Leccion Snubbers

REDES DE AYUDA A LA CONMUTACIN:SNUBBERS
-0-
UNIVERSIDAD DE OVIEDO
LECCIN :
Proteccin elctrica de semiconductores:
Redes de ayuda a la conmutacin disipativas y no disipativas
Presentada por:
Alberto Martn Perna
Gijn, Mayo de 1999
-1-
NDICE
1. INTRODUCCIN..................................................................................................................................... 2

2. FUNCIN Y TIPOS DE REDES DE AYUDA A LA CONMUTACIN................................................... 3
2.1 Justificacin......................................................................................................................... 3
2.2 Clasificacin........................................................................................................................ 8
3. SNUBBERS DE TENSIN DISIPATIVOS...................................................................................... 11
3.1 Snubber de tensin RC....................................................................................................... 11
3.1.1 Introduccin............................................................................................................. 11
3.1.2 Anlisis de funcionamiento...................................................................................... 14
3.1.3 Ejemplos de aplicacin............................................................................................ 22
3.2 Snubber de tensin RCD.................................................................................................... 24
3.2.1 Introduccin............................................................................................................. 24
3.2.3 Anlisis de prdidas................................................................................................. 31
3.2.4 Snubber de enclavamiento de tensin RCD............................................................. 36

4. SNUBBERS DE CORRIENTE DISIPATIVOS................................................................................ 40
4.1 Snubber de corriente RLD................................................................................................. 40
4.1.2 Anlisis de prdidas................................................................................................. 44
4.2 Snubber de corriente con inductancia saturable ............................................................... 46

5. SNUBBER UNIFICADO................................................................................................................. 48

6. SNUBBERS NO DISIPATIVOS....................................................................................................... 49
6.1 Snubber no disipativo de tensin....................................................................................... 49
6.2 Snubber no disipativo de corriente.................................................................................... 57
6.3 Snubber no disipativo unificado ........................................................................................ 61
7. BIBLIOGRAFA ............................................................................................................................ 62
7.1 Textos ............................................................................................................................ 62
7.2 Artculos y seminarios........................................................................................................ 63
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1. INTRODUCCIN:
El tema elegido est incluido en la leccin 10 del programa de Electrnica de
Potencia, contenida a su vez en el Tema II Dispositivos Semiconductores de Potencia. El
ndice establecido para la leccin 10 es el siguiente:
Leccin 10: Proteccin elctrica de semiconductores
10.1.- Redes de ayuda a la conmutacin: disipativas y no disipativas
10.2.- Otros mtodos de supresin de transitorios: varistores
10.3.- Proteccin ante sobrecorrientes: fusibles
El tiempo estimado para el desarrollo de la mencionada leccin es de 2 horas.
Utilizaremos una de ellas para dar una visin introductoria del apartado 10.1 referente a las
Redes de ayuda a la conmutacin. La hora restante se empleara en finalizar la leccin con
otros aspectos de la proteccin elctrica de los semiconductores, como son el empleo de
fusibles, varistores, etc.
El objetivo perseguido en esta leccin es dar una visin general de las mencionadas
tcnicas de proteccin de semiconductores de forma que el alumno pueda entender su
necesidad e iniciarse en su diseo, adquiriendo los conceptos necesarios para poder
profundizar posteriormente en el tema, a travs de la bibliografa existente.
-3-
2. FUNCIN Y TIPOS DE REDES DE AYUDA A LA CONMUTACIN
2.1 Justificacin
Los semiconductores presentan unos lmites muy estrictos en cuanto a valores
mximos de tensin corriente y potencia soportadas, que si son superados podran provocar
la destruccin del dispositivo. Cuando se disea un circuito se ha de poner especial cuidado
en que sus componentes puedan resistir las condiciones de trabajo ms desfavorables que
tengan lugar, tanto durante su funcionamiento normal como ante determinadas acciones
ajenas a la propia operacin normal del circuito (sobretensiones espreas, cortocircuitos
externos, etc.).
Los circuitos de ayuda a la conmutacin conocidos comnmente como snubber
son una parte esencial en muchos de los circuitos electrnicos de potencia. Bsicamente
podemos considerarlos como un conjunto de componentes (pasivos y/o activos) que se
incorporan al circuito de potencia para reducir en el dispositivo semiconductor el estrs
elctrico durante las conmutaciones y asegurar un rgimen de trabajo seguro.
En el diseo de los circuitos de potencia son varios los objetivos que deben
permanecer constantemente en la mente del diseador:
Minimizar el tamao del equipo
Mantener un alto rendimiento
Ajustarse al coste que el mercado reclama
A la vista de los cuales parece poco viable el tratar de solventar los problemas de
estrs elctrico (sobretensin, elevadas prdidas en conmutacin, etc.) que aparecen en
aquellos circuitos de potencia donde se incorporan dispositivos semiconductores trabajando
en conmutacin, con la seleccin de un dispositivo capaz de soportar elevadas magnitudes
-4-
de tensin y corriente. En cualquier caso la decisin ltima depender del coste y la
disponibilidad de semiconductores con los requerimientos elctricos necesarios, comparados
con el coste y la complejidad del snubber apropiado en cada aplicacin.
La funcin principal que desarrollan los circuitos de ayuda a la conmutacin es
absorber la energa procedente de los elementos reactivos del circuito durante el
proceso de conmutacin controlando parmetros tales como la evolucin de la tensin o
corriente en el interruptor, o bien limitando los valores mximos de tensin que ha de
soportar. Se incrementa de esta forma la fiabilidad de los semiconductores al reducirse la
degradacin que sufren debido a los aumentos de potencia disipada y de la temperatura de
la unin.
Por ejemplo, si la temperatura de la unin se duplica en un MOSFET, la resistencia
de conduccin puede llegar a crecer un 50%, aumentando considerablemente las prdidas
en conduccin con el consiguiente deterioro del dispositivo. La tasa de averas puede
aumentar en ms de 100 veces a causa del incremento en la temperatura de la unin T
j
.
Cuando se disea una red de proteccin adecuadamente el interruptor tendr que
disipar menores picos de potencia, tensin y corriente, todo ello a costa de incrementar la
circuitera y la complejidad del circuito.
En la figura que se muestra a continuacin podemos observar la evolucin de las
tensiones y corrientes ms significativas de un convertidor reductor considerando la
presencia de capacidades parsitas en el MOSFET y diodo, as como inductancias parsitas.
Debido a la existencia de estos elementos parsitos y del propio comportamiento de los
semiconductores, nos encontramos con la desagradable presencia de sobretensiones y
oscilaciones de alta frecuencia que provocan una importante reduccin del rendimiento as
como una muy probable ruptura por sobretensin del interruptor.
-5-
De una forma ms simplificada podemos considerar el circuito de la figura 2.2, en el
que se ha representado la conmutacin de un transistor sobre un circuito inductivo
caracterizado por la fuente de corriente I
O
. Durante el proceso de entrada en conduccin del
transistor, es el diodo el que debe salir de conduccin, pero como consecuencia del
fenmeno de recuperacin inversa presente en dicho diodo, se provocar un aumento en la
corriente de colector del transistor. De forma similar tenemos un aumento de la tensin
soportada por el transistor durante en apagado del mismo como consecuencia del retraso en
la entrada en conduccin del diodo, o la presencia de inductancias parsitas en serie con el
interruptor, L
en cuyo caso la tensin en el interruptor puede expresarse como:

V Vi L
di
dt
CE
C

(2. 1)
Debido a que el trmino diferencial es negativo, puesto que el interruptor esta siendo
bloqueado, aparece la sobretensin el colector.
Figura 2.1 Oscilaciones presentes en un convertidor reductor
ante la presencia de elementos parsitos.
-6-
Si representamos la evolucin de la tensin y corriente en el transistor sobre el rea
de trabajo seguro (SOA) podramos encontrarnos con que en algunos puntos puede ser
superada con la consiguiente destruccin del interruptor. En la figura 2.3 se muestra en
lnea de puntos la evolucin ideal de la conmutacin suponiendo que no existen inductancias
parsitas ni corriente de recuperacin en el diodo. En ambos casos se observa que durante
las conmutaciones el transistor disipa elevados picos de potencia, debido a que coexisten
tensin y corriente en l.
La potencia disipada en el transistor durante las conmutaciones considerando que
stas siguen la evolucin marcada por la lnea de puntos indicada en la figura 2, puede ser
estimada mediante las expresiones:
) (
2
1
Encendido
T
t
Io Vi P
ON
ON
(2. 2)
) (
2
1
Apagado
T
t
Io Vi P
OFF
OFF
(2. 3)
V
i
D
Io
Q
i
B
i
C
u
C
t
d
t
a
t
t
t
t
recuperacin inversa
(D)
retraso en la conduccin de (D)
Figura 2.2 Conmutacin de un transistor bipolar con carga inductiva
-7-
donde t
ON
y t
OFF
se corresponden con la duracin de cada etapa en el proceso de encendido
y apagado respectivamente.
Figura 2.3 Conmutacin del interruptor
Nos encontramos por lo tanto con un serio problema al que se presentan varias
soluciones. Una de ellas consistir en incorporar redes de ayuda a la conmutacin pero no
es la nica, tambin podramos acudir a topologas capaces de incorporar los elementos
parsitos presentes en el circuito como parte integrante de la propia topologa de potencia,
estaramos haciendo referencia a los convertidores de tipo resonante, cuasi-resonante
conmutados a corriente cero (ZCS) o a tensin cero (ZVS), o bien a los convertidores con
transiciones resonantes (ZVT) como ejemplos ms caractersticos.
Centrndonos en los snubbers, stos consiguen reducir el estrs elctrico en los
semiconductores durante el proceso de conmutacin cuando trabajan en un convertidor
electrnico, de varias formas:
1. Limitando el pico mximo de tensin aplicado al interruptor durante el
transitorio que aparece en el proceso de apagado.
i
C
u
CE
i
C
u
CE
P
max
P
max
encendido
apagado
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2. Limitando el pico mximo de corriente a travs del interruptor durante
proceso de encendido.
3. Limitando la pendiente de la corriente (di/dt) que circula por el interruptor en
el proceso de encendido.
4. Limitando la pendiente de la tensin (dv/dt) en el interruptor durante el
proceso de apagado.
2.2 Clasificacin
En una primera clasificacin podemos diferenciar los snubbers que absorbiendo la
energa procedente de las reactancias presentes en el circuito controlan la evolucin de la
tensin o la corriente en el interruptor que conmuta. Como regla general incorporaremos
un condensador en paralelo junto con otros componentes, para controlar la evolucin de la
tensin en el interruptor y una bobina en serie para el control de la corriente. En la figura
2.4 se muestra de forma simplificada como un snubber de tensin incorpora un condensador
como elemento almacenador de energa mientras que en el de corriente ser una bobina la
que tenga esa misin. Las redes asociadas al condensador y bobina determinarn como se
carga el condensador o la bobina y como se realiza el proceso de descarga.
RED
L
D
Q
C
RED
L
D
Q
l
S
a)
b)
Figura 2.4 a) snubber de apagado, b) snubber de encendido
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Otra posible clasificacin hace referencia a si la energa almacenada en los snubbers
se disipa en una resistencia, en cuyo caso los denominaremos snubber disipativo, o en
cambio dicha energa se transfiere a la fuente primaria o a la carga, siendo denominados en
este caso, snubbers no disipativos a pesar de que no son ideales y por lo tanto tambin
presentan pequeas prdidas.
Finalmente podemos distinguir los snubbers segn controlen la pendiente de subida
de la tensin en el interruptor (turn-off snubber o de apagado) o en cambio la enclaven a un
valor mximo determinado (voltage clamp snubber). Los snubbers de corriente pueden
incluirse en el primer tipo (controlan la pendiente de subida de la corriente, turn-on snubber
o de encendido).
Aunque a lo largo de la exposicin trataremos los distintos tipos de circuitos de
ayuda a la conmutacin de forma independiente, no ser extrao encontrarnos con la
necesidad de combinar algunos de ellos para poder controlar la tensin y corriente en el
interruptor.
A modo de resumen indicaremos a continuacin la utilidad prevista segn el tipo de
snubber utilizado:
Snubbers que controlan la pendiente de subida de la
tensin
Reducen la potencia disipada y el estrs en el interruptor durante el apagado
Previenen sobretensiones y rizados de alta frecuencia
Reducen el EMI al minimizar el ruido de alta frecuencia
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corriente
Reducen la potencia disipada y el estrs en el interruptor durante el encendido
Reduce el efecto del pico de recuperacin inversa del diodo
Snubbers con enclavamiento de la tensin
Reducen el pico de tensin soportado por el interruptor
Reducen el pico de potencia disipada durante el apagado
Reducen el rizado de alta frecuencia durante el apagado
Los circuitos mencionados pueden ser disipativos o no disipativos. Los no
disipativos reducen la potencia disipada en el snubber aumentando notablemente el
rendimiento del convertidor.
Antes de comenzar con la descripcin de cada tipo bsico de snubber es conveniente
mencionar la dualidad existente en su principio de funcionamiento. Un snubber que
controla la tensin en el interruptor durante el apagado provocar un pulso de corriente
cuando se proceda al encendido del mismo. Y por el contrario un snubber que controla la
corriente en el interruptor durante el encendido, ocasionar un pulso de tensin sobre el
interruptor durante su apagado. En convertidores con transistores conmutando
alternativamente (por ejemplo en un convertidor push-pull) que incorporen snubbers de
tensin se observar como cuando en uno de ellos la evolucin de la tensin es controlada
por el snubber (durante el proceso de apagado), en el otro se producir un pico de corriente
al entrar en conduccin.
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3. SNUBBERS DE TENSIN DISIPATIVOS
Como ya se mencion anteriormente los circuitos de ayuda a la conmutacin o
snubbers de tipo disipativo, eliminarn la energa absorbida durante las conmutacin
disipndola en una resistencia.
3.1 Snubber de tensin RC
3.1.1 Introduccin
Consta de una resistencia y un condensador que sern colocados en paralelo con el
dispositivo. A pesar de su sencillez este circuito permite amortiguar las posibles resonancias
parsitas y controlar la pendiente de la tensin en el semiconductor. En la figura 3.1 se
muestra la red RC aplicada a un circuito genrico con un interruptor en conmutacin. La
incorporacin de la red RC permitir reducir las prdidas en el paso a bloqueo. Si los
valores de R y C se escogen adecuadamente las prdidas en conmutacin podran verse
reducidas hasta un 40 %, incluyendo las presentes en la resistencia R.
L
D
Q
C
L D
Q
a)
b)
R
Vcc
R
C
f
Figura 3.1 a) Emplazamiento del snubber RC en un circuito genrico, b)
convertidor reductor
-12-
Para minimizar la disipacin de potencia durante el bloqueo del interruptor, la
resistencia del snubber tendra que tener un bajo valor hmico, y as proporcionar una forma
de onda de tipo capacitivo limitndose la subida de la tensin en el interruptor hasta que
quede totalmente bloqueado. Por el contrario, durante la conmutacin hacia saturacin, la
resistencia del snubber debera ser una alta impedancia para limitar la corriente a travs del
interruptor, como consecuencia de la descarga del condensador, hasta que la tensin l
llegue a cero, minimizando as la disipacin de potencia durante el intervalo de conduccin.
En la figura 3.2 se indica la evolucin de la tensin y corriente deseable en el
interruptor y que trataremos de obtener con los distintos circuitos que se van a plantear
posteriormente..
La principal aplicacin de la red RC es atenuar las resonancias provocadas por
los elementos parsitos en el circuito de potencia o la corriente de recuperacin inversa del
diodo D. En la figura 3.3 se incluye una inductancia parsita en serie con el interruptor, que
podra ser la inductancia de dispersin del transformador de aislamiento, junto con la
capacidad de salida del interruptor. Estos nuevos elementos entraran en resonancia
provocando sobretensin en el interruptor y oscilaciones de alta frecuencia si no hay
snubber. Cuando incorporamos la red RC, las oscilaciones se vern atenuadas siempre que
los valores de R y C sean escogidos adecuadamente.
I
C
V
CE
I
CC
V
CC
SOA
I
MAX
MAX
V
P
Avalancha 2
aria
MAX
Figura 3.2 Evolucin de las conmutaciones en el
interruptor, al incorporar un snubber.
-13-
La estimacin de los valores de R y C puede realizarse a partir del resto de los
componentes del circuito. Normalmente la capacidad dominante en el circuito es la
capacidad de salida del interruptor, y su valor lo podemos obtener de las hojas de
caractersticas del fabricante. El valor que asignaremos a la capacidad del snubber ser
generalmente de dos a cuatro veces la capacidad del interruptor, teniendo en cuenta que la
disipacin de potencia en la resistencia R aumenta al aumentar el valor de C. A la
resistencia R le asignaremos el valor que tenga la impedancia caracterstica del circuito
resonante.
R
Ls
Cp
(3. 1)
C C
P
( ) 2 4 (3. 2)
Los valores de R y C estimados mediante las expresiones (3.2) y (3.2) pueden ser
considerados en la prctica como punto de partida, para posteriormente ser ajustados
experimentalmente. A continuacin estudiaremos con ms profundidad el clculo de este
tipo de snubber .
L
D
Q
C
R
C
p
L
s
Figura 3.3 Presencia de una inductancia
parsita L
S
junto con el snubber RC
-14-
3.1.2 Anlisis de funcionamiento
Aunque el snubber RC no es el circuito ms apropiado para facilitar las
conmutaciones de un transistor, si tiene especial utilidad como snubber de diodos y
tiristores, para suprimir sobretensiones y reducir la derivada de tensin durante el apagado.
La figura 3.4, se corresponde con el esquema elctrico de un convertidor CC/CC reductor,
aunque puede ser extensible a otros convertidores, donde se ha incorporado una inductancia
parsita L
en serie con el diodo y un circuito de ayuda a la conmutacin RC en paralelo

con el diodo. Dicho circuito estar encargado de la proteccin del diodo ante la
sobretensin que la inductancia L
provocar durante el bloqueo de ste.

Para facilitar el estudio del circuito previo, vamos a considerar que la evolucin de la
corriente a travs del diodo es la indicada en la figura 3.5. Tambin consideraremos que el
apagado del diodo se produce instantneamente una vez alcanzada la corriente mxima
durante el pico de recuperacin inversa del diodo.
Q
C
S
R
S
L

I
o
D
f
i
L
v
df
+
-
V
d
Figura 3.4 Convertidor reductor con inductancia parsita y
snubber RC en el diodo
-15-
Como primera aproximacin de clculo, supongamos que el snubber carece de
resistencia (R
S
=0). En este caso, el circuito equivalente que resulta se muestra en la figura
3.6 (considerando R
S
=0). Puesto que asumimos el bloqueo instantneo del diodo una vez
alcanzado el pico de corriente de recuperacin inversa I
rr
, la corriente inicial a travs de la
inductancia L
es precisamente I
rr
. En cambio el condensador C
S
parte inicialmente con una
tensin nula.
Con estas hiptesis de partida, podemos plantear la ecuacin diferencial que rige el
comportamiento del circuito anteriormente indicado (fig. 3.6):
I
o
i
Df
I
rr
t
L
V
dt
di
d

Figura 3.5 Evolucin de la corriente durante el apagado del
diodo D
f
V
d
+
-
L

D
f
u
Cs
R
s
i
C
i
L
v
Df
C
s
+
-
+
-
Figura 3.6 Circuito equivalente
-16-
Vd v
dt
di
L
S
C
L
+

(3. 3)
por otra parte tenemos que
L
C
S
i
dt
dv
C
S
(3. 4)
La solucin de estas ecuaciones diferenciales por cualquiera de los mtodos
mencionados en el apartado 1.4 (Resolucin de ecuaciones diferenciales) del programa
propuesto para la asignatura de Electrnica de Potencia, nos conduce a las expresiones que
definen la evolucin de la corriente y tensin en el snubber incorporado:
i t I w t
Vd
Zo
w t
L rr O O
( ) cos( ) sen( ) + (3. 5)

) sen( ) cos( ) ( t w Z I t w Vd Vd t v
O O rr O C
S
+ (3. 6)
siendo
w
L C
Zo
L
C
O
S
S
; (3. 7)
Si definimos el trmino C
B
como:
2
,
_

Vd
I
L C
rr
base
(3. 8)
podemos expresar la ecuacin (3.6) de la forma:
-17-
( ) ) sen( ) cos( 1 ) ( t w
C
C
t w Vd t v
O
S
base
O C
S
+ (3. 9)
siendo el valor mximo de la tensin que soportara el diodo (asumiendo que R
S
=0):
,
_
+ +
S
base
max C
C
C
Vd V
S
1 1
,
(3. 10)
A la vista de esta ltima ecuacin, podemos afirmar que valores reducidos del
condensador C
S
provocaran elevadas sobretensiones en el diodo. Las formas de onda
de la corriente y la tensin en el condensador C
S
pueden verse en la figura 3.7.
i
L
v
Cs
V
Cs,max
I
rr
0
t
Figura 3.7 Evolucin de la corriente y tensin en C
S
Puesto que el circuito considerado no presenta ninguna resistencia serie (R
S
=0), las
oscilaciones de tensin y corriente que aparecen no estn amortiguadas y si el circuito
-18-
exterior no cambia entraramos en un rgimen oscilatorio. Para evitar esta situacin
aadiremos la resistencia R
S
al snubber, tal y como se presenta en la figura 3.4.
El circuito equivalente que se propone en la figura 3.6 sigue siendo vlido, pero
considerando ahora la presencia de R
S
. Las expresiones que definen dicho circuito son:
Vd L
di
dt
v t
L
df

( ) (3. 11)
v t R i
C
i t dt
df S L
S
L
( ) ( )

1
(3. 12)
La ecuacin diferencial que rige ahora el comportamiento del mencionado circuito
se deduce de (3.11) y (3.12) siendo la siguiente:
L C
d v
dt
R C
dv
dt
v Vd
S
df
S S
df
df
2
2
+ + (3. 13)
Las condiciones iniciales tanto para la bobina como para el condensador siguen
siendo las ya mencionadas previamente, v
c
(0)=0, i
L
(0)=I
rr
. Resolviendo la ecuacin (3.13)
se deduce la evolucin temporal de la tensin en el semiconductor v
df
:
v t Vd Vd R I wt
w
wt e
I
wC
e wt
df S rr
t rr
S
t
( ) ( ) cos sen sen
_
,
+

(3. 14)
-19-
siendo el coeficiente de amortiguamiento y w la frecuencia natural amortiguada.

R
L
w w
S
O
2
2 2
(3. 15)
dv t
dt
Vd R I wt
w
w
wt e
I
C
e wt
w
wt e
df
S rr
t rr
S
t t
( )
( ) cos sen cos sen +

_
,
+
_
,

2
2 2

(3. 16)
Sin ms que derivar en (3.14) determinaremos la variacin de la tensin en el
semiconductor (3.16). A partir de (3.14) y (3.16) se pueden obtener los valores de R
S
y C
S
adecuados para limitar tanto la tensin mxima como la derivada de la tensin en el
semiconductor.
Igualando a cero la expresin (3.16) obtendramos el instante en que se produce el
valor mximo de la tensin, por otra parte, con dicho dato y sustituyendo en (3.14)
conoceramos la amplitud mxima de la tensin. Pues bien, si asignamos a C
S
el valor C
B
(C
S
=C
base
), la mnima sobretensin se obtendr cuando R
S
=1.3R
base
(R
base
=Vd/I
rr
), y el
valor de la tensin en el semiconductor bajo estas condiciones ser aproximadamente:
V
df
1.5Vd.
Figura 3.8 Evolucin de la tensin en el diodo D
f
y la corriente
en L

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La energa que se disipa en la resistencia R
S
durante el apagado del transistor
podemos calcularla como:
W L I C V
R rr S d
+
1
2
1
2
2 2
(3. 17)
Al final de las oscilaciones que se establecen durante la conmutacin el condensador
quedar cargado con una energa igual a:
W C V
C
S
S d
1
2
2
(3. 18)
Esta energa se disipar a travs de la resistencia y el diodo cuando ste entre
nuevamente en conduccin. Por lo tanto, la energa total disipada en el conjunto diodo ms
circuito RC, suponiendo una entrada en conduccin instantnea para el diodo, vendr
definida por la expresin:
W W W L I
C
C
tot R C rr
S
base
S
+ +
_
,
1
2
1 2
2
(3. 19)
Recopilando la informacin hasta aqu obtenida en forma de grfico, podemos
facilitar el diseo del circuito RC estudiado. As, en la figura 3.9 se muestra en funcin del
condensador seleccionado, la energa total disipada en el conjunto semiconductor+snubber,
la resistencia optima que genera la menor sobretensin en el diodo y el valor de dicha
sobretensin en el caso de que la resistencia utilizada sea la ptima.
-21-
A la vista del grfico anterior podemos extraer algunas conclusiones:
Las prdidas aumentan linealmente con la capacidad C
S
La tensin mxima decrece ligeramente al aumentar C
S
Por lo tanto parece aconsejable que el valor del condensador C
S
sea prximo a
C
base
, con el objeto de no incrementar excesivamente las perdidas totales en el circuito. La
resistencia R
S
quedar definida por la lnea punteada correspondiente a aquellos valores de
R
S
que minimizan la sobretensin en el diodo (R
S, opt
=1.3R
base
).
Figura 3.9 Energa disipada y tensin mxima en el diodo
(V
max
/Vd) para cada valor ptimo de la resistencia R
S
en funcin de
la capacidad C
S.
-22-
3.1.3 Ejemplos de aplicacin
Los circuitos de ayuda a la conmutacin del tipo RC tienen un interesante campo de
aplicacin en la atenuacin de las oscilaciones que se presentan durante el apagado de
diodos y tiristores, controlndose con estos snubbers la evolucin de la tensin soportada
por el semiconductor.
En la figura 3.10 (a) se muestra un convertidor flyback. Cuando el interruptor esta
cortado el diodo conduce transfiriendo energa a la carga, en el momento en que el
transistor entra en conduccin la tensin aplicada al diodo lo sacar de conduccin
establecindose un circuito equivalente idntico al considerado en la figura 3.6, ver fig.3.10
(b).
Un ejemplo similar lo podemos encontrar en convertidores del tipo push-pull, medio
puente o puente completo con transformador de toma media trabajando en modo de
V
d
+
-
R
s
C
S
C
O
V
O N1 N2
D
+
-
R
s
C
S
L

V
O
V
d
(N2/N1)
D i
L
L

V
d
(N2/N1)+V
O
D
i
L
(0)=I
rr
R
S
C
S
a)
b) c)
Figura 3.10 a) Convertidor flyback ,b) circuito equivalente desde el secundario,
c) circuito equivalente despus de apagarse el diodo D.
-23-
conduccin continuo. Los dos diodos conducirn alternativamente dependiendo de la
polaridad de la tensin aplicada al primario del transformador. En este caso la inductancia
serie presente en el circuito proviene de la inductancia de dispersin del transformador.
Aunque en el presente apartado se ha relacionado genricamente el snubber RC con
la supresin de transitorios durante la conmutacin de diodos, todo lo expuesto puede ser
aplicable a circuitos donde el semiconductor que conmuta es un tiristor.
V
d
+
-
R
s1
C
S1
V
O
N1
N2
D1
+
-
2L

2V
d
r
t
D2
i
L
(0)=I
rr
R
S2
C
S2
a)
b)
c)
N2
R
s2
C
S2
D2
L
O
R
s1
C
S1
V
O
D1
+
-
R
s2
C
S2
D2
L
O
V
d
r
t
V
d
r
t
L

L

V
Cs2
(0)=0
Figura 3.11 a) Rectificador con transformador de toma media, b) circuito equivalente desde el
secundario, c) circuito equivalente despus de apagarse el diodo D2.
-24-
3.2 Snubber de tensin RCD
3.2.1 Introduccin
Este tipo de circuitos encuentran un amplio campo de aplicacin en la proteccin de
interruptores, como es el caso de los transistores bipolares que se irn mostrando en las
sucesivas figuras. Podemos distinguir dos utilidades en los circuitos RCD (resistencia
condensador y diodo):
Control de la pendiente de subida de la tensin en el interruptor durante el
transitorio de apagado.
Enclavamiento de la tensin en el interruptor.
Comenzaremos estudiando el modo de trabajo del snubber RCD para el control de la
evolucin de la tensin (de drenador o colector) en el interruptor. Tpicas aplicaciones las
encontramos en convertidores cc/cc como el elevador (boost), el de retroceso (flyback) o el
directo (forward). En la figura 3.12 se muestra la disposicin del snubber RCD sobre el
interruptor.
L
O
D1
Q
C
R
I
o
D
Figura 3.12 Snubber RCD
-25-
Durante el apagado del transistor el snubber se llevara la mayor parte de la corriente
transfirindose una gran parte de la disipacin de potencia que tendra que soportar el
transistor sin snubber, a este ultimo. La fiabilidad del interruptor aumenta puesto que el pico
de potencia que ha de disipar se reduce y las oscilaciones de alta frecuencia provocadas por
los elementos parsitos del circuito se ven amortiguadas.
A partir de la figura 3.12, se puede entender el funcionamiento bsico del circuito de
ayuda a la conmutacin RCD. Cuando el transistor se apaga, la corriente que procede de la
bobina es conducida a travs del diodo D hacia el condensador del snubber C. La tensin en
dicho condensador aumentar hasta alcanzar la tensin de alimentacin del circuito,
momento en que el diodo principal D1 entrara en conduccin para llevarse la corriente de
la bobina.
Cuando el interruptor entra en conduccin el condensador del snubber se descarga a
travs de la resistencia R y del propio interruptor. Una condicin de diseo importante es
que el condensador C se descargue totalmente durante la conduccin del transistor para
poder comenzar el siguiente periodo de conmutacin con condiciones iniciales de tensin
nulas. Por lo tanto, la constante de tiempo RC en el mencionado snubber, debe ser menor
que el periodo de conmutacin ya que se ha de dar tiempo suficiente al condensador C para
cargarse y descargarse en cada ciclo de trabajo. A la vista de lo mencionado hasta el
momento podemos concluir que el circuito RCD interviene solo durante las conmutaciones.
Un punto a tener en cuenta en el diseo de este tipo de circuitos ha sido ya
mencionado anteriormente pero conviene remarcar que durante la conduccin del transistor,
la corriente de descarga del condensador C se superpone a la corriente principal que
proviene de la bobina Lo. Otro factor destacable consiste en la limitacin que el snubber
provoca sobre el modo de trabajo del convertidor donde se ha implantado dicho snubber. Si
el tiempo de conduccin del transistor es demasiado estrecho, el condensador C no tendr
tiempo suficiente para descargarse totalmente, perdindose las condiciones iniciales
-26-
requeridas para el correcto funcionamiento de la red de ayuda a la conmutacin. Una
situacin tpica en la que podemos encontrarnos con esta limitacin, es la presencia de una
condicin de sobrecorriente demandada por la carga.
En el estudio que se realiza a continuacin se supondr que las evoluciones de la
tensin y corriente durante las conmutaciones son lineales. Tambin, se suponen
despreciables las inductancias parsitas que pudieran existir en el circuito con el objeto de
facilitar el anlisis del mismo.
Antes del apagado del transistor, la corriente que esta conduciendo consideraremos
que tiene el valor I
m
, y la tensin que soporta ser cero. Durante el apagado del transistor, la
corriente de colector (i
C
) se reduce linealmente hasta su completa extincin, por lo que la
corriente (I
m
-i
C
) circular a travs del diodo D cargando el condensador del snubber C.
D1
Q
C
R
I
m
D
CARGA
V
S
OFF
ON
Figura 3.13 Conexin del snubber RCD a
un circuito conmutado genrico.
-27-
En la figura 3.14 se muestran las tres posibles evoluciones que podemos encontrar
durante el apagado del transistor, dependiendo del valor que tome el condensador del
snubber.
Tal y como se indica en la figura 3.14, la tensin en el condensador C, que coincide
con la que soporta el interruptor tendr dos evoluciones diferentes segn si el valor
capacitivo C es reducido o no. Este hecho se traduce en que el condensador finalizar su
I
m
V
S
t
fi
i
C
v
C
t
I
m
V
S
t
fi
i
C
v
C
t
i
O
I
m V
S
t
fi
i
C
v
C
t
v
o
a)
b)
c)
Figura 3.14 Formas de onda en el transistor durante el apagado
segn el valor del condensador C
S.
a) C despreciable, b) C de
valor reducido, c) C de valor elevado.
-28-
carga antes de que se haya extinguido la corriente por el transistor (C de reducido valor) o
en caso contrario se alcanzar la tensin mxima despus del bloqueo total del transistor.
Tenemos por lo tanto tres posibles situaciones:
a) Condensador C se carga instantneamente (C tiene un valor despreciable)
En este caso la evolucin de la tensin y corriente en el transistor se aproxima por
las curvas mostradas en la figura 3.14 a), y la energa disipada durante la
conmutacin tomar el valor:
W V I t
S m fi

1
2
(3. 20)
b) C se carga en un tiempo inferior a t
fi
(valor de C es reducido)
En este caso, la tensin mxima V
S
se alcanza en un tiempo () inferior a t
fi
, la
corriente por el condensador C durante el apagado del transistor pasar por dos
etapas:
D
C i
C
I
m
V
S
0<t<
D
C i
C
I
m
V
S
<t<t
fi
V
S
+
-
D1
Figura 3.15 Etapas durante el apagado del transistor
-29-
Mientras el condensador no alcance el valor de tensin V
S
el diodo D1 estar
polarizado inversamente y la corriente a travs de C tendr la expresin:
i
I t
t
o t
C
m
fi

< (3. 21)
Una vez que el condensador C tiende a superar la tensin V
m
el diodo D1 comienza
a conducir la corriente de la carga quedando enclavada la tensin en C al valor V
S
.
La evolucin de la tensin en l queda definida con la expresin:
v v
C
i dt
I t
C t
t v V t
C CE C
m
fi
t
C S

< >
1
2
0
2
0
(3. 22)
A partir de esta igualdad (3.22) podemos deducir el tiempo () necesario para cargar
el condensador C hasta la tensin de alimentacin V
S
:

2 C t V
I
fi S
m
(3. 23)
c) C se carga en un tiempo superior a t
fi
(valor de C es elevado)
Ante esta situacin el proceso de carga del condensador C pasa por las dos etapas
que aparecen en la figura que se muestra a continuacin:
-30-
Durante la primera etapa, la corriente conducida por dicho condensador, coincide
con la expresin (3.21) previamente mencionada. Una vez que el transistor ha
dejado de conducir totalmente, toda la corriente que circula por la carga ahora
pasar por el condensador del snubber. Esta situacin se mantiene hasta que la
tensin en C alcanza el valor V
S
, momento en el que el diodo D1 comienza a
conducir, enclavando la tensin del interruptor al mencionado valor.
Conocida la evolucin temporal de la tensin en C:
{ } { } < < +
<

t t t t
C
I
C
t I
v t t
t C
t I
dt i
C
v v
fi fi
m
fi m
C fi
t
fi
m
C CE C
) (
2
0
2
1
0
2
(3. 24)
podemos, de forma similar a como ya se hizo en el apartado b), calcular el tiempo
necesario para que se alcance la tensin V
S
en el interruptor:

+
V C
I
t
S
m
fi
1
2
(3. 25)
D
C i
C
I
m
V
S
0<t<t
fi
D
C
I
m
V
S
t
fi
<t<
+
-
v
C
Figura 3.16 Etapas durante el apagado del transistor
-31-
3.2.3 Anlisis de prdidas
Con la incorporacin del snubber RCD, las prdidas en el interruptor se vern
reducidas, pero no podemos olvidar que el propio circuito de ayuda a la conmutacin
presenta sus propias prdidas.
Despus del apagado del transistor, el condensador se carga a la tensin del bus V
S
.
Esta energa se disipa posteriormente sobre la resistencia del snubber al activar el transistor.
No obstante existe un rango de valores de C en el cual las prdidas totales
snubber+transistor son inferiores a las prdidas que presentara el transistor sin dicho
snubber.
Antes de proceder con el clculo de la potencia disipada en el interruptor y snubber,
se define el factor:
k
t
fi

(3. 26)
Para evaluar las prdidas consideraremos como en el apartado anterior dos casos
posibles:
a) C se carga en un tiempo inferior a t
fi
(valor de C es reducido)
La energa que el transistor ha de disipar durante el transitorio del apagado la
podemos obtener a partir de la expresin:
W u I i dt u I i dt V I i dt
t CE m C
t
CE m C S
t
m C
fi fi
+

( ) ( ) ( )
0 0
(3. 27)
-32-
Evaluando las integrales definidas e incorporando el parmetro k llegamos a la
expresin:
W I V t k
k
t m S fi
+
_
,
1
2
1
4
3 2
2
(3. 28)
El condensador por su parte manejar la energa definida por:
W u i dt I V t
k
C C C m S fi

_
,
0
2
1
2 2
(3. 29)
Las prdidas totales transistor+snubber las calcularemos sumando las dos
expresiones previas:
W W W I V t k k
T t C m S fi
+ +
_
,
1
2
1
4
3
2
(3. 30)
b) C se carga en un tiempo superior a t
fi
(valor de C es elevado)
En este caso (ver fig.3.14) podemos seguir los mismos pasos indicados en el
apartado a) para deducir:
- Energa disipada en el transistor:
W I V t
k
t m S fi

_
,
1
2
1
6 2 1 ( )
(3. 31)
- Energa disipada en el snubber:
W I V t k
C m S fi

_
,
1
2
1
2
(3. 32)
El balance energtico total lo obtenemos fcilmente como:
-33-
W W W I V t
k k
k
T t C m S fi
+
+
_
,
1
2
1
3
1
2
2
(3. 33)
Utilizando las expresiones previamente calculadas, podemos realizar un grfico
(figura 3.17) que nos muestre las prdidas en los distintos elementos (snubber y transistor)
en funcin del parmetro k, el cual depende del valor de condensador C seleccionado.
Figura 3.17 Evolucin de las prdidas en funcin del parmetro k
-34-
De la figura anterior se pueden extraer importantes conclusiones. En primer lugar se
observa la presencia de un mnimo en la disipacin de energa para un determinado valor de
k, es decir, para un valor de C que podramos considerar ptimo. Pues bien si calculamos el
valor de k que minimiza la funcin de prdidas totales definida por las ecuaciones
(3.30) y (3.33) obtendremos:
3
2

fi
opt
t
k

(3. 34)
El valor mnimo de la energa total disipada se obtiene sustituyendo en (3.30)
k=k
opt
. El resultado es una disipacin de potencia 5/9 inferior a la que se tendra si no se
hubiera colocado ningn circuito de ayuda a la conmutacin en el interruptor.
Finalmente de las expresiones (3.23) y (3.34) se deduce el valor optimo (minimiza la
disipacin de potencia) para el condensador del snubber.
S
fi m
opt
V
t I
C

9
2
(3. 35)
Una vez seleccionado el condensador C necesitamos definir que resistencia R se ha
de incorporar para completar el diseo de la red RCD. Para ello, no podemos olvidar tres
puntos importantes:
1. La energa almacenada en el condensador C se disipa bsicamente en la resistencia R
durante el encendido del transistor, por lo que sta ha de soportar sin deteriorarse la
potencia:

C S R
f V C P
2
2
1
(3. 36)

-35-
2. Por otra parte para obtener un funcionamiento correcto del snubber, se ha de dar
tiempo suficiente a C para descargarse durante el tiempo de conduccin del
transistor. El mnimo tiempo que se considera aceptable para permitir la descarga de
C es de cinco veces la constante de tiempo RC. De donde podemos estimar que:

C
t
R
minimo ON
5
) (
(3. 37)

3. Tambin hay que tener en cuenta el pico de corriente que aparece en el instante
inicial de la descarga de C sobre el interruptor, ya que ste se suma a la corriente del
transistor durante el encendido.

transitor
MAX m
S
pico
I I
R
V
I < + (3. 38)
El diseo del snubber se realiza considerando, dentro del rango de funcionamiento
del circuito donde se encuentra el interruptor, el punto de trabajo de mxima potencia, es
decir cuando la corriente I
m
sea mxima. De esta forma se conseguir no solo reducir las
prdidas cuando el circuito convertidor se haya sometido a la mxima solicitacin de
potencia, sino que gracias a la distribuir de prdidas, entre el transistor y la resistencia R del
snubber, se hace ms eficiente la disipacin del calor generado.
Como resultado de la utilizacin de el snubber de apagado RCD, la trayectoria
seguida durante este transitorio por la tensin y corriente en el interruptor pueden
observarse en la figura adjunta, en funcin del valor que tome el condensador C reflejado a
travs del parmetro k.
-36-
3.2.4 Snubber de enclavamiento de tensin RCD
Las inductancias parsitas en serie con el interruptor pueden producir sobretensiones
excesivas durante el apagado, provocando la destruccin del mismo. Para limitar estas
sobretensiones podemos aadir al interruptor un snubber RCD con la disposicin que se
muestra en la figura:
V
CE
i
C
I
m
V
S
OFF
ON
k<1
k=1
k>1
k=0
aumentando
C
S
I
O
V
O
Figura 3.18 Trayectoria seguida por la tensin y corriente en el
transistor durante el apagado.
D1
Q
C
R
I
m
D
CARGA
V
S
L
+
-
v
C
i
Ls
(t)
Figura 3.19 Snubber de sobretensin
-37-
Para describir el modo de trabajo de este tipo de snubbers, nos fijaremos en la figura
anterior. Inicialmente el transistor esta conduciendo y la tensin en el condensador
permanece a V
S
hasta que el transistor se apaga (suponiendo un tiempo de cada de la
tensin en l despreciable). En este momento la corriente a travs de la inductancia parsita
L
es precisamente la corriente que circula por la carga inductiva I

m
. El circuito equivalente
que resulta es el mostrado en la figura 3.20.
A partir del instante en que el transistor deja de conducir, la energa almacenada en
la inductancia parsita se transfiere a travs del diodo D al condensador incrementndose su
tensin. Las ecuaciones diferenciales que rigen el comportamiento del circuito durante la
descarga de la inductancia parsita son las siguientes:
V v t L
di t
dt
S C
L
+ ( )
( )
(3. 39)
R
t v V
t i t i
C S
L C
) (
) ( ) (

+
(3. 40)
D1
Q C
R
I
m
D
V
S
L
S
+
-
v
C
i
L
(t)
Q C
R
D
V
S
L
S
+
-
v
C
i
L
(t)
i
C
(t)
i
R
(t)
D1
Q C
R
I
m
D
V
S
L
S
+
-
v
C
i
L
(t)
i
R
(t)

a) b)
Figura 3.20 Circuitos equivalentes durante el apagado del transistor: a) D conduce, b) D pasa al estado
de bloqueo
-38-
Resolviendo las ecuaciones diferenciales anteriores podemos determinar la evolucin
de la corriente por la inductancia L
y la tensin en el condensador hasta el instante (t

1
) en
que deja de conducir el diodo D, es decir hasta que la corriente por L
tiende ha invertirse.
i t I
w
w
e wt
L m
o t
( ) cos( )
(3. 41)
v t V
I
w C
e wt
C S
m t
( ) sen( ) +
(3. 42)
siendo

_
,
1
2
1
2 2
RC
w
L C
w w
w
o O
; ; ; arctg (3. 43)
Una vez que el diodo D deja de conducir el condensador del snubber comenzar a
descargarse sobre la resistencia R hasta alcanzar nuevamente la tensin de alimentacin V
S
.
I
m
V
C
V
S
V
C
(t)
i
L
(t)
I
m
i
CE
(t)
OFF ON
t
t
t
D
ON
D
OFF
T
t1
Figura 3.21 Formas de onda en el snubber
-39-
Si admitimos que el producto de RC es un valor elevado, la tensin mxima en el
condensador ser:
v v V I
L
C
C C
max
S m

(3. 44)
de donde podemos deducir el valor del condensador C adecuado para obtener una
sobretensin mxima admisible (v
C
) en el condensador y por tanto en el transistor:
C L
I
v
m
C

2
2
(3. 45)
La resistencia se calcula de manera que el condensador alcance la tensin del bus de
alimentacin antes del comienzo del siguiente ciclo:
C
t T
R
OFF
5
1
(3. 46)
La potencia que se disipar en la resistencia R depende de la energa almacenada en
la inductancia de dispersin, y de la frecuencia de trabajo del circuito:
P L I f
R m S

1
2
2
(3. 47)
Una filosofa similar y ms utilizada en convertidores cc/cc consistira, partiendo del
mismo esquema mostrado anteriormente, en utilizar un condensador en el snubber de
enclavamiento tal que la constante de tiempo RC se muy superior al periodo de
conmutacin del interruptor. Para que el circuito entre en rgimen permanente se ha de
cumplir que la corriente media por el diodo coincida con la corriente media por la
resistencia R. De esta condicin se obtendra fcilmente el valor de la tensin de
enclavamiento que fija el condensador.
-40-
4. SNUBBERS DE CORRIENTE DISIPATVOS
En este apartado se presentarn algunas alternativas de circuitos de ayuda a la
conmutacin capaces de controlar la evolucin de la corriente a travs del interruptor
durante el encendido. Este tipo de circuitos pueden ser identificados en la bibliografa
inglesa como turn-on snubbers.
4.1 Snubber de corriente RLD
Aunque existe la alternativa de utilizar solamente una bobina y una resistencia para
configurar un circuito de ayuda al encendido (LR), debido a su escasa utilidad en circuitos
de potencia por las elevadas prdidas que genera, estudiaremos el snubber RLD mostrado
en la figura 4.1.
D1
Q
R I
m
D
CARGA
V
S
L
S
i
Ls
(t)
Figura 4.1 Snubber de encendido
-41-
El snubber de encendido mostrado en la figura anterior, reduce las prdidas de
entrada en conduccin en alta frecuencia, limitando tambin la presencia del pico de
recuperacin inversa del diodo.
Para explicar su funcionamiento partiremos de una situacin en la que el transistor
esta bloqueado soportando la tensin de alimentacin. Cuando se provoca la entrada en
conduccin del transistor, se supone que la tensin entre colector y emisor sufre una
evolucin lineal hacia cero alcanzndose este punto transcurrido un tiempo t
fv
. Se nos
presenta una situacin dual a la estudiada en el apartado 3.2.2, la bobina L
S
limita la tasa de
crecimiento de la corriente de colector mientras disminuye la tensin colector-emisor. Una
vez que se supera el tiempo de entrada en conduccin, el transistor quedar conduciendo la
corriente I
m
y soportando cero voltios en extremos. Posteriormente durante el proceso de
bloqueo del interruptor, la bobina descargar la energa en ella almacenada
,
_

2
2
1
m S
I L
sobre la resistencia R.
-42-
Podemos encontrarnos nuevamente con tres posibles situaciones dependiendo del
valor que tome la inductancia L
S
, tal y como se indica en la figura anterior:
a) La corriente de colector evoluciona hacia I
m
instantneamente (L
S
despreciable)
En este caso la evolucin de la tensin (u
C
) y corriente (i
C
) en el interruptor
coincidira con las curvas indicadas en la figura 4.2(a). La energa disipada en el
interruptor durante la conmutacin ser:
I
m
V
S
t
fv
i
C
v
C
t
I
m
V
S
t
fv
i
C
v
C
t
V
O
I
m
V
S
t
fv
i
C
v
C
t
I
o
a)
b)
c)
Figura 4.2 Formas de onda en el transistor durante el
encendido segn el valor de la inductancia L
S
-43-
fv m S
t I V W
2
1
(4. 1)
b) La corriente de colector alcanza el valor I
m
transcurrido el tiempo . (valor de
L
S
es reducido)
Durante el tiempo , la evolucin de la corriente de colector (i
C
) depende de la
tensin de alimentacin y de la que soporta el interruptor:
fv S
S
t
S
C S
C
t L
t V
dt
L
t v V
i

2
) (
2
0
(4. 2)
Transcurrido el tiempo la corriente i
C
queda enclavada a I
m
.
c) La corriente de colector alcanza el valor I
m
transcurrido un tiempo superior a
t
fv
. (valor de L
S
es elevado)
En este caso el proceso de carga de la bobina L
S
pasa por dos etapas. Durante el
intervalo o<t<t
fv
se carga soportando la tensin V
S
-v
C
(t) ya que el transistor no esta
totalmente saturado. En la segunda etapa t
fv
<t< el transistor esta completamente
saturado por lo que la bobina continua cargndose hasta alcanzar la corriente I
m
, la
tensin a la que se ve sometida durante esta segunda etapa es precisamente la
tensin de alimentacin V
S
. A partir de este momento el circuito queda enclavado
con i
C
=I
m,
, y u
C
=0 hasta que se provoque el bloqueo del interruptor.
Siguiendo el mismo proceso desarrollado ya en el apartado 3.2.2.c podemos
determinar la evolucin de la corriente a travs de la bobina y del transistor:
-44-
} { ) (
2
} 0 {
2
1
0
2
fv fv
S
S
S
fv S
C fv
t
fv S
S
L
S
L C
t t t t
L
V
L
t V
i t t
t L
t V
dt v
L
i i
S
> +
<

(4. 3)
4.1.2 Anlisis de prdidas
A la vista de lo anteriormente expuesto podemos deducir que las expresiones
calculadas para el snubber de tensin del tipo RCD son reproducibles en este caso sin ms
que sustituir el tiempo t
fi
por t
fv
, por lo que la energa que debe ser disipada por el conjunto
transistor+snubber dependiendo del caso en que nos encontremos ser:
a) La corriente de colector alcanza el valor I
m
transcurrido el tiempo . (valor
de L
S
es reducido)
,
_
+
2
3
4
1
2
1
k k t V I W
fv S m T
(4. 4)
siendo
1
fv
t
k

(4. 5)
b) La corriente de colector alcanza el valor I
m
transcurrido un tiempo
superior a t
fv
. (valor de L
S
es elevado)
,
_
+

2
1
3
1
2
1
2
k
k k
t V I W
fv S m T
(4. 6)
siendo
-45-
1 >
fv
t
k

(4. 7)
Como vemos son las mismas frmulas que para el snubber de apagado, por lo que
las prdidas totales mnimas se obtendrn tambin cuando k
opt
=2/3. El valor de
inductancia que se obtiene es esas condiciones es:
m
fv S
opt S
I
t V
L

9
2
(4. 8)
Como conclusiones podemos mencionar que :
1. La energa almacenada en la bobina se disipar en la resistencia R y en el diodo de
libre circulacin D durante el apagado del transistor. La potencia disipada en R ser:

s m S R
f I L P
2
2
1
(4. 9)

2. La resistencia se calcula para eliminar toda la energa de L
s
durante el tiempo de
apagado del interruptor, estimndose su valor en:

min
OFF
S
t
L
R

5
(4. 10)

3. El interruptor debe soportar en durante el transitorio de apagado una sobretensin
debido a la descarga de la inductancia L
S
sobre la resistencia R:

R I V v
m S CE
+ (4. 11)
En la figura 4.3 se indican las trayectorias seguidas por la tensin y corriente en el
interruptor durante el encendido, en funcin del valor de L
S
seleccionado.
-46-
4.2 Snubber de corriente con inductancia saturable
El objetivo de un snubber de corriente (o de encendido) es lograr que la tensin del
transistor disminuya a cero mientras la corriente de colector sea reducida. Este efecto puede
conseguirse empleando una inductancia saturable:
V
CE
i
C
I
m
V
S
OFF
ON
k<1
k=1
k>1
k=0
aumentando
L
S
I
O
V
O
Figura 4.3 Trayectorias seguidas por la tensin y
corriente en el transistor en funcin del valor de L
S
D1
Q
I
m
D
CARGA
V
S
L
S
i
Ls
(t)
v
C
i
C
t
fv
2
2
t
t L
V
i
fv S
S
Figura 4.4 Snubber de encendido con inductancia saturable

-47-
La inductancia saturable del circuito se disea de modo que alcance la saturacin
despus que la tensin en el interruptor ha llegado a cero. Antes de la saturacin, la
inductancia presenta una elevada impedancia y solo fluye una pequea corriente
magnetizante. Una vez alcanzado el paso por cero de la tensin en el colector del transistor,
la inductancia se saturar presentando una impedancia despreciable por lo que la evolucin
de la corriente hacia I
m
ser muy rpida. Se consigue de esta forma minimizar la presencia
de corriente cuando el transistor soporta tensin y reducir las prdidas en el circuito.
La curva de conmutacin en este tipo de circuitos se aproxima notablemente a los
ejes, lo que se traduce en bajas prdidas de conmutacin.
V
CE
i
C
I
m
V
S
OFF
ON
k=0
V
O
Figura 4.5 Trayectoria de la corriente y tensin en el
interruptor del snubber con inductancia saturable.
-48-
5. SNUBBER UNIFICADO: DE ENCENDIDO Y APAGADO
Podemos plantearnos el incorporar el snubber de tensin RCD y corriente RLD en
un solo snubber, tal y como se muestra en la figura 5.1
Los componentes de este circuito L
S
, C
S
, R
S
se disean siguiendo los pasos
anteriormente indicados para cada tipo de snubber considerado por separado. La potencia
que ahora ha de disipar la resistencia R
S
depende de la energa almacenada por los dos
elementos reactivos, es decir:
( )
S S S m S R
f V C I L P
S
+
2 2
2
1
(5. 1)
D1
Q
C
S
R
S
I
m
D
S
CARGA
V
S
L
S
i
Ls
(t)
Figura 5.1 Snubber unificado
-49-
6. SNUBBERS NO DISIPATIVOS
Como hemos visto hasta el momento los snubbers disipativos modifican la evolucin
de la tensin y corriente en el interruptor mediante el almacenamiento temporal de energa
en elementos reactivos como, condensador o bobina. Esta energa posteriormente se disipa
en una resistencia. Cuando el circuito trabaja en altas frecuencias las prdidas generadas
pueden llegar a ser inaceptables, desaconsejando el uso de los snubbers disipativos.
Una posible alternativa a estos circuitos la encontramos en los snubbers no
disipativos. Podramos definirlos bsicamente como aquellos circuitos que reciclan la
energa en ellos almacenada devolvindola a la fuente de entrada, a la carga o
mantenindola en circulacin hasta el comienzo del siguiente ciclo.
Los principios bsicos de los snubbers no disipativos coinciden en general con los
mencionados anteriormente para los disipativos. Aunque son numerosas las topologas que
has sido desarrolladas en este campo, nos centraremos en algunos ejemplos donde no se
incluyen elementos activos, como transistores.
6.1 Snubber no disipativo de tensin
El circuito que se muestra a continuacin esta pensado para controlar la evolucin
de la tensin en el interruptor, no permitiendo el enclavamiento de la misma.
-50-
Comenzaremos el anlisis del circuito cuando el transistor entra en conduccin.
Las condiciones iniciales de las que partimos son: condensador C
O
y la bobina L
descargados, mientras que el condensador C
S
esta cargado a la tensin de alimentacin V
S
.
El circuito que muestra esta situacin lo tenemos en la figura 6.2.
D
f
Q
C
S
I
m
D
S
CARGA
V
S
L
C
O
D
C
D
O
Figura 6.1 Snubber de tensin no disipativo
Q C
S
I
m
CARGA
V
S
L
C
O
D
O
+ -
+
-
v
Cs
(0)=V
S
v
Co
(0)=0
C
O
C
S
L
i
v
Cs
(0)=V
S
+
-
+
-
v
Co
(0)=0
Q C
S
I
m
CARGA
V
S
C
O
D
O
+ -
+
-
v
Cs
=0
v
Co
(0)=nV
S
L
i
a)
b)
c)
Figura 6.2 Etapas durante el encendido del transistor
-51-
Inicialmente nos encontramos con que los diodos D
f
, D
C
y D
S
estn polarizados
inversamente por lo que resolviendo el circuito resonante de la figura 6.2(b) obtendremos la
evolucin de la corriente a travs de la bobina y de los dos condensadores:
) (wt sin
Z
V
i
S
(6. 1)
donde
O
Z
n
Z
,
_
+
1
1 (6. 2)
O
w
n
w
,
_
+
1
1 (6. 3)
O
O
C L
w
1
(6. 4)
O
S
C
C
n (6. 5)
O
O
C
L
Z (6. 6)
La tensin en el condensador C
S
decrece segn la expresin:
,
_

+
)) cos( 1 (
1
1
1 wt
n
V v
S C
S
(6. 7)
-52-
mientras que la tensin en el condensador C
O
aumenta de acuerdo con la ecuacin:
)) cos( 1 (
1
wt
n
n V
v
S
C
O

+
(6. 8)
De la ecuacin (6.7) se deduce una importante condicin de diseo: para que el
condensador C
S
se descargue totalmente, el parmetro n ha de ser menor o igual a la
unidad.
n 1
Si n1, C
S
se descargar hasta alcanzar cero voltios quedando enclavado a ese valor
por la presencia del diodo D
S,
mientras que C
O
continua cargndose hasta que la corriente
por la bobina se anule. La evolucin de la corriente durante esta ltima etapa definida por el
circuito equivalente de la figura 6.2(c) puede expresarse como:
n
n
tan t w sin
Z
V
i
O
O
S
2
1
1
) (

+

(6. 9)
La tensin final alcanzada por el condensador C
O
es:
S C
V n V
MAX O

) (
(6. 10)
En la figura 6.2 se muestran las evoluciones de la corriente y la tensin en los dos
condensadores.
-53-
Transcurrido el tiempo de conduccin del transistor, entramos en el proceso de
apagado. Supondremos como en los casos anteriores que la corriente en el transistor
evoluciona linealmente hacia cero durante el tiempo t
fi
. La transferencia de energa durante
el proceso de apagado sigue la evolucin indicada por las flechas en la figura 6.4
I
m
v
Co
(t)
v
Cs
(t)
V
S
i
Co
(t)
wt
wt
wt
cos
-1
(-n)
Z
V
S
( )
Z
V n
S

2
1
S
V n
S
V n
Figura 6.3 Evolucin de la corriente y la tensin en los
condensadores C
O
y C
S
D
f
Q
C
S
I
m
D
S
CARGA
V
S
L
C
O
D
C
D
O
+
Figura 6.4 Evolucin de la corriente en los
condensadores
-54-
Durante el tiempo t
fi
el circuito evolucionar por tres etapas que describiremos a
continuacin:
- Etapa I
Inicialmente D
C
no conduce puesto que al estar C
S
descargado la tensin anodo-
catodo en dicho diodo es negativa. Por lo tanto tenemos al condensador C
S
cargndose a
travs del diodo D
S
tal y como se estudi en el apartado 3.2.2.b. D
C
entrar en conduccin y
provocar el paso a la etapa II cuando la tensin en C
S
=(1-n)V
S
, mientras tanto, C
O
se
mantiene con la tensin (n)V
S
. La evolucin de la tensin en C
S
es la siguiente:
2
2
t
t C
I
V
fi S
m
C
S

(6. 11)
Etapa II
D
C
entra en conduccin por lo que el condensador C
O
comienza a descargarse sobre la
carga, mientras que C
S
continua aumentando su tensin. El circuito equivalente se muestra
en la figura 6.4.
C
S
I
m
D
S
CARGA
V
S
L
C
O
D
C
D
O
+
i
T
i
CE
I
m
t
fi
t
S Co
V n V ) 0 (
( )
S Cs
V n V 1 ) 0 (
+
Figura 6.5 Circuito equivalente de la etapa II
-55-
Las condiciones que han de satisfacerse en este caso son:
O S
C C S
v v V + (6. 12)
1
1
]
1
,
_
+ +
fi
m C C m
t
t
I i i I
S O
1 (6. 13)
siendo t
O
el tiempo que dura la etapa I y t
fi
el tiempo que tarda en extinguirse la corriente
(i
T
) en el transistor. Las evoluciones de la tensin y corriente que resultan vlidas en esta
etapa son:
( )
S
fi
O
S
m
C
V n
t
t t
C
I
n
n
v
S
+
1
1
]
1

+
1
2 1
2 2
(6. 14)
fi
m C
t
t
I
n
n
i
S

+
1
(6. 15)
n
i
i
S
O
C
C
(6. 16)
Una vez que el condensador C
O
est descargado totalmente, la tensin en C
S
continuar aumentando hasta alcanzar el valor V
S
de igual forma a como suceda en el
apartado 3.2.2.b . La situacin final de la etapa la tendremos con C
O
descargado, C
S
cargado a la tensin V
S
y el diodo D
f
conduciendo la corriente procedente de la carga I
m
.
Etapa III
Si el condensador C
S
no ha alcanzado la tensin V
S
antes de que la corriente a travs
del transistor pase por cero, entraremos en la etapa III. El circuito equivalente vlido en
situacin se muestra en la figura 6.6.
-56-
C
O
continuar descargndose a travs de D
C
hasta que la tensin en l sea cero
mientras que C
S
se cargar a la tensin V
S
con lo que el diodo D
f
finalmente conducir la
corriente de la carga I
m
.
C
S
I
m
D
S
CARGA
V
S
L
C
O
D
C
D
O
+
+
Q
Figura 6.6 Circuito equivalente de la
etapa III
I
m
v
Co
(t)
v
Cs
(t)
V
S
i
T
(t)
t
S
V n
Etapa I Etapa II
t
fi
t
O
V
O
I
O
I
m
v
Co
(t)
v
Cs
(t)
V
S
i
T
(t)
t
S
V n
Etapa I
t
fi
t
O
V
O
I
O
Etapa III Etapa II
Figura 6.7 Evolucin temporal de la corriente en el transistor y las tensiones en los condensadores C
S
y
C
O
-57-
Las condiciones que definen esta etapa son:
O S
C C S
v v V + (6. 17)
S O
C C m
i i I + (6. 18)
de donde se deduce que
m C
I
n
n
i
S

+
1
(6. 19)
n
i
i
S
O
C
C
(6. 20)
Puesto que la energa almacenada por los condensadores se recupera sin que sea
disipada en ningn elemento resistivo, el circuito no presenta una limitacin en cuanto a
poder utilizar valores elevados en los condensadores, y cuanto mayor sean estos, menores
prdidas aparecern durante el apagado. El problema se presenta debido a que con niveles
de corriente bajos en la carga, el tiempo de descarga del condensador C
O
puede ser elevado
limitando el correcto funcionamiento del snubber.
6.2 Snubber no disipativo de corriente
El principio bsico de funcionamiento de un snubber de corriente consiste en
almacenar energa en una bobina durante la entrada en conduccin del interruptor para de
esta forma controlar la evolucin de la corriente que circula por l. Los snubbers no
disipativos tienen por lo tanto el mismo principio de funcionamiento que sus homlogos
disipativos, tambin incorporan una bobina en serie con el transistor para realizar el
mencionado control de la evolucin de la corriente en l durante su entrada en conduccin.
La particularidad que diferencia a unos de otros es que los snubbers de corriente no
disipativos transfieren la energa almacenada en la bobina a la carga o a la fuente de entrada
en cada ciclo, en vez de disiparla en una resistencia como ocurre con los disipativos.
-58-
Aunque son varias las posibles topologas que cumplen con la funcin de suavizar la
evolucin de la corriente en el transistor, a modo de ejemplo analizaremos la indicada en la
figura 6.8.
Uno de los mtodos ms sencillos para recuperar la energa de una bobina consiste
en incorporar en el dispositivo magntico un devanado adicional (fig. 6.8). Esto nos permite
enviar por medio del segundo devanado la energa almacenada en el primario a cualquier
punto del circuito y controlar la sobretensin en el interruptor mediante la relacin de
espiras y la tensin sobre la que se descarga el inductor.
El diseo de este tipo de snubber es sencillo, la bobina en serie con el interruptor se
disea de igual forma que se analiz en el apartado 4. Cuando se produce el apagado del
transistor comenzar a circular corriente por el secundario, puesto que el flujo en el ncleo
magntico no puede sufrir variaciones bruscas. El devanado secundario devuelve la energa
almacenada en la bobina del primario a la entrada, a travs del diodo D
S
para evitar la
circulacin de corriente en sentido contrario.
l
p
l
S
V
sec
D
f
V
S
i
sec
D
S
Q
+
-
CARGA
I
m
i
C
1:N
Figura 6.8 Snubber de corriente no
disipativo
-59-
La seleccin de la relacin de espiras entre primario y secundario N determinar la
tensin que ha de soportar el transistor durante el tiempo de apagado:
,
_
+
N
V V
S CE
1
1 (6. 21)
La relacin de transformacin deber ser elevada para minimizar el rango de tensin
mxima en el transistor. Por otra parte durante la conduccin del transistor se induce en el
secundario la tensin NV
S
. El diodo D
S
, a travs del cual se conduce la corriente por el
secundario, deber soportar una tensin inversa de:
( ) N V V
S D
+ 1 (6. 22)
Por lo tanto si tratamos de reducir la tensin mxima en el transistor aumentando N,
aumentaremos la tensin mxima de bloqueo en el diodo y vice versa.
t
V
sec
I
sec
I
C
V
C
I
m
V
S
t
t
t
V
S
I
m
/N
(1+1/N)V
S
ON OFF
-NV
S
Figura 6.9 Formas de onda en el snubber de
corriente no disipativo
-60-
A las ya mencionadas restricciones respecto al diseo de la relacin de
transformacin N, hemos de aadir una nueva como consecuencia del tiempo requerido
para la descarga de energa almacenada en la bobina del primario a travs del secundario.
Tengamos en cuenta que durante el tiempo que circula corriente por el secundario, la
tensin a la que se ve sometido dicho devanado es la tensin de alimentacin V
S
, por lo
tanto de dt di L v deducimos que la evolucin de la corriente ser lineal y decreciente
desde un valor I
m
/N hasta cero.
Si hacemos el balance energtico, energa almacenada en el primario=energa
devuelta a travs del secundario, podremos deducir el tiempo (t
ft
) necesario para resetear el
ncleo magntico, es decir el tiempo necesario para devolver a la fuente de alimentacin de
entrada toda la energa que se almacen en la bobina del primario durante la conduccin del
transistor.
N
V
I
l t
t
N
I
V I l
S
m
p ft
ft
m
S m p

2 2
1
2
(6. 23)
A la vista de la expresin anterior podemos decir que cuanto menor sea la relacin
de transformacin N menor ser el tiempo empleado en la descarga de la bobina l
p
a travs
del secundario y mayor podr ser la frecuencia de conmutacin del transistor. En el anlisis
se supone que el tiempo de cada de la corriente en el colector es despreciable comparado
con la descarga del ncleo magntico. La conclusin que podemos obtener en cuanto a la
seleccin de la relacin de transformacin N es que se ha de acudir a una solucin de
compromiso que depender de cada caso en concreto.
El mayor problema que podemos encontrarnos en este tipo de snubber es la
presencia la inductancia de dispersin entre primario y secundario. Esta inductancia puede
causar elevados picos de tensin en el interruptor. Este tipo de snubber ha sido utilizado
-61-
eficientemente con convertidores de alta potencia donde los tiempos de subida y bajada son
altos incluyndose tambin un snubber de tensin.
6.3 Snubber no disipativo unificado
Finalmente podramos pensar en fundir los snubbers de tensin y corriente no
disipativos para aprovechar las ventajas de cada uno de ellos durante las transiciones de
apagado y encendido respectivamente. En la figura adjunta se muestra una posible
alternativa de snubber unificado y los caminos a travs de los cuales se libera la energa
almacenada en el snubber.
Se puede observar (fig. 6.10) como el condensador C
O
y la bobina l
S
transfieren la
energa en ellos almacenada de forma paralela, quedando la bobina sometida a la tensin
v
Co
. A medida que C
O
se descarga, la tensin en l
S
decrece hasta llegar a cero, momento en
el que la carga queda cortocircuitada por el diodo de libre circulacin.
D
f
Q
C
S
I
m
D
S
CARGA
V
S
L
S
C
O
D
r
D
O
Figura 6.10 Snubber unificado no disipativo
-62-
-63-
7. BIBLIOGRAFA
7.1 Textos
[1] NED MOHAN, TORE M. UNDELAND y WILLIAM P. ROBBINS.
Power Electronics: Converters, Applications and Design.
John Wiley and Sons. 1989.
[2] JOHN G. KASSAKIAN, M.F. SCHLECHT y G.C. VERGHESE.
Principles of Power Electronics.
Addison-Wesley Publishing Company. 1991.
[3] B. W. WILLIAMS
Power Electronics, Devices, Drivers, Applications and Passive Components.
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Power Electronics: Circuits, Devices and Applications.
Prentice-Hall, Inc., 1988.
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Modern Dc to Dc Switchmode Power Converter Circuits.
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[6] P. R. K. CHETTY.
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[7] S.A. GUALDA, S. MARTNEZ y P.M. MARTNEZ.
Electrnica Industrial: Tcnicas de Potencia.
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7.2 Artculos y Seminarios
[8] UNITRODE
Product & Applications Handbook, 1993/1994
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Power Supply Design Seminar,
UNITRODE, 1990
[10] SAM BEM-YAAKOV Y GREGORY IVENSKY
Passive Lossless Snubbers for High Frequency PWM Converters
Seminario impartido en Applied Power Electronics Conference and Exposition,
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Improved Soft-Switching ZVT Converters with Active Snubber
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Analysis and Optimization of Regenerative Linear Snubbers
IEEE Transactions on Power Electronics vol. 4, n:3,July 1989
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Novel Zero-Voltage-Transition and Zero-Current-Transition Pulse-Width-
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Active Clamp Circuits for Switchmode Regulators Supplying Microprocessor Loads
[19] D. WENG, MATSUSHITA
A low-Current-Stress ZVT PWM Dc-Dc Converter Using a Saturable Core Reactor
[20] K. M. SMITH, K. SMEDLEY
Lossless, Passive Soft Switching Methods for Inverters and Amplifiers

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REDES DE AYUDA A LA CONMUTACIN:SNUBBERS

en cuyo caso la tensin en el interruptor puede expresarse como:

en serie con el diodo y un circuito de ayuda a la conmutacin RC en paralelo

provocar durante el bloqueo de ste.

( ) cos( ) sen( ) + (3. 5)

REDES DE AYUDA A LA CONMUTACIN:SNUBBERS

es precisamente la corriente que circula por la carga inductiva I

y la tensin en el condensador hasta el instante (t

Figura 4.4 Snubber de encendido con inductancia saturable

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