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Qu
Propiedades Generales
Energas cohesivas altas (energa para separar tomos del cristal = 2-4 eV/ atom): altos puntos de fusin y ebullicin Baja conductividad elctrica (no hay electrones libres) Transparentes a la luz visible (energas de fotones visibles muy bajas para promover electrones) Solubles en lquidos polares como H2O (los dipolos lquidos atraen a los iones)
R0
LiF
ClNa ClK
Grafito
Un orbital s y dos orbitales p dan 3 orbitales sp2 -> Geometra triangular Los enlaces se producen por superposicin de orbitales atmicos Enlace : superposicin en el eje de la unin Enlace : superposicin fuera del eje de la unin
Slidos Metlicos Propiedades generales Formados por la atraccin Coulombiana entre iones de la red (+) y un gas de electrones (-) Los electrones de valencia se mueven libremente a travs de la red Energas cohesivas inferiores a las de slidos covalentes (1-4 eV) Alta conductividad elctrica Absorben luz visible (no son transparentes, brillan porque re-irradian)
Iones positivos del metal Gas de electrones
Casos mixtos: CuO, ZnO, SCd, Inico Covalente. Aleaciones Metlicas Zn3As2 Metlico Covalente
Teora de Bandas
Conductividad elctrica de los slidos: conductores, aislantes, semiconductores?? amplia variacin de la conductividad elctrica de los slidos: (Cu) ~ 1020 (cuarzo) La descripcin de los estados electrnicos en un slido requiere la resolucin de la ec. de Schrdinger. Dos aproximaciones: 1- Aproximacin del electrn libre: electrn libre perturbado por efecto de la red cristalina 2- Aproximacin de ligadura fuerte: electrn ligado a un tomo es perturbado por la interaccin con tomos vecinos Ambas aproximaciones dan como resultado estados electrnicos agrupados en bandas de energa con regiones de energas prohibidas (gaps o brechas de energas prohibidas); explica la diferencia en el comportamiento elctrico de los slidos
Varios tomos
Energa potencial
V (r1 , r2 ) =e 2 (
1 1 1 + ) r1 r2 r
Solucin
Orbital Enlazante
Orbital Antienlazante
Fcs. de onda moleculares posibles que satisfacen la simetra del problema: 1 + 2 y 1 2 Ambas funciones dan probabilidad mxima de encontrar al electrn cerca de los ncleos. Para 1 + 2, el electrn tiene probabilidad apreciable de ser encontrado entre dos tomos, mientras que para 1 - 2 es nula en esa regin. E( par) < E (impar )
http://www.heurema.com/TFQ12.htm
Reglas de llenado de bandas: se llenan primero las bandas de menor energa hasta ubicar a todos los electrones del material en los estados disponibles
Ef: energa del estado mas alto ocupado (T=0K) ENERGIA DE FERMI: depende del nmero de electrones El nmero de estados de una banda Ngi 2Ngi estados disponibles
tomos aislados
Esquema de niveles de energa para dos tomos aislados: niveles de energa atmicos
Molcula diatmica
Los niveles ms internos aprox. no se perturban por la cercana del tomo vecino
Molcula de 4 tomos
El desdoblamiento de niveles est vinculado con el grado de solapamiento de las funciones de onda atmicas
Formacin de bandas de energa a partir de los niveles de energa de tomos de Na aislados, a medida que la separacin interatmica disminuye. La lnea discontinua indica la separacin interatmica observada en el Na metlico.
La perturbacin de un nivel de energa se debe al solapamiento con funciones de onda de tomos vecinos los orbitales mas internos son menos perturbados bandas ms angostas. Estructura de Bandas en la configuracin de equilibrio + Principio de exclusin de Pauli AISLANTES o CONDUCTORES Funcin de ONDA Funcin de onda extendida que tiene la MISMA SIMETRA DE LA RED ESTADOS COLECTIVOS
Funcin de Fermi-Dirac
A T=0K los electrones se distribuyen en los niveles ms bajos de energa de modo compatible con el ppio. de exclusin de Pauli. Clsicamente la probabilidad de que una partcula ocupe un estado de energa E est dado por el factor de Boltzmann: exp(-E/kBT) Funcin de Fermi-Dirac -> funcin de distribucin de probabilidad de un electrn en un slido. f(E) d la probabilidad de que un estado de energa E est ocupado
RESUMEN
Banda de valencia: ltima banda llena Banda de conduccin: banda vaca o parcialmente llena
Una banda
En 3D N es el nro. de celdas unitarias, celda mnima que trasladada en el espacio me genera el cristal
Un slido con un electrn por celda unitaria es siempre un conductor. Ej. : metales monovalentes del Grupo IA (Li, Na, K, Rb, Cs) y los metales nobles (Cu, Ag, Au) banda semillena. Un slido con nmero par de electrones por celda unitaria no necesariamente es aislante puede haber superposicin de bandas (Mg). Muchos elementos divalentes son conductores hay superposicin de bandas. Sr y Ba son malos conductores superposicin de bandas es reducida. la
Para que un material sea aislante debe tener necesariamente un nro. par de electrones por celda unitaria. Sin embargo el tener un nro. par de electrones no garantiza que el material sea aislante -> puede haber superposicin de bandas.
Desdoblamiento de los estados 2s y 2p del carbono, o los estados 3s y 3p del silicio, en funcin de la separacin de los tomos. E (C) = 7 eV para la red del diamante (R0 = 1.54 ). E (Si) = 1.09 eV para la red de Si (Rsi = 2.35 ). El desdoblamiento es semejante en el caso de los niveles 4s y 4p del Ge, dando un intervalo prohibido de energa de solo 0.7 eV (RGe = 2.43 )
Si Ge Te
Semiconductores E 2 eV
V = IR
R=
L
A
r r v E j = = E
Si existen n electrones por unidad de volumen, que se mueven con una velocidad media <v> paralela al conductor, la densidad de corriente puede escribirse como: r
r J = ne < v >
Movimiento aleatorio de los electrones en de red en ausencia de campo Modelo microscpico de conduccin: gas la electrones libres movindose en elctrico: En ausencia de campo los electrones se mueven aleatoriamente una red 3D. <v>=[<v2>]1/2 = (3kBT/me)1/2 (<v> = 0)
En presencia de un campo elctrico un electrn libre experimenta una fuerza -eE. Si fuera la nica fuerza el electrn debera aumentar constantemente su velocidad. El electrn adquiere una velocidad de desplazamiento vd << <v> (velocidad media del movimiento aleatorio). Otras fuerzas choques de los electrones con la red.
r v r F = eE = me a
Definiendo una
r J = nevd
r ne r J= E me
ne 2 me < v >
h 2 .n 2 En = 8.me L2
Podemos poner dos electrones por nivel N electrones llenarn N/2 niveles a T=0K La energa del ltimo nivel lleno se denomina energa de Fermi:
EN / 2
h2 N 2 = EF = ( ) 32.me L
En 1 D la energa de Fermi depende de la densidad de electrones en una dimensin. Como los estados energticos estn prximos, podemos suponer que son casi continuos. Supongamos que queremos contar el nro. de estados entre E y E+dE:
Como cada nivel puede ser ocupado por 2 electrones; el nro. de electrones entre E y E+dE es:
dne ( E ) = 2 L
2me 1 dE = g ( E )dE h2 E
g ( E ) =2
dn dE
En 3D:
8 (2me )3 / 2 1/ 2 g (E) = VE h3
N = g ( E )dE
0
EF
h2 3 N 2 / 3 EF = ( ) 8.me V
La energa de Fermi depende de la densidad electrnica N/V Por ejemplo para el Cu ( N/V = 8.47 1022 e / cm3) EF = 7.03 eV Temperatura de Fermi: kBTF = EF ~ 81700K para Cu
El efecto neto es equivalente al desplazamiento de los electrones que estn cerca del nivel de Fermi
ne 2 ne 2 = = = me me vF 1
Donde = / vF es el tiempo entre colisiones o tiempo de ralajacin; = camino libre medio. vF depende muy poco de la temperatura debe depender de la temperatura. Clsicamente: ~ 3.6 y <v > ~ 105 m/s (segn MaxwellBoltzmann a T = 300K) Para Cu esto da: ~ 7 104 1/ -m ~ exp / 8
El clculo detallado de la dispersin de las ondas de electrones por un cristal perfectamente ordenado muestra que no existe dispersin y el recorrido libre medio es infinito. La dispersin de las ondas se debe a las imperfecciones de la red cristalina.
Imperfecciones
Impurezas
Vibraciones cristalinas
A T = 300K ~ 100 el modelo cuntico de la conduccin permite explicar el orden de magnitud correcto de la conductividad
= T + i
Regla de Matthiessen
Por excitacin trmica los electrones pueden pasar a la banda de conduccin: huecos
Los huecos son equivalentes a cargas positivas Conduccin elctrica Semiconductor puro
ANALOGA Carril de conduccin Carril de Valencia Movimiento del hueco Movimiento de los autos
4 e5 e- de valencia
Semiconductor Dopado Bastan concentraciones de aproximadamente 1 tomo/ milln para producir cambios significativos en la conductividad.
Impurezas donoras tipo n Portador mayoritario electrn Impurezas aceptoras Tipo p Portador mayoritario huecos:
Ej. de Impurezas Ga, B, Al. Grupo III B Averiguar: Qu tipo de experimento puede realizarse para determinar el tipo de portadores mayoritarios?
Unin p-n
I1 corriente de recombinacin, portadores mayoritarios I2 cte. trmica, portadores minoritarios Se indican slo las ctes de huecos, un anlisis similar corresponde a ctes. de electrones Polarizacin Directa
Polarizacin Inversa
En este ltimo caso aumenta el flujo de portadores mayoritarios y se establece una corriente. Un clculo preciso indica lo siguiente:
Ge Si
=1 ; m=2 = 2 ; m=1.5
Vg =0.785 eV Vg =1.21 eV
DIODOS ZENER
Para la tensin de ruptura: los electrones son arrancados de sus enlaces atmicos y se aceleran a travs de la unin. Esto se produce para tensiones bien definidas. De esta manera se utiliza este efecto para definir patrones de referencia de tensin.
PATRONES DE REFERENCIA DE TENSIN
Referencias: 1- PHYS 320 A. Baski, VCU, USA 2- Fsica Moderna, Tipler 3- Fundamentos Cunticos y Estadsticos. Alonso y Finn 4- Fsica Cuntica Resnik Eisberg