Sunteți pe pagina 1din 6
UNIVERSITATEA "POLITEHNICA"” BUCURESTI DEPARTAMENTUL DE FIZICA LABORATORUL DE F ICA ATOMICA SI FIZICA CORPULUI SOLID BN 031B FOTODIODA FOTODIODA Scopul lucririi. Studiul efectului fotovoltaic. Conversia direct’ a energiei luminoase in energie electric’, Teoria lucrarii. tul fotovoltaic consta in aparitia unei tensiuni electromotoare intr-o jonefiune p -n cand aceasta este iluminata. Prin acest efect se realizeazi conversia directi a energiei luminoase in energie electried, Intr-un semiconductor intrinsec conductia electricd este realizata atat de electronii care tree din zona de valenfa in zona de conductie sub actiunea cdmpului electric extern unde se deplaseaza liber si creazi densitatea de curent de electroni J, cat si de golurile din zona de valent, rezultate in urma plecarii electroniflor, si care din punct de vedere al conductiei se comporti ca sarcini elementare pozitive si creazd densitatea de curent de goluriJ,. Densitatile de curent J,, si J,, sunt: J, =nemE wo Jp = Pe MpE Q) unde n este concentrafia de electroni din zona de conduetie, p este concentratia de goluri din zona de valenfi, e=1,6-107'9C si este sarcina electrici elementari, uj, gi fp sunt mobilitafile electronilor si respectiv golurilor. In semiconductorul intrinsee m = p G3) si densitatea totali de curent este: j=(nem+reup) 4) In semiconductorurii extrinseci (semiconductori dopati) conductia se realizeaz prin electroni in semiconductorii dopafi cu impurititi donoare - semiconductorii de tip n si respectiv prin goluri in semiconductori de tip p dopati cu impuritati acceptoare. densitatea de curent in semiconductorii de tip p este J, (1) iar in semiconductorii de tip p este J,,(3) unde nap. Jonetiunea p - n este zona care separ’, in acelasi monocristal, dowd regiuni cu conducfii diferite: p gin, In fiecare dintre aceste regiuni miscarea purtatorilor liberi are un caracter dezordonat, electronii difuzeazi spre regiunea p iar golurile spre regiunea n. La intilnirea dintre electron si gol are loc fenomenul de recombinare care determina o scddere a concentratiei de electroni in zona n si de goluri in zona p. Acest fenomen face ca regiunea n si devin electropozitiva comportindu-se ca o veritabild sursi electricd. In jonejiune apar astfel un cémp electric dirijat de la regiunea n spre regiunea p, care limiteaz migrarea purtitorilor. Difuzia purtatorilor prin jonetiunea p - n poate fi stimulata prin iluminarea acestia Datoriti fotonilor se realizea ionizarea atomilor si se creazi astfel noi purtitori de sarcin: liber capabili A mireascd tensiunea electromotoare din jonctiune, fenomenul respectiv purtind denu ‘a de efect foto, Randamentul conversiei ener; luminoase in energie electriea depinde de natura materialului semiconductor, de compozitia spectral a luminii de dispozitivului folosit, dispozitiv care poart numele de fotodiod’. Fig. Piesa principal a unei fotodiode este o plicuf%i de germaniu de tip n in interiorul cAreia s-a realizat jonctiunea p - n, S-a folosit urmatoarea tehnologie: pe plicuti s-a asezat o bobif’ de indiu, indiu are o temperaturi de topire mai mici decat temperatura de topire a germaniului. Prin incdlzire bobita s-a topit si atomii de indiu au difuzat in pkicuta de germaniu. Spatiul in care au patruns atomii de indiu devine o regiune cu conductie prin goluri (conductie de tip p). La limita acestei regiuni se formeazi jonctiunea p - n. La cele doud regiuni s-au atagat firele de legitur, apoi s-a incapsulat intr-un tub de sticli innegriy in intregime cu exceptia capatului superior care cu forma de lentil. Lentila are scopul (de a concentra lumina pe jonctiunea p - n, apare astfel excesul de sarcind (n si p). Cresterea fluxului luminos determing cresterea concentratiei in exces (n si p), ceea ce duce la marirea tensiunii electromotoare, precum si a intensititii curentului electric generat. Intensitatea curentului depinde de rezistenfa circuitului exterior, cu cat rezistenfa va fi mai mare, la o aceeasi iluminare, cu atat intensiatea curentului generat va scadea. In lucrare se va urmit modul cum variazi inten valori ale rezistenfei exterioare Fig.2 Montajul experimental este prezentat in fig. 2 unde S este un bane optic pe care culiseazi lampa electricd L si fotodioda F. Lampa electrica este alimentati de la refeaua de 220 V, curent alternativ. Bancul optic este gradat in centimetri. Fotodioda debiteaz pe circuitul electric din fig. 2 care cuprinde un microampermetru (j1A) legat in serie cu o cutie de rezistentd cu ploturi, Fiecare rezistenta poate fi introdus& in circuit prin ridicarea plotului corespunzitor. Modul de lueru. Varianta A Se verified schema electricd. Se conecteaza lampa la priza, se scoate capacul opac cu care este acoperiti fotorezistenta. Lampa sti nemiscata tot timpul lucrarii, Pentru rezistent& exterioari R nul (cutia are toate platurile) se deplaseazi fotodioda la distantele r date tabelull, Pentru fiecare r se citeste valoarea curentului electric indicat de microampermetrul gi se tree in tabel. Se fac toate citirile corespunzatoare indicafiilor din tabel. Tabelul 1 r(om) |_8 10 12 15 20 30 50 80 7 ie 0 100 RQ) |_s00 1000 5000 Prelucrarea datelor experimentale. Admitand ci sursa de lumind are dimensiuni mici in raport cu distanta r, se poate considera cA intensitatea luminoasa scade proportional cu inversul patratului distantei r (cu (1) 1 =Z)- Cu datele din tabel se taseazs, pe aceeasi hartie milimetrcd, cinci grafice J = [>] pentru R = ct, Pentru un r dat se determin’ tensiunea fotovoltaica (Us,) Up =J-Rylar=ct. a) / 1 Se traseaz pe aceeasi hirtie milimetrica cinci grafice Uy, = (4) . Varianta B. Distanja dintre lampa electric L si fotodioda F este fix’. in faja lui L este agezati o diaftagma reglabili pentru modificarea fluxului luminos ce cade pe fotodiod’. Montajul electric este cel corespunzitor variantei A. Se modificd fluxul luminos prin modificarea diafragmei in pozijiile 1, 2, ... 10. Se considera fluxul luminos proporjional cu deschiderea diafragmei. Pentru valori constante ale fluxului (deschidere constant a diafragmei) se \ traseazi, pe acceasi hartie milimetricd, graficele J = Q) \ exterior al fotodiodei care se modifica prin scoaterea ploturilor din cutia de rezistente. unde R este rezistenfa circuitului Pentru valori constate ale rezistenfei se traseazi dependengele curentului electric din cireuitul fotodiodei, de fluxul luminos: 1= 10) laR=ct. Datele se trec in tabelul 2. Variafia fotocurentului in funefie de rezistenfa si flux la distanfa fixa. Tabelul 2 ‘ous Obs. unit Ne oo |ofo}o.| |e} 0) | o,| “sane RKO) 1(@) 1a Reet se] 20] aon fun] fe} f= 10. Din dependenfele = 1( 1/R ) se determin’ pantele dreptelor respective care reprezint& tensiunea fotovoltaica corespunzitoare unui flux luminos constant si se traseazi dependenta, Uy =U pl®) Intrebiri. 1) Ce se infelege prin efect fotovoltaic? 2) Ce este o jonetiune p =n? 3) Ce este 0 fotodioda’

S-ar putea să vă placă și