IPN UNIDAD PROFESIONAL INTERDICIPLINARIA EN INGENIERIA Y TECNOLOGIAS AVANZADAS

Practica No. 6 Caracterizacin del transistor BJT

FUNDAMENTOS DE ELECTRONICA
Alumnos: Snchez Rangel Jos Tlacaelel Sosa Monroy Aldo Fernando Bravo Luna Vctor Hugo Espino Miranda Jess Ricardo Grupo: 1MV8

Profesor: Canul Gmez Gimcian David

Fecha de entrega: 5 de Octubre de 2011

Objetivo: 1. Identificar los pines por medio del multmetro y las regiones de operacin del transistor bipolar. 2. Identificar y analizar las curvas: IB vs VBE, IE vs VBE, VCE vs IC, con una configuracin de emisor comn, y observara el efecto que tiene con el aumento de la temperatura. 3. Simular los circuitos para cortejar con las mediciones obtenidas.

Introduccion Teorica Un transistor de unin es un componente semiconductor que puede estar constituido por cristales de Germanio o de Silicio. Tienen 3 capas de dopados, 2 uniones (J1 J2) y tres terminales cuya agrupacin da lugar a 2 tipos de transistores segn la disposicin de las capas. Transistor bipolar, de unin o BJT es lo mismo.

Si el transistor tiene la capa N en el medio es un transistor tipo PNP. Si el transistor tiene la capa P en el medio es un transistor tipo NPN. Los tres terminales son: E = Emisor, B = Base, C = Colector Existen tres zonas de funcionamiento : zona de corte, zona de saturacin y zona activa o de trabajo.

1. ZONA ACTIVA. El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dndonos un mximo y un mnimo para una corriente de

colector dada (Ic); Para que un transistor funcione en la zona activa, se debe de polarizar la unin J1 directamente y la unin J2 inversamente.

2. ZONA DE CORTE. En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor. Un transistor funciona al corte cuando la unin J1 se polariza inversamente (o no se polariza) y la J2 se polariza inversamente.

La corriente de emisor IE es casi nula. Tiene valores de microamperios. 3.- ZONA DE SATURACIN. el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas (y en especial Ic). Para colocar un transistor en saturacin, debemos polarizar ambas uniones directamente.

En la zona activa los transistores funcionan como amplificadores. En la zona de corte equivalen a un interruptor abierto y en la zona de saturacin a un interruptor cerrado.

4. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de inters.

El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes son opuestos a los del transistor NPN. Para encontrar el circuito PNP complementario: 1.Se el transistor NPN por un PNP. 2.Se invierten todos los voltajes y corrientes. Observaciones. La tensin colector - emisor tiene un valor prximo a cero (0 V) Voltios. La IB (corriente de base) puede ser comparable a IE e IC. La ecuacin fundamental del transistor: IC = b IB - (1 + b ) ICSo no se cumple cuando trabaja en saturacin. Prueba de transistores Un transistor bipolar equivale a dos diodos en oposicin (tiene dos uniones), por lo tanto las medidas deben realizarse sobre cada una de ellas por separado, pensando que el electrodo base es comn a ambas direcciones.

Se emplear un multmetro analgico y las medidas se efectuarn colocando el instrumento en las escalas de resistencia y preferiblemente en las escalas ohm x 1, ohm x 10 tambin ohm x 100. Antes de aplicar las puntas al transistor es conveniente cerciorarse del tipo de ste, ya que si es NPN se proceder de forma contraria que si se trata de un PNP. Para el primer caso (NPN) se situar la punta negra (positivo) del multmetro sobre el terminal de la base y se aplicar la punta roja sobre las patillas correspondientes al emisor y colector. Con esto se habr aplicado entre la base y el emisor o colector, una polarizacin directa, lo que traer como consecuencia la entrada en conduccin de ambas uniones, movindose la aguja del multmetro hasta indicar un cierto valor de resistencia, generalmente baja (algunos ohm) y que depende de muchos factores.

A continuacin se invertir la posicin de las puntas del instrumento, colocando la punta roja (negativa) sobre la base y la punta negra sobre el emisor y despus sobre el colector. De esta manera el transistor recibir una tensin inversa sobre sus uniones con lo que circular por l una corriente muy dbil, traducindose en un pequeo o incluso nulo movimiento de la aguja. Si se tratara de un transistor PNP el mtodo a seguir es justamente el opuesto al descrito, ya que las polaridades directas e inversas de las uniones son las contrarias a las del tipo NPN.

Las comprobaciones anteriores se completan con una medida, situando el multmetro entre los terminales de emisor y colector en las dos posibles combinaciones que puede existir; la indicacin del instrumento ser muy similar a la que se obtuvo en el caso de aplicar polarizacin inversa (alta resistencia), debido a que al dejar la base sin conexin el transistor estar bloqueado. Esta comprobacin no debe olvidarse, ya que se puede detectar un cortocircuito entre emisor y colector y en muchas ocasiones no se descubre con las medidas anteriores.

Desarrollo de la Practica 1. Identificar los pines del transistor por medio de las hojas de datos del fabricante

2. Medir la beta del transistor con el multmetro insertndolo en la base de medicin del multmetro hFE (beta de cd). Verificar que los pines coincidan con la base (PNP NPN), en caso de que marque una lectura infinita o indeterminada volver a checar los pines de este. 3. Medir con el multmetro la resistencia de los diferentes uniones colocando las puntas del mutimetro tal como se indica en los parntesis: {B(+), E(-)},{B(+), C(-)},{C(+), E(-)}. Explicar las diferencias de resistencia entre cada una de las uniones medidas. 4. Del insiso anterior, invertir las puntas del multmetro y medir en las mismas uniones. Explicar las diferencias encontradas y compararlas con el resultado anterior. 5. Seleccionar con el (M) en prueba de diodos y medir las uniones antes mencionadas en los incisos 3 y 4. Anotar el valor de los potenciales que existen en las diferentes uniones del transistor y verificar si hay relacin con las resistencias medidas.

6. De la circuito, graficar las curvas en el osciloscopio de IC vs VCE, Con las siguientes consideraciones V2 de 10Vpp y V1 de 0 a 6V con incrementos de 1V. Anotar los resultados en una tabla para hacer comparaciones. Para graficar en XY en el ocsilscopio conectar Y en 4 y X en 3.

XSC1 R1 1k V2 Q1 3.535 Vrms 60 Hz 0

+ A _ + B _ Ext T rig + _

2N2222A V1 6V R2 100k