Cap 1

Eletrnica de Potncia - Cap.
J. A. Pomilio
1. COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTNCIA

A figura 1.1 mostra uma distribuio dos componentes semicondutores, indicando limites (1994) para valores de tenso de bloqueio, corrente de conduo e freqncia de comutao. Obviamente estes limites evoluem com o desenvolvimento tecnolgico e servem como uma ilustrao para a verificao, numa primeira aproximao, das faixas de potncia em que cada componente pode ser utilizado.
Tenso
Tiristores
5kV GTO 4kV 3kV IGBT 2kV 1kV MOSFET 1kA Frequncia 2kA 3kA TBP 1kHz 10kHz 100kHz 1MHz MCT Corrente
Figura 1.1 Limites de operao de componentes semicondutores de potncia. 1.1 Breve Reviso da Fsica de Semicondutores A passagem de corrente eltrica em um meio depende da aplicao de um campo eltrico e da existncia de portadores livres (usualmente eltrons) neste meio. Em metais, como o cobre ou a prata, a densidade de portadores livres (eltrons) da ordem de 1023/cm3, enquanto nos materiais isolantes, como o quartzo ou o xido de alumnio, o valor da ordem de 103/cm3. Os chamados semicondutores, como o silcio, tem densidades intermedirias, na faixa de 108 a 1019/cm3. Nos condutores e nos isolantes, tais densidades so propriedades dos materiais, enquanto nos semicondutores estas podem ser variadas, seja pela adio de impurezas de outros materiais, seja pela aplicao de campos eltricos em algumas estruturas de semicondutores. 1.1.1 Os portadores: eltrons e lacunas tomos de materias com 4 eltrons em sua camada mais externa (C, Ge, Si, etc.), ou ainda molculas com a mesma propriedade, permitem o estabelecimento de ligaes muito
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estveis, uma vez que, pelo compartilhamento dos eltrons externos pelos tomos vizinhos (ligao covalente), tem-se um arranjo com 8 eltrons na camada de valncia, como ilustra a figura 1.2.
eltrons compartilhados
ncleos atmicos
Figura 1.2 Estrutura cristalina de material semicondutor Em qualquer temperatura acima do zero absoluto (-273 oC), algumas destas ligaes so rompidas (ionizao trmica), produzindo eltrons livres. O tomo que perde tal eltron se torna positivo. Eventualmente um outro eltron tambm escapa de outra ligao e, atrado pela carga positiva do tomo, preenche a ligao covalente. Desta maneira tem-se uma movimentao relativa da carga positiva, chamada de lacuna, que, na verdade, devida ao deslocamento dos eltrons que saem de suas ligaes covalentes e vo ocupar outras, como mostra a figura 1.3.
movimento da lacuna
tomo ionizado eltron ligao rompida
Figura 1.3 Movimento de eltrons e lacunas em semicondutor A ionizao trmica gera o mesmo nmero de eltrons e lacunas. Em um material puro, a densidade de portadores aproximadamente dada por:
qE g
ni Ce
kT
(1.1)
onde C uma constante de proporcionalidade, q a carga do eltron (valor absoluto), Eg a banda de energia do semicondutor (1,1 eV para o Si), k a constante de Boltzmann, T a temperatura em Kelvin. Para o Si, temperatura ambiente (300K), ni 1010/cm3.
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1.1.2 Semicondutores dopados Quando se faz a adio de tomos de materiais que possuam 3 (como o alumnio ou o boro) ou 5 eltrons (como o fsforo) em sua camada de valncia estrutura dos semicondutores, os tomos vizinhos a tal impureza tero suas ligaes covalentes incompletas ou com excesso de eltrons, como mostra a figura 1.4.
Si ligao incompleta Si Bo Si Si Si eltron em excesso Si P Si Si Si Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Figura 1.4 Semicondutores dopados Neste caso no tem-se mais o equilbrio entre eltrons e lacunas, passando a existir um nmero maior de eltrons livres nos materiais dopados com elementos da quinta coluna da tabela peridica, ou de lacunas, caso a dopagem seja com elementos da terceira coluna. Respectivamente, produzem-se os chamados materiais semicondutores tipo N e tipo P. Observe-se, no entanto, que o material permanece eletricamente neutro, uma vez que a quantidade total de eltrons e prtons a mesma. Quando a lacuna introduzida pelo boro captura um eltron livre, tem-se a movimentao da lacuna. Neste caso diz-se que as lacunas so os portadores majoritrios, sendo os eltrons os portadores minoritrios. J no material tipo N, a movimentao do eltron excedente deixa o tomo ionizado, o que o faz capturar outro eltron livre. Neste caso os portadores majoritrios so os eltrons, enquanto os minoritrios so as lacunas. As dopagens das impurezas (1019/cm3 ou menos), tipicamente so feitas em nveis muito menores que a densidade de tomos do material semicondutor (1023/cm3), de modo que as propriedades de ionizao trmica no so afetadas. Mesmo em um material dopado, o produto das densidades de lacunas e de eltrons (po e no, respectivamente) igual ao valor ni2 dado pela equao (1.1), embora aqui po no . Alm da ionizao trmica, tem-se uma quantidade adicional de cargas livres, relativas s prprias impurezas. Pelos valores indicados anteriormente, pode-se verificar que a concentrao de tomos de impurezas muitas ordens de grandeza superior densidade de portadores gerados por efeito trmico, de modo que, num material tipo P, po Na, onde Na a densidade de impurezas aceitadoras de eltrons. J no material tipo N, no Nd, onde Nd a densidade de impurezas doadoras de eltrons. Em qualquer dos materiais, a densidade dos portadores minoritrios proporcional ao quadrado da densidade intrnseca, ni, e fortemente dependente da temperatura.
n i2 , po Na no po po n i2 , no Nd no
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1.1.3 Recombinao Uma vez que a quantidade ni determinada apenas por propriedades do material e pela temperatura, necessrio que exista algum mecanismo que faa a recombinao do excesso de portadores medida que novos portadores so criados pela ionizao trmica. Tal mecanismo inclui tanto a recombinao propriamente dita de um eltron com uma lacuna em um tomo de Si, quanto a captura dos eltrons pela impureza ionizada., ou, adicionalmente, por imperfeies na estrutura cristalina. Tais imperfeies fazem com que os tomos adjacentes no necessitem realizar 4 ligaes covalentes. Pode-se definir o tempo de vida de um portador como o tempo mdio necessrio para que o eltron ou a lacuna sejam neutralizados pela consecusso de uma ligao covalente. Em muitos casos pode-se considerar o tempo de vida de um portador como uma constante do material. No entanto, especialmente nos semicondutores de potncia, esta no uma boa simplificao. Quando ocorre um significativo aumento na temperatura do semicondutor, tem-se um aumento no tempo de recombinao do excesso de portadores, o que leva a um aumento nos tempos de comutao dos dispositivos de tipo portadores minoritrios, como o transistor bipolar e os tiristores. J em situaes de alta dopagem (1017/cm3 ou superior), a taxa de recombinao aumenta,o que leva a um crescimento da queda de tenso sobre o dispositivo quando este est em conduo. Uma vez que este tempo de vida dos portadores afeta significantemente o comportamento dos dispositivos de potncia, a obteno de mtodos que possam control-lo importante. Um dos mtodos que possibilita o ajuste deste tempo a dopagem com ouro, uma vez que este elemento funciona como um centro de recombinao, uma vez que realiza tal operao com grande facilidade. Outro mtodo o da irradiao de eltrons de alta energia, bombardeando a estrutura cristalina de modo a deform-la e, assim, criar centros de recombinao. Este ltimo mtodo tem sido preferido devido sua maior controlabilidade (a energia dos eltrons facilmente controlvel, permitindo estabelecer a que profundidade do cristal se quer realizar as deformaes) e por ser aplicado no final do processo de construo do componente. 1.1.4 Correntes de deriva e de difuso Quando um campo eltrico for aplicado a um material semicondutor, as lacunas se movimentaro no sentido do campo decrescente, enquanto os eltrons seguiro em sentido oposto. Esta corrente depende de um parmetro denominado mobilidade, que depende do material e do tipo de portador. A mobilidade dos eltrons aproximadamente 3 vezes maior do que a das lacunas para o Si em temperatura ambiente. A mobilidade diminui aproximadamente com o quadrado do aumento da temperatura. Outro fator de movimentao de portadores por difuso, quando existem regies adjacentes em que h diferentes concentraes de portadores. O movimento aleatrio dos portadores tende a equalizar sua disperso pelo meio, de modo que tende a haver uma migrao de portadores das regies mais concentradas para as mais dispersas. 1.2 Diodos de Potncia Um diodo semicondutor uma estrutura P-N que, dentro de seus limites de tenso e de corrente, permite a passagem de corrente em um nico sentido. Detalhes de funcionamento, em geral desprezados para diodos de sinal, podem ser significativos para componentes de
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maior potncia, caracterizados por uma maior rea (para permitir maiores correntes) e maior comprimento (a fim de suportar tenses mais elevadas). A figura 1.5 mostra, simplificadamente, a estrutura interna de um diodo. Aplicando-se uma tenso entre as regies P e N, a diferena de potencial aparecer na regio de transio, uma vez que a resistncia desta parte do semicondutor muito maior que a do restante do componente (devido concentrao de portadores). Quando se polariza reversamente um diodo, ou seja, se aplica uma tenso negativa no anodo (regio P) e positiva no catodo (regio N), mais portadores positivos (lacunas) migram para o lado N, e vice-versa, de modo que a largura da regio de transio aumenta, elevando a barreira de potencial.
Juno metalrgica
+ + + +
P + + + + + + + _ _ + + _ _ _ _ _ _ N_
+ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ Anodo Catodo
Difuso
0 1u
Potencial
Figura 1.5 Estrutura bsica de um diodo semicondutor. Por difuso ou efeito trmico, uma certa quantidade de portadores minoritrios penetra na regio de transio. So, ento, acelerados pelo campo eltrico, indo at a outra regio neutra do dispositivo. Esta corrente reversa independe da tenso reversa aplicada, variando, basicamente, com a temperatura. Se o campo eltrico na regio de transio for muito intenso, os portadores em trnsito obtero grande velocidade e, ao se chocarem com tomos da estrutura, produziro novos portadores, os quais, tambm acelerados, produziro um efeito de avalanche. Dado o aumento na corrente, sem reduo significativa na tenso na juno, produz-se um pico de potncia que destri o componente. Uma polarizao direta leva ao estreitamento da regio de transio e reduo da barreira de potencial. Quando a tenso aplicada superar o valor natural da barreira, cerca de 0,7V para diodos de Si, os portadores negativos do lado N sero atrados pelo potencial positivo do anodo e vice-versa, levando o componente conduo. Na verdade, a estrutura interna de um diodo de potncia um pouco diferente desta apresentada. Existe uma regio N intermediria, com baixa dopagem. O papel desta regio permitir ao componente suportar tenses mais elevadas, pois tornar menor o campo eltrico na regio de transio (que ser mais larga, para manter o equilbrio de carga). Esta regio de pequena densidade de dopante dar ao diodo uma significativa caracterstica resistiva quando em conduo, a qual se torna mais significativa quanto maior for a tenso suportvel pelo componente. As camadas que fazem os contatos externos so altamente dopadas, a fim de fazer com que se obtenha um contato com caracterstica hmica e no semi-condutor.
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O contorno arredondado entre as regies de anodo e catodo tem como funo criar campos eltricos mais suaves (evitando o efeito de pontas). No estado bloqueado, pode-se analisar a regio de transio como um capacitor, cuja carga aquela presente na prpria regio de transio. Na conduo no existe tal carga, no entanto, devido alta dopagem da camada P+, por difuso, existe uma penetrao de lacunas na regio N-. Alm disso, medida que cresce a corrente, mais lacunas so injetadas na regio N-, fazendo com que eltrons venham da regio N+ para manter a neutralidade de carga. Desta forma, cria-se uma carga espacial no catodo, a qual ter que ser removida (ou se recombinar) para permitir a passagem para o estado bloqueado do diodo. O comportamento dinmico de um diodo de potncia , na verdade, muito diferente do de uma chave ideal, como se pode observar na figura 1.6. Suponha-se que se aplica uma tenso vi ao diodo, alimentando uma carga resistiva (cargas diferentes podero alterar alguns aspectos da forma de onda). Durante t1, remove-se a carga acumulada na regio de transio. Como ainda no houve significativa injeo de portadores, a resistncia da regio N- elevada, produzindo um pico de tenso. Indutncias parasitas do componente e das conexes tambm colaboram com a sobre-tenso. Durante t2 tem-se a chegada dos portadores e a reduo da tenso para cerca de 1V. Estes tempos so, tipicamente, da ordem de centenas de ns. No desligamento, a carga espacial presente na regio N- deve ser removida antes que se possa reiniciar a formao da barreira de potencial na juno. Enquanto houver portadores transitando, o diodo se mantm em conduo. A reduo em Von se deve diminuio da queda hmica. Quando a corrente atinge seu pico negativo que foi retirado o excesso de portadores, iniciando-se, ento, o bloqueio do diodo. A taxa de variao da corrente, associada s indutncias do circuito, provoca uma sobre-tenso negativa.
t3 trr
t1 dif/dt iD
Anodo
dir/dt i=Vr/R
Qrr
P+
10e19 cm-3
10 u
Vfp vD -Vr t2
Von
t4 t5 Vrp +Vr
_ 10e14 cm-3
Depende da tenso
vi
N+ 10e19cm-3 250 u substrato
vD iD R
-Vr
vi
Catodo
Figura 1.6 - Estrutura tpica de diodo de potncia e formas de onda tpicas de comutao de diodo de potncia.
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A figura 1.7 mostra resultados experimentais de um diodo de potncia lento (retificador) em um circuito como o da figura 1.6, no qual a indutncia desprezvel, como se nota na figura (a), pela inverso quase imediata da polaridade da corrente. A corrente reversa limitada pela resistncia presente no circuito. J na entrada em conduo, a tenso aplicada ao circuito aparece instantaneamente sobre o prprio diodo, o que contribui para limitar o crescimento da corrente. Quando esta tenso cai, a corrente vai assumindo seu valor de regime.
(a) (b) Figura 1.7 - Resultados experimentais das comutaes de diodo: (a) desligamento; (b) entrada em conduo. Diodos rpidos possuem trr da ordem de, no mximo, poucos micro-segundos, enquanto nos diodos normais de dezenas ou centenas de micro-segundos. O retorno da corrente a zero, aps o bloqueio, devido sua elevada derivada e ao fato de, neste momento, o diodo j estar desligado, uma fonte importante de sobretenses produzidas por indutncias parasitas associadas aos componentes por onde circula tal corrente. A fim de minimizar este fenmeno foram desenvolvidos os diodos soft-recovery, nos quais esta variao de corrente suavizada, reduzindo os picos de tenso gerados. Em aplicaes nas quais o diodo comuta sob tenso nula, como o caso dos retificadores com filtro capacitivo, praticamente no se observa o fenmeno da recombinao reversa. 1.3 Diodos Schottky Quando feita uma juno entre um terminal metlico e um material semicondutor, o contato tem, tipicamente, um comportamento hmico, ou seja, a resistncia do contato governa o fluxo da corrente. Quando este contato feito entre um metal e uma regio semicondutora com densidade de dopante relativamente baixa, o efeito dominante deixa de ser o resistivo, passando a haver tambm um efeito retificador. Um diodo Schottky formado colocando-se um filme metlico em contato direto com um semicondutor, como indicado na figura 1.8. O metal usualmente depositado sobre um material tipo N, por causa da maior mobilidade dos portadores neste tipo de material. A parte metlica ser o anodo e o semicondutor, o catodo. Numa deposio de Al (3 eltrons na ltima camada), os eltrons do semicondutor tipo N migraro para o metal, criando uma regio de transio na juno.
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Note-se que apenas eltrons (portadores majoritrios em ambos materiais) esto em trnsito. O seu chaveamento muito mais rpido do que o dos diodos bipolares, uma vez que no existe carga espacial armazenada no material tipo N, sendo necessrio apenas refazer a barreira de potencial (tipicamente de 0,3V). A regio N+ tem uma dopagem relativamente alta, a fim de reduzir as perdas de conduo, com isso, a mxima tenso suportvel por estes diodos de cerca de 100V. A aplicao deste tipo de diodos ocorre principalmente em fontes de baixa tenso, nas quais as quedas sobre os retificadores so significativas. Na figura 1.4.(b) tem-se uma forma de onda tpica no desligamento do componente. Note que, diferentemente dos diodos convencionais, assim que a corrente se inverte a tenso comea a crescer, indicando a no existncia dos portadores minoritrios no dispositivo.
contato retificador SiO2
Al N+ Tipo N Substrato tipo P
Al
contato hmico
(a) (b) Figura 1.8 - (a) Estrutura de diodo Schottky; (b) Forma de onda tpica no desligamento 1.4 Tiristor O nome tiristor engloba uma famlia de dispositivos semicondutores que operam em regime chaveado, tendo em comum uma estrutura de 4 camadas semicondutoras numa sequncia p-n-p-n, apresentando um funcionamento biestvel. O tiristor de uso mais difundido o SCR (Retificador Controlado de Silcio), usualmente chamado simplesmente de tiristor. Outros componentes, no entanto, possuem basicamente uma mesma estrutura: LASCR (SCR ativado por luz), tambm chamado de LTT (Light Triggered Thyristor), TRIAC (tiristor triodo bidirecional), DIAC (tiristor diodo bidirecional), GTO (tiristor comutvel pela porta), MCT (Tiristor controlado por MOS). 1.4.1 Princpio de funcionamento O tiristor formado por quatro camadas semicondutoras, alternadamente p-n-p-n, possuindo 3 terminais: anodo e catodo, pelos quais flui a corrente, e a porta (ou gate) que, a uma injeo de corrente, faz com que se estabelea a corrente andica. A figura 1.9 ilustra uma estrutura simplificada do dispositivo. Se entre anodo e catodo tivermos uma tenso positiva, as junes J1 e J3 estaro diretamente polarizadas, enquanto a juno J2 estar reversamente polarizada. No haver conduo de corrente at que a tenso Vak se eleve a um valor que provoque a ruptura da barreira de potencial em J2.
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Se houver uma tenso Vgk positiva, circular uma corrente atravs de J3, com portadores negativos indo do catodo para a porta. Por construo, a camada P ligada porta suficientemente estreita para que parte destes eltrons que cruzam J3 possuam energia cintica suficiente para vencer a barreira de potencial existente em J2, sendo ento atrados pelo anodo.
Vcc J1 A P NJ2 P
Rc (carga) J3 N+ K Catodo
Anodo Vcc A G Rg K Rc
Gate G
Rg
Vg
CH
Vg
Figura 1.9 - Funcionamento bsico do tiristor e seu smbolo. Desta forma, a juno reversamente polarizada tem sua diferena de potencial diminuda e estabelece-se uma corrente entre anodo e catodo, que poder persistir mesmo na ausncia da corrente de porta. Quando a tenso Vak for negativa, J1 e J3 estaro reversamente polarizadas, enquanto J2 estar diretamente polarizada. Uma vez que a juno J3 intermediria a regies de alta dopagem, ela no capaz de bloquear tenses elevadas, de modo que cabe juno J1 manter o estado de bloqueio do componente. comum fazer-se uma analogia entre o funcionamento do tiristor e o de uma associao de dois transistores, conforme mostrado na figura 1.10. Quando uma corrente Ig positiva aplicada, Ic2 e Ik crescero. Como Ic2 = Ib1, T1 conduzir e teremos Ib2=Ic1 + Ig, que aumentar Ic2 e assim o dispositivo evoluir at a saturao, mesmo que Ig seja retirada. Tal efeito cumulativo ocorre se os ganhos dos transistores forem maior que 1. O componente se manter em conduo desde que, aps o processo dinmico de entrada em conduo, a corrente de anodo tenha atingido um valor superior ao limite IL, chamado de corrente de "latching". Para que o tiristor deixe de conduzir necessrio que a corrente por ele caia abaixo do valor mnimo de manuteno (IH), permitindo que se restabelea a barreira de potencial em J2. Para a comutao do dispositivo no basta, pois, a aplicao de uma tenso negativa entre anodo e catodo. Tal tenso reversa apressa o processo de desligamento por deslocar nos sentidos adequados os portadores na estrutura cristalina, mas no garante, sozinha, o desligamento. Devido a caractersticas construtivas do dispositivo, a aplicao de uma polarizao reversa do terminal de gate no permite a comutao do SCR. Este ser um comportamento dos GTOs, como se ver adiante.
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A P G N P N K N P
A T1 Ic1 G Ig
Ia Ib1 Ic2 T2 K Ik
Ib2
Figura 1.10 - Analogia entre tiristor e transistores bipolares 1.4.2 Maneiras de disparar um tiristor Podemos considerar cinco maneiras distintas de fazer com que um tiristor entre em conduo: a) Tenso Quando polarizado diretamente, no estado desligado, a tenso de polarizao aplicada sobre a juno J2. O aumento da tenso Vak leva a uma expanso da regio de transio tanto para o interior da camada do gate quanto para a camada N adjacente. Mesmo na ausncia de corrente de gate, por efeito trmico, sempre existiro cargas livre que penetram na regio de transio (no caso, eltrons), as quais so aceleradas pelo campo eltrico presente em J2. Para valores elevados de tenso (e, consequentemente, de campo eltrico), possvel iniciar um processo de avalanche, no qual as cargas aceleradas, ao chocarem-se com tomos vizinhos, provoquem a expulso de novos portadores, os quais reproduzem o processo. Tal fenmeno, do ponto de vista do comportamento do fluxo de cargas pela juno J2, tem efeito similar ao de uma injeo de corrente pelo gate, de modo que, se ao se iniciar a passagem de corrente for atingido o limiar de IL, o dispositivo se manter em conduo. A figura. 1.11 mostra a caracterstica esttica de um SCR. b) Ao da corrente positiva de porta Sendo o disparo atravs da corrente de porta a maneira mais usual de ser ligado o tiristor, importante o conhecimento dos limites mximos e mnimos para a tenso Vgk e a corrente Ig, como mostrados na figura 1.12. O valor Vgm indica a mnima tenso de gate que garante a conduo de todos os componentes de um dado tipo, na mnima temperatura especificada. O valor Vgo a mxima tenso de gate que garante que nenhum componente de um dado tipo entrar em conduo, na mxima temperatura de operao. A corrente Igm a mnima corrente necessria para garantir a entrada em conduo de qualquer dispositivo de um certo tipo, na mnima temperatura. Para garantir a operao correta do componente, a reta de carga do circuito de acionamento deve garantir a passagem alm dos limites Vgm e Igm, sem exceder os demais limites (tenso, corrente e potncia mximas). c) Taxa de crescimento da tenso direta Quando reversamente polarizadas, a rea de transio de uma juno comporta-se de maneira similar a um capacitor, devido ao campo criado pela carga espacial. Considerando que praticamente toda a tenso est aplicada sobre a juno J2 (quando o SCR estiver desligado e polarizado diretamente), a corrente que atravessa tal juno dada por:
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Ij =
d C j Vak dt
) = C dVak + V
j
dt
ak
dC j dt
(1.4)
Onde Cj a capacitncia da juno.

Ia Von
Vbr
IL IH
Ig2
>
Ig1
>
Ig=0 Vbo Vak
Figura 1.11 - Caracterstica esttica do tiristor.

Vgk
Mxima tenso de gate Limite de baixa corrente
6V
Mxima potncia Instantnea de gate
Vgm Vgo 0
Limite de alta corrente Reta de carga do circuito de acionamento Igm 0,5A Ig
Figura 1.12 - Condies para disparo de tiristor atravs de controle pela porta. Quando Vak cresce, a capacitncia diminui, uma vez que a regio de transio aumenta de largura. Entretanto, se a taxa de variao da tenso for suficientemente elevada, a corrente que atravessar a juno pode ser suficiente para levar o tiristor conduo. Uma vez que a capacitncia cresce com o aumento da rea do semicondutor, os componentes para correntes mais elevadas tendem a ter um limite de dv/dt menor. Observe-se que a limitao diz respeito apenas ao crescimento da tenso direta (Vak > 0). A taxa de crescimento da tenso reversa no importante, uma vez que as correntes que circulam pelas junes J1 e J3, em tal situao, no tem a capacidade de levar o tiristor a um estado de conduo. Como se ver adiante, utilizam-se circuitos RC em paralelo com os tiristores com o objetivo de limitar a velocidade de crescimento da tenso direta sobre eles. d) Temperatura A altas temperaturas, a corrente de fuga numa juno p-n reversamente polarizada dobra aproximadamente com o aumento de 8o C. Assim, a elevao da temperatura pode levar a uma corrente atravs de J2 suficiente para levar o tiristor conduo.
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e) Energia radiante Energia radiante dentro da banda espectral do silcio, incidindo e penetrando no cristal, produz considervel quantidade de pares eltron-lacuna, aumentando a corrente de fuga reversa, possibilitando a conduo do tiristor. Este tipo de acionamento o utilizado nos LASCR, cuja aplicao principal em sistemas que operam em elevado potencial, onde a isolao necessria s obtida por meio de acoplamentos ticos. 1.4.3 Parmetros bsicos de tiristores Apresentaremos a seguir alguns parmetros tpicos de tiristores e que caracterizam condies limites para sua operao. Alguns j foram apresentados e comentados anteriormente e sero, pois, apenas citados aqui. Tenso direta de ruptura (VBO) Mxima tenso reversa (VBR) Mxima corrente de anodo (Iamax): pode ser dada como valor RMS, mdio, de pico e/ou instantneo. Mxima temperatura de operao (Tjmax): temperatura acima da qual, devido a um possvel processo de avalanche, pode haver destruio do cristal. Resistncia trmica (Rth): a diferena de temperatura entre 2 pontos especificados ou regies, dividido pela potncia dissipada sob condies de equilbrio trmico. uma medida das condies de fluxo de calor do cristal para o meio externo. Caracterstica I2t: o resultado da integral do quadrado da corrente de anodo num determinado intervalo de tempo, sendo uma medida da mxima potncia dissipvel pelo dispositivo. dado bsico para o projeto dos circuitos de proteo. Mxima taxa de crescimento da tenso direta Vak (dv/dt). Mxima taxa de crescimento da corrente de anodo (di/dt): fisicamente, o incio do processo de conduo de corrente pelo tiristor ocorre no centro da pastilha de silcio, ao redor da regio onde foi construda a porta, espalhando-se radialmente at ocupar toda a superfcie do catodo, medida que cresce a corrente. Mas se a corrente crescer muito rapidamente, antes que haja a expanso necessria na superfcie condutora, haver um excesso de dissipao de potncia na rea de conduo, danificando a estrutura semicondutora. Este limite ampliado para tiristores de tecnologia mais avanada fazendo-se a interface entre gate e catodo com uma maior rea de contato, por exemplo, 'interdigitando" o gate. A figura 1.13 ilustra este fenmeno. Corrente de manuteno de conduo (IH): a mnima corrente de anodo necessria para manter o tiristor em conduo. Corrente de disparo (IL): mnima corrente de anodo requerida para manter o SCR ligado imediatamente aps ocorrer a passagem do estado desligado para o ligado e ser removida a corrente de porta. Tempo de disparo (ton): o tempo necessrio para o tiristor sair do estado desligado e atingir a plena conduo. Tempo de desligamento (toff): o tempo necessrio para a transio entre o estado de conduo e o de bloqueio. devido a fenmenos de recombinao de portadores no material semicondutor. Corrente de recombinao reversa (Irqm): valor de pico da corrente reversa que ocorre durante o intervalo de recombinao dos portadores na juno.
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K G N P N
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NN P
P N
Catodo Gate circular A Contato metlico
Gate interdigitado
Figura 1.13 - Expanso da rea de conduo do tiristor a partir das vizinhanas da regio de gate. A figura 1.14 ilustra algumas destas caractersticas.
dv/dt Tenso direta de bloqueio
di/dt
Corrente de fuga direta
Von Corrente de fuga reversa Irqm ton Tenso reversa de bloqueio toff
Figura 1.14 Tenses e correntes caractersticas de tiristor. 1.4.4 Circuitos de excitao do gate a) Conduo Conforme foi visto, a entrada em conduo de um tiristor controlada pela injeo de uma corrente no terminal da porta, devendo este impulso estar dentro da rea delimitada pela figura 1.12. Por exemplo, para um dispositivo que deve conduzir 100 A, um acionador que fornea uma tenso Vgk de 6 V com impedncia de sada 12 ohms adequado. A durao do sinal de disparo deve ser tal que permita corrente atingir IL quando, ento, pode ser retirada. Observamos ser bastante simples o circuito de disparo de um SCR e, dado o alto ganho do dispositivo, as exigncias quando ao acionamento so mnimas. b) Comutao Se, por um lado, fcil a entrada em conduo de um tiristor, o mesmo no se pode dizer de sua comutao. Lembramos que a condio de desligamento que a corrente de anodo fique abaixo do valor IH. Se isto ocorrer juntamente com a aplicao de uma tenso reversa, o bloqueio se dar mais rapidamente. No existe uma maneira de se desligar o tiristor atravs de seu terminal de controle, sendo necessrio algum arranjo no nvel do circuito de anodo para reduzir a corrente principal.
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b.1) Comutao Natural utilizada em sistemas de CA nos quais, em funo do carter ondulatrio da tenso de entrada, em algum instante a corrente tender a se inverter e ter, assim, seu valor diminudo abaixo de IH, desligando o tiristor. Isto ocorrer desde que, num intervalo inferior a toff, no cresa a tenso direta Vak, o que poderia lev-lo novamente conduo. A figura 1.15 mostra um circuito de um controlador de tenso CA, alimentando uma carga RL, bem como as respectivas formas de onda. Observe que quando a corrente se anula a tenso sobre a carga se torna zero, indicando que nenhum dos SCRs est em conduo.
S1 S2
i(t) L vL R
vi(t)
200V vi(t) -200V 40A i(t)
-40A 200V vL(t)
-200V
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
35ms
40ms
Figura 1.15 - Controlador de tenso CA com carga RL e formas de onda tpicas. b.2) Comutao por ressonncia da carga Em algumas aplicaes especficas, possvel que a carga, pela sua dinmica prpria, faa com que a corrente tenda a se inverter, fazendo o tiristor desligar. Isto ocorre, por exemplo, quando existem capacitncias na carga as quais, ressoando com as indutncias do circuito produzem um aumento na tenso ao mesmo tempo em que reduzem a corrente. Caso a corrente se torne menor do que a corrente de manuteno e o tiristor permanea reversamente polarizado pelo tempo suficiente, haver o seu desligamento. A tenso de entrada pode ser tanto CA quanto CC. A figura 1.16 ilustra tal comportamento. Observe que enquanto o tiristor conduz a tenso de sada, vo(t), igual tenso de entrada. Quando a corrente se anula e S1 desliga, o que se observa a tenso imposta pela carga ressonante. b.3) Comutao forada utilizada em circuitos com alimentao CC e nos quais no ocorre reverso no sentido da corrente de anodo. A idia bsica deste tipo de comutao oferecer corrente de carga um caminho alternativo ao tiristor, enquanto se aplica uma tenso reversa sobre ele, desligando-o. Antes do surgimento dos GTOs, este foi um assunto muito discutido, buscando-se topologias eficientes. Com o advento dos dispositivos com comutao pelo gate, os SCRs tiveram sua aplicao concentrada nas aplicaes nas quais ocorrem comutao natural ou pela carga.
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vo
Vcc 0
io
S1 Vcc
io(t) vo(t)
L Carga Ressonante
Figura 1.17 Circuito e formas de onda de comutao por ressonncia da carga. A figura 1.18 mostra um circuito para comutao forada de SCR e as formas de onda tpicas. A figura 1.19 mostra detalhes de operao do circuito auxiliar de comutao. Em um tempo anterior a to, a corrente da carga (suposta quase constante, devido elevada constante de tempo do circuito RL) passa pelo diodo de circulao. A tenso sobre o capacitor negativa, com valor igual ao da tenso de entrada. Em t1 o tiristor principal, Sp, disparado, conectando a fonte carga, levando o diodo Df ao desligamento. Ao mesmo tempo surge uma malha formada por Sp, Cr, D1 e Lr, a qual permite a ocorrncia de uma ressonncia entre Cr e Lr, levando inverso na polaridade da tenso do capacitor. Em t1 a tenso atinge seu mximo e o diodo D1 desliga (pois a corrente se anula). O capacitor est preparado para realizar a comutao de Sp. Quanto o tiristor auxiliar, Sa, disparado, em t2, a corrente da carga passa a ser fornecida atravs do caminho formado por Lr, Sa e Cr, levando a corrente por Sp a zero, ao mesmo tempo em que se aplica uma tenso reversa sobre ele, de modo a deslig-lo.
D2 Sp i Lr Sa Vcc i Df c Vo
T
60A
iT
Cr
+ Vc +
Lo
iC vo
0
Ro
-60A 200V
D1
vC
-200V
Figura 1.18 Topologia com comutao forada de SCR e formas de onda tpicas. Continua a haver corrente por Cr, a qual, em t3, se torna igula corrente da carga, fazendo com que a variao de sua tenso assuma uma forma linear. Esta tenso cresce (no sentido negativo) at levar o diodo de circulao conduo, em t4. Como ainda existe corrente pelo indutor Lr, ocorre uma pequena oscilao na malha Lr, Sa, Cr e D2 e, quando a corrente por Sa se anula, o capacitor se descarrega at a tenso Vcc na malha formada por Cr, D1, Lr, fonte e Df.
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60A
iT
-60A 200V
ic vo
0 vc
-200V
to t1
t2 t3
t4
t5
Figura 1.19 - Detalhes das formas de onda durante comutao.

1.4.5 Redes Amaciadoras O objetivo destas redes evitar problemas advindos de excessivos valores para dv/dt e di/dt, conforme descrito anteriormente. a) O problema di/dt Uma primeira medida capaz de limitar possveis danos causados pelo crescimento excessivamente rpido da corrente de anodo construir um circuito acionador de gate adequado, que tenha alta derivada de corrente de disparo para que seja tambm rpida a expanso da rea condutora. Um reator saturvel em srie com o tiristor tambm limitar o crescimento da corrente de anodo durante a entrada em conduo do dispositivo. Alm deste fato tem-se outra vantagem adicional que a reduo da potncia dissipada no chaveamento pois, quando a corrente de anodo crescer, a tenso Vak ser reduzida pela queda sobre a indutncia. O atraso no crescimento da corrente de anodo pode levar necessidade de um pulso mais longo de disparo, ou ainda a uma seqncia de pulsos, para que seja assegurada a conduo do tiristor. b) O problema do dv/dt A limitao do crescimento da tenso direta Vak, usualmente feita pelo uso de circuitos RC, RCD, RLCD em paralelo com o dispositivo, como mostrado na figura 1.20. No caso mais simples (a), quando o tiristor comutado, a tenso Vak segue a dinmica dada por RC que, alm disso desvia a corrente de anodo facilitando a comutao. Quando o SCR ligado o capacitor descarrega-se, ocasionando um pico de corrente no tiristor, limitado pelo valor de R. No caso (b) este pico pode ser reduzido pelo uso de diferentes resistores para os processos de carga e descarga de C. No 3o caso, o pico limitado por L, o que no traz eventuais problemas de alto di/dt. A corrente de descarga de C auxilia a entrada em conduo do tiristor para obter um Ia>IL, uma vez que se soma corrente de anodo proveniente da carga. A energia acumulada no capacitor praticamente toda dissipada sobre o resistor de descarga.
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D R R1 C R2
R C
(a)
(b) (c) Figura 1.20 - Circuitos amaciadores para dv/dt.
1.4.6 Associao em Paralelo de Tiristores Desde o incio da utilizao do tiristor, em 1958, tm crescido constantemente os limites de tenso e corrente suportveis, atingindo hoje faixas de 5000 V e 4000 A. H, no entanto, diversas aplicaes nas quais necessria a associao de mais de um destes componentes, seja pela elevada tenso de trabalho, seja pela corrente exigida pela carga. Quando a corrente de carga, ou a margem de sobre-corrente necessria, no pode ser suportada por um nico tiristor, essencial a ligao em paralelo. A principal preocupao neste caso a equalizao da corrente entre os dispositivos, tanto em regime, como durante o chaveamento. Diversos fatores influem na distribuio homognea da corrente, desde aspectos relacionados tecnologia construtiva do dispositivo, at o arranjo mecnico da montagem final. Existem duas tecnologias bsicas de construo de tiristores, diferindo basicamente no que se refere regio do catodo e sua juno com a regio da porta. A tecnologia de difuso cria uma regio de fronteira entre catodo e gate pouco definida, formando uma juno nouniforme, que leva a uma caracterstica de disparo (especialmente quanto ao tempo de atraso e sensibilidade ao disparo) no homognea. A tecnologia epitaxial permite fronteiras bastante definidas, implicando numa maior uniformidade nas caractersticas do tiristor. Conclui-se assim que, quando se faz uma associao (srie ou paralela) destes dispositivos, prefervel empregar componentes de construo epitaxial. Em ligaes paralelas de elementos de baixa resistncia, um fator crtico para a distribuio de corrente so variaes no fluxo concatenado pelas malhas do circuito, dependendo, pois, das indutncias das ligaes. Outro fator importante relaciona-se com a caracterstica do coeficiente negativo de temperatura do dispositivo, ou seja, um eventual desequilbrio de corrente provoca uma elevao de temperatura no SCR que, por sua vez, melhora as condies de condutividade do componente, aumentando ainda mais o desequilbrio, podendo lev-lo destruio. Uma primeira precauo para reduzir estes desbalanceamentos realizar uma montagem de tal maneira que todos os tiristores estejam a uma mesma temperatura, o que pode ser feito, por exemplo, pela montagem em um nico dissipador. No que se refere indutncia das ligaes, a prpria disposio dos componentes em relao ao barramento afeta significativamente esta distribuio de corrente. Arranjos cilndricos tendem a apresentar um menor desequilbrio. 1.4.6.1 Estado estacionrio Alm das consideraes j feitas quanto montagem mecnica, algumas outras providncias podem ser tomadas para melhorar o equilbrio de corrente nos tiristores:
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a) Impedncia srie A idia adicionar impedncias em srie com cada componente a fim de limitar o eventual desequilbrio. Se a corrente crescer num ramo, haver aumento da tenso, o que far com que a corrente se distribua entre os demais ramos. O uso de resistores implica no aumento das perdas, uma vez que dado o nvel elevado da corrente, a dissipao pode atingir centenas de watts, criando problemas de dissipao e eficincia. Outra alternativa o uso de indutores lineares. b) Reatores acoplados Conforme ilustrado na figura 1.21, se a corrente por SCR1 tende a se tornar maior que por SCR2, uma fora contra-eletro-motriz aparecer sobre a indutncia, proporcionalmente ao desbalanceamento, tendendo a reduzir a corrente por SCR1. Ao mesmo tempo uma tenso induzida do outro lado do enrolamento, aumentando a corrente por SCR2. As mais importantes caractersticas do reator so alto valor da saturao e baixo fluxo residual, para permitir uma grande excurso do fluxo a cada ciclo.
.
(a)
. . . .
(b)
.
(c)
Figura 1.21 - Equalizao de corrente com reatores acoplados

1.4.6.2 Disparo H duas caractersticas do tiristor bastante importantes para boa diviso de corrente entre os componentes no momento em que se deve dar o incio da conduo: o tempo de atraso (td) e a mnima tenso de disparo (Vonmin). O tempo de atraso pode ser interpretado como o intervalo entre a aplicao do sinal de gate e a real conduo do tiristor. A mnima tenso de disparo o valor mnimo da tenso direta entre anodo e catodo com a qual o tiristor pode ser ligado por um sinal adequado de porta. Recorde-se, da caracterstica esttica do tiristor, que quanto menor a tenso Vak, maior deve ser a corrente de gate para levar o dispositivo conduo. Diferenas em td podem fazer com que um componente entre em conduo antes do outro. Com carga indutiva este fato no to crtico pela inerente limitao de di/dt da carga, o que no ocorre com cargas capacitivas e resistivas. Alm disso, como Vonmin maior que a queda de tenso direta sobre o tiristor em conduo, possvel que outro dispositivo no consiga entrar em conduo.
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Esta situao crtica quando se acoplam diretamente os tiristores, sendo minimizada atravs dos dispositivos de equalizao j descritos e ainda por sinais de porta de durao maior que o tempo de atraso.
1.4.6.3 Desligamento Especialmente com carga indutiva, deve-se prever algum tipo de arranjo que consiga manter o equilbrio de corrente mesmo que haja diferentes caractersticas entre os tiristores (especialmente relacionadas com os tempos de desligamento). A capacitncia do circuito amaciador limita o desbalanceamento, uma vez que absorve a corrente do tiristor que comea a desligar. 1.4.6.4 Circuito de disparo A corrente de gate deve ser alvo de atenes. O uso de um nico circuito de comando para acionar todos os tiristores minimiza os problemas de tempos de atraso. Alm disso, devese procurar usar nveis iguais de corrente e tenso de gate, uma vez que influem significativamente no desempenho do disparo. Para minimizar os efeitos das diferenas nas junes gate-catodo de cada componente pode-se fazer uso de um resistor ou indutor em srie com o gate, para procurar equalizar os sinais. importante que se tenha atingido a corrente de disparo (IL) antes da retirada do pulso de gate, o que pode levar necessidade de circuitos mais elaborados para fornecer a energia necessria. Uma seqncia de pulsos tambm pode ser empregada. 1.4.7 Associao em srie de tiristores Quando o circuito opera com tenso superior quela suportvel por um nico tiristor, preciso associar estes componentes em srie, com precaues para garantir a distribuio equilibrada de tenso entre eles. Devido a diferenas nas correntes de bloqueio, capacitncias de juno, tempos de atraso, quedas de tenso direta e recombinao reversa, redes de equalizao externa so necessrias, bem como cuidados quanto ao circuito de disparo. A figura 1.22 indica uma possvel distribuio de tenso numa associao de 3 tiristores, nas vrias situaes de operao. Durante os estados de bloqueio direto e reverso (I e VI), diferenas nas caractersticas de bloqueio resultam em desigual distribuio de tenso em regime. Ou seja, o tiristor com menor condutncia quando bloqueado ter de suportar a maior tenso. interessante, ento, usar dispositivos com caractersticas o mais prximas possvel. Os estados de conduo (III e IV) no apresentam problema de distribuio de tenso. Estados II e V representam um desbalanceamento indesejado durante os transientes de disparo e comutao. No estado II o tempo de atraso do SCR1 consideravelmente mais longo que o dos outros e, assim, ter que, momentaneamente, suportar toda a tenso. O estado V resulta dos diferentes tempos de recombinao dos componentes. O primeiro a se recombinar suportar toda a tenso. 1.4.7.1 Estado estacionrio O mtodo usual de equalizar tenses nas situaes I e VI colocar uma rede resistiva com cada resistor conectado entre anodo e catodo de cada tiristor. Estes resistores representam consumo de potncia, sendo desejvel usar os de maior valor possvel. O projeto do valor da resistncia deve considerar a diferena nos valores das correntes de bloqueio direta e reversa.
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I 1200V Bloqueio direto + 1000V II Conduo parcial + 1200V III Conduo direta + 1.0V IV Conduo reversa + 0.9V V Recuperao reversa parcial 0.7V VI Bloqueio reverso
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T1
100V
T2
50V
6V
1.1V
1.0V
0.7V
900V
T3
150V
5V
0.9V
0.8V
1200V +
200V +
5mA
10mA
50A
10A
10mA
10mA
Figura 1.22 - Tenses em associao de tiristores sem rede de equalizao.

1.4.7.2 Disparo Um mtodo que pode ser usado para minimizar o desequilbrio do estado II fornecer uma corrente de porta com potncia suficiente e de rpido crescimento, para minimizar as diferenas relativas ao tempo de atraso. A largura do pulso deve ser tal que garanta a continuidade da conduo de todos os tiristores. 1.4.7.3 Desligamento Para equalizar a tenso no estado V, um capacitor ligado entre anodo e catodo de cada tiristor. Se a impedncia do capacitor suficientemente baixa e/ou se utiliza a constante de tempo necessria, o crescimento da tenso no dispositivo mais rpido ser limitado at que todos se recombinem. Esta implementao tambm alivia a situao no disparo, uma vez que realiza uma injeo de corrente no tiristor, facilitando a entrada em conduo de todos os dispositivos. Mas se o capacitor providencia excelente equalizao de tenso, o pico de corrente injetado no componente no disparo pode ser excessivo, devendo ser limitado por meio de um resistor em srie com o capacitor. interessante um alto valor de R e baixo valor de C para, com o mesmo RC, obter pouca dissipao de energia. Mas se o resistor for de valor muito elevado ser imposta uma tenso de rpido crescimento sobre o tiristor, podendo ocasionar disparo por dv/dt. Usa-se ento um diodo em paralelo com o resistor, garantindo um caminho de carga para o capacitor, enquanto a descarga se faz por R. O diodo deve ter uma caracterstica suave de recombinao para evitar efeitos indesejveis associados s indutncias parasitas das ligaes. Recomenda-se o uso de capacitores de baixa indutncia parasita. A figura 1.23 ilustra tais circuitos de equalizao.
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R D
R D
R D
Equalizao Dinmica
Rs
Rs
Rs
Equalizao esttica Figura 1.23 - Circuito de equalizao de tenso em associao srie de tiristores.
1.4.7.4 Circuito de disparo Em muitas aplicaes, devido necessidade de isolamento eltrico entre o circuito de comando e o de potncia, o sinal de disparo deve ser isolado por meio de algum dispositivo como, por exemplo, transformadores de pulso ou acopladores ticos, como mostra a figura 1.24. a) Transformador de pulso Neste caso, tem-se transformadores capazes de responder apenas em alta frequncia, mas que possibilitam a transferncia de pulsos de curta durao (at centenas de microsegundos), aps o que o transformador satura. Caso seja necessrio um pulso mais largo, ele poder ser obtido por meio de um trem de pulsos, colocando-se um filtro passa-baixas no lado de sada. Com tais dispositivos deve-se prever algum tipo de limitao de tenso no secundrio (onde est conectado o gate), a fim de evitar sobretenses. Quando se usar transformador de pulso preciso garantir que ele suporte pelo menos a tenso de pico da alimentao. Como as condies de disparo podem diferir cosideravelmente entre os tiristores, comum inserir uma impedncia em srie com o gate para evitar que um tiristor com menor impedncia de gate drene o sinal de disparo, impedindo que os demais dispositivos entrem em conduo. Esta impedncia em srie pode ser um resistor ou um capacitor, que tornaria mais rpido o crescimento do pulso de corrente. b) Acoplamento luminoso O acoplamento tico apresenta como principal vantagem a imunidade a interferncias eletromagnticas, alm da alta isolao de potencial. Dois tipos bsicos de acopladores so usados: os opto-acopladores e as fibras ticas. No primeiro caso tem-se um dispositivo onde o emissor e o receptor esto integrados, apresentando uma isolao tpica de 2500 V. J para as fibras ticas, o isolamento pode ser de centenas de kV. A potncia necessria para o disparo provida por duas fontes: uma para alimentar o emissor (em geral a prpria fonte do circuito de controle) e outra para o lado do receptor. Eventualmente, a prpria carga armazenada no capacitor do circuito amaciador (ou rede de equalizao), atravs de um transformador de corrente, pode fornecer a energia para o lado do receptor, a partir da corrente que circula pelo tiristor, assegurando potncia durante todo o perodo de conduo.
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+Vcc +
+V
..
Req Pulsos Req
Pulsos
Figura 1.24 Circuitos de acionamento de pulso.

1.4.8 Sobre-tenso As funes gerais da proteo contra sobre-tenso so: assegurar, to rpido quanto possvel, que qualquer falha em algum componente afete apenas aquele tiristor diretamente associado ao componente; aumentar a confiabilidade do sistema; evitar reaes na rede (como excitao de ressonncias). Estas sobre-tenses podem ser causadas tanto por aes externas como por distribuio no homognea das tenses entre os dispositivos. Em aplicaes onde as perdas provocadas pelos resistores de equalizao devem ser evitadas, a distribuio de tenso pode ser realizada pelo uso de retificadores de avalanche controlada, que tambm atuam no caso de sobre-tenses. Uma possvel restrio ao uso de supressores de sobre-tenso (geralmente de xido metlico, os varistores), que a falha em um certo componente (um curto em um tiristor) pode levar a uma sobrecarga nos demais supressores, provocando uma destruio em cascata de todos. A fim de evitar disparos indesejados dos tiristores em virtude do aumento repentino da tenso, superando o limite de dv/dt ou o valor da mxima tenso direta de bloqueio, deve-se manter uma polarizao negativa no terminal da porta, aumentado o nvel de tenso suportvel. 1.4.9 Resfriamento As caractersticas do tiristor so fornecidas a uma certa temperatura da juno. O calor produzido na pastilha deve ser dissipado, devendo transferir-se da pastilha para o encapsulamento, deste para o dissipador e da para o meio de refrigerao (ar ou lquido). Este conjunto possui uma capacidade de armazenamento de calor, ou seja, uma constante de tempo trmica, que permite sobrecargas de corrente por perodos curtos. Tipicamente esta constante da ordem de 3 minutos para refrigerao a ar. A temperatura de operao da juno deve ser muito menor que o mximo especificado. Ao aumento da temperatura corresponde uma diminuio na capacidade de suportar tenses no estado de bloqueio. Tipicamente esta temperatura no deve exceder 120oC. O sistema de refrigerao deve possuir redundncia, ou seja, uma falha no sistema deve por em operao um outro, garantindo a troca de calor necessria. Existem vrias maneiras de implementar as trocas: circulao externa de ar filtrado, circulao interna de ar (com trocador de calor), refrigerao com lquido, etc. A escolha do tipo de resfriamento influenciada pelas condies ambientais e preferncias do usurio.
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1.5 GTO - Gate Turn-Off Thyristor
O GTO, embora tenha sido criado no incio da dcada de 60, por problemas de fraco desempenho foi pouco utilizado. Com o avano da tecnologia de construo de dispositivos semicondutores, novas solues foram encontradas para aprimorar tais componentes, que hoje ocupam significativa faixa de aplicao, especialmente naquelas de elevada potncia, uma vez que esto disponveis dispositivos para 5000V, 4000A.
1.5.1 Princpio de funcionamento O GTO possui uma estrutura de 4 camadas, tpica dos componentes da famlia dos tiristores. Sua caracterstica principal sua capacidade de entrar em conduo e bloquear atravs de comandos adequados no terminal de gate. O mecanismo de disparo semelhante ao do SCR: supondo-o diretamente polarizado, quando a corrente de gate injetada, circula corrente entre gate e catodo. Grande parte de tais portadores, como a camada de gate suficientemente fina, desloca-se at a camada N adjacente, atravessando a barreira de potencial e sendo atrados pelo potencial do anodo, dando incio corrente andica. Se esta corrente se mantiver acima da corrente de manuteno, o dispositivo no necessita do sinal de gate para manter-se conduzindo. A figura 1.25 mostra o smbolo do GTO e uma representao simplificada dos processos de entrada e sada de conduo do componente. A aplicao de uma polarizao reversa na juno gate-catodo pode levar ao desligamento do GTO. Portadores livres (lacunas) presentes nas camadas centrais do dispositivo so atrados pelo gate, fazendo com que seja possvel o restabelecimento da barreira de potencial na juno J2.
Rg Vcc P+ NEntrada em conduo J1 A G Vcc Desligamento P+ NRg P N+ K
Regio de Transio
J2 J3 N+ P
Vg Rg
Rg
Vg
Figura 1.25 - Smbolo, processos de chaveamento e estrutura interna de GTO.
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Aparentemente seria possvel tal comportamento tambm no SCR. As diferenas, no entanto, esto no nvel da construo do componente. O funcionamento como GTO depende, por exemplo, de fatores como: facilidade de extrao de portadores pelo terminal de gate - isto possibilitado pelo uso de dopantes com alta mobilidade desaparecimento rpido de portadores nas camadas centrais - uso de dopante com baixo tempo de recombinao. Isto implica que um GTO tem uma maior queda de tenso quando em conduo, comparado a um SCR de mesmas dimenses. suportar tenso reversa na juno porta-catodo, sem entrar em avalanche - menor dopagem na camada de catodo absoro de portadores de toda superfcie condutora - regio de gate e catodo muito interdigitada, com grande rea de contato. Diferentemente do SCR, um GTO pode no ter capacidade de bloquear tenses reversas. Existem 2 possibilidades de construir a regio de anodo: uma delas utilizando apenas uma camada p+, como nos SCR. Neste caso o GTO apresentar uma caracterstica lenta de comutao, devido maior dificuldade de extrao dos portadores, mas suportar tenses reversas na juno J2. A outra alternativa, mostrada na figura 1.26, introduzir regies n+ que penetrem na regio p+ do anodo, fazendo contato entre a regio intermediria n- e o terminal de anodo. Isto, virtualmente, curto-circuita a juno J1 quando o GTO polarizado reversamente. No entanto, torna-o muito mais rpido no desligamento (com polarizao direta). Como a juno J3 formada por regies muito dopadas, ela no consegue suportar tenses reversas elevadas. Caso um GTO deste tipo deva ser utilizado em circuitos nos quais fique sujeito a tenso reversa, ele deve ser associado em srie com um diodo, o qual bloquear a tenso.
placa de contato do catodo
metalizao do catodo metalizao do gate
J3 J2 J1
n+
n+ p np+ n+ p+ anodo
n+
n+
p+
Figura 1.26 - Estrutura interna de GTO rpido (sem bloqueio reverso)

1.5.2 Parmetros bsicos do GTO Os smbolos utilizados pelos diversos fabricantes diferem, embora as grandezas representadas sejam, quase sempre, as mesmas.
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Vdrxm - Tenso de pico, repetitiva, de estado desligado: sob condies dadas, a mxima tenso instantnea permissvel, em estado desligado, que no ultrapasse o dv/dt mximo, aplicvel repetidamente ao GTO. It - Corrente (RMS) de conduo: mxima corrente (valor RMS) que pode circular continuamente pelo GTO. Itcm - Corrente de conduo repetitiva controlvel: mxima corrente repetitiva, cujo valor instantneo ainda permite o desligamento do GTO, sob determinadas condies. I2t: escala para expressar a capacidade de sobrecorrente no-repetitiva, com respeito a um pulso de curta durao. utilizado no dimensionamento dos fusveis de proteo. di/dt: taxa de crescimento mxima da corrente de anodo. Vgrm - Tenso reversa de pico de gate repetitiva: mxima tenso instantnea permissvel aplicvel juno gate-catodo. dv/dt: mxima taxa de crescimento da tenso direta de anodo para catodo. IH - corrente de manuteno: Corrente de anodo que mantm o GTO em conduo mesmo na ausncia de corrente de porta. IL - corrente de disparo: corrente de anodo necessria para que o GTO entre em conduo com o desligamento da corrente de gate. tgt - tempo de disparo: tempo entre a aplicao da corrente de gate e a queda da tenso Vak. tgq - tempo de desligamento: tempo entre a aplicao de uma corrente negativa de gate e a queda da corrente de anodo (tgq=ts+tf) ts - tempo de armazenamento
1.5.3 Condies do sinal de porta para chaveamento Desde que, geralmente, o GTO est submetido a condies de alto di/dt, necessrio que o sinal de porta tambm tenha rpido crescimento, tendo um valor de pico relativamente elevado. Deve ser mantido neste nvel por um tempo suficiente (tw1) para que a tenso Vak caia a seu valor de conduo direta. conveniente que se mantenha a corrente de gate durante todo o perodo de conduo, especialmente se a corrente de anodo for pequena, de modo a garantir o estado "ligado". A figura 1.27 ilustra as formas de corrente recomendadas para a entrada em conduo e tambm para o desligamento. Durante o intervalo "ligado" existe uma grande quantidade de portadores nas camadas centrais do semicondutor. A comutao do GTO ocorrer pela retirada destes portadores e, ainda, pela impossibilidade da vinda de outros das camadas ligadas ao anodo e ao catodo, de modo que a barreira de potencial da juno J2 possa se restabelecer. O grande pico reverso de corrente apressa a retirada dos portadores. A taxa de crescimento desta corrente relaciona-se com o tempo de armazenamento, ou seja, o tempo decorrido entre a aplicao do pulso negativo e o incio da queda (90%) da corrente de anodo. Quanto maior for a derivada, menor o tempo. Quando a corrente drenada comea a cair, a tenso reversa na juno gate-catodo cresce rapidamente, ocorrendo um processo de avalanche. A tenso negativa de gate deve ser mantida prxima ao valor da tenso de avalanche. A potncia dissipada neste processo controlada (pela prpria construo do dispositivo). Nesta situao a tenso Vak cresce e o GTO desliga. Para evitar o disparo do GTO por efeito dv/dt, uma tenso reversa de porta pode ser mantida durante o intervalo de bloqueio do dispositivo. O ganho de corrente tpico, no desligamento, baixo (de 5 a 10), o que significa que, especialmente para os GTOs de alta corrente, o circuito de acionamento, por si s, envolve a manobra de elevadas correntes.
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t gq Ifgm Ifg ts
tr
Vr dIrg dt Vrg (tenso negativa do circuito de comando) avalanche
t w1 Vgk Ig
Irg
Figura 1.27 - Formas de onda tpicas do circuito de comando de porta de GTO.

1.5.4 Circuitos amaciadores (snubber) 1.5.4.1 Desligamento Durante o desligamento, com o progressivo restabelecimento da barreira de potencial na juno reversamente polarizada, a corrente de anodo vai se concentrando em reas cada vez menores, concentrando tambm os pontos de dissipao de potncia. Uma limitao da taxa de crescimento da tenso, alm de impedir o gatilhamento por efeito dv/dt, implicar numa reduo da potncia dissipada nesta transio. O circuito mais simples utilizado para esta funo uma rede RCD, como mostrado na figura 1.28. Supondo uma corrente de carga constante, ao ser desligado o GTO, o capacitor se carrega com a passagem da corrente da carga, com sua tenso vaiando de forma praticamente linear. Assim, o dv/dt determinado pela capacitncia. Quando o GTO entrar em conduo, este capacitor se descarrega atravs do resistor. A descarga deve ocorrer dentro do mnimo tempo em conduo previsto para o GTO, a fim de assegurar tenso nula inicial no prximo desligamento. A resistncia no pode ser muito baixa, a fim de limitar a impulso de corrente injetado no GTO.
D R C
Figura 1.28 Circuito amaciador de desligamento tipo RCD. A energia armazenada no capacitor ser praticamente toda dissipada em R. Especialmente em aplicaes de alta tenso e alta freqncia, esta potncia pode assumir valores excessivos. Em tais casos deve-se buscar solues ativas, nas quais a energia acumulada no capacitor seja devolvida fonte ou carga . A potncia a ser retirada do capacitor dada por:
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p cap =
C V2 fs 2
(1.5)
onde V a tenso de alimentao e fs a freqncia de chaveamento. Como exemplo, suponhamos um circuito alimentado em 1000V, operando a 1kHz com um capacitor de 1F. Isto significa uma potncia de 500W!
1.5.4.2 Entrada em conduo A limitao de di/dt nos GTOs muito menos crtica do que para os SCR. Isto se deve interdigitao entre gate e catodo, o que leva a uma expanso muito mais rpida da superfcie em conduo, no havendo significativa concentrao de corrente em reas restritas. O problema relacionado ao crescimento da corrente refere-se, para um GTO, principalmente, potncia dissipada na entrada em conduo do dispositivo. Com carga indutiva, dada a necessria existncia de um diodo de livre-circulao (e o seu inevitvel tempo de desligamento), durante alguns instantes em que o GTO j se encontra conduzindo, sobre ele tambm existe uma tenso elevada, produzindo um pico de potncia sobre o componente. Este fato agravado pela corrente reversa do diodo e ainda pela descarga do capacitor do snubber de desligamento (caso exista). A figura 1.29 ilustra este comportamento.
V Io carga Lcarga Df Ia Io Ls V Ia Vak Rs Vak V Vak Df
R carga
Ds
Figura 1.29 - GTO acionando carga indutiva e amaciador para desligamento. Para reduzir este efeito, um circuito amaciador para o disparo pode ser necessrio, com o objetivo de reduzir a tenso sobre o GTO em sua entrada em conduo, pode-se utilizar um circuito amaciador formado, basicamente, por um indutor com ncleo saturvel, que atue de maneira significativa apenas durante o incio do crescimento da corrente, mas sem armazenar uma quantidade significativa de energia.
1.5.5 Associaes em srie e em paralelo Nas situaes em que um componente nico no suporte a tenso ou a corrente de uma dada aplicao, faz-se necessrio associar componentes em srie ou em paralelo. Nestes casos os procedimentos so similares queles empregados, descritos anteriormente, para os SCRs.
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1.6 Transistor Bipolar de Potncia (TBP) 1.6.1 Princpio de funcionamento A figura 1.30 mostra a estrutura bsica de um transistor bipolar.
Rc Vcc N+ C NJ2 P J1 N+
E Vb Rb
Figura 1.30 - Estrutura bsica de transistor bipolar A operao normal de um transistor feita com a juno J1 (B-E) diretamente polarizada, e com J2 (B-C) reversamente polarizada. No caso NPN, os eltrons so atrados do emissor pelo potencial positivo da base. Esta camada central suficientemente fina para que a maior parte dos portadores tenha energia cintica suficiente para atravess-la, chegando regio de transio de J2, sendo, ento, atrados pelo potencial positivo do coletor. O controle de Vbe determina a corrente de base, Ib, que, por sua vez, se relaciona com Ic pelo ganho de corrente do dispositivo. Na realidade, a estrutura interna dos TBPs diferente. Para suportar tenses elevadas, existe uma camada intermediria do coletor, com baixa dopagem, a qual define a tenso de bloqueio do componente. A figura 1.31 mostra uma estrutura tpica de um transistor bipolar de potncia. As bordas arredondadas da regio de emissor permitem uma homogeneizao do campo eltrico, necessria manuteno de ligeiras polarizaes reversas entre base e emissor. O TBP no sustenta tenso no sentido oposto porque a alta dopagem do emissor provoca a ruptura de J1 em baixas tenses (5 a 20V). O uso preferencial de TBP tipo NPN se deve s menores perdas em relao aos PNP, o que ocorre por causa da maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas, reduzindo, principalmente, os tempos de comutao do componente.
B E N+ 10e19 cm-3 10e16 cm-3 10 u 5 a 20 u C N10e14 cm-3 50 a 200 u B E N+ 10e19 cm-3 250 u (substrato)
Figura 1.31 Estrutura interna de TPB e seu smbolo
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1.6.2 Limites de tenso A tenso aplicada ao transistor encontra-se praticamente toda sobre a juno J2 a qual, tipicamente, est reversamente polarizada. Existem limites suportveis por esta juno, os quais dependem principalmente da forma como o comando de base est operando, conforme se v nas figuras 1.32 e 1.33. Com o transistor conduzindo (Ib>0) e operando na regio ativa, o limite de tenso Vce Vces o qual, se atingido, leva o dispositivo a um fenmeno chamado de primeira ruptura. O processo de primeira ruptura ocorre quando, ao se elevar a tenso Vce, provoca-se um fenmeno de avalanche em J2. Este acontecimento no danifica, necessariamente, o dispositivo. Se, no entanto, a corrente Ic se concentrar em pequenas reas, o sobreaquecimento produzir ainda mais portadores e destruir o componente (segunda ruptura). Com o transistor desligado (Ib=0) a tenso que provoca a ruptura da juno J2 maior, elevando-se ainda mais quando a corrente de base for negativa. Isto uma indicao interessante que, para transistores submetidos a valores elevados de tenso, o estado desligado deve ser acompanhado de uma polarizao negativa da base.
Ic Vces Ic Vceo Vcbo Ic
Ib>0
Ib=0
Ib<0
Figura 1.32 - Tipos de conexo do circuito de base e mximas tenses Vce.

1.6.3 rea de Operao Segura (AOS) A AOS representa a regio do plano Vce x Ic dentro da qual o TBP pode operar sem se danificar. A figura 1.34 mostra uma forma tpica de AOS. medida que a corrente se apresenta em pulsos (no-repetitivos) a rea se expande. Para pulsos repetitivos deve-se analisar o comportamento trmico do componente para se saber se possvel utiliz-lo numa dada aplicao, uma vez que a AOS, por ser definida para um nico pulso, uma restrio mais branda. Esta anlise trmica feita com base no ciclo de trabalho a que o dispositivo est sujeito, aos valores de tenso e corrente e impedncia trmica do transistor, a qual fornecida pelo fabricante.
Ic segunda ruptura primeira ruptura
Ib4 Ib3 Ib2 Ib1 Ib=0 Vces Ib4>Ib3>Ib2>Ib1>0 Vceo Vce Vcbo Ib<0
Figura 1.33 - Caracterstica esttica de transistor bipolar.
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log Ic Ic max
10 us A 100 us B C
1 us
Ic DC
D log Vce
Figura 1.34 - Aspecto tpico de AOS de TBP A: Mxima corrente contnua de coletor B: Mxima potncia dissipvel (relacionada temperatura na juno) C: Limite de segunda ruptura D: Mxima tenso Vce
1.6.4 Regio de quase-saturao Consideremos o circuito mostrado na figura 1.35, e as curvas estticas do TBP ali indicadas. Quando Ic cresce, Vce diminui, dada a maior queda de tenso sobre R. medida que Vce se reduz, caminha-se no sentido da saturao. Os TBP apresentam uma regio chamada de quase-saturao gerada, principalmente, pela presena da camada N- do coletor. semelhana da carga espacial armazenada nos diodos, nos transistores bipolares tambm ocorre estocagem de carga. A figura 1.36 mostra a distribuio de carga esttica no interior do transistor para as diferentes regies de operao. Na regio ativa, J2 est reversamente polarizada e ocorre uma acumulao de eltrons na regio da base. Quando se aproxima da saturao, J2 fica diretamente polarizada, atraindo lacunas da base para o coletor. Tais lacunas associam-se a eltrons vindos do emissor e que esto migrando pelo componente, criando uma carga espacial que penetra a regio N-. Isto representa um "alargamento" da regio da base, implicando na reduo do ganho do transistor. Tal situao caracteriza a chamada quase-saturao. Quando esta distribuio de carga espacial ocupa toda a regio N- chega-se, efetivamente, saturao. claro que no desligamento toda esta carga ter que ser removida antes do efetivo bloqueio do TBP, o que sinaliza a importncia do timo circuito de acionamento de base para que o TBP possa operar numa situao que minimize a tempo de desligamento e a dissipao de potncia (associada ao valor de Vce).
saturao Ic Vcc/R regio ativa R Ib Vce Vcc quase-saturao
corte Vcc Vce
Figura 1.35 - Regio de quase-saturao do TBP.
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Coletor N+ Nquasesaturao
Base P e-
Emissor N+
saturao
regio ativa base virtual
Figura 1.36 - Distribuio da carga esttica acumulada no TBP

1.6.5 Ganho de corrente O ganho de corrente dos TBP varia com diversos parmetros (Vce, Ic, temperatura), sendo necessrio, no projeto, definir adequadamente o ponto de operao. A figura 1.37 mostra uma variao tpica do ganho. Em baixas correntes, a recombinao dos portadores em trnsito leva a uma reduo no ganho, enquanto para altas correntes tem-se o fenmeno da quase-saturao reduzindo o ganho, como explicado anteriormente. Para uma tenso Vce elevada, a largura da regio de transio de J2 que penetra na camada de base maior, de modo a reduzir a espessura efetiva da base, o que leva a um aumento do ganho.
ganho de corrente
Vce = 2V (125 C) Vce = 400 V (25 C) Vce = 2 V (25 C)
log Ic
Figura 1.37 - Comportamento tpico do ganho de corrente em funo da tenso Vce, da temperatura e da corrente de coletor.
1.6.6 Caractersticas de chaveamento As caractersticas de chaveamento so importantes pois definem a velocidade de mudana de estado e ainda determinam as perdas no dispositivo relativas s comutaes, que so dominantes nos conversores de alta freqncia. Definem-se diversos intervalos considerando operao com carga resistiva ou indutiva. O sinal de base, para o desligamento , geralmente, negativo, a fim de acelerar o bloqueio do TBP.
a) Carga resistiva A figura 1.38 mostra formas de onda tpicas para este tipo de carga. O ndice "r' se refere a tempos de subida (de 10% a 90% dos valores mximos), enquanto "f" relaciona-se aos tempos de descida. O ndice "s" refere-se ao tempo de armazenamento e "d" ao tempo de atraso.
td: tempo de atraso
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Corresponde a tempo de descarregamento da capacitncia da juno b-e. Pode ser reduzido pelo uso de uma maior corrente de base com elevado dib/dt.
tri: tempo de crescimento da corrente de coletor Este intervalo se relaciona com a velocidade de aumento da carga estocada e depende da corrente de base. Como a carga resistiva, uma variao de Ic provoca uma mudana em Vce. ts: tempo de armazenamento Intervalo necessrio para retirar (Ib<0) e/ou neutralizar os portadores estocados no coletor e na base tfi: tempo de queda da corrente de coletor Corresponde ao processo de bloqueio do TBP, com a travessia da regio ativa, da saturao para o corte. A reduo de Ic depende de fatores internos ao componente, como o tempo de recombinao, e de fatores externos, como o valor de Ib (negativo). Para obter um desligamento rpido deve-se evitar operar com o componente alm da quase-saturao, de modo a tornar breve o tempo de armazenamento.
b) Carga indutiva Seja Io>0 e constante durante a comutao. A figura 1.39 mostra formas de onda tpicas com este tipo de carga. b.1) Entrada em conduo Com o TBP cortado, Io circula pelo diodo (=> Vce=Vcc). Aps td, Ic comea a crescer, reduzindo Id (pois Io constante). Quando Ic=Io, o diodo desliga e Vce comea a diminuir. Alm disso, pelo transistor circula a corrente reversa do diodo. b.2) Bloqueio Com a inverso da tenso Vbe (e de Ib), inicia-se o processo de desligamento do TBP. Aps tsv comea a crescer Vce. Para que o diodo conduza preciso que Vce>Vcc. Enquanto isto no ocorre, Ic=Io. Com a entrada em conduo do diodo, Ic diminui, medida que Id cresce (tfi). Alm destes tempos definem-se outros para carga indutiva: tti: (tail time): Queda de Ic de 10% a 2%; tc ou txo: intervalo entre 10% de Vce e 10% de Ic.
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100% 90% Sinal de base

ton=ton(i) td=tdi tri
10%
toff=toffi ts=tsi tfi 90%
Corrente de coletor
10% ton(v) tdv tfv tsv toff(v) trv
+Vcc 90% Tenso Vce 10%
Vce(sat) CARGA RESISTIVA
Figura 1.38 - Caracterstica tpica de chaveamento de carga resistiva

Vb
Io Lcarga Df
td Ic Io
R carga Vcc Ic Vce Vce Vcc tsv tti
Figura 1.39 - Formas de onda com carga indutiva

1.6.7 Circuitos amaciadores (ou de ajuda comutao) - "snubber" O papel dos circuitos amaciadores garantir a operao do TBP dentro da AOS, especialmente durante o chaveamento de cargas indutivas.
a) Desligamento - Objetivo: atrasar o crescimento de Vce (figura 1.40) Quando Vce comea a crescer, o capacitor Cs comea a se carregar (via Ds), desviando parcialmente a corrente, reduzindo Ic. Df s conduzir quando Vce>Vcc. Quando o transistor ligar o capacitor se descarregar por ele, com a corrente limitada por Rs. A energia acumulada em Cs ser, ento, dissipada sobre Rs. Sejam as formas de onda mostradas na figura 1.41. Consideremos que Ic caia linearmente e que Io aproximadamente constante. Sem o circuito amaciador, supondo desprezvel a capacitncia entre coletor e emissor, assim que o transistor inicia seu
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desligamento, a corrente de coletor que vinha crescendo (ou estava constante), muda sua derivada tendendo a diminuir. Isto produz uma tenso sobre a carga que leva o diodo de livrecirculao conduo, de modo que a tenso Vce cresce praticamente para o valor da tenso de alimentao. Com a incluso do circuito amaciador, o diodo Df s conduzir quando a tenso no capacitor Cs atingir Vcc. Assim, considerando que Ic decai linearmente, a corrente por Cs cresce linearmente e a tenso sobre ele tem uma forma quadrtica. Fazendo-se com que Cs complete sua carga quando Ic=0, o pico de potncia se reduzir a menos de 1/4 do seu valor sem circuito amaciador (supondo trv=0) O valor de Rs deve ser tal que permita toda a descarga de Cs durante o mnimo tempo ligado do TBP e, por outro lado, limite o pico de corrente em um valor inferior mxima corrente de pico repetitiva do componente. Deve-se usar o maior Rs possvel.
Io log Ic Lcarga Df Io Cs R carga Vcc Ic Cs Vce Ds Rs Vcs Vcc log Vce sem amaciador
Figura 1.40 - Circuito amaciador de desligamento e trajetrias na AOS

Ic Vce P Ic.Vcc Vcc Ic Vce P Vcc
tf
Figura 1.41 - Formas de onda no desligamento sem e com o circuito amaciador. b) Entrada em conduo: Objetivo: reduzir Vce e atrasar o aumento de Ic (figura 1.42)
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No circuito sem amaciador, aps o disparo do TBP, Ic cresce, mas Vce s se reduz quando Df deixar de conduzir. A colocao de Ls provoca uma reduo de Vce, alm de reduzir a taxa de crescimento de Ic. Normalmente no se utiliza este tipo de circuito, considerando que os tempos associados entrada em conduo so menores do que os de desligamento e que Ls, por ser de baixo valor, pode ser substitudo pela prpria indutncia parasita do circuito.
carga Ls Rs Ds Df Vcc
Figura 1.42 - Circuito amaciador para entrada em conduo.

1.6.8 Conexo Darlington Como o ganho dos TBP relativamente baixo, usualmente so utilizadas conexes Darlington (figura 1.43), que apresentam como principais caractersticas: - ganho de corrente = 1(2+1)+2 - T2 no satura, pois sua juno B-C est sempre reversamente polarizada - tanto o disparo quanto o desligamento so seqenciais. No disparo, T1 liga primeiro, fornecendo corrente de base para T2. No desligamento, T1 deve comutar antes, interrompendo a corrente de base de T2.
T1 T2 Figura 1.43 - Conexo Darlington. Os tempos totais dependem, assim, de ambos transistores, elevando, em princpio, as perdas de chaveamento. Considerando o caso de uma topologia em ponte (ou meia ponte), como mostrado na figura 1.44, quando o conjunto superior conduz, o inferior deve estar desligado. Deve-se lembrar aqui que existem capacitncias associadas s junes dos transistores. Quando o potencial do ponto A se eleva (pela conduo de T2) a juno B-C ter aumentada sua largura, produzindo uma corrente a qual, se a base de T3 estiver aberta, circular pelo emissor, transformando-se em corrente de base de T4, o qual poder conduzir, provocando um curto-circuito (momentneo) na fonte. A soluo adotada criar caminhos alternativos para esta corrente, por meio de resistores, de modo que T4 no conduza. Alm destes resistores, usual a incluso de um diodo reverso, de emissor para coletor, para facilitar o escoamento das cargas no processo de desligamento. Alm disso, tal diodo tem fundamental importncia no acionamento de cargas indutivas, uma vez que faz a funo do diodo de circulao.
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A capacitncias parasitas
i T3 i
T1
T2 carga
T4
Figura 1.44 - Conexo Darlington num circuito em ponte. Usualmente associam-se aos transistores em conexo Darlington, outros componentes, cujo papel garantir seu bom desempenho em condies adversas, como se v na figura 1.45.
Figura 1.45 - Conexo Darlington com componentes auxiliares.

1.6.9 Mtodos de reduo dos tempos de chaveamento Um ponto bsico utilizar uma corrente de base adequada, como mostra a figura 1.46. As transies devem ser rpidas, para reduzir os tempo de atraso. Um valor elevado Ib1 permite uma reduo de tri. Quando em conduo, Ib2 deve ter tal valor que faa o TBP operar na regio de quase-saturao. No desligamento, deve-se prover uma corrente negativa, acelerando assim a retirada dos portadores armazenados. Para o acionamento de um transistor nico, pode-se utilizar um arranjo de diodos para evitar a saturao, como mostrado na figura 1.47. Neste arranjo, a tenso mnima na juno B-C zero. Excesso na corrente Ib desviado por D1. D3 permite a circulao de corrente negativa na base.
Ib1 dib/dt Ib2 dib/dt
Ibr
Figura 1.46 - Forma de onda de corrente de base recomendada para acionamento de TBP.
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D1 D2 D3
Figura 1.47 - Arranjo de diodos para evitar saturao.

1.7 MOSFET
Enquanto o TBP foi inventado no final dos anos 40, j em 1925 fora registrada uma patente (concedida em 1930 a Julius Edgard Lilienfeld, reproduzida na figura 1.48) que se referia a um mtodo e um dispositivo para controlar o fluxo de uma corrente eltrica entre dois terminais de um slido condutor. Tal patente, que pode ser considerada a precursora dos Transistores de Efeito de Campo, no entanto, no redundou em um componente prtico, uma vez que no havia, ento, tecnologia que permitisse a construo dos dispositivos. Isto se modificou nos anos 60, quando surgiram os primeiros FETs, mas ainda com limitaes importantes em termos de caractersticas de chaveamento. Nos anos 80, com a tecnologia MOS, foi possvel construir dispositivos capazes de comutar valores significativos de corrente e tenso, em velocidade superior ao que se obtinha com os TBP.
1.7.1 Princpio de funcionamento (canal N) O terminal de gate isolado do semicondutor por SiO2. A juno PN- define um diodo entre Source e Drain, o qual conduz quando Vds<0. A operao como transistor ocorre quando Vds>0. A figura 1.49 mostra a estrutura bsica do transistor. Quando uma tenso Vgs>0 aplicada, o potencial positivo no gate repele as lacunas na regio P, deixando uma carga negativa, mas sem portadores livres. Quando esta tenso atinge um certo limiar (Vth), eltrons livres (gerados principalmente por efeito trmico) presentes na regio P so atrados e formam um canal N dentro da regio P, pelo qual torna-se possvel a passagem de corrente entre D e S. Elevando Vgs, mais portadores so atrados, ampliando o canal, reduzindo sua resistncia (Rds), permitindo o aumento de Id. Este comportamento caracteriza a chamada "regio resistiva". A passagem de Id pelo canal produz uma queda de tenso que leva ao seu afunilamento, ou seja, o canal mais largo na fronteira com a regio N+ do que quando se liga regio N-. Um aumento de Id leva a uma maior queda de tenso no canal e a um maior afunilamento, o que conduziria ao seu colapso e extino da corrente! Obviamente o fenmeno tende a um ponto de equilbrio, no qual a corrente Id se mantm constante para qualquer Vds, caracterizando a regio ativa do MOSFET. A figura 1.50 mostra a caracterstica esttica do MOSFET, Uma pequena corrente de gate necessria apenas para carregar e descarregar as capacitncias de entrada do transistor. A resistncia de entrada da ordem de 1012 ohms. Estes transistores, em geral, so de canal N por apresentarem menores perdas e maior velocidade de comutao, devido maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas.
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Fig. 1.48 - Pedido de patente de transistor FET
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Vdd Vgs
S N+ P NN+
G +++++++++++++++
- - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - ---------------- - - - - - - -- - - --
-Id
-Id
D SiO2 metal
Smbolo
Figura 1.49 - Estrutura bsica de transistor MOSFET. A mxima tenso Vds determinada pela ruptura do diodo reverso. Os MOSFETs no apresentam segunda ruptura uma vez que a resistncia do canal aumenta com o crescimento de Id. Este fato facilita a associao em paralelo destes componentes. A tenso Vgs limitada a algumas dezenas de Volts, por causa da capacidade de isolao da camada de SiO2.
Id
regio resistiva Vgs3 Vgs2 Vgs1 regio ativa
Vdso vgs3>Vgs2>Vgs1
Vds
Figura 1.50 - Caracterstica esttica do MOSFET.

1.7.2 rea de Operao Segura A figura 1.51 mostra a AOS dos MOSFET. Para tenses elevadas ela mais ampla que para um TBP equivalente, uma vez que no existe o fenmeno de segunda ruptura. Para baixas tenses, entretanto, tem-se a limitao da resistncia de conduo.
A: Mxima corrente de dreno contnua B: Limite da regio de resistncia constante C: Mxima potncia (relacionada mxima temperatura de juno) D: Mxima tenso Vds
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log Id Id pico Id cont B A C D Vdso log Vds
Figura 1.51 - AOS para MOSFET.

1.7.3 Caracterstica de chaveamento - carga indutiva a) Entrada em conduo (figura 1.52) Ao ser aplicada a tenso de acionamento (Vgg), a capacitncia de entrada comea a se carregar, com a corrente limitada por Rg. Quando se atinge a tenso limiar de conduo (Vth), aps td, comea a crescer a corrente de dreno. Enquanto Id<Io, Df se mantm em conduo e Vds=Vdd. Quando Id=Io, Df desliga e Vds cai. Durante a reduo de Vds ocorre um aparente aumento da capacitncia de entrada (Ciss) do transistor (efeito Miller), fazendo com que a variao de Vgs se torne muito mais lenta (em virtude do "aumento" da capacitncia). Isto se mantm at que Vds caia, quando, ento, a tenso Vgs volta a aumentar, at atingir Vgg.
Vgg V+ Io Vgs Vth Cgd Id Id=Io Vdd V+ Df
Vds Vds on td CARGA INDUTIVA
Rg Vgg Vgs Cgs
Cds Vds Id
Figura 1.52 - Formas de onda na entrada em conduo de MOSFET com carga indutiva. Na verdade, o que ocorre que, enquanto Vds se mantm elevado, a capacitncia que drena corrente do circuito de acionamento apenas Cgs. Quando Vds diminui, a capacitncia dentre dreno e source se descarrega, o mesmo ocorrendo com a capacitncia entre gate e dreno. A descarga desta ltima capacitncia se d desviando a corrente do circuito de acionamento, reduzindo a velocidade do processo de carga de Cgs, o que ocorre at que Cgd esteja descarregado.
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Os manuais fornecem informaes sobre as capacitncias operacionais do transistor (Ciss, Coss e Crss), mostradas na figura 1.53, as quais se relacionam com as capacitncias do componente por: Ciss = Cgs + Cgd , com Cds curto-circuitada Crs = Cgd Coss ~ Cds + Cgd b) Desligamento O processo de desligamento semelhante ao apresentado, mas na ordem inversa. O uso de uma tenso Vgg negativa apressa o desligamento, pois acelera a descarga da capacitncia de entrada. Como os MOSFETs no apresentam cargas estocadas, no existe o tempo de armazenamento, por isso so muito mais rpidos que os TBP.
C (nF) 4 3 2 1 0 0 10 20 30 40 Vds (V) Coss 2 Crss 1 0 0 10 20 30 40 Vds (V) C (nF) Ciss 4 3 Cds Cgd
Cgs
Figura 1.53 - Capacitncias de transistor MOSFET

1.8 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
O IGBT alia a facilidade de acionamento dos MOSFET com as pequenas perdas em conduo dos TBP. Sua velocidade de chaveamento, em princpio semelhante dos transistores bipolares, tem crescido nos ltimos anos, permitindo operao em dezenas de kHz, nos componentes para correntes na faixa de algumas dezenas de Ampres.
1.8.1 Princpio de funcionamento A estrutura do IGBT similar do MOSFET, mas com a incluso de uma camada P+ que forma o coletor do IGBT, como se v na figura 1.54. Em termos simplificados pode-se analisar o IGBT como um MOSFET no qual a regio N- tem sua condutividade modulada pela injeo de portadores minoritrios (lacunas), a partir da regio P+, uma vez que J1 est diretamente polarizada. Esta maior condutividade produz uma menor queda de tenso em comparao a um MOSFET similar. O controle de componente anlogo ao do MOSFET, ou seja, pela aplicao de uma polarizao entre gate e emissor. Tambm para o IGBT o acionamento feito por tenso. A mxima tenso suportvel determinada pela juno J2 (polarizao direta) e por J1 (polarizao reversa). Como J1 divide 2 regies muito dopadas, conclui-se que um IGBT no suporta tenses elevadas quando polarizado reversamente. Os IGBTs apresentam um tiristor parasita. A construo do dispositivo deve ser tal que evite o acionamento deste tiristor, especialmente devido s capacitncias associadas regio P, a qual relaciona-se regio do gate do tiristor parasita. Os modernos componentes no apresentam problemas relativos a este elemento indesejado.
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Gate (porta) Emissor SiO2 N+ P J2 NE N+ P+ Coletor J1 J3 N+ C B metal
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Figura 1.54 - Estrutura bsica de IGBT.

1.8.2 Caractersticas de chaveamento A entrada em conduo similar ao MOSFET, sendo um pouco mais lenta a queda da tenso Vce, uma vez que isto depende da chegada dos portadores vindos da regio P+. Para o desligamento, no entanto, tais portadores devem ser retirados. Nos TBPs isto se d pela drenagem dos portadores via base, o que no possvel nos IGBTs, devido ao acionamento isolado. A soluo encontrada foi a incluso de uma camada N+, na qual a taxa de recombinao bastante mais elevada do que na regio N-. Desta forma, as lacunas presentes em N+ recombinam-se com muita rapidez, fazendo com que, por difuso, as lacunas existentes na regio N- refluam, apressando a extino da carga acumulada na regio N-, possibilitando o restabelecimento da barreira de potencial e o bloqueio do componente. 1.9 Alguns critrios de seleo entre transistores
Um primeiro critrio o dos limites de tenso e de corrente. Os MOSFET possuem uma faixa mais reduzida de valores, ficando, tipicamente entre: 100V/200A e 1000V/20A. J os TBP e IGBT atingem potncias mais elevadas, indo at 1200V/500A. Tais limites, especialmente para os IGBTs tm se ampliado rapidamente em funo do intenso trabalho de desenvolvimento que tem sido realizado. Como o acionamento do IGBT muito mais fcil do que o do TBP, seu uso tem sido crescente, em detrimento dos TBP. Outro importante critrio para a seleo refere-se s perdas de potncia no componente. Assim, aplicaes em alta freqncia (acima de 50kHz) devem ser utilizados MOSFETs. Em freqncias mais baixas, qualquer dos 3 componentes podem responder satisfatoriamente. No entanto, as perdas em conduo dos TBPs e dos IGBTs so sensivelmente menores que as dos MOSFET. Como regra bsica: em alta freqncia: MOSFET em baixa freqncia: IGBT
1.10 MCT - Mos-Controlled Thyristor
MCT (MOS-Controlled Thyristor) um novo tipo de dispositivo semicondutor de potncia que associa as capacidades de densidade de corrente e de bloqueio de tenso tpicas
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dos tiristores, com um controle de entrada e de sada de conduo baseado em dispositivos MOS. Isto , enquanto um GTO tem o gate controlado em corrente, o MCT opera com comandos de tenso. Os MCTs apresentam uma facilidade de comando muito superior aos GTOs. Relembre-se o baixo ganho de corrente que um GTO apresenta no desligamento, exigindo um circuito de comando relativamente complexo. No entanto, os MCTs ainda (1995) no atingiram nveis de tenso e de corrente comparveis aos dos GTOs, estando limitados a valores da ordem de 2000V e 600A. O fato do MCT ser construdo por milhares de pequenas clulas, muito menores do que as clulas que formam os GTOs, faz com que, para uma mesma rea semicondutora, a capacidade de corrente dos MCTs seja menor do que um GTO equivalente. Mas esta uma limitao tecnolgica atual, associada capacidade de construirem-se maiores quantidades de clulas com certeza de funcionamento correto.
1.10.1 Princpio de funcionamento Considerando o modelo de 2 transistores para um tiristor, um MCT pode ser representado como mostrado na figura 1.55. Nesta figura tambm se mostra uma seco transversal de uma clula do dispositivo. Um componente formado pela associao em paralelo de milhares de tais clulas construdas numa mesma pastilha. Em um MCT de canal P (P-MCT) o MOSFET responsvel pela entrada em conduo do tiristor (on-FET) tambm de canal P, sendo levado conduo pela aplicao de uma tenso negativa no terminal de gate. Estando o anodo positivo, a conduo do on-FET realiza uma injeo de portadores na base do transistor NPN, levando o componente conduo. Uma vez que o componente formado pela associao de dezenas de milhares de clulas, e como todas elas entram em conduo simultaneamente, o MCT possui excelente capacidade de suportar elevado di/dt. O MCT permanecer em conduo at que a corrente de anodo caia abaixo do valor da corrente de manuteno (como qualquer tiristor), ou ento at que seja ativado o off-FET, o que se faz pela aplicao de uma tenso positiva no gate. A conduo do off-FET, ao curto-circuitar a juno base-emissor do transistor PNP ( possvel tambm uma estrutura que curto-circuita as junes base-emissor de ambos os transistores), reduz o ganho de corrente para um valor menor do que 1, levando ao bloqueio do MCT. A queda de tenso deve ser menor que Vbe. O MCT no apresenta o efeito Miller, de modo que no se observa o patamar de tenso sobre o gate, o qual pode ser modelado apenas como uma capacitncia. Esta capacidade de desligamento est associada a uma intensa interdigitao entre o off-FET e as junes, permitindo absorver portadores de toda superfcie condutora do anodo (e do catodo). Assim como um GTO assimtrico, o MCT no bloqueia tenso reversa acima de poucas dezenas de volts, uma vez que as camadas n+ ligadas ao anodo curto-circuitam a juno J1, e a juno J3, por estar associada a regies de dopagem elevada, no tem capacidade de sustentar tenses mais altas. possvel, no entanto, faz-los com bloqueio simtrico, tambm sacrificando a velocidade de chaveamento. O sinal de gate deve ser mantido, tanto no estado ligado quanto no desligado, a fim de evitar comutaes (por "latch-down" ou por dv/dt) indesejveis. Na figura 1.56 mostra-se uma comparao entre a queda de tenso entre os terminais principais, em funo da densidade de corrente, para componentes (MCT, IGBT e MOSFET). Nota-se que o MCT apresenta tenses muito menores do que os transistores, devido sua caracterstica de tiristor. Ou seja, as perdas em conduo deste dispositivo so
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consideravelmente menores, representando uma de suas principais caractersticas no confronto com outros componentes.
off-FET canal N
. . .
K
A G n+ on-FET canal P ganho alto p

on-FET off-FET canal canal
G n+ p+ n pn+ p
off-FET on-FET canal canal
A G
K metal
ganho baixo
SiO2 condutor
Figura 1.55 - Circuito equivalente de MCT canal P; corte transversal de uma clula e smbolo do componente. Mantendo o off-FET operando durante o estado bloqueado, tem-se que a corrente de fuga circula por tal componente auxiliar, resultando numa melhoria na capacidade de bloqueio, mesmo em altas temperaturas. Devido a este desvio da corrente atravs do MOSFET, o limite de temperatura est associado ao encapsulamento, e no a fenmenos de perda da capacidade de bloqueio. Isto significa que possvel oper-los em temperaturas bem mais elevadas do que os outros componentes como, por exemplo, 250 oC. Devido elevada densidade de corrente, e conseqente alto limite de di/dt, suportvel pelo MCT, circuitos amaciadores devem ser considerado basicamente para o desligamento, podendo ser implementados apenas com um capacitor entre anodo e catodo, uma vez que sua descarga sobre o MCT no momento de entrada em conduo deste, no problemtico.
1.10.2 Comparao entre P-MCT e N-MCT possvel construir MCTs que so ligados por um MOSFET de canal N, e desligado por um MOSFET de canal P, como mostrado na figura 1.57. Este componente entra em conduo quando um potencial positivo aplicado ao gate, desligando com uma tenso negativa. Como o anodo est em contato apenas com uma camada P, este dispositivo capaz de sustentar tenses com polarizao reversa. Sabe-se que um MOSFET canal N mais rpido e apresenta menor queda de tenso do que um MOSFET canal P.
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D e n s id a d e d e c o rre n te [A /c m2 ]
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P -M C T
1000
N -IG B T 100
10
N -M O S F E T
0 ,5
1 ,5
2 ,5
T en so d e co n d u o [V ]
Figura 1.56 - Comparao entre componentes para 600V, com 1 s de tempo de desligamento, desprezando a resistncia do encapsulamento.
A G K
G p+ nn+ p np+ SiO2 condutor metal A p+ noff-FET on-FET canal canal
on-FET canal N G
. .
K
on-FET off-FET canal canal
G K
off-FET canal P
Figura 1.57 - Circuito equivalente de MCT canal N; corte transversal de uma clula e smbolo do componente. Assim, um P-MCT, por ser desligado por um MOSFET canal N capaz de comutar uma corrente de anodo 2 a 3 vezes maior do que a que se obtm em um N-MCT. Em contraposio, por ser ligado por um MOSFET canal P, a entrada em conduo mais lenta do que a que se tem em um N-MCT. A queda no MOSFET deve ser menor que 0,7V, para garantir que o TB parasita no conduza. Esta queda de tenso se d com a passagem da totalidade da corrente de anodo pelo MOSFET.
1.11 Materiais Emergentes
Silcio atualmente (1997) praticamente o nico material utilizado para a fabricao de componentes semicondutores de potncia. Isto se deve ao fato de que tem-se tecnologia para fazer o crescimento de monocristais de silcio com pureza e em dimetro suficientes, o que ainda no possvel para outros materiais.
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Existem, no entanto, outros materiais com propriedades superiores, em relao ao silcio, mas que ainda no so produzidos em dimenses e grau de pureza necessrios fabricao de componentes de potncia. Arseneto de Glio (GaAs) um destes materiais. Por possui um maior gap de energia, sempre em relao ao silcio, dispositivos construdos a partir deste material apresentam menor corrente de fuga e, assim, poderiam operar em temperaturas mais elevadas. Uma vez que a mobilidade dos portadores muito maior no GaAs, tem-se um componente com menor resistncia de conduo, especialmente nos dispositivos com conduo por portadores majoritrios (MOSFET). Alm disso, por apresentar uma maior intensidade de campo eltrico de ruptura, ele poderia suportar maiores tenses. A tabela 1.1 mostra propriedades de diversos materiais a partir dos quais pode-se, potencialmente, produzir dispositivos semicondutores de potncia. Carbetos de Silcio so materiais sobre os quais fazem-se intensas pesquisas. O gap de energia maior que o dobro do Si, permitindo operao em temperaturas elevadas. Adicionalmente apresenta elevada condutividade trmica (que baixa para GaAs), facilitando a dissipao do calor produzido no interior do semicondutor. Sua principal vantagem em relao tanto ao Si quanto ao GaAs a intensidade de campo eltrico de ruptura, que aumentada em uma ordem de grandeza. Outro material de interesse potencial o diamante. Apresenta, dentre todos estes materiais, o maior gap de energia, a maior condutividade trmica e a maior intensidade de campo eltrico, alm de elevada mobilidade de portadores. Uma outra anlise pode ser feita comparando o impacto dos parmetros mostrados na tabela 1.1 sobre algumas caractersticas de componentes (hipotticos) construdos com os novos materiais. As tabelas 1.2 a 1.4 mostram as variaes de alguns parmetros. Tome-se os valores do Si como referncia. Tabela 1.1 Propriedades de materias semicondutores Propriedade Si GaAs 3C-SiC 6H-SiC Gap de energia a 300K (eV) 1,12 1,43 2,2 2,9 Condutividade trmica (W/cm.C) 1,5 0,5 5,0 5,0 Mobilidade a 300K (cm2/V.s) 1400 8500 1000 600 5 5 6 Campo eltrico mximo (V/cm) 3.10 4.10 4.10 4.106 Temperatura de fuso (C) 1415 1238 Sublima Sublima >> 1800 >>1800 * Diamante grafite Diamante 5,5 20 2200 1.107 Muda de fase 2200*
Nota-se (tabela 1.2) que as resistncias da regio de deriva so fortemente influenciadas pelos materiais. Estes valores so determinados considerando as grandezas indicadas na tabela 1.1. A resistncia de um componente de diamante teria, assim, um valor cerca de 30000 vezes menor do que tem-se hoje num componente de Si. O impacto sobre a reduo das perdas de conduo bvio. Na tabela 1.3 tem-se, para um dispositivo que deve suportar 1kV, as necessidades de dopagem e o comprimento da regio de deriva. Nota-se tambm aqui que os novos materiais permitiro uma reduo drstica no comprimento dos dispositivos, implicando numa menor quantidade de material, embora isso no necessariamente tenha impacto sobro o custo. Um dispositivo de diamante seria, em princpio, capaz de suportar 1kV com uma dopagem elevada na regio de deriva e num comprimento de apenas 2m, ou seja, 50 vezes menos que um componente equivalente de Si.
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Na tabela 1.4 tem-se expressa a reduo no tempo de vida dos portadores no interior da regio de deriva. Este parmetro tem implicaes sobre a velocidade de comutao dos dispositivos, sendo, assim, espervel que componentes de diamante, sejam algumas ordens de grandeza mais rpidos que os atuais componentes de Si. Material Resistncia relativa Tabela 1.2 Resistncia hmica da regio de deriva Si GaAs SiC -2 1 6,4.10 9,6.10-3 Diamante 3,7.10-5
Tabela 1.3 Dopagem e comprimento da regio de deriva necessrio para uma juno abrupta suportar 1kV Material Si GaAs SiC Diamante Dopagem (cm-3) 1,3.1014 5,7.1014 1,1.1016 1,5.1017 100 50 10 2 Comprimento (m) Tabela 1.4 Tempo de vida de portador (na regio de deriva) para uma juno pn com ruptura de 1000V Material Si GaAs SiC Diamante 40 ns 7 ns Tempo de vida 0,11 s 1,2 s Muitos problemas tecnolgicos ainda devem ser solucionados para que estes materiais se constituam-se, efetivamente, em alternativas para o Si. Silcio um material que vem sendo estudado h quase meio sculo e com enormes investimentos. O mesmo no ocorre com os demais materiais. O GaAs vem sendo estudado nas ltimas 2 dcadas, mas com uma nfase em dispositivos rpidos, seja para aplicaes computacionais, seja em comunicaes ticas. No existe ainda tecnologia para produzir pastilhas com o grau de pureza e dimenso necessrias construo de componentes de potncia. Alm disso, em relao ao Si, este material no possui um xido natural (como o SiO2), dificultando a formao de camadas isolantes e de mscaras para os processos litogrficos. Em 1994 a Motorola anunciou o lanamento comercial de diodo schottky de 600V. No entanto, embora para este componente especfico o aumento da tenso seja significativo, as vantagens do GaAs sobre o Si so incrementais, quando comparadas com os outros materiais. O estgio de desenvolvimento dos SiC ainda mais primitivo nos aspectos do processamento do material para obter-se a pureza necessria, nas dimenses requeridas para estas aplicaes de potncia. Quanto ao diamante, no existe ainda uma tecnologia para construo de "waffers" de monocristal de diamante. Os mtodos existentes para produo de filmes finos levam a estruturas policristalinas. A difuso seletiva de dopantes e a realizao de contatos hmicos ainda devem ser objeto de profundas pesquisas.
1.12 Referncias Bibliogrficas
Grafham, D.R. e Golden, F.b., editors: SCR Manual. General Electric, 6o ed., 1979, USA. Rice, L.R., editor: SCR Designers Handbook. Westinghouse Electric Co., 1970, USA Hoft, R.G., editor: SCR Applications Handbook. International Rectifiers, 1977, USA
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