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Irregularidades de los arreglos cristalinos: Dislocaciones UNIDAD1: Configuraciones Estructurales Fecha de entrega: 04/Abril/2011 ALUMNOS: Aguilar Torres Alin Antonio Florentina Daniel de Jess Bonillas Lpez Mario de Jess Cano Prez Alejandro Moiss Len Jcome Marco Antonio Tapia Gonzlez Jorge Arturo MATERIA: Ingeniera de los Materiales Metlicos
HORA: 11-12
Figura 4-4 El cristal perfecto (a) se corta y se ranura una distancia atmica (b) y (c). La lnea a lo largo de la cual se hace el corte es una dislocacin de tornillo. Se requiere un vector de Burgers b para cerrar un ciclo de distancias atmicas iguales en torno a la dislocacin de tornillo.
Vector de Burgers b: Direccin y distancia en que se mueve una dislocacin en cada etapa; tambin se llama vector de deslizamiento.
Figura 4-5 El cristal perfecto en (a) se corta y se intercala un plano adicional de tomos (b). El borde inferior del plano adicional es una dislocacin de borde (c). Se requiere un vector de Burgers b para cerrar un circuito de distancias atmicas iguales en torno a la dislocacin de borde.
Dislocaciones mixtas
Como se observa en la figura 4-6, las dislocaciones mixtas tienen componentes de borde y de tornillo, con una regin de transicin entre ellas. Sin embargo, el vector de Burgers queda igual para todas las porciones de la dislocacin mixta. En la figura 4-7 se ve un esquema de la lnea de deslizamiento, el plano de deslizamiento y el vector de deslizamiento (vector de Burgers). El vector de Burgers y el plano ayudan a explicar cmo se deforman los materiales.
Cuando se aplica una fuerza cortante en la direccin del vector de Burgers a un cristal que contenga una dislocacin, sta se puede mover, rompiendo los enlaces de los tomos en un plano. El plano de corte se desplaza un poco para establecer enlaces con el plano parcial de tomos originales. El desplazamiento hace que la dislocacin se mueva una distancia atmica hacia el lado. Si contina este proceso, la dislocacin se mueve a travs del cristal hasta que se produce un escaln en el exterior del mismo; el cristal se ha deformado plsticamente. Otra analoga es el movimiento de avance de una oruga. Levanta algunas de sus patas en determinado momento, y usa el movimiento para ir de un lado a otro, sin levantar todas las patas al mismo tiempo. Una gran diferencia entre el movimiento de una oruga y el de una dislocacin es la velocidad con que se mueven! La velocidad con la que se propagan las dislocaciones en los materiales es cercana o mayor que la velocidad del sonido. Otra forma de visualizar esto es imaginar cmo se movera una onda en una alfombra.
Figura 4-7 Esquema de lnea de deslizamiento, plano de deslizamiento y vector de deslizamiento (de Burgers) para (a) una dislocacin de borde y (b) una dislocacin de tornillo.
Observacin de Dislocaciones La existencia de las dislocaciones fue postulada unos 25 aos antes que los primeros informes de su observacin. Los lugares donde las dislocaciones intersecan la superficie de un cristal son sitios de energa relativamente alta. Cuando se ataca un metal, con un tratamiento de reaccin qumica que implica exponer al metal a un cido o una base, las reas donde las dislocaciones llegan a la superficie del cristal reaccionan con ms rapidez que las partes que las rodean. Estas regiones que reaccionan se ven en la microestructura como figuras de corrosin. La figura 4-11 muestra un esquema de los planos de deslizamiento, las dislocaciones y las figuras de corrosin. La figura 4-12 muestra una distribucin de figuras de corrosin en la superficie de un cristal de carburo de silicio (SiC). Tambin se usa el microscopio electrnico de transmisin (TEM, por sus siglas en ingls), descrito en el captulo 3, para observar las dislocaciones. En una imagen normal de TEM con aumentos muy grandes, las dislocaciones aparecen como lneas oscuras, como se muestra en las figuras 4-13(a). Cuando hay miles de dislocaciones que se mueven sobre la superficie de un cristal, producen las lneas visibles llamadas lneas de deslizamiento [Fig. 4-13(b)]. A un grupo de lneas de deslizamiento se le llama banda de deslizamiento [fig. 4-13(c)].
Figura 4-11 Esquema para ilustrar dislocaciones, planos de deslizamiento y lugares de figuras
Figura 4-13 Fotomicrografas electrnicas de dislocaciones en Ti3AI: (a) apilamientos de dislocaciones (36500 x). (b) Micrografa a 100 x que muestra las lneas de deslizamiento y los lmites de grano en el Al. (c) Esquema del desarrollo de bandas de deslizamiento.
cualquier momento, y la fuerza que se requiere para deformar al metal es pequea. Se puede demostrar que la resistencia real de los metales es de 103 a 104 veces menor que la esperada a partir de la resistencia de los enlaces atmicos. En segundo lugar, el deslizamiento proporciona ductilidad a los metales. Si no hubiera dislocaciones, una barra de hierro sera frgil y los metales no se podran moldear en formas tiles con los procesos de trabajo propios de ellos, como la forja, por ejemplo. En tercer lugar, se controlan las propiedades de un metal o una aleacin interfiriendo con el movimiento de las dislocaciones. Un obstculo introducido en el cristal evita que una dislocacin se deslice, a menos que se apliquen fuerzas mayores. As, la presencia de dislocaciones ayuda a endurecer los materiales metlicos. En los materiales se encuentran cantidades enormes de dislocaciones. La densidad de dislocaciones o longitud total de dislocaciones por unidad de volumen es lo que suele usarse para representar la cantidad de dislocaciones presentes. Las densidades de dislocacin de 106 cm/cm3 son normales en los metales ms suaves, mientras que al deformar el material se pueden alcanzar densidades hasta de 1012 cm/cm3. Las dislocaciones tambin influyen sobre las propiedades electrnicas y pticas de los materiales. Por ejemplo, la resistencia del cobre puro aumenta al aumentar la densidad de dislocaciones. la resistividad del cobre puro depende mucho de pequeas concentraciones de impurezas. De igual forma, la velocidad con la que los portadores de carga, como los electrones, pueden moverse en el silicio depende de la densidad de dislocaciones. Es preferible usar cristales de silicio donde esencialmente no hay dislocaciones, porque esto permite el movimiento ms rpido de los portadores de carga, como son los electrones. Normalmente, la presencia de dislocaciones tiene un efecto perjudicial sobre la eficiencia de los fotodetectores, los diodos emisores de luz, los lseres y las celdas solares.[11] Frecuentemente, estos dispositivos se fabrican con semiconductores compuestos, como el arseniuro de galio-arseniuro de aluminio (GaAs-AlAs), y las dislocaciones en estos materiales pueden deberse a desigualdades de concentracin en el fundido donde crecen estos cristales o a esfuerzos inducidos por gradientes trmicos a los que estn expuestos los cristales durante su enfriamiento desde la temperatura de crecimiento.