. Son paisseur est de quelques microns. Elle vite la migration d'ions au
niveau de l'interface et prserve la valeur de la mobilit des porteurs dans cette
rgion. Enfin, trois contacts par dpt de film mtallique sous vide sont raliss. Les
deux extrmes forment les lectrodes de source et de drain. Le contact est de nature
ohmique. Celui de l'lectrode de grille est de type Schottky.

De plus, sur la Figure III-1, les principales dimensions gomtriques sont
reprsentes. La petite dimension de contact de grille Lg est appele par convention
longueur de grille du transistor. Elle dtermine en grande partie la frquence
maximale d'utilisation du transistor. Pour les composants hyperfrquences elle est
souvent infrieure 1 m. La deuxime dimension est la largeur de grille W et elle
rend compte de la taille du transistor. Sa dimension typique est de l'ordre de 50
1000 fois celle de Lg. L'paisseur a de la couche active est gnralement de 0.2
m 0.4 m.

III.2. Principe de Fonctionnement du Transistor Effet de Champ

La base du fonctionnement d'un MESFET est la possibilit de moduler
l'paisseur du canal sous la grille (Figure III-1). Le contact de grille est de type
Schottky. Une couche dpeuple d'lectrons libres, appele zone de charge
d'espace (ZCE), se cre sous la grille. Aucun courant ne peut traverser cette couche.
La rgion o le courant peut circuler est donc rduite la fraction de la couche active
non dpeuple. En rgime de fonctionnement normal le drain est polaris
positivement par rapport la source, tandis que la grille est polarise ngativement,
toujours par rapport la source (Figure III-2).


Figure III-2 : Vue en coupe et polarisation d'un MESFET SiC

A tension de drain fixe, la polarisation ngative de la grille a pour effet
d'augmenter la pntration de la zone de charge d'espace dans la couche active,
diminuant ainsi le passage du courant. Lorsque la tension de grille est suffisamment
ngative, la ZCE vient compltement obstruer le canal (en pointill sur la Figure III-
2), ne laissant plus passer le courant. Le transistor est alors dit pinc et la tension
applique sur la grille est alors appele tension de pincement (V
p
).

A tension de grille fixe, l'augmentation de la tension positive de drain cre un
champ lectrique dans le canal. Ce champ entrane les lectrons de la source vers la
grille, tablissant ainsi un courant I
DS
(drain-source).



Figure III-3 : Graphes caractristiques de polarisation d'un MESFET SiC


Dans le canal, le champ longitudinal (parallle au trajet source drain)
augmente d'abord linairement jusqu'au voisinage du pincement puis il va
dcrotre rapidement.
La vitesse de drive des lectrons augmente d'abord linairement pour passer
par un maximum (E longitudinal = Epic du semi-conducteur) .
L'amplitude du champ lectrique continuant crotre (E longitudinal > Epic du
semi-conducteur) la vitesse de drive va chuter pour tendre vers sa valeur
limite.
Pour maintenir la valeur du courant dans le canal constante, un accroissement
de la densit des porteurs doit compenser une dimi nution de la vitesse
(produit n*v = constante).
Cet appel d'lectrons avant le pincement entrane une diminution de leur
densit aprs le pincement.
Prs du drain, l'amplitude du champ lectrique diminuant, la vitesse de drive
des lectrons repasse par une valeur pic avant de chuter brutalement au
voisinage du drain.

Malgr ce fonctionnement plus complexe, les MESFET en GaAs ou en InP,
cause de leur grille trs troite, prsentent des tensions de fonctionnement (donc des
puissances consommes) faibles, et des frquences de coupure qui peuvent
atteindre les 100 GHz. Ils sont principalement utiliss dans l'amplification trs haute
frquence et faible bruit ainsi que pour les logiques ultra-rapides.


Figure III-4 : Structure d'un MESFET (longueur de grille L et d'paisseur de
canal d).

La tension de seuil V
T
, d'un MESFET est gale :
s
d
i T
d qN
V

2
2


o
i
est le potentiel interne et d l'paisseur de la rgion dope. Cette tension seuil
peut galement tre crite en fonction de la tension de pincement V
P
:
p i T
V V

avec :
s
d
p
d qN
V
2
2

Considrons une petite section du MESFET comprise entre y et y + dy. La densit de
courant en ce point peut tre crite en fonction du gradient de la tension du canal :
dy
y dV
qN qN qnv J
c
n d n d
) (


Le courant de drain vaut :
)) ( ( y x d JW I
n D



La largeur de la couche la position y est lie la tension de canal V
C
(y), par :
( )
d
c G i s
n
qN
y V V
y x
) ( 2
) (
+

L'quation du courant peut maintenant tre intgre de la source vers le drain :
c
L
V
p
C G i
n d D
dV
V
V V
dW qN dy I
D

,
`

.
|
+

0 0
1

Comme le courant ltat stable est indpendant de la position, le terme de gauche
est gale au courant I
D
multipli par L de sorte que :

[ ]
( )

,
`

.
|
]
]
]
]

+

D
D
V
p
C G i
V
c n d D
V
V V
V
L
W
d qN I
0
2 / 3
0
3
2

Ce qui nous donne :

( ) ( )
]
]
]
]

,
`

.
|

+

p
G i
p
D G i
D d n D
V
V
V
V V
V
L
W
d N q I
2 / 3 2 / 3
3
2

Ce rsultat est valide tant que la largeur du canal non dpeupl (d - x
n
(y)) est positif,
savoir pour :
T G D
V V V


Cette condition dfinit galement la rgion quadratique d'un MESFET. Pour une plus
grande tension de drain, le courant sature et nous avons :
sat D T G D
V V V V
,


Le courant correspondant est le courant de saturation I
Dsat
:

( )
]
]
]
]

,
`

.
|

p
G i
p T G d n sat D
V
V
V V V
L
W
d N q I
2 / 3
,
3
2

O :
W = Largeur du canal
L = Longueur du canal

n
= mobilit du canal
N
d
= dopage du canal
d = paisseur du canal
i
= Potentiel interne

La diffrence de potentiel entre la grille et le canal tant plus faible l'extrmit
situe prs de la source que du cot drain, le canal est plus resserr proximit du
drain. La Figure III-5 reprsente l'volution des caractristiques typiques du courant
de sortie I
DS
en fonction de la tension V
DS
. Ce rseau est obtenu en faisant crotre la
tension V
DS
pour plusieurs niveaux de la tension V
GS
.

L'observation du rseau de caractristiques (Figure III-5) permet de distinguer
deux zones de fonctionnement du transistor effet de champ. Une rgion appele
zone ohmique dans laquelle le courant de drain varie linairement en fonction de la
tension V
DS
. Une deuxime rgion appele zone de fonctionnement satur o le
courant de drain ne dpend quasiment que de la tension V
GS
.


Figure III-5 : Rseau de caractristiques mesurs I
DS
= f (V
DS
) V
GS
= C
ste
Polarisation V
DS0
= 40V, V
GS0
= -6.5V et I
DS0
= 145mA

Description de la zone linaire
Cette zone est galement appele zone ohmique qui correspond une volution
quasi-linaire du courant de drain (I
DS
) pour de faibles valeurs de la tension drain
source (V
DS
). En effet, pour de faibles valeurs de la tension de drain, le canal reste
de section sensiblement uniforme sous la grille. Le transistor est alors assimilable
une rsistance variable dont la valeur est contrle par la tension de grille. Le
courant varie proportionnellement V
DS
. Certaines applications telles que les
mlangeurs ou les dphaseurs ncessitent en gnral ce rgime de fonctionnement
linaire ou le transistor est polaris froid (V
DS
= 0).

Description de la zone sature
Avec l'accroissement de la tension de drain, la section de la zone dpeuple
(zone de charge d'espace) commence se dformer en devenant beaucoup plus
importante ct drain que ct source. Ce resserrement du canal provoque un
ralentissement de la croissance du courant de drain. Arriv un certain stade,
l'augmentation de la tension V
DS
n'a quasiment plus aucune influence sur le courant.
On nomme le courant de saturation (I
DSS
), lorsque le courant de drain (I
DS
) du
transistor commence rentrer dans la zone de saturation pour une tension de
polarisation de grille V
GS
nulle.

IV. Polarisation du transistor

Le diagramme du circuit de polarisation est reprsent la Figure IV.6. Les valeurs
des rsistances sont calcules en tenant compte du courant de grille dsir (I
G
= 0)
du courant de drain dsir (I
DS
), de la tension de polarisation (V
DS
) et de la tension
grille-source V
GS
de la faon suivante :

DS
GS G
S
I
V V
R


DS
S DS DD
D
I
V V V
R



La rsistance de R
G
augmente la stabilit de l'amplificateur aux basses frquences.


Figure IV.6. Polarisation du transistor

V. Schma quivalent du transistor

Aux frquences leves on utilise gnralement le schma quivalent du transistor
aux hautes frquences.


Figure V.7. Schma quivalent du transistor MESFET SiC


Les lments extrinsques L
G
, R
G
, C
PG
, L
S
, R
S
, L
D
, R
D
et C
PD
sont considrs
comme indpendants de la frquence.

En premire approximation nous pouvons considrer que la capacit C
GS
est
quasiment indpendante de la tension de drain. Dans cette hypothse, la capacit
C
GS
ne dpend alors que de la tension prsente ses bornes.

Le modle que nous avons choisi est le modle non-linaire d'Alaoui comportant
6 paramtres. Le modle de la capacit d'Alaoui est dcrit par les quations ci-
dessous :

B
n
B
eff
GS
eff
GS GS
C
V
V
V
V
C C +

,
`

.
|

1
0

GS B
n
B
eff
B
GS GS
V C
V
V
N
V
C Q +

,
`

.
|

+

+1
0
1
1

Do
2 2
2 1 B T
eff
V V d d
V
+
+

Avec :
( )
2
1
D V V d
B GS
+
( )
2
2
D V V d
B GS



Tableau V-2 : Exemple de valeurs des lments constitutif de la capacit non-linaire C
GS

C
GS0
C
B
V
B
V
T
D N
5.55 10-12 5.55 10-12 8.03 -9.79 -6.98 -1.57

Tableau V-3 : Exemple de valeurs des lments extrinsques dun transistor SiC
R
G
(O) L
G
(pH) C
PG
(fF) R
S
(O) L
S
(pH) R
D
(O) L
D
(pH) C
PD
(fF)
3.25 981 512 6.55 650 5.9 178 107

Tableau V-4 : Exemple de valeurs des lments intrinsques dun transistor SiC
R
I
(O) R
GD
(O) C
GD
(fF) C
DS
(fF)
0.01 147.9 127 509




















MASTER PRO 2 EN TELECOMMUNICATIONS







DISPOSITIFS ET CIRCUITS MICRO-ONDE


Leon 3 :LESCIRCUITSMICROONDES





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Leon 3 : LES CIRCUITS MICRO-ONDES

I. Thorie de conception des amplificateurs

La figure 1 illustre la structure gnrale d'un amplificateur. Elle comprend un
dispositif actif (en gnral un transistor), caractrise par ses paramtres S et
entour de part et d'autre par des rseaux d'adaptation d'impdance. L'tude de ce
schma nous permet de dterminer les grandeurs importantes permettant de
caractriser un amplificateur, notamment, le gain, le facteur de bruit, la stabilit.















Figure 1 : Configuration gnrale d'un amplificateur

I.1. Gain dans un amplificateur

I.1.1. Gain de transfert
Le gain de transfert ou encore gain transduscique correspond au rapport entre
la puissance dlivre la charge P
L
et la puissance disponible d'une source P
AVS
.
2 0 1 2
2
2
21 2
11
2
1
1
1
1
G G G S
S
G
L out
L
S
S
T
=




=
(1)

Avec :
2
21 0
S G =
2
11
2
1
1
1
S
S
S
G


=
2
2
2
1
1
L out
L
G


=

out
est le coefficient de rflexion la sortie du quadriple lorsque celui-ci est
termin par une impdance Z
S
correspondant au coefficient de rflexion
S
. Ces
coefficients sont donns par :
L
L
in
S
S S
S

+ =
22
21 12
11
1

(2)

S
S
out
S
S S
S

+ =
11
21 12
22
1

(3)

Remarque :
Si Z
S
= Z
L
= R
0
, alors
2
21
S G
T
=

I.1.2. Gain disponible
Le gain disponible G
A
ou gain associ est gal au gain transduscique lorsque
la sortie du quadriple est adapte. Il est obtenu en posant
*
out L
= dans l'quation
(1).
2
2
21 2
11
2
1
1
1
1
out
S
S
A
S
S
G



=
(4)


Ce gain est maximum lorsque l'entre et la sortie sont adaptes
simultanment. On dfi nit alors le gain maximum disponible (MAG, (Maximum
Available Gain)), obtenu en posant
*
out L
= et
*
in S
= dans lquation (1).
( )
( )
( )
( )
2
2
*
22
2
21
2
2
2
*
11
2
21
2
1 1
1
1 1
1
in out
in
out in
in
S
S
S
S
MAG


=


=
(4)


Remarques :
Si Z
S
= Z
L
= R
0
, alors 0 =
in
et le gain disponible devient :
2
*
22
2
21
1
out
S
S
MAG

=
(6)


I.2. Stabilit d'un amplificateur

La stabilit dont il est question dans cette partie correspond la stabilit
dfinie par rapport aux impdances de charges (Z
S
et Z
L

S
et
L
). En effet
l'adjonction des rseaux d'adaptation dentre et de sortie peut parfois introduire des
problmes de stabilit et l'amplificateur peut se mettre osciller, c'est pourquoi il est
important d'tudier la stabilit du systme.

I.2.1. Dfinition
Un amplificateur est inconditionnellement stable si les parties relles des
impdances d'entre et de sortie de l'amplificateur sont suprieures zro une
frquence quelle que soit l'impdance de source et de charge. En termes de
coefficients de rflexion, cette condition revient poser l'ingalit suivante :
1 <
S
et 1 <
L
, on a 1 <
in
et 1 <
out

Un amplificateur est conditionnellement stable si :
1 <
S
et 1 <
L
, on a 1 >
in
et 1 >
out

Pour dfinir le critre de stabilit, on tudie le lieu de la limite de stabilit
dfinie par 1 =
in
et 1 =
out
. Aprs analyse :
Le lieu 1 =
in
est un cercle de centre OC
L
et de rayon RC
L
;

( )
2 2
22
*
*
11 22


=
S
S S
OC
L

(6)

2 2
22
12 21

=
S
S S
RC
L

(7)

Le lieu 1 =
out
est un cercle de centre OC
S
et de rayon RC
S
;
( )
2 2
11
*
*
22 11


=
S
S S
OC
S

(9)

2 2
11
12 21

=
S
S S
RC
S

(10)

Avec
21 12 22 11
S S S S = .

Le lieu de stabilit est ainsi dfini soit l'intrieur soit l'extrieur de ces
cercles correspondants au domaine de stabilit. L'analyse graphique de la stabilit
se fait par le trac des cercles de stabilit pour l'entre de l'amplificateur. On
distingue quatre cas de figures correspondant deux ingalits :

1
11
< S : La zone contenant le centre de l'abaque de Smith est stable (Figure
2).


Figure 2 : Zones de stabilit pour 1
11
< S
1
11
> S : La zone contenant le centre de l'abaque de Smith est instable
(Figure 3).

Figure 3 : Zones de stabilit pour 1
11
> S

I.2.2. Analyse de la stabilit inconditionnelle
Dans le fonctionnement inconditionnellement stable d'un amplificateur, on veut
que tout l'intrieur de l'abaque de Smith entrane un comportement instable pour le
quadriple (pour l'entre et la sortie).
Les ingalits exprimes plus haut peuvent s'crire en fonction des
paramtres S du quadriple, l'aide du facteur de Rollet K :
21 12
2 2
22
2
11
2
1
S S
S S
K
+
=
(11)

On peut donc montrer que les conditions ncessaires pour assurer la stabilit
inconditionnelle d'un amplificateur sont celles-ci :
|S
11
| < 1, |S
22
| < 1 et K > 1
Si ces conditions ne sont pas vrifies, l'amplificateur est conditionnellement
stable et il faut donc tracer les cercles de stabilit.

I.2.3. Adaptation en puissance simultane entre sortie
Gnralement, la puissance l'entre d'un systme est fixe par le calcul du
bilan de liaison. Il est donc important de maximiser le gain de l'tage amplificateur
afin de minimiser le nombre d'tages de la chane amplificatrice.
Ceci revient trouver les impdances Z
1
= Z
in
*
et Z
2
= Z
out
*
prsenter
l'entre et la sortie du transistor afin de garantir le transfert maximum de puissance
de la source vers la charge et de la puissance disponible du quadriple.
L'adaptation simultane entre-sortie n'est possible que si le quadriple est
inconditionnellement stable (K>1). Le gain transduscique s'exprime alors par :
( ) 1
2
12
21
+ = K K
S
S
G
T

(12)

Dans le cas o le quadriple est conditionnellement stable, le gain est
maximum pour des valeurs de
max _ S
et
max _ L
qui sont l'extrieur de l'abaque de
Smith et donc qui ne sont pas ralisables l'aide d'lments passifs. Il est donc
inutile de chercher obtenir le gain maximum par adaptation complexe conjugu.
Les terminaisons de sources et de charges permettant de satisfaire le critre de
stabilit conditionnel ne donneront qu'un gain infrieur au gain maximum absolu.
On dfinit alors les cercles gains constants qui permettent de dterminer les lieux
des points dans le plan
S
et
L
pour lesquels les gains G
1
et G
2
sont constants,
lieux qui dcrivent un cercle de centre O
S
et de rayon R
S
en entre et un cercle de
centre O
L
et de rayon R
L
en sortie :
( )
2
11 1
2
11 1
1
1 1
S G
S G
R
S
+

=
(12)

*
11 2
11 1
1
1
S
S G
G
O
S
+
=
(14)

( )
2
22 2
2
22 2
1
1 1
S G
S G
R
L
+

=
(15)

*
22 2
22 2
2
1
S
S G
G
O
L
+
=
(16)


I.2.4. Cercles de bruit et adaptation en bruit
Il est possible de minimiser la contribution en bruit du transistor en lui
prsentant l'entre une impdance de source telle que
opt S
= . Ceci est toujours
possible si le transistor est inconditionnellement stable (K>1). Dans ce cas, la sortie
peut tre adapte en puissance en choisissant
*
out L
= .
Dans le cas d'un transistor conditionnellement stable, il faut choisir
opt
dans la
rgion stable de l'abaque de Smith. Si ce n'est pas le cas, il faut choisir
S
dans la
rgion stable au prix d'un facteur de bruit suprieur au minimum. Ensuite la sortie est
adapte en puissance en prenant une impdance de charge situe dans la zone
stable du cercle de stabilit de la charge.
Le lieu des points pour lesquels le facteur de bruit F est constant correspond
un cercle de centre C
fb
et de rayon R
fb
.
N
C
opt
fb
+

=
1

(17)

( )
N
N N
R
opt
fb
+
+
=
1
1
2
2

(18)

Avec :
2
min
1
4
opt
n
r
F F
N +

=
Le trac de ces cercles permet de chiffrer la dgradation du facteur de bruit
lorsque le coefficient de rflexion prsent l'entre s'loigne de la charge optimale.

II. Amplificateur large bande

Cet amplificateur un seul tage devra avoir un gain de transfert en
puissance aussi constant que possible dans la bande de frquences amplifier de
500 MHz 900 MHz. Le transistor choisi est le BFR 90 (NPN au silicium) pour lequel
au point de polarisation (V
CE
= 8 volts, l
C
= 14 mA), les paramtres S en fonction de
la frquence ont comme valeurs :

Frquence en MHz S
11
S
22
S
21
S
12

300 0.267|-88.5 0.57|-30.8 11.61|112 0.043|68
500 0.178|-122 0.52|-29 7.37|99 0.060|70
700 0.122|-156 0.49|-28 5.45|89 0.082|69
900 0.111|-179 0.46|-27 3.75|77 0.106|69

Les calculs vont tre mens graphiquement en utilisant l'abaque de Smith.

Il importe en premier lieu de tracer, au moins pour les quatre frquences du
tableau ci-dessus, les cercles critiques dinstabilit C
2
en entre et C
1
en sortie qui
dtermineront, le cas chant, les zones interdites respectivement pour les
impdances de charge (coefficient de rflexion
2
) et de source (coefficient de
rflexion
1
).
Le tableau suivant a t tabli partir des quations de (7) (10) donnant les
rayons R
i
et les centres
i
des cercles C
i
(i = 1,2) :
Cercles critiques dinstabilit
Frq. Dterminant
C
1
en sortie C
2
en entre
MHz
2

R
1

1

R
2

2

300 0.44500|-17.35 0.1980 3.940 3.19282|-53.7 3.934 4.77429|41.86
500 0.37603|-20.10 0.1414 4.030 3.09751|-32.2 3.428 4.38829|34.13
700 0.39048|-24.71 0.1525 3.248 2.24195|-11.3 5.100 6.103915|29.80
900 0.34701|-35.17 0.1204 3.678 2.49619|4.4 4.359 5.46122|27.71

On en dduit immdiatement que les cercles C
1
contiennent le centre de
l'abaque puisque a > |S
11
| et que, par consquent, leur surface intrieure est une
zone stable (|S
22
| < 1). Pour les cercles C
2
, c'est l'inverse qui se passe, tant donn
que cette fois on a < |S
22
|.
A partir des lments calculs ci-dessus, les cercles d'instabilit ont t
reports sur l'abaque de Smith - voir figures 4a et 4b. On constate qu'en-dessous de
700 MHz prend naissance une zone instable interfrant avec l'abaque, et ce d'autant
plus que la frquence est plus basse. Bien que pour la suite de l'tude nous allons
utiliser le modle du transistor unilatralis qui, par essence, est inconditionnellement
stable, ces zones interdites, correspondant au transistor rel, seront prendre en
considration lors du choix des coefficients de rflexion tant en entre qu'en sortie.

Figure 4a : Lieux des coefficients de rflexion
1
, prsents par la source qui rendent
la sortie critique

Figure 4b : Lieux des coefficients de rflexion
2
, prsents par la charge, qui
rendent l'entre critique

Pour le transistor suppos unilatralis nous avons calcul en fonction de la
frquence le gain de transfert maximum en puissance G
TUmax
qui est la somme des
trois contributions entre, transistor et sortie. Ce gain est compar, lorsque |K| > 1,
G
Tmax
(quation (11) et (12)). Les rsultats sont regroups ci-dessous. Les diffrents
gains sont exprims en dcibels.


Frquence
(MHz)
Coef.
de
stabilit
K
Gain
ladaptation
G
Tmax

Entre
2
11
1
1
S +

Transistor
S
21

Sortie
2
22
1
1
S +

Gain
unilatralis
max.
G
TUmax

300 0.8030 0.32 21.30 1.70 23.32
500 0.9490 0.14 17.35 1.37 18.86
700 1.0041 17.83 0.065 14.73 1.19 15.985
900 1.1277 13.315 0.055 11.48 1.03 12.57
Avec
2
22
2
21 2
11
max
1
1
1
1
S
S
S
G
TU

=
(19)


On constate que la diffrence G
Tmax
moins G
TUmax
dcrot avec la frquence :
1.85 dB 700 MHz et seulement 0.75 dB 900 MHz, ce qui est intressant dans la
mesure o on cherche obtenir le maximum de gain de l'tage. Par ailleurs, le gain
apport par l'adaptation en entre, c'est--dire pour
*
11 1
S = - ce qui donne
2
11
max 1
1
1
S
G
+
= - est particulirement faible.
Il ne sera donc pas ncessaire, priori, de raliser une cellule d'adaptation en
entre, on aura alors :
0
1
= ; G
1
= 0 dB.
Do noter l'intrt d'un transistor pour lequel |S
11
| est faible. Ainsi dans ce
cas, il vient :
A 900 MHz : G
TU
= 0 + 11.48 + 1.03 12.5 dB
Et 500 MHz : G
TU
= 0 + 17.35 + 1.37 18,7 dB
Recherchant un gain constant dans la bande 500 - 900 MHz, il faudra donc
dsadapter la sortie aux frquences infrieures afin de faire chuter le gain 500 MHz
de 18.7 12.5 = 6.2 dB ; cette mme frquence le "gain" apport par la cellule de
sortie devra donc tre :
G
2
= 1.37 6.2 - 4.8 dB
Le problme est donc maintenant le suivant : raliser une cellule d'adaptation
en sortie qui, 500 MHz, ramnera un coefficient de rflexion ( ) 500
2
tel que
G
2
(500) = - 4.8 dB et qui, 900 MHz, ramnera alors ( ) 900
2
de faon que G
2
(900)
1,03 dB.
On a vu que le lieu des coefficients de rflexion
2
tels que G
2
est constant
est un cercle. Afin de dterminer graphiquement la cellule, nous allons prciser les
cercles correspondant :
G
2
(500) = - 3, - 4 et - 5 dcibels
et G
2
(900) = + 0.5 et 0.8 dcibels.
Les lments de ces cercles, rayons R
G2
et centres
2 G
, figurent dans le
tableau calcul partir des quations (19) et (20) :
Frquence (MHz) G
2
(dB) R
G2

2 G

500 - 3 0.7014 0.2295|29
500 - 4 0.7605 0.1868|29
500 - 5 0.8081 0.1514|29
900 0.5 0.2745 0.4171|27
900 0.8 0.1824 0.4408|27
Remarque :
Lieu de
2
tel que G
2
= constante = cercle G
2
:
( )
2
22 2
2
22 2
2
1
1 1
S G
S G
R
G
+

=
(20)

*
11 2
22 2
2
2
1
S
S G
G
G
+
=
(20)


Ces cercles ont t ensuite tracs sur labaque de Smith constituant la figure 5. On
procde alors par approximations successives ; nous avons retenu les
cheminements suivants :
Se plaant 900 MHz, on va de 0 P en ajoutant un condensateur en srie
dont la capacit C se dduit de lgalit : 73 . 1
0
j
C R
j
=

; do C = 2.05 pF.

Figure 5 : Adaptation large bande en sortie de lamplificateur

A 500 MHz maintenant, cette valeur de capacit nous conduit au point P tel
que : jx
C R
j
=

0
, soit x = 3.11 ;
Toujours 500 MHz, mais cheminant cette fois sur l'abaque admittance, on
rejoint le cercle G
2
= -4.8 dB (en fait -5 dB sur la figure) au point daffixe
( ) 500
2
= 0.902 |77.5. Pour ce faire, il faut rajouter une bobine en parallle
dont la self inductance L est dfinie par : 285 . 0 80 . 0
0
j j
L
jR
=

; do L =
14.67 nH.

Repassant 900 MHz, cette valeur d'inductance nous mne finalement au
point d'affixe ( ) 900
2
= 0.613 |21, cette valeur se dduisant de la relation
425 . 0
0
j jy
L
jR
=

donnant y = 0.178.
La cellule d'adaptation large bande en sortie sera donc simplement constitue,
partant de la charge R
0
= 50 , d'un condensateur srie puis dune bobine parallle
selon le schma de la figure 6 :






Figure 6 : Cellule en sortie ralisant ladaptation large bande

III. Oscillateur

III.1. Rappels thoriques
Le transistor dont on connait la matrice de rpartition [S] la frquence de
fonctionnement dsire est suppos charg par l'impdance Z
L
dont le coefficient de
rflexion associ est :
0
0
R Z
R Z
L
L
L
+

=
(22)

Le coefficient de rflexion S
11
vu l'entre du transistor ainsi charg est donc :
L
L
S
S S
S S

+ =
22
21 12
11
'
11
1

ce qu'illustre le schma ci-dessous :

Figure 7 : Coefficient de rflexion ramen l'entre de l'oscillateur : condition
d'oscillation.

Tout se passe comme si on ramenait une impdance Z= R + jX telle que :
0
0
'
11
R Z
R Z
S
+

= ce qui en module donne :

( )
( )
2 2
0
2 2
0 '
11
X R R
X R R
S
+ +
+
=
(23)

La condition classique d'oscillation potentielle R < 0 se traduit donc en termes
de coefficients de rflexion par |S
11
| > 1, sous une autre forme, si le module du
coefficient de rflexion vu l'entre du transistor est infrieur l'unit, il sera alors
impossible de raliser un oscillateur. C'est prcisment le cas, quelle que soit la
valeur de
L
pour un transistor inconditionnellement stable. En pratique on choisira
donc un transistor tel que |K| < 1.
) 500 (
2
= 0.902 |77.5
) 900 (
2
= 0.613 |21
Ce choix tant fait, la premire tape consistera tracer sur l'abaque de Smith
le lieu des coefficients de rflexion
L
tels que |S'
11
| = 1 (on a vu du reste qu'il
s'agissait d'un cercle), et de dterminer la zone instable interfrant avec cet abaque ;
c'est l que nous y slectionnerons
L
.
Au cours de la deuxime tape, nous en dduirons alors la valeur de
l'impdance Z
S
devant charger l'entre. Pour cela, on peut partir du schma :






Figure 8 : Choix de limpdance de source ralisant l'accord

Lorsque la source E n'est pas teinte, on a la relation suivante entre onde
incidente b
1
et onde rflchie a
1
:
S S
b b a + =
1 1

(24)

Avec :
0
0
R Z
R Z
S
S
S
+

= et
0
0
R Z
R E
b
S
S
+
=
On dduit, par exemple en utilisant la rgle de Mason que :
'
11
'
11 1
1 S
S
b
b
S S

=
(25)


Il y aura donc oscillation, c'est--dire existence de londe rflchie b
1
alors que
E = 0, pour un coefficient de rflexion la frquence dsire tel que
S
S
11
= 1, soit :
'
11
1
S
S
=
(26)

Ainsi, ayant dtermin
L
et
S
, nous sommes maintenant mme de
calculer notre oscillateur

Exemple d'investigation avec un transistor naturellement instable : recherche
du maximum dinstabilit.
Il est en fait difficile de trouver un transistor tel que |K| < 1, comme le montre
sur trois exemples le tableau ci-dessous :
Transistor Frquence K metteur commun
BFT 65 1.8 GHz 1.197
BFR 90 1.8 GHz 1.136
BFR 34 A 1.8 GHz 1.125

Mme en base commune, ces transistors restent inconditionnellement stables. Il
existe cependant quelques composants que le constructeur a conus spcialement
en vue d'applications comme oscillateurs. Citons le HXTR 4101. A 2 GHz, en base
commune, les paramtres de rpartition ont pour valeurs :
S
11
= 0.964|144
S
21
= 1.95|-59
1
'
11
= S
S

(E = 0)
S
12
= 0.039|120
S
22
= 1.068|-45
On dduit = 0.97075|101.8
Do
2
= 0.94236
Et ainsi K = - 0,83865.
On a donc bien |K| < 1 ; aussi nous passons la premire tape qui consiste
tracer le cercle d'i nstabilit en entre dfini par :
2 2
22
21 12
2

=
S
S S
R ;
( )
2 2
22
*
*
11 22
2


=
S
S S

Lapplication numrique donne : R
2
= 0.38358 ;
2
= 0.71084|63.9
On vrifie que
2
- R
2
> 0; le cercle ne contient pas le centre de l'abaque de
Smith, ce qui tait prvoir tant donn que < |S
22
| ; et, comme par ailleurs |S11|
< 1, l'intrieur de ce cercle est donc zone instable ; c'est l, condition de rester
l'intrieur de l'abaque, qu'il conviendra de choisir
L
.
Il semble naturel, supposant priori l'unicit de la solution, de se placer en un
point rendant maximale linstabilit, c'est--dire tel que |S'
11
| soit le plus grand
possible, sous rserve que ce point reste toujours l'intrieur de l'abaque. Cela nous
a conduit rechercher, d'une faon plus gnrale, le lieu des coefficients de rflexion
L
ramenant en entre un coefficient S
11

de module k suprieur l'unit. Les calculs

conduisent au rsultat suivant :
Le lieu des
L
tels que |S
11

| = k est un cercle :
Rayon
2 2
22
2
21 12
) (

=
S k
S S k
k R
(a1)

Centre
( )
2 2
22
2
*
*
11 22
2
) (


=
S k
S S k
k
(a2)

On a montr par ailleurs :
O tant le centre de l'abaque de Smith
P le point reprsentatif ) 1 (
K le point reprsentatif de ) (k - k > 1

que l'angle OPK reste constant et gal
1
lorsque k varie. Ainsi, les centres sont
aligns et
1
se dduit de la relation :

22 21 12
2 2
22
2
21
2
12
2 2
22
2
22
2
11
2 2 2
22
) cos( ) 1 ( 2
S S S S
S S S S S S

+ +

=
(27)

L'application numrique pour le transistor considr conduit au tableau ci-dessous :
k R(k) ) (k
1 0.3836 0.7108|63.9
1.05 0.2534 0.7838|55.7
1.10 0.1911 0.8235|52.3
1.20 0.1303 0.8641|49.3
1.35 0.0903 0.8912|47.6
1.5 0.0702 0.9045|46.8
2 0.0420 0.9220|45.8
3 0.0245 0.9307|45.3
8 0.0 0.9363|45.0

R(k) y dcrot rapidement en fonction de k (
dk
dR
< 0) et tend vers zro lorsque k tend
vers l'infini (figure 9).

Figure 9 : Dcroissance en fonction du coefficient k du rayon des cercles d'instabilit

Les centres ) (k ont t reports sur l'abaque de Smith la figure 10. Ils
se dplacent effectivement sur une droite. Le calcul utilisant lquation (27)
donne
1
= 120.47comme on peut le vrifier.


Figure 10 : Lieu des coefficients de rflexion
L
de la charge ramenant en entre une
instabilit k donne

Notons le rsultat important :
22
1
) (
S
= et comme R( ) = 0, nous avons rsolu
notre problme. Le point rendant maximale l'instabilit en entre est celui la rendant
infinie ; son affixe ) (
L
est telle que :
22
1
) (
S
L
=
(28)

La solution est bien sr unique, elle pouvait se dduire du simple examen de S
'
11
.
Elle conduit (deuxime tape) :
0 ) ( =
S

(29)

Il n'y aura donc pas besoin de raliser un circuit d'adaptation en "entre". Rappelons
cependant que ces conclusions ne sont valables que parce que |S
22
| > 1 ; dans le
cas contraire, nous serions conduits la configuration reprsente sur la figure 11 ci-
aprs :


Figure 11 : Cercles d'instabilit dans le cas o |S
22
| < 1; cercle tangentiel d'instabilit

La valeur maximale de l'instabilit que l'on peut alors obtenir est celle pour
laquelle le cercle |S

11
| = constante tangente extrieurement l'abaque de Smith. Soit
k
t
cette valeur, il vient donc la relation :
1 ) ( ) ( + =
t t
k R k
(30)

d'o on en dduit la valeur de k
t
. Les calculs conduisent lexpression :
( )( )
2
22
2
11
2 2
22
2
21
2
12 21 12
1
1
S
S S S S S S
k
t

+
=
(30)

Ainsi dans le cas o IS
22
I < 1, le coefficient de rflexion
L
qu'il conviendra de
retenir sera :
L
(k
t
) = 1 (k
t
)
(32)


point T sur la figure 11.

Ces considrations drives de l'tude d'un oscillateur partir du HXTR 4101
ne doivent pas faire oublier qu'il existe une autre configuration que l'on rencontrera
en pratique.

Ralisation utilisant un transistor pour lequel > |S
22
|. Il s'agit du LAE 2001
R. Dans la plage de frquences centre sur 1.9 GHz nous intressant, ce transistor
est inconditionnellement stable, que ce soit en base commune ou en metteur
commun. Cependant le fait de placer une capacit de faible valeur (1 picofarad)
entre collecteur et base du montage E.C. nous a permis de crer artificiellement une
zone de fonctionnement instable. En effet, passant du plan mesure au plan maquette
on a obtenu 1.9 GHz les valeurs suivantes :

S
11
= 0.47315|-37
S
22
= 0.1122|87
S
21
= 1.2589|-117
S
12
= 0.5309|-74
d'o = 0.6956|-7.2et on dduit donc :
K = 0.9332 < 1 ; > I S
22
I

Les cercles paramtrs en valeurs de k ont t reprsents sur la figure 12 o
l'on remarquera les cercles critiques d'instabilit (k = 1) et tangentiel d'instabilit (k =
k
t
).


Figure 12 : Coefficient de rflexion
L
de la charge dduit du cercle tangentiel
dinstabilit, cas o > |S
22
|.

Pour la valeur particulire k
t
= 1.1183, le cercle C
kt
est tangent l'abaque de
Smith ; on calcule :
R(k
t
) = 1.5965 et (k
t
) = 0.5965|-4.85
Ces trois valeurs sont dduites des quations (a1), (a2) et (30). La relation
donnant k
t
reste en effet valable lorsque > |S
22
|.
La valeur du coefficient de rflexion qu'il serait souhaitable que la charge Z
L

ramne est donc :
L
(k
t
) = 1|175.15
Ce qui permet de calculer Z
L
= j 2.1175 , puis L
L
= 0.1774 nH.
L'application numrique donne alors S
'
11
= 1.1182|-28.35d'o l'on tire :
S
(k
t
) = 0.8943|28.35.
Do Z
S
= 44.386 + j 188.19 , R
S
= 44.386 et L
S
= 15.764 nH.
Ce qui nous donne le schma de la figure 13.

Figure 13 : Oscillateur 1.9 GHz