1.-Qu es un transistor bipolar de juntura y porque se llama as?

El transistor de unin bipolar es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. 2.-Qu son los parmetros beta y alfa y como se relacionan entre si? La ganancia de corriente emisor comn est representada por F o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante es la ganancia de corriente base comn, F. La ganancia de corriente base comn es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN):

3.-Dibuje los smbolos del transistor diferenciando entre NPN y PNP, as como sus terminales. NPN PNP

4.-Dibuje y explique el amplificador tipo Darlington.

Esta configuracin sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en la misma configuracin. La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo tpico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. Tambin tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un nico transistor, de ah que pueda convertirse fcilmente en inestable. La tensin base-emisor tambin es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de un transistor o par Darlington se halla multiplicando las de los transistores individuales. la intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base por la beta total.

Si 1 y 2son suficientemente grandes, se da que:

Un inconveniente es la duplicacin aproximada de la base-emisor de tensin. Ya que hay dos uniones entre la base y emisor de los transistores Darlington, el voltaje base-emisor equivalente es la suma de ambas tensiones base-emisor:

9.- Investigue en los manuales las caractersticas de los siguientes transistores. Bc548: Vce=40 Vcb=60 Veb=6v Ic=600mA Bc558: Vce=80v Vcb=80v Veb=5v Ic=800mA Bc547: Vce=40v Vcb=60v Veb=6v Ic=600mA TIP41: Vce=70v Vcb=80v Veb=5v Icc=7 A Icp=10A Ib=3A TIP41: Vceo=130 v Vcex=120 Vcb=130v Veb=5v Ic=4A Ib=2A

UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE MEXICO FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES ARAGON INGENIERIA EN COMPUTACION

Laboratorio de dispositivos electrnicos Lunes 13.30 a 15.30

Trabajo de Casa practica 7 Transistor Bipolar de Juntura (TBJ) P.1

Alumnos Hernndez Cortez Carlos Hernndez Tapia Marie Mayela Jadn Veloz Miguel ngel Lpez Moreno Juan Carlos

Prof: Luna Escorza Pablo Prcoro