Resumo do curso Funcionamento e utilizao de um microscpio de fora atmica Introduo nanoscopia Desde o sculo XVII, quando o microscpio ptico

o foi inventado, at meados do sculo XX, quando surgiram os novos microscpios, era impossvel a visualizao de objetos de dimenses menores do que alguns milsimos de milmetros. Neste sculo, foram desenvolvidos mtodos de visualizao baseados em feixes de ons ou de eltrons. Os instrumentos pticos possuem a limitao do comprimento de onda da luz visvel e, portanto, podem apenas resolver objetos de at aproximadamente 0,5 micrmetros (1 m = 10-6 m). Dentre os microscpios inventados no sculo XX, destacam-se os microscpios eletrnicos e os microscpios de sonda, todos por varredura. A idia deste curso o estudo de um microscpio de fora atmica. Os microscpios eletrnicos so caros e requerem muito trabalho na preparao das amostras e sua utilizao. por isso que os microscpios de varredura por sonda ou SPM (do ingls scanning probe microscope), isto , sem utilizao de eltrons e sim de uma ponteira que varre a amostra, tm-se tornado to populares nos ltimos 20 anos. No Laboratrio de Nanoscopia Jorge S. Helman do CBPF, temos um componente desta famlia um AFM ou Microscpio de Fora A tmica. Seu princpio de funcionamento muito simples e a sua melhor propriedade, no compartilhada com nenhum outro aparelho de observao nessa escala, a viso da superfcie dos objetos em trs dimenses. Um AFM composto bsicamente por uma ponta ou sonda, que varre a superfcie da amostra em estudo. Mede-se a fora de interao entre os tomos da ponta e os da superfcie e, utilizando recursos computacionais, os resultados so transformados em imagens da amostra. Essas foras so de vrios tipos, mas fundamentalmente resumem-se a foras atrativas de van der Waals de orgem qumica que agem a distncias entre 100 e algumas unidades de nanmetros (1 nanmetro = 10-9 metros) e foras repulsivas que provm do princpio de excluso de Pauli e que a gem quando a ponta aproxima-se muito da superfcie e os tomos da sonda e da amostra esto to prximos que comeam a se repelir. Esta repulso eletrosttica enfraquece a fora atrativa a medida que a distncia diminui e acaba anulando-a quando a distncia entre tomos da ordem de alguns nstroms (da ordem da distncia caracterstica de uma unio qumica). Quando as foras se tornam positivas, podemos dizer que os tomos esto em contato e as foras repulsivas acabam por dominar. So inmeras as aplicaes que decorrem de este tipo de pesquisa. Investigar a superfcie de uma amostra resulta no conhecimento de propriedades chamadas tribolgicas como rugosidade, dureza, rigidez, elasticidade, atrito, ... que sero utilizadas na indstria, por exemplo, para obter revestimentos de alto impacto, pelculas protetoras, etc. A grande famlia de microscpios de varredura SPM conhecida tambm como famlia de sonda de campo prximo j que, em todas as suas variaes, utiliza uma ponteira para varrer a superfcie a ser pesquisada que permanece muito prxima ou em contato com a superfcie. Isto permite a obteno de imagens com resolues que chegam a 1 (10-10 m) no plano da superfcie e a 10 na direo perpendicular a ela.

Em 1986 Rohrer e Binnig receberam o Prmio Nobel de Fsica pela inveno do pai da famlia: o STM, sigla em ingls para microscpio de varredura por tunelamento. O AFM opera medindo as foras entre a ponteira e a amostra que dependem, em parte, da natureza da amostra e da ponteira, da distncia entre elas, da geometria da ponteira, e de qualquer contaminao que houver sobre a superfcie da amostra. As foras em funo da distncia correspondem a um potencial de interao entre tomos que do tipo Lennard-Jones, ou seja, A/d12 B/d6 . Para dois corpos eletricamente neutros e no magnticos, mantidos a distncias entre um e algumas dezenas de nanmetros, as foras de van der Waals predominam entre eles (interao atrativa a grandes distncias). A fora calculada pela deflexo do cantilever (de constante k de elasticidade de mola predeterminada) atravs da lei de Hooke F = -k x , sendo x o deslocamento do cantilever. O cantilever tem duas propriedades importantes: a constante de elasticidade da mola e sua freqncia de ressonncia. A constante de mola determina a fora entre a ponteira e a amostra quando esto prximas. O seu valor depende da geometria e do material utilizado na construo do cantilever. A escolha do cantilever sem dvida muito importante pois so necessrias grandes deflexes para atingir alta sensibilidade. Para um bom funcionamento, tambm devem ser levados em conta os fatores externos ao aparelho: os ambientais, como umidade e temperatura, e vibraes provenientes do entorno onde est localizado o aparelho, que podem vir a causar interferncias. No AFM convencional, um detetor capta a deflexo do cantilever. A fora entre a amostra e a ponteira calculada pela lei de Hooke. O mtodo de deteco por luz muito sensvel a asperezas na superfcie da amostra. Entretanto, traz a desvantagem de que o cantilever pode esquentar, mudando sua reflexo. Por isso, utiliza-se, em geral, um laser de HeNe que garante aquecimento desprezvel. Quando o cantilever se move, devido a mudanas na topografia da amostra, a luz que ele reflete se move sobre o fotodetector. O quanto o cantilever se moveu pode ser calculado a partir da diferena na intensidade de luz nos setores do fotodetector. As mudanas na sada do fotodetector so tambm utilizadas para realimentao, isto , para ajustar uma cermica piezeltrica na direo vertical z, cujo valor registrado em funo das coordenadas (x,y), para depois ser traduzido em topografia z(x,y). As coordenadas x,y tambm so monitoradas atravs de voltagens aplicadas a cermicas piezeltricas colocadas nos drives x,y do scanner, assim como em z. O controle de movimentos em distncias to pequenas possvel graas ao uso dessas cermicas piezeltricas. Estes materiais comportam-se de forma tal que ocorre uma mudana em suas dimenses quando neles aplicado um campo eltrico. Modos de fazer imagens em AFM Globalmente, os modos de fazer imagens podem ser classificados como: contato, contato intermitente e no-contato, dependendo das foras entre a ponteira e a amostra. Quando o aparelho operado na regio atrativa, o mtodo chama-se nocontato. Nesta regio, o cantilever de AFM se enverga na direo da amostra. A operao na regio repulsiva chama-se contato e o cantilever se dobra, afastando-se da amostra. O contato intermitente se produz quando o cantilever forado a oscilar a certa freqncia e a certa altura da amostra, de forma tal que periodicamente ele toca a amostra. Ou seja, a fora que age nesta forma de operao s vezes atrativa e s vezes repulsiva.

Modo de Contato Este o mtodo standard de fazer imagens em AFM. A ponteira faz um contato suave sobre a amostra o que se consegue com um cantilever de baixa constante de elasticidade (isto significa que o seu k muito menor do que o k da amostra, que mantm os tomos juntos). Ou seja, a fora repulsiva e o cantilever utilizado mole. Se o cantilever fosse duro, poderia danificar a amostra. A realimentao por deslocamento da ponteira. Na operao standard, este deslocamento usado pelo loop de realimentao para ajustar a cermica piezeltrica z, de forma tal que a fora entre a ponteira e a amostra se mantenha constante. por isso que esta forma de operao chama-se modo de fora constante ou de varredura lenta. Isto anlogo ao que ocorre com um sensor de tunelamento, no qual, quando a ponteira se move na direo da superfcie, a corrente cresce e isto faz com que a cermica se contraia, mantendo a ponta a uma distncia fixa. Se a varredura for muito rpida ou se o loop da realimentao for desligado, a cermica no conseguir seguir a forma da superfcie da amostra. Neste caso, a sada do sensor (que vem da deflexo do cantilever) utiliza-se diretamente como dado z para gerar a imagem. Este modo chama-se de fora varivel ou de varredura rpida ou ainda, de altura constante. A fora constante utilizada quando ocorre mudana significativa na altura da amostra sobre a rea varrida. A fora varivel utilizada em reas muito pequenas, com amostras muito planas, tais como corrugaes atmicas. Este modo muito eficiente tambm para construo de imagens de amostras submersas. Cermicas piezeltricas movimentam a ponteira (ou a amostra) no plano x,y por meio do sinal de sada do fotodetector. A eletrnica da ponteira realiza a realimentao atravs de outra cermica que movimenta a amostra (ou a ponteira) na direo z, que ajustada para manter constante a distncia ponteira-amostra. As deflexes do cantilever so gravadas como funo das coordenadas (x,y) determinadas pelas voltagens aplicadas s cermicas correspondentes. O sinal obtido, Vz(Vx ,Vy ) finalmente traduzido em topografia z(x,y). Para este fim, um computador armazena e processa os dados, alm de capturar o sinal de erro que vem do integrador para operar o mecanismo de posicionamento. H um software especfico para transformar os dados em imagens. Microscopia de modulao de fora A microscopia de modulao de fora, ou FMM outra variao do AFM para fazer imagens e caracterizar propriedades especficas dos materiais. Neste modo, tambm a varredura em contato e o loop de realimentao em z mantm constante a deflexo do cantilever, isto , tambm um mtodo de fora constante. A diferena consiste na aplicao de um sinal peridico ponteira ou amostra de forma tal que a amplitude de modulao do cantilever que resulta deste sinal varia de acordo com as propriedades de elasticidade do material. O sistema gera uma imagem que um mapeamento das propriedades elsticas da amostra, a partir das mudanas na amplitude de modulao do cantilever. A freqncia do sinal aplicado da ordem de centos de kc/s, o que mais rpido que a velocidade de deteco do loop de realimentao. Ento, a informao topogrfica pode ser separada das variaes locais nas propriedades elsticas do material e podem ser feitas imagens de topografia e modulao de fora simultaneamente. Microscopia de fora lateral O LFM (do ingls lateral force microscopy) uma modificao do modo standard de contato no qual se faz a imagem medindo as foras laterais sobre a amostra. Com isto se visualizam variaes de atrito na superfcie e tambm se aumenta

o contraste nas bordas. Este modo chama-se tambm microscopia de fora de atrito (FFM, do ingls frictional force microscopy). Os cantilevers usados em LFM so sempre triangulares, devido sua maior resistncia toro no contato. A varredura feita na direo a 900 do eixo maior do cantilever. A fora sempre repulsiva. A microscopia de fora lateral trabalha com um princpio similar ao de fora varivel, no qual, os movimentos do cantilever, em resposta a variaes na topografia da superfcie, so detectados por variaes na corrente do fotodetector e o que se usa para fazer a imagem a variao da corrente de sada do detetor (j a topografia feita em fora constante e utiliza-se a voltagem necessria para manter a distncia ponteira-amostra constante). Isto feito medindo a diferena entre a sada das metades superior e inferior do fotodetector [(1+2)-(3+4)]. Quando o cantilever entortado no eixo z, as intensidades relativas de luz que batem nas metades superior e inferior mudam, fornecendo assim dados topogrficos para a feitura da imagem. Como a sada dos 4 setores pode ser detectada simultnea e separadamente, os dados de topografia e fora lateral podem ser obtidos durante a mesma varredura. Quando o LFM usado em conjunto com o modo de topografia ele mostra variaes no material e tambm aumenta o contraste nas bordas agudas. Ento, ele pode ser usado para ajudar na interpretao de imagens assim como para estudos de tribologia (efeitos de contato). Mtodos com modulao Modular significa introduzir modificaes de alguma propriedade com um sinal de uma certa freqncia (em geral, alta). Esta tcnica, utilizada para modular a freqncia do cantilever, geralmente montando na sua base uma cermica piezeltrica, pela qual passa voltagem de corrente alternada capaz de causar oscilao. A relao entre a oscilao da entrada e a do cantilever depende de sua freqncia de oscilao ressonante. A oscilao do cantilever tambm depende da distncia at a amostra. Em outras palavras, depende da fora que age sobre ele, pois quanto mais perto da amostra, menor a freqncia de ressonncia, isto , o cantilever comporta-se como se a sua massa aumentasse com a proximidade da amostra. Ou seja, quando a ponteira se aproxima da amostra, sua fora sobre a amostra causar uma mudana da freqncia de ressonncia. Esta variao de freqncia, em fase ou amplitude, utilizada na medio da fora (e para controlar a realimentao). Contato intermitente Devido s foras utilizadas para varrer a ponteira em cima da amostra possvel que haja certos problemas quando da utilizao do modo de contato, para certo tipo de amostras. Por exemplo, quando a ponteira toca na camada de contaminao forma-se um menisco e o cantilever puxado contra a amostra pela tenso superficial. Como j vimos, esta fora depende da ponteira, da amostra e da camada e da ordem de 100nN. A fora do menisco e outras foras atrativas podem ser neutralizadas operando com o sistema imerso em um lquido mas, s vezes este recurso no pode ser usado pois a amostra pode deteriorar-se. Tambm devemos levar em conta que grande quantidade de amostras de diferentes tipos podem capturar cargas superficiais, coisa que tambm contribui para aumentar a fora entre a ponteira e a amostra. Ento, existe uma fora normal mnima que devemos poder controlar pois ela cria uma fora de atrito assim que comea uma varredura. Na prtica, estas foras de atrito podem ser bastante destrutivas.

O modo de tapping foi desenvolvido para atingir alta resoluo sem induzir foras de atrito destrutivas. Neste modo o cantilever oscila a quase sua freqncia de ressonncia com baixa amplitude. A ponteira pode permanecer na camada de contaminao ou sair de dentro dela, dependendo de sua espessura. Ela aproximada da amostra at que comea um contato intermitente sobre a superfcie o que causa uma reduo da amplitude de oscilao. Esta variao diretamente proporcional distncia mdia da ponteira superfcie. Em nmeros, se a separao da ordem de 10 nm, a amplitude de oscilao ser aproximadamente 20 nm pico a pico. O sistema de realimentao mantm esta amplitude constante durante a varredura. Como o contato apenas intermitente, as foras de atrito da ponteira sobre a amostra so desprezveis e portanto no haver danos. A amplitude de oscilao fixada a valores suficientemente altos (10-100 nm) de forma tal que quando a ponteira toca a superfcie o cantilever tenha suficiente fora de restaurao (devida a sua deflexo) para evitar que a ponteira fique presa na camada de contaminao devido s foras de menisco ou eletrostticas. A fora de tapping menor do que se possa imaginar pois a amostra precisa apenas absorver a energia adicional que o cantilever ganha durante cada ciclo. A realimentao se faz detectando as mudanas de amplitude. As imagens feitas neste modo dependem das foras da camada de contaminao e podem mudar quando a camada muda (isto , devido a aquecimento da amostra, variaes na umidade, na forma da superfcie, etc.). por isto que sempre muito conveniente manter as condies ambientais do laboratrio. No-contato Ressonncias de grande amplitude (HAR) Neste modo o cantilever oscila em regime de fora atrativa a sua freqncia de ressonncia, com amplitude muito alta. A amplitude das oscilaes suficientemente grande para que a ponteira entre e saia rapidamente da camada de contaminao. A fora atrativa. O cantilever duro pois um cantilever mole iria flamejar sem controle a grande amplitude. A oscilao em ressonncia, est dentro da faixa de 50-500 kHz, com amplitudes de centos de . A realimentao por deslocamento de fase ou variao de amplitude. Este modo pode ser usado para fazer imagens de amostras muito macias ou de amostras que no aderem muito bem ao substrato, j que as foras agindo sobre a amostra so muito menores que em contato. Vejamos ento, como se mede no modo que realmente de no-contato, isto , no qual a ponteira no toca a superfcie da amostra. Quando a separao entre a ponteira e a amostra de 10 a 100 nm, permanecem s as foras de interao de longo alcance, isto, van der Waals, eletrostticas e foras dipolares magnticas. Como a grandeza das foras de longo alcance, para separaes relativamente grandes, em geral muito menor (~10-12 N) que aquela das foras interatmicas de curto alcance (~10-8 N), o mtodo de deteco da fora de interao no modo de operao de no-contato normalmente diferente do de contato. Em vez de medir as deflexes quase estticas do cantilever, ele obrigado a vibrar perto de sua freqncia de ressonncia por meio de um piezeltrico e, o que se mede, so as variaes na freqncia de ressonncia que resultam da interao das foras entre a ponteira e a amostra. Como dissemos, no-contato prefervel para amostras moles, assim como quando queremos preservar a integridade da ponteira aps muitas varreduras. No

caso de amostras rgidas, as imagens de contato e no contato so as mesmas, a menos que haja uma grande camada de contaminao. Neste caso, as imagens podem ser muito diferentes. Quando operamos em contato atravessamos a camada de contaminao mas em no-contato, podemos estar fazendo a imagem da camada e no da amostra. TRIBOLOGIA O termo tribologia relativamente novo e refere-se a todas as propriedades de materiais que tm a ver com interao de interfaces em movimento relativo. Estas propriedades em geral so diferentes quando se trata de materiais de tamanhos macroscpico e microscpico. Existem na natureza fenmenos provenientes de movimento relativo que so muito importantes tanto para a indstria como para a pesquisa bsica. Atrito, lubrificao de interfaces, desgaste resultante de asperezas microscpicas e adeso, so estes fenmenos do dia a dia que, quando ocorrem em escala nanoscpica, podem ser medidos com um AFM. Com estes microscpios podemos estudar propriedades mecnicas de superfcies, atrito em escala atmica, em superfcies limpas e tambm propriedades de atrito de superfcies recobertas com filmes moleculares. A importncia da inveno do AFM para medidas de tribologia, reside em que ele tem a sensibilidade necessria para permitir a aplicao de foras fracas o suficiente para no produzir o deslocamento de tomos de sua posio, durante o contato. Nas pesquisas em escala nanomtrica, bom sempre ter em mente a ordem de grandeza da fora que pode levar a ruptura das unies qumicas. Os lubrificantes hoje em dia tm um papel muito importante na reduo do atrito e do desgaste aumentando a eficincia das peas que compe um circuito. Atualmente, os circuitos so lubrificados com filmes moleculares, isto porque em muitos casos, especialmente na indstria aeroespacial no desejvel e, s vezes impraticvel, a presena de lubrificantes lquidos. Os processos qumicos e fsicos afetam o comportamento tribolgico nas interfaces dos materiais e verifica-se que este comportamento, em escala microscpica, tambm diferente daquele em escala macroscpica. As duas maiores causas de desgaste de materiais so a quebra de junes adesivas e as deformaes plsticas das asperezas da superfcie. Tambm ocorre desgaste no processo descrito anteriormente quando a ponteira se tranca em um lugar e depois escorrega at outra posio de equilbrio, o que requer uma fora muito grande para vencer o atrito esttico. O atrito ocorre quando dois corpos em contato se pem em movimento relativo entre eles. As pesquisas em atrito microscpico so muito recentes. H evidncias que o atrito em escala atmica devido a dois fatores distintos: um conservativo e peridico e outro constante, no conservativo, e na direo oposta ao movimento. Se o movimento relativo entre a superfcie da amostra e a ponteira de AFM fosse simplesmente um movimento entre duas estruturas rgidas de tomos, a medida da fora de atrito seria apenas uma fora conservativa oscilando ao redor do zero. Uma deformao elstica lenta e reversvel da amostra ou da ponteira poderia tambm contribuir para esta fora conservativa. A origem das foras no conservativas e dependentes da direo poderia ser uma gerao de fnons (energia de vibrao da rede), histerese elstica, deformao plstica e/ou desgaste. Quando se realizam diversas varreduras com o AFM a fora de atrito mantm-se invarivel e o processo reversvel com a carga. Isto significa que para a maioria dos materiais improvvel que ocorram desgaste ou deformaes plsticas significativas. Gerao de fnons pode ocorrer de deformaes elsticas

variveis. Por exemplo, se a ponteira se tranca momentaneamente durante a varredura, quando ela se soltar resultar em uma propagao de ondas elsticas que produziro um movimento vibratrio da rede, isto , uma gerao de fnons responsvel por foras de atrito no conservativas. Por outro lado, quando a ponteira se movimenta dentro de um vale, a amostra recebe energia da extremidade da ponteira. Uma parte de esta energia devolvida ponteira e faz com que ela continue o seu percurso. A perda de energia neste processo pode resultar, por exemplo, em instabilidade da ponteira que poderia escorregar sobre a superfcie at achar outra posio de equilbrio. H ainda outro fator para uma variao no atrito nessas dimenses. Trata-se da variao das foras atrativas entre as duas superfcies. Tendo uma ponteira cuja extremidade do tipo esfrico, quando ela se aproxima de uma superfcie, a grandeza das foras de van der Waals inversamente proporcional ao quadrado da distncia de separao. Como a superfcie tem uma rugosidade caracterstica, as foras de vdW sero mais fracas sobre a cima de uma rugosidade do que na profundidade de um vale. Esta variao pode tambm contribuir para o atrito. Podemos concluir ento que o estudo de estes processos bastante complexo. A teoria de atrito regida pelas leis de Amonton, que dizem que a fora de atrito Fat proporcional fora de carga Fc e independe da rea aparente de contato: Fat = Fc , onde o coeficiente de atrito. Ento, fora de medidas de fora normal superfcie da amostra, por deteco da deflexo do cantilever nesta direo, tambm possvel estudar as foras laterais ou de atrito, detectando a toro causada ao cantilever pela varredura. A descrio analtica do atrito dinmico comeou quando foi estabelecida a lei de Amonton; foi at inventada uma disciplina, chamada mecnica de contato. Com a construo dos microscpios de fora, comeou a ser possvel o estudo e anlise de superfcies em escala atmica, seja de materiais cristalinos, amorfos ou de sistemas orgnicos. As pesquisas sobre DUREZA em filmes ultra-finos, isto , da ordem de 10 a 30 nm so de interesse no que se refere a recobrimento com camadas de proteo, para aumentar a durabilidade, por exemplo, de discos magnticos. Macroscopicamente, a dureza est determinada pela carga normal aplicada, dividida pela rea superficial. A ponteira para indentar, deve penetrar apenas o 10% da espessura do filme para evitar qualquer influncia do substrato. Para camadas de proteo de espessura da ordem de 30nm esta regra muito importante, pois se ela no for seguida, corre-se o risco de estar medindo camadas internas da amostra e substrato. As medidas de dureza em filmes ultra finos em escala micromtrica requerem aparelhos muito sensveis pois a dureza do material no s determinada pela grandeza das foras interatmicas, mas tambm pelos mecanismos de deformao utilizados. O valor da dureza pode variar tambm com os espaos vazios que o material possa ter, com as impurezas, defeitos, textura, etc. A ponteira usada para indentar deve no apenas penetrar na amostra alguns nanmetros, como tambm realiz-lo de uma forma que seja completamente reproduzvel. Isto requer um controle de carga bastante rigoroso. A caracterizao da dureza de filmes de menos de 100 nm s pode ser feita com um aparelho do tipo do AFM, j que com ele se tem a possibilidade de medir a rea indentada diretamente. Conhecendo a constante de mola do cantilever e o movimento em z da amostra, temos a carga aplicada. O quociente entre a carga aplicada e a rea de indentao, determina a dureza da amostra. As dimenses utilizadas para dureza so GPa (Pascal = Newtons/m2 ).

Os componentes importantes na tcnica de medir dureza so os sensores de fora e a ponteira, a qual deve possuir uma geometria apropriada para indentao e uma dureza maior que a da amostra a ser estudada. Por exemplo, para indentar filmes metlicos, as ponteiras de silcio so recobertas com carbono ou, em geral, com compostos contendo diamante. Outro elemento que muito importante nestas experincias o sistema de posicionamento e localizao, pois, uma vez indentada a amostra, necessrio achar exatamente o local da indentao para fazer a varredura. Uma tcnica muito utilizada fazer muitas indentaes iguais em diversos locais da amostra para no ter o problema de localizao. At recentemente, a indstria no tinha dado muita ateno micro-rugosidade. Atualmente, o seu controle tornou-se importante devido ao necessrio incremento da qualidade dos materiais. MICROSCOPIA DE FORA ELETROSTTICA (EFM) Quando duas superfcies entram em contato, em geral intercambiam cargas e, se depois se separam, ficam carregadas com cargas opostas. Isto se observa nos eventos mais corriqueiros do dia a dia, como quando passamos um pente no cabelo. A pesar disto, os fenmenos de triboeletrificao esto ainda por serem bem explicados. O modo de no-contato pode ser usado para estudos no destrutivos da distribuio de cargas eltricas sobre superfcies, usando a ponteira para detectar as foras Coulombianas eletrostticas, que so de longo alcance se comparadas com as de vdW. Como resultado da interao atrativa entre a carga superficial local e a carga imagem induzida sobre a ponteira, o gradiente de fora cresce na medida em que a ponteira varrida sobre a superfcie carregada. Outro importante campo de aplicao do EFM a feitura direta de imagens no espao real dos domnios e das paredes dos domnios em ferroeltricos. A carga de polarizao superficial p associada polarizao ferroeltrica P induz uma carga imagem Qt sobre a ponteira. Quando a ponteira passa sobre a parede do domnio a polarizao P muda de sinal e passa por zero. MICROSCOPIA DE FORA MAGNTICA (MFM) Para amostra e ponteira magnticas, quando a ponteira se aproxima da superfcie da amostra dentro de uma distncia de 10 a 500 nm, possvel perceber a interao magntica da ponteira com o campo que emana da amostra. Neste caso, a fora da interao magntica que determina a deflexo do cantilever que, por sua vez, monitorada pelo sensor de deflexo do microscpio. A interao dipolar magntica de longo alcance em geral testada usando o mtodo de deteco de ac, ou seja, mede-se o gradiente de fora e no a fora dipolar magntica. A separao completa dos contrastes magntico e topogrfico pode ser conseguida, fazendo medidas da fora e sua derivada, enquanto se faz a imagem topogrfica. Uma das grandes vantagens do MFM que ela no requer uma preparao sofisticada da amostra. MFM em no-contato pode at ser feita na presena de camadas de contaminao em condies ambiente.