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Revista Brasileira de Ensino de F sica, v. 29, n. 1, p. 15-18, (2007) www.sbsica.org.

br

Teorema de van der Pauw


(van der Pauw theorem)

Ren Robert1 e Sergio M. Berleze2 e


1

Departamento de Engenharia Eltrica, Universidade Federal do Paran, Curitiba, PR, Brasil e a 2 Departamento de F sica, Universidade Federal do Paran, Curitiba, PR, Brasil a Recebido em 5/9/2006; Aceito em 13/9/2006

O objetivo deste trabalho mostrar o uso do teorema de van der Pauw e sua deduao. Este teorema permite e c determinar a condutividade eltrica de placas planas com per e metros arbitrrios, espessura uniforme e quatro a contatos sobre a periferia. Palavras-chave: teorema de van der Pauw, condutividade eltrica. e The goal of this work is to show the use of the van der Pauw theorem and its deduction. This theorem allows to determine the electric conductivity of at plates with arbitrary perimeters, uniform thickness and four contacts on the periphery. Keywords: van der Pauw theorem, electrical conductivity.

1. Introduo ca
A medida da condutividade eltrica de um condutor e normalmente realizada utilizando-se a lei de Ohm. e Por exemplo, para um condutor retil neo de seo transca versal circular uniforme a condutividade eltrica dada e e e e e ca por = RS , onde R a resistncia eltrica, S a seo transversal e o comprimento. O principal obstculo a nesta medida so as resistncias de contato nas faces a e terminais a qual indenida e incontrolvel. Esta foi a e a razo pela qual Thomson substituiu a ponte de Wheata stone por uma ponte de circuito mais elaborado. Em 1958 L.J. van der Pauw [1, 2] deduziu uma expresso que permite medir a condutividade de um a lme condutor de espessura uniforme h (ou a condutividade de um eletrlito espalhado sobre a superf de o cie um vaso de fundo plano horizontal com espessura uniforme h). Esta expresso recebeu o nome de teorema a de van der Pauw, o qual dado por e exp(hRAB,CD ) + exp(hRBC,DA ) = 1, (1)

forma arbitrria e satisfaa as seguintes condies: a c co a) Os contatos esto localizados na circunferncia a e da amostra. b) Os contatos so sucientemente pequenos. a c) A amostra homognea em espessura. e e d) A superf da amostra simplesmente conexa, cie e isto , a amostra no tem furos isolados. e a
Plano t C B

D A
Figura 1 - Placa condutora de espessura uniforme e circunferncia e arbitraria no plano complexo t. Os pontos A, B, C, e D so os a contatos eltricos nas extremidades. e

DC AD a onde RAB,CD = UAB e RBC,DA = UBC , so chamadas I I resistncias de transferncia e denidas, por exemplo, e e como a relao entre a diferena de potencial entre os ca c ns D e C e a corrente entre os ns A e B da Fig. 1. o o A corrente entra na amostra pelo contato A e deixa a amostra pelo contato B. A condutividade e o efeito Hall podem ser medidos desde que o contorno da amostra onde esto localizados os pontos A, B, C e D tenha a

Segundo H.B.G. Casimir, quando diretor do laboratrio de pesquisas da Philips, o teorema de van der o Pauw um exemplo de como uma tcnica pouco sose e

1 E-mail:

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Robert e Berleze

ticada de matemtica pode fornecer um resultado exa tremamente prtico. a

2.

Teoria

2 1 0 -6 -4 -2 0 2 4 6

Para provar a Eq. (1), mostraremos que ela vale para uma particular forma da amostra. Sendo vlida a para esta particular forma ela vale para qualquer outra forma, tendo em vista as propriedades da teoria das transformaes conforme Bewley [3], ou seja, as co resistncias so invariantes sob a transformao cone a ca forme. Para a particular forma escolheremos um semiplano innito com contato nos pontos P, Q, R e S ao longo do contorno (Fig. 2). E sempre poss vel achar uma funo anal ca tica t(z) tal que o semi-plano superior tenha como imagem a amostra no plano complexo t. Em particular os pontos A, B, C e D no plano complexo t tm como imagem os pontos P, Q, R e S no e plano complexo z.
y Plano z z r2 r1
q2 P a Q q1 b R c S

Figura 3 - Linhas de campo eltrico e as equipotenciais com e injeo de correntes nos pontos P e Q. ca

z r2 r1

Plano z

q2 P a Q b R

q1 c S

Figura 4 - Plano z onde injeta-se a corrente nos pontos Q e R para a medida das diferenas de potenciais nos pontos P e S. c
2I Com A = h , onde I a corrente eltrica, h a espese e sura da amostra e a sua condutividade eltrica. Pore tanto, das Eqs. (2) e (3), as resistncias de transferncia e e cam (a + b)(b + c) UR US 1 ln[ ], (4) = RP Q,RS = IP Q h b(a + b + c) e (a + b)(b + c) US UP 1 RQR,SP = ln[ ]. (5) = IQR h ac

Figura 2 - Plano complexo z = x + iy semi-innito (y 0). Os pontos P, Q, R, S e T so contatos eltricos correspondentes aos a e pontos A, B, C e D no plano complexo t.
A 2 Seja w = 2 ln( z a ) = u + iv onde z = x + iy e 2 w = u + iv e A uma constante. Expressando z a 2 A em coordenadas polares camos com u = 2 ln( r2 ) e r1 A v = 2 ln(2 1 ). Na Fig. 3 mostram-se as linhas de corrente v = const e as linhas equipotenciais u = const, que so a fam lias de c rculos com parmetros v e u, respectivaa mente. Ento a diferena de potencial entre os pontos a c ReS e z+ a

Tendo em vista que b(a + b + c) ac + = 1, (a + b)(b + c) (a + b)(b + c) obtm-se e exp(hRP Q,RS ) + exp(hRQR,SP ) = 1, (6)

UR US =

(a + b)(b + c) A ln[ ]. 2 b(a + b + c)

(2)

a qual a equao fundamental do teorema de van der e ca Pauw cujo uso atualmente bastante difundido [4, 5, e 7, 8]. No caso geral no poss determinar a condutivia e vel dade eltrica ou a resistividade eltrica da Eq. (6), e e como uma funo conhecida. A soluo contudo pode ca ca ser obtida a partir da equao ca h RP Q,RS + RQR,SP 1 = f, (7) ln(2) 2 onde f um fator que depende somente da relao e ca RP Q,RS conforme mostra a Fig. 5, a qual especie RQR,SP cada pela frmula o = cosh[ 1 ln(2) RP Q,RS /RQR,SP 1 ln(2) ] = exp( ) RP Q,RS /RQR,SP + 1 f 2 f

De modo anlogo, se a corrente for injetada pelo a contato Q e retirada pelo contato R (Fig. 4), obtm-se e para a diferena de potencial entre os pontos S e P a c equao ca US UP = (b + c)(a + b) A ln[ ]. 2 ac (3)

Teorema de van der Pauw

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(vide apndice A). e Desta forma determina-se a condutividade ou a resistividade eltrica tirando-se f da Fig. 5 e usando-se e a Eq. (7).
1.0

RH =

h RP Q,RS . B
S

(9)

0.8

f
0.6

Q
Figura 6 - Placa com simetria onde QR um dos eixos de simee tria.

0.4 0 50 100

xi

150

200

3.

Experimento

Figura 5 - Correlao entre os valores do parmetro f e a relao ca a ca entre as resistncias RAB,CD RBC,DA . O parmetro xi dee a e nido por xi = A.
RAB,CD /RBC,DA 1 RAB,CD /RBC,DA +1

conforme Eq. (V) do apndice e

Um caso particular aquele quando a linha PR da e Fig. 6 uma linha de simetria da amostra e Q e S esto e a dispostos simetricamente com relao a linha PR, neste ca a caso RP Q,RS = RQR,SP e ento h RP Q,RS . (8) ln(2) O coeciente de Hall tambm pode ser determinado e [1, 2, 6] com esta tcnica, tendo a amostra uma forma e qualquer e espessura uniforme h. Mede-se a resistncia e ca e RP Q,RS sem campo de induo magntica. Aplicando um campo de induo magntica B uniforme e perca e pendicular a amostra mede-se novamente a resistncia ` e ca e RP Q,RS . A variao de resistncia RP Q,RS permite e calcular o coeciente de Hall RH o qual dado por =

Como exemplo experimental, determinamos a resistividade de uma placa de circuito impresso e de uma placa de cobre. As caracter sticas geomtricas das placas so e a as seguintes: Placa de circuito impresso - h = (69 7) m, a = 10 cm, b = 15 cm. Placa de cobre - h = (0.2120.004) mm, a = 9,5 cm, b = 13 cm. Os equipamentos eltricos usados nos experimentos e foram: Sensitive Digital Voltmeter Keithley 182, Calibrator Fluke 5720 e micrometro Mitutoyo 0-25 mm preciso 0,001 mm. a Os eletrodos A, B, C e D foram tomados simetricamente nas placas retangulares, soldados com solda Pb-Sn e usou-se injeo de correntes diferentes de resca pectivamente 1 A e 2 A. A Eq. (7) foi usada para o clculo da resistividade das amostras. As Tabelas 1 e a 2 resumem os resultados obtidos, cuja temperatura das medidas era 23 C.

Tabela 1 - Dados da placa de circuito impresso. IAB (A)I 1 2 VCD (V ) 59, 50 0, 42 117, 85 1, 48 IBC (A) 1 2 VDA (V ) 61, 80 0, 14 124, 40 1, 13 RAB,CD () 59, 50 0, 42 58, 93 0, 74 RBC,DA () 61, 80 0, 14 62, 60 0, 57

Tabela 2 - Dados da placa de cobre. IAB (A)I 1 2 VCD (V ) 23, 45 1, 91 46, 25 0, 92 IBC (A) 1 2 VDA (V ) 24, 30 1, 13 48, 65 1, 06 RAB,CD () 23, 45 1, 91 23, 13 0, 46 RBC,DA () 24, 30 1, 13 24, 33 0, 53

Com o uso da Eq. (7) e calculando o fator f usando e o software Mathematica , obtm-se para as resistividades das amostras os seguintes valores: Circuito impresso = (1, 899 0, 003) 108 m Placa de cobre = (2, 29 0, 01) 108 m. Estes valores diferem do valor citado na literatura [9] para o cobre recozido [10] = 1, 72 108 m a

temperatura de 20 C. Na Fig. 7 mostra-se o perl de cobre no circuito impresso onde se constata a no a uniformidade do mesmo. Com o objetivo de vericar se a diferena na resistic vidade obtida com relao ` tabelada devida a tenses ca a e o mecnicas ou impurezas no cobre procedeu-se primeia ramente a um recozimento trmico a temperatura de e

18 650 C durante 10 min. O cobre teve sua espessura reduzida por oxidao para (0, 199 0.006) mm. O resulca tado obtido para a nova resistividade foi = (2, 27 0, 08) 108 m.

Robert e Berleze

R = RBC,DA . Chamando agora x = hR e y = hR camos com a equao ca exp(x/) + exp(y/) = 1. Multiplicando esta ultima equao por exp( x+y ) ca 2 obtm-se e xy x+y = ln[2 cosh( )]. (I) 2 2 Denindo o fator f como ln(2) xy = ln[2 cosh( )], f 2 e agora eliminando x y obtm-se e exp( ln(2) ) xy f = arccos h[ ]. 2 2 (III) (II)

Figura 7 - Perl da placa de cobre do circuito impresso com espessura mdia em torno de 69 m usada em nossas medidas. e

Da Eq. (I) e tendo em vista a Eq. (II), obtm-se e x+y ln(2) = . 2 f Dividindo (III) por (IV) resulta exp( ln(2) ) f xy f = arg cosh[ ], x+y ln(2) 2 ou cosh[
x y x y

A anlise qu a mica da placa de cobre foi realizada com a tcnica de absoro atmica e forneceu os see ca o guintes resultados (parte por milho) em massa: a Ni 52,58 ppm Be 8,40 ppm Zn 29,35 ppm Al - 32,00 ppm. Outro mtodo, chamado mtodo dos quatro tere e minais, foi usado para determinar a resistividade da chapa de cobre. A chapa de cobre usada tinha as seguintes dimenses: a = 112 mm, b = 26, 5 mm e o h = (0, 1970 0, 0019) mm. O resultado obtido foi a = (2, 29 0, 03) 108 m, ` temperatura de 20 C. A concluso a que se chega que a solda dos contatos, a e a no uniformidade da espessura e as impurezas so as a a causadoras da discrepncia entre os valores medidos e a os valores tabelados. Outras medidas realizadas em um placa de cobre com dimenses a = 15,5 cm, b = 9,8 cm e h = (0.096 o 0.002) mm, porm sem uso de solda de Pb-Sn nos cone tatos, forneceram os seguintes resultados: RAB,CD = (3, 97 0, 03) 105 RBC,DA = (4, 19 0.03) 105 Com o uso da Eq. (7) e calculando com o Mathea e matica o parmetro f = 0.9993147 obtm-se para o valor da resistividade = (1, 78 0, 01) 108 m, o que corresponde a resistividade do cobre duro. Do resultado se conclui que a solda modica a resistividade de maneira acentuada.

(IV)

1 ln(2) +1 f

]=

exp( ln(2) ) f 2

(V)

que a equao citada no texto. e ca

Referncias e
[1] L.J. van der Pauw, Philips Research Reports 13, 1 (1958). [2] L.J. van der Pauw, Philips Technical Review 20, 220 (1958/59). [3] L.V. Bewley, Two-Dimensional Fields in Electrical Engineering (Dover Publications Inc., New York, 1963). [4] S. Amer, Solid-State Electronics 6, 141 (1963). [5] P.M. Hemenger, Rev. Sci. Instruments 44, 698 (1973). [6] R. Chwang, B.J. Smith and C.R. Crowell, Solid-State Electronics 17, 1217 (1974). [7] A.I. Olayinka and A.O. Sogbetun, African Journal of Science and Technology 3, 93 (2002). [8] K. Polivanov, The Theory of Electromagnetic Field (Mir Publishers, Moscow, 1983), p. 143. [9] W.D. Callister Jr., Cincia e Engenharia de Materiais e (LTC Editora, Rio de Janeiro, 2002), p. 421, p. 551. [10] Siemens, Manual de Engenharia Eltrica (Livraria Noe bel S.A., So Paulo, 1988), v. 1, p. 147. a

Apndice A e
Da Eq. (1) podemos escrever, exp(hR /) + exp(hR /) = 1 onde zemos R = RAB,CD e

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