VLSI Transstores1

FEUP/DEEC
Setembrode2007
TransstoresMOS
JooCanasFerreira
Tpicosde
ProjectodeCircuitosVLSI
VLSI Transstores2
Contedo
Incluifigurasde:
J.Rabaey,A.Chandrakasan,B.Nikolic
DigitalIntegratedCircuits,2ed,PrenticeHall
Copyright2003PrenticeHall/Pearson
z
TransstoresMOS:modelosestticos
z
modeloclssico
z
modeloDSM
z
Comportamentodinmico
z
Fenmenosadicionaisrelevantes
VLSI Transstores3
Objectivos
z
CompreensointuitivadaoperaodoMOSFET
(reviso)
z
Introduodasequaesbsicasde
funcionamento(reviso)
z
Introduodemodelossimplificadosparaanlise
manual(esttica&dinmica)
z
Anlisedeefeitosde2ordem(transstoresDSM)
VLSI Transstores4
TransstorMOS
Poli-silcio
Alumnio
VLSI Transstores5
Conceitodetensodelimiar
n+ n+
p-substrate
D S
G
B
V
GS
+
-
Depletion
Region
n-channel
Conduo:V
GS
>V
T
NMOS:V
B
=0,PMOS:V
B
=V
DD
VLSI Transstores6
Atensodelimiar
PotencialdeFermi:

F
=
T
ln(
n
i
N
A
)
Zonadocanalpassaatipon(inversoforte)para:
V
DS
=2
F
V
T
=V
T0
+(
.
2
F
+V
SB

.
2
F
)
=
.
2q c
si
N
A
C
ox
C
ox
=
c
ox
t
ox
c
si
:permitividadeelctricadosilcio
comocoeficientedeefeitodecorpo
efeitodecorpo

T
=
kT
q
=26mV , 300 K
VLSI Transstores7
Efeitodecorpo
Tensodelimiarpodeduplicar.
VLSI Transstores8
Caractersticadeumtransstortradicional
Relao
quadrtica
0 0.5 1 1.5 2 2.5
0
1
2
3
4
5
6
x 10
-4
V
DS
(V)
I
D

(
A
)
VGS= 2.5 V
VGS= 2.0 V
VGS= 1.5 V
VGS= 1.0 V
Linear
(resistiva)
Saturao
V
DS
= V
GS
- V
T
VLSI Transstores9
Zonalineardefuncionamento
n
+
n
+
p-substrate
D
S
G
B
V
GS
x
L
V(x)
+
V
DS
I
D
MOS transistor and its bias conditions
I
D
=k '
n
W
L
|
(V
GS
V
T
) V
DS

V
DS
2
2

V
GS
V
T
V
DS
VLSI Transstores10
Transstoremsaturao
n+ n+
S
G
V
GS
D
V
DS
> V
GS
- V
T
V
GS
- V
T
+
-
Pinch-off
V
GS
V
DS
V
T
I
D
=
k '
n
2
W
L
(V
GS
V
T
)
2
VLSI Transstores11
Relaotensocorrente(canallongo)
k
n
=k '
n

W
L
=
factordeganhodeumtransstor
:parmetroemprico
VLSI Transstores12
Modeloparaanlisemanual
(1verso)
VLSI Transstores13
RelaotensocorrenteparadispositivosDSM
Relao
linear
-4
V
DS
(V)
0 0.5 1 1.5 2 2.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
x 10
I
D

(
A
)
VGS= 2.5 V
VGS= 2.0 V
VGS= 1.5 V
VGS= 1.0 V
Saturao
prematura
(DSM=deepsubmicron)
VLSI Transstores14
Saturaodevelocidade

(V/m)

c
= 1.5

n

(
m
/
s
)

sat
= 10
5
Mobilidade constante (declive = )
Velocidade constante
(campoelctrico)
VLSI Transstores15
Comparaoentretransstoreslongosecurtos
I
D
Canal longo
Canal curto
V
DS
V
DSAT
V
GS
- V
T
V
GS
= V
DD
V
DSAT

L
sat
j
n
I
DSAT
=j
n
C
ox
W
L
( (
V
GS
V
T
)
V
DSAT
V
DSAT
2
)
Simplificaoemprica:
(comerroconsidervelnazonadetransio
entreregiolinearedesaturaodevelocidade)
VLSI Transstores16
I
D
versusV
GS
0 0.5 1 1.5 2 2.5
0
1
2
3
4
5
6
x 10
-4
V
GS
(V)
I
D

(
A
)
0 0.5 1 1.5 2 2.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
x 10
-4
V
GS
(V)
I
D

(
A
)
quadrtica
quadrtica
linear
Canal longo Canal curto
VLSI Transstores17
I
D
versusV
DS
-4
V
DS
(V)
0 0.5 1 1.5 2 2.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
x 10
I
D

(
A
)
VGS= 2.5 V
VGS= 2.0 V
VGS= 1.5 V
VGS= 1.0 V
0 0.5 1 1.5 2 2.5
0
1
2
3
4
5
6
x 10
-4
V
DS
(V)
I
D

(
A
)
VGS= 2.5 V
VGS= 2.0 V
VGS= 1.5 V
VGS= 1.0 V
Linear Saturao
V
DS
= V
GS
- V
T
Canallongo Canalcurto
Ateno:Asescalasverticaissodiferentes.
saturao
develocidade
VLSI Transstores18
Modelounificadoparaanlisemanual
S
D
G
B
(segundaverso)
VLSI Transstores19
ModelosimplesversusSPICE
0 0.5 1 1.5 2 2.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
x 10
-4
V
DS
(V)
I
D

(
A
)
Saturao de
velocidade
Linear
Saturao
V
DSAT
=V
GT
V
DS
=V
DSAT
V
DS
=V
GT
VLSI Transstores20
TransstorPMOS
-2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
x 10
-4
V
DS
(V)
I
D

(
A
)
Todas as variveis so
negativas
VGS = -1.0V
VGS = -1.5V
VGS = -2.0V
VGS = -2.5V
VLSI Transstores21
Parmetrosparaanlisemanual
VLSI Transstores22
Otransstorcomointerruptor
V
GS

V
T
R
o n
S
D
R
on
nolinear,variacomt
edependedopontodefuncionamento
R
eq
=
1
t
2
t
1

t
1
t
2
R
on
(t ) dt
R
eq

1
2
( R
on
(t
1
)+R
on
(t
2
))
DescargadecondensadordeV
DD
aV
DD
/2
I
D
V
DS
V
GS
=V
DD
V
DD
/2 V
DD
R
0
R
mid
VLSI Transstores23
Contedo
Incluifigurasde:
J.Rabaey,A.Chandrakasan,B.Nikolic
DigitalIntegratedCircuits,2ed,PrenticeHall
z
TransstoresMOS:modelosestticos
z
modeloclssico
z
modeloDSM
z
Comportamentodinmico
z
Fenmenosadicionaisrelevantes
VLSI Transstores24
Comportamentodinmicodotransstor
D
S
G
B
C
GD
C
GS
C
SB
C
DB
C
GB
(capacidadesparasitasaconsiderar)
C
GS
=C
GCS
+C
GS0
C
SB
=C
Sdiff
C
GD
=C
GCD
+C
GD0
C
DB
=C
Ddiff
C
GB
=C
GCB
VLSI Transstores25
Capacidadedaporta
t
ox
n
+
n
+
Vista de corte
L
xido de silcio
x
d
x
d
L
d
Porta de poli-silcio
Vista de cima
Porta-substrato
(sobreposio)
Fonte
n
+
Dreno
n
+
W
C
GS0
=C
GD0
=C
ox
x
d
W=C
o
W
VLSI Transstores26
Capacidadedaporta:regimesdeoperao
S
D
G
C
GC
S
D
G
C
GC
S
D
G
C
GC
Cut-off
Resistive Saturation
Regies mais importantes para circuitos digitais: saturao e corte
Notao:C
gb
=C
GCB
,C
gs
=C
GCS
,C
gd
=C
GCD
,L
eff
=L
VLSI Transstores27
Capacidadedaporta
WLC
ox
WLC
ox
2
2WLC
o
x
3
C
GC
C
GCS
V
DS
/
(
V
GS
-V
T
)
C
GCD
0 1
C
GC
C
GCS
= C
GCD
C
GCB
WLC
ox
WLC
ox
2
V
GS
Capacidade em funo de VGS
(com VDS = 0)
Capacidade em funo do
grau de saturao
VLSI Transstores28
Capacidadededifuso
fundo
Parede lateral
parede lateral
Canal
Fonte
N
D
Channel-stop

Substrato
W
x
j
L
S
VLSI Transstores29
Capacidadedejuno

0
=
T
ln(
N
A
N
D
n
i
2
)
V
D
:tensoaosterminaisdajunopn
VLSI Transstores30
Linearizaodacapacidadedejuno
Substituirumacapacidadenolinearporumacapacidadeequivalente,
linear,quedesloqueamesmaquantidadedecarga
paraavariaodetensodeinteresse.
VLSI Transstores31
CapacidadesdeumprocessoCMOS0.25m
VLSI Transstores32
Contedo
Incluifigurasde:
J.Rabaey,A.Chandrakasan,B.Nikolic
DigitalIntegratedCircuits,2ed,PrenticeHall
z
TransstoresMOS:modelosestticos
z
modeloclssico
z
modeloDSM
z
Comportamentodinmico
z
Fenmenosadicionaisrelevantes
VLSI Transstores33
Otransstorsubmicromtrico

Variaodetensodelimiar

Conduo"sublimiar"

Resistnciasparasitas
VLSI Transstores34
Variaodatensodelimiar
V
T
L
limiar para canal longo limiar para V
DS
baixo
Limiar como funo do
comprimento (para V
DS
baixo)
Abaixamento de barreira induzida
pelo dreno (DIBL)
(para pequeno L)
V
DS
V
T
VLSI Transstores35
Conduo"sublimiar"
ValorestpicosparaS:
60..100mV/dcada
OdecliveinversoS
S V
GS
para I
D2
/I
D1
=10
I
D
I
0
e
qV
GS
nkT
, n1
VLSI Transstores36
CorrentesublimiarI
D
vsV
GS
I
D
=I
0
e
qV
GS
nkT
(
1e

qV
DS
kT
)
VLSI Transstores37
CorrentesublimiarI
D
vsV
DS
V
GS
de 0 to 0.3V
I
D
=I
0
e
qV
GS
nkT
(
1e

qV
DS
kT
)
(
1+\V
DS
)
VLSI Transstores38
Regiesdeoperao:resumo
z
InversoforteV
GS
>

V
T
z
Linear(resistiva)V
DS
<

V
DSAT
z
Saturado(correnteconstante)V
DS

V
DSAT
z
Inversofraca(sublimiar)V
GS

V
T
z
ExponencialemV
GS
edependncialineardeV
DS
VLSI Transstores39
Resistnciasparasitasdefonteedreno
W
L
D
Drain
Drain
contact
Polysilicon gate
D S
G
R
S
R
D
V
GS,eff