CURSO

FISICA ELECTRONICA

PROFESOR: TEMA: CARRERA: CICLO: ALUMNO:

Mendoza Nolorbe Juan UNION P-N Ingeniera de Sistemas e Informtica IV Chipoco Romero Jorge Ramn

1. Ingresa al siguiente link: UNION P-N lee atentamente las indicaciones, desarrllalo y envalo por el mismo medio: Ingresa a la siguiente pgina web y explora los applets mostrados, luego redacta en un documento en MS Word explicando lo que muestra cada applet, dos pginas por cada uno. Utiliza imgenes en tu explicacin. 1) UNION P-N Los semiconductores extrnsecos de tipo p y de tipo n tienen poca utilidad por s mismos, sin embargo, debido a las propiedades fsicas de los mismos, estudiados en las lecciones anteriores, la unin de un semiconductor de tipo p con otro de tipo n presenta la importante caracterstica de facilitar el paso de la corriente elctrica en un sentido y no en el contrario lo que la hace muy til en numerosas aplicaciones de las que veremos algunos ejemplos en este captulo. La unin p-n es el elemento bsico y fundamental de toda la electrnica de semiconductores, y decimos que est en equilibrio cuando no est conectada a un circuito o no est polarizada, lo cual vamos a analizar en esta seccin. En la siguiente seccin estudiaremos la unin p-n polarizada. Vamos a estudiar, en primer lugar, de forma cualitativa los fundamentos fsicos que caracterizan la unin pn: la distribucin de los portadores de carga, la densidad Volumtrica de carga , el campo elctrico Er, y la diferencia de potencial de contacto V0 que estn presentes en la denominada zona de transicin de la unin pn.

A la temperatura de 0 K los portadores de carga, electrones libres en la zona n y huecos en la zona p, estn ligados a sus respectivos tomos, pero a temperatura ambiente los dos tipos de portadores estn libres para la conduccin elctrica debido a los importantes gradientes de concentracin de huecos y electrones libres en la zona de la unin, huecos de la zona p pasan por difusin hacia la zona n y electrones de la zona n pasan a la zona p.

2) LEY DE SHOCKLEY El modelo matemtico ms empleado en el estudio del diodo es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

Donde:

I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD la diferencia de tensin entre sus extremos. IS es la corriente de saturacin (aproximadamente 10 12A) q es la carga del electrn T es la temperatura absoluta de la unin k es la constante de Boltzmann n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio). El trmino VD = kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del orden de 26 mV a temperatura ambiente (300 K 27 C). Con objeto de evitar el uso de exponenciales (a pesar de ser uno de los modelos ms sencillos), en ocasiones se emplean modelos ms simples an, que modelizan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos recto

3) DIODOS DE CONMUTACION Los diodos de conmutacin o rpidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con seales de tipo digital o lgico que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves. El factor o parmetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperacin inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unin P-N en desalojar la carga elctrica que acumula, cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulacin de carga de un condensador), y recibe sbitamente un cambio de tensin que la polariza en sentido directo. Pueden ser considerados rpidos aquellos diodos con un TRR inferior a 400 nanosegundos, en modelos de media potencia, para los de baja potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos.

DIODO DE CONMUTACION RAPIDA

DIODO DE CONMUTACION LENTA

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