Dispositivos de Potencia

66.25 Dispositivos Semiconductores - FIUBA Dr. Ing. Ariel Lutenberg

Organizacin de la clase 1. Introduccin a la electrnica de potencia 2. Diodos de potencia 3. Modelo trmico y clculo de disipadores 4. Tiristores 5. Transistores de potencia 6. Conclusiones

1.Introduccin a la electrnica de potencia

Objetivos de la clase: Entender las aplicaciones de la electrnica de potencia. Conocer diferentes dispositivos de potencia y sus usos.

Definicin de electrnica de potencia: Es la aplicacin de dispositivos electrnicos al control y conversin de energa elctrica. Ejemplos: Control de motores, calefaccin, sistemas de iluminacin, fuentes de alimentacin, etc.

1.Introduccin a la electrnica de potencia

Dispositivos semiconductores de potencia:
Se pueden clasificar en cinco tipos: 1. Diodos de potencia 2. Tiristores 3. TBJ de potencia (Transistores bipolares de juntura) 4. MOSFET de potencia 5. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors)

1. Diodos de potencia

Sus terminales son nodo y ctodo. Conduce slo cuando Va > Vk (equivale a un cable). Si Vk > Va el diodo no conduce (equivale a un circuito abierto).

1.Introduccin a la electrnica de potencia

2. Tiristores
Sus terminales son: nodo, ctodo y compuerta (gate). Slo conduce cuando Va > Vk, y se inyecta una corriente por el Gate (entonces A-K equivale a un cable). La nica forma de apagarlo es forzando Va < Vk .

3. TBJ (Transistor bipolar de juntura)

Sus terminales son emisor, base y colector. Slo conduce cuando VBE > 0.7V Si adems IB es suficientemente grande, entonces C-E equivale a un cable.

1.Introduccin a la electrnica de potencia

4. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
Sus terminales son gate, source y drain. Es un dispositivo de conmutacin rpida (ms rpido que TBJ). Slo conduce si VD > VS y VG > VS (n-MOSFET), entonces D-S equivale a un cable.

5. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Sus terminales son gate, emisor y colector. Combina las mejores caractersticas del TBJ y del MOSFET. Slo conduce si VC > VE y VG > VE (nIGBT), entonces C-E equivale a un cable.

1.Introduccin a la electrnica de potencia

Caractersticas tpicas de los dispositivos

Tipo Diodo Tiristor TBJ MOSFET IGBT

Tensin de Corriente Tiempo Resistencia Costo ruptura mxima encendido serie relativo 5000 V 5000 V 600 V 500 V 1200 V 5000 A 5000 A 250 A 50 A 400 A 0,2 us 200 us 2 us 0,5 us 2 us 0,2 m 0,2 m 15 m 0,4 m 2,5 m Bajo Medio Alto Alto Muy alto

Dispositivos con terminal de encendido

1.Introduccin a la electrnica de potencia

Ejemplo de uso de los dispositivos:

Lo intento apagar

Dispositivos con control de apagado

1.Introduccin a la electrnica de potencia

Ejemplo de uso de los dispositivos:
La corriente de base es significativa Debe permanecer encendido Lo intento apagar

La corriente de gate es despreciable

1.Introduccin a la electrnica de potencia

Clasificacin de los circuitos electrnicos de potencia: Los dispositivos permiten convertir potencia elctrica: 1. 2. 3. 4. 5. Rectificadores con diodos AC-DC (salida fija) Conversores AC-DC (rectificadores controlados) Conversores AC-AC (ac voltage controllers) Conversores DC-DC (dc choppers) Conversores DC-AC (inverters)

1.Introduccin a la electrnica de potencia

1. Rectificadores con diodos Ejemplo N1:

1.Introduccin a la electrnica de potencia

1. Rectificadores con diodos Ejemplo N2:

Funcionamiento:

t1

t2

1.Introduccin a la electrnica de potencia

2. Conversores AC-DC - Ejemplo:

ngulo de disparo Pulso de encendido

Cambiando el ngulo de disparo se modifica VDC

VDC

1.Introduccin a la electrnica de potencia

3. Conversores AC-AC - Ejemplo: Cambiando el ngulo de disparo se modifica VAC ngulo de disparo VDC = 0 VAC (eficaz)

1.Introduccin a la electrnica de potencia

4. Conversores DC-DC - Ejemplo: Tiempo de disparo

Diodo de proteccin

VDC

Cambiando el duty cycle (t1) se modifica VDC

1.Introduccin a la electrnica de potencia

5. Conversores DC-AC - Ejemplo: Semi-periodo de disparo

Cambiando el disparo se modifica VAC

1.Introduccin a la electrnica de potencia

Efectos indeseados:
stos circuitos operan encendiendo y apagndose constantemente, lo que introduce ruido en: La tensin de salida La fuente de alimentacin Esto genera problemas: Inyecta ruido en la carga Inyecta ruido en la fuente de alimentacin Produce interferencia en circuitos cercanos Para reducir estos problemas se puede: Usar filtros de entrada y de salida Elegir el circuito ms conveniente Usar blindaje electromagntico

2.Diodos de potencia
Esquema del diodo:

Curvas caractersticas:

2.Diodos de potencia
Ecuacin del diodo: Donde: ID = corriente que circula por el diodo [A] VD = tensin Va-Vd [V] IS = corriente de saturacin inversa (10-6 a 10-15A) n = coeficiente de emisin (1 a 2) VT = voltaje trmico: q = carga del electrn (1.6022 * 10-19 C) T = temperatura [K] k = constante de Boltzmann (1.38 * 10-3 J/K)

En directa (VD >> VT) : En inversa (VD < 0) : En ruptura (VD < VBR)

2.Diodos de potencia
Tiempo de recuperacin inversa
Al apagar el diodo sigue circulando corriente por un corto tiempo tb:

- En algunos circuitos esta corriente IRR puede ser crtica. - Se puede clasificar a los diodos segn su recovery time en tres tipos: Standard o general-purpose Diodos Fast-recovery Diodos Schottky

2.Diodos de potencia
Diodos de propsito general:
Tiempo de recuperacin ~ 10 s 1A-6000A / 400V-3600V / VF = 1.2V Usados en aplicaciones de baja frecuencia (rectificadores de red)

Diodos Fast-recovery:

Tiempo de recuperacin ~ 0.1 a 10 s 30A-200A / 400V-1500V / VF = 1.2V Usados como conversores DC-DC o DC-AC (inversores, UPS)

Diodos Schottky (metal-semiconductor):

Tiempo de recuperacin ~ 0.005 s 1A-120A / 15V-150V / VF = 0.7V Usados en alta frecuencia (fuentes conmutadas, cargadores de bateras)

2.Diodos de potencia
Encapsulado DO-5:

Funcin del encapsulado: Conexin elctrica Disipacin trmica Aislamiento elctrico

2.Diodos de potencia

2.Diodos de potencia
Corrientes y tensiones mximas
Condiciones mximas en directa: IFAV : Intensidad media nominal para senoides rectificadas (T=110oC) IFRM : Intensidad mxima de picos de 1ms cada 20ms IFSM : Intensidad pico mximo de 10ms cada 10min Condiciones mximas en inversa: VRWM : Tensin inversa mxima en forma continua VRRM : Tensin inversa mxima de picos de 1ms cada 20ms VRSM : Tensin inversa mxima de pico de 10ms cada 10min VR : Tensin inversa de ruptura

2.Diodos de potencia
Ejemplo de hoja de datos (1/3):

2.Diodos de potencia
Ejemplo de hoja de datos (continuacin 2/3):

2.Diodos de potencia
Ejemplo de hoja de datos (continuacin 3/3): Al aumentar la corriente ID aumenta la potencia disipada y el diodo comienza a recalentarse:

- Para el silicio debe garantizarse: Tjuntura < Tjmax = 200C

3.Modelo trmico y clculo de disipadores

Clculo de disipadores
Analoga trmico - elctrica: PotdisipadaRTerm = T2-T1 I.R = V Modelo trmico equivalente:
Tj Juntura Rjc Carcaza Tc Rca Pd

Regimenes mximos

Ambiente

Ta

Las caractersticas trmicas del diodo se definen segn: Forma tpica (Tj=125C): Pdja @Ta=25C = 25W Rjc = 1,4 C/W Alternativa (Tj=125C): Pdja @Ta=25C = 25W Pdjc @Tc=25C = 70W

T ambiente

Frecuentemente (Tj=125C) : Ocasionalmente (Tj=125C) : Pdjc @Tc=25C = 70W Rjc = 1,4 C/W derate = 0,25 W/C Rca = 2,6 C/W Estos cuatro casos son exactamente equivalentes (demostrarlo).

3.Modelo trmico y clculo de disipadores

Clculo de disipadores
Pdja @ Tamb = 25 C : 25 W Pdjc @ Tcase = 25 C : 70 W y sabiendo que Pd = 4 W y Ta = 50 C, determine si debe usarse disipador. Solucin: A partir del modelo trmico: Pdja. (Rjc + Rca) + Ta = Tjmax Pdjc . Rjc + Tcase = Tjmax Del enunciado: Rjc = Tjmax Tc = 125 C 25 C = 1,4 C/W Pdjc 70 W Rca = Tjmax Ta - Rjc = 125 C 25 C - 1,4 C/W = 2,6 C/W Pdja 25 W Entonces: Tj = 50 C + 4W ( 1,4 + 2,6 C/W) = 66C < 125C Problema: Dado un diodo con mximos:

Si no se cumple hay que usar disipador

El disipador quedara en paralelo con Rca: Rca//Rd ~ Rd, Rd = Tj Ta - Rjc Pd

3.Modelo trmico y clculo de disipadores

Ejercicio
Un transistor 2N3055 se utiliza en una etapa de salida de potencia en un circuito de audio y disipa 30W. El circuito se encuentra en montado en el interior de un gabinete dnde el aire puede alcanzar una temperatura mxima de 50 C. El fabricante indica las especificaciones de la figura. a) Indicar si en necesario o no colocar un disipador al transistor. Si el disipador es necesario calcular su resistencia trmica. b) Si por fallas en la ventilacin la temperatura dentro del gabinete aumenta a 75C, Qu le ocurre al transistor?

3.Modelo trmico y clculo de disipadores

Ejercicio - Resolucin
Tj Tc Ta R jc Rca R ja = R jc + Rca

Temperatura de Juntura [C] Temperatura de carcasa [C] Temperatura ambiente [C] Resistencia trmica juntura-carcasa [C/W] Resistencia trmica carcasa-ambiente [C/W] Resistencia trmica juntura-ambiente [C/W]

Datos del fabricante extrados de los regmenes mximos absolutos: Temperatura de juntura mxima: T mx = 200C j Disipacin de potencia mxima: P mx = 6 W @ T a = 25 C

P mx = 117W @ T c = 25 C
Por lo tanto:

R jc = R ja=

T mx T c j P @T mx
c

= =

200 25 C C = 1.50 177 W W

200 25 C C = 29.17 6 W W P @T mx C C Rca = R ja R jc = ( 29.17 1.50 ) = 27.67 W W

a

T mx T a j

3.Modelo trmico y clculo de disipadores

Puede el dispositivo sin disipador externo disipar 30W a Ta = 50C? NO!! Rja = 1/34.2mW/C = 29.2 C/W Rjc = 1/668mW/C = 1.5 C/W

Verificacin: Si P= 30 W T a = 50 C y Entonces:

, R ja= 29.17

C W

T j = R ja P + Ta = 29.17 30 C + 50 C = 925 C
>> 125C Qu hacemos?

T mx j Resulta

3.Modelo trmico y clculo de disipadores

TO-92

TO-5

TO-220

TO-247

TO-218

TO-3

3.Modelo trmico y clculo de disipadores

Mayor disipador

menor resistencia

TO-220

TO-3

3.Modelo trmico y clculo de disipadores

Incidencia de la posicin y la ventilacin forzada

3.Modelo trmico y clculo de disipadores

Diferentes tipos de aislantes

Mantenimiento de disipadores Limpieza Pulido Lubricado Ajuste

3.Modelo trmico y clculo de disipadores

Ejercicio (resolucin - continuacin)
Un transistor 2N3055 se utiliza en una etapa de salida de potencia en un circuito de audio y disipa una potencia media de 30W. El circuito se encuentra en montado en el interior de un gabinete dnde el aire puede alcanzar una temperatura mxima de 50 C. El fabricante indica las especificaciones de la figura. a) Indicar si en necesario o no colocar un disipador al transistor. Si el disipador es necesario calcular su resistencia trmica. b) Si por fallas en la ventilacin la temperatura dentro del gabinete aumenta a 75C, Qu le ocurre al transistor? Dispositivo con disipador externo:
P= 30 W

T j = 200 C
T mx = T mx P R jc c j

T a = 50 C
R jc = 1.50

C W

Tcmx = 200 C 30 1.5 C = 155 C

C R ja = 27.67 W

3.Modelo trmico y clculo de disipadores

Dispositivo con disipador externo:
P= 30 W

R jc = 1.50
R ja = 27.67

T a = 50 C
Tc = 155 C

C W

C W

Despejando:

Tc Ta = P ( Rca || Rdis )

Tc Ta 155 50 C C = = 3.5 P 30 W W 1 1 1 C = Rdis = 4 Rdis C Rca W 3.5 Rca || Rdis =

Verificando: T j = Ta + P ( Rca || Rdis + R jc ) = 50 C + 30W ( 4 || 27.67 +1.5 ) C = 199.8 C W C Qu ocurre si Ta = 75C? T j = Ta + P Rtotal = 75 C + 30W 5 = 225 C W

3.Modelo trmico y clculo de disipadores

Dispositivo con disipador externo: Conviene tener un factor de seguridad en la eleccin del disipador. En general se elige un disipador con R 30% menor a la calculada. Si el clculo da un disipador de R = 4 C/W, conviene colocar un disipador de R =0.7 x 4 C/W= 2.8 C/W. A modo de referencia, si queremos utilizar un disipador de aluminio se necesita una superficie de aletas aproximadamente de 156 cm2 de acuerdo a la siguiente frmula emprica: 2 50 cm C 50 Rdis = A= cm 156cm 2 A W 4

Para obtener 2.8 C/W el disipador tendra una superficie de aletas DOS veces mayor (318 cm2).

4.Tiristores
Para qu sirve un tiristor?

ngulo de disparo Pulso de encendido

Cambiando el ngulo de disparo se modifica VDC

VDC

El tiristor es un dispositivo unipolar con un terminal de disparo pero sin corte.

4.Tiristores
- El tiristor es uno de los principales dispositivos de potencia. - Es un sandwich PNPN que puede modelarse como dos transistores:

- Si IG = 0, entonces es un circuito abierto. - Si IG = 0 y VGK > VBO, el tiristor se dispara, se produce una realimentacin positiva (~reaccin en cadena) y se transforma en un cable (es peligroso). - Si IG > 0 y VGK < VBO, el tiristor se dispara en forma segura.

4.Tiristores
Curva caracterstica del tiristor:

VBO (tensin de ruptura): mnima tensin de Vak que dispara al tiristor. IL(corriente de latch): es la mnima corriente de encendido del tiristor. IH (corriente de retencin): mnima corriente que lo mantiene encendido. IR (corriente reversa): corriente que circula para Vk > Va.

4.Tiristores
Modos de encendido del tiristor - Trmico: La temperatura elevada puede dispararlo por corriente de fuga. - Luz: Si la luz incide sobre la juntura puede disparar al tiristor. - Por tensin: Si VAK > VBO el tiristor se enciende, pero de modo destructivo. - dv/dt: Si VAK varia rapidamente puede disparar al tiristor (no es deseable). - IG: Con IG > 0 y una tensin VAK < VBO el tiristor se enciende.

- Luego del encendido IG debe ser cero para evitar perdidas en la juntura. - No debe aplicarse IG con el tiristor en inversa, porque podra dispararse.

4.Tiristores
Circuitos de proteccin di/dt: si IT crece muy rpido no se distribuye uniformemente y se crean hot-spots - El inductor Ls ayuda a proteger al sistema

dV/dt: si VAK crece muy rpido se genera un peligroso sobrepico en IT

Al cargarse el capacitor limita dV/dt pero al descargarse nada limita la corriente

4.Tiristores
Circuitos de proteccin dV/dt: si VAK crece muy rpido se genera un peligroso sobrepico en IT

Limita la corriente de descarga del capacitor

Este circuito es muy habitual y se conoce como Snubber Circuit

4.Tiristores
Clasificacin de los tiristores: 1. Silicon control rectifier (SCRs) 2. Fast Switching Thyristors (SCRs) 3. Gate Turn-off Thyristors (GTOs) 4. Triode of Alternating Current (TRIACs) 5. Reverse Conducting Thyristors (RCTs) 6. Static Induction Thyristors (SITHs) 7. Light Activated Silicon Controlled Rectifiers (LASCRs) 8. FET Controlled Thyristors (FET-CTHs) 9. MOS Controlled Thyristors (MCTs)
(1,2)

(6) (3)

(9)

(4)

(7)

4.Tiristores
3. Gate Turn-Off thyristors (GTO): - Puede apagarse mediante una seal negativa en el gate. - Puede no bloquear la tensin inversa (fugas). - Tiene varias ventajas sobre un SCR: Requiere menos componentes circuitales. Alta velocidad de apagado. - Tiene varias ventajas sobre los transistores: Mayor capacidad de bloqueo de tensin inversa. Mejor capacidad de manejo de corrientes pico. Menor corriente de activacin (que el TBJ) Una seal de activacin mas corta

+ + +

4.Tiristores
4. Triode of Alternating Current (TRIACs):

5. Reverse Conducting Thyristor (RCT) - Tiene un diodo integrado en inversa - Se usa en inverters DC-AC y choppers DC-DC.

4.Tiristores
6. Static Inductor Thyristor (SITH): - Se apaga mediante un voltaje negativo en el gate. - Tiene alta velocidad de conmutacin y soporta grandes di/dt y dv/dt.

7. Light Activated Silicon Controlled Thyristor (LASCRs) - Se usa en aplicaciones de alto voltaje y corriente (lneas de HVDC) - Brinda completa aislacin entre el gate y la salida. - El LASCRs no se puede apagar desde el Gate.

4.Tiristores
8. FET Controlled Thyristor (FET-CTHs) - Consiste de un FET en paralelo con un tiristor. - No se puede apagar desde el Gate.

9. MOS Controlled Thyristor (MCTs): Combinan caractersticas de SCR y de MOS: 1. Baja cada de tensin nodo-ctodo. 2. Rpido encendido y apagado. 3. Bajo consumo para switcheo 4. Baja capacidad de bloqueo de Vak inverso. 5. Alta impedancia de gate. Se usa en apliaciones de baja velocidad.

4.Tiristores
Ejercicio Un SCR se utiliza en el circuito de la figura, a) Dibujar las formas de onda de tensin en el SCR y en la RL para diferentes ngulos de disparo del dispositivo. Indicar cuando la potencia disipada en la carga es mxima.

4.Tiristores
Ejercicio (resolucin) Vemos la situacin para distintos ngulos de disparos:
vs vs

t vSCR vSCR

t vR L td = 0 t
vRL

t td > 0 t

La potencia disipada en la carga es mxima cuando el disparo se produce en td = 0. Entonces, el SCR conduce durante un semiciclo completo de la seal, ya que en el semiciclo negativo el SCR se apaga.

4.Tiristores
Ejercicio Dado el circuito de la figura, graficar la forma de onda en cada uno de los dispositivos y en la carga RL en las siguientes condiciones: a. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs. b. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs. c. Los SCR no conducen en ningn momento.

Vs Vef = 220V f = 50Hz

D1 RL

SCR1 Seal disparo Seal disparo

D2 SCR2

4.Tiristores
Ejercicio (resolucin) a. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs.
D1 RL
V RL [V]

SCR1 Seal disparo Seal disparo

Vs [V]

200 0 -200 0 200 0 -200 0 0.01 0.02 0.03 Tiempo [s] 0.04 0.05 0.06 0.01 0.02 0.03 Tiempo [s] 0.04 0.05 0.06

D2 SCR2

V SRC1 [V]

200 0 -200 0 200 0 -200 0 0.01 0.02 0.03 Tiempo [s] 0.04 0.05 0.06 0.01 0.02 0.03 Tiempo [s] 0.04 0.05 0.06

V D2 [V]

V D1 [V]

200 0 -200 0 0.01 0.02 0.03 Tiempo [s] 0.04 0.05 0.06

V SCR2 [V]

200 0 -200 0 0.01 0.02 0.03 Tiempo [s] 0.04 0.05 0.06

Y qu pasa si los SCR conducen durante ciclo de la seal Vs?

4.Tiristores
Ejercicio (resolucin) b. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs.
D1 RL Seal disparo D2 SCR2
V RL [V] 200 0 -200 0 V SRC1 [V] 200 0 -200 0 200 0 -200 0 V D2 [V] 200 0 -200 0 V SCR2 [V] 200 0 -200 0 0.01 0.02 0.03 Tiempo [s] 0.04 0.05 0.06 0.01 0.02 0.03 Tiempo [s] 0.04 0.05 0.06 0.01 0.02 0.03 Tiempo [s] 0.04 0.05 0.06 0.01 0.02 0.03 Tiempo [s] 0.04 0.05 0.06 0.01 0.02 0.03 Tiempo [s] 0.04 0.05 0.06

SCR1 Seal disparo

Vs [V]

200 0 -200 0 0.01 0.02 0.03 Tiempo [s] 0.04 0.05 0.06

Y qu pasa si los SCR no conducen en ningn momento?

V D1 [V]

4.Tiristores
Ejercicio (resolucin) c. Los SCR no conducen en ningn momento.
D1 RL Seal disparo
V RL [V] Vs [V]

SCR1 Seal disparo

200 0 -200 0 200 0 -200 0 0.01 0.02 0.03 Tiempo [s] 0.04 0.05 0.06 0.01 0.02 0.03 Tiempo [s] 0.04 0.05 0.06

D2 SCR2

V SRC1 [V]

200 0 -200 0 200 0 -200 0 0.01 0.02 0.03 Tiempo [s] 0.04 0.05 0.06 0.01 0.02 0.03 Tiempo [s] 0.04 0.05 0.06

V D2 [V]

V D1 [V]

200 0 -200 0 0.01 0.02 0.03 Tiempo [s] 0.04 0.05 0.06

V SCR2 [V]

200 0 -200 0 0.01 0.02 0.03 Tiempo [s] 0.04 0.05 0.06

5.Transistores de potencia
Caractersticas
Son transistores que deben soportar grandes corrientes, tensiones y potencias. Parmetros Impedancia de entrada Ganancia en corriente Resistencia ON (saturacin) Resistencia OFF (corte) Voltaje CE/DS mx. aplicable Mxima temperatura Frecuencia de trabajo Costo MOS Alta (1010 Alta (107) Media / alta Alta Alto (1000 V) Alta (200C) Alto ) Bipolar Media (104 Baja Alta Alto (1200 V) Media (150C) Medio ) Media (10 a 100)

Alta (100-500 Khz) Baja (10-80 Khz)

El IGBT ofrece una entrada MOS y una corriente de TBJ: - Se activa por tensin (no por corriente). - Tiempos de conmutacin bajos. - Soporta mayor disipacin (como los bipolares).

5.Transistores de potencia
Caractersticas
-Una limitacin importante de todos los dispositivos es la demora en conmutar. En el TBJ las capacidades de juntura son grandes es lento.

Nos interesa que el transistor se parezca a un elemento ideal: Manejo de alta potencia. Bajo tiempos ton toff. Alta densidad de corriente. Que apagado soporte alta tensin VCE o VDS. Que soporte grandes di/dt y dv/dt.

Principios bsicos de funcionamiento - En un TBJ IC se controla IB. - En un MOS ID se controla con VGS. En ambos casos, con una potencia pequea se controla una mucho mayor.

5.Transistores de potencia
Parmetros del dispositivo:

- ICAV / IDAV: Corriente media que puede circular por un terminal. - ICM / IDM: Corriente mxima admisible de Colector o Drain. - VCEM / VDSM: Tensin mxima con base o gate abierto. - Relacin entrada/salida: hFE o para el TBJ (ganancia de corriente: dIC/dIB) gm para el MOSFET (transconductancia: dVID/dVGS).

5.Transistores de potencia
Curvas de transferencia y avalanchas del TBJ:

Funcionamiento normal

Funcionamiento extremo

- Avalancha primaria: Superada la mxima VCB con emisor abierto (VCBO), o la mxima VCE con base abierta (VCEO), la unin C-B polarizada en inversa entra en un proceso de ruptura similar al de un diodo y conduce corriente. - Avalancha secundaria: Puede darse una avalancha con tensiones por debajo de los lmites anteriores debido a la aparicin de puntos calientes (focalizacin de la intensidad de base). Est avalancha es destructiva. Debe evitarse.

5.Transistores de potencia
Tiempo de conmutacin y disipacin
- Con el transistor en saturacin o en corte las prdidas son despreciables. - Pero durante la conmutacin se produce un pico de potencia disipada:

VS

- Para minimizar la disipacin hay que reducir el tiempo de conmutacin, en el encendido y en el apagado. - Estos efectos son ms importantes en el TBJ que en el MOS

5.Transistores de potencia
Circuitos de encendido del transistor: El tiempo de conmutacin puede reducirse usando una seal adecuada:
El sobrepico acelera la conmutacin

- Para esto puede emplearse el siguiente circuito:

5.Transistores de potencia
Circuitos de encendido del transistor: Para disminuir el tiempo de apagado una opcin es el popular circuito anti-saturacin: Enclavador Baker = Baker Clamp

- El objetivo es evitar que durante la conduccin la juntura B-C est en directa (VB > VC) para as lograr minimizar el tiempo de apagado del transistor. - Cuando la tensin de control aumenta, D1 conduce una corriente IB que enciende el transistor. Entonces D2 est en inversa (no conduce). - Si la tensin de control sigue aumentando, entonces VC disminuye hasta que. D2 est en directa y conduce. Entonces D1 pierde corriente, el transistor conduce menos y VC aumenta, por lo que D2 deja de conducir. Este circuito usa una realimentacin negativa para impedir que VC sea muy baja y as logra aumentar la velocidad de apagado del transistor.

5.Transistores de potencia
Zona de operacin segura (SOA Safety Operation Area):
- La SOA indica la capacidad de disipacin de energa:

- El transistor puede estar en la zona lmite de la avalancha secundaria durante cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. - Para corrientes grandes se funden las conexiones metlicas

5.Transistores de potencia
Ejemplos de dispositivos daados:

5.Transistores de potencia
Diseo de transistores de potencia:

Para evitar la aparicin de hot-spots pueden usarse diseos con finger interleaving, donde se busca disminuir la densidad de corriente.

5.Transistores de potencia
Efecto asociado a cargas inductivas:
- Las cargas inductivas generan las condiciones de trabajo ms desfavorables:

Para carga resistiva el transistor pasa de corte a saturacin por la recta A-C-A Para carga inductiva el transistor pasa a saturacin recorriendo A-B-C-D-A: - Hay una profunda incursin en avalancha secundaria, con valor VCE >> VCC

5.Transistores de potencia
Efecto asociado a cargas inductivas:
- Para cargas inductivas tambin hay un aumento en la disipacin de potencia del transistor:

5.Transistores de potencia
Circuitos de proteccin para cargas inductivas:

Vz>Vcc

Red Snubber

- En A) y B) se limita la VCE durante el paso de saturacin a corte, proporcionando un camino para la circulacin de corriente del inductor. - En C) al cortarse el transistor la corriente pasa por el diodo y por Cs, el cual tiende a cargarse a Vcc. En saturacin Cs se descarga a travs de Rs.

5.Transistores de potencia
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT):
Es similar al MOSFET, pero con una capa p+ que forma el colector del IGBT:

- El IGBT presenta alta impedancia de entrada como los MOSFET, y bajas perdidas de conduccin como el TBJ, pero sin ruptura secundaria como el TBJ. - El IGBT es mas rpido que el TBJ, pero mas lento que el MOSFET

5.Transistores de potencia
Comparacin de distintos tipos de transistores

- Los valores no son exactos dada la gran disparidad del mercado. - En general el producto tensin-corriente es una constante (limitacin de potencia): hay MOSFET de muy alta tensin pero con corriente reducida. -Lo mismo ocurre con las frecuencias de trabajo: existen bipolares de poca potencia que trabajan a 50kHz, aunque no es lo usual.

6.Conclusiones
Prestaciones generales:

6.Conclusiones
Prestaciones generales:

6.Conclusiones
Prestaciones generales:

6.Conclusiones
Aplicaciones:

Bibliografa
- http://materias.fi.uba.ar/6625 - http://www.redeya.com - http://www.eng.uwi.tt/depts/elec/staff/rdefour/courses/index33d.html - Power Electronics: Converters, Applications and Design, Mohan, Undeland y Robbins, John Wiley & Sons, 2 Ed, Nueva York, 1995. - Eletrnica de Potncia, J. A. Pomilio, Universidade Estadual de Campinas, SP - Brasil. - Electrnica de Potencia, D. W. Hart, Valparaso University, Valparaso Indiana. Prentice Hall.