Captulo 4 Tcnicas de Caracterizao Mecnica: Resistncia

4.5 RESISTNCIA DOS MATERIAIS

4.5.1 Resistncia de Cisalhamento

Quando se aplica num determinado slido uma fora normal directa (FN) uniformemente ao longo da sua seco de corte (A) as tenses internas so distribudas tambm uniformemente e diz-se ento que o slido encontra-se sobre um estado de tenso uniforme:
= FN A
Eq. 4.5.1

Se FN for capaz de deformar longitudinalmente o slido, a subsequente medida de esforo longitudinal pode ser escrita como:

L =

L L

Eq. 4.5.2

Onde L e L designam, respectivamente, o comprimento do slido indeformado e a sua o variao de comprimento longitudinal. Se L<0 o slido encontra-se em compresso, se
L>0 o slido encontra-se em traco. Dado que as foras normais so proporcionais s

tenses que induzem, e, dado que as deformaes longitudinais so proporcionais ao esforo produzido, a lei de Hooke postula que proporcional a L, dentro do limite elstico de um slido. A constante de proporcionalidade o mdulo de Young (E):
= E L
Eq. 4.5.3

Quando um slido est sujeito a uma fora normal o seu comprimento tanto pode variar longitudinalmente (L) como lateralmente (d). A razo entre as deformaes laterais e longitudinais d-nos a razo de Poisson de um slido:
= d d = LAT L L L
Eq. 4.5.4

Onde LAT representa a medida de esforo lateral. Se num slido aplicarmos agora um conjunto de foras tangenciais (FT) sua seco de corte, de igual mdulo e sentidos diferentes (como est ilustrado na fig. 4.5.1 a), existe a tendncia para uma camada do material deslizar sobre outra de modo a produzir a falha ilustrada na fig. 4.5.1 b). A tenso cisalhamento pode ser equacionada como:
= FT A
Eq. 4.5.5

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a)

b)

c)

FT FT
Figura 4.5.1 Esquema elucidativo das trs fases que levam um slido a deformar-se angularmente: a) aplicao de foras tangenciais (FT) de igual mdulo e sentidos diferentes; b) deslizamento entre camadas do slido devido s tenses de cisalhamento (); c) deformao resultante.

O ngulo de deformao produzido () denomina-se como ngulo de cisalhamento. Para materiais dentro do limite elstico , sendo a constante de proporcionalidade denominada mdulo de cisalhamento (G):

= G
G pode ser expresso em funo de e E atravs da seguinte relao: G= E 2(1 + )

Eq. 4.5.6

Eq. 4.5.7

Frenkel imaginou um modelo simples de estimar a resistncia de cisalhamento terica de um cristal perfeito baseando-se no modelo ilustrado na fig. 4.5.2 relativo ao esforo de cisalhamento necessrio para haver deslocamento de dois planos de tomos relativamente ao outro. Para pequenas deformaes elsticas, a tenso est relacionada com o deslocamento x do seguinte modo [36]:

Ga x = sin 2 2d a
a d G

Eq. 4.5.8

a)

b) x

Figura 4.5.2 a) Tenso de deformao em funo do deslocamento relativo entre dois planos atmicos relativamente sua posio de equilbrio, para o caso de um cristal uniformemente deformado. b) A linha tracejada tangente curva do grfico representa o mdulo de cisalhamento G [36].

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Para valores muito pequenos de x/a, a eq. 4.5.8 reduz-se seguinte expresso:

=G

x d

Eq. 4.5.9

A tenso crtica de cisalhamento para a qual a rede cristalina fica instvel dada pelo mximo de : c = G a 2d
Eq. 4.5.10

No caso de ad implica que a tenso de cisalhamento da ordem de 1/6 do mdulo de cisalhamento.

4.5.2 Deslocaes de Planos Cristalogrficos

O escorregamento entre planos atmicos ocorre essencialmente em determinadas direces e em certos planos cristalogrficos. Normalmente o plano de escorregamento o de maior densidade atmica e a direco de escorregamento a do empilhamento com arranjo mais compacto. Dado os planos de maior densidade atmica serem tambm os mais espaados na estrutura cristalina, a resistncia ao escorregamento torna-se menor do que para outro conjunto de planos. O plano de escorregamento junto com a direco de escorregamento estabelece o sistema de escorregamento de um dado cristal.

Figura 4.5.3 Esquema ilustrativo das direces de empilhamento mais compacto <110> numa estrutura fcc [37]. Neste esquema tambm visvel a sequncia de estratos atmicos compactos ABC.

Na maior parte dos cristais referentes a metais com estrutura cbica de faces centradas (fcc terminologia mais usual) os planos octadricos {111} e as direces de empilhamento mais compacto <110> constituem o sistema de escorregamento; como se pode depreender da fig. 4.5.3. Existem 8 planos {111} na clula unitria fcc, contudo os planos em faces opostas do octaedro so paralelos entre si; da que restem somente 4 conjuntos de planos octadricos. Cada plano {111} contm trs direces <110> resultando em 12 sistemas possveis numa

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rede fcc. O vector de rede mais curto na clula fcc o que liga um tomo no vrtice do cubo a outro numa das faces; da que o vector de Burger seja b=(ao/2)[110], com mdulo a o
2.

A estrutura cbica de corpo centrado (bcc terminologia mais usual) no caracterizada por empilhamento to compacto como a fcc ou a hexagonal compacta (hcp). Aqui, e para a maior parte dos metais bcc, os planos {110} tm a maior densidade atmica, porm no muito maior que a de outras famlias de planos cristalogrficos. Contudo, a direco <111> tem um arranjo to compacto como a <110> na estrutura fcc ou a < 11 20 > na
estrutura hcp. Disto resulta que os metais bcc obedeam regra geral que condiciona a direco de escorregamento como sendo do arranjo mais compacto, porm diferem dos outros metais por no terem um plano de escorregamento tpico, dado que tanto pode ocorrer em {110}, {112} ou {123} com a direco de escorregamento sempre orientada em <111>. Existe no total 48 sistemas de escorregamento possveis, mas dado que o empacotamento relativamente menor, comparado com a estrutura fcc, so necessrias tenses de corte superior de modo a solicitar-se o escorregamento. O vector mais curto na clula bcc estendese desde o tomo colocado no vrtice do cubo ao que est no seu interior; logo, o vector de Burger ser b=(ao/2)[111], com mdulo a o 2 3 . As deslocaes so os defeitos bidimensionais mais importantes do lote dos defeitos cristalinos visveis por microscopia electrnica de transmisso nestas multicamadas. Este defeito o responsvel pelo fenmeno de escorregamento, pelo qual muitos materiais se deformam plasticamente. Pode-se definir uma deslocao como sendo a regio relativa a uma perturbao cristalina localizada que serve de interface entre as partes escorregadas e noescorregadas do cristal; o escorregamento realiza-se atravs do movimento de deslocaes. Este tipo de defeito cristalino foi postulado de modo a explicar a razo pela qual alguns cristais tm resistncias 10 a 104 vezes inferior s calculadas com base nas foras de atraco entre tomos, para estruturas cristalinas ideais. Na ausncia de obstculos, uma deslocao pode mover-se facilmente ao aplicar-se uma pequena fora no cristal; da que os cristais se deformem mais facilmente do que seria de esperar para uma estrutura com uma rede perfeita. A importncia do papel das deslocaes no se resume unicamente para explicar o escorregamento de planos cristalinos mas tambm est relacionado com outros fenmenos mecnicos, tais como o endurecimento por deformao, fluncia, fadiga e fractura. A deslocao mais frequentemente observada por TEM nas amostras deste estudo em de forma de cunha, como est ilustrado na fig. 4.5.4 [38,39]. Dado que existe um desajuste estrutural na rede entre os materiais constituintes da multicamada (ver fig. 3.3.22), na

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interface entre ambos ocorrem estes defeitos de modo que haja coerncia interfacial. Este defeito pode ser imaginado como se tratasse da introduo de um semiplano adicional na rede cristalina, que penetra em cunha na estrutura existente. Deslocaes deste tipo so indicadas pelo smbolo , colocado de forma a apontar apara o semiplano adicional.
F

Figura 4.5.4 Representao do circuito de Burger em torno de uma deslocao em cunha que ocorre durante a deformao plstica de um cristal [38,39]. O circuito aberto porm o seu fecho requer um vector b, denominado vector Burger. b perpendicular linha de deslocao em cunha.

Como foi visto na seco 3.3.7 relativa observao por TEM das amostras, o desajuste estrutural relativo s distncias interplanares de (111)TiAlN e (110)Mo de ~16%. Devido a este desajuste de rede interplanar, ou outros defeitos no crescimento cristalino, criam-se tenses internas que servem de embrio s deslocaes. De modo a que as interfaces permaneam coerentes existe a necessidade da introduo de deslocaes, como se pode ver no caso da seco de corte vista por HRTEM de uma amostra com =6 nm patente na fig. 4.5.5. A camada escura refere-se ao Mo enquanto que a mais clara a do TiAlN. A deslocao em cunha ocorre na parte superior da camada de Mo de uma forma peridica de modo que haja coerncia entre os planos atmicos oblquos (franjas) de ambos os materiais. A teoria prev que no caso de crescimento epitaxial qualquer camada de material que tenha um desajuste estrutural com o substrato inferior a ~9% crescer pseudomrficamente [40], i.e. para pequenas espessuras de filme o depsito ser deformado elasticamente de modo que tenha a mesma distncia interatmica (parmetro de rede) que o substrato. A subsequente interface seria coerente com tomos alinhados face a face em ambos os lados. Com o crescimento do filme, e ao atingir-se uma espessura crtica, a energia elstica de deformao tambm aumentaria, excedendo eventualmente a energia associada estrutura livre de tenses. Consistiria ento num conjunto de deslocaes dispersas entre regies de bom ajuste de rede. Nesta situao, um filme inicialmente deformado d lugar a uma estrutura relaxada onde as deslocaes geradas aliviam parte do desajuste. medida que o filme continua a crescer esse desajuste atenuado at que para uma espessura infinita a deformao seja eliminada.

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Figura 4.5.5 Exemplo de uma deslocao em cunha na interface entre o Mo e o TiAlN de modo a acomodar a rede entre ambos os materiais.

O tipo e densidade de deslocaes que ocorrem num dado material esto directamente relacionados com a energia requerida para formar a deslocao. Na vizinhana prxima da linha de deslocao as ligaes dos tomos esto fortemente tencionadas, estando as posies atmicas deslocadas comparativamente s do cristal perfeito. A energia deste meio elasticamente deformado pode ser expressa como [38]: E = Gb 2 onde um factor dependente do tipo de deslocao (0,51).
Eq. 4.5.11

4.5.3 Relao de Hall-Petch

Os gros individuais num agregado policristalino no se deformam de acordo com as leis bsicas que descrevem a deformao plstica em monocristais dado que tem que se ter em conta o efeito restritivo dos gros adjacentes. Um tamanho de gro fino frequentemente desejado de modo a obter-se uma grande resistncia por parte do material [41], dado que a introduo de tomos solveis pode introduzir novas relaes de fase que por sua vez podem eventualmente endurecer o material. Quando um monocristal actuado por uma tenso de deformao normalmente livre de se deformar num nico sistema de escorregamento durante uma boa parte do processo de deformao, podendo alterar a orientao atravs de uma rotao de rede. Contudo, no caso 168

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de gros individuais num material policristalino, estes no esto sujeitos a um s sistema uniaxial de tenso. Num policristal a continuidade tem que ser mantida de modo que as fronteiras de gro que circundam os cristais deformados permaneam inalteradas. Apesar disto, cada gro tenta deformar-se homogeneamente em conformidade com a deformao da amostra como um todo. As restries impostas na continuidade pelas fronteiras de gro originam uma heterogeneidade de deformaes entre gros vizinhos e dentro do prprio gro. Apesar da tenso de deformao ser contnua atravs das fronteiras de gro pode existir um gradiente de deformao dentro do prprio gro. medida que o tamanho de gro decresce e a tenso de deformao cresce acontece uma maior homogeneidade na deformao. Dado que os sistemas de escorregamento so mais operativos perto das fronteiras de gro, a dureza normalmente ser maior nessa regio do que no centro do gro. medida que o tamanho de gro decresce as fronteiras de gro surtem a sua influncia no interior deste, logo consequentemente o endurecimento por cisalhamento ser maior em metais com gro reduzido. Hall e Petch [42,43] estabeleceram empiricamente que o limite de resistncia deformao de um material policristalino est relacionado com o seu tamanho de gro:
c = o + K Dg
1 2

Eq. 4.5.12

onde c e o representam, respectivamente, a tenso limite e a tenso terica de limite ao cisalhamento, K uma constante medidora da extenso de empilhamento de deslocaes junto fronteira do gro e Dg refere-se ao tamanho do gro. Na fig. 4.5.6 encontra-se a figura original da publicao de 1953 de N.J. Petch [43], mostrando a evoluo da tenso limite de cisalhamento (c) em funo do dimetro do gro, que, juntamente com o trabalho de E.O. Hall [42], revolucionou este estudo.

Figura 4.5.6 Grfico clssico ilustrativo da relao de Hall-Petch para materiais policristalinos. Patente no grfico est a evoluo da tenso de cisalhamento (cleavage strength em ingls) em funo do tamanho de gro (grain size em ingls) [43].

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Hall e Petch chegaram a esta equao fazendo as seguintes consideraes. Primeiro basearam-se na observao feita por Koehler [44] ao examinar um conjunto de n deslocaes a impingirem num obstculo, movidas por uma tenso de cisalhamento (), onde concluiu que a soma das tenses geradas localmente pode ser expressa pela seguinte relao:
= n
Eq. 4.5.13

onde uma constante. De modo a relacionarem esta tenso com o tamanho de gro cristalino consideraram que n ser maior em gros onde a fonte geradora de deslocaes encontra-se no seu centro, i.e. existe um conjunto de n deslocaes (positivo) que impingem na fronteira de gro numa das pontas do plano de escorregamento e outro conjunto similar (negativo) que tambm impinge na fronteira e que se encontra na outra ponta do plano de escorregamento. Dado que esta interaco dos conjuntos positivo e negativo de deslocaes est confinada, na sua maior parte, no centro do gro, numa primeira aproximao, ambas as partes dos conjuntos podem ser tratadas separadamente. Assim, o nmero mximo de n para qualquer pode ser calculado pela relao que o comprimento de um conjunto de n deslocaes idnticas sob tenso igual a metade do dimetro do gro (Dg/2). Eshelby, Frank e Nabarro [45] chegaram a uma expresso para o comprimento desse mesmo conjunto de n deslocaes idnticas sob tenso como sendo igual a 2nA/, onde A representa uma constante: A=G b 2(1 )
Eq. 4.5.14

Em que G, b, representam o mdulo de cisalhamento, vector de Burger e razo Poisson, respectivamente. Com base nesta ultimas consideraes, pode ser reescrito como:
= D g 2 4A
Eq. 4.5.15

Na prtica em cristais reais, quando se aplica uma tenso de cisalhamento () existe uma reaco intrnseca (o) ao movimento das deslocaes, e independente de . Logo a eq. 4.5.15 deve ser reescrita do seguinte modo: = ( o )2 D g 4A
Eq. 4.5.16

Em termos das tenses de traco, * e o, correspondentes a e o: ( * o ) D g

2

Eq. 4.5.17

Quando aproxima-se do valor terico da resistncia de um material (t) temos que *=c e consequentemente:

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t ( c o ) D g
2

Eq. 4.5.18

que ao ser rearranjado chega-se finalmente expresso clssica de Hall-Petch:

c = o + K Dg

1 2

Eq. 4.5.19

Este modelo de Hall-Petch relaciona o tamanho de gro em materiais policristalinos com as suas propriedades mecnicas, contudo o modelo baseia-se no princpio fundamental que as deslocaes no conseguem deslizar atravs das fronteiras de gro. O empilhamento de deslocaes junto fronteira de gro tem como consequncia a nucleao de uma fonte geradora de deslocaes no gro adjacente.

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