Op To Electronic A

Introducere I II II
Sorin Constantin Zamfira

Optoelectronic
II II II II II Introducere
Introducere III III III III III
Sorin Constantin Zamfira
Editura Universitii Transilvania Braov
OPTOELECTRONIC OPTOELECTRONIC
OPTOELECTRONIC OPTOELECTRONIC OPTOELECTRONIC
IV IV IV IV IV Introducere
Refereni tiinifici:
prof. dr. fiz. Doru Ursuiu
prof. dr. ing. Adrian Dumitriu
Tehnoredactare: Techno Media
Culegere i desene: Ovidiu Oprea
Corectur: Sorin Zamfira
Copert: Adrian Timar
Toate drepturile rezervate.
Descriere CIP a Bibliotecii Naionale a Romniei
ZAMFIRA, CONSTANTIN SORIN
Optoelectronic/Constantin Sorin Zamfira. - Braov:
Editura Universitii Transilvania, 2004
Bibliogr.
ISBN 973-635-319-2
537.533.3
2004 Editura Universitii Transilvania Braov
Editur acreditat de CNCSIS Adresa: 500030 Braov,
Adresa nr. 1615 din 29 mai 2002 B-dul Eroilor, Nr. 9
Tel/Fax: 0268 47 53 48
E-mail: editura@unitbv.ro
Introducere V VV VV
Cuprins
Capitolul 1 Introducere ....................................................... 1
1.1 Sistemul de comunicaie optic .............................................. 2
Capitolul 2 Lumina............................................................. 7
2.1 Lumina, natura luminii ........................................................ 7
2.2 Ecuaiile lui Maxwell n domeniul optic .................................. 8
2.3 Spectrul undelor electromagnetice........................................ 10
Capitolul 3 Propagarea luminii prin medii anizotrope.............. 12
3.1 Birefringena.................................................................... 12
3.1.1. Birefringena indus ..................................................................... 16
3.2. Efectul electro-optic.......................................................... 18
Capitolul 4 Sisteme de afiare ............................................ 25
4.1. Luminescena .................................................................. 25
4.2. Fotoluminescena ............................................................. 26
4.3. Catodoluminescena.......................................................... 28
4.3.1 Tubul catodic................................................................................. 29
4.3.2 Tubul catodic pentru afiare n culori ............................................... 31
4.4. Electroluminescena .......................................................... 32
4.5. Afiarea cu cristale lichide.................................................. 34
4.5.1 Cristalele lichide ............................................................................ 34
4.5.2 Structura general a unei molecule de cristal lichid .......................... 36
4.5.3 Proprieti fizice generale ale cristalelor lichide ........................................ 38
4.5.3.1 Proprieti electro-optice ale cristalelor lichide ...................................... 41
4.5.3.2 Efecte electro-optice n amestecuri de cristale lichide colesterice
i nematice ........................................................................................ 46
4.5.4 Dispozitive optoelectronice cu cristale lichide ................................... 47
4.5.4.1 Caracteristici funcionale ...................................................................... 47
4.5.4.2 Tehnologia de fabricaie ...................................................................... 50
4.5.5. Aplicaii ale dispozitivelor optoelectronice cu cristale lichide ............ 50
Dispozitive optoelectronice de afiare cu cristale lichide ..................................... 50
Dispozitive optoelectronice de afiare alfanumeric ........................................... 51
Valve de lumin .............................................................................................. 51
Proiectoare de imagini .................................................................................... 52
Memorii optice ............................................................................................. 53
Filtre optice.................................................................................................... 53
Capitolul 5 Diode electroluminescente ................................. 55
5.1 Injecia i recombinarea purttorilor de sarcin ....................... 55
5.2 Eficiena cuantic a diodelor luminescente ............................. 57
VI VI VI VI VI Cuprins
5.3 Caracteristicile de baz ale diodelor electroluminescente........... 58
5.3.1 Caracteristica curent tensiune ........................................................ 58
5.3.2 Caracteristica spectral .................................................................. 58
5.3.3 Caracteristica de directivitate ......................................................... 58
5.4 Aplicaii pentru diodele electroluminescente........................... 59
Capitolul 6 Fotodetectorii .................................................. 64
6.1 Consideraii generale ......................................................... 64
6.2 Dispozitive termice ............................................................ 65
6.2.1 Detectorii termoelectrici ................................................................. 66
6.2.2 Bolometrul .................................................................................... 67
6.2.3 Detectorii pneumatici ..................................................................... 67
6.2.4 Detectori piroelectrici ..................................................................... 68
6.3 Dispozitive fotonice ........................................................... 69
6.3.1. Caracteristicile fundamentale ale fotoelementelor ............................ 70
6.3.2 Detectorii fotoemisivi .................................................................... 74
6.3.2.1 Fotodioda cu vid................................................................................. 76
6.3.2.2 Fotomultiplicatorul ............................................................................. 77
6.3.3 Detectorii fotoconductivi ................................................................ 79
6.3.3.1 Fotorezistorii ....................................................................................... 82
6.3.3.2. Timpul de via i relaxarea fotoconduciei .......................................... 84
6.3.3.3 Fotocurentul i factorul de amplificare .................................................. 87
6.3.3.4 Caracteristici ale fotorezistorilor ............................................................ 89
6.3.3.5. Parametrii fotorezistorilor ................................................................... 92
6.3.3.6 Tipuri constructive i metode pentru realizarea fotorezistorilor ................ 96
6.3.4 Detectori fotovoltaici ...................................................................... 98
6.3.4.1 Fotodioda .......................................................................................... 98
6.3.4.2 Principiul de funcionare al fotodiodei .................................................. 98
6.3.4.3 Regimul de fotodiod ....................................................................... 100
6.3.4.3 Parametri fotodiodelor ...................................................................... 102
6.3.4.4 Tipuri constructive de fotodiodelor. Fotodioda p-i-n ............................ 103
6.3.4.5 Fototranzistorii .................................................................................. 106
6.3.4.6 Fototiristorii ...................................................................................... 106
6.3.4.7 Celulele solare .................................................................................. 109
Capitolul 7 Optocuplorul .................................................. 113
7.1 Generaliti .................................................................... 113
7.2 Principiul de funcionare al optocuplorului ........................... 115
7.3 Parametrii specifici optocuploarelor .................................... 116
Tensiunea i rezistena de izolaie ........................................................... 116
Capacitatea de izolaie .......................................................................... 116
Factorul de rejecie al modului comun (CMRR) ....................................... 117
Factorul de transfer n curent ................................................................. 117
Curentul de ntuneric ............................................................................ 118
Caracteristica de intrare......................................................................... 118
Capitolul 8 Laserii ........................................................... 120
8.1 Principiul de funcionare ................................................... 120
8.2 Proprietile radiaiei laser ................................................ 124
8.3 Tipuri de laser ................................................................ 125
Cuprins VII VII VII VII VII
8.4 Dioda laser .................................................................... 128
8.4.1 Caracteristicile generale a diodelor laser ........................................ 129
Cavitatea optic i coeficientul de amplificare ................................................. 129
Curentul de prag .......................................................................................... 131
Caracteristica curent tensiune ...................................................................... 132
Caracteristica watt amper ........................................................................... 132
Distribuia spaial a fascicolului de radiaie ................................................... 134
Constante de timp caracteristice..................................................................... 135
8.5 Tipuri de diode laser ........................................................ 136
Capitolul 9 Fibra optic................................................... 139
9.1 Introducere .................................................................... 139
9.2 Clasificarea fibrelor optice ................................................. 141
9.3 Bazele teoretice ale propagrii radiaiei prin fibra optic ........ 143
9.3.1 Moduri de propagare pentru fibra optic discontinu..................... 144
9.3.2 Moduri de propagare pentru fibra optic gradat .......................... 147
9.3.3 Dispersia radiaiei n fibra optic .................................................. 149
9.4 Tehnologia fibrelor optice ................................................. 150
Metoda creuzetului dublu ..................................................................... 150
Depuneri chimice din stare de vapori ..................................................... 152
9.5 Cuplaje, mbinri, cabluri optice ......................................... 152
9.6 Senzori cu fibre optice ..................................................... 154
Senzor de polarizare utiliznd o fibr unimod ......................................... 156
Msurarea temperaturilor cu interferometru cu dou unde
avnd o fibr monomod .................................................................... 157
Msurarea presiunii cu fibr monomod .................................................. 158
Senzor cu fibr multimod pentru msurarea presiunilor ........................... 158
Senzor cu fibr multimod pentru msurarea indicelui de refracie ............ 159
Senzor cu fibr multimod pentru msurarea deformaiilor
structurilor mecanice ......................................................................... 160
Capitolul 10 Comunicaii prin fibre optice.............................. 161
10.1 Introducere .................................................................. 161
10.2 Cuplorul direcional ........................................................ 162
10.2.1 Caracteristicile cuplorului direcional ........................................... 162
10.2.2 Tipuri de cuplori direcionali ...................................................... 164
10.2.3 Cuplori n stea ........................................................................... 169
10.3 Comutatorii .................................................................. 171
10.4 Izolatorul cu fibr optic ................................................. 174
10.5 Alte componente ........................................................... 176
10.5.1 Atenuatorul ............................................................................... 176
10.5.2 Circulatorul ............................................................................... 177
10.5.3 Dispozitiv de control a strii de polarizare n fibr ........................ 178
10.6 Reele duplex de distribuie a informaiei prin fibra optic .... 178
10.6.1 Reeaua de tip T ........................................................................ 179
10.6.2 Reeaua de tip stea .................................................................... 180
10.6.3 Reeaua de tip inel .................................................................... 182
10.6.4 Sisteme de distribuie hibride ..................................................... 183
10.6.5 Sisteme multifibr ..................................................................... 183
VIII VIII VIII VIII VIII Cuprins
10.7 Multiplexarea prin divizarea lungimii de und ..................... 184
10.8 Reele de difracie tip BRAGG cu fibr optic ...................... 189
Capitolul 11 Modularea optic ........................................... 192
11.1. Circuite de modulare cu LED-uri ....................................... 192
Modularea analogic ............................................................................ 192
Modularea digital ............................................................................... 198
11.2 Circuite i metode de modulare cu dioda laser .................... 200
Modularea analogic ............................................................................ 201
Modularea digital ............................................................................... 201
11.3 Formate de modulare analogic ....................................... 202
Modularea cu subpurttoare AM/IM ...................................................... 202
Multiplexarea prin divizarea-frecvenei ................................................... 203
Modularea cu subpurttoare FM/IM ...................................................... 204
11.4 Formate de modulare digital .......................................... 206
Alte formate digitale............................................................................. 209
Multiplexarea prin divizare n timp ........................................................ 210
11.5 Receptori cu heterodinare optic ...................................... 211
Detecia prin heterodinare..................................................................... 211
Modularea n frecven a diodei laser .................................................... 215
Multiplexarea prin divizarea frecvenei optice ......................................... 216
Bibliografie ......................................................................... 219
Cuprins IX IX IX IX IX
Prefa
Pn n anul 1963, electronitii nu foloseau dect dou tipuri de aparate care
utilizau lumin: tubul cu raze catodice i indicatoarele cu lmpi. Primele erau
folosite ca sistem de afiare pentru osciloscop, n televiziune, radar, cel de-al doilea
tip erau simple becuri cu incandescen sau lmpi cu neon n miniatur, astfel c
electronitii nu prea aveau nevoie de a ti mare lucru n domeniul opticii.
Apariia pe pia la nceputul anilor 60 a diodelor electroluminescente (LED-ul,
Light Emitting Diode n limba englez) a modificat profund situaia. Dezvoltarea
i creterea sistemelor electro-optice, acusto-optice i a sistemelor conexe au
fcut s se vorbeasc de revoluia optoelectronicii. Dintr-o dat, electronitii
au trebuit s fac fa noului intrus: cuanta de lumin, fotonul. Chiar dac
termenul revoluie pare puin cam exagerat pentru c el este des folosit n
mass-media, se poate afirma cu certitudine c intruziunea fotonului n electronic
este un fapt mplinit care s-a amplificat i a produs schimbri eseniale n lumea
comunicaiilor, a stocrii i afirii datelor, n metrologie, fabricarea metalelor,
conversia de energie, medicin, navigaie precum i n domeniul militar.
Comunicaiile prin intermediul luminii, tehnologiile cu laser, discurile compact,
CD audio i video, traductori cu fibr optic, transmisia de lumin, imagini i
sunete ghidate de lumin i holografia, au devenit elemente ale tehnologiei
moderne, urmate ndeaproape de optica integrat, impactul lor fiind enorm.
Tehnologia undelor luminoase a ptruns nu numai n electronic dar i n
domeniul tehnic i n inginerie. Ptrunderea acesteia are un astfel de impact c
inginerii, tehnicienii, i chiar conductorii acestor sectoare, risc s devin
analfabei cnd se vor confrunta cu noi materiale i sisteme, sau cnd vor
trebui s conceap produse cu ajutorul tehnicilor enumerate mai sus. Utilizarea
luminii vizibile sau a celei din domeniul infrarou sau ultraviolet, a celei coerente
sau necoerente, sunt att de rspndite nct cunotinele din domeniul electro-
opticii devin indispensabile indiferent care ar fi nivelul de responsabilitate ocupat.
Creterea industriilor bazate pe electro-optic sau fotonic, vor duce la mrirea
necesarului de ingineri i tehnicieni n domeniu. Ei vor fi cutai att n sectoarele
de dezvoltare ca i n cel de producie sau cel comercial. Muli dintre acetia vor
fi recrutai dintre electroniti i ingineri de mecanic fin, mecatronic.
Ne facem datoria de informa i semnala un minim de probleme utile pentru
un viitor inginer n oricare din domeniile de mai sus.
X XX XX Introducere
Introducere XI XI XI XI XI
Introducere
Fr lumin nu putem vedea nimic. Dar nici lumina, nici razele luminoase, nu
sunt vizibile. Aceasta poate pare nefiresc dar aa este. Numai cnd fasciculul de
lumin atinge ochiul nostru, fie direct, fie prin reflexie sau difuzie vom putea
detecta existena ei. Pentru a vedea obiecte este nevoie de lumin. Pentru a
vedea lumina sunt necesare obiectele. Dac ntr-o camer vopsit n negru mat,
un fascicul de lumin intr printr-un mic orificiu printr-un perete i iese printr-un
orificiu pe peretele opus nu vom vedea nimic. Cu excepia cazului cnd lumina
din fascicul este pus n eviden de particulele de praf sau de fum. mi amintesc
cu plcere, cursul de Optic, din timpul studeniei prin anii 70, cnd, dintr-o
dat, n timpul cursului, regretatul profesor Hariton intea, devenise fumtor,
ca s susin aceast idee. Este vorba aici de lumina vizibil (alb sau colorat)
ordinar i nu de cea din domeniul infrarou sau ultraviolet.
Vizibil sau nu, lumina este absolut necesar vieii, i nu numai vieii umane de
pe Pmnt ci i celei vegetale sau animale. Toat viaa de pe planeta noastr
depinde n ultim instan de lumina venit de la Soare, lucru recunoscut de altfel
de-a lungul timpului. Cele mai vechi religii au proslvit lumina, (n general Soarele)
aceasta fiindu-ne indispensabil, nu numai pentru a vedea, dar i pentru a tri.
Chiar i oamenii cavernelor n-ar fi putut exista fr lumin. Propria noastr
existen ncepe n ntunericul matricii materne, dar ea nu dureaz mult timp
fr lumin. De ce? Pentru c este necesar s ne hrnim. Razele luminoase sunt
cele care ne furnizeaz att lumin ct i cldur. Plantele produc prin fotosintez
printre altele hidraii de carbon, proteinele i vitaminele de care avem nevoie.
Lumina nu este necesar numai pentru a ne hrni dar i pentru sufletele i
inimile noastre.
Optica este una din cele mai vechi ramuri ale tiinei care lucreaz cu lumina.
Oricare dintre revistele de optic, care trateaz aceste probleme ale luminii
arat c exist o mare analogie ntre limbajul opticii moderne i cel a electronicii.
Apar adesea termeni ca frecven, lungime de und, faz, care deriv din natura
armonic a undelor ce sunt implicate n cele dou ramuri. n acelai mod, sunt
definite dispersia, viteza de faz i de grup sau raportul semnal zgomot. Fenomene
ca interferena sau cele neliniare conduc att n optic ct i n electronic la
noiuni comune astfel c definiii ca de exemplu, ale funciei de transfer modulat
a unei purttoare, ale modurilor de propagare ale undelor, sau ale noiunii de
atenuare selectiv a frecvenelor, au aceeai semnificaie n ambele domenii.
Exist i deosebiri ca de exemplu, definiia decibelului care n optic este numit
densitate optic D. Ambele noiuni cea de decibel i cea de densitate optic,
XII XII XII XII XII Introducere
reprezint logaritmul n baz zece a raportului dintre dou cantiti fizice, una
de la intrare cealalt de la ieirea unui sistem. Un alt aspect privind gradul de
apropiere a celor dou domenii este cel al folosirii transformrii Fourier, n
domeniul frecvenelor temporale i n cel al frecvenelor spaiale.
Maxwell a fost primul care a proclamat unicitatea electrodinamicii i a opticii.
Chiar dac ecuaiile lui Maxwell definesc concepte de baz n cele dou domenii,
exist i mari diferene i dm doar dou dintre acestea n domeniul opticii:
a) nu exist micarea sarcinilor electrice de aici decurgnd proprietatea fibrelor
optice referitoare la imunitatea la perturbaii electrice;
b) puterile n domeniul optic sunt mult mai mici dect n domeniul
electrodinamicii.
n carte toate problemele dezbtute pornesc de la ideea c studentul are la
baz minimul de cunotine din cursul de fizic, mai ales c cel de optoelectronic
l urmeaz pe cel de fizic.
Cartea se adreseaz inginerilor mecatroniti dar i celor electoniti care
urmeaz cursuri complementare de comunicaii prin fibre optice.
Lumina, natura luminii 1 11 11
Capitolul 1 In In In In Intr tr tr tr troduc oduc oduc oduc oduce ee eer rr rre ee ee
Evoluiile considerabile n domeniul opticii, sub influena apariiei laserului i a
fibrei optice, au fcut s apar noi ramuri: optica cuantic, procesarea optic a
informaiei, optoelectronica.
Liantul n progresul tuturor acestor ramuri l constituie optica, cu un domeniu
spectral care se ntinde de la razele X la cele infraroii. Optica, din punct de
vedere industrial, cuprinde un ansamblu de tehnici i tehnologii care, mpreun
cu electronica i informatica, ofer anse n sectore ca: microelectronica, robotica
i bioingineria.
Transformrile opticii n toate accepiunile ei: disciplin didactic, sector
industrial, tehnic, a condus la apariia de noi discipline tiinifice, de noi aplicaii,
la baza crora a stat inventarea laserului. Au aprut o serie de neologisme:
fotonic, optoelectronic, electrooptic, optronic etc.
Termenul de optoelectronic, desemneaz ansamblul componentelor (diode
luminiscente, diode laser, fotodiode, fotocuploare, modulatoare de lumin) ce
utilizeaz proprietile optice i electronice ale materialelor.
OPTRONICA include toate dispozitivele, ansamblurile i sistemele produse
industrial bazate pe componente optoelectronice i laseri.
Rezultatele din optronic sunt folosite din plin de sistemele cu roboi, de
prelucrare cu laser, la transmisia, stocarea i procesarea informaiei i n ingineria
biomedical.
Optica ghidat prin intermediul fibrelor optice, laseri cu semiconductori i
apariia surselor i detectoarelor de lumin, cu un spectru larg, au ajutat la
dezvoltarea noului domeniu OPTRONICA.
Dezvoltarea opticii i electronicii se face n cadrul ansamblului: electronic,
optic, informatic.
Explozia informaional din prezent caut soluii pentru prelucrarea, stocarea
i transmisia n mod rapid, sigur i ieftin a unor cantiti enorme de date.
Prelucrarea optic a informaiei este una din soluii i este utilizat n principal
pentru:
a) prelucrarea unui volum mare de informaii prin calcul matricial iterativ,
transformri Fourier, convoluie, corelaie etc., ntlnit n cazul analizei de
imagini, robotic, sonar, radar;
2 22 22 Capitolul 1 Introducere
b) creterea vitezei de calcul, care intereseaz domeniile calculului tiinific i a
calculelor tehnice ce fac apel la modele sofisticate (tehnica nuclear,
aerodinamic).
Dintre avantajele procesrii optice a informaiei amintim:
posibilitatea prelucrrii n paralel;
realizarea transformrii Fourier n timp real;
insensibilitatea la perturbaii electromagnetice;
rapiditate.
n ceea ce privete prelucrarea n paralel aceasta ar trebui s fie n totalitate
optic deoarece orice interfa electronic ar introduce limitri.
Procesarea optic a informaiei conjugat cu domenii strict adiacente
(nregistrarea i stocarea optic a informaiei, vizualizarea i comunicaia optic)
are aplicaii n:
sistemele de recunoatere a formelor i poziiilor;
utilizarea componentelor acusto-optice pentru procesarea semnalelor radar

i calcule vectorial-matriceale;
utilizarea componentelor optoelectronice cu adresare optic sau electric

pentru realizarea reelelor neuronale de decizie, modelul Hopfield i a
hrilor autoorganizatoare Kohonen;
utilizarea dispozitivelor optoelectronice n domeniul audio-vizualului;
videodiscul optic;
utilizarea fibrei optice n telecomunicaii la mare distan, la distan medie

i n afara domeniului de telecomunicaii (captarea i transmiterea informa-
iei n medii perturbatoare aviaie, automobile, reele de calculatoare);
productica-robotica, desemnnd ansamblul tehnicilor ce ncorporeaz

electronica i informatica n vederea ameliorrii randamentului produciei
industriale i n care optica i gsete locul prin captoare de fibr optic,
prelucrarea cu laser, metrologia i controlul suprafeelor etc.
holografia, care alturi de preocuprile legate de realizarea imaginilor

tridimensionale i controlul nedistructiv prin interferometrie holografic
ofer posibilitatea elaborrii de componente optice difractive.
1.1. Sistemul de comunicaie optic
Orice sistem de comunicaie are ca obiectiv transferul de informaie de la un
punct la altul. Acest transfer de informaie este nsoit n majoritatea cazurilor
de suprapunerea (modularea) informaiei cu o und electromagnetic (purt-
toarea). Purttoarea modulat este transmis (se propag) spre destinaie, unde
unda electromagnetic este receptat iar informaia este extras (demodulat).
Astfel de sisteme sunt proiectate n funcie de frecvena purttoarei n spectrul
electromagnetic. n sistemele radio purttoarea electromagnetic este selectat
din domeniul radio frecvenei (R.F.) la fel pentru sistemele milimetrice i cu
microunde.
Ecuaiile lui Maxwell n domeniul optic 3 33 33
ntr-un sistem de comunicaie optic purttoarea se afl n domeniul optic
care include frecvene din domeniul infrarou, vizibil i ultraviolet.
Principalele avantaje care apar datorit comunicaiei la frecvene optice sunt:
lrgimea de band modulat
posibilitatea de a concentra puterea n fascicule extrem de nguste
reducerea semnificativ a mrimii componentelor.

n orice sistem de comunicaie cantitatea de informaie transmis este direct
legat de lrgimea de band (extensia de frecven) a purttoarei modulate, care
este n general limitat la o poriune fix a nsi frecvenei purttoare. Astfel,
crescnd frecvena purttoarei n mod teoretic crete i lrgimea de band transmis
i deci capacitatea de transmitere a informaiei a ntregului sistem. Aceasta nseamn
c frecvenele n domeniul optic vor avea o lrgime de band, ce poate fi folosit,
de aproximativ 10
5
ori mai mare, fa de purttoarea n domeniul radiofrecvenei.
Sunt realizate deci premisele transmisiei unei largi cantiti de informaie. n plus
exist posibilitatea de a concentra puterea transmitorului n unda electromag-
netic, transmisia crete cu frecvena purttoarei. Astfel folosind frecvene ale
purttoarei mari, crete capacitatea sistemului de a atinge densiti de putere
mari, care n general conduc la creterea performanei sistemului.
n sfrit, lucrul la frecvenele din domeniul optic necesit aparate i compo-
nente mult mai mici dect echivalentul lor electronic.
Acestea sunt motivele pentru care comunicaiile optice au ajuns s fie studiate
i gsite mijloace tehnologice de realizare a componentelor lor.
Comunicaiile la frecvene optice au cteva diferene majore fa de cele n
radiofrecven. Deoarece frecvenele optice nseamn lungimi de und mici,
proiectarea componentelor optice necesit propriile tehnologii de realizare,
complet diferite de componentele care lucreaz n radiofrecven. Ca o consecin,
componentele optice, dei emuleaz componentele electronice echivalente pot
avea caracteristici de performan diferite de acestea din urm.
O influen foarte mare n comunicaiile optice o au perturbaiile atmosferice
asupra undei optice purttoare. Aceasta apare deoarece lungimile de und optice
sunt de acelai ordin de mrime cu mrimea moleculelor i a particulelor, nu
acelai lucru ntmplndu-se n cazul frecvenelor radio i a microundelor. Efectele
perturbaiilor atmosferice tind s fie stohastice i variabile n timp, ceea ce mpiedic
modelarea propagrii undelor optice cu precizie. Pentru a nelege fenomenul de
propagare optic au fost colectate cantiti mari de date i, dei s-au stabilit modele,
este necesar explorarea lor n continuare pentru a rafina teoria propagrii.
Dezvoltarea de componente optice i gsirea de modele de propagare sunt
numai o parte a proiectrii sistemului de comunicaie. Un inginer de comunicaii
trebuie s tie s aleag componentele, s selecteze operaiunile sistemului i n
final s le interfaeze sau s le interconecteze n cel mai bun mod. Deciziile de
interfaare necesit modele matematice precise, care s indice performana
componentelor, anomaliile, perturbaiile, din cunoaterea acestora rezultnd o
proiectare optimizat.
n figura 1.1. se prezint schema bloc a unui sistem optic de comunicaie.
Fig. 1.1 Schema bloc a unui sistem optic de comunicaie
O surs de date (forme de und variabile n timp, sisteme digitale etc.) trebuie
transmis la destinaie. Aceast surs are ieirea modulat de o purttoare optic.
Purttoare optic este transmis ca un cmp luminos optic sau fascicul, prin cana-
lul optic (spaiul liber, atmosfera turbulent, fibra optic, ghizi de und etc.). La
recepie, cmpul este colectat optic i procesat (fotodetectat) n general n prezena
interferenei de zgomot, a semnalului distorsionat i a unui cmp parazit.
Cu excepia faptului c transmisia se face n domeniul optic, operaiile de mai
sus apar n orice sistem de comunicaie cu purttoare modulat.
Modularea sursei de informaie pe purttoarea optic, poate fi: n frecven
(FM), n faz (PM) sau n amplitudine (AM), fiecare putnd fi teoretic
implementat pe orice frecven de purttoare n domeniul electromagnetic.
n plus exist pentru purttoarea optic i alte scheme de modulare mai puin
convenionale i anume modularea n intensitate (IM) n care informaia este folosit
pentru a modula intensitatea purttoarei optice precum i modulare n polarizare
(PLM) n care sunt modulate caracteristicile spaiale ale cmpului optic.
Receptorul optic colecteaz cmpul optic incident i l proceseaz pentru a
gsi informaia transmis. n figura 1.2 este prezentat un receptor optic tipic.
Fig. 1.2 Schema bloc a unui receptor optic
El are trei blocuri de baz constnd din: sistemul optic de recepie (lentile),
un detector optic i un procesor postdetecie.
Sistemul de lentile filtreaz i focalizeaz cmpul recepionat pe fotodetector
unde semnalul optic este convertit n semnal electric. Procesorul post detecie va
amplifica, procesa, semnalul i l va filtra pentru a gsi informaia dorit de la
ieirea detectorului.
Receptorii optici pot fi mprii n dou tipuri de baz: receptori cu detecie
de putere i receptori cu heterodinare. Receptorii cu detecie de putere (adesea
numii n mod direct cu detecie sau necoereni) sunt prezentai n figura 1.3.
Sistemul de lentile i fotodetectorul detecteaz puterea instantanee a cmpului
colectat ce ajunge pe receptor. Acest tip de receptori reprezint cel mai simplu
tip care poate fi implementat i folosit, atunci cnd, informaia transmis apare
ca o variaie de putere ale cmpului receptat.
Fig. 1.3 Receptor cu detecie de putere
Fig. 1.4 Schema bloc a unui receptor cu heterodinare
Un cmp de und de lumin generat local, este mixat optic, cu cmpul recep-
ionat, prin intermediul unei oglinzi semitransparente i apoi rezultanta este
fotodectat. Astfel de receptori sunt folosii n cazul n care informaia este
modulat n amplitudine, frecven sau faz.
Receptorii cu heterodin sunt mai dificil de implementat i necesit tolerane
mici n ceea ce privete coerena spaial a celor dou cmpuri optice mixate. Din
acest motiv, receptorii cu heterodinare sunt adesea numii receptori coereni (spa-
iali). Pentru ambele tipuri de receptori sistemul de lentile focalizeaz cmpul
receptat sau mixat pe suprafaa fotodetectorului; prin focalizare se reuete ca
suprafaa fotodetectorului s fie mult mai mic dect cmpul ce cade pe sistemul
de lentile. Sistemul de recepie are de asemenea filtre n faa fotodetectorului
pentru a reduce cantitatea de radiaie parazit. Filtrele optice pot aciona asupra
proprietilor spaiale ale cmpului focalizat (filtre de polarizare, de stop) sau pot
aciona n domenii de frecven, adic las s treac o anumit band de frecvene
i rejecteaz celelalte frecvene. Aceste din urm filtre, determin lrgimea de band
a cmpului optic fotodetectat. Fotodetectorii convertesc cmpul optic focalizat
ntr-un semnal electric pentru procesare. Dei exist cteva tipuri de detectori, toi
se comport conform cu principiile mecanicii cuantice i utilizeaz materiale fotosen-
sibile pentru a obine rspunsul n tensiune sau curent la aciunea cmpului optic.
n figura 1.4 se prezint schema bloc a unui receptor cu heterodinare.
Cele mai cunoscute tipuri de fotodetectori sunt: fototuburile, fotodiodele i
fotomultiplicatorii. Detecia cmpului optic este ngreunat de diferite surse de
zgomot prezente la receptor. n comunicaiile spaiale la distan lung, lumina
parazit (de fond) este cea care mpiedic propagarea informaiei i care mpie-
dic operaia de detecie. Efectul radiaiei de fond se elimin cnd se folosesc
ghizi de und cu fibr optic. O a doua surs de zgomot este nsi fotodetectorul,
care nefiind un dispozitiv ideal, produce interferena intern n timpul operaiei
de fotodetecie. Aceasta induce un zgomot cunoscut ca zgomot de detector.
O ultim surs de zgomot este cel termic generat n operaiile ce urmeaz
fotodeteciei. Zgomotul termic este precis modelat ca fiind un zgomot gaussian
alb, al crui nivel spectral este direct legat de temperatura receptorului.
Modelele de recepie prezentate, sunt comune oricrui sistem de comunicaie
optic. n sistemul spaial, cmpul optic transmis este focalizat pe un fascicol de
lumin i transmis ca un cmp electromagnetic ce se propag n mediu.
Sistemul poate fi cu legtur: terestr, pmnt-aer, aer-aer, aer-ap. Toate
aceste sisteme folosesc fascicule optice transmise precum i cmpuri neghidate
i sunt influenate de efectele mediului (atmosfer, nori, ap...) asupra drumului
de comunicaie.
Sistemul cu fibre optice are avantajul c numai proprietile fibrei nsei
afecteaz transmisia cmpului.
Astzi sistemele cu fibr optic nlocuiesc cablurile tradiionale din sistemele
de comunicaii.
Capitolul 2 Lumina Lumina Lumina Lumina Lumina
2.1 Lumina, natura luminii
Evoluia concepiilor cu privire la natura luminii a condus la concluzia c lumina
are o existen dual: ea are i caracter ondulatoriu (electromagnetic) i caracter
corpuscular (fotonic). Cele dou aspecte trebuie considerate n strns legtur,
indisolubil legate ntre ele.
Teoria electromagnetic a lui Maxwell constituie o demonstraie a fenomenelor
electromagnetice, n care este inclus i lumina. Cursul de fizic general trateaz
aceast teorie n detaliu. Reamintim doar acele elemente care, legate de domeniul
optic, sunt necesare pentru a nelege natura fenomenelor optice.
Problema propagrii luminii este abordat n cadrul teoriei electromagnetice a
luminii cu ajutorul ecuaiilor lui Maxwell(1865). Starea electromagnetic a unui
punct din interiorul unui mediu material, reperat prin vectorul de poziie r
r
, la un
moment de timp t, este caracterizat prin vectorii , t) r ( H , t), r ( D , t), r ( B , t), r ( E
r
r
r
r
r
r
r
r
numii: intensitatea cmpului electric, inducie magnetic, inducie electric,
respectiv intensitatea cmpului magnetic.
Dac densitatea volumic local de sarcin electric este iar densitatea
local de curent este v = j
r
r
ansamblul acestor mrimi satisfac sistemul de ecuaii
Maxwell (1865):
magnetic Gauss lui legea 0 B
Ampere lui legea
t
D
j H x
electric Gauss lui legea D
Faraday induciei legea

r
r
r r
r
r
r
t
B
- = E x
(2.1)
ntre mrimile B , H , D , E
r r r r
exist relaiile de material:
M H B P E D
o o
r r r r r r
+ + (2.2)
8 88 88 Capitolul 2 Lumina
n care
o

o
sunt permitivitatea electric, respectiv permeabilitatea magnetic a
vidului, P
r
este polarizarea iar M
r
magnetizarea local a mediului.
n mediile liniare omogene i izotrope se pot scrie urmtoarele relaii:
H M , E P
m e o
r r r r
(2.3)
n care mrimile scalare m e
,
sunt susceptibilitatea electric respectiv
magnetic. Vom avea deci:
H B , E D
r o r o
r r r r
(2.4)
unde mrimile adimensionale
m r e r
, + + 1 1 , poart denumirea de
permitivitate electric, respectiv permeabilitate magnetic pentru mediul
considerat. Dac notm
r o r o
, avem:
H B , E D
r r r r
(2.5)
Pentru mediile izotrope i sunt mrimi scalare. Dac mediile considerate
sunt omogene i staionare ecuaiile lui Maxwell devin:

0
1
H , E
t
E
j H x ,
t
H
E x
r r
r
r r
r
r
(2.6)
n mediile conductoare, ntre j
r
i E
r
avem relaia:
E j
r r

, numindu-se
conductivitate electric.
Legea conservrii sarcinii electrice sub form local se scrie:
0

+
t
j
r
(2.7)
2.2 Ecuaiile lui Maxwell n domeniul optic
Pentru un mediu neconductor ( 0 j
r
) n care nu exist distribuii de sarcini libere
( = 0) ecuaiile lui Maxwell se scriu:

0 0 H , E
t
E
H x ,
t
H
E x
r r
r
r
r
r
(2.8)
Se arat c undele electromagnetice satisfac ecuaii difereniale de forma:
. 0
t
H
H i 0
t
E
E
2
2
2
2

r
r
r
r
(2.9)
Analiza dimensional a ecuaiilor de acest tip duc la concluzia c produsul
reprezint inversul ptratului unei viteze, deci:
.
1
v
(2.10)
n vid
o o
1
c

i se definete indicele de refracie absolut al unui mediu ca
raportul dintre viteza de propagare a undelor electromagnetice (luminoase) n
vid i viteza corespunztoare n acel mediu:
r r
o o
v
c
n

(2.11)
n medii nemagnetice
0,
r
= 1, n
r
.
Fluxul de energie electromagnetic este descris de vectorul lui Poyting:
. H x E S
r r r
(2.12)
Interaciunea cmpului electromagnetic cu un mediu material este descris
de densitatea volumic de energie electromagnetic W
EB
. Pentru medii
nedisipative:
0 S
t
W
EB
+
r
(2.13)
ntre vectorul vitez de propagare v
r
i vectorul Poynting exist relaia:
v W S
EB
r
r
. (2.14)
Media n timp a vectorului S
r
este mrimea fizic numit intensitatea energetic
a undei I definit prin relaia:
, H x E
2
1
S I
0 0
r r r r
> < (2.15)
unde E
0
i H
0
sunt amplitudinile vectorului E
r
i H
r
. Tinnd cont de relaiile dintre
E
0
i H
0
intensitatea energetic poate fi scris:
2
0
2
0
E
2
v
E
v 2
1
I I

r
(2.16)
Vectorii H , D , B , E
r r r r
satisfac ecuaiile undelor, soluiile pentru unde plane sunt
de forma:
) t r K ( i
0
e
e ) t , r (

r
r
r r
(2.17)
unde
e
K
r
este vectorul de und n mediul dielectric de modul ,
2
K
e
iar ) t , r (
r r
reprezint oricare din cei patru vectori. Ei reprezint perturbaia electromagnetic

10 10 10 10 10 Capitolul 2 Lumina
ce se propag n mediu. Ecuaia frontului de und este dat de . ct t r K
e

r
r
rezultnd viteza de propagare a undei
e
K
1
n
c
v

care se numete i vitez

de faz.
Calculul vitezei de faz este corect dac i K
e
au valori constante, adic n
cazul undelor monocromatice. n practic undele luminoase sunt constituite
dintr-un ansamblu de unde care au diferite valori pentru i K
e
. n timpul
propagrii unor astfel de unde prin medii reale, dispersive, diferitele componente
monocromatice se propag cu viteze (de faz) diferite, ceea ce face ca unda n
ansamblu s se deformeze.
Viteza de grup u, este viteza cu care se propag unda ca ntreg, ca grup sau
pachet de unde i se arat c:
dK
d
u

, iar legtura cu viteza de faz a fost stabilit
de ctre Rayleigh (relaiile lui Rayleigh):
)
d
dn
n
1 (
n
c
)
dK
dn
n
K
1 (
n
c
dK
dv
K v u
+ + + (2.18)
Distingem mai multe cazuri:
a) cnd dn/d < 0 dispersia este normal u < v;
b) cnd dn/d > 0 dispersia este anomal u > v;
c) cnd dn/d = 0 medii pentru care u = v, medii care se numesc nedispersive
(singurul mediu nedispersiv este vidul pentru care u = v = c 310
8
m/s).
n medii ca apa, aerul, dispersia este mic nct se poate neglija.
2.3 Spectrul undelor electromagnetice
Spectrul poate fi definit ca o ordonare a undelor electromagnetice dup frecvene
sau dup lungimile de und (figura 2.1) n vid
0
=c/n. O prim mprire a
spectrului,figura 2.1, se face n 3 regiuni:
Figura 2.1 Spectrul undelor electromagnetice n funcie de lungimea de und
Spectrul undelor electromagnetice 11 11 11 11 11
a) regiunea undelor,
b) regiunea optic,
c) regiunea razelor.
n prima regiune sunt cuprinse undele radio (pn la 10
9
Hz) i microundele
(ntre 10
9
Hz i 10
12
Hz). n aceast regiune n domeniul frecvenelor joase, includem
curenii alternativi (industriali) i undele de frecven acustic (telefonie
telegrafie).
n regiunea optic, domeniul de interes pentru optic, optoelectronic, sunt
cuprinse radiaiile infraroii (ntre 10
12
Hz i 4,3x10
14
Hz) radiaiile vizibile (ntre
4,3x10
12
Hz i 5,7 x10
14
Hz) i radiaiile ultraviolete (ntre 5,7x10
14
Hz i 10
16
Hz).
n cea de-a treia regiune, cea a razelor sunt razele X (ntre 10
16
Hz i 10
19
Hz)
i radiaiile (peste 10
19
Hz). n subdomeniul radiaiilor sunt incluse i radiaiile
provenite de la materialele radioactive i razele cosmice. Undele din diferitele
regiuni ale spectrului electromagnetic, se genereaz i se investigheaz prin
metode specifice, deoarece ele se manifest de asemenea specific pentru fiecare
domeniu n parte. Pentru acest curs domeniul de interes este cel optic, dei,
exist efecte optice care apar i la undele electromagnetice care nu aparin n
sens strict domeniului optic (de exemplu interferena i difracia microundelor,
difracia razelor X pe reele cristaline, efectul Compton etc.).
12 12 12 12 12 Capitolul 3 Propagarea luminii prin medii anizotrope
Capitolul 3 Pr Pr Pr Pr Propagar opagar opagar opagar opagarea luminii prin ea luminii prin ea luminii prin ea luminii prin ea luminii prin
m mm mmedii aniz edii aniz edii aniz edii aniz edii anizo oo ootr tr tr tr trope ope ope ope ope
n mediile anizotrope, o serie de proprieti de material, cum ar fi dilatarea,
polarizarea, magnetizarea etc. depind de direcia de-a lungul creia sunt
considerate. Anizotropia efecteaz i proprietile optice ale corpului, astfel c
viteza de faz a luminii v i indicele de refracie,
v
c
n , au valori care depind de
direcia considerat. Aceasta arat c orientarea i deplasarea purttorilor de
sarcin ai mediului anizotrop, sub aciunea componentei electrice E
r
a cmpului
electromagnetic incident, depind de direcie. Dei viteza de propagare a luminii
n medii anizotrope depinde de orientarea vectorului E
r
, s-a observat c exist
totui pentru fiecare cristal anizotrop, una sau dou direcii, de-a lungul crora
viteza luminii nu depinde de orientarea lui E
r
. Aceste direcii sunt denumite axe
optice ale cristalului.
Cristalele care au o singur ax optic sunt denumite uniaxe i din aceast
categorie fac parte cristalele care cristalizeaz n sistemele: ptratic, hexagonal
sau romboedric. Cristalele care prezint dou axe optice, cum sunt cele care
cristalizeaz n sistemele: monoclinic, triclinic sau orotorombic sunt denumite
biaxe. Una din caracteristicile de baz ale cristalelor anizotrope const n
producerea a dou unde refractate pentru fiecare und incident. Dac unda
incident se descompune n mediul anizotrop n dou unde polarizate liniar n
plane reciproc perpendiculare, se vorbete despre fenomenul de birefringen.
Desigur c birefringena nu se observ pe direciile axelor optice. Dac unda
incident polarizat liniar, se descompune n dou unde polarizate circular n
sensuri opuse, se vorbete de activitatea optic sau rotirea planului de polarizare.
3.1. Birefringena
Birefringena natural, a fost observat n anul 1669 de ctre Bartholinus, pentru
spatul de Islanda. Fenomenul este specific cristalelor cu excepia celor care
cristalizeaz n sistemul cubic. Referirile n continuare se vor face numai pentru
cristale uniaxe.
Birefringena 13 13 13 13 13
Dac ntr-un cristal uniax se taie o
lam subire ale crei fee plan paralele
fac un unghi diferit de
2
cu axa optic
AA a cristalului (figura 3.1), pentru
orice und sub inciden normal, vor
rezulta dou unde refractate O i E,
polarizate diferit: una trece prin lam
paralel cu direcia undei incidente res-
pectnd deci legile obinuite ale refrac-
iei n medii izotrope i este numit
und ordinar, O, iar cea de a doua trece deviat, nerespectnd legile refraciei
stabilite pentru corpuri izotrope, numit und extraordinar E. Planul care
conine axa optic i normala la faa lamei se numete plan principal.
Pentru a studia birefringena se consider un mediu dielectric plasat ntre
plcile unui condensator plan cruia i se aplic o tensiune. n mediu apar dipoli
electrici aliniai pe direcia cmpului electric.
ntre vectorul polarizare
P
r
i vectorul inducie electric D
r
avem relaia:
P E D
0
r r r
+ dar
E D
r 0
r r

, adic P E E
0 r 0
r r r
sau ( ) P 1 E
r 0
r r
.
Mrimea
E
P
0
e
r
r

(3.1)
se numete susceptibilitate electric. n mediile izotrope (cristale cubice) vectorii
E
r
, D
r
i P
r
sunt paraleli i
r
,n i e
sunt scalari, viteza de propagare este constant

i nu depinde de direcia de propagare.
n materialele birefringente, polarizarea care apare ca rspuns la aplicarea
unui cmp electric depinde de mrimea i direcia cmpului, iar polarizarea
indus poate fi orientat pe o direcie diferit de cea a cmpului electric. Pe
direciile x,y,z vom scrie:
( )
z 13 y 12 x 11 0 x
E E E P
r r r
+ +
( )
z 23 y 22 x 21 0 y
E E E P
r r r
+ +
(3.2)
( )
z 33 y 32 x 31 0 z
E E E P
r r r
+ +
sau
E P
ij 0
r r
(3.3)
unde ij
se numete tensorul susceptibilitii electrice. Se poate folosi i

tensorul permitivitii electrice
ij
legat prin relaia E D
ij i
r r
pentru a descrie
rspunsul dielectric al cristalului la cmpul aplicat. Tensorul
ij
este de asemenea
o matrice 3x3.
Fig. 3.1 Birefringena n cristalul uniax
Mrimea componentelor ij
(respectiv
ij
) depinde de alegerea axelor de coor-
donate x,y,z fa de structura cristalului. Acestea se pot alege astfel ca s avem
numai elemente diagonale:
z 33 0 z y 22 0 y x 11 0 x
E P ; E P ; E P (3.4)
i similar:
, E D ; E D ; E D
z 33 z y 22 y x 11 x
(3.5)
unde:
( ) ( ) ( )
33 0 33 22 0 22 11 0 11
1 ; 1 ; 1 + + + . (3.6)
Aceste direcii sunt numite axe principale ale cristalului, iar termenii diagonali
11
,
22
,
33
se numesc permitiviti principale.
Un cmp electric paralel cu axa principal va produce o polarizare electric
paralel dar n general cele trei permitiviti sunt diferite. Ceea ce d natere
birefringenei, este variaia permitivitii, respectiv a indicelui de refracie i deci
a vitezei undei. n general cristalele anizotrope sunt caracterizate prin trei indici
de referacie principali
x
n ,
y
n i
z
n , unde subindicii x,y,z sunt corespunztori direciei
de polarizare a undelor i nu sunt legai de direciile de propagare (x,y,z), iar:
( ) ( )2
1
11
2
1
0 11 x
1 / n +
( ) ( )2
1
22
2
1
0 22 y
1 / n +
(3.7)
( ) ( )2
1
33
2
1
0 33 z
1 / n +
Astfel, fie de exemplu o und care se propag pe direcia z. Dac cmpul
electric are planul de polarizare paralel cu direcia x, va induce numai polarizarea
x
P i va fi caracterizat experimental de valoarea
11
respectiv
x
n . De asemenea
pentru
y
P vom avea
22
i deci
y
n .
Orice und nepolarizat ce se propag pe direcia z va fi descompus n dou
componente cu polarizrile paralele cu direciile x i y. Aceste dou componente se
vor propaga prin cristal cu viteze diferite, iar rezultanta lor n acelai punct va fi
polarizat eliptic, dependent de diferena de faz i de amplitudinile componentelor.
n cristalele uniaxe, cu axa principal (prin convenie) axa z, avem
permitivitatea
33
i
22 11
, respectiv
z
n i
y x
n n .
O msur a birefringenei este diferena
z x
n n B i este negativ dac
z x
n n < cum apare n calcit (CaCO
3
) i pozitiv dac
z x
n n > aa cum este n
cuar (SiO
2
).
n mediile anizotrope ca rezultat al birefrigenei numai dou stri de polarizare
se pot propaga pentru oricare direcie a cristalului. Aceste plane sunt
perpendiculare reciproc, cu excepia cazului cnd propagarea este paralel cu
axa optic, cele dou componente au indici de refracie diferii i viteze diferite.
Pentru o direcie de propagare particular, valorile indicilor de refracie pot fi
determinate prin reprezentarea elipsoidului indicilor.
Ecuaia acestuia se deduce din densitatea de energie:
E D
2
1
w
r r
(3.8)
care capt forma:
(
(
,
\
,
,
(
j
33
2
z
22
2
y
11
2
x
D
D
D
2
1
w (3.9)
mprind cu w obinem:
1
n
z
n
y
n
x
2
z
2
2
y
2
2
x
2
+ + (3.10)
unde
0
33 2
z
0
22 2
y
0
11 2
x
n ; n ; n
.
Ecuaia reprezint un elipsoid cu semiaxele
x
n ,
y
n i
z
n . Pentru un cristal uniaxial (fig. 3.2)
z y x
n n n elipsoidul avnd simetrie circular
pe direcia axei z. n mod obinuit
o y x
n n n i
se numete indice de refracie ordinar, iar
e z
n n indice de refracie extraordinar i se
poate scrie:
1
n
z
n
y
n
x
2
e
2
2
o
2
2
o
2
+ + . (3.11)
Planul normal pe r
r
, intersecteaz elipsoidul
dup o elips. Cele dou direcii de polarizare sunt
paralele cu axele elipsei i corespund lui 0P i
OQ. Ele au indicii de refracie
o
n i respectiv
e
n .
n cazul undei extraordinare, planul de
polarizare se modific n funcie de la fel ca
i indicele de refracie. Se poate determina
relaia de legtur dintre ) ( n
e
i
o
n . Din figura
3.3. se vede c:
( ) + y z n
2 2 2
e
sin ) ( n z
e
Se nlocuiesc aceste relaii n ecuaia elipsei:
1
n
z
n
y
2
e
2
2
o
2
+
Fig. 3.2 Cristal uniaxial. Elipsoidul
avnd simetrie circular
pe direcia axei z
Fig. 3.3 Seciune n elipsoidul
indicilor
rezult:
2
e
2
2
o
2
2
e
n
sin
n
cos
) ( n
1
+
Pentru ( )
0 e
n 0 n , 0 iar pentru ( )
e e
n 90 n , 90
o o
.
n cazul propagrii paralele cu axa optic (de exemplu axa z), nu exist
birefringen, seciunea de intersecie este un cerc.
Pentru propagarea pe o direcie perpendicular pe axa optic, de exemplu
axa x, birefringena va fi maxim, polarizrile permise vor fi paralele cu axa y cu
indicele
o
n i cu axa z cu indicele
e
n .
3.1.1. Birefringena indus
n anumite cristale, birefringena este natural, pe cnd n altele, cele anizotrope,
un exemplu este KDP- ul (difosfat de potasiu), cnd se aplic un cmp electric,
pot apare axe principale noi. Cmpul electric schimb forma elipsoidului indicilor
de refracie ca rezultat al schimbrii tensorului permitivitate
ij
. Dup deformaie,
axele elipsoidului nu mai sunt de-a lungul axelor principale originale i elipsoidul
trebuie s fie reprezentat de o ecuaie de forma:
1 xy
n
1
xz
n
1
2 yz
n
1
2 z
n
1
y
n
1
x
n
1
2 2 2
2
3
2
2
2
2
2
1
2

(
,
\
,
(
j
+
(
,
\
,
(
j
+
(
,
\
,
(
j
+
(
,
\
,
(
j
+
(
,
\
,
(
j
+
(
,
\
,
(
j
(3.12)
Cmpul electric aplicat produce schimbarea indicilor de refracie. Aceast
variaie poate fi scris ca:
(
,
\
,
(
j
3
1 j
j j i
i
2
E r
n
1
(3.13)
unde i = 1,2,...,6, j = 1,2,3 iar
ij
r
este tensorul electro-optic cu 6x3 elemente.
Pentru majoritatea materialelor din considerente de simetrie acest tensor se
reduce semnificativ. Ca exemplu s considerm cristalul KDP. n aceast clas de
materiale singurele elemente diferite de zero n tensorul electrooptic sunt
41
r ,
52
r
i
63
r , n cele mai multe cazuri
41 52
r r . ntr-un cmp electric arbitrar, elipsoidul
indicilor devine:
1 xy E r 2 xz E r 2 yz E r 2
n
z
n
y
n
x
z 63 y 41 x 41
2
e
2
2
0
2
2
0
2
+ + + + + (3.14)
De notat c primii trei termeni sunt independeni de cmp i includ pe
o
n i
e
n iar cmpul induce termenii yz, xz, xy, astfel c axele elipsoidului nu mai sunt
paralele cu x,y i z ca mai nainte. Trebuie s gsim amplitudinile i direciile
noilor axe, n prezena cmpului, ca s putem determina propagarea cmpului
pe direcia z ( 0 E E
y x
) astfel c avem:
1 xy E r 2
n
z
n
y
n
x
z 63
2
e
2
2
o
2
2
o
2
+ + +
(3.15)
Problema este de a determina un
nou sistem de coordonate x, y, z n
care ecuaia de mai sus s nu conin
termenul xy, s fie deci de forma:
1
n
' z
n
' y
n
' x
2
' z
2
2
' y
2
2
' x
2
+ + (3.16)
Mrimea axelor elipsoidului indicilor va fi
' ' '
z y x
n 2 ; n 2 ; n 2 i vor depinde de
cmpul aplicat. Dac z este paralel cu z,
e
z
n n
'
, ecuaia este simetric n x i y,
astfel c, noile axe x, y se comport similar cu x i y i n realitate ele sunt rotite
cu 45
o
:
4
cos ' y
4
sin ' x y
4
sin ' y
4
cos ' x x
nlocuind x i y obinem:
1
n
z
E r
n
1
' y E r
n
1
' x
2
e
2
z 63
2
o
2
z 63
2
o
2
+
(
(
,
\
,
,
(
j
+ +
(
(
,
\
,
,
(
j
. (3.17)
Relaia arat c x, y, z sunt noile axe principale i cmpul electric a rotit
elipsa i a schimbat axele principale. Se observ c:
z 63
2
o
2
' x
E r
n
1
n
1
(3.18)
Modificarea indicelui de refracie poate fi evaluat notnd c:
( )( ) ( )
3
o
' x o
2
' x
' x o ' x o
2
o
2
' x
n
n n 2
n
n n n n
n
1
n
1
+

presupunnd c modificarea este mic astfel c
o
x
n n
'
i de aceea:
z 63
3
o
o ' x
E r
2
n
n n +
(3.19)
z 63
3
o
o ' y
E r
2
n
n n
e ' z
n n
Relaii de acest tip pot fi obinute i pentru alte clase de cristale i n general
rE n
2
1
' n
3
o
, iar elementele matricii r se modific n acord cu clasa cristalului.
Fig. 3.4 Noile axe introduse de cmpul electric
3.2. Efectul electro-optic
Cnd se aplic un cmp electric n mediu optic, distribuia de electroni n interior
este distorsionat astfel c polarizarea i indicele de refracie ale mediului se
modific anizotropic. Ca rspuns se introduc noi axe optice n cristale cu bire-
fringen natural ca de exemplu KDP, sau cristalele izotrope natural ca GaAs,
devin birefringente.
Modificarea indicelui de refracie n funcie de cmpul aplicat poate fi dedus
din:
2
2
E P E r
n
1
+ (
,
\
,
(
j
(3.20)
unde r este coeficientul electro-optic liniar iar P coeficientul electro-optic ptratric.
n cazul corpurilor solide, variaia liniar a indicelui de refracie cu cmpul
electric, este cunoscut ca efect POCKELS, n timp ce variaia ce apare din terme-
nul ptratic se numete efect KERR (a nu se confunda cu efectul magneto-optic
de asemenea denumit dup KERR).
n cazul efectului POCKELS, aciunea cmpului electric depinde de structura
cristalului i de simetria materialului. Pentru KDP cmpul electric rotete axele
cu 45
o
i deci:
z 63
3
o
o y z 63
3
o
o x
E r
2
n
n n , E r
2
n
n n +

i presupunnd c, avem valori mici pentru constanta Kerr:
z 63
3 2
E r
n
n 2
n
1

(
,
\
,
(
j
(3.21)
unde r
63
este coeficientul electro-optic Kerr pentru KDP.
Aplicaia 3.1
S calculm schimbarea indicelui de refracie pentru un cristal KDP dopat cu deuteriu
(KD*P) pentru o tensiune de 4000 V, dac n=1,51:
( )
12 3
63
3
o
10 4 , 26 51 , 1
2
1
d
v
r n
2
1
n n n

5
o
10 8 , 1 n n

Fie un fascicol de lumin plan polarizat n direcia z ce trece printr-un cristal
KDP i cu axele x, y induse la 45
o
fa de planul de polarizare.
Dac fascicolul incident este dat de:
( ) kz t cos E E
0

Efectul electro-optic 19 19 19 19 19
atunci componentele pe direciile x i y vor fi:
( )
( )

+
kz t cos
2
E
E
kz t cos
2
E
E
0
' y
0
' x
iar indicii de refracie vor fi
' x
n i
' y
n i vor
determina creterea fazei cnd cele dou
componente
' x
E i
' y
E se propag prin cristal.
Dac L este grosimea cristalului, schimbarea de faz pentru cele dou componente
va fi:
L n
2
, L n
2
' y ' y ' x ' x

nlocuind
' x
n i
' y
n avem:

(
,
\
,
(
j

+
(
,
\
,
(
j
+

0 ' y z
2
o o ' y
0 ' x z
2
o o ' x
sau E n r
2
1
1 n L
2
sau E n r
2
1
1 n L
2
deci:
. V n r E n r L
3
o z
3
o
(3.22)
unde V este tensiunea aplicat pe feele cristalului.
Modificarea de faz net, sau ntrzierea dintre cele dou unde ca urmare a
aplicrii tensiunii V este:
V n r
2
2
3
o ' y ' x

(3.23)
i n general lumina emergent va fi polarizat eliptic.
Componentele
' x
E i
' y
E ale undei emergente din cristal (omind factorii de
faz comuni) vor fi:
( )
( ). t cos
2
E
E
t cos
2
E
E
0
' y
0
' x

+
(3.24)
Diferena de faz pentru fiecare component depinde direct de tensiunea
aplicat V astfel c putem modifica faza modificnd tensiunea aplicat pe cristal.
Fig. 3.5 Trecerea luminii liniar
polarizate prin cristalul KDP
Fig. 3.7 Curba de transmisie n funcie
de tensiunea aplicat
S presupunem c inserm
dou elemente de polarizare plan
orientate perpendicular i ntre ele,
cristalul, pe care se aplic tensiu-
nea V (fig. 3.6).
Lumina transmis va avea
componentele
2
E
' x
,
2
E
' y
, astfel c:
( ) ( ) ( ) + t cos t cos
2
E
E
0
(3.25)
sau:
. t sin sin E E
0
(3.26)
Intensitatea fascicolului transmis, media n timp pe perioada
2
T , va fi:
2
sin I sin I I
sau
dt E
2
I
2
0
2
0
T
0
2

(3.27)
unde I
0
este intensitatea luminii incidente pe cristalul electro-optic. Dac faza de
ntrziere n efectul Pockels este proporional cu tensiunea, se observ c
transmitanta este o funcie de tensiune aplicat:
(
,
\
,
(
j
V n r sin
I
I
3
o
2
0
(3.28)
care poate fi scris:

(
(
,
\
,
,
(
j
V
V
2
sin
I
I
2
0
(3.29)
unde
3
o
n r 2
V

este tensiunea necesar

pentru ca transmisia s fie maxim I = I
0
.
V este adesea numit tensiunea de

semi-und, deoarece introduce o deplasare
de /2, echivalent cu o diferen de faz
de radiani ntre dou unde polarizate
paralele cu axele principale.
Fig. 3.6 Schema unui modulator electrooptic
Aplicaia 3.2
Pentru KDP cu = 1,06 10
-6
m i n=1,51 iar coeficientul electro-optic,
12
6 , 10 r

tensiunea de semiund este:

( )
kV 5 , 14
51 , 1 10 6 , 10 2
10 06 , 1
n r 2
V
3 12
6
3
o
Se observ c transmitana poate fi modificat prin aplicarea unei tensiuni

de-a lungul direciei de propagare. Astfel de sisteme se numesc modulatori
Pockels electro-optici.
Se observ v modularea nu este liniar pentru tensiuni V mici, lumina
transmis este proporional cu V
2
. Pentru liniarizare se introduce o lam sfert de
und ntre polarizorul iniial i modulator. Aceasta introduce o diferen de faz de
2
ntre cele dou componente polarizate nainte de a intra modulator (figura 3.8 a).
Adic se introduce o polarizare suplimentar, astfel c transmisia se modific n
jurul lui Q (figura 3.8 b). Modificarea transmisiei n jurul lui Q este aproape liniar.
Prin introducerea lamei /4, diferena de faz dintre componente este:

V
V
2
2
2
i deci:
(
(
,
\
,
,
(
j
+
V
V
2 4
sin
I
I
2
0
(3.30)
Fig. 3.8 Transmisia pe poriunea liniar a caracteristicii
Pentru valori ale tensiunii V mici (~ 5% din V
) modificarea transmisiei este

aproximativ liniar. Dac se aplic o tensiune de amplitudine m i frecven f,
factorul de transmisie
0
I
I
t se va modifica cu frecvena:
ft 2 sin
2
m
5 , 0
I
I
0
+ (3.31)
unde 1
V
V
ft 2 sin m <<
pentru c altfel apar deformri ale lui t care va avea

multe armonici de ordin impar.
Acest tip de modulator este numit cu efect longitudinal (cmpul electric este
aplicat pe direcia de propagare a fascicolului). Aceasta poate fi realizat, folosind
electrozi cu mici aperturi (deschideri) pe fiecare fa a cristalului sau prin
evaporarea unui strat subire semitransparent pe suprafeele cristalului. Pentru
a nltura aceste dezavantaje sau dezvoltat modulatori electro-optici cu cristale
cilindrice i electrozi cu geometrie de tip inel (fig. 3.9).
Fig. 3.9 Modulatori electro-optici cu cristale cilindrice i electrozi cu geometrie de tip inel
Se poate folosi i modul de operare transversal n care cmpul este aplicat
perpendicular pe direcia de propagare. n acest caz cmpul electrozilor nu se
suprapune cu fascicolul luminos i ntrzierea (sau diferena de faz) care este
proporional cu E i L, lungimea cristalului, poate fi mrit prin mrirea lui L.
S presupunem ca i nainte c, E este aplicat pe direcia z dar c direcia de
propagare este de-a lungul axei y (axa principal indus) (fig. 3.10). Dac lumina
incident este polarizat n planul x-z la 45
o
fa de axa x diferena de faz va fi:
E r
2
n
) n n ( L
2
) n n ( L
2
z
3
o
e o ' z ' x ' z ' x
+

(3.31)

D
L V
n r ) n n ( L
2
3
o e o
unde L este lungimea cristalului, D grosimea pe direcia tensiunii aplicate

e o
n , n
sunt indicii de refracie pentru lungimea polarizat paralel fa de direciile principale.
Termenul independent de tensiuni va polariza curba de transmisie. Tensiunea
semi-und poate fi redus, avnd o celul, un cristal lung i subire.
n multe situaii, modularea semnalului se face la frecvene foarte nalte i
poate ocupa lrgimi de und mari astfel c avem un spectru de frecvene ntins.
Capacitatea modulatorului i timpul de tranzit finit limiteaz lrgimea de band
i frecvena maxim de modulare. Fie C capacitatea cristalului electro-optic cu
electrozi i R
S
rezistena intern a sursei modulatoare.
Dac
C f 2
1
R
0
s
> unde f
0
este
frecvena de modulare medie,
tensiunea de modulare cade pe
rezistena R
S
i nu va contribui la
ntrzierea electro-optic.
Problema se rezolv conectnd
cristalul ntr-un circuit rezonant
(fig. 3.11). Inductana L este astfel aleas nct s fie ndeplinit relaia
LC
1
f 4
2
0
2

iar la rezonan f = f
0
impedana circuitului devine R
f
, care este mult mai mare dect
R
S
ceea ce nseamn c tensiunea de modulare cade n cea mai mare parte pe cristal.
Circuitul rezonant are lrgimea de band finit
C R 2
1
f
f

centrat pe f
0
. De aceea
lrgimea de band modulat maxim, trebuie s fie mai mic dect f, pentru ca
semnalul modulat s fie o reprezentare fidel a tensiunii de modulare aplicat.
n practic f depinde de aplicaie, iar ordinul de mrime pentru lrgimea de
band este 10
8
- 10
9
Hz. Dac este necesar obinerea unei diferene de faz sau o
ntrziere, se poate calcula puterea, de care este nevoie pentru a fi aplicat cristalului.
ntrzierea,
(
,
\
,
(
j
V n r
2
3
o m
corespunde unei tensiuni modulare ( ) L E V
m z m
.
Puterea
f
2
m
R 2
V
P necesar pentru a obine o ntrziere, va fi legat de lrgimea
de band modulat prin:
Fig. 3.11 Conectarea cristalului ntr-un circuit
rezonant
Fig. 3.10
( )
6
o
2 2
2 2
m
n r 4 2
f 2 C
P
(3.32)
sau
( )
6
o
2 2
0 n
2 2
m
n r 4 2
f A
P

(3.33)
unde s-a inut cont c la frecvena de modulare f
0
, capacitatea cristalului este
L
A
C
r 0
, A fiind suprafaa transversal iar L lungimea cristalului.
Aplicaia 3.3
S calculm puterea necesar ntr-un cristal KD
*
P, pentru a obine o ntrziere de
faz de
30
rad, ntr-o celul Pockels circular cu diametrul de 25 mm i lungimea

L=30 mm dac n=1,51 iar lungimea de und este nm 633 .
nlocuim n relaia (3.33) valorile i obinem P=31W.
Frecvena maxim de modulare f
m
trebuie s fie astfel aleas nct, aplicnd
cmpul electric pe cristal, acesta s nu schimbe substanial timpul de tranzit t
1
,
adic:

m
1
f
1
c
n L
t (34)
Pentru un cristal KDP pentru care
5 , 1 n i L=10 mm, Hz 10 2 f
10
m
<< .
Pentru a nltura aceast neajuns,
semnalul de modulare poate fi aplicat
transversal ca o und ce se deplaseaz
de-a lungul electrozilor cu o vitez egal
cu cea a semnalului optic, ce se propag
prin cristalul modulator.
Dei n principiu, pare uor s realizm sincronizarea dintre undele electrice
i cele optice, n practic este chiar dificil sincronizarea, limitai fiind datorit
materialelor optice ce le avem la dispoziie. Pentru c n teorie,
r
n , n practic
materialele au
r
n < . Sincronizarea dintre cele dou unde se obine, reducnd
r
prin includerea de bule de aer (goluri) n seciunea transversal a ghidului de
und electric.
Modulatorul cu und cltoare, poate fi realizat ncetinind unda optic prin
propagarea ei pe un drum n zig-zag.
Fig. 3.12 Modulator cu und cltoare
Injecia i recombinarea purttorilor de sarcin 25 25 25 25 25
Capitolul 4 Siste Siste Siste Siste Sistem mm mme d e d e d e d e de afiar e afiar e afiar e afiar e afiare ee ee
Sistemele de afiare se pot mpri n dou categorii:
active, care emit propria lor radiaie;
pasive, cele care moduleaz radiaia incident pentru a afia informaia.

nainte de a se discuta despre aceste sisteme, vom arta circumstanele n
care se poate emite radiaie.
4.1. Luminescena
Este un termen general pentru a descrie emisia de radiaie de la un solid atunci
cnd asupra lui acioneaz o anumit form de energie.
n funcie de metoda de excitaie avem:
fotoluminescena, excitaia apare din absorbia de fotoni;
catodoluminescena, excitaia apare ca urmare a bombardrii cu un fascicol

de electroni;
electroluminescena, excitaia rezult la aplicarea unui cmp electric

(alternativ sau continuu).
Oricare ar fi forma de energie ce cade pe materialul luminescent, n stadiul
final al procesului, apare de fapt o tranziie ntre dou nivele de energie E
1
i E
2
(E
2
> E
1
) cu emisia de radiaie de lungime de und :
1 2
E E
hc

(4.1)
E
1
i E
2
sunt nivele care aparin la dou grupuri de nivele de energie, astfel c la
emisie, n locul unei singure lungimi de und, n mod obinuit apare o band de
lungimi de und.
Dac mecanismul de excitaie nceteaz, luminescena persist un interval de
timp egal cu timpul de via a tranziiei ntre cele dou nivele E
1
i E
2
, este, ceea
ce se numete fluorescena. Fosforescena apare atunci cnd luminescena
persist un timp mult mai lung. Adeseori fosforescena este atribuit prezenei
unei stri metastabile (sau cu timp de via foarte lung) cu energie mai mic
dect E
2
. Electronii pot cdea n aceste stri i pot rmne n capcan pn cnd
vor fi eliberai ca urmare a excitaiilor termice. Materialele care prezint
fosforescena sunt cunoscute sub denumirea de fosfori. Materialele de tip fosfor,
26 26 26 26 26 Capitolul 4 Sisteme de afiare
au n interiorul lor, ioni de impuritate numii activatori ce nlocuiesc anumii ioni
gazd n reeaua cristalin. Att timp ct sarcina ionului activator este identic
cu cea a ionului gazd pe care l nlocuiete, sarcina cristalului va fi echilibrat i
puini vor fi ionii activatori ce vor intra n reea. Prin introducerea coactivatorilor
(atomi de impuritate cu sarcin ionic diferit), se va mbunti solubilitatea
activatorilor. Exist dou tipuri de sisteme cu nivele de energie. n primul tip
nivelele de energie sunt cele ale nsi ionului activator i materialele prezint
luminescen caracteristic, n timp ce n al doilea tip, ele sunt ale reelei
gazd modificate de prezena ionilor activatori caz n care materialele prezint
luminescen necaracteristic.
n cazul luminescenei caracterisitice, energia de excitaie este de obicei transferat
rapid (<< 10
-8
s) ionului activator. Luminescena este n ntregime, datorat timpului
de via a nivelului strii excitate a activatorului. n materialele cu luminescen
caracteristic sunt prezeni att activatorii ct i coactivatorii. Acetia creeaz nivele
de energie acceptoare i n fosfori aceste nivele sunt numite goluri sau capcane.
Absorbia energiei n interiorul solidului creeaz perechi: electron gol n exces,
deoarece probabilitatea golurilor este mai mare dect cea a electronilor, majoritatea
golurilor n exces devin repede capcan. Orice electron care se va gsi n vecintatea
unui gol capcan, se poate recombina cu el i poate genera luminescena. Cnd
electronii migreaz prin cristal, ei nsi sunt supui capcanelor.
n figura 4.1 este prezen-
tat generarea electron-gol
i procedeul de recombi-
nare n materialele lumines-
cente necaracteristice. Pere-
chile electron-gol sunt ge-
nerate prin absorbia de fo-
toni (fig. 4.1a), iar golurile
sunt rapid atrase de nivelele
acceptoare (fig. 4.1b). Elec-
tronii se pot recombina cu
aceste capcane dnd natere emisiei luminescente (fig. 4.1d). nainte ca s apar
aceast recombinare electronul poate sta ctva timp n capcana de pe nivelul
acceptor (fig.4.1c). Timpul pe care un electron l petrece n capcan depinde de
diferena E
C
E
D
, (adncimea capcanei sub banda de conducie) i de asemenea
de temperatura T. n anumite condiii i la temperaturi joase timpul n care se
afl n capcane poate fi mare, ceea ce va produce persistena mare a luminescenei
dup ncetarea excitaiei. Durata ei poate fi de la cteva ore pn la cteva zile.
4.2. Fotoluminescena
n cazul fotoluminescenei, energia este transferat cristalului prin absorbia
unui foton. Pentru materialele caracteristice ionul activator este cel care absoarbe
fotonul n mod direct. Se poate presupune c, deoarece nivelele de energie sunt
Fig. 4.1 Generarea e-gol i procedeul de recombinare
n materialele luminescente necaracteristice
Fotoluminescena 27 27 27 27 27
implicate n absorbie i n emisie sunt aceleai, atunci lungimile de und la
absorbie ct i la emisie ar trebui s fie identice. Se arat c lungimea de und
la emisia radiaiei, este deplasat spre rou n comparaie cu lungimea de und
la absorbia radiaiei. Aceste fenomen este cunoscut ca deplasarea Stokes. El
poate fi explicat lund n considerare efectul vibraiilor reelei cristalului gazd
asupra nivelelor de energie ale ionilor activatori. Acetia din urm sunt adesea
ncrcai pozitiv, exemple tipice fiind Cr
3+
i Mn
2+
, dei starea exact a sarcinii
depinde de gazd.
S presupunem c fiecare ion acti-
vator este ncrcat pozitiv i c este n-
conjurat echidistant de 6 ioni negativi
la distana R fa de activator aa cum
este redat n figura 4.2.
Vom presupune c n modul de vi-
braie fundamental, ionul activator (I)
rmne n repaus n timp ce ceilali 6
ioni vibreaz radial i n faz. Datorit
interaciunilor electrostatice poziiile
nivelelor de energie ale ionului activator (I) vor depinde de R. n figura 4.3
diagrama ilustreaz variaia de energie pentru cele dou nivele. S-au reprezentat
nivelele de energie ntre care apare tranziia de luminescen. Ceea ce este impor-
tant este c, cele dou minime ale curbelor nu apar la aceiai valoare a lui R.
Aceasta apare i datorit faptului c distribuia de echilibru a sarcinii din jurul
ionului activator va fi diferit cnd el este n cele dou stri. S considerm
absorbia unui foton cnd activatorul este n starea de baz, cea mai probabil
valoare a lui R este R
0
(poziia de energie minim). Absorbia fotonului este un
proces foarte rapid care apare instantaneu fa de vibraiile ionilor nconjurtori.
Pe diagrama nivelelor de energie, procesul poate fi reprezentat printr-o tranziie
vertical la R constant. Imediat dup tranziie strile excitate ale ionilor nconju-
rtori nu vor fi n poziiile lor de echilibru i se vor relaxa spre noile lor poziii de
echilibru (R = R
1
), figura 4.3. Cnd apare o tranziie de pe nivelul superior pe
cel inferior, R rmne constant i deci fotonul emis va avea a energie mai mic
dect a celui absorbit. Ionii din jurul activa-
torului vor fi ntotdeauna ntr-o stare de
oscilaie i deci n momentul tranziiei R
poate avea valori n jurul lui R
0
.
Acest lucru este valabil i pentru starea
excitat. Astfel n locul unei singure lungimi
de und de absorbie sau emisie apare o
band de absorbie sau de emisie.
Deoarece amplitudinea oscilaiilor crete
cu temperatura, va crete de asemenea i
lrgimea benzilor de absorbie sau emisie.
Fig. 4.2 Efectul vibraiilor reelei
Fig. 4.3 Variaia de energie pe dou
nivele
n figura 4.4 este artat curba de
absorbie i emisie pentru KCl:Tl, n care
se observ deplasarea Stokes n acest
material la temperatura camerei. Depla-
sarea Stokes i gsete aplicaie comer-
cial n cazul lmpilor fluorescente n
care descrcarea electric se face ntr-un
amestec de argon cu vapori de mercur.
Radiaia emis are o culoare albstruie,
iar energia radiant este n principal n
domeniul ultraviolet. Dac pereii tubu-
lui de descrcare sunt acoperii cu material luminescent convenabil, radiaia
ultraviolet poate fi convertit n radiaie vizibil, ceea ce crete eficiena
luminoas a lmpii.
4.3. Catodoluminescena
n cazul catodoluminescenei, procesele de emisie sunt aceleai cu cele din cazul
fotoluminiscenei, dar mecanismele de excitare sunt diferite. Cnd un fascicol
de electroni cu energie mai mare de 1 keV cade pe un solid, o fraciune din
acesta de aproximativ 10% este retromprtiat, restul intr n solid unde i
pierde rapid energia, n principal, cednd-o electronilor legai ceea ce permite n
cele mai multe cazuri ca acetia s fie eliberai din ionii printe. Aceti, electroni
secundari pot la rndul lor s genereze ali electroni secundari, dac au suficient
energie. n final procesul de generare de electroni secundari const n excitarea
electronilor din strile superioare benzii de valen E
V
spre cei din banda de
conducie E
C
. Din considerente de conservare de energie, electronii excitai trebuie
s aib o energie E
g
= E
c
E
v
, i vor crea perechi electron-gol rmnnd n banda
de conducie. Legea conservrii momentului, impune pentru minimul de energie
necesar ca
g c
E
2
3
E . Cnd electronii au energii ntre E
g
i E
c
ei vor pierde doar,
energie prin excitarea reelei (vibraii sau fononi), dei sunt cazuri cnd chiar
dac energia este mai mare dect
g c
E E
2
3
, energia se poate pierde n generarea
de fononi (sau energie de vibraie).
S-a gsit experimental c ntr-o serie de materiale semiconductoare numrul
de electroni-gol generat poate fi scris ca
g
B
E
E
unde E
B
este energia total a
fasciculului de electroni iar 3 . Din aceast cauz catodoluminescena este
mai puin eficient dect fotoluminiscena.
n materialele necaracteristice, recombinarea electron-gol i emisia
luminescent se face n acelai mod ca i n cazul fotoluminescenei.
Fig. 4.4 Curba de absorbie i emisie
pentru KCl:Tl
Catodoluminescena 29 29 29 29 29
n materialele caracteristice, se presupune c urmtorul pas este formarea
excitonilor (legturi pereche electron-gol). Acetia migreaz prin reea i pot
transfera energia lor de recombinare a ionilor activatori.
Electronii primari i pierd rapid energia i se arat c adncimea de ptrundere
R
c
a unui fascicul de energie E
B
este dat de:
b
B c
KE R (4.2)
unde K i b sunt constante ce depind de material. De exemplu pentru
ZnS,
4
10 2 , 1 K

, b = 1,75; dac E
B
= 10 keV, R
c
= 0,7 m. Se arat c eficiena
catodoluminescenei crete odat cu mrirea tensiunii de accelerare a fasciculului
incident. Aceasta se poate atribui faptului c la tensiuni joase majoritatea
perechilor electron-gol sunt generate n apropierea suprafeei materialului
luminiscent, unde de obicei exist o concentraie relativ mare de centrii de
recombinare neluminesceni.
4.3.1 Tubul catodic
Uurina relativ cu care un fascicol de electroni poate fi direcionat i focalizat
a dus la dezvoltarea tubului catodic, ca un important mijloc de analiz a
semnalelor electrice ce se modific rapid. Folosirea tubului catodic pentru
msurtori a fost sugerat nc din 1897 de Braun. Civa ani mai trziu Wehnelt
(1904) inventeaz filamentul de platin acoperit i apoi introduce n tub electrodul
de comand care i poart numele. Abia n 1926 se produce un salt n dezvoltarea
tubului modern, cnd Bush arat c fasciculul electronic poate fi focalizat
magnetic sau electrostatic, n mod analog sistemelor de lentile din optic.
La nceput au predominat focalizarea i deflexia magnetic, dup 1939 ns, se
dezvolt tubul cu focalizare electrostatic solicitat mai ales n sistemele de radar.
n figura 4.5 este prezentat
schema de principiu a tubului
catodic. Un fascicul de electroni
creat de un catod nclzit este
focalizat, accelerat i apoi deflec-
tat de un sistem de electrozi.
Dup o accelerare final, elec-
tronii bombardeaz un ecran fluo-
rescent producnd o pat lumi-
noas spotul. Deplasarea spotu-
lui pe ecran formeaz imaginea
corespunztoare semnalului
investigat. Aa cum se vede i din
figur, tubul catodic are trei pri eseniale: tunul electronic, sistemul de deflexie
i ecranul.
Tunul electronic produce un fascicul ngust de electroni. Sursa de electroni
este constituit de un catod cu nclzire indirect. Catodul se construiete sub
Fig. 4.5 Schema de principiu a tubului catodic.
forma unui cilindru nchis la un capt. Pe suprafaa bazei cilindrului se depoziteaz
o substan care mbuntete emisia electronic. Suprafaa emisiv are dimen-
siuni mici, comparativ cu un tub electronic obinuit. Cu ct catodul are dimensiuni
mai mici, cu att, spotul este mai ngust. n acest fel scade ns intensitatea
fasciculului electronic i din punct de vedere constructiv, se urmrete realizarea
unui compromis ntre aceste cerine. n interiorul catodului se afl plasat un filament
care asigur nclzirea. Filamentul se realizeaz sub forma a dou fire rsucite.
Acest mod de construcie determin eliminarea influenei cmpului magnetic produs
de alimentarea de la reea a filamentului. n scopul obinerii unui fascicul electronic
ct mai ngust, catodul se introduce n interiorul unui alt cilindru nchis la un
capt. n capacul care nchide cilindrul se practic un orificiu ngust, care s permit
trecerea electronilor. Acest electrod se numete cilindru Wehnelt, gril sau modu-
lator i servete la comanda intensitii fasciculului. Cu ajutorul grilei se poate
modifica strlucirea spotului luminos. Comandnd intensitatea fasciculului grila,
acioneaz i ca o lentil electronic producnd focalizarea fasciculului. Aceast
focalizare este ns insuficient deoarece se petrece n apropierea grilei, iar fasciculul
diverge la distane la distane mai mari, astfel nct este necesar o focalizare
suplimentar care se realizeaz cu ajutorul primului anod. Pentru a micora
dependena dintre reglajul strlucirii i reglajul focalizrii, se plaseaz ntre gril
i anod un alt electrod, de form cilindric i cu dou diafragme. Anodul al doilea
servete pentru accelerarea fasciculului.
Sistemul de deflexie care se folosete aproape exculsiv este cel electrostatic.
Fasciculul electronic creat de tunul electronic intr ntre dou perechi de plci
aezate ca n figur. Sistemul de deflexie pe vertical este realizat de prima
pereche de plci, a doua pereche servind la devierea fasciculului n plan orizontal.
Pentru mrirea sensibilitii generale a tubului catodic se folosete postaccelerarea
fasciculului, prin introducerea unui al treilea anod situat ntre sistemul de deflexie
i ecran. Tensiunile continue care se aplic pe electrozii tubului catodic sunt
generate de la un bloc de alimentare separat. Pe anodul al doilea se aplic tensiuni
de ordinul a 800 3000 V, iar pe primul anod se aplic tensiuni de ordinul
0,2-0,5 din valoarea tensiunii de pe cel de-al doilea anod. Potenialul de
postaccelerare poate atinge 10-30 kV.
Ecranul tubului catodic folosit n aplicaii de nregistrare a semnalelor, se
realizeaz dintr-o substan fluorescent, care mpreun cu un activator, pentru
mrirea eficienei luminoase este depus pe suprafaa interioar a tubului catodic.
Pentru ecranul cu lumin verde se folosete de obicei willemit (ZnO+SiO
2
) cu
magneziu drept activator. Pentru observarea imaginii de pe tubul catodic prin
fotografiere se folosete lumina albastr. Ecranul este acoperit n acest caz cu
sulfur de zinc activat cu argint sau cu wolframat de calciu. O caracteristic
important a ecranului este persistena, definit ca perioada de timp n care
ecranul continu s lumineze dei fasciculul electronic nu l mai bombardeaz.
Pentru observarea fenomenelor lente sau care nu se repet, este util o persisten
mare. Ecranele cu fluorur de magneziu dau o lumin portocalie i asigur o
Catodoluminescena 31 31 31 31 31
persisten de cteva secunde. Un alt mijloc pentru obinerea unei persistene
ridicate este folosirea unui ecran cu dou straturi. Suprafaa sticlei este acoperit
cu un strat de sulfur de cadmiu i zinc activat cu cupru care d o lumin portocalie
i apoi cu un al doilea strat din sulfur de zinc activat cu argint.
Ecranul, pentru aplicaii ale tubului catodic pentru afiare monocrom, n
monitoare de calculator, sau televiziune, const dintr-un strat subire ( 5 nm)
de granule de fosfor i un strat de aluminiu ( 1 nm grosime) evaporat pe partea
cu tubul catodic. Acest strat are dou ntrebuinri:
previne ncrcarea electrostatic a granulelor de fosfor (care au conduc-

tivitate mic)
reflect lumina emis pe direcia observatorului.

Grosimile att ale stratului de Al ct i de fosfor au valori critice. Dac stratul
de aluminiu este prea gros, radiaia va fi absorbit, iar dac este prea subire
reflectivitatea va fi foarte mic. Un strat gros de fosfor reduce fluxul de la ieire
datorit mprtierii i absorbiei, n timp ce un strat subire de fosfor poate face
ca suprafaa ecranului s fie incomplet acoperit.
4.3.2 Tubul catodic pentru afiare n culori
Tubul catodic pentru afiare n culori trebuie s aib trei tipuri diferite de fosfori,
corespunztori culorilor primare, rou R, verde G i albastru A. Ei trebuie s fie
separai fizic unul de altul i pe fiecare s cad un fascicul de electroni cu
intensitatea proporional cu coninutul de informaie despre culoare cu scopul
de a compune imaginea colorat din cele primare RGB. Observat de la distan
ochiul omenesc vede amestecul aditiv de culoare i n ansamblu imaginea n
culori. Fosforii pot fi aezai sub form de puncte (delta) ca de exemplu n tuburile
catodice cu masc, n benzi orizontale ca n tuburile cromatrom (Lawrence) sau
n benzi verticale ca n tuburile trinitron.
Excitaia fosforilor poate fi realizat cu ajutorul:
a) a trei tunuri separate, unul pentru fiecare tip de fosfor, metod folosit n
tuburile cu masc;
b) modulrii unui singur fascicul care este comutat secvenial cu tensiunile cores-
punztoare celor trei culori, fasciculul fiind deplasat de la un fosfor la altul;
c) un singur tun care d natere simultan la trei fascicule fiecare modulat i care
cade fiecare pe cte un fosfor. Acest principiu este folosit n cazul tubului
trinitron dar tunul electronic poate fi utilizat i la tubul catodic cu masc.
n cazul normal fascicolul este scanat linie cu linie pe ntreaga suprafa; n
aplicaiile video afiajul pe tub are standardul de 625 linii n Europa i 525 n
America. n Europa scanarea ntreesut pe cadre, se face 1/25 s iar n America
standardul este de 1/30s.
Modificarea iradierii luminoase se face prin modificarea curentului de fascicol.
Fosforul trebuie s aib timpul de timpul de luminescen mai mic dect timpul n
care este ntreesut un cadru, altfel apar efecte suprtoare datorit persistenei imaginii.
Fiecare din cele trei grupe de fosfor emite una din culorile primare (R,G,B)
astfel c se obine culoarea dorit prin modificarea intensitilor de excitaie relative.
Fosforii cei mai uzuali sunt:
Tabelul 4.1
tip material compoziie culoare
Necaracteristic Ag ZnS : albastru
Caracteristic Tb Eu S O Y , :
2 2
rou
Necaracteristic Cu S Cd Zn
x x
:
1
verde
Fa de un ecran monocrom, n cel color, rezoluia este mai mic, de asemenea
aliniamentul mtii fa de tunurile electronice este critic i este influenat de
prezena cmpurilor magnetice.
S-au dezvoltat tuburi ce folosesc aa numiii fosfori cu penetrare cnd se
utilizeaz faptul c, adncimea de ptrundere a fasciculului depinde de tensiunea
aplicat fasciculului. De exemplu un afiaj bicolor, se poate obine dintr-un
amestec de doi fosfori, unul rou i altul verde. Cel rou este un material uzual,
n timp ce, verdele este un material neluminescent. La tensiuni mici, va apare
doar culoarea rou, deoarece electronii nu au suficient energie ca s activeze
stratul neluminescent verde. La tensiuni mari de accelerare, ptrunderea
electronilor n stratul verde va da natere att emisiei de culoare verde ct i
emisiei de culoare rou. Dac fosforul rou este mai puin eficient ca cel verde,
culoarea verde va fi cea dominant. Desigur c este dificil s se obin culori
intermediare. n aplicaiile unde sunt necesare doar dou culori, metoda este
util, obinndu-se i o rezoluie bun a imaginii.
4.4. Electroluminescena
n acest paragraf ne ocupm de electroluminescena clasic spre deosebire de
electroluminescena de injecie care se utilizeaz n cazul jonciunii p-n.
Se pot distinge patru tipuri de sisteme ce folosesc electroluminescena, n
funcie de tipul alimentrii (curent continuu sau curent alternativ) i de caracterul
stratului activ (pudr sau film subire).
Primul dispozitiv electroluminescent a fost unul cu pudr n curent alternativ,
propus n 1936. S-a folosit pudr de (ZnS: Cu) inclus ntr-un mediu transparent
izolator cu constant dielectric mare i plasat ntre doi electrozi, unul din ei
fiind transparent, figura 4.6.
n mod obinuit nu exist conducie ntre electrozi, astfel c nu este posibila
excitaia n curent continuu. Cnd se aplic o tensiune alternativ ) ft 2 cos( V
0
,
lumina este emis n salve scurte ce dureaz cam 10
-3
s i apar la fiecare semiciclu.
S-a gsit c puterea de ieire P a luminii integrate poate fi scris ca:
Electroluminescena 33 33 33 33 33
( )
]
]
]
]
]
,
,
,
,
(
(
,
\
,
,
(
j

2
1
0
1
0
exp
V
V
f P P (4.3)
unde V
1
este o constant iar P
0
(f) este o funcie de frecven.
Au fost propuse cteva mecanisme de emisie posibile.
n general s-a stabilit c exist un cmp electric intens n interiorul particulelor
de fosfor. Este posibil ca acest cmp s fie suficient de puternic s permit
electronilor din nivelele acceptoare ocupate, s tuneleze spre stri cu aceeai
energie n banda de conducie, figura 4.7. Ali electroni din banda de conducie
vor fi deci capabili s ocupe aceste nivele i s emit radiaie.
Fig. 4.6 Schema de principiu a unui dispozitiv electroluminescent
Fig. 4.7 Emisia electroluminescenta prin tunelare
O alt posibilitate, figura 4.8, este ca un electron ce se mic n cmp electric
s poat avea suficient energie pentru a putea excita un electron din banda de
valenta BV, n banda de conductie BC (figura 4.8a).
Sarcina pozitiv ce rezult, golul, este captat de o impuritate acceptoare,
figura 4.8b). Un electron din BC, poate avea o tranziie radiativ prin captarea
lui de nivelul acceptor liber, figura 4.8 c). n fosforii ce conin mangan, ionii de
Mn
2+
pot fi direct excitai de electronii de energie mare, radiaia fiind emis
cnd ionul sufer dezexcitarea. Dispozitivele cu pulberi necesit cteva sute de
voli pentru alimentare. Ele prezint luminescen de 40 nit i au o putere
eficient de 1% (raportul dintre puterea optic i puterea electric) cu un timp
de via de aproximativ 1000 h. Folosind diverse pulberi pot fi posibile diverse
culori: rou, verde, galben i albastru.
Exista dispozitive cu pudr i cu alimentare n curent continuu. Particulele de
fosfor (ZnS : Cu,Mn) sunt acoperite cu un strat conductor de Cu
x
S. Dac
particulele de fosfor nu sunt prea dispersate va putea apare o conducie de la
anod la catod. nainte de a opera normal celula trebuie s fie format prin
aplicarea unei tensiuni nalte pentru un timp scurt. Aceasta face ca ionii de Cu s
migreze de la suprafaa fosforului spre anod. Se formeaz un strat de ZnS cu
rezisten mare n apropierea anodului de-a lungul cruia apare aproape n
totalitate tensiunea aplicat i de la care are loc emisia de lumin aprnd la
tensiuni de operare joase. La aproximativ 100 V tensiune continu, apare lumines-
cena de 300 nit cu un coeficient de conversie de aproximativ 0,1%.
Att dispozitivele n curent continuu ct i cele n curent alternativ au un
timp de via scurt, ceea ce a fcut ca ele s nu aib un impact comercial. Ele
sunt utile n aplicaiile de afiare unde se cere o suprafa mare de afiare ntr-un
volum relativ mic.
4.5. Afiarea cu cristale lichide
4.5.1 Cristalele lichide
n ultimul timp s-au impus n optoelectronic substanele mezomorfe
cunoscute sub numele de cristale lichide. Dei exist o mare varietate de substane
mezomorfe, ele pot fi ncadrate n dou clase:
Fig. 4.8 Emisia electroluminescent prin multiplicare n avalan
Afiarea cu cristale lichide 35 35 35 35 35
termotrope, pentru care faza de mezomorfism se afl ntre dou temperaturi

T
1
(punctul de topire sau solidificare) i T
2
(punctul de limpezire), adic
temperatura de tranziie a substanei mezomorfe de la starea de cristal
lichid la starea de lichid izotrop;
liotrope, substante pentru care faza de mezomorfism este limitat de dou

concentraii c
1
i c
2
ale substanei.
Spre deosebire de un cristal solid obinuit, cristalul lichid anizotrop se afl ntr-o
stare intermediar (mezofaz) situat ntre starea solid, caracteristic unui cristal
solid i cea lichid, caracteristic unui lichid normal izotrop, figura 4.9.
Fig. 4.9 Domeniile de existenta ale unui cristal lichid
Cristalele lichide sunt formate din molecule organice, aparinnd unor compui
aromatici uor de sintetizat pe cale chimic. O clasificare a cristalelor lichide se
poate face n funcie de procedeele de obinere sau n funcie de structura lor
molecular.
Principalele procedee cunoscute de obinere a strii de mezofaz se refer la
termotropie, adic la obinerea cristalelor lichide prin nclzire (denumite
termotrope) i la liotropie (adic la folosirea unor solveni cu molecule polare
pentru cristale lichide, denumite liotrope). Cele dou mari clase de cristale lichide
se pot diviza n funcie de ordonarea molecular.
Cristalele lichide liotrope pot fi cu structur:
lamelar;
cubic;
hexagonal;
hexagonal-compact;
tetragonal.
Cristalele lichide termotrope pot exista n una sau mai multe stri fizice:
nematic cu structur nestratificat i aezare molecular paralel,

figura 4.10a);
smectic cu structur stratificat de form plan (s-au gsit opt tipuri

diferite de mezofaze, A(I), B(II), C, D, E, F, G, H);
colesteric cu structur stratificat de form elicoidal, figura 4.10b).

n continuare ne vom referi numai la cristalele lichide termotrope. Cristalele
lichide, nematice i colesterice prezint importan din punctul de vedere al
dispozitivelor de afiare.
4.5.2 Structura general a unei molecule de cristal lichid
Starea de cristal lichid este ntlnit numai la anumite substane organice datorit
specificitii structurale a moleculei, care cuprinde cel puin dou nuclee sau
inele de benzen, legate printr-o grupare intermediar rigid X, i dou grupri
laterale flexibile R i R figura 4.11a). Obinerea prin sintez chimic a unei
anumite stri mezomorfe este garantat de tipul i lungimea gruprilor laterale
flexibile R i R, n timp ce comportarea fizic anizotrop este asigurat de
gruparea central X.
Din punct de vedere geometric astfel de molecule au o form alungit i un
dipol electric permanent situat n lungul axei moleculare (L) sau diferit de axa
molecular, figura 4.11 b). Din punct de vedere al structurii cristalografice,
moleculele de cristal lichid nu sunt legate de o poziie medie fix n spaiu, aa
cum se ntmpl n cazul cristalelor solide, ci doar de anumite planuri sau straturi
ce poart denumirea tipului respectiv de mezofaz.
Fig. 4.10 a) ordonare nematic; b) ordonare colesteric
Fig. 4.11 a) Structura chimic a unui cristal lichid,
b) dipolul electric permanent al unui cristal lichid
Moleculele cu axele longitudinale sau de simetrie paralel sunt dispuse n
straturi plane care pot aluneca unele fa de altele doar n totalitatea lor.
Moleculele respect principiul general de orientare paralel a axelor longitudinale.
Direcia preferenial n lungul acestor axe poate fi indicat printr-un vector
unitate n
r
denumit director. Ca rezultat al acestei ordonri, cristalele lichide
prezint o puternic anizotropie n majoritatea proprietilor fizice.
Texturile optice ale cristalelor lichide sunt imaginile obinute la microscop,
n lumin polarizat, pentru straturile subiri de substane mezomorf aflate n
diferite condiii. Unei anumite texturi i va corespunde o anumit aezare ordonat
a moleculelor n straturile subiri de 5 50 m denumirea de textur fiind atribuit
aranjamentului molecular. O anumit textur poate fi uor influenat, att pe
cale chimic, ct i pe cale electric, n sensul c pot s apar imagini texturale
caracteristice:
textura sferulitic ntlnit la cristale lichide nematice dopate cu compui

colesterici n prezena cmpului electric;
domeniile Wiliams, pentru cristale lichide nematice n prezena cmpurilor

electrice continue sau alternative la frecven joas;
striaiile paralele, observate la cristalele lichide nematice n prezena

cmpurilor alternative de nalt frecven;
textura matricial, observat la cristalele lichide nematice cu textur

omogen torsionat n prezena cmpului electric continuu sau alternativ
de joas frecven.
Moleculele colesterice cu o structur chiral, nesimetric, sub forma esterilor
de colesteril, de unde provine numele acestei mezofaze. Faza colesteric poate fi
considerat ca avnd un numr mare de plane, fiecare cu o structura nematic,
dar fiecare plan are un vector director care se schimb progresiv de la un plan la
altul, vrful vectorului urmrind o forma elicoidal.
Una din metodele folosite n sinteza compuilor chimici cu proprieti de
cristal lichid colesteric este legat de introducerea unor substitueni activi din
punct de vedere optic n moleculele nematice, care constitue centrii de asimetrie
i ofer o aranjare molecular elicoidal necesar formrii unei mezofaze
colesterice. n cmp electric cristalele lichide colesterice i gsesc aplicaii prin
faptul c se pot realiza fie transformri de faz colesteric-nematic, fie transfor-
mri de textur transparent (planar) ntr-o textur care mprtie puternic
lumina (conic-focal).
Cristalele lichide colesterice au din punct de vedere optic un comportament
de cristal uniax negativ, n timp ce cristalele lichide smectice i nematice au un
comportament de cristal uniax pozitiv.
La cristalele lichide smectice, structura molecular se caracterizeaz printr-o
construcie bidimensional stratificat cu un paralelism accentuat n ceea ce
privete aezarea molecular ceea ce face ca s apar valori cu mult mai mari ale
vscozitii i tensiunii superficiale, dect la lichide izotrope sau la substane
nematice.
Pentru cristalele lichide nematice, orientarea paralel se poate aprecia cu
ajutorul parametrului de ordonare:
1 cos 3
2
1
S
2

(4.4)
n care este unghiul dintre axa longitudinal a unei molecule i n
r
. Pentru S=1
avem orientarea paralel complet (starea nematic ideal) iar pentru S=0,
dezordinea molecular complet (starea lichid izotrop).
n tabelul 4.2 sunt date cteva exemple de substanele mezomorfe ce au faze
nematice.
Tabelul 4.2 Tipuri de substante mezomorfe, n stare fizic nematic
Tipul leg. Denumire Exemple
rigide X
CH CH Trans-stilben
9 4 5 2
H C O CH CH O O H C
C C Tolan
9 4 5 2
H OC O C C O O H C
N N Azobenzen
11 3 3
H C COO O N N O O CH

3 2 1
O
N N Azoxi-benzen
9 4
O
9 4
H C O N N O H C
3 2 1
N CH baze-Schiff
9 4 3
H C O N CH O O CH
( ) O N CH Nitron ( )
9 4 9 4
H OC O O N CH O O H C
CO O fenil benzoot
3 3
OCH O O CO O CO O O O CH
4.5.3 Proprieti fizice generale ale cristalelor lichide
Utilizarea cristalelor lichide pe scar tot mai larg a fost impus i de cunoaterea
i stpnirea proprietilor fizice precum i de cercetarea influenei diferiilor factori
precum temperatura ambiant i a cmpurilor electrice, magnetice i acustice. Ne
vom referi n special la proprietile electro-optice al cristalelor lichide.
Pentru studiul proprietilor fizice ale cristalelor lichide se folosete un
dispozitiv cu configuraia geometric din figura 4.12 la care se ataeaz aparatura
auxiliar cnd de exemplu se urmrete variaia unei proprieti cu temperatura.
Fig. 4.12 Dispozitiv pentru studiul proprietilor fizice ale unui cristal lichid
Stratul subire de cristal lichid se depune ntre doi perei delimitatori, pe care
se efectueaz cel puin o depunere conductiv transparent. Folosirea acestei
configuraii permite controlul precis al aranjamentului molecular iniial, printr-un
tratament fizic sau chimic prealabil al suprafeelor suporilor, respectiv al
electrozilor. n aceste condiii, moleculele cristalelor lichide pot fi aliniate n
direcia definit den
r
, fie uniform perpendicular pe suprafaa electrozilor, adic
n strat orientat homeotrop, fie uniform paralel cu suprafeele acestora adic un
strat orientat omogen.
Un strat de cristal lichid nematic cu orientare molecular omogen poate fi
transformat ntr-un strat cu alinierea molecular deformat prin torsiune, adic
prin rotirea unui perete fa de cellalt cu un unghi de 90
0
. n acest mod se obine
o aliniere molecular de tip elicoidal la care orientarea axei spiralei fa de suprafaa
pereilor, respectiv a electrozilor, are o importan deosebit; pentru cristalele lichide
colesterice axa poate fi paralel, poate forma un anumit unghi, obinndu-se o
textur conic-concav sau poate fi perpendicular, rezultnd o textur plan.
Studiul proprietilor hidrodinamice este necesar datorit faptului c structura
molecular specific, cu anizotropie pronunat, pune n eviden diferene
relative la, fluiditatea, vscozitatea i tensiunea superficial a cristalelor lichide
ceea ce face ca ele s se comporte diferit fa de un lichid izotrop obinuit.
Proprietile termodinamice, la cristalele lichide, sunt legate de studiul
transformrilor de faz. Acesta poate fi efectuat n mediul cel mai uor cu ajutorul
termografiei, folosindu-se o substan etalon la care nu se produc transformri
de faz n intervalul de temperatur cercetat. Pentru interpretarea complet a
caracterului transformrilor de faz care au loc la cristalele lichide termotrope,
prin modificarea temperaturii se utilizeaz microscopia polarizant, termografia
i transmisia optic caracteristic. Se cunosc pn n prezent dou moduri de
transformare. Unul este acela n care o anumit stare fizic de cristal lichid
apare att la scderea temperaturii ct i la creterea ei i se numete transformare
sau faz enantiotrop, figura 4.13, de exemplu:
Fig. 4.13 Transformarea enantiotrop
Al doilea mod se refer la obinerea strii fizice de cristal lichid doar prin rci-
rea lichidului izotrop i se numete transformare sau faz monotrop, figura 4.14:
Fig. 4.14 Transformarea monotrop
Din punctul de vedere al proprietilor termo-optice, comportarea cristalelor
lichide prezint o anumit evoluie a aranjamentului molecular specific pentru
fiecare tip de substan mezomorf. Temperatura modific proprietile optice
i influena pe care o are aceasta se traduce fie printr-o aezare mai mult sau mai
puin ordonat a moleculelor, fie printr-o perturbare complet a ordinii moleculare.
Cantitativ, puterea optic rotatorie ) T ( poate fi determinat direct sau indirect,
prin intermediul intensitii I
t
a luminii monocromatice transmise de dispozitivul
cu substana de studiat, aezat ntre polarizori optic ncruciai, conform relaiei:
( ) + ) T ( cos I I
2
t t
max
(4.5)
n care este unghiul de rotaie dintre polarizori.
Proprietile elastice ale cristalelor lichide, intereseaz din punctul de vedere
al efectelor energetice asociate cu un anumit tip de deformare continu a unei
substane mezomorfe, provocat de diferii factori de influen. Deformrile
mecanice n cristale lichide sunt de natur elastic i ele pot fi obinute:
indirect, cu ajutorul unor factori exteriori (de natur mecanic, electric

sau magnetic);
direct, datorit influnei pe care o au materialele ce servesc drept perei

delimitatori (cu sau fr electrozi depui);
prin modul de prelucrare anterioar a pereilor.

Exist trei tipuri de deformri fundamentale:
de despicare, caracterizat prin raza de curbur R

1
,
n div
R
1
1
(4.6)
de rsucire, caracterizat prin raza de curbur R

2
,
n rot n
R
1
2
; (4.7)
de ndoire, caracterizat prin raza de curbur R

3
,
n rot n
R
1
3
. (4.8)
O deformare oarecare a aezrii ordonate a moleculelor, la cristalele lichide
nematice, poate fi descompus ntr-o sum ponderat de mrimi corespunztoare
celor trei tipuri de deformri fundamentale. Energia liber de deformare poate
fi exprimat prin relaia:
( ) ( ) ( )
]
]
]
,
,
+ + dv n rot n K n rot n K n div K
2
1
F
2
33
2
22
2
11
(4.9)
n care K
11
, K
22
, K
33
reprezint constantele elastice ale substanelor mezomorfe.
Constantele elastice au acelai ordin de mrime cu cel al energiilor intermoleculare
raportate la distana medie dintre dou molecule vecine. n prezena cmpurilor
electrice i magnetice se adaug un termen energetic suplimentar n care intervine
anizotropia permitivitii respectiv a susceptibiliii diamagnetice.
Efectele cmpului acustic asupra proprietilor optice a unui strat subire de
cristal lichid nematic, orientat uniform i cu textur homeotrop (care este cea
mai sensibil la factori perturbatori) pot fi deduse din studiul luminii transmise
pentru dispozitivul respectiv aezat ntre polarizorii optic ncruciai.
Intensitatea luminii transmise este dat de expresia:
(
,
\
,
(
j

n
d sin 2 sin I I
2 2
i t (4.10)
n care este unghiul dintre direcia de polarizare a luminii incidente cu lungimea
de und i direcia axei optice.
Cmpul acustic de intensitate A i de frecven f, induce o birefringen
determinat de:
( ) ( ) f , A sin n n n
2
o e

, (4.11)
unde este unghiul dintre axa optic i normala la suprafa. n prezena unui cmp
acustic de amplitudine i frecven variabile ntre anumite limite, poate s varieze
de la 0 la 2 adic poate s se modifice birefringena stratului respectiv. Folosind
lumin alb, n locul radiaiei monocromatice, se pot obine culorile lui Newton
ntr-o ordine corelat cu variaia cmpului acustic aplicat. Msurarea cmpului acustic
se face cu un traductor piezoelectric calibrat, printr-un strat de glicerin.
n prezena cmpurilor magnetice apare o puternic anizotropie diamagnetic
a cristalelor lichide termotrope, condiionat n mod esenial de existena n
molecule a nucleelor benzenice. Cei ase atomi de carbon dintr-un nucleu benzenic
fac ca acesta s se comporte ntr-un cmp magnetic similar cu o spir conduc-
toare. Dac planul hexagonal al ciclului benzenic respectiv este perpendicular pe
cmpul magnetic aplicat H, se induce un curent antagonist care n final conduce
la distorsionarea liniilor de cmp. n cazul n care planul hexagonal este paralel cu
cmpul H, nu se mai induce curent n spira conductoare fictiv i deci liniile de
cmp magnetic rmn neperturbate, situaie ce corespunde unui aranjament
molecular stabil. Aciunea cmpului magnetic este pus n eviden mai ales cnd
el acioneaz asupra cristalelor lichide colesterice care are ca rezultat derularea
spiralei; la o valoare critic, H
c
, se obine o configuraie molecular de tip nematic.
4.5.3.1 Proprieti electro-optice ale cristalelor lichide
Cristalele lichide prezint o comportare specific n cmpuri electrice ca urmare a
anizotropiei pronunate a proprietilor dielectrice.
Principalele efecte fizice induse de cmpul
electric n cristalele lichide se refer pe de o
parte, la fenomenele de conducie ionic i
de orientare molecular i pe de alt parte.
la modificrile de culoare.
Una din cele mai importante caracteristici
din punct de vedere electric a cristalelor lichide
este aceea c, permitivitatea electric este
diferit la aplicarea unui cmp electric. Prin
aplicarea unui cmp electric, figura 4.15,
Fig. 4.15 Orientarea moleculelor n
raport cu direcia i amplitu-
dinea cmpului electric
moleculele tind spre minimizarea
energiei lor i se vor alinia pe di-
recia cmpului electric, alinierea
producndu-se de la o anumit va-
loare E
c
, a cmpului electric. n ma-
joritatea cazurilor se folosesc celule
cu cristale lichide cu structur ne-
matic rsucit, cnd moleculele
pot avea orientarea din figura
4.16a) n absena cmpului, dar n
prezena lui, la valori mai mari
dect E
c
, moleculele se aliniaz astfel c o raz de lumin va trece prin celul.
n raport cu vectorul director n
r
al moleculei de cristal lichid, avem
dou componente ale permitivitii
| |
i

, figura 4.17. Diferena:

| |
, (4.12)
reprezint anizotropia permitivitii
unde
| |
este permitivitatea msurat
n situaia n care cmpul E
r
este pa-
ralel cu directorul n
r
iar
cea msu-
rat cnd E
r
este perpendicular pe n
r
.
La materialele care au 0 > moleculele se vor alinia paralel cu cmpul E
r
, iar
cele cu
0 <
se vor alinia perpendicular pe cmp. Aceste moduri de ordonare
pot fi obinute practic att prin aplicarea unei tensiuni continue ct i a unei
tensiuni alternative de valoare mic, ntr-o gam precis de frecvene.
Prin aplicarea tensiunii electrice, pe electrozii dispozitivului, se produce re-
orientarea directorului n
r
, rezultnd totodat modificri eseniale ale proprie-
tilor optice la substanele respective ca:
mprtierea dinamic a luminii;
modificarea de culoare;
fenomene de modulare a transmisiei optice.

Aceste modificri induse de cmpul electric se obin la tensiuni mici, de circa
2-8 V, pentru grosimi tipice de 5-50 m, ale straturilor de cristale lichide. (pn
la aceste grosimi straturile de cristale lichide sunt considerate subiri)
Fenomenul de mprtiere dinamic a luminii, se explic astfel: n absena
cmpului electric, axele lungi ale moleculelor prezint fluctuaii n jurul unei
direcii medii de orientare care este unic. Dup aplicarea cmpului electric,
fluctuaiile de orientare se amplific i moleculele ncep s se deplaseze n toate
direciile. Aceast amplificare a fluctuaiilor de orientare este pus pe seama
ionilor antrenai de cmpul electric, n direcia axelor lungi ale moleculelor, ctre
Fig. 4.16 Celul cu cristal lichid
a) E > 0; b) E >> E
c
Fig. 4.17 Ordonarea molecular n cmpul
electric
electrozii dispozitivului. Ca urmare
a anizotropiei conductivitii
electrice: ionii pozitivi se deplaseaz
spre catod iar cei negativi spre
anod. n acest fel, moleculele de
cristal lichid sunt antrenate ntr-o
micare de rotaie, producndu-se
cureni electro-hidrodinamici ce
descriu traiectorii nchise. n absena cmpului electric, lumina va fi dirijat dup
direcia unic de orientare a moleculelor i stratul subire de cristal lichid nematic
va apare transparent. Dup conectarea cmpului electric, lumina va fi difuzat n
toate direciile posibile, dup axele lungi ale moleculelor, adic este mprtiat
dinamic. De fapt mprtierea dinamic a luminii este provocat de variaiile locale
microscopice ale indicilor de refracie, ca urmare a distrugerii ordinii moleculare
iniiale de ctre cmpul electric de excitaie.
Principalele efecte electro-optice, n cristalele lichide nematice, care permit
obinerea de culori, sunt:
a) depolarizarea luminii ambiente mprtiate dinamic;
Lumina incident polarizat liniar va fi depolarizat de dispozitivul optoelec-
tronic cu cristal lichid care funcioneaz pe baza efectului electro-optic de
mprtiere dinamic a luminii ambiente, figura 4.18.
Prin folosirea unui polarizor optic selectiv care polarizeaz liniar numai radiaie
luminoas de o anumit lungime de und, dispozitivul optoelectronic cu mprtiere
dinamic a luminii va depolariza radiaia luminoas polarizat liniar, de o anumit
lungime de und sau culoare. n funcie de valoarea tensiunii electrice aplicate,
culoarea iniial poate fi comutat n alta, rou spre verde, galben spre albastru.
b) modificarea birefringenei induse la textura homeotrop i cea omogen;
Transmisia optic a dispozitivelor n lumin alb sau monocromatic, ca urmare
a efectelor de deformare electro-elastice a texturilor homeotrope i omogene,
prezint mai multe maxime i minime de interferen. Defazajul optic are valoarea:
d
n 2

, (4.13)
unde n este birefringena indus de cmpul electric.
Se pot obine culori de interferen variabile n funcie de tensiunea electric
aplicat, cu contrastul puternic dependent de calitatea polarizorilor optici.
Nuanele de culoare, ct i cele de gri, pot fi uor obinute cu aceeai puritate
spectral prin utilizarea metodei modulaiei de impulsuri, alegnd convenabil
durata i factorul de umplere.
c) modificarea birefringenei induse la textura omogen torsionat;
Se folosete dispozitivul optoelectronic din figura 4.19, n care stratul subire
transparent din plastic (B) posed proprietatea de a fi puternic birefringent.
Fig. 4.18 mprtierea dinamic
Fig. 4.19 Configuraie pentru producerea a dou culori: P polarizor, A analizor,
B strat birefringent plastic, D dispozitiv cu cristal lichid
Cnd lumina polarizat trece prin stratul birefringent de plastic, se obin dou
componente cu viteze de deplasare diferite depinznd de orientarea planului lor
de polarizare n raport cu axa optic a stratului birefringent. Rezult o diferen
de faz sau defazaj optic ntre cele dou componente:
l n
2

, (4.14)
unde l este grosimea stratului de material plastic. Mrimea birefringenei stratului
subire de cristal lichid este calculat cu relaia:
,
\
,
,
(
j

v e
E
v v
c n n n
1 1
0
. (4.15)
Analiza luminii cu un filtru optic de polarizare va evidenia culori de mare puritate
spectral. Prin aceast metod se realizeaz panouri de afiare cu suprafee mari, la
care culorile pot fi variate pe cale electric cu ajutorul unor tensiuni mai mici de 10 V.
Pentru o grosime de 10 m, se aplic o tensiune electric de 10 V, adic un cmp
suficient de puternic, 10
6
V/m, pentru a deforma aranjamentul nematic iniial, cu
textur omogen torsio-
nat, moleculele se reo-
rienteaz n direcia cm-
pului electric aplicat i
permit luminii s treac cu
planul de polarizare ne-
schimbat. Prin nglobarea
n serie, figura 4.20, a mai
multor sisteme optice de
acest tip, decalate unghiu-
lar unele fa de altele, se
va putea observa n final
o gam variat de culori
distincte care sunt selec-
tate convenabil.
Fig. 4.20 Producerea a patru culori prin nserierea a dou
dispozitive cu strat torsionat
d) modificarea controlat a limii domeniilor Williams;
Cnd tensiunile alternative sunt mici, 5-10 V, n funcie de conductivitatea i
grosimea d, la o anumit substan mezomorf de tip nematic, indiferent de
tensiunea iniial (omogen sau homeotrop), se observ prin microscopie optic
n lumina polarizat, o structur de benzi sau de linii paralele ca urmare a
deformrii statice a aranjamentului molecular. Aceste structuri de benzi sunt
cunoscute sub numele de domeniul Williams. De exemplu pentru mixtura NLC-N4
de la Merck, cu rezistivitate electric mai mare de 10
12
m i cu anizotropie
dielectric negativ i n straturi de 3-6 m, se poate obine textura optic de
domenii Williams a cror lime se comand pe cale electric.
Prin creterea tensiunii de la 10 V la 100V, limea domeniilor Williams se
micoreaz de la 10 m la 1 m simultan cu modificarea tensiunii electrice de
comand.
n aceste condiii, straturile subiri de cristale lichide se comport ca reele
optice de difracie care sunt foarte eficiente, deoarece ele acioneaz ca reele de
faz cu randament mare.
Prin plasarea unor astfel de reele n lumina alb, se pot obine culorile
spectrale dorite cu ajutorul filtrelor optice de direcie (polarizoare sau analizoare)
care las s treac doar lumina difractat sub un anumit unghi stabilit iniial,
cnd tensiunea electric aplicat pe dispozitivul aflat ntre polarizorii optici
ncruciai se modific controlat.
e) modificarea orientaional a moleculelor unor colorani dicroici n solveni
nematici;
Coloranii dicroici formeaz o categorie special de substane organice, care
se bucur de proprietatea c moleculele lor absorb difereniat lumina polarizat
n direcia axelor optice caracteristice. Prin dizolvarea unor astfel de substane,
cunoscute sub numele de colorani dicroici (albastru de indofenol) n solveni
nematici cu anizotropie dielectric negativ i textur omogen, moleculele
colorantului respectiv cu rol de oaspete, prezint aceeai orientare preferenial
ca i moleculele nematice cu rol de gazd i mpreun pot fi reorientate cu ajutorul
cmpului electric. Pe baza acestui efect electro-optic de reorientare a moleculelor
dicroice, stratul subire de cristal lichid prezint o culoare caracteristic n lumin
polarizat liniar i n absena tensiunii electrice de excitaie, dup care culoarea
se comut n alb-lptos n prezena cmpului electric aplicat, figura 4.21.
Moleculele colorantului dicroic absorb numai lumina care este polarizat liniar
dup direciile prefereniale caracteristice, ale moleculelor respective (rou de
metil, albastru de indofenol). Din interaciunea specific a luminii incidente cu
moleculele dicroice, prin absorbie selectiv, rezult o culoare corespunztoare
pentru o anumit aezare ordonat a moleculelor de tip gazd, respectiv de tip
oaspete. n prezena cmpului electric continuu sau alternativ de o anumit
frecven f interaciunea respectiv nceteaz i dispozitivul utilizat comut de
la starea colorat la starea incolor.
Pentru o textur homeotrop, dispozitivul apare incolor n absena cmpului
electric, iar n prezena lui moleculele gazd se reorienteaz i apare colorat. Un
astfel de dispozitiv l reprezint un comutator de culoare care poate lucra i n
lumin nepolarizat.
Deoarece tensiunile electrice de comand, necesare sunt de acelai ordin de
mrime cu cele folosite pentru stimularea mprtierii dinamice a luminii
ambiente, este indicat s se lucreze cu cmpuri electrice alternative cu frecvene
care s evite efecte de natura turbulenei electrohidrodinamice.
4.5.3.2 Efecte electro-optice n amestecuri de cristale lichide colesterice
i nematice
Prin adugarea controlat a unei legturi chimice chirale la unele substane nema-
tice n strns corelaie cu anizotropia dielectric a acestora, se pot obine noi compui
chimici cu comportare de cristal lichid i proprieti electro-optice specifice, care se
utilizeaz n practic. Pentru aceste materiale sunt caracteristice efecte de memorare
i de comutare electro-optic. Ambele efecte se bazeaz pe mprtierea dinamic a
luminii ambiante, deoarece substanele obinute prin amestecarea controlat de
cristale lichide nematice i colesterice prezint texturi optice i moleculare stabile.
Aceste texturi sunt fundamental diferite de cele ce caracterizeaz, sau care
apar odat cu mprtierea dinamic a luminii i ca urmare, ele nu se obin prin
fenomenul de turbulen electrohidrodinamic n interiorul domeniilor
moleculare mici de cristale lichide termotrope.
Efectul de memorare electro-optic se poate realiza cu ajutorul amestecurilor
de cristale lichide nematice i colesterice (1-10%) prin modificarea texturii plane
(care este caracteristic strii colesterice) ntr-o textur conic-focal puternic
dispersiv sub aciunea direct a cmpului electric aplicat. Dup deconectarea
cmpului electric de excitaie, revenirea la starea molecular iniial se face
treptat, n timp de minute, ore, zile, luni n funcie de concentraia de substan
colesteric folosit ntre 1% i 10%.
Fig. 4.21 Producerea culorii prin interaciunea dintre moleculele dicroice
i cele de cristal lichid
Pentru accelerarea procesului de revenire se poate folosi o tensiune alternativ
cu amplitudine de 50-100 V, a crei frecven trebuie s fie mai mare dect frecvena
de tiere f
c
, de regul peste 700 Hz, cu care se poate modifica sau transforma
textura conic-focal (neordonat) n cteva milisecunde. Este deci posibil realizarea
de memorii optice cu comand electronic, la care nscrierea se face cu tensiune
electric continu i tergerea cu tensiune electric alternativ cu f > f
c
.
Dac proporia de lichid colesteric crete peste 10% pn la70% iar 0 > , se
obine o aranjare molecular stabil cu textur conic-focal. n prezena cmpului
electric alternativ textura conic-focal obinut se transform ntr-o textur
homeotrop care este transparent pentru lumin, de unde i denumirea de efect
electrooptic de transparen. Timpii de conectare sau comutare direct, sunt
dependeni de grosimea stratului subire de cristal lichid, de gradul de anizotropie
dielectric i de raportul de amestecare lichid nematic, lichid colesteric, avnd
valori sub 10 ms, iar tensiunile alternative sunt n domeniul 30-100V.
Pe baza acestui efect se pot realiza comutatoare electro-optice.
4.5.4 Dispozitive optoelectronice cu cristale lichide
Pentru dispozitivele optoelectronice cu cristale lichide clasificarea se poate face
dup urmtoarele criterii:
a) dup timpul i natura substanei mezomorfe utilizate;
b) dup mecanismul fizic de interaciune a substanei mezomorfe cu
cmpul electric i efectul electro-optic corespunztor;
c) dup modul de lucru sau funcionare.
Modul de funcionare al dispozitivelor optoelectronice cu cristale lichide
termotrope trebuie luat n consideraie att din punctul de vedere al mecanismului
fizic de interaciune cu cmpul electric specific fiecrei substane mezomorfe,
ct i din cel a configuraiei geometrice adoptate pentru un anumit scop. Pentru
mecanismul fizic de interaciune un rol important l are gradul de puritate sau
dopare controlat cu impuriti, ce are efect n modificarea rezistivitii i n
anizotropia dielectric iniial. Prin configuraia geometric a dispozitivelor
suntem obligai la un mod de lucru fie prin transmisie, fie prin reflexie, excepie
fcnd efectele de culoare pentru care este nevoie de un mod de lucru prin
reflexie sau absorbie.
4.5.4.1 Caracteristici funcionale
Exist mai multe moduri de lucru ce pot fi utilizate pentru exploatarea n condiii
optime a dispozitivelor cu cristale lichide termotrope care funcioneaz pe baza
efectelor descrise pn acum.
Performanele electrice ale dispozitivelor optoelectronice cu cristale lichide,
n special puterea consumat de ele, sunt puternic influenate de distana dintre
electrozi, de rezistivitatea electric a substanelor mezomorfe utilizate, de
tensiunea i frecvena de lucru, de temperatura ambiant precum i de
configuraia geometric.
La aplicarea excitaiei electrice, comportamentul electro-optic tranzitoriu i
permanent este specific fiecrui tip de dispozitiv i poate fi influenat de direct
de factori climatici dar i fizici.
Caracteristicile de rspuns electro-optice
Rspunsul tranzitoriu al
dispozitivelor optoelectro-
nice cu cristale lichide termo-
trope, la excitaiile electrice
sub form de impulsuri
dreptunghiulare cu durat i
frecvena bine determinate
se poate aprecia din carac-
teristica tipic de contrast,
figura 4.22, reprezentat n
funcie de timp, att la conec-
tarea cmpului electric ct i
la deconectarea acestuia.
Semnificaia timpilor fiind:
timpul de ntrziere la conectare t

ic
, delimitat ntre t
0
i t
1
n care contrastul
atinge nivelul de 10%;
timpul de conectare t
c
, delimitat ntre t
1
i t
2
, n care contrastul atinge 90%;
timpul de ntrziere la deconectare t

id
delimitat ntre t
3
i t
4
n care nivelul
contrastului scade la 90%;
timpul de deconectare t
d
delimitat de intervalul t
4
i t
5
n care nivelul
contrastului atinge valoarea de 10%.
ntre timpii de rspuns, definii mai sus, se pot stabili relaii de tipul:
t
ic
+ t
c
= t
tc
timpul total de conectare (4.16)
t
id
+ t
d
= t
td
timpul total de deconectare (4.17)
Valorile timpilor de rspuns depind sensibil att de temperatura ambiant i
de tensiunea aplicat ct i de grosimea stratului de cristal lichid nematic.
Contrastul
Pentru evaluarea performanelor care se pot atinge la dispozitivele optoelectronice
care funcioneaz pe baza efectului de mprtiere dinamic a luminii ambiante,
se folosesc parametrii fizici de control, att atenuarea intensitii luminii transmise
I
t
ct i contrastul obinut prin intermediul intensitii luminii mprtiate I
d
, n
funcie de tensiunea electric de excitaie, continu sau alternativ, de frecven
fix sau variabil. Se definete atenuarea intensitii luminii transmise:
( ) U I
I
A
t
i
(4.18)
i contrastul:
Fig. 4.22 Variaia tipic a contrastului n funcie de timp
( )
( ) 0 I
U I
K
d
d
d

. (4.19)
Aceti parametrii sunt puternic influenai de unghiul de observare ct i de
grosimea stratului activ de cristal lichid nematic.
Tensiunea de prag
n ceea ce privete valoarea tensiunilor de prag pentru anumite efecte electro-optice
au fost stabilite dou regimuri de lucru posibile pentru substanele mezomorfe
n care se pot produce instabiliti electrohidrodinamice, condiionate n principal
de rezistivitatea electric a materialelor utilizate.
La tensiuni i frecvene mici se stabilete un regim de conducie cruia i
corespunde o textur de domenii moleculare de tip Williams. La tensiuni i
frecvene mari se obine regimul dielectric cruia, din punct de vedere optic i
corespunde o textur de domenii moleculare de tip striaii paralele.
Frecvena limit de lucru
Frecvena limit de funcionare pentru dispozitivele optoelectronice cu cristale
lichide termotrope este cunoscut ca frecven de tiere.
Pentru minimizarea energiei capacitive, adic a pierderilor asociate la conec-
tarea tensiunii electrice de excitaie i pentru mrirea duratei de viat i a sigu-
ranei de funcionare, se recomand ca tensiunile de comand s aib frecvene
cuprinse ntre 30 i 60 Hz.
Transmisia optic
Unui anumit dispozitiv optoelectronic cu cristale lichide trebuie s i se stabileasc
condiiile concrete de lucru: sursa de lumin cu o lungime de und convenabil,
unghiul de inciden corespunztor, amplitudinea i frecvena semnalului electric
de excitaie.
Durata de via
Pentru evaluarea ct mai real a duratei de via i a siguranei de funcionare se
recurge att la aprecieri calitative asupra aspectului general ct i la examinri
cantitative privind variaiile timpilor de rspuns a temperaturii de tranziie i a
puterii disipate.
Excitarea n curent continuu limiteaz buna funcionare la 1000-2000 de ore n
timp ce la cele n curent alternativ ea poate depi 50000 de ore. Una din cauzele
principale ale abaterilor de la valorile nominale o constituie interaciunea chimic
dintre suprafaa plcii suport i stratul de cristal lichid, care poate fi sensibil
influenat de variaiile n timp ale curentului prin dispozitivul optoelectronic, ca
urmare a unor procese electrochimice ireversibile n curent continuu.
Alte cauze ale defeciunilor pot fi nerespectarea tehnologiei de fabricaie sau
ermetizarea care nu este fcut corect.
Modificrile chimice ale cristalelor lichide cristalelor lichide termotrope
utilizate pot fi produse prin urmtoarele procese: hidroliz, fotoliz i electroliz.
4.5.4.2 Tehnologia de fabricaie
Realizarea tehnologic a dispozitivelor optoelectronice cu cristale lichide
presupune stpnirea n bune condiii a mai multor procedee de lucru cum ar fi:
depunerea pe straturi conductoare transparente i reflexive;
tehnica serigrafic i a fotogravurii;
obinerea substanelor mezomorfe cu dopare controlat i de nalt puritate;
asamblarea, umplerea i ermetizarea dispozitivelor finale.

Principalele tehnologii deja elaborate au fost adaptate la urmtoarele operaii:
pregtirea i prelucrarea mecanic a plcilor izolante cu rol de suporturi

portante;
depunerea electrozilor conductori i transpareni sau reflexivi;
mascarea, protejarea, ncapsularea i ermetizarea structurii finale obinute.

Cerinele care se pot formula n legtur cu cristalele lichide termotrope,
utilizate pentru fabricarea dispozitivelor optoelectronice sunt:
punct de topire sczut;
intervalul strii de mezofaz mare;
stabilitate ridicat a structurii chimice n timp;
sensibilitate ridicat la anumii factori de influen;
s fie incolore i transparente n straturi subiri;
prepararea i purificarea s se fac uor i n condiii tehnologice reproductibile;
preul de cost s fie sczut.

4.5.5. Aplicaii ale dispozitivelor optoelectronice cu cristale lichide
O arie larg de rspndire o au aplicaiile dispozitivelor optoelectronice bazate n
principiu pe mprtierea dinamic a luminii ambiante n stratul de cristal lichid
nematic i pe schimbarea culorilor la cristalele lichide (n special cele colesterice).
Dispozitive optoelectronice de afiare cu cristale lichide
Funcia de traductor a dispozitivelor optoelectronice de afiare, este legat de
transformarea semnalelor electrice n semnale luminoase (la dispozitivele
optoelectronice active-cu generare de lumin) sau de modularea luminii ambiante
(la dispozitive optoelectronice pasive care nu genereaz lumina).
Caracteristica principal, care se ia n considerare la aprecierea calitativ a dispo-
zitivelor optoelectronice este dat de contrastul imaginii obinute i implicit de posibili-
tatea de a distinge informaia de la diferite distane i din diferite unghiuri de obser-
vare. Pentru dispozitivele optoelectronice active de afiare, exist dezavantajul c li
se micoreaz contrastul pe msur ce intensitatea luminii ambiante crete. Pentru
cele pasive, contrastul nu variaz cu intensitatea luminoas din ncperea de lucru.
De asemenea se ia n considerare stabilitatea i durata de funcionare,
dimensiuni posibile, domeniul de temperatur n care pot funciona, timpul de
rspuns, posibilitatea de memorare a informaiei afiate fr alte circuite auxiliare
i posibilitatea de afiare n diferite culori.
Dispozitive optoelectronice de afiare alfanumeric
Dispozitivele optoelectronice de afiare prin transmisie sunt realizate din dou
plci de sticl, cu rol de supori, pe care se depun electrozi peliculari transpareni,
ce delimiteaz un strat subire de cristal lichid nematic cu grosimea cuprins
ntre 6-25 m. Placa suport frontal are electrozi sub form de 7 sau 16 segmente
cu terminale individuale amplasate la unul sau ambele capete ale plcuei
respective. Placa suport posterioar are un singur electrod comun al crui contur
corespunde cu figura format de cele 7 sau 16 segmente.
Terminalul acestui electrod urmeaz un traseu care trebuie s nu se suprapun
peste celelalte terminale. Pentru ca toate terminalele s fie amplasate pe aceeai
plac suport, de exemplu pe cea frontal, se folosete un fir metalic fin care face
legtura ntre electrodul comun i o band conductiv transparent dispus pe
placa frontal. Distana dinte plci este meninut constant cu ajutorul unei
folii de poliester plasate n afara conturului descris de segmente. Una din plcile
suport este prevzut cu dou orificii sau dou anuri de umplere, care se nchid
dup introducerea substanei mezomorfe respective. Legtura mecanic dintre
plcilesuport i etaneizarea dispozitivului optoelectronic realizat se pot face
prin lipire cu rini epoxidice sau prin sudare cu sticl, cu un punct de topire mai
cobort dect cel al sticlei din care sunt confecionate plcile-suport.
Varianta care funcioneaz prin reflexie, se deosebete de cea prin transmisie prin
aceea c electrozii care formeaz segmentele sunt transpareni, n timp ce electrodul
comun este format de o depunere metalizat care reflect lumina. Acest sistem se
folosete la ceasurile de mn cu afiaj digital i la calculatoarele electronice de buzunar.
Unul din cele mai simple moduri de a
forma numere de la 0 la 9 este aranja-
mentul cu 7 segmente, figura 4.23 a)
fiecare segment putnd fi el nsui format
din mai multe elemente. Caractere mult
mai complexe pot fi afiate cu o matrice
de 7x5 elemente, figura 4.23 b).
Valve de lumin
S-a artat c, sub aciunea cmpului elec-
tric, un strat de cristal lichid nematic, pla-
sat ntre doi electrozi, disperseaz puter-
nic lumina polarizat. Pentru ca efectul
de valv de lumin, un comutator optic,
s aib un factor de contrast mare se utilizeaz dispozitive cu efect de cmp, adic
cele care folosesc deformarea electro-elastic a texturii homeotrope. n absena
cmpului electric, lumina polarizat liniar trece aproape integral. Dup aplicarea
cmpului electric, planul de polarizare este rotit cu 90, astfel nct prin acelai dis-
pozitiv lumina nu mai poate trece. Raportul de contrast poate ajunge pn la 500:1.
Efectul se poate aplica pentru diafragme de lumin n cazurile n care este
nevoie de timpi scuri, fotografie ultrarapid sau protejarea tuburilor vidicon n
cazul apariiei brute a unor surse luminoase puternice.
Fig. 4.23 a) afior cu 7 segmente;
b) matrice 7x5
Un alt domeniu este cel al ochelarilor de protecie mpotriva fluxurilor
luminoase puternice cu intensitate variabil n timp.
Proiectoare de imagini
O aplicaie important este proiectarea pe ecrane de diferite mrimi, a imaginilor
statice sau n micare, prin folosirea metodei de baleiere cu un fascicul de electroni,
sau cu un fascicul luminos, care se poate completa cu amplificarea luminii (o ima-
gine cu intensitate optic redus este transformat ntr-o imagine mai luminoas,
folosindu-se o surs puternic de lumin) i cu memorarea imaginilor obinute.
Majoritatea sistemelor care utilizeaz fasciculul luminos au la baz un dispozitiv
optoelectronic realizat cu un strat subire de cristal lichid nematic i un strat
fotoconductor, ambele amplasate ntre dou plci de sticl cu electrozi transpareni.
La ntuneric, stratul fotoconductor are o rezisten electric mult mai mare dect
cea a stratului de cristal lichid nematic. Dac ns pe stratul fotoconductor se
proiecteaz o imagine, poriunile iluminate prezint o conductivitate convenabil
de mare, astfel nct, tensiunea electric aplicat ntre electrozii conductori
transpareni se regsete pe stratul de cristal lichid, ceea ce face ca lumina provenit
de la o alt surs s fie dispersat sau mprtiat dinamic. Dac se folosete ca
material fotoconductor sulfura de zinc, care are o sensibilitate mare la radiaii
ultraviolete, se poate realiza i un convertor de imagini din ultraviolet n vizibil. n
figura 4.24 este prezentat o structur care funcioneaz prin reflexie i care poate
folosi surse luminoase cu aceeai compoziie spectral, att pentru activarea
stratului fotoconductor ct i pentru proiecie.
Fig. 4.24 Sistem de proiecie a imaginilor
Avantajele unui amplificator de imagine cu dispozitive optoelectronice cu
cristale lichide sunt:
construcie simpl;
durat mare de funcionare;
imagine cu strlucire mare;
circuite electronice simple de comand;
pre de cost sczut.

Memorii optice
Efectul electro-optic de memorie este prezent la mixturile realizate pe baz de
cristale lichide nematice i colesterice. Efectul poate fi aplicat la dispozitivele
pentru afiarea informaiei sau la proiectoarele de imagini. Pentru memoriile
optice amestecul este format din circa 90% cristal lichid nematic i 10% cristal
lichid colesteric. Cnd amestecul nematic-colesteric, este plasat ntr-un cmp
electric continuu sau alternativ de joas frecven, el devine translucid i
disperseaz puternic lumina care l parcurge. Starea aceasta se pstreaz chiar
dac nu se mai aplic tensiunea electric ntre cei doi electrozi; dispozitivul
redevine transparent doar dac este plasat din nou ntr-un cmp electric
alternativ cu frecvena de cel puin 4-5 kHz i intensitatea ceva mai mare dect
cea care a provocat fenomenul electro-optic util (mprtierea dinamic a luminii
ambiante).
O alt posibilitate de memorare a imagini este oferit de cristalele lichide
colesterice i smectice. nscrierea informaiilor sau a imaginilor se poate face cu
o lumin laser n spectrul infrarou.
n figura 4.25 a) este prezentat un dispozitiv optoelectronic de memorare optic
format din dou plci de sticl pe care s-au depus electrozi transpareni din oxid de
staniu i indiu i ntre care se afl un strat de cristal lichid smectic cu grosimea de
circa 10 m. Cnd electrozii sunt conectai la o surs de tensiune continu sau
alternativ de cteva zeci de voli, aspectul cristalului nu se modific. Dac pe plac
se proiecteaz un fascicul laser n spectrul infrarou, electrozii din oxid de staniu i
de indiu absorb puternic aceast radiaie, nclzindu-se n punctul de impact cu
Fig. 4.25 Dispozitiv optoelectronic de memorare optic
fascicolul laser care determin trecerea cristalului lichid smectic din starea anizotrop
n starea izotrop, figura 4.25 b). Dup rcire, n cteva zeci de milisecunde, pe
poriunea respectiv se produce dispersia razelor de lumin care o traverseaz, figura
4.25 c) chiar dac acum sursa de tensiune este deconectat. tergerea se poate face
fie printr-o nou nclzire local sau general peste limita superioar de temperatur
a mezofazei fr aplicarea unei tensiuni pe electrozi, fie cu o tensiune alternativ de
circa 50 V i frecvena de civa KHz aplicat pe electrozi, fr a mai fi necesar
nclzirea. nregistrarea i tergerea se pot face de un numr nelimitat de ori.
Filtre optice
Redarea optic a informaiilor se poate face n condiii mult mai bune dac n
loc de o singur culoare se folosete o combinaie de dou sau mai multe culori
comandate pe cale electronic.
n figura 4.26 este reprezentat structura unui dispozitiv bicolor.
Fig. 4.26 Filtru optic
El se compune dintr-un filtru colorat F, un polarizor optic P, un dispozitiv
optoelectronic obinuit cu cristal lichid nematic avnd o textur molecular
homeotrop CL, o folie de plastic birefringent B, un analizor A, i un difuzor de
lumin M. Folia de plastic birefringent are proprietatea de a refracta lumina
polarizat diferit, n funcie de direcia de polarizare. Dispozitivul optoelectronic
CL, plasat ntre cei doi polarizori optic ncruciai, P i A, va lsa s treac doar o
anumit culoare n funcie de poziia axelor optice principale fa de planul de
polarizare a luminii. Lumina alb provenit de la sursa S, trece prin filtrul de culoare
F, este polarizat de polarizorul optic P, apoi traverseaz nemodificat dispozitivul
CL, care nu este sub tensiune i i modific culoarea dup parcurgerea foliei de
plastic birefringente. Dac se aplic tensiunea electric pe stratul subire de cristal
lichid, acesta depolarizeaz lumina incident, anulnd efectul pe care l-ar avea folia
de plastic birefringent. n final, apare culoarea determinat de filtrul F. Difuzorul
optic M are rolul de a mri unghiul de observaie. Pentru o tensiune electric aplicat
pe CL de ordinul 10-20 V, timpul de comutare direct este de ordinul 1-10 ms, iar cel
de comutare invers ntre 20-100 ms. Puterea consumat este sub 100 W / cm
2
.
Pentru afiarea unor simboluri este nevoie fie de o masc fie de un dispozitiv
care s lucreze prin transmisie.
Capitolul 5 Diod Diod Diod Diod Diode e e e e e e e e el ll llectr ectr ectr ectr ectrolumin olumin olumin olumin oluminesc esc esc esc escen en en en ente te te te te
n paragraful 4.4 din capitolul anterior s-a tratat problema electroluminescenei
clasice. n acest capitol se va prezenta mecanismul prin care se transform
energia electric n energie a radiaiei luminoase n jonciuni sau heterojonciuni,
p-n polarizate direct, referindu-ne aici la dispozitivele optoelectronice numite
diode electroluminescente. O heterojonciune tipic se obine prin alturarea
a dou semiconductoare cu benzi energetice interzise diferite. Formarea
heterojonciunii duce la egalarea nivelelor Fermi n cele dou materiale i este
favorizat injecia de purttori n jonciune.
n 1923 pentru prima oar, cercettorul rus O.W. Lossev, a observat emisia de
lumin a unei jonciuni p-n (carbura de siliciu). K. Lehovec, cercettor ceh, i
colaboratorii, au dat explicaia fenomenului n anii 1951-1952, punndu-se baza
explicrii modului de funcionare a ceea ce numim astzi dioda electrolu-
minescent sau LED ul, acronimul de la Light Emitting Diode. Cercetrile
ulterioare au gsit noi materiale (ca de ex. arseniur de galiu) pentru a obine
niveluri relativ mari de energie luminoas.
Procesele de emisie a radiaiei electromagnetice sunt favorizate dac se creeaz
stri de neechilibru n care concentraia purttorilor de sarcin minoritari s fie
mult mai mare dect concentraia lor la echilibru.
Cazul diodei laser va fi prezentat ntr-un capitol separat.
5.1 Injecia i recombinarea purttorilor de sarcin
n jonciunea p-n, polarizat
direct, figura 5.1, bariera de
potenial din regiunea de sarcin
spaial se micoreaz i purt-
torii de sarcin majoritari (elec-
troni, e
din regiunea n, golurile,

p
+
din p) pot trece uor n regiu-
nile adiacente devenind purttori
de sarcin minoritari de neechilibru.
Fenomenul poart numele de injecie electric de purttori de sarcin.
Procesele fizice care nsoesc injecia sunt identice att pentru goluri ct i
pentru electroni,
e
.
Fig. 5.1 Jonciune p-n polarizat direct
56 56 56 56 56 Capitolul 5 Diode electroluminescente
Aplicarea tensiunii directe pe jonciunea sau heterojonciunea p-n, duce la mic-
orarea barierei de potenial i la creterea exponenial a concentraiei purttorilor
minoritari. Purttorii injectai vor participa la dou mecanisme de recombinare
concurente: radiant cu emisia fotonilor i neradiant cu emisia fononilor, energia
disipndu-se sub form termic. Recombinarea neradiant este cea preponderent.
n cazul recombinrii radiante, principalele mecanisme sunt:
a) recombinri band-band (energia emis fiind de ordinul lrgimii benzii
interzise). Fenomenul apare n semiconductorii cu benzi energetice directe,
GaAs, InP, GaSb, AlGaAs, GaAsP.
b) recombinri pe centre de recombinare ale impuritilor izoelectronice (energia
emis fiind aproximativ, E
g
E
i
, unde E
i
este energia de ionizare a impuritii)
cnd fenomenul apare la semiconductorii cu structur de benzi indirecte,
GaP sau GaAs
x
P
1+x
(pentru x>0.5)

.
Preponderena mecanismelor de recombinare este condiionat de factori ca,
temperatura, concentraia purttorilor injectai, concentraia impuritilor din
semiconductor, prezena diverselor imperfeciuni.
n diodele electroluminescente i n cele laser, procesele fizice fundamentale
sunt injecia de purttori minoritari i recombinarea lor radiant. La cureni
mici, jonciunea se comport ca o surs spontan de radiaie necoerent, peste
un curent numit de prag, apare emisia stimulat.
Diodele electroluminescente se pot realiza din orice material semiconductor
n care reconbinarea radiant permite emisia radiaiei.
n tabelul 5.1 sunt prezentate valorile benzii interzise i lungimea de und a
radiaiei emise pentru unele materiale folosite n electronica corpului solid:
Tabelul 5.1
Materiale Limea benzii Lungimea de und
Interzise a radiaiei emise
E
G
[eV] [nm]
CdS 2,4 516
GaP 2,2 560
GaAs
60
P
40
1,9 650
CdSe 1,7 730
GaAs 1,4 900
Si 1,1 1140
Ge 0,7 1880
PbS 0,37 3350
PbTe 0,29 4275
PbSe 0,26 4770
Eficiena cuantic a diodelor luminescente 57 57 57 57 57
Materialele cu lungimile de und n afara spectrului vizibil (sau) i chiar al
celui optic nu s-au dovedit utile n optoelectronic.
n tabelul 5.2 date sunt principalele caracteristici ale materialelor electrolu-
miniscente folosite n fabricarea LED-urilor: lrgimea benzii interzise E
g
, lungimea
de und dominant
0
, limea de band a luminii emise , culoarea emis i
tipul tranziiei n semiconductori.
Tabelul 5.2.
E
g
[eV]
0
[nm] [nm] Culoare Tip tranziie
GaAs 1,4 900 IR Direct
GaAsP 1,9 650 Rou Direct
610 640...700 galben
GaP 2,2 690 630...790 Rou Indirect
560 520...570 Verde
GaAlAs >2 670 650...700 Rou Indirect
AlGaAs >2 840 838...844 IR Indirect
5.2 Eficiena cuantic a diodelor luminescente
n procesele de recombinare, radiaia care rezut se propag n toate direciile
iar o mic parte se propag n exterior prin suprafaa frontal (perpendicular pe
planul jonciunii) sau lateral (paralel pe planul jonciunii).
Eficiena cuantic extern,
ext
, a unei diode luminescente reprezint
numrul de fotoni rezultai n procesul de recombinare raportat la numrul de
purttori injectai i este dat de:
o g i ext

(5.1)
unde

i
este eficiena injeciei purttorilor i exprim ct din curentul injectat
prin diod contribuie la emisia fotonilor;

g
este eficiena generrii radiaiei n cristal i exprim ct din radiaia
emis poate fi generat n semiconductor;

o
este eficiena optic sau eficiena extraciei radiaiei, care arat ct
din numrul de fotoni rezultai din procesul de recombinare vor putea fi
extrai n afara jonciunii.
Produsul
int g i

se numete eficien cuantic intern.
De cele mai multe ori eficiena cuantic extern este mult mai mic dect cea
intern, ea fiind puternic influenat att de curentul direct ct i de temperatur.
Eficiena optic este limitat de fenomene cum ar fi:
autoabsorbia;
pierderi prin reflexie normal, Fresnel;
pierderi prin reflexie total.

5.3 Caracteristicile de baz ale diodelor electroluminescente
5.3.1 Caracteristica curent tensiune
Pentru dioda electroluminescent caracteristica, curent-tensiune are dou
componente una datorat difuziei purttorilor i alta datorat generrii-recom-
binrii n regiunea de sarcin spaial. Pentru cazurile de interes practic curentul
de difuzie este componenta principal a
curentului direct produs prin injecia
purttorilor minoritari.
Componenta datorat recombinrii n
regiunea de sarcin spaial contribuie
la procesele de recombinare neradiant.
Rezultatele experimentale sunt repre-
zentate prin formula empiric:

(
(
,
\
,
,
(
j
kT
qV
exp I I
S F
(5.2)
n care coeficientul = 1 cnd curentul
de difuzie este predominant i = 2 cnd
curentul de recombinare este predomi-
nant. n figura 5.2 este prezentat carac-
teristica curent-tensiune a unei diode
electroluminescente.
5.3.2 Caracteristica spectral
Reprezint distribuia spectral a
intensitii emisiei (luminoase sau
radiante) diodelor luminescente. Prin
intermediul acestei caracteristici se pun
n eviden lungimea de und domi-
nant, maxim, i lrgimea de band.
LED-urile emit radiaie luminoas
ntr-un spectru de lungimi de und n
jurul unei valori centrale
max
(figura
5.3). Limea benzii spectrale a
LED-urilor este de ordinul zecilor de nm
(tipic 5% din lungimea de und cen-
tral,
max
), ceea ce este un dezavantaj n unele aplicaii, de exemplu n comu-
nicaiile optice.
5.3.3 Caracteristica de directivitate
Caracteristica de directivitate a LED-ului indic, variaia intensitii de emisie a
radiaiei n funcie de devierea unghiular de la axa optic, adic graficul dependenei
strlucirii B n funcie de unghiul fa de axul optic al LED-ului, figura 5.4.
Fig. 5.2 Caracteristica LED-ului
Fig. 5.3 Distribuia spectral a LED-ului
Aplicaii pentru diodele electroluminescente 59 59 59 59 59
Strlucirea B a LEDului este o mrime ce caracterizeaz intensitatea radiaiei
emise de LED i se definete, n mod asemntor intensitii luminoase a unei
surse punctiforme, ca fiind fluxul luminos emis de LED n unitatea de unghi solid:
]
]
]
,
sr
W
, B . (5.3)
Caracteristica de directivitate se exprim att n coordonate polare ct i liniare.
Unghiul de radiaie al LED-ului se definete ca fiind unghiul la care strlucirea
scade la jumtate din valoarea maxim (scade cu 3 dB). Forma caracteristicii de
directivitate mai este influenat de forma capsulei precum i de materialul din
care este ea fcut.
Capsula LED-ului este fabricat din rin epoxidic. Capsula sferic permite
obinerea unei caracteristici de directivitate alungite de-a lungul axului optic,
util n aplicaii care necesit o surs de lumin concentrat. Prin introducerea
unui material difuzant (particule de colorant cu diametrul mai mic de 10 m
care difuzeaz razele de lumin emise de chipul electroluminiscent) se obin
LED-uri cu unghiuri de radiaie mari (mai mari de 30
0
) care sunt folosite n
aplicaiile de semnalizare luminoas, afiajele cu LED-uri etc.
Caracteristica strlucirii B n funcie de curentul direct I
F
este una liniar pn
la o anumit valoare dup care apare o saturare a ei. Saturaia depinde de tipul
LED-ului i este dat n catalogul fabricantului, mpreun cu valoarea curentului
nominal. Acesta corespunde valorii pentru care strlucirea este maxim.
Timpul de via pentru al diodelor electroluminescente este foarte mare. El
este afectat de curentul nominal I
F
, i anume, scade odat cu creterea acestuia.
5.4 Aplicaii pentru diodele electroluminescente
Diodele electroluminescente au un domeniu foarte larg de aplicaii, de la cele n
care sunt folosite n semnalizare i sesizare luminoas pn utilizarea lor n
comunicaiile optice.
n schemele electronice simbolul diodei
electroluminiscente poate fi unul din figura
5.5. Terminalele unui LED se numesc anod
(A) i catod (K). Ele sunt reprezentate n
figura 5.5. Picioruul mai scurt este catodul.
Fig. 5.4 Dependena strlucirii de unghiul
Fig. 5.5 Simboluri grafice pentru LED-uri
Structura fotoemisiv a unei diode electroluminescente are dimensiuni reduse
(
2
mm 5 , 0 x 5 , 0 ) i n multe situaii se procedeaz la mrirea pe cale optic a
dimensiunii aparente a acestei surse. Capsula unui LED trebuie s ndeplineasc
pe lng funciile de protecie fa de aciunea mediului, fixare mecanic,
conectare electric i o serie de funcii optice, trebuie s asigure:
ieirea luminii ntr-o cantitate ct mai mare, cu o distribuie spaial convena-

bil. Plasarea cipului aproape de focarul lentilei convergente formate de
capsul conduce la o caracteristic unghiular de emisie ngust. O uoar
defocalizare i adugarea unui material difuzant n compoziia plasticului
conduc la mrirea curbei caracteristice de emisie, chiar dac strlucirea
are o mic scdere;
s produc un contrast satisfctor ntre strile aprins i stins. Se defi-

nete raportul de contrast, CR, al unui LED ca fiind raportul ntre strlucirea
LED-ului i strlucirea fondului datorit luminii ambiante. Raportul poate
lua valori n intervalul (1, ). Valoarea tipic CR=10 este minim pentru
un LED. O metod de mrire a raportului de contrast este colorarea capsulei
n culoarea luminii emise de dispozitiv, materialul capsulei fiind astfel un
filtru optic.
Capsulele din plastic ale LED-urilor trebuie s fie ferite de zgrieturi, i de
dizolvare prin contact cu acetona, tetraclorura de carbon, tricloeetilena. Pentru
splare se folosete apa cu detergent urmat de cltire cu ap.
Lipirea n montaj a terminalelor LED-ului trebuie fcut astfel nct s nu
degradeze capsula sau dispozitivul prin nclzire excesiv.
Alimentarea LED-urilor n curent continuu se face dup schema din figura 5.6 .
Fig. 5.6 Semnalizare cu: a) comutator, b) tranzistor
Dac pentru curentul nominal I
F
prin LED avem valori n intervalul (1...20 mA),
iar V
F
= 1,2...3,5 V atunci se poate calcula valoarea rezistenei R:
pentru montajul din figura 5.6 a)

F
F CC
I
V V
R

;
pentru montajul din figura 5.6 b)

nom
sat
F
CE F CC
I
V V V
R

.
Alimentarea n curent alternativ se face conectnd o diod redresoare
antiparalel cu LED-ul, precauie necesar datorit tensiunii inverse mici (3-5 V)
de strpungere a diodei electroluminescente.
Pentru semnalizarea a trei stri cu un singur dispozitiv, se monteaz ntr-o
singur capsul dou structuri LED, de culori diferite.
O grupare de 10 LED-uri ncapsulate n linie i prezentnd un numr identic de
sectoare luminoase constituie un dispozitiv de afiare cu barete cu aplicaii la
indicatoare de nivel a unui semnal electric, pentru temperatur, poziie, nivel de
lichid, etc. Exist circuite integrate speciale pentru comanda afiajelor cu barete.
Aplicaiile cele mai rspndite pentru LED-uri sunt cele legate de afiarea
numeric cu apte segmente. Dispozitivul pentru afiarea unei cifre numit digit
are aspectul din figura 5.7 a). ntr-o carcas paralelipipedicprevzut cu
terminale dual in line sunt montate LED-urile care configureaz cifra 8.
Oricare ar fi variantele de ncapsulare a LED-urilor, se aprind acele segmente
care dau cifra dorit.
Pentru afiarea literelor sau a altor simboluri se folosesc matrici cu 5x7 puncte,
figura 5.7 b), sau afiaje cu 16 segmente sau cu 22 segmente.
Afiajul cu matrice de 5x7 puncte, alfanumeric, necesit electronic specializat
cu circuite de memorie, circuite de multiplexare, generator de caractere i drivere
ncorporate ntr-o singur capsul.
Fig. 5.7 a) afiare cu 7 segmente, b) afiare matricial
n figura 5.8 este prezentat diagrama bloc a unui circuit de afiare pentru o
matrice 5x7. Unitatea const dintr-o matrice de 35 de LED-uri aranjate ntr-un
ablon 5x7 i un singur circuit integrat CMOS. Circuitul integrat CMOS conine
drivere de coloan, drivere de linie, o memorie ROM generatoare de 96 de
caractere, circuite de multiplexare i circuite de suprimare.
Fig. 5.8 Schema bloc a unui circuit inteligent de afiare
n sistemul de afiaj cu matrice de puncte, este avantajos a se folosi un modul
de multiplexare cu 12 drivere (5 cifre plus 7 segmente), n locul celor 35 de
drivere pentru fiecare segment. Aceasta reduce numrul de drivere i
interconectri necesare. Sistemul multiplexat trebuie s fie un sistem sincron,
altfel cifrele i elementele ar fi diferite ca luminozitate n timp.
Multiplexarea este intern, iar intrarea de date este asincron. ncrcarea
datelor este similar cu scrierea ntr-un RAM. Pentru un sistem cu mai muli
digii, fiecare cifr are propria i unica sa locaie de adres i va afia coninutul
su pn la nlocuirea cu un alt cod.
Afiajul inteligent are capacitatea de a lumina pe trei nivele plus cea de stingere
a afiajului. Tabelul 5.3 prezint combinaia dintre semnale BL0 i BL1 pentru
nivele diferite de luminozitate. Intrrile BL0 i BL1 sunt independente de scriere
i CE (Chip Enable) i nu afecteaz coninutul memoriei interne.
Tabelul 5.3 Cominaia semnalelor BL0 i BL1 pentru diferite nivele
de luminozitate
Nivelul de luminozitate BL1 BL0
Stins 0 0
din luminozitate 0 1
din luminozitate 1 0
Luminozitate maxim 1 1
Din multitudinea de aplicaii mai amintim:
cititoare de cartele sau benzi magnetice;
tahometre optice (pentru controlul vitezei motoarelor);
linii de asamblare (numerotare, orientare discriminatorie de sens);
cititoare/scannere de coduri cu bare;
sincronizare opto-mecanic (sincronizarea momentului de pornire);
senzori de poziionare a capetelor de imprimant/plottere;
izolare galvanic la circuitele de nalt tensiune;
detectoare de fum;
densimetre (pentru analize chimice);
detectoare de proximitate (de muchie sau cu apertur i sistem de lentile

confocale);
iluminat (LEDuri cu strlucire 25...30 lm), semafoare;
panouri de afiare de la cele mai mici dimensiuni, folosite n scop

publicitar, la cele gigantice (ecrane de proiecie) etc.
Capitolul 6 F FF FFo oo oot tt ttod od od od ode ee eetect tect tect tect tectorii orii orii orii orii
6.1 Consideraii generale
Orice dispozitiv care transform semnalele luminoase din domeniul spectrului de
radiaie optic n semnale electrice se numete detector fotoelectronic sau mai
simplu, fotodetector. Principiul de funcionare al fotodetectorilor const n absorbia
radiaiei luminoase i transformarea ei n alte forme de energie. Din acest punct de
vedere fotodetectorii se mpart n dou grupe mari: fotodetectorii termici n care
absorbia radiaiei luminoase este nsoit de creterea temperaturii sistemului reea
cristalin-electroni i fotodetectori electronici (fotonici) n care absorbia radiaiei
optice determin excitarea electronilor pe nivele energetice superioare.
n detectorii termici, absorbia luminii ridic temperatura dispozitivului iar
aceasta modific un parametru dependent de temperatur (de exemplu
conductivitatea electric). Ca o consecin, ieirea unui detector termic este
proporional cu cantitatea de energie absorbit n unitatea de timp de detector
iar eficiena absorbiei este aceeai la toate lungimile de und i este independent
de lungimea de und a luminii. Fotodetectorii termici nu sunt selectivi deoarece
energia absorbit este transformat n energie termic.
n cazul detectorilor fotonici, procesul de absorbie rezult direct din
evenimente cuantice specifice (ca de exemplu emisia fotoelectric de la suprafa),
care este apoi numrat de un sistem de detecie. Astfel ieirea unui detector
fotonic este legat de viteza de absorbie i nu de energia lor. Toate procesele
fotonice necesit o anumit cantitate de energie pentru a fi iniiate. Deoarece
energia unui foton este
hc
h E , detectorii fotonici au o lungime de und de
prag mare i aceasta este lungimea de und maxim sub care ei nu funcioneaz.
Detectorii fotonici care lucreaz n infrarou, au energii comparabile cu energia
termic medie kT a atomilor din detectorul nsui. Un numr relativ mare de
emisii de cuante pot fi generate mai degrab de agitaia termic, dect de
absorbia luminii i va constitui astfel o surs de zgomot. Pentru a micora
zgomotul se reduce temperatura detectorului. De exemplu majoritatea
detectorilor fotonici ce opereaz deasupra lungimii de und de 3 m, trebuie s
fie rcii la temperatura azotului lichid (77 K) sau sub ea.
Dispozitive termice 65 65 65 65 65
6.2 Dispozitive termice
Pentru a descrie comportarea unui detector termic, s considerm modelul
din figura 6.1. Radiaia incident este absorbit de senzorul termic cu capacitatea
caloric H. Acesta este conectat la detectorul termic, ce are temperatura constant
T
S
, printr-o legtur termic caracterizat de conductana termic G. Dac viteza
de absorbie instantanee a cldurii este W, atunci ntr-un interval de timp t,
cldura absorbit este t W . Fie temperatura senzorului T
s
+ T, atunci cantitatea
de cldur pierdut n acelai interval de timp este G T t. Diferena dintre
cele dou cantiti de cldur reprezint, cantitatea de cldur necesar s ridice
temperatura elementului. Deci:
( ) T H t T G t W (6.1)
dac lum la limit t 0 obinem:
( )
T G
dt
T d
H W +
Fig. 6.1 Modelul unui detector termic

S presupunem c W are o dependen de timp dat de ) 2 cos(
0
ft W W W
f
+ ,
unde
f
W W <
0
astfel c T poate fi scris ca ) 2 cos(
0 f f
ft T T T + + .
nlocuind aceste relaii, rezult pentru T
f
:
( )
2 / 1
2 2 2
f
f
H f 4 G
W
T
+

. (6.2)
Pentru ca sensibilitatea s fie bun este necesar ca s avem o valoare mare a
lui T
f.
Aceasta nseamn s avem valori mici att pentru G ct i pentru H,
condiii ndeplinite dac se folosesc elemente absorbante subiri de arie mic
(pentru a reduce H) care s aib un suport minim (pentru a reduce G).
Pentru a discuta caracteristicile n frecven, vom rescrie relaia (6.2), ca:
( )
2 / 1
2
H
2
f
f
f 4 1 G
W
T
+
(6.3)
66 66 66 66 66 Capitolul 6 Fotodetectorii
unde
G
H
H
este constanta de timp termic.
Pentru a avea rspuns bun la o frecven f, este necesar ca
f 2
1
H
. Dac H
este fixat (din considerente de mrime) atunci G nu poate fi fcut foarte mic,
astfel c timpul de rspuns devine foarte lung. Valori tipice pentru
H
sunt de
10
-3
s, dei pot fi realizate i valori mai mici. Limitarea sensibilitii detectorului
termic este dat de fluctuaiile de temperatur din interiorul acestuia. Fluctuaii
de temperatur pot apare i datorit fluctuaiilor aleatoare ale vitezei fluxului
de energie din afara elementului. Se poate arta c rdcina ptratic medie a
fluctuaiei de putere (W
f
), ce trece prin legtura termic, cu frecvenele n
intervalul ) , ( f f f + , poate fi scris ca:
( ) f G KT 4 W
2 / 1
2
f
(6.4)
Cea mai mic valoare a lui G ce poate fi obinut atunci cnd schimbul de
energie se face numai radiativ. n acest caz, puterea minim detectabil la tempe-
ratura camerei, pentru un detector cu suprafaa de 100 mm
2
este de 5 10
-11
W
dar prin rcire se pot mbunti performanele.
Elementul receptor este adesea de forma unei benzi metalice subiri cu o suprafa
absorbant acoperit cu aur (un strat de Au evaporat, este uniform absorbant pentru
toate lungimile de und din UV pn n IR). Montarea lui ntr-o capsul vidat
crete stabilitatea datorit izolrii de aer, dar n acest caz trebuie inut cont de domeniul
de lungimi de und la care se face transmisia de radiaie, adic s se aleag aceea
fereastr care s transmit un domeniu ct mai larg de lungimi de und. Deoarece
au o importan relativ mic, detectorii termici vor fi tratai pe scurt.
6.2.1 Detectorii termoelectrici
Detectorii termoelectrici folosesc principiul unui termocuplu (efectul Seebeck),
adic, nclzind una din jonciuni la capetele acestuia, apare o tensiune propor-
ional cu diferena de temperatur dintre cele dou suduri ale termocuplului.
n detectorii termici o jonciune este folosit pentru a sesiza creterea de
temperatur n timp ce cealalt este meninut la temperatura constant, figura
6.2. Prin conectarea n serie se obine o baterie de termocuple, termopile, se
obine un detector mult mai sensibil.
Pentru a fi eficieni detectorii termici
necesit materiale cu conductivitate
electric mare (pentru a minimiza efec-
tele Joule) i cu conductivitate termic
mic (pentru a minimiza pierderile prin
conducie termic). Aceste dou cerine
sunt incompatibile i se ajunge la un
compromis.
Fig. 6.2 Detectorul termoelectric
Dispozitive termice 67 67 67 67 67
Cel mai utilizate pentru termocuple sunt metalele, dar pentru anumite domenii
de temperatur se folosesc i semiconductorii ce au o sensibilitate mult mai bun.
6.2.2 Bolometrul
n bolometru radiaia incident nclzete un fir subire sau o band metalic
cauznd o modificare a rezistenei electrice. Schimbarea rezistenei poate fi
detectat n mai multe feluri; poate fi inserat n braul unei puni Wheastone,
figura 6.3 sau ntr-un montaj ohmetric. Trebuie avut grij ca fluxul de curent ce
trece prin element s fie suficient de mic s nu i ridice temperatura. Parametrul
principal al unui bolometru este coeficientul de temperatur , care este dat de:
dT
d 1

(6.5)
unde este rezistivitatea materialului i T este temperatura.
Rezistivitatea crete cu temperatura i de aceea va fi pozitiv. Platina i nichelul
sunt metalele cel mai des folosite i au valori
1
K 005 . 0

. O sensibilitate mai
mare se obine folosind elemente semiconductoare, i acestea sunt numite
termistori. Acetia sunt oxizi de mangan, cobalt sau nichel i au pentru valori
de aproximativ 0,06K
-1
(pentru aceste materiale este dependent de temperatur),
semnul minus apare deoarece la creterea temperaturii peste o anumit valoare
scade rezistena. n detectarea radiaiei din infraroul ndeprtat se folosesc
bolometre cu rezisten de carbon, rcii la temperatura heliului lichid (4,2K).
6.2.3 Detectorii pneumatici
Elementul receptor pentru un detector pneumatic este plasat n interiorul unei
camere ermetice. Radiaia ce cade pe element produce creterea temperaturii
aerului i deci a presiunii din camera ermetic.
Creterea presiunii poate fi detectat n mai multe moduri. Unul din cele mai
sensibile moduri de detecie este folosirea unei celule GOLAY, figura 6.4. Unul
din pereii camerei are un orificiu acoperit cu o membran flexibil argintat.
Aceasta acioneaz ca o oglind a crei distan focal depinde de presiunea din
interiorul camerei.
Fig. 6.4 Schema bloc a celulei Golay
Un fascicul de lumin pleac de la sursa S, trece prin reea, se reflect pe
oglinda flexibil, se ntoarce prin reea i e fcut s cad pe detectorul P. Cnd
nu este absorbit radiaia, fascicolul reflectat se ntoarce pe partea opac a reelei,
astfel c pe detectorul D nu apare semnal. Dac oglinda i schimb curbura,
lumina va fi transmis prin reea i nregistrat de detectorul D. Ieirea de semnal
a lui D este proporional cu cantitatea de radiaie absorbit de camer. Celulele
Golay detecteaz puteri pn la 10
-11
W, dar sunt totui fragile i dificil de realizat.
6.2.4 Detectori piroelectrici
Nu au aceeai sensibilitate ca i celulele Golay, dar au timp de rspuns rapid i
sunt mai robuti.
Radiaia incident este absorbit ntr-un
material feroelectric, ce are molecule cu
moment de dipol electric permanent. Sub
temperatura critic (punctul Curie), dipolii
sunt parial aliniai de-a lungul unei axe
cristalografice specifice, rezultnd polari-
zarea electric net a cristalului ca un n-
treg. Cnd materialul feroelectric este ncl-
zit, creterea agitaiei termice a dipolilor
electrici face ca polarizarea net s scad,
ea devine zero peste T
c
, aa cum se arat n
figura 6.5.
Cel mai sensibil material feroelectric este triglicin-sulfatul (TGS), dar are
temperatura Curie joas n jur de 49
0
C i ca atare cele mai folosite materiale
sunt cele ceramice, ca de exemplu zirconatul de Pb, care are temperaturi Curie
de cteva sute de grade.
Detectorul const dintr-un strat subire de material fotoelectric tiat astfel ca
direcia de polarizare spontan s fie perpendicular pe feele cu suprafa mare. Se
evapor electrozi transpareni pe aceste fee i sunt legate prin intermediul unui
rezistor de sarcin de valoare mare (10
11
), aa cum este artat n figura 6.6 (a).
Fig. 6.5 Polarizarea electric spontan
pentru un material feroelectric
n funcie de temperatur
Fig. 6.6a) Schema de principiu Fig. 6.6b) Schema echivalent pentru
a unui detector feroelectric detectorul feroelectric
Schimbarea de temperatur a materialului fotoelectric produce modificarea
polarizrii spontane i deci a cantitii de sarcin superficial ce se gsete pe
feele materialului. Aceasta induce modificri de sarcin pe electrozi i duce la
Dispozitive fotonice 69 69 69 69 69
apariia unui curent prin rezistorul de sarcin R
L
, ceea ce nseamn i modificarea
semnalului de tensiune. n ceea ce privete rspunsul n frecven, la frecvene
joase, semnalul de ieire crete de la zero i atinge o limit de saturaie cnd
f > 1/2
H
, unde
H
este constanta termic din relaia (6.3). La frecvene nalte,
capacitatea electrozilor C, este n paralel cu R
L
i tensiunea la ieire cade la
2
1
din valoarea ei maxim la o frecven de tiere f
c
dat de relaia:
C R 2
1
f
L
c
(6.6)
Deoarece tensiunea de ieire este proporional cu R
L
, se face un compromis
ntre sensibilitate i rspunsul n frecven. Un detector cu f = 1 Hz ce lucreaz
la f = 100 Hz poate detecta puteri de radiaie de 10
8
W. n figura 6.6b) se
prezint schema echivalent a detectorului; pentru adaptarea de impedane, n
interiorul detectorului se proiecteaz o surs de adaptare cu un tranzistor JFET.
Detectorii piroelectrici pot avea un timp de rspuns de ordinul nanosecundelor
i i gsesc aplicaii n detectorii de foc i alarme.
6.3 Dispozitive fotonice
Sunt dispozitive n care absorbia radiaiei optice determin excitarea electronilor
pe nivele energetice superioare.
La baza funcionrii detectorilor electronici de radiaie st efectul fotoelectric,
detectorii numindu-se n general fotoelemente.
Dac radiaia incident n urma absorbiei, determin ieirea electronilor din
solid i formarea unui flux de electroni ntre anod i catod, atunci aceast form
de transformare a energiei luminoase se numete efect fotoelectric extern.
Excitarea intern a reelei cristaline sub aciunea radiaiei absorbite care
determin trecerea electronilor din strile legate n strile libere poart denumirea
de efect fotoelectric intern. Una din formele de manifestare a efectului fotoelectric
intern const n apariia purttorilor de sarcin i deci n creterea conductivitii
electrice a semiconductorului. Modificarea conductivitii electrice a
semiconductorilor sub aciunea radiaiei optice poart denumirea de fotoconducie
iar detectorii de radiaie construii pe baza acestui fenomen se numesc fotorezistori.
O alt form de manifestare a efectului fotoelectric intern n semiconductorii
cu diferite tipuri de neomogeniti (contactul metal-semiconductor, jonciunea
p-n, semiconductori cu gradient de impuriti), const n separarea purttorilor
de sarcin n cmpurile interne i apariia unei tensiuni fotoelectromotoare, efectul
fotovoltaic.
Dac un semiconductor omogen este iluminat neuniform atunci i generarea
purttorilor de sarcin va fi neuniform i deci purttorii de sarcin vor difuza
pe direcia descreterii concentraiei. Datorit faptului c electronii i golurile
au mobiliti diferite va apare o tensiune fotoelectromotoare. Acest proces de
apariie a unei fototensiuni se numete fotoefect de difuzie sau efect Dember.
Un efect fotovoltaic poate s apar ntr-un semiconductor atunci cnd
perpendicular pe direcia de iluminare se aplic un cmp magnetic sau
semiconductorul este deformat uniaxial. n primul caz efectul se numete efect
fotoelectromagnetic iar n cel de-al doilea caz fotopiezoelectric.
6.3.1. Caracteristicile fundamentale ale fotoelementelor
Pentru a caracteriza rspunsul fotodetectorilor la radiaia optica se utilizeaz
sensibilitatea spectrala sau integrala n curent sau tensiune. Se evalueaz reacia
fotodetectorului conectat intr-un circuit de utilizare n funcie de mrimea
semnalului de ieire cauzat de fluxul luminos incident.
Sensibilitatea spectrala
S se definete ca fiind rspunsul fotodetectorului

sub aciunea fluxului luminos monocromatic:
d
dU
S
(6.7)
unde dU
reprezint reacia fotodetectorului, determinat de fluxul luminos

monocromatic d
. Valoarea maxim la care poate ajunge sensibilitatea spectral

este
M
S
iar lungimea de unda la care apare aceasta se numete lungime de

und a sensibilitii maxime a fotodetectorului,
M
. Mai practic este folosirea
mrimii numita sensibilitate spectral relativ definit de relaia:
M
S
S
s
) ( , (6.8)
mrimea s(), reprezint caracteristica spectrala a fotodetectorilor.
Sensibilitatea integral S a fotodetectorilor se definete prin relaia:
U
S
(6.9)
unde U reprezint rspunsul fotodetectorului sub aciunea fluxului luminos
cu o anumit compoziie spectral. ntre sensibilitatea spectral i cea integral
se arat c exist relaia:
( ) ( )
( )

d
d s
S S
M

0
0
(6.10)
unde () este densitatea spectral a sursei de radiaie luminoas.
Se observ c, sensibilitatea integral depinde att de proprietile fotodetec-
torului, dar i de caracterul radiaiei emise de surs prin intermediul funciei ().
Fluxul luminos efectiv, ef, este dat de relaia:
( ) ( )

0
d s
ef
(6.11)
Coeficientul de utilizare K a fluxului luminos de ctre detector se definete
ca fiind:
( ) ( )
( )
0
0

d
d s
K . (6.12)
Deoarece s() nu are o expresie analitic ci se d sub form de grafic, pentru
calculul lui K trebuie s utilizm metode grafice de calcul. Dac pentru un anumit
fotodetector se cunosc sensibilitatea integral i coeficientul de utilizare n raport
cu o anumit radiaie optic atunci se poate determina n uniti absolute
sensibilitatea spectral a fotodetectorului adic:
( )
s
K
S
S
. (6.13)
Fluxul luminos de prag
p
se definete ca fiind fluxul luminos minim care
determin la ieirea fotodetectorului un semnal echivalent cu nivelul propriu de
zgomot.
Caracterul discret al proceselor care au loc n fotodetector face ca la ieirea
fotodetectorului s se detecteze un semnal aleator att ca amplitudine ct i ca
frecven. Valorile cele mai probabile, se determin prin metode statistice care
in cont de diferitele tipuri de fluctuaii i fenomene care determin zgomotul.
ntr-un interval de timp care este mult mai mare dect perioada fluctuaiilor,
mrimea fluctuaiei se poate evalua prin dispersia
2
~
U , adic prin abaterea medie
ptratic a mrimii aleatorii U de la valoarea medie U
0
n acel interval de timp,
care matematic se scrie:
( )
0
2
0
2
1 ~
dt U U U . (6.14)
Nivelul de zgomot este dat de abaterea medie standard a semnalului la ieirea
fotodetectorului,
2
~
U , astfel c pentru fluxul luminos de prag
p
obinem:
S
U
p
2
~

(6.15)
n mod analog se definete pragul de flux monocromatic:
S
U
p
2
,
~
. (6.16)
n definirea pragului de sensibilitate a fotodetectorilor trebuie inut cont att
de mrimea A a suprafeei expuse la iluminare ct i de banda de frecven, f,
a amplificatorului utilizat la ieirea fotodetectorului i de aceea se definesc
urmtoarele mrimi:
pragul specific de sensibilitate a fotodetectorului,

f A f A
U
S
p
s
p

1
~
1
2
(6.17)
pragul specific spectral,

f A f A
U
S
p
s
p

1
~
1
,
2
,
. (6.18)
Responsivitatea arat dependena semnalului de ieire (curent sau tensiune)
funcie de fluxul radiaiei incidente.
i
U
R
(6.19)
Pentru radiaia corpului negru modulat cu frecvena f se definete respon-
sivitatea de corp negru R(T,f) iar pentru o radiaie monocromatic modulat
cu frecvena f se definete responsivitatea spectral R(,f).
Pentru a caracteriza fotodetectorii se utilizeaz mrimea:
2
~
1
U
S
D
p

(6.20)
numit detectivitate.
Detectivitatea specific D* este definit prin relaia
f A D D
(6.21)
i se msoar n W
-1
Hz
1/2
cm sau lm
-1
Hz
1/2
cm.
n mod similar se definete detectivitatea spectral i detectivitatea spectral
specific prin intermediul relaiilor:
2
,
~
1
U
S
D
p
(6.22)
i
f A D
1
D
s
, p

(6.23)
Detectivitatea D** ine seama de cmpul de vedere al detectorului atunci
cnd radiaia incident ajunge la detector sub unghiul .
sin

D D (6.24)
D* fiind valoarea obinut pentru unghiuri extinse la o emisfer.
Caracteristica tranzitorie a fotodetectorului, S
t
(t), se definete ca fiind
reacia fotodetectorului atunci cnd asupra lui actioneaxa un flux luminos unitar
treapt. n cazul unei caracteristici liniare a fotodetectorului, dependena de
timp a rspunsului este descris de ecuaia diferenial:
( ) ( ) t S t U
dt
dU
+
0
. (6.25)
Dac fluxul luminos are forma unei funcii treapt, prin rezolvarea ecuaiei
obinem:
0 , 1 ) ( ) (
0
0 , 1 ) (
>
(
(
,
\
,
,
(
j

>
t e S t S t U
t
t
t t

(6.26)
Mrimea din relaiile de mai sus poarta nu-
mele de constanta de timp a fotodetectorului.
Procesul tranzitoriu se desfoar ntr-un inter-
val de timp aproximativ egal cu dou sau trei
constante de timp.
n accepiunea general, constanta de timp
a fotodetectorului, se consider ca fiind egal
cu intervalul de timp n care semnalul la ieirea
fotodetectorului atinge 63% din valoarea sa
staionar.
Caracteristica n impulsuri, S
i
(t), se stabilete
atunci cnd la intrarea fotodetectorului acioneaz
un impuls de flux luminos, ) ( ) ( t t , unde ) (t
este funcia delta. Rezolvnd ecuaia (6.25) pentru
impulsul de flux luminos, avem:
0 , ) ( ) (
0
0 ), ( ) (
>

>
t e
S
t S t U
t
i
t t t

(6.27)
Caracteristica de frecven a fotodetectorului, nseamn stabilirea depen-
denei amplitudinii semnalului de frecventa fluxului luminos incident.
Caracteristica de faz a fotodetectorului nseamn stabilirea dependentei
diferenei de faz dintre componenta armonic a semnalului la ieire i
componenta armonic a fluxului luminos incident.
Pentru studiul caracteristicilor de frecven i de faz se consider c asupra
fotodetectorului acioneaz un flux luminos sinusoidal cu pulsaia cnd pentru
semnalul de ieire obinem:
( )
( )

+
]
]
]
]
,
,
,
+
t i
e
S
t U
2
0 0
1
) ( (6.28)
Fig. 6.7 Caracteristica tranzitorie
a fotodetectorului
Factorul preexponenial stabilete variaia amplitudinii semnalului cu pulsaia
, iar relaia
tg (6.29)
ne arat dependena fazei semnalului de pulsaia .
Coeficientul de temperatur a fotodetectorului exprim variaia relativ a
fotocurentului sau a sensibilitii atunci cnd temperatura variaz cu 1C. Un
fotodetector funcioneaz normal numai ntr-un anumit interval de temperaturi
n care caracteristicile lui nu se modific substanial sau nu, determin modificri
ireversibile ale caracteristicilor fotodetectorului. Dependena sensibilitii sau
a fotocurentului n funcie de temperatur este prezentat de obicei sub form
de grafice.
Regimul de funcionare a fotodetectorilor este limitat de puterea de disipare
maxim admis. Dac T
f
este temperatura fotodetectorului iar T
m
este temperatura
mediului ambiant atunci puterea disipat este dat de:
( )
m f d
T T b P (6.30)
unde b este o constant. n regim staionar, puterea primit de fotodetector
f f p
V I P trebuie s fie egal cu puterea disipat, adic:
( )
m f f f
T T b I V (6.31)
Calculul regimului termic de funcionare se face de cele mai multe ori aproxima-
tiv deoarece nu se cunosc cu precizie coeficientul de temperatur i constanta b.
Caracteristica energetic (luminoas) a fotodetectorului, ( ) f S , exprim
variaia sensibilitii integrale sau spectrale a fotodetectorului n funcie de
mrimea fluxului luminos incident.
Caracteristicile curent-tensiune, I=f(V), att la ntuneric ct i n prezena
iluminrii sunt determinate nu numai de procesele fizice care au loc n
fotodetectori ci i de construcia i geometria lor.
Caracteristica n tensiune, exprim legtura dintre semnalul la ieire i
tensiunea de alimentare a fotodetectorului.
6.3.2 Detectorii fotoemisivi
Detectorii fotoemisivi sunt dispozitive de detecie bazate pe emisia electronilor
fotoexcitai n interiorul unui material numit fotocatod, atunci cnd energia
acestora este suficient pentru a depi bariera de potenial a materialului. Dup
ieirea din materialul fotoemisiv electronii sunt accelerai spre anod astfel c
semnalul fotodetectat se regsete pe rezistena de sarcin a circuitului.
Cnd un foton de energie h cade pe suprafaa unui metal, el poate fi absorbit
i poate ceda energia sa electronilor. Pentru ca electronul s ias din metal energia
lui trebuie s fie cel puin egal cu e L
e
, unde L
e
este lucrul de extracie,
potenialul de extracie, e sarcina electronului. (figura6.8). Dac electronul se
afl pe nivelul Fermi, energie lui cinetic E este dat de:
e h E
(6.32)
Dar electronul poate fi iniial sub nivelul Fermi i poate suferi de asemenea
mprtieri neelastice nainte de emisie, de aceea relaia de mai sus reprezint
energia necesar pentru ca s fie emii electroni. Dac h< e, atunci nu va fi
emis nici un electron. n cazul n care probabilitatea ciocnirilor neelastice a
electronilor excitai este mare, atunci numai o fraciune din ei vor fi capabili s
ias din metal. Raportul dintre numrul de electroni emii i numrul de electroni
absorbii se numete eficien cuantic.
Metalele pure sunt rar utilizate pentru funcia de fotocatod, deoarece ele au
eficien cuantic mic (~0.1%) i lucru de extracie mare. Cesiu are cea mai
mic valoare pentru lucrul de extracie de aproximativ 2,1 eV.
Analiza proceselor fizice de fotoemisie arat
c exist dou tipuri de suprafee fotoemisive
a) convenionale
b) cu afinitate electronic negativ (AEN).
Acestea din urm sunt straturi subiri evapo-
rate ce conin de asemenea i compui ai metale-
lor alcaline (de obicei Cs) i unul sau mai multe
elemente metalice din grupa V a tabelului perio-
dic. n codificarea acestor elemente se utilizeaz
litera S. Aceste materiale pot fi privite ca i
semiconductori i deci majoritatea electronilor
trebuie s primeasc o energie cel puin egal cu
0
+
g
E , (unde E
g
, este energia benzii interzise,
iar 0
este afinitatea electronului) pentru a

ajunge la suprafa. De exemplu pentru compusul NaKCsSb (codificat S20)
eV E
g
1 iar V 4 , 0
0
e i ca atare energia de prag este de 1,4 eV ceea ce se
confirm i n practic.
n metale, energia pragului de fotoemisie
m
p
E este dat de lucrul de ieire sau
de energia de ionizare:
F vid e
m
p
E E L E (6.33)
pe cnd n semiconductori energia de prag este dat de suma dintre energia
benzii interzise i afinitatea electronic X
0
definit prin:
g vid
E E
0
(6.34)
astfel c
F g
m
p
E E E +
0
(6.35)
Dintre metale lucrul de ieire cel mai sczut l are Cesiul (2,1 eV). Utilizarea
eficient a fotocatodelor semiconductoare implic ndeplinirea condiiei
cesiu
p g
E E X +
0
. (6.36)
Fig. 6.8 Diagrama energetic
la interfaa
metal-semiconductor
Micorarea afinitii electronice X
0
pentru catodele semiconductoare se
poate realiza prin utilizarea unor straturi
superficiale sau semiconductoare, care
determin curbarea benzilor energetice
la interfa i implicit micorarea barierei
de potenial. Schematic structura este
prezentat n figura 6.9.
Depunerea unui strat de Cs pe mate-
rialul semiconductor are ca efect scde-
rea afinitii electronice a semiconduc-
torului de la valoarea X
0
a semiconductorului la valoarea X a suprafeei depuse
cu Cs, iar trecerea prin efect tunel a purttorilor prin bariera de potenial a
interfeei, ca urmare a curbrii benzilor de energie face ca afinitatea electronic
efectiv a fotocatodei complexe s fie X X << .
Exist posibilitatea realizrii unor fotocatode complexe pentru care afinitatea
efectiv X s fie zero sau negativ, adic nivelul energetic al vidului s fie egal
sau sub cel al benzii de conducie. De exemplu, oxidul de Cesiu are lucrul de
extracie, L
e
, mai sczut dect cel al Cs, astfel c aplicat pe un substrat de GaAs
de tip p ( eV E
g
4 , 1 ) i un semiconductor de tip n Cs
2
O ( eV E
g
2 ) i rezult o
afinitate electronic negativ eV X 5 , 0 .
6.3.2.1 Fotodioda cu vid
n fotodioda cu vid, numit i celul fotoelectric, suprafaa emisiv, fotocato-
dul este plasat n interiorul unui tub vidat,
mpreun cu un alt electrod numit anod, ce
se gsete la un potenial pozitiv fa de
fotocatod, figura 6.10.
La iluminarea fotocatodului, electronii
emii vor fi atrai de ctre anod, rezultnd
un curent n circuitul exterior. Dac
tensiunea pe anod este suficient de mare
(de ordinul sutelor de voli) toi electronii
vor fi captai, curentul rezultant va fi inde-
pendent de tensiunea de pe anod, dar va fi
proporional cu fluxul de lumin ce cade
pe fotocatod.
n general, cderea de tensiune pe rezistena de sarcin R
L
este mic, necesitnd
circuite de amplificare. Exist dou posibiliti pentru a mri ctigul intern al
fotodiodei cu vid:
n interior se introduce un gaz, ca de exemplu argon, la presiune de 1 torr

sau chiar mai mic. n drumul lor spre anod, electronii emii se vor ciocni
cu atomii gazului i dac au suficient energie vor elibera electroni prin
Figura 6.9 Efectul depunerii Cs
Fig. 6.10 Schema unei celule
fotoelectrice
ionizare. Dei se ajunge la o cretere de 10 ori a ctigului intern, pentru
realizarea acestei creteri, tensiunea pe anod are valori critice.
utilizarea unui fotomultiplicator, pe care l descriem mai jos.

6.3.2.2 Fotomultiplicatorul
Este un tub electronic, cu fotocatod, n care fotoelectronii sunt obligai prin
poteniale acceleratoare ca pe traseul catod-anod s bombardeze mai muli elec-
trozi auxiliari numii dinode. Prin fenomenul de emisie secundar al dinodelor
are loc o amplificare important a semnalului dat de fotoelectronii primari, deter-
minnd o eficien cuantic ridicat a dispozitivului. Dinodele, sunt inute la
poteniale pozitive i cresctoare progresiv pn la cel al anodului, figura 6.11.
Fig. 6.11 Schema unui fotomultiplicator
Un electron ce cade pe suprafaa dinodei, va da natere unor electroni secun-
dari care la rndul lor sunt accelerai spre urmtorul electrod, dinod i continu
procesul de multiplicare.
Dac N este numrul dinodelor i M numrul mediu de electroni secundari,
atunci factorul total de amplificare n curent, G, este:
N
M G . (6.37)
De exemplu, pentru M=5 i N=9 se obine un ctig de 2x10
6
.
Exist mai multe tipuri de configuraii pentru dinode, important fiind ca
potenialul dintre prima dinod i catod s fie suficient de mare nct s menin
proporionalitatea ntre curentul prin catod i iluminarea lui, fiecare tip de
fotomultiplicator avnd specificat tensiunea de lucru. Lanul de rezistene
acioneaz ca un divizor de tensiune i menine dinodele la poteniale pozitive
cresctoare fa de catod. Cnd fluxul de electroni amplificat ajunge pe anod, va
da natere unei tensiuni pe rezistena de sarcin R
s
. Timpul de tranzit a electronilor
pentru a ajunge de la catod la anod, nu va fi acelai pentru toi electronii din
dou motive: primul ar fi acela c la ieirea din catod electronii au viteze diferite,
iar al doilea c de-a lungul fotomultiplicatorului ei strbat drumuri diferite. Timpul
de tranzit este o msur asupra faptului ct de rapid poate rspunde fotomulti-
plicatorul la aciunea unui puls optic. Pentru a evita cele dou inconveniente se
micoreaz numrul de dinode ridicnd potenialul pe ele sau se utilizeaz dinode
cu un coeficient ridicat de emisie de electroni secundari. Timpul de tranzit n
fotomultiplicator este de aproximativ 30 ns.
Chiar dac nu cade lumin pe fotocatod, emisia termoionic d natere unui
curent de ntuneric adesea principala surs de zgomot n fotomultiplicator
dar i n detectorii emisivi.
Curentul termoionic i
T
pentru un catod la temperatura T cu suprafaa A i
lucrul de extracie L
e
este dat de legea Richardson-Duschmann:
]
]
]
,
,

kT
L
aAT i
e
T
exp
2
, (6.38)
unde a este constanta lui Duschmann i pentru metale pure are valoarea
2 2 6
10 2 , 1

K m A x . Emisia termoionic poate fi redus cu mai multe ordine de
mrime prin rcirea dispozitivului, lucru esenial, cnd fotocatodul are lucrul de
extracie foarte mic.
O alt surs de bruiaj n fotomultiplicator este zgomotul de alice care apare
ori de cte ori avem un flux de curent i deriv din natura discret a sarcinii
electronice. Astfel cnd un curent trece printr-un circuit, viteza de sosire a
electronilor va fi diferit i d natere fluctuaiilor de curent n acel punct. Se
arat c fluctuaia de curent i
f
cu frecvenele cuprinse n intervalul ) , ( f f f +
este dat de:
( )
2 / 1
2 f ie i
F

, (6.39)
unde i este curentul ce trece prin circuit.
Prezena zgomotului de alice i a curentului de ntuneric face ca s existe un
semnal minim detectabil. Valoarea acestui semnal este dat n watt de expresia:
( )
R
f e i 2
W
2 / 1
T
min
, (6.40)
unde:
R
l
este responsivitatea pe care o definim pentru fotomultiplicator ca fiind
raportul
W
i
,
i, curentul prin fotomultiplicator,
W puterea optic ce cade pe fotomultiplicator iar i
T
curentul de ntuneric
termoionic.
Aplicaie: S calculm puterea minim detectabil pentru un fotomultiplicator
la care
2 2 6
10 2 , 1

K m A x a , suprafaa catodului este
2
1000mm A , iar lucrul
de extracie eV L
e
25 , 1 . Calculm mai nti curentul de ntuneric:
( ) A 10 2
025 . 0
25 . 1
exp 300 10 10 2 . 1 i
14 2 3 6
T

(
,
\
,
(
j

Dac = 0.25 unde este eficiena cuantic i considerm = 0,5 m atunci
responsivitatea va fi:
8 34
6 19
10 3 10 6 . 6
10 5 . 0 10 6 . 1 25 . 0
hc
e
R

0.1 A
.
W
1
Presupunnd lrgimea de band f = 1Hz, puterea minim detectabil va fi:
( )
W 10 8
1 . 0
1 10 6 . 1 10 2 2
W
16
2 / 1
19 14
min

6.3.3 Detectorii fotoconductivi

Efectul fotoconductiv const n creterea conductivitii unui material sub aciunea
radiaiei incidente care creeaz purttori de sarcin n volumul materialului,
astfel c n prezena unui cmp electric apare o densitate de curent determinat
de concentraiile de purttori n exces i de mobilitile acestora.
n semiconductorii intrinseci efectul fotoconductiv se datoreaz apariiei
perechilor electroni-goluri sub aciunea fotonilor incideni, a cror energie trebuie
s depeasc pe aceea a benzii interzise a semiconductorului.
Condiia
i
E h conduce la o lungime de und limit
i
0
E
hc
, (6.41)
astfel c pentru >
0
, efectul fotoconductiv nu se mai produce.
n semiconductorii extrinseci
fotonii incideni nu au suficient
energie pentru a produce perechi
electroni-gol, astfel c fotoexci-
tarea se face prin intermediul cen-
trilor de impuriti prezeni n ma-
terialul semiconductor. Pentru
semiconductorii extrinseci lungi-
mea de und limit
0
este dat de
ii
0
E
hc
, (6.42)
unde E
ii
este energia de ionizare a impuritilor.
Fie un material semiconductor paralelipipedic cu dimensiunile: W limea, L
lungimea i D grosimea (figura 6.13a) i circuitul de polarizare a acestuia n
figura 6.13b.
Fig. 6.12 Condiii de prag pentru semiconductori
Fig. 6.13a Fig. 6.13b Schema polarizrii fotoconductorului
Orice schimbare a conductivitii fotoconductorului duce la modificarea curen-
tului din circuit care poate fi detectat cu un voltmetru cu impedan mare. Dac
dorim s detectm doar partea dependent de timp a radiaiei incidente, con-
densatorul C va ndeprta componentele de curent continuu.
Mrimea optim a lui R
L
ntr-o anume situaie este determinat de schimbarea
rezistenei fotodetectorului sub aciunea iluminrii maxime. Dac aceasta este
mic (sub 5%), atunci se poate arta c sensibilitatea cea mai mare se obine cnd
R
L
=R
D
unde R
D
este rezistena fotodetectorului. Dac raportul R
D iluminat
/R
D ntuneric
este mare, atunci liniaritatea la ieire poate fi meninut, dac, diferena de
potenial pe R
L
este ntotdeauna mai mic dect pe R
D
, adic R
L
<< R
D
.
Presupunem c radiaia ce cade pe fotorezistor este monocromatic i are
intensitatea I
0
. Intensitatea radiaiei transmise, I, este determinat de ,
coeficientul de absorbie, prin ecuaia:
( ) D exp I I
0
(6.43)
Pentru >>
g
coeficientul de absorbie este mic; pentru <<
g,
crete
rapid i atinge valori de ordinul 10
6
m
-1
. S presupunem c grosimea D este
suficient de mare pentru ca ntreaga radiaie ce cade s fie absorbit D >>
-1
.
Numrul total de perechi, e-gol generate n interiorul fotodetectorului, pe secund
este
h
WL
I
0
, unde este eficiena cuantic a procesului de absorbie.
Viteza de generare medie r
g
a purttorilor n unitatea de volum este dat de:
D h
I
r
g
(6.44)
Rata de recombinare r
r
depinde de densitile populaiei de purttori n exces
n i p prin ecuaia:
c c
r
p n
r
, (6.45)
unde
c
este timpul de via al purttorilor minoritari.
La echilibru viteza de recombinare este egal cu cea de generare r
r
= r
g
i deci:
D
n
= D
p
= t
c
r
g
. (6.46)
Pentru conductivitatea a semiconductorului avem:
p e
pe ne + . (6.47)
La iluminare, conductivitatea de ntuneric va crete cu , dat de:
( )
p e c g p e
e r pe ne + + (6.48)
Prin aplicarea unei tensiuni V electrozilor, rezulta un curent fotoindus, i, unde
V
L
WD
i
(6.49)
astfel ca pentru i obinem:
V e r
L
WD
i
p e c g
) ( + (6.50)
Se definete ctigul fotoconductiv G, ca fiind, raportul dintre viteza fluxului
de electroni pe secund din dispozitivul fotoconductor i viteza de generare a
perechilor de e-gol din interiorul dispozitivului fotoconductor, adic:
WDL r e
i
G
g
1
(6.51)
sau
2
) (
L
V
G
p e c
+
. (6.52)
Ctigul fotoconductiv G, poate fi crescut, mrind tensiunea V i micornd
L, dei valori mari ale cmpul electric tind s aduc la saturaie curentul. Valori
mari ale ctigului sunt obinute la valori mari ale lui
C
dar aceasta va nsemna
c timpul de rspuns este mic. n anumite materiale, ca de exemplu CdS, purttorii
se pot afla pe nivelele de energie a impuritilor care se afl n banda interzis.
Aici ei nu se recombin dar pot fi eliberai prin excitaie termic. Astfel de nivele
se numesc, capcane. n timp ce purttorul se afl ntr-o astfel de capcan, un alt
purttor de sarcin opus se afl n semiconductor, pentru a menine neutralitatea
sarcinii, astfel nct capcanele mresc ctigul, dar i de aceast dat creterea
nseamn creterea timpului de rspuns.
La iluminri relativ mari i temperaturi ridicate n majoritatea materialelor,
capcanele tind s fie ocupate astfel c au o mic influen asupra fotosemnalului.
Principala surs de zgomot n detectorii fotoconductivi apare din fluctuaiile
vitezei de generare i recombinare a perechilor e-g i este numit zgomot de
generare-recombinare.
Presupunnd c temperatura de lucru de lucru T, este astfel nct
k
E
T
g
25
,
zgomotul termic poate fi neglijat i deci variaia curentului de zgomot
generare-recombinare n domeniul de frecven ( ) f f f + ; este:
( )
2 / 1
2
c
2 2
recom gen f
f 4 1
f ieG 4
i
(
(
,
\
,
,
(
j
+

(6.53)
unde G este ctigul fotoconductiv,
c
timpul de via al purttorilor minoritari.
Cnd ( )
C
f 2 1 << , i
f
este independent de frecven, n timp ce pentru
( )
C
f 2 1 > curentul de zgomot scade cu creterea frecvenei .
La frecvene mai mici de 1 KHz devine predominant zgomotul 1/f.
2 / 1
1
(
(
,
\
,
,
(
j

f
f
B i i
f
, (6.54)
unde B este o constant (B = 10
-11
).
Spectrul de zgomot pentru un fotocon-
ductor este prezentat n figura 6.14.
6.3.3.1 Fotorezistorii
Fotoconducia este proprietatea materia-
lelor semiconductoare de a i modifica
conductivitatea electric sub aciunea radiaiei electromagnetice, iar dispozitivul
fotoelectronic care funcioneaz pe baza acestui fenomen fizic se numete
fotorezistor. Un astfel de dispozitiv const dintr-o plcu semiconductoare de
form dreptunghiular sau dintr-un strat subire semiconductor, prevzute la
capete cu dou contacte ohmice.
Dac iluminarea se face perpendicular pe direcia contactelor atunci avem un
fotorezistor cu fotoconducie transversal (figura 6.15a) iar dac iluminarea
se face pe direcia contactelor avem un fotorezistor cu fotoconducie longitudinal
(figura 6.15b).
Fig. 6.14 Diagrama spectrului de zgomot
pentru un fotoconductor
Fig. 6.15 Geometria fotorezistorilor: a) fotoconducie transversal;
b) fotoconducie longitudinal
Fie ) p ( q
p n 0 0 0
+ , conductivitatea de ntuneric, a fotorezistorului la o
anumit temperatur, iar n
0
i p
0
, concentraiile de echilibru a electronilor respec-
tiv golurilor. Absorbia radiaiei luminoase incidente determin generarea de
purttori de sarcin de neechilibru,
n
i
p
care vor face s apar o conductivitate
suplimentar , numit fotoconductivitate.
Conductivitatea total a unui fotorezistor se poate scrie ca fiind suma dintre
conductivitatea de ntuneric
0
i fotoconductivitatea adic:
) p p ( q ) n n ( q
p n
+ + + +
0 0 0
(6.55)
unde
n
i
p
sunt mobilitile purttorilor de sarcin.
n semiconductorii cu band interzis larg sau la temperaturi coborte
concentraiile purttorilor de sarcin de neechilibru n i p pot fi mult mai
mari dect concentraiile de echilibru n
0
i p
0
. n semiconductorii cu band
interzis ngust sau puternic dopai radiaia luminoas absorbit va determina
numai o abatere slab de la conductivitatea de ntuneric.
Absorbia intrinsec a radiaiei luminoase va determina generarea perechilor
electron-gol, adic
n
=
p
. O astfel de generare se numete bipolar iar conduc-
tivitatea suplimentar a semiconductorului se numete fotoconductivitate bipolar
sau intrinsec.
n cazul absorbiei pe impuriti are loc generarea numai a unui singur tip de
purttori de sarcin i corespunztor vom avea o fotoconductivitate pe impuriti
sau monopolar. Conductivitatea semiconductorilor cu impuriti este ntotdeauna
monopolar iar purttorii de sarcin de neechilibru pot fi majoritari sau minoritari.
Dac purttorii de sarcin de neechilibru ntr-un semiconductor sunt minoritari
i dac concentraia lor este mai mare dect concentraia purttorilor de sarcin
majoritari, atunci, n prezena iluminrii, poate avea loc o schimbare a tipului
de conducie.
Absorbia radiaiei luminoase de ctre purttorii de sarcin liberi nu determin
o modificare a concentraiei lor. n acest caz are loc numai o cretere a energiei
cinetice a purttorilor de sarcin i ca urmare se va modifica mobilitatea purttorilor
de sarcin obinndu-se astfel o conductivitate suplimentar care se numete
fotoconductivitate sau fotoconductivitate de ordinul al doilea. Fotoconductivitatea
se poate pune n eviden numai la temperaturi foarte joase i n regiuni ale
spectrului radiaiei luminoase unde nu se observ fotoconducia obinuit.
Pragul limit al fotoconduciei coincide cu pragul absorbiei intrinseci sau pe
impuriti. Pentru fotoconducia intrinsec lungimea de und
0
care corespunde
celei limit, este determinat de lrgimea benzii interzise a semiconductorului.
Astfel, dac exprimm lrgimea benzii interzise a semiconductorului E
g
n eV i
lungimea de und
0
n m, atunci putem scrie
g g
0
E
24 , 1
E
hc
(6.56)
n tabelul 6.1 sunt date lrgimile benzilor energetice i pragul limit al
fotoconduciei intrinseci pentru cteva materiale semiconductoare la temperatura
T=300K, care sunt frecvent utilizate pentru realizarea fotorezistorilor.
Pragul limit al fotoconduciei pe impuriti este determinat de natura i
concentraia impuritilor. De exemplu, n cazul Ge cu impuriti, acesta poate fi
situat n intervalul de la 3,5 la 40 m n funcie de natura i concentraia
impuritilor.
Mecanismul fotoconduciei este destul de complex i const din urmtoarele
fenomene:
a) generarea purttorilor de sarcin de neechilibru n urma absorbiei luminoase;
b) difuzia purttorilor de sarcin de la suprafaa iluminat spre interiorul
semiconductorului datorit gradientului concentraiei purttorilor de sarcin
i driftul purttorilor de sarcin pe direcia cmpului electric aplicat din exterior;
c) recombinarea purttorilor de sarcin.
Tabelul 6.1 Lrgimile benzilor energetice i pragul limit al fotoconduciei
intrinseci pentru cteva materiale, T=300K.
Materialul Parametrii
semiconductor
E
g
, eV
0
, m
Ge 0,67 1,85
Si 1,11 1,12
CdSe 1,74 0,71
CdTe 1,50 0,83
CdS 2,42 0,51
GaAs 1,43 0,87
InP 1,28 0,97
InSb 0,17 7,29
PbS 0,29 4,28
PbSe 0,15 8,27
PbTe 0,19 6,53
Pentru un flux energetic luminos
0
ce cade pe suprafaa semiconductorului
se calculeaz numrul de electroni n unitatea de timp i pe unitatea de suprafa
generat de acesta ca fiind h N
0 0
. Dac R este coeficientul de reflexie i
coeficientul de absorbie atunci numrul fotonilor care ajung n unitatea de timp
i pe unitatea de suprafa a planului care se afl la adncimea x n interiorul
semiconductorului va fi dat de relaia
x
e R N x N

) 1 ( ) (
0
.
Numrul fotonilor absorbii n stratul de grosime dx i la adncimea x este:
x
g
e R N
dx
x dN
x N

) 1 (
) (
) (
0
.
Viteza de generare a purttorilor de sarcin la adncimea x este:
x
g
e R N x N x g

) 1 ( ) ( ) (
0
(6.57)
unde este randamentul cuantic al efectului fotoelectric intern (numrul pere-
chilor electron-gol generate de un foton n cazul absorbiei intrinseci sau al purt-
torilor de sarcin de un anumit tip n cazul generrii extrinseci). Pentru un coefi-
cient de absorbie a luminii prea mare, adic w >> 1, radiaia luminoas va fi
absorbit n principal la suprafaa semiconductorului i, n plus, dac lungimea
de difuzie a purttorilor de sarcin este mai mare dect grosimea stratului
fotosensibil atunci se poate introduce noiunea de vitez de generare uniform
n unitatea de volum, definit prin relaia:
0
0
0
1 1 ) R ( N
dx ) x ( g g (6.58)
Concentraia purttorilor de sarcin crete proporional cu durata iluminrii dar
dup un anumit interval de timp se stabilesc concentraiile staionare n
st
i p
st
ale
electronilor i respectiv, golurilor. De aici rezult c, n afar de procesul de generare
are loc i un proces invers de recombinare (dispariie) a purttorilor de sarcin de
neechilibru care se intensific odat cu creterea concentraiilor de neechilibru. Cum
viteza de generare n cazul unui flux luminos constant rmne constant, rezult c,
dup un anumit interval de timp, cnd se atinge regimul staionar, viteza de recombi-
nare va fi constant. Intervalul de timp dintre actul generrii i recombinrii pe
parcursul cruia, fiecare purttor de sarcin particip la creterea conductivitii
electrice a materialului semiconductor poart denumirea de timp de via. Evident,
aceast mrime este diferit pentru fiecare purttor de sarcin iar n practic se
utilizeaz noiunea de timp de via mediu. Concentraia staionar a purttorilor
de sarcin suplimentari va fi egal cu produsul dintre numrul purttorilor de sarcin
generai de radiaia luminoas N
g
n unitatea de timp i de volum i timpul de via
ct particip la actul conduciei electrice. Astfel pentru electroni i goluri vom avea:
n g st
N (6.59)
p g st
N p (6.60)
unde
n
i
p
sunt timpii de via pentru electroni i respectiv, goluri. Pentru semi-
conductorilor intrinseci, fotoconductivitatea staionar se poate exprima sub forma:
) ( ) (
, p p n n g st p st n st n st
N q p n q + + (6.61)
Se observ c fotoconducia staionar este determinat de cinci parametri:
R, , , i . Interaciunea radiaiei luminoase cu semiconductorul este
caracterizat de R, , care influeneaz procesul de generare a purttorilor de
sarcin, parametrii care se modific odat cu lungimea de und a radiaiei i
definesc caracteristica spectral a fotoconduciei. Parametrii i definesc
interacia purttorilor de sarcin cu semiconductorul i caracterizeaz micarea
i recombinarea purttorilor de sarcin.
6.3.3.2. Timpul de via i relaxarea fotoconduciei
Timpul de via mediu este determinat de procesele de recombinare. Exist mai
multe procese de recombinare:
a) recombinarea la suprafa. Are loc pe centrii de captur de suprafa care
apar datorit legturilor chimice nesatisfcute ale atomilor sau datorit defecte-
lor structurale i impuritilor absorbite la suprafa. De regul recombinarea
la suprafa este caracterizat nu de timpul de via al purttorilor de sarcin
ci i de viteza de recombinare la suprafa care se definete ca fiind, viteza
medie cu care se deplaseaz purttorii de sarcin spre suprafaa unde are loc
dispariia lor continu prin recombinare;
b) recombinarea band-band (liniar sau ptratic). Este mult mai puin
probabil i joac un rol important n semiconductorii intrinseci i la intensiti
mari ale radiaiei incidente;
c) recombinarea pe nivele locale de captur sau recombinarea liniar. Are
loc n dou etape: nti se recombin un purttor de sarcin de un anumit tip
i apoi un purttor de sarcin de un alt tip. Acest proces de recombinare nu
presupune ntlnirea electronului cu golul i este mult mai probabil.
Energia care rezult n urma recombinrii poate fi emis sub form de fotoni
sau transmis reelei cristaline sub form de fononi. Prin introducerea
impuritilor, se pot modifica procesele de recombinare i deci i proprietile
straturilor semiconductoare fotoconductoare.
n fotodetectorii reali pot avea loc concomitent mai multe tipuri de procese
de recombinare, caracterizate prin timpii de via
n1
,
n2
, ..,
nk
. Timpul de
via mediu
n
n acest caz va fi dat de expresia:
. ...
nk n n n

+ +
1 1 1 1
2 1
(6.62)
Pn la momentul stabilirii regimului staionar, fotoconducia depinde de
caracterul proceselor de recombinare. Variaia n timp a concentraiei purttorilor
de sarcin de neechilibru d(n)/dt este egal cu diferena dintre vitezele de
generare i recombinare, adic
r g
dt
) n ( d

(6.63)
n momentul ncetrii iluminrii g = 0 i deci, n cazul recombinrii liniare
cnd r = (n/
n
), din (6.63), obinem:
n
n
dx
) n ( d
(6.64)
i rezolvnd aceast ecuaie cu condiia iniial n = n
st,
cnd t = 0, obinem o
expresie care caracterizeaz modificarea n timp a concentraiei purttorilor de
sarcin de neechilibru dup ncetarea iluminrii
(
(
,
\
,
,
(
j

n
st
exp n n
1
(6.65)
n cazul cnd indicele de absorbie i grosimea stratului fotosensibil sunt mici
astfel nct s fie satisfcut inegalitatea w << 1, din (6.57) rezult c viteza
de generare n volum nu depinde de coordonata x (generare uniform) i are
expresia

h
) R ( N ) R ( g
0
0 0
1 1
(6.66)
Din momentul nceperii iluminrii, ecuaia va avea forma
n
n
g
dt
) n ( d
0
(6.67)
Rezolvnd aceast ecuaie cu condiia iniial n = 0, cnd t = 0, rezult:
(
(
,
\
,
,
(
j

n
t
st
e n n 1
(6.68)
unde

h
) R ( g n
n n st
0
0
1 (6.69)
Din (6.68) observm c dac t 0, atunci n n
st
. Prin urmare, n cazul
recombinrii liniare, creterea i descreterea fotoconduciei are un caracter
exponenial i este caracterizat de aceeai constant de timp timpul de via
mediu al purttorilor de sarcin de neechilibru.
n cazul recombinrii ptratice, timpul de via al purttorilor de sarcin
scade odat cu creterea fluxului luminos incident i nu se poate vorbi de timpul
de via ca de o mrime constant. Procesele de relaxare n acest caz sunt mult
mai complexe. Ecuaia (6.63) n cazul generrii uniforme i al recombinrii ptra-
tice va avea forma
2
0
) n ( g
dt
) n ( d
n

(6.70)
unde
n
este coeficientul de captur. Coeficientul de captur depinde de seciunea
efectiv de captur i de viteza medie termic a electronului.
Pentru creterea i respectiv, descreterea concentraiei purttorilor de sarcin
de neechilibru, se obin expresiile
0
0
g tht
g
n
n
a

(6.71)
1
1
0
0
+

g t
g
n
n
a
(6.72)
unde concentraia staionar este

h
) R ( g
n
n n
st
0 0
1
(6.73)
Cum fotoconductivitatea ~ n rezult c n cazul recombinrii liniare,
~
0
iar n cazul recombinrii ptratice
0
~ . n general se consider c
fotoconductivitatea depinde de fluxul luminos incident conform relaiei

0
A
st
(6.74)
unde A este o constant iar este coeficientul de neliniaritate a caracteristicii
energetice a fotoconduciei.
6.3.3.3 Fotocurentul i factorul de amplificare
Fotoconducia este evaluat prin mrimea fotocurentului care trece prin
fotorezistor. Fie cazul unui fotorezistor cu fotoconducie transversal (fig.6.15 a)
i s considerm numai purttorii de sarcin de un singur tip, de exemplu, elec-
tronii. n acest caz, innd cont de relaia (6.69) fotoconductivitatea staionar
se poate exprima prin relaia

h
) R ( q n q
n n st n st
0
1
(6.75)
iar densitatea fotocurentului va fi
l
V
h
R q E J
n n st L

0
) 1 (
(6.76)
unde E = V/l este intensitatea cmpului electric. Fotocurentul I
L
va depinde de
geometria fotorezistorului i de tensiunea aplicat (fig. 6.15 a). Adic:

h l
v
V ) R ( q S I J
n n L L
0
2
0
1
(6.77)
unde S = wb este seciunea transversal a fotorezistorului iar V
0
= wbl este
volumul fotorezistorului n care are loc generarea purttorilor de sarcin. Mrimea
0
0
1 V
h
) R ( N
f

(6.78)
reprezint numrul purttorilor de sarcin generai n volumul fotorezistorului
n unitatea de timp iar
q
I
N
L
q
(6.79)
este numrul purttorilor de sarcin care trec n unitatea de timp prin seciunea
transversal a fotorezistorului. Raportul
l
) E (
N
N
G
n n
f
q

(6.80)
se numete factor de amplificare a fotocurentului. Dac notm intervalul de timp
n care electronul parcurge distana l dintre electrozii fotorezistorului i cu E v
n n

viteza de drift a electronilor, atunci
n n
Et l , iar relaia se poate scrie sub forma:
t
n
G
(6.81)
de unde se observ c, factorul de amplificare al fotocurentului este dat de raportul
dintre timpul de via mediu i intervalul de timp n care purttorii de sarcin
generai parcurg distana dintre electrozii fotorezistorului.
Dac V este tensiunea aplicat fotorezistorului atunci relaia (6.80) se mai
poate scrie sub forma
2
l
V
G
n n

(6.82)
sau, dac se ine cont de ambele tipuri de purttori de sarcin, atunci avem
( )
2
l
V
G
p p n n
+ (6.83)
De exemplu, n cazul fotorezistorilor cu semiconductori din grupa A
II
B
VI
, cu
valorile tipice ale parametrilor , 10 , / 100
2 2
s s V cm
n n

V=50V, l=0,1
cm, din (6.82) se obine . G
3
10 5
6.3.3.4 Caracteristici ale fotorezistorilor
n aplicaiile practice fotorezistorii sunt
conectai ntr-un circuit de curent con-
tinuu sau variabil, n serie cu o rezisten
de sarcin R
L
(figura 6.16).
Din punct de vedere electric ei nu se
deosebesc de rezistenele obinuite. Princi-
palele caracteristici ale fotorezistorilor sunt:
a) Caracteristicile curent-tensiune ale
fotorezistorilor sunt simetrice n raport
cu originea axelor de coordonate deoarece rezistena lor nu depinde de polaritatea
tensiunii aplicate. De obicei ele se construiesc numai pentru o anumit polaritate
a curentului i tensiunii, considerat prin convenie pozitiv. Caracteristica
curent-tensiune a fotorezistorului se poate scrie sub forma
V C V C I I I
f L

+ +
0 0 0
(6.84)
unde I, I
0
, i I
L
, sunt curentul total, curentul de ntuneric
i respectiv, fotocurentul; C
0
i C
f
sunt nite constante
care sunt determinate de proprietile fizice ale
semiconductorului la ntuneric i n condiii de ilu-
minare, ct i de particularitile constructive ale
fotorezistorilor; este coeficientul de neliniaritate a
caracteristicii energetice; V este tensiunea aplicat
fotorezistorului. Din formula (6.84) rezult c depen-
denele curent-tensiune ale fotorezistorilor att n
absena ct i n prezena iluminrii sunt liniare. Cre-
terea fluxului luminos determin numai o modificare
a pantelor acestor drepte (figura 6.17).
n practic ns, nu ntotdeauna caracteristicile curent-tensiune sunt liniare.
Abateri de la liniaritate se observ n special n cazul fotorezistorilor cu structur
policristalin la tensiuni de polarizare mici sau la tensiuni mari. Neliniaritile care
Fig. 6.16 Circuit de conectare a unei
fotorezistene
Fig. 6.17 Caracteristica I-V
a unui fotorezistor
apar la tensiuni mici de polarizare sunt cauzate de fenomenele care au loc la contactul
dintre microcristalite iar caracteristicile curent-tensiune sunt, de regul, supraliniare.
Odat cu creterea tensiunii de polarizare rezistena de contact se micoreaz datorit
cmpurilor electrice intense sau nclzirii regiunilor de contact dintre microcristalite.
n aceste condiii rezistena fotorezistorului este determinat de proprietile de
volum, ale microcristalitelor i din aceste motive rmne constant iar caracteristica
curent-tensiune este liniar. Neliniaritile care apar la tensiuni mari de polarizare
sunt cauzate de nclzirea stratului fotosensibil datorit puterii disipate.
b) Caracteristicile energetice ale fotorezistorilor sunt n general neliniare
datorit dependenei timpului de via al purttorilor de sarcin de fluxul luminos
incident.
innd cont de (6.84) legea general a caracteristicilor energetice pentru V = const.
se poate scrie sub forma

0 0
k I
L
(6.85)
unde V C k
f
0
. Pentru majoritatea fotorezistorilor caracteristicile energetice
prezint dou regiuni distincte: regiunea liniar ( = 1) la intensiti slabe ale
radiaiei incidente i regiunea subliniar ( < 1) la intensiti mari. Regiunea cu
comportare liniar a fotorezistorilor depinde att de construcia lor ct i de pro-
prietile fizice ale materialelor semiconductoare din care sunt realizai. n cazul
cnd caracteristicile energetice ale fotorezistorilor sunt urmrite n funcie de ilu-
minarea suprafeei lor i nu n funcie de densitatea fluxului de fotoni incideni
atunci ele se numesc caracteristici lux-amper. n figura 6.18 sunt ilustrate carac-
teristicile lux-amper pentru o fotorezisten cu strat subire policristalin din CdS.
Fig. 6.18 Caracteristici lux-amper pentru un fotorezistor
c) Caracteristicile spectrale ale fotorezistorilor prezint un maxim pronunat
spre lungimi de und mai mari i sunt determinate de proprietile fizice ale
semiconductorului din care este realizat stratul fotosensibil. Astfel, fotorezistorii
realizai din Se, CdSe, CdS, TI
2
S, BiS, BiSe, ZnS ct i din alte materiale
semiconductoare sunt sensibili la radiaia incident cu lungimi de und cuprinse
ntre 0,3 i 0,1 mm adic n vizibil i infrarou apropiat. n figura 6.19 sunt
prezentate caracteristicile spectrale relative pentru cteva tipuri de fotorezistori.
Caracteristica spectral a fotorezistorilor este puternic influenat de prezena
impuritilor n stratul semiconductor fotosensibil. Impuritile care se introduc
controlat au ca scop att creterea sensibilitii fotorezistorilor pentru radiaia
cu aceeai lungime de und ct i lrgirea, spre lungimi de und mai mari a
domeniului de sensibilitate.
Fig. 6.19 Sensibilitatea spectral relativ a diferiilor fotorezistori
d) Dependena sensibilitii de frecven este o caracteristic important a
fotorezistorilor.
Dac fotorezistorul este iluminat cu impulsuri de lumin dreptunghiulare
atunci impulsul fotocurentului va avea forma din figura 6.20. Intervalul de timp
i
n care fotocurentul crete pn la valoarea
0 0
1
63 0 1 I , I ) e ( I
L

(I
0
este valoarea staionar a fotocurentului) poart denumirea de constant de
timp a creterii fotocurentului. Intervalul de timp
d
, n care fotocurentul scade
pn la valoarea e I I
L
/
0 0
36 , 0 I , se numete constanta de timp a descreterii
fotocurentului. Pentru majoritatea fotorezistorilor
0

d i
, iar
0
se numete
constant de timp a fotorezistorului. Dac radiaia incident este modulat
dup o lege sinusoidal atunci funcia de generare a purttorilor de sarcin se
t i
e g g

0
(6.86)
unde este pulsaia radiaiei incidente. Dac
0

p n
, atunci componenta
variabil a fotocurentului se poate scrie sub forma:
) t ( i
e I I

(6.87)
unde
0
arctg este defazajul dintre radiaia incident i fotorspuns iar
amplitudinea este:

( )
2
0
0
1 +
I
I (6.88)
Relaiile (6.87) i (6.88) sunt valabile
numai pentru fotorezistorii cu caracte-
ristici curent-tensiune liniare. Din (6.88)
rezult c, odat cu creterea frecvenei
fluxului luminos amplitudinea compo-
nentei variabile a fotocurentului scade.
Constanta de timp
0
este o msur a
ineriei fotorezistorilor la aciunea
radiaiei incidente. n practic se
constat c, cu ct sensibilitatea fotore-
zistenelor este mai mare cu att
constanta de timp
0
este mai mic. n
cazul fotorezistenelor din CdS i CdSe
constanta de timp s
3 2
0
10 10

n timp ce, pentru fotorezistenele din PbS
i PbSe, s
5 4
0
10 10

.
e) Caracteristicile termice ale fotorezistorilor sunt date de dependenele dintre
parametrii de funcionare (rezistena la ntuneric, fotocurentul, constanta de
timp, etc.) i temperatura mediului ambiant. Dependena de temperatur a
rezistenei fotorezistorilor are o form specific pentru dependena rezistenei
semiconductorilor de temperatur. Caracterul acestei dependene nu se modi-
fic n prezena iluminrii. Odat cu creterea temperaturii fotocurentul scade
datorit creterii probabilitii de recombinare a purttorilor de sarcin generai
de lumin deoarece concentraiile purttorilor de sarcin de echilibru cresc odat
cu creterea temperaturii. Constanta de timp t
0
a fotorezistorilor de asemenea
scade odat cu creterea temperaturii.
6.3.3.5. Parametrii fotorezistorilor
Caracterizarea fotorezistorilor sensibili n regiunea vizibil a spectrului, se face
cu urmtorul set de parametrii:
Rezistena de ntuneric R
0
;
Tensiunea de lucru i tensiunea maxim admis;
Puterea disipat maxim admis;
Sensibilitatea spectral, msurat la iradierea cu lumin monocromatic

i sensibilitatea integral, msurat prin iradierea cu lumina nedescom-
pus a unei surse standard;
Constanta de timp care caracterizeaz ineria fotorezistorului;
Nivelul de zgomot sau pragul de sensibilitate a fotorezistorului.

Pentru fotorezistori, n funcie de regimul de utilizare, se definesc ca parametri
sensibilitatea integral n curent sau n tensiune.
Fig. 6.20 Forma impulsului luminos a)
i forma impulsului de fotocurent
Sensibilitatea integral n curent a fotorezistorului este determinat att
de materialul i dimensiunile stratului fotosensibil, ct i de regimul de funcio-
nare. Acest parametru crete liniar cu tensiunea aplicat, se modific odat cu
modificarea fluxului luminos incident deoarece, caracteristicile energetice ale
fotorezistorilor sunt neliniari, scade odat cu creterea frecvenei de modulare a
luminii incidente datorit ineriei fotorezistorilor i depinde de temperatur.
Dac tensiunea, V aplicat pe fotorezistor, este meninut constant atunci
sensibilitatea integral static n curent se definete prin relaia
) R R ( R
R V
R R
R R V
R
V
R
V I I I
S
f
f
f
L
I

(
(
,
\
,
,
(
j
0 0 0 0
0
0 0 0 0
0
0
1
(6.89)
unde R
f
este rezistena fotorezistorului pentru un anumit flux luminos incident
iar R este variaia rezistenei fotorezistorului la iradiere. Aa cum observm
din (6.89) sensibilitatea n curent este proporional cu tensiunea aplicat. Pentru
a elimina aceast dependen se definete sensibilitatea n curent specific cu
ajutorul relaiei
) (
0 0
2
0 0
R R R
R
V
I
s
L
I

(6.90)
De regul, sensibilitatea integral static n curent se msoar cu iluminarea
de 200 lx produs de corpul absolut negru a crui temperatur este indicat n
buletinul cu care este livrat fotorezistorul. Sensibilitatea integral maxim n
curent este determinat de tensiunea maxim admis de fotorezistor
max max , max ,
V s S
I I
(6.91)
Cum fotorezistorii trebuie s funcioneze pentru un interval larg de fluxuri
luminoase este necesar ca la fluxuri mari s micorm tensiunea aplicat pentru
a evita nclzirea stratului fotosensibil iar la fluxuri mici s mrim tensiunea
pentru a crete sensibilitatea. Din aceste motive tensiunea maxim admis, V
max
,
la fluxuri luminoase slabe se alege innd cont de tensiunea de strpungere, V
s
,
a stratului fotosensibil iar la fluxuri mari se alege innd cont de puterea de
disipare maxim admis P
d,max
. Sensibilitatea integral n curent, la fluxuri
luminoase slabe cnd este satisfcut condiia R << R
0
, este dat de relaia
2
0 0 0 0 0
R
R V
) R R ( R
R V
S
I

(6.92)
iar
2
0 0
1
R
R
s
I

. (6.93)
Uneori pentru a caracteriza sensibilitatea fotorezistorilor se utilizeaz ca
parametrii variaia relativ a rezistenei R/R
0
sau raportul dintre rezistena la
ntuneric i rezistena la iluminare, adic R
0
/R
f
. Ultimul parametru este folosit
n cazul n care rezistena la iluminare scade cu cel puin un ordin de mrime.
Parametrii de sensibilitate R/R
0
i R
0
/R
f
nu depind de tensiunea aplicat.
Sensibilitatea integral n tensiune a fotorezistorilor se definete ca fiind
raportul dintre semnalul cules de pe rezistena de sarcin i fluxul luminos
incident, adic
0
L
V
V
S (6.94)
S calculm tensiunea pe rezistena de sarcin R
L
(figura 6.16). n absena
iluminrii stratului fotosensibil prin circuit trece curentul
L
R R
V
I
+
0
0
0
(6.95)
iar n prezena iluminrii curentul va fi
L
R R R
V
I
+
0
0
(6.96)
i deci tensiunea va fi
) R R )( R R R (
R R V
) I I ( R V
L L
L
L L
+ +

0 0
0
0
(6.97)
Astfel c, pentru sensibilitatea n tensiune obinem:
) )( (
0 0 0
0
L L
L
V
R R R R R
R R V
S
+ +
(6.98)
Dac rezistena de ntuneric, R
0
, variaz slab la iluminare (R << R
0
), atunci
2
0 0
0
) R R (
R R V
S
L
L
V
+
(6.99)
La fel ca i n cazul sensibilitii specifice n curent se poate defini sensibilitatea
specific n tensiune
) )( (
0 0
2
0 0 L L
L V
V
R R R R R
R R
V
S
s
+ +
(6.100)
care, n cazul R << R
0
,, va avea forma
2
0
2
0
) (
L
L
V
R R
R R
s
+
. (6.101)
Sensibilitatea n tensiune, aa cum rezult din (6.99) sau (6.100), depinde de
raportul dintre rezistena de sarcin R
s
i rezistena de ntuneric R
0
i are valoarea
maxim atunci cnd
) R R ( R R
L

0 0
(6.101)
Cnd R << R
0
, avem R
L
= R
0
. n aceste condiii se msoar principalii
parametri ai fotorezistenelor. Cu rezistena de sarcin optim, relaia(6.97) se
0
0
4 R
R V
V
L

(6.102)
Aceast relaie este utilizat pentru determinarea experimental a raportului
(R/R
0
) prin msurarea tensiunii de alimentare a circuitului, V
0
, i a variaiei de
tensiune pe rezistena de sarcin la iluminare cnd
0
R R << .
n cazul cnd variaia relativ a rezistenei la iluminare este mai mare atunci
sensibilitatea n tensiune, dat de relaia (6.100), pentru R
0
= R
L
, se poate exprima
astfel
) R / R (
) R / R ( V
) R R (
R V
s
V
0
0 0
0 0
0
2 2 2 2
(6.103)
Dac , R / R 1
0
atunci ) /( V s
V
2
0
.
Fluxul luminos de prag i detectivitatea fotorezistorilor sunt limitate de
zgomotele specifice acestui tip de fotodetectori: zgomotul termic
2
T U ; zgomotul
de generare-recombinare
2
r g U ; zgomotul de curent
2
1 f / U ; zgomotul cauzat
de iradierea de fond
2
i U
.
n general, zgomotele enumerate vor determina fluctuaii ale tensiunii de la
ieirea amplificatorului utilizat n schema de lucru a fotorezistorului, iar valoarea
medie ptratic a zgomotului global este:
2 2
1
2 2 2
i f / r g T z U U U U U + + + (6.104)
Ponderea unui tip sau altul de zgomote n fotorezistori este determinat n
ultim instan de natura i tehnologia de obinere. De exemplu pentru fotore-
zistorii PbS predomin zgomotul de curent n timp ce pentru fotorezistorii din
CdS, predomin zgomotul de generare-recombinare. Odat cu creterea frecvenei
de modulare a fluxului luminos incident zgomotul tuturor fotorezistorilor se
micoreaz dar, n acelai timp scade sensibilitatea lor. Prin urmare, pentru fluxul
luminos de prag al fotorezistorului, n cazul modulrii sinusoidale a radiaiei
incidente cu pulsaia se poate scrie:
2
0
2 2
1 ) (
s
U
s
U
v
z
v
z
, p
+

. (6.105)
Cunoscnd dependena experimental ) ( f
, p

se poate alege frecvena
optim de modulare a radiaiei incidente pentru care se atinge o valoare minim
a fluxului de prag.
Fotorezistorii destinai pentru detectarea semnalelor slabe din regiunea
infraroie a spectrului funcioneaz, de regul, la temperaturi coborte. n acest
caz fluxurile de prag sunt determinate n principal de fluctuaiile fluxului de
fotoni incideni din mediul ambiant. n astfel de situaii, va predomina zgomotul
de iradiere iar fluxul de prag limit va fi dat de:
2
2
F
v
i
i , p
s
U
(6.106)
unde cu
2
F
s-a notat valoarea medie ptratic a fluctuaiilor fluxului de fotoni
incideni din mediul n care se fac msurtorile (zgomotul luminos de fond).
Pentru fotorezistori, detectivitatea spectral la limit se poate calcula cu
ajutorul relaiei:
N
,
N hc
D
*
F

18
10 52 2
2
(6.107)
unde lungimea de und se msoar n m iar densitatea fotonilor N, provenii
din iradierea de fond, se msoar n fotoni/cm
2
s. Din aceast relaie rezult c
pragul de detectivitate a fotorezistorilor, care funcioneaz n regimul de limitare
cauzat de fluctuaiile fluxului de fotoni de fond, se poate mri, dac se micoreaz
zgomotul luminos de fond, adic mrimea N. Utiliznd ecrane i sisteme de
rcire speciale se poate ajunge cu pragul de detectivitate spectral pn aproape
de valoarea teroretic.
6.3.3.6 Tipuri constructive i metode pentru realizarea fotorezistorilor
Un fotorezistor const dintr-un strat subire sau dintr-o plcu de
semiconductor, prevzut cu dou contacte metalice ohmice pentru a fi inclus
ntr-un circuit electric. Cum fotorezistorii sunt elemente nepolare, adic forma
caracteristicilor curent-tensiune nu depinde de polaritatea tensiunii aplicate,
contactele ohmice trebuie s fie simetrice i s nu se deosebeasc unul de
altul. Majoritatea semiconductorilor fotosensibili sunt stabili din punct de vedere
chimic i fotorezistenele nu necesit o ncapsulare special iar dimensiunile
lor geometrice pot fi relativ mici. Eficiena fotorezistorilor este evaluat, de
regul, cu ajutorul relaiei
0 0 0
1 1 1
n h
) R (
A
n
f
st
(6.108)
unde A
f
este suprafaa fotosensibil. Din aceast relaie rezult c suprafaa
fotorezistorului trebuie s fie ct mai mic. n ceea ce privete grosimea D a
stratului fotosensibil ea trebuie aleas n aa fel nct s se realizeze absorbia
radiaiei incidente, adic 1 ) exp( << D , dar s aib loc o generare relativ uni-
form a purttorilor de sarcin n tot volumul fotorezistorului. Construcia fotore-
zistorilor depinde n mare msur de destinaia lor. De exemplu fotorezistorii
utilizai pentru realizarea releelor n sistemele de automatizare, exponometrelor
sau a altor tipuri de dispozitive optoelectronice, funcioneaz la intensiti relativ
mari ale radiaiei luminoase incidente din regiunea vizibil a spectrului. Acest
tip de fotorezistori nu necesit sisteme speciale de rcire. O alt clas de
fotodetectori o formeaz fotorezistorii utilizai n sistemele pentru comunicaii
optice sau detectarea obiectelor. Aceast clas de fotorezistori funcioneaz la
intensiti slabe ale fluxurilor de radiaie din regiunea infraroie a spectrului i
necesit sisteme speciale de rcire.
Fotorezistorii pentru aplicaiile din automatizare, sensibili la radiaia luminoas
din regiunea vizibil a spectrului, se realizeaz, de regul, pe baza a dou materiale
semiconductoare din grupa compuilor A
II
B
IV
i anume din CdS sau CdSe. n funcie
de concentraia impuritilor introduse, fenomenul de fotoconducie din aceti
fotorezistori poate avea un caracter intrinsec sau extrinsec. Fotorezistorii din CdS
sau CdSe se pot realiza att din monocristale ct i sub form de straturi subiri
obinute prin evaporare termic sau pulverizare catodic. Din aceste materiale se
pot realiza fotorezistori i sub form de tablete subiri, obinute prin presarea i
sinterizarea la temperaturi nalte a prafurilor din CdS sau CdSe.
Pentru a obine fotorezistori cu sensibilitatea maxim pentru o anumit
lungime de und a radiaiei luminoase se utilizeaz compusul ternar
x x
Se CdS
1
,
unde x poate avea valori ntre 0 i 1. Cnd x = 0 se obin fotorezistori din CdSe
cu sensibilitatea maxim pentru = 0,55 m iar cnd x = 1 se obin fotorezistori
din CdSe cu sensibilitatea maxim pentru = 0,713 m. Variind parametrul de
compoziie x ntre 0 i 1 se pot obine fotorezistori cu sensibilitatea maxim
pentru lungimea de und dorit din acest interval.
Pentru radiaiile cu lungimile de und cuprinse ntre 1 i 5 m, se utilizeaz
fie compuii semiconductori din grupa A
IV
B
IV
(PbS, PbSe, PbTe) fie compui din
grupa A
III
B
V
(InSb, InAs). Pragul efectului fotoelectric intern, la temperatura
camerei, pentru compusul InSb, este deplasat spre regiunea infraroie a spectrului
n comparaie cu pragul fotoelectric al celor din grupa A
IV
B
IV
pa baz de Pb.
n domeniul de lungimi de und ntre 8 i 14 m, unde radiaiile sunt slab
absorbite de atmosfer se folosesc compuii semiconductori ternari de tipul
Te Hg Cd
x x 1
sau Te Pb Sn
x x 1
, grupe de semiconductori cu band energetic
interzis controlabil.
n fotorezistorii cu fotoconducie extrinsec, generarea purttorilor de sarcin
liberi se face prin absorbia prin impuriti, astfel c lrgimea benzii interzise nu
joac un rol determinant, dar trebuie ca materialul semiconductor s fie dopat cu
concentraii mari de impuriti (
3 18 17
10 10

cm
) pentru realizarea unui coeficient
de absorbie extrinsec mare. n materialele semiconductoare Ge sau Si prin tehnologii
de purificare i dopare controlat se introduc Au, Sb, Zn Cu, Cd, Hg sau alte elemente.
Din punct de vedere constructiv, fotorezistorul este un dispozitiv simplu: la
suprafaa stratului fotosensibil sau pe substratul de sticl se depun prin evaporare
termic n vid electrozii metalici care formeaz contacte ohmice. Exist i varianta
n care un electrod se depune sub stratul fotosensibil iar cellalt electrod se
realizeaz la suprafaa stratului sensibil sub form de strat metalic subire
semitransparent, caz n care cmpul electric din fotorezistor este orientat pe
direcia radiaiei incidente. Suprafaa stratului fotosensibil, cuprins ntre
electrozii metalici, reprezint suprafaa activ a fotorezistorului i poate avea
valori cuprinse ntre 0,2 i 200 mm
2
. Stratul fotosensibil se acoper cu o folie
dielectric anticoroziv, transparent pentru regiunea spectrului unde este sensibil
fotorezistorul.
6.3.4 Detectori fotovoltaici
i bazeaz funcionarea pe efectul voltaic. Caracteristica esenial a fotode-
tectorilor cu efect fotovoltaic o constitue prezena unei regiuni semiconductoare
cu epuizare (barier de potenial) caracterizat de un cmp electric puternic
care separ purttorii de sarcin electric, generai sub aciunea radiaiei
incidente. Efectul fotovoltaic poate fi att extrinsec ct i intrinsec, structurile
tipice sub care este ntlnit n fotodetectori fiind jonciunile p-n i interfaa
metal-semiconductor.
Fotodetectorii cu efect fotovoltaic, pot lucra fr tensiune extern de polarizare,
deosebindu-se n acest fel de celelalte tipuri de detectori cuantici, ns, n circuitele
de fotodetecie uzuale se utilizeaz pentru mbuntirea performanelor
dispozitivului o tensiune invers de polarizare a acestuia, caz n care, semnalul
msurat nu mai este o tensiune ci un curent.
Teoria efectului fotovoltaic scoate n eviden posibilitatea utilizrii jonciunii
p-n ca fotodetector. Un alt regim de funcionare caracteristic jonciunilor cu efect
fotovoltaic este cel de baterie solar.
6.3.4.1 Fotodioda
Fotodioda este o diod semiconduc-
toare n care curentul invers depinde
de intensitatea radiaiei incidente.
Astfel, fotodioda nu este altceva dect
o jonciune p n, polarizat invers, i
al crei curent n circuitul extern este
controlat de fluxul luminos
0
ce cade
pe una din feele jonciunii. Circuitul
de polarizare i simbolul fotodiodei
sunt reprezentate n figura 6.21, unde
R
L
este rezistena de sarcin.
6.3.4.2 Principiul de funcionare al fotodiodei
S considerm o jonciune p n n absena iluminrii i nepolarizat. La realizarea
contactului dintre regiunile semiconductoare n i p, purttorii de sarcin majoritari
(electronii din regiunea n cu concentraia n
n
i golurile din regiunea p cu
concentraia p
p
) vor difuza spre regiunile unde concentraiile purttorilor de
acelai tip (electronii minoritari din regiunea p, cu concentraia n
p
<< n
n
i
Fig. 6.21 a) Conectarea fotodiodei n circuit
b) simbolul fotodiodei
golurile minoritare din regiunea n cu concentraia p
n
<< p
p
) sunt mici. Astfel, n
regiunea n rmn donorii ionizai iar n regiunea p rmn acceptorii ionizai i
apare un cmp electric intern E
i
care se opune difuziei, determinnd formarea
unei bariere de potenial qV
b
pentru purttorii de sarcin majoritari. Curenii
determinai de micarea de difuzie a purttorilor de sarcin majoritari se numesc
cureni de difuzie. Odat cu formarea cmpului intern n jonciunea p n are
loc o micare de drift a electronilor minoritari din regiunea p spre regiunea n i
a golurilor minoritare din regiunea n spre regiunea p, determinnd apariia
curenilor de drift. Curentul total cauzat de micarea de drift a purttorilor de
sarcin minoritari reprezint curentul invers al jonciunii. Dac se neglijeaz
generarea termic a purttorilor de sarcin n interiorul stratului de sarcin
parial atunci curentul invers I
s
va fi determinat de purttorii de sarcin minoritari
de echilibru care sunt generai termic de o parte i de alta a stratului de sarcin
spaial pn la distane egale cu lungimile de difuzie corespunztoare. Deoarece
fiecare purttor de sarcin minoritar care se apropie de stratul de sarcin spaial
este imediat antrenat de cmpul intern al jonciunii i trecut n regiunea opus
rezult c, pentru orice valoare a barierei de potenial V
b
, curentul de drift al
purttorilor de sarcin minoritari este un curent de saturaie. La echilibru
termodinamic curentul prin jonciunea p n izolat trebuie s fie egal cu zero,
adic curenii de difuzie trebuie s fie egali cu curenii de drift care curg n
sensuri opuse, iar curentul din circuitul extern este egal cu zero.
Dac pe jonciunea p n cade un flux de fotoni a cror energie este mai mare
sau egal cu lrgimea benzii interzise atunci, datorit absorbiei fotonilor, va avea
loc generarea perechilor de electroni i goluri, adic a purttorilor de sarcin de
neechilibru. Purttorii de sarcin majoritari, generai de lumin de-o parte i de
alta a stratului de sarcin spaial sunt respini de cmpul intern al jonciunii n
timp ce purttorii de sarcin minoritari de neechilibru sunt accelerai de cmpul
intern al jonciunii spre regiuni cu purttori de sarcin majoritari de acelai tip.
Purttorii de sarcin minoritari care trec prin stratul de sarcin spaial vor
determina apariia unui curent suplimentar I
L
a crui direcie de curgere coincide
cu cea a curentului direct din jonciunea p n la echilibru. Electronii de neechilibru
care au trecut din regiunea p n regiunea n i golurile de neechilibru care trec din
regiunea n n regiunea p vor determina apariia unui cmp electric orientat n sens
opus cmpului intern din jonciune. Astfel bariera de potenial qV
b
se va micora
cu qV
L
ca i cum jonciunea ar fi fost polarizat direct cu tensiunea V
L
. Echilibrul
curenilor este acum perturbat. Datorit micrii barierei de potenial pn la
q(V
b
V
L
), va crete curentul de difuzie al purttorilor de sarcin majoritari. Starea
staionar a sistemului se atinge n momentul cnd, numrul perechilor de electroni
i goluri, generate de radiaia incident, va fi egal cu numrul purttorilor de
sarcin majoritari care trec peste bariera de potenial diminuat.
Dac n circuitul jonciunii p n ideale se introduce rezistena de sarcin R
L
,
atunci o parte din purttorii de sarcin minoritari generai de lumin i antrenai
de cmpul intern vor contribui la micorarea barierei de potenial cu qV
L
iar o
alt parte vor contribui la formarea n circuitul extern a curentului I. Avnd n
vedere faptul c pentru orice valoare a barierei de potenial curenii de drift vor
crete dup o lege de forma
(
,
\
,
(
j
kT
qV
exp
L
pentru curentul I se obine expresia:
L
L
S
I 1
kT
qV
exp I I
]
]
]
,
(
,
\
,
(
j
(6.109)
unde I
S
este curentul de ntuneric iar I
L
este fotocurentul datorat generrii optice
a purttorilor de sarcin minoritari.
Relaia (6.109) reprezint ecuaia fundamental a fotodetectorului ideal cu
jonciune p n.
n condiii de circuit deschis (I = 0) din (6.109) obinem:
(
(
,
\
,
,
(
j
+
s
L
CD
I
I
1 ln
q
kT
V
(6.110)
iar n regim de scurtcircuit (V
L
= 0) avem:
L SC
I I (6.111)
6.3.4.3 Regimul de fotodiod
Dac jonciunea p n este polarizat invers cu tensiunea V, atunci, pentru
caracteristica curent-tensiune n condiii de iluminare obinem
L
L
s
I 1
kT
) V IR ( q
exp I I
]
]
]
,
,
(6.111)
Dac
S
IR V >> i kT qV >> atunci, din (6.111), se obine
L s
I I I . (6.112)
Aceast relaie reprezint caracteristicile curent-tensiune ale unui detector
fotogalvanic n regim de fotodiod. Curentul care trece prin rezistena de sarcin
R
L
(fig. 6.21 a) este format din curentul de ntuneric I
s
i fotocurentul I
L
datorat
generrii optice a purttorilor de sarcin minoritari. Aa cum rezult din (6.112)
curentul total, I, nu depinde de valoarea tensiunii de polarizare invers. Dac
notm cu n
f
numrul de fotoni absorbii n unitatea de timp i de volum a
semiconductorului, h / ) R 1 ( n
0 f
, iar cu randamentul cuantic al efectului
fotoelectric intern atunci fotocurentul I
L
se poate exprima prin relaia
0 c
0
L
R Q
h
) R 1 (
q I

(6.113)
unde mrimea Q
c
se numete coeficient de colectare i reprezint raportul
dintre numrul purttorilor de sarcin separai de cmpul intern al jonciunii i
numrul total al purttorilor de sarcin generai optic.
Coeficientul de proporionalitate R
din (6.113) caracterizeaz sensibilitatea

cromatic a fotodetectorului i poart denumirea de responsivitate.
Utilizarea jonciunilor p n ca detector de radiaie luminoas n regim de
polarizare invers prezint dou avantaje importante:
a) fotocurentul este proporional cu intensitatea radiaiei incidente;
b) fotorspunsul crete odat cu tensiunea de polarizare invers.
Proporionalitatea dintre intensitatea radiaiei incidente i fotocurent rezult
din relaiile (6.112) i (6.113). Liniaritatea fotocurentului cu intensitatea radiaiei
incidente se pstreaz pn la tensiuni inverse apropiate de tensiunea de
strpungere a fotodiodei.
Creterea vitezei de rspuns a fotodiodelor odat cu tensiunea de polarizare
invers se poate nelege dac inem cont de mecanismul intim de formare a
fotocurentului. Astfel, rspunsul fotodiodei este cu att mai rapid cu ct purttorii
sunt generai mai aproape de stratul de sarcin spaial pentru a ajunge ntr-un
timp ct mai scurt n regiunea de cmp intens pentru a fi separai.
Lrgimea stratului de sarcin spaial crete odat cu tensiunea de polarizare
invers conform relaiei:
( )
2 / 1
V V W
b p
+ (6.114)
unde V
b
este diferena de potenial de contact.
Din aceast relaie se poate observa c, prin aplicarea unor tensiuni mari de
polarizare invers stratul de sarcin spaial se poate lrgi considerabil. Mai departe
nu rmne dect crearea condiiilor ca radiaia incident s nu fie absorbit pn
la stratul de sarcin spaial. Dac fotodetectorul este destinat pentru a funciona
la lungimi de und pentru care absorbia este puternic, atunci grosimea
semiconductorului dintre suprafaa iluminat i stratul de sarcin spaial ( n
condiii de polarizare invers ) trebuie diminuat pn la valoarea minim posibil.
Unul din factorii care limiteaz viteza de rspuns a fotodiodelor este constanta
de timp RC unde C este capacitatea diodei iar R reprezint suma dintre rezistena
fotodetectorului i rezistena de sarcin R
L
. Aceast constant se poate micora
crescnd tensiunea de polarizare invers deoarece capacitatea unei jonciuni
abrupte cu suprafaa S satisface relaia:
( )
2 / 1
V V
S
C
b
+
(6.115)
Rezult c parametri de funcionare ai fotodiodelor se mbuntesc odat cu
creterea tensiunii de polarizare invers, cretere care este limitat ns de
fenomenele de strpungere.
6.3.4.3 Parametri fotodiodelor
Principalii parametri cu ajutorul crora sunt caracterizate fotodiodele n vedere
aplicaiilor practice sunt:
a) Curentul de ntuneric I
s
care reprezint curentul invers al jonciunii pn
n absena iluminrii la tensiunea de polarizare la care funcioneaz fotodioda.
Valorile tipice pentru I
s
n cazul fotodiodelor sunt cuprinse ntre 1- 50 nA pentru
tensiuni de polarizare invers cuprins ntre 10 i 400 V;
b) Sensibilitatea la iluminare. Din relaia (6.113) rezult imediat
hc
Q R q I
S
c L
R

) 1 (
0
(6.116)
Dac fluxul luminos incident, raportat la unitatea de suprafa, este exprimat n
lx, atunci sensibilitatea spectral n curent a fotodiodelor se msoar n A/lx. Acest
parametru este determinat de pierderile prin reflexie [factorul (1 R)], pierderile
prin recombinare (factorul Q
c
) i randamentul cuantic . Pierderile prin reflexie se
pot diminua mult prin depunerea de straturi antireflectante. Coeficientul de colectare
Q
c
, cauzat de pierderile prin recombinare, depinde de parametrii constructivi ai
fotodiodelor i poate atinge valori destul de mari, cuprinse ntre 0,5 i 0,9. Pentru
regiunea spectrului cu lungimi de und mici este dificil de realizat o fotodiod cu
coeficient de colectare mare datorit pierderilor care au loc prin procesele de
recombinare la suprafa. Domeniul spectral de sensibilitate maxim a fotodiodelor
depinde att de natura semiconductorului utilizat pentru realizarea jonciunii p - n
ct i de parametri constructivi sau de tensiunea de polarizare invers.
c) Constantele de timp pentru creterea fotocurentului (
i
) i descreterea
fotocurentului (
d
), cnd fotodioda este iluminat cu impulsuri dreptunghiulare
de lumin, se pot defini, la fel ca n cazul fotorezistorilor i, de regul, au valori
cu 2 pn la 4 ordine de mrime mai mici dect n cazul efectului fotoconductiv.
Aceast diferen ntre constantele de timp pentru cele dou tipuri de dispozitive
se poate nelege dac inem cont de natura proceselor fizice care au loc. n cazul
fotoconductorilor concentraiile purttorilor de sarcin sunt limitate de procesele
de combinare n timp ce n cazul fotodiodelor purttorii de sarcin generai de
radiaia incident nu mai ateapt procesele de combinare i sunt antrenai rapid
de ctre cmpul electric intens din stratul de sarcin spaial. Constantele de
timp sunt aproximativ egale i au valori cuprinse ntre 0,5 ns i 1 ns.
d) Capacitatea jonciunii depinde de parametri constructivi ai fotodiodei i, n
cazul jonciunilor abrupte, depinde de tensiunea de polarizare invers dup o
lege de forma (6.115). n cataloage acest parametru este dat pentru tensiunea
de polarizare invers recomandat de productor pentru funcionarea fotodiodei.
e) Puterea disipat pe fotodiod (P
d
) este determinat de parametrii constructivi
i, pentru fotodiodele obinuite poate fi cuprins ntre 100 i 500 mW.
Ali parametri care caracterizeaz funcionarea fotodiodelor se definesc ca n
cazul celulelor fotovoltaice.
6.3.4.4 Tipuri constructive de fotodiodelor
Fotodioda p-i-n
Este o structur care are n alctuire o regiune intrinsec poziionat ntre
regiunile p i n, figura 6.22, n care se genereaz sub influena radiaiei incidente
perechi e-g. Pentru o tensiune de polarizare invers suficient de ridicat, cmpul
electric foarte puternic care apare n
regiunea intrinsec accelereaz purt-
torii de sarcin spre jonciune, astfel c,
timpul de rspuns al detectorului, dat
de timpul de tranzit al purttorilor, este
mult mai sczut dect cel al unei diode
pn fcut din acelai material.
Deoarece regiunea intrinsec poate
fi fcut suficient de larg, fotodio-
dele de tip p-i-n, prezint o foarte
bun responsivitate precum i o capa-
citate sczut care influeneaz favo-
rabil viteza de rspuns. n figura 6.23
este prezentat distribuia cmpului
electric ntr-o structur p-i-n.
Pentru fotocurent se poate scrie
relaia:
( )( )
L
0 L
e 1 R 1 q I

(6.117)
mbuntirea coeficientului de conversie a radiaiei luminoase n semnale
electrice se face dac:
a) reflexia pe suprafaa iluminat este ct mai mic, se acoper cu un strat
antireflectant;
b) lungimea regiunii intrinseci se face ct mai mare, ceea ce nseamn c, crete
timpul de tranzit i scade viteza de rspuns a fotodiodei.
Alegnd parametrii de material i o geometrie convenabil se pot realiza fotodiode
p-i-n cu timp de rspuns mic ( ns 5 , 0 ) i randament cuantic mare ( 6 , 0 ).
Fotodioda cu barier Schottky
Sunt realizate pe baza efectului fotovoltaic care apare la interfaa metal-semi-
conductor. Radiaia incident ptrunde n structur fie prin stratul subire
semitransparent de metal, fie prin materialul semiconductor figura 6.24.
La contactul dintre un metal i un semiconductor, datorit redistribuirii sarci-
nilor electrice mobile, n semiconductor se poate forma un strat de sarcin spaial.
nlimea barierei Schottky depinde de energiile de extracie ale celor dou
materiale n contact i va fi dat de relaia:
S M B

(6.118)
Caracteristica curent-tensiune este de forma:
]
]
]
,
(
,
\
,
(
j
(
,
\
,
(
j

1
kT
qV
exp
kT
exp T A J
B 2
(6.119)
Fig. 6.22 Iluminarea fotodiodei p-i-n
Fig. 6.23 Distribuia cmpului electric ntr-o
structur p-i-n
unde constanta
2 2
K cm A 120 A
, n condiiile n care masa efectiv a

electronului este aproximativ egal cu masa electronului liber.
Fotodiodele Schottky pot funciona n trei regimuri distincte:
a) Energia fotonilor incideni h este
B g
h E > > iar tensiunea de polarizare
invers este mai mic dect tensiunea de multiplicare prin avalan (
S
V V < )
atunci electronii excitai din metal pot depi bariera Schottky i trec n
semiconductor, figura 6.25 a);
b) Energia fotonilor incideni
g
E h < i
S
V V , figura 6.25 b), atunci radiaia
incident determin generarea perachilor electron-gol i caracteristicile
principale ale fotodiodelor Schottky se aseamn cu cele ale fotodiodelor p-i-n.
c) energia
g
E h > i
S
V V (la tensiuni inverse mari) fotodiodele Schottky pot
funciona n regim de multiplicare prin avalan, figura 6.25 c).
Fig. 6.24 a) Structura de baz a unei fotodiode Schottky;
b) nivelele de energie n regiunea jonciunii
Fig. 6.25 Regimurile de lucru al fotodiodelor Schottky
Fotodiodele Schottky sunt foarte eficiente i pentru lungimi de und din
domeniul ultraviolet.
Fotodiodele cu multiplicare n avalan
Structura unei astfel de fotodiode este reprezentat n figura 6.26, diagrama
energetic a structurii p n
+
cnd este polarizat invers cu tensiunea V este
Fig. 6.26 Structura unei fotodiode cu
multiplicare n avalan
Fig. 6.27 Diagrama energetic a structurii
p n
+
, polarizat invers
Sunt dispozitive fotodetectoare care combin operaia de detecie cu cea de
amplificare intern a fotocurentului. La tensiuni inverse de polarizare suficient
de ridicate a unei astfel de fotodiode, purttorii liberi accelerai de cmp capt
energie suficient pentru a excita noi perechi de electron-gol (e-g) prin ciocniri
cu reeaua cristalin, astfel c apare un fenomen de multiplicare n avalan,
care determin creterea substanial a curentului prin dispozitiv.
Definind factorul de multiplicare M prin numrul mediu de perechi de e-g
produs de multiplicare n avalan, plecndu-se de la o singur pereche e-g, se
poate arta c aceasta depinde de tensiunea invers de polarizare conform
relaiei:
n
S
1
j
V
V
1 M
(
(
,
\
,
,
(
j

; V < V
S
(6.120)
unde V
S
este tensiunea de strpungere (pentru care M ), V tensiunea invers
de polarizare, n factor de ordinul unitilor, M ( )
4 2
10 10 .
Fie V tensiunea de polarizare din circuit, R
L
rezistena de sarcin, iar r
s
rezistena serie a fotodiodei, iar R = R
L
+ r
s
atunci:
n
S
1
V
IR V
1 M
(
(
,
\
,
,
(
j

(6.121)
Amplificarea va fi cu att mai mare cu ct curentul invers al jonciunii va fi
ct mai mic.
Timpul de rspuns este de ordinul
12 10
10 10

cu un factor de amplificare
mare lucru ce le face utile n optoelectronic de multe ori nlocuind fotomulti-
plicatorii datorit responsivitii lor mari ( W A 5 , 0 R
max ,

).
6.3.4.5 Fototranzistorii
Fototranzistorul este un fotodetector de radiaie luminoas al crui element
fotosensibil are o construcie de tranzistor care asigur amplificarea fotocu-
rentului. Din punct de vedere constructiv, la fel ca i tranzistorii obinuii,
fototranzistorul este format dintr-un cristal semiconductor n care se succed
diferite tipuri de conducie, p n p sau n p n.
n figura 6.28 sunt prezentate diferite variante constructive de fototranzistori.
Lumina poate cdea perpendicular sau paralel cu planul jonciunilor p-n.
Fototranzistorii sunt mai eficieni cnd fluxul incident de lumin cade normal pe
planul jonciunii colector-baz i cnd este iluminat regiunea bazei.
Fig. 6.28 Variante constructive pentru fototranzistori
Factorul de amplificare al unui fototranzistor p-n-p este dat de relaia:
n
np
n
p
d
L
M
(6.122)
unde
p
este conductivitatea n regiunea p,
n
conductivitatea n egiunea n, L
np
,
lungimea de difuziune n regiunea p, iar d
n
lrgimea regiunii n.
Deoarece fototranzistorii au aplicaii limitate, ei fiind concurai de ceilali
detectori electrooptici, nu se vor da alte detalii referitoare la fototranzistori.
6.3.4.6 Fototiristorii
Creterea vitezei de rspuns i a fotosensibilitii a fost posibil odat cu
realizarea unui nou tip de dispozitiv fotonic cu semiconductori numit fototiristor.
Fototiristorul este o structur de tipul n p n p sau p n p n care are
proprietatea de a transforma semnalele de lumin n semnale electrice. Ca i
tiristorul obinuit, fototiristorul prezint efectul reaciei inverse de curent. n
figura 6.29 sunt prezentate simbolurile convenionale pentru fototiristori n
circuitele electronice.
Intensitatea radiaiei incidente care cade pe jonciunile fototiristorului joac
rolul curentului de comand. Datorit fenomenelor fizice de generare optic a
purttorilor de sarcin i separarea lor n cmpurile electrice ale jonciunilor
tensiunea de amorsare a fototirisorului se micoreaz odat cu creterea inten-
sitii radiaiei luminoase.
Exist mai multe variante constructive de fototiristori care difer prin:
geometria i dimensiunile regiunilor cu conductiviti diferite care se succed;
amplasarea i forma electrozilor etc.
n figura 6.30 este ilustrat construc-
ia tipic a unui fototiristor cu un singur
electrod de comand (poarta catodic).
Sub aciunea radiaiei incidente are loc
generarea purttorilor de sarcin de
neechilibru n toate regiunile structurii
fototiristorului. Sub aciunea cmpului
electric intens din jonciunea J
b
,
polarizat invers, electronii din regiunea
p
b
trec n regiunea n
b
. La fel vor fi sepa-
rai i purttorii de sarcin care sunt ge-
nerai n stratul n
b
. Putem astfel consi-
dera c, la formarea fotocurentului total I
L
vor contribui toi purttorii de sarcin
generai de lumin, mai puin aceia care se recombin la suprafa. Pentru a
diminua pierderile prin recombinri la suprafa este necesar alegerea unui
raport optim ntre lungimile de difuzie ale purttorilor de sarcin i grosimile
staturilor semiconductoare care formeaz fototiristorul.
Caracteristica curent-tensiune a fototiristorului descrie dependena curentului
care trece prin dispozitiv n funcie de tensiunea aplicat ntre anod i catod pentru
o anumit intensitate a radiaiei incidente i o anumit valoare a curentului de co-
mand I
G
, adic o dependen de forma I = f(V) pentru
0
= constant i I
G
= constant.
Odat cu creterea intensitii radiaiei incidente tensiunea de amorsare a
fototiristorului se deplaseaz spre valori din ce n ce mai mici pn cnd dispare
regimul de rezisten diferenial negativ.
Caracteristica de comand este dat de dependena tensiunii de amorsare
n funcie de intensitatea radiaiei luminoase.
Fluxul luminos maxim,
max
, pentru care caracteristicile curent-tensiune ale
fototiristorului au o comportare asemntoare cu cea a unei diode polarizate
direct, constituie unul din parametrii statici ai fotorezistorului. Un alt parametru
este dat de tensiunea maxim, V
B,max
, de comutare a fototiristorului (la ntuneric).
Fluxul luminos minim,
p
, pentru care se realizeaz deschiderea fototiristorului
constuie iari un parametru al fototiristorului. Astfel, regiunea n care
Fig. 6.29 Simbolurile utilizate pentru fototiristori
Fig. 6.30 Structura planar a fototiristorului
cu un singur electrod de comand
funcioneaz fototiristorul, adic regiunea n care poate fi comandat de radiaia
luminoas, este limitat de fluxul luminos, de prag,
p
, care determin sensibilita-
tea de prag a fototiristorului i de fluxul luminos maxim,
max
, pentru care dispare
regimul de rezisten diferenial negativ. Domeniul de funcionare este limitat
de tensiunea maxim de comutare, V
B,max
, care corespunde lui
p
i de tensiunea
minim V
M
, care corespunde fluxului luminos
max
. Dependena tensiunii de
comutare a fototiristorului de intensitatea radiaiei luminoase incidente se poate
aproxima destul de bine cu ajutorul unei expresii de forma:
]
]
]
,

max
p 0
max , B 0 B
) (
exp V ) ( V (6.123)
unde este o constant.
Sensibilitatea diferenial a fototiristorului n raport cu tensiunea se definete
ca fiind raportul dintre variaia tensiunii de amorsare i variaia fluxului incident:
0
n
d
V
S

(6.124)
Astfel, sensibilitatea diferenial, ntr-un anumit punct al caracteristicii, va fi
dat de derivata funciei f(
0
) n raport cu fluxul luminos n punctul respectiv.
Sensibilitatea integral a fototiristorului n raport cu fotocurentul se definete
ca fiind raportul dintre fotocurent i fluxul luminos incident:
0
L
I
I
S
(6.125)
Viteza de rspuns a fototiristorului este determinat de timpul necesar pentru
comutare (
c
) i timpul necesar pentru blocare (
b
). Mrimile
c
i
b
sunt
determinate de procese fizice ca: generarea optic, injecia electronic a purt-
torilor de sarcin, difuzia, driftul, recombinarea i extracia purttorilor de sarcin.
Pentru a avea loc comutarea, semnalul luminos trebuie s aib o durat minim.
n general, caracteristicile dinamice ale fototiristorilor sunt analizate n funcie
de regimul de funcionare n circuitele electronice. Din acest punct de vedere
distingem trei regimuri dinamice de funcionare:
a) alimentarea fototiristorului cu tensiune continu pe anod i comandarea lui
cu impulsuri de lumin;
b) alimentarea fototiristorului cu o tensiune alternativ sau n impulsuri i
comandarea lui se face printr-un flux de lumin constant;
c) fototiristorul este alimentat cu o tensiune alternativ sau n impulsuri i co-
mandarea lui se face cu un flux de lumin modulat. n proiectarea i calcularea
circuitelor electronice de automatizare i control pe baz de fototiristori este
necesar cunoaterea timpului necesar pentru comutare i a timpului necesar
pentru deblocare.
6.3.4.7 Celulele solare
Efectul fotovoltaic st la baza funcionrii unei celule solare, radiaia incident
provenind de la soare. n cazul celulelor solare, problema principal este aceea
a convertirii cu eficien mare a energiei solare n energie electric. n construcia
celulelor solare, exist dou modele fizice de baz:
a) regiunile p i n ale jonciunii sunt dopate uniform, iar mobilitatea i timpul de
via ale purttorilor minoritari sunt constante, astfel c avem cmp electric numai
n regiunea de sarcin spaial. Pentru obinerea unui curent de scurtcircuit ct
mai mare trebuie s reducem reflexia radiaiei la suprafaa semiconductorului,
s avem o lrgime a regiunii de sarcin spaial ct mai mare, iar recombinarea
la suprafa a purttorilor minoritari s fie ct mai mic. Regiunile n i p au o
contribuie la rezistena serie a celulei solare care trebuie s fie ct mai mic ;
b) regiunile p i n sunt dopate neuniform, caz n care va exista un cmp electric
i n regiunile laterale p i n ale jonciunii iar mobilitatea i timpul de via
pot fi constante sau dependente de valorile acestui cmp. n regiunea neutr
se creeaz un gradient al impuritilor adic un cmp electric intern, care va
determina deplasarea mai rapid a purttorilor minoritari spre jonciune
(datorit vitezei de drift). Deci, prezena cmpului electric intern conduce la
creterea curentului de scurcircuit.
Pentru fiecare caz n parte se pot
scrie relaiile analitice pentru curentul
de scurtcircuit ele puntnd fi interpre-
tate conform cu situaiile de interes
practic. n figura 6.31 este prezentat
o structur de celul solar cu cmp
intern n regiunea bazei. Pentru
celulele cu jonciune dopat neuni-
form, realizarea unei structuri de tipul
+ +
pp n sau
+ +
pn p nseamn apariia unui cmp intern n regiunea bazei n
imediata apropiere de suprafa.
A fost necesar conceperea unor astfel de structuri n vederea diminurii
fenomenului de recombinare a purttorilor minoritari fotogenerai n regiunea
bazei. S-a realizat astfel pe lng o cretere a purttorilor fotogenerai i
optimizarea celulelor solare. Bariera de potenial care se creeaz la interfaa
regiunilor
+
pp (sau
+
nn la structurile
+
ppn ) se opune deplasrii purttorilor
minoritari

fotogenerai, respectiv deplasrii golurilor, spre regiunea
+
p puternic
dopat, n schimb nu se opune deplasrii purttorilor majoritari. O parte din
electronii fotogenerati n regiunea p, care s-ar fi pierdut prin recombinare la
suprafa, vor participa la curentul de scurtcircuit. Creterea curentului de
scurtcircuit este de ordinul a 5% datorat n principal diminurii recombinrii
purttorilor de sarcin minoritari ca urmare a barierei
+
pp sau
+
nn iar a tensiunii
de circuit deschis este de 10%, acesta din urm n principal prin micorarea
curentului de saturaie I
s
. Celulele solare cu structura
+ +
pp n au concentraii ale
Fig. 6.31 Structura de celul solar cu
cmp intern
impuritilor donoare mai mari de 10
19
cm
3
i grosimi ale regiunii
+
p de 0,5 pn la 1m.
n figura 6.32 este prezentat schema
echivalent pentru o celul solar, unde:
R
s
este rezistena serie datorat regiu-
nilor p i n precum i contactelor, care
duce la diferene ntre tensiunea la
bornele unei celule solare i tensiunea
care cade pe jonciunea p-n;
R
sh
este rezistena unt a jonciunii p-n care influeneaz curentul de scurgere
al jonciunii p-n (curentul de ntuneric);
R
L
rezistena de sarcin;
G un generator de curent care reprezint curentul I

L
datorat purttorilor
fotogenerai.
Caracteristica curent-tensiune pentru schema echivalent a unei celule solare,
din figura 6.32 este dat de:
( )
L
sh
s s
s
I
R
IR V
kT
IR V q
I I
+
]
]
]
,
,
(
,
\
,
(
j
1 exp (6.125)
n majoritatea cazurilor rezistena de unt este foarte mare, astfel nct curentul
de scurtcircuit este de acelai ordin de mrime cu I
L
adic:
L
V R
sh
s
L
sc
I
R
R
I
I
sh
(
(
(
(
,
\
,
,
,
,
(
j
+
0 ,
1
(6.126)
Relaia (6.125) se mai poate scrie:
( )
s
sh s
s L
IR V
kT
q
R I
IR V
I
I I

(
(
,
\
,
,
(
j
+
+
1 ln (6.127)
care n aproximaia unei rezistene unt foarte mari,
sh
R conduce la:
( )
s
L
IR V
kT
q
I
I I

(
,
\
,
(
j
+
+
1 ln , (6.128)
relaie ce reprezint caracteristica I-V a unei celule solare care include i rezistena
serie. Pentru ca celula s fie performant este necesar ca R
s
s fie mult mai mic
dect zecimea de ohm, ea influennd asupra eficienei conversiei. Rezistena
unt se neglijeaz n condiii de iluminare solar normal (valori de ordinul 100
mW/cm
2
la nivelul mrii i 140 mW/cm
2
n afara atmosferei terestre), ea poate
influena funcionarea celulei solare la intensiti mici ale radiaiei solare i la
temperaturi joase. Rezistena serie are o influen vizibil asupra caracteristicilor
solare la intensiti mari i la temperaturi ridicate.
Fig. 6.32 Schema echivalent a unei
celule solare
Eficiena conversiei celulelor solare (randamentul cuantic extern), reprezint
partea din puterea radiant incident care este transformat n energie electric
i este dat de relaia:
in
CD sc m
in
m
e
P
V I I
P
P

in
m
P
V
(6.128)
unde:
P
m
este puterea maxim debitat;
I
m
i V
m
sunt valorile curentului i tensiunii corespunztoare puterii maxime;
P
in
este puterea radiaiei solare incident pe celula solar;
I
sc
este curentul de scurtcircuit;
V
CD
este tensiunea ce apare pe celula solar, n condiii de circuit deschis,
adic rezistena de sarcin extern infinit.
Se definete F, factorul de umplere, mrimea care arat ct din suprafaa mr-
ginit de caracteristica I-V reprezint aria de putere maxim i este dat de relaia:
CD sc
m m
V I
V I
F
(6.129)
Eficiena conversiei depinde de lrgimea benzii interzise prin V
CD
i I
sc
, cu ct
este mai mare banda interzis, E
g
, cu att mai larg va fi partea din spectrul
solar absorbit n semiconductor.
Calculele de eficien a conversiei celulelor solare realizate din semiconductori
cu structur de benzi energetice indirecte depinde puternic de condiiile fizice
din baz, iar la cei cu structur de benzi energetice directe de condiiile fizice
din stratul frontal.
Teoretic eficiena conversiei are valori ntre 22-30%, n practic se obin valori
n jur de 14-20% datorit unor fenomene fizice concurente celor de fotogenerare
care fac s se piard o mare parte din fluxul incident de fotoni (prin reflexie) ori
o mare parte din purttorii fotogenerai (prin recombinare).
Performanele unei celule solare sunt determinate de o multitudine de factori
i anume:
intensitatea i distribuia spectral a radiaiei incidente;
reflexia radiaiei incidente la suprafaa celulei solare. Se depun strate

dielectrice antireflectante care utilizeaz materiale ca oxizi de aluminiu, titan,
tantal i de siliciu, bioxid i nitrur de siliciu cu grosimea de sub un micron;
pierderile prin absorbia radiaiei incidente n stratele de protecie ale celulei

solare;
suprafaa util a celulei solare;
procesele de recombinare la suprafa i n volum;
coeficientul de absorbie al radiaiei incidente;
grosimile regiunilor p i n ale celulelor solare i distribuia impuritilor n

regiunile p i n, deci de cmpurile interne din aceste regiuni;
timpul de via al purttorilor minoritari, fotogenerai.

Pentru realizarea celulelor solare, siliciul, este cel mai utilizat semiconductor
n oricare din strile, monocristalin, policristalin sau amorf.
Siliciul monocristalin are lrgimea benzii interzise de 1,12 eV foarte apropiat
de valoarea optim de conversie fotovoltaic. Avnd o structur de benzi
energetice indirecte Si are coeficientul de absorbie mic ceea ce permite o
adncime mai mare de ptrundere a radiaiei solare iar influena recombinrii
la suprafa va fi mai mic.
Costul ridicat al celulelor cu siliciu monocristalin a dus la cutarea i realizarea
unor materiale semiconductoare mai ieftine pentru conversia fotovoltaic i de
aici cercetrile pentru siliciul policristalin i amorf.
Siliciul policristalin se obine pentru diferite mrimi ale granulaiilor avnd o
aranjare numit orientare fibroas. n utilizarea siliciului policristalin se scot n
evideni cteva caracteristici:
dimensiunile cristalitelor s fie mai mari dect lungimea de difuzie a

purttorilor minoritari;
orientare fibroas (n linie) a cristalitelor.

Siliciul amorf ofer avantajele:
coeficientul de absorbie n domeniul spectral al radiaiei solare este foarte

mare, cu un ordin de mrime mai mare dect cel a siliciului policristalin;
lrgimea benzii interzise se plaseaz n intervalul (1,5-2 eV), n funcie de

coninutul de hidrogen;
tehnologiile de obinere sunt mult mai simple;
se poate dopa att cu impuriti donoare ct i acceptoare;
se pot realiza celule solare n diverse variante homojonciuni, heterojonc-

iuni, Schottky, metal-izolator-semicondictor (MIS), cu i fr cmpuri
interne, etc. grosimea celulelor solare fiind de ordinul a ctorva microni.
Celulele solare amorfe pe baza de siliciu amorf dopat cu hidrogen au
dezavantajul c sunt instabile n timp i au o sensibilitate mare la vapori de ap
ceea ce impune precauii mai mari la ncapsularea acestora.
Costul ridicat al semiconductorilor utilizai pentru realizarea celulelor solare a
impus ca o soluie de ieftinire reducerea ariei active a celulelor solare iar pentru a
menine sau crete puterea debitat se apeleaz la concentrarea radiaiei incidente.
Funcionarea celulelor solare n radiaie concentrat impune precauii speciale
determinate n principal de doi factori fundamentali:
rate foarte mari de fotogenerare ceea ce face s creasc pierderile prin

recombinare precum i prin cderile de tensiune pe rezistena intern;
temperatura ridicat pe care o capt datorit concentrrii care diminueaz

parametrii de baz, n special curentul de scurtcircuit i eficiena conversiei.
Utilizarea materialelor semiconductoare de tipul AlGaAs/GaAs fac ca influena
acestor factori s fie mult redus astfel c celulele solare pot fi utilizate pn la
concentrri foarte mari ale radiaiei solare, chiar de 5000 de sori.
Generaliti 113 113 113 113 113
Capitolul 7 Opt Opt Opt Opt Optocuplorul ocuplorul ocuplorul ocuplorul ocuplorul
7.1 Generaliti
Optocuplorul, numit i izolator optic rezult din asocierea unui emitor cu
un receptor de lumin i a fost construit cu scopul de a realiza separarea galvanic
ntre dou circuite electrice. Prin separare galvanic nelegem absena cii directe
de curent, fie el alternativ sau curent continuu.
Izolarea electric sau separarea galvanic, este deosebit de important n pro-
iectarea electronic modern. Ea este un
mod de a minimiza influena curenilor
periculoi i se obine prin una din
metodele: magnetic, capacitiv i electric.
Metoda magnetic, figura 7.1, probabil
cea mai veche metod, presupune c sepa-
rarea galvanic se realizeaz prin interme-
diul unui transformator, cnd transferul de
energie se face prin cmp magnetic.
Dezavantajul transformatorului este acela
c el se poate utiliza numai n curent
alternativ.
n cea de-a doua metod izolarea electric
se obine prin cuplaj capacitiv, figura 7.2. Are
avantajul vitezei mari de comutaie dar
pentru a nltura cerina unei surse de
alimentare flotante n partea de secundar,
este necesar o capacitate mare pentru a
transfera energie din partea primar spre cea
secundar. Astfel c valorile la care se obine
izolarea electric n acest caz sunt mult
micorate de cerina unui cuplaj energetic
eficient. n consecin valorile tensiunilor de
izolaie sunt de ordinul sutelor de voli, spre
deosebire de valori de mii de voli care se
obin prin alte metode.
Fig. 7.1 Izolare magnetic
Fig. 7.3 Izolare electro-optic
Fig. 7.2 Izolare capacitiv
114 114 114 114 114 Capitolul 7 Optocuplorul
O alt metod de izolare a tensiunilor include utilizarea senzorilor magneto-re-
zistivi. Acetia sunt capabili s detecteze att cmpurile magnetice continue ct
i cele alternative. Este o metod ce se aplic n cazuri excepionale i este sensibil
la zgomotul indus de cmpuri magnetice parazite.
Cea de-a treia metod, izolarea optic, figura 7.3, are multe caracteristici ce
o fac performant tuturor metodelor enumerate mai nainte. n principal pentru
c avem valori mari de tensiune de izolare, ntre 6000 i 8000 de voli, apoi
eliminarea tensiunilor accidentale, viteze mari de comutare dar i posibilitatea
de a funciona nu numai n curent continuu sau alternativ ci i n impulsuri.
n practic, aceasta nseamn c circuitul de control este situat de-o parte a
optocuplorului, cea a emitorului, n timp ce circuitul de acionare, se afl pe
partea cealalt a receptorului. Att circuitul de control ct i cel de acionare
sunt izolate electric prin intermediul optocuplorului. Semnalele de la circuitul
de control, sunt transmise optic circuitului de acionare. n majoritatea cazurilor,
transmisia optic se realizeaz cu fascicule de lumin cu lungimi de und de la
rou pn n infrarou. Lrgimea de band a semnalului care trebuie transmis
poate fi, de la valori de semnal de curent continuu, pn la frecvene de MHz.
Optocuplorii trebuie s ndeplineasc urmtoarele cerine:
izolaie bun;
factorul de transfer n curent mare;
degradare n timp foarte mic, mai ales datorit mbtrnirii emitorului,

a descreterii puterii de radiaie a lui;
capacitate de cuplaj mic; pentru optocuplorii obinuii valorile se situeaz

ntre pF 2 3 , 1 ;
s nu interfere cu cmpurile perturbatoare.

Aceti factori sunt esenial, dependeni, de modul de proiectare a optocuplo-
rului, de materialele folosite i de tipul de capsul utilizat pentru emitor i
detector.
Datorit proprietii de separare galvanic optocuplorii i-au gsit ntrebuinri
n diverse domenii;
microelectronic;
prelucrare de semnale i sisteme de telecomunicaie la separarea liniilor de

comunicaii ntre emitor i receptor;
electronica de putere, separarea circuitelor de joas tensiune de cele de

nalt tensiune;
electronica medical, curenii/tensiunile mari pot fi fatale pacienilor;
n mediile explozive, inflamabile.

Principiul de funcionare al optocuplorului 115 115 115 115 115
7.2 Principiul de funcionare al optocuplorului
Constructiv un optocuplor este format dintr-un emitor i un receptor de
lumin i sunt posibile trei structuri de asociere aa cum se arat n figura 7.4,
unde sunt prezentate i simbolurile lor grafice.
Fig. 7.4 Structuri de optocuplori avnd ca receptor: a) o fotodiod, b) un fototranzistor,
c) un fototriac
n cele mai multe cazuri se
utilizeaz ca i emitor de lumin,
o diod cu arseniur de galiu GaAs
ce emite in infrarou, iar ca re-
ceptor, un dispozitiv cu siliciu. Fo-
todetectorul poate fi o fotodiod,
fototranzistor, fototiristor, foto-
triac, sau fotorezistel cele mai
uzuale fiind primele dou. Foto-
detectorul poate fi urmat de un
circuit de amplificare, ncorporat,
i chiar de un dispozitiv de for-
mare a impulsurilor, figura 7.5.
Cele dou componente ale
optocuplorului se aleg astfel nct
sensibilitatea maxim a fotorecep-
torului s fie maxim, n domeniul
de lungimi de und n care fluxul
radiat de surs este maxim.
Emitorul i fotoreceptorul sunt separai prin intermediul unui film sau a
unui strat izolator i transparent de sticl, de grosime 4 mm, atunci cnd se
dorete a se obine o valoare ridicat a tensiunii de izolaie ntre intrarea i
ieirea semnalului, figura 7.7.
Fig. 7.5 Amplificarea semnalului fotodiodei
Fig. 7.6 Curbe spectrale pentru emitor
i fotoreceptor
7.3 Parametrii specifici optocuploarelor
Principala proprietate pentru care optocuplorul este des folosit este aceea c,
realizeaz izolarea galvanic ntre intrarea i ieirea unui dipol, indiferent de
spectrul semnalului i pentru toate tensiunile, att la valori ridicate ct i la cele
foarte ridicate. Este deci foarte important, a se cunoate care sunt parametrii
specifici optocuplorilor.
Tensiunea i rezistena de izolaie
Tensiunea de strpungere este dat de efectul Corona, ce nseamn apariia
descrcrii electrice n mediul izolator atunci cnd intensitatea cmpului electric
depete o anumit valoare. Cmpul electric intens, duce la apariia de sarcini
electrice, microstrpungeri invizibile, care diminueaz tensiunea maxim
aplicabil ntre intrare i ieire. Tensiunea limit ce poate fi aplicat ntre emitor
i receptor se numete tensiune de incepie a efectului Corona. Exist diferite
procedee industriale de mrire a pragului de izolaie, de la vidarea incintei n
care se afl optocuploarele i imersiunea n ulei presurizat, pn la mrirea
distanei dintre emitor i receptor. Aceasta din urm, se face fie, prin utilizarea
unui sistem optic de focalizare, fie prin intermediul fibrei optice, ceea ce duce la
cheltuieli de cost mari.
Tensiunea i rezistena de izolaie se msoar cu terminalele de intrare i de
ieire scurtcircuitate, figura 7.8, testarea fcndu-se n curent continuu, alternativ
n impulsuri sau n rampe de tensiune dup cum stabilete fabricantul.
Capacitatea de izolaie
Este o capacitate parazit, care se reduce la un minim prin introducerea unui
ecran ntre receptor i transmitor; ecranul este o plas fin metalic care se
leag la masa receptorului.
Fig. 7.7 Structura unui optocuplor cu tensiune joas de izolaie
Parametrii specifici optocuploarelor 117 117 117 117 117
Factorul de rejecie al modului comun (CMRR)
Semnalul de mod comun, este semnalul msurat fa de masa instrumentului,
dac la intrare se aplic un semnal diferenial.
Semnalul de mod comun
apare datorit capacitii
parazite de izolaie dintre
intrare i ieire, figura 7.9.
Semnalele perturbatoare,
apar la ambele intrri ale
unui instrument de msur
ca fiind tensiuni de mod co-
mun i este rejectat de ctre
factorul CMRR (Common
Mode Rejection Ratio) al instrumentului. Factorul CMRR este definit de:
comun castig
l diferentia castig
CMRR
mod
log 20
(7.1)
i depinde de frecven. O alt definiie echivalent pentru CMRR este dat de:
aplicata Tensiunea
comun in masurata Tensiunea
CMRR
mod
log 20
(7.2)
i se msoar n decibeli, iar rejecia de mod comun este:
[ ] CMRR dB CMR log 20 . (7.3)
n mod uzual se dorete obinerea unui semnal de mod comun ct mai mic,
adic o rejecie a modului comun ct mai mare (CMR>80dB).
Factorul de transfer n curent
Se definete factorul de transfer n curent, CTR, (Current Transfer Rate) ca
fiind raportul dintre variaia curentului de ieire, i
c
, din receptor i variaia
curentului de intrare din emitor, i
F
care a determinat respectiva variaie a
curentului de ieire:
Fig. 7.8 Msurarea tensiunii i rezistenei de izolaie pentru optocuplor
Fig. 7.9 Semnalul de mod comun

F
C
i
i
CTR
(7.4)
Caracteristica i
C
(i
F
) pre-
zentat n figura 7.10 are
o poriune liniar, unde
panta este liniar, pe aceast
poriune putndu-se m-
sura factorul de transfer n
curent. n figura 7.11 este
prezentat un circuit de
msur pentru factorul de
transfer n curent. Factorul de transfer, este o mrime adimensional, avnd
valori de ordinul miilor, la frecvene de ordinul MHz, dar cu creterea frecvenei
valoarea lui scade.
Curentul de ntuneric
Se definete ca fiind
curentul de colector ge-
nerat de fototranzistorul
optocuplorului atunci
cnd intrrile LED-ului
sunt lsate n gol, cir-
cuitul de msur fiind
Caracteristica de intrare
Este dependena dintre curentul prin emitorul de lumin i tensiunea aplicat
pe el, circuitul folosit fiind prezentat n figura 7.13.
Tensiunea de saturaie a fototranzistorului se msoar conform schemei
prezentate n figura 7.14.
Fig. 7.10 Caracteristica unui optocuplor
Fig. 7.11 Circuitul de msur pentru CTR
Fig. 7.12 Circuitul de msur al curentului de ntuneric
Fig. 7.13 Ridicarea caracteristicii de intrare Fig. 7.14 Circuitul de msur a tensiunii
de saturaie a fototranzistorului
Ali parametrii cum ar fi viteza de lucru a optocuploarelor, adic a timpilor de
comutaie i banda de trecere, se msoar conform circuitelor folosite de
fabricani. n majoritatea cazurilor fia tehnic ce nsoete produsul d toate
detaliile necesare pentru proiectarea aplicaiilor cu optocuploare. n utilizarea
Parametrii specifici optocuploarelor 119 119 119 119 119
lor se are n vedere fie, scderea timpului de comutaie invers fie controlul
constantei de timp asociate fototranzistorului att la comanda n impulsuri ct
i cu semnale analogice.
O problem principal n exploatarea optocuploarelor este aceea a mbtrnirii
lor i se manifest prin degradarea factorului de transfer n curent. Degradarea
CRT apare, fie datorit diminurii fluxului radiat de LED, prin reducerea
randamentului cuantic, fie prin exploatarea optocuplorului la cureni de colector
ai fototranzistorului din receptor mai mari dect specificaia din catalog, n acest
fel fiind implicat i partea de degradare a CRT datorit recepiei.
Considerm c, n revistele de electronic, multitudinea de scheme i aplicaii,
prezentate chiar i de fabricant, inclusiv cele de polarizare n circuitele electronice,
sunt suficiente, pentru a nu le mai include i n aceast carte. Scopul autorului
fiind acela de a explica noiuni introductive pentru a uura nelegerea funcionrii
optocuplorului.
120 120 120 120 120 Capitolul 8 Laserii
Capitolul 8 Lase Lase Lase Lase Laserii rii rii rii rii
8.1 Principiul de funcionare
Laserii sunt surse de radiaie electromagnetic, care acoper domeniul optic
al spectrului din infrarou pn la vizibil i ultraviolet, caracterizate printr-o
radiaie coerent, monocromatic i intens.
Pentru prima oar, propuneri concrete pentru utilizarea radiaiei stimulate n
vederea generrii de microunde au fost fcute n 1954 de ctre Basov, Prohorov
i independent de ctre Townes, iar dispozitivele au fost numite maseri.
Posibilitatea extinderii maserilor pentru frecvene optice a fost pentru prima
dat studiat teoretic de ctre Schawlow i Townes n 1958; primul maser optic
denumit i laser, a fost realizat cu rubin de ctre Meinmen n 1960. A urmat
apoi descoperirea de noi materiale solide (cristaline sau amorfe) n care s-au
obinut tranziii laser n rou i infrarou apropiat. Primul laser folosind un mediu
activ gazos a fost realizat ntr-un amestec de heliu i neon n 1961 de ctre
Janon, Bemrett i Herriot. A urmat apoi descoperirea efectului laser n regiunea
de jonciune a semiconductoarelor (1962) i laserii cu medii active lichide.
n ar, studiul laserilor a fost ntreprins nc din 1962 de ctre prof.
I. Agrbiceanu.
Cuvntul LASER este acronimul pentru Light Amplification by Stimulated
Emission of Radiation amplificarea luminii prin emisia stimulat a radiaiei
(luminoase).
Principiul de funcionare al laserilor este legat de legea fundamental de
emisie a radiaiei electromagnetice de ctre un sistem atomic. Tranziia unui elec-
tron de pe un nivel superior pe un nivel inferior poate s fie spontan, indus,
sau stimulat, de ctre o radiaie de aceeai frecven cu aceea corespunztoare
tranziiei considerate (figura 8.1).
n procesul de absorbie stimulat, figura 8.1a), un electron din banda de
valen preia energia de la un foton incident, i trece n banda de conducie.
Energia ctigat de electron este egal cu energia fotonului:
h E E
1 2
(8.1)
Nu toi electronii vor interaciona cu fotonii. Viteza cu care electronii vor fi
absorbii depinde de numrul de stri neocupate n banda de conducie, de
Principiul de funcionare 121 121 121 121 121
numrul de stri ocupate din banda de valen i de ( ) h , densitatea de energie
a fotonilor cu energia cuprins ntre cele dou nivele de tranziie:
( ) ( ) h p p B R
abs 2 1 12
1 , (8.2)
unde p
1
i p
2
sunt probabilitile de ocupare cu electroni a strii energetice infe-
rioare, respectiv superioare, h constanta lui Planck iar c, este viteza luminii n vid.
n procesul de emisie spontan, figura 8.1 b) un electron excitat din banda
de conducie, poate reveni n banda de valen i va emite o cuant de energie
conform relaiei (8.1). Fotonul emis la trecerea electronului de pe nivelul energetic
superior pe cel inferior are direcia i faza complect aleatoare. Legile mecanicii
cuantice ce guverneaz acest proces arat c viteza medie cu care electronii n
stare excitat vor emite fotoni este:
) 1 (
1 2 21
p p A R
spon
(8.3)
unde A
21
probabilitatea de tranziie ca o particul excitat s cad pe o stare
vacant de energie mai mic.
Exist i un al treilea tip de tranziie, figura 8.1 c), cnd fotonul este puternic
cuplat cu electronul i va determina electronul s revin pe starea energetic
inferioar, prin eliberarea unui foton cu aceeai energie ca a celui incident. De
aceast dat fotonul emis are aceiai direcie i faz cu a celui incident, procesul
numindu-se emisie stimulat. Viteza de emisie stimulat depinde de proba-
bilitile de ocupare a nivelelor energetice i de densitatea de fotoni la lungimea
de und a fotonului incident:
( ) ( ) h p p B R
stim 1 2 21
1 (8.4)
Comparnd cele dou relaii (8.4) i (8.2) se observ c procesul de emisie
stimulat este invers celui de absorbie stimulat. La echilibru vom avea:
stim spon abs
R R R +
sau
( ) ( ) h p p B p p A h p p B ) 1 ( ) 1 ( ) 1 (
1 2 21 1 2 21 2 1 12
+ . (8.5)
Fig. 8.1 Tipuri de tranziii ntr-un sistem atomic
Rezolvnd ecuaia n raport cu ( ) h avem:
( )
) 1 ( ) 1 (
) 1 (
1 2 21 2 1 12
1 2 21
p p B p p B
p p A
h

(8.6)
i se reduce la
( )
21
1 2
2 1
12
21
) 1 (
) 1 (
B
p p
p p
B
A
h
(8.7)
Raportul
) 1 (
) 1 (
1 2
2 1
p p
p p
probabilitatea relativ de ocupare a celor dou nivele de

energie i cum se consider sistemul n echilibru termodinamic acesta se poate
nlocui cu ecuaia lui Boltzmann, astfel c (8.7) devine:
( )
( ) [ ]
21 12
21
exp B kT h B
A
h
(8.8)
Dar distribuia radiaiei pentru un corp la echilibru termodinamic este funcia
de distribuie a lui Planck.
( )
( ) [ ] 1 exp
8
3
3
kT h c
h
h

(8.9)
Din (8.8) i (8.9) obinem dou relaii importante:
21 12
B B i
c
h
B
A
2
3
21
21

(8.10)
Acestea au fost obinute de Einstein n 1917 iar A
21
, B
12
, B
21
se numesc
coeficienii lui Einstein. innd cont de relaiile (8.10) i (8.8) se poate obine
i raportul dintre coeficientul de emisie spontan i cel de emisie stimulat:
( ) ( ) [ ] 1 exp
21
21
kT h h
B
A
(8.11)
rezultnd c emisia stimulat este predominant cnd kT h .
Aceasta nsemn c probabilitatea de a gsi un electron n banda ce conducie
trebuie s fie mai mare dect aceea de a-l gsi n banda de valen, adic trebuie
s se realizeze o inversiune de populaie.
Sursele laser genereaz sau/i amplific radiaiile luminoase, pe baza
fenomenului de emisie stimulat. Principiul funcionrii unui laser cu dou nivele
const din interaciunea a dou sisteme fizice (figura 8.2): cmpul electromagnetic
dintr-o cavitate rezonant (denumit rezonator optic) i mediul activ, situat n
aceeai cavitate, ai crui atomi sau electroni sau molecule posed dou nivele
Principiul de funcionare 123 123 123 123 123
energetice E
1
i E
2
a cror diferen de energie h E E E
1 2
corespunde
frecvenei de rezonan a cavitii:
2
n l

(8.12)
iar
l 2
c
n , (8.13)
unde l este lungimea cavitii, iar n N indic ordinul modului (n domeniul
optic vizibil n 10
6
).
Fig. 8.2 Schema de principiu a unul laser
Emisia stimulat este asigurat de inversia populaiei celor dou nivele
energetice; inversia populaiei se obine n funcie de particularitatea fiecrui
mediu activ, metodele mai des utilizate fiind:
pompajul optic,
descrcarea electric n gaze,
interaciuni atomice care produc atomi sau molecule n stri excitate.

Lungimea de und a radiaiei luminoase fiind foarte mic n raport cu
dimensiunile obinuite ale unei cavitii rezult c un dispozitiv laser poate emite
ntr-un numr mare de moduri. n aplicaiile metrologice stabilitatea n frecven
a radiaiei laser este foarte important, astfel nct au fost construii laseri
monomod care emit o singur frecven n domeniul vizibil.
Importana surselor laser const n gradul mare de coeren a radiaiei emise,
ceea ce creeaz posibilitatea analizrii i prelucrrii radiaiilor emise, analog ca
i undele hertziene.
8.2 Proprietile radiaiei laser
Proprietile radiaiei laser, datorate faptului c emisia este stimulat, sunt
urmtoarele:
1. Coeren spaial. Definiia coerenei spaiale n cazul surselor clasice este:
distana maxim ntre dou puncte pe suprafaa sursei pentru care radiaiile
emise pot interfera. ntr-un laser, lumina axial d natere emisiei stimulate
(n cele mai multe cazuri), astfel nct noiunea de coeren spaial exprim
practic ntinderea undei plane: suprafaa mediului activ n care fotonii sunt
descrii de aceeai und se numete ntindere de coeren. n cazul unui
mediu activ neomogen (de exemplu, cristalul de rubin) emisia luminii se
produce instantaneu dintr-o regiune mic a mediului. ns, n cazul unui mediu
activ omogen (de exemplu, laserul cu gaz) unda electromagnetic umple tot
volumul cavitii. n general, ntinderea de coeren reprezint seciunea
transversal a fasciculului laser. Aceast proprietate are dou consecine
importante observate experimental:
directivitatea fasciculului laser:
focalizarea cvasipunctual
2. Coerena temporal reprezint intervalul de timp ntre dou emisii ale sursei
care pot interfera. Aadar, prin coeren temporal se nelege intervalul de
timp Dt, numit i timp de coeren, n decursul cruia fotonii emii sunt descrii
de aceeai und. n cazul surselor de lumin ordinare timpul de coeren este
determinat de lrgimea Doppler a liniei spectrale: Dt = 1/Dw
D
10
-9
secunde.
n cazul laserilor cu emisie continu timpul de coeren este mult mai mare,
atingnd curent Dt 10
-6
secunde, iar n condiii speciale Dt 10
-3
s. Timpul
de coeren se determin experimental prin observarea franjelor de interfe-
ren ce corespund diferenelor de drum foarte mari, rezultnd Dt=Dl/c, sau
prin observarea fenomenului de bti ntre dou fascicule provenind de la
doi laseri independeni. Amplitudinea undei rezultante este modulat n timp
cu frecvena w
1
-w
2
. Fluctuaiile asupra frecvenei btilor dau posibilitatea
determinrii ordinului de mrime al fluctuaiilor celor dou frecvene, Dw
1
i, respectiv, Dw
2
, iar utilizarea relaiei de nedeterminare permite deducerea
timpului de coeren Dt=D1/Dw.
3. Monocromaticitatea radiaiei laser. Lumina laser are o puritate spectral
deosebit, deoarece modul axial care este legat strns de rezonana atomic
are amplitudinea cea mai mare, radiaia laser concentrndu-i lrgimea n
jurul acestei frecvene. Lrgimea liniei laser apare datorit emisiei spontane
care nsoete emisia stimulat. Semilrgimea liniei laser este dat de expresia:
Dw
L
8w
0
h(Dw
N
)
2
/P
e
, unde Dw
N
este lrgimea natural, iar P
e
puterea de ie-
ire a radiaiei laser. Experimental, prin msurarea fluctuaiilor de scurt durat
a frecvenei btilor ntre dou fascicule laser, s-a determinat Dw
L
10
3
Hz, de
1001000 ori mai mic dect cele mai fine lrgimi ale liniilor atomice
naturale. Pn la apariia laserului se considera lrgimea natural ca limita
Tipuri de laser 125 125 125 125 125
preciziei frecvenei radiaiei emise; explicaia depirii acestei limite naturale
este faptul c n dispozitivul laser, ansamblul atomilor din cavitatea rezonant
emite o und electromagnetic de durat mult mai mare dect un singur
atom. Lrgimea liniei laser determin precizia de stabilizare a lungimii
rezonatorului, deoarece Dw/w=Dl/l.
4. Intensitatea radiaiei laser. Datorit directivitii fasciculului laser, toat
energia emis este concentrat ntr-un fascicul de seciune foarte mic i un
unghi solid foarte mic. De asemenea, frecvena de emisie fiind foarte bine
definit, densitatea de energie spectral este extrem de ridicat n comparaie
cu oricare alt surs de lumin.
5. Impulsuri ultrascurte. Dispozitivele laser care funcioneaz n regim de
sincronizare a modurilor pot s produc impulsuri de durat de ordinul
10
-12
10
-13
secunde.
8.3 Tipuri de laser
Tipurile de laser se disting dup mediul activ utilizat:
1. Laseri cu mediul activ solid dielectric, cel mai utilizat mediu activ fiind ioni
dispersai ntr-o concentraie redus, fie ntr-o reea cristalin pur, fie n sticl
sau n plastic. Din aceast categorie, mai reprezentativi sunt urmtorii laseri:
laserul cu cristal de rubin-corindon, Al

2
O
3
impurificat cu ioni trivaleni de
crom Cr
3+
n concentraie de 0,05% n cazul rubinului roz, sau de 0,5% n
cazul rubinului rou. Radiaia laser emis de rubinul roz are lungimea de
und nm 3 , 694 ; rubinul rou emite radiaii laser nm 9 , 700
1
i
nm 1 , 704
2
;
laserul cu sticl dopat cu neodim: m 06 , 1 ;
laserul cu granai (YAG) dopai cu neodim: m 06 , 1 .

Laserii cu mediul activ solid dielectric au urmtoarele caracteristici generale:
inversia populaiei nivelelor energetice se realizeaz prin pompaj optic:

absorbia de ctre ionul dopat a unei pri din energia luminii necoerente
emise de obicei de o surs flash;
randament sczut: 0,1-2%, deoarece nu toat energia luminoas a tubului

de pompaj este absorbit de ionii activi i mediului;
mediul activ se nclzete n cazul pompajului cu energie mare; n aceste

cazuri laserul funcioneaz n regim pulsat. Tehnica de declanare, bazat
pe variaia rapid a factorului de calitate a rezonatorului optic n timpul
pompajului, permite obinerea de impulsuri de durat 10
-8
10
-11
secunde.
Tehnica sincronizrii modurilor a permis reducerea duratei pulsurilor la
10
-12
10
-3
s. Funcionarea n regim continuu a laserilor cu solide nu este
posibil dect pentru medii active cu dimensiuni reduse care faciliteaz
rcirea.
Cele mai importante aplicaii tehnice ale laserilor cu solide sunt: telemetria
terestr, ghidaje optice, msurarea distanelor pn la satelii, microsudur,
holografia ultrarapid, medicin.
2. Laseri cu gaz, care pot fi de trei feluri:
cu gaz atomic,
cu gaz ionic,
cu gaz molecular.
Caracteristicile generale ale laserilor cu gaz atomic i ionic sunt:
funcioneaz mai ales n regim continuu;
pot fi reglai astfel ca s lucreze monomod, lrgimea liniei laser ~ 10

3
Hz,
iar lungimea de coeren pn la 10
5
10
6
m;
divergena fascicolului laser este sub 3 ;
randamentul are valoarea de 17%;
puterile obinute n regim continuu sunt 0,10,5 W pentru laserul cu He-Ne

i pn la 1000 W pentru laserul cu argon ionizat.
Cei mai reprezentativi laseri cu gaz atomic i gaz ionizat sunt:
laserul atomic He-Ne care emite radiaii cu lungimile de und

1
= 632,8 nm,
2
= 1153 nm i
3
= 3390 nm. Primul laser de acest tip, a fost construit n
1960. Aplicaiile tehnice cele mai importante ale laserului cu He-Ne sunt:
telecomunicaii cu laser, interferometrie cu laser, etaloane de lungime i
timp, holografie, girometrie, alinieri i reglaje optice, prelucrarea optic a
informaiei;
laserul cu argon ionizat emite radiaii cu lungimea de und nm 488 .

Are, n general, aceleai aplicaii ca i laserul cu He-Ne, n plus datorit
puterii mari se utilizeaz la prelucrarea unor materiale.
Caracteristicile generale ale laserilor moleculari sunt:
putere foarte mare; s-au obinut puteri de 100200 kW n regim de emisie

continu timp de 12 s i puteri de 10 kW n regim continuu nelimitat. n alt
regim de pulsuri s-au obinut puteri de vrf W
13 11
10 10 K ;
randament bun (teoretic 40-45%, experimental 10-35%), deoarece nivelele

vibraionale metastabile moleculare au o via medie mai lung dect cele
atomice;
nu prezint limitare important prin saturaie, ceea ce permite creterea

puterii o dat cu creterea dimensiunilor.
Laserul molecular cel mai utilizat este cel cu mediu activ CO
2
, care emite
radiaii cu =1,059 m. Laserul cu CO
2
poate funciona n regim continuu,
furniznd o putere de pn la 30 W, sau n regim de pulsuri, atingnd o putere
de vrf de 1 kW, durata pulsurilor fiind de 150 ns.
Aplicaiile cele mai importante ale laserului molecular cu CO
2
sunt: producerea
de plasm, fuziunea materialelor refractare, prelucrarea metalelor, sudur.
Tipuri de laser 127 127 127 127 127
3. Laseri cu mediu activ lichid. Lichidele, ca i gazele, nltur cerinele ce se
pun formrii cristalelor i, n plus fa de gaze, permit realizarea unei
concentraii exacte de particule active ntr-un volum dat. Exist dou feluri
de laseri cu mediu activ lichid:
care nlocuiesc laserii cu mediu activ solid (de exemplu, laseri sau chelai
de lantanide, laserul cu Nd
3+
dizolvat n oxiclorur de Se);
laseri acordabili cu mediu activ soluii de colorani (rodamin, acridin,

fluorescein).
Un dispozitiv cu mediu activ lichid presupune c n cavitatea rezonant, lichidul
se afl n continu circulaie, asigurat de o pomp: la capetele cavitii se afl
cele dou oglinzi, dintre care, una cu reflexie parial pentru a permite ieirea
radiaiei laser; excitarea mediului activ se face prin pompaj optic.
Caracteristicile generale ale laserilor cu mediul activ lichid sunt: frecvena de
lucru poate fi variat pe domenii nm 100 60K ; radiaiile emise au lungimi
de und [154nm; 300nm]; puterea de ieire este de 200-600 kW la func-
ionarea n regim de pulsuri, durata medie a unui puls fiind de 10
-8
s; lrgimea
liniei emise este 0,11 nm pentru laserii cu chelai de lantanide i sub 0,1
nm pentru laserii cu soluii de colorani.
4. Laseri cu semiconductori. Spre deosebire de celelalte tipuri de laser emisia
stimulat, n laserii cu semiconductori, aceasta se obine ntr-un mod diferit
att ca perfomane ct i ca metod de excitaie (de pompaj).
Caracteristicile distincte rezult din faptul c electronii participani la o
tranziie, urmat de emisia stimulat a radiaiei, sunt liberi s se deplaseze ntr-o
regiune relativ ntins din semiconductor, aceast deplasare fiind dependent
de potenialul periodic al reelei cristaline a semiconductorului.
Funcionarea acestor laseri, se bazeaz pe realizarea inversiei populaiei ntre
banda de conducie a zonei n i banda de valen a zonei p, sub aciunea unui
curent foarte intens aplicat unei jonciuni p-n .
Cel mai utilizat laser cu semiconductori este cel cu GaAs, care emite radiaii
cu
1
=842 nm i
2
=904 nm. Laserul cu arseniur de galiu, care are componenta
principal, un cristal semiconductor, cu jonciunea n p de dimensiuni ~ 1,4
mm, iar suprafeele laterale polisate pentru reflexia fasciculului laser. Jonciunii
n p , i se aplic un curent continuu de ordinul zecilor de miliamperi.
Caracteristicilor generale ale laserilor cu semiconductori sunt: randament
foarte mare, pn la 90%; lrgimea liniilor emise este de 1-10 nm; puterea maxim
este de 100600 W n regim pulsat, durata unui puls fiind de ordinul 10
-7
s ;
directivitatea este redus, divergena fasciculului emis fiind de 1030
o
;
posibilitate mare de modulaie, ceea ce i face utilizabili n telecomunicaii (dioda
laser) de care ne vom ocupa n detaliu mai jos.
5. Laseri chimici. La aceti laseri, inversia populaiei se realizeaz utiliznd
energia reaciilor chimice. Primul laser chimic cu mediu activ HCl emite radiaii
cu l = 3,73,8 nm. Pn n prezent s-au construit mai multe tipuri de laseri
chimici bazai pe izotopii hidrogenului i pe halogeni, toi avnd caracteristic,
existenei unei surse, de atomi sau radicali liberi, care s poat reaciona cu
ali atomi sau alte molecule, pentru a forma un reactiv n stare excitat, i de
asemenea, existena unor reacii extreme n lan. Puterile medii se ridic la
200-300 W.
8.4 Dioda laser
Fenomenul de injecie i recombinare a purttorilor de sarcin n jonciunea
p-n polarizat direct, nseamn micorarea barierei de potenial din regiunea de
sarcin spaial astfel c purttorii de sarcin majoritari (electroni, e
din regiunea
n, golurile,
+
p din p) pot trece uor n regiunile adiacente devenind purttori de
sarcin minoritari de neechilibru.
Procesul de compensare a sarcinii spaiale create de purttorii de sarcin
minoritari, injectai de ctre purttorii de sarcin majoritari, este foarte rapid,
desfurndu-se ntr-un interval de timp
D
, mult mai mic dect timpul de via.
Acest timp numit i timp de relaxare dielectric se poate evalua cu relaia:
0 D
, (8.14)
unde este rezistivitatea materialului semiconductor, este constanta dielectric
iar
0
= 8,854 10
-12
F/m. n Si de exemplu, cu cm 10 12 , rezult
11
D
10
s. Cum de-o parte i de alta a regiunii de sarcin spaial, concentraiile

purttorilor de sarcin sunt mai mari, acetia vor difuza spre contactele ohmice,
unde, concentraiile sunt mai mici. Simultan datorit proceselor de recombinare,
concentraiile purttorilor de sarcin vor scdea, tinznd spre valorile de echilibru.
Fig. 8.3 Injecia i recombinarea purttorilor de sarcin n jonciunea p-n:
a) echilibrul termic; b) jonciune p-n polarizat direct cu tensiune V
Rezult c, cu ct concentraiile purttorilor de sarcin majoritari sunt mai
mari, cu att mai mari vor fi i concentraiile purttorilor de neechilibru, iar
regiunea de sarcin spaial va fi mai ngust.
La echilibrul termic, nivelul Fermi se afl n interiorul benzilor energetice
permise.
Dioda laser 129 129 129 129 129
Cnd pe jonciune se aplic tensiunea V de polarizare direct, cum regiunile
n i p au conductivitate mare, aceasta va cdea n principal pe regiunea de sarcin
spaial cu rezistivitate mare.
Departe de regiunea de sarcin spaial, distribuia purttorilor se poate descrie
cu ajutorul cvasinivelelor Fermi. n vecintatea regiunii stratului de sarcin
spaial ns, datorit injeciei i difuziei, i deci creterii concentraiilor
purttorilor de sarcin minoritari, cvasinivelul Fermi pentru electroni n regiunea
p va urca, iar n regiunea n, cvasinivelul Fermi pentru goluri va cobor pn
atinge nivelul Fermi pentru purttorii de sarcin majoritari. Distana dintre
cvasinivelele Fermi va fi:
p n
F F
E E qV (8.15)
Recombinarea radiant band band, cu emisie spontan sau stimulat, de
radiaie are loc cu probabilitate mare, cnd n vecintatea aceluiai punct sunt
realizate concentraii mari ale purttorilor de sarcin de neechilibru.
Prin urmare recombinarea radiant va avea loc n imediata vecintate a
stratului de sarcin spaial, sau chiar n interiorul regiunii de sarcin spaial,
unde electronii care difuzeaz ntr-un sens se vor recombina cu golurile care
difuzeaz n sens opus. Astfel, curentul care trece prin diod va fi determinat de
fluxurile de difuzie ale celor dou tipuri de purttori de sarcin i de viteza lor
de recombinare.
n vecintatea planului de
separare a regiunilor n i p ale
jonciunii n p polarizate direct
se formeaz o regiune de gro-
sime d, numit regiune activ,
unde concentraiile purttorilor
de sarcin de neechilibru sunt
mari i predomin procesele de
recombinare radiant, figura 8.4.
Aceast regiune are o grosime
de ordinul lungimii de difuzie a
purttorilor de sarcin i aici sunt create condiiile inversiei de populaie, necesare
obinerii unei emisii stimulate nete.
8.4.1 Caracteristicile generale a diodelor laser
Cavitatea optic i coeficientul de amplificare
Dac ( ) este densitatea spectral a energiei radiaiei, atunci intensitatea radiaiei
( ) , definit ca fiind numrul de cuante n intervalul cuprins ntre ) d , ( + , care
trec prin unitatea de suprafa n unitatea de timp se poate scrie sub forma:
( )
( )
h
c

, (8.16)
unde c este viteza luminii.
Fig. 8.4 Structura unei diode laser
S presupunem o und aproape monocromatic de intensitate ( ) care se
propag ntr-un mediu activ pe direcia z.
Pentru variaia intensitii undei pe direcia de propagare, putem scrie:
dz g d , (8.17)
unde g este o caracteristic cantitativ a mediului activ i poart denumirea de
coeficient de amplificare cuantic sau ctig.
Propagarea undei poate fi nsoit de diferite pierderi (absorbie, mprtieri).
Datorit pierderilor variaia intensitii undei va fi:
dz d
i
(8.18)
Lund n considerare ctigul i pierderile avem:
( ) dz g d
i
(8.19)
prin integrare rezult:
( ) [ ] z g
i
exp
0
(8.20)
unde ( ) 0
0
adic intensitatea radiaiei n punctul 0 z .
Intensitatea undei n mediul activ poate crete dac
i
g . Proprietile de
amplificare ale mediului activ pot fi mbuntite dac se aplic se aplic principiul
reaciei pozitive o parte din radiaia amplificat se reintroduce n mediul activ
unde este amplificat din nou sau dac reacia pozitiv este suficient de puternic
amplificarea poate depi pierderile totale iar amplificarea se autoexcit, trans-
formndu-se n generator, adic mediul activ, va genera unda electromagnetic
chiar dac din exterior nu ptrunde radiaia.
Acest lucru se poate realiza prin interme-
diul sistemelor cu oglinzi semitransparente
adic un rezonator Fabry-Perot, figura 8.5.
S presupunem c unda incident de
intensitate
10
, se deplaseaz de la oglinda
1, cu coeficientul de reflexie R
1
spre oglinda
2, cu coeficientul de reflexie R
2
, distana
dintre cele dou oglinzi fiind L.
Dupa prima reflexie pe oglinda 2, unda
care intr din nou n mediul activ va avea
intensitatea:
( ) [ ] L g exp R
i 2 10
(8.21)
Parcurgnd distana L, dup reflexia pe oglinda 1, unda intr din nou n mediul
activ cu intensitatea:
( ) [ ] L g 2 exp R R
1 2 1 10
'
10

(8.22)
Fig. 8.5 Reprezentarea schematic
a rezonatorului Fabry Perot
Dioda laser 131 131 131 131 131
Fenomenul de autontreinere are loc dac
10
'
10
. Dac inem cont de
relaia (8.12), avem c:
( ) [ ] 1 L g 2 exp R R
i 2 1
(8.23)
sau
2 1
i p
R R
1
ln
L 2
1
g g + (8.24)
unde
p
g
se numete coeficientul de prag al amplificrii.
n laserii cu semiconductori, coeficientul de amplificare depinde de structura
benzilor energetice i este funcie de nivelul de dopare, densitatea de curent,
temperatur i frecven.
Curentul de prag
Pentru a realiza o emisie stimulat peste nivelul absorbiei, dioda laser trebuie
adus la un nivel de injecie suficient de mare. Odat cu creterea nivelului de
injecie, mai nti se observ o emisie de radiaie care se caracterizeaz printr-un
interval spectral larg ( 100 nm), incoerent i cu o divergen mare pe direcia
de propagare, adic un proces specific diodelor electroluminescente.
Pentru o anumit valoare a curentului de injecie, numit curent de prag,
apare efectul de emisie laser care este nsoit de o cretere rapid a fluxului
radiant. Curentul de prag al diodei laser corespunde valorii de prag a factorului
de amplificare
p
g valoare, la care injecia purttorilor de sarcin compenseaz
pierderile i oscilaia se autontreine.
Purttorii de sarcin injectai, se pot recombina att radiativ ct i neradiativ.
Concentraia de neechilibru a purttorilor de sarcin injectai poate fi limitat
att de timpul de via
nr
, cauzat de recombinrile neradiative ct i de timpul
de via
r
, datorat recombinrilor radiative, utile pentru efectul laser, fiind cele
radiative.
Se definete randamentul cuantic intern, randamentul cu care este convertit
energia de excitaie n energie electromagnetic, n interiorul semiconductorului.
Timpul de via efectiv, , al perechii electron-gol este dat de relaia:
nr r
1 1 1
(8.25)
Mrimea
1
P
r
reprezint, probabilitatea total de recombinare, iar
r
rr
1
P
probabilitatea de recombinare radiant. Se definete randamentul intern

i
al
diodei laser ca raportul dintre cele dou probabiliti:
r nr
nr
r rr
r
i
P
P
+
. (8.26)
Pentru semiconductorii cu benzi energetice directe
nr r
<< i 1
i
iar pentru
cei benzi energetice indirecte
nr r
>> i
4
i
10
.
Exist o dependen liniar ntre factorul de amplificare g i densitatea de
curent, j, care trece prin diod:
j g (8.27)
unde este o constant de proporionalitate. Pentru densitatea de curent j se
obine relaia:
2 1
1
ln
2
1
R R L
j
i
p

+ (8.28)
sau cnd R R R
2 1
avem:
R L
j
i
p
1
ln
1

+ (8.29)
Evaluri experimentale dau pentru ( )
1
100 10

cm
i
iar pentru
( ) A cm/ 10 10
4 2
. Exist o lungime a regiunii active L, optim, pentru c,
odat cu creterea acesteia, crete i puterea disipat. Micorarea curentului de
prag I
p
se mai poate realiza prin, diminuarea pierderilor interne
i
, creterea
coeficientului , sau creterea coeficientului de reflexie R.
Caracteristica curent tensiune
Dac tensiunea de polarizare direct a diodei laser este V, atunci caracteristica
curent-tensiune va avea forma:
( ) [ ] 1 exp
S j S
IR V a I I (8.30)
unde
S
I este curentul de saturaie, a
j
un parametru al diodei iar R
S
este rezistena
serie a diodei. Valori tipice pentru dioda laser sunt: ( ) 10 1 R ,
1
30

V a
j
,
2 11
10 2 cm A j

.
Relaia (8.30) descrie caracteristica curent-tensiune pn la curentul de prag
I
p
, deoarece dup nceperea emisiei radiaiei coerente, cderea de tensiune pe o
diod laser ideal ar trebui s rmn constant.
Pentru valori ale curentului, mai mari dect curentul de prag, caracteristica
curent-tensiune a diodei laser se poate aproxima cu relaia:
S
IR
q
Eg
V + (8.31)
unde E
g
este lrgimea benzii interzise.
Caracteristica watt amper
nseamn dependena puterii radiaiei emise n funcie de curentul de injecie.
Temperatura influeneaz puternic parametrii interni ai diodei laser. O mare
parte din puterea de alimentare este disipat n interiorul diodei laser sub form
de cldur.
Dioda laser 133 133 133 133 133
Puterea disipat n interiorul laserului cu injecie const din:
a) pierderi prin efect Joule
b) putere consumat prin tranziii neradiative
c) absorbie n interiorul laserului
Pierderile cauzate de transmisie se exprim printr-un coeficient efectiv de
absorbie:
2 1
1
ln
2
1
R R L
E
(8.32)
Raportul dintre, coeficientul efectiv de absorbie i coeficientul de prag al
amplificrii, exprim raportul dintre radiaia emis i cea absorbit n interior.
Considernd i pierderile de energie cauzate de tranziii neradiative, se poate
scrie pentru randamentul cuantic extern:
2 1
2 1
1
ln
2
1
1
ln
2
1
R R L
R R L
g
i
i
p
e i
ex
+

(8.33)
Sau dac R R R
2 1
:
( ) R
i
i
ext
/ 1 ln
1

+
(8.34)
Dac I este curentul care trece prin dioda laser cnd se aplic tensiunea V
atunci, pentru puterea total disipat se poate scrie:
( )
S ext d
R I IV P +
2
1 . (8.35)
Puterea radiaiei laser emis n exterior, innd cont de curentul de prag
p
I
este:
( )V I I P
p ext ext
. (8.36)
Randamentul de conversie a energiei electrice n energie luminoas se poate
scrie ca:
(
(
,
\
,
,
(
j
+

q
IE
R I
P
IU
P
g
s
ext ext
p
2
(8.37)
valori tipice fiind n intervalul h
p
20% 50%.
Dependena puterii radiaiei laser, P
ext
de intensitatea curentului I care trece
prin dioda laser se numete caracteristica watt-amper. Panta caracteristicii se
numete eficien watt-amper diferenial.
dI
dP
ext
WA
(8.38)
Astfel c pentru puterea radiaiei laser emis n exterior avem:
( )
P WA ext
I I P (8.39)
Principalele fenomene fizice care pot determina forma neliniar a caracteristicii
watt-amper sunt:
a) nclzirea regiunii active;
b) absorbie multifotonic;
c) neomogeniti speciale;
d) creterea eficienei pompajului datorit diminurii lungimii de difuzie a
purttorilor de sarcin;
e) autofocalizarea n spaiul canalelor de generare a radiaiei laser este
cauzat de creterea indicelui de refracie n aceste regiuni.
Distribuia spaial a fascicolului de radiaie
Radiaia generat, este ghidat de-a lungul regiunii active i iese n exterior
printr-o deschidere, cu lrgimea comparabil cu grosimea regiunii active i
lungimea egal cu limea regiunii active. Deoarece lungimea de und a radiaiei
emise, este comparabil cu grosimea ghidului de und, au loc fenomene de
difracie. Unghiul de divergen msurat la distana unde intensitatea radiaiei
emise scade la jumtate fa de valoarea maxim se poate evalua din relaia:
d
(8.40)
unde este lungimea de und iar d este grosimea regiunii active. n diodele din
Ga As pentru m 84 , 0 , la temperatura 77 K, m d 5 , 1 , avem
0
30 .
n planul regiunii active, unghiul de divergen va fi:
w
(8.41)
unde w este lrgimea regiunii active. Deoarece valori tipice ale lui w sunt de
aproximativ 100 mm rezult ca unghiul de divergen n planul regiunii active
va fi
0
5 , 0 .
Divergena fasciculului emis de ctre dioda laser este asimetric, cu semiunghiuri
de emisie (unghiuri de divergen) ntre
0
5 i
0
10 i respectiv
0
10

i
0
20 (n planuri
paralele i respectiv perpendiculare cu planul jonciunii). Un astfel de profil de
emisie este reprezentat n figura 8.6 pentru un laser cu GaAs. Este figurat poriunea
din fascicul care poate fi colimat cu o lentil convex cu deschidere 1 / f .
Dioda laser 135 135 135 135 135
Poriunile majoritare ale fasci-
culului laser se gsesc de regul n
interiorul unei elipse cu seciu-
nea cuprins de la 12 / 6 / f f
pn la 6 / 8 , 1 / f f . Folosind
optica cilindric (lentile cilin-
drice sau combinaii de prisme)
se obine un fascicul laser circu-
lar, altfel se pot folosi lentile sfe-
rice care pot cupla peste 50% din
puterea emis de diod n fibrele
optice unimod i aproape 100%
n fibrele optice unimodale.
Constante de timp
caracteristice
La aplicarea unui impuls de
curent unei diode apar dou
efecte, mai nti are loc o ntr-
ziere
i
, pn la apariia radiaiei
laser i apoi o cretere a intensi-
tii radiaiei emise ntr-un interval de timp
c
pn la valoarea maxim din
impuls a radiaiei emise.
Pentru laserii cu semiconductori se mai definete constanta de timp
L
, numit
constant de timp a rezonatorului optic:
L
constanta de timp a rezonatorului optic:
( )
p
s
L
g
c n /
p
g este valoarea de prag a ctigului iar c n
s
este inversul vitezei luminii n
semiconductorul cu indice de refracie
s
n .
Timpul de ntrziere
i
depinde de valoarea n impuls a curentului de prag I
p
i de valoare de vrf a curentului de impuls I, conform relaiei:
I
I
p
r i
1
1
ln (8.42)
r
fiind timpul de via determinat de procesele de recombinare radiant.
Pentru timpul de cretere
c
se obine o relaie de forma:
I
I
p
L
c
(8.43)
Fig. 8.6 Profilul fasciculului de radiaie emis
de dioda laser
sau
I
I
p
r i
c

2
1
(8.44)
Timpul de cretere n dioda laser scade odat cu creterea intensitii curentului
de excitaie.
8.5 Tipuri de diode laser
n funcie de natura cristalului semiconductor i de structura jonciunii n p
exist o larg varietate de diode laser. Istoric diodele laser au evoluat din punct
de vedere structural, de la diodele cu jonciune omogen n p , din GaAs, la
diodele cu heterojonciune As Ga Al GaAs
x x 1
/ , n care, prin introducerea n
jonciune, n jurul regiunii active din GaAs, a unor straturi subiri, depuse epitaxial
din As Ga Al
x x 1
s-au mbuntit performanele acestor diode ca putere de
radiaie, randament, frecven de modulaie, durat de via.
Din punct de vedere constructiv, dioda laser obinuit, cu contacte metalice
depuse de-o parte i de alta a jonciunii n p perpendicular pe pereii laterali
semireflectorizani ai cavitii rezonante, ca n figura 8.1, a devenit deja clasic.
Aceast geometrie era adecvat pentru diodele laser cu jonciune omogen care
nu puteau funciona la temperatura camerei ( C
0
25 ), dect n impulsuri de curent
mare, de ordinul zecilor de amperi, de durate mici, i cu frecvene de repetiie
de ordinul kilohertzilor.
n prezent se folosesc diodele
laser cu heterojonciune, mai ales
n comunicaiile prin fibre optice,
cu o geometrie diferit, geometria
de band (stripe geometry) adec-
vat att structurii lor fizice, ct i
cuplrii optime cu fibra. Ele sunt
caracterizate prin faptul c regiu-
nea activ n care se concentreaz
radiaia coerent este limitat
lateral, privind din direcia contac-
tului electric al diodei, la o band
ngust, lat de numai cteva zeci
de micrometri, aa cum se poate
vedea n figura 8.7 n care este
prezentat structura diodei laser cu
dubl heterojonciune i geometrie
de band.
Prin geometria de band se reduce curentul de prag, se reduc i se controleaz
modurile de oscilaie din cavitatea oscilant i se obine o rezisten termic
sczut. n acelai timp, seciunea fasciculului de radiaie la ieirea din regiunea
Fig. 8.7 Structura diodei laser cu dubl
heterojonciunei geometrie de band
Tipuri de diode laser 137 137 137 137 137
activ devine mai puin asimetric, fa de cea a diodelor laser obinuite, lucru
care favorizeaz cuplarea a ct mai mult radiaie n fibra optic cu seciunea
circular. n figura 8.8 sunt prezentate cteva soluii constructive ale diodelor
laser cu heterojonciune i geometrie de band.
Dioda laser din figura 8.8 a) este
o diod laser cu band metalic, la
care anodul diodei laser este o lamel
metalic pus n contact cu stratul
subire
+
p al diodei, n rest fiind izo-
lat din punct de vedere electric de
acest strat prin intermediul unei peli-
cule subiri din bioxid de siliciu. n
cazul diodei laser din figura 8.8 b)
regiunea activ se izoleaz cu excepia
unei poriuni centrale de lime re-
dus (circa m 10 ), de anodul diodei,
printr-un bombardament cu un fas-
cicul focalizat de protoni de energie
nalt; aceasta modific structura cris-
talin a stratului subire AlGaAs tip
+
p formnd regiuni izolate electric de-o
parte i de alta a benzii de contact.
Structura de band n regiunea
activ se poate realiza printr-o difuzie
selectiv cu zinc (acceptor) sau sulf
(donor) n ultimul strat subire al
jonciunii, ca n figura 8.8c), obinn-
du-se astfel o diod laser cu band
planar difuzat. n figura 8.8 d) se
prezint o seciune printr-o diod
laser cu band ngropat n jonciune,
care poate fi considerat o variant a
diodelor laser cu band difuzat pla-
nar, numai c n acest caz, prin difuzie
selectiv de zinc n profunzimea
cristalului semiconductor, jonciunea
n p a diodei este ncadrat de-o parte
i de alta de straturi
+
p care mpiedic
pierderile de purttori, reduc curentul de prag i sporesc randamentul cuantic al
diodei. Ultimul tip de diod laser cu heterojonciune este dioda laser cu geometrie
de band MESA, realizat prin creterea epitaxial a tuturor straturilor subiri ale
jonciunii, pe substratul din GaAs, n form de band, mai ngust dect substratul
semiconductor.
Fig. 8.8 Exemple de structuri de diode laser
cu heterojonciune i geometrie
de band
e)
a)
b) c)
d)
138 138 138 138 138 Capitolul 9 Fibra optic
Un tip mai nou de structur cu dubl heterojonciune l constituie dioda laser
cu dubla heterojonciune multipl ( Multiple Quantum Well MQW), n care
regiunea activ este realizat prin depuneri de straturi foarte subiri (circa 10
nm) de GaAs intercalate de straturi la fel de subiri din As Ga Al
x x 1
. ntr-o astfel
de diod laser cu 6 straturi active emisive din GaAs, separate ntre ele prin 5
straturi subiri din As Ga Al
x x 1
, se propag numai modul fundamental, modurile
superioare nefiind declanate datorit amplificrii lor reduse i atenurii lor
rapide n structurile din As Ga Al
x x 1
.
n figura 8.9 este reprezentat
variaia indicelui de refracie n
regiunea activ cu straturi subiri
intercalate; 6 , 3
a
n este indicele de
refracie din GaAs iar 4 , 3
c b
n n
este valoarea indicelui de refrac-
ie n straturile subiri din AlGaAs
i n straturile adiacente, exte-
rioare regiunii active. Grosimea
celor 11 straturi subiri interca-
late este aceeai m n d d
b a
12 . Comportarea unei astfel de diode cu dubl hete-
rojonciune multipl este asemntoare cu cea a diodei cu dubl heterojonciune
obinuit. Ea are avantajul unei emisii laser unimod stabile i al unui fascicul
laser cu directivitate ridicat, adic cu un randament de cuplaj foarte bun.
Diodele laser sunt surse optice recomandate n comunicaiile prin fibre optice
deoarece au urmtoarele proprieti:
lungime de und de emisie optim, adaptat domeniului spectral n care

atenuarea i dispersia de material n fibra optic sunt minime;
band spectral de emisie ngust i ca urmare dispersie redus a impul-

surilor n fibra optic, datorit ntrzierii de grup reduse;
randament mare de cuplaj n fibra optic, datorat unei divergene reduse a

fasciculului emis de diod (sub 10
0
);
posibilitate de modulaie cu purttoare continu sau n impulsuri, de ordinul

a 1 GHz sau 2 Gbit/s;
randament electric ridicat (circa 20%); cureni de prag n diod de ordinul

sutelor de miliamperi (n cazul diodelor laser cu dubl heterojonciune i
geometrie de band).
Ca deficiene trebuie notat preul de cost destul de ridicat, fa de cel al
diodelor electroluminescente, din cauza unei tehnologii pretenioase, precum i
durata de funcionare, de circa 10 000 ore mai mic dect cea a LED-urilor.
Fig. 8.9 Structura diodei laser cu dubl
heterojonciune MQW
Introducere 139 139 139 139 139
Capitolul 9 Fibr Fibr Fibr Fibr Fibra optic a optic a optic a optic a optic
9.1 Introducere
Fibra optic este un mediul transparent la radiaia luminoas format dintr-un
miez dielectric (sticl, plastic) cu indicele de refracie n
1
nconjurat de un nveli
cu indice de refracie n
2
mai mic, adic
2 1
n n > .
Principala aplicaie a fibrelor optice este n domeniul comunicaiilor i se bazeaz
pe fenomenul de reflexie intern. Primele fibre optice au fost folosite n tehnica
laserilor, n anul 1961, erau confecionate din sticl dopat cu neodim i se prezentau
sub form de bare cilindrice cu diametrul de 20100 m i cu lungimea de numai
1m. Ele aveau o structur omogen i se foloseau pentru transmisia radiaiei emis
de un laser cu mediu activ solid. Utilizarea fibrelor optice ca mediu de transmisie
pe purttoare laser a fost propus n anul 1966, de ctre Kao i Hockham, dar
atenuarea radiaiei n fibr era nc extrem de mare, de circa 1000 dB/km, ceea ce
fcea nepractic folosirea lor. Realizarea experimental n 1970, de ctre firma
Corning Glass, a unei fibre optice cu atenuare specific de numai 20 dB/km a
deschis cale spre gsirea de noi materiale din care prin tehnologii specifice fibrele
s poat fi utilizate n telecomunicaii i alte domenii.
Materialul dielectric utilizat pentru obinerea fibrelor optice trebuie s
rspund urmtoarelor cerine generale:
s aib transparen ct mai bun la lungimea de und a semnalului luminos

folosit;
s posede stabilitate chimic ct mai bun n timp;
s fie uor prelucrabil n toate fazele procesului tehnologic.

Materialele cu cea mai larg utilizare se pot grupa n trei categorii:
bioxid de siliciu pur i amestecuri ale acestuia cu ali oxizi n cantiti mici,
numii dopani;
sticle multicompozite;
materiale plastice.
Realizarea de detectori i surse de lumin performante i ieftine a fcut posibil
dezvoltarea de aplicaii multiple.
Dintre avantajele utilizrii fibrelor optice enumerm:
asigur o capacitate de transfer de informaii mare, n sistemele de comuni-

caii, datorit utilizrii frecvenelor din domeniul optic;
fibrele optice sunt imune la interferene electromagnetice;
sunt mai uor de instalat i ntreinut;
pot fi folosite n medii lichide, gazoase;
mai mici ca dimensiuni i mai uoare dect cablurile din Cu;
prezint o bun securitate a informaiei;
au timp de exploatare mai mare dect cablurile electrice;
costurile de instalare ale unui sistem cu fibr optic sunt mai mari, dar se
reduc n timp semnificativ.
Structurile care reflect raza de lumin pot fi:
structuri paralelipipedice i se numesc ghizi de und;
structuri cilindrice i le numim fibre optice.

Fie o fibr optic i n
1
indicele de refracie a miezului, n
2
indicele de refracie
a nveliului i n
0
indicele de refracie a mediului din care intr n fibr, radiaia,
figura 9.1 a,b).
Fig. 9.1 a) Seciune n fibra optic; b) fibra optic curbat
Aplicnd legea refraciei la interfaa dintre mediile cu n
0
i n
1
avem:
1 1 0 0
sin n sin n (9.1)
La interfaa dintre mediile cu n
1
i n
2
trebuie s avem reflexie total ceea ce
impune pentru unghiul de inciden relaia:
2
sin n sin n
2 c 1
(9.2)
C
se numete unghi limit. Condiia necesar pentru ca raza de lumin s se
propage n interiorul fibrei optice este ca, la interfaa dintre miez i nveli raza
de lumin s fie incident sub un unghi mai mare dect unghiul limit
1
2
C
n
n
sin arc .
Clasificarea fibrelor optice 141 141 141 141 141
Mrimea
1 1 0 0
sin n sin n AN se numete apertur numeric a fibrei.
Exprimat n funcie de indicii n
1
i n
2
ea are expresia:
2
1
2
1
n
n
1 n AN
(
(
,
\
,
,
(
j
(9.3)
relaia fiind valabil pentru curburi mici ale fibrei.
Apertura numeric depinde de raza de curbur a fibrei optice i de diametrul
fibrei optice a, figura 9.1 b). Se arat c exist relaia:
2
2
1
sin
2
a
R
2
a
R
1 n AN
(
(
(
(
,
\
,
,
,
,
(
j
+
(9.4)
Apertura numeric scade odat cu mrirea razei de curbur. Punnd condiia
ca apertura numeric s fie egal cu zero obinem raza de curbur minim:
2 1
2 1
min
n n
n n
2
a
R
+
. (9.5)
Conul de acceptare este regiunea din spaiu n care, dac intr n fibr, raza
de lumin este reflectat n interiorul fibrei, astfel c ntre unghiul de acceptare
i apertura numeric avem relaia:
cos n AN
0
(9.6)
Se definete diferena normat a indicilor de refracie ca fiind:
( )( )
1
2 1
2
1
2 1 2 1
2
1
2
2
2
1
n
n n
n 2
n n n n
n 2
n n
(9.7)
deoarece valorile lui n
1
i n
2
difer foarte puin n valoare absolut ( 1 << ). Ca
urmare pentru apertura numeric mai putem scrie:
2 n AN
1
(9.8)
Apertura numeric este o caracteristic a fibrei optice, n funcie de care se
pot evalua calitile acesteia, mai ales modul de transmitere a radiaiei luminoase.
9.2 Clasificarea fibrelor optice
Fibrele optice pot fi clasificate dup numrul modurilor care se propag prin
fibr n dou categorii, fibre unimod i multimod. mprirea n aceste categorii
este legat de diametrul miezului, valoarea acestuia fiind comparabil cu lungi-
mea de und a radiaiei incidente. Fibrele unimod nu se pot cupla dect cu surse
de radiaie laser coerent.
Fibrele optice multimod, au diametrul miezului mult mai mare dect lungimea
de und a radiaiei incidente, ele vor permite deci tolerane mari n dimensiunile
lor, ale elementelor de cuplare cu sursa i chiar ale surselor de radiaie. Fibrele
optice multimod, permit utilizarea unor surse de radiaie incoerente, ieftine i
sigure n exploatare (LED-uri) ceea ce uureaz problemele de manipulare i
mbinare. Au ns dezavantajul creterii duratei impulsurilor optice care se
propag prin ele, cretere datorat fenomenului de dispersie a impulsului de
radiaie multimod n interiorul fibrei. Acest dezavantaj poate fi ns nlturat
printr-o structur adecvat a fibrei optice, n special printr-o distribuie cores-
punztoare a indicelui de refracie al miezului fibrei.
n funcie de distribuia radial a indicelui de refracie, fibrele se mpart n
fibre optice cu discontinuitate, FOD, i fibre optice cu variaie continu, gradat,
a indicelui de refracie n seciunea miezului, i cu valoare constant a acestui
indice n nveli, pe care le vom numi fibre optice gradate, FOG. Variaia profilului
indicelui de refracie poate fi scris:
<
a r ; n
a r ; n
) r ( n
2
1
(9.9)
n figura 9.2 este prezentat variaia profilului indicelui de refracie pentru
fibra optic discontinu, precum i modul de propagare a radiaiei multimod i
unimod.
Fig. 9.2 Fibra optic discontinu: a) multimod; b) unimod.
Pentru fibra optic gradat variaia profilului indicelui de refracie este dat
de o relaie de forma:
Bazele teoretice ale propagrii radiaiei prin fibra optic 143 143 143 143 143
( )

]
]
]
]
,
,
,
(
,
\
,
(
j

a r n n n r n
a r
a
r
n r n
2 1
2
1
1
2
1
1
) 1 ( 2 1 ) (
0 2 1 ) (
(9.10)
Fig. 9.3 Fibra optic gradat, propagarea multimod.
Pentru 2 se obine un profil aproape pa-
rabolic, aa numita fibr SELFOC, cu proprie-
tatea c pierderile prin fibra cu un astfel de
profil sunt minime.
n funcie de parametrul , putem da variaia
indicelui de refracie, figura 9.4, astfel pentru
1 , avem un profil triunghiular, pentru 2
cel parabolic iar pentru profilul FOD.
9.3 Bazele teoretice ale propagrii radiaiei
prin fibra optic
Fibra optic este un ghid de und dielectric care lucreaz la frecvene optice.
De obicei, ghidul de und are form cilindric, el direcioneaz energia electro-
magnetic sub form de lumin n interiorul suprafeelor sale i transmite lumina
pe o direcie paralel cu axa sa. Transmisia luminii prin ghidul de und optic
este determinat de caracteristicile de structur i au o influen mare asupra
propagrii semnalului optic.
Propagarea luminii de-a lungul ghidului de und poate fi descris de un set
de unde electromagnetice ghidate numite moduri ale ghizilor de und.
Fiecare mod ghidat reprezint o form a liniilor cmpului electric i magnetic
care se repet de-a lungul fibrei la intervale egale cu lungimea de und. De-a
lungul fibrei numai un anumit numr de moduri se pot propaga. Aceste moduri
sunt cele care satisfac ecuaia undei n fibr i condiiile de margine la suprafeele
ghidului de und. Soluia exact a ecuaiilor lui Maxwell pentru miezul cilindric
omogen al dielectricului ghidului de und include calcule multe i se obine un
Fig. 9.4 Reprezentarea general
a indicelui de refracie
rezultat complex. Componentele intensitii de cmp electric i magnetic ale
modurilor de propagare sunt soluii ale ecuaiei scalare a undei.
0
2
2
2
2
2
2
2
0
2
+
+

z y x
(9.11)
unde reprezint oricare din componentele
z y x z y x
H H H E E E , , , , , .
n coordonate cilindrice ecuaia undei pe direcia de propagare, z, este:
( ) 0
1 1
2 2
2
2
2
2
2 2
2
+
z z
z z z
z r r r r

(9.12)
n care
z
este componenta pe axa Oz a constantei de propagare 2 k .
innd cont de relaiile, c 2 i
2 2 2
1 c n v , relaia 9.12 devine:
( ) 0 n k
z r
1
r r
1
r
z
2 2 2
2
z
2
2
z
2
2
z
2
z
2
+

+

+

(9.13)
unde trebuie s se in seama c ) (r n n adic avem variaia indicelui de refracie
n funcie de distana r, fa de axa fibrei.
Pentru rezolvare, se caut o soluie de forma funciilor armonice n t i z
( ) ( )
( ) z t j
z
e r

2 1
(9.14)
separnd variabilele , r rezult o variaie
l j
e pentru ) (
z
i urmtoarea ecuaie
diferenial pentru ) (
1
r
0
1
1
2
2
2 2 2 1
2
1
2
]
]
]
,
,
+ +

r
l
n k
dr
d
r dr
d
(9.15)
l fiind numrul de mod i care poate fi rezolvat cnd inem cont de condiiile la
limit specifice unei anumite structuri radiale a fibrei optice.
9.3.1 Moduri de propagare pentru fibra optic discontinu
Pentru fibra optic discontinu,
1
) ( n r n , relaia (9.15) devine:
0
1
1
2
2
2 2
0
1
2
1
2
]
]
]
,
,
+ +

r
l
k
dr
d
r dr
d
(9.16)
unde
1 0
2 n k . Condiiile la limit impun o soluie finit pe ax ( 0 r ) i o
soluie nul atunci cnd r .
Relaia (9.16) este ecuaia diferenial a lui Bessel n care nlocuind
1
prin E
z
i H
z
se obin urmtoarele soluii:
n interiorul miezului a r , componentele axiale ale cmpului electric i

magnetic sunt reprezentate, n acest caz, prin funcii Bessel de ordinul l:
l j
l z
l j
l z
e
a
r
u BJ H
e
a
r
u AJ E
(
,
\
,
(
j
(
,
\
,
(
j
(9.17)
unde ) (
2 2
1
2 2
k a u ,
2
1
2 2
1
n k k , iar A i B sunt constante.
n nveli, a r , funciile Bessel sunt nlocuite cu funcii Hankel modificate,

de ordinul l, prima spe:
l j
l z
l j
l z
e
a
r
w DK H
e
a
r
w CK E
(
,
\
,
(
j
(
,
\
,
(
j
) 1 (
) 1 (
(9.18)
unde a este raza seciunii circulare a fibrei,
) (
2 2
2
2 2
k a w , (9.19)
2
2
2 2
2
n k k , (9.20)
iar C i D sunt constante.
Se observ c suma:
( )
2
2
2
1
2 2 2
2
n n
a
u w v (
,
\
,
(
j
+
(9.21)
reprezint constanta de structur a ghidului. Ea are aceeai valoare pentru
toate modurile i delimiteaz numrul modurilor de propagare n fibr. Din
relaiile (9.17), (9.18) se pot trage cteva concluzii. Dac
(
,
\
,
(
j
a
r
w ,
a
r
w
l
e
a
r
w K

(
,
\
,
(
j ) 1 (
, ceea ce nseamn c dac ( ) 0 , > w r constanta de propa-
gare
2
k . Egalitatea ( ) 0
2
w k reprezint limita de propagare a modului
n nveli la care se produce blocarea propagrii modului n miezul fibrei.
Valoarea constantei de structur, v, n momentul blocrii unui mod, ( ) 0 w
este din acest motiv caracteristic fiecrui mod n fibr; ea este numit constant
critic de structur,
c
v . n fibr se vor propaga numai acele moduri a cror
constant critic de structur, numit i frecven unghiular normat de
blocare, este mai mic dect constanta de structur a fibrei, v. n interiorul
miezului, u trebuie s fie real i deci
1
k . Din ultimile dou inegaliti se
gsete domeniul de variaie a constantei de propagare:
1 2
k k (9.22)
Soluia exact a lui se poate gsi deci din condiia de continuitate a
componentelor cmpului electric i magnetic, n miez i nveli, la limita de
separare a r . Din aceast condiie, dup o serie de calcule destul de laborioase,
se obine ecuaia proprie a constantei de propagare :
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
]
]
]
,
,
+
]
]
]
,
,
+
]
]
]
,
,
+
2 2
2 2 2
' 2
2
' 2
1
' '
1 1
w u
a l
u uK
u K k
u uJ
u J k
u uK
u K
u uJ
u J
l
l
l
l
l
l
l
l
(9.23)
Valorile proprii u i w pot fi determinate deci din condiia la limit aplicat
relaiilor (9.18),(9.22). Pentru 0 l , vectorii cmp electric i magnetic din inte-
riorul miezului se reduc la moduri transversal electrice, ) 0 (
z
H TE i transversal
magnetice, ) 0 (
z
E TM , radial simetrice, exact ca n cazul unui cilindru conductor
electric. Din cauza naturii oscilante a funciei Bessel, (
,
\
,
(
j
a
r
u J
l
, vor exista n acest
caz m rdcini ale ecuaiilor (9.18) care satisfac condiia
2
k
lm
. Aceste moduri
corespund unei distribuii uniforme a razelor de lumin incidente n fibr sub
acelai unghi fa de normal. Pentru 0 l , modurile nu mai sunt transversal
electrice sau magnetice ci devin hibride, coninnd ambele componente ale
cmpului, de forma HE
lm
sau EH
lm
, dup cum predomin caracterul magnetic,
sau cel electric.
Constanta de structur, v, determin numrul modurilor de propagare n
fibra optic. Pentru 4048 , 2
c
v v la care se produce blocarea modului TE
01
,
exist un singur mod de propagare, HE
11
, cu dou polarizri posibile, celelalte
moduri anulndu-se la valori mai mari ale lui v. Se pot alege dimensiunile
miezului n aa fel nct prin fibr s se propage un singur mod, HE
11
, ceea ce
nseamn c avem de-a face cu o fibr unimod. Fiecare dintre modurile ce apar
pe rnd prin creterea lui v, inclusiv modul fundamental HE
11
sunt dublu
degenerate. Degenerarea se explic prin aceea c n ghidurile de und cu seciune
circular toate orientrile cmpului sunt simetrice, permind existena a dou
moduri cu acelai , ortogonale ntre ele.
Propagarea unimod se realizeaz practic proiectnd miezul astfel nct
diametrul acestuia s fie egal cu cteva lungimi de und, iar diferena normat,
s fie foarte mic ( ) 1 << . Deoarece
1
2 an
v se observ c diametrul
miezului i diferena normat , pot fi variate separat ntr-un domeniu destul de larg,
cu condiia ca 4048 , 2 > v . Pe msur ce constanta de structur v, crete, se mrete
i numrul de moduri permise n fibr. Acest numr poate fi aproximat cu relaia:
( )
2 2
1
2
1
2
2
a k kan
v
M . (9.24)
Descrierea propagrii modurilor ntr-un ghid de und cilindric, cu disconti-
nuitate a indicelui de refracie, poate fi fcut cu ajutorul ecuaiilor lui Maxwell
numai rezolvnd un sistem destul de complicat de ecuaii transcendente. Dac
ns se consider ipoteza simplificatoare, foarte apropiat de realitate, c miezul
este extrem de subire fa de nveli iar diferena dintre indicii de refracie foarte
mic, majoritatea modurilor vor fi suprimate, cele rmase propagndu-se cu
pierderi. Aceast ipotez, a fibrelor optice cu gradient sczut, duce la rezultatul c
soluiile ecuaiilor lui Maxwell vor fi mult mai simple, c ele vor fi valabile pentru
toate lungimile de und, cu o precizie dat de ordinul de mrime al diferenei .
9.3.2 Moduri de propagare pentru fibra optic gradat
Studierea propagrii luminii n fibrele optice gradate (FOG) a cptat
importan prin extinderea folosirii acestui tip de fibr n comunicaii. Fibrele
optice gradate se pot folosi mpreun cu surse incoerente de radiaie i permit
viteze crescute de transmisie n impulsuri datorit unei dispersii reduse, n
comparaie cu fibrele optice cu discontinuitate (FOD). Analiza propagrii ntr-o
fibr optic gradat se poate face folosind metodele opticii geometrice, ecuaiile
lui Maxwell sau aproximaia WKBJ.
Dac indicele se modific puin pe o distan de ordinul lungimii se poate
aplica metoda de aproximaie WKBJ (Wentzel, Kramers, Brillouin, Jeffreys), care
d pentru ecuaia (9.13) o soluie de unde plane superpuse:
( )
( )
]
]
]
,
,
(
,
\
,
(
j
+ + ...
1
exp
1 0 0 0 1
S
k
S jk e r
r jkS
(9.25)
dar pentru c indicele se modific puin cu r, S(r) este practic egal cu S
0
. Intro-
ducnd o astfel de soluie n (9.13) se poate calcula parametrul S
0
:
( ) dr
r
v
r n k kS
r
r
2
1
2
2
2 2 2
0
2
1
]
]
]
,
,
(9.26)
n miezul fibrei avem propagare de moduri, moduri legate, doar dac S
0
este
real. Pentru aceasta partea de sub radical in relaia (9.26) trebuie s fie mai
mare dect zero i aceasta se ntmpl pentru dou valori r
1
i r
2
aa cum se
specific n limitele de integrare. De notat ns c aceste dou valori sunt funcii
de v i modurile ghidate vor exista doar n domeniul dat de ele. Drumul urmat
de razele de lumin avnd ca extreme cele dou valori r
1
i r
2
determin dou
suprafee cilindrice coaxiale numite suprafee caustice ce au ca raze interioare
i exterioare r
1
i r
2
. Valorile r
1
i r
2
pentru care integrandul este zero se numesc
puncte de ntoarcere.
Pentru a avea un mod legat de propagare n FOG, fiecare und asociat razelor
congruente corespunztor acelui mod, trebuie s interfere constructiv cu ea nsi
astfel nct s formeze unde staionare pe direcia de propagare radial transver-
sal. Acest lucru impune ca faza funciei lui S
0
ntre r
1
i r
2
s fie un multiplu de
astfel c:
( )

]
]
]
,
,

2
1
2
1
2
2
2 2 2
r
r
m dr
r
v
r n k (9.27),
unde ,... 1 , 0 m este numrul radial de mod ce indic numrul de semi-perioade
ntre cele dou puncte de ntoarcere iar r
1
i r
2
sunt valorile lui r pentru care:
( ) 0
2
2
2 2 2

r
v
r n k . (9.28)
Numrul total de moduri legate ) ( m poate fi gsit nsumnd relaia (9.27)
pentru toate valorile de la 0 la
max
v unde
max
v este cea mai mare valoare a unui
mod legat pentru o valoare dat a lui . Dac
max
v este un numr mare, suma
poate fi nlocuit cu o integral i avem:
]
]
]
,
,

max 2
1
0
) (
) (
2
1
2
2
2 2 2
) (
4
) (
v v r
v r
dv dr
r
v
r n k m
. (9.29)
Factorul 4 apare datorit faptului c fiecare pereche ) , ( v m desemneaz un
grup degenerat de patru moduri cu polarizare sau orientare diferit. Dac schim-
bm ordinea de integrare, limita inferioar a lui r trebuie s fie 0
1
r pentru a
putea numra toate modurile, iar limita superioar a lui v este gsit din condiia:
( ) 0
2
2
max 2 2 2

r
v
r n k . (9.30)
Astfel c:
]
]
]
,
,

2 max
0 0
2
1
2
2
2 2 2
) (
4
) (
r v
dr dv
r
v
r n k m
. (9.31)
Evalund integrala n raport cu v unde
max
v este dat de relaia (9.30) obinem:
[ ]

2
0
2 2 2
) ( ) (
r
rdr r n k m (9.32)
Pentru a evalua expresia s considerm profilul indicelui de refracie dat de
relaia (9.10). Limita superioar de integrare r
2
este determinat din condiia ca:
) (r kn
care combinat cu relaia (9.10) d:
1
2
1
2
2
2
1
2
1
]
]
]
]
,
,
,
(
(
,
\
,
,
(
j
n k
a r (9.33)
astfel c numrul de moduri este:
) 2 (
2
1
2
2 2
1
2
2
1
2 2
2 2
) (
+
(
(
,
\
,
,
(
j
+

n k
n k
n k a m
(9.34)
Toate modurile legate n fibr trebuie s aib
2
kn . Dac nu este ndeplinit
aceast condiie, modul nu se mai propag n totalitate n miez i apar pierderi
de putere a radiaiei n nveliul fibrei. Numrul maxim de moduri legate M se
gsete innd cont c:
) 1 (
1 2
kn kn
astfel c:
+

2
1
2 2
2
2
) ( n k a kn m M
. (9.35)
Cu relaia (9.35) se pot deci calcula numrul total de moduri legate pentru o
fibra optic gradat avnd profilul indicelui de refracie dat de relaia (9.10).
n tabelul 9.1 sunt date corespondenele dintre modurile liniar polarizate LP
n fibr i cele tradiionale.
Nume mod LP Nume mod Grad degenerare
LP
01
HE
11
2
LP
11
HE
21
, TE
01
, TM
01
4
LP
21
HE
31
, EH
11
4
LP
02
HE
12
2
LP
31
HE
41
, EH
21
4
LP
12
HE
22
, TE
02
, TM
02
4
LP
lm
HE
2m
, TE
0m
, TM
0m
4
LP
lm
(l 0 sau 1) HE
l+1,m
, EH
l-1,m
. 4
n cazul general avem:
1. fiecare mod LP
0m
deriv dintr-un mod HE
2m
;
2. fiecare mod LP
1m
deriv din modurile TE
0m
, TM
0m
i HE
2m
;
3. fiecare mod LP
lm
( 2 l ) deriv dintr-un mod HE
l+1,m
i HE
l1,m
.
9.3.3 Dispersia radiaiei n fibra optic
Factorul care limiteaz frecvena superioar a benzii de trecere a unei fibre
optice este distorsiunea semnalului, fenomen ce se manifest n momentul
propagrii impulsurilor de radiaie prin fibr. Aceast distorsiune, numit de obicei
distorsiune de ntrziere sau de durat, se manifest mai ales prin creterea duratei
impulsurilor ce se propag prin fibr; ea este rezultatul fenomenului de dispersie a
radiaiei n fibra optic, fenomen datorat unor cauze multiple ca, de exemplu,
variaia indicelui de refracie al materialului din care este confecionat fibra, cu
lungimea de und a radiaiei incidente, imperfeciunile structurale i mecanice n
interiorul fibrei, ca i discontinuitile create de tensiunile mecanice ce pot aprea
n timpul cablrii, sau de variaii de temperatur ale fibrei. Aceste efecte mecanice,
termice sau de alt natur duc la mixri de moduri, schimburi de radiaie intre
acestea i implicit, la pierderi de radiaie care pe lng creterea total a atenurii,
produc o dispersie temporal, nu ntotdeauna liniar dependent de lungimea fibrei.
Dispersia n fibr are trei componente principale: dispersia ghidului de und,
dispersia material i dispersia modal. Primele dou componente ale dispersiei
totale sunt caracteristice oricrui mod de propagare, dispersia ghidului de und
se datoreaz interdependenei dintre lungimea de und i constanta de structur
modal,
v
, iar dispersia material este rezultatul dependenei indicelui de
refracie al fibrei de lungimea de und a radiaiei incidente. Ele se pot grupa
intr-un singur termen, numit dispersie intramodal.
Dispersia intramodal este dispersia ce se produce n interiorul fiecrui mod
de propagare i reprezint o msur a lrgirii duratei impulsului optic n interiorul
fiecrui mod. Pe lng cele dou pri, dispersia ghidului de und i dispersia
material, mai apare un termen hibrid,ca urmare a imposibilitii practice de
separare total a primelor dou cauze de dispersie intramodal.
Dispersia modal sau intermodal, se datoreaz diferenei dintre vitezele de
grup ale diverselor grupuri, ea reprezint diferena dintre duratele de propagare
ale diverselor moduri prin fibr. Vitezele de grup diferite duc la o mprtiere a
timpilor de grup i implicit, la lrgirea impulsului de radiaie ce se propag prin
fibra optic multimod.
9.4 Tehnologia fibrelor optice
Procedeele de fabricare a fibrelor optice din sticl se bazeaz pe tehnologii de
fabricaie a sticlei optice, n majoritatea lor, folosesc metoda creuzetului dublu.
Dac ns la fabricarea fibrelor se utilizeaz sticla de silic SiO
2
, care are un
punct de topire mult mai ridicat, dect sticlele de amestec, se folosesc tehnici de
depuneri chimice, prin oxidare din stare de vapori, tehnici bine cunoscute n
tehnologia diodei laser i a altor dispozitive semiconductoare.
Metoda creuzetului dublu
Pentru a obine o fibr optic cu indici de refracie diferii n miez i nveli,
prin metoda creuzetului dublu, ca materiale de baz se folosesc dou sortimente
de sticl de amestec cu indici de refracie diferii. Sticla cu indice de refracie
mai mare va forma miezul fibrei, iar cealalt va forma nveliul. Printr-un procedeu
de schimburi ionice se pot obine variaii mici, continue, ale indicelui de refracie
n sticl. Se aleg de regul schimbtori de ioni monovaleni, deoarece numai
acetia difuzeaz suficient de rapid n sticl.
Tehnologia fibrelor optice 151 151 151 151 151
n metoda creuzetului dublu, materialele
componente ale sticlei, oxizi de bariu, plumb i
carbonai, se depun ntr-un creuzet de platin pur
i se topesc la temperaturi C 1500 C 1200
0 0
ntr-un cuptor electric cu pat de siliciu. n procesul

de topire, carbonaii alcalini se descompun n
diveri produi formnd prin reacie tipul dorit
de sticl; prin topitur se trece, n acest timp, un
gaz purificat pentru a crete omogenitatea
acesteia. Se iau msuri totodat s se elimine
bulele de gaz care rezult prin descompunerea
carbonailor. n urmtoarea etap a procesului,
topitura este meninut la o temperatur cons-
tant C 800
o
trgndu-se din ea, cu o vitez de circa 10 cm/minut, o bar de sticl,
cu seciune circular i diametrul de circa 5 cm, printr-un procedeu de rotire. Se
obine o preform ce poate fi depozitat n scopul n scopul folosirii, ntr-o etap
ulterioar, la tragerea fibrei optice. Sticla este tras n fibr optic cu ajutorul unui
creuzet dublu, figura 9.5.
Bara din care se va trage miezul fibrei se introduce n creuzetul interior iar
cealalt, din care se va trage nveliul, n creuzetul exterior. Pentru a preveni
apariia bulelor n incluziuni topirea trebuie s fie lent la o temperatur suficient
de ridicat. Sticla de amestec devine fluid la circa C 800
o
, schimbul ionic ntre
miez i nveli are loc ntr-o regiune ngust, ntre cele dou creuzete, n care
viteza de curgere este foarte redus. Timpul de difuzie i temperatura determin
distribuia radial a ionilor de
+
Na i
+
K i deci profilul radial al indicelui de
refracie n fibra optic FOG, profil care poate fi controlat ntre anumite limite.
nainte ca fibra s ajung pe tamburul pe care se nfoar, ea trece printr-un
vas coninnd un material plastic de acoperire, de regul un polimer i apoi
printr-un cuptor electric tubular n care acesta polimerizeaz. Un dispozitiv de
micromsurare n bucl de reacie asigur un control permanent, de precizie, al
diametrului fibrei i regleaz viteza de nfurare a tamburului i temperatura
creuzetelor. Metoda poate fi folosit att pentru producerea fibrelor FOD, ct i
a celor de tip FOG. Dei prin acest procedeu de fabricare preul de cost este
sczut, pretndu-se la o producie de mas, trebuie notat dezavantajul n ceea
ce privete dificultatea controlului profilului indicelui de refracie, dependent de
viteza de tragere, cu implicaii asupra benzii de trecere. Un alt dezavantaj ar fi
acela c exist posibilitatea apariiei impuritilor provenite att din materialele
de amestec, ct i din compoziia creuzetului.
Este o metod prin care se pot trage continuu fibre optice de lungimi orict
de mari.
Fig. 9.5 Creuzetul dublu
Depuneri chimice din stare de vapori
Depunerea chimic din stare de vapori a fost una din primele metode de
producere a fibrelor optice cu atenuare redus, fiind n prezent metoda care permite
obinerea fibrelor cu atenuarea specific minim i banda de trecere cea mai ridicat,
fiind utilizat pentru prima dat n 1970 de firma Corning Glass cea care a produs
primele fibre cu atenuarea specific de 20 dB/km. Procesul cuprindea trei etape.
n prima etap, se introduc, n stare gazoas, SiCl
4
i GeCl
4
, care reacioneaz cu
oxigenul, la temperatur ridicat, in interiorul unui tub din silic pur:
2 2 2 4
Cl 2 SiO O SiCl + +
2 2 2 4
Cl 2 GeO O GeCl + + .
Oxizii produi prin aceste
reacii se depun pe supra-
faa interioar a tubului de
silic, care va deveni n
final nveliul fibrei optice.
Coninutul de GeCl
4
din
amestecul gazos trebuie
crescut treptat dac se
dorete o cretere cores-
punztoare a indicelui de
refracie n miez. n acest
caz, zona de depunere prin reacie chimic din stare de vapori, n care temperatura
nalt C 1600 C 1400
0 0
se obine prin nclzire local cu un arztor
hidrogen-oxigen, este limitat a dimensiunile flcrii. Pelicula de silic, produs
n aceast zon se depune pe pereii tubului, formnd un strat de acoperire.
Obinerea uniform a unui astfel de strat devine posibil prin rotirea tubului n
timpul depunerii. n figura 9.6 este prezentat depunerea sticlei optice n interiorul
unui tub de silic prin oxidare intern n stare de vapori.
Metoda a fost ulterior extins i prin alte procedee.
9.5 Cuplaje, mbinri, cabluri optice
Prin fibrele optice exist trei tipuri de cuplaje prin care pot aprea atenuri
suplimentare ale radiaiei: cuplajul de intrare dintre sursa de radiaie (o diod
laser sau un LED) i cablul optic, cuplaje intermediare ntre diverse segmente
de cablu optic numite de regul mbinri i cuplajul de ieire, dintre cablul
optic i fotodetectorul receptor. Dac P
1
este puterea radiaiei la intarea n cuplaj,
iar P
2
puterea radiaiei luminoase la ieirea din cuplaj, relaia general care
descrie procesul de atenuare este:
) dB (
P
P
log 10
2
1
(9.36)
Fig. 9.6 Depunerea sticlei optice prin oxidare intern
n stare de vapori.
Cuplaje, mbinri, cabluri optice 153 153 153 153 153
Atenuarea total a radiaiei n canalul optic de comunicaii se va calcula atunci
cu relaia general:
C E I F
N L + + + (9.37)
unde L este lungimea fibrei, n km,
F
este atenuarea specific a fibrei optice n
dB/km, iar N i
C
sunt numrul de cuplaje intermediare i respectiv atenuarea
medie n aceste cuplaje.
a) atenuri n cuplajul de intrare
Exist cinci componente principale ale atenuarii unei radiaii incidente n
cuplajul de intrare n fibra optic. Ele sunt reprezentate n figura 9.7.
Fig. 9.7 Principalele componente ale atenurii radiaiei n cuplajul de intrare n cablul optic.
Radiaia neinterceptat reprezint poriunea din puterea sursei care nu ajunge
la captul mnunchiului de fibre optice care constituie cablul optic. O parte din
puterea care ajunge n cablu cade pe suprafaa inactiv a fibrelor, fiind pierdut.
Aceasta corespunde unei atenuri numite atenuare prin fraciunea de mpache-
tare. Puterea care ajunge n miezul fibr este supus unei atenuri suplimentare
datorit unghiului de acceptare limitat al fibrei optice, adic datorit aperturii
numerice a acesteia. Dar o parte din radiaia, acceptat teoretic n fibr se pierde
prin reflexii Fresnel la suprafaa de separaie miez/aer (mediul ambiant). Mai
exist apoi nc nite factori care introduc atenuri suplimentare, de valoare
mic, care afecteaz randamentul cuplajului, ca de exemplu lustruirea imperfect
sau ruperea unor capete ale fibrei.
b) atenuarea radiaiei n cuplajul de ieire; fiecare dintre componentele atenurii
radiaiei n cuplajul de ieire din cablul optic este asemntoare cu cele de la
intrare;
c) atenuarea radiaiei n cuplajul de ieire; mbinrile dintre diversele segmente
de cablu optic trebuie s asigure pierderi reduse de radiaie, s fie uor de
realizat, s fie stabile n timp, rezistente la ocuri, fore de apsare i torsionare.
n acelai timp i cuplajele de intrare i de ieire trebuie s satisfac aceleai
condiii. Exist surse de atenuri care se pot grupa n trei categorii:
atenuri datorate neconcordanei dintre parametrii fizico-geometrici ai

fibrelor cuplate;
atenuri datorate pierderilor de radiaie prin reflexie i difuzie;
atenuri datorate unor mbinri mecanice defectuoase care introduc nealinieri.

Printre cele mai importante cerine pretinse cablurilor optice se enumer;
o proiectare corespunztoare pentru minimizarea pierderilor optice introduse

de ocurile mecanice;
rezisten mare la ntindere;
stabilitate termic n gama temperaturilor de lucru;
rezisten la ptrunderea vaporilor de ap;
flexibilitate de ncovoiere la rece;
rezisten la ageni chimici i casare;
uurin de interconectare i instalare;
pre sczut i ntreinere ieftin.

9.6 Senzori cu fibre optice
Ca urmare a cerinei de mbuntire a vitezei n industria comunicaiilor, n
ultimele decenii, fibra optica a fost foarte mult folosit ca senzor. Senzorii cu
fibr au avantaje ca: greutate mic, dimensiune redus, putere consumat redus,
imunitate la cmpurile elctromagnetice exterioare, ieftine. Senzorii cu fibr optic
sunt folosii n aeronautic, industria militar, industrie, medicin i construcii.
Tehnologiile noi de obinere a fibrei optice, care au dus la creterea vitezei de
comunicare, n combinaie cu preul sczut al componentelor optoelectronice,
au fcut ca proiectarea senzorilor cu fibr optic s i fac utili n multe aplicatii.
Senzori cu fibr optic pot fi clasificai n dou categorii: senzori cu fibr
optic n care are loc atenuarea radiaiei luminoase i senzori cu fibr optic
interferometrici.
La senzorii cu fibr optic cu intensitate atenuat, influena mediului
nconjurtor (ca fluctuaiile de temperatur i vibraiile acustice) schimb
caracteristicile optice ale fibrei, unda de lumin care trece prin fibr este atenuat.
ntr-un senzor cu fibr optic interferometric, caracteristicile radiaiei optice
ce se propag de-a lungul fibrei sunt modulate de perturbaiile de mediu. De
exemplu, faza luminii modulate este detectat interferometric prin comparaie
cu faza celei iniiale.
Prin utilizarea fibrelor optice s-au dezvoltat dispozitive de msurare a diferiilor
parametrii fizici, ca de exemplu temperatura i presiunea.
Se va considera n continuare, fibra ca senzor, cazul n care ea nu este un
simplu ghid de lumin.
n figura 9.8 este prezentat schema de principiu pentru un senzor cu fibre ce
folosete fenomenul de interferen.
Fasciculul laser este divizat n dou de o lam G semireflectant. O parte din
fascicul intr n fibra de referin F
1
i alta n fibra F
2
, supus aciunii de msurare
Senzori cu fibre optice 155 155 155 155 155
(de ex. o presiune). Cele dou fibre
ajung la obiectivul O
3
. n planul focal
al acestuia se observ franjele de
interferen provenite de la cele dou
fascicule coerente.
Dac cele dou extremiti ale fibre-
lor F
1
i F
2
sunt n planul figurii, fran-
jele rectilinii, paralele i echidistante
vor fi perpendiculare pe planul figurii.
O aciune exterioar asupra lui F
2
produce un defazaj al luminii ce trece
prin aceast fibr i o deplasare a
franjelor pe o direcie perpendicular
pe ele. Prin msurarea acestei depla-
sri se poate deduce mrimea forei
ce acioneaz asupra fibrei F
2
. Se consider ca plan de observaie planul focal al
obiectivului O
3
. Extremitile fibrelor F
1
i F
2
sunt mici i se comport ca dou
surse punctuale coerente. n aceste condiii franjele de interferen nu sunt
localizate i pot fi observate n afara planului focal al obiectivului.
n acest tip de interferometru fibra semnal i fibra de referin sunt separate
ceea ce face ca interferometrul s fie sensibil la cauze externe.
ntr-o alt configuraie cele dou fibre sunt nlocuite cu una monomod n care
cele dou moduri
x
HE
11
i HE
y
11
se propag cu aceeai vitez dac fibra este perfect.
n cazul n care se aplic o tensiune exterioar, datorat de exemplu unei
variaii de temperatur, constantele de propagare a celor dou moduri nu mai
sunt aceleai i apare o diferen de faz. Acesta este chiar principiul interferenei
n lumin polarizat. Diferena de faz se poate msura prin metode clasice.
Exemplele ce urmeaz se bazeaz pe metodele interferometrice pentru a
detecta modificrile fibrelor sub aciunea la care ele sunt supuse.
Adesea fibrele utilizate ca senzori sunt destinate telecomunicaiilor optice.
Senzorii interferometrici cu fibre se bazeaz pe schimbarea lungimii optice a
fibrelor sub aciunea parametrilor fizici de msurat. Exist de asemenea senzori
n care parametrii fizici afecteaz parametrii optici ai miezului sau ai nveliului,
ca de exemplu absorbia sau difuzia.
n acest caz msurtorile pot fi efectuate prin retrodifuzie utiliznd o lungime
mai mare de fibre. Fibrele cu miez lichid pot fi utile cci lichidele sunt foarte
sensibile variaiilor de temperatur i de presiune,
De exemplu, dac crete temperatura, indicele de refracie a miezului lichid
scade i la o anumit temperatur indicele miezului i nveliului devin egale i
lumina nu se mai propag.
Un senzor poate funciona i datorit schimbrilor indicelui de refracie a
miezului relativ la nveli pentru a detecta variaiile de temperatur. Aceste
schimbri acioneaz asupra semnalului luminos la ieirea din fibr.
Fig. 9.8 Schema de principiu al unui senzor
cu fibr
Pentru a detecta cmpurile magnetice prin efect Faraday, fibrele trebuie s aib
birefringena liniar mic pentru a msura rotaiile mici. Astfel de fibre au fost
realizate prin torsiune pentru a putea fi interschimbate periodic, cea ordinar i
cea extraordinar de birefringen. O torsiune mare permite eliminarea birefrin-
genei liniare, limitat de rezistena fibrei. Sunt utilizate de asemenea fibre cu
constant Verdet mare, sau fibre ce posed birefringen circular natural mare.
Fibrele cu birefringen mare pot transmite lumina polarizat liniar datorit
birefringenei proprii care poate apare prin curbur sau prin torsiune. Totodat
ele se comport i ca polarizori, una din cele dou componente ale luminii naturale
sufer pierderi mai mari dect cealalt n timpul propagrii n fibr.
Interesante ca senzori sunt fibrele cu dou miezuri separate. Semnalul de
msurat se propag, ntr-una din ele, cel de referin, n cealalt. Dac cele dou
miezuri sunt suficient de separate, semnalele acioneaz independent.
Senzor de polarizare utiliznd o fibr unimod
Fascicolul laser polarizat de P intr
n fibr prin intermediul obiectivului
O
1
. Fibra este nfurat pe un cilindru
gol al crui diametru se poate modifica
sub aciunea unei cauze exterioare ce
trebuie msurat, figura 9.9.
Schimbarea diametrului cilindrului
produce o tensiune n fibr ceea ce
modific birefringena. Iniial fibra are
o birefringen datorit faptului c
este nfurat pe cilindru. Axa
extraordinar este n planul fibrei (O
x
), cea ordinar n planul perpendicular
(O
y
). Lumina incident este polarizat la 45
o
iar schimbarea de birefringen
datorat aciunilor exterioare se detecteaz observnd interferena ntre cele
dou unde ce se propag pe cele dou axe de polarizare ale fibrei.
La ieirea din fibr lumina traverseaz o prism Wollaston care dedubleaz
fascicolul incident n dou fascicule polarizate la 45
0
fa de axele de polarizare
ale fibrei. Cele dou fascicule cad pe receptorii n cuadratur D
1
i D
2
.
n cazul n care fibra este supus unei variaii de temperatur, diferena de
faz este funcie de temperatur iar intensitile I
1
i I
2
primite de D
1
i D
2
sunt:
( )
]
]
]
,
2
t
cos I I
2
0 1
(9.38)
( )
]
]
]
,
2
t
sin I I
2
0 2
(9.39)
Semnalele electronice date de D
1
i D
2
sunt prelucrate pentru a rezulta
semnalul:
Fig. 9.9 Senzor cu fibr unimod
2 cos
I I
I I
I
2 1
2 1
S

+
(9.40)
I
S
fiind independent de intensitatea incident.
Pornind de la principiul acesta s-a
proiectat un senzor de temperatur,
figura 9.10.
Fibra monomod este nfurat
pe un cilindru gol de Cu avnd dia-
metrul de 10-12 mm. Fibra este nf-
urat fr torsiune pentru a evita
apariia birefringenei circulare.
Variaia de temperatur este
produs de un fir parcurs de un
curent ce trece prin bobinele nfu-
rate la cele dou extremiti ale cilindrului. Fascicolul laser polarizat liniar este
trimis n fibr prin obiectivul O
1
. Fibra prezint doar birefringena prin arcuire.
Valoarea birefringenei n funcie de r, raza miezului fibrei i R raza exterioar a
cilindrului de Cu este:

(
,
\
,
(
j

(
,
\
,
(
j

R
r
10 9 . 4
R
r
10 3 . 1 k k
6
2
6
y x
(9.41)
Valorile constantelor corespund unei fibre cu siliciu la o lungime de und
nm 633 . Se arat c:
( ) T 1
R
R
T
+
(
,
\
,
(
j
(9.42)
admind c T T T
e i
iar
este coeficientul lui Poisson i coeficientul de

dilatare termic. Pentru un cilindru de cupru 3 , 0 i dac m r 105 2 i
mm R 12 se gsete:
m C / 3 , 54
o

sensibilitate bun chiar i pentru o fibr cu lungime scurt.
Msurarea lui se poate face clasic, analiznd unda eliptic ce iese din
fibr cu o lam 4 i un polarizator P
2
.
Msurarea temperaturilor cu interferometru cu dou unde avnd
o fibr monomod
Interferometrul const dintr-o simpl fibr de 30 cm lungime. Feele a, b ale
acesteia, perpendiculare pe axa fibrei, constitue interferometrul, figura 9.11.
Fascicolul laser incident este reflectat de lama divizoare (LD) apoi de feele a, b
i ajunge pe receptor.
Fig. 9.10 Senzor de temperatur
Diferena de faz ntre fascicolele
reflectate pe a i b este:
+ nl
2
2
unde l este lungimea fibrei i n indi-
cele de refracie.
Polarizorul rotator PR permite
orientarea direciei undei incidente
fa de axele de birefringen ale
fibrei.
Variaia de temperatur afecteaz lungimea fibrei i indicele n. Deci:
]
]
]
,
,
+
dT
dn
n
1
dT
dl
l
1
nl
2
2
dT
d

(9.43)
iar pentru o fibr de Si:
) K ( 10 5 . 5
dT
dl
l
1
1 7
,
) K ( 10 74
dT
dn
n
1
1 7

O variaie de 1
o
pentru o lungime de l = 1 cm modific figura de interferen
cu o franj.
Msurarea presiunii cu fibr monomod
Principiul de msurare rmne acelai, dar n loc ca cilindrul s se dilate sub
aciunea temperaturii, el i modific diametrul sub aciunea presiunii.
Variaia relativ R R a razei de curbur a fibrei datorit variaiei diametrului
cilindrului Q este:
( )
( ) [ ]
P
R / Q 1
R / Q
E
1
2
R
R
2
2 2

(9.44)
unde este coeficientul lui Poisson, E modulul lui Young iar P presiunea.
Pentru un cilindru de Cu,
2 11
/ 10 2 , 1 m N E , 3 , 0 , mm Q 5 , mm R 6 ,
m r 105 2 , . m / atm / 4 . 8
lP
0

Senzor cu fibr multimod pentru msurarea presiunilor

Fascicolul de lumin divergent ce iese din fibr este reflectat de suprafaa A i
revine o parte n fibr. Proporia de lumin ce revine este determinat de distana
pn la suprafaa A. Dac aceasta este supus aciunii unei presiuni se pot msura
variaiile de presiune, figura 9.12.
Fig. 9.11 Senzor cu fibr unimod
Pentru compensarea derivei se utilizeaz montajul
din figura 9.13. Lumina emis de un LED este divizat
de ctre un cuplor. Pe una din ramuri (1) obiectivul
O
1
conduce lumina pe suprafaa A; pe cealalt (2)
fascicolul divergent devine unul paralel datorit
obiectivului O
2
. Pentru acest din urm fasciculul,
intensitatea luminoas ce revine n fibr este
independent de deplasarea suprafeei A, el este
folosit ca fascicul de referin.
Fig. 9.12 Senzor msurare
presiuni
Fig. 9. 13 Senzor msurare presiune cu compensarea derivei
Pentru a compensa problemele de deriv, sursa LED este modulat emind
impulsuri de 100 ns. O anumit lungime L a fibrei permite introducerea unei
ntrzieri convenabile ntre cele dou impulsuri ce revin n receptor. Unul se
folosete ca referin, cellalt pentru a msura deplasarea. Precizia de msurare
este de ordinul m 5 .
Senzor cu fibr multimod pentru msurarea indicelui de refracie
Senzorul const din dou fibre
multimod paralele A i B care au
o regiune comun n care a fost
ndeprtat nveliul. Miezurile
celor dou fibre sunt separate de
un interval mic C unde se pla-
seaz lichidul de studiat.
Fascicolul luminos intr n
fibra A i datorit cuplajului cu
fibra B n regiunea C, o parte m
din lumina incident intr n
fibra B. Dac I
0
este intensitatea
incident, I
1
i I
2
la ieirea din
fibre vom avea:
) m 1 ( I I
0 1
,
0 2
mI I
(9.44)
Fig. 9.14 Msurarea indicelui de refracie
de unde:
m
m
I
I
1
2
1
(9.44)
raport independent de intensitatea incident.
Etalonarea se face cu lichide de indici de refracie diferii.
Senzor cu fibr multimod pentru msurarea deformaiilor structurilor
mecanice
Acest senzor folosete schimbarea luminii transmise de o fibr multimod atunci
cnd ea este curbat, figura 9.15. Sistemul const dintr-o bar metalic rigid
A
1
C
1
care n regiunea B
1
are un profil variabil. Piesa flexibil A
2
C
2
este plasat
sub cea rigid, ea avnd un profil variabil n regiunea B
2
. Cele dou profile B
1
i
B
2
sunt complementare.
Barele A
1
C
1
i A
2
C
2
sunt legate mpreun ansamblul fiind plasat pe structura
metalic M a crui deformaie se studiaz. O fibr multimod ab, trece ntre
barele A
1
C
1
, A
2
C
2
. Dac structura metalic M se deformeaz fibra se curbeaz n
regiunea B
1
B
2
aprnd o pierdere de lumin n fibra optic. Senzorul este calibrat
studiind deformaii cunoscute.
Se poate msura direct atenuarea luminii transmise prin fibr optic sau se
pot face msurri prin retrodifuzie (ca n figura 9.16).
Fig. 9.15 Msurarea deformaiilor Fig. 9.16 Msurarea prin retrodifuzie
Capitolul 10 Comunicaii prin Comunicaii prin Comunicaii prin Comunicaii prin Comunicaii prin
fibr fibr fibr fibr fibre optic e optic e optic e optic e optice ee ee
10.1 Introducere
Odat cu apariia laserului n 1960, a crescut i interesul de a transmite infor-
maii la frecvene din domeniul optic i aceasta deoarece s-au creat surse de
lumin, optice, cu un grad de coeren foarte mare.
Deoarece frecvenele optice sunt de ordinul Hz 10 5
14
laserii depesc cam
de 5 ori capacitatea de a transmite informaii, fa de cea a sistemelor ce utilizeaz
microundele. Fibra optic a fost la nceput utilizat cu foarte mare reticen, dar
dup 1966 cnd Keo i Hockmann au gsit modalitatea de a reduce pierderile i
atenurile prin fibr, aceasta a devenit principalul mediu de a transmite
informaie.
n prezent atenuarea printr-o fibr prin care trece o radiaie de lungime de
und m 55 , 1 , s-a redus la km / dB 16 , 0 , ceea ce este foarte aproape de limita
de atenuare teoretic i anume km / dB 14 , 0 . S-a trecut astfel de la viteze de
transmisie a informaiei din domeniul s / Mbit 600 400 pn la aproximativ
s / bit G 4 .
Studiul fibrelor optice a dus la concluzia c, n comunicaiile prin fibre optice,
pot fi proiectate sisteme bidirecionale, n care semnalele se propag pe o singur
fibr n ambele direcii simultan, fiind important de asemenea distribuirea
informaiei prin fibre optice la mai multe terminale. Arhitecturile de reele, cu
terminale multiple, au o foarte mare importan practic, dintre acestea structura
de reea cu acoperire local, RAL (local-area-network LAN) fiind cea mai
rspndit prin aceea c realizeaz interconectarea intrrilor i ieirilor a multiple
aparate ntr-un domeniul spaial limitat. Un birou dintr-o reea LAN, include
monitoare video i staii de lucru. De la fiecare terminal se pot accesa o multitudine
de echipamente i servicii, faciliti pentru teleconferine video, calculatoarele
putnd fi de asemenea legate ntr-o reea LAN. ntr-o reea LAN cu fibr optic,
fibra este cea care transmite informaia ntre terminalele conectate. Principalele
avantaje n raport cu cablurile metalice sunt: greutate mic, creterea securitii
n transmisia de date, dimensiuni mult reduse i lrgime de band mrit.
162 162 162 162 162 Capitolul 10 Comunicaii prin fibre optice
n acest capitol vom arta configuraii de sisteme i componentele necesare
pentru distribuia i controlul informaiei pe cabluri cu fibr optic nu nainte de
a descrie componentele necesare pentru a realiza reelele cu fibr optic.
10.2 Cuplorul direcional
10.2.1 Caracteristicile cuplorului direcional
Cuplorul direcional este piesa de baz pentru orice reea cu fibr optic. n
figura 10.1 se prezint un cuplor direcional cu patru pori urmnd ca mai jos s
descriem cuplorii cu mai multe porturi.
Direciile fluxului de putere permise
sunt indicate n figura 10.1 prin sensul
sgeilor. Pentru a descrie caracteristicile
cuplorului vom presupune c
1
P este
puterea ce intr pe portul 1 al cuplorului.
Aceasta se va mpri ntre porturile 2 i
3 n conformitate cu factorul de despicare
dorit. Teoretic, portul 4 este complet izolat
i nu va ajunge la el nici un flux de putere. S presupunem c fluxul de putere
emergent din portul 2,
2
P este egal sau mai mare dect cel din portul 3,
3
P .
Pentru pierderile n cuplor definim urmtoarele caracteristici (se va utiliza notaia
corespunztoare din limba englez):
1. Pierderile prin strpungere (Throughput loss,
THP
L ):
1
2
THP
P
P
log 10 L
(10.1)
i nseamn cantitatea pierderilor prin transmisie la trecerea ntre portul de intrare
i portul ales, n acest caz portul 2.
2. Pierderi prin ramificaie, (Tap loss,
TAP
L ):
1
3
TAP
P
P
log 10 L
(10.2)
adic pierderile de putere ntre portul de intrare i cel din ramificaie, aici portul 3.
3. Direcionalitatea (Directionality,
D
L )
1
4
D
P
P
log 10 L
(10.3)
i specific pierderile dintre portul de intrare i cel pe care dorim s-l izolm,
portul 4 n acest caz.
Fig. 10.1 Cuplor direcional cu 4 porturi
1
4
2
3
Cuplorul direcional 163 163 163 163 163
4. Pierderile prin supradimensionare (Excess loss,
E
L ):
1
3 2
E
P
P P
log 10 L
+

(10.4)
i apare datorit puterii pierdute n interiorul cuplorului. Aici sunt incluse pier-
derile datorate radiaiei absorbite i mprtiate dar i cuplrii cu portul izolat.
Un cuplor ideal este cel pentru care
D
L , adic fluxul de putere nu ajunge
la portul 4, astfel c puterea emergent se mparte ntre porturile 2 i 3, iar
pierderile prin supradimensionare devin nule (
1 3 2
P P P + ). Valori uzuale pentru
un cuplor direcional bun sunt sub 1dB pentru pierderile prin supradimensionare
i mai mari de dB 40 pentru direcionalitate.
Raportul de divizare (despicare), (splitting ratio) este
3 2
P P , adic raportul
puterilor la ieirea celor dou porturi,
2
P i
3
P . Adesea cuplorii sunt caracterizai
prin pierderile prin ramificaie, de exemplu, un cuplor de dB 10 nseamn c are
pierderile prin ramificaie de dB 10 . Valori tipice pentru cuplori sunt date n
tabelul 10.1.
Tabelul 10.1 Caracteristicile cuplorilor direcionali cu 4 porturi
Cuplor
TAP
L (dB)
THP
L (dB)
3 2
P P
3 dB 3 3 1:1
6 dB 6 1.25 3:1
10 dB 10 0.46 9:1
12 dB 12 0.28 15:1
Pentru cuplorul fr pierderi,
3 1 2
P P P , astfel c relaia (10.1) poate fi
scris ca:
( )
10 L
THP
TAP
10 1 log 10 L

(10.5)
prin aceasta rezultnd legtura dintre pierderile prin ramificaie i cele prin
strpungere.
Att pentru pierderile prin strpungere ct i pentru cele prin ramificaie, la
valorile teoretice trebuiesc adugate valorile pierderilor prin supradimensionare,
astfel c valorile practice pentru un cuplor direcional cu un anumit raport de
divizare, sunt mai apropiate de:
E THP THP
L L L + (10.6a)
E TAP TAP
L L L + (10.6b)
De fapt pierderile teoretice sunt crescute datorit pierderilor prin supradimensio-
nare. Deoarece pierderile din relaiile (10.6) sunt de fapt pierderile ce apar la intro-
ducerea cuplorului n sistem ele se numesc pierderi prin inserie (insertion losses).
Aa cum se vede din figura 10.1 cuplorul este unul bidirecional. Oricare din
cele patru porturi poate fi intrare fiind posibil oricare din combinaii. Cuplorii
direcionali sunt construii simetric astfel c avem aproape aceleai valori pentru
pierderi indiferent care din porturi este ales pentru intrare.
10.2.2 Tipuri de cuplori direcionali
Vom descrie cteva tipuri de cuploare direcionale, fiecare avnd modaliti
diferite pentru a realiza transmiterea de lumin.
Cuplorul direcional din figura 10.2 const din dou fibre biconice sudate,
pentru a avea pierderi mici ntr-un domeniu larg cuplaj.
Fig.10.2 Cuplor direcional realizat prin sudarea a dou fibre tronconice
Dou fibre monomod sau multimod, sunt rsucite una mprejurul celeilalte i
tensionate. Se nclzete jonciunea, nmuind fibrele pn cnd se unesc miezurile
lor. Se trag fibrele, astfel c rezult forma biconic, la fiecare din cele patru porturi.
n cazul fibrelor multimod, cuplajul apare deoarece modurile de ordin mai mare,
nu mai ajung la interfaa miez-nveli, dincolo de unghiul critic n regiunea biconic.
Aa cum se observ din figura 10.2, aceste moduri sunt direcionate, datorit
reflexiei totale la suprafaa exterioar a nveliului. Ele au fost convertite n moduri
ce se propag n nveli. Razele ce provin de la modurile de ordin mai mic, nu vor
se vor propaga, n apropierea unghiului critic i nu pot fi convertite prea uor.
Puterea undei asociat cu aceste moduri rmne n fibra n care a intrat iniial.
Deoarece ghizii de und sudai, au acelai nveli, puterea ce se asociaz cu
modurile de ordin mare, la intrare, este acum comun ambelor fibre.
Fibrele biconice de la ieire convertesc modurile ce se propag prin nveli,
napoi n unde ghidate, n miezul fibrei. Raportul de despicare depinde de
lungimea poriunii biconice i de grosimea nveliului. n cazul propagrii
monomod, funcionarea cuplorului se bazeaz pe schimbul de energie ntre undele
evanescente (undele ce se propaga n nveli) ce se suprapun n cele dou fibre.
Forma biconic, aduce cele dou miezuri mai aproape unul de altul, dar de
asemenea micoreaz diametrul miezului fibrei, ceea ce are ca efect scderea
frecvenei normalizate (parametrul V). Se tie c prin scderea lui V crete
dimensiunea petei, modului.
Creterea mrimii petei de lumin i scderea miezului la limita de separare,
ntrete cmpurile evanescente ce se suprapun, mbuntind astfel cuplajul.
Un alt cuplor direcional monomod, se obine prin lustruirea pe o mic poriune
a miezurilor celor dou fibre i apoi lipirea suprafeelor lustruite. Miezurile trebuie
s aib o poriune comun de civa microni, pentru un cuplaj bun. i n acest
cuplor direcional, un rol important l au undele evanescente. Deoarece cele
dou cuploare direcionale sunt destul de importante, vom face cteva consideraii
teoretice, utiliznd schema din figura 10.1, unde presupunem c intrarea este la
portul 1, astfel c la portul 2 i 3 cuplajul este:
( ) L cos
P
P
2
1
2

(10.7a.)
( ) L sin
P
P
2
1
3

(10.7b)
unde este coeficientul de cuplaj (exprimat n m / rad ) ntre cei doi ghizi de
und, iar L este lungimea fibrei pe care are loc interaciunea. S-a presupus c, nu
exist pierderi de putere la cuplaj. n practic aceasta nu trebuie s depeasc
cteva zecimi de dB.
Fig. 10.3 Puterea la ieirea din cuplor
n funcie de lungimea
de interaciune
Fig. 10.4 Cuplor direcional cu jonciunea
deplasat
Se observ c, toat puterea se va transmite corpului 3, dac lungimea de
interaciune este:

2
L
C (10.8)
iar
C
L se numete lungime de cuplaj. n figura 10.3 este prezentat graficul puterii
la ieirea din cuplaj n funcie de lungimea de interaciune. De notat, c se poate
P
3
/P
1
P
2
/P
1
0
0
0,5
1,0
L
c
2L
c
3L
c
P
U
T
E
R
E
A

L
A
I
E
S
I
R
E
A

D
I
N
C
U
P
L
A
J
LUNGIMEA DE INTERACTIUNE
1
2
3
4
GHID DE UNDA PLANAR
obine orice raport de cuplaj, prin alegerea adecvat a lungimii de cuplaj, i de
asemenea c, pe msur ce lungimea de interaciune crete, valorile de cuplaj
se repet.
O alt variant de cuplaj este cea din figura 10.4 n care avem un cuplor cu
patru pori. Avnd intrarea pe portul 1, portul favorizat la ieire (n figur
portul 2) colecteaz o cantitate de energie proporional cu deviaia transversal
a celor dou fibre. O anumit parte din lumina incident este direcionat pe
portul 3, de-a lungul unui ghid de und curbat, realizat din plastic. Ghidul de
und (n general din plastic) precum i racordurile cu fibrele, care asigur o
poziionare precis a acestora, se pot realiza prin tehnica fotolitografic n
filme subiri.
Pentru sistemele optice convenionale, poate fi utilizat ca i cuplor direcional
simplu, divizorul de fascicol (beam splitter).
O plac divizoare de fascicul, ca cea din figura 10.5 a) se realizeaz printr-o
depunere (fie dielectric, fie metalic) de strat subire parial reflectant, pe un
substrat transparent. Grosimea i compoziia stratului depus va determina
raportul de despicare. Ca i ntr-o lam plan paralel, fascicolul (2) este deplasat
lateral fa de cel incident (1).
Pentru a nltura acest lucru se utilizeaz un divizor de fascicul cubic, aa
cum se arat n figura 10.5 b). Cubul const din dou prisme separate printr-o
depunere parial reflectant.
Fig. 10.5 Cuplori direcionali cu divizori de fascicol
Divizorul de fascicul, el nsui, nu poate fi folosit cnd se dorete a se diviza
puterea undelor, de-a lungul fibrelor. Spaiul ocupat de divizor este echivalentul
unui gol, ceea ce produce mari pierderi n cuplajul fibrelor, deoarece razele
divergente emise de la portul de intrare, nu vor fi recepionate n totalitate.
Problema se rezolv prin focalizarea razelor incidente pe divizor i apoi
refocalizarea luminii divizate pe fibrele receptoare.
1
2
3
4
1
2
3
4
(a) PLAN
(b) CUB
n figura 10.6 este prezentat un
cuplor direcional de tipul divizor de
fascicul ce utilizeaz patru lentile GRIN
pentru colimare i refocalizare. O lentil
GRIN este o poriune de fibr optic, ce
are miezul un dielectric a crui indice
de refracie descrete continuu cu
distana fa de axa fibrei. Cubul divizor,
aliniaz porturile 1 i 2 (respectiv 3 i
4). Cuplorul din figura 10.6 poate fi
utilizat i dac lentilele GRIN se nlo-
cuiesc cu lentile sferice convenionale.
n figura 10.7 este prezentat o alt
variant de cuplor direcional cu divi-
zare de fascicul. Cuplorul este realizat
din dou lentile GRIN sfert
de und separate de un strat
parial reflectant. Fibrele de
conexiune sunt aezat de-
plasat fa de axele lenti-
lelor. S considerm intra-
rea n portul 1. Combinaia
de lentile va dirija lumina
spre portul 2. Lumina re-
flectat de ctre stratul par-
ial reflectant va ajunge la portul 3 iar pe portul 4 nu avem deloc transmisie
de lumin.
Cuplorii cu divizare de fascicul sunt dispozitive cu divizare de amplitudine.
Ele distribuie lumina prin mprirea amplitudinii undei incidente, pe poriunile
dorite.
Exist i cuplori direc-
ionali cu divizarea frontu-
lui de und, prin mpri-
rea frontului de und n
pri diferite i direciona-
rea undelor separate spre
porturile dorite. n figura
10.8 este prezentat un cu-
plor direcional ce funcio-
neaz pe acest principiu.
Lumina ce iese din por-
tul 1, cade pe cele dou oglinzi M
1
i M
2,
jumtatea superioar este dirijat
spre portul 2 de ctre suprafaa concav M
1
iar jumtatea inferioar este dirijat
Fig. 10.7 Cuplor direcional utiliznd lentile sfert de und
Fig.10.6 Cuplor direcional utiliznd
patru lentile GRIN
1 2
3
4
CUB DIVIZOR
FIBRA
LENTILA GRIN
COLIMATOR
Fig. 10.8 Cuplor direcional cu divizarea frontului de und
1
2
3
M
1
M
2
2f
AXA M
1
AXA M
2
spre portul 3 de ctre suprafaa reflectant concav M
2
. Aici raportul de divizare
este 1:1; prin alegerea diferit a mrimii reflectorilor se poate modifica acest
raport, evident reflectorul mai mare va intercepta mai mult din frontul de
und n detrimentul celuilalt. n figura 10.8 fibrele sunt plasate n apropierea
centrului de curbur i uor n afara axei fiecrui reflector. Pentru oglinzile
reflectante, se tie c distana focal f, este la jumtatea razei de curbur astfel
c fibrele se gsesc la distana 2f, de suprafaa oglinzilor. innd seama de
legile reflexiei pentru oglinzi, aceasta nseamn c mrirea este unitar. Raportul
imagine/obiect egal cu unitatea, ne asigur c nu vom avea o cretere a
fasciculului divergent, astfel c toat lumina ce iese din fibra 1 va fi recepionat
de celelalte dou. Dac intrarea luminii se face pe portul 2, vom avea ieire
doar pe portul 1, la fel o intrare
pe portul 3, va avea ieire doar
pe portul 1.
Cuplorul direcional din fi-
gura 10.8 are doar trei porturi
i sunt necesari n sisteme de
comunicaie tip duplex. Prin
conectarea a doi cuplori cu trei
porturi obinem aa cum este
prezentat n figura 10.9 un cu-
plor direcional cu patru porturi.
Cuplorii pot fi fabricai i n
optic integrat. n acest caz,
ghizii de und, sunt realizai n
sticla substrat prin tehnici de
schimb de ioni. Ghizii de und,
aa cum se arat n figura 10.10
sunt circulari, avnd deci forma
fibrei optice, dar i pentru c
simplific conexiunea acestora
cu restul sistemului cu fibr
optic.
Diametrul miezului i aper-
tura numeric sunt astfel calcu-
late nct, s se adapteze fibrelor
optice la care vor fi ataai
cuplorii direcionali integrai.
Diametrele uzuale sunt m 9 ,
m 50 sau m 5 , 62 pentru a aco-
peri domeniul de fibre optice
att monomod ct i multimod. Fig. 10.11 Cuplor 1x8 obinut prin cascadarea
cuplorilor 1x2
Fig. 10.10 Cuplor direcional n optic integrat
VEDERE
DE SUS
VEDERE IN
SECTIUNE
Fig. 10.9 Cuplor direcional cu patru porturi
1
2
3 4
Cuplajul, aa cum se observ i n figura 10.10 se formeaz datorit structurii n Y
a ghidului de und inclus n substrat.
Cuplorul unu-la-doi (1 x 2), este celula de baz pentru a construi blocuri cu
mai multe terminale, prin cascadare. n figura 10.11 se prezint un cuplor 1 x 8
ce se poate configura in cuploare 1 x 2 n structur arborescent.
Un cuplor direcional cu patru pori poate fi utilizat pentru a obine un cuplor
n T pentru o transmisie bidirecional de-a lungul unei magistrale de date de
transmitere a informaiilor prin fibra optic.
10.2.3 Cuplori n stea
Tehnica de producere a cuplorilor prin fuziunea miezului fibrelor avnd form
biconic poate fi utilizat pentru a produce cuplori cu fibre multimod avnd mai
mult dect patru porturi.
n figura 10.12 este prezentat un cuplor n stea prin transmisie 8x8 i un
cuplor n stea prin reflexie 1x8. Ca i n cazul cuplorului de baz, fibrele multimod
sunt sudate mpreun, n timp ce ele sunt sub tensiune mecanic.
Fig. 10.12 Cuplori n stea a) prin transmisie b) prin reflexie
1
2
3
4
5
6
7
8
1'
2'
3'
4'
5'
6'
7'
8'
1
2
3
4
5
6
7
8
(a)
(b)
n cazul cuplorului n stea prin
transmisie, puterea transmis pe
oricare din porturi ajunge la
ieire divizat n pri egale.
Teoretic, porturile de intrare, sau
cele de ieire, deci cele de pe
aceeai parte sunt izolate ntre
ele. n figura 10.13 este prezen-
tat modul n care cuplorul n stea
se interconecteaz cu terminalele.
n cazul cuplorului prin refle-
xie n stea, lumina de la oricare
din porturile de intrare, merge
la toate celelalte porturi. El
interconecteaz terminalele aa
cum se prezint n figura 10.13.
Fig. 10.13 Conexiunea cuplorului stea prin reflexie
CUPLOR IN
STEA PRIN
REFLEXIE
CU PATRU
PORTURI
T
CD
R
T
CD
R
T
CD
R
T
CD
R
RECEPTOR -R
TRANSMITATOR- T
CUPLOR DIRECTIONAL - CD
Deoarece prin fiecare fibr conectat n stea, trec att date transmise ct i recep-
ionate, este necesar un cuplor direcional pentru a separa cele dou semnale la
fiecare terminal.
Pentru sisteme cu fibr monomod, cuplajul n stea se realizeaz prin cascadarea
cuplorilor de tip 1x2, aa a fost prezentat n figura 10.11.
Pn acum au fost prezentai cuplorii n stea pasivi, ce au ca trsturi, siguran
i pre de cost mic n comparaie cu dispozitivele active. Cuplorii n stea activi,
sunt folositori atunci cnd se implementeaz reele LAN (Local Active Network),
schema de principiu fiind reprezentat n figura 10.14.
Fig. 10.14 Schema bloc a unui cuplor activ in stea
Cuplorul n stea activ, acioneaz ca un repetor, el primete semnal de la orice
transmitor, l convertete, din semnal optic n semnal electric, amplificnd
curentul ce rezult din conversie. Acest curent, atac o surs de lumin,
reproducnd semnalul optic. Sursa de lumin i mparte puterea n cantiti
egale pentru fiecare receptor. n figura 10.15 este prezentat una din metodele
de divizare a puterii luminoase. Sursa de lumin trimite raze ce intr n captul
cu fibre optice conice sudate. La ieire, pe fiecare din fibre vom avea repartizata
aceeai cantitate de lumin.
Cuplorul activ n stea, poate conine dispozitive pentru detectarea coliziunilor,
erorilor, ntre pachetele de date transmise simultan pe diferite terminale. Dac
apare un conflict, repetorul semnalizeaz staiei principale pentru a corecta acest
lucru. Datorit proprietii de a regenera semnale i de a detecta conflictele la
transmisia datelor, cuplorii n stea activi, devin foarte flexibili.
T
1
T
2
T
n
R
1
R
2
R
n
RECEPTORI OPTICI
SURSA
DE LUMINA
CUPLOR IN STEA ACTIV
ETAJ DE AMPLIFICARE
DETECTIE DE PRAG
DETECTIE ERORI
Comutatorii 171 171 171 171 171
10.3 Comutatorii
Comutatorii cu fibr optic au rolul de a direciona semnalele optice i se
utilizeaz la reele, echipamente de msur i n unele experimente. Vom descrie
dou dispozitive: un comutator cu dou poziii i un comutator de trecere (bypass)
pentru a ilustra cteva caracteristici ale
comutatorilor.
n figura 10.16 avem un comutator cu 2
poziii. Intrarea de la portul 1 poate fi
comutat fie spre portul 2, fie spre portul 3.
i pentru comutator se definesc relaii i
caracteristici asemntoare ce cele pentru cuplori. Se presupune c portul 2 este
cel utilizat la comutare.
Pierderea prin inserie (insertion loss)
IL
L , n decibeli este:
1
2
IL
P
P
log 10 L
(10.9)
unde
1
P este puterea ce intr pe portul 1, iar
2
P puterea ce emerge, din portul 2.
Pierderile prin inserie depind de alinierea fibrelor, exact ca i n cazul unui
conector simplu. n cazul comutatorilor, pierderile trebuie s fie mai mici de
dB 5 , 1 , iar acestea trebuie s fie aceleai pentru toate poziiile comutatorului.
Intermodulaia (crosstalk-CT) este o msur, a ct de bine este izolat portul
necuplat i este dat de:
1
3
CT
P
P
log 10 L
(10.10.)
unde
3
P este puterea ce emerge din portul 3.
Valori tipice pentru CT sunt ntre dB 60 40 i depind de proiectarea specific
a comutatorului.
Reproductibilitatea, (proprietatea comutatorului de a i menine pierderile
prin inserie indiferent de sensul de parcurgere a traiectoriei) este mult mai im-
portant dect nsi valoarea la care pierderea prin inserie se realizeaz. Un
comutator bun are ca valori reproductibile a pierderilor prin inserie pn la dB 1 , 0 .
Viteza de comutaie (ct de rapid este comutatorul cnd trece de pe o poziie
pe alta) este de asemenea un factor important n unele aplicaii. Comutarea
poate fi fcut electromecanic. n acest tip de dispozitiv, o bobin prin care trece
Fig. 10.15 Metod de retransmitere a luminii
IESIREA
FIBRELOR
SURSA DE
LUMINA
FIBRE SUDATE
Fig.10.16 Comutator cu 2 poziii
1
2
3
un curent electric atrage un magnet de care este ataat dispozitivul optic. n
acest mod pot fi deplasate oglinzi, lentile i prisme. Cnd prin bobin nu mai
trece curent, sistemul mecanic aduce dispozitivul optic n poziia iniial. Se
obin astfel timpi de comutare de
ordinul ctorva milisecunde.
Comutatorul din figura 10.17
const dintr-o prism glisant i
sistemul de lentile ataate fiecrei
fibre optice. n poziia artat lu-
mina trece de la portul 1 la portul
2. Lentilele GRIN se afl la interfaa
dintre fibr i prism. n interiorul
prismei lumina se reflect total
schimbndu-i direcia. Pentru a
direciona lumina de la portul 1 la
3 prisma este mutat pe direcia
artat n figur, pentru a alinia
fasciculele ntre fibrele 1 i 3.
Lentile colimatoare sunt necesare pentru a elimina pierderile de inserie, datorate
mprtierii fasciculului i pentru a ne asigura c toate razele cad pe prisma reflectant
sub un unghi mai mare dect unghiul critic, pentru a avea reflexie total. Prisma cu
unghi drept nu numai c reflect lumina dar i translateaz fasciculul paralel cu el
nsui, realiznd i alinierea fibrelor optice, de intrare i de ieire.
n figura 10.18 este prezentat funcionarea unui comutator de trecere (tip
bypass). n starea de trecere, sunt cuplate porturile 1 i 4, iar 2 i 3 sunt izolate.
n starea urmtoare, sunt conectate ntre ele porturile 1 i 2 i respectiv 3 i 4.
Fig. 10.18 Schema comutatorului de trecere
Comutatorul de trecere poate fi inclus ntr-o reea T pentru a transfera date, aa
cum este prezentat n figura 10.19.
Terminalul poate fi inclus sau scos din reea dup dorin, astfel c o staie,
care nici nu transmite, nici nu recepioneaz date, poate fi ocolit. n mod similar,
comutatorul de trecere poate fi folosit ntr-un nod al unei reele n inel. n locul
terminalului, n figura 10.19, se poate introduce un repetor pe magistrala de
date. Dac repetorul trebuie nlocuit, pentru c s-a stricat, atunci el poate fi
ocolit, fr a se perturba ntreaga reea, n aceast aplicaie comutatorul de
trecere, jucnd rolul unui element de siguran.
2 3
4 1
2 3
STAREA DE TRECERE STAREA DE COMUTARE
4 1
Fig. 10.17 Comutator cu dou poziii,
cu prism glisant
1
2
3
FIBRE
LENTILE
GRIN
PRISMA
GLISANTA
Comutatorii 173 173 173 173 173
Un al doilea repetor, de asemenea ataat la magistrala de date printr-un canal
de trecere, poate fi introdus n reea, pentru a prelua funciunile repertorului ce
s-a stricat. n aceast strategie, redundana, mbuntete sigurana reelei, dei,
n felul acesta crete complexitatea sistemului.
n figura 10.20 este prezentat un comutator de trecere, electromecanic. n
starea de trecere, lumina trece direct ntre porturile 1 i 4. n starea de comutare,
oglinzile de la capetele prii mobile a electromagnetului, redirecioneaz
fasciculul optic, ntre porturile 1 i 2, respectiv 3 i 4.
Fig. 10.19 Includerea comutatorului ntr-o reea de tip T
Fig. 10.20 Comutator electromecanic
Pentru a minimiza pierderile de inserie se introduc de asemenea lentile GRIN.
Cnd electromagnetul primete curent, bara de fier este atras n cmpul
magnetic, astfel c poziioneaz cele dou oglinzi de la capetele ei, pentru a
redireciona fluxul de lumin. La ntreruperea curentului, arcul elastic readuce
bara n poziia iniial, de trecere.
COMUTATOR DE TRECERE
CD
CD
R T
MAGISTRALA
FIBRE
MAGISTRALA
FIBRE
L
L
Fe
L L
1
2 3
4
Electromagnet
OFF
STAREA DE TRECERE
L
L Fe
L L
1
2 3
4
ON
STAREA DE COMUTARE
Electromagnet
Lentile GRIN
Lentile GRIN
10.4 Izolatorul cu fibr optic
Diodele laser sunt foarte sensibile la energia luminoas reflectat napoi, de
ctre restul sistemului. Lumina retro-reflectat mrete zgomotul n fasciculul
emis, degradnd performanele sistemului. Fotonii retro-mprtiai reintr n
cavitatea laser unde ei sunt amplificai i n mare, particip la efectul laser, n
competiie cu fotonii, deja prezeni n cavitate, din strile atomice excitate.
Deoarece fotonii retro-reflectai sunt n faz cu unda existent n cavitatea laser,
ei foreaz dioda s reporneasc o nou oscilaie. Noua oscilaie este n faz cu
fasciculul de lumin datorat fotonilor retro-mprtiai. Ca rezultat dioda laser
i schimb aleator, faza radiaiei la ieire, mrind nivelul de zgomot al sistemului.
Deranjamente importante apar la retro-reflexiile ce se produc foarte aproape
de transmitor. Cele care se produc mai departe de acesta sunt atenuate de
fibr i de conectori (sau de orice alt component), devenind neglijabile cnd
ajung la dioda laser. Aceasta nseamn c trebuiesc avute n vedere modaliti
de micorare a luminii retro-reflectate n apropierea transmitorului.
Reflexiile nedorite pot fi minimizate n foarte multe feluri n practic.
Componentele, fibra sau orice lentil n sistem, pot avea straturi antireflectante
pentru a reduce amplitudinea undei retro-reflectate.
Capetele fibrei pot fi rotunjite astfel c razele reflectate s nu se propage
napoi spre transmitor, fiind astfel ndeprtate din domeniul modurilor de
propagare permise. Conectorii i cuplorii sunt astfel proiectai nct s minimizeze
cantitatea de lumin reflectat.
Pentru a defini pierderile prin retroreflexie (return loss) se introduce mrimea
R
L , care exprimat n decibeli este:
i
r
R
P
P
log 10 L
(10.11)
unde
i
P este puterea incident pe componenta optic, iar
r
P puterea reflectat.
n majoritatea cazurilor, componentele bine proiectate, au valori ale coeficientului
R
L ntre 30 i 40 dB, dei sunt cazuri cnd sunt cerute valori ale acestuia ntre 50
i 60 dB.
De exemplu fie o diod laser ce transmite lumina pe o fibr optic este separat
de fibr printr-un gol mic de aer. Dac indicele de refracie al fibrei este 5 , 1 n
2
,
valoarea coeficientului de reflexie este
2
2 1
2 1
n n
n n
R
(
(
,
\
,
,
(
j
+
adic 04 , 0
5 , 1 1
5 , 1 1
R (
,
\
,
(
j
+
,
adic 4% din lumin este reflectat, astfel c pierderea prin retroreflexie este
dB 98 , 13 04 , 0 log 10 L
R
.
Un izolator optic va asigura un nivel mic al luminii retroreflectate, fiind asimilat
cu o linie de transmisie cu singur direcie, adic va permite propagarea doar
ntr-o singur direcie de-a lungul fibrei.
Izolatorul cu fibr optic 175 175 175 175 175
Structura de baz a unui astfel de
dispozitiv este prezentat n figura
10.21. Izolatorul este constituit din doi
polarizori liniari i un rotator Faraday
la 45
0
. Un fascicul de lumin ce vine din
stnga este polarizat de polarizorul
L
P
aa cum se arat n figura 10.21.c), unda
rezultant, trecnd prin rotator. n cazul
general, un rotator Faraday, rotete unda
liniar polarizat, cu un unghi determinat
de proprietile rotatorului Faraday.
Pentru izolator ns, unghiul de rotaie
trebuie s fie de 45
0
, astfel c fasciculul
ce emerge, din rotator este polarizat
liniar i rotit la 45
0
fa de vertical.
Polarizorul din dreapta,
R
P este aliniat
la 45
0
fa de vertical, permind
trecerea undei de la stnga la dreapta.
Dac acum considerm un fascicul ce
cltorete de la dreapta la stnga ca n
figura 10.21 d), acesta va fi polarizat la
45
0
de ctre
R
P i intr n rotatorul
Faraday unde va fi rotit cu nc 45
0
, nct
la ieirea din rotator fasciculul incident
din dreapta, va fi polarizat orizontal aa
cum se arat i n figur. Polarizorul
L
P
va bloca trecerea fasciculului polarizat
liniar. Putem spune c, lumina nu va circula, de la dreapta la stnga n izolator.
Trebuie artat ns c rotaia Faraday nu este un fenomen reciproc. Unghiul de
rotaie q, exprimat n radiani, pentru un rotator Faraday este:
VHL
(10.12),
unde
V
este constanta Verdet, o msur a aciunii efectului Faraday, H este
amplitudinea cmpului magnetic aplicat, iar L este lungimea de interaciune.
Pentru o sticl de tip silicat, V are valoarea
A / rad 10 68 , 4
6
.
Ca material transparent ce prezint un efect Faraday puternic, se folosete un
aliaj de Fe cu Ytriu,
12 3 3
O Fe Y , numit comercial YIG. La aplicarea un cmp
magnetic, pe un astfel de monocristal, se produce o rotaie Faraday.
Aa cum s-a artat, cerina principal a unui izolator, este aceea de a proteja
dioda laser de lumina retroreflectant. n figura 10.22 este prezentat un astfel
de izolator ce cupleaz dioda laser cu fibra optic.
Sfera YIG acioneaz i ca o lentil, pentru a focaliza lumina de la diod pe
fibr, dar i pentru a roti planul de polarizare. Nu este necesar un polarizor
naintea sferei YIG deoarece lumina la ieirea diodei laser este deja polarizat.
Fig. 10.21 Izolator cu rotaie Faraday
POLARIZOR
P
T
POLARIZOR
P
R
ROTATOR FARADAY 45
0
(a)
x
y
x
y
45
0 P
T
P
R
(b)
x
y
x
y
45
0
E
E
(c)
IESIRE
INTRARE
x
y
x
y
45
0
E
E
(d)
IESIRE
BLOCATA
INTRARE
Dac avem n vedere figura 10.23, pierderile prin inserie (insertion loss) ale
unui izolator
IL
L , sunt legate de eficiena transmisiei pe direcia invers de
propagare i sunt date de:
in
ies
IL
P
P
log 10 L
(10.13)
Lumina retroreflectat va fi rotit la 90
0
fa de cea a diodei laser, astfel c nu
o va influena pe aceasta. Cmpul magnetic este aplicat prin intermediul unui
magnet permanent (nu este prezentat n figur).
Fig. 10.22 Izolator cuplat cu o diod laser
Fig. 10.23 Izolator pentru direcia stnga dreapta
SFERA YIG
DIODA
LASER
POLARIZOR
FIBRA MONOMOD
IZOLATOR
P
in
P
ies
FIBRA FIBRA
INTRARE IESIRE
Factorul de izolare (isolation),
IS
L , este o msur a eficienei transmisiei, atunci
cnd izolatorul lucreaz pe direcia invers (pierderi mari). El este dat de relaia:
r , in
r , ies
IS
P
P
log 10 L (10.14)
unde
r , ies
P este puterea inserat n portul de ieire (pe direcia invers), iar
r , in
P
este puterea ce emerge, de la portul de intrare.
Un izolator ideal, nu ar trebui s aib pierderi pe direcia de propagare direct,
iar pe direcia invers acestea s fie infinite.
n practic, datorit reflexiilor, la interfaarea componentelor i a imperfec-
iunilor att la polarizor, ct i la rotator, performana izolatorului nu este chiar
ideal. Ca i valori, se dau pentru pierderile de inserie n jur de dB 1 , iar pentru
canalul de izolare n jur de dB 30 .
10.5 Alte componente
10.5.1 Atenuatorul
Atenuatorii optici fac posibil modificarea intensitii luminii n fibr.
Aplicaiile n care se utilizeaz, fie testeaz receptorii la diferite nivele de lumin
(pentru a determina domeniul dinamic al receptorului), fie c ajusteaz
intensitatea luminii pentru a preveni saturaia receptorului.
Alte componente 177 177 177 177 177
Atenuarea se mai poate realiza i prin dezalinierea fibrelor aa cum se arat
n figura 10.24 b), fie prin mrirea distanei dintre fibre, fie prin deplasarea
lateral reciproc.
10.5.2 Circulatorul
Un circulator optic, ca principiu
prezentat n figura 10.25, direcio-
neaz semnalul secvenial de la un
port la urmtorul. Adic semnalul
ce intr pe portul 1 iese pe portul
2, cel ce intr pe portul 2 iese pe
portul 3, iar intrarea pe portul 3
are ieirea pe portul 1.
Pierderile prin inserie sunt sub
1 dB iar izolarea este peste 25 dB.
Circulatorul se utilizeaz pentru a
decupla semnalul transmis de cel
recepionat ce cltorete prin
aceeai fibr (adic n sisteme bidirecionale, aa cum se arat i n figura 10.26).
Circulatorul folosete un rotator Faraday ca cel folosit n cazul izolatorului.
n figura 10.24 a) este prezentat un atenuator prin absorbia luminii. Prin
rotire discul introduce o atenuare n calea luminii, deoarece el are pe diferite
poriuni absorbii diferite.
Fig. 10.24 Tipuri de atenuatori
Fig. 10.26 Sistem de transmisie full-duplex
DISC DE
ABSORBTIE
FIBRA OPTICA
FIBRA OPTICA
FIBRE OPTICE
a) b)
FIBRA OPTICA
RECEPTOR
RECEPTOR
RECEPTOR
TRANSMITATOR
TRANSMITATOR
TRANSMITATOR
Fig. 10.25 Schema unui circulator cu fibr optic
1
2
3
10.5.3 Dispozitiv de control a strii de polarizare n fibr
Este un dispozitiv cu fibr optic pentru a determina o anumit stare de
polarizare a luminii. Dei majoritatea sistemelor cu fibr optic opereaz indepen-
dent de starea de polarizare, exist sisteme n care aceasta este important.
Amintim sistemele cu detecie coerent sau senzorii interferometrici.
Cel mai simplu dispozitiv de control al pola-
rizrii se obine prin nfurarea fibrei optice
pe un disc a crui diametru este de ordinul
centimetrilor. n mod obinuit, se conecteaz n
serie dou sau trei fibre de acest tip (figura 10.27).
Rotind discurile n jurul axei fibrei ce trans-
mite semnalul, se produce o schimbare a indicilor
de refracie pentru cele dou fascicule polarizate ortogonal ce traverseaz fibra.
Prin rotirea adecvat a discurilor poate fi obinut orice stare de polarizare dorit.
10.6 Reele duplex de distribuie a informaiei
prin fibra optic
n multe din cazurile de transmisie a informaiei se folosesc dou fibre optice,
una pentru transmisia i alta pentru recepia semnalului ntr-o legtur de tip
punct-la-punct (point-to-point link). ntr-un sistem full-duplex (ce permite
transmisia simultan n ambele direcii de-a lungul aceleiai fibre) se
economisete fibr optic ceea ce este un avantaj evident n cazul legturilor
la distan lung.
n figura 10.28 este prezentat schema unui sistem full-duplex ce are cte un
cuplor direcional la fiecare terminal.
Fig. 10.28 Sistem de comunicaie full-duplex
n acest caz cuplorii ideali de tip 3dB, vor introduce pierderi de 6dB pe fibr
ntre emitor i receptor. Pierderile prin supradimensionare i cele din conector
vor micora puterea recepionat la portul ndeprtat.
T
R
CD
T
R
CD
1 1 2 2
3
3 4
4
FO
Fig. 10.27 Controlul strii de
polarizare n fibr
FIBRA OPTICA
DISCURI
Reele duplex de distribuie a informaiei prin fibra optic 179 179 179 179 179
10.6.1 Reeaua de tip T
Prin utilizarea reelelor de tip T, figura 10.29, se pot conecta mai multe
terminale. Fiecare terminal are un emitor i un receptor. Trunchiul comun de
fibr, numit i bus sau magistral de date, poart informaia intre acestea.
Terminalele sunt prevzute cu cuplori n T. Cuplorul n T prezentat n figura
10.30, permite fluxul de informaie bidirecional pe magistrala de date.
Aa cum se observ i n figur, doi cuplori direcionali formeaz un cuplor n
T. Terminalul 1 i N sunt legai prin intermediul unui singur cuplor.
O reea de tip T, cu mai multe terminale, nece-
sit un factor de despicare foarte mare. n felul
acesta suntem asigurai c semnalele ce vin de
la terminalul cel mai ndeprtat va avea suficient
putere pentru a fi detectat. S presupunem c
semnalul trebuia s treac prin 1 N terminale.
Pentru receptorul conectat la ultimul terminal
pierderea total va fi:

TAP THP
L L ) 1 N ( L + (10.15)
de unde putem concluziona c pierderea total,
n decibeli, crete liniar cu numrul de terminale.
n orice sistem real, trebuie s lum n conside-
rare pierderile ce apar la conexiunile din cadrul
reelei. Fiecare intrare i ieire a cuplorului nece-
sit cte un conector, astfel c ntre terminalele 1 i N exist 2N conectori. Dac
pentru un conector pierderea n decibeli este
C
L atunci relaia de mai sus devine:
C TAP THP
NL 2 L L ) 1 N ( L + + (10.16)
Pierderile devin importante la creterea numrului de terminale. n plus trebuie
inut cont i de uurina n conectare, de caracteristicile receptorului, posibilitatea
de deteriorare la conectare. Un terminal din reeaua n T va primi mai mult
putere de la un terminal adiacent dect de la unul de la distan. De aceea
receptorul trebuie s fie capabil s proceseze semnale ce au un spectru larg de
nivele de putere, adic receptorul trebui s se adapteze unui spectru dinamic.
Fig. 10.29 Interconectarea a N terminale ntr-o reea T
1
2 3 N-1
N
CD CD
CUPLOR T
FO
Fig. 10.30 Reea tip T cu dou
cuploare direcionale
T R
CD
1
2 3
4
CD
1 2
3 4
BUS BUS
Deteriorarea local ntr-o reea de tip T nu va opri comunicaia n sistem. O
fisur n bus-ul fibrei va face ca sistemul s fie divizat n alte dou subsisteme n
care fluxul de informaie va trece intact pe fiecare ramur. Deteriorarea unuia
din cuplorii n T va elimina fluxul de informaie cu terminalul de care aparine
dar va lsa restul sistemului s funcioneze. Prin secionarea fibrei pe bus i
inserarea unui nou cuplor T vom putea face ca informaia s revin la terminalul
eliminat temporar.
10.6.2 Reeaua de tip stea
O alternativ la reeaua de tip T, pentru reele multiterminale, este configuraia
n stea, aa cum se prezint n figura 10. 31.
n aceast configuraie, un cuplor stea de transmisie, interconecteaz N
terminale. Cuplorul are 2N porturi i poate fi considerat ca un cuplor direcional
cu mai mult de patru porturi. Cuplorul n stea distribuie puterea n mod egal la
fiecare din porturile receptoare de la oricare din porturile transmitoare aa
cum este prezentat i n figura 10.32. Un dispozitiv ideal va mpri puterea
celor N intrri fr pierderi.
Fig. 10.31 Reea tip stea Fig. 10.32 Distribuia de putere de la orice port
de intrare la toate porturile de ieire
Eficiena transmisiei pentru fiecare port este N 1 pierderea prin inserie (n
decibeli) fiind:
N
1
log 10 L
IN
(10.17)
1 2 N
CUPLOR
IN STEA
1
'
2
'
N
'
TRANSMIT ATORI
RECEPTORI
1 2 N
1
'
2
'
N
'
PORTURI DE INTRARE
PORTURI DE IESIRE
Dac vom avea doi conectori, fiecare avnd pierderile
C
L i
E
L , atunci pierderile
totale pentru cuplorul n stea sunt:
C E
L 2 L
N
1
log 10 L + +
(
,
\
,
(
j
(10.18)
Atunci cnd exist interconectate mai mult de 5 terminale reeaua de tip stea
este foarte eficient i aceasta deoarece variaia logaritmic a pierderilor crete
mult mai puin cu N numrul de porturi, n raport cu pierderile din reeaua de
tip T. Pentru fiecare din porturile noi adugate, n reeaua de tip T semnalul
trebuie s treac prin doi sau mai muli conectori, n timp ce pentru reeaua de
tip stea, nu va modifica numrul de conectori prin care trebuie ca semnalul s
treac n drumul lui de la transmitor la receptor.
S comparm pierderile n cele dou tipuri de reele, n T i n stea, cnd
adugm un terminal, de la 10 la 11 terminale. S presupunem un factor de
despicare 9:1 i pierderi de inserie de dB 1 pentru cuplorul de tip T iar pentru
ambele sisteme utilizarea conectorilor n care pierderile s fie de dB 1 . Pentru
reeaua n T, din relaia 10.6a, avem c pierderile prin strpungere dB 46 , 1 L
THP

la care mai adugm pierderile de dB 2 din conectori adic vor fi n total pierderi
de dB 46 , 3 . Ceea ce nseamn c prin adugarea unui nou terminal puterea
receptat scade cu aproape 50% din valoarea iniial. Pentru reeaua de tip stea,
pierderile se modific de la ( ) dB 10 10 1 log 10 la ( ) dB 4 , 10 11 1 log 10 o cre-
tere de numai dB 4 . 0 .
Pentru sistemele ce au puine terminale, pierderile n reeaua de tip T pot fi
acceptabile, mai ales atunci cnd se minimizeaz pierderile prin conectori
C
L la
cuplarea porturilor cu bus-ul de fibr. Pentru un numr de terminale mai mare
de 10, reeaua de tip T nu mai este rentabil dar este avantajoas la un numr
mai mic de terminale deoarece prin legare terminalelor n reea de tip T se
economisete foarte mult fibr optic. n reeaua de tip stea exist cabluri sepa-
rate de la cuplorul central la fiecare terminal.
Pentru creterea eficienei, cuplorul n stea ntr-o reea ce are N terminale ar
trebui s aib 2N porturi, adic toate porturile s fie utilizate. Un cuplor cu mai
mult de 2N porturi introduce mai multe pierderi dect este prevzut i de aceea
adugarea unui nou terminal la un sistem existent necesit i schimbarea
cuplorului n stea (s aib nc un port disponibil la care s ne putem lega).
n comparaia fcut mai sus pentru cele dou tipuri de reele am presupus c
prin introducerea noului port nu avem pierderi suplimentare, ceea ce este corect
pentru cazul cnd avem doar dou porturi, dei pierderile prin supradimensionare
cresc cu numrul de porturi. Pierderile prin supradimensionare pot s se modifice
de la dB 1 pentru 16 porturi (N=8) la dB 3 pentru 128 porturi (N=64).
n reeaua de tip stea, deteriorare unei ramuri de conectare ntrerupe
conexiunea la acel terminal, iar deteriorarea cuplorului n stea determin
ntreruperea comunicaiei.
10.6.3 Reeaua de tip inel
Aa cum se arat n figura 10.33 prin
intermediul fibrelor optice putem conecta
mai multe terminale ntr-o reea de tip
inel. Reeaua n inel nseamn conectarea
n serie a legturilor independente
punct-cu-punct. Fiecare nod al inelului
are cte un emitor i un receptor, func-
iunea nodului fiind aceea a unui rege-
nerator activ.
Dup ce receptorul detecteaz mesajul
i este citit, datele sunt regenerate i apoi
retransmise spre urmtorul terminal. n inel, puterea de la orice transmitor
optic pleac spre un singur receptor. Nu se mparte din fluxul de putere aa cum
se ntmpl n cazul reelei n stea sau n T. Din acest motiv, n cazul reelei n
inel, se pot interconecta mai multe terminale fa de celelalte dou tipuri de
reele, adic reeaua n inel nu este limitat datorit pierderilor de distribuie de
putere, dar i nodurile active sunt mult mai complexe dect cele pasive din
celelalte dou tipuri de reea. Dac unul din noduri se defecteaz atunci ntregul
sistem nu mai funcioneaz, lucru care se ntmpl i atunci cnd apar defeciuni
pe fibra optic prin care se transmite semnalul.
Pentru a rezolva aceast problem exist mai multe posibiliti. Se poate insera
un comutator electromecanic de trecere (bypass) pe nodul defect pn cnd
defeciunea se remediaz i instalarea unui al doilea inel, figura 10.34a, reuindu-se
astfel mrirea redundanei sistemului. Cel de-al doilea inel transmite informaia
n direcie opus fa de primul, dar n mod obinuit doar primul inel este activ,
astfel c atunci cnd un nod sau o fibr cade, sistemul s poat fi funcional pentru
restul nodurilor. n figura 10.34b este artat drumul semnalului atunci cnd se
produce o cdere a sistemului i reeaua se reconfigureaz ea nsi.
Fig. 10.34 Reea n inel: a) configuraia de baz b) nodul 4 defect
Interfaa de distribuie a datelor prin fibr precum i reeaua cu acoperire local
(LAN) utilizeaz o arhitectur de inel dual.
1
2 3
4
N 5
FIBRA
1
2 3
N 5
FIBRA
NOD DEFECT
a)
b)
Fig. 10.33 Reeaua n inel
1
2 3
4
N
5
10.6.4 Sisteme de distribuie hibride
n proiectarea sistemelor cu fibre optice multiterminale mult mai flexibile
sunt combinaiile de reele n stea cu cele n inel. O combinaie de tip stea-T, cu
legtur direct intre ele, se folosete atunci cnd reeaua de tip stea leag
terminalele din locaii apropiate, pe cnd cea de tip T va lega terminalele ce se
afl la distane mari.
O alt alternativ la distribuia semnalului pe distane mari este introducerea de
repetori activi pentru compensarea pierderilor de semnal prin fibr. n figura 10.35
se arat modul de cuplare a unui repetor activ ntr-o reea stea-stea.
Fig. 10.35 Reea de tip stea-stea cuplat prin intermediul unui repetor activ
10.6.5 Sisteme multifibr
n cazul sistemelor cu N terminale,
acestea se pot lega direct prin conec-
tarea fiecrui terminal la toate celelalte
aa cum este artat n figura 10.36.
La captul fiecrui transmitor o
singura surs ilumineaz mnun-
chiul de 1 N fibre. Pentru a mri
eficiena, suprafaa de emisie a sursei
este uniform repartizat pe captul
mnunchiului de fibre. Fiecare capt
al fibrei are un corespondent la
receptorul aflat la distan. La fiecare
receptor ajunge un capt al fibrei de
la fiecare transmitor. Mnunchiul
de fibre ilumineaz cte un fotode-
tector, la care suprafaa activ trebuie
REPETOR
T T
CUPLOR
IN STEA
R R
T T
CUPLOR
IN STEA
R R
Fig. 10.36 Reea cu legturi multifibr
T
R
R
T
T
R
R T
s fie cel puin la fel de mare ca i cea a mnunchiului de fibre. Dei o astfel de
configuraie are utilizeaz foarte multe fibre, ea are i cteva avantaje. n primul
rnd, pot fi utilizai emitori cu suprafa mare (ce pot avea puteri mult mai
mari dect cei cu suprafa de emisie mic). n al doilea rnd, puterea semnalului
ce se introduce n fibr nu este atenuat de ctre conectori sau de ctre cuplorii
de distribuie, aa cum se ntmpl n cazul sistemelor n stea sau T, iar pierderile
ntre terminale vor fi mult mai mici. Dac nu este necesar transmisie ntre
fiecare terminal, cablurile de fibr optic corespunztoare pot fi eliminate.
Reeaua ntr-un sistem multifibr este mai rentabil dect cea care realizeaz
legturi de tip punct-cu punct ntre terminale. De exemplu o legtur punct-cu
punct necesit 1 N transmitori i 1 N receptori la fiecare terminal, rezultnd
n final ) 1 N ( N transmitori i ) 1 N ( N receptori. Pentru 4 terminale legate n
sistem punct-cu-punct sunt necesari 12 transmitori i 12 receptori, n schimb
n cazul legrii celor 4 terminale n sistem multifibr, sunt necesari doar 4
transmitori i 4 receptori.
10.7 Multiplexarea prin divizarea lungimii de und
Fasciculele optice cu diferite lungimi de und se propag fr a interfera unul
cu altul, astfel c se pot utiliza mai multe canale de informaie (fiecare avnd
purttoarea, pe lungimi de und diferite) pentru a transmite simultan informaii
pe o singur fibr optic. Acest mod de transmisie se numete multiplexare
prin divizarea lungimii de und (WDM Wavelength-Division-Multiplexing)
i crete capacitatea unei fibre de a transmite informaii pe o purttoare.
Capacitatea de transmisie a informaiei depinde de materialul din care este
fcut fibra, de dispersia ghidului de und i de distorsiunile de mod, limite de
care se ine seama cnd se ia n considerare doar o lungime de und. Mrind
numrul de unde purttoare, crete proporional i capacitatea de transmisie.
Un multiplexor optic, aa cum se arat i n figura 10.37a, primete lumina,
informaia, de la surse individuale, i o transmite fibrei optice. n staia de recepie,
demultiplexorul optic separ diferitele unde purttoare de informaie, nainte
de fotodetecia semnalelor individuale, figura 10.37b. Att multiplexorii ct i
demultiplexorii au ataate fibre optice la poriunile lor de intrare i de ieire.
Este posibil ca s nlocuim fibrele de la intrarea multiplexorului direct cu surse
optice integrate n dispozitiv.
Fig. 10.37 Schema unui a) multiplexor optic, b) demultiplexor optic
S
INPUT
FIBERS
TRANSMITTING
FIBER
1,

2, ..............

S
(a) Multiplexer
S
OUTPUT
FIBERS
TRANSMITTING
FIBER
1,

2, ..............

S
(b) Demultiplexer
Multiplexarea prin divizarea lungimii de und 185 185 185 185 185
n mod similar, putem avea la ieire, fotodetectori integrai n dispozitivul de
demultiplexare. Adesea acelai dispozitiv poate fi utilizat ca multiplexor sau
demultiplexor (MUX/DEMUX).
Foarte importante sunt i aici pierderile prin inserie i intermodulaia
(crosstalk). Referindu-ne la figura 10.37a, pierderea prin inserie pentru canalul
1, este fraciunea din puterea de intrare, la lungimea de und
1
, care ajunge la
fibra ce transmite informaia. Un MUX/DEMUX are proprietatea de uniformitate,
dac pierderile prin inserie sunt aproape aceleai pe fiecare canal. Intermodulaia,
(crosstalk) nseamn atenuarea undei, msurat la porturile diferite, de cel la
care se transmite informaia. Referindu-ne la figura 10.37b, intermodulaia este
acea fraciune din puterea de intrare cu lungimea de und
1
, ce ajunge la ieirea
n fibr, cu componenta de lungime de und
2
.
Intermodulaia, este o problem important, n cazul recepiei informaiei,
cnd dou sau mai multe semnale pot interfera cu semnalul util.
n figura 10.38, sunt prezentate curbele pierderilor prin inserie pentru un
MUX/DEMUX cu opt canale. Cele opt curbe reprezint pierderile de transmisie
pentru fiecare din cele opt canale.
Fig. 10.38 Pierderile prin transmisie pentru un MUX/DEMUX cu 8 canale
De exemplu, primul canal este centrat pe nm 1530 , al doilea pe
nm 1534 i aa mai departe din 4 n 4 nm pn la canalul 8 unde nm 1558 .
Lrgimea de band pe canal este de 2 nm. n acest exemplu pierderile de inserie
sunt mici, aproximativ 1 dB, iar izolarea ntre canalele adiacente (crosstalk-ul)
este joas (mai mult de 35 dB dac lungimile de und ale surselor sunt centrate
aa cum am artat mai sus i dac considerm lrgimea de band de 2 nm).
Multiplexorul descris n figura 10.38 lucreaz n cea de-a treia fereastr optic,
unde pierderile pe fibr sunt mici i unde amplificatorii de lumin (dopai cu
Erbiu), lucreaz foarte bine. Datorit acestui fapt sistemele WDM sunt utilizate
n legturile sub mare, avnd deci capacitate mare de transmisie a datelor i
putnd fi folosite n cabluri de transmisie foarte lungi.
Multiplexorii au fost proiectai s accepte multe canale (mai mult de 100) cu
lrgime de band i distane ntre lungimile de und sub nm 1 . Cnd sunt mai
mult de 2 sau 3 canale WDM, spunem c avem un sistem WDM dens. n figura
0
-15
-30
1530 1534 1538 1542 1546 1550 1554 1558
LUNGIMEA DE UNDA (nm)
T
R
A
N
S
M
I
S
I
A

(
d
B
)
10.39 este prezentat un sistem WDM cu trei canale. n forma ei cea mai simpl,
aceast reea este unidirecional. Ea poate lucra n ambele direcii dac
dispozitivele de separare a lungimilor de und sunt bidirecionale. Atunci cnd
lucreaz n mod bidirecional, trebuie s existe i cuplori direcionali la fiecare
capt, pentru a separa undele transmise de cele recepionate. Sistemele pe o
singur purttoare pot fi reproiectate s lucreze prin multiplexare WDM, fibra
rmne aceeai, doar terminalele trebuie nlocuite n mod adecvat.
Adeseori se utilizeaz o combinaie WDM care lucreaz pe un canal la m 3 , 1
i pe altul la m 5 , 1 . Diferena mare ntre lungimile de und simplific proiectarea
multiplexorului. Similitudinea caracteristicilor fibrelor (atenuarea i lrgimea
de band), la aceste lungimi de und fac ca sistemul s fie foarte practic. Se
poate utiliza de asemenea un canal adiional care s lucreze la nm 900 800 ,
dar pierderile i dispersia mare n acest domeniu de lungimi de und, limiteaz
lungimea de transmisie i lrgimea de band a ntregii legturi.
n figura 10.40 este prezentat un sistem WDM care lucreaz ntr-o reea
full-duplex de transmitere a informaiei n ambele sensuri.
Proiectarea multiplexoarelor se face innd cont fie de dispersia unghiular,
fie de filtrarea optic. Pentru dispersia unghiular se folosesc, prisme optice sau
reele de difracie aa cum se prezint n figura 10.41. Reeaua de difracie poate
fi acoperit cu un metal pentru a i mri factorul de reflexie.
Fig. 10.39 MUX/DEMUX cu 3 canale Fig. 10.40 Reea full-duplex
Fig. 10.41 Modaliti de obinere a dispersiei unghiulare
Filtrele optice, din figura 10.42, sunt straturi subiri de materiale transparente
cu indici de refracie diferii. Ele lucreaz pe baza fenomenului de interferen.
Interferena n strat subire, va face ca la o anumit lungime de und, lumina s
treac prin filtru, iar lumina avnd celelalte lungimi de und s fie reflectat. n
MUX 2
1
3
DMUX
1'
2'
3'
1,

2,

3
3
TRANSMITATOR RECEPTOR
MUX/
DMUX
T
R
DMUX
R
T
3
RECEPTOR
MUX/
TRANSMITATOR
1,

2,

3

1
1,

2,

3
1

2

3
PRISMA RETEA DE DIFRACTIE
PRIN REFLEXIE
Multiplexarea prin divizarea lungimii de und 187 187 187 187 187
figura 10.42 este prezentat
cazul n care dou filtre n
serie, separ (sau combin)
lumina la trei lungimi de
und diferite.
n cele mai multe cazuri
sistemul MUX/DEMUX in-
clude i lentile pentru a cap-
tura razele divergente ce
ajung la intrarea n fibr, pentru a direciona razele pe elementele de combinare/
separare sau pentru a refocaliza lumina pe fibra de ieire din sistem. Rolul
lentilelor fiind i acela de a elimina pierderile n golurile de aer care s-ar forma.
De asemenea, lentilele sunt cele care colimeaz, focalizeaz, fasciculul ce cade
pe dispozitivul de selecie a lungimii de und, i acest lucru este necesar deoarece
att componentele cu dispersie unghiular ct i filtrele optice sunt dependente
pe unghiul de inciden pe ele. Razele incidente ce sunt divergente la intrare vor
fi divergente i pe elementul de separare a lungimilor de und, fiecare din
lungimile de und avnd un anumit domeniu unghiular pe care se propag.
Mrirea domeniului unghiular nseamn micorarea posibilitii de a separa
spaial undele de diferite lungimi de und, de aici rezultnd i importana faptului
c lumina trebuie s fie bine focalizat de-a lungul fibrei.
n figura 10.43 este prezentat multiplexorul/demultiplexorul cu reea de
difracie, unde pentru simplificarea desenului este desenat doar raza central
asociat fiecrei fibre. Fasciculele ce ies din orice fibr sunt divergente, iar cele
care intr n fibr sunt fascicule convergente.
Fig. 10.43 MUX/DEMUX cu reea de difracie
Fasciculele sunt colimate, n spaiul dintre lentil i reeaua de difracie. Pe
prima fibr intr n sistem lumina cu cele trei lungimi de und i apoi este
dispersat de ctre reeaua de difracie ajungnd s fie separate i trimise pe
celelalte trei fibre. Cnd este folosit ca demultiplexor, rezult fascicule de lumin
cu lungimile de und
1
,
2
i
3
. Lentila colimeaz fascicolele, nainte ca razele
s cad pe reeaua de difracie. Reeaua de difracie selecteaz spaial cele trei
lungimi de und, dup care lentila le focalizeaz separat pe fiecare din fibrele de
la ieirea din dispozitiv. Acest dispozitiv este unul bidirecional, atunci cnd este
folosit ca multiplexor, se inverseaz direcia de propagare a razei. Intrrile pe
RETEA
1
LENTILA GRIN
FIBRE OPTICE
1,

2,

3
Fig. 10.42 Filtrarea optic
1,

2,

3
1

2
3
F
1
F
2
cele trei fibre de jos sunt adunate de ctre reeaua de difracie i focalizate pe
linia de transmisie (fibra din partea de sus a desenului). Multiplexorul din figura
10.44 folosete o combinaie dintre o lentil GRIN i filtre optice. Filtrul F
1
, las
s treac lumina cu lungimea de und
1
. Ca i n multiplexorul din figura 10.43,
lentila colimeaz lumina emergent de la fibrele optice i dup ce razele sunt
reflectate de filtrul F
2
sau de oglind, ea focalizeaz razele pe fibrele de ieire.
Fig. 10.44 MUX/DEMUX cu filtre optice
Cnd este folosit ca demultiplexor, lumina cu lungimile de und
1
i
2
intr
pe lentil pe fibra din partea de sus a desenului. Filtrul F
2
reflect lumina cu
1
,
aceasta va cltori prin partea de jos a fibrei, va trece prin filtrul F
1
i va intra pe
canalul 1, n acelai timp filtrul F
2
va lsa s treac lumina cu
2
care va fi
reflectat de ctre oglinda nclinat, astfel nct lumina este direcionat s cad
pe canalul 2 de transmisie. Filtrul F
1
care reflect lumina cu lungimea de und
2
, elimin intermodulaia, prin minimizarea energiei luminii cu lungimea de
und
2
care ar putea cdea pe canalul 1.
Cnd este utilizat ca i multiplexor, razele de lumin cu lungimea de und
1
intr prin intermediul lentilei pe canalul 1, iar cea cu

2
pe canalul 2. Filtrul F
2
,
oglinda i lentila combin cele dou lungimi de und pentru a ajunge la fibra
transmitoare. n cazul multiplexorului nu este necesar filtrul F
1
.
Exist o varietate mare de sisteme MUX/DEMUX, cele dou tipuri de dispozitive
conin elementele necesare minime pentru a realiza un astfel de sistem. Ele se
dovedesc a fi simple i au avantajul c utilizeaz aceeai lentil pentru a cupla
porturile de intrare i de ieire. Exist i multiplexoare care folosesc lentile
separate, pentru fiecare port. Avantajul unei astfel de configuraii este acela c
fiecare lentil poate fi centrat axial cu axa fibrei, tiut fiind c lentilele au
aberaii foarte mici pe direcia lor axial.
O variant de multiplexor pentru sistemele monomod se bazeaz pe cuplorul
descris n seciunea 10.2.1. Deoarece coeficientul de cuplare ( ) din relaia
10.7 depinde de lungimea de und i lungimea de cuplaj
C
L este diferit, la
diferitele lungimi de und. Raportul pierderilor prin ramificaii
1 3
P / P n funcie
de lungimea de interaciune este prezentat n figura 10.45.
Fie cazul unui cuplor ce are lungimea de interaciune de
1
C
L 3 (de trei ori
lungimea de cuplaj ce corespunde lui
1
). Pentru acest cuplor, aa cum este
1,

2
REFLEXIE
2
1
LENTILA
GRIN
FIBRA DE INTRARE
1
REFLEXIE
1
FILTRUL F
2
FILTRUL F
1
CANAL 1
CANAL 2
Reele de difracie tip BRAGG cu fibr optic 189 189 189 189 189
prezentat i n figura 10.46 o in-
trare la portul 1 cu lungimea de
und
1
va fi n ntregime trans-
mis pe portul 3. Pe de alt parte,
intrarea cu
2

are cuplaj zero cu
acest port, astfel c va emerge n
ntregime la portul de ieire 2. Cu
alte cuvinte, cuplorul acioneaz ca
un demultiplexor, prin separarea
celor dou lungimi de und inci-
dente pe portul 1.
Pe de alt parte, o intrare cu
1
pe portul 3 i o intrare cu
2

pe
portul 2, vor avea ieirea ambele pe
portul 1, astfel c avem acum un
multiplexor.
Fig. 10.46 Schema de principiu a unui cuplor care funcioneaz ca demultiplexor
10.8 Reele de difracie tip BRAGG cu fibr optic
Reeaua de difracie tip BRAGG
cu fibr optic, se realizeaz cu o
fibr optic care are de-a lungul
axei miezulului, valori periodice ale
indicelui de refracie, aa cum este
La intrare o und cu lungimea
de und egal cu jumtate din
perioada de repetiie va fi reflectat de fiecare dat cnd ntlnete variaia de
indice de refracie i i schimb faza. Reeaua acioneaz ca un reflector, iar fascicu-
lele reflectate i schimb faza. Fascicolul reflectat se supune legii lui Bragg, fiind
deci mplinit condiia
2
, iar lungimea de und se consider msurat n

miezul fibrei doar pentru reflexia cea mai puternic, cea de ordinul I. Putem
spune c reeaua devine rezonant la acea lungime de und care satisface legea
lui Bragg. Att lungimea L a reelei (indicat n figur), ct i adncimea la care
se schimb indicele de refracie sunt doi parametri importani. Fascicolele de
DEMULTIPLEXOR
CU DIVIZAREA LUNGIMII DE
UNDA
1 2
3 4
1,

2
Fig. 10.45 Dependena lungimii de interaciune
de raportul pierderilor prin ramificaie
1
L
c1
2L
c1
3L
c1
LUNGIMEA DE INTERACTIUNE
P
3
/
P
1
0
0,5
1,0
Fig. 10.47 Reea de difracie BRAGG
L
MIEZ
lumin care nu se supun legii lui Bragg rmn neafectate, ele sunt transmise mai
departe. De fapt fibra optic de tip Bragg acioneaz ca un filtru.
Reeaua de difracie cu fibra optic de tip Bragg se obine prin expunerea
miezului fibrei la o lumin puternic din domeniul ultraviolet (UV). Lumina UV
cade pe o masc de faz producnd o figur de interferen ce produce schimbri
periodice de structur n miezul fibrei. Rezult o variaie stabil i permanent a
indicelui de refracie a miezului fibrei.
Aplicaiile fibrei optice de tip Bragg sunt diverse n domenii ca:
a) filtre pentru sisteme WDM;
b) oglinzi selective la lungimi de und, pentru laserii cu fibr;
c) stabilizarea lungimii de und a diodelor laser;
d) msurtori de fore mecanice i temperatur n senzori cu fibre optice
compozite;
e) compensri de dispersie;
f) stabilizarea ctigului i egalizarea n amplificatori cu fibr dopat cu erbiu;
g) filtre pe lungimi de und bine stabilite;
h) filtre cu lungimi de und acordabile.
n figura 10.48 este prezentat schema unui MUX/DEMUX cu fibr optic tip
Bragg. Dispozitivul are dou cuploare i dou reele de difracie. Reelele de
difracie sunt proiectate s produc reflexia luminii cu lungimea de und
4
i
s o retransmit pe portul 4. Pentru a explica modul cum lucreaz ca demultiplexor
s considerm c lumina cu cele patru lungimi de und
1
,
2
,
3
i
4
intr pe
portul 1 n fibra de transmisie. Lumina cu lungimea de und
4
este reflectat de
reeaua de difracie i datorit defazajului ce apare, ea emerge pe portul 4.
Celelalte unde trec prin reeaua de difracie i emerg pe la portul 3. Aceste unde
pot fi extrase similar prin demultiplexare la portul 3 care poate fi proiectat pentru
oricare din celelalte trei lungimi de und.
Fig. 10.48 Filtru WDM cu reea BRAGG din fibr optic
Cu toate c nu este specificat n figur, dispozitivul poate aciona i ca un
multiplexor. Dac unda cu
4
ar fi incident la portul 2 iar
1
,
2
,
3

ar fi incidente
la portul 1 ele s-ar combina i ar emerge din portul 3.
1
2
3
4
1,

2,

3
4
REFLECTAT
1,

2,

3,

4
4
REFLECTAT
Reele de difracie tip BRAGG cu fibr optic 191 191 191 191 191
Reeaua de difracie cu fibr optic poate fi acordat la o anumit lungime de
und, dac se modific perioada cu care apar variaiile indicelui de refracie, lucru
care se poate realiza fie mecanic fie termic. Mecanic, nseamn c fibra este alungit
sau comprimat, iar termic nseamn c se modific temperatura fibrei. Acestea
sunt de fapt principiile care stau la baza funcionrii senzorilor cu fibr pentru a
determina fore mecanice sau temperaturi, dar i a filtrelor acordabile.
n acest capitol au fost prezentate tehnicile de baz pentru comunicaiile
bidirecionale n sisteme multiterminale prin intermediul tehnologiilor cu fibr
optic. Utilizarea fibrelor optice crete interesul pentru sistemele multiterminale.
Dintre arhitecturile de reele pe care le poate utiliza, proiectantul unui astfel de
sistem de comunicaie trebuie s aleag varianta cea mai bun. Proiectantul trebuie
s ia n considerare, cantitatea de fibr necesar precum i pierderile ce pot apare
n sistem. De exemplu la un anumit numr de terminale configuraia n T, necesit
mai puin fibr optic dect configuraia n stea i ntr-un sistem de comunicaie
ce acoper o suprafa mare este foarte important reducerea lungimii cablului de
fibr optic ceea ce nseamn c implementarea fizic a terminalelor va determina
cantitatea de fibr necesar i configuraia optim a reelei.
Pierderile ntr-o reea n T, cresc mult mai repede dect ntr-o reea n stea i
din acest punct de vedere este mai avantajoas configuraia n stea dar i prin
aceea c puterea recepionat i debitat, este aceeai la fiecare terminal.
ntr-o reea n T, puterea recepionat de la diferii receptori este diferit iar
receptorii trebuie s fie sensibili la un domeniu larg al puterilor de la intrare.
Problemele legate de nivelul puterilor, att la intrare ct i la ieirea unui
sistem n orice configuraie, se rezolv prin introducerea repetorilor dei prin
aceasta crete complexitatea i costul sistemului.
Multiplexarea crete cantitatea de informaie ce poate fi transmis prin
intermediul unei fibre prin faptul c este posibil propagarea simultan a mai
multor purttori cu frecvene din domeniul optic. n sistemele multiterminale
ns, creterea de cantitate de informaie, compenseaz faptul c n acestea trebuie
s fie mult mai multe complexe.
n concluzie, sistemele complexe cu fibr optic, necesit o proiectare optim
pentru distribuia semnalului optic i i-au gasit aplicaii att n reelele de tip
LAN dar i prin faptul c s-au dezvoltat orae acoperite n ntregime cu reele din
fibr optic pentru a transmite informaii rapid i eficient.
192 192 192 192 192 Capitolul 11 Modularea optic
Capitolul 11 Modular Modular Modular Modular Modularea optic ea optic ea optic ea optic ea optic
n optoelectronic modularea semnalului optic mprumut din tehnicile de
modulare ale semnalului electronic. n afara analogiei cu electronica, semnalul
optic mai are i cteva particulariti pe care le vom pune n eviden.
11.1. Circuite de modulare cu LED-uri
Modularea analogic
n figura 11.1 este prezentat schema de modulare analogic i cerinele
minime pentru a realiza aceast modulare cu ajutorul diodei electroluminescente.
Modularea analogic necesit o polarizare a diodei n curent continuu, pentru a
avea ntotdeauna un curent rezultant astfel nct dioda s fie polarizat direct.
n lipsa acestuia, sau la o valoare necorespunztoare a curentului, partea negativ
a semnalului este tiat (redresat).
Fig. 11.1 Modularea analogic cu ajutorul unui LED
P
dc
P
u
t
e
r
e
o
p
t
i
c
a
Curent
Timp
I
dc
P
SP
Timp
i
S
I
SP
Circuite de modulare cu LED-uri 193 193 193 193 193
Curentul total n diod este:
t sin I I i
SP dc
+ (11.1)
iar puterea optic corespunztoare la ieire este:
t sin P P P
SP dc
+ (11.2)
unde
SP
P este puterea semnalului la vrf i o denumim ca fiind puterea n curent
alternativ, vezi figura 11.2.
Fig.11.2 a) variaia curentului prin LED b) puterea optic la ieire
Dac i este curentul prin LED, atunci numrul de sarcini pe unitatea de timp
este e i N , unde e sarcina electronului. Dac este fraciunea de sarcini care
se recombin i produc fotoni, puterea optic la ieire va fi:
i
e
E
NE P
g
g

(11.3)
unde
g
E lrgimea benzii interzise, este dat n Jouli.
Datorit relaiei de liniaritate dintre puterea optic i curentul prin dioda
electroluminescent, variaiile de curent de la intrare sunt urmrite la ieire,
prin variaia puterii optice. Sursa optic, LED-ul, poate restriciona viteza de transfer
a informaiei. La frecvene de modulare mici,
SP 1 SP
I a P unde i P a
1
(panta
curbei din figura 11.1). La frecvene mari, jonciunea i capacitile parazite,
scurtcircuiteaz rapid curentul reducnd puterea de curent alternativ. Principala
limitare n modularea la frecven nalt este , timpul de via al purttorilor,
adic timpul mediu necesar sarcinilor injectate de a se recombina. Curentul de
modulare, trebuie s se modifice lent n comparaie cu . Rspunsul LED-ului la
un semnal electric de pulsaie este:
2 2
SP 1
SP
1
I a
P
+
(11.4)
La valoarea lui 1 , puterea n curent alternativ se reduce cu un factor de
0.707. La receptor, curentul generat de detector este proporional cu puterea
Timp
I
dc
+I
SP
I
dc
I
dc
-I
SP
C
u
r
e
n
t
Timp
P
dc
+P
SP
P
dc
P
dc
-P
SP
P
u
t
e
r
e
o
p
t
i
c
a
a) b)
optic. Atunci cnd puterea optic se reduce cu 0.707, curentul alternativ detectat,
va scdea i el cu acest factor, iar puterea electric n receptor (care este
proporional cu ptratul curentului) va scdea cu 5 . 0 707 . 0
2
(adic o atenuare
cu dB 3 ). Din acest motiv numim, 1 , ca fiind modulare cu lungime de band
la dB 3 a LED-ului, sau lrgimea de band electric de dB 3 a acestuia. n uniti
de frecven, heri, lrgimea de band la dB 3 este:
2
1
f
dB 3
(11.5)
LED-urile comerciale au valori de lrgimi de band ntre MHz 100 1 , iar cele
speciale valori peste MHz 300 . Pentru determinarea performanelor modulrii
se utilizeaz forme de und sinusoidale, reprezentate fie de o funcie sinus, fie
de una cosinus.
Factorul de modulare
'
m este raportul dintre amplitudinea curentului
alternativ i valoarea curentului continuu.
dc
SP '
I
I
m
(11.6)
Valorile amplitudinilor se modific n intervalul
SP dc
I I + i
SP dc
I I . Factorul
'
m are valoarea egal cu unitatea cnd
SP dc
I I , deoarece
SP
I poate avea cea mai
mare valoare atunci cnd
dc
I este jumtate din curentul maxim permis prin diod.
Factorul de modulare optic m este dat de raportul puterilor
dc
SP
P
P
m
(11.7)
i vom putea scrie c ( ) t sin m 1 P P
dc SP
+ . De unde, prin combinarea relaiilor
de mai sus avem:
2 2
1
' m
m
+
(11.8)
relaie care ne arat modul n care factorul de modulare optic descrete cu
frecvena de modulare. Pentru 1 << (modulaie cu mult sub lrgimea de band
a LED-ului la dB 3 ),
'
m m .
Dintre diversele circuite cu modulare analogic a unui LED l descriem pe cel
din figura 11.3 unde curentul de colector
C
i al tranzistorului, este cel care trece
prin LED. ntr-un amplificator convenional, n locul LED-ului se pune o rezisten
de sarcin
S
R , iar rezistena
e
R se pune n paralel cu un capacitor. Pentru a
nelege modul de operare al modulatorului s considerm caracteristica curen-
tului de colector, n funcie de tensiunea colector emitor a tranzistorului, prezentat
n figura 11.4. Tensiunea de alimentare
dc
V , rezistorii
a
R i
b
R dau curentul de
polarizare a bazei
B
I , care va polariza direct jonciunea baz-emitor, ceea ce va
face ca prin colector s avem un curent (n aceast analiz, cu litere mari vom
nota valorile n curent continuu).
Curentul de colector rezultant este
B C
I I unde este factorul de amplificare
n curent al tranzistorului, dar
C
I este chiar curentul ce polarizeaz LED-ul, notat
dc
I n relaia (11.1). Fr semnal de intrare, tranzistorul lucreaz n punctul Q al
caracteristicii. Aceasta se ntmpl n cazul amplificrii, n clasa A, definit prin
aceea c punctul de funcionare Q este mult peste curentul de colector de tiere.
Tierea curentului apare atunci cnd curentul de baz scade la 0.
Semnalul de tensiune de la intrare
IN
V , produce un curent de baz, variabil
care se adun cu curentul
B
I . Curentul de colector variabil n timp, este replic a
curentului alternativ din baza tranzistorului. Punctul Q este astfel ales, nct
curentul total n baz s nu produc tierea curentului de colector, dar nici s
duc tranzistorul la saturaie, ca n cazul unui curent de colector prea mare.
Rezistorul
e
R , stabilete punctul de lucru al tranzistorului.
Aplicaia 1
S presupunem c avem un tranzistor cu siliciu a crui caracteristic este prezentat n
figura 11.4 cu valorile rezistenelor, k 2 R
a
, k 5 R
b
, 50 R
IN
i 60 R
e
,
alimentat la o tensiune V 5 V
dc
. Aa cum se vede i din figura 11.3 avem pentru
valoarea aproximativ de 40. Cderea de tensiune
0
V , n polarizare direct a jonciunii
emitor-baz este de V 6 . 0 pentru tranzistorii cu siliciu i V 2 . 0 pentru cei cu germaniu.
Rezistena echivalent
1
R , a lui
a
R i
b
R este:
b a
b a
1
R R
R R
R
+
Aceti doi rezistori dau natere unei tensiuni echivalente:

V 75 . 3 V
R R
R
V
dc
b a
b
1

+
Fig. 11.3 Modulator analogic Fig. 11.4 Caracteristica

CE c
V i a unui tranzistor
V
dc
C
R
a
i
e
LED sau R
S
i
C
R
in
e
i
B
R
e
V
IN
R
b
1 2 3 4 5
10
20
30
40
50
60
250
500
750
1000
1250
i
B
= 1500 A
curentul din baz
0
V
CE
(V)
i
C

(
m
A
)
d
r
e
a
p
t
a

d
e
s
a
r
c
i
n
Q
n serie cu
1
R . Curentul de colector este:
( )
( )
mA 5 . 30
R 1 R
V V
I
e 1
0 1
C

+ +

i deci curentul de baz va fi:

A 763 I I
C B
.
Dreapta de sarcin este determinat de relaia:
dc d CE e C
V v v R i + +
unde
d
v este tensiunea pe diod, iar valoarea mic a curentului de baz prin
rezistena
e
R , va face ca acesta s fie ignorat, i vom presupune c
C E
i i .
Tensiunea
d
v este aproape constant pentru curenii de polarizare de ordinul
mA i o lum n calcul cu valoarea de V 4 , 1 astfel c relaia pentru dreapta de
sarcin devine:
6 , 3 v R i
CE e C
+
Vom putea deci s gsim coordonatele diferitelor puncte pe aceast dreapt,
cnd 0 v
CE
atunci mA 60 60 6 , 3 i
C
de unde rezult coordonata punctului
superior de pe dreapta de sarcin. Pentru punctul Q, mA 31 I i
dc c
astfel c
( ) V 7 , 1 60 031 . 0 6 , 3 v
CD
, cele dou puncte putnd determina dreapta de
sarcin. Se poate vedea c, pentru curentul de baz nu putem avea valori mai
mari de A 1400 pentru ca s nu se satureze curentul de colector, ceea ce corespunde
unui curent maxim de colector de mA 55 . Amplitudinea curentului de semnal este
mA 24 31 55 I
SP
rezultnd un factor de modulare 8 , 0 31 24 m
'
aceasta
nsemnnd c circuitul lucreaz cu o modulare de aproximativ % 80 .
Modulatorii analogici trebuie s dea natere unei variaii de putere optic,
care s reproduc ct mai bine forma de und a mrimii de intrare fie ea curent,
sau tensiune. Aa cum s-a mai precizat neliniaritile apar, fie datorit
caracteristicii putere-curent, fie datorit jonciunii, a nclzirii ei.
Neliniaritatea LED-ului se poate cerceta modelnd caracteristica de ieire
printr-o relaie de forma:
2
s 2 s 1 dc
i a i a P P + + (11.9)
unde
s
i este curentul de semnal i
dc
P , puterea produs de curentul continuu
constant. Ultimul termen exprim neliniaritatea, dac se dorete precizie mai
mare pot fi adugai termeni n care
s
i apare la valori de ordinul 3, 4. .a. Pentru
o valoare a curentului de intrare t sin I i
s
, puterea optic produs este:
t 2 cos I a 5 , 0 t sin I a I a 5 , 0 P P
2
2 1
2
2 dc
+ + (11.10)
Ultimul termen, ce oscileaz cu o frecven dubl fa de semnalul de intrare,
este distorsia parazit a armonicii de ordinul doi. Se definete distorsia armonicilor
totale (total harmonic distortion THD) n funcie de puterea electric la receptor:
lei fundamenta a electrica puterea
r armonicelo a electrica puterea
THD (11.11)
Deoarece puterea electric este proporional cu ptratul puterii optice
incidente, THD poate fi scris i ca:
( )
( )
2
2
lei fundamenta a optica puterea
r armonicelo a optica puterea
THD (11.12)
iar cnd este exprimat n dB avem:
THD log 10 THD
dB
. (11.13)
Pentru o singur intrare sinusoidal gsim:
2
1
2
a
I a
25 , 0 THD
(
(
,
\
,
,
(
j
(11.14)
Valorile distorsiunilor sunt cuprinse ntre dB 60 30 sub nivelul semnalului.
Pentru un curent t sin I t sin I i
2 2 1 1 s
+ , ce are dou componente de frecven,
avem la ieire o putere:
[ ] t ) cos( t ) cos( I I a ) t 2 cos I t 2 cos I ( a 5 , 0
) t sin I t sin I ( a ) I I ( a 5 , 0 P P
2 1 2 1 2 1 2 2
2
2 1
2
1 2
2 2 1 1 1
2
2
2
1 2 dc
+ + +
+ + + +
(11.15)
n afara armonicelor, spectrul de putere mai conine combinaia frecvenelor
de intrare (suma i diferena lor n acest caz). Aceste combinaii dau ceea ce se
numete distorsie de intermodulare. n sistemele multicanal, ca de exemplu
un cablu de televiziune cu distribuie de programe n reea, n care avem nume-
roase frecvene purttoare, intermodulaia poate cupla puterile ntre canale;
bineneles c se caut ca aceste efecte s fie minimizate pentru a preveni suprapu-
nerea imaginilor de la diferite canale.
Problema neliniaritilor, se aplic i n cazul diodei laser, atunci cnd ea
lucreaz la cureni peste valoarea de prag.
n principal, sursele de lumin sunt cele ce produc neliniaritile ntr-un sistem
cu fibr optic, deoarece fotodetectorii au caracteristici de liniaritate foarte bune,
iar circuitele de transmisie i recepie cu tranzistor, pot fi proiectate cu caracteristici
de liniaritate extrem de bune. Fibra nsi mai poate introduce o distorsiune, de
altfel neglijabil, a formei de und analogice.
Modularea digital
Spre deosebire de modularea analogic, cea digital nu necesit existena
curentului de polarizare. Modularea digital este prezentat n figura 11.5.
Dioda este modulat de o surs de
curent, care stinge i aprinde, LED-ul.
Circuitul digital pur i simplu stinge
i aprinde LED-ul. n starea OFF (stins)
emisia de lumin a LED-ului este mic
rezultnd un raport de puteri ON/OFF
(aprins/ stins) mare. n starea ON
(aprins) este de dorit ca prin LED
curentul s fie independent de mri-
mea semnalului de intrare, astfel c
puterea de ieire va fi aceeai pentru
orice puls, chiar dac la intrare
semnale succesive au o mic variaie.
Circuitul prezentat n figura 11.6
prezint dou modaliti pentru a
ilustra cele de mai sus.
Pentru circuitul serie, figura 11.6a), comutatorul deschis stinge LED-ul; la
nchiderea lui i va aprea un curent:

R
v V
I
d dc

(11.16)
unde v
d
este cderea de tensiune pe diod n polarizare
direct, iar R i tensiunea de alimentare
dc
V ,vor
determina curentul pentru un anumit tip de diod.
Un comutator ideal (cu rezisten neglijabil i astfel
cdere de tensiune neglijabil pe el) nu va afecta
amplitudinea curentului. Rezistena R funcioneaz
ca un limitator, protejnd dioda de curenii excesivi.
Modulatorul cu comutatorul n paralel, cu dioda i
rezistena R legate n serie, figura 11.6b, funcioneaz similar cu circuitul seriei.
nchiznd comutatorul, acesta va unta LED-ul, trecnd curentul la mas.
Deschiznd comutatorul tot curentul va trece prin ramura ce conine LED-ul,
aprinzndu-l.
n circuitele practice se utilizeaz tranzistori pentru a realiza mecanismul de
comutaie.
n figura 11.7 este prezentat o schem cu tranzistor pentru un modulator
digital serie. Caracteristica tranzistorului ce lucreaz n regim de comutaie este
prezentat n figura 11.8. Se observ c avem un curent de colector mic, atunci
cnd curentul n baz este zero (corespunznd unui comutator deschis) i c
tensiunea colector-emitor este mic (mai mic de 0,3 V) cnd curentul de baz
este mare (condiie corespunznd comutatorului nchis). Pentru condiia ON
(aprins) curentul
C
I este:
Fig. 11.6 Modulatoridigitali
a) serie, b) paralel
V
dc
LED
S
R
V
dc
LED
S
R
a) b)
Fig. 11.5 Modularea digitala cu LED
P
u
t
e
r
e
o
p
t
i
c
a
Curent
Timp
Timp
Puterea optica la iesire
i
R
3 , 0 v V
I
d dc
c

(11.17)
i este destul de apropiat de relaia (11.16) care este una pentru un circuit ideal. Pe
lng comutaie, tranzistorul are i avantajul amplificrii semnalului. Un curent mic
(de aprox. mA 1 ) controleaz curentul din LED de ordinul mA 100 50 . Rezistenele
R
1
i R
2
sunt alese pentru adaptarea de impedan dintre semnal i tranzistor.
Capacitatea C de la intrare, mrete viteza circuitului. Acest modulator poate
lucra pn la frecvene de 30 MHz.
Aplicaia 2
Pentru modulatorul cu comutator serie s gsim curentul prin diod i curentul prin
baza tranzistorului necesar pentru a avea starea ON (LED aprins). Vom folosi
caracteristica tranzistorului din figura 11.8 iar cderea de tensiune pe diod o considerm
ca fiind 1,4 V. Fie V 5 V
dc
i valoarea lui 45 R .
S calculm dreapta de sarcin, considernd c ecuaia ce o descrie este:
dc d CE C
V v v R i + + (11.18)
Cnd 0 v
CE
avem i
C
= 80 mA, iar cnd 0 i
C
, V 6 , 3 v
CE
. Unind aceste dou
puncte obinem dreapta desenat n figura 11.8 iar punctul de funcionare va
trebui s fie situat pe aceasta, excepie fcnd cazul n care se lucreaz la cureni
mici, cnd i tensiunea pe diod cade la zero. n cazul n care curentul prin baz
este zero, curentul de colector este i el zero i ntreaga tensiune de alimentare
cade pe tranzistor i avem c V 5 V v
dc CE
aa cum reiese i din figura 11.8. n
starea ON (aprins) curentul de baz trebuie s fie suficient de mare astfel nct
Fig. 11.7 Modulator digital
cu tranzistor
Fig. 11.8 Caracteristica tranzistorului n comutaie
V
dc
C
R
1
b
LED
c
e
i
B
R
2
i
C
V
in
R
1 2 3 4 5
100
20
ON
40
80
60
0
0.4
0.8
1.2
1.6
i
S
= 2 mA
0
V
CE
(V)
i
C

(
m
A
)
D
r
e
a
p
ta
d
e
s
a
r
c
in
a
i
C
OFF
0.3
micile variaii ale amplitudinii de la intrare s nu influeneze curentul de colector,
din figur reiese c acest lucru se ntmpl cnd mA 6 , 1 i
B
. Curentul de colector
este saturat (adic nu crete la creterea curentului din baz) pentru acei cureni
de baz care satisfac condiia de mai sus i se calculeaz cu relaia 11.17:
mA 73
45
3 , 0 4 , 1 5
I
c

Att timp ct mA 6 , 1 i
B
, curentul prin diod (i puterea optic), va fi acelai
pentru toate impulsurile de la intrare.
11.2 Circuite i metode de modulare cu dioda laser
n schemele de modulare, dioda laser, pune proiectantului mai multe probleme
dect cele cu LED.
Problemele ce apar se datoreaz:
a) existenei curentului de prag;
b) dependena curentului de prag de fenomenul de mbtrnire a diodei laser;
c) dependena de temperatur a curentului de prag;
d) dependena de temperatur a emisiei de lumin cu lungimea de und.
Sistemele digitale lucreaz in general, pentru starea OFF, chiar sub curentul
de prag. Curentul continuu este
prag dc
I I . Lucrul cu cureni n apropierea celui
de prag, minimizeaz ntrzierea care ar putea apare la comutarea n starea ON.
i n acest caz, modularea analogic necesit un curent de polarizare peste cel
de prag pentru a lucra n regiunea liniar. Creterea curentului de prag datorit
mbtrnirii sau a dependenei de temperatur va duce la descreterea puterii
de ieire, dac curentul va rmne acelai.
Modificrile purttoarei de lumin sunt de ordinul C / nm 2 . 0
o
, ceea ce
nseamn o modificare de frecven de C / GHz 89
o
la lungimea de und nm 82 . 0 .
n anumite aplicaii aceast modificare este nesemnificativ dar pentru altele ea
poate fi important.
Pentru legturi (transmisii) ce funcioneaz n apropierea dispersiei minime
a lungimii de und, o deplasare fa de lungimea de und optim scade lrgimea
de band a sistemului. Sistemele cu multiplexare de lungimi de und necesit
de asemenea un grad nalt de stabilitate a purttoarei, pentru a minimiza
interferenele (crosstalk-ul) dintre canalele adiacente. Dependena de temperatur
poate fi evitat prin rcirea diodei, avndu-se n vedere fie o rcire termoelectric,
fie prin includerea n materiale cu capacitate caloric mare.
Variaiile de curent de prag pot fi corectate prin creterea (sau descreterea)
curentului continuu pentru a compensa dependena de temperatur, sau
dependena de mbtrnire a acestuia. Acestea se pot realiza automat prin control
cu reacie invers.
Circuite i metode de modulare cu dioda laser 201 201 201 201 201
Prezentm tehnicile de baz att pentru modularea analogic ct i pentru
cea digital fr a ine cont de cele dou tipuri de dependene ale curentului de
prag: temperatur i mbtrnire.
Modularea analogic
Circuitul din figura 11.3 (n care a fost descris modularea analogic cu ajutorul
unui LED) este identic i pentru modularea cu diod laser. Am artat c pentru
LED valoarea curentului ar fi mA 31 . O diod laser DL, poate avea curentul de
prag mA 75 i necesit un curent de polarizare de mA 25 ceea ce nseamn c
avem nevoie de un curent total de mA 100 . Curentul adiional poate fi dat de o
surs de curent continuu cu impedan mare, conectat direct la diod (la
colectorul tranzistorului din figura 11.4). O bobin plasat n serie cu aceast
surs, decupleaz circuitele de curent alternativ de cele de curent continuu. i n
acest caz se pune problema liniaritii. nclzirea jonciunii DL produce deviaii
de la liniaritate ale caracteristicii putere-curent peste curentul de prag. Pentru o
diod laser bun se accept distorsiuni pn la dB 30 .
Modularea digital
n figura 11.9 este prezentat o schem
pentru modulaie digital la viteze mari
utiliznd un tranzistor MESFET GaAs,
utilizat la viteze de ordinul s / Gb 1 .
Circuitul este proiectat ca modulator
cu comutaie paralel. Tensiunea pe
poarta tranzistorului MESFET
GS
v (fie
zero, fie negativ) controleaz fluxul de
curent n circuit. Cnd
GS
v este mic,
rezistena canalului DRENA-SURSA este
mic, iar o tensiune negativ de valoare
mare va determina ca rezistena ca-
nalului s fie mare. n starea OFF
tensiunea pe poart este mic, permi-
nd ca o parte din curentul ce trece
prin R
1
s evite ramura ce conine dioda
laser i aceasta va trece prin tranzistor.
Tensiunea pe poart este calculat
astfel nct curentul prin diod s fie
aproape de valoarea lui de prag. O
cretere a tensiunii pe poart (cretere
spre valori negative) determin ca dioda laser s emit lumin. n acest din
urm caz curentul de la sursa de alimentare va trece prin dioda laser datorit
faptului c tranzistorul MESFET va prezenta o rezisten mare. Tensiunea pe
diod (de obicei sub 2 V) este mai mic dect
DS
v (tensiunea drensurs)
necesar tranzistorului MESFET. Rezistorul R n serie cu dioda, asigur pentru o
Fig. 11.9 Modulator digital cu DL
V
dc
C
D
LED
G
S
R
1
I
1
V
GS
R
I
GaAs
MESFET
anumit tensiune
DS
v funcionarea diodei n starea ON/OFF. i aici capacitatea
C, mbuntete viteza de comutare a circuitului.
Pentru modulatorii digitali, nu se pune problema liniaritii caracteristicii
diodei laser, dar se iau precauii ca s existe prin diod un curent constant (i
astfel putere optic transmis, s fie constant) la fiecare puls, lucru pe care
circuitul din figura 11.9 l realizeaz. Cnd
GS
v este mare, curentul de dren
D
I
este aa de mic nct nu afecteaz valoarea I, a curentului prin dioda laser, astfel
nct aproape tot curentul dat de ctre sursa de alimentare trece prin diod. n
aceste condiii sursa de tensiune i rezistorii
1
R i R determin curentul prin
dioda laser, adic, curentul din dioda laser n starea ON nu depinde de tensiunea
GS
v att timp ct aceast tensiune este mai mare dect un nivel minim.
11.3 Formate de modulare analogic
Pn acum am artat modul cel mai simplu de modulare analogic, transmisia
variaiei unui curent sinusoidal singular. Transmisia n banda optic utilizeaz
semnalul purtat de fascicolul de lumin, modulat la frecvenele din banda de
baz a semnalului. De exemplu, banda de baz pentru comunicaii pe purttoare
optic pentru un singur canal, a unui semnal vocal, ar trebui s conin frecvene
de modulare de la civa zeci de hertzi pn la KHz 4 . Deoarece puterea optic
se modific n funcie de curentul de intrare, vom numi acest tip de modulare,
modulare n intensitate IM (Intensity Modulation). Modularea n intensitate
este diferit de modularea n amplitudine AM (Amplitude Modulation), utilizat
pentru o purttoare din domeniul radio-frecven, cnd amplitudinea purttoarei
i nu puterea ei, variaz proporional cu informaia purtat de und. n majoritatea
cazurilor n sistemele cu fibr optic se folosete acest tip de modulare, IM,
excepie fcnd cazul cnd se utilizeaz modularea n frecven a sursei optice.
Exist i alte formate de modulare analogic, i pentru a le pune n eviden
vom rescrie relaiile (11.1-11.2) astfel:
t cos I I i
m S O
+ (11.19)
t cos P P P
m S O
+ (11.20)
unde
O
I este curentul total,
m
este frecvena de modulare, iar
O
P , puterea optic
medie. Aceste relaii se aplic att pentru LED-uri ct i pentru diodele laser. n
toate cazurile pe care le discutm, curentul
O
I este ales astfel ca s ne situm pe
poriunea liniar a caracteristicii putere-curent a sursei.
Modularea cu subpurttoare AM/IM
Modularea n amplitudine, plaseaz mesaje, semnale a cror frecvene sunt
mult mai mari dect cele coninute n banda de baz. Forma de und rezultant
are un spectru n jurul frecvenei purttoarei sau altfel spus, modularea n
amplitudine AM, deplaseaz banda de baz ntr-o nou regiune a spectrului
electromagnetic. Staiile de radio AM emit pe diferite purttoare de frecvene
astfel c ele pot fi recepionate individual prin utilizarea filtrelor acordabile pe
Formate de modulare analogic 203 203 203 203 203
frecvenele purttoarei. Dup recepionarea semnalului, acesta este demodulat
i adus n domeniul de frecvene iniial. Modularea n amplitudine a unui singur
semnal sinusoidal poate fi scris ca:
( ) t cos t cos m 1 I i
p m S
+ (11.21)
unde
p
este frecvena purttoarei. Pentru a avea semnalul nedistorsionat trebuie
ca 1 m iar o modulare % 100 nseamn 1 m .
Spectrul semnalului este prezentat n figura 11.11 iar n figura 11.12 sunt
prezentate formale de und ale semnalelor.
La relaia 11.21 se poate aduna i curentul continuu de polarizare
O
I . Astfel
obinem o surs optic ce va produce modularea n intensitate a fascicolului de
lumin, datorit semnalului modulat n amplitudine, acesta fiind principiul
modularii AM/IM.
Modularea AM/IM d natere unei puteri optice:
( ) t cos t cos m 1 P P P
p m S O
+ + . (11.22)
Curentul detectat, fiind proporional cu puterea optic are aceeai forma ca
n relaia 11.22, adic pentru curentul detectat trebuie s utilizm la recepie
circuite care s demoduleze acest curent.
Avem avantajul c purttoarea optic oscileaz foarte rapid, n comparaie
cu subpurtatoarea RF care este mai lent.
Multiplexarea prin divizarea-frecvenei
Prin modularea subpurttoarei pot fi transmise simultan de-a lungul fibrei
mai multe mesaje. Fiecare mesaj trebuie s moduleze cte o subpurttoare iar
spectrul acestora trebuie s nu se suprapun, adic s se situeze pe canale
adiacente, altfel se produc interferene. Aa cum rezult i din figura 11.11,
fiecare canal ocup o lrgime de band egal cu, dublul celei mai mari frecvene
Fig. 11.11 Spectrul undei modulate
n amplitudine
Fig. 11.12 Formele de und pentru
modularea n amplitudine
m p

p
m p
+
0
Frecventa
Banda de baza
Purtatoarea
Purtatoare
modulata in
ampltudine
de modulaie, adic o jumtate de band se situeaz deasupra subpurttoarei,
cealalt dedesubt i de aceea alegnd lrgimea de band dublul frecvenei se va
evita suprapunerea semnalelor. Dup fotodetecie, ele vor fi separate prin filtrare
de ctre receptor. Numrul de subpurttoare i deci de canale este limitat de
lrgimea de band a fibrei optice. Transmisia simultan a mai multor mesaje
utiliznd subpurttoare de radio frecven se face prin intermediul multiplexrii
prin divizarea frecvenei FDM (Frequency-Division Multiplexing). FDM este
diferit fa de multiplexarea prin divizarea lungimii de und, descris n capitolul
anterior, unde s-au folosit diferite purttoare optice pentru a separa canalele de
transmisie. Pentru creterea numrului de mesaje transmise se pot folosi ambele
tipuri de multiplexare. Sistemul astfel proiectat ar trebui sa aib cteva surse,
fiecare cu lungimi de und diferit i fiecare intensitate s fie modulat de ctre
curentul modulat cu frecvena multiplexat.
Apar i n acest caz cteva probleme legate de neliniaritatea caracteristicii
putere-curent care duce la apariia unui cuplaj ntre canale (crosstalk). Oricare
ar fi neliniaritile din sistem (circuitul de transmisie, fotodetector sau cel de
recepie) acestea trebuie evaluate i minimizate pentru a reduce cuplajul. Mai
mult dac mai multe canale moduleaz o surs, atunci curentul din fiecare surs
trebuie s fie adaptat, pentru ca s avem un curent total prin care s se menin
caracteristica liniar a emitorului. Proiectantul trebuie s se asigure c vrful
de curent, prin combinarea mai multor canale, trebuie s rmn mai mic dect
cel suportat de surs, altfel aceasta se va distruge. Dar exist i aspectul c, prin
reducerea curentului pe fiecare canal se micoreaz i cantitatea de putere transmis
pentru fiecare din semnalele transmise. Calitatea semnalului va fi afectat nu
numai de reducerea puterii transmise dar i de pierderile care apar n cuplori,
conectori, sau orice alt component. n ciuda acestor dificulti, cablurile de
televiziune au folosit cu succes transmisia de tip AM FDM. Modularea n
amplitudine, AM, utilizat n televiziune, are avantajul fa de modularea in
frecven FM sau digital, c nu mai este necesar conversia din formatul AM a
semnalului iniial, cnd acesta ajunge la receptorul TV convenional i de asemenea
un semnal modulat AM ocup o lrgime de band mai mic dect prin modularea
FM sau digital. Deoarece costurile echipamentelor de conversie digital vor scdea,
ne ateptm ca s creasc sistemele de transmisie digital n televiziune.
Modularea cu subpurttoare FM/IM
n sistemele convenionale de modulare n frecven FM, ce lucreaz la
frecvene radio, informaia transmis este coninut n faza undei purttoare,
curentul putnd fi descris de o relaie de forma:
( ) [ ] t t cos I i
p S
+ (11.23)
i unde mesajul este descris de variaia n timp a fazei undei, .
Dac modularea se face cu o singura sinusoid la frecvena, 2 f
m m
,
curentul ia forma:
Formate de modulare analogic 205 205 205 205 205
( ) t sin t cos I i
m p S
+ (11.24)
unde este coeficientul de modulare.
Spectrul unui semnal modulat FM, ocup o regiune din jurul frecvenei
purttoarei, 2 f
p p
iar spectrul are o lrgime de band total de:
B 2 f 2 B
T
+ (11.25)
unde B este lrgimea de band, n banda de baz (egal cu
m
f pentru o singur
sinusoid) iar f este deviaia maxim de frecven i este dat de relaia:
m
f f (11.26)
m
f fiind cea mai mare frecven de modulare din mesaj. n cele mai multe cazuri,
lrgimea de band, n banda de baz este egal cu cea mai mare frecven de
modulare
m
f , astfel c:
( ) + 1 f 2 B
m T
(11.27)
Pentru valori mici ale factorului de modulare, 1 << , lrgimea de band total
a sistemului este tocmai
m
f 2 , aceeai, ca i n cazul sistemelor modulate n
amplitudine. Pentru valori mari ale lui , spectrul semnalului modulat n frecven
l depete cu mult pe cel al semnalului modulat n amplitudine.
Adugnd un curent continuu, relaiei (11.23) sau (11.24), i modulnd n
intensitate o surs optic (IM Intensity Modulation), va rezulta o modulare pe
subpurttoare FM/IM. Pentru o singur und sinusoidal, puterea optic se
modific astfel:
( ) t sin t cos P P P
m p S o
+ + (11.28)
Curentul detectat are aceeai form ca i puterea optic. Informaia coninut
de faza semnalului este extras prin intermediul circuitelor de demodulare n
frecven convenionale.
Prin utilizarea modulrii FM/IM se pot minimiza efectele neliniaritilor mult
mai bine dect n cazul modulrii AM/IM deoarece informaia este extras din
faza undei, nu din amplitudinea ei. Dac lrgimea de band este de MHz 10 se
pot transmite prin fibr optic n cazul modulrii FM/IM semnale de televiziune
de mare calitate.
Simultan se pot transmite mai multe canale modulate n frecven prin
multiplexarea cu divizare de frecven, n acelai mod ca i n cazul modulrii
n amplitudine cu subpurttoare. Deoarece lrgimea de band FM este mai
mare numrul mesajelor transmise este mai mic dect n banda AM i este
limitat de domeniul de frecvene transmise de ctre fibra optic. Subpurttoarele
FM trebuie s fie separate la distane egale cu lrgimea de band
T
B dat de
relaia (11.27).
11.4 Formate de modulare digital
Mesajele transmise n format analogic pot fi codificate pentru transmisia
digital. Utilizarea transmisiei digitale are cteva avantaje printre care amintim:
1. LED-urile i diodele laser, DL, pot fi comutate rapid ceea ce nsemn lrgimi
de band mari, att fibrele optice ct i fotodetectorii avnd lrgimi de band
mari. Astfel sistemele cu fibr optic pot lucra la viteze de date comparabile
cu cele necesare aplicaiilor n domeniul video.
2. Semnalele analogice pe fibra optic sunt degradate de neliniaritile din dioda
laser sau de cele corespunznd caracteristicii putere-curent. Semnalele digitale
sunt mai puin afectate de aceste neliniariti deoarece se folosesc doar dou
cel mult trei nivele de putere i unul din ele este zero. Spre deosebire de
transmisia analogic unde forma undei trebuie s se pstreze cu precizie, n
transmisia digital receptorul constat doar existena impulsului n fiecare
interval al bitului transmis nu i forma impulsului.
3. Pentru minimizarea erorilor sistemele digitale utilizeaz coduri de verificare
de eroare i transmisia redundant a informaiei pentru a minimiza erorile.
4. Legturile optice digitale sunt compatibile cu sistemele digitale ne-optice. De
exemplu, o reea de conectare cu microprocesoare lucreaz numai cu semnale
digitizate dar o astfel de reea poate avea legturi att cu cabluri de srm ct
i cu cabluri de fibr optic. n orice aplicaie ce genereaz date n format
digital, se prefer legtura digital n locul celei analogice.
5. Impulsurile digitale pot fi uor regenerate de ctre repetori, care vor reforma
impulsul ce intra n sistem i l vor amplifica astfel nct s fie eliminate att
atenurile ct i distorsiunile acestuia. Prin introducerea repetorilor se pot
construi legaturi pe fibr optic pe distane de ordinul miilor de kilometri. i
semnalele analogice pot fi amplificate de ctre repetori, dar forma de und a
lor nu mai poate fi restaurat aa de uor ca n cazul digital i de aici preferina
de a avea transmisii digitale.
6. Lrgimea de band pentru transmisia digital poate fi redus prin tehnici de
comprimare.
7. Sistemele digitale dau natere la semnale cu o calitate mult mai bun dect
cele analogice, chiar i la distane mari. Cerinele principale fiind creterea
calitii semnalelor transmise pe distane lungi.
Prezentm n continuare cteva procedee de codificare a semnalelor digitale,
compatibile cu transmisia pe fibr optic.
Pulse-Code Modulation Modulare codurilor de pulsuri PCM
Considernd preluarea termenilor din electronica digital, cei referitori la
codificare fr trecere prin zero (non-return-to-zero, NRZ) i cu trecere prin zero
(return-to-zero, RZ), prezentm n figura 11.13 exemple privind modularea PCM.
Deoarece modularea optic PCM nseamn comutarea sursei optice on-off
(deschis-nchis) ea se mai numete i On-Off Keying (OOK).
Formate de modulare digital 207 207 207 207 207
Spectrul unui tren de impulsuri NRZ, conine o component de curent continuu
mare. Valoarea acesteia ntr-o perioad de timp scurt depinznd de valoarea
datelor. O serie de valori 1, are o component de curent continuu mai mare
dect un tren de impulsuri alternative de 0 i 1 sau o succesiune de zerouri. La
receptor, semnalul de curent continuu determin parial punctul de lucru al
amplificatorilor de semnal. Schimbarea curentului modific punctul de lucru,
ceea ce duce la o variaie nedorit (drift) a caracteristicii receptorului. Un mare
dezavantaj este acela c o codificare NRZ necesit un cuplaj de curent continuu.
n cazul codrii RZ cuplajul capacitiv n curent alternativ blocheaz
componenta de curent continuu, minimiznd drift-ul i acesta este un avantaj n
raport cu codificarea NRZ, dei ntr-o fibr optic cu lrgime de band fixat,
numrul semnalelor transmise cu codare NRZ este de dou ori mai mare dect
cele transmise cu codare RZ.
Oricare ar fi metoda de codare, receptorul trebuie s cunoasc viteza (rata)
cu care ajung biii de date (viteza de ceas clock rate). n cazul codrii NRZ,
seria alternativ de 1 i 0 pune n eviden clock-ul, n schimb o succesiune de 1
sau de 0 l mascheaz. Pentru codarea RZ, clock-ul poate fi msurat atunci cnd
apare o succesiune de 1 dar nu i atunci cnd apare orice alt combinaie. Viteza
de ceas (clock rate) poate fi dedus din trenul de impulsuri dac se utilizeaz
metoda de codificare numit Manchester, i prezentat n figura 11.14.
Fig. 11.13 Formate de codificare NRZ i RZ
Fig. 11.14 Formatul codificrii Manchester
n acest format, polaritatea semnalului se schimb n centrul fiecrui interval
al bitului. Direcia acestei tranziii determin starea logic. Trecerea de la nivelul
mare la nivel mic nseamn 1 logic, iar de la nivelul mic la mare, 0 logic, astfel c
numeroasele tranziii permit receptorului s evalueze clock-ul, din distribuia de
valori 1 i 0 n datele transmise. Deoarece datele sunt coninute n tranziiile
ntre nivele, este foarte util cuplajul n curent alternativ.
1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0
DATE
COD NRZ
COD RZ
1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0
DATE
COD NRZ
COD
MANCHESTER
n concluzie, codificarea Manchester prezint avantajul c poate evalua timpii
de acces i folosete cuplajul n curent alternativ, cerinele privind lrgimea de
band, rmn aceleai pentru codarea RZ i pentru codarea NRZ, care trebuie
s fie dubl ca distan.
Atunci cnd nu este important cunoaterea clock-ului alegerea cea mai bun
este o codare RZ cu cuplaj n curent alternativ i aceast combinaie poate
beneficia la receptor de un circuit de control cu ctig automat (Automatic Gain
Control) AGC. Dac la receptor apare un ir de date 0, circuitul AGC crete
amplificarea. n aceste condiii, urmtorul puls logic 1 va fi amplificat mult mai
mult dect se dorete. Adic n general, fiecare puls va fi amplificat cu o mrime
determinat de irul de date care l-a precedat, ceea ce face ca s ngreuneze la
receptor recunoaterea corect a datelor.
Codificarea bipolar,prezentat n figura 11.15, pe trei nivele rezolv
problema stabilitii sistemului. Acest tip de codare, d natere unui semnal,
puls, de fiecare dat cnd se schimb datele. n aranjamentul din figur,
transmitorul comut pe ntreaga putere timp de o jumtate de interval a bitului,
ori de cte ori un 0 urmeaz dup un 1, apoi revine la nivelul de semi-putere
(jumtate din putere) i rmne aa, pn cnd apare din nou 1 logic, dup care
puterea revine la valoarea ei medie. Acest cod se poate aplica numai pentru date
NRZ, i este un cod cu detecie de vrf (edge detection). Se observ c nivelul
de putere medie (datorat curentului continuu) nu se va schimba, n raport cu
forma datelor. Aceast caracteristic apare deoarece pulsurile de nivel 1 i 0
alterneaz ntotdeauna. Se stabilete un mod de lucru stabil chiar i pentru un
receptor cu AGC, deoarece se menine un nivel de referin fixat de valoarea
curentului continuu.
Fig. 11.15 Codarea bipolar
Transmitorul bipolar dei are i el trei nivele, este totui un sistem binar
deoarece spre receptor sunt trimise date n format 0 i 1.
Figura 11.16 prezint modul n care se proiecteaz un transmitor pe trei
nivele. Cnd ambele comutatoare sunt deschise nu exist flux de curent rezultnd
primul nivel, puterea egal cu zero. La nchiderea comutatorului
1
S prin LED
trece curentul:
R
v V
I
d dc

(11.29)
1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0
DATA
COD NRZ
CODARE
BIPOLARA
Formate de modulare digital 209 209 209 209 209
unde
d
v este cderea de ten-
siune pe dioda LED n polarizare
direct. Acest curent este jum-
tate din curentul maxim admis
de diod, LED, rezultnd cel
de-al doilea nivel, la jumtate
din puterea optic maxim. Prin
nchiderea i a celuilalt comu-
tator, rezistena serie cu dioda
LED scade la jumtate, 2 R ,
dublnd curentul ce trece prin
diod. LED-ul va emite puterea
maxim crend cel de-al treilea
nivel. Circuitul din figura 11.16
a) poate fi realizat utiliznd
comutatori cu tranzistori aa
cum se arat n figura 11.16 b).
Tranzistorii sunt n starea off (corespunznd poziiei deschis a comutatorului)
cnd curenii din baz (
1
i i
2
i ) sunt zero, iar atunci cnd aceti cureni sunt
pozitivi, se trece n starea on. innd cont de cderea de tensiune V 3 . 0 v
CE
cnd
tranzistorul este n starea nchis, curentul prin diod la nivelul doi devine:
R
v v V
I
CE d dc

(11.30)
Pentru nivelul trei se poate aduga o prepolarizare prin plasarea unei rezistene
n paralel cu tranzistorul comutator. Atunci cnd ambele comutatoare sunt
deschise, prin diod va trece un curent dependent de valoarea rezistenei
adugate.
Se poate nlocui LED-ul cu o diod laser, dar prepolarizarea trebuie calculat
pentru ca s avem curentul pentru primul nivel, n apropierea curentului de
prag al diodei laser.
Alte formate digitale
Exist i alte modaliti de codificare a sistemelor digitale ce pot fi imple-
mentate cu ajutorul legaturilor prin fibra optic i acestea vor fi descrise mai jos.
Modularea poziiei pulsului (pulse-position modulation PPM) nseamn c
o und n format analogic este msurat periodic iar informaia despre
amplitudinea fiecrei eantionri este transmis prin intermediul unui singur
puls optic de durat foarte scurt. Fiecare puls are aceeai nlime, iar din poziia
semnalului puls n interiorul ferestrei de timp alocate fiecrei eantionri gsim
informaia despre amplitudinea undei analogice. Fereastra de timp este apoi
comparat cu durata pulsului. ntrzierea pulsului fa de un punct de referin
este proporional cu amplitudinea eantionat. Receptorul PPM este cel care
Fig. 11.16 Proiectarea unui transmitor cu 3 nivele
I
V
dc
S
2
R
LED
S
1
R
I
V
dc
R
LED
R
i
2
i
1
a) b)
determin cnd sosete im-
pulsul. n figura 11.17 este
prezentat modularea prin
poziia pulsului.
Modularea duratei im-
pulsului PDM, se aseamn
cu cea PPM. Se transmite
pentru fiecare bit dar acum
durata impulsului este pro-
porional cu amplitudinea
eantionat. n figura 11.17
este exemplificat acest mod
de modulare prin comparaie
cu cel PPM.
O alt posibilitate pentru
comunicaiile pe fibr optic,
este metoda de codare
nchis-deschis a unei subpurttoare OOK, (On-Off Keying). n acest caz un
oscilator din domeniul de radio frecven, nchide, asociindu-se valoarea binar 1,
sau deschide (valoare binar 0) o surs optic.
Formate binare au i metodele de codare prin modificare de frecven,
(Frequqncy-Shift Keying) FSK i codare prin modificarea fazei, (Phase-Shift
Keying), PSK. n metoda, FSK, frecvena subpurttoarei determin starea logic;
de exemplu, frecvena
1
f poate fi asociat strii binare 1, iar frecvena
2
f strii
binare 0. n modularea PSK, faza subpurttoarei determin starea, polaritatea
pozitiv reprezentnd o stare binar 1 i o polaritate negativ o stare binar 0.
Toate cele trei metode, OOK, FSK i PSK, se bazeaz pe faptul c mut spectrul
semnalului ce moduleaz informaia de la frecvene mici la frecvene apropiate
de cea a subpurttoare. Modularea cu subpurttoare digital, are avantajul c
poate fi utilizat i n cazul multiplexrii cu divizare n frecven, similar cu
transmisia simultan a mesajelor analogice multiple.
Complexitatea transmitorului sau a receptorului depinde de schema de
codificare. Formatele de tip PPM, PDM, subpurttoare OOK, subpurttoare FSK,
subpurttoare PSK, necesit o proiectare mai complicat dect cea n format
PCM. Din acest motiv, PCM este des folosit n sistemele cu fibr optic. n foarte
multe cazuri factorul care decide ce tip de modulare se utilizeaz este
compatibilitatea cu sistemele de comunicaie electronice. Evident c, cu ct se
dorete ca receptorul s fie mai sensibil sau erorile ct mai mici, cu att este
necesar un echipament ct mai complex.
Multiplexarea prin divizare n timp
Multiplexarea prin divizare n timp (Time-Division Multiplexing), TDM,
permite mesajelor digitale s fie transmise pe aceeai line prin multiplexare n
timp. Spre deosebire de sistemele de multiplexare WDM, n care mesajele se
Fig. 11.17 Modularea PPM i PDM
MESSAGE
SAMPLES
SEMNAL
PPM
PDM
TIME
Receptori cu heterodinare optic 211 211 211 211 211
propag simultan, TDM, trimite intercalat, bii sau grupuri de bii (cuvinte sau
caractere) aparinnd diferitelor mesaje nainte de a fi transmise. Procesul este
reversibil, la receptor, impulsurile aparinnd mesajelor individuale sunt separate
i trimise spre destinaiile specifice, aa cum se arat n figura 11.18. n practic
comutatoarele
T
S i
R
S (electronice sau optice) sunt sincronizate. Sistemul din
figur, intercaleaz cuvinte de lungime 4 bii, pe N canale (N mesaje).
Comutatorul
T
S aduce secvenial eantioanele de la fiecare canal, producnd un
singur cadru de N cuvinte cu lungimea de 4 bii la fiecare ciclu. Un exemplu
practic este chiar sistemul de telefonie. Mesajele vocale sunt eantionate de 8000
de ori pe secund, iar cuvintele de 8 bii lungime reprezint amplitudinea fiecrui
eantion. Cei 8 bii pot descrie 256 de nivele unice, adic amplitudinea semnalului
vocal este cuantizat pe 256 de nivele. Viteza de transmisie a unui singur mesaj
vocal este bps 64000 8000 * 8 . Dar o fibr optic poate transmite informaii la
viteze mult mai mari, ceea ce nseamn c a transmite numai Kbps 64 ar fi
nefolositor. Prin utilizarea TDM, se utilizeaz fibra optic mult mai eficient pe
toat lrgimea de band disponibil.
Trebuie menionat c metoda de multiplexare TDM, poate fi combinat cu
cea WDM pentru a crete numrul de mesaje care traverseaz o singur fibr.
Fig. 11.18 Multiplexarea prin divizare n timp
11.5 Receptori cu heterodinare optic
Aa cum s-a artat, fotodetectorii dau natere unui curent proporional cu
puterea optic incident pe ei. Detectorii rspund la fluctuaiile intensitii
luminoase, mrime independent de schimbrile de faz sau de frecven ale
undei luminoase. De aceea, metodele de detecie direct n care se utilizeaz
modularea frecvenei unei surse optice devin inefective. Prin folosirea metodelor
de detecie heterodin se pot ntlni sisteme cu modulare a frecvenelor optice.
Detecia prin heterodinare
n cazul deteciei prin heterodinare, numit i detecie coerent, un fascicul
de lumin (oscilatorul local) este suprapus, mixat, cu o und modulat, la intrarea
unui fotodetector, aa cum se arat i n figura 11.19. Detectorul heterodin
1 1 0 0
1 1 0 0
1 1 0 0 1 1 0 0
1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 0
.....
0
N C
2 C 1 C
C1
C2
CN
TRANSMITATOR
LINIE DE TRANSMISIE
RECEPTOR
S
T
S
R
C1
C2
CN
convertete schimbrile de faz ale purttoarei optice, n schimbri de faz ale
intensitii optice. Aceste din urm variaii sunt reproduse n forma de und a
curentului detectat, fcnd posibil recepia i demodularea undelor optice
purttoare, modulate n frecven. Receptorii heterodin sunt proiectai pentru
detectarea semnalelor digitale modulate n intensitate.
Fig. 11.19 Detecia prin heterodinare optic
E
S
+E
OL
SEMNAL
PE FIBRA
FOTO -
DETECTOR
PROCESOR DE
SEMNAL
OSCILATOR
LOCAL
+
FIBRA
DIVIZOR DE FASCICUL
FOTODIODA
LASER
(OSCILATOR LOCAL)
OSCILATOR
LOCAL
DC
FOTODETECTOR
SEMNAL
(a)
(b)
(c)
O analiz simpl arat n ce mod sistemele cu heterodinare permit detecia
undelor modulate. Cmpurile electrice,
SIG
E ale semnalelor transmise i ale
oscilatorului local,
LO
E sunt:
( ) [ ] t t cos E E
o S SIG
+ (11.31)
( ) [ ] t cos E E
IF o L LO
+ (11.32)
unde
o
este frecvena purttoarei optice,
IF
frecvena intermediar, iar ( ) t
conine mesajul modulat n frecven. n cazul modulrii unei singure unde
( ) t sin t
m
, fiind indicele de modulare. Relaia 11.31, poate fi scris i pentru
un semnale modulat OOK. n acest caz, este constant, iar amplitudinea semnalului
S
E ia una din valorile binare 0 sau 1 depinznd de valoarea ce se transmite. Pentru
modularea FSK, ( ) t este fie t
1
fie t
2
. Frecvena oscilatorului local
IF C LO
+ ,
este deplasat fa de cea a purttoarei,
C
cu frecvena intermediar
IF
care de
obicei se afl n domeniul undelor de radio frecven. n cazul n care 0
IF
, nu
exist deplasarea de frecven i spunem c avem un sistem cu detecie homodin.
Curentul detectat, este proporional cu I, intensitatea fascicului de lumin
incident, care, aa cum s-a artat este proporional cu ptratul cmpului electric
total. Adic:
( )
2
LO SIG
E E I + (11.33)
utiliznd cele dou relaii (11.31-11.32) i fcnd simplificrile corespunztoare
obinem:
( ) [ ] ( ) [ ]
( ) [ ] ( ) [ ]. t t t 2 cos t t cos E E
t 2 cos 1 E 5 . 0 t 2 t 2 cos 1 E 5 . 0 I
IF c IF S L
IF c
2
l C
2
S
+ + + +
+ + + + + +
(11.34)
Trei termeni din aceast expresie sunt centrai pe frecvena
C
2 , (dublul
frecvenei purttoarei optice). Aceast frecven este mult mai mare dect
frecvena de rspuns a fotodetectorului, astfel c toate componentele de
intensitate cu frecvena apropiat de aceasta sunt eliminate la recepie. Eliminarea
termenilor cu frecven mare se explic prin faptul c, curentul detectat este
proporional cu intensitatea optic medie, iar media este luat pentru un interval
de timp lung n comparaie cu perioada semnalului optic, dar acest interval de
timp este scurt atunci cnd se compar cu perioada frecvenei intermediare
IF
.
Intensitatea medie devine:
( ) ( ) [ ] t t cos E E E E 5 . 0 I
IF L S
2
S
2
L
+ + . (11.35)
Puterea optic corespunztoare, care este proporional cu intensitatea, este:
( ) [ ] t t cos P P 2 P P P
IF S L S L
+ + (11.36)
unde
L
P i
S
P sunt puterile corespunztoare oscilatorului local i a celui purttor
de semnal.
Curentul prin fotodetector este:
hf
eP
i

(11.37)
i conine un termen de curent continuu,
( )
S L dc
P P
hf
e
i +
(11.38)
i un termen cu frecvena intermediar:
( ) [ ] t t cos P P
hf
e 2
i
IF L S IF

(11.39)
Termenul de curent continuu este eliminat prin filtrare, iar cel ce frecvena
intermediar este amplificat. Demodulatorii electronici convenionali vor extrage
informaia coninut n ( ) t . Dac sistemul este de tip OOK (mai degrab dect
modulat n frecven) atunci faza rmne fix i informaia va fi coninut de
L
P . Informaia inclus n curentul
IF
i crete cu puterea oscilatorului local, astfel
c oscilatorul local acioneaz ca un amplificator de semnal, ceea ce duce la
creterea sensibilitii receptorului.
n relaiile de mai sus s-a presupus c emitorii de lumin sunt perfect
monocromatici, n practic ns se pot utiliza diode laser de la care obinem unul din
tipurile de lumin: liniar polarizat, monomod longitudinal sau monomod transversal.
Detecia prin heterodinare, depinde de interferena dintre fasciculele luminoase
ale oscilatorului local i al celui purttor de informaie. Cmpurile nu vor interfera
numai dac ele sunt identic polarizate, aceasta explicnd i necesitatea ca sursele
de lumin s dea lumin liniar polarizat. Din pcate majoritatea fibrelor nu
menin starea de polarizare a undei, direcia de polarizare se poate roti, starea
schimbndu-se de la o poziie la alta. De asemenea factorii din mediul nconjurtor
(modificrile de temperatur, vibraiile) pot cauza variaii aleatoare ale strii de
polarizare, astfel c pentru sisteme de heterodinare sunt necesare fibre monomod
special fabricate pentru a menine starea de polarizare.
n figura 11.19 sunt prezentate dou tehnici pentru a combina fasciculele de
la oscilatorul local i cel purttor de informaie, utiliznd un divizor de fascicul
(beam splitter) figura 11.19,(b) i un cuplor direcional cu fibr monomod, figura
11.19 (c). Pentru ndeplinirea acestei condiii se proiecteaz cuplori direcionali
speciali. Frecvena de offset, deplasare, dintre oscilatorul local i cea a
transmitorului se poate acorda prin reglaj foarte fin, folosind proprietatea
diodelor laser de a emite lumin cu lungimea de und dependent de temperatura
de lucru a diodei laser. Dou diode laser identice dar care lucreaz la temperaturi
uor diferite vor emite lumin cu lungimi de und diferite. Temperatura diodei
laser trebuie meninut cu precizie de zecimi de grade Celsius pentru ca frecvena
IF s nu se schimbe prea mult. De exemplu, o diod laser i poate schimba
lungimea de und cu C / GHz 20
o
. Pentru ca deplasarea de frecven s fie mai
mic de MHz 100 , variaiile de temperatur trebuie s fie de mai mici de C 005 . 0
o
.
Modularea n frecven a diodei laser
Frecvena de oscilaie a unei diode laser
ce emite monomod, depinde de amplitudinea
instantanee a curentului injectat. Se poate
explica acest lucru astfel: curentul influen-
eaz att densitatea de purttori ct i tem-
peratura n stratul activ al semiconductorului,
iar la rndul lor aceti doi factori influeneaz
indicele de refracie i aa cum s-a artat
frecvena de rezonan depinde de indicele
de refracie. Frecvena de rezonan, adic
frecvena la ieire, se schimb ori de cte ori
se schimb curentul. n acest fel, modularea curentului prin diod produce
modularea n frecven a luminii emise de aceasta, putem s o considerm ca
fiind o modulare a indicelui de refracie. n figura 11.20. este prezentat circuitul
utilizat pentru modularea n frecven a diodei laser i pare a fi similar cu un
circuit de modulare a intensitii.
Curent continuu,
dc
I , face ca punctul de funcionare a diodei s se situeze pe
mijlocul regiunii liniare a caracteristicii curent-putere. Curentul alternativ de
modulare trebuie s fie mic (civa miliamperi) pentru a minimiza modularea n
intensitate nedorit, ce poate apare. Se utilizeaz limitatori electronici pentru a
reduce variaiile de amplitudine nainte de a demodula semnalul. Curentul alternativ
produce frecvena de modulare a purttoarei optice. Pentru modularea cu o singur
und sinusoidal la frecvena
m
f deviaia de frecven este
m
f f i se modific
liniar cu vrful amplitudinii curentului alternativ. De exemplu, pentru o diod
laser AlGaAs deviaia de frecven este de ordinul mA / MHz 200 la o frecven de
modulare de MHz 300 . Ceea ce nseamn c dac curentul alternativ oscileaz la
aceast frecven de MHz 300 atunci deviaia de frecven crete cu MHz 200 la
fiecare cretere cu mA 1 a valorii vrfului curentului alternativ.
Aplicaia 3
Dac o diod are deviaia de frecven de mA / MHz 200 i lucreaz cu frecvena de
modulare de MHz 300 s calculm indicele de modulare dac vrful de curent alternativ
este mA 1 i mA 5 . La mA 1 , deviaia de frecven este MHz 200 f , iar la mA 5 este
MHz 1000 f . Pentru indicele de modulare folosim formula
m
f f astfel c obinem
67 . 0 300 200 la mA 1 i 33 . 3 300 1000 la mA 5 .
O alt modalitate, alternativ modularii interne prin modificarea curentului
sursei, este aceea c putem s introducem informaia pe purttoarea optic, din
exterior. Pentru sistemele digitale se utilizeaz modulatori electro-optici i
acusto-optici ce pot aciona asupra fasciculului de lumin. Ei pot modula att
intensitatea ct i starea de polarizare a luminii. Toate aceste forme de modulare
pot fi detectate i demodulate de ctre un receptor heterodin.
Fig. 11.20 Modularea n frecven
a unei diode laser DL
Dou fascicule de lumin identice ce vin de la dioda laser DL, se propag n
ambele direcii ntr-o bobin cu fibr optic monomod. Dac bobina este n
repaus cele dou fascicule rmn identice. Cnd bobina se rotete n jurul axei
sale, fasciculul care se propag pe direcia de rotaie i schimb faza, n raport
cu cellalt fascicul. Modificarea de faz este:

c
AN 8
(11.40)
unde este viteza de rotaie msurat n s / rot , N este numrul de spire ale
bobinei de fibr optic iar A este aria bobinei. Modificarea poate fi msurat
prin detecie homodin. Dac lum n considerare c 0
IF
i s considerm c
2 / P P P
o S L
unde
o
P este puterea din fiecare fascicul atunci:
( ) + cos 1 P P
o
(11.41)
n care este diferena de faz ce apare atunci cnd bobina de fibr optic se
rotete. Curentul detectat este:
( ) +
cos 1
hf
eP
i
o
(11.42)
astfel c n amplitudinea fotocurentului sunt incluse att valoarea fazei modificate
ct i viteza de rotaie.
Multiplexarea prin divizarea frecvenei optice
Mai multe mesaje pot fi transmise simultan de-a lungul fibrei optice prin
multiplexare prin divizarea frecvenei optice, (Optic Frequency- Division
Multiplexing) OFDM combinat cu detecia heterodin. n figura 11.22 este
prezentat o astfel de schem.
n anumite aplicaii ale fibrelor optice (mai ales cele unde fibra este folosit
ca senzor) aciunile din mediul nconjurtor moduleaz faza purttoarei optice.
Un astfel de exemplu este giroscopul cu fibr optic prezentat n figura 11.21.
Fig. 11.21 Giroscop cu fibr optic
N diode laser identice sunt acordate pe frecvene diferite, prin stabilizarea la
temperaturi diferite a diodelor laser, pentru a emite frecvenele
N 2 1
, , , K K .
Diodele sunt modulate cu mesajele ce se transmit. Ieirea fiecrei diode este
cuplat cu o fibr optic i de aici ele se cupleaz cu fibra de transmisie. La
receptor, lumina de la un singur oscilator local se suprapune cu fiecare fascicul
transmis, dnd natere la diferite frecvene intermediare pentru fiecare canal.
Frecvenele
N 2 1
, , , K K sunt sortate electronic prin intermediul unor filtre.
Viteza de rspuns a fotodetectorului i cea a receptorului vor determina numrul
maxim de frecvene intermediare IF.
O alternativ la acest sistem este nlocuirea oscilatorului local ce are frecvena
fix, cu unul cu frecvena acordabil n acest caz fiind necesar doar un filtru
pentru frecvena intermediar IF. Un anumit canal va fi detectat atunci cnd
frecvena purttoarei optice va diferi de cea a oscilatorului local cu o valoare
egal cu valoarea frecvenei intermediare IF. n acest caz toate celelalte canale
vor avea frecvenele intermediare n afara benzii de trecere a filtrului IF. Pentru
a recepiona un alt canal, se modific frecvena oscilatorului local. n acest tip
de sistem o staie de transmisie trebuie s poat fi acordabil pe oricare din
canalele pe care este trimis informaia.
Cele dou metode, OFDM i WDM sunt ntr-un anume fel similare. Ambele
folosesc surse optice separate pentru fiecare canal, dar au i diferene
importante. Sisteme de multiplexare OFDM necesit detecie prin heterodinare,
iar cele cu multiplexare WDM, detecie direct. Sistemele cu WDM sorteaz
canalele n domeniul optic (nainte de fotodetecie) iar OFDM le separ
electronic (dup fotodetecie). Separarea electronic a canalelor la frecvene
radio este mult mai selectiv dect separarea optic, astfel nct canalele
adiacente au ntindere spaial mult mai mic i aceasta duce la transmisia a
mult mai mult informaie n regiunile de lungime de und unde pierderile
prin fibra optic sunt mici.
Fig. 11.22 Multiplexarea prin divizarea frecvenei optice
Detecia prin heterodinare are cteva avantaje i anume:
face posibil legturi optice modulate n frecven;
receptorii heterodin sunt mai sensibili dect cei cu detecie direct; un

receptor mai sensibil asigur o calitate bun a semnalului i lungimi de
cablu de transmisie mari nefiind necesar utilizarea repetorilor. Chiar dac
este necesar s existe repetori, acetia sunt plasai la distane mult mai
mari n comparaie cu sistemele care folosesc detecia direct.
Sistemele cu heterodinare au o complexitate mai mare i un pre de cost mai
ridicat fa de cele cu detecie direct. n plus, exist cteva cerine pe care
sistemul cu heterodinare trebuie s le ndeplineasc:
diodele laser trebuie s fie monomod;
sursa de transmisie i dioda laser a oscilatorului local trebuie s fie stabilizat

n frecven astfel nct s nu avem deplasarea, frecvenei intermediare IF;
n multiplexor, alinierea fasciculului corespunztor semnalului i a

fasciculului corespunztor oscilatorului local este critic; cele dou fronturi
de und trebuie s fie identice;
mrimea petei luminoase (a spotului), direciile de propagare i de polari-

zare a celor dou fascicule trebuie s fie aceleai.
Modularea n format digital este mult mai des utilizat, n raport cu modularea
analogic. Argumentele au n vedere cteva din avantajele sistemelor digitale:
calitatea semnalului mult mbuntit;
ci de transmisie a semnalului mult mai lungi;
repetorii de o construcie mult mai simpl;
uurina modulrii (comutarea sursei optice pe aprins-stins);
neliniaritatea surselor optice, care ar degrada un semnal analog pentru un

semnal digital nu este o problem.
Transmisia digital a mesajelor ce provin de la semnale analogice (semnal
vocal, semnal video) are principalul dezavantaj c trebuie ca semnalele s fie
convertite n format digital la transmitor i apoi reconvertite n format analogic
la recepie. Costul echipamentelor de reconversie analog-digital i digital-analog
sunt rezonabile cnd transmisia nu se face la distane mari.
Dac n proiectarea sistemului de transmisie a informaiilor nu este impus un
anumit mod de modulare, atunci trebuie s fie luate n considerare ambele for-
mate de modulare, att digital ct i analogic i gsit varianta care minimizeaz
n primul rnd costurile la o calitate a transmisiei optim.
Bibliografie
1. Booth K., Hill S., The Essence of Optoelectronics, Prentice Hall Eu., ISBN
0-13-533654-6,1998
2. Capmany J., Javier Fraille-Pelaez F. , Marti J., Fundamentos de Comuni-
caciones Opticas, Editorial Sintesis, ISBN 84-7738-599-8, 2001;
3. Chaimowicz J-C, Introduction a loptoelectronique, Dunod Paris, ISBN
2-10-001292-4, 1992;
4. Curatu E., Echipamente pentru prelucrarea optic a informaiei, Institutul de
optoelectronic, Bucureti, 1995
5. Doicaru V., Prvulescu M., Transmisii prin fibre optice, Editura Militar,
Bucureti, ISBN 973-32-0347-5, 1994;
6. Doicaru V., Niculescu C.R., Laseri cusemiconductori i aplicaii, Editura
Tehnic, Bucureti 1978;
7. Dragu I., Dispozitive videocaptoare i videoreproductoare, Editura Tehnic 1979.
8. Gagliardi R., Karp S., Optical Communications, John Willey &Sons, ISBN
0-471-54287-3,1995
9. Hecht Jeff, Understanding Fiber Optics, Prentice Hall London, ISBN
0-13-956145-5, 1999
10. Hedencourt L., Lilen H., Optoelectronique, Dunod, Paris, ISBN 2-10-002717-4,
1995;
11. Keiser G., Optical Fiber Communications, Second Edition, McGraw -Hill, ISBN
0-07-100785-7, 1991
12. Keiser G., Optical Fiber Communications, Third Edition, McGraw -Hill, ISBN
0-07-116468-5, 1991
13. Laug M., Optique et Information, Cepadues-Editions, Toulouse, ISBN
2.85428.434.8 ,1997
14. Maciejko R., Optoelectronique, Persses Internationales Polytechnique,
Montreal, ISBN 2-553-01028-1, 2002;
15. Nan S., Munteanu I., Blu Gh., Dispozitive fotonice cu semiconductori,
Editura Tehnic, Bucureti, 1986;
16. Niculescu Cl.R., Iosif I.M., Iniiere n comunicaiile prin fibre optice, Editura
Tehnic, Bucureti, 1982
17. Ramaswami R., Sivarajan K.N., Optical Networks, A Practical Perspective,
Morgan Kaufmann Publishers, ISBN 1-55860-655-6, 2002
220 220 220 220 220 Bibliografie
18. Senior J.M., Optical Fiber Communications, Principles and Practice, Second
Edition, Prentice Hall, ISBN 0-13-635426-2, 1992
19. Sterian P., Transmisia optic a informaiei, Editura Tehnic 1981.
20. Tribillon J-L., Traitement Optique de lInformation & Reconnaisance des Formes
par Voie Optique, Teknea, Toulouse, ISBN 2-87717-X, 1998
21. Tricker R., Optoelectronics and Fiber Optic Technology, Newnes Oxford, ISBN
0-7506-5370-1,2002
22. Vancea R., Recunoaterea formelor, aplicaii, Ed. Academiei 1989.
23. Vlad V., Prelucrarea optic a informaiei, Editura Tehnic 1984.
24. Voiculescu E., Maria T., Optoelectronic, Editura Albastr, Cluj-Napoca,
ISBN 973-9443-96-6
25. Wilson J., Hawkes J.F.B., Optoelectronics, Prentice Hall, UK, 1983
26. Zamfira C-tin Sorin, Optica Tehnic, Reprografia Universitii Transilvania
Braov, 1995

Op To Electronic A

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Op To Electronic A

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Introducere I II II

Sorin Constantin Zamfira

posibilitatea prelucrrii n paralel;

realizarea transformrii Fourier n timp real;

insensibilitatea la perturbaii electromagnetice;

sistemele de recunoatere a formelor i poziiilor;

utilizarea componentelor acusto-optice pentru procesarea semnalelor radar

utilizarea componentelor optoelectronice cu adresare optic sau electric

utilizarea dispozitivelor optoelectronice n domeniul audio-vizualului;

utilizarea fibrei optice n telecomunicaii la mare distan, la distan medie

productica-robotica, desemnnd ansamblul tehnicilor ce ncorporeaz

holografia, care alturi de preocuprile legate de realizarea imaginilor

lrgimea de band modulat

posibilitatea de a concentra puterea n fascicule extrem de nguste

reducerea semnificativ a mrimii componentelor.

reprezint oricare din cei patru vectori. Ei reprezint perturbaia electromagnetic

care se numete i vitez

sunt scalari, viteza de propagare este constant

se numete tensorul susceptibilitii electrice. Se poate folosi i

este tensiunea necesar

V este adesea numit tensiunea de

tensiunea de semiund este:

Se observ c transmitana poate fi modificat prin aplicarea unei tensiuni

) modificarea transmisiei este

pentru c altfel apar deformri ale lui t care va avea

unde L este lungimea cristalului, D grosimea pe direcia tensiunii aplicate

rad, ntr-o celul Pockels circular cu diametrul de 25 mm i lungimea

active, care emit propria lor radiaie;

pasive, cele care moduleaz radiaia incident pentru a afia informaia.

fotoluminescena, excitaia apare din absorbia de fotoni;

catodoluminescena, excitaia apare ca urmare a bombardrii cu un fascicol

electroluminescena, excitaia rezult la aplicarea unui cmp electric

previne ncrcarea electrostatic a granulelor de fosfor (care au conduc-

reflect lumina emis pe direcia observatorului.

termotrope, pentru care faza de mezomorfism se afl ntre dou temperaturi

liotrope, substante pentru care faza de mezomorfism este limitat de dou

nematic cu structur nestratificat i aezare molecular paralel,

smectic cu structur stratificat de form plan (s-au gsit opt tipuri

colesteric cu structur stratificat de form elicoidal, figura 4.10b).

textura sferulitic ntlnit la cristale lichide nematice dopate cu compui

domeniile Wiliams, pentru cristale lichide nematice n prezena cmpurilor

striaiile paralele, observate la cristalele lichide nematice n prezena

textura matricial, observat la cristalele lichide nematice cu textur

indirect, cu ajutorul unor factori exteriori (de natur mecanic, electric

direct, datorit influnei pe care o au materialele ce servesc drept perei

prin modul de prelucrare anterioar a pereilor.

de despicare, caracterizat prin raza de curbur R

de rsucire, caracterizat prin raza de curbur R

de ndoire, caracterizat prin raza de curbur R

mprtierea dinamic a luminii;

fenomene de modulare a transmisiei optice.

timpul de ntrziere la conectare t

timpul de ntrziere la deconectare t

depunerea pe straturi conductoare transparente i reflexive;

tehnica serigrafic i a fotogravurii;

obinerea substanelor mezomorfe cu dopare controlat i de nalt puritate;

asamblarea, umplerea i ermetizarea dispozitivelor finale.

pregtirea i prelucrarea mecanic a plcilor izolante cu rol de suporturi

depunerea electrozilor conductori i transpareni sau reflexivi;

mascarea, protejarea, ncapsularea i ermetizarea structurii finale obinute.

punct de topire sczut;

intervalul strii de mezofaz mare;

stabilitate ridicat a structurii chimice n timp;