7 a 9 de dezembro de 2011 Campus de Palmas

DINMICA ELETRNICA CLSSICA EM SISTEMAS SEMICONDUTORES

CORRUGADOS CONTENDO ANTIPONTOS TRIDIMENSIONAIS NA PRESENA
DE CAMPO MAGNTICO.
B. C. Lima
1
; N. M. Sotomayor
2


1
Aluno do Curso de Licenciatura em Fsica; Campus de Araguana; e-mail: bismarck.lima@uft.edu.br
PIBIC/CNPq
2
Orientador(a); Curso de Licenciatura em Fsica; Campus de Araguana; e-mail: nmsch@uft.edu.br
RESUMO
reportado o estudo terico e computacional da dinmica clssica e do transporte balstico de dois
sistemas fsicos contendo gases de eltrons. O primeiro sistema corresponde a dispositivos
semicondutores contendo o gs bidimensional de eltrons (2DEG) de alta mobilidade vinculado a
topografias no planares na presena de campo magntico. O segundo sistema corresponde a
dispositivos semicondutores contendo o gs tridimensional de eltrons (3DEG) balstico, confinado a
poos de potencial por barreiras corrugadas, na presena de campo magntico. Para o estudo de ambos
os sistemas foi realizado o clculo numrico das trajetrias eletrnicas no espao de fases, a seguir,
atravs do emprego da teoria de resposta linear de Kubo foi obtida a condutividade, finalmente, usando
o tensor de condutividade foram calculadas a magnetorresistncia e a resistividade Hall em funo da
intensidade do campo magntico. A anlise dos resultados mostra que a adio de vnculos ao gs
bidimensional de eltrons introduz caos adicional no espao de fases conduzindo a mudanas na difuso
e destruio dos picos de comensurabilidade. No caso do gs tridimensional de eltrons observou-se o
aparecimento de oscilaes de comensurabilidade na magnetoresistncia, no regime de campo
magntico fraco na ausncia de antipontos, fenmeno no descrito na literatura.
Palavras-chave: 2DEG; 3DEG; caos; magnetorresistncia; espalhamento eletrnico;
INTRODUO
Graas aos avanos da fsica do estado slido e das tcnicas de fabricao de materiais
semicondutores com alto nvel de pureza, como por exemplo, a epitaxia por feixe molecular MBE
(SOTOMAYOR Set. 2002) aliadas s tcnicas de limpeza e sobre crescimento, tornou-se possvel a
realizao experimental de diversos tipos de dispositivos eletrnicos, com base em heteroestruturas
semicondutoras cristalinas, contendo poos qunticos onde os eltrons so confinados a uma, duas e trs
dimenses, com alta mobilidade. Estes avanos possibilitaram a realizao de diversos tipos de
dispositivos semicondutores com baixo nvel de impurezas e defeitos onde o livre caminho mdio dos
eltrons l, maior que as dimenses das amostras, apresentando estes sistemas um transporte de

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portadores de carga de tipo balstico. Particularmente, sistemas semicondutores contendo o 2DEG
vinculado a topografias no planares tem sido recentemente estudados na fsica da matria condensada
(SOTOMAYOR 2004, BYKOV 2001). Nestes sistemas o magnetotransporte eletrnico ocorre na
presena de campo magntico flutuante com a posio, por motivo da distribuio aleatria ou quase-
peridica das corrugaes superficiais. As medidas de magnetoresistncia apresentam fenmenos no
previstos pelas teorias de transporte, tais como comportamento linear extremo negativo ou positivo entre
outros (SOTOMAYOR 2004). Estes fenmenos no foram ainda totalmente compreendidos, sendo
necessrio um estudo terico e computacional para a sua simulao visando complementar o estudo
experimental desta nova fsica. O estudo destes sistemas tambm importante do ponto de vista das
possveis aplicaes a novos dispositivos de controle do transporte eletrnico.
Neste trabalho realizamos o estudo terico e computacional do 2DEG vinculado a topografias
no planares. Outro sistema estudado o 3DEG de alta mobilidade, confinado a poos de potencial com
interfaces corrugadas na presena de campo magntico com e sem superredes de antipontos. Sendo este
um sistema que ainda no foi realizado experimentalmente, a fsica bsica envolvida foi explorada e o
seu estudo computacional trouxe resultados importantes. O estudo desta idealizao pode fornecer novas
possibilidades para o controle da resistividade em dispositivos eletrnicos alm de contribuir fsica da
matria condensada.
MATERIAIS E MTODOS
Para o estudo da dinmica de caos nos sistemas 2DEG, utilizamos a aproximao de partcula
simples descrita pelo Hamiltoniano , onde os vetores (momento) e (posio) possuem as
mesmas dimenses n , do qual podem ser obtidas n 2 equaes diferenciais no lineares, que descrevem
a evoluo temporal neste sistema. A figura 1 descreve o modelo bidimensional, onde o vetor B

o
campo magntico aplicado superfcie. A parte (a) da figura apresenta o esquema de uma superfcie
corrugada em ambas as direes modelada pela funo de

e, a
parte (b) representa uma superfcie em forma de caixa de ovos, modelada pela funo

. Onde e so parmetros que modelam a amplitude das corrugaes. O
potencial eletrosttico gerado pela rede de antipontos pode ser simulado pela funo de energia
potencial

, onde

a amplitude mxima dos antipontos, o

perodo da rede e uma constante que controla o grau de rigidez do potencial. Para o clculo da
dinmica deste sistema utiliza-se a seguinte Hamiltoniano
( )
( ) u +
+
=
-
y x U
m
A e p
H
AD
,
2
2
1

, onde e a carga

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do eltron e
-
m a sua massa efetiva, ( ) y x U
AD
, o potencial eletrosttico gerado pelos antipontos, u
so os vnculos geomtricos e A

o potencial vetor, denotado por:
) cos cos cos , cos cos , cos (
2
| | u | u u | u u sen x y z xsen sen z ysen
B
A + =

.
A partir de

so obtidas 6 equaes de movimento, as quais so integradas numericamente

pelo mtodo Runge-Kutta-Verner de quinta e sexta ordem por um cdigo computacional para obteno
das trajetrias eletrnicas e mapas de Poincar, posteriormente calculado o tensor condutividade
atravs do emprego da teoria de resposta linear de Kubo (SOTOMAYOR 2002, 2004), para ento se
obter as resistividades.

Figura 1 Em (a) e (b) modelo de superfcies corrugada contendo o 2DEG submetido a um campo magntico externo. A linha
escura uma possvel trajetria de um eltron, d o perodo da rede de antipontos, vetor B

a intensidade do campo magntico

com inclinao e orientao dadas pelos ngulos u e | . Em (a) superfcie corrugada nas duas direes. (b) Superfcie corrugada
em forma de caixa de ovos. Em (c) apresentado o esquema do sistema 3DEG.
No caso do gs tridimensional de eltrons balstico a dinmica pode ser obtida a partir do
Hamiltoniano
( )
( ) ( ) z y x U y x U
m
A e p
H
W AD
, , ,
2
2
2
+ +
+
=
-

, onde ( ) y x U
AD
,

o potencial eletrosttico gerado pela
insero de antipontos,

o
(

=
W
y x f z
U z y x U
W
) , (
) , , (
0
o poo de potencial, onde o um nmero par que
determina a rigidez das interfaces, W a largura do poo de potencial com interfaces modelada pela
funo

. Na figura 1 (c) mostrado o esquema do sistema 3DEG, onde

e representam a inclinao e a orientao do campo em relao ao plano . A partir de
2
H
obtm-se 6 equaes de movimento, as quais so integradas numericamente pelo mtodo Runge-Kutta-
Verner de quinta e sexta ordem atravs de cdigo computacional para obteno das trajetrias
eletrnicas, posteriormente calculado o tensor condutividade atravs do emprego da teoria de resposta
linear de Kubo, para ento se obter as resistividades.
RESULTADOS E DISCUSSES
A figura 2 apresenta os resultados obtidos da magnetorresistncia para o 2DEG vinculado
superfcie corrugada em ambas as direes (a), modelada pela funo

, e para a superfcie em
forma de caixa de ovos (b), modelada pela funo

, sendo a amplitude dos antipontos

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, com campo magntico perpendicular orientado na direo

, com intensidade
variante. Observa-se que com o aumento da amplitude das corrugaes ocorre o aumento de caos neste
sistema, isso determinado atravs da observao da destruio das oscilaes de comensurabilidade, o
que tambm foi observado atravs da analise de mapas de Poincar.

Figura 2 Medidas de magnetorresistncia numrica para a superfcie corrugada, com campo magntico perpendicular , o
grau de rigidez do potencial eletrosttico .
Da anlise dos mapas de Poincar determinou-se que a presena de vnculos no gs
bidimensional de eltrons altera a difuso por motivo do aumento do caos no espao de fases e
conseqente destruio das trajetrias peridicas. O desenvolvimento deste modelo bidimensional
serviu para idealizar outro sistema bidimensional de controle do transporte eletrnico cujo estudo est
em andamento e ser submetido a publicao quando concludo.
Na figura 3 so apresentadas medidas de magnetorresistncia numrica para um 3DEG
confinado em um poo de potencial, com largura 04 , 0 = W , interfaces suaves 2 = o modeladas pela
funo , 90 = u e 90 = | . Na parte (a) o sistema contm potencial
eletrosttico de amplitude

e grau de rigidez , apresentando deslocamento dos picos

de resistividade para campos
0
/ B B de maior intensidade. Em (b) no h presena de potencial
eletrosttico dos antipontos, ocorre somente o aumento gradativo da amplitude das corrugaes das
interfaces. Observa-se que o aumento da amplitude das corrugaes das barreiras provoca o
aparecimento de picos nas medidas de magnetoresistncia.

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Figura 3 Medidas de magnetorresistncia numrica para a um gs de eltrons confinado em um poo de potencial de largura
W=0,04, amplitude 1,8EF, com antipontos em (a) e sem antipontos em (b).
A partir da anlise dos mapas de Poincar e dos resultados dos clculos das resistividades, os
picos na magnetoresistncia podem ser atribudos ao espalhamento catico dos eltrons com as
interfaces onde a comensurabilidade entre o raio do cclotron e o perodo das corrugaes interfaciais
determinam a sua posio na ausncia de antipontos. estudo deste sistema oferece novas formas de
controle do transporte eletrnico pelo qual est sendo aprofundado atravs do emprego de novos cdigos
computacionais.
LITERATURA CITADA
BYKOV, A. A; GUSEV, G. M; LEITE, J. R; et al. Quasiclassical negative magnetoresistance of a two-
dimensional electron gas in a random magnetic field. Physical Review B, v 65, n 035302 (Dezembro -
2001).
SOTOMAYOR, N. M. Estudo da dinmica de caos no gs tridimensional de eltrons de alta
mobilidade. 2002. 217 f. Tese (Doutorado em cincias) Instituto de Fsica. Universidade de So Paulo.
So Paulo. Setembro - 2002.
SOTOMAYOR, N. M; GUSEV, G. M; LEITE, J. R, et al. Chaotic electron dynamics in antidot lattice
subjected to strong in-plane magnetic field. Physical Review B, v 66, n 035324 (Julho - 2002).
SOTOMAYOR, N. M; GUSEV, G. M; LEITE, J. R, et al. Negative linear classical magnetoresistance
in a corrugated two-dimensional electron gas. Physical Review B, v 70, n 235326 (Dezembro - 2004).

AGRADECIMENTOS:
O presente trabalho foi realizado com o apoio do Conselho Nacional de Desenvolvimento
Cientfico e Tecnolgico CNPq Brasil.
Pesquisa desenvolvida com o auxilio do CENAPAD-SP (Centro Nacional de Processamento de
Alto Desempenho em So Paulo), projeto UNICAMP/FINEP MCT.
Ao Instituto Nacional de Eletrnica Orgnica (INEO),
Ao Laboratrio de Pesquisa em Materiais para Aplicaes em Dispositivos Eletrnicos
LABMADE.
A Universidade Federal do Tocantins (UFT).