Purificacin del substrato (Fabricacin de obleas) 2.- Oxidacin 3.- Litografa y Grabado 4.- Impurificacin 5.

- Creacin de capas delgadas (Deposicin y crecimiento epitaxial). 6.- Colocacin de los contactos metlicos 1. Purificacin del substrato (Fabricacin de obleas) Obtencin de Si puro 1) Materia prima: Slice o dixido de Silicio: SiO2 (muy abundante, arena de la playa). 2) Reduccin del SiO2 a alta temperatura: Silicio + Carbn a 2000C Silicio metalrgico, Si al 98%. 3) 4) 5) Si metalrgico + ClH (Clorhdrico)SiHCl3 TricloroSilano Destilacin del SiHCl3 SiHCl3 TricloroSilano puro. Reduccin del SiHCl3 SiHCl3 + H2 Si de alta pureza Si Policristalino Concentracin impurezas<1 ppmm (1013 cm-3).

El Silicio policristaio o polisilicio esta formado por pequeos cristales de silicio Las obleas para la fabricacin de un C.I. Tienen que tener una estructura cristalina

Tres tipos de solidos, clasificados por su ordenacin atmica: (a) La estructura cristalina y (b) Amorfa son ilustradas con una vista microscopica de sus atomos, mientras (c) la estructura policristalina se muestra de una forma ms macroscopica con sus pequeos cristales con distinta orientacion pegados unos con otros. Dos mtodos para obtener Si cristalino a) Mtodo de Czochraiski b) Mtodo de Zona flotante

procedimiento Se coloca el Si policristalino en el crisol y el horno se calienta hasta fundirlo. Se aaden impurezas del tipo necesario para formar un semiconductor tipo N (Fosforo, Arsenico, Antimonio) o P (Boro, Aluminio, Galio) con el dopado deseado Se introduce la semilla en el fundido (muestra pequea del cristal que se quiere crecer) Se levanta lentamente la semilla (se gira la semilla en un sentido y el crisol en el contrario)

El progresivo enfriamiento en la interface slido-lquido proporciona un Si monocristalino con la misma orientacin cristalina que la semilla pero de mayor dimetro

Dimetro depender de: La temperatura La velocidad de elevacin y rotacin de la semilla La velocidades de rotacin del crisol

Efecto de segregacin: La concentracin de dopante del Si solidificado es inferior a la del Si fundido. La concentracin del dopante aumente a medida que la barra de cristal crece. La concentracin de impurezas es menor en lado de la semilla que en el otro extremo. El Silicio fabricado por el mtodo de Czochralski contiene oxigeno, debido a la disolucin del crisol de Slice (SiO2). Este oxigeno no es perjudicial para el silicio de baja resistividad usado en un circuito integrado. Para aplicaciones de alta potencia donde se necesita Si con alta resistividad este oxigeno es un problema. En estos casos se usa el mtodo de Zona Flotante.

Mtodo de Zona Flotante

El proceso parte de un cilindro de silicio policristalino Se sostiene verticalmente y se conecta uno de sus extremos a la semilla Una pequea zona del cristal se funde mediante un calentador por radio frecuencia que se desplaza a lo largo de todo el cristal desde la semilla El Si fundido es retenido por la tensin superficial entre ambas caras del Si slido Cuando la zona flotante se desplaza hacia arriba, el silicio monocristalino se solidifica en el extremo inferior de la zona flotante y crece como una extensin de la semilla

Proceso de Oxidacin trmica. Las obleas de Si se montan en un carrete de cuarzo Este se mete dentro de un tubo de cuarzo situado dentro de un horno de apertura cilndrica calentado por resistencia T entre los 850 y 1100C

Dos tipos de oxidacin: Seca y hmeda

Oxidacin Hmeda Se introduce vapor de agua en el horno Si(s) +2H2O(g) SiO2(s) + 2H2(g) Es mucho mas rpida y se utiliza para crear xidos gruesos Oxidacin seca Se introduce gas de oxigeno puro Si(s) + O2(g) SiO2(s) + 2H2(g) Se consiguen xidos de mayor calidad pero es ms lenta Esta tcnica no es apropiada para la creacin de xidos gruesos ya que se puede producir una redistribucin de las impurezas introducidas en los anteriores procesos En la oxidacin trmica parte de la capa de Si se consume La interface Si-SiO2 se introduce en el Si Por cada micra de oxido crecido se consume 0.44 micras de Si

3) Proceso de litografa y grabado

a) b) c) d) e) f)

Se cubre la oblea con una fotoresina + o Se hace incidir luz U.V. a travs de una mascara Se ablanda (+) o se endurece (-) la resina expuesta Se elimina la fotoresina no polimerizada con tricloroetileno Grabado: se ataca con HCl o HF y se elimina el SiO2 no protegido por la fotoresina Se elimina la fotoresina con un disolvente Sulfrico SO4H2 Tipos de mascaras

Oblea entera

Un solo chip

4. Grabado a) Hmedo: Bao de cido fluorhdrico o clorhdrico que ataca SiO2 no protegido, pero no ataca al Si. Gran selectividad Problema: ataque isotrpico igual en todas las direcciones

(b) Seco: Se usa un plasma con un gas ionizado Grabado Fsico o qumico Ataque anistropo Menor selectividad

Impurificacin (adicin de dopantes) Difusin Se colocan las obleas en el interior de un horno a travs del cual se hace pasar un gas inerte que contenga el dopante deseado. 6) Metalizacin

empacado