Repblica Bolivariana De Venezuela Ministerio Del Poder Popular Para La Defensa Universidad Nacional Experimental De La Fuerza Armada Asignatura:

Laboratorio De Electrnica I Ingeniera De Telecomunicaciones 7mo semestre Seccin: 02

Integrantes: Elizabet Caldern C.I. 18.879.584 Baudilio Moreno C.I. 16.668.403 Carolina Liendo C.I. 16.671.920

Caracas, Julio de 2011

LABORATORIO DE ELECTRNICA

PRACTICA N09: TRANSISTOR BIPOLAR I MONTAJE 1

R1 470

R3 300k 40% NO DATA DC A

R2 22k

NO DATA DC A

Q1 NPN + Vs2 10V

+ -

Vs1 5

DC V NO DATA

TABLA 1 Ib(A) Deseado Ib(A) Real Vbe (mV) VARIACION DE R3 10-20 13.10_ 20.33 781_ 793 300k_185k 16-25 30-50 80-110

16.72_25.93 29.56_51.02 80.23_112.5 787.5_798.8 802.2_816.4 828.1-836.8 230k-140k 120k_60k 80k_15K

caractersticas de la juntura base-emisor

MONTAJE 2

R1 470

R3 400k 40% 10.01uA DC A 5v

1.001mA DC A 10v + Vs2 10V -

995m v

R2 22k

10v 774m v Q1 NPN

5v + Vs1 5 -

0v

TABLA 2 Ib(A) Vce (V) 1 2 4 6 8 10 20 40 60 80 IC(mA) IC(mA) IC(mA) IC(mA) IC(mA) 1.001 2.004 4.029 6.005 8.008 1.001 2.004 4.029 6.005 8.008 1.001 2.004 4.029 6.005 8.008 1.001 2.004 4.029 6.005 8.008 1.001 2.004 4.029 6.005 8.008 corriente de colector (ic) en funcin de vce y ib 100 IC(mA) 10.00 10.00 10.00 10.00 10.00

PRACTICA N0 10: TRANSISTOR BIPOLAR II

MONTAJE 3

DC A -0.000 A

R5 470

Q1 NPN

0.000 A DC A

DC V 0.000 V

RV1 400k 40%

R4 22k

+ -

Vs1 5V

+ -

V2 10V

Para calcular la corriente colector se debe usar la siguiente frmula:

V( PS 1 ) Vce V 5) (R R5 Ic = R5 =

TABLA 3-A Ib(A) Vce (V) Ic(mA) = 10 9.529 1.001 100.1 20 9.060 2.001 100.05 30 8.589 3.002 100.07 40 8.119 4.002 100.05 50 7.649 5.002 100.04 60 7.178 6.005 100.08

Ic Ib

ganancia de corriente()

TABLA 3-B Ib(A) Vce (V) Ic(mA) = 70 6.710 7.000 100 80 6.240 8.000 100 90 5.769 9.002 100.02 100 5.293 10.01 100.1

Ic Ib

ganancia de corriente

EL TRANSISTOR COMO FUENTE DE CORRIENTE MONTAJE 4 Se ajusto RV a 146k para obtener la intensidad de colector 2,5mA.

825m v

R5 470 2v 2.500mA DC A 2v + V2 2V

RV1 146.1K 40%

1. 35v

R4 22k

798m v

Q1 NPN

5v

+ -

Vs1 5V

0v

TABLA 4

PS-1(V) Ic(mA)

1 1.819

2 2.500

3 2.500

4 2.500

5 2.500

fuente de corriente

PRACTICA N0 11: TRANSISTOR BIPOLAR III

OBJETIVOS
Esta prctica consta de un cuestionario, que trata acerca de los temas estudiados en las lecciones anteriores: Transistor Bipolar (I + II). PREGUNTAS DE REPASO 1. En la regin de saturacin, puede verse en la caracterstica de salida que: Una relacin lineal entre Ib y Vbe. Una relacin inversa: Ib es proporcional a 1/Vbe.
Una caracterstica similar a la del diodo(V)

Una relacin lineal entre Ic y Vbe. 2. La caracterstica muestra que la corriente de colector del transistor bipolar es: Mayor que la corriente de base. (V) Menor que la corriente de base. Independiente de la relacin entre Ib e Ic. 3. Si deseamos modificar la corriente de salida de una fuente de corriente, el parmetro de control debe ser: Vce. Vbe.
Ib. (V)

La tensin de alimentacin.

4. A partir de la pregunta anterior, podemos afirmar tambin que, en la regin activa: La corriente de colector depende de Vce y de Ib. La corriente de colector no depende de Vce ni de Ib. La corriente de colector depende slo de Vce
La corriente de colector depende slo de Ib. (V)