DIODO: CURVAS CARACTERISTICAS Y POLARIZACIN.

1. OBJETIVO: Reconocer, analizar y aplicar los conocimientos que permita la utilizacin ptima de diodos semiconductores en el ensamble de diferentes tipos de aplicaciones en electrnica. 2. FUNDAMENTO TERICO: Un diodo es una sustancia cuya conductividad es menor que la de un conductor y mayor que la de un aislante. El grado de conduccin de cualquier sustancia depende, en gran parte, del nmero de electrones libres que contenga. En un conductor este nmero es grande y en un semiconductor pequeo es insignificante. El nmero de electrones libres de un semiconductor depende de los siguientes factores: calor, luz, campos elctricos y magnticos aplicados y cantidad de impurezas presentes en la sustancia. Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea.Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De Forest. POLARIZACION DIRECTA Si conectamos tal como se ha comentado anteriormente, qu efecto provoca la fuente de alimentacin sobre el diodo?. El terminal positivo de la fuente repele los huecos del mismo modo que los electrones son repelidos por el terminal negativo. De este modo estamos inyectando portadores en la zona desprovista de ellos, es decir estamos disminuyendo esta zona y por tanto, la barrera de potencial. Vamos a tratar de explicarlo mediante un smil o comparacin:

Imagina este efecto pensando en la unin PN como un trampoln de salto de esqu sobre el que se deslizan los electrones. La altura del trampoln representa el numero de electrones, al existir muchos electrones en la zona N, estos sern mas rechazados por sus compaeros y se deslizarn rpidamente atravesando la zona de unin, contrarrestando un poco su velocidad en la reconversin de la zona P (unin de los huecos con los electrones) y saliendo del diodo hacia el circuito.

POLARIZACION INVERSA Si se polariza inversamente el diodo, es decir, terminal negativo de la fuente conectado a zona P y terminal positivo conectado a zona N, se estn introduciendo electrones en la zona P, que caern en los huecos (recombinndose) y huecos en la zona N, que sern llenados por los electrones de la zona; con ello se conseguir aumentar esa zona desprovista de portadores, y que dificultar el paso de los electrones. Por tanto aumenta la barrera de potencial. El smil deportivo se puede observar en la figura siguiente, donde se ve que los electrones descienden por un pequea pendiente, disponiendo luego de una zona llana, donde pierden velocidad y, si sta no es muy grande al inicial el recorrido, los electrones no conseguirn remontar la zona de material N. En la prctica es tan pequea la cantidad de electrones que superan la cuesta que se dice que el diodo no conduce.

3. ELEMENTOS A UTILIZAR: Completar caractersticas de los elementos que se utilizaron en el desarrollo. Ampermetro: Un ampermetro es un instrumento que sirve para medir la intensidad de corriente que est circulando por un circuito elctrico. Un microampermetro est calibrado en millonsimas de amperio y un miliampermetro en milsimas de amperio. Multmetro: Un multmetro, tambin denominado polmetro,1 tester o multitester, es un instrumento elctrico porttil para medir directamente magnitudes elctricas activas como corrientes y potenciales (tensiones) o pasivas como resistencias, capacidades y otras. Las medidas pueden realizarse para corriente continua o alterna y en varios mrgenes de medida cada una.

Fuente de alterna: Un circuito de CA se compone de elementos de circuito de un generador que brinda la corriente alterna. El principio bsico del generador de CA es una consecuencia directa de la ley de induccin de Faraday. Cuando una bobina se hace girar en un campo magntico a frecuencia angular constante w, un voltaje sinusoidal (FEM) se induce en la bobina, este voltaje instantneo es: v= Vmax. Sen wt Fuente de continua: la fuente de corriente continua son fuentes que el voltaje ( o la corriente) no vara en el tiempo. Voltmetro: es un instrumento que sirve para medir la diferencia de potencial entre dos puntos de un circuito elctrico. Osciloscopio: es un instrumento de medicin electrnico para la representacin grfica de seales elctricas que pueden variar en el tiempo. Es muy usado en electrnica de seal, frecuentemente junto a un analizador de espectro.

4. PROCEDIMIENTO DE EJECUCIN: o Reconocer los terminales del diodo semiconductor utilizando multmetros en el laboratorio. o Utilizando una fuente de alimentacin DC y el diodo en polarizacin directa, instalar en serie con el diodo una resistencia 1 k en un proto y alimentar el circuito registrando la tensin y la corriente (elija las escalas adecuadas). Tomar como referencia la tensin (eje X) desde 0V, incrementar de 0.1 en 0.1V hasta 3V.

Vf (V) I (Am)

0 0

0.1 0

0.2 0

0.3 0

0.4 0.1

0.5 0.75

0.6 0.2

0.7 0.3

0.8 0.4

0.9 0.5

1 0.6

1.5 1.1

2 1.6

2.5 2.05

3 2.55

o Invertir la polaridad de la fuente, para determinar su caracterstica inversa, incrementar la tensin desde 0V de 1 en 1V hasta 5V, y luego de 5 en 5V hasta los 30V, registrando en cada punto la corriente. o Con los datos registrados construir la curva caracterstica V-I (X-Y) en DC.

o Operacin en alterna: con una fuente de tensin AC, incrementar la tensin de alimentacin de 0.1 en 0.1V, desde 0V hasta 3V tomando como referencia la tensin alterna, registrando el valor eficaz de la tensin alterna de alimentacin, el valor medio de la tensin en la resistencia y la corriente. V rms Vm I 1.5 0.8 2 1.4 2.5 1.6 3 1.94 3.5 4 4.5 5

5. CUESTIONARIO: 5.1. Cul es la informacin que es necesario manejar para conseguir un buen performance de los diodos semiconductores? Para conseguir un buen performance de los diodos tenemos que tener en cuenta la informacin general de estos como: Voltaje y corriente mximo. Disipacin de potencia. Temperatura de la conexin. Rango de la temperatura de almacenamiento. Valores nominales mximos absolutos. Tiempo de recuperacin inversa. Capacitancia. Aspecto fsico. Impurezas. Uso de electrodos. Y el material del que est hecho (Si, Ge).

5.2.

Cmo se determina el modelo matemtico del diodo de silicio?

El modelo matemtico el cual representa el comportamiento del diodo de silicio en la mayora de sus aplicaciones es el de Shockley.

5.3.

Cmo afecta la temperatura a la curva de operacin del diodo?

La tensin de encendido del diodo (v) tiende a disminuir cuando aumentamos la tensin. Y por otro lado si disminuimos la temperatura provocamos un incremento de la tensin. Es decir que existe un comportamiento lineal entre esta tensin umbral y la temperatura. 5.4. Explique por qu se produce la corriente de avalancha de los diodos. Cuando la magnitud del voltaje inverso del diodo excede un voltaje especfico que es el voltaje de ruptura por lo general > 1000 voltios la corriente inversa aumenta rpidamente es decir que en el diodo los electrones pasan a la regin n generando el incremento de la corriente inversa produciendo el calentamiento del dispositivo, esto queda especificado en la hoja de datos del fabricante.

5.5. Qu previsiones se deben considerar en el diseo de circuitos que incluyan diodos, cuando se trabaja con tensiones inferiores a 2V? , Explique. Se debe considerar la cada de tensin que tienen los diodos sea de germanio (0.5v) o de silicio (0.7v) la tensin que alimenta el circuito no debe ser menor que estos datos para poder alimentar la carga o las resistencias que componen el circuito.

6. OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES: Los materiales de fabricacin tienen una resistencia interna cuyas caractersticas en tensiones bajas no es de respuesta lineal. En el diodo utilizado tenamos que lograr vencer la barrera de potencial de 0.7v ya que era de silicio, todo esto en polarizacin directa. Tambin comprobamos que en la curva caracterstica la barrera de potencial estara dada entre 0.4 y 1.2 v en nuestro diodo creando ah una curva en el osciloscopio. El valor de la cada de voltaje en la resistencia de 1 k es la resta del valor de la fuente con el voltaje que utilizamos para romper la barrera de potencial de nuestro diodo. Concluimos tambin que no habra ningn cambio en la curva caracterstica del diodo en polarizacin inversa porque el Vmax de la fuente es de 32 V y la curva solo comienza a variar despus de los 500 o 600 V en polarizacin inversa. La respuesta de la grfica rectificada de media onda no es ideal como esperamos sino tendra un cambio en el eje x, veamos: 7. BIBLIOGRAFA: http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo http://www.udb.edu.sv/Academia/Laboratorios/electronica/Electronica%2 0I/guia2ECAI.pdf www.docstoc.com/docs/22822423/El-diodo-semiconductor www.mailxmail.com