Introduccin a los Tiristores

12.1- Introduccin

La electrnica de potencia concierne a los circuitos con tiristores, a su diseo y a su funcin en el control de potencia en un sistema. Existen gran variedad de tiristores, pero todos ellos tienen ciertas propiedades en comn: son dispotivos de estado slido que se disparan bajo ciertas condiciones pasando de un estado de alta impedancia a uno de baja, estado que mantiene mientras que la corriente y la tensin sean superiores a un valor mnimo denominado niveles de mantenimiento. Estructuralmente, todos los tiristores consisten en varias capas alternadas de silicio dopado con impurezas p y n. El disparo de un tiristor se realiza inyectando corrientes en esas uniones de forma que, mediante una reaccin regenerativa, conmuta o conduccin y lo mantiene en este estado aunque la seal de disparo sea retirada, siempre que se verifiquen unos requerimientos mnimos de tensin y corriente. Estas caractersticas hacen que los tiristores sean mucho ms tiles que los conmutadores mecnicos, en trminos de flexibilidad, duracin y velocidad. Estos dispositivos se utilizan en control de potencia, convertidores DC-DC o DCAC o AC-DC o AC-AC, motores, luz incandescente, etc.

En la figura 12.1 se muestran los smbolos de los dispositivos pertenecientes a la familia de los tiristores. El rectificador controlado se silicio o Silicon Controlled Rectifiers (SCR) es el tiristor de mayor inters hoy en da. Fue introducido en 1956 por los laboratorios de Bell Telephone y son capaces de controlar hasta 10MW con niveles de corriente de hasta 2000A a 18000V. El control de estos dispotivos se realiza a travs de transistores, familias lgicas, luz (en triacs optoelectrnicos), transistores de uniunin (UJTs), transistores uniunin programables (PUTs), conmutadores bidireccionales de silicio (SBSs), etc.

SCR.
1. DEFINICIN. 2. ESTRUCTURA. 3. APPLET CURVA CARACTERSTICA Y FUNCIONAMIENTO. 4. CARACTERSTICAS GENERALES. 4.1 CARACTERSTICAS ESTTICAS. 4.2 CARACTERSTICAS DE CONTROL. 4.3 CARACTERSTICAS DINMICAS. 4.4 CARACTERSTICAS TRMICAS. 5. MTODOS DE DISPARO. 5.1 DISPARO POR PUERTA. 5.2 DISPARO POR MDULO DE TENSIN. 5.3 DISPARO POR GRADIENTE DE TENSIN (dV/dt). 5.4 DISPARO POR RADIACIN. 5.5 DISPARO POR TEMPERATURA. 6. CONDICIONES NECESARIAS PARA EL CONTROL DE UN SCR. 7. LIMITACIONES DEL TIRISTOR. 7.1 LIMITACIONES DE LA FRECUENCIA DE FUNCIONAMIENTO. 7.2 LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE TENSIN dV/dt. 7.3 LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE INTENSIDAD dI/dt. 7.4 PROTECCIONES CONTRA dV/dt Y dI/dt. 7.5 LIMITACIONES DE LA TEMPERATURA. 8. 9. EXTINCIN DEL TIRISTOR. TIPOS DE CONMUTACIN. APLICACIONES DEL SCR.

1.

DEFINICIN.

El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, ( Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn (Figura 2). Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo nodo y Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Puerta Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal, , ( rectificador y amplificador a la vez.

Figura 1: Smbolo del SCR.

2.

ESTRUCTURA.

Figura 2 : Estructura bsica del SCR.

3. CURVA CARACTERSTICA Y FUNCIONAMIENTO. La curva caracterstica del SCR es la representada en el siguiente Applet:

En el Applet se muestra la curva caracterstica tpica de un tiristor SCR, representndose la corriente de nodo (Ia) en funcin de la tensin aplicada entre nodo y ctodo (Vak). Cuando la tensin Vak es nula, tambin lo es la intensidad de corriente Ia. Al aumentar dicha tensin en sentido directo, con corriente de puerta nula, si se supera la tensin Vb0, la transicin de estado OFF a ON deja de ser controlada. Si se desea que el paso al estado "ON" se realice para tensiones Vak inferiores a Vb0, ser necesario dotar al dispositivo de la corriente de puerta (Ig) adecuada para que dicha transicin se realice cuando la intensidad de nodo supere la intensidad de enganche (IL ). Por el contrario, si el dispositivo esta en conduccin, la transicin al estado "OFF" se produce cuando la corriente de nodo caiga por debajo de la intensidad de corriente de mantenimiento (Ih).

Tanto para el estado de bloqueo directo, como para el estado de polarizacin inversa, existen unas pequeas corrientes de fugas. Cuando se polariza inversamente se fugas observa una dbil corriente inversa (de fuga) hasta que alcanza el punto de tensin inversa mxima que provoca la destruccin del mismo. El SCR es, por tanto, un dispositivo conductor solo en el primer cuadrante, en el cual el disparo se provoca por: - tensin suficientemente elevada aplicada entre nodo y ctodo, - intensidad en la puerta. Se puede controlar as la tensin necesaria entre nodo y ctodo para la transicin OFF ON, usando la corriente de puerta adecuada.

4. CARACTERSTICAS GENERALES. Interruptor casi ideal. Soporta tensiones altas. Amplificador eficaz. Es capaz de controlar grandes potencias. Fcil controlabilidad. Relativa rapidez. Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (memoria). 4.1 CARACTERSTICAS ESTTICAS. Las caractersticas estticas corresponden a la regin nodo - ctodo y son los valores mximos que colocan al elemento en lmite de sus posibilidades: - Tensin inversa de pico de trabajo .............................................: VRWM - Tensin directa de pico repetitiva ...............................................: VDRM - Tensin directa ...........................................................................: VT - Corriente directa media ...............................................................: ITAV : - Corriente directa eficaz ................................................................: ITRMS ...............................................: - Corriente directa de fugas ............................................................: IDRM - Corriente inversa de fugas ............................................................: IRRM - Corriente de mantenimiento ..........................................................: IH Las caractersticas trmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores son: - Temperatura de la unin ................................................................: Tj - Temperatura de almacenamiento ...................................................: Tstg - Resistencia trmica contenedor-disipador ......................................: Rc-d - Resistencia trmica unin-contenedor ............................................: Rj-c - Resistencia trmica unin-ambiente.................................................: Rj-a - Impedancia trmica unin-contenedor.............................................: Zj-c 4.2 CARACTERSTICAS DE CONTROL.

Corresponden a la regin puerta-ctodo y determinan las propiedades del circuito de mando que responde mejor a las condiciones de disparo. Los fabricantes definen las

siguientes caractersticas: -Tensin directa mx. ....................................................................: VGFM - Tensin inversa mx. ...................................................................: VGRM - Corriente mxima..........................................................................: IGM - Potencia mxima ..........................................................................: PGM - Potencia media .............................................................................: PGAV .: - Tensin puerta-ctodo para el encendido......................................: VGT - Tensin residual mxima que no enciende ningn elemento.............: VGNT - Corriente de puerta para el encendido ...........................................: IGT - Corriente residual mxima que no enciende ningn elemento............: IGNT Entre los anteriores destacan: - VGT e IGT , que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor. - VGNT e IGNT, que dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado. 4.2.1 rea de disparo seguro.

En esta rea (Figura 3) se obtienen las condiciones de disparo del SCR. Las tensiones y corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por las curvas: Curva A y B: lmite superior e inferior de la tensin puerta-ctodo en funcin de la corriente positiva de puerta, para una corriente nula de nodo. Curva C: tensin directa de pico admisible VGF. Curva D: hiprbola de la potencia media mxima P GAV que no debemos sobrepasar.

Figura 3. Curva caractersticas de puerta del tiristor. El diodo puerta (G) - ctodo (K) difiere de un diodo de rectificacin en los siguientes puntos: Una cada de tensin en sentido directo ms elevada. Mayor dispersin para un mismo tipo de tiristor. 4.3 CARACTERSTICAS 4.3.1 Caractersticas DINMICAS. dinmicas.

Tensiones transitorias: - Valores de la tensin superpuestos a la seal de la fuente de alimentacin. Son breves y de gran amplitud. - La tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM) debe estar dentro de esos valores. Impulsos de corriente: - Para cada tiristor se publican curvas que dan la cantidad de ciclos durante los cuales puede tolerarse una corriente de pico dada (Figura 4). - A mayor valor del impuso de corriente, menor es la cantidad de ciclos. - El tiempo mximo de cada impulso est limitado por la temperatura media de la unin.

Figura 4. Curva de limitacin de impulsos de corriente. ngulos de conduccin: - La corriente y tensin media de un SCR dependen del ngulo de conduccin. - A mayor ngulo de conduccin, se obtiene a la salida mayor potencia. - Un mayor ngulo de bloqueo o disparo se corresponde con un menor ngulo de conduccin (Figura 5): ngulo de conduccin = 180 - ngulo de disparo - Conociendo la variacin de la potencia disipada en funcin de los diferentes ngulos de conduccin podremos calcular las protecciones necesarias.

Figura 5. ngulo de bloqueo y conduccin de un tiristor. 4.3.2 Caractersticas de conmutacin. Los tiristores no son interruptores perfectos, necesitan un tiempo para pasar de corte a conduccin y viceversa. Vamos a analizar este hecho. 4.3.2.1 Tiempo de encendido

on

Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de corte a conduccin. Se divide en dos partes (Figura 6): Tiempo de retardo (td): tiempo que transcurre desde que la corriente de puerta

alcanza el 50 % de su valor final hasta que la corriente de nodo alcanza el 10 % de su valor mximo. Depende de la corriente de mando, de la tensin nodo - ctodo y de la temperatura (td disminuye si estas magnitudes aumentan). Tiempo de subida (tr): tiempo necesario para que la corriente de nodo pase del 10 % al 90 % de su valor mximo, o, el paso de la cada de tensin en el tiristor del 90 % al 10 % de su valor inicial.

T =t
on

Figura 6. Tiempo de encendido.

4.3.2.2

Tiempo de apagado

)
off

dos

Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de conduccin a corte. Se divide en partes (Figura 7):

Tiempo de recuperacin inversa (trr): tiempo en el que las cargas acumuladas en la conduccin del SCR, por polarizacin inversa de este, se eliminan parcialmente. Tiempo de recuperacin de puerta (tgr): tiempo en el que, en un nmero suficiente bajo, las restantes cargas acumuladas se recombinan por difusin, permitiendo que la puerta recupere su capacidad de gobierno.

T =t
off

rr

gr

Figura 7. Tiempo de apagado. La extincin del tiristor se producir por dos motivos: reduccin de la corriente de nodo por debajo de la corriente de mantenimiento y por anulacin de la corriente de nodo.

4.4

CARACTERSTICAS

TRMICAS.

Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor, ste disipa una cantidad de energa que produce un aumento de la temperatura en las uniones del semiconductor. Este aumento de la temperatura provoca un aumento de la corriente de fugas, que a su vez provoca un aumento de la temperatura, creando un fenmeno de acumulacin de calor que debe ser evitado. Para ello se colocan disipadores de calor.

5.

MTODOS

DE

DISPARO. DISPARO.

Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar polarizada en directo y la seal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente larga como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de nodo mayor que IL, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber circular una corriente mnima de valor IH, marcando el paso del estado de conduccin al estado de bloqueo directo. Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son: Por Por Por mdulo gradiente Disparo Disparo de por puerta. tensin. tensin (dV/dt) radiacin. por temperatura. de

El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y gradiente de tensin son modos no deseados. 5.1 DISPARO POR PUERTA.

Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin en la puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y ctodo a la vez que mantenemos una tensin positiva entre nodo y ctodo.

Figura 8. Circuito de control por puerta de un SCR. El valor requerido de VT necesario para disparar el SCR es: VT = VG + IG R - R viene dada por la pendiente de la recta tangente a la curva de mxima disipacin de potencia para obtener la mxima seguridad en el disparo (Figura 9). R = VFG / IFG

Figura 9. Recta tangente a la curva de mxima disipacin de potencia.

5.2

DISPARO POR MDULO DE TENSIN.

Es el debido al mecanismo de multiplicacin por avalancha. Esta forma de disparo no se emplea para disparar al tiristor de manera intencionada; sin embargo ocurre de forma fortuita provocada por sobre tensiones anormales en los equipos electrnicos.

5.3

DISPARO POR GRADIENTE DE TENSIN.

Una subida brusca del potencial de nodo en el sentido directo de conduccin provoca el disparo. Este caso ms que un mtodo, se considera un inconveniente.

Figura 10. Zona de disparo por gradiente de tensin.

5.4

DISPARO POR RADIACIN.

Est asociado a la creacin de pares electrn-hueco por la absorcin de la luz del elemento semiconductor. El SCR activado por luz se llama LASCR. 5.5 DISPARO POR TEMPERATURA. El disparo por temperatura est asociado al aumento de pares electrn - hueco generados en las uniones del semiconductor. As, la suma ( 1+ 2) tiende rpidamente a la unidad al aumentar la temperatura. La tensin de ruptura permanece constante hasta un cierto valor de la temperatura y disminuye al aumentar sta.

6. CONDICIONES NECESARIAS PARA EL CONTROL DE UN SCR. Para el control en el disparo: - nodo positivo respecto al ctodo. - La puerta debe recibir un pulso positivo con respecto al ctodo. - En el momento del disparo Iak > IL. Para el control en el corte: - Anulamos la tensin Vak. - Incrementamos RL hasta que Iak< IH.

7. 7.1

LIMITACIONES DEL TIRISTOR. LIMITACIONES DE LA FRECUENCIA DE FUNCIONAMIENTO.

- La frecuencia de trabajo en los SCR no puede superar ciertos valores. - El lmite es atribuible a la duracin del proceso de apertura y cierre del dispositivo. - La frecuencia rara vez supera los 10 Khz.

7.2

LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE TENSIN dV/dt.

"dV/dt" es el valor mnimo de la pendiente de tensin por debajo del cual no se producen picos transitorios de tensin de corta duracin, gran amplitud y elevada velocidad de crecimiento. a) Causas: - La alimentacin principal produce transitorios difciles de prever en aparicin, duracin (inversamente proporcional a su amplitud) y amplitud. - Los contactores entre la alimentacin de tensin y el equipo: cuya apertura y cierre pueden producir transitorios de elevada relacin dV/dt (hasta 1.000 V/s) produciendo el basculamiento del dispositivo. - La conmutacin de otros tiristores cercanos que introducen en la red picos de tensin. b) Efectos: - Puede provocar el cebado del tiristor, perdiendo el control del dispositivo. - La dV/dt admisible varia con la temperatura.

7.3

LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE INTENSIDAD dI/dt.

"dI/dt" es el valor mnimo de la pendiente de la intensidad por debajo de la cual no se producen puntos calientes. a) Causas: - Durante el cebado, la zona de conduccin se reduce a una parte del ctodo cerca de la puerta, si el circuito exterior impone un crecimiento rpido de la intensidad, en esta zona la densidad de corriente puede alcanzar un gran valor. - Como el cristal no es homogneo, existen zonas donde la densidad de Intensidad es mayor (puntos calientes). b) Efectos: - En la conmutacin de bloqueo a conduccin la potencia instantnea puede alcanzar valores muy altos. - La energa disipada producir un calentamiento que, de alcanzar el lmite trmico crtico, podra destruir el dispositivo.

7.4

PROTECCIONES CONTRA dV/dt Y dI/dt.

Solucin: colocar una red RC en paralelo con el SCR y una L en serie. Calculo: mtodo de la constante de tiempo y mtodo de la resonancia.

Figura 11. Circuito de proteccin contra dV/dt y dI/dt. 7.4.1 Mtodo de la constante de tiempo.

Clculo de R y C: 1. Se calcula el valor mnimo de la constante de tiempo de la dV/dt del dispositivo y el valor de R y C: = ( 0,63 VDRM ) / ( dV/dt )mn C = / RL Rs = VA(mx) / ( ITSM - IL ) donde: VDRM = tensin de pico repetitiva de bloqueo directo. IL = corriente en la carga. RL = resistencia de carga. ITSM = corriente directa de pico no repetitiva. VA(mx) = tensin de nodo mxima. = coeficiente de seguridad (de 0,4 a 0,1). 2. Hallamos el valor de Rmn que asegura la no superacin de la dI/dt mxima especificada (a partir de la ecuacin de descarga de C): R mn = ( VA(mx) / ( dI /dt ) C ) Clculo de L: L = VA(mx) / ( dI / dt) 7.4.2 Mtodo de la resonancia.

Elegimos R, L y C para entrar en resonancia. El valor de la frecuencia es: f = (dV / dt ) / 2 VA (mx) En resonancia: f = 1 / 2 (LC) ) L
2

C = 1 / ( 2 f

El valor de L es el que ms nos interese, normalmente: L= 50 H.

El valor de R ser:

Rs = (L / C)

7.5

LIMITACIONES DE LA TEMPERATURA.

En los semiconductores de potencia, se producen prdidas durante el funcionamiento que se traducen en un calentamiento del dispositivo. Si los perodos de bloqueo y de conduccin en un tiristor son repetitivos, la potencia media disipada en un tiristor ser:

La potencia disipada en los tiristores durante la conduccin, es mucho mayor que la disipada durante el bloqueo y que la potencia disipada en la unin puerta - ctodo. Podemos decir que las prdidas con una tensin de alimentacin dada y una carga fija, aumentan con el ngulo de conduccin (). Si la conduccin se inicia en t1 y termina en t2, la potencia media de perdidas ser:

Si representamos la VAK en funcin de la IA, tendremos la siguiente relacin: VAK = V0 + IA R V0 y R son valores aproximadamente constantes para una determinada familia de tiristores y para una determinada temperatura de la unin. En ste caso nos encontraremos dentro de la zona directa de la curva caracterstica (Figura 12).

Figura 12. Operando con las ecuaciones anteriores: PAV = V0 IA(AV) + R ( IA(RMS))2 Esta ecuacin se encuentra representada mediante curvas para distintas formas de onda (sinusoidal, rectangular,...) y para distintos ngulos de conduccin en la figura siguiente. La potencia que se disipa, depende del valor medio de la corriente y del valor eficaz,

entonces depender del factor de forma: a = f = IA(RMS) / IA(AV)

Figura 13. Una vez elegido el tiristor y teniendo en cuenta los parmetros ms importantes como son la potencia total disipada y temperatura, y calculada tambin la potencia media que disipa el elemento en el caso ms desfavorable, procederemos a calcular el disipador o radiador ms apropiado para poder evacuar el calor generado por el elemento semiconductor al medio ambiente.

8. EXTINCIN DEL TIRISTOR. TIPOS DE CONMUTACIN. Entenderemos por extincin, el proceso mediante el cual, obligaremos al tiristor que estaba en conduccin a pasar a corte. En el momento en que un tiristor empieza a conducir, perdemos completamente el control sobre el mismo.

El tiristor debe presentar en el tiempo ciertas condiciones para pasar de nuevo a corte. Este estado implica simultneamente dos cosas: 1. La corriente que circula por el dispositivo debe quedar completamente bloqueada. 2. La aplicacin de una tensin positiva entre nodo y ctodo no debe provocar un disparo indeseado del tiristor. Existen diversas formas de conmutar un tiristor, sin embargo podemos agruparlos en dos grandes grupos: 8.1 CONMUTACIN NATURAL.

a) Libre. b) Asistida. 8.2 CONMUTACIN FORZADA.

a) Por contacto mecnico. b) Por circuito resonante. -Serie -Paralelo c) Por carga de condensador. d) Por tiristor auxiliar.

9. APLICACIONES DEL SCR. Las aplicaciones de los tiristores se extiende desde la rectificacin de corrientes alternas, en lugar de los diodos convencionales hasta la realizacin de determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos, pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente continua en alterna. La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada en conduccin estar controlada por la seal de puerta. De esta forma se podr variar la tensin continua de salida si se hace variar el momento del disparo ya que se obtendrn diferentes ngulos de conduccin del ciclo de la tensin o corriente alterna de entrada. Adems el tiristor se bloquear automticamente al cambiar la alternancia de positiva a negativa ya que en este momento empezar a recibir tensin inversa. Por lo anteriormente sealado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones, entre ellas estn las siguientes: Controles Circuitos de Fuentes de Interruptores Controles de relevador. retardo de tiempo. alimentacin reguladas. estticos. de motores.

 Ciclo Cargadores Circuitos Controles Controles de fase.

Recortadores. Inversores. de de de conversores. bateras. proteccin. calefaccin.

SCR - Smbolo, estructura y funcionamiento bsico.

El SCR (Rectificador controlado de silicio) es un dispositivo semiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador casi ideal. El smbolo y estructura del SCR son:

Analizando los diagramas: A = nodo, G = compuerta o Gate y C = K = ctodo

Funcionamiento bsico del SCR

El siguiente grfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su funcionamiento. Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1. IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa ms corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1, y...... Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.

Los parmetros del SCR son:

VRDM: Mximo voljaje inverso de cebado (VG = 0) VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0) IF: Mxima corriente directa permitida. PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo. - VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado. - di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR. Nota: dv/dt, di/dt: Ver parmetros del SCR en SCR en corriente continua

Curva caracterstica del SCR

En la figura inferior de muestra la dependencia entre el voltaje de conmutacin y la corriente de compuerta. Cuando el SCR est polarizado en inversa se comporta como un diodo comn (ver la corriente de fuga caracterstica que se muestra en el grfico). En la regin de polarizacin en directo el SCR se comporta tambin como un diodo comn, siempre que el SCR ya haya sido activado (On). Ver los puntos D y E. Para valores altos de corriente de compuerta (IG) (ver punto C), el voltaje de nodo a ctodo es menor (VC).

Si la IG disminuye, el voltaje nodo-ctodo aumenta. (ver el punto B y A, y el voltaje anodo-ctodo VB y VA). Concluyendo, al disminuir la corriente de compuerta IG, el voltaje nodo-ctodo tender a aumentar antes de que el SCR conduzca (se ponga en On / est activo)

Tiristor / SCR y la corriente continua

Activacin, el pulso, desactivacin, tiristor con carga inductiva
Antes de iniciar la lectura de este tutorial se recomienda leer el tutorial el tiristor. Si ya lo hizo o no lo considera conveniente, contine. El funcionamiento de un tiristor en corriente continua es fcil de entender. Normalmente el tiristor trabaja con polarizacin entre nodo (A) y ctodo (C o K) (la corriente en el sentido de la flecha del tiristor). directa circula

Con esta condicin, slo es necesario aplicar un pulso en la compuerta (G) para activarlo. Este pulso debe de tener una amplitud mnima, para que la corriente de compuerta (IG) provoque la conduccin.

Activacion del tiristor

En el grfico siguiente se ve una aplicacin sencilla del tiristor en corriente continua. El SCR se comporta como un circuito abierto hasta que activa su compuerta (GATE) con un pulso de tensin que causa una pequea corriente. (se cierra momentneamente el interruptor S). El tiristor conduce y se mantiene conduciendo, no necesitando de ninguna seal adicional para mantener la conduccin. No es posible desactivar el tiristor (que deje de conducir) con la compuerta.

Caractersticas del pulso de disparo

La duracin del pulso aplicado a la compuerta G debe ser lo suficientemente largo para asegurar que la corriente de nodo se eleve hasta el valor de retencin. Otro

aspecto importante a tomar en cuenta es la amplitud del pulso, que influye en la duracin de ste.

Desactivacin de un tiristor
El tiristor una vez activado, se mantiene conduciendo, mientras la corriente de nodo (IA) sea mayor que la corriente de mantenimiento (IH). Normalmente la compuerta (G) no tiene control sobre el tiristor una vez que este est conduciendo. Opciones para desactivar un tiristor: 1. Se abre el circuitos del nodo (corriente IA = 0) 2. Se polariza inversamente el circuito nodo-ctodo (el ctodo tendr un nivel de tensin mayor que el del nodo) 3. Se deriva la corriente del nodo IA , de manera que esta corriente se reduzca y sea menor a la corriente de mantenimiento IH. Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tiristor seguir conduciendo hasta que por l pase una cantidad de corriente menor a la llamada "corriente de mantenimiento o de retencin (IH)", lo que causar que el SCR deje de conducir aunque la tensin VG (voltaje de la compuerta con respecto a tierra) no sea cero. Como se puede ver el SCR , tiene dos estados: 1- Estado de conduccin, en donde la resistencia entre nodo y ctodo es muy baja 2- Estado de corte, donde la resistencia es muy elevada.

El Tiristor con carga inductiva

Cuando la carga del SCR no es resistiva pura como se muestra en el grfico anterior si no, una carga inductica, (se comporta como un inductor), es importante tomar en cuenta el tiempo que tarda la corriente en aumentar en una bobina. El pulso que se aplica a la compuerta debe ser lo suficientemente duradero para que la corriente de la carga iguale a la corriente de enganche y as el tiristor se mantenga en conduccin.

Tiristor / SCR y la corriente alterna

Antes de iniciar la lectura de este tutorial se recomienda leer los

tutoriales el tiristor y el tiristor en corriente continua. Si ya lo hizo o no lo considera conveniente, contine

Control de fase con tiristor

Se usa principalmente para controlar la potencia que se entrega a una carga. (en el caso de la figura es un bombillo o foco) La fuente de voltaje puede ser de 110V c.a., 120V c.a., 240V c.a. , etc. La potencia suministrada a la carga se controla variando el ngulo de conduccin. El circuito RC produce un corrimiento de la fase entre la tensin de entrada y la tensin en el condensador que es la que suministra la corriente a la compuerta del SCR. Como R es un potencimetro, el valor resistivo puede variar y as producir un corrimiento de fase ajustable, que causar que la entrega de potencia a la carga (el bombillo) tambin sea variable. Con sto se logra que la intensidad de la luz en el bombillo vare. El diodo en la compuerta del SCR se usa para bloquear la tensin de compuerta durante el ciclo negativo (de 180 a 360)

Formas de onda de la seal de entrada y en la carga para diferentes corrimientos de fase.

- El 1er diagrama muestra la onda de entrada. Observar los ptos. 0, 180 y 360. - El 2do diagrama muestra la seal aplicada a la carga cuando el disparo es a los 45 - El 3er diagrama muestra la seal aplicada a la carga cuando el disparo es a los 150. En el segundo y tercer diagrama se ve que la semionda negativa ha desaparecido, y esto es debido a que el tiristor se comporta, cuando est conduciendo, como un diodo. El rea bajo la curva en el segundo y tercer diagrama representa la energa transferida a la carga. El segundo diagrama tiene un rea bajo la curva mayor, entonces indica que, en este caso, hay ms energa entregada al bombillo que en el tercer diagrama. El mximo corrimiento de fase se logra cuando el potencimetro tiene su mayor valor y el mnimo cuando este tiene su valor ms pequeo. Ver que cuando R = 0 (valor mnimo del potencimetro) el capacitor est en paralelo con el tristor y el ste se comporta prcticamente como un diodo, pues se dispara casi inmediatamente que la seal de entrada pasa los 0.

Proteccin del Tiristor

Proteccin contra los incrementos bruscos de corriente, proteccin contra cambios bruscos de tensin
Antes de iniciar la lectura de este tutorial se recomienda leer los tutoriales el tiristor, tiristor en corriente continua y tiristor en corriente alterna. Si ya lo hizo o no lo considera conveniente, contine. El tiristor puede daarse si no se toman algunas precauciones.

- Proteccin contra incrementos bruscos de corriente (di/dt).

"La derivada de la corriente con respecto al tiempo". La di/dt mxima es especificada por el fabricante. Este problema aparece cuando se tiene una carga capacitiva (tiene el comportamiento de un capacitor). Un capacitor descargado se comporta inicialmente (al ser conectado) como un corto circuito y la gran demanda de corriente tiene que atravesar el tiristor. Para evitar este problema se pone en serie con la carga un inductor (ver diagrama) de poco valor, para retardar el incremento de la corriente a un valor aceptable. Acordarse que el inductor se opone a cambios brusco de corriente.

- Proteccin contra cambios bruscos de tensin (dv/dt).

"La derivada de la tensin con respecto al tiempo". Los cambios bruscos de tensin entre el nodo (A) y el ctodo (K = C), pueden producir cebados no deseados, causando con ello que el tiristor se dispare y empiece a conducir. El dv/dt mximo es especificado por el fabricante. A veces por diferentes motivos, la tensin entre los terminales del SCR pueden cambiar en forma repentina y de manera evidente (el cambio de tensin es grande) Para evitar este inconveniente, se utiliza un circuito RC en paralelo con el tiristor como se muestra en el grfico de la derecha. Este circuito limita la velocidad de subida de la tensin en los terminales del tiristor. Acordarse que el capacitor se opone a cambio bruscos de tensin.

TRIAC. Control de potencia en corriente alterna

El Triac es un dispositivo semiconductor que pertenece a la familia de los dispositivos de control tiristores. El triac es en esencia la conexin de dos tiristores en paralelo pero conectados en sentido opuesto y compartiendo la misma compuerta. (ver imagen).

El triac slo se utiliza en corriente alterna y al igual que el tiristor, se dispara por la compuerta. Como el triac funciona en corriente alterna, habr una parte de la onda que ser positiva y otra negativa. La parte positiva de la onda (semiciclo positivo) pasar por el triac siempre y cuando haya habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de arriba hacia abajo (pasar por el tiristor que apunta hacia abajo), de igual manera: La parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasar por el triac siempre y cuando haya habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de abajo hacia arriba (pasar por el tiristor que apunta hacia arriba) Para ambos semiciclos la seal de disparo se obtiene de la misma patilla (la puerta o compuerta). Lo interesante es, que se puede controlar el momento de disparo de esta patilla y as, controlar el tiempo que cada tiristor estar en conduccin. Recordar que un tiristor slo conduce cuando ha sido disparada (activada) la compuerta y entre sus terminales hay un voltaje positivo de un valor mnimo para cada tiristor) Entonces, si se controla el tiempo que cada tiristor est en conduccin, se puede controlar la corriente que se entrega a una carga y por consiguiente la potencia que consume. Ejemplo: Una aplicacin muy comn es el atenuador luminoso de lmparas incandescentes (circuito de control de fase). Donde: Ven: Voltaje aplicado al L: P: C: condensador R: T: A2: Anodo 2 A3: Anodo 3 - G: Gate, puerta o compuerta del Triac

circuito

del del

(A.C.) lmpara potencimetro (capacitor) Resistor Triac Triac Triac

El triac controla el paso de la corriente alterna a la lmpara (carga), pasando continuamente entre los estados de conduccin (cuando la corriente circula por el triac) y el de corte (cuando la corriente no circula) Si se vara el potencimetro, se vara el tiempo de carga de un capacitor causando que se incremente o reduzca la diferencia de fase de la tensin de alimentacin y la que se aplica a la compuerta

Notas: - La diferencia de fase o la fase entre dos seales u ondas se define como el ngulo (diferencia de tiempo) que existe entre los dos orgenes de las mismas. - En este documento se utiliza el termino tiristor como sinnimo de SCR.

DIAC (Diode Alternative Current). Diodo de disparo bidireccional

Control de potencia en corriente alterna (AC)
El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para disparar TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensin). Tiene dos terminales: MT1 y MT2. Ver el diagrama.

El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados en formas opuesta. La conduccin se da cuando se ha superado el valor de tensin del zener que est conectado en sentido opuesto. El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga. La conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza. Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra en conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante control de fase. La curva caracterstica del DIAC se muestra a continuacin

En la curva caracterstica se observa que cuando - +V o - V es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un circuito abierto - +V o - V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un cortocircuito Sus principales caractersticas son: - Tensin de disparo - Corriente de disparo - Tensin de simetra (ver grafico anterior) - Tensin de recuperacin - Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia de 0.5 a 1 watt.)