Application note RT-ATCP-01

Cermicas piezoelctricas: funcionamiento y propiedades

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Autor: Antnio Henrique Alves Pereira (Pereira A.H.A.) [Revisado y publicado online en 1 marzo de 2010]

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INTRODUCCIN En cualquier escala de frecuencia o potencia, el elemento activo y ncleo de la mayora de los transductores ultrasnicos es piezoelctrico, pudiendo ser clasificados en uno de los siguientes grupos [1]: cermicas piezoelctricas, cristales de cuarzo, compuestos piezoelctricos, cristales hidrosolubles, monocristales piezoelctricos, semiconductores piezoelctricos, y polmeros piezoelctricos; Lo que torna fundamental el conocimiento de las propiedades y del comportamiento electromecnico de estos materiales para toda empresa y profesional que trabaje con ultrasonido. Entre estos grupos, el de las Cermicas Piezoelctricas es el que presenta la mayor flexibilidad de formato y de propiedades, siendo largamente utilizadas en la fabricacin de equipamientos ultrasnicos de potencia, de ensayos no destructivos y de actuadores. Los materiales piezoelctricos tambin son utilizados en detonadores de impacto, generadores de chispas (magic clicks), nebulizadores, actuadores, posicionadores, transformadores y en diversas aplicaciones donde el efecto piezoelctrico es til. El objetivo de este application note es posibilitar una visin general de los materiales piezoelctricos, en especial de las cermicas piezoelctricas, con la visn de facilitar la utilizacin de estos materiales mediante la comprensin de sus propiedades y caractersticas por parte de los clientes de la ATCP Engenharia Fsica. HISTRIA El efecto piezoelctrico fue descubierto en 1880 por los hermanos Curie y utilizado en una aplicacin prctica por primera vez por Paul Langevin en la fabricacin de sonares durante la primera guerra mundial. Langevin utiliz cristales de cuarzo acoplados a masas metlicas (inventado o transductor tipo Langevin) para generar ultrasonido en la faja de las decenas de kHz. Despus de la primera guerra mundial, debido a la dificultad de excitar transductores construidos con cristales de cuarzo ya que demandaban generadores de alta tensin, se inicio la bsqueda de materiales piezoelctricos sintticos. Estos esfuerzos llevaron al descubrimiento y perfeccionamiento, durante las dcadas del 40 y 50, de las cermicas piezoelctricas de Titanato de Bario por la entonces URSS y Japn, y de las cermicas piezoelctricas de Titanato Zirconato de Plomo (PZTs) por los EUA [2,3]. El desarrollo de las cermicas piezoelctricas fue revolucionario. Los nuevos materiales adems de presentar mejores propiedades que los cristales despus de polarizados, tambin permiten geometras y dimensiones flexibles por ser fabricadas a travs de sinterizacin de polvos cermicos y conformados va prensado o extrusin. Actualmente las cermicas piezoelctricas tipo PZT, en sus diversas variaciones, son las cermicas predominantes en el mercado. Tambin podemos encontrar otros materiales, como por ejemplo el PT (PbTiO3) y el PMN (Pb(Mg1/3Nb2/3)O3), utilizados en dispositivos que exigen propiedades especiales y muy especficas, como transductores para alta temperatura. QU SON Y CMO FUNCIONAN? Las cermicas piezoelctricas son cuerpos macizos semejantes a los utilizados en aislantes elctricos, ver Fig. 1; son constituidas de innumerables cristales ferroelctricos microscpicos, siendo inclusive denominadas como policristalinas.

Figura 1 Ejemplos de cermicas piezoelctricas. De izquierda a derecha: disco para equipamientos de ultrasonido para fisioterapia, tubo para sonares y anillo para mquinas de soldadura por ultrasonido.

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Particularmente en las cermicas tipo PZT, estos pequeos cristales poseen estructura cristalina tipo Perovskita, que presenta simetra tetragonal, rombodrica o cbica simples, dependiendo de la temperatura en que el material se encuentra, ver Fig. 2. Estando bajo una determinada temperatura crtica, conocida como temperatura de Curie, la estructura Perovskita presenta la simetra tetragonal en que el centro de simetra de las cargas elctricas positivas no coincide con el centro de simetra de las cargas negativas, dando origen a un dipolo elctrico, como se ilustrado en el primer elemento de la Fig. 2.

Figura 2 - Estructura Perovskita de las cermicas piezoelctricas tipo PZT: 1) Debajo de la temperatura de Curie. 2) Por encima de la temperatura de Curie. La existencia de este dipolo provoca que la estructura cristalina se deforme en presencia de un campo elctrico generndose un dislocamiento elctrico cuando sometida a una deformacin mecnica, lo que caracteriza a los efectos piezoelctricos inverso y directo respectivamente. La deformacin mecnica o la variacin del dipolo elctrico de la estructura cristalina de la cermica no implican necesariamente la presencia de efectos macroscpicos, visto que los dipolos se arreglan en dominios, que a su vez se distribuyen aleatoriamente en el material policristalino. Para que ocurran manifestaciones macroscpicas es necesaria una orientacin preferencial de estos dominios, conocida como polarizacin1. Inclusive esta polarizacin desaparece con el tiempo y uso, inutilizando el material para la transformacin de energa elctrica en mecnica [4,5]. En los sistemas de soldadura y limpieza por ultrasonido, por ejemplo, es utilizado el efecto piezoelctrico inverso mediante la aplicacin de un campo elctrico alternado en una cermica piezoelctrica debidamente polarizada. Durante el proceso ocurre la transduccin de una parte considerable de la energa de la excitacin elctrica en energa mecnica, a travs de la deformacin de la cermica y consecuente generacin de ultrasonido, ver Fig. 3.

Figura 3- Efecto piezoelctrico inverso en un bastn de cermica piezoelctrica polarizado: Si se aplica un campo elctrico en concordancia con la polarizacin de la cermica se produce un alargamiento de la pieza; aplicando un campo con polaridad invertida la muestra se contrae. PRINCIPALES CONSTANTES En slidos ordinarios, el dislocamiento elctrico puede ser considerado una funcin exclusiva del vector campo elctrico (E) y de las constantes dielctricas (); y la deformacin mecnica (S) una funcin

En el proceso de polarizacin el cuerpo cermico recebe electrodos en un par de caras paralelas a travs de las cuales se somete al material calentado a un campo elctrico con intensidad prxima al lmite de ruptura dielctrica, induciendo una polarizacin macroscpica remanente despus de este proceso.

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exclusiva de las tensiones mecnicas (T) y las constantes elsticas (s), como se presenta en notacin matricial en las ecuaciones:
S D m = mk E k

S i = s ij T j
E

(1).

En los materiales piezoelctricos ocurre un acoplamiento de las variables mecnicas y elctricas: al mismo tiempo en que la deformacin depende de las tensiones mecnicas, ella tambin depende del campo elctrico, y al mismo tiempo en que el dislocamiento elctrico depende del campo, el tambin depende de la deformacin mecnica. Podemos visualizar mejor este acoplamiento en la ecuacin (tambin escrita en notacin matricial [6]):
S Dm = emi S i+ mk Ek

Si = sij T j + d mi Em
E

(2).

Existe un conjunto de coeficientes (e y d) que son utilizados para caracterizar os materiales piezoelctricos, y particularmente nuestro foco de inters, las cermicas piezoelctricas. A travs de estos coeficientes y constantes podemos tener una idea del desempeo piezoelctrico y para qu tipo de aplicaciones este o aquel material es ms adecuado [7]. Coeficientes de acoplamiento k Pudiendo ser definidos y calculados de diversas formas, los coeficientes de acoplamiento k pueden ser interpretados como el rendimiento del material al absorber a energa elctrica suministrada por la fuente de excitacin. Constantes piezoelctricas d Las constantes piezoelctricas d establecen una proporcionalidad entre la generacin de cargas y la tensione mecnica aplicada (efecto piezoelctrico directo) y entre la deformacin y el campo elctrico aplicado (efecto piezoelctrico inverso). En las ecuaciones 3-A e 3-B tenemos la definicin diferencial de las constantes d a temperatura y campo elctrico constante. Podemos comparar el carcter piezoelctrico de diferentes materiales a travs de las constantes d, siendo especialmente relevantes en la proyeccin de actuadores y posicionadores.

D d nij = n (C/N) Tij E , S ij d nij = (m/V) E n T ,

(3-A),

(3-B).

Constantes dielctricas K Las constantes dielctricas establecen una proporcionalidad entre el dislocamiento elctrico y el campo elctrico aplicado. En la ecuacin 4 podemos ver la definicin diferencial de la permisividad dielctrica a temperatura y campo elctrico constante, siendo K=/0.

nmT , =

Dn 2 2 (C /Nm ) Em T ,

(4).

Las constantes dielctricas son importantes porque determinan la capacitancia de la cermica piezoelctrica, que a su vez es determinante en el clculo y proyeccin de los circuitos casadores de impedancia. Constantes piezoelctricas g Definidas como la razn entre las constantes d y, correlacionan la respuesta en tensin elctrica del material a una tensin mecnica aplicada (de dimensin Vm/N), siendo especialmente relevantes en la proyeccin de sensores. Constantes elsticas s Las constantes elsticas s establecen una proporcionalidad entre la deformacin y la tensin aplicada. Son las constantes de muelle del material. A partir de las constantes elsticas, definidas de

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forma diferencial en la ecuacin 5, podemos calcular la velocidad de propagacin de ondas acsticas en el material piezoelctrico en cualquier direccin y polaridad, as como estimar las variaciones dimensionales en funcin de presiones estticas.

sijkl

E,

Sij = Tkl E

(5).

Constantes de frecuencia N En geometras en las que tenemos un modo de vibracin desacoplado, la constante de frecuencia se define como el producto de la frecuencia de resonancia por la dimensin en cuestin, pudiendo ser esta ltima el largo, dimetro o espesura. A partir de la constante de frecuencia podemos estimar la frecuencia de resonancia para la misma geometra con dimensiones diferentes. Las constantes de frecuencia son muy tiles en la proyeccin de transductores ultrasnicos para la estimativa de la frecuencia de operacin. Tambin podemos estimar las velocidades de propagacin del sonido en un material a travs de las constantes de frecuencia, duplicndolas. Factor de calidad mecnico Qm y factor de disipacin dielctrico tan El factor de calidad mecnico y el factor de disipacin dielctrico son las constantes ms importantes en la definicin de las posibles aplicaciones dinmicas del material ya que determinan cuales sern las prdidas de energa del proceso de transduccin. Es a partir de estos factores que se determina, por ejemplo, si el material es adecuado para aplicaciones de potencia tales como los sistemas de limpieza por ultrasonido. Temperatura de Curie Es la temperatura crtica donde la estructura cristalina del material sufre la transicin de fase de la simetra tetragonal para la cbica. Si una cermica policristalina es sometida a una temperatura superior o igual a la temperatura de Curie, al ser posteriormente enfriada, podr recuperar sus caractersticas piezoelctricas microscpicas, mas no las macroscpicas, debido a la perdida de la orientacin preferencial de los dominios generados por el proceso de polarizacin, que posibilita la utilizacin prctica del material como transductor electro-mecnico. Limite de traccin dinmico Es el lmite mximo de traccin a que el material puede ser sometido dinmicamente sin romperse. Este lmite debe ser tomado en cuenta principalmente al proyectar transductores de potencia, donde las cermicas piezoelctricas son sometidas a altos campos elctricos que provocan tanto la contraccin (compresin) cuanto la expansin (traccin) del material. Tasa de envejecimiento Es la tasa con que las propiedades piezoelctricas do material se alteran con el tiempo a medida que la orientacin de los dominios de dipolos, creada por el proceso de polarizacin, desaparece.
MATERIALES COMERCIALES Y APLICACIONES

Los principales materiales piezoelctricos comerciales y sus respectivas propiedades estn listados en la Tabla 1. El PZT-4 es utilizado normalmente en sistemas de limpieza por ultrasonido y fisioterapia, el PZT-8 en sistemas de soldadura por ultrasonido, el PZT-5A en sensores y transductores para ensayos no destructivos, el PZT-5J y 5H para generadores de chispa por impacto (detonadores y magic clicks) y posicionadores respectivamente.

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Tabla I Principales materiales piezoelctricos comerciales y sus respectivas constantes. Material kp k33 d33 (10-12 C/N) d31 (10-12 C/N) g33 (x10-3 Vm/N) g31 (x10-3 Vm/N) KT3 (seal baja) C. dielctrica relativa Factor de disipacin tan (campo bajo) Densidad (kg/m3) Temp. de Curie (oC) Factor de calidad Qm sE11 (x10 12 m2/N) sE33 (x10 12 m2/N) Np (Hz-m) (modo planar) Nt (Hz-m) (modo espesura) PZT-4 PZT-8 PZT-5A PZT-5J PZT-5H 0,60 0.68 300 -11.5 26 - 11 1250 0,50 0,63 215 - 9.5 25 - 11 1000 0,61 0,70 400 - 170 25 - 11 1750 0,60 0,71 460 - 210 22 -9 2450 0,63 0,73 550 - 265 19 -9 3100

0,004 0,004 7600 325 500 12 16 2200 1905 7600 330 1000 11 14 2270 2032

0,020 7650 360 75 19 16 1950 1800

0,020 7500 260 70 23 16 2000 1950

0,020 7500 190 65 21 15 1950 2000

REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS [1] GALLEGO, J.; Piezoelectric ceramics and ultrasonic transducers, J. Phys. E: Sci. Instrum., 22 804816 1989 [2] SUSLICK, K.S.; The Chemical Effects of Ultrasound, Scientific American February 1989. [3] CADY, W. G.; Piezoelectricity: An Introduction to the Theory and Applications of Electromechanical Phenomena in Crystals, Dover Press, 1964. [4] JAFFE, B.; Piezoelectric Ceramics, Academic Press, 1971. [5] Piezoelectric ceramics: Properties and Applications, Morgan Electro Ceramics Inc. technical publication. [6] NYE, J.F.; Physical Properties of Crystals, Clarendon Press, 1985. [7] IKEDA, T.; Fundamental of Piezoelectricity, Oxford University Press, 1990.
Notas: i) El contenido de este application note fue adaptado de la disertacin de maestra DESENVOLVIMENTO E CARACTERIZAO DE TRANSDUTORES ULTRA-SNICOS DE POTNCIA BI-FREQNCIAIS PARA SISTEMAS DE LIMPEZA POR ULTRA-SOM, del mismo autor, presentada en 2005 en la UFSCar pelo PPGCEM y de sitios web relevantes sobre el tema en cuestin. ii) La ATCP Engenharia Fsica no se responsabiliza por el uso de las informaciones contenidas en este informe as como por eventuales prdidas y daos asociados.

Si usted tiene sugerencias o crticas para mejorar este artculo envelas para ha@atcp.om.br a Henrique Alves. Muchas Gracias!

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