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Experimento de laboratorio 6
I ntroduccion a IDs
transistores
Q
(.)
~
~
' ..
FlU..iO. DE: LA CORRIENTE E1 transistor NPN .mostrado en la fig. 25-3 (b)
01000 DE SILICIO funciona en forma anaIoga. Cuando sus terminales
de base y colector se hacen positivas con respecto
Fig. 25-1 a. su emisor, la union PN de base-cmisor se polari-
za directamente. Fluye corriente de base a emisor,
Cuando se aplica voltaje, eon las polaridades en la haciendo que tambien fluya corriente de colector
fonna que se muestra, Ia union PN se polariza a emisor, ya que su colector es mas positivo que el
directClmente y fluye corriente a traves del diodo. emisor. En otraspalabras, la direccion de la co-
Cuando se agrega otraseccion de material de tipo mente convencional a traves de un transistor
P 0 N .'-\una union PN para fonnar tres secciones, siempre es en la direccion de la flecha en la tenni-
se produce un dispositivo de tres elementos, que nal delemisor. - '+
cOntIene; dos UDJones. Este dispositivo de tres
elemePto~ es tin transjstor bipolar. Las tres seccio-
nes 0 I"lementos d\. un transistor bipolar son el
emzso iE' la base (B) y el cotector (C). Los tran- \.\ \IIC
Bf V IIC +
sistOi. :la«.f';"'dIIseg6n el arreglo de los mate-
riates'
la f~~
para II", n
nortrl 1.1,I
..° r .v N v son de. tipos PNP 0 NPN. En
, ( ,\ " (b) se muestran las conexi ones
1'\,",tores
" c ] emisor-b~e
PNP y NPN. En operacion
esta polarizada di-
l +
'H
mver-"
EMIS'JR -t~. P N P r- '::>LECTOR (a)
Fig. 25-3
(b)
\
INION. BASE
" UNION .
.. COLECTO" Equipos y materiales
Fuente de energia 0-40:V cd, lOmA
EMISOR~ Amperimetro O-O.l/1/10mAcd
... . VfVM
rEI 'q/BASE ., Dispositivo de capacitacion en-electronica
Is) 'tRANSISTOR PNP
IBI BTI - Pilas secas en receptaculo.
~----------------------------------- tablero L de componentes
Ql - Transistor NPN 2N2219A (silicio)
L~
EMISOH'UNION ./
BASE
~REC~LECTOR
UNION
N
Q2
Q3
Rl
-
-
Transistor NPN 2N1302 (germanio)
Transistor PNP 2N2905A (silicio)
- lOko., lW
Introduccion a 10$transistores
..".,..." ...:..
muestran 105 perfiles y conexi ones depa~as ge Examine las cQnexiones de las terminales 0 alfIle.
algunos transistores de los tipos mas comunes. res mostradas. para los transistores TO-S, TO-18,
Note que las term inales 0 alfileres generalmente. se TO-92, TO.l()S y .TO-106. Identifique las termi-
muestran en una vista del fondo del transistor. . nales segiIn aparecen en la direccion en sentido
Debido a que difieren mueho en perfiles y cone- del reloj (vista desde el fondo).
xiones de las terminales, siempre debe cons111tarel
manual de instrocciones adecuado 0 la hojade punta izquierda =
datos del transistor antes de hacer conexiones al punta del medio ='
transistor. punta derecha = . ",
TO.3 ,o.5 TO.18
La ide.ntificacion de las terminales para la mayo-
ria de los transistore/ es (en el sentido de las ma-
ill i
necitlas del relo] desde el fondo) emisor-base-co-
lector. En el transistor TO-3 solo hay dos termi.
nales. La conexion del colector se debe haeer al
encapsulado metalieo. Debe percatarse que aun-
que otros transistores con encapsulados metalicos
'h
B C E-V=: E: tengan tres terminales tambien pueden tener sus
encapsulados conectados ele"ctricamente al colec-
tor.
TO.36 TO-66 TO.92
-i.200::.L 0 c) Observe hi!; conexiones de las termina-
I , r:200 les p~a. 10s cncapsulados TO-S y TO-IS.1 lCuaI
7' r. f punta esta proxima a la lengiieta metaIica en la
parte inferior .del encapsulado?
E E B .c Observe las conexiones de las terminales' para los
O. encapsulados TO-lOS y TQ.l06. lQue terminal
'JWf'
8 BC esta proxima al lado phpl0 del encapsulado?
TO.105 TO.106
'-0.220 . \
Objetivo B. Mostrar y medir 105 efectos en la
corricnte de la base, de la polarizacion directa e
inversa en el circuito emisor-base.
1
que el metaIico TO-S y el TO-lOS es similar pero la fuente hasta que el miliamperimetro indique
mayor que el TO-l06. Otro encapsulado plastico
epoxico pequeno y popular es el TQ.92. '31
'"
Introduccion a 105transistores
0.02mAcd de corriente IB de base directa. Anote [J c) Examine los datos que regis~r6 en la
la caida de voltaje 'IJ.''B
E directa de base a emisor tabla 25-1. GHay similitud entre la caida de vol-
en la tabla 25-1. taje directo para el transistor Q1 de silicio y un
diodo de silicio? .
[J c) Repita y anote VBE para cada uno de
los valores de I B que aparecen en la tabla. Cambie GAproximadamente a cuaI voltaje esta completa-
el rango del miliamperimetro a ImAcd cuando 10 mente polarizado en forma directa la base al emi-
requiera. sor de Q1?
VBE (silicio) = m_Ycd
18 VBE IB VBE
mA mA [J d) GAproximadamente a cuat voltaje esta
Ql Q2 Ql Q2 completamente polarizada la base a emisor de
Q2?
0.02 0.4
VBE (gnmanio) = vcd
0.04 0.6
Objetivo C. Mostrar y medir 105 efectos en la
0.06 0.8 corriente del colector de la polarizacion directa e
invena en el circuito emisor-base.
0.08 1.0 [J 4. a) Monte el circuito de la fig. 25-6. Note
que el lado positivo de BT1 esta conectado a la
0.1 2.0 base de Q1 a traves de la resistencia R2 y el brazo
del potenciometro R3. Las resistencias R2 y R4
0.2 3.0 en serie ge incluyen s610 como dispositivos de pro-
teccion, que limitan las corrientes de base y colec-
tor a valores seguros. EI voltaje Vc del colector se
Tabla 25-1 suministra mediante la fuente de energia de
0-12Vcd.
[J d) Ajuste el voltaje a cero e invierta las G-1OmAcd
conexiones a las terminales de base y emisor de
Q1. Ahora el transistor Q1 NPN esta en condicion
de polarizacion inversa.
[J e) Cambie el rango del miliamperimetro a
O.lmAcd y el del VTVM a 5Vcd. +
+
[J f) Ajuste Es hast a que el voltaje inverso ~ Bn E Vc
de emisor a base VE B sea igual a 3Vcd. Mida la -T 3Vcd G-12Vcd
A3
corriente de fuga IE B 0 inversa de emisor a base.
10K
EI simbolo 'EB indica que la base-a-emisor esta
polarizada inversamente,y la 0 indica que la me-
dicion se hace con el colector en circuito abierto Fig. 25-6
(no conectado). lEBO para el transistor 2N2219A
es de O.011lAcd max.
0 b) Gire hasta ei limite el b.razo de R3 en el
lEBO =.u llAcd sentido de las manecillas del reloj. Ahora la base
de Q1 esta conectada esencialmente at emisor y
[J g) Ajuste el voltaje a cera. no se puede polarizar, directamente cuando se
[J 3. a) Remplace Q1 con el transistor NPN Q2 aplica voltaje.
0 c) Ajuste la fue~te de energia del colector
de germanio y repita el procedimiento 2 (desde a Vc a 6Vcd.
hast a c). Anote sus mediciones en la tabla 25-1,
0 d) Ajuste R3 hasta que £luyan 2mAcd de
en la columna para Q2.
corriente de colector, indicada por el miliampe-
[J rimetro de 10mAcd en el circuito del colector.
b) Repita el procedimiento 2 (desde d has-
ta g). 0 e) Mida y anote en la tabla 25-2 la corrien-
te de base, en p.A, para una corriente de colector
32 lEBO = p.Acd de 2mAcd.
\
\.,1'
a f) Repita los pasos para cada una de las 0 5. a) Ah~ra observara el cambio en Ia co-
corrientes de colector que aparecen en la tabla. rriente del colector debida al cambio en el voltaje
a g) Ajuste Ve a cero. del colector. Ajuste Ve a 6Vcd.
e h) Examine los resultados mostrados en,la 0 b) Ajuste R3 para una corriente de colec.
tabid 25-2. Indique si un pequeno cambio en la tor de 2mAcd como en el procedimiento 4 (d).
corriente de base provoca un cambio grande en la 0 c) Aumente Ve a 9Vcd y mida la corrien-
corriente del colector. te resultcinte del colector.
Ie = mAcd
VOLTAJE DEL COLECfOR Ve = 6Vcd 0 d) Aumente Vc a 12Vcd y mida Ia co-
rriente resultante def colector.
CORRIENTE DEL CORRIENTE
COLEcrOR Ie DE LA BASE IB
Ie = ,...mAcd
0 mAcd 0 e) Ajuste Vc a cero y desconecte Ia bate-
da BTI. .
2 mAcd 0 f) lCuaI fue el cambio en la corriente del
colector (con relacion a 2mA) cuando se duplic6
el voltaje del colector a 12Vcd?
4 mAcd
Ale = mAcd
6 mAcd
Resumen
8 mAcd
En este experimento, aprendi6 a identificar las
terminales de emisor, base y colector de trans is-
10 mAcd tores NPN y PNP. Mostrolas relaciones de voltaje
contra corriente en uniones PN base-emisor de
silicio y germanio. Observo que esas uniones se
Tabid 25-2 comportan como diodos semiconductores, que
tienen determinada caida de voltaje a traves de
lQue cambio en la corriente de la base se requirio
ell:;s cuando estan completamente polarizadas en
para cambiar la corriente del coJ.ector desde
forma directa. Determino que esta caida de vol-
2mAcd a 10mAcd? La le!ra griega A (delta~ signi-
fica "cambio en" taje directa es de 0.5 a O.7Vcd para el silicio y de
0.15 a 0.3Vcd para el germanio. Luego determino
que la union de base-emisor debe estar polarizada
AIB ~ l.&Acd
directamente antes de que pueda fluir la corrient~
de colector. Finalmente, midiendo las corrientes
Objetivo D. Mostrar y medir 105efectos en la co- de base y de colector observe que pequenos cam-
rriente del colector de un cambio en el voltaje bios en la corriente de la base controlan cambios
del colector. mucho mayores en la corrie~te de1.colector.
33
,cO "'"
II