Sunteți pe pagina 1din 28

LUCRAREA NR.

MAT. OPTOELECTRONICE

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE


1. Scopul lucrrii
Scopul acestei lucrri de laborator este cunoaterea unor materiale folosite n optoelectronic, msurarea caracteristicilor unor dispozitive optoelectronice: diode luminiscente (LED) i fototranzistoare, precum i prezentarea unor aplicaii ale dispozitivelor optoelectronice cu placa de test EasyPIC 4.

2.

Noiuni teoretice

2.1 Generaliti
n contextul acestei lucrri, prin optoelectronic nelegem numai dispozitivele optoelectronice bazate pe semiconductoare, unde procesele de recombinare emit lumin. Aceste proces de radiaie este numit emisie spontan a luminii, pentru c are loc statistic fr alte ingrediente n afara electronilor i golurilor. nc nu vom studia aici procesul opus absorbia luminii, fenomen important n funcionarea fotodiodelor sau a celulelor solare. De asemenea transmisia luminii prin ghidurile de und nu este considerat aici. Materialele semiconductoare prezint o structur de benzi energetice, i funcie de poziionarea maximului benzii de valenen(BV) fa de minimul benzii de conducie (BC) se mpart n (Figura 1): a materiale directe la care maximul BV coincide cu minimul BV. b materiale indirecte la care maximul BV este deplasat fa de minimul BV.

LUCRAREA NR.4

MAT. OPTOELECTRONICE

Figura 1. Structura de benzi pentru semiconductori cu banda a) direct, b) indirect

Siliciul este un material indirect i energia emis nu produce fotoni n cantitate apreciabil i, ca urmare, nu este folosit n aplicaii pentru optoelectronic. Aceasta este parial adevrat, deoarece exist materiale semiconductoare indirecte care emit suficienti fotoni pentru a fi folosite n aplicaii practice n optoelectronic. Dar, nc o data, n general se folosesc materiale directe de la care se ateapt ca recombinarea s aib ca rezultat emisia luminii.

2.2 Lungimea de und a radiaiei emise


Dac lumina este produs prin recombinarea band-band, este valabil relaia:
h = EC EV

(1)

i folosind relaia :

Cmat =

(2)

LUCRAREA NR.4
cmat

3 MAT. OPTOELECTRONICE = viteza luminii n material = co/n, co = viteza luminii n vid i n =

indicele de refracie al materialului, se obine:

h c0 n

(3)

Dac recombinarea are loc ntre alte stri energetice, simplu, se nlocuiete EC - EV cu E, diferena relevant de energie.

2.3 Ledul i fototranzistorul


Un LED este o diod semiconductoare ce emite lumin la polarizarea direct a jonciunii p-n. Acest efect este o form de electroluminescen. Astfel un LED face conversia energiei electrice n energie luminoas. Structura unui LED este prezentat in Figura 2, iar modul de generare a fotonilor n Figura 3.

Figura 2. Diod semiconductoare

LUCRAREA NR.4

MAT. OPTOELECTRONICE

Figura 3. Generarea luminii de o diod semiconductoare (este reprezentat doar curentul de goluri n regiunea de tip N)

n cazul LED-urilor, dar i al laserelor semiconductoare, dioda este direct polarizat: ieirea radiaia luminoas crete exponenial cu tensiunea aplicat diodei (n cazul unei diode ideale ignornd rezistena parazit) i este influenat de temperatura factorul care apare la partea exponenial aceast dependen poate fi controlat folosind un mecanism de reacie negativ pentru a obine curentul diodei independent de temperatur. Recombinarea electron-gol elibereaz o cuant de energie - un foton. Prin urmare, pentru a face un semiconductor s radieze este necesar s susinem recombinarea electron-gol. Diferena este c n diodele obinuite, aceast recombinare elibereaz energie sub form de cldur - nu sub form de lumin (adic ntr-un alt domeniu al spectrului). ntr-un LED, aceste recombinri

5 MAT. OPTOELECTRONICE elibereaz energie sub form de lumin. Recombinarea generatoare de caldur se numete neradiativ, n timp ce recombinarea generatoare de lumina se numete radiativ. n realitate, n orice diod au loc ambele tipuri de recombinri; cnd majoritatea recombinrilor sunt radiative, avem un LED. Curentul direct injecteaza electroni n regiunea srcit de purttori, unde ei se recombin cu golurile n mod radiativ sau neradiativ. Prin urmare, recombinrile neradiative "consum" din electronii excitai necesari recombinrii radiative, ceea ce scade eficiena procesului. Acest fapt este caracterizat prin eficiena cuantic intern, int , parametru care arat ce fracie din numrut total de electroni excitai produce fotoni. Raionamentul de mai sus poate fi formalizat astfel: puterea luminoas, P, este energia per secund, adic numrul de fotoni nmulit cu energia unui foton, Ep . Numrul de fotoni este egal cu numrul de electroni injectai, N, nmulit cu eficiena cuantic intern. Timpul de via, , al purttorilor este timpul dintre momentul n care ei sunt injectai n regiunea golit i momentul n care ei se recombin. Din acest motiv se mai folosete i denumirea de timp de via de recombinare. Valorile sale variaz de la nanosecunde la milisecunde. Trebuie fcut distincie ntre timpul de via radiativ, r, i neradiativ, nr , astfel nct timpul de via se calculeaz cu relaia: 1/ = 1/r +1/nr raport cu numrul total de electroni injectai, poate fi calculat cu relaia: int = /r valoarea maxim a pulsului, ca n Figura 4. (7) Timpul de cretere/descretere, tr , este definit ntre 10% i 90% din (6) Eficiena cuantic intern, int , care arat ci fotoni sunt radiai n

LUCRAREA NR.4

LUCRAREA NR.4

MAT. OPTOELECTRONICE

a)

b)

Figura 4. a) Definirea timpului de cretere/descretere; b) puterea de ieire.

Timpul de cretere/descretere este determinat de capacitatea LEDului (C), de amplitudinea treptei de curent de la intrare (Ip ) i de timpul devia () i se poate calcula cu relaia : tr = 2.2[ + (1.710-4 TC)/Ip] (8)

unde : T este temperatura absolut n grade Kelvin (0C = 273K). Pentru o valoare mare a lui Ip , al doilea termen devine neglijabil i timpul de cretere este determinat, n ultim instan de timpul de via. Fabricanii prefer s msoare acest timp, valorile tipice ncadrndu-se ntre 2 i 4 ns. Banda de modulaie, BW, este intervalul de frecvene de modulaie n cadrul cruia puterea electric detectat scade la -3dB. n cazul unui LED, aceasta este limitat de timpul de via al purttorilor. Explicaia fizic a acestui principiu este urmtoarea: presupunem c un electron este excitat n banda de conducie; lui i ia ns pn cnd sa cad n banda de valen prin recombinare. n acest interval de timp nu se poate modifica

7 MAT. OPTOELECTRONICE starea lui, astfel nct chiar dac se ntrerupe curentul direct, trebuie ateptat ns pn cnd radiaia va nceta practic. Ca i diodele, toate tranzistoarele sunt sensibile la lumin. Fototranzistoarele sunt concepute special pentru a profita de acest fapt. Varianta cea mai comun este un tranzistor NPN bipolar cu baza expus. n acest caz, semnalul electric de intrare aplicat pe baz este nlocuit de semnal electromagnetic luminos, deci, un fototranzistor amplific variaiile de semnalului luminos de intrare. Fototranzistoarele au funcie similar cu fotodiodele acestea au ctig mult mai mic, dar au timpi de rspuns mai mici(Figura5) :

LUCRAREA NR.4

LUCRAREA NR.4

MAT. OPTOELECTRONICE

Figura 5. Caracteristicile tranzistorului bipolar : IC curentul de colector, IB curentul de baz, IE curentul de emitor, VBE tensiunea baz emitor, VCE tensiunea colector emitor, VA tensiunea Early, T temperatura.

2.4 Materiale utilizate


Exemple de materiale uzuale folosite n optoelectronic sunt prezentate in Tabelul1. n tabel sunt date cteva materiale folosite n dispozitivele generatoare fotonice, lungimea de und a radiaiei emise i energia corespunztoare benzii interzise. Primele materiale, GaP si AlAs, sunt folosite la realizarea generatoarelor fotonice n domeniul vizibil al

9 MAT. OPTOELECTRONICE spectrului. Urmtoarele trei materiale, GaAs, InP i AlGaAs, sunt folosite pentru fabricarea generatoarelor fotonice n domeniul IR apropiat al spectrului, cunoscut ca prim fereastr n comunicaiile pe fibr optic. Ultimul material, InGaAsP, este folosit pentru emitoarele din domeniul IR, cunoscut ca ferestrele doi i trei n comunicaiile pe fibr optic. Energia benzii interzise corespunde energiei fotonilor emii i este n acelai timp un indiciu despre cderea de tensiune asociat LED-ului, cnd este polarizat direct. Tabelul 1. Materialul GaP AIAs GaAs InP AIGaAs InGaAsP Energia Eg 2.24 eV 2.09 eV 1.42 eV 1.33 eV 1.42-1.61 eV 0.74-1.13 eV Lungimea de und 550 nm 590 nm 870 nm 930 nm 770-870 nm 1100-1670 nm Culoarea Galben Portocaliu IR IR IR IR

LUCRAREA NR.4

3. Scurt prezentare a aparaturii de msur i control


Aparatura de msur i control utilizat la aceast lucrare este urmtoarea : - osciloscop GOS -635G 35MHz GW Instek sau osciloscop numeric DSO 3102 A, 100 MHz, Agilent prezentate n Capitolul 8 al ndrumarului la punctele 4 i 5. - Multimetru tip HM 8112-3 prezentat la punctul 8 n Capitolul 8 al ndrumarului. - Multimetru tip PM 2423 prezentat la punctul 9 n Capitolul 8 al ndrumarului .

LUCRAREA NR.4

10 MAT. OPTOELECTRONICE - Generator de trepte descris n Anexa 4, punctul 1 al Lucrrii. - Placa de test care conine diodele i fototranzistoarele msurate,

prezentat n figura 6. - Placa de test EasyPIC 4 descris n Anexa 4, punctul 2 al Lucrrii.

Figura 6. Placa de test

4. Desfurarea lucrrii
n timpul desfurrii lucrrii se va ine cont de urmtoarele : Toate aparatele folosite trebuie s aib mesele conectate ntre ele, indicaiile privind conectarea diverselor elemente referindu-se doar la firele de semnal. Toate cuplajejele osciloscopului trebuie poziionate in poziia DC.

LUCRAREA NR.4
ele

11 MAT. OPTOELECTRONICE Determinarea formei semnalelor GT i corelaia dintre

Se pornesc aparatele i se efectueaz urmtoarele vizualizri i msurtori : 4.1.1 Generatorul de 16 trepte

Modul de lucru este urmtorul : Se conecteaz canalul CH2 al osciloscopului la ieirea G16 a generatorului de trepte. Se trece comutatorul VIZUALIZARE/MSUR al

generatorului de trepte pe poziia VIZUALIZARE. Se trece comutatorul MODE din modulul VERTICAL al osciloscopului pe poziia CH2. Se acioneaz comutatorul VOLTS/div al canalului CH2 astfel nct desfurarea pe vertical s fie de 5-8 diviziuni. Din butonul POSITION al canalului CH2 se poziioneaz desfurarea pe vertical ct mai simetric fa de centrul ecranului. Se decupleaz butonul X-Y din modulul HORIZONTAL al oasciloscopului (osciloscopul trece n acest mod n regim de baz de timp). Se poziioneaz comutatorul SOURSE din modulul TRIGGER pe poziia CH2. Se acioneaz butonul LEVEL al modulului TRIGGER pn se obine o imagine stabil.

LUCRAREA NR.4
Se

12 acioneaz

MAT. OPTOELECTRONICE
butonul TIME/div al modulului

HORIZONTAL pn se obine o singur serie complet de trepte pe ecran. Dup vizualizarea semnalului se conecteeaz n paralel cu osciloscopul unul dintre multimetre i se trece comutatorul VIZUALIZARE/MSUR al generatorului de trepte pe poziia MSUR. Se msoar valoarea tensiunii pentru cele 16 trepte, iar rezultatele se vor trece in Tabelul 1. Tabelul 1 Treapta U(V) 4.1.2 Generatorul de 8 trepte 1 2 3 4 14 15 16

Se conecteaz CH2 al osciloscopului la ieirea G8 i se procedeaz n mod similar punctului anterior.Tensiunile msurate se trec n Tabelul 2 Tabelul 2 Treapta U(V) 4.1.3 Corelaia dintre cele dou generatoare 1 2 3 4 5 6 7 8

Fr a modifica poziia comenzilor de pe osciloscop se conecteaz iesirea G16 a generatorului de trepte la canalul CH1 al osciloscopului.Dup aceasta se poziioneaz comutatorul MODE al modulului VERTICAL pe poziia DUAL i din comutatorul VOLTS/div al CH 1 se obtine o desfurare de 5-8 diviziuni pentru CH1. Se observ imaginea de pe osciloscop i se traseaz grafic.

LUCRAREA NR.4

13

MAT. OPTOELECTRONICE

4.2 Determinarea caracteristici ID = f(UD) pentru diodele electroluminiscente Se trece osciloscopul n regim X-Y astfel : Se apas butonul X-Y al modulului HORIZONTAL al osciloscopului. Comutatorul MODE de pe modulul VERTICAL se poziioneaz pe X-Y Comutatorul SOURCE al modulului TRIGGER se poziioneaz pe X-Y. Se conecteaz succesiv ieirea G16 a generatorului de trepte la LR, LV, L1, LA cu generatorul de trepte pus n regim de vizualizare i se vizualizeaz caracteristicile ia=f(ua) pentru cele patru diode. Semnalul pentru axa X (CH1) culegndu-se de anodul diodelor (bornele LR,LV,L1,LA), iar cel pentru axa Y (CH2) de pe borna B a plcii de test. Se conecteaz un voltmetru la borna B a plcii de test i altul la borna la care s-a conectat ieirea G16. Se trece GI n regim de msur i cu ajutorul voltmetrelor se msoar pe rnd tensiunile n punctele LR, LV, L1, LA(cel care este conectat n momentul respectiv) i n punctul B. Msurtorile se fac pentru toate cele 16 trepte ale ieirii a. Rezultatele msurtorilor se vor trece n Tabelul 3. n timpul msurrii tensiunilor osciloscopul va rmne conectat n paralel cu multimetrele, iar citirea tensiunilor se va face la 1-2s dup ce se observ deplasarea punctului pe osciloscop.

LUCRAREA NR.4
ATENIE

14 MAT. OPTOELECTRONICE notaiile UX ,UY se refer la tensiunea msurat la

intarea X(CH1) sau Y(CH2) a osciloscopului (i corespunztor i punctelor din ME conectate la acestea) Tabelul 3 R1 = 100

Treapta Dioda LI Ux Uy ID = Uy/R1 U D = Ux U y Ux Uy ID = Uy/R1 U D = Ux U y Ux Uy ID = Uy/R1 U D = Ux U y Ux Uy ID = Uy/R1 U D = Ux U y [mV] [mV] [mA] [mV] [mV] [mV] [mA] [mV] [mV] [mV] [mA] [mV] [mV] [mV] [mA] [mV]

...

16

Dioda LR

Dioda LV

Dioda LA

Se calculeaz valorile curentului prin dioda luminiscent ID i tensiunea pe aceasta UD folosind formulele din Tabelul 3. Se traseaz pe acelai grafic caracteristicile I = f(UD) pentru cele 4 diode electroluminiscente msurate i se noteaz diferenele dintre acestea.

4.3 Fluxul n unghi solid emis de diodele electroluminiscente L1 i L2

LUCRAREA NR.4

15 Se ridic caracteristica

MAT. OPTOELECTRONICE
emis

= f(i) n unghiul solid

1,2

pentru dioda

electroluminiscent cu emisie n infrarou L1. Unghiul solid se modific prin modificarea distanei diod luminiscent- fotodetector i anume cu ct aceast distan este mai mare, cu att unghiul solid este mai mic. Aceasta nsemn c 1 > 2. Pentru a putea msura fluxul emis se vor face urmtoarele conexiuni:

ieirea G8 a generatorului de trepte se conecteaz la una din intrrile L1, L2. ieirea G+15V a generatorului de trepte se conecteaz la una din intrrile F1, F2 (cea corespunztoare diodei folosite) .

intrarea Y (CH2) a osciloscopului se conecteaz n punctul A.

intrarea X (CH1) a osciloscopului se conecteaz la una din intrrile L1, L2 (cea folosit).

Cu generatorul de trepte pus n regim de vizualizare pe osciloscop se va vedea n acest moment rspunsul fototranzistorului conectat la fluxul emis de dioda respectiv si pe baza msurtorilor de curent de colector i a diagramei din Figura 7 se poate calcula fluxul emis de diod . Multimetrele se conecteaz in paralel cu cele dou canale ale osciloscopului. Pentru a putea efectua msurtorile se trece generatorul de trepte n regim de masur i se msoar tensiunile UL1(L2) si UA care se trec n tabelul

16 MAT. OPTOELECTRONICE 4. Pentru aceast msurtoare tasta care determina perioada de masur va fi apsat. Aceast msurtoare cu multimetrul se face n paralel cu vizualizarea pe osciloscop, citirea voltmetrelor facndu-se dupa ce se observa o modificare a poziiei punctului pe osciloscop. Tabelul 4. R1 = 100 R2 = 1,6 K

LUCRAREA NR.4

Treapta
UB UA IL1 = UB / R1 IF1 = UA / R2 1 UA IF2 = UA / R2 2 [mV] [V] [mA] [mA] [lx] [V] [mA] [lx]

Se traseaz pe acelai grafic caracteristicile = f (IL) fluxul n unghiul solid


1

pentru cele dou diode msurate i se noteaz

diferenele ntre acestea.

LUCRAREA NR.4

17

MAT. OPTOELECTRONICE

Figura 7. Caracteristica =f(IC)

4.4 Determinarea caracteristicii fototranzistorul F1

Ic = f(UCE) pentru

Se ridic caracteristica IC= f(UCE)=ct pentru fototranzistorul F1. Pentru a realiza aceasta se fac urmtoarele conexiuni: Ieirea G16 a generatorului de trepte se conecteaz la intrarea F1 a placii de test. Ieirea G8 a generatorului de trepte se conecteaz la intrarea L1 a placii de test. Intrarea Y(CH2) a osciloscopului se conecteaz la iesirea A a placii de test. Intrarea X(CH1) a osciloscopului se conecteaz la intrarea F1 a placii de test. Cu generatorul de trepte n regim de vizualizare so observ pe ecranul osciloscopului setul de caracteristici IC= f(UCE).

LUCRAREA NR.4

18 MAT. OPTOELECTRONICE Se conecteaz multimetrele la punctele A si F1 ale plcii de test i se Regimul de masur pentru acest punct corespunde tastei care

trece generatorul de trepte n regim de msur. determin perioada de msur neapsate. Se msoar punct cu punct tensiunea de la ieirea A a placii de test, avnd grij ca sa se parcurg toate cele 128 de puncte. Rezultatele se trec n tabelul 5. Valorile pentru tensiunea Ua din tabelul 5 sunt identice cu tensiunile msurate la punctul 4.1.1 i se copiaz din tabelul 1. Tensiunea UCE se calculeaz cu relaia: UCE= Ua-UY-RLxIc generatorul de trepte. Valorile pentru IL1 i pentru L1 se iau din tabelul 4 i se reprezint grafic setul de caracteristici IC=f(UCE)=ct. Tabelul 5 R2 =1,6 K ( 9) unde : RL=1K este rezistena de limitare a curentului din

Treapta IL1 = L1 = IL1 = L1 = IL1 = L1 = IL1 = L1 = IL1 = Ua UY IC = UY / R2 UCE UY IC = UY / R2 UCE Uy IC = UY / R2 UCE UY IC = UY / R2 UCE UY [V] [V] [mA] [V] [V] [mA] [V] [V] [mA] [V] [V] [mA] [V] [V]

... 16 ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...

LUCRAREA NR.4

L1

19

MAT. OPTOELECTRONICE
[mA] [V] [V] [mA] [V] [V] [mA] [V] [V] [mA] [V] ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...

IL1 = L1 = IL1 = L1 = IL1 = L1 =

IC = UY / R2 UCE UY IC = UY / R2 UCE UY IC = UY / R2 UCE UY IC = UY / R2 UCE

4.5

Prezentarea

unor

aplicaii

ale

dispozitivelor

optoelectronice cu placa de test EasyPIC 4.


4.5.1 Verificarea plcii de test i cuplarea la PC Se procedeaz n felul urmtor: 1. Se verific vizual dac placa corespunde hardware foii de catalog din ANEXA 1 a lucrrii de laborator. Switch-urile SW1 i SW2 se pun pe poziia ON. Poziia jumper-elor trebuie s corespund foii de catalog din ANEXA. Pentru caractere alfanumerice pe afiorul LCD, jumper-ul JP12 se pune pe CHAR., iar pentru grafic pe GRAPH. 2. Se cupleaz PC-ul cu parola student. 3. Placa de test EasyPIC4 se cuplez la PC cu cablul USB, la conectorul 1 de pe plac. n acest fel asigurm, att alimentarea plcii de la sursa calculatorului, ct i aplicaiile software. 4.5.2 Acionarea plcii de test EasyPIC 4

LUCRAREA NR.4

20

MAT. OPTOELECTRONICE

4.5.2.1 Pentru acionarea plcii de test folosim un program dedicat: mikroElektronika-PicFLASH with microICD n felul urmtor: 1. La deschiderea ferestrei acestui program, n csua Device se introduce tipul microcontroller-ului, respectiv: PIC 16F877A. 2. Pentru nscrierea programului n microcontroller n sistem hexazecimal se apas tasta : Load HEX. 3. Se deschide ferestra Open a programului de test i parcurgem: Local Disk; (C:); Program files; Mikroelektronika; MicroC; Examples; EasyPic 416F877A; Examples sau Extra examples.

4. Se selecteaz unul din urmtoarele programe luate ca exemplu 7segdisplay1, 2 sau 3, Counter, LCDi Led_Blinking. n felul acesta vor fi acionate afioarele cu apte segmente, afiorul LCD i LED-urile. 5. Dup selectare se deschide fereastra, cu programul luat ca exemplu, n format HEX files. a) se inscripioneaz n microcontroller apsnd tasta Write. Dup ce s-a inscripionat corect programul, placa execut secvena de test. b) Dac dorim s modificm programul se apas pe csua RESET a programului i se reia secvena de inscripionare

LUCRAREA NR.4

21 MAT. OPTOELECTRONICE de la capt. De asemenea, putem introduce alt program parcurgnd acelai algoritm descris mai sus.

4.5.2.2 Programul microC compiler for PIC Pentru a inscripiona n limbaj MicroC , n microcontroller, diverse programe de acionare a afioarelor cu 7 segmente, LCD i LEDurilor, de pe placa de test EasyPic 4, se utilizeaz programul microC compiler for PIC i se procedeaz n felul urmtor: 1. Clock 008.000000 MHz. 2. n csua Project din bara superioar de comezi se acioneaz tasta New Project care deschide fereastra New Project. n acest ferestr sunt prezentate comenzile necesare pentru un nou program de acionare a plcii. 3. Dac dorim s folosim programele exemplu deja existente, atunci n csua Project vom aciona tasta Open Project sau Recent Project. 4. La tasta Open Project se deschide ferestra de cutare a programului de test Open. Apsm tasta Open pn cnd vom gsii programul de test parcurgnd una din urmtoarele ci: Local Disk; (C:); Program files; Mikroelektronika; MicroC; Examples; La deschiderea ferestrei acestui program, n csua Device se introduce tipul microcontroller-ului, respectiv: PIC 16F877A i n csua

LUCRAREA NR.4

22 MAT. OPTOELECTRONICE EasyPic 416F877A; Examples sau.

5.

Se selecteaz unul din urmtoarele programe luate ca

exemplu 7segdisplay1, 2 sau 3, Counter, LCDi Led_Blinking. n felul acesta vor fi acionate afioarele cu apte segmente, i LED-urile. Pentru afioarele LCD se apas pe Extra examples, GLCD, P16, P16F877A, GLCD Test 6. Dup selectare se deschide fereastra cu programul luat ca exemplu n format microC project (ppc). n cazul n care selectm 7segdisplay3 atunci va apare programul Display7seg_03 pe care l selectm cu tasta Open. 7. 8. Odat selectat programul exemplu el apare, comand cu Se inscripioneaz n microcontroller prin programul comand, nscris n programul microC compiler for PIC. mikroElektronika-PicFLASH [V7.04] with microICD apsnd n porgramul MicroC tasta Tools i mE Programmer. Tasta mE Programmer activeaz automat programul mikroElektronikaPicFLASH [V7.04] with microICD i placa execut testul. 9. Dac dorim s modificm programul se apas pe csua RESET a programului i se reia secvena de inscripionare de la capt. De asemenea, putem introduce alt program parcurgnd acelai algoritm descris mai sus.

LUCRAREA NR.4 5.

23

MAT. OPTOELECTRONICE

Coninutul referatului

5.1 Scopul lucrrii. 5.2 Graficul reprezentnd corelaia dintre cele dou semnale date de GT. 5.3 Tabelul 3 i graficul I=f(UD) pentru cele patru diode msurate. 5.4 Tabelul 4 i graficul =f(IL). 5.5 Tabelul 5 i graficul IC=f(UCE)=ct.. 5.6 Comentarii i concluzii privind aplicaiile dispozitivelor optoelectronice puse n eviden cu placa de test EasyPIC4. 5.7 Rspunsurile la ntrebri i probleme.

6.

ntrebri i probleme

1) De ce se introduce jonciunea pn (partea activ a LED-ului) ntr-o calot sferic realizat dintr-un material plastic i cum se alege acesta din punct de vedere al indicelui de refracie ? 2) ul? 3) Dac un LED emite lumin cu lungimea de und 550 nm i un altul 600nm, comparai valorile benzilor interzise corespunztoare materialelor din care sunt realizate cele 2 LED-uri. 4) 1.42eV. Se consider un LED pe GaAs. Banda interzis a GaAs este Variaia acesteia cu temperatura are loc dup legea Dac un LED emite lumin cu lungimea de und 550 nm, care este energia benzii interzise a materialului din care este realizat LED

LUCRAREA NR.4
dE g dT = 4.5 10 4

24

MAT. OPTOELECTRONICE

eV . S se determine variaia lungimii de und emise K

dac temperature variaz cu 10C. 5) 6) 7) 8) 9) Exemplificai materiale semiconductoare cu structur de Ce este electroluminescena? Schema echivalent de semnal mic a unui LED. Ce sunt diodele superluminescente ? Care sunt cele dou configuraii de baz pentru structurile benzi direct, respectiv indirect.

pentru LED-uri? 10) Exemplificai cel puin cinci aplicaii ale LED-urilor.

7.
1. 2.

Bibliografie
Ovidiu Iancu Dispozitive Optoelectronice, Ed. Matrix Paul chiopu - Optoelectronics, ED. Matrix Rom, Rom, Bucureti, ISBN:973-685-617-8, 2003 Bucureti, ISBN 978-973-755-443-7, 2009.

LUCRAREA NR.4

25

MAT. OPTOELECTRONICE

ANEXA 4
A4.1 Descrierea generatorului de trepte
Schema bloc a generatorului de trepte este prezentat n figura A4.1.

Figura A4.1 Generatorul de trepte

Generatorul de trepte este format dintr-un generator de impulsuri a cror perioad de repetiie este dat de poziia celor dou comutatoare, VIZUALIZARE/MSUR i T-T/8. Dac comutatorul VIZUALIZARE/MSUR este neapsat (VIZUALIZARE) perioada impulsurilor este suficient de mare pentru a obine o imagine stabil pe osciloscop.n poziia apsat (MSUR) acest comutator asigur o durat de circa 8s ntre impulsuri, durat suficient pentru a efectua msurtorile de tensiune, n cazul n care comutatorul TT/8 este neapsat sau o durat de circa 0,5s dac acest comutator este apsat. Impulsurile sunt aplicate unui numrtor de 4 bii (16 stri), iar ieirea acestuia este aplicat unui numrtor de 3 bii (8 stri). Fiecare

26 MAT. OPTOELECTRONICE numrtor comand un convertor digital-analog la ieirile crora se obin treptele de tensiune. Iesirile celor dou convertoare au n serie o rezisten de 1k pentru protecia acestora la scurtcircuit. n cadrul generatorului exist o surs stabilizat de 15V,cu protectie la scurtcircuit pentru alimentarea fototranzistoarelor cnd sunt folosite la determinarea fluxului emis de LED. Panoul frontal este prezentat n Figura A4.2

LUCRAREA NR.4

Figura A4.2. Panoul frontal al generatorului de trepte

A4.2 Descrierea plcii de test EasyPIC4


Placa de test EasyPIC4, conform foii de catalog prezentat n anex, are urmtoarele componente principale: 1. 2. Conector pentru alimentarea plcii de la o surs de Jumper pentru schimbarea alimentrii cu tensiune de la sursa alimentare extern cu tensiunea de la 8V la 16V AC/DC. extern, la sursa calculatorului PC. Aceast tensiune este transmis prin conectorul USB la placa de test.

LUCRAREA NR.4
3. Debugger).

27 MAT. OPTOELECTRONICE Programator rapid i flexibil cu circuit mikroICD ( In Circiut

Caracteristicile acestui circuit pot fi extinse. Prin downlodarea unui nou software noi vom putea programa i circuite de generaii mai noi. 4. Loca pentru senzorul de temperatur DS 1820, care msoar temperature cu precizie de 0,5C. 5. Conector de comunicaii RS232 cu TX i RX selectabil pentru utilizar unor microcontrollere de capacitatea mai mic. 6. Pentru prezentarea aplicaiilor plcii, fiecare din pinii RA0-RA5 sunt conectai i pot fi utilizai pentru msurarea tensiuilor stabilite cu poteniometri P1 i P2. 7. Portul A este conectat la o reea de rezistoare folosite de switchul SW1. Dac acest switch este pe poziia OFF, pinul apropiat n-are nici un resistor cuplat. Aceasta este foarte important pentru utilizarea PORTULUI A n mod analog ca un convertor A/D la fel ca un port digital I/O. 8. Setarea jumper-ului n poziia superioar pune tensiunea de pe pinii portului apropiat pe 1 logic. Dac jumper-ul este setat pe poziia inferioar tensiunea de pe pinii portului apropiat este pe 0 logic. Este foarte important s selectm poziia, pentru un port dac ateptm la intrri 0 logic sau 1 logic. 9. Soclu pentru conectarea unui afior LCD cu 16 x 2 caractere, n mod de operare de 4 bii. 10. Soclu pentru conectarea unui afior LCD cu 128 x 64 caractere, n mod de operare de 8 bii. 11. Socluri pentru microcontrollere cu capsule DIP8, DIP14, DIP18, DIP20, DIP28 i DIP40, pentru folosirea pe placa de test aproape a ntregii game de Microchip Microconttrolere.

LUCRAREA NR.4

28 MAT. OPTOELECTRONICE 12. 36 butoane de control pentru fiecare pin al microcontroller-ului. 13. Putem alege cum apsm butonul, care va modifica tensiunea pe pinii

micro controllerului, fie n starea superioar, fie n cea inferioar. 14. Vedem semnalul pe fiecare pin cu ajutorul LED-urilor. 15. Afioare din 7 segmente n modul multiplex, pentru afiarea valorilor. 16. Comutator ON, OFF pentru LED-urile porturilor A,B,C,D i E. Putem schimba portul a crui LED dorim s-l conectm. De asemenea, putem schimba digiii pe care dorim s fie pe poziia deschis. n aplicaiile bine definite este important s decuplm toate conexiunile care nu sunt necsare de la pinii microcontrollerului. 17. Controlul contrastului LCD. 18. Controlul sursei de alimentare. 19. Comunicaie USB pentru MCU. 20. Conector pentru tastatur. 21. Buton Reset al plcii de test.