Cap 6

6.
FIZICA CORPULUI SOLID
6.1. Oscilaiile reelei cristaline 6.1.1. Reeaua cristalin. Indicii Miller Majoritatea corpurilor solide ntlnite n natur sunt cristaline, caracterizndu-se printr-o aranjare spaial regulat a atomilor sau moleculelor. n afar de corpurile solide cristaline n natur mai exist o categorie de corpuri solide care au o aezare dezordonat a atomilor i moleculelor, numite corpuri amorfe. Spre deosebire de solidele cristaline, solidele amorfe se caracterizeaz prin izotropia proprietilor fizice (independena de direcie a acestor proprieti) i nu au o temperatur de topire bine determinat. Energia liber a substanei solide are valoarea minim absolut n starea solid cristalin. Aezarea spaial ordonat a atomilor sau moleculelor ntr-un solid cristalin determin proprieti de periodicitate n sensul c deplasndu-se dup o direcie care trece prin cel puin doi atomi, ntlnim mereu ali atomi situai la distane egale. Aceast aezare periodic a atomilor sau moleculelor n spaiu determin o anizotropie a proprietilor fizice cum sunt conductibilitatea electric i termic, proprietile optice, modulul de elasticitate i chiar anizotropia formei exterioare a corpului solid. n studiul structurilor cristaline se folosesc noiunile de reea i baz. Reeaua se definete ca mulimea punctelor discrete din spaiu, determinate de vectorul r r r r Rn = n1a1 + n2 a 2 + n3 a3 (6.1) r r r unde n1 , n2 , n3 sunt numere ntregi, iar a1 , a 2 i a3 sunt trei vectori necoplanari numii vectori fundamentali ai reelei. Reeaua plus baza genereaz structura cristalin. Observm c o retea infinit prezint proprietatea de invarian la operaia de translaie discret prin care reeaua coincide cu ea nsi. Punctele definite de relaia (6.1) se numesc nodurile reelei. Plasnd n fiecare nod al reelei un atom sau un grup de atomi, atribuim reelei o r r r baz, obinnd un crital ideal. Marimile a1 , a 2 , a3 se numesc constantele reelei pe direciile respective. Punctele reelei care difer printr-un vector al reelei se numesc puncte echivalente. Celula elementar este aceea regiune din reea cu ajutorul creia se contruiete prin translaie, dup cele trei direcii, ntreaga reea. Dac celula elementar conine un singur nod, ea se numete celula primitiv. Trebuie menionat c nodurile din vrfurile unei celule particip la opt celule. Celula asimetric (n general neprimitiv) este acea celul care posed numrul maxim de elemente de simetrie ale reelei respective, cum sunt axele de rotaie, planele de reflexie, inversie i combinaii ale acestora. Se poate arta c simetria de translaie impune existenta unor anumite tipuri de axe de rotaie. Definind un plan cristalin ca planul ce conine cel puin trei noduri ale reelei (deci conine o infinitate de noduri), alegem o ax de rotaie C n perpendicular pe plan n punctul O (fig. 6. 1), care n general nu este un nod al reelei. Fie P nodul cel mai apropiat de O n acest plan. Pentru a gsi un alt nod al reelei P rotim OP = d n jurul lui O cu unghiul 0 . Vectorul PP' este un vector al reelei de forma (6. 1). Construind paralelogramul OPPO, punctele O i O sunt echivalente i sunt separate printr-un vector de mrime egal cu PP' . Prin urmare prin O trece o ax de rotaie echivalent cu cea care trece prin O. Rotind O' P' n jurul lui O cu unghiul ( 0 ) nodul P coincide cu nodul P" . Deoarece P este nodul cel mai apropiat de O fie coincide cu O (i n acest caz, O este
un nod al reelei), fie cade pe un nod situat pe prelungirea segmentului PO. Din fig. 6. 1 se observ c:
PP' = 2d sin
i
0 2
(6.2)
0 = 2d (1 cos 0 ) = nd , (6.3) 2 2n unde n este ntreg. Deoarece cos 0 1 rezult c 1 , astfel c n poate avea 2 2n 2n numai valorile 0, 1, 2, 3, 4 (condiie care rezult din 0 , sau n 0 i 1 , 2 2 sau n 4 ). Atunci, 2n 1 1 cos 0 = = 1, , 0, , 1. (6.4) 2 2 2 PP" = 2PP' sin
Fig. 6. 1. Determinarea numrului axelor de rotaie.
2 2 2 2 . Rezult , , , 6 4 3 2 c singurele axe de rotaie C n permise n reea sunt cele cu n = 1, 6, 4, 3, 2.

Prin urmare, unghiul 0 poate avea numai valorile 0, Reelele Bravais tridimensionale se deosebesc unele de altele prin mrimea relativ r r r a vectorilor fundamentali a1 , a 2 , a3 prin unghiurile dintre acetia ij (fig. 6. 2).
Fig. 6. 2. Celula elementar tridimensional.
Volumul celulei elementare este:
r r r V = a1 (a 2 a 3 ) .
(6.5)
338
FIZIC
Exist 14 reele Bravais tridimensionale distribuite n 7 sisteme cristaline numite i singonii (fig. 6. 3). 1) Sistemul triclinic se construiete pornind de la reeaua oblic, aeznd planele astfel nct nodurile din planele succesive s nu se afle pe aceeai vertical. n acest caz, r r r a1 a 2 a 3 i 12 23 31 90 0 . O analiz mai detaliat arat c n acest fel putem construi o singur reea, numit triclinic simpl. Celula elementar este un paralelipiped oblic cu baza un paralelogram (fig. 6. 3. 1). 2) Sistemul monoclinic (fig. 6. 3. 2) conine dou tipuri de retele Bravais: reeaua monoclinic simpl (fig. 6. 3. 2 a)) i reeaua monoclinic cu volum centrat (fig. 6. 3. 2 b)), ambelele construite pe baza reelei plane oblice. La prima, nodurile din planele succesive se afl pe aceeai vertical, n timp ce la cea de-a doua, nodurile din planul urmtor se afl deasupra centrelor paralelogramelor din planul precendent.
Fig. 6. 3. Reelele Bravais tridimensionale.
Celula elementar a reelei monoclinice se caracterizeaz prin a1 a 2 a 3 i
12 23 = 31 = 90 0 (paralelipiped drept cu baza paralelogram). Reeaua monoclinic

339
cu volum centrat apare ca o reea complex coninnd dou noduri n celula elementar (de notat c nodurile din coluri contribuie cu 1/8 din celula respectiv, acestea aparinnd la opt celule vecine). Se poate alege o celul elementar primitiv, ca cea din fig. 6. 3. 2 a)) de form romboedric. Se poate arta c reeaua monoclinic cu volum centrat este echivalent cu reeaua monoclinic n care dou fee dreptunghiulare opuse sunt centrate. 3) Sistemul ortorombic (ortogonal sau rombic) avnd ca celul un paralelipiped drept cu r r r baza dreptunghiular ( a1 a 2 a 3 i 12 = 23 = 31 = 90 0 ) conine patru tipuri de reele Bravias (fig. 6. 3. 3): - ortorombic simpl (fig. 6. 3. 3 a), care se construiete pornind de la reeua plan dreptunghiular, aeznd nodurile pe aceeai vertical; - ortorombic cu volum centrat (fig. 6. 3. 3 b)) se construiete din reeaua plan dreptunghiular, nodurile din planele succesive aezndu-se deasupra centrelor dreptunghiurilor din palnul precendent. i n acest caz celula elemntar apare complex, ns, se poate alege o celul primitiv romboedric; - ortorombic cu baza centrate (fig. 6. 3. 3 c)) se construiete pornind de la reeua plan rombic, astfel ca nodurile din planele succesive s fie unele deasupra altora. Aceast reea apare ca reea complex cu dou noduri pe celula elemntar (nodurile de pe fee contribuie la celul cu 1/2), dar se poate construi i o celul primitiv; - ortorombic cu fee centrate (fig. 6. 3. 3 d)) se construiete pornind de la reeaua rombic, plasnd nodurile n plane succesive. Aceast reea apare de asemenea, complex, cu patru noduri pe celula elemntar, celula primitiv romboedric putnd fi aleas n mai multe feluri. 4) Sistemul hexagonal se construiete pornind de la reeua plan hexagonal prin aezarea nodurilor din planele succesive unele deasupra altora. Sistemul conine o singur reea r r r Bravais (hexagonal simpl) caracterizat prin a1 = a 2 a 3 i 12 = 60 0 (sau 1200) i 23 = 31 = 90 0 (fig. 6. 3. 4). 5) Sistemul romboedric sau trigonal se construiete pornind tot de la reeaua plan rombic, plasnd nodurile din planele succesive deasupra romburilor din palnele r r r precedente, astfel ca a1 = a 2 = a 3 i 12 = 23 = 31 90 0 . Sistemul conine o singur reea Bravais, trigonal simpl. Putem s ne imaginm generarea acestui sistem prin deformarea unui cub dup diagonala principal (fig. 6. 3. 5). 6) Sistemul tetragonal sau ptratic, avnd ca celul o prism dreapt cu baza ptrat r r r ( a1 = a 2 a 3 i 12 = 23 = 31 = 90 0 ) se genereaz pornind de la reeaua plan ptratic n dou variante (fig. 6. 3. 6): - tetragonal simpl (fig. 6. 3. 6 a)) n care nodurile din planele succesive se aeaz unele deasupra altora; - tetragonal cu volum centrat (fig. 6. 3. 6 b)) n care nodurile din planele succesive se aeaz deasupra centrelor ptratelor din planele precendente. Aceast reea apare drept complex, cu dou noduri pe celula elementar, ns o celul primitiv se poate alege sub forma unu romboedru. r r r 7) Sistemul cubic ( a1 = a 2 = a 3 i ij = 90 0 ) se genereaz pornind de la reeaua plan ptrtic. Conine trei tipuri de reele Bravais (fig. 6. 3. 7): - cubic simpl (fig. 6. 3. 7 a)), - cubic cu volum centrat (fig. 6. 3. 7 b)), - cubic cu fee centrate (fig. 6. 3. 7 c)). Ultimele dou reele se construiesc la fel ca n cazul sistemului ortoromic. Acestea apar drept complexe, cu 2 i respectiv 4 noduri pe celula elementar, iar celulele primitive
340
FIZIC
sunt romboedre. Se poate arta c aceste 14 reele sunt singurele reele Bravais tridimensionale. Modificarea uneia din ele, prin adugarea de noduri pe fee, pe muchii sau n centrul celulei, conduce la o alt reea Bravais din cele 14 descrise. De exemplu, dac la reeaua monoclinic simpl se adug noduri n centrele bazelor se obine o alt reea monoclinic simpl, prin realegerea convenabil a celulei elementare (fig. 6. 4).
Fig. 6. 4. Adugarea de noduri suplimentare pe bazele unei celule monoclinice simple conduce la o alt celul monoclinic simpl.
Reelele Bravais spaiale se pot genera unele din altele prin deformarea pe diferite direcii. O direcie n cristal este determinat de dreapta care conine cel puin dou noduri ale reelei. Planul cristalin este planul determinat de trei noduri ale reelei. Datorit simetriei de translaie, direcia i planul conin o infinitate de noduri. O direcie cristalin se definete prin indicii ntregi [n1 n 2 n3 ] astfel ca vectorul de poziie al nodului cel mai apropiat, situat pe direcia respectiv, fa de alt nod luat ca origine, s fie: r r r r Rn = n1 a1 + n 2 a 2 + n3 a 3 . (6. 6) Ca urmare, direcia cristalin se poate defini prin tripletul de numere n1 , n 2 , n 3 , prime ntre ele. De exemplu, pentru sistemul cubic, nodul de coordonate 2,2,4 2,2, 4 se gsete pe direcia [11 2 ] , fa de axele cubice, n urma simplificrii prin divizorul comun 2. Direciile echivalente n reea se noteaz n1 n 2 n3 . Astfel, diagonalele feelor unui cub formeaz mulimea de 24 direcii echivalente, care se noteaz 110 . Diagonalele Planele cristalografice se noteaz cu ajutorul indicilor Miller (h k l ) . Considernd planul care taie pe axele cristalografice segmentele p1 , p2 , p3 , n uniti de constant de reea a1 , a 2 , a 3 cubului formeaz mulimea direciilor echivalente notate 111 .
se calculeaz rapoartele inverselor acestor numere i astfel se
determin cele mai mici trei numere ntregi h, k , l care se afl n acelai raport:
h:k :l =
1 1 1 : : . p1 p 2 p 3
(6. 7)
De exemplu, planul care taie axele cristalografice n punctele de coordonate 1, 2, 4 este determinat de indici Miller:
adic h = 4, k = 2, l = 1 . Pentru planul care taie axele n punctele 1, 1 / 2, 1 / 3, se obine:
1 1 1 4 2 1 h:k :l = : : = : : , 1 2 4 4 4 4
1 2 3 h:k :l = : : , 1 1 1
341
(6. 8)
(6. 9)
adic
(6. 10) n raport cu axele cubice, o fa a unui cub (de exemplu planul z = 0 ) se noteaz cu (100). Dac planele cristaline sunt paralele cu una din axele cristalografice, atunci, dup cum rezult din relaia (6.7) indicii Miller respectivi sunt zero, deoarece planele taie axele la infinit. Planele echivalente se noteaz cu {h k l} . De exemplu, toate feele unui cub se noteaz cu {100}. Cteva tipuri de plane ale sistemului cubic sunt prezentate n fig. 6. 5.
h = 1; k = 2; l = 3 .
Fig. 6. 5. Plane cristaline n sistemul cubic.
6.2. Studiul experimental al structurii cristaline 6.2.1. Difracia pe cristale Iradierea unei reele cu o radiaie de o anumit lungime de und , duce la apariia figurilor de difracie, adic a unui sistem de maxime i minime ale intensitii radiaiei difractate. Condiia de maxim a intensitii este ca diferena de drum a dou raze difractate s fie un multiplu ntreg al lungimii de und (fig. 6. 6). Dac n i n sunt versorii direciilor de propagare ale fasciculului incident i difractat rezult: r r r r BO + OC = n a1 + n 'a1 = g1 (6.11) r unde a1 este un vector fundamental al reelei cristaline, iar g1 este un ntreg. Pentru cele trei direcii cristalografice, condiiile de maxim sunt:
r r r a1 ( n ' n ) = g1, r r r a 2 (n ' n ) = g 2 , r r r a3 (n 'n ) = g 3 ..
(6.12)
Fig. 6. 6. Reprezentarea schematic a difraciei pe o reea cristalin.
Relaiile (6.12) se numesc ecuaiilei Laue. ntruct n prima relaie (6.12),
r r a1 n ' = d cos 2
i
(6.13)
342
FIZIC
r r a1 n = d cos 2
astfel c aceasta devine:
(6.14)
2d sin = n , (6.15) relaie numit relaia Bragg i unde d este distenta dintre planele cristaline. Radiaia r r electromagnetic incident poate fi descris printr-o und plan de forma exp i r ,
r unde este vectorul de und, care indic direcia de propagare, astfel: r r 2 r r = = i n = = . 2
(6.16)
Deoarece difracia este un proces de interacie elastic a radiaiei cu reeaua cristalin, rezult c lungimea de und a radiaiei incidente este egal cu cea a radiaiei difractate, sau = ' . n acest caz ecuaiile Laue (6.12) pot fi scrise sub forma:
r r r r r r r r r a1 (') = 2g1 , a 2 (') = 2g 2 , a3 (') = 2g 3 . r r a i 0 = 2g i ,
(6.17) (6.18) (6.19) (6.20)
Relaiile (6.17) mai pot fi scrise i sub form condensat: unde
poart numele de vectorul reelei reciproce. Vectorii fundamentali ai reelei reciproce sunt r r r definii cu ajutorul vectorilor fundamentali a1 , a 2 i a3 sub forma:
r r r care apare ca o lege de conservare a impulsului fotonului p = h n cristal. Vectorul 0
r r r 0 = '. Dac se nmulete relaia (6.19) cu h rezult r r r h ' = h + h 0
r r r r r r r a 3 a1 r a1 a 2 a 2 a3 r , b2 = 2 , b3 = 2 , (6.21) b1 = 2 V0 V0 V0 r r r unde V0 = a1 (a 2 a 3 ) este volumul celulei elementare a reelei directe. Se observ c: r r a i b j = 2 ij , (6.22)
r r r r 0 = g1b1 + g 2 b2 + g 3 b3 ,
unde ij este simbolul lui Kroenecker. Mulimea punctelor definite de vectorul (6.23) unde g1 , g 2 , g 3 sunt numere ntregi i definesc reeua reciproc. Ridicnd la ptrat relaia (6.20) i innd cont c = ' rezult relaia:
r r r2 r r 2 0 + 0 = 0 sau 2 + 0 = 0 ,
(6.24)
care apare ca o condiie de difracie. 6.2.2. Studiul structurii cristaline prin difracie de raze X Cu ajutorul razelor X se pot determina: elementele de simetrie i tipul structurii, fazele cristaline, distanele dintre planele cristaline, orientarea cristalelor, compoziia (prin fluorescen de raze X), gradul de cristalinitate, mrimea cristalelor n materiale policristaline, etc. Pentru studiul structurii cristaline prin difracie de raze X se folosesc trei metode: metoda Laue, metoda cristalului rotitor i metoda pulberilor cristaline.
343
a) Metoda Laue const n iradierea unui monocristal de dimensiuni mici (~1mm) cu raze X avnd un spectru continuu. Razele X ptrund adnc n solide i sunt mprtiate de electronii pturilor atomilor de pe planele cristaline. Din aceast cauz studiul structurii prin difracie de raze X d rezultate mai bune la elemente mai grele, cu mai muli electroni. Cristalul este fixat pe un suport, goniometru, care permite orientarea lui sub diferite unghiuri fa de fasciculul incident. Figura de difracie este nregistrat pe o plac fotografic i se prezint sub forma unor pete situate pe elipse cu axa mare comun, care trec prin pata central. Aceste pete corespund maximelor de interferen ale razelor reflectate de diferite plane care selecteaz din spectrul continuu anumite lungimi de und, conform relaiei Bragg (6. 15). Prin aceast metod nu se poate determina distana d hkl ntre planele {hkl} , deoarece maximele de interferen pot proveni de la mai multe familii de plane. Metoda este util pentru determinarea orientrii planelor cristaline i a simetriei reelei. Simetria figurii de difracie pstreaz simetria reelei, ceea ce permite determinarea sistemului cristalin respectiv, prin orientarea cristalului cu diferite unghiuri fa de fasciculul incident. Astfel, dac figura de difracie prezint axe de simetrie de ordinul 4, sistemul cristalin va fi tetragonal, iar dac prezint i axe de ordinul 3, sistemul va fi cubic. n sfrit, dac se gsete o ax de simetrie a figurii de difracie de ordinul 6, sistemul va fi hexagonal. Din simetria figurii de difracie se poate determina totodat i orientarea cristalului. b) Metoda cristalului rotitor. n aceast metod se utilizeaz o radiaie X monocromatic ce cade pe un monocristal de dimensiuni mici ( ~ 1mm) introdus ntr-o camer de difracie cilindric. Monocristalul este fixat pe un suport care se rotete n jurul unei axe perpendiculare pe fasciculul incident, razelor difractate fiind nregistrate pe un film aplicat pe pereii cilindrului. Petele de difracie obinute sunt dispuse pe cercuri determinate de intersecia fasciculului difractat pe pelicula fotografic. n fig. 6. 7 este prezentat schematic filmul desfurat cu figura de difracie. Deoarece prin rotaie nu orice unghi satisface relaia Bragg, figura de difracie este format din pete (i nu din linii continue), obinute prin reflexie pe plane cristaline care, rotindu-se, satisfac aceast relaie la fiecare rotaie cu radiani. Astfel, pentru o orientare oarecare a planului de difractie fat de fascicul, apar patru pete de difracie la o rotaie complet.
Fig. 6. 7. Figur de difracie obinut prin metoda cristalului rotitor.
r r r w (n 'n ) = w(cos cos 0 ) = g (6.25) r unde w este perioada pe direcia w , iar i 0 sunt unghiurile dintre aceast direcie i
fasciculul difractat, respectiv incident. Dac fasciculul incident este perpendicualar pe direcia w , atunci 0 =
Pentru o direcie cristalografic oarecare w , ecuaiile Laue (6.12) se scriu:
i relaia (6.25) pentru fasciculul difractat, devine: 2

344
FIZIC
w cos = g ,
(6.26)
care este ecuaia unui con cu unghiul la vrf egal cu 2 . Metoda cristalului rotitor permite determinarea perioadelor cristalului, a constantelor de reea i a elemntelor de simetrie. De exemplu, pentru un cristal cubic cu r axa a3 paralel cu axa de rotaie (fig. 6. 8), adic w = a 3 = a (latura cubului), condiia (6.26) se scrie: a3 cos = S e , (6.27) unde =
S i tg = e . Cunoscnd lungimea de und se poate determina 2 R
constanta reelei.
Fig. 6. 8. Reprezentarea schematic a metodei cristalului rotitor.
c) Metoda pulberilor (Debye-Scherrer). n aceast metod, cel mai frecvent, radiaia monocromatic cade asupra unei pulberi de cristalite fine. Datorit orientrii haotice a cristalelor, vor exista ntotdeauna anumite plane cristalografice care ndeplinesc condiia Bragg. Acelai plan se va gsi ntr-o mulime de alte cristalite situate n jurul razei incidente orientate la unghiul de difracie fat de aceasta, ca i cum planul respectiv se rotete n jurul razei incidente. Astfel, razele difractate se vor gsi pe generatoarea unui con care se intersecteaz cu filmul fixat pe pereii camerei, sub forma unor arce (fig. 6. 9 a), b)) simetrice fat de pata central, corespunztoare radiaiei nedifractate transmise. Pe film se observ att razele difractate nainte ct i cele difractate napoi.
Fig. 6. 9 a), b). Reprezentarea schematic a metodei pulberilor.
Metoda pulberilor permite determinarea parametilor celulei elemntare, simetria structurii cristaline, defecte, etc. De exemplu, pentru determinarea distanei interplanare i a constantei de reea la un cristal cubic, se procedeaz astfel: se msoar pe diagrama
345
Debye-Scherrer distana 2 S e ntre arcele simetrice fa de pata central (fig. 6. 10) i dac R este distana de la prob la film, iar este unghiul de difracie, atunci: =
2S e . 4R
Fig. 6. 10. Determinarea distanei interplanare i a constantei reelei.
Gsind unghiurile pentru diferite linii de difracie, din relaia lui Bragg se determin o serie de distane interplanare
d=
n , 2 sin
(6.28)
ceea ce permite indexarea rntgenogramelor, adic identificarea planelor cristaline. 6.2.3. Capacitatea caloric a cristalelor Teoria Einstein. Conform teoriei clasice un cristal care este format din N atomi are 3 N grade de libertate de oscilaie, fiecruia corespunzndu-i o energie medie kT ( form de energie cinetic i
1 kT sub 2
1 kT sub form de energie potenial). Astfel, energia intern 2

(6.29) (6.30)
a unui cristal, calculat n cadrul teoriei clasice, este egal cu: E i = 3 NkT = 3RT , iar capacitatea caloric la volum constant:
E CV = i = 3 R , T V
aceasta reprezentnd coninutul legii experimentale Dulong-Petit. Aceast lege este verificat doar la temperaturi n jurul lui 300 K. La temperaturi apropiate de 0 K, capacitatea caloric scade cu temperatura astfel ca la T = 0 K i CV = 0 . Valoarea kT pentru energia medie a micrii oscilatorii a fost obinut presupunnd c energia oscilatorului armonic poate avea un spectru continuu. n cazul cuantic, energia de oscilaie este cuantificat, astfel c energia medie, calculat pentru oscilatorul armonic este:
1 W = h + 2
h . h exp 1 kT
(6.31)
Teoria capacitii calorice a corpului solid, innd cont de cuantificarea energiei de oscilaie a fost elaborat de A. Einstein n 1907 i mbuntit de P. Debye n 1912. A. Einstein a considerat c reeaua cristalin format din N atomi este echivalent cu 3 N oscilatori independeni, cu aceeai frecven proprie . Existena energiei de zero
346
FIZIC
a fost stabilit ulterior, doar dup formularea coerent a mecanicii cuantice. Dar, n ceea ce privete capacitatea caloric la volum constant rezultatul nu este influenat de existena energiei de zero, deoarece aceasta nu depinde de temperatur. n aceast ipotez, energia intern a cristalului se obine nmulind cu 3 N membrul drept al relaiei (6.31), adic:
Ei =
iar capacitatea caloric este:
3 Nh + 2
3 Nh , h exp 1 kT
(6.32)
h 3 Nh 2 2 exp E kT . CV = i = 2 T V h 2 kT exp 1 kT
Considerm cele dou cazuri limit ale relaiei (6.33): a) kT >> h , adic cazul temperaturilor nalte. n acest caz putem face aproximaia
(6.33)
h h exp 1 + , kT kT
2
(6.34)
astfel c relaia (6.34) devine:
CV
3Nh h + K 1 1 + kT
h = 3Nk = 3 R, kT 2
(6.35)
care este chiar legea Dulong-Petit. b) h >> kT , adic cazul temperaturilor coborte. n acest caz putem neglija unitatea n comparaie cu exponeniala la numitorul relaiei (6.32) i rezult:
h 3Nh exp 2 2 kT h = 3 Nh exp h . CV 2h kT 2 kT 2 kT exp kT
(6.36)
Factorul exponenial din relaia (6.36) variaz mult mai rapid dect T 2 , astfel c pentru T 0 expresia (6.36) tinde la zero ca un factor exponenial. Experiena arat ns c, n apropierea valorii T = 0 K, capacitatea caloric a cristalelor variaz cu T 3 i nu exponenial. Rezult c teoria Einstein ne d doar calitativ comportarea corect a capacitii calorice la temperaturi sczute. P. Debye a elaborat o teorie care este n concordan cu experiena i cantitativ, la orice temperatur. Teoria Debye. P. Debye a inut cont c oscilaiile atomilor dintr-o reea cristalin nu sunt independente. Deplasarea unui atom fa de poziia sa de echilibru are ca efect deplasarea i a celorlali atomi vecini. Oscilatorii sunt cuplai i n cristalul format din N atomi legai elastic apar unde staionare, care pot avea doar anumite frecvene (moduri de oscilaie). Dac se consider un cristal de form paralelipedic cu lungimile laturilor a, b i
d , atunci se formeaz unde staionare de-a lungul celor trei direcii dac sunt ndeplinite condiiile: a = n1 y x , b = n2 , d = n3 z , 2 2 2
347
(6.37)
sau
x =
2 2 2 = n3 , = n1 , y = = n2 , z = z x y a b d r r r r = xu x + yu y + zu z ,
(6.38)
unde x , y , z sunt componentele vectorului de und
(6.39)
iar x , y , z sunt lungimile de und corespunztoare propagrii oscilaiilor de-a lungul celor trei direcii. Deoarece n1 , n2 i n3 sunt numere ntregi, se observ c n1 = n 2 = n3 = 1 , iar (6.40) (6.41)
cu axele x , y , z se poate calcula numrul nodurilor de V oscilaie (frecvenelor) mprind volumul sferei de raz la volumul unei celule 1 x y z i lund din numrul rezultat, care corespunde numrului de frecvene de 8 oscilaie pentru care toate componentele x , y , z sunt pozitive. Astfel:
n spaiul lui =
x = ; y = ; z = . a b d
iar numrul de moduri de oscilaie din unitatea de volum i din intervalul d din jurul valorii este:
0 dN
3 3 3 1 4 = 2 3 V , N= v 8 3 6 v a b d 2 d = 2 3, 2 v
(6.42)
(6.43)
unde v este viteza de faz a undei prin cristal. n relaia (6.43) nu s-a inut cont de tipurile de polarizare posibile ale undei. ntr-un mediu solid se pot propaga trei unde diferite, cu aceeai frecven . Aceste unde difer ca direcie de polarizare: una este longitudinal i dou sunt transversale, cu direcii de oscilaie perpendiculare. Astfel, n locul lui trebuie scris:
1 v3
1
3 v II
3 v v 3 unde s-a considerat cristalul izotrop, adic v II = v .
(6.44)
Pe baza celor prezentate mai sus relaia (6.43) devine:

0 dN =
3 2 d 2 2 v 3
(6.45)
Se poate calcula frecvena maxim de oscilaie a modurilor de oscilaie ale reelei, egalnd numrul total de oscilaii cu numrul de grade de liberate, care, pentru unitatea de volum, este egal cu 3n , unde n este concentraia de atomi din cristal, adic:
348
FIZIC
0 3n = dN =
max
32 2 2 v
d = 3
3 max
2 2 v 3
(6.46)
de unde: (6.47) Conform relaiei (6.47) rezult c lungimea de und minim a undelor excitate ntrun cristal este:
max = v3 6 2 n
min =
2v 2 4 3 3 2d , n max 2n
(6.48)
rezultat n concordan cu faptul c undele a cror lungime de und este mai mic dect dublul distanei interatomice (d ) nu au semnificaia fizic. Eliminnd viteza ntre relaiile (6.45) i (6.47) se obine urmtoarea expresie pentru numrul de oscilaii din unitatea de volum i unitatea de intervalul de frecvene d din jurul valorii :
0 dN = 9n
2 d . 3 max
(6.49)
Energia intern a unitii de volum de cristal se calculeaz cu ajutorul relaiei:
E iV =
unde W energia intern se poate exprima sub forma:
max 0
0 dN ,
(6.50)
este dat de relaia (6.31). Pentru ntreg cristalul de volum V , unde nV = N ,

max
Ei =
9N 3 max
max 3 h 2 d = E + 9Nh 1 h + d i0 2 h 3 0 exp h 1 max exp 1 kT kT
(6.51)
n relaia (6.50)
Ei0 =
9 3 Nhmax = 3 N hmax 8 8
h exp 4 d kT . 2 h exp kT 1
(6.52)
reprezint energia de zero a cristalului. Capacitatea caloric a cristalului se obine derivnd relaia (6.51) n raport cu temperatura:
CV =
9 Nh 3 kT 2 max
max
(6.53)
Introducnd temperatura Debye:
=
i fcnd schimbarea de variabil x =
h , relaia (6.53) poate fi scris sub forma: kT

349
hmax k
(6.54)
T CV = 9 Nk
unde
3 xmax
(exp x 1)2 0
x 4 (exp x )dx
(6.55)
xmax =
a) kT >> h . n acest caz,
hmax = . kT T
(6.56)
n cele ce urmeaz se consider dou cazuri particulare.
h << 1 i se poate dezvolta n serie exponeniala: kT h h exp 1 + , kT kT

9 Nh
max
(6.57)
astfel c:
Ei = Ei +
iar
3 max
kT 3 d =E i 0 + 3 NkT , h
(6.58)
E CV = i = 3 Nk = 3R; (6.59) T V 2) kT << h . n acest caz, xmax = , deoarece T << . Astfel, integrala din T relaia (6.55) este o constant i CV variaz proporional cu T 3 . Aceast aproximaie este
cunoscut sub denumirea de legea Debye. Comparnd relaia (6.59) cu rezultatele experimentale se constat c legea Debye caracterizeaz corect variaia capacitii calorice cu temperatura doar pentru reelele cristaline formate din elemente sau compui simpli. Formula nu poate fi aplicat corpurilor cu o structur mai complex. n cazul unui cristal cu o reea simpl, n care fiecare celul unitar conine un singur atom, fiecrei valori a r vectorului de und i corespund trei valori ale frecvenei proprii de oscilaie (una pentru starea de polarizare longitudinal i dou pentru strile de polarizare transversal). Dac numrul de atomi din celula unitar a cristalului este r , atunci, n cazul general fiecrei r valori a vectorului de und i vor corespunde 3r valori diferite ale lui . n concluzie, frecvena este o funcie multipl de vectorul de und i are 3r ramuri. De exemplu, dac celula elementar conine dou specii de atomi ( r = 2), dependena lui de are forma din fig. 6. 11. Una din ramuri poart numele de ramura acustic, iar cealalt de ramura optic. Cele dou ramuri se disting prin dispersia lor, adic prin natura dependenei lui de . Ramura acustic tinde la zero pentru 0 , n timp ce ramura optic tinde spre o limit maxim 20 . n cazul tridimensional, al unui numr 3r de ramuri, trei din acestea sunt acustice i celelalte (3r 3) sunt optice. n ramurile acustice frecvenele au valori apropiate de cele sonore, iar n ramurile optice apropiate de cele optice. Dac modurile de oscilaie au frecvena acustic atomii similari din celule unitare diferite oscileaz unii n raport cu ceilali. n cazul modurilor de oscilaie cu frecven optic, atomii diferii din aceeai celul unitar oscileaz unii n raport cu ceilali, iar atomii similari din celule diferite se afl la distane constante unii n raport cu ceilali.
350
FIZIC
Fononii. Energia unui cristal poate fi reprezentat ca o sum a energiilor modurilor de oscilaie ale reelei: E i =
3 Nr
ni + 2 hi
cristalul, iar r este numrul atomilor din celul. Cuanta de energie: i = h i poart numele de fonon. Multe procese dintr-un cristal (de exemplu, mprtierea razelor X sau a neutronilor) se pot explica dac admitem c un fonon are quasiimpulsul: pi = hi , unde
i =1
unde N este numrul de celule unitare din
r i este vectorul de und al modului de oscilaie i . Un fonon se comport ca o particul
avnd energie i impuls, dar spre deosebire de celelalte particule (electroni, protoni, fotoni etc.) un fonon nu poate aprea n vid, adic el are nevoie de o substan ca s apar i s existe. Aceste tipuri de particule se numesc cvasiparticule. n condiii de echilibru termic cu frecvena i este determinat de relaia: numrul mediu de fenoni ni
1 1 n i + h i = h i + 2 2
h i , de unde h i exp 1 kT 1 1 ni hi + hi = hi + 2 2
1
hi h exp i 1 kT
(6.60)
hi adic: ni = exp 1 . kT
Fig. 6. 11. Dependena lui de .
Relaia (6.64) ne arat c ntr-un cristal se pot excita simultan un numr nelimitat de fononi identici. Atunci, principiul de excluziune al lui Pauli nu acioneaz. Fononii sunt bosoni. n acest mod, oscilaiile reele cristaline pot fi reprezentate sub forma unui gaz fononic coninut n cristal, la fel cum radiaia electromagnetic poate fi reprezentat ca un gaz fotonic, care umple cavitatea. Formal, cele dou noiuni de foton i fonon sunt similare: ambele se supun statisticii Bose-Einstein. Dac sistemul are numrul de fononi variabil, n relaia (6.60) la exponent intervine i potenialul chimic , adic aceasta
351
pentru hi < .
hi devine: ni = exp 1 , unde 0 , pentru c altfel ni ar fi negativ kT

6.3. Nivelele energetice ale electronilor n cristal
6.3.1. Teoria cuantic a electrnilor liberi dintr-un metal Se consider un metal de forma unui cub cu latura L i se presupune c electronii de conducie traverseaz absolut liber metalul. Ecuaia cu vectori i valori proprii pentru un electron liber n interiorul cubului este de forma:
h2 2 = W , 2M
Ecuaia (6.61) are soluia: unde
(6.61) (6.62) (6.63)
r r = C exp(i r ) r r p 2 MW , = = h h2
iar energia este egal cu:
h 2 2 W= . 2M Din condiia de normare a funciei rezult constanta C :

cub
(6.64)
dV = C
*
V = 1
(6.65)
de unde
C=
Deci,
1 1 . = 3 V L
r r exp(i r ) .
(6.66)
1 L
3
(6.67)
Condiiile la limit pentru sunt de fapt condiiile de periodicitate dup direciile x, y , z cu perioada L , adic L = n1 x = n2 y = n3 z , (6.68) sau
x =
2 2 2 2 2 2 = n1 = n3 , y = = n2 , z = , x z L L L y
(6.69)
unde n1 , n2 i n3 sunt numere ntregi independente. innd cont c
r r 2 r = x x + y y + z z = (n1 x + n 2 y + n3 z ) L
rezult c:
(6.70)
2 exp i (n1 x + n2 y + n3 z ) , L L3
352
(6.71)
FIZIC
iar energia:
W=
Starea de conducie
h 2 4 2
2ML
2
(n
2 1
2 2 + n 2 + n3 .
(6.72) determinat de vectorul
electronului
este
r 1 n1 , n 2 , n3 i de numrul cuantic de spin s = , adic este determinat de 2 L L L patru numere cuantice ( n1 , n 2 , n3 , s ) . Energia electronului ntr-o stare depinde de suma
2 2 2 numerelor cuantice: n1 + n 2 + n3 , astfel c exist mai multe stri cu aceeai valoare a energiei, adic strile sunt degenerate. Pentru a gsi numrul de stri cu aceeai valoare a energiei se consider spaiul numerelor n1 , n 2 i n3 . n acest spaiu fiecrui punct i corespund dou stri care difer prin orientarea spinului. O suprafa echipotenial, adic locul geometric al punctelor care corespund aceluiai n0 , unde 2 2 2 2 n0 = n1 + n 2 + n3 ,
(6.73)
este o sfer. Numrul de stri nW , a cror energie este mai mic dect valoarea
2 h 2 n 0 2 (6.74) W= 2M L este egal cu dublul numrului de celule cu volumul n1 n 2 n3 = 1 , adic este egal cu dublul volumului sferei de raz n0 , deci: 4 3 8 2 2 2 (6.75) nW = 2 n0 = (n1 + n 2 + n3 ) 3 / 2 . 3 3 2
mprind (6.75) i (6.72) rezult:
nW
unde V este volumul eantionului din metal. Relaia (6.76) exprim numrul de stri cu energia mai mic sau egal cu W . Numrul de stri cu energia cuprins n intervalul dW n jurul valorii W , se obine difereniind relaia (6.76), adic:
8 2 M = 2 3 h
3/ 2
V L 3/ 2 = 2 3 (2M ) 3 / 2 W 3 / 2 , W 3 h 2
(6.76)
d nW =
innd seama de relaia (6.17) rezult c densitatea de stri din intervalul energetic dW este egal cu:
V V 3 (2M ) 3 / 2 W 1/ 2 d W = 2 3 (2 M ) 3 / 2 W 1/ 2 d W . 2 3 2 6 h 3 h
(6.77)
d nW 4V = 2 3 (2M ) 3 / 2 W 1/ 2 (6.78) d W 8 h Dac n unitatea de volum din metal se gsesc n electroni liberi, atunci eantionul de metal va conine nV elctroni liberi. Conform principiului de excluziune al lui Pauli, la g (W ) =
temparatura de zero absolut, strile se ocup cu cte un electron ncepnd cu strile cu nivelele de energie cele mai coborte. Astfel, toate strile cu energia W mai mic dect o valoare W F (0) , numit nivel Fermi la zero absolut, vor fi ocupate, iar cele cu energia W > W F (0) vor fi libere. Nivelul Fermi la zero absolut reprezint valoarea pentru T = 0 K a parametrului numit potenial chimic, = WF , care apare n expresia funciei
r r r p de distribuie a electronilor pe stri. Suprafaa izoenergetic din spaiul = h

353
corespunztoare valorii energiei WF poart numele de suprafa Fermi. Pentru electronii liberi aceast suprafa este descris de ecuaia:
p 2 h 2 2 = = WF . (6.79) 2M 2M 1 i n spaiul . are forma unei sfere de raz 2 MWF . La temperatura de 0 K aceast h suprafa Fermi separ strile ocupate cu electroni de strile neocupate. Valoarea W F (0)
poate fi calculat punnd condiia ca:
nW = nV =
adic
WF ( 0 )
g (W ) d W ,
0
(6.80)
nV =
de unde
2 3 V 3 (2 M ) 3 / 2 W F / 2 (0) = 2 3 (2 M ) 3 / 2 W F / 2 (0), 3 8 h 3 h
2 3
4V
(6.81)
h2 W F ( 0) = (3 2 n) 2 / 3 . (6.82) 2M Dac se alege pentru n o valoare medie de 5 10 22 cm 3 se obine pentru:

(6.83) n continuare se calculeaz energia medie a electronilor la zero absolut. Energia total medie a electronilor ce ocup strile cu energia dW n jurul valorii W este dat de expresia: W = WdnW = Wg (W )dW . (6.84) mprind aceast energie la numrul total de electroni (de stri), egal cu g (W )dW se obine energia medie a unui electron, adic:
WF ( 0)
WF (0) 8 10 19 J = 5 eV .
= electron
0 WF ( 0) 0
Wg(W )dW
WF ( 0)
2 5/ 2 3 3/ 2 3 = WF0(0) = WF (0) WF (0) = WF (0). (6.85) 5 2 5 1/ 2 g(W )dW W dW

0
3/ 2 W dW
Dac W F (0) = 5 eV rezult c W
electron
= 3 eV . Aceasta este o valoare foarte
mare. Pentru a asigura o astfel de energie unui gaz electronic clasic acesta trebuie nclzit la o temperatur de 25.000 K. n fig. 6. 12 este reprezentat graficul funciei densitate de stri g (W ) . Aria marcat corespunde numrului de stri ocupate de electroni la zero absolut. nclzirea unui metal este realizat prin tranziia electronilor de pe nivele apropiate de nivelul Fermi pe unele aflate deasupra nivelului W F (0) . n felul acesta aria este mrginit n dreapta de curba punctat. Aria rmne aceeai fiind egal cu nV . Regiunea modificat are o lrgime de ordinul lui kT . Rezult c fraciunea din numrul de electroni care particip la procesul de nclzire al metalului este de aproximativ T / TF , unde
TF =
W F (0) k
(6.86)
este o mrime numit temperatur Fermi. Ca rezultat, capacitatea caloric a electronic este egal cu
354
FIZIC
Celectronic = Cclasic
La temperatura camerei (T = 300 K ) ,
T . TF
(6.87)
(6.88) unde TF = 25.000 K . Nivelul Fermi la o temperatur oarecare se poate gsi innd cont de faptul c electronii sunt fermioni (au spinul semintreg) i se supun distribuiei FermiDirac. Atunci, numrul de electroni din starea cu energia Wi este dat de expresia:
C electronic = 0,01C clasic
1 (6.89) Wi exp +1 kT unde este potenialul chimic. Parametrul avnd dimensiunea de energie, este de fapt ni =
nivelul Fermi. Relaia (6.89) poate fi rescris sub forma:
f (W ) = ni =
1 . Wi exp +1 kT
(6.90)
Fig. 6. 12. Graficul funciei densitate de stri, g (W ) .
Se observ c funcia (6.90) are proprietile: f (W ) = 1 pentru W < W F i f (W ) = 0 pentru W > W F . Astfel, la 0 K nivelul Fermi coincide cu nivelul superior W F (0) , ultimul ocupat de electroni. Indiferent de valoarea temperaturii, pentru W = W F ,
1 . n concluzie, nivelul Fermi coincide cu nivelul de energie a cror 2 1 probabilitate de a fi ocupat este egal cu . Valoarea nivelului Fermi WF poate fi gsit 2 f (W F ) =
din condiia ca nurul total de electroni care umplu nivelele trebuie s fie egal cu numrul nV de electroni liberi din cristal. Numrul strilor cuprinse n intervalul energetic d W din jurul valorii W este dat de g (W ) d W , astfel c numrul mediu de electroni din aceste stri egal cu:
0
g (W ) f (W ) d W = nV
(6.91)
sau
355

W 1/ 2 dW 4V = nV . (2 M )3 / 2 2 3 W WF 8 h 0 exp +1 kT
(6.92)
Cu ajutorul relaiei (6.92) este posibil, n principiu, s se gseasc valoarea lui W F n funcie de temperatura T i de numrul de electroni din unitatea de volum, n . Integrala din relaia (6.92) nu poate fi rezolvat n cazul general. Dac W WF >> kT se poate obine o soluie aproximativ. n acest caz, exp
W WF >> 1 i unitatea poate fi kT

(6.93)
neglijat fa de exponenial iar relaia (6.92) devine:
nV
Fcnd schimbarea de variabil:
4V W W (2 M ) 3 / 2 exp F W 1/ 2 exp dW . 8 2 h 3 kT kT 0
x2 =
integrala din (6.93) devine:
0
W kT
(6.94)
1/ 2
W 3/ 2 2 2 3/ 2 exp d W = 2(kT ) x exp x d x = (kT ) kT 0
( )
(6.95)
iar din relaia (6.95) rezult:
n=
de unde
(2M ) 3 / 2 2 2 h 3
W (kT ) 3 / 2 exp F kT
(6.96)
h 2 3 / 2 2n . W F = kT ln 2 MkT
0
(6.97)
Energia medie a electronilor liberi din cristal, n cazul considerat mai sus poate fi calculat cu ajutorul relaiei:
W = Wg (W ) f (W ) d W = 4V 8 2 h
4V 8 2 h
(2M ) 3 / 2 3
W 3/ 2 dW W WF 0 exp +1 kT
(6.98)
= 2kT
(2 M kT ) 3 / 2 3
3 W exp F 8 kT
3 3 = n V kT = N kT 2 2
expresia analoag cu cea pentru un gaz ideal monoatomic. Se spune c n acest caz electronii formeaz un gaz nedegenerat. La temperaturi foarte sczute, se obine pentru nivelul Fermi expresia:
2 kT 2 WF = WF (0 )1 12 WF (0 )
care evideniaz dependena nivelului Fermi de temperatur.
(6.99)
356
FIZIC
6.3.2. Benzile de energie dintr-un cristal Modelul Kronig-Penney. Pe baza celor prezentate mai sus s-a stabilit c n aproximaia electronilor liberi energia elctronilor de valen din cristal variaz cvasicontinuu. Aceasta nseamn c spectrul valorilor permise ale energiei este format dintr-o multitudine de nivele discrete foarte apropiate. n realitate, electronii de valen dintr-un cristal nu au o micare complet liber, cmpul periodic al reelei acionnd asupra lor. Dac, de exemplu, se consider pentru simplitate, un cristal cu celula primitiv un cub simplu, cu latura a , atunci energia potenial U a electronului n cristal este o funcie periodic de coordonatele x, y , z cu perioada a , adic, (6.100) unde n1 , n 2 i n3 sunt numere ntregi oarecare. Un model unidimensional pentru studiul micrii electronului ntr-o reea cristalin este cel elaborat de Kronig i Penney. n fig. 6. 13 este prezentat variaia periodic a energiei poteniale a electronului. n ' punctele A1 , A2 ,..., Ai' , A2 .... sunt situai ioni. n dreapta lor apar gropi de potenial de lime a , iar regiunea din vecintatea unui ion este separat de cea din vecintatea ionului vecin printr-o barier de potenial de nlime U 0 i lime b . Constanta reelei (distana dintre doi ioni succesivi) este egal cu (a + b ) . Se consider c energia electronului are valoarea W cuprins n intervalul (0,U 0 ) .
U ( x, y, z ) = U ( x + n1a, y + n2 a, z + n3a ) ,
Fig. 6. 13. Variaia periodic a energiei poteniale a electronului ntr-o reea unidimensional.
Pe baza celor prezentate mai sus putem scrie c:
unde proprii a operatorului energiei se scrie:
n( a + b) < x n( a + b) + a poate lua toate valorile ntregi ntre i + . Ecuaia cu vectori i valori
U U = 0 0
pentru pentru
n(a + b) + a < x (n + 1)(a + b),
(6.101)
h 2 d 2 = W , pentru n(a + b) < x n(a + b) + a 2 M dx 2
(6.102)
h 2 d 2 + U 0 = W , pentru n(a + b) + a < x (n + 1)(a + b) . (6.103) 2 M dx 2 Soluiile ecuaiilor (6.102) i (6.103) pentru regiunile I (0 < x a ) i II ( b < x 0) sunt de forma: 1 = C1exp( i kx ) + C 2 exp(i kx ) , (6.104)
357
unde
k=
i respectiv unde
2 MW h2
(6.105) (6.106) (6.107) (6.108) .

x =0
2 = C3exp( k1 x ) + C 4 exp(k1 x ), k1 =
2 M (U 0 W )
h2
cu condiiile la limit:
2 (0 ) = 1 (0 )
d 2 dx
=
x =0
d1 dx
(6.109)
Pe de alt parte, pentru a evidenia caracterul periodic al micrii electronului prin reeaua cristalin, vectorul de stare poate fi exprimat sub forma: ( x) = exp(i x )U ( x) . (6.110) innd seama de relaia (6.110) soluiile (6.104) i (6.106) pot fi rescrise sub forma: 1 ( x ) = e i x C1e i(+ k ) x + C 2 e i( k ) x (6.111) i 2 ( x ) = e i x C3e i(i k1 +) x + C 4 e i(i k1 ) x (6.112) unde funciile U 1 ( x ) i U 2 ( x ) au expresiile:
[ [
U 1 ( x ) = C1e i( k +) x + C 2 e i( k ) x
(6.113)
(6.114) Funciile (6.113) i (6.114) trebuie s ndeplineasc condiia de periodicitate, adic: U [x + n(a + b )] = U ( x ) (6.115) care poate fi scris sub forma: U 2 ( b ) = U 1 (a ) (6.116) i
U 2 ( x ) = C3e i(i k1 +) x + C 4 e i(i k1 ) x .
dU 2 dx
=
x =b
dU 1 dx
.
x=a
(6.107)
Condiiile (6.108), (6.109), (6.116) i (6.117) se scriu explicit n felul urmtor:
C1 + C 2 C3 C 4 = 0
i kC1 + i kC 2 + k1C3 k1C 4 = 0 e i( k +) a C1 + e +i( k ) a C 2 e i( i k1 +)b C3 e i( i k1 )b C 4 = 0 i(k + )e i( k +) C1 + i(k )e i( k ) a C 2 + i( i k1 + )e i( i k1 +)b C3 i( i k1 )e i( i k1 )b C 4 = 0.

S-a obinut un sistem de patru ecuaii omogene cu necunoscutele C1 , C 2 , C3 i C4 . Sistemul are soluie nebanal dac determinantul coeficienilor necunescutelor C1 , C 2 , C3 i C4 este nul, adic: (6.118)
358
FIZIC
1 ik
1 ik
ei(k+)a [i(k +)] ei(k)a [i( )] ei(i k1+)b [i(ik1 +)] - ei(i k1)b [i(ik1 +)] k i(k+)a i(k)a e e ei(i k1+)b ei(i k1)b care conduce la condiia:
1 k1
1 k1
= 0 (6.119)
k12 k 2 sin ka shk1b + cos ka chk1b = cos (a + b ) . 2kk1
(6.120)
innd seama de faptul c transparena unei bariere de potenial depinde doar de aria sa, mrimile U 0 i b pot varia, dar trebuie ca produsul U 0 b s rmn constant, ceea ce este echivalent cu condiia k12 b = constant, Astfel, se poate introduce un parametru P care caracterizeaz transparena barierei de potenialul dintre doi ioni vecini ai reelei, sub forma:
k12 ab . (6.121) P = lim 2 k1 2 Din relaia (6.121) se observ c cu ct P este mai mare cu att transparena
barierei este mai mic. nlocuind (6.121) n (6.120) rezult c:
(6.122) fiind transcendent pentru rezolvarea acesteia se consider cteva cazuri particulare. a) P = 0 . n acest caz nu mai exist bariera de potenial ntre ionii vecini (transparena barierei este total) i ecuaia (6.122) devine: cos ka = cos a, (6.123) sau k = , (6.124) de unde:
P sin ka + cos ka = cos a, (6.122) ka 2mW relaia care evideniaz dependena lui de k k 2 = pentru un P dat. Ecuaia h2
W=
S-a regsit expresia energiei unui electron liber n funcie de vectorul de und . Rezult c dac transparena barierei este total, electronul se comport ca i cum ar fi liber i energia sa variaz continuu cu , putnd lua orice valoare finit, nenegativ. b) P . n acest caz transparena barierei este nul i electronul nu poate prsi vecintatea ionului. Este o situaie analoag cu micarea electronului ntr-o groap de potenial cu perei impenetrabili. De data aceasta relaia (6.62) nu mai e satisfcut pentru toate valorile lui . Exist un ir discret de valori ale lui pentru care relaia (6.62) este satisfcut cu toate c P . Acestea sunt acele valori care anuleaz pe sin ka , cu excepia valorii k = 0 pentru care lim
h 2 2 . 2M
(6.125)
sin ka sin ka , ceea ce face = 1 i deci lim k 0 k 0 ka ka

P
ca relaia (6.122) s nu fie safisfcut. Astfel,

359
(6.126) unde n poate lua toate valorile ntregi diferite de zero, de la la + . innd seama de relaia (6.126) expresia energiei devine:
ka = n
Wn =
n 22h 2
2 Ma 2
(6.127)
care este expresia energiei electronului ntr-o groap de potenial cu perei impenetrabili. n acest caz electronul este legat de ion i valorile permise ale energiei corespund unor valori bine determinate ale lui , pentru care cos a = 1 . c) 0 < P < . n acest caz se poate obine o soluie calitativ reprezentnd grafic fiecare menbru al ecuaiei (6.122) n funcie de ka (fig. 6. 14). Pentru aceasta egalm fiecare membru al ecuaiei (6.122) cu Y , adic:
Y =P
i
sin ka + cos ka ka
(6.128)
Y cuprinse ntre dreptele:
Y = cos a . (6.129) Din ecuaia (6.129) observm c 1 Y 1 , adic sunt posibile numai valorile lui
Y = 1 i Y = 1 , adic a = n .
(6.130)
Fig. 6. 14. Reprezentarea grafic a ecuaiei (6.122) n funcie de ka .
Acesta implic existena i pentru abscisa ka a anumitor intervale de valori permise. Acestea sunt segmentele ngroate din fig. 6. 14. De aici rezult c energia electronului nu poate lua orice valori i c valorile permise pentru energia electronului sunt grupate n benzi permise separate prin benzi interzise. Limea zonelor permise crete, iar cea a zonelor interzise scade odat cu creterea energiei. n cadrul fiecrei zone permise energia variaz continuu n funcie de . Este util s se gseasc n locul acestei variaii continue a lui W de , spectrul discret care se ascunde sub aceast variaie. Pentru aceasta inem cont de faptul c, n realitate, cristalul este finit i are o lungime L care poate fi scris sub forma: L = N ( a + b) (6.131) i meninnd condiia introdus, ca b 0 , rezult c: L = Na . (6.132) Astfel, condiia ca dup distana L s se reproduc proprietile cristalului, se scrie:
360
FIZIC
( x + Na ) = ( x ) nlocuind condiia (6.133) n expresia lui sub forma (6.50) rezult exp[i( x + Na )]U ( x + Na ) = exp(ix )U ( x ) , i deoarece U ( x ) este o funcie cu perioada a , se poate scrie c: U ( x + Na ) = U ( x ) .
Din (6.134) i (6.135) rezult c: unde n este un numr ntreg. Astfel,
(6.133) (6.134) (6.135) (6.136) (6.137)
exp(iNa ) = 1 sau Na = 2n
=n
Deci, poate lua valori egale cu multiplii a N valori diferite unde N este numrul atomilor din cristal. Se observ c dac L = Na atunci capt o variaie continu, diferena dintre dou valori tinznd la zero. Nivelele energetice permise ale electronului din atomul izolat n comparaie cu nivelele energetice ale electronului din reeaua cristalin sunt reprezentate schematic n fig. 6. 15 a), b). Din fig. 6. 15 se observ c n timp ce energiile permise ale electronilor dintr-un atom izolat (fig. 6. 15 a) pot fi numai valori discrete, bine determinate, separate ntre ele prin intervale interzise, la formarea reelei cristaline din mai muli atomi, datorit interaciunii dintre electroni ntre ei ct i a interaciunii acestora cu atomii reelei, nivelele energetice ale acestor se lrgesc i capt o structur, formnd o zon de nivele energetice permise (fig. 6. 15 b).
2 . Na
Fig. 6. 15 a), b). a) Nivelele energetice permise ale electronului din atomul izolat i b) cele ale electronului din reeaua cristalin.
Din raionamentul anterior rezult c fiecare atom contribuie cu un nivel n fiecare zon permis. Concluzia este c energiile pe care le poate lua un electron ntr-un cristal sunt grupate n zone permise (numite i benzi permise), separate prin zone interzise (benzi interzise). Fiecare zon permis conine un numr de nivele apropiate ntre ele, egal cu numrul de atomi din volumul de cristal considerat. Prin urmare n locul nivelelor discrete din atomul izolat, ntr-un cristal apar zone (sau benzi) energetice permise. Ele sunt cu att mai largi cu ct energia electronului este mai mare i fiecare conine un numr de nivele egal cu numrul de atomi din volumul cristalului considerat. Fiecrui nivel din atomul izolat i corespunde o band de energie n cristal. n fig. 6. 16 este reprezentat schematic apariia benzilor de energie n procesul de apropiere a atomilor pentru formarea unui cristal. Se observ cum, pe msura micorrii distanei a dintre atomi, deci a reunirii atomilor ntr-un cristal nivelele energtetice ale electronilor se lrgesc, transformndu-se n zone energetice. Pentru distane a foarte mici poate s apar o suprapunere parial a
361
acestor zone. Pe baza celor prezentate mai sus se observ c discontinuitile de energie n spectrul energiei electronilor cvasiliberi din cadrul reelelor unidimensionale r monoatomice, apar ntotdeauna cnd vectorul satisface condiia: = n (6.138) a i pot fi reprezentate ca n fig. 6. 17, unde dreapta reprezentnd valorile lui este divizat n segmente de lungime , valori pentru care apar aceste discontinuiti de energie. a
Fig. 6. 16. Reprezentarea schematic a apariiei benzilor de energie n procesul de apropiere a atomilor pentru formarea unui cristal.
Segmentele astfel formate poart denumirea de zone Brillouin. Discontinuitile de energie, care definesc zonele de energie interzise, se produc la limita zonelor permise Brillouin. Distribuia electronilor pe nivelele unei benzi energetice permise se face pe aceleai considerente energetice ca repartiia energetic a electronilor ntr-un atom izolat.
Fig. 6. 17. Spectrul energetic al electronilor cvasiliberi.
Dac se consider un atom izolat, ce conine Z electroni, datorit principiului de excluziune al lui Pauli i n cazul n care atomul nu este excitat i nici degenerat, aceti electroni se vor gsi pe Z / 2 nivele energetice de energie minim. Excitnd atomul, unii din aceti electroni vor trece din aceste stri energetice fundamentale n altele excitate, de
362
FIZIC
energie mai mare, ceea ce are ca rezultat rmnerea neocupat a unor nivele energetice cu energie mai mic i ocuparea altora cu energie mai mare. Acelai proces apare i n cadrul unei benzi energetice permise. Lrgimea energetic a unei asemenea benzi fiind de ordinul ~ eV i ntruct aceasta conine cam 10 22 10 23 nivele energetice, rezult c diferena energetic dintre dou nivele alturate este de ordinul 10 22 10 23 eV. Aceast diferen fiind att de mic, la orice temperatur, electronii pot trece de pe un nivel inferior pe unul superior, folosind doar energia de agitaie termic. Dar, trecerea unui electron dintr-o band permis n alt band permis se realizeaz doar prin intermediul unui excitator (ridicarea temperaturii, aplicarea unor cmpuri exterioare, bombardarea cu particule ncrcate electric etc.). Nivelul Fermi poate fi plasat ntr-o band interzis sau ntr-o band permis. Prima band plasat, n primul caz, sub nivelul Fermi, este denumit band de valen, iar totalitatea nivelelor energetice posibile aflate deasupra nivelului Fermi reprezint banda de conducie. Dac nivelul Fermi se afl plasat ntr-o band permis, aceasta este mprit n dou, n sensul c nivelele energetice de sub nivelul Fermi sunt ocupate cu electroni, iar cele de deasupra sunt neocupate. n acest caz banda de valen nu este separat de banda de conducie printr-o band interzis ci se ntreptrund n cadrul benzii permise unde se afl nivelul Fermi. n funcie de excitarea acestor benzi corpurile solide se mpart n: a) Corpuri solide la care banda de valen are toate nivelele energetice ocupate cu cte doi electroni i deci nivelul Fermi este plasat n banda interzis de deasupra benzii de valen. Deoarece n cadrul benzii respective nu pot exista deplasri de electroni, corpurile din aceast categorie nu prezint conductibilitate electric, fiind izolatori (fig. 6. 18 a). Pentru ca un electron din banda de valen a unui asemenea izolator s devin electron liber de conducie, acesta trebuie s treac, prin salt cuantic, peste banda interzis, n banda de conducie. Dac lrgimea benzii interzise dintre benzile de valen i cea de conducie, W < 3 eV (energie medie a electronilor liberi) este posibil s treac unii electroni doar datorit energiei lor termice, chiar la temperaturi obinuite, producnd un mic curent electric de conducie. Corpurile solide respective se numesc semiconductori.
Fig. 6. 18 a), b). Structura de benzi a unui: a) izolator i b) conductor.
Dac W > 3 eV electronii trec din banda de valen n cea de conducie doar n urma aciunii unui agent excitator extern, iar corpurile respective sunt izolatori. b) Corpuri solide pentru care nivelul Fermi este plasat n cadrul benzii de valen, caz n care trecerea electronilor de pe nivele ocupate pe cele libere se face doar sub aciunea agitaiei termice, astfel c electronii de valen sunt i electroni de conducie, adic se pot deplasa ordonat sub aciunea unui cmp electric exterior, ntreinnd un curent electric.
363
Corpurile solide din aceast categorie sunt denumite conductori (fig. 6. 18 b). n acest caz se spune c banda de valen se ntreptrunde cu banda de conducie i W = 0 . Micarea electronilor dintr-o reea cristalin aflat ntr-un cmp electric exterior. Masa r r efectiv. ntre vectorul de und al undei asociate electronului i impulsul su p exist relaia p = h . nlocuind aceast relaie n relaia de incertitudine Heisenberg rezult c:
Din relaia (6.139) rezult c pentru un bine determinat poziia electronului ntrun cristal este complet nedeterminat. Dar, pentru a studia dinamica unui electron ntr-un cristal trebuie s-i cunoatem att poziia ct i viteza, ceea ce nu mai e posibil din punct de vedere cuantic. Dac este nenul, localizarea electronului are loc n regiunea
1 . 2
(6.139)
x ~
1 , care este lrgimea pachetului de unde asociat electronului. Maximul 2
amplitudinii pachetului de unde se propag cu viteza de grup:
vg =
d d
(6.140)
care este chiar viteza particulei (electronului) prin cristal. innd cont de relaia: = h , se poate scrie pentru viteza de grup expresia:
(6.141) (6.142)
vg =
r E exterior aplicat cristalului. n acest caz, asupra electronului acioneaz din partea r r cmpului electric exterior o for F = eE . n intervalul de timp dt aceast for
efectueaz lucrul mecanic
n continuare se studiaz comportarea unui electron sub aciunea unui cmp electric
1 d . h d
dL = Fv g dt = d =
de unde
Datorit acestui lucru mecanic energia electronului variaz cu
F d dt . h d
(6.143)
d F d d = dt , d h d d F = . dt h
(6.144)
(6.145)
Acceleraia cu care se mic electronul este dat de relaia:
dv g dt
sau
1 d d F d 2 , = h dt d h 2 d 2
(6.146)
r r h 2 dv g , F= 2 d dt d 2
364
(6.147)
FIZIC
unde expresia
m* =
d 2 d 2
h2
(6.148)
reprezint masa efectiv a electronului din cristal. Masa efectiv descrie micarea unui electron printr-un cristal cnd acesta se afl ntr-un cmp exterior. Dac se atribuie electronului masa efectiv acesta capt o micare liber, astfel c energia electronului are expresia:
h 2 2
2m *
(6.149)
Se observ c relaia (6.148) rezult din (6.149) prin derivare de dou ori n raport cu . n cele ce urmeaz este prezentat dependena masei efective m * de poziia nivelului energetic al electronului n interiorul benzilor de energie permise (fig. 6. 19).
Fig. 6. 19. Dependena nivelelor energetice ale electronului de n interiorul benzilor de energie permise.
n apropierea bazei benzii de nivele energetice (punctele A i A din fig. 6. 19),
d > 0 i masa efectiv este pozitiv, de acelai semn cu masa real. n acest caz d 2 electronul se comport ca i cum nu s-ar gsi n cristal. Dac electronul are o energie B ,
caz n care
d 2 =0, d 2
(6.150)
masa efectiv este infinit, astfel c un cmp exterior nu are nici o aciune asupra
d 2 < 0 i masa efectiv electronului. Dac energia electronului este egal cu C , atunci d 2
va fi negativ. n acest caz un cmp exterior va frna electronul. n cazul tridimensional masa efectiv este un tensor, iar acceleraia nu mai este coliniar cu fora.
365
6.4. Proprietile electrice ale corpului solid

6.4.1. Conductibilitatea electric Teoria clasic. Pe baza existenei electronilor liberi n metale, care din electroni de valen devin electroni de conducie, prima teorie clasic a conduciei electrice a fost elaborat de P. Drude la nceputul secolului XX. Electronii liberi, constituind un gaz, se comport, ca i atomii i moleculele unui gaz, adic executa o micare termic haotic n lipsa unui cmp electric exterior, care s le ordoneze micarea. ntre dou ciocniri succesive acetia parcurg un drum liber mediu c = u , unde u este viteza medie dintre dou ciocniri (viteza termic). Sub aciunea unui cmp electric exterior E , electronii liberi din metal se vor deplasa dup direcia cmpului exterior cu acceleraia:
a=
eE . m
(6.151)
Se poate considera c viteza medie a electronilor n cmpul exterior este dat de relaia:
v=
Dac n este concentraia de electroni, densitatea de curent electronic este egal cu:
a eE c = . 2 2m u
(6.152)
ne 2 E c j = nev = , 2mu
iar intensitatea curentului devine:
(6.153)
ne 2 E c S , I = jS = 2mu
unde E =
(6.154)
U , U fiind tensiunea electric i l lungimea conductorului. Relaia (6.154) l ne 2 c S S I= U = U , 2mu l = ne 2 c . 2mu

(6.155)
poate fi scris sub forma legii Ohm:
unde conductibilitatea electric este dat de expresia:
(6.156)
Conform relaiei (6.156) valoarea conductivitii electrice depinde de concentraia de electroni liberi. Aceast teorie a lui P. Drude a fost completat de H. A. Lorentz care a aplicat gazului de electroni liberi dintr-un metal statistica clasic Maxwell- Boltzmann, adic a calculat viteza medie a electronilor pe baza acestei statistici. Dar, H. A. Lorentz a adus o corecie funciei de distribuie a electronilor liberi pentru a corespunde i cazului prezenei cmpului electric exterior. Relaia obinut a fost identic cu (6.6). Introducnd noiunea de mobilitate a electronilor, definit ca:
v e e c = = E 2m 2mu
(6.157) (6.158)
relaia (6.156) se poate scrie sub forma:
= ne ,
care este folosit cel mai frecvent pentru expresia conductibilitii electrice. Relaiile (6.156) i (6.158) explic corect dependena lui de concentraia de electroni, dar nu explic corect rezultatele experimentale privitoare la dependena de temperatur a conductibilitii electrice. Astfel, din msurtorile experimentale se tie c
366
FIZIC
1 (6.159) = 0 , t 1 + t unde t este rezistivitatea la temperatura t , iar coeficientul de variaie cu temperatura t =

a rezistivitii (conductibilitii) electrice. Dar, dac n relaia (6.156) se nlocuiete viteza
termic prin u =
3kT , rezult pentru expresia: m ne 2 c 1 = , 2 3mk T
(6.160)
care este n total neconcordan cu (6.160). Pe baza celor prezentate mai sus rezult c electronii nu se pot mica complet liber printr-un metal. Teoria cuantic. Nivelele energetice ale electronilor unui metal se gsesc n zona de valen sub nivelul Fermi, deasupra acestuia rmnnd o serie de nivele neocupate. n prezena unui cmp electric, orict de mic, datorit intervalului energetic foarte mic dintre nivelele energetice ocupate de electroni i cele neocupate (separate de nivelul Fermi), unii electroni pot trece de pe nivelele ocupate pe cele neocupate, obinndu-se o micare dirijat a electronilor n cadrul benzii energetice permise, adic un curent electric n metal cu densitatea de curent: r r j = nev , (6.161) unde v este viteza electronilor sub aciunea cmpului electric E exterior. r Dac intensitatea cmpului electric E este constant, acceleraia corespunztoare r va fi i ea constant, iar viteza v va crete liniar cu timpul. Deci, unui cmp electric exterior constant ar trebui s-i corespund un curent electric care s creasc n timp. Dar, msurtorile experimentale arat c unui cmp electric exterior constant i corespunde un curent electric de intensitate constant. Aceasta indic faptul c exist un fenomen de frnare n procesul de micare dirijat al electronilor, care se datoreaz ciocnirilor elastice ale electronilor liberi cu ionii pozitivi, aflai n nodurile reelei cristaline. La o temperatur T 0 nodurile reelei cristaline oscileaz n jurul poziiei de echilibru, acestor oscilaii asociindu-li-se cvasiparticulele numite fononi. Astfel conducia electric n metale poat fi interpretat ca datorndu-se deplasrii electronilor care se ciocnesc cu fononii reelei cristaline. Aceleai fenomene se pot interpreta prin difracia undelor asociate electronilor pe reeaua cristalin. 6.4.2. Supraconducia Descrierea fenomenului. Fenomenul de supraconducie, descoperit de K. Onnes n anul 1911 la un conductor de mercur rcit sub temperatura de 4,15 K i const n anularea rezistenei electrice a substanelor cnd sunt rcite sub temperatura de tranziie Tc , numit temperatur critic. Datorit anulrii rezistenei, aceste substane au fost denumite supraconductori. Teoretic toate substanele pot trece n starea supraconductoare, dar pentru substanele pure temperatura critic este foarte cobort (tabelul 22. 1), ceea ce face dificil aplicarea lor practic. n anul 1987 este realizat compusul format din oxid de cupru, bariu i ytriu (YBaCuO) care devine supraconductor la 93 K. Aceast temperatur are avantajul c pentru aplicaii se poate folosi azotul lichid. n tabelul 6. 1 sunt date valorile temperaturilor critice pentru cteva substane. La toate substanele care au fost aduse n starea supraconductoare trecerea de la starea
367
conductoare la cea supraconductoare se face brusc, ntr-un interval de temperatur de ordinul a cteva sutimi de grad n jurul temperaturii de tranziie. Starea de supraconducie poate fi observat experimental n dou moduri: a) Legnd un supraconductor la un circuit electric i scznd temperatura. n momentul tranziiei n starea supraconductoare diferena de potenial dintre capetele supraconductorului se anuleaz. b) Aeznd o spir supraconductoare ntr-un cmp magnetic cu inducia magnetic perpendicular pe suprafaa spirei. Dup ce spira este rcit sub Tc cmpul magnetic n interiorul spirei se anuleaz. Ca rezultat se induce n spir un curent electric care se menine un timp practic nelimitat. n anul 1959, G. Collins a comunicat c nu a observat nici o atenuare a unui astfel de curent timp de doi ani i jumtate. Se observ c pe lng lipsa rezistenei electrice starea supraconductoare se caracterizeaz i printr-o inducie magnetic nul n supraconductor, dac acesta este aezat ntr-un cmp magnetic exterior. Acest ultim efect a fost pus n eviden n anul 1933 de W. Meissner i R. Ochsenfeld i poart numele de efectul Meissner. Se poate spune c starea supraconductoare are permeabilitatea magnetic nul, adic un supraconductor este un diamagnetic perfect (diamagneticii se caracterizeaz prin < 1 ).
Tabel 6. 1.
Substana Al Ti U Zn Ga Zr Nb Mo Tc Rn Rh Cd In Sn Hf
Tc (K)
1,17 0,40 5,30 0,88 1,1 0,75 9,5 1,0 11,2 0,47 1,70 0,56 3,37 3,7 0,37
Substana Ta Re Os Ir Hg Te Pb La Th
Tc (K)
4,48 1,7 0,71 0,14 4,15 1,37 7,2 5,8 1,4 1,82 7,0 14,7 14,0 17,0 20,05
Nb 3Sn Pb 2 Au
NbN MoTe
V3Si Nb 3 Al 0,8 Ge 0,2
Un cmp magnetic exterior suficient de intens distruge starea supraconductoare. Valoarea induciei magnetice care distruge starea supraconductoare poart numele de cmp critic (de prag) i se noteaz cu Bc . Valoarea lui Bc depinde de temperatura probei. La temperatura critic, Bc = 0 . Cu scderea temperaturii valoarea lui Bc crete tinznd spre valoarea Bc 0 corespunztoare la T = 0 K (fig. 6. 20).
368
FIZIC
Fig. 6. 20. Dependena induciei cmpului magnetic critic de temperatur.
Efectul Meissner evideniaz faptul c starea supraconductoare reprezint mai mult dect anularea rezistenei electrice a conductorului. Supraconducia este un fenomen n care efectele cuantice se manifest la scar macroscopic (un alt astfel de fenomen este suprafluiditatea heliului lichid). Teoria BCS. Perechile Cooper. Teoria supraconduciei a fost formulat n anul 1957 de J. Bardeen, L. Cooper i J. R. Schrieffer. Ea poart numele de teoria BCS. n cele ce urmeaz vor fi prezentate ideile fundamentale ale acestei teorii. Supraconducia poate fi explicat dac se ine seama de faptul c electronii dintr-un conductor sunt supui n afarar de fora de respingere coulombian la o for de atracie spinorial (interacie de schimb), care n starea supraconductoare devine predominant. Ca rezultat, electronii de conducie cu spinii antiparaleli se combin formnd perechile Cooper. Aceste perechi au spinul nul i devin bosoni, adic pot ocupa orici aceeai stare. Astfel, n starea supraconductoare, perechile Cooper se aeaz n starea cu energia minim, din care este dificil s fie transferai ntr-o stare excitat. Atunci, perechile Cooper execut o micare ordonat ntr-un cmp electric exterior, rmnnd n starea fundamental un timp nelimitat i formnd curentul electric supraconductor. Un electron care se deplaseaz printr-o reea cristalin, care are ioni pozitivi n noduri, modific cmpul electric al reelei cristaline (l deformeaz). Ca rezultat al acestei deformri, electronul este nconjurat de un nor de sarcin pozitiv care se mic prin reea mpreun cu electronul. Sistemul electron-nor pozitiv este ncrcat pozitiv i atrage un alt electron. Astfel, reeaua cristalin ionic joac rolul de mediu intermediar, a crui prezen duce la atracia dintre electroni. n limbaj cuantic atracia dintre electroni este explicat prin schimb de fononi ntre acetia. Un electron care se deplaseaz printr-un conductor modific condiiile de oscilaie ale reelei producnd aceti fononi. Energia de excitaie este transmis altui electron care absoarbe un fonon. Prin acest schimb de fononi apare o interacie suplimentar ntre electroni care are natura unei interacii de atracie. La temperatur sczut aceast interacie depete repulsia coulombian n starea supraconductoare. Interacia prin schimb de fononi se manifest mai puternic ntre electronii cu spini de semn opus. Ca rezultat, doi astfel de electroni se combin formnd o pereche Cooper. Electronii dintr-o astfel de pereche se gsesc la o distan relativ mare unul de altul, de ordinul lui 10 4 A , adic de 10 4 ori mai mare ca distana interatomic. Nu toi electronii de conducie se combin n perechi Cooper. La o temperatur T diferi de 0 K exist o probabilitate nenul ca perechea Cooper s fie distrus. n consecin, pe lng perechile Cooper exst i electroni obinuii care se deplaseaz prin conductor dup legile cunoscute. Cu ct T este mai aproape de valoarea Tc cu att mai mare este fraciunea de electroni obinuii, care devine egal cu unitatea pentru T = Tc .
o
369
Formarea perechilor Cooper conduce la rearanjarea electronilor pe nivelele energetice din conductor. Pentru a excita un sistem de electroni aflat n stare supraconductoare, este necesar s se distrug cel puin o pereche Cooper. Pentru aceasta este necesar o energie egal cu energia de legtur W p a perechii. Aceast energie este egal cu energia minim pe care o poate primi o pereche de electroni dintr-un supraconductor. Rezult un salt (gap) cu limea W p n regiunea nivelului Fermi. Valorile energiei aparinnd acestui gap sunt interzise. Existena acestui gap a fost verificat experimental. Rezult c starea excitat a unei perechi Cooper ntr-o stare supraconductoare este separat de starea fundamental printr-o band interzis de ltimea W p . De aceea tranziiile cuantice ale acestor electroni sunt puin probabile. La viteze mici sistemul electronic nu va fi excitat i aceasta explic micarea fr frecare, adic rezistena electric nul. Lrgimea benzii interzise scade cu creterea temperaturii i se anuleaz la temperatura de tranziie Tc . La aceast temperatur toate perechile Cooper se disociaz i substana trece n starea normal, conductoare. Rezult din teoria supraconduciei c fluxul magnetic printr-o spir supraconductoare, prin care circul un curent electric, trebuie s fie un multiplu ntreg al mrimii
0 =
adic
h , q
(6.162)
(6.163) unde 0 este cuanta de flux magnetic. Cuantificarea fluxului magnetic a fost pus n eviden experimental n 1961 de B. Deaver i W. Fairbank i independent de acetia de R. Doll i M. Nbauer. n experienele efectuate de Deaver i Fairbank s-a gsit c fluxul magnetic este un multiplu ntreg de cuante 0 dac q = 2e , ceea ce confirm existena perechilor Cooper. Teoria London. O alt teorie a supraconduciei, mai uor abordabil i coninnd mai puine detalii dect teoria BCS a fost propus n 1939 de ctre F. H. London. Aceast teorie, avnd o baz fenomenologic i utiliznd, n general, principii clasice, ajunge la rezultate i concluzii care decurg n anumite limite direct din teoria BCS. n teoria London se face ipoteza c ntr-un supraconductor se gsesc dou tipuri de electroni: normali i suprafluizi. Se noteaz cu n n i n s concentraiile de electroni normali i respectiv suprafluizi i cu v n i v s vitezele acelorai electroni. Astfel, concentraia de electroni: n = nn + n s . (6.164) Deoarece mecanismul de mprtiere al celor dou tipuri de electroni este diferit, n sensul c electronii suprafluizi sunt mai puin mprtiai dect electronii normali, vor rezulta ecuaii de micare diferite. Electronii normali dintr-un supraconductor fiind mprtiai prin mecanismele uzuale, acetia se comport ca i electronii liberi dintr-un conductor, se supun unor legi identice cu a acestora i au o densitate de curent: r r r j n = E = e n n v n . (6.165) Electronii suprafluizi sub aciunea unui cmp electric exterior E efectueaz o micare cu acceleraia
= n 0 ,
r d vs r as = dt
370
(6.166)
FIZIC
ecuaia de micare a acestora fiind:
r r d vs . eE = m dt
(6.167)
Densitatea curentului determinat de electronii suprafluizi este dat de expresia: r r j s = en s v s , (6.168) a crui derivat n raport cu timpul este egal cu:
r r d js d vs = en s . dt dt
(6.169)
Din ecuaiile (6.167) i (6.169) se obine prima ecuaie London, sub forma:
r d j s ns e 2 r E. = m dt
r r B rot E = t
(6.170)
Aplicnd relaiei (6.170) operatorul rotori innd seama de ecuaia MaxwellFaraday a induciei electromagnetice: (6.171)
se obine succesiv
r dj s rot dt
r r ns e 2 n s e 2 B = rot E = . m m t r n e2 r rot j s = s B . m
(6.172)
Integrnd ecuaia (6.172) n raport cu timpul i alegnd constanta de integrare astfel ca ecuaia s fie compatibil cu efectul Meissner, rezult a doua ecuaie London, adic: (6.173)
Relaia (6.173) conduce la efectul Meissner. Pentru aceasta se neglijeaz curentul electric produs de electronii normali, efectul Meissner aprnd la o temperatur sczut la care electronii normali sunt foarte puini. Pornind de la ecuaia Maxwell-Ampre, scris n lipsa cmpului electric: r r rot B = j s , (6.174) creia i se aplic operatorul rotor i innd cont de teorema lui Gauss pentru cmpul magnetic r divB = 0 (6.175) se obine succesiv
unde
r r ns e 2 r 1 r B = 2 B, B = rot j s = m 2 = m ns e 2
,
(6.176)
(6.177)
reprezentnd adncimea de ptrundere London, iar r r v rot rot B = grad div B B .
(6.178)
Pentru un supraconductor obinuit, 10 7 m. Alegnd direcia Oy normal la suprafaa supraconductorului i inducia magnetic variaz doar dup aceast direcie, astfel c ecuaia (6.176) devine:
371
r d2B dy 2
a crei soluie este:
1 r B, 2
(6.179)
n supraconductor ceea ce explic efectul Meissner.

6.4.3. Efectul Josephson
r r y (6.180) B ( y ) = B (0 )exp . r Din soluia (6.30) se observ c inducia magnetic B ptrunde doar pe o adncime
Acest efect a fost descoperit n anul 1962 de B. Josephson i se bazeaz pe efectul tunel al perechilor Cooper dintr-un supraconductor printr-un strat izolator ntr-un alt supraconductor. Un astfel de dispozitiv formeaz o jonciune Josephson (fig. 6. 21). Stratul dielectric are o grosime foarte mic, de ordinul zecilor de A , pentru a permite perechilor Cooper o traversare, cu o probabilitatate apreciabil a jonciunii. Pentru a calcula densitatea de curent prin jonciune se presupune c acesteia i se aplic o tensiune continu U . n fiecare supraconductor perechile Cooper se afl n aceeeai stare cuantic. Se noteaz cu 1 localizare n regiunea 2 a jonciunii.
2 o
densitatea de probabilitate de localizare a

2
perechii de electroni n regiunea 1 a jonciunii i cu 2
densitatea de probabilitate de
Fig. 6. 21. Jonciunea Josephson.
n cei doi supraconductori ecuaia Schrdinger temporal se scrie:
unde U este tensiunea aplicat jonciunii. Dar, atunci cnd o pereche de electroni trece prin jonciune, variaia energiei sale poteniale devine egal cu qU = 2eU i se poate considera c de o parte a jonciunii perechea de electroni are energia potenial eU , iar de cealalt parte energia potenial eU . Factorul hT aplicat celor dou funcii 1 i 2 , reprezint efectul cuplajului perechilor de electroni sau interacia de transfer prin dielectric. Factorul T are dimensiunea unei frecvene i este o msur a ptrunderii funciei 1 n regiunea 2 i respectiv a funciei 2 n regiunea 1 . Dac dielectricul are o grosime prea mare, T = 0 i efectul tunel dispare. Deoarece 1
372
2
1 = hT2 eU1 t i h 2 = hT1 + eU2 t ih
(6.181) (6.182)
n1 i 1
n2 ,
FIZIC
unde n1 i n 2 sunt concentraiile de perechi Cooper din cei doi supraconductori, se pot alege expresiile: (6.183) 1 = n1 exp(i 1 ) i 2 = n2 exp(i 2 ) . nlocuind expresiile (6.183) n ecuaiile (6.181) i (6.182), rezult
d 1 1 dn1 ie exp(i 1 ) + i1 1 = iT2 + U1 = dt t h 2 n1 dt
(6.184) (6.185)
d 2 1 dn2 ie exp(i 2 ) + i2 2 = iT1 U2 = dt t h 2 n 2 dt

care se pot rescrie sub forma:
i respectiv
d 1 d n1 i eU + i n1 1 = n1 iT n1n2 exp[i( 2 1 )] 2 dt dt h d 1 d n2 i eU + i n2 2 = n2 i T n1n2 exp[i( 2 1 )] . 2 dt dt h
(6.186)
(6.187)
Egalnd prile reale i imaginare ale relaiilor (6.186) i (6.187) rezult ecuaiile:
1 d n1 2 dt 1 d n2 2 dt d 1 = dt
= 2T n1n 2 sin ( 2 1 )
= 2T n1n 2 sin ( 2 1 ) n eU T 2 cos ( 2 1 ) h n1
(6.188) (6.189) (6.190) (6.191)
d 2 n eU = T 2 cos ( 2 1 ) . h dt n1
Din ecuaiile (6.188) i (6.189), rezult:
d n1 dn = 2 . dt dt
(6.192)
Densitatea de curent electronic de la regiunea 1 la regiunea 2 este proporional cu
d n2 d n1 sau cu . Din ecuaiile (6.190) i (6.191) considernd c n1 n 2 (dac dt dt

supraconductorii sunt identici), rezult c:
care, dup integrare conduce la:
d( 2 1 ) 2eU , = dt h
2eU t, h
(6.193)
= 2 1 = 0
(6.194)
unde 0 este faza relativ a vectorilor de stare la momentul t = 0 . tiind c densitatea de curent depinde de variaia n timp a concentraiei de perechi Cooper, din relaiile (6.188) i (6.194) se poate scrie c aceast densitate este de forma :
2eU J = J 0 sin 0 t, h
care oscileaz cu pulsaia
373
(6.195)
unde h = 2eU este cuanta de energie a perechii Cooper. Etalonul pentru volt. B. Josephson a prezis n anul 1962 c acest fluid curios de perechi Cooper poate traversa barierele de dielectrici i c intensitatea curentului supraconductor depinde doar de defazajul dintre vectorii de stare scrii pentru electronii din cele dou domenii supraconductoare, de o parte i de alta a barierei. Dac se aplic o tensiune U constant la bornele unei jonciuni Josephson se observ trecerea unui curent electric
2eU , h
(6.196)
2e U . Pentru a transforma acest oscilator cuantic ntr-un etalon de h tensiune l iradiem cu o radiaie electromagnetic de frecven , ceea ce face ca pe curba
sinusoidal cu pulsaia
de dependen a curentului de tensiune s apar o serie de paliere echidistante, pe care tensiunea rmne constant cu o incertitudine de 10 13 V. n anul 1986 J. Niemeyer de la Physikalisch Technische Bundesansalt din Braunschweig (RFG) a realizat voltul Josephson cu ajutorul a 1440 jonciuni Josephson identice, fiecare fiind de forma unui sandwich minuscul format din dou straturi subiri de aliaj de plumb separate printr-o pelicul izolant subire (12 nm) de oxid de plumb. Jonciunile sunt aezate n serie, n 12 ramuri de cte 120 jonciuni fiecare. ntreg sistemul se afl la temperatura heliului lichid de 4,2 K. Dispozitivul constituie un etalon de tensiune electric, avnd o precizie foarte nalt. Acesta rmne stabil pn la 5 ore cu o precizie de 10 9 V. Jonciunea Pb/PbO/Pb se autodistruge la temperatura camerei, fiind dificil conservarea ei. Jonciunea niobiu/alumin/niobiu, mai dificil de obinut, se menine i la temperatura camerei.
6.5. Proprieile magnetice ale corpului solid

6.5.1. Diamagnetismul i paramagnetismul Proprietile magnetice pot fi explicate numai cu ajutorul mecanicii cuantice, deoarece un sistem clasic n echilibru termic nu poate s posede un moment magnetic chiar n cmp magnetic (la limita clasic h 0 ). Momentul magnetic al unui atom poate fi determinat n principiu de: spinul electronilor, momentul cinetic orbital al micrii n jurul nucleului i modificarea momentului cinetic orbital, indus de un cmp magnetic aplicat. Primele dou efecte dau contribuiile paramagnetice la magnetizare iar al treilea d contribuia diamagnetic. Starea fundamental 1s a unui atom nu are moment magnetic orbital, acesta fiind determinat n principal de spinul electronului mpreun cu un moment diamagnetic indus slab (exemplu: hidrogenul). Atomii care au pturi electronice complete au momentele de spin i orbitale nule; momentele magnetice sunt asociate cu pturile incomplete. Magnetizarea (intensitatea de magnetizare) M este definit ca momentul magnetic pe unitatea de volum iar susceptibilitatea magnetic pe unitatea de volum, m este dat de relaia : m =
M unde B este inducia cmpului magnetic macroscopic. B
Substanele cu o susceptibilitate magnetica negativ, foarte mic i practic independent de temperatur se numesc diamagnetice. Introduse n cmp magnetic, substanele diamagnetice sunt mpinse spre zonele de cmp mai slab deoarece au permeabilitatea magnetic relativ mai mic dect unu. Exemple de materiale diamagnetice: - unele metale (Bi, Ag, Au, Ag, Pb etc.) i hidrogenul; - toi metaloizii (cu excepia oxigenului) etc.;
374
FIZIC
mare parte a compuilor (moleculele de H, C, N, S, P, CCl, CBr, C14 H 10 , C10 H 8 , C 6 H 6 , CN, CO 3 , NO 3 , SO 4 , H 2 O,... ). Substanele care au susceptibilitatea magnetic pozitiv i invers proporional cu temperatura la temperaturi ridicate (legea Curie) se numesc paramagnetice. Introduse n cmp magnetic sunt atrase n regiunile cu cmp magnetic mai intens, deoarece au permeabilitatea magnetic relativ mai mare ca unu. Din categoria materialelor paramagnetice fac parte: - unele metale (Al, Cr, Mn, K, Na, Sn, etc.) ; - gazele biatomice O 2 i NO ; - ionii trivaleni ai pmnturilor rare; - srurile din grupul Fe . Orice substan paramagnetic se manifest n general i diamagnetic, acest efect fiind mult mai mic dect primul. Att substanele diamagnetice ct i cele paramagnetice r r fac parte din categoria materialelor magnetice liniare: M = m H , H fiind intensitatea cmpului magnetic. Momentele magnetice nucleare dau natere paramagnetismului nuclear. Momentele magnetice ale nucleelor sunt ca ordin de mrime de 10 3 ori mai mici dect momentul magnetic al electronului. Fosforul, arsenicul i stibiul se comport ca donori cnd sunt prezeni n siliciu. Fiecare atom donor posed cinci electroni din care patru intr diamagnetic n reeaua legturilor covalente ale cristalului iar al cincilea electron se comport ca un centru paramagnetic de spin s =
cea
mai
1 . Interacia magnetic ce exist ntre 2
momentul magnetic al unui electron i momentul magnetic al unui nucleu se numete interacie hiperfin. Energia de interacie hiperfin (n cazul solidelor) este dat de relaia: r r r r r W = I B = a I S unde I este spinul nuclear n uniti h iar a este constanta hiperfin. ntr-un cmp magnetic puternic schema nivelelor de energie ale unui atom sau ion liberi, este dominat de despicarea de energie Zeeman a nivelelor electronice. Interacia hiperfin d o despicare adiional (despicarea hiperfin) care n cmpuri puternice are valoarea: U ' a m S m I unde m S i m I sunt numerele cuantice magnetice, (regulile de selecie fiind m S = 1, m I = 0 ). n cazul donorilor de P i As (care posed un singur izotop natural), numrul componentelor structurii hiperfine este 2 I + 1 = 2 pentru P i 4 pentru As . n cazul Sb (care are doi izotopi naturali 121 Sb cu I = 5 / 2 (56 de procente) i 129 Sb cu I = 7 / 2 (44 de procente), numrul total de linii observate experimental este 6+8=14, aa cum prevede i teoria. 28 Si (92 de procente) cu spin nuclear egal cu zero nu produce despicare hiperfin n timp ce 29 Si cu I = 1 / 2 d o anumit contribuie suplimentar la despicarea hiperfin care poate fi studiat cu ajutorul tehnicii de rezonan dubl electronic i nuclear care dau informaii asupra funciilor de und ale electronilor de conducie i a poziiei n zona Brillouin a marginii benzii de conducie n siliciu. 6.5.2. Feromagnetismul i antiferomagnetismul Materialele feromagnetice se caracterizeaz printr-o magnetizaie ridicat, care depinde de cmpul magnetic dup o curb (ciclu) de histerezis (fig. 6. 22). Variind intensitatea cmpului magnetic ntre dou limite simetrice H m i + H m , punctul
375
reprezentativ al strii de magnetizare evolueaz iniial de-a lungul curbei de prim magnetizare 0 H m pn cnd magnetizarea atinge valoarea M s (magnetizare de saturaie) i aceasta nu mai crete indiferent de valoarea lui H .
Fig. 6. 22. Curba de histerezis.
La scderea lui H , revenirea se face pe curba H m M r astfel nct la H = 0 materialul rmne magnetizat (magnetizaia remanent M r ). Pentru a anula magnetizaia, trebuie aplicat un cmp magnetic H c (cmp magnetic coercitiv) .a.m.d. n cazul substanelor feromagnetice care fac parte din categoria materialelor neliniare (din cauza r r relaiei neliniare dintre M i H ), susceptibilitatea magnetic m trebuie s fie interpretat cu panta unei tangente la curba M = f H , ntr-un punct corespunztor unei valori particulare a lui
( )
r
H:
m =
M . Pentru explicarea fenomenologic a H
feromagnetismului se consider n materialul feromagnetic preexistena unor regiuni magnetizate spontan, aa-numitele domenii Weiss, care au dimensiuni liniare de ordinul 10 2 10 3 cm i sunt orientate sub efectul cmpului magnetic. Susceptibilitatea materialelor feromagnetice este dat de relaia:
C , pentru T > Tc (6.197) T Tc unde C este o constanta de proporionalitate iar Tc este temperatura Curie (temperatura la m =
care dispare magnetizaia spontan). Principalele materiale feromagnetice sunt: fierul, cobaltul, gadolinul . a. Exist unele substane paramagnetice, de exemplu CO3Fe, care au susceptibiliti magnetice care trec printr-un maxim cnd temperatura scade (fig. 6. 23). Sub temperatura T corespunztoare maximului substana devine antiferomagnetic.
376
FIZIC
Fig. 6. 23. Dependena susceptibilitii magnetice de temperatur n cazul unui antiferomagnet.
Peste aceast temperatur susceptibilitatea magnetic a materialului variaz dup legea:
m =
C T + TN
(6.198)
unde TN este temperatura Nel, n general pozitiv. Sub temperatura T (analogul temperaturii Curie pentru feromagnetici) apar noi fore care tind s realizeze progresiv antiparalelismul momentelor magnetice ale ionilor (antiferomagnetism). La aceast temperatur se produce o tranziie de faz de ordinul doi, de tipul ordine-dezordine care este nsoit de o anomalie a cldurilor specifice i o discontinuitate a coeficienilor de dilatare i compresibilitate. Cele mai cunoscute substane antiferomagnetice sunt: CO3Fe, MnO2, FeFe2, OFe2, OCo, ONi. 6.5.3. Ferimagnetismul Din categoria materialelor magnetice neliniare fac parte i feritele. Acestea au un ciclu histerezis apropiat de forma dreptunghiular i o rezisten electric foarte mare, care le micoreaz mult pierderile prin cureni turbionari, chiar la frecvene relativ ridicate. n cazul feritelor unii ioni ocup poziii tetraedrice, iar alii ocup poziii octaedrice. ntre ionii din poziiile tetraedrice i octaedrice se exercit fore de schimb intense de tip negativ n timp ce ntre ionii care ocup poziii de acelai tip, se manifest fore de schimb mult mai slabe. Feritele cele mai importante sunt materialele sinterizate din oxizi de fier i de mangan sau alte metale, formula brut a compuilor cristalizai fiind MFe2O4, unde M este un metal bivalent (Mn, Fe, Co, Ni, Zn, Cd, Mg).
6.6. Semiconductori
6.6.1. Noiuni generale intervalul 10 10 10 3 (m ) , fiind plasai ntre conductori i izolatori. Conductivitatea electric a semiconductorilor crete cu temperatura n timp ce n cazul conductorilor aceasta scade cu creterea temperaturii. n plus, conductivitatea electric a semiconductorilor este puternic influenat de defectele existente n structura cristalin, n timp ce la conductori prezena acestor defecte de structur nu are nici o influen. Conform teoriei benzilor de energie, banda de valen are toate nivelele ocupate cu cte doi electroni, cu spinii antiparaleli, la temperatura 0 K, iar nivelul Fermi se afl n banda interzis de deasupra benzii de valen. La temperatura camerei semiconductorii se afl n
1
Semiconductorii sunt materiale a cror conductivitate electric este cuprins n
377
stare solid, fiind din punct de vedere chimic elemente ca: germaniu, siliciul, telurul, seleniul sau compui ca: oxizi, sulfuri, selenuri etc. ale diferitelor metale. n funcie de existena impuritilor (ali atomi n nodurile reelei) semiconductorii se mpart n semiconductori intrinseci (fr impuriti) i semiconductori extrinseci (cu impuriti). 6.6.2. Semiconductori intrinseci Conducia electric a acestor semiconductori se datorete procesului de trecere, prin salt cuantic, al electronilor din banda de valen n banda de conducie (fig. 6. 24). Pentru a explica procesul de conducie al acestui tip de semiconductori se alege ca exemplu cristalul pur de germaniu. Atomul de germaniu fiind tetravalent, adic avnd patru electroni de valen, pentru a-i asigura configuraia stabil de opt electroni pe ultimul strat electronic, folosete n comun cu ali patru atomi vecini cei patru electroni de valen. Acest tip de legtur se numete legtur covalent. Datorit simetriei, electronii supui legturilor covalente se gsesc sub aciunea unor fore stabile i astfel noiunea de electroni liberi nu mai are sens. Odat cu creterea temperaturii, datorit agitaiei termice, unele legturi slbesc, putndu-se rupe, ceea ce are ca rezultat eliberarea unora dintre electroni, care devin liberi, deplasndu-se haotic prin reeaua cristalin. Aceti electroni se pot mica dirijat sub aciunea unui cmp electric exterior, deci sunt electroni de conducie. Atomul de germaniu rmas fr un astfel de electron, prezint o sarcin pozitiv necompensat numit gol. Apare tendina ca ionii de germaniu cu un astfel de gol s ncerce s-i completeze configuraia cu electroni luai de la ali atomi de germaniu. n acest mod lipsa de electron, adic golul, se deplaseaz prin cristal. Sub aciunea cmpului electric exterior, trecerea electronilor de la un atom la altul este nsoit de o deplasare n sens opus a golurilor. Astfel, ntr-un semiconductor intrinsec apar dou feluri de purttori de sarcin: electronii i golurile. Golul, considerat ca o particul cu mas efectiv i sarcina + e , nu este totui, o particul elementar, n sensul strict al cuvntului. Astfel, n vid, electronul este o realitate evident, iar noiunea de gol nu are nici un sens. Deci, golul are o realitate fizic numai n cazul corpurilor solide, reprezentnd de fapt un anumit mod de comportare al electronilor de valen ai corpului solid considerat. Din punct de vedere energetic, procesul are loc conform fig. 6. 24.
Fig. 6. 24. Reprezentarea schematic a producerii unui gol (
).
Pentru ca un electron, legat de atomul de germaniu, s devin liber, adic electron de conducie, trebuie s fac saltul din banda de valen n banda de conducie, adic trebuie s-i mreasc energia cu W care poart numele de energie de activare. n urma acestui salt energetic, efectuat n mod obinuit de ctre electronii ce se afl pe nivelele
378
FIZIC
energetice superioare ale benzii de valen, rmn goluri pozitive care tind s fie ocupate de electronii de pe nivelele inferioare. Aceasta duce la deplasarea golurilor, din cadrul benzii de valen, de la nivelele superioare spre cele inferioare. Sub aciunea cmpului electric exterior, cele dou tipuri de purttori de sarcin vor avea mobiliti diferite deoarece au mase efective diferite. Dac se noteaz cu n concentraia de electroni liberi, cu n mobilitatea acestora, cu p concentraia de goluri i cu p mobilitatea acestora, rezult pentru conductibilitatea electric a semiconductorlor expresia: = ne n + pe p , care n cazul semiconductorilor intrinseci, fr impuriti, cnd n = p , devine: = ne n + p . n cazul unui semiconductor intrinsec, n lipsa unui excitator extern,
numrul electronilor liberi de conducie, respectiv numrul golurilor, depinde numai de temperatur i valoarea energiei de activare W . Pentru electronii care trec din banda de valen n banda de conducie se consider drept energie de referin valoarea minim a benzii de conducie Wc . innd seama de faptul c n fiecare stare energetic se pot gsi doi electroni i considernd c energia benzii de conducie poate varia de la valoarea minim Wc la infinit, rezult c pentru concentraia electronilor care se pot gsi n banda de conducie exist relaia:
1 2m n n= 2 h2 Wc 2 3/ 2
(W Wc )1 / 2
W WF 1 + exp kT
dW ,
(6.199)
unde m n este masa efectiv a electronilor. Analog, pentru concentraia de goluri, innd seama c nivelul maxim ocupat de acestea este marginea superioar a benzii de valen Wv (se alege valoarea zero la baza benzii de valen), se poate scrie c:
1 2m p p= 2 2 2 h Wv
3/ 2
dW W + WF exp +1 kT
(Wv W )1 / 2
(6.200)
unde m este masa efectiv a golurilor. n cele prezentate mai sus s-a inut cont de faptul p c un gol nseamn lips de electroni, deci probabilitatea de apariie a golului este
W WF exp 1 1 kT = = 1 W WF W WF W WF exp + 1 exp + 1 exp +1 kT kT kT
(6.201)
Semiconductori nedegenerai. Dac banda interzis dintre banda de valen i banda de conducie este suficient de larg pentru ca nivelul Fermi s se gseasc la distane energetice mai mari ca 2kT de cele dou benzi, se poate considera c: W WF >> kT , electronii supunndu-se statisticii clasice Maxwell-Boltzmann. n acest caz se poate scrie:
379
1 2m n 2 2n 2 h
1 2mn kT = 2 2 h 2
3/ 2
Wc
(W Wc )
1/ 2
W WF exp dW kT
3/ 2
W WF W WF exp c = N c exp c , (6.202) 2 kT kT
2mn kT unde N c = 2 h2
3/ 2
reprezint densitatea strilor din banda de conducie.
Pentru determinarea numrului de goluri din unitatea de volum din banda de valen se utilizeaz aceeai aproximaie ca n cazul electronilor, adic:
1 2m p p 2 2 h 2
3/ 2
Wv
(Wv W )
1/ 2
W WF exp kT
dW
(6.203)
2m kT = 2 p 2 h
2m kT p unde N v = 2 h2
3
3/ 2
W Wv W Wv exp F = N v exp F kT kT
3/ 2
este densitatea de stri energetice din banda de valen.
Fcnd produsul relaiilor (6.202) i (6.203) rezult expresia:
unde W = Wc Wv este lrgimea benzii interzise. Se observ c produsul concentraiilor de electroni i goluri nu depinde de energia corespunztoare nivelului Fermi ci doar de temperatur i de parametri care caracterizeaz materialul ( mn , m , Wv , Wc ). p Relaia (6.204) este cunoscut sub numele de legea aciunii maselor, aceasta evideniind faptul c dac ntr-un semiconductor dintr-un motiv oarecare crete concentraia unuia din purttorii de sarcin, concentraia celuilalt trebuie s scad, dac temperatura rmne constant. n cazul semiconductorilor extrinseci relaia (6.204) are o importan deosebit deoarece permite reducerea, uneori chiar total, a purttorilor de sarcin dintr-un cristal impur, prin introducerea constant a unor impuriti potrivite. n cazul semiconductoarelor intrinseci concentraia electronilor din banda de conducie este egal cu cea a golurilor din banda de valen, adic este ndeplinit condiia: ni = n = p . n acest caz rezult pentru concentraia de purttori de sarcin expresia:
2kT 3/ 2 W Wv 2kT 3/ 2 W np = 4 2 (mnm ) exp c = 4 , (6.204) (mnmp ) exp p kT h2 kT h
Relaia (6.205) arat c la T = 0 K nu exist purttori liberi de sarcin ntr-un semiconductor intrinsec, iar la o alt temperatur concentraia de purttori depinde i de lrgimea benzii interzise. Astfel, la T = 300 K , WSi = 1,14 eV i niSi = 1,5 1016 m 3 , iar WGe = 0,67 eV i niGe = 2,4 1019 m 3 .
2kT ni = 2 2 h
3/ 2
(m m )
n
3/ 4 p
W W 3/ 2 exp = AT exp . 2kT 2kT
(6.205)
380
FIZIC
Semiconductori degenerai. Dac nu este respectat condiia de nedegenerare, ceea ce se ntmpl n majoritatea cazurilor se poate scrie c:
2 unde F1 / 2 ( ) = sunt integrale de tip Fermi, care sunt tabelate, iar 0 1 + e x W Wc W Wc x= i = F . kT kT

Concentraia de goluri poate fi exprimat sub forma:
2m kT n = 2 n2 F1/ 2 ( ) = N c F1/ 2 ( ) . h 1/ 2 x dx
(6.206)
2m kT p F ( ) = N F () . p = 2 v 1/ 2 h 2 1/ 2 Wv W Wv WF 2 y 1 / 2 dy unde F1/ 2 () = 1 + e y , y = kT i = kT . 0
(6.207)
Dac pentru o anumit temperatur, numit temperatur critic, Tc , nivelul Fermi WF coincide cu una din marginile celor dou benzi permise, adic WF = Wc , deci = 0 , sau WF = Wv , deci = 0 , n cele dou cazuri concentraiile celor dou tipuri de purttori
8 2mn kTc de sarcin au valorile: n 3 h2 3/ 2
8 2m p kTc , p 3 h2
3/ 2
6.6.3. Semiconductori extrinseci Semiconductorii care conin impuriti poart denumirea de semiconductori extrinseci. Introducerea impuritilor d natere unor defecte de structur i, ntruct n cazul semiconductorilor extrinseci atomul de impuritate se fixeaz ntr-un nod al reelei, substituind unul din atomii reelei, defectele respective se numesc substituie. ntre atomul de impuritate introdus n mod artificial i atomii cristalului de baz, adic ntre electronii lor de valen, se stabilesc legturi covalente n sensul obinerii unor condiii de stabilitate optim. Comportarea n ansamblu a unui asemenea semiconductor cu impuriti depinde de natura atomului de impuritate introdus, adic de numrul electronilor de valen pe care i are acest atom de impuritate n raport cu cel al atomului cristalului de baz. Din acest punct de vedere apar dou situaii distincte legate de natura atomilor de impuritate: a) atomii de impuritate au un numr de electroni de valen mai mare ca atomul de baz, b) atomii de impuritate au un numr de electroni de valen mai mic ca atomul de baz. n cazul a) rmne un electron al atomului de impuritate nefolosit n legturile cu ceilali atomi vecini ai reelei. Acesta devine liber, asigurnd conducia electric prin cristal. Atomul de impuritate care elibereaz un electron se numete atom donor. Pentru a nelege comportarea acestui electron liber se consider c acest electron se deplaseaz pe o orbit circular n jurul nucleului atomului de impuritate, ca n modelul lui Bohr, n mediul dielectric al cristalului. Conform modelului lui Bohr, raza orbitei este dat de relaia ( n = 1 ): r1 =
0 r h 2
* e 2 mn
energia
de
ionizare:
Wionizare =
* mn e 4 2 8h 2 0 2 r
* Considernd exemplul germaniului, pentru care r = 15,8 i mn = 0,12 m , rezult pentru
381
atomul impuritate de stibiu valorile: r1 = 70 10 10 m i Wionizare = 6,5 10 3 eV , iar

* pentru siliciu, n care mn = 0,25 m i r = 11,7 rezult pentru acelai atom-impuritate:
r1 = 25 10 10 m i Wionizare = 2,5 10 3 eV . Comparnd aceste valori cu cele ale

electronului din atomul de hidrogen ( r1 = 0,53 10 10 m i Wionizare = 13,6 eV ) se observ c electronul atomului de impuritate se deplaseaz pe o orbit foarte mare care depete cu mult i constanta reelei ( aGe = 5,65 10 10 m i aSi = 5,43 10 10 m ) i c energia de ionizare este foarte mic. Rezult c acest electron devine foarte uor liber. Apariia acestui electron liber de la fiecare atom de impuritate este echivalent cu apariia unui nou nivel energetic permis n banda interzis, numit nivel donor (fig. 6. 25).
Fig. 6. 25. Reprezentarea schematic a nivelelor energetice n cazul unui semiconductor care conine impuriti donoare de electroni.
Acest nivel este plasat aproape de banda de conducie, deoarece energia de activare a atomului de impuritate este mult mai mic dect cea a cristalului de baz. Din acest motiv electronii de valen ai atomului de impuritate trec cu uurin n banda de conducie a cristalului de baz, devenind electroni de conducie. Conducia electric la acest tip de semiconductori, cu impuriti donoare de electroni poate fi considerat doar de natur electronic i este denumit conducie de tip n. n cazul b) atomului de impuritate i lipsete un electron pentru a-i stabili o legtur stabil cu atomii vecini din cristal. Acesta primete electronul care i lipsete de la un atom al cristalului, deci este un acceptor de electroni. Apare un gol, adic o lips de electron, care este echivalent cu o sarcin pozitiv. n urma unor raionamente ca n cazul electronului (folosind modelul Bohr) rezult n cazul germaniului, care formeaz cristalul gazd i are m * = 2,5 m , o energie de ionizare pentru indiu egal cu 0,015 eV, iar n cazul p siliciului, care are m * = 2 m , o energie de ionizare a ionului acceptor de indiu egal cu p 0,05 eV. i de data aceasta valorile numerice gsite permit considerarea golului ca fiind liber prin cristal. Energetic, apare un nivel permis n banda interzis, numit nivel acceptor, care este plasat n apropierea banzii de valen (fig. 6. 26). Prin trecerea unui electron din banda de valen pe nivelul acceptor, n banda de valen apare un gol care, fiind compensat electric de electroni de pe nivelele inferioare ale benzii de valen, face ca acesta s se deplaseze n cadrul reelei, constituind un purttor de sarcin pozitiv liber, ce poate ntreine un curent electric sub aciunea unui cmp electric exterior. Semiconductorii cu impuriti acceptoare, prezentnd o conductibilitate electric prin goluri, poart denumirea de semiconductori de tip p.
382
FIZIC
Fig. 6. 26. Reprezentarea schematic a nivelelor energetice n cazul unui semiconductor care conine impuriti acceptoare de electroni.
Ecuaia de neutralitate electric. Expresiile care permit calcularea concentraiilor n i p ale electronilor i golurilor presupun cunoaterea poziiei nivelului Fermi. Dar, nivelul Fermi nsi depinde de temperatur i de concentraia de purttori. Poziia lui se poate modifica substanial cnd sunt introduse impuriti responsabile pentru strile localizate (nivelele din banda interzis). Acest lucru este normal deoarece nivelul Fermi determin distribuia electronilor pe stri i prin introducerea impuritilor se creaz stri localizate n banda interzis, care pot fi ocupate att cu electroni ct i cu goluri. Prin crearea nivelelor discrete n banda interzis are loc o redistribuire a electronilor n stri ceea ce este reprezentat prin variaia poziiei nivelului Fermi. Ecuaia din care se deduce energia corespunztoare nivelului Fermi W F poart numele de ecuaia de neutralitate electric. Se noteaz cu N d i N a concentraiile de impuriti donoare i respectiv acceptoare. Ca rezultat al ionizrii termice se creaz n semiconductor un numr de electroni i goluri. Purttorii de sarcin liberi se creaz ca rezultat al ionizrii att a atomilor de impuritate ct i a atomilor cristalului. Sarcina total a tuturor particulelor ncrcate electric trebuie s fie zero, deoarece cristalul nu este ncrcat electric. Condiia de neutralitate electric se aplic att ntregului cristal ct i unitii de volum de cristal. Sarcina negativ este creat de electronii liberi i ionii acceptori i este egal cu n + N a e , iar sarcina pozitiv este creat de golurile libere i ionii donori, fiind egal cu i
( p + N )e . Condiia de neutralitate este: ( p + N )e ( p + N )e = 0 sau p + N (n + N )= 0 . Notnd numrul de electroni i goluri care ocup nivelele donoare
+ d + d a + d a
respectiv
+ Nd
acceptoare
prin
+ Nd
nd , p d , na
pa
se
poate
Na
scrie
c:
nd = N d
= N d p d sau
= N d n d = p d i p a = N a
= N a na
sau N a = N a p a = n a . Pe baza celor prezentate mai sus condiia de neutralitate se poate scrie sub forma: n + n a ( p + p d ) = 0 sau n + n d ( p + p a ) = N d N a .
383
Probleme
P.6.1. S se gseasc lungimea de und pentru care se obin maxime de interferen cu o reea cubic simpl pentru o direcie dat a fasciculului incident de raze X. Rezolvare. n cazul reelei cubice simple maximele de interferen se obin din relaiile (ecuaiile Laue): d (cos cos 0 ) = k1 , (P.6.1.1) d (cos cos 0 ) = k 2 , (P.6.1.2) d (cos cos 0 ) = k 3 , (P.6.1.3) unde d este constanta reelei, reprezint lungimea de und, k1 , k 2 , k 3 sunt numere ntregi care determin maximele de interferen, iar 0 , 0 , 0 i , , sunt unghiurile fcute de raza incident respectiv reflectat cu axele x, y, z . ntre unghiurile , , exist relaia: (P.6.1.4) Rezolvnd sistemul de ecuaii (P.6.1.1)-(P.6.1.3) cu condiia (P.6.1.4) se obine lungimea de und pentru care se obin maxime de interferen sub forma:
cos 2 + cos 2 + cos 2 = 1 .
= 2d
k1 cos 0 + k 2 cos 0 + k 3 cos 0

2 2 k12 + k 2 + k 3
(P.6.1.5)
P.6.2. Considernd un oscilator amortizat de mas m i sarcin q s se calculeze contribuia a N astfel de oscilatori pe unitatea de volum la constanta dielectric fr a ine seama de interaciunea dintre oscilatori. Rezolvare. Pentru oscilatorul descris mai sus ecuaia de micare este de forma:
d 2 x 1 dx 2 (P.6.2.1) m 2 + + 0 x = q E 0 e - i t dt dt unde 0 este pulsaia la rezonan, E0 este intensitatea cmpului electric cu pulsaia , iar este timpul de relaxare. Admindu-se soluii de forma: x = x 0 e -it (P.6.2.2)
din ecuaia (P.6.2.1) se obine:
i Momentul dipolar avnd amplitudinea p 0 = x 0 q mai poate fi scris sub forma p 0 = E 0 de unde rezult pentru polarizabilitatea expresia:
2 0 2
x0 =
qE 0 m
(P.6.2.3)
=
2 0
q2 m i
2
(P.6.2.4)
Polarizarea definit ca momentul dipolar al unitii de volum are expresia n =
N : V
384
FIZIC
P = nq x 0 =
Permitivitatea electric relativ r a unui mediu izotrop se poate calcula cu relaia:
nq 2 E 0 m . i 2 2 0
(P.6.2.5)
r =
0 E + P 1 P = 1+ 0 E 0 E
n q 2 m 0 . i 2 2 0
(P.6.2.6)
astfel c din ecuaiile (P.6.2.5) i (P.6.2.6) se obine expresia:
r = 1+
(P.6.2.7)
P.6.3. Se consider un conductor de Cu avnd seciunea S = 1 mm 2 aflat la temperatura camerei. innd seama c densitatea de curent electric n Cu se datorete micrii electronilor (un electron pentru fiecare atom) s se calculeze: a) numrul de purttori de sarcin pe unitatea de volum i b) viteza de deplasare a electronilor pentru un curent egal cu 1 A (model clasic). Se dau pentru Cu: masa atomic A = 63,5 , densitatea sa
= 8,57 10 3 kg m 3 , iar numrul Avogadro N A = 6,02 10 26

elementar e = 1,6 10 19 C .
1 i sarcina electric kmol
Rezolvare. a) Numrul de purttori din unitatea de volum, V este:
n=
N N A = = 8,14 10 28 m 3 . V A
(P.6.3.1)
b) innd seama de formula densitii de curent
j=
rezult:
I = nev S
(P.6.3.2)
v=
I 10 4 m s . neS
(P.6.3.3)
P.6.4. S se calculeze conductivitatea la temperaturi joase (T = 90 K ) , respectiv nalte (T 300 K ) , pentru un material semiconductor avnd mobilitatea golurilor
p = 10 2 m 2 / V s i concentraia impuritilor acceptoare N a = 10 24 m -3 . Se

consider atomul acceptor aflat pe un nivel de energie situat n zona interzis la o distan W = 0,5 eV deasupra benzii de valen. Se dau: constanta Planck h = 6,63 10 34 J s , constanta Boltzmann
k = 1,38 10 23 J / K , m * m0 = 9,11031 kg i sarcina p
electronului e = 1,6 10 19 C. Rezolvare. n cazul temperaturilor joase conductivitatea se calculeaz cu ajutorul relaiei:
385
= pe p = (2N a )
1/ 2
2m* kT p e p 2 h
3/ 4
W 11 1 -1 exp = 4,110 m . (P.6.4.1) 2kT

(P.6.4.2) (P.6.4.3)
La temperaturi ridicate se poate aproxima deci
p Na
= N a e p = 1,6 10 3 -1 m 1 .
P.6.5. S se determine valoarea energiei medii, W a electronilor din banda de conducie a unui semiconductor nedegenerat aflat la temperatura T . Rezolvare. Energia medie a electronilor din banda de conducie a unui semiconductor nedegenerat este:
W =
0 0
W ' W '
3/ 2
exp ( W ' / kT ) d W ' = exp ( W ' / kT ) d W '
1/ 2
3kT . 2
(P.6.5.1)
P.6.6. Fie dou jonciuni Josephson legate n paralel. S se calculeze curentul total care curge prin cele dou jonciuni i s se arate c diferena de faz de sosire a curenilor pe drumuri diferite d fenomenului un aspect de interferen. Rezolvare. Pe baza modelului teoretic prezentat n paragraful 19.2.4. curentul total (suma celor doi cureni prin cele dou jonciuni Josephson) se poate scrie sub forma:
unde este fluxul magnetic. Valoarea maxim a curentului este:
e e e J = J 0 sin 0 + + sin 0 = J 0 sin 0 cos , h h h e J max = J 0 cos , h
(P.6.6.1)
(P.6.6.2)
maximul expresiei obinndu-se pentru:
h = n . e
(P.6.6.3)
Deci curentul va nregistra maxime pentru fluxuri magnetice maxime i respectiv, minime pentru fluxuri magnetice minime. P.6.7. Se fac dou msurtori de susceptivitate pentru un material feromagnetic la temperaturile t1 = 225 C i t 2 = 250 C mai mari dect temperatura Curie, obinnduse 1 = 10 3 respectiv 2 = 5 10 4 . S se deduc valorile: a) constantei i b) temperaturii Curie pentru materialul considerat. Rezolvare. La temperaturi mai mari dect temperatura Curie materialul este paramagnetic iar susceptibilitatea depinde de temperatur dup legea:
386
FIZIC
C , T TC
(P.6.7.1)
unde C i TC reprezint constanta i respectiv temperatura Curie. n condiiile problemei
1 =
C C , 2 = . Rezolvnd sistemul celor dou ecuaii rezult: T1 TC T2 TC T 2T2 a) Tc = 1 1 = 467 K 1 2

b)
(P.6.7.4)
C = 2 (T2 Tc ) = 1 2
(T2 T1 ) = 25 10 3 K .
1 2
(P.6.7.5)
P.6.8. Se consider o prob de fier pentru care dependena dintre inducia magnetic B i intensitatea cmpului magnetic H este dat n fig. P.3.10.1. Aceasta se afl n interiorul unei bobine avnd diametrul d = 3 10 1 m , seciunea S = 5 10 4 m 2 i N = 800 spire fiind parcurs de un curent cu intensitatea I = 3 A . tiind c bobina are un ntrefier
b = 2 10 3 m i neglijnd dispersia liniilor de cmp n ntrefier, s se calculeze permeabilitatea magnetic r a probei de fier. Se d permeabilitatea absolut a vidului 0 = 1,26 10 6 H/m .
Fig. P.6.8.1. Dependena dintre inducia magnetic i intensitatea cmpului magnetic.
r r r r r D r Rezolvare. Din legea circuitului magnetic H dr = J dS + dS se obine n t S S
NI 0 d b condiiile problemei B = H = H . Ecuaia dreptei intersecteaz axele b b kA n punctele B0 = 1,3 T i H 0 = 0,33 . Din intersecia dreptei B = H (relaiai a m curbei B = f (H ) (fig. P.3.10.1.) rezult r = 310 3 .
387

Cap 6

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Cap 6

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

6.

FIZICA CORPULUI SOLID

FIZICA CORPULUI SOLID

Fig. 6. 1. Determinarea numrului axelor de rotaie.

2 2 2 2 . Rezult , , , 6 4 3 2 c singurele axe de rotaie C n permise n reea sunt cele cu n = 1, 6, 4, 3, 2.

Fig. 6. 2. Celula elementar tridimensional.

Volumul celulei elementare este:

Fig. 6. 3. Reelele Bravais tridimensionale.

Celula elementar a reelei monoclinice se caracterizeaz prin a1 a 2 a 3 i

12 23 = 31 = 90 0 (paralelipiped drept cu baza paralelogram). Reeaua monoclinic

FIZICA CORPULUI SOLID

se calculeaz rapoartele inverselor acestor numere i astfel se

adic h = 4, k = 2, l = 1 . Pentru planul care taie axele n punctele 1, 1 / 2, 1 / 3, se obine:

FIZICA CORPULUI SOLID

Fig. 6. 5. Plane cristaline n sistemul cubic.

r r r a1 ( n ' n ) = g1, r r r a 2 (n ' n ) = g 2 , r r r a3 (n 'n ) = g 3 ..

Fig. 6. 6. Reprezentarea schematic a difraciei pe o reea cristalin.

Relaiile (6.12) se numesc ecuaiilei Laue. ntruct n prima relaie (6.12),

r r r r r r r r r a1 (') = 2g1 , a 2 (') = 2g 2 , a3 (') = 2g 3 . r r a i 0 = 2g i ,

(6.17) (6.18) (6.19) (6.20)

Relaiile (6.17) mai pot fi scrise i sub form condensat: unde

r r r care apare ca o lege de conservare a impulsului fotonului p = h n cristal. Vectorul 0

r r r 0 = '. Dac se nmulete relaia (6.19) cu h rezult r r r h ' = h + h 0

FIZICA CORPULUI SOLID

Fig. 6. 7. Figur de difracie obinut prin metoda cristalului rotitor.

Pentru o direcie cristalografic oarecare w , ecuaiile Laue (6.12) se scriu:

i relaia (6.25) pentru fasciculul difractat, devine: 2

S i tg = e . Cunoscnd lungimea de und se poate determina 2 R

Fig. 6. 8. Reprezentarea schematic a metodei cristalului rotitor.

Fig. 6. 9 a), b). Reprezentarea schematic a metodei pulberilor.

FIZICA CORPULUI SOLID

Fig. 6. 10. Determinarea distanei interplanare i a constantei reelei.

1 kT sub form de energie potenial). Astfel, energia intern 2

astfel c relaia (6.34) devine:

h 3Nh exp 2 2 kT h = 3 Nh exp h . CV 2h kT 2 kT 2 kT exp kT

FIZICA CORPULUI SOLID

unde x , y , z sunt componentele vectorului de und

3 v v 3 unde s-a considerat cristalul izotrop, adic v II = v .

Pe baza celor prezentate mai sus relaia (6.43) devine:

Energia intern a unitii de volum de cristal se calculeaz cu ajutorul relaiei:

este dat de relaia (6.31). Pentru ntreg cristalul de volum V , unde nV = N ,

max 3 h 2 d = E + 9Nh 1 h + d i0 2 h 3 0 exp h 1 max exp 1 kT kT

Introducnd temperatura Debye:

h , relaia (6.53) poate fi scris sub forma: kT

FIZICA CORPULUI SOLID

n cele ce urmeaz se consider dou cazuri particulare.

h << 1 i se poate dezvolta n serie exponeniala: kT h h exp 1 + , kT kT

unde N este numrul de celule unitare din

r i este vectorul de und al modului de oscilaie i . Un fonon se comport ca o particul

Fig. 6. 11. Dependena lui de .

FIZICA CORPULUI SOLID

hi devine: ni = exp 1 , unde 0 , pentru c altfel ni ar fi negativ kT

(6.61) (6.62) (6.63)

iar energia este egal cu:

h 2 2 W= . 2M Din condiia de normare a funciei rezult constanta C :

unde n1 , n2 i n3 sunt numere ntregi independente. innd cont c

(6.72) determinat de vectorul

mprind (6.75) i (6.72) rezult:

r r r p de distribuie a electronilor pe stri. Suprafaa izoenergetic din spaiul = h

FIZICA CORPULUI SOLID

h2 W F ( 0) = (3 2 n) 2 / 3 . (6.82) 2M Dac se alege pentru n o valoare medie de 5 10 22 cm 3 se obine pentru:

2 5/ 2 3 3/ 2 3 = WF0(0) = WF (0) WF (0) = WF (0). (6.85) 5 2 5 1/ 2 g(W )dW W dW

Dac W F (0) = 5 eV rezult c W

= 3 eV . Aceasta este o valoare foarte