Disp. y Circuit. Electronic - II (Teoria y Exp.)

IPES
DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS
ELECTRÓNICOS II
módulo MCM4/EV
Tomo 1/2
TEORÍA Y EXPERIMENTACIONES
manual PROFESOR/ALUMNO
© COPYRIGHT BY ELETTRONICA VENETA & INEL SPA

MC0411S0.DOC
ÍNDICE
Lección B13: Transistores NPN y PNP Pág. 1
Lección B14: Transistores de efecto de campo JFET y MOSFET Pág. 11
Lección B15: Componentes optoelectrónicos Pág. 25
Lección B16: Transductores de temperatura Pág. 33
Lección B17: Configuraciones de amplificación del transistor Pág. 38
Lección B18: Polarización del transistor Pág. 51
Lección B19: Estabilización del punto de reposo Pág. 62
Apéndice A: Símbolos utilizados Pág. 74
Apéndice B: Hojas técnicas Pág. 75

NORMAS de SEGURIDAD
Conservar el presente manual para cualquier consulta adicional.
Luego de haber quitado el embalaje, poner a un lado todos los

accesorios de modo de no perderlos. Controlar que el módulo se
presente íntegro y sin daños visibles.
Antes de proporcionar la alimentación al módulo, controlar que los

cables de alimentación estén conectados correctamente a la fuente de
alimentación.
Este aparato deberá ser destinado sólo para el uso para el cual ha sido
concebido; es decir, como equipo didáctico; además, deberá ser
utilizado sólo bajo la directa vigilancia de personal experto. Cualquier
otro uso deberá considerarse inapropiado y, por consiguiente, peligroso.
El fabricante no puede considerarse responsable de eventuales daños
que procedan de usos inapropiados, erróneos o irrazonables.
Lección B13 : Transistores NPN y PNP
LECCIÓN B13: TRANSISTORES NPN y PNP
OBJETIVOS
• Reconocimiento de un transistor PNP o NPN.
• Medida de las resistencias interunión.
• Reconocimiento de los tres terminales: Base, Emisor y Colector
utilizando un óhmetro.
• Verificación de las relaciones fundamentales de corriente continua.
• Medida de la corriente de colector en función de la corriente de
base.
• Cálculo de los factores de amplificación α y β.
MATERIAL
• Unidad básica para sistema IPES (Unidad de alimentación mod.
PSU/EV, Caja de soporte de los módulos mod. MU/EV, Unidad de
control individual mod. SIS1/SIS2/SIS3)
• Módulo de experimentación mod. MCM4/EV
• Multímetro
B13.1 NOCIONES TEÓRICAS
Estructuras PNP y NPN
Los modelos físicos de los transistores PNP y NPN se muestran en la

figura B13.1. La zona central se denomina "Base", mientras que las
zonas externas se denominan respectivamente "Emisor" y "Colector".
fig. B13.1
-1-
El funcionamiento de los transistores se basa en la posibilidad de

controlar la corriente que fluye entre Colector y Emisor a través de la
aplicación de una corriente en la base B, lo cual se obtiene polarizando
directamente la unión base-emisor e inversamente la unión base-
colector.
En ausencia de tensiones de polarización, las barreras de potencial
existentes se muestran en las figuras.
fig. B13.2
Funcionamiento del Transistor PNP
En la condición de funcionamiento normal el diodo base-emisor D2 está

polarizado directamente (polo positivo en el emisor y polo negativo en
la base); en cambio, el diodo colector-base D1 está polarizado
inversamente y el colector tiene un potencial negativo respecto a la base
(figura B13.3a).
Con el circuito base-colector abierto (figura B13.3b), ya que el diodo D2
está polarizado directamente, su barrera de potencial se reduce y de esta
forma favorece un desplazamiento de cargas positivas desde el emisor
hacia la base.
Consideremos ahora la situación en la cual el circuito colector-base está
cerrado y el circuito base-emisor está abierto (figura B13.3c). Debido a
la polarización inversa, la barrera de potencial del diodo colector-base
aumenta; de esta forma sólo una pequeña corriente de huecos positivos
fluye desde la base hacia el colector y al mismo tiempo una corriente de
electrones fluye desde el colector hacia la base.
Supongamos ahora que tanto el circuito base-emisor como el circuito

colector-base (figura B13.3d) se cierren simultáneamente. El espesor de
la base es muy delgado respecto a la distancia media que pueden
recorrer los huecos positivos procedentes del emisor; una parte
considerable de estas cargas puede atravesarla y llegar a la unión
colector-base, donde serán atraídas por el potencial negativo del
colector, creando así una corriente emisor-colector.
Un razonamiento análogo lleva a resultados similares en el caso de un
transistor NPN (figura B13.4).
-2-
fig. B13.3
fig. B13.4
Las estructuras PNP y NPN constituyen la base constructiva de los

transistores bipolares o "BJT" (Bipolar Junction Transistor).
Los símbolos gráficos correspondientes se muestran en las figuras
siguientes.
fig. B13.5
-3-
La flecha en el símbolo gráfico indica el sentido de la corriente de

emisor. La polarización correcta de un BJT se muestra en la figura
B13.6.
fig. B13.6
Las magnitudes que determinan el funcionamiento de un transistor de

corriente continua son (figura B13.7):
1. Las tres corrientes que circulan en el transistor (IB, IC, IE).
2. Las tres tensiones presentes en los extremos de los terminales (VBE,
VCE, VCB).
3. Los dos coeficientes de amplificación de corriente (α, β).
fig. B13.7
Ecuaciones fundamentales
Considerando como sentido de las corrientes el de las cargas móviles

positivas, se consideran válidas las siguientes relaciones:
IE = IC + IB B13.1
IC = α·IE + ICBO B13.2
donde:
• El coeficiente α tiene un valor comprendido entre 0,9 y 0,999.
-4-
• α⋅IE indica la fracción de la corriente de emisor que llega hasta el

colector (y α es muy próxima a 1.0).
• ICBO, del orden de los nA, es la corriente inversa medida de la unión
base-colector polarizada inversamente, dejando abierto el terminal de
emisor.
Sustituyendo el valor de IE en la ecuación B13.1, se puede obtener la

siguiente expresión en la B13.2:
IC = ß⋅⋅IB + ICEO B13.3
verificándose:
β= α/(1-α
α) B13.4
ICEO = (ß+1)·ICBO B13.5
A través de la B13.4, los valores propios de α se desprenden de β y

están comprendidos entre 10 y 100; por lo tanto, a través de las referidas
relaciones, se deduce que a un valor pequeño de la corriente de base IB
le corresponde un valor elevado de la corriente de colector IC, lo cual
demuestra que el transistor es un componente amplificador de corriente.
En lo referente a las tensiones puede escribirse:
VCE = VBE + VCB B13.6
Ganancia estática del transistor
A través de las relaciones B13.3 y B13.5 es posible obtener la siguiente

expresión para β:
IC - ICBO B13.7
β = 
IB + ICBO
Despreciando el aporte de ICBO tanto en el numerador como en el
denominador de la ecuación B13.7, se define el más importante
parámetro de los BJTs, la ganancia estática de corriente hFE:
hFE = IC / IB B13.8
-5-
Curvas características
Las relaciones anteriores pueden expresarse de forma gráfica mediante
las curvas características indicadas a continuación:
fig. B13.8 a. Curvas características de entrada de un transistor NPN de

emisor común
b. Curvas características de transferencia de un transistor NPN
de emisor común
c. Curvas características de salida de un transistor NPN de
emisor común
-6-
B13.2 EJERCICIOS
Â MCM4 Desconectar todos los puentes
Â SIS1 Situar todos los interruptores en posición OFF
Â SIS2 Teclear el código de la lección: B13
N.B.
En algunos circuitos se requerirá la realización de medidas de tensión
y corriente; si se dispone de un solo multímetro, éste se utilizará como
voltímetro o como amperímetro, según se necesite.
Cuando el multímetro se utilice para medir las tensiones, se
recomienda cortocircuitar los puntos del circuito donde esté prevista
la conexión del amperímetro.
Reconocimiento de un transistor PNP o NPN
• En los transistores T2 y T3, determinar los pines que corresponden a

la base, al colector y al emisor.
• Predisponer el óhmetro en el alcance más bajo. Medir las resistencias
de unión entre base-emisor, base-colector y colector-emisor en los
dos sentidos de polarización. Comparar los valores medidos con los
de la tabla siguiente:
RBC RBE RCE
T2 baja ∞ baja ∞ ∞ ∞
T3 ∞ baja ∞ baja ∞ ∞
fig. B13.9
• Verificar, con los valores de resistencia obtenidos, que el transistor

T2 es un NPN y que el transistor T3 es un PNP.
Q1 En general, ¿ cómo puede representarse un transistor ?
SET
A B
1 2 con dos diodos conectados en serie y en oposición, con la
base como centro común
2 4 con dos diodos conectados en paralelo
3 1 con la serie de un diodo normal y un diodo zener
4 5 con dos diodos conectados en antiparalelo
5 3 ninguna de las respuestas anteriores
-7-
Estos parámetros son indicativos y podrán variar también para BJTs del
mismo tipo. Lo importante es que con este método es posible identificar
el patillaje de un transistor.
Verificación experimental de las relaciones entre las corrientes
• Regular la alimentación variable Vcc a +12V. Conectar los puentes

J2, J8 y J6; luego, conectar los amperímetros, de manera de realizar
el circuito que se muestra en la figura B13.10.
fig. B13.10
• Medir la corriente de colector IC para los valores de la corriente de
base IB de la tabla siguiente:
IB (µA) 10 30 50 70 90
IC (mA)
hFE
• Trazar la curva IC = f (IB). La curva IC = f (IB) tiene un trecho lineal.

Su pendiente proporciona el valor de la ganancia estática de corriente
representada por:
hFE = IC / IB
• Calcular la ganancia de corriente hFE. para cada par de valores de la

tabla anterior.
Q2 ¿ Dentro de cuáles valores está comprendido el valor de hFE ?
SET
A B
1 6 1 - 10
2 1 10 - 20
3 5 20 - 40
4 3 100 - 400
5 4 500 - 1000
6 2 1000 - 2000
-8-
Â SIS1 Situar el interruptor S1 en la posición ON
Â SIS2 Pulsar INS
Q3 ¿ Qué efecto se observa en el circuito y cuál es la causa ?
SET
A B
1 5 se desconectó la alimentación de todo el circuito, por
consiguiente no se mide nada
2 3 se desconectó la alimentación en el colector, por consiguiente
IC es nula
3 4 IC aumentó debido a un cortocircuito del transistor entre C y
E
4 1 IC se volvió nula debido a la desconexión del circuito de
polarización de la base
5 2 IC se volvió nula debido a una interrupción en el emisor
Â SIS1 Situar el interruptor S1 en la posición OFF
Relación entre las corrientes de colector y de emisor
• Variar el circuito anterior desconectando el amperímetro de la base

del transistor; conectar J5, desconectar J6 y conectar el amperímetro
en los extremos 5 - 6 para poder medir la corriente de emisor.
• Girar RV1 para obtener una IC = 25 mA.
• Medir el valor de IE.
• Calcular el coeficiente α.
Q4 ¿ Cuánto vale α ?
SET
A B
1 2 es siempre negativa
2 5 es superior a 10
3 1 es poco inferior a 10
4 6 es poco superior a 1
5 4 es poco inferior a 1
6 3 es siempre igual a 2
-9-
B13.3 CUESTIONARIO RECAPITULATIVO
Q5 En un transistor NPN están presentes:

SET
A B
1 4 3 uniones
2 3 2 uniones
3 2 1 unión
4 1 0 uniones
Q6 El coeficiente de amplificación α de un transistor se define con:

SET
A B
1 1 IB/IC
2 5 IE/IB
3 2 (IC - ICBO)/IE
4 4 IC/IE
5 3 (IC + ICBO)/IE
Q7 Eligiendo como sentido convencional para las corrientes el de las

cargas móviles positivas, para un transistor BJT “PNP” la relación
correcta es:
SET
A B
1 4 IE = IC + IB
2 1 IB = IC + IE
3 2 -IE = IB - IC
4 3 IE = IB - IC
Q8 Los coeficientes α y β están relacionados mediante las expresiones:

SET
A B
1 2 α/2 = β + 1
2 4 α = (β - 1)/( β + 1)
3 1 β = α/ (1 - α)
4 3 β=α+1
Q9 Si en un transistor β= 50, ¿ Cuánto vale α ?

SET
A B
1 5 0.96
2 6 0.98
3 2 1.02
4 1 0.90
5 3 0.5
6 4 1
- 10 -
Lección B14: Transistores de efecto de campo JFET y MOSFET
Lección B14: TRANSISTORES de EFECTO de CAMPO JFET y MOSFET
OBJETIVOS
• Trazado de la curva característica de salida ID = f (VDS).
• Trazado de la curva característica de transferencia ID = f (VGS).
• Uso del FET como:
- amplificador para pequeñas señales
- generador de corriente continua.
MATERIAL
• Osciloscopio
• Multímetro
Efecto de campo en el Transistor JFET
El transistor de efecto de campo es un componente que difiere del

transistor bipolar PNP o NPN, tanto en el funcionamiento como en la
estructura.
En el Transistor de Efecto de Campo de Unión (JFET, Junction Field
Effect Transistor) la corriente consta de cargas de una única polaridad y
por esta razón se denomina también transistor unipolar.
Los símbolos gráficos de los JFETs de canal N y de canal P se muestran
en la figura B14.1, mientras que en la figura B14.2 se muestran los
modelos físicos correspondientes.
El terminal D es el Drain (drenador), el terminal G es el Gate (puerta) y
el terminal S es el Source (fuente).
La diferencia básica entre un transistor bipolar y un FET es que el
primero gobierna una corriente (I colector) con otra corriente (I base),
mientras que el segundo gobierna una corriente (I Drain) con una
tensión (V Gate-Source).
canal N canal P
fig. B14.1
- 11 -
fig. B14.2
Principio de funcionamiento
Considérese como ejemplo un JFET de canal N, alimentado con las
tensiones que se muestran en la figura B14.3.
fig. B14.3
Si la tensión VG es nula, la corriente ID circula a través de la resistencia

del semiconductor dopado N. Si VG aumenta, polarizando inversamente
la unión PN, se vacía una zona de portadores en torno a la unión, de
volumen proporcional a la tensión aplicada (figura B14.4).
fig.B14.4
Puede observarse que el canal N se reduce y su conductividad

disminuye; en otras palabras, la resistencia entre S y D es proporcional
al volumen de la zona de vaciamiento. En condiciones de
funcionamiento correcto la unión PN entre Puerta y Fuente se polariza
inversamente; por lo tanto, la corriente de entrada es muy pequeña. Por
esta razón el JFET presenta una impedancia de entrada elevada, superior
al megaohmio.
Supongamos ahora que la Puerta y la Fuente se cortocircuiten entre sí y

que se aplique una tensión VDS > 0. Ya que el drenador se encuentra en
un potencial positivo respecto a la puerta, la unión PN resulta polarizada
cuanto más inversamente tanto mayor sea la tensión VDS (figura B14.5).
En estas condiciones se forma una zona de vaciamiento que reduce la
conductividad del canal. Aumentando la tensión VDS se tienen dos
efectos opuestos:
- 12 -
1. Aumento de la densidad de corriente entre D y S.

2. Aumento de la resistencia del canal entre D y S.
Ya que este último efecto no es lineal con la tensión, la corriente ID
desde un determinado valor en adelante ya no aumenta más al aumentar
VDS. Para VGS=0 voltios, la máxima corriente entre drenador y fuente se
denomina IDSS, mientras que VP (tensión de estrangulamiento o de
pinch-off) es la tensión VDS mínima para la cual la corriente ID alcanza
el valor constante IDSS.
fig. B14.5
Por consiguiente, la corriente ID es proporcional a la tensión VDS y a la

tensión VGS. Para un valor de |VGS| > VP el canal está totalmente cerrado
e IDS=0A para cualquier tensión VDS. Este valor de tensión VGS se
denomina tensión de corte (o de cut-off) y se indica con VGSoff. Cabe
observar que VGS difiere de VP sólo por el signo: VGSoff = - VP.
Curvas características
Representando la corriente de Drenador ID en función de la tensión de

Drenador-Fuente VDS para valores diferentes de la tensión de Puerta-
Fuente VGS, se obtienen las curvas características de salida (o de
Drenador) del FET (fig. B14.6).
Se puede observar lo siguiente:

• para VDS < VP - |VGS| el FET se comporta como una resistencia (zona
óhmica)
• para VDS> VP - |VGS| la ID es prácticamente independiente de VDS y
depende sólo de VGS (zona de saturación)
• al disminuir VGS (valores negativos) disminuye también ID
• la corriente ID disminuye si VGS alcanza valores más negativos.
Curva característica mutua y transconductancia
En la zona de saturación del FET la ID depende prácticamente sólo de

VGS (fig. B14.7). Esta dependencia se expresa mediante la siguiente
relación:
2
 V 
I D = I DSS ⋅ 1 − GS 
 Vp 

- 13 -
donde:
IDS = corriente de Drenador en zona de saturación
IDSS = corriente de Drenador para VGS = 0
VP = tensión de estrangulamiento (o de Pinch-off).
fig. B14.6 fig. B14.7
El MOSFET
El transistor de efecto de campo óxido metálico-semiconductor
(MOSFET, Metal-Oxide-Silicon FET) constituye una evolución
tecnológica y constructiva del JFET. Su funcionamiento es similar al del
FET, pero su estructura se diferencia por la fina capa de óxido aislante
interpuesta entre la Puerta y el canal Drenador-Fuente; por esta razón se
denomina también transistor de efecto de campo de puerta aislada
(IGFET, Insulated Gate FET).
Existen dos tipos de MOSFET. Uno que funciona en base al principio de
vaciamiento (Depletion) del canal con las cargas libres y el otro en base
al principio del reforzamiento (Enhancement) del canal con las cargas
libres.
Los símbolos se muestran en la figura B14.8.
fig. B14.8
- 14 -
MOSFET de DEPLEXIÓN
La estructura de un MOSFET de DEPLEXIÓN o VACIAMIENTO
(MOSFET DEPLETION) de canal N se muestra en la figura B14.9.
Al igual que en el FET, el MOSFET de DEPLEXIÓN presenta un canal
continuo entre Drenador y Fuente; está soportado por una base de
semiconductor ligeramente dopada de tipo P, denominada "sustrato". En
ausencia de polarización de la Puerta, el MOSFET conduce con las
cargas disponibles en el canal. Si la Puerta está polarizada inversamente,
el canal se vacía de sus cargas y disminuye la conducción. La curva
característica de salida "corriente de Drenador"-"tensión de Drenador-
Fuente" se muestra en la figura B14.10.
Las mismas consideraciones desarrolladas para el MOSFET de canal N
pueden considerarse válidas también para el MOSFET de canal P, pero
invirtiendo el sentido de las corrientes y las tensiones.
fig. B14.9 fig. B14.10
MOSFET de REFORZAMIENTO
El MOSFET de REFORZAMIENTO (MOSFET ENHANCEMENT) de

canal N se muestra en la figura B14.11. Este MOSFET no presenta un
canal continuo entre Drenador y Fuente; por lo tanto, no puede conducir
en ausencia de polarización de la Puerta. Para VGS > 0, las cargas
negativas atraídas por la Puerta se sitúan en la zona entre S y D, creando
un canal N y el dispositivo así puede conducir.
Este tipo de FET es el único que está en corte con VGS=0 y que controla
la corriente de Drenador con una VGS positiva. Este comportamiento es
similar al de un transistor bipolar. La curva característica de salida
"corriente de Drenador"-"tensión de Drenador-Fuente” se muestra en la
figura B14.12.
fig. B14.11 fig. B14.12
- 15 -
MOSFET comparado al JFET

Las ventajas del MOSFET respecto a los JFETs son las siguientes:
• ya que la Puerta está aislada, estos dispositivos presentan una
resistencia de entrada superior a la de los JFETs;
• la Puerta tiene en promedio una capacidad de entrada más pequeña;
por lo tanto, los MOSFETs presentan un mejor comportamiento a las
altas frecuencias.
El inconveniente de la tecnología MOS es que el aislante en SiO2 puede
dañarse de forma definitiva por efecto de las cargas electroestáticas; por
lo tanto, estos dispositivos deberán manejarse con sumo cuidado antes
de ser insertados en el circuito. Una protección sencilla consiste en
cortocircuitar los tres pines del encapsulado.
Circuito amplificador con JFET
En las próximas lecciones se analizarán en detalle las diferentes
configuraciones de amplificación de los transistores. En esta lección se
considera útil adelantar el tema analizando una aplicación del JFET
como amplificador.
Para poder utilizar un FET como amplificador deberá elegirse una
polarización que permita trabajar en la zona de linealidad de las curvas
características. En este caso una variación de la tensión VGS se traduce
en una variación proporcional de la corriente ID:
ID = gm·VGS
donde el parámetro fundamental gm se define como la transconductancia
directa en modo Fuente común y proporciona la medida del efecto de la
tensión de Puerta en la corriente de Drenador (fig. B14.13).
La figura B14.14 muestra un circuito amplificador realizado con un
JFET.
Siendo vi y vo las señales variables de entrada y de salida, la ganancia
de tensión Gv del amplificador, o sea la relación entre las amplitudes de
la señal de salida y la señal de entrada, vale:
vo
Gv = ≈ R D ⋅ gm
vi
Los valores propios de gm están comprendidos entre 0,1 y 10 mA/V.
fig. B14.13
- 16 -
fig. B14.14
Generador de corriente constante
Analicemos ahora otro circuito realizado con el JFET.
Un generador ideal de corriente es un circuito que proporciona tanto una

corriente de valor constante como la carga. Una fuente de este tipo tiene
que tener una impedancia de salida muy elevada. La figura B14.15
muestra un ejemplo de generador de corriente con transistor FET.
fig. B14.15
En el circuito VGS es igual a 0 voltios. Si VDS es superior a la tensión

VP, la corriente ID en el circuito se vuelve constante e igual a IDSS. La
condición para que el circuito sea un generador de corriente constante es
que VDS sea superior a VP.
Ya que VDS = VDD - RL · ID, se deberá tener: RL < (VDD - VP) / IDSS
Si RL supera este valor, la corriente disminuye rápidamente (figura
B14.16).
fig. B14.16
- 17 -
B14.2 EJERCICIOS
Trazado de la curva característica de salida de un transistor JFET
• Conectar los puentes J31, J32, J18, el amperímetro entre 23 y 24, el

voltímetro (o el osciloscopio) entre Drenador y Fuente, de manera de
realizar el circuito que se muestra en la figura B14.17.
fig. B14.17
• Regular inicialmente en 0V la tensión Vcc de la fuente de

alimentación variable; luego, aumentar gradualmente Vcc y medir la
corriente ID que circula a través del circuito y la tensión VDS del FET
para cada valor de Vcc de la tabla siguiente:
VCC (V) 1 2 3 4 5 6 8 10 12 15 20
VDS (V)
ID (mA)
• Trazar la curva ID = f (VDS) y calcular la tensión de estrangulamiento

(o de pinch-off) VP y la corriente de saturación IDSS.
- 18 -
Â SIS2 Pulsar INS
Q1 ¿ Qué ocurrió en el circuito ?
SET
A B
1 5 se desconectó una resistencia conectada en serie con R12
2 3 el FET se cortocircuita entre Drenador y Fuente
3 1 el FET se abre entre Drenador y Fuente
4 2 el circuito de la Puerta se abre
5 4 disminuyó la tensión de alimentación
Trazado de la curva característica de transferencia
• Realizar el circuito que se muestra en la figura B14.18, conectando

los puentes J30, J37, J19, el amperímetro y el voltímetro (o el
osciloscopio), tal como se muestra en la figura.
fig. B14.18
- 19 -
• Variar VGS actuando sobre RV8 y medir la corriente ID para cada

valor que se indica en la tabla siguiente:
VGS [ V ] 0 -0.5 -1 -1.5 -2 -2.5 -3 -3.5 -4 -4.5

ID [ mA
• Calcular la tensión de Puerta VGoff para la cual la corriente de

Drenador se anula.
• Trazar la curva ID = f (VGS), calcular el valor de IDSS.
Q2 ¿ Cómo es la marcha de la curva anterior ?
SET
A B
1 3 presenta un máximo en correspondencia con VGS = -5 V
2 4 es una recta que pasa por el origen de los ejes
3 5 es una recta paralela al eje de VGS
4 2 es un arco de circunferencia con centro en el origen
5 1 es una curva que decrece al disminuir VGS
Trazado en el osciloscopio de las curvas características de salida

los puentes J20, J21, J22, J33 y J30.
• Predisponer el osciloscopio en modo X-Y (50 mV/div en el canal Y,
5 V/div en el canal X), conectar las sondas tal como se muestra
en la figura (¡ Utilizar la sonda diferencial para el canal X !). En
los extremos de R18 se medirá una tensión proporcional a la corriente
ID, mientras que en el Drenador se medirá la tensión VDS.
- 20 -
fig. B14.19
• Variar VGS actuando sobre RV8 y observar la variación de la curva

IDS= f (VDS).
• Actuando sobre RV5, variar VDS y observar la variación de IDS.
Trazado en el osciloscopio de las curvas características de transferencia

los puentes J19, J21, J22, J33, J25, J29 y J26.
• Predisponer el osciloscopio en modo X-Y (0.2 V/div en el canal Y, 1

V/div en el canal X) y conectar las sondas tal como se muestra en la
figura (¡ Utilizar la sonda diferencial para el canal X !). En los
extremos de R18 se medirá una tensión proporcional a la corriente ID,
mientras que en la Puerta se medirá la tensión VGS.
fig. B14.20
- 21 -
Q3 A través del diagrama visualizado es posible observar algunos puntos

característicos de la curva ID-VGS. Para VGS<VP ¿ Cuánto vale ID ?
SET
A B
1 6 10 mA
2 5 12 mA
3 2 0 mA
4 3 5 mA
5 1 2 mA
• Calcular la pendiente de la curva para -2V < VGS < -0,5V, que
representa gm = ∆ID/∆VGS. Se hallará un valor de gm igual a algunos
mA/V.
Circuito amplificador para pequeñas señales
• Regular a +25V la tensión de la fuente de alimentación variable

• Conectar los puentes J23, J24, J29, J27, J34, J36, J22 y J18, de
manera de realizar el circuito que se muestra en la figura B14.21.
• Conectar el osciloscopio tal como se muestra en la figura, para
visualizar las señales de entrada (vi) y de salida (vo) en el circuito.
• Actuando sobre RV6, regular la señal de entrada a 1 Vpp.
• Regular RV9 de manera de obtener una señal de salida lo más
próxima posible a una forma sinusoidal.
• A través del trimmer RV6, variar la tensión de entrada y observar la
distorsión de la señal de salida.
• Medir el valor pico-pico de la señal de salida en ausencia de
distorsión.
• Calcular la amplificación de la señal Gv = vo/vi.
fig. B14.21
- 22 -
Q4 ¿ Cuál es el valor aproximado de la amplificación ?
SET
A B
1 3 1
2 4 2
3 6 5
4 1 10
5 2 50
Generador de corriente constante
• Regular a +25 Vcc la tensión de la fuente de alimentación variable.

Conectar los puentes J18, J21, J31 y J34, el amperímetro entre los
puntos 23 y 24 y el osciloscopio tal como se muestra en la figura
(¡ Utilizar la sonda diferencial !!), de manera de realizar el circuito
que se muestra en la figura B14.22.
fig. B14.22
• Regular RV9 en el valor de resistencia mínimo.

• Medir la corriente que circula a través del circuito.
• Variar RV9 y observar si la corriente I se mantiene constante; luego,
observar en el osciloscopio la marcha de la tensión VDS y la tensión
VRV9 en los extremos del trimmer.
Q5 ¿ Qué variaciones presentan las dos tensiones al aumentar la

resistencia de RV9 ?
SET
A B
1 4 las dos tensiones se mantienen sin variar
2 5 las dos tensiones disminuyen
3 2 las dos tensiones aumentan
4 1 la tensión VDS aumenta y la otra disminuye
5 3 la tensión VDS se mantiene constante y la otra aumenta
- 23 -
Â SIS2 Pulsar INS
Q6 ¿ Qué variación se realizó en el circuito ?

SET
A B
1 5 el FET se desconectó
2 1 el FET se cortocircuitó
3 4 la tensión de alimentación aumentó
4 2 falta la tensión al drain de T6
Q7 ¿ Qué es el “canal" en un FET ?

SET
A B
1 2 la zona entre puerta y drenador
2 5 la zona entre puerta y fuente
3 4 la zona entre drenador y fuente
4 3 la conexión entre las dos zonas de puerta
5 1 la conexión de entrada al FET
Q8 El canal drenador-fuente resulta "estrangulado" (por lo tanto ID = 0)

cuando:
SET
A B
1 4 VDS = 0 V
2 3 VGS = VP
3 1 VGS = 0 V
4 5 VGS = - 5 V
5 2 VDS = -1 V
Q9 En la zona lineal un FET se comporta como:

SET
A B
1 2 una resistencia
2 3 un diodo
3 5 un condensador
4 1 un inductor
5 4 un interruptor abierto
- 24 -
Lección B15: Componentes optoelectrónicos
LECCIÓN B15: COMPONENTES OPTOELECTRÓNICOS
OBJETIVOS
• Estudio de la característica resistencia-luminosidad en una
fotorresistencia.
• Estudio de la característica corriente-luminosidad en un fotodiodo.
• Análisis de la reacción a la luz de un fototransistor.
MATERIAL
• Multímetro
Fotorresistencia
La fotorresistencia es un dispositivo de semiconductor sensible a la
radiación electromagnética comprendida en el entorno del espectro
visible (longitud de onda comprendida entre 380 nm y 760 nm).
La característica propia de la fotorresistencia es la de presentar un valor
de resistencia muy elevado en la oscuridad: resistencia que disminuye al
aumentar la radiación luminosa que le llega.
La fotorresistencia se realiza con una barra de material semiconductor,

normalmente el sulfuro de cadmio (CdS).
La radiación luminosa incidente cede parte de la propia energía a los
pares electrón-hueco que pueden alcanzar un nivel energético tal como
para romper los enlaces covalentes y permitir que los portadores de
carga alcancen la banda de conducción; de esta forma se crean cargas
libres que hacen aumentar la conducción y, por consiguiente, disminuir
la resistencia.
La relación entre intensidad de la radiación luminosa y número de

cargas libres generadas, en primera aproximación, puede considerarse
proporcional.
En las aplicaciones prácticas los terminales de la fotorresistencia se

alimentan con una tensión exterior, gracias a la cual los portadores de
carga pueden atravesar el dispositivo y el circuito a él conectado.
En la figura B15.1 se muestra la marcha típica de la resistencia R de una

fotorresistencia en función de la iluminación medida en lux.
- 25 -
fig. B15.1
Fotodiodo
En líneas generales el fotodiodo es un diodo de semiconductor corriente;
sin embargo, se realiza con una técnica constructiva particular, que
permite que la energía luminosa incidente sobre el material
semiconductor penetre hasta la región de vaciamiento de la unión.
La energía luminosa incidente que llega a los pares electrón-hueco es
capaz de romper los enlaces covalentes que unen los portadores de
carga, de modo que los electrones liberados sean atraídos por la región
de tipo N y los huecos sean atraídos por la región de tipo P; de esta
forma, en el interior del diodo se genera una corriente (fotocorriente)
que depende de la intensidad de la radiación luminosa.
El sentido del flujo de cargas que constituyen la fotocorriente va del
cátodo al ánodo; por esta razón, en las normales aplicaciones, el
fotodiodo se polariza inversamente.
Cuando el fotodiodo no se ilumina, a través de la unión circula la débil
corriente de oscuridad Id (dark current), que es igual a la corriente
inversa de un diodo polarizado inversamente normal.
Cuando el dispositivo se ilumina, la corriente total It que circula a su
través está dada por la suma de la corriente de oscuridad Id y la corriente
fotoconductora Ip:
It = Id + Ip
En la figura B15.2 se muestran las curvas tensión-corriente de un

fotodiodo, para diferentes valores de energía luminosa incidente.
fig. B15.2
- 26 -
Fototransistores
En línea general se trata de un transistor normal realizado con tres capas
de material semiconductor dopadas alternativamente N y P.
La radiación luminosa se concentra en la región próxima a la unión

colector-base. Para entender el funcionamiento del fototransistor se
supone que la unión base-emisor esté polarizada directamente y que la
unión colector-base esté polarizada inversamente. Esto se obtiene
aplicando una tensión Vce con el colector de potencial más elevado
respecto a la base. Polarizando el transistor de esta forma, éste trabaja en
la región activa.
Supongamos inicialmente que no haya ninguna radiación incidente. En

esta situación se tienen unos portadores minoritarios generados por
efecto térmico: los electrones que atraviesan la unión desde la base hacia
el colector y los huecos que transitan desde el colector hacia la base,
constituyen la corriente de saturación inversa Icbo de la unión de
colector.
La corriente de colector está dada por la relación:
Ic = (1+ß)⋅⋅Icbo + ß⋅⋅Ib
donde Ib es la corriente de base y ß es la ganancia del transistor.

Suponiendo que la base esté abierta (Ib = 0), la relación anterior se
convierte:
Ic = (1+ß)⋅⋅Icbo
Si el dispositivo se ilumina, por efecto fotoelectrónico se generan otros

portadores minoritarios que contribuyen a la corriente de saturación
inversa, exactamente como en el caso de las cargas minoritarias
generadas por efecto térmico.
Si se indica con Ip la componente de la corriente de saturación inversa

debida a la luz, se tiene que la corriente de colector total vale:
Ic = (1+ß)⋅⋅(Icbo + Ip)
Nótese que, por efecto del transistor, la corriente producida por la

radiación se multiplica por el factor (1+β).
En la figura B15.3 se muestran las curvas "tensión colector-emisor"-

"corriente de colector" de un fototransistor N-P-N para diferentes
valores de intensidad luminosa incidente.
Si se conecta el terminal de base y se inyecta una corriente de base Ib, se

suma la cantidad β⋅Ib a la corriente de colector.
- 27 -
fig. B15.3
B15.2 EJERCICIOS
Curva característica resistencia-luminosidad de la fotorresistencia
• Conectar el puente J39 y el óhmetro entre los puntos 30 y 31, de

fig. B15.4
• Las fotorresistencias pueden considerarse componentes sensibles a la

temperatura, ya que se realizan con materiales semiconductores. Para
minimizar el efecto térmico de la lámpara encendida en el
componente, se recomienda realizar las medidas rápidamente,
comenzando por la lámpara a la distancia mínima desde la
fotorresistencia y luego alejándola progresivamente.
• Medir la resistencia alejando la fuente luminosa.
- 28 -
Q1 ¿ Cómo varía la resistencia medida ?

SET
A B
1 3 la resistencia aumenta
2 4 la resistencia se mantiene constante
3 1 la resistencia disminuye
4 5 la resistencia se mantiene constante en el valor de cero
5 2 la resistencia es siempre infinita
La intensidad luminosa que llega a la fotorresistencia es proporcional a

la energía luminosa de la fuente y a su distancia. Es razonable pensar
que cuanto más cercana es la fuente, tanto mayor será la intensidad que
llega a la fotorresistencia. Cualitativamente el fenómeno observado
tiene una marcha similar a la que se muestra en la figura B15.1.
Curva característica corriente-luminosidad del fotodiodo
• Conectar el puente J39 y el voltímetro en los extremos de la

resistencia R20 (figura B15.5).
fig. B15.5
• Cuando una radiación luminosa llega a la superficie del fotodiodo,

dicho diodo se comporta exactamente como un generador de
corriente; es decir, suministra una corriente proporcional a la
intensidad luminosa recibida. La tensión que se mide en los extremos
de R20 es proporcional a la corriente que la atraviesa; por lo tanto, a
la iluminación del fotodiodo.
• Acercar la lámpara al fotodiodo y medir la tensión en los extremos de
R20.
• Alejar la fuente luminosa y repetir las medidas.
Q2 ¿ Cómo varía la tensión medida al aumentar la distancia ?

SET
A B
1 4 la tensión aumenta
2 1 la tensión se mantiene constante
3 2 la tensión disminuye
4 5 la tensión es siempre nula
5 3 la tensión se mantiene constante en el valor de 12V
- 29 -
Funcionamiento del fototransistor

• Conectar el puente J39 y el voltímetro, tal como se muestra en la
figura B15.6.
fig. B15.6
• Medir la tensión de colector con la lámpara apagada y verificar si el

transistor conduce (con la lámpara apagada o con poca luminosidad,
el fototransistor debería pasar al estado de corte; por lo tanto, la
tensión detectada será próxima a los +12V).
• Encender la lámpara y acercarla al fototransistor; luego, medir la
tensión de colector.
Q3 ¿ Cómo varía la tensión medida ?

SET
A B
1 5 la tensión se mantiene constante
2 1 la tensión disminuye
3 4 la tensión aumenta
4 2 la tensión es siempre nula
5 3 la tensión se mantiene constante a 12V
Â SIS2 Pulsar INS
Q4 ¿ En estas condiciones es posible hacer conmutar el fototransistor al

estado de conducción ?
SET
A B
1 4 no, porque se desconectó la alimentación
2 3 no, porque la unión base-emisor del fototransistor está en
cortocircuito
3 1 no, porque la lámpara no tiene la potencia necesaria
4 2 no, porque en el emisor está presente una carga elevada
- 30 -
Q5 Una fotorresistencia está realizada por:
SET
A B
1 3 una unión P-N
2 4 una barra de material semiconductor
3 2 un metal
4 5 un aislante
5 1 una unión metal-semiconductor
Q6 ¿ A qué región del espectro de la radiación electromagnética es

principalmente sensible la fotorresistencia ?
SET
A B
1 3 infrarrojo
2 1 visible
3 4 ultravioleta
4 5 ondas de radio
5 2 radiación gama
Q7 Un fotodiodo está realizado por:
SET
A B
1 4 un metal
2 1 una barra de material semiconductor
3 2 una unión P-N
4 5 una unión entre dos metales
Q8 En las normales aplicaciones el fotodiodo:
SET
AB
1 2 no está polarizado
2 1 está polarizado directamente
3 4 está polarizado inversamente
4 3 está polarizado con una tensión alterna
- 31 -
Q9 ¿ Dónde se concentra la radiación luminosa en un fototransistor ?
SET
A B
1 3 en el colector
2 1 en la unión colector-base
3 5 en la base
4 2 en la unión base-emisor
5 4 en el emisor
Q10 En la oscuridad la corriente de colector del fototransistor es:
SET
A B
1 2 nula
2 4 depende de la corriente de saturación inversa de la unión C-B
generada por efecto térmico
3 1 depende de la corriente de saturación inversa de la unión B-E
generada por efecto térmico
4 3 depende de la tensión colector-emisor
- 32 -
Lección B16: Transductores de temperatura
LECCIÓN B16: TRANSDUCTORES DE TEMPERATURA
OBJETIVOS
• Estudio de la curva característica resistencia-temperatura de un
termistor.
MATERIAL
• Multímetro
Los termistores son dispositivos de semiconductor en los cuales la

resistencia depende de la temperatura del dispositivo mismo. El efecto
termorresistivo de los semiconductores presenta características muy
diferentes respecto a los metales.
En efecto, con la temperatura varía no sólo la movilidad, sino también y

sobre todo el número de los portadores; los electrones y los huecos a las
bajas temperaturas no tienen energía suficiente como para pasar de la
banda de valencia a la banda de conducción.
Aumentando la temperatura aumenta también la energía de los

portadores, los cuales pueden alcanzar valores tales como para superar
el espacio entre las dos bandas: de esta forma la conductividad varía al
variar la temperatura.
Se acaba de considerar un fenómeno mediante el cual al aumentar la

temperatura aumenta también la conductividad y, por consiguiente,
desciende la resistencia del material.
Estos tipos de materiales de denominan NTC (negative temperature

coefficient). Para un NTC la ley que enlaza la resistencia a la
temperatura está dada por:
B·(1/T1-1/T2)
R1/R2 = e
donde: R1 y R2 son las resistencias calculadas respectivamente a las

temperaturas T1 y T2
B = Wb/K
- 33 -
Wb energía del enlace K constante de Boltzmann.
Los valores propios para B están comprendidos entre 2.000 °K y 5.600

°K.
A través de la fórmula anterior se desprende que:
ln (R1/R2)
B = 
1/T1-1/T2
En la figura B16.1 se muestra un gráfico de la variación de la resistencia

en función de la temperatura para NTC con diferente B.
Por último, cabe recordar que pueden realizarse elementos

termosensibles con coeficiente de temperatura positivo y que por
analogía a lo expuesto anteriormente se denominan PTC (positive
temperature coefficient).
fig. B16.1
- 34 -
B16.2 EJERCICIOS
Â SIS1 Situar todos los interruptores en la posición OFF
Curva característica resistencia-temperatura de un termistor
• Realizar el circuito que se muestra en la figura B16.2, conectando el

óhmetro entre los puntos 26 y 27.
fig. B16.2
• Medir la resistencia del termistor cuando éste se encuentra a la

temperatura ambiente.
• Conectar la resistencia R19 a la tensión de alimentación, conectando
el puente J38.
• Observar la marcha de la resistencia indicada por el multímetro.
Q1 ¿ Cómo varía la resistencia del NTC al aumentar la temperatura ?
SET
A B
1 5 se mantiene constante
2 3 disminuye
3 1 disminuye por un leve trecho y luego aumenta
4 2 aumenta
5 6 se anula
6 4 se vuelve infinita
Â SIS2 Pulsar INS
- 35 -
Q2 ¿ Qué modificación se realizó en el circuito ?
SET
A B
1 4 la resistencia R19 se enfrió
2 5 la alimentación a R19 se desconectó
3 2 el NTC se interrumpió
4 1 se conectó una resistencia en paralelo al NTC
5 3 se conectó una resistencia de valor bajo en serie al NTC
• Desconectar J38 y aguardar que el bloque resistencia-termistores se

enfríe.
• Conectar el óhmetro entre los puntos 28 y 29 para medir la
resistencia a la temperatura ambiente de una resistencia PTC.
• Conectar J38 y observar la indicación del óhmetro al variar la
temperatura.
Se obtendrá, contrariamente al caso anterior, una marcha creciente de la

resistencia del PTC con la temperatura. El coeficiente de temperatura es
positivo sólo en un intervalo limitado de temperatura; fuera de él, el
coeficiente resulta negativo según una marcha propia ilustrada en la
figura B16.3.
fig. B16.3
- 36 -
Q3 Un termistor está formado por:
SET
A B
1 2 un conductor
2 3 un semiconductor
3 5 una unión p-n
4 1 una unión de dos metales
5 4 un aislante
Q4 La curva característica resistencia-temperatura de un termistor NTC es:
SET
A B
1 5 lineal
2 4 cuadrática
3 2 exponencial
4 3 logarítmica
5 1 parabólica
Q5 En un termistor NTC la resistencia:
SET
A B
1 4 disminuye al aumentar la temperatura
2 3 crece al aumentar la temperatura
3 2 crece al aumentar la temperatura hasta 0°C y luego disminuye
4 5 disminuye al aumentar la temperatura hasta 0°C y luego crece
5 1 se mantiene constante al variar la temperatura
Q6 En un PTC, ¿ cómo varía la resistencia al aumentar la temperatura ?
SET
A B
1 3 aumenta
2 5 disminuye
3 4 primero aumenta y luego disminuye
4 1 primero disminuye y luego aumenta
5 2 se mantiene constante
- 37 -
Lección B17: Configuraciones de amplificación
LECCIÓN B17: CONFIGURACIONES DE AMPLIFICACIÓN
OBJETIVOS
• Análisis de las diferentes configuraciones (Base, Emisor, Colector
común).
• Marcha de las curvas características.
• Cálculo de la ganancia estática de corriente.
MATERIAL
• Osciloscopio
• Multímetro
Un amplificador de transistor puede realizarse de tres maneras

diferentes, denominadas configuraciones de amplificación
fundamentales.
Estas configuraciones se denominan "emisor común", "colector común"
y "base común", definiendo así el terminal del transistor que se conecta
dinámicamente a masa y que por consiguiente se convierte en referencia
común para la entrada y la salida.
Amplificador de emisor común
Como puede observarse en la fig. B17.1, la señal a amplificar se aplica

al terminal de base y la salida amplificada se extrae del colector.
Un aumento de la tensión aplicada VBE crea un aumento de la corriente

IB y por consiguiente de la corriente IC (ya que IC = hFE IB). Este
aumento de IC aumenta la tensión VRC; por consiguiente, ya que VCE =
VCC - VRC , disminuye la tensión de salida VCE .
Una disminución de VBE, con razonamiento análogo, conduce a un
aumento de VCE .
Se puede observar que:

• el amplificador es inversor; es decir, si aumenta la tensión de entrada
disminuye la tensión de salida y viceversa;
• la amplificación de tensión es proporcional al valor de RC, ya que una
variación de IC determinará una variación de tensión superior con RC
más elevado.
- 38 -
El amplificador de emisor común es el único con amplificación elevada,

tanto de tensión como de corriente; por consiguiente, la amplificación
de potencia resulta muy elevada (ya que P = V⋅I).
fig. B17.1 Amplificador de Emisor común
fig. B17.2 Amplificador de Colector común
fig. B17.3 Amplificador de Base común
- 39 -
Amplificador de colector común
En esta configuración (fig. B17.2), el colector es el terminal común ya

que es el único de los tres sujeto a un potencial fijo (VCC); por sencillez,
la señal de entrada aplicada a la base y la señal de salida extraída del
emisor no se refieren al colector sino a la masa del circuito.
Ya que en un transistor en conducción VBE es cuasi constante, un

aumento o una disminución de VIN se transfiere integralmente al emisor
y por consiguiente a la salida , ya que: VOUT = VIN - VBE.

• el amplificador es no inversor, ya que si aumenta VIN aumenta
también VOUT y viceversa;
• la amplificación de tensión vale 1, es decir la variación de la tensión
de emisor es igual a la de la base; por esta razón esta configuración se
denomina también seguidor de emisor.
Sin embargo, el amplificador de colector común, aparentemente inútil
ya que no amplifica la tensión de entrada, se utiliza a menudo ya que,
por tener una impedancia de entrada elevada y una impedancia de salida
baja, logra transferir sin atenuación señales de entrada con impedancia
de salida elevada a una carga de baja impedancia; es decir, un adaptador
de impedancia. Esta configuración se utiliza también para realizar las
fuentes de alimentación.
Amplificador de base común
En esta configuración, cuyo esquema de principio se muestra en la fig.

B17.3, la señal a amplificar se aplica al emisor y la salida amplificada se
extrae del colector.
Análisis del funcionamiento:

Un aumento de la tensión de entrada VEB (que tiene que ser siempre
negativa); es decir, una disminución de VBE, hace disminuir IB e IC; ya
que VCB = VCC - RC⋅IC , la tensión de salida aumenta.
Una disminución de VEB, con razonamiento análogo, lleva a una
disminución de VCB.

• el amplificador es no inversor;
• la amplificación de tensión es proporcional al valor de RC;
• el circuito de entrada tendrá una impedancia muy baja, ya que es
atravesado por la corriente de emisor IE .
Esta configuración se utiliza sobre todo en los circuitos de

radiofrecuencia ya que la impedancia de entrada, del orden de las
decenas de ohmios, se adapta muy bien a la impedancia característica de
50 ohmios de antenas y líneas de transmisión.
- 40 -
Tabla recapitulativa
En la tabla siguiente se indican las expresiones correspondientes a los
parámetros característicos de las tres configuraciones de amplificación
fundamentales de los transistores, donde:
• RS es la resistencia de salida de la señal a amplificar (subíndice s =
fuente);
• re es un parámetro cuyo valor aproximado es 25 mV/ IE .
Emisor Colector Base

común común común
Impedancia de entrada β·re - baja β·RE - muy alta re - muy baja
RIN
Impedancia de salida RC - alta (RS /β)//RE - muy RC - alta
ROUT baja
Ganancia de corriente
(máxima) β - alta β - alta unitaria
Ai
Ganancia de tensión RC / re - alta unitaria RC / re - alta

Av
Ganancia de potencia Ai · Av - muy alta Ai - alta Av - alta

AP
Relación de fase 180° 0° 0°

entre VIN y VOUT
- 41 -
B17.2 EJERCICIOS
N.B.
Circuito de emisor común
Curva VBE = f (IB) para VCE = constante
• Conectar los puentes J1, J8, J6, el amperímetro entre 3-4 y el

voltímetro (o el osciloscopio) entre 4-8, para realizar el circuito que
se muestra en la figura B17.7.
fig. B17.7
• Medir la tensión VBE para cada valor de la corriente IB de la tabla

siguiente:
IB [µA] 0 5 10 20 40 80 100 300 500
VBE [mV]
• Trazar la curva característica VBE = f (IB).
- 42 -
Q1 La curva que acaba de trazarse es similar a la curva característica de:
SET
A B
1 3 resistencia
2 4 UJT
3 2 diodo
4 6 PTC
5 1 SCR
6 5 NTC
• Calcular la resistencia estática de entrada: RIE=VBE/IB en un punto de

la zona lineal de conducción de la unión base-emisor.
• Es preciso hallar para RIE un valor de algunos millares de ohmios;
por consiguiente, un circuito de emisor común tiene una resistencia
estática de entrada media.
Curva IC = f (VCE) para IB constante
• Conectar los puentes J2, J6, J8 y los instrumentos, tal como se

muestra en la figura B17.5. La tensión VCE puede medirse también
con un osciloscopio.
fig. B17.5
- 43 -
• Regular VCC a 0 V y IB a 20 µA.

• Aumentar la tensión variable VCC. Medir la corriente de colector IC
para los valores de VCE indicados en la tabla siguiente:
VCE [ V ] 0.1 0.5 1 5 8

IB = 20 µA
IC [ mA ] IB = 40 µA
IB = 80 µA
• Trazar para cada valor de IB las curvas IC=f (VCE) y describir su

marcha.
La corriente de colector IC aumenta rápidamente con la tensión VCE

(para bajos valores de ésta); luego, se convierte en una función lineal
de VCE y proporcional a la corriente de base IB. Para pequeños valores
de IB , en la zona de linealidad las curvas resultan paralelas. Para
valores de IB superiores al mA, la corriente IC tiende a tomar valores
proporcionales a la tensión de colector VCE . En la zona de linealidad la
resistencia estática de salida es elevada.
• Para VCE = 5V calcular, a partir de la tabla anterior, la ganancia
estática de corriente hFE = IC/IB para cada par de valores (IC, IB).
Anotar los resultados en la tabla siguiente:
IB [ µA ] 20 40 80
IC [ mA ]
hFE
El valor obtenido depende de IC y especialmente aumenta

gradualmente con ésta hasta un determinado valor, que depende del
transistor, para luego disminuir.
Â SIS2 Pulsar INS
- 44 -
Q2 A través de las medidas de corrientes y tensiones en los extremos del

transistor se puede decir que:
SET
AB
1 5 una resistencia RC superior se interrumpió
2 3 la VCE aumentó debido a una variación de VCC
3 4 la unión base-emisor se cortocircuitó
4 2 se conectó una resistencia en serie al emisor y el
circuito ya no es un emisor común
5 1 el circuito de emisor se abrió y por consiguiente IC se anuló
Circuito de base común
Curva VEB = f(IE) para VCB constante
• Conectar los instrumentos para llevar a cabo las medidas relativas al

esquema que se muestra en la figura B17.6. Las tensiones pueden
medirse también con el osciloscopio.
fig. B17.6
• Manteniendo constante VCB= 0.5V, medir la tensión de emisor VEB

para los valores de IE indicados en la tabla siguiente y obtenidos
variando RV2.
VCB = 0.5V IE [ mA ] 0 0.05 0.1 0.3 0.5 1
VBE [ mV ]
• Trazar la curva característica de entrada VEB= f (IE) para VCB= 0.5V.
- 45 -
Q3 ¿ Cuánto vale la resistencia de entrada de esta configuración en la zona

de linealidad ?
SET
A B
1 2 es muy alta
2 4 depende de IC y toma valores muy diferentes
3 1 es inferior a 1KΩ
4 5 es siempre nula
5 3 es siempre infinita
Curva IC = f (VCB) para IE constante
• Regulando RV2, poner VCC a 0V y IE a 3mA.

• Aumentar VCC y calcular la corriente de colector IC midiendo la caída
de tensión en R4 de 1KΩ para cada valor de VCB indicado en la tabla
siguiente:
VCB [ V ] 0 1 2 3 IE (mA)
IC (mA) 3
• Repetir las medidas anteriores para IE = 1mA.

• Comparar los resultados de las características de salida para las
conexiones de base común y emisor común.
• Calcular, en la zona de linealidad de la curva IC= f (VCB), la
resistencia estática de salida: ROB = VCB/IC en la curva característica
de IE = 3mA.
Q4 ¿ Cuánto vale la resistencia calculada de esta manera ?
SET
A B
1 5 es nula
2 1 está comprendida entre 10 y 100 Ω
3 2 vale aproximadamente 100 KΩ
4 3 está comprendida entre 1 KΩ y 10 KΩ
5 4 es superior a los 10 MΩ
- 46 -
Circuito de colector común
Curva VCB = f (IB) para VCE constante
• Conectar los puentes J1, J6, J7, J4 y los instrumentos de medida

según el circuito que se muestra en la figura B17.7. Las tensiones
pueden medirse también con el osciloscopio.
fig. B17.7
• Regular VCC de manera de tener VCE = 5V.

• Variar RV1 y mantener constante VCE = 5V. Medir la tensión VCB
para cada valor de corriente IB de la tabla siguiente:
IB [ µA ] 0 5 10 30 50 VCE [ V ]
VCB [ V ] 5
10
• Repetir las medidas anteriores para VCE = 10V.

• Trazar para cada valor de VCE la curva característica de entrada y
describir su marcha.
- 47 -
La curva VCB = f (IB) tiene en cuenta la marcha de VBE, que es similar a

la de un diodo. Cuando la unión base-emisor es polarizada
directamente (VBE = 0.7V), VCB es constante e igual a (VCE - VBE).
• Con la relación teórica RIC = VCB/IB, calcular la resistencia de entrada

RIC.
Q5 ¿ Cuánto vale la resistencia de entrada de un circuito de colector

común ?
SET
A B
1 3 es nula
2 1 es del orden de 100 Ω
3 4 es del orden de 100 KΩ
4 5 vale 1 MΩ aproximadamente
5 2 es infinita
Curva IE = f(VEC) para IB constante
Las siguientes medidas se pueden realizar sólo si dispone de dos

amperímetros y un voltímetro.
• Conectar los puentes J2, J7, J4 y los instrumentos de medida, de

fig. B17.8
• Regular VCC a 0V y IB a 80µA; luego, aumentar gradualmente VCC.

Medir la corriente de emisor IE para cada valor de VCE de la tabla
siguiente.
VCE [ V ] 0 0.1 0.3 0.5 1 5 10 IB [ µA ]
IE (mA) 80
50
- 48 -
• Repetir las medidas anteriores para IB = 50 µA.

• Trazar la curva característica de salida para cada valor de IB.
A través de los gráficos obtenidos se observa que, cuando el transistor

pasa al estado de conducción, IE se mantiene cuasi constante si VCE es
superior a 0.5V aproximadamente.
Q6 ¿ Cuántas son las posibles conexiones del transistor ?
SET
A B
1 4 1
2 1 2
3 6 3
4 5 4
5 2 5
6 3 6
Q7 ¿ Cuáles son las magnitudes de entrada de un transistor NPN de base

común ?
SET
A B
1 3 VBE, IB
2 1 VBC, IB
3 2 VEB, IE
4 5 VCE, IC
5 4 VEC, IB
- 49 -
Q8 ¿ Cuáles son las magnitudes de entrada de un transistor PNP de

colector común ?
SET
A B
1 3 VBE, IB
2 1 VBC, IB
3 5 VEB, IE
4 2 VCE, IC
5 4 VCE, IB
Q9 ¿ Cuáles son las magnitudes se salida de un transistor NPN en conexión

de colector común?
SET
A B
1 2 VCB, IC
2 3 VEC, IE
3 5 VCE, IC
4 1 VCE, IB
5 4 VBE, IB
- 50 -
Lección B18: Polarización del transistor
LECCIÓN B18: POLARIZACIÓN del TRANSISTOR
OBJETIVOS
• Medida del punto de reposo y su posición en la recta de carga.
• Polarización clase A, B y C.
MATERIAL
• Multímetro
• Osciloscopio
• Generador de funciones

Polarizar un transistor significa fijar las tensiones y las corrientes de
modo que tomen un determinado valor, al cual le corresponde en el
plano de las características un punto Q bien definido, denominado punto
"de reposo" o "de trabajo” del circuito.
La red de polarización consta de un conjunto de elementos circuitales a
situarse en torno al dispositivo activo para asegurar que el
funcionamiento de éste último se realice en el punto de reposo.
Polarización de un transistor de emisor común
Circuito y característica de salida
Un circuito de polarización para emisor común está representado en la

figura B18.1.
La polarización consiste en la determinación de los componentes
externos al transistor que fijan en un determinado valor las magnitudes
IC, VCE, IB. Estos tres valores, indicados con ICQ-VCEQ-IBQ, constituye el
"punto de reposo Q" del transistor.
figura B18.1 figura B18.2
- 51 -
Determinación de los componentes de polarización
Para dimensionar los componentes que garantizan la polarización de un

transistor pueden utilizarse dos métodos: uno gráfico, con el empleo de
las curvas características, y uno analítico.
Método analítico
1. Se calcula la resistencia de colector RC con la relación que procede
de la red del circuito Colector-Emisor (VCC=VCE+ RC⋅IC):
RC = (Vcc - VCEQ)/ICQ B18.1
donde VCC es la tensión de alimentación.
2. Se calcula con la relación siguiente la corriente de base IBQ que

provoca una corriente de colector ICQ:
IBQ = ICQ / β B18.2
donde β es la ganancia de corriente del transistor.

3. Se calcula la resistencia de base RB con la relación que procede de la
red de entrada VBB = VBE +RB · IB :
RB = (VBB - 0.7) / IBQ B18.3
donde 0.7V debe considerarse la VBEQ del transistor y VBB es la
tensión de alimentación de la unión Base-Emisor.
Método gráfico
Se define "recta de carga" de un circuito de polarización la línea que
une el punto (VCEM,0) con el punto (0,ICsat) en la curva característica de
salida del transistor. VCEM es la tensión máxima entre colector y emisor,
y es igual a la tensión de alimentación VCC, mientras que ICsat es la
corriente de colector máxima denominada "corriente de saturación"
(IC = ICsat para VCE = 0 voltios).
1. Se fija el punto de reposo "Q" en la curva característica de salida.

2. Se determina el valor de ICsat trazando la recta de carga que pasa
por el punto de reposo y por (VCEM,0) (figura B18.3).
3. Se calcula la resistencia de colector RC con la fórmula que procede de
la ecuación de la recta de carga (Vcc = VCE +RC · IC):
RC = Vcc / ICsat B18.4
4. Se determina el valor de IBQ en la curva característica de salida para

el cual la curva IC = f (VCE) pasa por el punto de reposo (ICQ, VCEQ).
- 52 -
5. Se determina el valor de VBEQ en la curva característica de entrada

VBE = f (IB) que corresponde a IBQ.
6. Se calcula RB con la relación que procede de la ecuación del circuito

de alimentación de la unión Base-Emisor VBB = VBE + RB · IB :
RB = (VBB - VBEQ) / IBQ B18.5
fig. B18.3
Zonas de funcionamiento del transistor

En la curva característica de salida IC = f (VCE) pueden definirse tres
áreas de trabajo diferentes del transistor (fig. B18.4).
• zona I: VBE es igual a 0 voltios e IC alcanza valores muy bajos; por

lo tanto, VCE depende sólo de la tensión de alimentación VCC. En
estas condiciones de funcionamiento el transistor está "bloqueado" o
"en corte".
• zona II: IC es una función lineal de IB y es prácticamente
independiente de VCE. En estas condiciones el transistor se encuentra
en la zona "activa".
• zona III: VCE alcanza valores muy bajos e IC depende sólo de la
tensión de alimentación y de la resistencia de colector RC (ICsat
=VCC/RC). El transistor se encuentra en la zona de "saturación".
fig. B18.4
- 53 -
Circuito de polarización con una sola tensión de alimentación
El circuito que se muestra en la figura B18.1 puede realizarse con una

sola tensión de alimentación mediante un divisor al efecto (figura
B18.5). Las fórmulas anteriores para la determinación del punto de
reposo no varían si se utilizan las siguientes relaciones:
VBB = Vcc · R2 / (R2+R1) B18.6
RB = R1 · R2 / (R1+R2) B18.7
R1 = RB · Vcc / VBB B18.8
R2 = RB · Vcc / (Vcc - VBB) B18.9
fig. B18.5
Clases de funcionamiento
Los circuitos que utilizan el transistor como amplificador se pueden

representar mediante una curva característica de transferencia como la
que se muestra en la figura B18.6.
fig. B18.6
Las señales a amplificar generalmente varían en el tiempo. En algunas

aplicaciones se desea amplificar sólo una parte de la onda de entrada, lo
cual resulta posible si se define de manera adecuada el punto de reposo
del transistor. Las diferentes formas de funcionamiento pueden
subdividirse en tres categorías, denominadas "clase A", "clase B" y
"clase C".
- 54 -
Clase A
En la clase A el punto de trabajo está situado en el centro del trecho
rectilíneo de la curva de transferencia; en este caso, si las excursiones de
la corriente de base, por efecto de la señal a ésta aplicada, son tales
como para permanecer dentro de la zona de linealidad, la forma de onda
en la salida del amplificador reproduce fielmente la de la señal de
entrada. Por consiguiente, la corriente de colector circula durante toda la
duración del ciclo de la señal de entrada y su valor medio se mantiene
constantemente idéntico al de reposo. La figura B18.7 muestra un
ejemplo de amplificación con polarización del transistor en clase A.
fig. B18.7
Ya que el intervalo en el cual varían tanto la corriente de base como la

corriente de colector es más bien estrecho debido a la linealidad, se
desprende que del transistor no se puede "extraer" toda su potencia
desarrollable. Esta potencia máxima corresponde a la máxima excursión
posible de la corriente de colector; es decir, de cero a la saturación. Por
consiguiente, el resultado es que el rendimiento del amplificador,
definido como la relación entre la potencia proporcionada a la salida (Po)
y la potencia de alimentación (VCC⋅ICQ), es más bien bajo.
Clase B
En este caso el punto de reposo está localizado cerca del punto de corte
y, en ausencia de señal de entrada, la corriente de colector es muy baja.
En presencia de señal la corriente circula sólo en correspondencia con la
excursión positiva de la señal aplicada. La parte negativa de la señal de
entrada, siendo inferior al valor de corte, provoca un bloqueo total de la
corriente de colector. La figura B18.8 muestra un ejemplo de aplicación
de la clase B.
En el caso de señal de tensión alterna, la corriente de colector circula

sólo durante medio período, o sea 180 grados. Este ángulo se denomina
ángulo de circulación; por lo tanto, para obtener una reconstrucción de
la señal, se deberán utilizar dos transistores que conduzcan
alternativamente. El rendimiento propio del funcionamiento en clase B
es superior al del funcionamiento en clase A.
- 55 -
fig. B18.8
Clase C
En la clase C el punto de trabajo está sensiblemente desplazado fuera del
punto de corte. El transistor proporciona la señal de salida sólo en
correspondencia de aquel intervalo del ciclo de la señal de entrada
durante el cual la tensión de base supera el umbral de corte. El ángulo de
circulación se reduce aún más respecto a los valores anteriormente
expuestos y es inferior a 180 grados. Los impulsos de corriente de
colector son más bien estrechos y tienen una duración inferior a medio
período.
La figura B18.9 muestra un ejemplo de amplificación en clase C.
fig. B18.9
El amplificador clase C se caracteriza por una notable deformación de la

señal de salida y por la capacidad de proporcionar un rendimiento
elevado.
- 56 -
B18.2 EJERCICIOS
N.B.
Medida de tensiones y corrientes en el punto de reposo

los puentes J2, J6, J8 y la instrumentación. La medida de tensión
puede llevarse a cabo también con el osciloscopio.
Fig. B18.10
• Regular VCC a 20V y, a través de RV1, regular IB a 0.

• Aumentar IB de manera de obtener IC ≈ 20 mA y VCE ≈ 10V.
Las regulaciones anteriores han permitido polarizar el transistor en el

punto de reposo definido por:
• IBQ ≈ 100µA
• ICQ ≈ 20 mA
• VCEQ ≈ 10V
• a través de la ecuación VCC = VCEQ + R2 ⋅ ICQ, que define la recta de
carga, se calcula la corriente de saturación Icsat.
- 57 -
• Verificar prácticamente la exactitud de este resultado variando IB por

medio de RV1. Para determinar la corriente de saturación ICsat obrar
de modo que IB > 0.1 mA. Determinar también la tensión de corte
VCEM, obrando de modo que sea IB=0.
Q1 ¿ Cuánto vale la tensión VCE en condiciones de saturación (VCEsat) ?
SET
A B
1 4 10 V
2 5 7V
3 6 2V
4 2 5V
5 3 1V
6 1 0.2V
Amplificador Clase A
• Conectar los puentes J10, J11, J14, J16 y el amperímetro entre los
puntos 20 y 21, según el esquema que se muestra en la figura B18.11.
• Regular el generador de funciones para una señal sinusoidal de
amplitud 0 mV pico-pico y frecuencia 1 KHz.
fig. B18.11
• Poner VCC = 20V y regular RV3 para obtener ICQ ≈10 mA.
En ausencia de la señal del generador G se observará en el canal 2 del

osciloscopio una tensión constante equivalente a VCEQ+R10⋅ICQ.
- 58 -
• Aumentar progresivamente la amplitud de la señal proporcionada por

el generador, hasta que en el canal 1 del osciloscopio se observe un
valor máximo de 50 mV pico-pico.
• Observar la tensión de salida en el canal 2.
Q2 ¿ Cómo es la marcha de la señal de salida ?
SET
A B
1 3 la señal consta de una componente sinusoidal solapada a una
componente continua de polarización
2 5 la señal es sinusoidal de valor medio nulo
3 1 la señal es triangular
4 2 la señal es de onda cuadrada
5 4 la señal es sinusoidal con frecuencia doble respecto a la de la
señal de entrada
Debido a la señal aplicada a la Base del transistor, se puede decir que el

punto de reposo instantáneo "se desplaza" a lo largo de la recta de carga,
dando origen a una señal vce variable en la salida. Las excursiones del
punto de reposo en la recta de carga son simétricas respecto a los valores
VCEQ e ICQ fijados por la polarización.
• Desplazar el canal 2 del osciloscopio después del condensador C2 y

visualizar nuevamente la señal de salida.
Se observará que el condensador C2 permite desacoplar la señal de

salida, eliminando la componente continua VCEQ.
• Aumentar nuevamente la amplitud de la señal de entrada y observar

en el osciloscopio la marcha de la señal de salida.
Al aumentar la tensión de entrada, la señal de salida sufre distorsiones

debido a que las excursiones del punto de reposo afectan las zonas de
saturación.
Q3 Para obtener en la salida la señal máxima libre de distorsiones,

¿ qué valor teórico tiene que tener VCEQ ?
SET
A B
1 6 2⋅Vcc
2 1 Vcc - R9⋅ICO
3 4 Vcc
4 2 Vcc/2
5 3 Vcc/4
6 5 R9⋅ICO
- 59 -
Amplificadores clase B y C
• En el circuito anteriormente realizado (fig. B18.11), regular ICQ en

aproximadamente 5mA a través de RV3.
amplitud 50 mV pico-pico y frecuencia 1KHz.
• Regular el canal 2 del osciloscopio en la posición DC.
• Aumentar lentamente la tensión de polarización VCEQ disminuyendo
IBQ y observar al mismo tiempo la marcha de la tensión de salida en
el colector.
Q4 ¿ Qué variaciones presenta la señal visualizada ?
SET
A B
1 5 la señal se convierte triangular
2 3 la señal se anula
3 4 la señal dobla su frecuencia
4 1 la señal se convierte de onda cuadrada
5 2 la señal sufre distorsiones
Esto se debe al hecho de que el transistor comienza a pasar al estado de

corte. Si se continúa a disminuir IBQ se observará sólo una componente
de señal en correspondencia con las medias ondas positivas de la señal
de entrada capaces de llevar el transistor fuera de la zona de corte.
El circuito funciona ahora en clase B; por lo tanto, se amplifican sólo las
medias ondas positivas de la señal de entrada.
• Disminuir aún más IBQ y observar la tensión en los extremos del

transistor.
Para un valor de IBQ bajo, la señal de salida puede incluso anularse si la

señal de entrada no tiene una amplitud suficiente como para llevar el
transistor fuera de la zona de corte. Si el circuito permite amplificar una
pequeña parte de la media onda positiva (ángulo de circulación < 180°),
el funcionamiento se dice en clase C.
- 60 -
Q5 ¿ Qué significa polarizar un transistor ?

SET
A B
1 4 regular los parámetros IB, VCC y RC para obtener la mayor
ganancia de tensión y corriente
2 3 regular un circuito de modo que en reposo los valores de la
tensión y la corriente de salida sean independientes de los de
entrada
3 5 regular un circuito de modo que en reposo las tensiones y las
corrientes, de salida y de entrada, alcancen determinados
valores
4 1 anular la dependencia del funcionamiento del circuito de la
temperatura
5 2 llevar a valores óptimos la tensión de alimentación del
circuito
Q6 La clase de funcionamiento de un amplificador depende:

SET
A B
1 3 del dispositivo utilizado
2 4 del valor de amplificación
3 5 de la excursión de la señal que se pretende obtener
4 1 de la tensión de alimentación
5 2 de la polarización
Q7 En un circuito amplificador con transistor de emisor común, conocidos

el punto de reposo (VCEQ, ICQ) y la tensión de alimentación VCC,
¿ cuánto vale la resistencia de colector RC ?
SET
A B
1 4 (Vcc - VCEQ ) / ICQ
2 3 (VBB - VBEQ ) / IBQ
3 1 VCEQ / ICQ
4 5 Vcc - VBB / IBQ
5 2 Vcc - VBB / ICQ
Q8 Un amplificador realizado con un solo transistor proporciona a la

salida una señal que repite fielmente la forma de la señal de entrada.
¿ Cuál es su clase de funcionamiento ?
SET
A B
1 2 A
2 3 B
4 5 A-B
5 4 A-C
- 61 -
Lección B19: Estabilicación del punto de reposo
LECCIÓN B19: ESTABILIZACIÓN del PUNTO de REPOSO
OBJETIVOS
• Influencia de la temperatura sobre la corriente de colector IC y la
tensión base-emisor VBE, y medida de la variación de la ganancia en
un circuito amplificador de emisor común con resistencia de emisor.
• Variación de la resistencia de salida de un circuito con resistencia
colector-base.
• Efecto estabilizante de la resistencia de colector-base (RF).
MATERIAL
• Osciloscopio
• Multímetro
• Generador de funciones
El punto de reposo de un transistor puede variar tanto debido a la

temperatura como porque las características del dispositivo varían
debido al envejecimiento o a la necesidad de sustituir el componente
(dispersión de las características).
Efectos térmicos
La corriente de colector causa una disipación de potencia que se
manifiesta en un aumento de la temperatura de la unión.
La corriente de dispersión de colector ICBO es proporcional a la

temperatura de la unión: se puede decir que se dobla tras
aproximadamente cada 10° de aumento de la temperatura. Ya que la
corriente de colector IC es igual a ICBO+α⋅IE, la corriente total de colector
aumenta con la corriente de dispersión y por consiguiente con la
temperatura de la unión.
También la tensión Base-Emisor VBE depende de la temperatura. Al

crecer la temperatura, VBE disminuye de unos 2.5 mV/°C; por
consiguiente IB aumenta y aumenta también IC.
- 62 -
Circuito de estabilización con resistencia de emisor
Uno de los sistemas más sencillos para estabilizar el punto de trabajo

consiste en la inserción de una resistencia RE en el emisor (figura
B19.1).
fig. B19.1
Por ejemplo, si se supone que ICQ aumente, aumenta también la caída de

tensión en RE; por consiguiente, la tensión VBEQ disminuye y con ella
también la corriente de base IBQ, determinando la disminución de IC.
Circuito de estabilización con resistencia colector-base

También el circuito de la figura B19.2 permite una estabilización del
punto de reposo; en efecto, tras cada aumento de la corriente de colector
aumenta también la caída de tensión en los extremos de RC,
reduciendo la tensión de colector dada por VCE = VCC - IC⋅RC. Ya
que IB vale aproximadamente VCE/RF (en realidad IB = (VCE - VBE)/RF),
se tiene entonces una reducción de la corriente de base y por
consiguiente la corriente de colector IC tiende a disminuir.
fig. B19.2
Circuito con resistencia de emisor: parámetros de estabilidad
Influencia de ICBO
Si se supone que el único parámetro variable sea la corriente inversa de
la unión base-colector (ICBO), se puede escribir que la estabilidad de
corriente (Si) del circuito esté determinada por:
- 63 -
∆Ic β ⋅ (R B + R E )
Si = = B19.1
∆ICBO (R B + β ⋅ R E )
o bien:
R B β ⋅ (Si − 1)
= B19.2
RE (β − Si)
Cabe observar que cuanto más pequeño es Si, tanto mayor será la
estabilidad. Puede considerarse que un factor de estabilidad Si < 10
caracterice un buen circuito; en este caso, se obtiene RB < 9⋅RE.
Influencia de VBE
Si ahora se supone que la única magnitud variable sea VBE, con ICBO y β
constantes, se tiene un factor de estabilidad de tensión (Sv) igual a:
∆IC 1
Sv = = B19.3
∆VBE RB
β + RE
Se puede considerar que un buen circuito tiene una estabilidad de

tensión inferior al 10%; en este caso, con RB < 9⋅RE la fórmula anterior
se convierte:
Sv = -1/RE B19.4
Esta última fórmula puede escribirse de la siguiente manera:
∆IC ∆VBE
= B19.5
IC R E ⋅ IC
La estabilidad es máxima en este caso para el máximo valor de RE⋅IC.

Una variación del 5-10% de IC debida a la variación de VBE es
normalmente aceptable. Esto ocurre seguramente si en la relación B19.5
se pone:
RE · IC ≈ 10-20 · |VBE| B19.6
- 64 -
Influencia de la ganancia β
Si ahora se supone que la única magnitud variable sea β con VBE e ICBO
constantes, puede escribirse que el factor de estabilidad de ganancia
vale:
∆IC IC · Si2
Sβ =  =  B19.7
∆β β1 · (1+ß2)
donde Si2 se calcula con la relación B19.1 para β=β2. De esta relación se
puede remontar a RB/RE calculando Si2 si se conocen β1 y β2.
Caso general
Para un transistor al germanio, un valor de S del orden de 10

generalmente asegura una buena estabilidad respecto a la corriente ICBO;
en este caso los efectos de las variaciones de β son muy limitados. En
ausencia de datos se puede imponer una caída de tensión en los
extremos de RE igual a 1/10 de la tensión de alimentación o bien una RE
nueve veces inferior a RB:
RE · IC = Vcc/10 B19.8
R B = 9 · RE B19.9
Para un transistor al silicio, la estabilidad del punto de reposo depende

básicamente de la ganancia β, mientras que puede despreciarse el efecto
debido a ICBO. En ausencia de datos, es posible elegir una resistencia de
emisor 30 veces inferior a la de base:
RB = 30 · RE B19.10
- 65 -
Efecto de la estabilización en los componentes de señal
El funcionamiento dinámico de un amplificador se modifica con la red

de estabilización; en particular, disminuye considerablemente la
amplificación de tensión.
Se puede eliminar este efecto indeseado excluyendo la red de

estabilización en funcionamiento dinámico:
• en el caso del circuito de la fig. B19.3, se inserta dinámicamente a
masa (para las componentes alternas de señal) el emisor conectando
un condensador en paralelo a RE;
• en el caso del circuito de la fig. B19.4, se inserta dinámicamente a
masa el punto central de RF conectando un condensador.
fig. B19.3 fig. B19.4
- 66 -
B19.2 EJERCICIOS
N.B.
Circuito de estabilización con RE
Determinación de • Conectar los puentes J10, J11, J15 y los instrumentos de medida
los efectos de la según el esquema de la figura B19.5, con VCC a 20V.
temperatura • Regulando el trimmer RV3 llevar la corriente IC al valor de 10 mA.
• Conectar el puente JT durante algunos minutos, de manera de
alimentar la resistencia de calentamiento y por consiguiente hacer
calentar el transistor T5 .
• Analizar las marchas de la tensión VBE y la corriente IC al aumentar
la temperatura; luego, desconectar el puente JT.
fig. B19.5
- 67 -
Q1 Al aumentar la temperatura, ¿ cómo varían la tensión y la corriente ?
SET
A B
1 3 las dos magnitudes se mantienen inalteradas
2 5 la corriente disminuye y la tensión aumenta
3 1 la corriente se mantiene constante, la tensión disminuye
4 2 la corriente aumenta y la tensión disminuye
5 4 la corriente se anula y la tensión aumenta
• Desconectar el puente J15 y conectar la resistencia R10 a través del

J14.
• Regulando con el trimmer RV3, llevar la corriente de colector a 10
mA.
• Volver a conectar JT y repetir la medida anterior.
A causa del efecto estabilizante de RE = 100Ω conectada con el emisor,

las variaciones de VBE e IC son inferiores.
• Conectar el amperímetro en los extremos de J11 y medir la corriente

de base IB cuando la corriente de colector es de 10 mA.
• Calcular la ganancia estática de corriente hFE = IC/IB ≈ β.
Q2 ¿ Cuánto vale la ganancia así calculada ?
SET
A B
1 5 hFE = 0 - 1
2 3 hFE = 1 - 50
3 4 hFE = 50 - 90
4 2 hFE = 90 - 150
5 1 hFE > 150
• Desconectar los puentes J10, J11 y medir la resistencia RBM entre el

terminal central del trimmer y la masa.
• Calcular la resistencia equivalente de base RB utilizando la relación
B18.7:
RBM · [(RV3 - RBM) +R6 ]

RB = 
RV3 + R6
• Con los valores de β y RB que se acaban de determinar y con la

relación B19.3, calcular el factor de estabilidad Sv.
- 68 -
Q3 ¿ Cuánto vale el factor de estabilidad Sv ?

SET
A B
1 6 entre 1 y 2
2 5 entre 2 y 3
3 4 entre -1 y 0
4 1 entre 20 y 30
5 3 entre 10 y 20
6 2 entre 0 y 1
Efecto de la resistencia RE sobre la ganancia del amplificador
• Conectar los puentes J11, J15, J10 y el amperímetro, de manera de

realizar el circuito que se muestra en la figura B19.6.
fig. B19.6
• Poner Vcc =20V y regular RV3 para obtener ICQ = 10 mA

amplitud 50 mV pico-pico y frecuencia 1KHz.
• Medir en el canal 2 del osciloscopio la amplitud pico-pico de la señal
de salida y calcular la amplificación de tensión Av del circuito:
Av = Vout/Vin
El valor de Av es aproximadamente 300, aunque este valor podrá

variar notablemente en función del hFE del transistor.
• Desconectar el puente J15 y conectar el J14, para conectar la

resistencia R10 en el emisor.
• Regulando RV3 volver a llevar ICQ = 10 mA.
• Medir nuevamente la amplitud de la señal de salida y calcular la
amplificación para el circuito así modificado.
- 69 -
Q4 La amplificación ha variado respecto al circuito anterior. ¿ Cuál es la

razón ?
SET
A B
1 3 la inserción de RE que introduce una realimentación en el
circuito, aumentando la amplificación
2 5 la inserción de RE que aumenta la estabilidad, pero reduce la
amplificación
3 1 un aumento de la tensión del generador de señal
4 2 un aumento de la temperatura del transistor
5 4 ninguna de las causas anteriores
Utilidad del condensador de desacoplo
• En el circuito anteriormente realizado, conectar el puente J16 de

manera de conectar el condensador C3 en paralelo a R10.
• Medir con el osciloscopio la amplitud de la señal de salida y calcular
la amplificación de tensión.
• Comparar este resultado con el obtenido en el apartado anterior.
La conexión del condensador de desacoplo C3 elimina el efecto de

realimentación para las componentes variables de la señal, permitiendo
obtener nuevamente una ganancia elevada, como en ausencia de RE en el
emisor.
Â SIS2 Pulsar INS
Q5 Realizar medidas en el circuito e indicar la anomalía que se verificó.
SET
A B
1 4 el colector y el emisor de T5 están en cortocircuito
2 5 el circuito en la base de T5 está interrumpido
3 1 la base y el emisor de T5 están en cortocircuito
4 3 la resistencia R10 aumentó
5 2 la resistencia R9 disminuyó
- 70 -
Circuito de estabilización con resistencia colector-base
• Conectar los puentes J12, J15 y el amperímetro según el esquema de

figura B19.7.
fig. B19.7
• Actuando sobre la tensión VCC obtener una corriente ICQ de 5 mA.

• Conectar el puente JT durante algunos minutos, de manera de
alimentar la resistencia de calentamiento y por consiguiente calentar
el transistor T5 .
• Analizar la marcha de la corriente IC al aumentar la temperatura;
luego, desconectar el puente JT.
• Desconectar el puente J12 y conectar J10 y J11.
• Regulando el trimmer RV3, volver a llevar la corriente de colector a 5
mA.
• Conectar nuevamente JT y repetir la medida anterior.
Las variaciones de IC son menores cuando está insertada la resistencia

de realimentación R8.
Q6 La resistencia de emisor RE permite:
SET
A B
1 4 disminuir la temperatura de la unión colector-emisor
2 5 hacer poco sensible el circuito a una variación de temperatura
3 1 calcular la corriente de emisor
4 2 aislar el emisor desde la masa del circuito
5 3 proteger el emisor contra eventuales impulsos de tensión
- 71 -
Q7 Para aumentar la estabilidad del punto de trabajo de un transistor se

utilizan los siguientes métodos:
SET
A B
1 3 resistencia entre base y emisor y capacidad entre emisor y
masa
2 5 resistencia entre emisor y masa o capacidad entre emisor y
masa
3 2 resistencia entre colector y alimentación
4 1 resistencia entre emisor y masa o resistencia entre colector y
base
5 4 resistencia entre colector y base o capacidad entre emisor y
masa
Q8 Un circuito tiene una buena estabilidad cuando Si es:
SET
A B
1 2 inferior a 10%
2 4 inferior a 10%
3 1 igual a la ganancia hFE
4 5 2·RB/RE
5 3 calculado con punto de trabajo en zona de saturación
Q9 El punto de trabajo de un transistor al silicio se estabiliza con una

resistencia de emisor RE.. ¿ Cuál puede ser el valor de RE ?
SET
A B
1 3 RE=RB/9
2 5 RE=RB/30
3 4 RE=Vcc/(10 · IC)
4 1 IC=10 ·IB
5 2 Vcc=2·VCE
- 72 -
Apéndice “A” : Símbolos utilizados
APÉNDICE "A": SÍMBOLOS UTILIZADOS
En los siguientes puntos se reseñan los símbolos utilizados para las

notaciones de tensiones y corrientes.
1. Los valores instantáneos de las magnitudes que varían en el tiempo

se representan con letras minúsculas ("v" para la tensión e "i" para la
corriente).
2. El valor medio de las magnitudes variables en el tiempo o bien las

magnitudes constantes en el tiempo, se representa mediante las
correspondientes letras mayúsculas ("V" para la tensión e "I" para la
corriente).
3. Los terminales de un dispositivo se indican con la primera letra,

mayúscula, del nombre del terminal mismo (B=Base; D=Drain, etc.).
4. Las corrientes de un dispositivo tienen como subíndice la letra del

terminal al cual se refieren (ejemplo: iB, IB, ib, corrientes de Base; iD,
ID, id, corriente de Drain). Las tensiones entre dos terminales tienen
como subíndice las letras de los terminales mismos (ejemplo: vbe,
vBE, VBE, tensión entre Base y Emisor).
5. El valor instantáneo total y el valor medio tienen subíndice

mayúsculo (ejemplo: iB, IB para las corrientes; vBE, VBE para las
tensiones).
6. El subíndice de las componentes incrementales es minúsculo

(ejemplo: ib para las corrientes; vbe para la tensiones).
7. La amplitud de la tensión de alimentación normalmente se indica

repitiendo el subíndice mayúsculo del electrodo al cual se refiere; sin
embargo, se acostumbra indicar con VCC la tensión de alimentación
correspondiente indiferentemente a Ánodo, Drain y Colector.
- 74 -
Apéndice “B”: Hojas técnicas
APÉNDICE "B": HOJAS TÉCNICAS
• Transistor NPN BC337

• Transistor PNP BC327
• JFET BF245
• Fototransistor TIL81
• Fotodiodo TIL100
• Fotorresistor NSL467
• Termistor RTD PTC
• Termistor RTD NTC
- 75 -

Disp. y Circuit. Electronic - II (Teoria y Exp.)

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© COPYRIGHT BY ELETTRONICA VENETA & INEL SPA

Lección B13: Transistores NPN y PNP Pág. 1

Lección B14: Transistores de efecto de campo JFET y MOSFET Pág. 11

Lección B15: Componentes optoelectrónicos Pág. 25

Lección B16: Transductores de temperatura Pág. 33

Lección B17: Configuraciones de amplificación del transistor Pág. 38

Lección B18: Polarización del transistor Pág. 51

Lección B19: Estabilización del punto de reposo Pág. 62

Apéndice A: Símbolos utilizados Pág. 74

Apéndice B: Hojas técnicas Pág. 75

Conservar el presente manual para cualquier consulta adicional.

Luego de haber quitado el embalaje, poner a un lado todos los

Antes de proporcionar la alimentación al módulo, controlar que los

LECCIÓN B13: TRANSISTORES NPN y PNP

B13.1 NOCIONES TEÓRICAS

Estructuras PNP y NPN

Los modelos físicos de los transistores PNP y NPN se muestran en la

El funcionamiento de los transistores se basa en la posibilidad de

Funcionamiento del Transistor PNP

En la condición de funcionamiento normal el diodo base-emisor D2 está

Supongamos ahora que tanto el circuito base-emisor como el circuito

Las estructuras PNP y NPN constituyen la base constructiva de los

La flecha en el símbolo gráfico indica el sentido de la corriente de

Las magnitudes que determinan el funcionamiento de un transistor de

Considerando como sentido de las corrientes el de las cargas móviles

IC = α·IE + ICBO B13.2

• El coeficiente α tiene un valor comprendido entre 0,9 y 0,999.

• α⋅IE indica la fracción de la corriente de emisor que llega hasta el

Sustituyendo el valor de IE en la ecuación B13.1, se puede obtener la

IC = ß⋅⋅IB + ICEO B13.3

ICEO = (ß+1)·ICBO B13.5

A través de la B13.4, los valores propios de α se desprenden de β y

VCE = VBE + VCB B13.6

Ganancia estática del transistor

A través de las relaciones B13.3 y B13.5 es posible obtener la siguiente

fig. B13.8 a. Curvas características de entrada de un transistor NPN de

Â MCM4 Desconectar todos los puentes

Â SIS1 Situar todos los interruptores en posición OFF

Â SIS2 Teclear el código de la lección: B13

Reconocimiento de un transistor PNP o NPN

• En los transistores T2 y T3, determinar los pines que corresponden a

• Verificar, con los valores de resistencia obtenidos, que el transistor

Q1 En general, ¿ cómo puede representarse un transistor ?

Verificación experimental de las relaciones entre las corrientes

• Regular la alimentación variable Vcc a +12V. Conectar los puentes

• Trazar la curva IC = f (IB). La curva IC = f (IB) tiene un trecho lineal.

• Calcular la ganancia de corriente hFE. para cada par de valores de la

Q2 ¿ Dentro de cuáles valores está comprendido el valor de hFE ?

Â SIS1 Situar el interruptor S1 en la posición ON

Â SIS2 Pulsar INS

Q3 ¿ Qué efecto se observa en el circuito y cuál es la causa ?

Â SIS1 Situar el interruptor S1 en la posición OFF

Relación entre las corrientes de colector y de emisor

• Variar el circuito anterior desconectando el amperímetro de la base

B13.3 CUESTIONARIO RECAPITULATIVO

Q5 En un transistor NPN están presentes:

Q6 El coeficiente de amplificación α de un transistor se define con:

Q7 Eligiendo como sentido convencional para las corrientes el de las

Q8 Los coeficientes α y β están relacionados mediante las expresiones:

Q9 Si en un transistor β= 50, ¿ Cuánto vale α ?

Lección B14: TRANSISTORES de EFECTO de CAMPO JFET y MOSFET

B14.1 NOCIONES TEÓRICAS