1.1.

MECANISMUL CONDUCŢIEI

Atomul este format dintr-un nucleu, care conţine neutroni (particule fără
sarcină electrică) şi protoni (particule cu sarcină electrică pozitivă). În jurul
nucleului, gravitează pe diverse orbite, electroni (particule cu sarcină electrică
negativă). Cînd numărul protonilor este egal cu numărul electronilor, atomul este
neutru din punct de vedere electric.
În anumite împrejurări, electronii pot să sară de pe o orbită pe alta, emiţînd
sau absorbind cuante de energie. Electronii situaţi pe orbita cea mai apropiată de
nucleu sînt mai strîns legaţi de acesta, pe cînd electronii de pe ultima orbită –
electronii de valenţă, sînt cei mai slab legaţi de nucleu. Ei determină numărul de
valenţă al elementului considerat.
În mişcarea lor, electronii posedă anumite energii bine definite, deci posedă
anumite niveluri energetice. Unitatea de măsură pentru nivelul energetic se numeşte
electronvolt (eV) şi

1 eV = 1,6 ∙ 10-19 J

Cînd are loc cuplarea electronilor de valenţă ai atomilor vecini dintr-un cristal,
electronii cuplaţi în reţeaua cristalină, au posibilitatea să ocupe nivelurile energetice
cuprinse în anumite benzi de energie, numite benzi permise, şi nu numai niveluri
enegetice discrete corespunzătoare atomului izolat.
De regulă, electronii ocupă niveluri de energie minimă din banda ocupată,
denumită şi banda de valenţă. Datorită agitaţiei termice sau sub influenţa unui cîmp
electric aplicat din exterior, electronii îşi sporesc energia şi pot trece pe nivelurile
permise superioare, în banda liberă, denumită şi bandă de conducţie, şi astfel ei
devin electroni liberi sau electroni de conducţie, care pot să circule în întreaga reţea
cristalină.
La un material conductor, banda de valenţă se întrepătrunde, cu banda de
conducţie (figura 1.4), iar numărul electronilor liberi, este foarte mare. Sub acţiunea
unui cîmp electric oricît de slab, electronii liberi capătă o mişcare ordonată în sens
contrar cîmpului şi astfel apare curentul electric în corpul conductor. Cînd
materialul conductor primeşte energie din afară (ex.: prin încălzire), electronii liberi
pot părăsi corpul, dînd naştere emisiei electronice.

banda liberă
banda liberă
(de conducţie)
ΔE banda interzisă
banda ocupată
(de valenţă)
banda ocupată

Figura 1.4 Figura 1.5

La corpurile izolante (Figura 1.5), numărul electronilor liberi este foarte mic,
iar benzile de conducţie şi de valenţă, care constituie benzile permise, sînt separate
printr-o bandă interzisă cu lărgimea de 5...10 eV, în care nu se află electroni. În acest
caz, conducţia poate să apară numai dacă unii electroni din banda de valenţă
dobîndesc prin încălzire puternică, sau sub acţiunea unui cîmp electric de
intensitate mare, energii suficient de mari pentru a deveni liberi.
Corpurile semiconductoare au o structură a benzilor de energie asemănătoare
cu cea a izolatoarelor, singura deosebire fiind lărgimea mai mică a benzilor interzise
(Figura 1.6). La germaniu, lărgimea benzii interzise este ΔE = 0,76 eV, iar la siliciu ΔE
= 1,1 eV.

banda liberă

ΔE banda interzisă

banda ocupată

Figura 1.6

Cînd electronul posedă suficientă energie, el poate să treacă din banda de valenţă în
banda de conducţie, lăsînd în urma lui un nivel energetic neocupat. Absenţa unui
electron din banda de valenţă poartă numele de gol. Golul trebuie privit ca o
particulă activă, cu sarcina electrică pozitivă, egală în valoare absolută cu sarcina
electronului. Electronii şi golurile se numesc purtători de sarcină şi ei participă la
conducţia curentului electric în semiconductor.
În majoritatea lor, electronii de valenţă ai atomilor unui semiconductor (cum
ar fi siliciul) nu sînt liberi să se deplaseze în întregul volum al semiconductorului. Ei
participă în schimb la legăturile covalente care menţin ansamblul atomilor
semiconductorului dintr-o structură cristalină periodică. Fiecare atom al cristalului
are patru vecini imediat apropiaţi şi împarte cu aceşti vecini electronii săi de valenţă
(atomii semiconductorilor sînt elemente din grupa a IV-a).
În cazul în care toţi electronii de valenţă sînt legaţi prin legături covalente,
conducţia electrică nu este posibilă deoarece nu există purtători de sarcină liberi,
care să se deplaseze. În consecinţă, un material care are această dispoziţie a
electronilor se comportă ca un izolator. Ca exemplu, de astfel material se poate cita
diamantul, care este o formă cristalină a carbonului.
Distribuţia reală a electronilor de valenţă dintr-un semiconductor diferă de cea
prezentată prin faptul că la toate temperaturile peste zero absolut, cîteva legături
covalente sînt incomplete. Electronii care lipsesc din aceste legături nu mai sînt
menţinuţi în regiunea legăturilor, ci sînt liberi să se deplaseze.
La temperatura camerei, aproximativ un atom din fiecare zece miliarde are o
legătură ruptă (Figura 1.7). Deşi aceste legături rupte sînt atît de rare, ele au un efect
enorm asupra proprietăţilor electrice ale semiconductoarelor. Un material este
considerat drept semiconductor şi nu un izolator, în cazul în care numărul de
legături rupte este de ordinul 108 pe cm3.
 e-
+4 +4 +4

+
+4 +4 +4

+4 +4 +4

Figura 1.7

Consecinţa acestor legături covalente rupte este faptul că există două grupuri
distincte şi independente de purtători de sarcină care poartă curenţii electrici în
semiconductoare.
O clasă de purtători de sarcină sînt electronii de conducţie, care sînt produşi
în momentul în care un electron de valenţă se eliberează dintr-o legătură, iar cealaltă
clasă este asociată electronilor de valenţă care rămîn legaţi în legăturile covalente.
Este evident că o legătură ruptă este asociată cu o regiune localizată de sarcină
pozitivă (în vecinătatea legăturii rupte există un exces de sarcină ionică pozitivă faţă
de sarcina electrică negativă). Această regiune de sarcină pozitivă se numeşte gol,
deoarece rezultă dintr-un defect sau loc liber în structura legăturilor.
Mişcarea sarcinii pozitive localizate are loc datorită faptului că un electron de
valenţă dintr-o legătură situată în apropierea legăturii rupte (în apropierea golului)
poate umple locul liber, făcînd prin aceasta ca golul să se deplaseze în direcţie
opusă (figura 1.8).

+4 +4 +4

+4 +4 +4
Gol
e-
+4 +4 +4

Figura 1.8

În felul acesta, electronii de valenţă se pot deplasa de la legătură la legătură,

fără a dobîndi totuşi energie suficientă pentru a se elibera de structura legăturilor. În
consecinţă, golul se poate deplasa în material fără ca prin aceasta să influenţeze
într-un fel electronii de conducţie.
Acest model de semiconductor introdus, corespunde semiconductorului
intrinsec. La acest tip, reţeaua cristalină este considerată ca avînd în noduri numai
atomi ai semiconductorului de bază şi nu prezintă defecte. Într-un semiconductor
intrinsec, prin ruperea unei legături covalente se formează o pereche electron-gol,
deci concentraţiile celor două tipuri de purtători sînt egale.
Notînd cu n concentraţia de electroni şi cu p concentraţia de goluri din
semiconductor, valoarea lor comună se numeşte concentraţia intrinsecă şi este
notată ni. Deci,
n = p = ni.
Concentraţia intrinsecă depinde de temperatura absolută şi de lărgimea benzii
interzise ΔE:
 ,

unde:
A – constantă, iar k – constanta lui Boltzmann.
Concentraţiile golurilor şi electronilor sînt puternic influenţate de cantităţi
infime de impurităţi, care se adaugă la un semiconductor în timpul fabricării lui.
Procesul prin care într-un semiconductor se introduc impurităţi se numeşte dopare,
iar semiconductorii respectivi se numesc semiconductori extrinseci.
Dacă reţeaua cristalină a unui semiconductor tetravalent (germaniu, siliciu)
este dopată cu o impuritate pentavalentă (stibiu, fosfor, arseniu, bismut), cel de-al
cincilea electron de valenţă nu participă la formarea legăturii covalente, fiind slab
legat de atomul său. Chiar la temperatura camerei acest al cincilea electron poate să
devină liber şi astfel atomii de impuritate constituie o sursă de electroni de
conducţie în reţeaua semiconductorului (figura 1.9).
Electronul de impuritate, devenit liber, nu lasă în urma sa un gol ci un ion
pozitiv de impuritate, fix, în reţeaua cristalină a semiconductorului.

+4 +4 +4

e-
+4 +5 +4

+4 +4 +4

Figura 1.9

Notînd cu nn concentraţia de electroni, pn concentraţia de goluri din materialul

semiconductor, ND concentraţia atomilor de impuritate, ND+ concentraţia de ioni
pozitivi, avem următoarele relaţii:

Aceste impurităţi se numesc donoare (de tip n), iar semiconductorul cu

impurităţi donoare se numeşte semiconductor de tip n. Într-un semiconductor de tip
n electronii de conducţie (datoraţi atomilor de impuritate) sînt în număr mare şi se
numesc purtători mobili de sarcină majoritari, iar golurile sînt în număr mic şi se
numesc purtători de sarcină minoritari.
Cînd reţeaua cristalină a unui semiconductor tetravalent este dopat cu
impurităţi trivalente (atomi de indiu, galiu, aluminiu etc.), atunci o legătură covalentă
dintre un atom de impuritate şi un atom de semiconductor rămîne nesatisfăcută. Din
cauza agitaţiei termice (chiar la temperatura camerei), electronii de valenţă
dobîndesc un surplus de energie şi unii dintre ei vor completa legăturile covalente
nesatisfăcute ale atomilor de impuritate, lăsînd goluri în urma lor (figura 1.10).
Deoarece electronul care a completat legătura covalentă liberă rămîne fixat în
cadrul legăturii covalente a atomului de impuritate, acesta din urmă se transformă în
ion negativ. Mecanismul de formare a unui gol nu a fost însoţit de apariţia unui
electron de conducţie.

+4 +4 +4

+4 +3 +4
Gol
e-
+4 +4 +4

Figura 1.10

Notînd cu pp numărul de goluri, np concentraţia de electroni, NA concentraţia

atomilor de impuritate, NA- concentraţia de ioni negativi din materialul
semiconductor, avem următoarele relaţii:

Asemenea impurităţi se numesc acceptoare (de tip p), iar semiconductorul cu

impurităţi acceptoare se numeşte semiconductor de tip p. Într-un asemenea
semiconductor, purtătorii mobili de sarcină majoritari (proveniţi din atomii
impurităţilor) sînt golurile, iar purtătorii mobili minoritari (produşi de ruperea
legăturilor covalente datorită creşterii temperaturii) sînt electronii.
JONCŢIUNEA P - N LA ECHILIBRU TERMIC

În tehnică şi-au găsit aplicaţii materialele semiconductoare formate din două

regiuni: o regiune dopată cu impurităţi acceptoare, în concentraţie N A, deci de tip p,
şi o regiune dopată cu impurităţi donoare, în concentraţie N D, respectiv de tip n.
Simplist, un semiconductor n poate considerat ca format din ioni donori pozitivi
ficşi şi electroni negativi mobili, iar cel de tip p ca format din ioni acceptori negativi
ficşi şi goluri pozitive mobile.
Să considerăm cele două regiuni unite printr-o structură cristalină continuă.
Suprafaţa care separă regiunile de tip p şi de tip n dintr-un semiconductor eterogen
reprezintă o joncţiune p-n.
În regiunea p, golurile, în concentraţie p p0, sînt purtători mobili de sarcină
majoritari, iar electronii, în concentraţie n p0, sînt purtători minoritari, concentraţia
golurilor fiind mult mai mare decît cea a electronilor.

(2.1)

În regiunea n, dimpotrivă, electronii, în concentraţie n n0 sint purtători majoritari, iar

golurile, în concentraţie pn0, sint purtători minoritari.

(2.2)

Deci, în regiunea p există o înaltă concentraţie de goluri, pe cînd în regiunea n

există o mică concentraţie de goluri. De asemenea, în regiunea n există o înaltă
concentraţie de electroni, pe cînd în regiunea p există o mică concentraţie de
electroni.
Din cauza concentraţiei neuniforme, are loc difuzia purtătorilor de sarcină şi
anume: electronii din regiunea n vor difuza în regiunea p şi se vor recombina cu
golurile de aici, iar golurile din regiunea p vor difuza în regiunea n şi se vor
recombina cu electronii majoritari aici.
Ca urmare a difuziei, în vecinătatea suprafeţei de separaţie a regiunilor p şi n
se formează o zonă de trecere, sau de difuzie, cu lungimea l de ordinul micronilor,
caracterizată printr-o anumită distribuţie a densităţii de volum a sarcinii electrice
spaţiale.
Într-adevăr, în regiunea p din imediata vecinătate a suprafeţei joncţiunii,
plecînd goluri şi sosind electroni, apare sarcina electrică negativă, iar în regiunea n
din apropierea suprafeţei joncţiunii pleacă electroni şi sosesc goluri, încît se
formează o sarcină spaţială pozitivă.
Ca urmare ia naştere un cîmp electric intern orientat de la regiunea n spre
regiunea p. Acest cîmp electric transportă golurile din regiunea n în p şi electronii
din regiunea p în regiunea n, deci în sens contrar fluxurilor de difuzie.
 regiunea de
l sarcină spaţială

ioni
p electron
sau gol

n - concentraţia electronilor

nn0

np0 x
p - concentraţia golurilor

pp0

pn0
x

ρ – densitatea de volum
a sarcinii spaţiale

V – potenţial electric

V0

x
-lp0 0 ln0
Figura 2.3
Corespunzător repartiţiei de sarcină electrică din dreptul joncţiunii p-n, în zona de
trecere se produce o barieră de potenţial V 0, cu o variaţie în lungul
semiconductorului. Această barieră de potenţial se opune trecerii în continuare a
purtătorilor mobili de sarcină dintr-o regiune în alta şi astfel se atinge o stare de
echilibru.
JONCŢIUNEA P-N ÎN REGIM STAŢIONAR

Dacă se conectează un semiconductor cu joncţiunea p-n în circuitul unei

surse de curent continuu cu tensiunea V A la borne, astfel încât borna + a sursei să
se lege la regiunea n (caz în care vorbim de polarizarea inversă a joncţiunii), cîmpul
electric intern va creşte ca valoare, bariera de potenţial creşte de la valoarea V 0 la
valoarea V0 + VA, iar lungimea regiunii de trecere creşte de la l la l’, l<l’. În această
situaţie vom avea:

(2.4)

(2.5)

În figură, s-a notat cu IpM şi –InM curenţii produşi prin difuzia purtătorilor de
sarcină majoritari şi cu Ipm şi -Inm curenţii cauzaţi de deplasarea purtătorilor de
sarcină minoritari, sub acţiunea cîmpului electric determinat de sursă în
semiconductor.
Crescînd diferenţa de potenţial în cazul polarizării inverse a joncţiunii,
numărul golurilor din regiunea p care ar putea trece în regiunea n pe seama agitaţiei
termice, scade tinzînd către zero.
Ii
V

VA

-InM -Inm VA
p n
Ipm IpM
V0
x
l
p, n
pp0

nn0
Curentul Ipm, care se poate produce în circuit pe seama golurilor (minoritare,
ce se află în regiunea n) şi a căror trecere din n în p se face în sensul cîmpului
electric din semiconductor,
np0 este foarte mic, deoarece concentraţia
pn0 de goluri în
semiconductorul n este extrem de mică. Pentru o tensiune inversă V A suficient de
x
mare, toate golurile minoritare şi cele
0 generate termic în regiunea n vor trece în
-lp ln
regiunea p, atingîndu-se valoarea de saturaţie a curentului I pm.
Figurase
Dacă sursa de curent continuu 2.4conectează în sens direct, adică borna + se
leagă la regiunea p, cîmpul electric intern scade, bariera de potenţial scade la
valoarea V0 - VA , iar lungimea regiunii de trecere scade de la I la I’, I > I’. În această
situaţie vom obţine:
 (2.6)

(2.7)

Concomitent cu creşterea tensiunii directe V A, creşte curentul IpM pe seama

creşterii numărului de goluri care trec prin joncţiune din regiunea p în regiunea n,
deoarece la semiconductorul p purtătorii majoritari sînt golurile. Raţionamentul de
mai sus se aplică şi pentru electronii liberi (figura 2.5).
Id V

VA
VA
Ipm IpM
p n
-InM -Inm V0
x

l’

p,n

pp0
nn0

pn0
np0 x
-lp 0 ln
Id
Figura 2.5

Vi Vstr Vd

Zona Zona Zona

străpungere inversa directă

Ii

Figura 2.6
 Caracteristica curent-tensiune a unei joncţiuni p-n este neliniară. Dacă sursa
de tensiune este conectată în sens direct, curentul direct va fi:

IA = Id = IpM + InM - (Ipm + Inm) (2.8)

Curentul direct este determinat de purtătorii de sarcină majoritari şi creşte

repede cu Vd, iar dacă sursa este conectată invers, curentul invers I i are o valoare
foarte mică, limitată de curentul de saturaţie:

IS = Ipm + Inm (2.9)

Se observă faptul că acest curent invers este cauzat de purtătorii de sarcină

minoritari.
De la o anumită valoare a tensiunii inverse V str, numită tensiune de
străpungere, curentul invers Ii creşte brusc, iar în semiconductor au loc procese
ireversibile care deteriorează definitiv joncţiunea.
Joncţiunea p-n constituie elementul principal în realizarea de diode,
tranzistoare, tiristoare şi alte dispozitive semiconductoare.
DIODA REDRESOARE

Aceste diode utilizează proprietatea joncţiunii p-n de a conduce curentul,

practic numai atunci cînd este polarizată direct.
Se construiesc din Si sau Ge trebuind să aibă caracteristici cît mai apropiate
de caracteristica ideală.
Diodele de putere medie şi mare au o construcţie care permite montarea lor
pe radiatoare, în vederea creşterii suprafeţei de disipare a căldurii.
Parametrii diodelor redresoare sunt:
 curentul mediu redresat I 0, reprezintă valoarea medie a curentului
direct, calculată pe o perioadă completă pentru redresarea monoalternanţă
monofazată;
 curentul direct de vîrf IFRM, reprezintă valoarea maximă a curentului
direct în regim permanent, incluzînd toate componentele repetitive şi excluzîndu-le
pe cele nerepetitive. Acest curent apare fie datorită unor deformaţii permanente ale
undei redresate, fie în cazul redresoarelor cu sarcină capacitivă. De regulă diodele
pot prelua astfel de curenţi de pînă la 4...10 I 0;
 tensiunea inversă de vîrf repetitivă V RRM, reprezintă valoarea maximă a
tensiunii inverse instantanee, incluzînd toate componentele repetitive;
 tensiunea de străpungere VBR, reprezintă tensiunea inversă VR pentru
care curentul invers IR devine mai mare decît valoarea specificată IBR;
 tensiunea inversă continuă V R, tensiunea pe care o poate suporta
dioda, mai mică decît VBR şi căreia îi corespunde IR;
 temperatura maximă a joncţiunii Tjmax;
 rezistenţa termică Rth, constanta de material, care determină transferul
de căldură cu exterior.
Curentul invers la Si este mult mai mic decît la Ge datorită lăţimii mai mari a
benzii interzise.
Căderea de tensiune directă este cuprinsă între 0,1...0,3 V la Ge şi 0,6...0,8 V la
Si, pentru valori mici şi medii ale curenţilor direcţi. Pentru valori mari şi foarte mari
ale curenţilor direcţi, căderile de tensiune pot ajunge pînă la 0,7 V la Ge şi 1,4 V la
Si.
Tensiunea de străpungere este determinată de lăţimea regiunii de trecere,
care poate fi controlată prin profilul de impurităţi şi geometria structurii
semiconductoare. Diodele din Si se pot realiza cu tensiuni de străpungere mai mari
ca cele de Ge.
Temperatura de lucru maximă admisă pentru joncţiune este de 200...220ºC la
Si şi 85...90ºC la Ge.

Id [mA] Id []

Id Vi [V] Vstr 200 100 Vd [V]

100 Ge Si

50
Vd Vd [V] Si Ge
0,2 0,4 0,6 0,8

Figura 3.2
 Diodele redresoare se utilizează pînă la frecvenţe de cca. 10...20 kHz,
deoarece la frecvenţe mai înalte capacitatea de barieră produce un puternic efect de
şuntare a rezistenţei interne, şi proprietăţile de redresare sînt puternic diminuate,
sau chiar dispar.
DIODA REDRESOARE RAPIDĂ

Deoarece trecerea diodei din starea de conducţie, la un curent I F, în starea

blocată la un curent IR, nu are loc instantaneu, fiind necesar un timp pentru
deplasarea purtătorilor, se defineşte timpul de comutare invers t rr:
I
IF trr

t
IR

Figura 3.3
Obişnuit, timpul de comutare invers este mai mare de 10 μs. În echipamente
pentru comutare rapidă, în surse de alimentare fără transformator şi în televizoare,
sînt necesare diode cu timp de comutare invers mic (0,1...1 μs). Acestea sînt diodele
rapide.
Construcţia lor este asemănătoare, dar la o aceeaşi capsulă corespund puteri
mai mici.

DIODA DE COMUTARE

Se pot realiza cu joncţiuni, prin tehnologia planar epitaxială, prin contacte

metal-semiconductor (diode Schottky) sau cu contact punctiform.
Diodele de comutare planar-epitaxiale au o construcţie specială: zona n slab
dopată cu impurităţi, este foarte îngustă şi dopată cu atomi de aur în vederea măririi
vitezei de recombinare a purtătorilor minoritari proveniţi prin difuzie.
Aceste particularităţi au ca efect micşorarea timpilor de trecere din starea de
conducţie în starea de blocare şi invers (valori uzuale de ordinul ns sau zeci de ns).
Servesc la comutarea benzilor de frecvenţă sau de canale, în televiziune şi în
tehnica audio. Constituie echivalentul electronic al contactelor mecanice ale
comutatoarelor de canale.
În conducţie, la un curent direct de 2...10 mA, au o rezistenţă dinamică r i
foarte mică, sub 1 Ω la 100 MHz, în serie cu inductanţa neglijabilă a terminalelor.

ri [Ω]

100
10 10MHz
1
100MHz If
10 100 [mA]

Figura 3.4
 În această stare ele înlocuiesc contactul mecanic închis (figura 3.5 a).

+ - - +

ri < 1Ω ri > 1 MΩ

a b
Figura 3.5

La polarizare inversă, la o tensiune de cca. 15 V, dioda se comportă ca o

rezistenţă foarte mare (> 1 MΩ), în paralel cu capacitatea totală a diodei (1...2 pF). În
această stare ea materializează contactul mecanic deschis.
DIODA STABILIZATOARE DE TENSIUNE

Numită şi diodă de străpungere sau diodă Zener, utilizează proprietatea

joncţiunii pn de a avea o tensiune inversă aproximativ constantă la borne, atunci
cînd lucrează în regiunea de străpungere, la creşterea curentului prin diodă.
Id [mA]

Vz

VR[V] 6 4 2 0.5 1 Vd [V]

Izmin
Iz
Iz

Izmax
ΔVz
IR[mA]

Figura 3.8
Se realizează din Si, deoarece acesta prezintă o serie de avantaje faţă de Ge:
 curentul invers înainte de intrarea în regiunea de străpungere mult mai mic;
 intrarea în străpungere se face brusc, începînd de la valori mici ale
curentului;
 caracteristica inversă este aproape verticală;
 rezistă la temperaturi mai mari.
Prin dopare puternică semiconductoarele obţinute au tensiunea de
străpungere mică, iar creşterea curentului la străpungere foarte mare. Se observă că
tensiunea care cade pe ele rămîne practic constantă într-un domeniu larg de variaţie
a lui IR.
Dacă se urmăreşte obţinerea unei tensiuni stabilizate cît mai constante cu
temperatura se recomandă utilizarea unor tensiuni care conduc la valori minime ale
lui αVz, fie conectarea în serie a două diode cu coeficient de temperatură de semn
opus.
Uneori în serie cu dioda Zener, cu coeficient pozitiv de temperatură, se poate
lega o diodă redresoare polarizată direct.
Pentru a se obţine tensiuni stabilizate, de valoare diferită de ale diodelor
Zener disponibile, se poate recurge la legarea în serie a mai multor diode, tensiunea
de străpungere rezultantă VBR fiind suma tensiunilor de străpungere individuale.

Figura 3.9
 Niciodată pentru preluarea unui curent mai mare nu trebuie conectate mai
multe diode Zener în paralel, deoarece ele nu au exact aceeaşi tensiune de
străpungere, aşa încît cea cu tensiune mai mică va prelua tot curentul, şi
supraîncălzindu-se se va distruge.
Multe diode Zener, lucrînd în regiunea de străpungere, generează zgomot într-
o bandă largă de frecvenţe, aşa încît se recomandă conectarea unui condensator în
paralel cu dioda.
Condensatorul electrolitic, avînd capacitate mare, atenuează zgomotele foarte
joase, pe cîtă vreme condensatoarele nepolarizate, zgomotele foarte înalte.

Figura 3.10

Proprietatea tensiunii inverse de străpungere de a nu varia cu intensitatea

curentului invers IR este utilizată pentru realizarea unor tensiuni de referinţă sau
pentru stabilizarea tensiunii.
Parametrii importanţi:
1. VBR – tensiunea nominală de stabilizare V ZT, care variază de la un tip de diodă la
altul şi se măsoară la un anumit curent continuu invers I ZT, numit curent de
control.
2. tensiunea de stabilizare VZT variază între anumite limite pentru diodele cu
acelaşi simbol, limite de asemenea prescrise în cataloage.
3. rezistenţa dinamică de stabilizare; variază funcţie de construcţia diodei între
(25...2000) Ω. Cu cît este mai mică, cu atît tensiunea stabilizată se menţine mai
constantă:

(3.4)

4. puterea maximă disipată Pmax; variază între 0,3 şi zeci de waţi.

Pmax = VZ ∙ IZmax (3.5)

5. domeniul de curenţi IZmin/IZmax în care se asigură stabilizarea tensiunii. I Zmin este

necesar pentru a trece de zona neliniară a caracteristicii (1...10 mA); I Zmax este
limitat de puterea maximă disipată pe dioda (50 mA...2 A).
6. coeficientul de temperatură al tensiunii de stabilizare α Vz, caracterizează
dependenţa tensiunii stabilizate de temperatură; se exprimă în procente pe ºC.

(3.6)
 Pentru realizarea unui stabilizator de tensiune cu diodă Zener, cel mai comun,
dioda Zener se conectează în paralel cu sarcina R L, iar tensiunea de intrare Vg se
aplică prin intermediul rezistenţei Rg. Valoarea acestei rezistenţe se alege astfel ca
dioda să lucreze în regiunea de stabilizare pentru întreg domeniul de variaţie a
tensiunii de intrare şi a curentului de sarcină.

Ri Ri

Iin Iz IL
Vi RL Vi Vz RL Vout = Vz
DZ

a b
Figura 3.11

Dioda Zener este folosită pentru a menţine o tensiune constantă la ieşire, V out = VZ,
independent de variaţiile rezistenţei de sarcină R L şi tensiunea neregulată Vi > VZ.
În circuitul echivalent am considerat RZ = 0 şi deci

(3.7)

Se observă că creşte (descreşte) cu descreşterea (creşterea)

rezistenţei de sarcină.
Oricum Iin este independent de RL. Prin urmare, IZ se modifică cu variaţiile
sarcinii, dar ieşirea rămâne constantă la V Z. Domeniul lui IZ este limitat atît la valori
superioare cît şi inferioare.
Limitarea superioară a lui IZ rezultă din puterea de disipare maximă capabilă a
fi suportată de diodă. Curentul IZmin reprezintă valoarea cea mai coborîtă a curentului
prin diodă pentru care reglarea are loc. Mai jos de Izmin reglarea este înrăutăţită şi
tensiunea de ieşire deviază de la valoarea V Z.
Domeniul permis de valori pentru Iz limitează valorile sarcinii pentru care
reglarea este atinsă. Pentru o diodă dată, aceste limite ale lui I Z sînt de asemenea
impuse de valorile minime şi maxime ale lui V i pentru funcţionarea circuituilui
propriu-zis.
 TRANZISTOARE BIPOLARE

Generalităţi

Tranzistoarele bipolare conţin două joncţiuni pn, astfel că acest dispozitiv

semiconductor se prezintă ca un “sandwich” alcătuit dintr-un singur strat de tip “n”
cuprins între două straturi de tip “p”, fiind numit tranzistor pnp. Cu o dopare
complementară se obţine tranzistorul npn.
Regiunea semiconductorului care este comună celor două joncţiuni este
numită bază. Cele două regiuni vecine acesteia se numesc emitor şi colector. Deşi
aceste două regiuni au acelaşi tip de conductibilitate, ele au în mod uzual proprietăţi
fizice şi electrice diferite, având destul de diferită şi mărimea lor. Joncţiunea
cuprinsă între emitor şi bază este numită joncţiunea emitorului, cealaltă fiind numită
joncţiunea colectorului.
Tranzistorul bipolar funcţionează ca un ventil de comandă, pe baza curgerii
purtătorilor minoritari prin regiunea subţire a bazei. Când joncţiunea emitorului este
polarizată direct, golurile sunt injectate din emitor, unde acestea sunt purtători
majoritari, în regiunea bazei, unde sunt purtători minoritari, exact ca la o diodă
semiconductoare polarizată direct. Cei mai mulţi dintre aceşti purtători injectaţi
difuzează prin bază şi ajung la regiunea de sarcină spaţială a colectorului. Numărul
purtătorilor care dispar în bază prin recombinare cu electronii majoritari este mic.
Golurile sunt antrenate în colector de câmpul electric existent în regiunea de
sarcină spaţială a colectorului. Întrucât, în funcţionare normală, joncţiunea
colectorului este polarizată invers, aici nu apare difuzie şi curentul de colector este
determinat de golurile “colectate”. Dispozitivul poate fi folosit ca ventil controlat
deoarece curentul de colector este comandat direct de tensiunea bază-emitor, care
asigură polarizarea directă a joncţiunii emitorului. Tensiunea bază-emitor şi curentul
de bază fiind foarte mici, se poate obţine amplificare de putere.
Tranzistorul se numeşte bipolar deoarece în funcţionarea sa intervin ambele
tipuri de purtători de sarcină: minoritari şi majoritari.
Concentraţiile impurităţilor diferă foarte mult în cele trei regiuni. Astfel,
emitorul este puternic dopat cu impurităţi (goluri la tranzistorul pnp şi cu electroni
la tranzistorul npn), în bază concentraţia are o valoare mică, iar în colector foarte
mică.
În cele ce urmează se prezintă structura, polarizarea normală a electrozilor,
sensurile curenţilor şi simbolurile grafice ale celor două tipuri de tranzistoare
bipolare – pnp şi npn.
VCE
pnp pnp
E IE IC C

E p n p C

-
+ B IB
EE VEB VCB EC B
VEC
- K2 +
K1 npn K3
npn
Figura 4.1
E IE IC C
E n p n C

-
- B
EE VBE VBC EC IB
+ K2 B
K1 +
K3
PRINCIPIUL DE FUNCŢIONARE AL TRANZISTORULUI BIPOLAR

Pentru aceasta se foloseşte schema de conectare a unui tranzistor pnp, din

care se vede că tranzistorul reprezintă două diode semiconductoare, care au o
regiune comună - baza, însă joncţiunii emitorului i se aplică tensiunea E E în sens
direct (polarizarea directă), iar joncţiunii emitorului i se aplică tensiunea E C de sens
invers (polarizarea inversă). De regulă

(4.1)
După închiderea întrerupătoarelor K1, K2 şi K3, joncţiunea emitorului este
polarizată în sens direct şi prin ea trece curentul direct al emitorului I pE, cauzat de
deplasarea unui mare număr de goluri din emitor (de tip p) în bază (de tip n).
Deoarece concentraţia electronilor din bază este mult mai mică decât cea a golurilor
din emitor, numărul golurilor care sosesc din emitor în bază depăşeşte de multe ori
numărul electronilor care se deplasează în sens invers şi care determină un curent
de electroni InBE foarte mic în raport cu IpE. Curentul emitorului este:

IE = IpE + InBE (4.2)

Golurile, ajungând în bază, încep să se recombine cu electronii, determinând

un mic curent de recombinare I R. Însă recombinarea nu poate fi un proces
instantaneu şi de aceea aproape toate golurile reuşesc să treacă prin regiunea
foarte îngustă a bazei (sub 0,1 mm) şi să ajungă la colector, unde intră sub acţiunea
câmpului electric produs de sursa E C. Pentru goluri acest câmp este accelerator şi
de aceea ele sunt atrase din bază în colector, formând un curent emitor-colector I pC
al cărui traseu este: +EC, K3, K1, emitor, bază, colector, -Ec.
Între aceşti curenţi este evidentă relaţia:

IpE = IR + IpC (4.3)

Dacă polarizarea joncţiunii emitorului este nulă (K 1 deschis) sau inversă,

tranzistorul este practic blocat (nu conduce). În realitate, dacă se deschide K 1 şi se
inchid K2 şi K3, prin joncţiunea colectorului trece un curent invers I CBO foarte mic,
cauzat de deplasarea purtătorilor minoritari (de golurile bazei şi de electronii
colectorului), al cărui traseu este: +E c, K3, K2, bază colector, -EC.
La tranzistoare se defineşte factorul de amplificare în curent emitor-colector:
(4.4)
care arată ce fracţiune din curentul de emitor soseşte în colector. Acest factor poate
fi definit ca produsul între eficienţa emitorului γE şi factorul de transfer βt, factori
care sunt definiţi prin relaţiile:

(4.5)

(4.6)

Adeseori, în cataloage factorul de amplificare αF se înlocuieşte cu βF – factor

de amplificare în curent bază-colector.
 (4.7)

Pentru tranzistoare uzuale αF = 0,95...0,995 şi deci βF = 20...200.

Mai rezultă încă relaţiile:

IC = IpC + ICBO (4.8)

IB = IE - IC (4.9)

rezultă:
IB = IE – αF ∙IE - ICBO (4.10)

sau
IB = (1-αF)∙IE - ICBO (4.11)

Dacă se ţine seama de relaţia existentă între βF şi αF (4.7) şi considerăm αF 1,

iar ICBO<<IC, în practică se foloseşte relaţia aproximativă:

(4.12)

Regiunea de sarcină Regiunea de sarcină

spaţială a joncţiunii spaţială a joncţiunii
emitorului colectorului

Emitor de Baza de Colector de

tip p tip n tip p
Curent
longitudinal
de goluri
Recombinare
în bază
Recombinare Ir
în emitor

Curent de purtători minoritari ai

joncţiunii BC invers polarizată
Golurile bazei
Electroni minoritari
Electroni injectaţi din colector (drift)
în emitor
Electroni care se recombină
Curent transversal cu o mică parte din golurile
de electroni injectate

Figura 4.3
CIRCUITE ECHIVALENTE PENTRU ANALIZA TB ÎN CURENT CONTINUU

În cele ce urmează, vom studia situaţiile în care variabilele la borne sunt fie
constante fie foarte lent variabile în timp, adică studiem situaţiile statice sau la
viteze mici. Presupunem că distribuţiile tensiunilor şi sarcinii variază suficient de
lent încât să se poată neglija componentele curenţilor datorate variaţiei stocărilor de
sarcină în exces. Aceste condiţii “la viteze mici” sunt adesea satisfăcute şi pentru
variaţii rapide, întrucât în multe tranzistoare moderne componentele determinate de
variaţia de sarcină pot fi neglijate pentru timpi de variaţie ajungând până la zecimi
de microsecundă.
Ne ocupăm de funcţionarea în regiunea activă, cu joncţiunea colectorului
polarizată invers şi joncţiunea emitorului polarizată direct (cu tensiuni de cel puţin
de câteva ori kT/q). În aceste condiţii, distribuţia de purtători de sarcină în exces în
regiunea bazei este aproximativ liniară.
Deoarece concentraţia în exces la marginea emitorului depinde exponenţial
de tensiunea emitor-bază VEB în conformitate cu relaţia lui Boltzmann, înseamnă că
pentru curentul de colector putem scrie:

(4.13)

unde
(4.14)

Aj – aria secţiunii transversale a bazei

DpB – coeficient de difuzie al purtărorilor minoritari în bază
pnOB – concentraţia de purtători minoritari în bază la echilibru
W – grosimea regiunii neutre a bazei.
Această relaţie curent-tensiune are aceeaşi formă cu ecuaţia pentru diodă.

Deşi recombinarea în bază şi injectarea în emitorul puternic dopat produc

curenţi neglijabili în raport cu cel de colector, de aceştia trebuie să se ţină seama
pentru calculul curentului de bază. Acesta va avea o componentă determinată de
recombinare în bază şi una care alimentează injectarea de purtători majoritari ai
bazei în regiunea emitorului.
Curentul total de bază are exact aceeaşi dependenţă de tensiunea emitor-bază
ca şi curentul de colector, şi ca şi acesta, nu depinde de tensiunea colector-bază.
Este deci convenabil să se exprime curentul de bază ca o fracţiune a curentului de
colector:

(4.15)

Coeficientul „δ” este numit “pierdere în bază” sau “defect în bază” deoarece
recombinarea în bază şi injecţia în emitor pot fi interpretate ca defecte ale
dispozitivului.
Curentul de emitor poate fi exprimat pe baza curenţilor de colector şi bază,
folosind teorema I – a lui Kirchhoff:

IE + IB + IC = 0 (4.16)

sau
 (4.17)

Curenţii de la terminalele tranzistorului depind de VEB în acelaşi mod. Întrucât

rapoartele curenţilor sunt independente de V EB şi I1, aceste rapoarte sunt parametri
utili ai tranzistoarelor.
Raportul dintre modulul curentului de colector şi modulul curentului de
emitor este numit câştig de curent în scurtcircuit, cu baza comună şi este notat cu
αF. El este:

(4.18)

Evident, αF este foarte puţin mai mic decât 1, întrucât δ este foarte mic.
Raportul dintre modulele curentului de colector şi curentului de bază este
numit câştig de curent în scurtcircuit, cu emitorul comun, şi este notat cu βF:

(4.19)

Acest câştig de curent este mare pentru că δ este foarte mic. El are în mod
uzual valori cuprinse în gama 10...103.
Relaţia directă între aceşti coeficienţi poate fi scrisă fie

(4.20)
fie

(4.21)

Relaţiile curent-tensiune pot fi modelate în diferite feluri cu ajutorul

componentelor de circuit. Relaţia între curentul de emitor şi tensiunea emitor-bază
are aceeaşi formă cu caracteristica curent-tensiune a unei diode idealizate cu
joncţiunea p-n. Din această cauză, comportarea tranzistorului la bornele emitor-bază
poate fi modelată cu o diodă idealizată cu joncţiune având curentul de saturaţie (1 +
δ)∙I1.

IE
E C

(1+δ)∙I1

Figura 4.4

Curentul de colector depinde de V EB în acelaşi mod, dar este independent de

tensiunea colector-bază. Dependenţa exponenţială a curentului de colector de
tensiunea emitor-bază şi independenţa sa de tensiunea colector-bază pot fi
modelate cu ajutorul unui generator de curent dependent sau controlat. Acest
model este o reprezentare completă. Curentul de bază este modelat ca o consecinţă
a teoremei lui Kirchhoff pentru curenţi.

 qkVTEB 
I1   e  1
IE   IC
E C

(1+δ)∙I1 kT
IB VEB 
q
Un generator dependent se deosebeşteB de unul independent doar prin faptul
kT
VCB   de o anumită variabilă din
că valoarea sa nu este fixată arbitrar, ci este determinată
circuit. Astfel generatorul de curent controlat furnizează laqcolector un curent care
Figura 4.5
depinde în mod explicit de o tensiune din altă parte a circuitului şi anume de
tensiunea la bornele emitor-bază.
Circuitul echivalent reprezentat exprimă curentul de colector în funcţie de
tensiunea emitor-bază, alegere întâmplătoare. Se poate folosi proporţionalitatea
dintre curentul de colector şi cel de emitor, exprimată prin αF pentru a alcătui
circuitul echivalent.

IE αF  IE
E C

(1+δ)∙I1 IB kT
VEB 
q
B kT
VCB  
q
Figura 4.6

Se poate folosi proporţionalitatea dintre curentul de colector şi cel de bază,

exprimate prin βF pentru a construi circuitul echivalent, toate aceste circuite fiind
echivalente între ele şi corespunzând relaţiilor algebrice curent-tensiune.

IB βF  IB
B C

kT
(1+δ)∙I1 VBE 
q
E kT
VCB  
q
Figura 4.7
MONTAJE CU TRANZISTOARE BIPOLARE

Deşi tranzistorul este un element activ de circuit cu trei terminale, în

schemele practice el poate fi privit ca un cuadripol activ la care intrarea şi ieşirea au
o bornă comună. După cum această bornă este baza, emitorul sau colectorul, există
trei moduri fundamentale de a conecta tranzistoarele în montajele practice:
- cu baza comună (BC);
- cu emitorul comun (EC);
- cu colectorul comun (CC).

Montaj bază comună

IE IC
E C

vi ~ RL vo
VEB VCB
+
EE
- EC
B

Figura 5.1

În schema bază comună, semnalul de intrare V i se aplică între emitor şi bază,

iar rezistenţa de sarcină RL, de pe care se culege semnalul de ieşire V o, se
conectează între colector şi bază. Schema cu bază comună asigură o rezistenţă
mică de intrare (de ordinul unităţilor de ohmi) şi o rezistenţă mare de ieşire (de
ordinul sutelor de kiloohmi). Rezistenţa mică de intrare a etajului cu baza comună
constituie un dezavantaj. Astfel, în scheme de amplificare realizate cu mai multe
etaje, această rezistenţă poate să aibă un efect de şuntare asupra rezistenţei de
sarcină a etajului anterior, căruia îi reduce amplificarea. De aceea, între etajele de
amplificare în conexiune BC necesită scheme de adaptare.

Montaj emitor comun C

VCE
vi ~ RL vo
VBE
-
EB
+ EC
E

Figura 5.2
La schema cu emitorul comun, semnalul de intrare V i se aplică între emitor şi
bază, iar semnalul de ieşire va fi cules de pe rezistenţa de sarcină R L, conectată între
emitor şi colector. În comparaţie cu schema BC, rezistenţa de intrare a etajului cu
EC este mult mai ridicată (sute de ohmi), iar rezistenţa de ieşire este de ordinul
zecilor de kiloohmi.
 Amplificatoarele cu mai multe etaje, realizate cu tranzistoare conectate după
schema cu EC, nu necesită dispozitive speciale de adaptare între etaje. De
asemenea, schema în conexiune EC asigură o amplificare mare (în curent pina la
100, iar în putere pină la 10.000) şi de aceea se utilizează cel mai mult în practică.

Montaj colector comun

E

VEC
vi ~ RL vo
VBC
- EC
EB
+
C

Figura 5.3

La schema cu colector comun, curentul de intrare, semnalul de intrare va fi

aplicat între bază şi colector, iar semnalul de ieşire va fi cules dintre emitor şi
colector. Rezistenţa de intrare a schemei cu CC este foarte mare (de ordinul zecilor
şi sutelor de kiloohmi), iar rezistenţa de ieşire este mică (zeci sau sute de ohmi).
Schema CC se foloseşte mai rar decit cele cu EC şi BC şi serveşte cel mai frecvent
pentru acordarea impedanţelor între etajele amplificatorului sau între amplificatorul
de ieşire şi rezistenţa mică a sarcinii.
CARACTERISTICILE STATICE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR

Caracteristicile statice exprimă grafic legătura între curenţii prin tranzistor şi

tensiunile aplicate între terminale, în regim static.
Referindu-ne la simbolul unui tranzistor pnp, observăm că apar trei curenţi (I E,
IB, IC) şi trei tensiuni (VEB, VCB, VCE).

VCE

E IE IC C

VEB VCB
IB
B

Figura 5.4
Relaţiile lui Kirchhoff permit să scriem:

IE = IB + IC (5.1)
VCE = VCB - VEB (5.2)

Se observă că ele limitează numărul mărimilor independente la patru (doi

curenţi şi două tensiuni). Între aceste patru mărimi există două relaţii caracteristice
pentru tranzistorul considerat. Relaţiile dintre tensiunile şi curenţii unui tranzistor,
necesare pentru calculul circuitelor în care este utilizat tranzistorul, se determină pe
baza caracteristicilor statice.
Pentru determinarea tensiunilor şi a curenţilor unui tranzistor sint necesare
două familii de caracteristici statice. Alegerea acestor familii din larga varietate
posibilă este dictată de considerente practice.
Pentru conexiunea în montaj EC, frecvent sint utilizate caracteristicile de
ieşire:
IC = f(VCE) la VBE = ct (5.3)
IC = f(VCE) la IB = ct (5.4)
şi de intrare
IB = f(VBE) la VCE = ct (5.5)

Pentru conexiunea în montaj BC, caracteristicile principale sint cele de ieşire:

IC = f(VCB) la IE = ct (5.6)
IC = f(VCB) la VEB = ct (5.7)
şi de intrare IC(mA)
IE = f(VEB) la VCB = ctVBE=-0,25V (5.8)
10
Caracteristicile de ieşire IC = f(VCE) la VBE = ct pentru
-0,2Vconexiunea EC
-0,15V
5
-0,1V
-VBE=0V

2 4 6 8 -VCE(V)

Figura 5.5
 Ţinind seama de relaţia:

VCE = VCB + VBE = VCB – VEB (5.9)

se constată că aceste caracteristici se pot obţine din caracteristicile I C = f(VCB)

pentru VEB = ct de la montajul BC, prin translatarea fiecărei caracteristici cu
tensiunea VBE respectivă, în lungul axei VCB, care devine astfel axa VCE.
Deoarece pentru fiecare caracteristică punctul I C = 0 corespunde unei tensiuni
, rezultă că el va corespunde originii axelor întrucit tensiunea V CE
respectivă va fi practic nulă.
Deci, curbele din familia de caracteristici I C = f(VCE) pentru VBE = ct vor avea
fiecare în parte aceeaşi formă cu cele corespunzătoare din familia I C = f(VCB) la VEB =
ct (montaj BC) şi se vor intersecta toate în origine.

Caracteristicile de ieşire IC = f(VCE) la IB = ct în conexiunea EC.

IC(mA) VCB=0
IB=140
10 120μA
100μA
Regiunea 80μA
de 5 60μA
saturaţie 40μA
20μA IB=0

2 4 6 8 -VCE(V)
Regiunea de blocare
Figura 5.6
Acestea sint global asemănătoare cu cele de la montajul BC, I C = f(VCB) la IE =
ct. Ele sunt în regiunea activă normală drepte aproximativ paralele şi aproape
uniform distanţate.
Se observă că pornind de la relaţia:

IC = αFIE + ICBO (5.10)

şi ţinind cont de relaţia:

IE = IC + IB (5.11)
putem scrie:

IC = αFIC + αFIB + ICBO (5.12)

respectiv:

(5.13)

Dacă la montajul BC slaba variaţie a lui αF cu tensiunile şi curenţii în

tranzistor era abia vizibilă, aici ea este bine pusă în evidenţă, datorită factorului 1/(1-
αF) care este foarte sensibil la mici variaţii ale lui αF.
Caracteristicile IC = f(VCE) la IB = ct sint aproximativ echidistante, cu excepţia
zonei curenţilor mari în care curbele devin din ce în ce mai dese.
O altă diferenţă o găsim în poziţia regiunii de saturaţie a tranzistorului. Acum
această regiune este situată în cadranul I în întregime (V CE < 0). În planul (IC, VCE)
frontiera între regiunea activă normală şi regiunea de saturaţie este curba trasată cu
linie întreruptă, care uneşte punctele V CB = 0 de pe fiecare caracteristică. Cu
aproximaţie, se poate lua drept linie de demarcaţie între RAN şi regiunea de
saturaţie partea comună a caracteristicilor.

Caracteristicile de intrare IB = f(VBE) la VCE = ct în conexiunea EC

IB(μA)
VD
VCE = -1V
60

40
VCE = -5V
20

150 300 -VBE(mV)

Figura 5.7

Aceste caracteristici au o alură similară cu caracteristicile intrare la BC,

făcind abstracţie de translatarea spre valori negative datorită lui I CBO. Creşterea
tensiunii colector-emitor aplicate duce la scăderea lui I B.
Caracteristicile prezentate sunt suficiente pentru determinarea comportării
statice a unui tranzistor în conexiunile uzuale.
În practică se folosesc uneori şi caracteristicile de transfer:

IC = f(VEB) la VCB = ct pentru montajul BC, şi

IC = f(VBE) la VCE = ct sau

IC = f(IB) la VCE = ct pentru montajul EC

Acestea se obţin cu uşurinţă din familiile caracteristicilor de ieşire, în

conexiunile respective, prezentate anterior. În cataloagele de tranzistoare se dau
frecvent toate caracteristicile pe aceeaşi figură. În fiecare cadran se trasează o
familie de caracteristici astfel:
Cadranul I – caracteristicile de ieşire
IC = f(VCE) cu IB ca parametru
 Cadranul II – caracteristicile de transfer
IC = f(IB) la VCE ca parametru
Cadranul III – caracteristicile de intrare
IB = f(VBE) cu VCE ca parametru
Cadranul IV – caracteristicile de reacţie
VBE = f(VCE) cu IB ca parametru.

IC(mA) IB = 250μA
200μA
150μA
VCE=-1V
100μA
50μA
IB=0V

-IB(mA) 0.3 0.2 0.1 5 10 15 -VCE(V)

0.2
VCE=ct IB=0.1mA

0.4 IB=0.2mA
-VBE(V)

Figura 5.8
INFLUENŢA TEMPERATURII ASUPRA REGIMULUI STATIC AL
TRANZISTORULUI BIPOLAR

Caracteristicile statice şi parametrii regimului static se modifică cu

temperatura. Astfel, cele mai importante efecte ale temperaturii asupra regimului de
curent continuu sint:
1. variaţia curentului rezidual (de saturaţie) de colector I CB0;
2. variaţia factorului de amplificare în curent bază-colector β F;
3. variaţia tensiunii de deschidere VD.
În figura 5.9 sint redate variaţia lui I CB0 cu temperatura pentru tranzistoare cu
Ge şi Si, de mică putere.

ICB0(μA)
103 Ge
102
10
1 Si

10-3

50 100 150 T(ºC)

Figura 5.9

La tranzistoarele cu Ge, în jurul temperaturii ambiante curentul rezidual se

dublează pentru o creştere cu 9...10ºC, iar la cele cu siliciu pentru o creştere cu
6...8ºC. De observat, că în jurul temperaturilor de interes practic, curentul rezidual al
tranzistoarelor din siliciu este neglijabil.
Atit creşterea lui ICB0, cit şi creşterea lui β F, vor determina o deplasare în sus a
caracteristicilor de ieşire I C = f(VCE), odată cu creşterea temperaturii. La
tranzistoarele cu Si, translatarea caracteristicilor este cauzată practic de creşterea
lui βF cu temperatura, pe cind la tranzistoarele cu Ge predominant este efectul
creşterii curentului rezidual ICB0.
Tensiunea directă pe joncţiunea emitorului VBE, la curent de bază constant,
scade în valoare odată cu creşterea temperaturii. Ca urmare, caracteristicile statice
de intrare IB = f(VBE) se deplasează spre axa I B la creşterea temperaturii. O creştere
cu 1ºC a temperaturii va duce la scăderea V D cu 2 mV.
Deci, efectul temperaturii asupra regimului static este caracterizat
numai de variaţia lui βF şi VBE la tranzistoarele cu Si, la cele cu Ge
intervenind şi variaţia lui I CB0, care are de multe ori are chiar rolul cel mai
important.

REGIMUL TERMIC AL TRANZISTORULUI

În timpul funcţionării dispozitivelor semiconductoare, o parte din puterea

electrică se disipă sub formă de căldură. Puterea disipată determină creşterea
temperaturii. Datorită dependenţei caracteristicile statice de temperatură, la
dispozitivele semiconductoare problema puterii disipate este de primă importanţă.
Disiparea de putere are loc într-o regiune limitată a structurii
semiconductoare. În cazul diodelor şi tranzistoarelor, degajarea căldurii are loc în
regiunile de tranziţie ale joncţiunilor, întrucât pe acestea cade întreaga tensiune
aplicată din exterior.
La tranzistor, curenţii care străbat cele două joncţiuni sunt aproape egali, dar
tensiunea aplicată pe joncţiunea colectorului, în regim normal de lucru, este mult
mai mare decât cea aplicată pe joncţiunea emitorului. De aceea, cea mai intensă
degajare de căldură are loc în regiunea de tranziţie a joncţiunii colectorului.
Puterea disipată pe tranzistor se compune din puterile disipate pe joncţiunile
colectorului şi emitorului:

PD = PDC + PDE = IC ∙VCB + IE ∙VEB ≈ IC ∙VCB (6.1)

Puterea disipată pe tranzistor conduce la creşterea temperaturii joncţiunii

colectoare Tj, antrenând (pentru temperaturi mai mari de 85ºC la Ge şi mai mari de
150ºC la Si) fenomene ireverisbile (topiri şi recristalizări locale) care degradează
structura semiconductoare.
Pentru ca temperatura joncţiunii să nu depăşească temperatura limită T jmax,
trebuie ca puterea reală PD să nu depăşească puterea maxim admisibilă P Dmax.
Această putere, pentru un tranzistor dat, se calculează cu ajutorul unei mărimi
măsurabile, dependentă de construcţia tranzistorului, numită rezistenţă termică R th.
În cataloage de tranzistoare se indică rezistenţa termică globală joncţiune-
mediu ambiant Rthja. Valoarea ei obişnuită la tranzistoarele de mică putere este
cuprinsă între 100...500ºC/W.
Puterea maximă pe care o poate disipa tranzistorul este dată de relaţia:

(6.2)

La tranzistoarele de putere, rezistenţa termică joncţiune – corp metalic este

Rthjc ≈ 2ºC/W, iar cea între corpul metalic şi mediul ambiant R thca ≈ 40ºC/W. Puterea
maximă pe care o poate disipa un tranzistor cu Ge este de 1...2 W, iar în cazul
tranzistoarelor cu Si, 2...5 W. Pentru creşterea puterii disipate admise tranzistorului i
se ataşează un radiator termic, realizat din Al sau Cu.
Se pune problema dimensionării radiatorului necesar pentru o anumită putere
disipată admisă PDmax la o temperatură ambiantă dată T a. Din cataloage se cunosc
Tjmax, Rthjc şi Rthca. Uneori în loc de Rthjc, cataloagele dau puterea disipată pentru un
radiator de arie infinită PD∞ la o temperatură ambiantă Ta = 25ºC.
CONSIDERAŢII PRIVIND ALEGEREA PUNCTULUI STATIC DE
FUNCŢIONARE ŞI DETERMINAREA SA GRAFICĂ

Pentru a putea realiza amplificarea unui semnal, folosind tranzistorul bipolar,

este necesar ca un circuit exterior să polarizeze tranzistorul în regiunea activă.
Alegerea punctului static de funcţionare se face pe baza unor criterii care variază cu
funcţia circuitului respectiv.
Pentru buna funcţionare a tranzistorului, trebuie să se delimiteze în planul
caracteristicilor de ieşire o regiune în care se admite plasarea punctului static de
funcţionare.

IC

IC ∙VCE = PDmax
ICmax
Saturaţie
Regiunea
admisă

0 VCE
Blocare VCEmax
Figura 6.1

Au fost reprezentate caracteristicile statice de ieşire ale unui tranzistor npn în

conexiune EC.
Regiunea admisă este delimitată de trei mărimi: puterea disipată maximă,
tensiunea maximă admisă şi curentul maxim admis (mărimi date de cataloage).
Condiţia ca puterea disipată de tranzistor să nu depăşească limita maximă
admisă determină o graniţă sub forma unei hiperbole în planul caracteristicilor de
ieşire, numită hiperbola de disipaţie:

IC ∙VCE = PDmax (6.4)

Tensiunea colector-emitor nu trebuie să depăşească o valoare maxim admisă

VCEmax. De obicei, limitarea tensiunii este determinată de multiplicarea în avalanşă a
purtătorilor de sarcină în regiunea de tranziţie ale joncţiunilor, care duce la
străpungerea tranzistorului (curentul de colector creşte mult, independent de
curentul de bază aplicat).
Limitarea curentului de colector la o valoare I Cmax determină o graniţă sub
forma unei linii orizontale. Trebuie observat că nu întotdeauna limitarea curentului
de colector este impusă de pericolul distrugerii tranzistorului, ci foarte frecvent
apare ca o limită peste care tranzistorul nu mai satisface ca performanţe (β F scade
foarte mult).
În domeniul tensiunilor mici, regiunea admisă de lucru este mărginită de
graniţa dintre regiunea activă şi cea de saturaţie , iar în domeniul curenţilor mici, de
graniţa dintre regiunea activă şi cea de tăiere.
Pentru fiecare caz concret, se poate alege un punct optim de funcţionare în
regiunea permisă. Circuitul de polarizare trebuie să asigure funcţionarea
tranzistorului în punctul ales.
 Pentru un tranzistor dat, definit prin caracteristicile sale într-o conexiune dată,
sunt suficiente două mărimi pentru fixarea punctului static de funcţionare:
 tensiuni ieşire, curent ieşire (VCB, IC) sau (VCE, IC)
 tensiuni ieşire, tensiuni intrare (VCB, VEB) sau (VCE, VBE).
 CIRCUIT DE POLARIZARE SIMPLU PENTRU CONEXIUNEA EMITOR
COMUN

În etajele de amplificare, fixarea punctului static de funcţionare se realizează

obişnuit, cu ajutorul circuitelor care conţin o singură sursă de alimentare.
Cea mai simplă metodă de a polariza un tranzistor bipolar este folosirea unui
rezistor RB, care să furnizeze curentul continuu necesar la baza tranzistorului.

+ EC IC
RL IB βFIB
RB
RL

T rD Ieşire
RB
Ieşire Intrare +
Intrare +
EC +
VD EC
- - -

Figura 6.3 Figura 6.4

Pentru determinarea relaţiilor de proiectare corespunzătoare, tranzistorul se
va înlocui cu circuitul echivalent (figura 6.4).
Dependenţa de temperatură la tranzistoarele cu Si se manifestă prin doi
parametrii: βF şi VD. Ecuaţia de proiectare poate fi găsită scriind ecuaţia tensiunilor
pe ochiul de intrare:

(6.12)

Ştiind că , avem:

(6.13)

Pentru proiectarea reţelelor de polarizare trebuie găsită valoarea lui R B,

necesară pentru a obţine un anumit curent de colector. Astfel, avem:

(6.14)

Expresia lui RB scoate în evidenţă un inconvenient serios al acestui circuit de

polarizare: lasă foarte puţină libertate în proiectare pentru a îmbunătăţi
performanţele.
Pentru determinarea punctului static IC
de funcţionare trebuie reprezentate
I
caracteristicile statice ale tranzistorului.
B

Ge Si
EC/RL
EC/RB
M
IB
M
VCE = EC/2 IC

VBE
VBE 0 VCE EC VCE
 Figura 6.5 Figura 6.6

Conform teoremei a II-a a lui Kirchhoff se poate scrie:

(6.15)

(6.16)

Curentul de bază este practic determinat de E C şi RB, iar curentul de colector

va fi de aproximativ βF ori mai mare:

şi . (6.17)

Ecuaţiile (6.15) şi (6.16) pot fi soluţionate grafic. Astfel, ecuaţia (6.15)

reprezintă o dreaptă de pantă -1/R B în planul caracteristicilor de intrare. Intersecţia
acestei drepte cu caracteristica de intrare pentru V CE = EC/2, determină punctul static
de funcţionare M în acest plan. Deoarece V CE este deocamdata necunoscut si avind
in vedere influenta sa redusa asupra caracteristicilor de intrare, se poate alege o
caracteristica medie, VCE = EC/2. De altfel, dreapta (1) este aproape orizontala si nu se
comite o eroare semnificativafacind aceasta aproximatie.
În planul caracteristicilor de ieşire, ecuaţia (6.16) reprezintă o dreaptă de
pantă -1/RL, numită dreapta statică de sarcină. Intersecţia acestei drepte cu
caracteristica curentului de bază determinat anterior, reprezintă punctul static de
funcţionare M în planul caracteristicilor de ieşire.
Din cele două grafice rezultă şi celelalte mărimi: VBE şi VCE.
Variaţia temperaturii influenţează regimul de curent continuu al tranzistorului
bipolar, modificând în consecinţă punctul static de funcţionare.
Dacă temperatura creşte, punctul static de funcţionare se deplasează spre
regiunea de saturaţie, iar dacă temperatura scade PSF se deplasează spre regiunea
de tăiere.
Din mai multe motive (distorsionarea semnalelor amplificate, ambalarea
termică a tranzistorului etc.) se impune localizarea cu precizie a PSF-ului.
Deci, circuitul de polarizare va trebui nu numai să asigure funcţionarea
tranzistorului într-un punct static precizat, ci şi menţinerea acestui punct când
temperatura se modifică.
Procedeele de stabilizare termică pot fi împărţite în două categorii:
1. procedee liniare, care utilizează în circuitul de polarizare elemente liniare
(rezistoare);
2. procedee neliniare sau de compensare, care compensează variaţia
parametrilor tranzistorului cu temperatura, folosind componente cu
caracteristici dependente de temperatură (termistoare, diode).
 Procedeele liniare realizează stabilizarea PSF-ului atât la variaţia temperaturii,
cât şi la dispersia de fabricaţie a caracteristicilor tranzistoarelor.
Procedeele neliniare nu realizează stabilizarea PSF-ului cu dispersia de
fabricaţie a caracteristicilor tranzistoarelor şi în plus cer o reglare minuţioasă.
 CIRCUIT DE POLARIZARE PRACTIC PENTRU CONEXIUNEA EC

Două modificări simple în reţeaua de polarizare îmbunătăţesc mult stabilitatea

punctului static de funcţionare al circuitului. Aceste modificări includ adăugarea
unui rezistor extern în emitor RE şi folosirea unui divizor de tensiune rezistiv, R 1 şi
R2, pentru a furniza curentul continuu de polarizare a bazei. În circuitul echivalent
acest divizor de tensiune este înlocuit prin echivalentul său Thévenin, o tensiune în
gol:

(7.1)

şi o rezistenţă Thévenin:

RB = R1 || R2 (7.2)

IC

IB βFIB

+ EC RL
RL RB rd
R1 +
VD EC
-
Ieşirea EB
Intrarea R2 semnalului
semnalului RE
CE CE
RE

Figura 7.1 Figura 7.2

Condensatorul CE, de decuplare a emitorului, este necesar pentru a asigura o

impedanţă mică la emitor spre masă la frecvenţele de semnal. Deoarece C E apare ca
un circuit deschis pentru curentul continuu de polarizare, el nu intervine în analiza
de regim c.c..
Conform teoremei a II-a a lui Kirchhoff putem scrie:

(7.3)

De unde rezultă:

(7.4)

(7.5)
Se constată o creştere a libertăţii în proiectare. Apar acum trei parametri
independenţi: EB, RB şi RE, care pot fi ajustaţi pentru a stabili curentul de funcţionare
IC. Această mare libertate face ca ecuaţia (7.5) să devină inutilă drept ecuaţie de
proiectare.
Liniile mari ale proiectării rezultă clar din ecuaţia (7.4). Dacă luăm R E destul de
mare, astfel încît termenul (βF+1)∙RE să domine numitorul, atunci termenul
imprevezibil βF dispare practic din ecuaţie. De asemenea, dacă luăm E B de valoare
mare (are o valoare limită superioara, care este evident E C), efectele variaţiei lui VD
cu temperatura sînt reduse la minimum.
Din nefericire, valorile lui RB şi RE influenţează şi performanţele de semnal mic
ale circuitului. Rezistenţa R B apare în paralel cu intrarea tranzistorului şi prin urmare
acţionează ca un şunt nedorit pentru curenţii de semnal care se aplică la intrare.
Rezistenţa RE reduce amplitudinea maximă de ieşire, prin faptul că reduce tensiunea
continuă efectivă de alimentare: tensiunea continuă disponibilă pentru circuitul de
colector al amplificatorului este numai E C – IE∙RE. Evident, condiţia de a reduce
aceste două efecte asupra performanţelor de semnal mic vine în contradicţie cu
condiţia precedentă, bazată numai pe stabilitatea polarizării.
Practic, fiind dat punctul static de funcţionare dorit, se alege o valoare a lui R E
care să dea o cădere de tensiune I E∙RE de circa 2...4 V. Aceasta va asigura o valoare
destul de mare pentru EB, astfel încît variaţiile termenului V D să fie reprimate în mod
satisfăcător. Pe de altă parte, aceasta va permite o amplitudine rezonabilă a
semnalului de ieşire pentru valori rezonabile ale tensiunii de alimentare E C.
Se adoptă RB aproximativ de 10 ori mai mare decît RE.
EB se calculează însumînd căderile de tensiune în jurul circuitului de intrare:

EB = IB∙[RB + (βF + 1)∙(RE + rd)] + VD (7.6)

Ecuaţia poate fi rezolvată pentru a găsi şi valoarea lui E B prin înlocuirea

valorilor adecvate ale lui I B şi VD în punctul de funcţionare, la T = 25ºC. Aceste valori
pot fi citite direct de pe caracteristicile tranzistorului, dacă avem la dispoziţie un set
complet. Altfel, ele pot fi aproximate observînd că V D ≈ 0,6 V (siliciu) şi IB = IC/ βF.
Ultimul pas este de a transforma R B şi EB în reţeaua echivalentă de la intrare.
Pentru a găsi pe R1 şi R2, rezolvînd ecuaţiile (7.1) şi (7.2), obţinem:

(7.7)

(7.8)
PROCEDEE NELINIARE DE STABILIZARE A PUNCTULUI STATIC DE
FUNCŢIONARE

1. Efectul creşterii curentului rezidual de colector I CB0 cu temperatura poate fi

compensat cu o diodă polarizată invers, conectată între bază şi masă.

+ EC
RB1 RL

ICB0
T

RB2
Iinv
D
RE

Figura 7.6

Rolul acestei diode poate fi înţeles observînd că, în conexiunea EC, curentul
rezidual ICB0 se închide la masă prin joncţiunea emitorului, întrucît rezistenţa
prezentată de aceasta este mult mai mică decît rezistenţa R B2. Din această cauză, ICB0
este amplificat ajungînd să dea un curent de colector mare. Spre exemplu, cu baza
în gol (RB = ∞), IC = ICE0 = (βF + 1) ∙ICB0.

Curentul invers al diodei determină, de asemenea, o variaţie prin joncţiunea

emitorului, dar aceasta are sens invers faţă de cea determinată de I CB0.
Dacă se alege dioda astfel încît să aibă curentul invers egal cu I CB0, şi în plus
are aceeaşi variaţie cu temperatura, atunci efectul lui I CB0 va fi compensat. I CB0 se
închide la masă prin diodă şi nu mai este amplificat de tranzistor.

2. O compensare termică mai generală, incluzînd toate cauzele de instabilitate la

variaţia temperaturii, se poate realiza introducînd un termistor în divizorul care
polarizează baza.
 + EC
RC
RB1

Th
RE

Figura 7.7

Observaţie

Termistoarele sînt semiconductoare a căror rezistenţă electrică variază cu

temperatura. Ele sînt de două tipuri: termistoare cu coeficient de temperatură
negativ NTC (rezistenţa scade cu creşterea temperaturii) şi termistoare cu coeficient
de temperatură pozitiv PTC (rezistenţa creşte cu creşterea temperaturii), ultimele
numite şi pozitoare.
Cel mai des utilizat este termistorul NTC, avînd proprietatea că rezistenţa sa
electrică scade exponenţial atunci cînd temperatura creşte şi invers. El este realizat
practic sub forma unui disc sau a unei picături (perlă) şi ca orice rezistor are două
fire de conexiune. Pentru obţinerea termistoarelor NTC se folosesc oxizi şi elemente
din grupa fierului: Fe, Cr, Mn, Ni. Prin impurificare cu ioni străini aceste materiale se
transformă în semiconductoare, în acest fel mărindu-se conductibilitatea şi variaţia
cu temperatura a rezistivităţii. Caracteristica tensiune-curent pentru termistoarele
NTC este prezentată în figura 7.8.
U

Figura 7.8

În cataloage valoarea rezistenţei electrice a termistorului se dă pentru

temperatura de +25C (298,15 K).
Uzual se construiesc termistoare cu R25C = 2 …1 M şi avînd domeniul
temperaturilor de lucru cuprins între -1000C la +350C. Un alt parametru de catalog
al termistorului este coeficientul de temperatură “”. Acesta indică de fapt cu cît se
modifică rezistenţa electrică a termistorului cînd temperatura mediului ambiant
variază cu 1C.
 Coeficientul  se exprimă în % /1C şi poate avea valori cuprinse între 3 -
15% /1C. De notat că  scade invers proporţional cu pătratul temperaturii. Inerţia
termică sau constanta de timp “” a termistorului, reprezintă timpul pentru care
rezistenţa electrică a acestuia, în urma unui salt de temperatură, se modifică cu
63,2% din valoarea iniţială.

Prin urmare, în schema prezentată, la creşterea temperaturii scăzînd

rezistenţa termistorului, scade tensiunea aplicată bazei şi în felul acesta poate fi
compensată creşterea curentului de colector determinată de variaţia parametrilor
tranzistorului cu temperatura. Rezistenţa din emitor R E are o valoare destul de mică
şi asigură stabilizarea PSF-ului numai la dispersia tehnologică a parametrilor
tranzistorului şi ridică potenţialul bazei pentru a putea utiliza un termistor cu
rezistenţa mult mai mare decît rezistenţa de intrare a tranzistorului.
TRANZISTORUL BIPOLAR ÎN REGIM DE COMUTAŢIE

Funcţionarea în regim de comutator a unui dispozitiv electronic, presupune

trecerea bruscă din starea de blocare în starea de conducţie (comutaţia directă) şi
din starea de conducţie în starea de blocare (comutaţia inversă).

- EC

IC
RC

IC

IB RB
ICS A
VCE
Vi

0 VCESAT EC VCE

Figura 9.4

Tranzistorul este blocat când ambele joncţiuni sunt polarizate invers, curentul de
colector având în acest caz o valoare foarte mică (I CB0). Practic, blocarea
tranzistorului se poate face numai prin întreruperea curentului de bază.
Starea de conducţie a tranzistorului se alege de regulă în regiunea de
saturaţie sau la limita dintre regiunea activă şi de saturaţie (punctul A). La intrarea în
saturaţie, tensiunea VCE are valori cuprinse în intervalul 0...0,5 V, care pot fi
considerate neglijabile în raport cu tensiunea de alimentare E C.
În consecinţă, valoarea curentului de colector la saturaţie este:

(9.22)

La limita dintre regiunea activă normală şi regiunea de saturaţie, acestui

curent de colector îi corespunde curentul de bază de saturaţie:

(9.23)

Oricât de mult se măreşte în continuare curentul de bază peste valoarea I BS,

curentul de colector rămâne la valoarea I CS.
Din această cauză, în regiunea de saturaţie:

(9.24)
 Vi

E2

t
0

E1

IB

IB2

t
0

IB1

IC

t0 t1 t2 t3 t4 t5 t
0
0,1ICS

td tr ts tf
0,9ICS

tCD tCI

Figura 9.5

Până în momentul t0, presupunem că tranzistorul era blocat (I B ≈ 0, IC ≈ 0). În

acest moment, tensiunea de intrare îşi schimbă prin salt valoarea, de la E 2 > 0 la E1 <
0.
Curentul de bază variază şi el aproape prin salt, de la zero la I B1 = E1/RB.
Curentul de colector nu începe să crească însă imediat. Este necesar un anumit
timp pentru ca purtătorii injectaţi de emitor în bază să ajungă în colector. Intervalul
de timp scurs de la aplicarea comenzii de comutaţie până la momentul când
curentul de colector începe să crescă defineşte timpul de întârziere (delay time – t d).
După ce tranzistorul intră în regiunea activă (t 1), curentul de colector nu
creşte brusc la valoarea I CS. Se defineşte timpul de creştere sau ridicare (rise time –
tr) ca intervalul de timp în care valoarea curentului de colector creşte de la zero la
0,9 din valoarea finală.
Timpul de comutaţie directă (tCD) se defineşte ca intervalul de timp scurs de la
aplicarea comenzii de comutaţie până la momentul în care curentul de colector
ajunge la 0,9 din valoarea finală:
 tCD = td + tr (9.25)

Mai departe, tranzistorul rămâne în starea de conducţie, cât timp tensiunea de

intrare se menţine constantă.
Presupunem că la momentul t3, tensiunea la intrare variază brusc la valoarea
E2, care polarizează invers joncţiunea emitorului. Curentul de bază îşi schimbă
brusc semnul, luând valoarea IB2 = E2/RB. Curentul de colector nu tinde imediat la
zero. Acest fenomen se explică prin aceea că la saturaţie se acumulează în regiunea
bazei un surplus de sarcină electrică. La comutaţia inversă, curentul de colector
rămâne constant până se evacuează acest plus de sarcină stocată în regiunea bazei.
Intervalul de timp ts, scurs de la aplicarea comenzii de comutaţie inversă până
în momentul t4 când curentul de colector începe să scadă este numit timp de
stocare (storage time). După ce tranzistorul iese din saturaţie, punctul reprezentativ
se deplasează pe dreapta de sarcină spre starea de blocare (de la A spre E C). Se
defineşte timpul de cădere tf (fall time), intervalul în care IC scade de la ICS la 0,1ICS.
Timpul de comutaţie inversă tCI este intervalul scurs de la aplicarea comenzii
de comutaţie inversă până la momentul în care curentul de colector scade la 0,1 din
valoarea iniţială.

tCI = ts + tf (9.26)

Aceşti timpi cu cât sunt mai mici, cu atât frecvenţa limită a tranzistorului este
mai mare.
TRANZISTORUL CU EFECT DE CÎMP CU JONCŢIUNE

Generalităţi

Tranzistorul cu efect de cîmp cu joncţiune TECJ (în engleză JFET), a fost

propus de Shockley în 1952. TECJ-ul este în esenţă un rezistor a cărui secţiune este
controlată de grosimea regiunii de sarcină spaţială a unei joncţiuni pn. Termenul de
efect de cîmp este legat de faptul că scurgerea curentului prin dispozitiv este
controlată de un cîmp electrostatic (tensiunea aplicată joncţiunii).
FET-ul este numit dispozitiv unipolar deoarece curentul este produs fie numai
de electroni, fie numai de goluri.
Există două categorii mari pentru FET-uri:
- cu joncţiune, JFET;
- cu metal oxid semiconductor, MOSFET.
În comparaţie cu tranzistorul bipolar, FET-ul are o rezistenţă de intrare mult
mai mare, fără a avea tensiune de offset (decalaj).

p
S D G
canal n
p n+
n+

Figura 10.1

Figura de mai sus ilustrează o secţiune transversală printr-un JFET de tip n.

Canalul este realizat dintr-un material semiconductor de tip n, cu contacte ohmice la
cele două capete. Unul din acestea este numit sursă (S), iar celălalt drenă (D).
Pe ambele părţi ale canalului este obtinut un material de tip p prin difuzie.
Conexiunea în paralel a celor două zone „p” formează poarta G a dispozitivului.
Poarta de tip p împreună cu canalul de tip „n”, formează joncţiuni pn, luînd
astfel naştere tranzistorul JFET.
În funcţionarea JFET-ului, joncţiunile pn sînt rareori polarizate direct. În fapt,
joncţiunile „pn” sînt polarizate invers, iar grosimea regiunii de sarcină spaţială
asociată joncţiunii, face ca secţiunea conductivă a canalului (regiunea „n” neutră)
să fie mai mică decît distanţa fizică dintre cele două joncţiuni.
Deoarece joncţiunile sînt polarizate invers, rezistenţa de intrare a
dispozitivului este foarte mare. Secţiunea conductivă a canalului este controlabilă
electric prin diferenţa de potenţial care există între poartă şi canal. Efectul de cîmp,
care se obţine, este aproximativ simetric faţă de axa longitudinală a dispozitivului.
Dacă cele două regiuni de tip „p” nu sînt legate împreună, un al patrulea electrod
independent, poate fi folosit, caz în care se obţine tetroda cu efect de cîmp.
Mijloacele de control a curgerii curentului prin canalul dispozitivului sînt
ilustrate în figura 10.2.
Tensiunea VDS este aplicată în lungul canalului dispozitivului, la terminalele
drenă şi sursă. Curentul de electroni intră pe la terminalul sursă şi iese pe la
terminalul drenă al dispozitivului. Dacă regiunea de tip p nu ar fi prezentă, curentul
prin canal va fi o funcţie de tensiunea dintre terminalele drenă şi sursă V DS şi de
rezistenţa canalului.
 p
S D
n
VGS
p
- G
+

VDS
- +

Figura 10.2

Însă regiunea de tip p există, formînd o joncţiune cu canalul şi fiind polarizată

invers, o regiune de epuizare va exista în canal. Dacă tensiunea poartă sursă V GS
este majorată la o asemenea amplitudine, astfel că cele două regiuni de epuizare se
vor atinge, curentul de drenă I D va fi zero. Mărimea lui VGS care face ca intensitatea
curentului de drenă să fie redusă la zero este numită tensiune de tăiere (cutoff V p).
Întinderea regiunilor de epuizare în canal este determinată de V GS. Astfel,
curgerea curentului prin canal este controlată de mărimea tensiunii poartă-sursă
VGS.
Simbolurile folosite pentru un JFET de tip n, respectiv p sînt următoarele:

D D

G G

S S
n FET p FET

Figura 10.3

La JFET de tip p, canalul este construit din material de tip p, iar poarta din
material de tip n. Tensiunile de lucru vor fi inverse faţă de cele de la JFET-ul de tip n.
Interesant este că practic, conexiunile sursă şi drenă pot fi interschimbate
într-o configuraţie circuit.
 POLARIZAREA TRANZISTOARELOR CU EFECT DE CÎMP CU
JONCŢIUNE

Pentru funcţionare în regiunea liniară TECJ-ul este polarizat cu o tensiune de

poartă negativă în raport cu sursa.

+ VDD
ID
RL
D VGS = -ID∙RS IDSS
G

RG
RS VGS
VP

Figura 10.8 Figura 10.9

Circuitul de mai sus se numeşte autopolarizarea TECJ-ului. Polarizarea este

asigurată prin căderea de tensiune dată de curentul de sursă I S = ID pe rezistenţa RS.
Această tensiune este aplicată pe grilă prin rezistenţa R G, care are valori de ordinul
MΩ-lor, dezvoltînd astfel tensiunea de polarizare necesară funcţionării în regiunea
liniară. În practică, nu sînt recomandate valori prea mari pentru R G, deoarece
curentul continuu invers de grilă, deşi mic, va da o cădere de tensiune apreciabilă
pe un RG prea mare.
Variaţia tensiunii grilă-sursă VGS creşte rapid cu temperatura.
Deoarece VGS = - ID∙RS punctul de funcţionare în planul caracteristicii de
transfer este determinat prin intersecţia acesteia cu linia de polarizare.

+ VDD
ID
RL
R1 IDSS
D VGS = VGG -ID∙RS
G

S
VGG/RS
VR2 R2 VGS
RS
VP Figura 10.11 VGG
Un alt circuit de polarizare a TECJ-ului conţine un divizor rezistiv pe grilă. Reţeaua
de polarizare va stabiliza punctul de funcţionare al circuitului la diversele schimbări
care au Figura
loc în parametrii
10.10 circuitului.
 Se poate scrie:

VR2 = ID∙RS + VGS (10.2)

Curentul de drenă este dat de relaţia:

(10.3)

Pentru valori maxime sau minime ale lui VP şi IDSS ecuaţiile de mai sus devin:

(10.4)

VR2 = ID(max)(min)∙RS + VGS(max)(min) (10.5)

Deoarece căderea de tensiune pe R2 este o constantă, se poate calcula

valoarea lui RS necesar pentru a stabiliza punctul de funcţionare al circuitului:

(10.6)

În acest circuit, linia de polarizare are ecuatia

VGS = VGG - ID∙RS,

unde VGG este căderea de tensiune pe R2:

(10.7)
TRANZISTORUL MOS CU CANAL INIŢIAL (MOS-TEC sau Depletion
MOSFET)

Este un dispozitiv electronic bazat pe conducţia curentului electric la

suprafaţa semiconductorului.
metal oxid
S G D D D

n+ n+ G G

S S
Substrat (semiconductor p) Canal n Canal p

Figura 11.1 Figura 11.2

MOS-FET cu canal iniţial are structura tehnologică prezentată în figura 11.1.

De regulă, substratul este legat electric intern la sursă.
MOS-FET-ul are rezistenţă foarte mare de intrare, deoarece grila este izolată
de canal printr-un strat de oxid. Grila împreună cu canalul formează un capacitor.
Dacă pe grilă se aplică o potenţial pozitiv faţă de sursă, în semiconductor, în
imediata vecinătate a stratului izolator de oxid, datorită acţiunii capacitorului, se
acumulează o cantitate corespunzătoare de sarcină negativă suplimentară, adică
creşte concentraţia de electroni, care sînt purtători minoritari. Sarcina negativă
indusă în canal reduce rezistenţa canalului. Deoarece în canal există mai mulţi
purtători de sarcină negativă aceasta determină o creştere a curentului de drenă I D.

Dacă un potenţial negativ este aplicat pe grilă în raport cu sursa, din nou
datorită acţiunii capacitorului, o sarcină pozitivă este indusă în canal, crescând
rezistenţa acestuia. Datorită purtătorilor de sarcină sărăciţi în canal, I D scade.
Conductivitatea canalului este modificată potrivit cu polaritatea şi mărimea
potenţialului aplicat la grila dispozitivului. Un potenţial pozitiv V GS acumulează în
canal purtători de curent suplimentar, iar un potenţial negativ V GS sărăceşte canalul,
provocând scăderea purtătorilor de sarcină.

Caracteristicile statice de ieşire au aceeaşi formă ca la TEC-J. Caracteristica de

transfer a unui MOS-FET cu canal n, ID = f(UDS) este ilustrată în figura de mai jos.
ID

IDSS UDS = ct

- UGS + UGS
UGS(blocare)
 Figura 11.3

În concluzie, rezultă că un asemenea tranzistor poate lucra cu orice polaritate

a tensiunii de grilă. Dacă U GS > 0, regimul de lucru se numeşte regim de îmbogăţire,
datorită creşterii concentraţiei de electroni în canal. Dacă însă, U GS < 0, regimul de
lucru poartă numele de regim de sărăcire şi duce la scăderea concentraţiei de
electroni din canal până la dispariţia lor (U GS = UP).

Observaţie practică

Deoarece rezistenţa de intrare este foarte mare, sarcina statică se poate

acumula pe grilă şi străpunge învelişul de oxid. Pentru ca dispozitivul să nu fie
avariat când nu este în circuit, terminalele sunt frecvent conectate împreună printr-o
foiţă de material care previne încărcarea cu sarcină a grilei. Producătorii recomandă
ca atunci când se lucrează cu MOS-FET-uri să nu fie scoasă foiţa până ce
dispozitivul nu este plasat în circuit şi ca uneltele să fie legate la masă (pistol de
lipit, patent etc.).
TRANZISTORUL CU CANAL INDUS (MOS-TEC sau Enhancement
MOSFET)

Un asemenea tranzistor este construit cu două puţuri de tip n şi fără canal,

atât timp cât tensiunea de poartă U GS < UP. Grila (poarta) şi substratul formează un
capacitor.
Astfel, dacă ne referim la MOS-FET cu canal n indus, la aplicarea unui
potenţial pozitiv la terminalul grilă în raport cu sursa face ca o sarcină negativă să
fie indusă în aria de sub zona grilei. Dacă tensiunea grilei este destul de mare, un
canal negativ este indus între cele două puţuri, curentul poate curge între sursă şi
drenă.
metal oxid
S G D
D D
n+ n+
G G
substrat substrat

Substrat (tip p) S S

Canal n Canal p
Figura 11.4 Figura 11.5

În absenţa unei tensiuni aplicate pe grilă, sursa şi drena sunt separate de

două joncţiuni p-n+ în opoziţie, fapt ce nu permite circulaţia unui curent între cele
două terminale.
De notat că MOS-FET-ul ia mai puţin spaţiu fizic la construcţie decât cea
ocupat[ de tranzistorul bipolar.
Un MOS-FET cu canal indus lucrează exclusiv în regim de îmbogăţire. Prin
urmare, un dispozitiv cu canal n necesită o tensiune grilă-sursă pozitivă, iar pentru
unul cu canal p este necesară o tensiune grilă-sursă negativă.
Caracteristica de transfer pentru MOS-FET-ul cu canal n indus este prezentată
în cele ce urmează. Se observă că, teoretic, nu există curent de drenă înainte ca U GS
să fi atins o anumită valoare nenulă, numită tensiune de prag.
ID

- VGS + VGS
VGS(prag)
Figura 11.6
POLARIZAREA MOS-FET CU CANAL INIŢIAL

Un MOS-FET cu canal iniţial poate lucra la tensiuni U GS atât pozitive cât şi negative.
O metodă simplă de polarizare este fixarea U GS = 0, astfel că semnalul de c.a. aplicat
pe grilă duce la variaţia în ambele sensuri a tensiunii grilă-sursă, în jurul acestui
punct de polarizare.

+ VDD
IDSS

RD

D
G
VDS

S
RG
RS

Figura 11.7

Pentru VGS = 0 şi ID = IDSS, tensiunea drenă-sursă are expresia:

VDS = VDD - IDSS∙(RD + RS) (11.1)

O altă metodă de polarizare se numeşte polarizare automată.

+ VDD
ID

RD
R1
D
G
VDS

S
R2
RS

Figura 11.8
Se poate scrie: (11.2)

În figura 11.9 se observă că sursa de tensiune pentru polarizarea grilei este

eliminată prin folosirea metodei polarizării automate a grilei de comandă. În acest
scop, în circuitul sursei se introduce o rezistenţă R S, şuntată de o capacitate mare
CS. La trecerea curentului ID prin rezistenţa RS, apare o cădere de tensiune care are
polaritatea pozitivă spre sursă şi negativă spre sursă.
+ VDD
id
RD
CD

D
CG G
VDS

S
RG
ID id
RS CS

Figura 11.9
Deoarece grila este legată conductiv la masă prin RG, ea se va găsi la un
potenţial mai coborât decât al sursei, adică se va negativa. Pentru ca potenţialul de
c.c. al grilei să fie egal cu cel al masei, căderea de tensiune dată de curentul I G pe
rezistenţa RG trebuie să fie neglijabilă. În acelaşi timp, trebuie ca RG să constituie o
rezistenţă de sarcină cât mai mare pentru sursa de semnal. Având în vedere că I G ≈
10+9 A, rezultă că RG se poate lua de câţiva megaohmi.
Tensiunea de negativare a grilei este:

VGS = - RS ·ID (11.3)

iar între curenţi avem relaţia:

IS ≈ ID >> IG (11.4)

Pentru circuitul de drenă se poate scrie relaţia:

VDD = VDS + ID·(RL + RS)

care în planul caracteristicilor de drenă constituie ecuaţia dreptei de sarcină în
regim static.
Capacitatea CS are rolul de a lăsa să treacă cu uşurinţă componenta variabilă
id a curentului de drenă, astfel încât în regim dinamic tensiunea de negativare să
rămână neschimbată (atât timp cât componenta continuă I D a curentului de drenă nu
variază). Deci, RS nu intervine în regimul de semnal.
Ecuaţia de tensiuni pe circuitul drenei, în regim dinamic este:
vDS = - RL·id (11.5)
POLARIZAREA MOS-FET CU CANAL INDUS
La un tranzistor MOS-FET cu canal indus, U GS trebuie să fie mai mare decât o
anumită valoare de prag, deci polarizarea la zero nu poate fi utilizată.

+ VDD
ID

RD
R1
D
G
VDS

S
R2

Figura 11.10
O metodă de polarizare ar fi utilizarea circuitului cu divizor rezistiv, unde se
poate scrie:
(11.6)

(11.7)

unde ID = K∙(VGS – VGS(prag))2, iar K este un parametru constructiv al tranzistorului.

În practică, se mai utilizează şi circuitul cu reacţie în drenă. În acest circuit,
curentul de grilă este neglijabil şi, ca atare, nu există cădere de tensiune pe R G. De
aceea, VGS = VDS.

+ VDD
RD

R1 D
G
VDS

Figura 11.11
 REDRESOARE MONOFAZATE MONOALTERNANŢĂ

Sînt cele mai simple circuite practice de conversie a puterii.

VS, VL
+
D
Vm
+
RL VL
VS VL t
-

-
VS

Figura 14.6

Cînd tensiunea sinusoidală a sursei este pozitivă dioda conduce, iar

tensiunea la bornele sarcinii este egală cu tensiunea sursei. Cînd tensiunea sursei
este negativă, dioda este blocată, iat tensiunea la bornele sarcinii este zero. Astfel,
tensiunea în sarcină urmăreşte tensiunea de intrare pe o jumătate a perioadei şi
este zero pe cealaltă jumătate. Componenta de curent continuu a tensiunii de
sarcină este valoarea medie a formei de undă trasate cu linie continuă groasă. Deci,
tensiunea de curent continuu pe sarcină este:

(14.3)

unde Vm este valoarea de vîrf a tensiunii alternative de la intrare. Componenta

corespunzătoare continuă a curentului din rezistorul de sarcină este V CC/RL, unde RL
este rezistorul de sarcină. Astfel, curentul continuu din rezistorul de sarcină este:

(14.4)

Dacă sursa de curent alternativ prezintă o apreciabilă rezistenţă internă,

analiza redresorului monoalternanţă trebuie să fie modificată luîndu-se în
consideraţie căderea de tensiune pe această rezistenţă internă.

VS, VL
+ Vm
RS D RL
Vm 
+ RS  R L VL
VS RL VL t
-

- VS

Figura 14.7

Cînd circuitele de redresare sînt utilizate pentru a obţine tensiuni relativ mici
continue, este necesar a folosi un model de diodă care să ia în consideraţie căderea
 de tensiune în sens direct pe diodă. Diodele cu siliciu au o tensiune de prag de
0,6...0,8 V. Astfel, este necesar de a lua în considerare acest prag cînd amplitudinea
tensiunii alternative este mai mică de 10 V. Un model care să ia în considerare
căderea directă de tensiune pe acestă diodă consideră dioda ca fiind reprezentată
printr-o diodă ideală liniară pe porţiuni în serie cu o tensiune continuă V D care este
tensiunea de prag.

VD VS, VL
+ -
+ Vm
Vm - VD VL
+ Modelul diodei t
VS RL VL
-

VS
-

Figura 14.8

Întrucît nu circulă curent pînă ce VS nu atinge valoarea VD, intervalul de

conducţie este puţin micşorat. Desigur, amplitudinea tensiunii de ieşire este mai
mică decît amplitudinea tensiunii de la intrare cu valoarea V D.
Redresoarele monoalternanţă furnizează o tensiune de ieşire cu o
componentă apreciabilă de curent alternativ (de acelaşi ordin de mărime cu
componenta dorită de curent continuu). Pentru a dubla componenta de curent
continuu, fără a creşte excursia vîrf-la-vîrf a tensiunii de intrare se utilizează
redresoarele monofazate bialternanţă.
REDRESOARE MONOFAZATE BIALTERNANŢĂ
D1 V1, V2, VL
+
Vm
+
V1 + t
- RL
Vp VL
+
-
V2
- V1 V2
-
În figura de maiDsus
2
este redată schema principială a unui redresor monofazat
Figura 14.9
bialternanţă, care utilizează un transformator cu priză mediană pentru furnizarea
tensiunilor alternative. Transformatorul are o priză mediană în secundar şi produce
două tensiuni alternative, egale în amplitudine, dar defazate cu 180º.
În jumătatea de perioadă în care V1 este pozitivă, dioda D1 conduce, iar dioda
D2 este blocată. În timpul celeilalte jumătăţi de perioadă, cînd V 1 este negativă şi V2
este pozitivă, dioda D2 conduce şi dioda D1 este blocată.
Componenta de curent continuu a curentului prin rezistorul de sarcină este
de două ori mai mare decît la un redresor monoalternanţă, care lucrează cu aceeaşi
tensiune alternativă de intrare şi acelaşi rezistor de sarcină:

(14.5)

Această utilizare a ambelor faze ale tensiunii de intrare poate fi realizată fără
transformator cu priză mediană, dacă se folosesc patru diode. Circuitul se numeşte
redresor bialternanţă în punte.

VS, VL VL
D1
+
Vs
- D3 +
D4 t
- +
D2 RL VL VS
-

Figura 14.10

Cînd VS este pozitivă, diodele D1 şi D2 conduc, iar diodele D 3 şi D4 sînt blocate.

Astfel, borna de sus a rezistorului de sarcină este conectată la borna de sus a
sursei, iar tensiunea de pe sarcină urmăreşte tensiunea de intrare V S. Pe de altă
parte, cînd VS este negativă, diodele D3 şi D4 conduc, iar diodele D1 şi D2 sînt blocate.
Borna de sus a sarcinii este conectată la borna de jos a sursei, astfel că tensiunea
de pe sarcină urmăreşte pe –VS.
STABILIZATOR SERIE DE TENSIUNE

Să încercăm a proiecta un circuit stabilizator de tensiune, folosit împreună cu

redresorul monoalternanţă, utilizînd modelul de circuit pentru tranzistoare
cunoscut.
D

RS

C R T
Vmsinωt
+
Dz R L E0
-

Figura 15.3

Un singur tranzistor este conectat între ieşirea redresorului si rezistorul R L, care

reprezintă sarcina sistemului. Pentru a menţine constant potenţialul bazei, în raport
cu masa, în baza tranzistorului este conectată o diodă Zener. Rezistorul R S asigură
atît curentul necesar diodei Zener cît şi curentul în baza tranzistorului.

Întrucît tensiunea de ieşire E 0 diferă de tensiunea constantă de referinţă numai prin

căderea de tensiune pe joncţiunea emitor-bază polarizată direct, E 0 este aproximativ
constantă chiar dacă rezistenţa de sarcină şi tensiunea alternativă de intrare
variază. Variaţiile tensiunii de ieşire a redresorului sînt preluate de căderea de
tensiune pe joncţiunea colectorului, polarizată invers. Pentru o proiectare completă,
trebuie alese valorile corespunzătoare pentru dioda Zener şi respectiv pentru R S.
Pentru orice valoare finită a lui RL, va exista un curent prin RS şi prin joncţiunea
emitor-bază a tranzistorului. Astfel, această joncţiune va fi polarizată direct. În
acelaşi timp, căderea de tensiune pe R S asigură şi polarizarea inversă a joncţiunii
colector-bază.

RT

II RS βFIB
IB
+
EI
II VBE
- RZ
+ IB +
EZ
- E0
-
 Figura 15.4

În circuitul echivalent, redresorul monoalternanţă a fost înlocuit cu o sursă de

tensiune EI şi o rezistenţă RT. Rezistenţa RT reflectă faptul că o creştere a curentului
prin sarcină determină scăderea tensiunii medii disponibile pe condensator.
Dioda Zener este modelată printr-o sursă de tensiune EZ în serie cu o
rezistenţă RZ.
Reţeaua electrică are numai doi curenţi ciclici independenţi. Deşi există mai
multe posibilităţi de alegere a variabilelor pe ochiuri, analiza este simplificată dacă
se consideră curenţii I B şi βFIB. Aplicînd legea a II-a lui Kirchhoff obţinem
următoarele ecuaţii:

(15.13)

(15.14)

Grupînd termenii obţinem:

(15.15)

(15.16)

Relaţia între tensiunea de ieşire a stabilizatorului şi curenţii pe ochiuri este:

(15.17)

Dacă rezolvăm sistemul de ecuaţii (15.15) şi (15.16) obţinem pentru I B:

(15.18)

Deşi nu foarte complicată această expresie este suficient de greoaie pentru a

ascunde orice informaţie pentru o proiectare aproximativă. Pentru a o simplifica
vom introduce valori numerice.

Presupunem că încercăm să proiectăm o sursă de tensiune capabilă să

furnizeze o tensiune de 20 V la un curent maxim de 500 mA. Astfel, valoarea minimă
a rezistorului RL, reprezentînd sarcina sistemului va fi de 40 Ω. Dacă tranzistorul
este cu siliciu, atunci V BE va fi de circa 0,6 V, aşa încît vom alege o diodă Zener de
20,6 V. În această gamă de tensiuni, rezistenţa diodei este de ordinul 5...10 Ω pentru
curenţi mai mari de 1 mA. Vom alege tensiunea alternativă de intrare astfel încît în
lipsa curentului de sarcină, tensiunea pe condensatorul de filtrare să fie 30 V şi vom
lua, oarecum arbitrar RT = 10 Ω.
Presupunînd aceste valori pentru rezistenţe şi β F cel puţin 100, putem
determina IB cu formula aproximativă:

(15.19)
unde RS va fi mult mai mare decît R Z. Înlocuind în ecuaţia (15.18) şi simplificînd
obţinem:

(15.20)

Rezultă că orice variaţie a tensiunii E 0, provenind din variaţia tensiunii

alternative de reţea, va fi redusă la ieşire în raportul:

(15.21)

Astfel dacă RS poate fi făcut mult mai mare decît R T + RZ, E0 va depinde
aproape în întregime de EZ – VBE şi va fi practic independentă de EI.
RS trebuie să asigure insă curentul de bază al tranzistorului şi curentul diodei
Zener. Astfel valoarea lui RS va fi limitată superior.
Valoarea cea mai mare pentru RS, corespunzătoare unui curent de 1 mA prin
diodă, va fi deci:

(15.22)

Pentru a încheia proiectarea, trebuie să verificăm că tranzistorul rămîne în

regiunea activă normală şi că disipă o putere mai mică decît limita maximă
admisibilă pentru toate valorile de sarcină prevăzute.
Rezultă în mod evident că un stabilizator de tensiune foarte
simplu, constituit dintr-un tranzistor, o diodă Zener şi un rezistor,
îmbunătăţeşte simţitor performanţele unei surse de alimentare,
micşorînd dependenţa tensiunii de ieşire de caracteristicile redresorului
monoalternanţă.
REACŢIA

CONSIDERAŢII GENERALE

Nu există amplificatoare ideale. Nici un amplificator nu este perfect liniar, în

sensul că tensiunea de ieşire nu este cu exactitate forma de undă a tensiunii de
intrare, înmulţită cu un factor constant. Chiar dacă amplificatorul este suficient de
liniar pentru o anumită plajă a tensiunii de intrare, amplificarea în tensiune variază
datorită schimbărilor survenite în tensiunea de alimentare sau temperatură, care
produc variaţia caracteristicilor tranzistorului cu punctul static de funcţionare.
Acestea şi multe alte limitări ale amplificatorului pot fi minimalizate prin aplicarea
reacţiei negative. În figura 13.8 este redată diagrama de fluenţă a semnalului.

intrare v1 v2 AMPLIFICATOR ieşire v3

COMPARATOR
DE BAZĂ

v4 ATENUATOR
DE PRECIZIE

Figura 13.8

În figura 13.9 se prezintă schema bloc electrică a unui amplificator cu reacţie.

AMPLIFICATOR
+ + +
DE BAZĂ
v2 RL v3
v1 COMPARATOR (unilateral)
- v3 = a∙v2 -
-

ATENUATOR
+
DE PRECIZIE
v4 PASIV
-
v4 = f∙v3

Figura 13.9

Pentru a aplica o reacţie unui amplificator, trebuie folosite încă două

elemente, un atenuator de precizie şi un comparator. Pentru simplitate, se
presupune că funcţiile de transfer ale celor trei blocuri sînt independente de
frecvenţă.
Pentru moment, se neglijează încărcarea amplificatorului de bază de către
circuitul de reacţie, presupunînd că amplificatorul de bază are o rezistenţă de intrare
infinită şi o rezistenţă de ieşire egală cu zero. În aceste condiţii, tensiunea de ieşire
v4 a atenuatorului de precizie este egală cu tensiunea de ieşire v 3 a amplificatorului,
înmulţită cu un factor constant subunitar.
Tensiunea v4 este comparată cu tensiunea de intrare v 1 şi diferenţa dintre cele
două tensiuni este aplicată amplificatorului.
 (13.5)

Combinând această ecuaţie cu relaţiile intrare-ieşire ale amplificatorului de

bază şi ale atenuatorului calibrat

(13.6)
(13.7)

şi eliminînd v2 şi v4, se găseşte că amplificarea în tensiune a amplificatorului cu

reacţie complet, adesea denumită amplificare pe buclă închisă este:

(13.8)

Efectul reacţiei negative este evident. Dacă produsul a∙f este mult mai mare
decât unitatea, ecuaţia se reduce la:

(13.9)

Aşadar relaţia între v3 şi v1 depinde numai de f şi este aproape independentă

de „a”. Acesta este un rezultat important, deoarece amplificarea „a” a
amplificatorului de bază este funcţie de temperatură, tensiune de alimentare etc.,
aşa cum s-a scos în evidenţă în cele anterioare.
Pe de altă parte, amplificarea „f” poate fi controlată cu precizie, deoarece
atenuatorul poate fi construit cu elemente R, L şi C invariabile, adică, ale căror
valori sînt mult mai puţin sensibile la schimbarea condiţiilor de funcţionare.
Amplificarea globală de tensiune este aproximativ independentă de „a” atunci cînd
„a” este mai mare, deoarece tensiunea de intrare a amplificatorului, v 2, necesară
pentru a produce v3, este diferenţa între două tensiuni mult mai mari, v 1 şi f∙v3. În
consecinţă, dacă pentru anumite motive „a” scade de două ori, este necesară o
schimbare neimportantă a valorii lui v 3, pentru a dubla pe v2, compensînd astfel
pierderea de amplificare.
Deşi ne-am referit numai la amplificarea de tensiune, scopul amplificatoarelor
este altul. Amplificarea de tensiune poate fi obţinută şi cu un transformator. Ceea ce
interesează în mod special este amplificarea de putere sau posibilitatea de a
comanda puterea, adică de a amplifica un semnal de putere (tensiune) redusă. În
acest fel, un semnal de o putere substanţială poate fi aplicat sarcinii.
Pentru calculul precis al variaţiei amplificării în tensiune A vf la schimbarea
amplificării „a” a amplificatorului de bază, se va diferenţia ecuaţia (13.8),
presupunînd mici variaţii ale lui „a” , iar „f” fiind constant:

(13.10)

Se poate determina variaţia relativă a lui A, din acest rezultat şi ecuaţia (13.8):

(13.11)
 Aşadar o variaţie relativă a valorii lui „a” reduce variaţia amplificării globale
Avf de „1+af” ori.
De exemplu, dacă produsul „af” este 99, atunci o variaţie de 10% a valorii lui
„a” dă naştere unei schimbări de numai 0,1% a valorii lui A vf. Este clar însă, că
trebuie „plătit” un preţ pentru această îmbunătăţire a performanţelor
amplificatorului. Analiza acestor ecuaţii indică faptul că aplicarea reacţiei negative
are ca rezultat reducerea amplificării. În mod explicit, raportul între amplificarea
globală a amplificatorului cu reacţie şi a amplificatorului de bază este:

(13.12)

Astfel, amplificarea globală este redusă prin acelaşi factor prin care sînt
reduse variaţiile amplificării. În exemplul numeric prezentat, reacţia a redus variaţiile
amplificării de o sută de ori, dar această îmbunătăţire în performanţă este obţinută
prin reducerea amplificării de o sută de ori. Din fericire, o amplificare nestabilizată
se obţine cu uşurinţă, adăugând etaje noi. Aducerea amplificării nestabilizate la
stabilitate nu este o limitare serioasă în folosirea reacţiei.
Pentru polarităţile şi interconectările din schema prezentată, reacţia este prin
definiţie negativă sau inversă dacă „a” şi „f” au acelaşi semn algebric.
În configuraţii mai complicate nu este întotdeauna uşor să se aplice acest
criteriu. O metodă mai sigură de investigare a tipului de reacţie este dată de ecuaţia
(13.10). Dacă o mişcare a valorii absolute a lui „f”, considerată iniţial zero, reduce A vf
sub valoarea lui „a”, reacţia este prin definiţie negativă.
OSCILATOARE ARMONICE

Generalităţi

Oscilatorul este un circuit care generează un semnal de ieşire în absenţa unui

semnal de intrare. Oscilatoarele sunt utilizate ca surse de semnal, în diverse
aplicaţii. Diferitele tipuri de oscilatoare generează forme de undă variate, cum sunt
cele sinusoidale, dreptunghiulare, triunghiulare şi în dinte de fierăstrău.
Funcţionarea oscilatorului sinusoidal se bazează pe principiul reacţiei
pozitive, prin care semnalul de ieşire este adus, parţial, la intrare în aşa fel încât să
se autopotenţeze, susţinându-şi astfel continuitatea. Oscilatoarele sunt utilizate pe
scară largă în diferite sisteme electronice, sisteme de comunicaţii, sisteme digitale,
inclusiv în calculatoare, pentru a genera semnale de anumite frecvenţe.
Cu alte cuvinte, oscilatorul este un circuit care generează la ieşire o formă de
undă repetitivă când i se aplică doar o tensiune continuă, nefiind necesară prezenţa
unui semnal de intrare repetitiv. Practic, oscilatorul transformă energia electrică de
tip continuu în energie electrică de tip alternativ (figura 17.1).

Tensiune continuă vout

OSCILATOR
de alimentare

Figura 17.1

Un oscilator sinusoidal simplu este format dintr-un amplificator (fie cu

tranzistoare, fie cu AO), care asigură introducerea unui câştig, şi un circuit de
reacţie pozitivă (figura 17.2).

vg v1 Amplificator ideal v2
+
A = v2 / v1 = ct

Circuit (reţea) de
reacţie ideală
vr β = v r / v2 v2

Figura 17.2

Putem scrie ecuaţiile:

v2 = A ∙ v1 (17.1)

vr = β ∙ v 2 (17.2)
 v1 = vg+ vr (17.3)

Deci, amplificarea cu reacţie este:

(17.4)

Pentru ca circuitul din figură să devină oscilator, la ieşirea acestuia trebuie să

obţinem semnal în absenţa semnalului de intrare, deci pentru v g = 0. În această
situaţie amplificarea cu reacţie devine:

(17.5)
condiţie satisfăcută pentru:

β ∙ A = 1. (17.6)

Această relaţie este denumită şi relaţia lui Barkhausen, relaţia dînd condiţia
de oscilaţie.
Relaţia lui Barkhausen este echivalentă cu două condiţii:

- condiţia de amplitudine: |A| ∙ |β| = 1

- condiţia de fază: φA + φβ = 2kπ ;

Din condiţia de fază se poate determina şi frecvenţa semnalului de la ieşirea

oscilatorului.
Condiţia de amplitudine este valabilă atunci cînd se ajunge la regimul de
echilibru de amplitudine, cînd amplitudinea oscilaţiilor este constantă. Pentru a
putea amorsa oscilaţiile, iniţial este necesar ca

|A| ∙ |β| > 1, (17.7)

adică iniţial este nevoie ca reacţia pozitivă să fie puternică.

Dacă condiţia de mai sus este menţinută în timpul funcţionării, atunci
amplitudinea oscilaţiilor va creşte fără a se ajunge la starea de echilibru. Din acest
motiv, în circuit trebuie să existe un mecanism de limitare a oscilaţiilor, care să
asigure intrarea în regimul de echilibru a funcţionării oscilatorului, moment în care
amplitudinea oscilaţiilor devine constantă.

amorsarea oscilaţiilor regim permanent

t
 Figura 17.3

Clasificarea oscilatoarelor

Oscilatoarele se pot clasifica în funcţie de diverse criterii după cum urmează:

1. După formele de undă de la ieşire:
 oscilatoare armonice, la care tensiunea de ieşire este apropiată
ca formă de cea sinusoidală;
 oscilatoare nesinusoidale, la care tensiunea de ieşire este
triunghiulară, dreptunghiulară etc.
2. După modul în care energia de alimentare poate fi transformată în energie a
semnalelor de ieşire:
 oscilatoare cu reacţie pozitivă;
 oscilatoare cu reacţie negativă.
3. După natura reţelei de reacţie:
 oscilatoare RC:
 cu reţele defazoare;
 cu reţea Wien;
 cu reţea dublu T.
 oscilatoare LC:
 cu circuit acordat în colector;
 oscilatoare în trei puncte:
 oscilator Colpitts;
 oscilator Clapp;
 oscilator Hartley
 oscilatoare cu cuarţ.
4. După gama de frecvenţe pe care o acoperă:
 de audiofrecvenţă (Hz – 1 MHz);
 de radiofrecvenţă (sute kHz – 1 GHz);
 de microunde (peste 1 GHz).
5. După numărul buclelor de reacţie
 cu o singură buclă de reacţie;
 cu două bucle de reacţie.
6. După natura elementelor prin bucla de delimitare a amplitudinii
 limitarea cu elemente cu inerţie termică – în circuitele acestora
se folosesc becuri cu incasdencenţă sau termistoare, care
încălzindu-se sub acţiunea tensiunii de ieşire îşi modifică
valoarea rezistenţei;
 limitarea cu elemente fără inerţie termică – TEC-uri folosite ca
rezistenţă controlată sau diode semiconductoare folosite în
semnal mic.
AMPLIFICATOARE DE PUTERE

GENERALITĂŢI

Există multe aplicaţii în care amplificatoarele trebuie să debiteze puteri

considerabile la ieşire. Uzual, amplificatoarele audio pot debita puteri cuprinse între 1 –
100 W (dar pot ajunge şi până la 1000 W) în sarcini constituite din difuzoare.
Difuzorul este unul din cele mai răspândite traductoare electroacustice, fiind
destinat transformării energiei electrice de audiofrecvenţă, în energie acustică, care se
propagă în spaţiul învecinat sub formă de unde sonore. Clasificarea difuzoarelor se face
după principiul de funcţionare sau varianta constructivă folosită. Se deosebesc astfel:
difuzoare electromagnetice, electrodinamice, electrostatice, piezoelectrice, ionice etc.
Cel mai răpândit tip de difuzor este difuzorul electrodinamic, realizat într-o mare
diversitate de forme constructive, puteri nominale sau impedanţe de intrare.
De asemenea, amplificatoarele de putere sunt necesare la comanda unor
emiţătoare de ultrasunete sau a unor motoare electrice în diverse sisteme de automatizări.
În general, un amplificator de putere conţine cel puţin trei etaje:
1. etajul final, care realizează cea mai mare parte a amplificării de putere: dispozitivele
utilizate la realizarea acestui etaj sunt capabile să debiteze curenţi de valori mari şi
cu puteri disipate admise ajungând până la 100 W;
2. etajul de comandă (driver) a etajului final, având rolul de a asigura semnalul necesar
pentru comanda tranzistoarelor din etajele finale. Acestea pot necesita semnale de
comandă în antifază sau puteri de comandă de câţiva waţi în cazul amplificatoarelor
de putere mare (mai mare de 10 W);
3. etajul de intrare al amplificatorului, care asigură amplificarea tensiunii de intrare până
la valoarea necesară pentru intrarea etajului driver.

ETAJE FINALE

Amplificatoarele finale pot fi proiectate să lucreze în regim liniar sau în impulsuri.

În impulsuri, tranzistoarele comandate de semnalul de intrare în regiunea de
comutaţie, între saturaţie şi blocare. Impulsurile pot avea factor de umplere ½ (durata
egală cu pauza) sau factor de umplere diferit de ½.
În funcţionarea liniară, tranzistoarele pot lucra într-unul din cele trei regimuri de
bază:
4. clasa A, funcţionare caracterizată de faptul că dispozitivul activ conduce pe întreaga
durată a perioadei semnalului de intrare;
5. clasa B, ceea ce corespunde unei conducţii de curent de către dispozitivul activ pe o
durată de timp egală cu jumătate din perioada semnalului de intrare (180º), în
cealaltă semiperioadă tranzistorul fiind blocat;
6. clasa C, care corespunde unei conducţii pe o durată de timp mai mică decât o
semiperioadă. Acest regim de funcţionare are dezavantajul de a produce în semnalul
de ieşire un bogat conţinut de armonici ale semnalului de intrare, care pot fi eliminate
numai prin utilizarea ca sarcini a unor circuite acordate.
Comparativ, curenţii prin dispozitivele active în cele trei clase de funcţionare se pot
vedea în figura de mai jos.
 Ui

i
Clasă A Im
t

i
Clasă B
t

i
Clasă C
t

Figura 18.1

Cuplajul dintre sarcină şi tranzistoarele finale poate fi realizat:

7. cu transformator: se realizează o separare galvanică între sarcină şi amplificator,
asigurând în acelaşi timp şi o adaptare a impedanţei de sarcină la valoarea
impedanţei de sarcină optimă pentru dispozitivul activ folosit, printr-o alegere
judicioasă a raportului de transformare;
8. cu condensator, înlătură componenta continuă de tensiune care poate apărea la
ieşirea amplificatorului şi care de ce mai multe ori este inaceptabilă pentru sarcină;
9. direct: are avantajul de a înlătura din construcţia amplificatorului două
elemente voluminoase şi care introduc limitări în banda de frecvenţe a
semnalelor ce pot fi amplificate.