Encuentro de Investigacin en IE, 1718 Marzo, 2005

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Resumen El siguiente trabajo comprende la teora, el estudio y la simulacin de los
convertidores monofsicos en medio puente, convertidores monofsicos en puente,
convertidores trifsicos. Utilizando transistores como dispositivos de conmutacin, con carga
R o RL para los circuitos monofsicos y con carga conectada en delta o en estrella para los
convertidores trifsicos que emplean modos de conduccin a 180
0
.

Abstract The following document includes the theory, the study and the simulation of the single-
phase converters in the half bridge, single-phase converters in bridge, three-phase converters. Using
transistors like commutation devices, with load R or RL for the single-phase circuits and with load
connected in delta or star for the three-phase converters that use ways of conduction to 180
0
.

Palabras clave Convertidores, Monofsicos, Trifsicos .



I. INTRODUCCIN

os convertidores de cd a ca se conocen como inversores. La funcin de un inversor es
cambiar un voltaje de entrada en cd a un voltaje simtrico de salida en ca, con la magnitud y
frecuencia deseadas.
En los inversores ideales, las formas de onda del voltaje de salida deberan ser senoidales.
Sin embargo, en los inversores reales no son senoidales y contienen ciertas armnicas. El uso
de los inversores es muy comn en aplicaciones industriales tales (como la propulsin de motores
de ca de velocidad variable, la calefaccin por induccin, las fuentes de respaldo y las de poder,
alimentaciones ininterrumpibles de potencia). La entrada puede ser una batera, una celda de
combustible, una celda solar u otra fuente de cd. Las salidas monofsicas tpicas son (1) 120V a 60
Hz, (2) 220V a 50 Hz y (3) 115V a 400Hz. Para sistemas trifsicos de alta potencia, las salidas
tpicas son (1) 220/380 V a 50 Hz, (2) 120/208 V a 60 Hz y (3) 115/200 V a 400 Hz.
Los inversores se pueden clasificar bsicamente en dos tipos: (1) inversores monofsicos y (2)
inversores trifsicos. Cada tipo puede utilizar dispositivos de activacin y desactivacin controlada
(es decir BJT, MOSFET, IGBT, MCT, SIT, GTO) o tiristores de conmutacin forzada.
Convertidores CD-CA
Abel Vzquez Ramos,
Pablo Salas Castro,
Jos Jimmy Jaime Rodrguez,
Isaac Campos Cantn,

Facultad de Ciencias,
Electrnica de Potencia, UASLP, San Luis Potos CP-78000.
TEL: (4 44) 8 26 23 17 Fax (444) 8 26 23 18, correos-e: abelvazquez15@hotmail.com,
gaimeler27@hotmail.com, jim__zid9@hotmail.com , icampos@galia.fc.uaslp.mx



L



Encuentro de Investigacin en Ingeniera Elctrica
Zacatecas, Zac, Marzo 17 18, 2005
Encuentro de Investigacin en IE, 1718 Marzo, 2005

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Para la simulacin de los circuitos se utilizar el software de simulacin PSPICE versin 9.1.

Para una mejor descripcin del circuito, seguiremos estos pasos:

1) Primero, debemos hacer sobre el papel un esquema del circuito que queremos simular. El
esquema ha de estar completamente definido con los valores de todos sus componentes.

2) Luego daremos a cada nodo del circuito un nombre (que generalmente ser un nmero), sin tener
que seguir ningn orden especial. Solamente hay que tener en cuenta que el nodo
correspondiente a tierra ser siempre el nmero cero.
3) Tambin debemos darle a cada elemento del circuito un nombre o un nmero (sin tener en
cuenta los nmeros de los nodos), que nos servir para hacer referencia a dicho elemento.

4) Por ltimo realizaremos la descripcin del circuito conforme a las normas de PSPICE.

Veamos un ejemplo de descripcin de un circuito como el que se muestra en la Figura 1.











Figura 1. Circuito rectificador.

En el esquema, todos los componentes tienen su correspondiente nombre y valor. Igualmente, se
puede apreciar que se han numerado los nodos de conexin entre los elementos.

La descripcin de este circuito sera la mostrada a continuacin:

CIRCUITO RECTIFICADOR.

* TENSIN DE ENTRADA, COLOCADA ENTRE LOS NODOS 1 Y TIERRA, QUE GENERA UNA
* SEAL SINUSOIDAL CON UNA TENSIN DE OFFSET NULA, UNA AMPLITUD DE 12 VOLTIOS
* DE PICO Y UNA FRECUENCIA DE 50Hz
VENT 1 0 SIN(OV 12V 50HZ)

* ELEMENTOS ACTIVOS DEL CIRCUITO
* DIODO RECTIFICADOR 1N4148, COLOCADO ENTRE LOS NODOS 1 Y 2 (EN EL ORDEN
* NODO, CTODO)
DR 1 2 D1N4148; DIODO RECTIFICADOR

* ELEMENTOS PASIVOS DEL CIRCUITO
* CONDENSADOR CF COLOCADO ENTRE EL NODO 2 Y MASA, DE UN VALOR DE 3300uF
CF 2 0 3300UF; CONDENSADOR DE FILTRO
* BOBINA LF COLOCADA ENTRE LOS NODOS 2 Y 3, DE UN VALOR DE 50mH
LF 2 3 50MH; BOBINA DE FILTRO
* RESISTENCIA RL COLOCADA ENTRE EL NODO 3 Y MASA, DE UN VALOR DE 8 OHM
RL 3 0 8 OHM; RESISTENCIA DE CARGA
* FINAL DEL CIRCUITO
.END

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II. PRINCIPIO DE OPERACION

A. Inversores monofsicos de medio puente

El circuito inversor est formado por dos pulsadores. Como se muestra en la Figura 2.
La simulacin se realiz utilizando un periodo T = 20ms con lo cual nos da una frecuencia de 50Hz.
Cuando el transistor Q1 est activo durante el tiempo T/2, el voltaje instantneo a travs de la carga
Vo es Vs/2. Si slo el transistor Q2 est activo durante un tiempo T/2, aparece el voltaje Vs/2 a
travs de la carga. Q1 y Q2 no deben estar activos simultneamente. Este inversor se conoce como
inversor de medio puente.


Para Vs =12V, con un periodo T = 20ms y R =10 .




Figura 2. Inversor monofsico de medio puente.


El voltaje suministrado es de 12V de cd entre las terminales del nodo cero y el nodo superior, los
diodos se utilizan como dispositivos de proteccin. Para la generacin de los pulsos se emplea una
fuente de V-PULSE para cada transistor, as, mientras el pulso de medio ciclo de duracin activa un
transistor el otro transistor debe estar inactivo hasta el inicio del otro medio ciclo. La carga se
conecta entre el punto intermedio de Vs y del otro extremo entre los diodos.

Para medir el voltaje en la carga se utiliza la marca de voltaje diferencial entre las terminales de la
resistencia.

El significado de los parmetros del programa de simulacin PSPICE para los elementos del
circuito se dan en la Tabla 1 y los valores de estos parmetros para el inversor monofsico de medio
puente son en este caso los que aparecen en la Tabla 2.





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PARMETRO SIGNIFICADO
(V1) Tensin inicial en voltios.
(V2) Tensin del pulso en voltios.
(td) Tiempo de retardo.
(tr) Tiempo de subida.
(tf) Tiempo de bajada.
(pw) Duracin del pulso (estado alto).
(per) Periodo de la seal.

Tabla 1. Significado de los parmetros.




NOMBRE VALOR O PARAMETROS PSPICE ID
FUENTE DE CD DC=12, AC=0 VDC
DIODOS --- D1N914
RESISTENCIA 10 R
PULSO 1 V1=0,V2=10,TD=1us,TR=0,TF=0,PW=10ms,PER=20ms VPULSE
PULSO 2 V1=0,V2=10,TD=10ms,TR=0,TF=0,PW=10ms,PER=20ms VPULSE
TRANSISTORES --- Q2N2222

Tabla 2. Valores y parmetros.

Antes de iniciar la simulacin se debe guardar el diagrama circuito y del men analisis de PSPICE
Schematics se elige la opcin set up y se activan las casillas de temperatura y transitorio. Con los
valores que se muestran en la Tabla 3.



Temperatura 27
Print step 1us Transitorio
Final time 40ms
Tabla 3. Valor de parmetros.



Print step es el tiempo de inicio de la simulacin.
Final time es el tiempo del trmino de la simulacin.


El voltaje rms de salida se puede encontrar a partir de



Vo =
2 / 1
2 /
0
2
4
2
|
|
.
|

\
|
}
To
dt
Vs
To
=
2
Vs
(1)


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Para una carga resistiva las salidas de voltaje y de corriente son las que se muestran en las Figuras 3
y 4 respectivamente.
Para una carga inductiva:

La corriente de carga no puede cambiar inmediatamente con el voltaje de salida. Si Q1 se desactiva
en T/2, la corriente de carga seguir fluyendo a travs de D2, hasta que la corriente llegue a cero. En
forma similar, cuando Q2 se desactiva en t = T, la corriente de la carga fluye a travs de D1, la
carga y la mitad superior de la fuente de cd.

Para una carga puramente inductiva, un transistor conduce nicamente durante T/2 (es decir 90
o
).
Dependiendo del factor de potencia de la carga, el periodo de conduccin de un transistor vara
desde 90 hasta 180
o
.
La corriente para una carga puramente inductiva es la que se muestra en la Figura 5.
A.1 Simulacin



Time
0s 20ms 40ms 60ms 80ms 100ms
V(R4:2,R4:1)
-10V
0V
10V

Figura 3. Voltaje que vara entre Vs/2 y Vs/2.


Time
0s 20ms 40ms 60ms 80ms 100ms
I(R5)
-1.0A
0A
1.0A

Figura 4. Corriente de carga con R=10.



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Time
0s 20ms 40ms 60ms 80ms 100ms
I(L2)
-2.0A
0A
2.0A


Figura 5. Corriente de la carga con una carga altamente inductiva.



B. Inversores monofsicos en puente.

Un inversor monofsico en puente est formado por cuatro pulsadores. Como se muestra en la
Figura 6. Cuando los transistores Q1 y Q2 se activan simultneamente, el voltaje de entrada Vs
aparece a travs de la carga. Si los transistores Q3 y Q4 se activan al mismo tiempo, el voltaje a
travs de la carga se invierte, y adquiere el valor Vs.




Figura 6. Inversor monofsico en puente.


Los valores de los parmetros de PSPICE para el inversor monofsico en puente utilizados en esta
ocasin para la simulacin son los que se muestran en la Tabla 4. La salida de voltaje en la carga,
en este caso una carga resistiva es la que se muestra en la Figura 7.







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NOMBRE VALOR O PARAMETRO PSPICE ID
FUENTE DE CD DC = 12, AC = 0 VDC
DIODOS IS=0.00221p, BV=1800 D1N914
RESISTENCIA 10 R
TRANSISTORES --- Q2N2222
PULSO 1 V1=0,V2=10,TD=1us,TR=0,TF=0,PW=10ms,PER=20ms VPULSE
PULSO 2 V1=0,V2=10,TD=10ms,TR=0,TF=0,PW=10ms,PER=20ms VPULSE

Tabla 4. Valores de los parmetros de PSPICE.


El voltaje rms de salida se puede determinar a partir de



Vo=
2 / 1
2 /
0
2
2
|
.
|

\
|
}
dt Vs
T
T
= Vs (2)


B.1 Simulacin.

Time
0s 20ms 40ms 60ms 80ms 100ms
V(R4:1,R4:2)
-10V
0V
10V

Figura 7. Formas de onda para una carga resistiva.



C. Inversores trifsicos.


Se puede obtener una salida trifsica a partir de una configuracin de seis transistores y seis diodos,
como se muestra en la Figura 8, a los transistores se les aplica una seal de control con conduccin
a 180
o
.




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CONDUCCION A 180
O
.

Cada transistor conducir durante 180
o
. Tres transistores se mantienen activos durante cada instante
de tiempo. Cuando el transistor Q1 est activado, la terminal a se conecta con la terminal positiva
del voltaje de entrada. Cuando se activa el transistor Q4, la terminal a se lleva a la terminal negativa
de la fuente de cd. En cada ciclo existen seis modos de operacin, cuya duracin es de 60
o
. Los
transistores se numeran segn su secuencia de excitacin (por ejemplo 123, 234, 345, 456, 561 y
612). El valor y el ancho de los pulsos para activar los transistores para la conduccin a 180
O
son
los que se dan en la Tabla 5.

La carga puede conectarse en delta o en estrella como se muestra en la Figura 9.
Existen tres modos de operacin en un medio ciclo, los circuitos equivalentes aparecen en la Figura
10 para el caso de una carga conectada en estrella.






Figura 8. Inversor trifsico.




NOMRE VALOR O PARAMETRO PSPICE ID
PULSO1 V1=0,V2=10,TD=0ms,TR=0,TF=0,PW=10ms,PER=20ms V-VPULSE1
PULSO2 V1=0,V2=10,TD=3.33ms,TR=0,TF=0,PW=10ms,PER=20ms V-VPULSE2
PULSO3 V1=0,V2=10,TD=6.66ms,TR=0,TF=0,PW=10ms,PER=20ms V-VPULSE3
PULSO4 V1=0,V2=10,TD=9.99ms,TR=0,TF=0,PW=10ms,PER=20ms V-VPULSE4
PULSO5 V1=0,V2=10,TD=13.32ms,TR=0,TF=0,PW=10ms,PER=20ms V-VPULSE5
PULSO6 V1=0,V2=10,TD=16.65ms,TR=0,TF=0,PW=10ms,PER=20ms V-VPULSE6

Tabla 5. Pulsos para conduccin a 180
O
.
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a) Conectado en delta. b) Conectado en estrella.

Figura 9. Carga conectada en delta / estrella.





Modo 1


Modo 2











Modo 3

Figura 10. Circuitos equivalentes.

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El voltaje rms lnea a lnea se puede determinar a partir de




V
L
=
2 / 1
3 / 2
0
2
) (
2
2
(

wt d Vs = Vs
3
2
= 0.8165Vs (3)



Los voltajes de fase son los que se muestran en la Figura 11 para una carga conectada en estrella y
el voltaje de fase Van es el que aparece en la Figura 12 con una carga resistiva, se muestra adems
la corriente de fase ia que fluye a travs de una carga inductiva en la Figura 13.




C.1 Simulacin.




Time
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms
V(R5:1,R4:1)
-20V
0V
20V
V(R4:2,R5:2)
-20V
0V
20V
V(R3:1,R3:2)
-20V
0V
20V
SEL>>

Figura 11.Voltajes de fase para la conduccin a 180
o
.

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Time
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms
V(R29:1,R29:2)
-20V
0V
20V

Figura 12. Voltaje Van.


Time
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms
I(R3)
-2.0A
0A
2.0A

Figura 13.Corriente ia.







III. CONCLUSIONES Y TRABAJO A FUTURO


Los dispositivos usados como interruptores requieren de cierto tiempo para que logren encenderse
completamente y tambin de cierto tiempo para su apagado.

Para esta simulacin se utilizaron transistores como dispositivos de conmutacin, pero se pueden
utilizar IGBT, MOSFET, MCT, GTO o tiristores, para la prctica de este trabajo se utilizarn
MOSFET.

Se tiene en plan poner en marcha un inversor monofsico, para el cual la modulacin del ancho de
los pulsos ser controlada por el integrado TL 494 que funciona a una frecuencia fija controlable
por una resistencia y un capacitor para generar una seal diente de sierra que se compara con una
seal senoidal para generar el ancho de los pulsos que tendrn la misma frecuencia que la seal
diente de sierra.



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REFERENCIAS
[1] John Q. Attla, Pspice and Matlab for electronics and integrated approach, CRC Press, pp 317, 3137, 4358 y 99105.
[2] Muhammad H. Rashid, Electrnica de potencia, circuitos, dispositivos y aplicaciones, 2a ed., Prentice Hall, pp 356410,
264265.
[3] Ned Mohan, Tore M. Undelan, William P. Robbins, Power Electronics, John Wiley y Sons Inc, 2a ed., pp 161196.
[4] William H. Hayt, Jr. Jack E. Kemmerly, Steven M. Durbin, Anlisis de circuitos en ingeniera, 6a ed., Mc Graw Hill, pp 49479.