Efecto fotoelctrico El efecto fotoelctrico consiste en la emisin de electrones por un metal cuando se hace incidir sobre l una radiacin

electromagntica (luz visible o ultravioleta, en general). A veces se incluyen en el trmino otros tipos de interaccin entre la luz y la materia: Fotoconductividad: es el aumento de la conductividad elctrica de la materia o en diodos provocada por la luz. Descubierta por Willoughby Smith en el selenio hacia la mitad del siglo XIX. Efecto fotovoltaico: transformacin parcial de la energa luminosa en energa elctrica. La primera clula solar fue fabricada por Charles Fritts en 1884. Estaba formada por selenio recubierto de una fina capa de oro. El efecto fotoelctrico fue descubierto y descrito por Heinrich Hertz en 1887, al observar que el arco que salta entre dos electrodos conectados a alta tensin alcanza distancias mayores cuando se ilumina con luz ultravioleta que cuando se deja en la oscuridad. La explicacin terica fue hecha por Albert Einstein, quien public en 1905 el revolucionario artculo Heurstica de la generacin y conversin de la luz, basando su formulacin de la fotoelectricidad en una extensin del trabajo sobre los cuantos de Max Planck. Ms tarde Robert Andrews Millikan pas diez aos experimentando para demostrar que la teora de Einstein no era correcta, para finalmente concluir que s lo era. Eso permiti que Einstein y Millikan fueran condecorados con premios Nobel en 1921 y 1923, respectivamente. Se podra decir que el efecto fotoelctrico es lo opuesto a los rayos X, ya que el efecto fotoelctrico dice que los fotones luminosos pueden transferir energa a los electrones. Los rayos X (no se saba que eran en ese tiempo, por eso la incgnita "X") son transformaciones de toda o parte de la energa cintica de un electrn en movimiento, en un fotn. Esto no solamente es posible, sino da la casualidad de que se descubri antes de que salieran a la luz los trabajos de Planck y Einstein (aunque no se comprendi entonces).

Introduccin

Clula fotoelctrica donde "1" es la fuente lumnica, "2" es el ctodo y "3", el nodo. Los fotones tienen una energa caracterstica determinada por la frecuencia de onda de la luz. Si un tomo absorbe energa de un fotn que tiene mayor energa que la necesaria para expulsar un electrn del material y que adems posee una velocidad bien dirigida hacia la superficie, entonces el electrn puede ser extrado del material. Si la energa del fotn es demasiado pequea, el electrn es incapaz de escapar de la superficie del material. Los cambios en la intensidad de la luz no modifican la energa de sus fotones, tan slo el nmero de electrones que pueden escapar de la superficie sobre la que incide y por lo tanto la energa de los electrones emitidos no depende de la intensidad de la radiacin que le llega, sino de su frecuencia. Si el fotn es absorbido parte de la energa se utiliza para liberarlo del tomo y el resto contribuye a dotar de energa cintica a la partcula libre. En principio, todos los electrones son susceptibles de ser emitidos por efecto fotoelctrico. En realidad los que ms salen son los que necesitan menos energa para salir y, de ellos, los ms numerosos. En un aislante (dielctrico), los electrones ms energticos se encuentran en la banda de valencia. En un metal, los electrones ms energticos estn en la banda de conduccin. En un semiconductor de tipo N, son los electrones de la banda de conduccin que son los ms energticos. En un semiconductor de tipo P tambin, pero hay muy pocos en la banda de conduccin. As que en ese tipo de semiconductor hay que ir a buscar los electrones de la banda de valencia. A la temperatura ambiente, los electrones ms energticos se encuentran cerca del nivel de Fermi (salvo en los semiconductores intrnsecos en los cuales no hay electrones cerca del nivel de Fermi). La energa que hay que dar a un electrn para llevarlo desde el nivel de Fermi hasta el exterior del material se llama funcin trabajo, y la frecuencia mnima necesaria para que un electrn escape del metal recibe el nombre de frecuencia umbral. El valor de esa energa es muy variable y depende del material, estado cristalino y, sobre todo de las ltimas capas atmicas que recubren la superficie del material. Los metales alcalinos (sodio, calcio, cesio, etc.) presentan las ms bajas funciones de trabajo. An es necesario que las superficies estn limpias al nivel atmico. Una de la ms grandes dificultades de las experiencias de Millikan era que haba que fabricar las superficies de metal en el vaco. Explicacin Los fotones del rayo de luz tienen una energa caracterstica determinada por la frecuencia de la luz. En el proceso de fotoemisin, si un electrn absorbe la energa de un fotn y ste ltimo tiene ms energa que la funcin trabajo, el electrn es arrancado del material. Si la energa del fotn es demasiado baja, el electrn no

puede escapar de la superficie del material. Aumentar la intensidad del haz no cambia la energa de los fotones constituyentes, solo cambia el nmero de fotones. En consecuencia, la energa de los electrones emitidos no depende de la intensidad de la luz, sino de la energa de los fotones individuales. Los electrones pueden absorber energa de los fotones cuando son irradiados, pero siguiendo un principio de "todo o nada". Toda la energa de un fotn debe ser absorbida y utilizada para liberar un electrn de un enlace atmico, o si no la energa es re-emitida. Si la energa del fotn es absorbida, una parte libera al electrn del tomo y el resto contribuye a la energa cintica del electrn como una partcula libre. Einstein no se propona estudiar las causas del efecto en el que los electrones de ciertos metales, debido a una radiacin luminosa, podan abandonar el metal con energa cintica. Intentaba explicar el comportamiento de la radiacin, que obedeca a la intensidad de la radiacin incidente, al conocerse la cantidad de electrones que abandonaba el metal, y a la frecuencia de la misma, que era proporcional a la energa que impulsaba a dichas partculas. Leyes de la emisin fotoelctrica 1. Para un metal y una frecuencia de radiacin incidente dados, la cantidad de fotoelectrones emitidos es directamente proporcional a la intensidad de luz incidente. 2. Para cada metal dado, existe una cierta frecuencia mnima de radiacin incidente debajo de la cual ningn fotoelectrn puede ser emitido. Esta frecuencia se llama frecuencia de corte, tambin conocida como "Frecuencia Umbral". 3. Por encima de la frecuencia de corte, la energa cintica mxima del fotoelectrn emitido es independiente de la intensidad de la luz incidente, pero depende de la frecuencia de la luz incidente. 4. La emisin del fotoelectrn se realiza instantneamente, independientemente de la intensidad de la luz incidente. Este hecho se contrapone a la teora Clsica:la Fsica Clsica esperara que existiese un cierto retraso entre la absorcin de energa y la emisin del electrn, inferior a un nanosegundo. Formulacin matemtica Para analizar el efecto fotoelctrico cuantitativamente utilizando el mtodo derivado por Einstein es necesario plantear las siguientes ecuaciones: Energa de un fotn absorbido = Energa necesaria para liberar 1 electrn + energa cintica del electrn emitido. Algebraicamente:

, que puede tambin escribirse como . donde h es la constante de Planck, f0 es la frecuencia de corte o frecuencia mnima de los fotones para que tenga lugar el efecto fotoelctrico, es la funcin trabajo, o mnima energa necesaria para llevar un electrn del nivel de Fermi al exterior del material y Ek es la mxima energa cintica de los electrones que se observa experimentalmente. Nota: Si la energa del fotn (hf) no es mayor que la funcin de trabajo (), ningn electrn ser emitido. Si los fotones de la radiacin que inciden sobre el metal tienen una menor energa que la de funcin de trabajo, los electrones del material no obtienen suficiente energa como para emitirse de la superficie metlica. En algunos materiales esta ecuacin describe el comportamiento del efecto fotoelctrico de manera tan slo aproximada. Esto es as porque el estado de las superficies no es perfecto (contaminacin no uniforme de la superficie externa). Historia Heinrich Hertz Las primeras observaciones del efecto fotoelctrico fueron llevadas a cabo por Heinrich Hertz en 1887 en sus experimentos sobre la produccin y recepcin de ondas electromagnticas. Su receptor consista en una bobina en la que se poda producir una chispa como producto de la recepcin de ondas electromagnticas. Para observar mejor la chispa Hertz encerr su receptor en una caja negra. Sin embargo la longitud mxima de la chispa se reduca en este caso comparada con las observaciones de chispas anteriores. En efecto la absorcin de luz ultravioleta facilitaba el salto de los electrones y la intensidad de la chispa elctrica producida en el receptor. Hertz public un artculo con sus resultados sin intentar explicar el fenmeno observado. J.J. Thomson En 1897, el fsico britnico Joseph John Thomson investigaba los rayos catdicos. Influenciado por los trabajos de James Clerk Maxwell, Thomson dedujo que los rayos catdicos consistan de un flujo de partculas cargadas negativamente a los que llam corpsculos y ahora conocemos como electrones. Thomson utilizaba una placa metlica encerrada en un tubo de vaco como ctodo exponiendo este a luz de diferente longitud de onda. Thomson pensaba que el campo electromagntico de frecuencia variable produca resonancias con el campo elctrico atmico y que si estas alcanzaban una amplitud

suficiente poda producirse la emisin de un "corpsculo" subatmico de carga elctrica y por lo tanto el paso de la corriente elctrica. La intensidad de esta corriente elctrica variaba con la intensidad de la luz. Incrementos mayores de la intensidad de la luz producan incrementos mayores de la corriente. La radiacin de mayor frecuencia produca la emisin de partculas con mayor energa cintica. Von Lenard En 1902 Philipp von Lenard realiz observaciones del efecto fotoelctrico en las que se pona de manifiesto la variacin de energa de los electrones con la frecuencia de la luz incidente. La energa cintica de los electrones poda medirse a partir de la diferencia de potencial necesaria para frenarlos en un tubo de rayos catdicos. La radiacin ultravioleta requera por ejemplo potenciales de frenado mayores que la radiacin de mayor longitud de onda. Los experimentos de Lenard arrojaban datos nicamente cualitativos dadas las dificultades del equipo instrumental con el cual trabajaba. Cuantos de luz de Einstein En 1905 Albert Einstein propuso una descripcin matemtica de este fenmeno que pareca funcionar correctamente y en la que la emisin de electrones era producida por la absorcin de cuantos de luz que ms tarde seran llamados fotones. En un artculo titulado "Un punto de vista heurstico sobre la produccin y transformacin de la luz" mostr como la idea de partculas discretas de luz poda explicar el efecto fotoelctrico y la presencia de una frecuencia caracterstica para cada material por debajo de la cual no se produca ningn efecto. Por esta explicacin del efecto fotoelctrico Einstein recibira el Premio Nobel de Fsica en 1921. El trabajo de Einstein predeca que la energa con la que los electrones escapaban del material aumentaba linealmente con la frecuencia de la luz incidente. Sorprendentemente este aspecto no haba sido observado en experiencias anteriores sobre el efecto fotoelctrico. La demostracin experimental de este aspecto fue llevada a cabo en 1915 por el fsico estadounidense Robert Andrews Millikan. Dualidad onda-corpsculo El efecto fotoelctrico fue uno de los primeros efectos fsicos que puso de manifiesto la dualidad onda-corpsculo caracterstica de lamecnica cuntica. La luz se comporta como ondas pudiendo producir interferencias y difraccin como en el experimento de la doble rendijade Thomas Young, pero intercambia energa de forma discreta en paquetes de energa, fotones, cuya energa depende de la frecuencia de la radiacin electromagntica. Las ideas clsicas sobre la absorcin de

radiacin electromagntica por un electrn sugeran que la energa es absorbida de manera continua. Este tipo de explicaciones se encontraban en libros clsicos como el libro de Millikan sobre los Electrones o el escrito por Compton y Allison sobre la teora y experimentacin con rayos X. Estas ideas fueron rpidamente reemplazadas tras la explicacin cuntica de Albert Einstein. Efecto fotoelctrico en la actualidad El efecto fotoelctrico es la base de la produccin de energa elctrica por radiacin solar y del aprovechamiento energtico de la energa solar. El efecto fotoelctrico se utiliza tambin para la fabricacin de clulas utilizadas en los detectores de llama de las calderas de las grandes centrales termoelctricas. Este efecto es tambin el principio de funcionamiento de los sensores utilizados en las cmaras digitales. Tambin se utiliza en diodos fotosensibles tales como los que se utilizan en las clulas fotovoltaicas y en electroscopios oelectrmetros. En la actualidad los materiales fotosensibles ms utilizados son, aparte de los derivados del cobre (ahora en menor uso), elsilicio, que produce corrientes elctricas mayores. El efecto fotoelctrico tambin se manifiesta en cuerpos expuestos a la luz solar de forma prolongada. Por ejemplo, las partculas de polvo de la superficie lunar adquieren carga positiva debido al impacto de fotones. Las partculas cargadas se repelen mutuamente elevndose de la superficie y formando una tenue atmsfera. Los satlites espaciales tambin adquieren carga elctrica positiva en sus superficies iluminadas y negativa en las regiones oscurecidas, por lo que es necesario tener en cuenta estos efectos de acumulacin de carga en su diseo.

Codificadores incrementales Un codificador incremental de rotacin est formado por un disco con ranuras radiales ubicadas por lo general muy juntas en toda su circunferencia, o sino con lneas alternadas en color claro y oscuro, que giran frente a un fotosensor (o un conjunto de stos, para ms precisin), generando un pulso por cada ranura o cambio de color. Discos de codificador incremental Un ejemplo tpico de este tipo de codificadores se puede ver dentro de los mouses (ratones) de computadora: pequeos discos con ranuras en cada eje de movimiento. Un circuito lleva la cuenta de los pulsos, con lo que se puede conocer tanto el ngulo que se ha avanzado como la velocidad de giro (midiendo el tiempo entre pulsos). Estos codificadores son baratos pero no ofrecen una posicin absoluta (como el potencimetro), ya que el disco es igual en toda su circunferencia y no hay manera de saber dnde est ubicado (en qu ngulo absoluto) el eje. Habitualmente, se

debe proveer al sistema de una manera de ubicarse en una posicin cero, y de ah en adelante contar pulsos hacia adelante o hacia atrs. Codificadores absolutos Los codificadores absolutos pticos funcionan con un concepto similar al de los tipos incrementales, slo que poseen un disco con un dibujo complejo, distribuido en anillos concntricos que representan los bits de una palabra binaria. Deben tener un detector ptico por cada uno de estos anillos. Por ejemplo un disco con 8 anillos (como el de la figura), tendr una resolucin de 8 bits, o sea que podr dividir su circunferencia en 256 porciones (ms de 1 grado, si hablamos de ngulo). Un disco con ms anillos concntricos ofrecer ms bits de resolucin y dar un dato de posicin angular ms preciso. Disco de codificador absoluto Por razones de precisin ptica, la codificacin se suele hacer en una codificacin llamada cdigo Gray, que luego se traduce en el cdigo binario estndar que utiliza una computadora para sus cuentas. Comparando tcnicas Los potencimetros son tiles para aplicaciones con precisiones entre 0,5 a 5 %. Son los dispositivos ms baratos que existen para este uso. Debido a que estn sujetos a desgaste mecnico, su aplicacin se limita a productos hogareos y en industrias donde no es importante la seguridad y duracin. Los codificadores incrementales son razonablemente baratos. Se los usa extensamente en la industria, aunque su rendimiento es casi marginal en entornos crticos. Los discos se pueden quebrar si reciben impactos y se pueden producir errores por condensacin. La volatilidad de su salida puede hacerlos no aceptables en algunas aplicaciones. Los codificadores absolutos cubren un rango que va desde los medianamente costosos a los de alto costo, dependiendo de la resolucin necesaria. Como sus similares incrementales, en algunas aplicaciones extremas pueden tener algunas limitaciones de performance. Los sincros son relativamente caros pero ofrecen alta precisin. Debido a que virtualmente no tienen partes mviles sujetas a desgaste, son muy seguros. Se necesita una electrnica costosa para convertir la seal a digital y para proveer la excitacin.

Diodos para medir temperatura Se puede usar un diodo semiconductor ordinario como sensor de temperatura. Un diodo es el sensor de temperatura de menor costo que se puede hallar, y a pesar de ser tan barato es capaz de producir resultados ms que satisfactorios. Slo es necesario hacer una buena calibracin y mantener una corriente de excitacin bien estable. El voltaje sobre un diodo conduciendo corriente en directo tiene un coeficiente de temperatura de alrededor de 2,3 mV/C y la variacin, dentro de un rango, es razonablemente lineal. Se debe establecer una corriente bsica de excitacin, y lo mejor es utilizar una fuente de corriente constante, o sino un resistor conectado a una fuente estable de voltaje.

Circuitos integrados para medir temperatura Existe una amplia variedad de circuitos integrados sensores de temperatura (se puede encontrar una lista en el link de abajo con la informacin detallada). Estos sensores se agrupan en cuatro categoras principales: salida de voltaje, salida de corriente, salida de resistencia y salida digital. Con salida de voltaje podemos encontrar los muy comunes LM35 (C) y LM34 (K) de National Semiconductor. Con salida de corriente uno de los ms conocidos es el AD590, de Analog Devices. Con salida digital son conocidos el LM56 y LM75 (tambin de National). Los de salida de resistencia son menos comunes, fabricados por Phillips y Siemens.

Integrados medidores de temperatura con salida de voltaje Tolerancia Sensor Fabricante Salida Cpsula Comentarios (rango) Salida proporcional a la alimentacin - ideal para ADC del mismo estilo Salida proporcional a la alimentacin Opera como un Zener con entrada para ajuste de escala, 400A Necesita una fuente negativa para temperaturas < -5C Necesita una fuente negativa para temperaturas

AD22100 Analog Devices

22,5mV/C a 2C y 4C TO-92 5V (-50 a SO-8 250mV offset +150C)

AD22103 Analog Devices

28mV/C (a 2,5C 3,3V), (0C 250mV offset +100C) 2,7C 9C o (-55C 150C -40C 100C)

TO-92 a SO-8 a a TO-92 TO-46 a

LM135 LM235 LM335

National Semi, Linear Tech

10mV/K 10mV/C

LM34

National Semi

10mV/F

3F y 4F TO-46 (-20C a TO-92 120C) SO-8 1C 1,5C (-20C 120C) TO-46 TO-92 a SO-8 y

LM35

National Semi

10mV/C

< 10C LM45 National Semi 10mV/C 500mV offset 1C 1,5C (-20C 120C) TO-46 TO-9 a SO-8 y LM35 con corrimiento de salida 500mV Bajo costo, corrimiento 500mV, fcil de usar

LM50

National Semi

10mV/C 500mV offset

3C y 4C TO-46 (-40C a TO-92 125C) SO-8

LM60

National Semi

Acepta 3C y 4C alimentacin 6,24 mV offset (-40C a SOT-23 inferior a 125C) 2,7V 2,5C -8,5 mV/C 5C (nota neg. TC) (-40C 100C) 10 mV/C 8C (-20C 125C) Corriente de SOT-23 operacin SCa muy baja: 82AB 10A a SOT-23 . TO-92 y

S-8110 S-8120

Seiko Instruments

TC102 TC103 Telcom Semi TC1132 TC1133

TMP35

Analog Devices

10 mV/C

Similar al LM35 con 3C 4C TO-92 apagado aut. (10C a SO-8 para ahorrar 125C) SOT-23 consumo (no en TO-92)

TMP36

Analog Devices

Similar a 3C 4C TO-92 LM50 con 10 mV/C (-40C a SO-8 apagado aut. 500 mV offset 125C) SOT-23 (no en TO92) 20 mV/C 3C 4C TO-92 Alta (5C a SO-8 sensibilidad 100C) SOT-23 2,5C (-50C 150C) 5C -55C 130C 3C -40C 125C a SC80 Bajo consumo, fcil de usar Bajo consumo Similar LM50 al

TMP37

Analog Devices

LM94021 National Semi LM94022 FM20 Fairchild

programable

-11,77 mV/C

a SOT23

FM50

Fairchild

10 mV/C

a SOT23

Diagrama esquematico de aplicacin

Produccion de colision

Formacin de particulas
Efecto fotoelectrico

Radiacin de particulas

Aplicacin de sensores Sensor e3ht omron

Codificador rotacional Tipos de codificadores

Circuito bsico del diodo Es el sensor mas barato

Aplicacines para medir la temperatura

Diodo y transistor para medir temperatura

Determina su posicin

Estructura del transistor comn