1.

Qual a vantagem de se utilizar feixe de eltrons para

formar imagem, ao invs de se utilizar luz visvel?

As vantagens do MEV em relao microscopia tica tradicional definitivamente a ampliao mxima que se consegue, enquanto na tradicional no se passa de um aumento de 2000x o MEV pode alcanar um aumento na ordem de 104x, proporcionando alta resoluo, em torno de 0,2 a 5 nm, mostrando discordncias, gros e contornos de fase, as precipitaes bem pequenas, consegue mostrar uma grande profundidade de foco a topografia do material, forma uma imagem de composio e a preparao a amostra simples.

2.

Qual a finalidade das lentes no MEV? Quantas lentes

existem no MEV? Quais as principais aberraes das lentes eletromagnticas?

Existem 3 lentes, sendo que as duas primeiras lentes so chamadas de lentes condensadoras e servem para colimar o feixe de eltrons o mximo possvel, demagnificando a imagem do crossover, a ultima lente chamada de lente objetiva e tem finalidade de corrigir as aberraes esfricas. As principais aberraes das lentes eletromagnticas so: o astigmatismo, resultado de uma ao no simtrica de maneira que uma lente atua de maneira diferente nas diferentes direes do feixe eletrnico; a aberrao esfrica, ocorre quando a trajetria dos eltrons que esto mais distantes do centro do eixo tico muito mais defletida pelo campo magntico do que a trajetria dos eltrons prximos do centro; e por fim a aberrao cromtica, quando eltrons que esto posicionados em uma mesmo distancia do centro do eixo eletrnico so focados em pontos diferentes dependendo dos valores de suas energias.

3.

Descreva detalhadamente a influencia do dimetro do

feixe de eltrons na formao da imagem de MEV.

Deve-se ter o tamanho ideal do dimetro de feixe de eltrons, o tamanho ideal desse feixe, para um determinado aumento, aquele cujas bordas do feixe tocam levemente a linha anteriormente varrida, se o dimetro do feixe for muito grande, ocorre uma sobreposio das linhas varridas e o resultado uma imagem fora de foco. E se por um acaso esse dimetro for muito pequeno o numero de eltrons no feixe, e, consequentemente o numero de eltrons que iro interagir com a amostra tambm ser reduzido, e para que se tenha um brilho de imagem satisfatrio necessrio amplificar esse sinal que foi reduzido, resultando em um aumento do rudo eletrnico e possvel que algumas reas da amostra no sejam varridas.

4. imagens

Descreva e diferencie detalhadamente a formao de utilizando eltrons secundrios e eltrons retro-

espalhados, e as informaes que se pode obter por estes sinais.

Eltrons secundrios (ES) so eltrons que so ejetados de tomos da amostra devido a interaes inelsticas dos eltrons energticos do feixe primrio com eltrons pouco energticos da banda de conduo nos metais ou de valncia nos semicondutores e isolantes. Por definio os eltrons que so emitidos da amostra com energia inferior a 50 eV so chamados de eltrons secundrios. Portanto, os eltrons secundrios so definidos somente com base na sua energia cintica. Dentro desta faixa de energia claro que sempre existiro alguns eltrons retro-espalhados que perderam quase toda a sua energia, mas como a sua contribuio muito pequena eles podem ser efetivamente ignorados. De todos os sinais que podem ser usados para anlise de amostras no MEV o sinal de eltrons secundrios o mais usado, as interaes eltronamostra produzem eltrons secundrios em todo o volume de interao, mas somente aqueles que so gerados bem prximos superfcie que escaparo da amostra e iro contribuir para o sinal. Esta profundidade de cerca de 1 nm para os metais e 10 nm para os materiais isolantes. Somente aqueles gerados numa distncia em que possa haver escape que traro informaes para o microscopista. Basicamente, os eltrons secundrios so gerados pelos eltrons do feixe primrio, medida que o mesmo vai penetrando na amostra,

e tambm pelos eltrons retro-espalhados quando estes vo deixando a amostra. Na microscopia eletrnica de varredura sinal que fornece a imagem de maior resoluo e a dos eltrons secundrios. Isto resultado da profundidade de onde so originados os sinais, ou seja, do volume de interao, discutido na seo anterior. O volume de interao pode ser descrito como tendo a forma de uma pera (ou de uma gota). O sinal de eltrons retro-espalhados resulta de uma sequncia de colises elsticas e inelsticas, no qual a mudana de direo suficiente para ejet-lo da amostra. Os eltrons retro-espalhados produzem um sinal muito importante para a obteno de imagens no MEV. Os eltrons retro-espalhados por definio possuem energia varia entre 50 eV at o valor da energia do eltron primrio. Os eltrons retro-espalhados com energia prxima a dos eltrons primrios so aqueles que sofreram espalhamento elstico e so estes que formam a maior parte do sinal de ERE. Conforme mencionado na seo anterior, os eltrons retro-espalhados de alta energia so aqueles que resultam de uma simples coliso elstica, sendo, portanto, oriundos da camada mais superficial da amostra. Logo, se somente os eltrons retro-espalhados de alta energia forem captados, as informaes de profundidade contidas na imagem sero poucas quando comparadas com a profundidade de penetrao do feixe. O sinal de ERE resultante das interaes que ocorreram mais para o interior da amostra, ERE com baixa energia, proveniente da regio do volume de interao com maior dimetro do que o dimetro do feixe primrio. Portanto a resoluo da imagem gerada por esses eltrons pior do que a resoluo da imagem correspondente dos ES.

5.

Descreva e diferencie detalhadamente os sistemas de

analises qumicas por EDS e WDS em microscopia eletrnica de varredura.

A deteco dos raios-X emitidos pela amostra pode ser realizada tanto pela medida de sua energia (EDS) como do seu comprimento de onda (WDS). Os detectores baseados na medida de energia so os mais usados, cuja

grande vantagem a rapidez na avaliao dos elementos. Uma amostra contendo elementos na ordem de 10% ou mais pode ser identificado em apenas 10 s e cerca de 100 s para avaliar um elemento na ordem de 1%. Apesar da menor resoluo da espectroscopia por energia dispersiva, 140 eV para a raia K do Mn, quando comparada com os espectrmetros por comprimento de onda, 5-10 eV, esta tcnica permite obter resultados quantitativos bastante precisos. Raios-X contnuos so formados como resultado das interaes inelsticas do feixe primrio na qual os eltrons so desacelerados e perdem energia sem que ocorra a ionizao de tomos da amostra. A radiao contnua forma o background no espectro de energia dispersiva e tambm chamado de bremsstrahlung. A intensidade da radiao contnua est relacionada com o nmero atmico da amostra e com a energia do feixe de eltrons. A radiao contnua tambm aumenta com a corrente do feixe. A interao inelstica entre o feixe primrio e os eltrons de camadas mais internas do tomo causando a ionizao do mesmo (retirada do eltron do tomo) ir resultar na formao da radiao caracterstica do tomo. Na espectroscopia por energia dispersiva (EDS - energy-dispersive spectroscopy), os raios-X so distribudos no espectro por ordem de sua energia e mais comumente do baixo nmero atmico (baixa energia) para elevado Z (alta energia). Normalmente so usados os picos de energia entre 0 e 10 keV o que permite a observao das seguintes raias: - raias K para o Be (Z = 4) at o Ga (Z = 31), - raias L desde o Ca (Z = 20) at o Au (Z = 79), - raias M para o Nb (Z = 41) at o mais alto nmero atmico. A partir das informaes contidas no espectro de raios-X possvel obter informaes qualitativas e quantitativas acerca da composio da amostra em escala microscpica. A baixa resoluo dos picos do espectro de EDS, quando comparado com os picos do WDS, origina frequentes problemas de interferncia, bem como a impossibilidade de separar certos membros das famlias que ocorrem a baixa energia (<3 keV). Para picos de elevadas energias este problema

desaparece, pois a distncia entre os picos aumenta medida que aumenta a energia dos picos, que por sua vez aumenta com o nmero atmico.