UNIVERSIDAD DE CONCEPCIN

FACULTAD DE INGENIERA
DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA

Tarea 1 Taller de Diseo Elctrico

Diseo de un convertidor Push-Pull

Carlos Canales A.

Profesor Leonardo Palma

Concepcin, 19 diciembre de 2011

Introduccin El convertidor Push Pull es un convertidor que hace uso de un transformador para tener aislamiento entre la tensin de entrada y la tensin de salida. Posee adems una inductancia magnetizante propia del transformador que como tal no es un parmetro de diseo. El diagrama de este convertidor se puede ver en la figura 1:

Figura 1. Topologa convertidor dc-dc Push-Pull usada Requerimientos de diseo Po= 500 [W] Vo= 5% Vin= 24-30 [V] fs= 25 [kHz] Vo= 400 [V] MCC para carga > 20%

1. Especificacin de componentes y ciclo de trabajo del convertidor 1.1. Ciclo de trabajo El ciclo til de conmutacin de cada transistor no puede llegar a ser mayor de 0.5, como se aprecia en la figura 2:

Figura 2. Ciclo te conmutacin de lo transistores

Por lo que el ciclo de trabajo escogido para el diseo del convertidor es de 0.4 debido a que en la prctica no puede exceder los 0.45.

D 0.4
Luego de esto calculamos la razn de vueltas del transformador para obtener la ganancia requerida

Vo N 2 s D Vin Np
Despejando

N s Vo 1 N p Vin 2 D
Finalmente la razn de vueltas queda como

Ns 20.83 21 Np

1.2. Clculo del inductor La ecuacin que determina el inductor necesario para los requerimientos es:

Vo 2 (1 2 D) 4 k Po f s

Reemplazando los valores dados en los requerimientos y con un ciclo de trabajo de 0.4 obtenemos

L 3.2mH
1.3. Clculo del ripple de corriente El ripple de corriente esta dado por
I L Vo (1 2 D) 4 L fs

Reemplazando tenemos

I L 0.25 A

1.4. Clculo del condensador Usando el ripple de corriente antes calculado obtenemos el valor del condensador a usar
C I L (1 D) 4 Vo Vo f s

Reemplazando

C 7.5 108 F
Se puede escoger un capacitor DC-Link MKP 1848 400Vdc de75nF. 1.5. Datos Transformador Los valores seleccionados para el transformador se describen en la tabla 1. Tabla 1. Parmetros del transformador Nombre Valor Trafo escogido T_41 Rp_1 (primaria 1) 1e-10 Rp_2 (primaria 2) 1e-10 Rs_1 (secundaria 1) 1e-10 Rs_2 (secundaria 2) 1e-10 Lp_1 (pri. 1 fuga) 0.1e-6 Lp_2 (pri. 2 fuga) 0.1e-6 Ls_1 (sec. 1 fuga) 0.1e-6 Ls_2 (sec. 2 fuga) 0.1e-6 Lm (magnetizacin) 0.5 Np_1 1 Np_2 1 Ns_1 21 Ns_2 21

2. Seleccin de semiconductores 2.1. Estrs de voltaje de los transistores El estrs del voltaje en los transistores se obtiene a partir del voltaje de entrada y se recomienda utilizar un margen de 300% por lo que resulta:

Vsw 3 Vin 90V

2.2. Corriente en los diodos

I pk I DC I Po Vo (1 2 D) 2 Vo 8 L fs

Reemplazando
I pk 1.375 A

2.3. Voltaje en los diodos

Vdiodo 3 Vin

Ns Np

Reemplazando

Vdiodo 1.5kV
Del punto 2.1, 2.2 y 2.3 podemos escoger desde la pgina web del fabricante un diodo y un transistor que cumpla con los requerimientos especificados. En este caso se escogi dos transistores BLF278 MOSFET del fabricante NXP y dos diodos Fast recovery 1.5kV 10A 2TO-220F.

3. Simulacin del convertidor en PSIM La topologa simulada en Psim es la mostrada en la figura 1, adems se le agregaron instrumentos de medicin (voltmetros y ampermetros) para captar la forma de las curvas especificadas a continuacin. a) Vo

Figura 3. Forma de onda del voltaje de salida

b) Vo

Figura 4. Forma de onda del ripple de voltaje c) I in

Figura 5. Forma de onda de la corriente de entrada d) I L

Figura 6. Forma de onda de la corriente en el inductor

e) I sw

Figura 7. Forma de onda de la corriente en el switch f)

I diodo

Figura 8. Forma de onda de la corriente en el diodo