Sunteți pe pagina 1din 226

CUPRINS

Capitolul 1: Materiale dielectrice 1.1. Definiii i clasificri 1.2. Tipuri de polarizri 1.3. Funciile dielectricilor i utilizrile lor 1.3.1. Funcia de dielectric pentru condensatoare 1.3.2. Funcia de izolaie electric 1.3.3. Funcii neliniare i parametrice 1.3.4. Funcia de traductor piezoelectric 1.3.5. Funcia de traductor electro-optic 1.3.6. Funcia de traductor de temperatur 1.3.7. Funcia de electret 1.4. Polarizarea de deplasare a dielectricilor 1.4.1. Modelul teoretic al dielectricului cu polarizare de deplasare, fr pierderi prin conducie 1.4.2. Pierderi prin conducie n dielectrici 1.4.3. Modelul teoretic al dielectricilor cu polarizarea de deplasare i pierderi prin conducie 1.4.4. Dependena de frecven i de temperatur a permitivitii relative complexe, pentru dielectricii cu polarizare de deplasare i pierderi prin conducie 1.5. Polarizarea de orientare a dielectricilor 1.5.1. Modelul teoretic al dielectricilor cu polarizare de orientare i pierderi prin conducie 1.5.2. Dependena de frecven i temperatur a permitivitii relative complexe, pentru dielectricii cu polarizare de orientare i pierderi prin conducie 1.6. Rigiditatea dielectricilor 1.6.1. Rigiditatea dielectricilor gazoi 1.6.2. Rigiditatea dielectricilor lichizi 1.6.3. Rigiditatea dielectricilor solizi. Tipuri de strpungeri 1.7. Dielectrici solizi cu polarizare temporar 1.8. Dielectrici solizi cu polarizare spontan 1.8.1. Materiale feromagnetice 1.8.2. Cristale lichide 1.8.3. Cristale piezoelectrice 1.8.4. Electrei 1.9. ntrebri 1.10. Probleme 1.11. Anexe Capitolul 2: Materiale magnetice 2.1. Definiii i clasificri 2.2. Tipuri de magnetizri 2.3. Funciile materialelor magnetice

2.4. Feromagnetismul 2.4.1. Modelul teoretic al feromagnetismului 2.4.2. Formarea domeniilor de magnetizare. Energii implicate 2.4.3. Anizotropia magnetic 2.4.4. Magnetizarea materialelor feromagnetice. Curba de magnetizare 2.4.5. Influena factorilor externi asupra proprietilor feromagneticilor 2.5. Ferimagnetism 2.5.1. Modelul teoretic al ferimagnetismului 2.5.2. Materiale ferimagnetice 2.6. Piezomagnetism 2.7. Pierderi n materiale feromagnetice i ferimagnetice 2.7.1. Permeabilitatea relativ complex i tangenta unghiului de pierderi 2.7.2. Pierderi prin cureni turbionari 2.7.3. Pierderi prin histeresie 2.7.4. Pierderi prin magnetizare 2.7.5. Pierderi prin rezonan magnetic 2.8. Tipuri de materiale magnetice 2.9. ntrebri 2.10. Probleme 2.11. Anexe Capitolul 3: Materiale conductoare i supraconductoare 3.1. Definiii i clasificri 3.2. Modelul conduciei electrice n materialele conductoare solide. Starea de conductibilitate 3.3. Funciile materialelor conductoare 3.3.1. Funcia de conducie a curentului electric 3.3.2. Funcia de limitare a curentului electric 3.3.3. Funcia de contactare comutare 3.4. Starea de supraconductibilitate. Teoria BCS a supraconductibilitii. Efectul Josephson 3.5. ntrebri 3.6. Anexe Capitolul 4: Materiale semiconductoare 4.1. Procedee de obinere i purificare a materialelor semiconductoare 4.2. Modelul teoretic al conduciei electrice 4.3. Dependena de frecven a conductivitii electrice 4.4. Funciile materialelor semiconductoare 4.4.1. Funcia de conducie comandat n tensiune 4.4.2. Funcia de conversie opto-electronic 4.4.3. Funcia de detecie a radiaiilor nucleare 4.4.4. Funcia de conversie electro-optic 4.4.5. Funcia de conversie termo-electric 4.4.6. Funcia de conversie magneto-electric 4.5. ntrebri 4.6. Probleme

Capitolul 5: Jonciuni semiconductoare i heterojonciuni 5.1. Jonciuni semiconductoare 5.1.1. Difuzia din surs finit i infinit 5.1.2. Obinerea jonciunilor semiconductoare 5.1.3. Localizarea zonelor dopate 5.1.4. Implantarea ionic 5.1.5. Alierea 5.2. Heterojonciuni 5.3. ntrebri 5.4. Probleme 5.5. Anexe Capitolul 6: Rezistoare 6.1. Rezistoare liniare 6.2. Rezistoare dependente de temperatur 6.3. Rezistoare dependente de tensiune 6.4. Rezistoare dependente de fluxul luminos 6.5. ntrebri 6.6. Probleme 6.7. Anexe Capitolul 7: Condensatoare 7.1. Parametri condensatoarelor 7.2. Schema echivalent i comportarea cu frecvena 7.3. Tipuri de condensatoare 7.4. ntrebri 7.5. Probleme 7.6. Anexe Capitolul 8: Inductoare 8.1. Parametri inductoarelor i forme constructive 8.2. Schema echivalent i comportarea cu frecvena 8.3. ntrebri 8.4. Probleme 8.5. Anexe Capitolul 9: Structuri de dispozitive semiconductoare discrete 9.1. Diode 9.2. Tranzistoare bipolare 9.3. Tranzistoare unijonciune 9.4. Tranzistoare unipolare 9.5. Dispozitive multijonciune 9.6. Dispozitive optoelectronice

9.7. Limitri n utilizarea dispozitivelor semiconductoare 9.7.1. Limitri de tensiune 9.7.2. Limitri de curent 9.7.3. Limitri termice 9.7.4. Limitri de frecven 9.8. ntrebri 9.9. Anexe Capitolul 10: Structuri de circuite integrate 10.1. Circuite integrate bipolare 10.1.1. Procesul standard cu strat ngroat 10.1.2. Elemente de circuit realizate n tehnologia circuitelor integrate bipolare 10.2. Circuite integrate MOS 10.2.1. Procesul standard p-MOS 10.2.2. Circuite integrate n-MOS i c.MOS 10.3. Anex Bibliografie

Capitolul 1. Materiale dielectrice


1.1. Definiii i clasificri Materialele dielectrice se caracterizeaz prin stri de polarizaie electric, care sunt stri de electrizare suplimentar i apar n prezena cmpului electric intern sau extern. Pentru caracterizarea local a strii de polarizare a corpurilor, se utilizeaz densitatea de volum a momentelor electrice, numit polarizaie electric P , care este o mrime microscopic local sau punctual. Notnd cu p = p i suma geometric a momentelor electrice dintr-un domeniu restrns de volum v , polarizaia electric se definete prin relaia: p p = [C/m 2 ] (1.1) P = lim V 0 v v Momentul electric p , care este o mrime macroscopic sau global, se definete prin relaia: p = P dv [Cm] (1.2)
V

Cmpul electric E i polarizaia electric P , sunt cele dou mrimi care caracterizeaz din punct de vedere electric starea unui material dielectric. Materialul dielectric poate fi polarizat intrinsec, independent de plasarea sa n cmp electric exterior, sau dimpotriv, se poate polariza sub efectul cmpului electric exterior. Primul tip de polarizaie Pp , se numete polarizaie
permanent sau spontan i este asociat prezenei cmpului electric intern, iar al doilea tip de polarizaie se numete polarizaie temporar i depinde de intensitatea cmpului electric aplicat: P t = P t E . Teoria macroscopic a cmpului electromagnetic stabilete te relaia dintre inducia electric D i mrimile de stare E i P , sub forma legii de material, (scris sub form vectorial): D = 0 E + P = 0 E + P t E + P p [C/m 2 ] , (1.3) unde: 0 =1/(4 910 -9 )[F/m], este permitivitatea vidului. Legile de material descriu comportarea specific a materialelor. Ele se deosebesc de legile generale prin gradul diferit de generalitate i exactitate. Dup forma relaiei: P t = P t E , dielectricii se pot clasifica n dielectrici liniari i neliniari, izotropi sau anizotropi. Pentru dielectricii liniari i izotropi, relaia este liniara: Pt 0 e E (1.4) unde: e reprezint susceptivitatea electric, care este n general o mrime complex adimensional. Astfel, relaiile (1.3) i (1.4) au formele: D = 0 (1 + e )E + P p = 0 r E + P p (1.5)

()

()

()

P t = 0 ( r 1)E

(1.6)

unde: r = 1 + e ,este permitivitatea relativ a materialului dielectric, iar = 0 r este permitivitatea materialului dielectric. Permitivitatea relativ complex r , este definit prin relaia: r = D ( 0 E ) (1.7)
1

unde prin D i E s-au notat inducia i intensitatea cmpului electric, considerate mrimi complexe. Relaiile (1.4) i (1.6) ntre mrimi vectoriale se pot scrie sub forma unor relaii ntre mrimi complexe dac forma de variaie n timp a mrimilor, este de tip armonic: Pt 0 e E , (1.8)

P t = 0 ( r 1)E . Pentru dielectricii liniari i anizotropi, relaiile (1.4) i (1.9) au forma:

D = 0 1+ e E + P p = 0 r E + P p ,

(1.9) (1.10) (1.11) (1.12)

Pt 0 e E , D =E + Pp,

unde: susceptivitatea e i permitivitatea sunt tensori. Astfel, fiecare component a polarizaiei temporare, respectiv a induciei electrice, depinde de toate componentele cmpului electric. Experimental, se pun n eviden dou tipuri de materiale dielectrice liniare: - materiale diaelectrice, - materiale paraelectrice. Materialele diaelectrice , cum sunt gazele monoatomice inerte: He, Ne i Ar, se caracterizeaz prin susceptiviti de valori sczute, sunt independente de temperatur i nu prezint postefect. Materialele paraelectrice , cum sunt substanele poliatomice cu molecule nesimetrice: NaCl, KCl, HCl,H 2 O, au susceptiviti de valori ridicate, care variaz n raport invers cu temperatura, i prezint postefect i deci implicit, dependen a susceptivitii electrice de frecvena cmpului electric alternativ aplicat. Postefectul reprezint procesul de urmrire ntrziat a polarizaiei temporare la variaii rapide ale cmpului electric exterior. Astfel, dac consideram o variaie brusc a cmpului electric, valoarea polarizaiei temporare corespunztoare cmpului electric aplicat va fi atinsa dup un interval de timp t (fig.1a). La o variaie sinusoidal a cmpului electric, polarizaia temporar se modific de asemenea sinusoidal, cu un defazaj "n urm", datorit postefectului: E (t ) = E 0 sin (t ) (1.13) P (t ) = 0 e ( )E 0 sin [ t ( )] (1.14) ntruct e este o mrime complex, la frecvene nalte, n conformitate cu relaiile (1.3) i (1.9), vectorii D i E nu mai sunt coliniari, iar dependena polarizaiei temporare de intensitatea cmpului electric nu mai este liniar, avnd forma unei elipse cu vrfuri ascuite (fig.1.1b). La o cretere rapid a cmpului electric: E = E1 0 , corespunde o cretere mai redus a polarizaiei pna n punctul A', iar la o scdere brusc a cmpului electric: E = E max E 2 , corespunde o scdere mai redus a polarizaiei, pn n punctul B'. Relaia P t = P t (E) pentru dielectricii neliniari, cum sunt materialele feroelectrice, este de tipul unui ciclu de histeresis. Valoarea polarizaiei
2

temporare la un moment dat nu este univoc determinat de valoarea cmpului electric aplicat i depinde de evoluia anterioar a materialului.

f ig. 1.1 Diagrame aso c iate postefectu lu i la d ielectric ii lin iari la v ariaii bru te (a) s in u so id a le ( b) a le c mp u lu i e l ctr ic ap l i ca t.

1.2. Tipuri de polarizri

Materialele dielectrice prezint trei tipuri de polarizri: temporar, permanent i cvasipermanent. Polarizarea temporar de deplasare electronic sau ionic reprezint deplasarea limitat elastic i reversibil a nveliurilor electronice ale atomilor dielectricului (fig.1.2a) respectiv a ionilor dielectricului (fig.1.2b) sub influena cmpului electric i este proprie materialelor diaelectrice.

f ig.1 .2 Po lar iza re a te mpor ar a d i ele c tr i c i lor : (a) p o lar i z ar e d e d ep la sa r e e l e c tr o n i c ; ( b) p o l ar iz ar e d e d ep la sa r e ion ic ; ( c) po lar izar e d e or ien ta re d ipo la r.

Polarizarea temporar de orientare dipolar , tipic materialelor paraelectrice, ale cror molecule polare prezint momente electrice proprii, reprezint orientarea momentelor electrice pe direcia cmpului electric aplicat, ntruct n absena cmpului, datorit agitaiei termice, orientarea lor este aleatorie(fig.1.2c). Polarizarea permanent este produs de factori neelectrici i este de dou tipuri: - Polarizarea spontan sau piroelectric este asociata prezenei cmpului electrostatic intern i apare din condiia de minimizare a energiei interne a 3

materialului dielectric, care depinde pronunat de temperatur. Astfel i starea de polarizare va avea o puternic dependen de temperatur (fig.1.3a);

f ig.1 .3 P o la r iz ar ea p e r ma n e n t a d i e l e c tr i c i lor : (a ) po lar izare spon tan ; ( b) po lar iz ar e p iezo e lectr ic ; ( c) po larizare d e tip electret.

-Polarizarea piezoelectric (fig.1.3b) apare sub aciunea tensiunilor mecanice aplicate structurii cristaline. Sub influena unui cmp electric exterior apare efectul piezoelectric invers, de deformare a structurii cristaline. Polarizarea cvasipermanent de tip electret (fig.1.3c) apare ca o consecin a orientrii dipolilor i a deplasrii sarcinilor electrice, i se obine fie prin tratament termic, fie prin iluminare n cmp electric intens, fie prin iradiere cu un fascicul de electroni. 1.3. Funciile dielectricilor i utilizrile lor 1.3.1. Funcia de dielectric pentru condensatoare Pentru un dielectric liniar i izotrop, admitem c permitivitatea relativ complex, definit prin relaia (1.7), este de forma: r = r. j r,, (1.15) i vom arta deductiv c expresia este teoretic confirmat. Neglijnd efectele de margine, prin definiie, admitana unui condensator cu dielectric are expresia: (1.16) Y Cech = j r C 0 = j ( r. j r,, )C 0 = r,, C 0 + j r, C 0

unde: C 0 reprezint capacitatea condensatorului n absena dielectricului. Schema echivalent a condensatorului este reprezentat n fig.1.4a. Prin urmare, condensatorul cu dielectric este echivalent cu un condensator fr pierderi avnd capacitatea de r, ori mai mare: C ech = r, C 0 i o rezisten de pierderi conectat n paralel, de valoare: Rech = 1 /( r,, C 0 )
Din schema echivalent i relaia (1.16), se observ c r' caracterizeaz dielectricul din punctul de vedere al capacitii sale de a se polariza, iar r" caracterizeaz dielectricul sub aspectul pierderilor de energie, care se transform n cldur. Din diagrama vectorial asociat schemei echivalente (fig.1.4b) se obin n dou etape succesive diagrama permitivitii relative complexe confirmnd astfel relaia (1.15) i diagrama puterilor. Prin definiie, tangenta unghiului de pierderi este raportul dintre puterea activ disipat i cea reactiv i are expresia: Pa U I R r" 1 tg = = = , (1.17) = Pr U I C C ech Rech r'
4

f ig.1 .4 S ch ema e c h iva l en t i d iag ra ma v ec tor ia l pen tru un cond ensator cu ma t e r i a l d ie l e c tr i c l in ia r i izo trop cu p ierd er i, n tr e ar m t u r i.

iar permitivitatea relativ complex obine forma: r = r' (1 + jtg ) , Factorul de calitate al condensatorului are expresia: Q = 1 / tg = Cech Rech ,

(1.18) (1.19)

1.3.2. Funcia de izolaie electric Materialele dielectrice utilizate la izolarea conductorilor electrici de conexiuni, presupun rezisten de izolaie ridicat, pentru a micoara pierderile datorate curenilor de conducie prin dielectric, permitivitate relativ sczut pentru micorarea cuplajului capacitiv ntre conductori, care intervine cu pondere crescut la frecvene nalte i rigiditate dielectric ridicat, pentru evitarea strpungerii dielectricului. Rigiditatea dielectric Rd este egal cu cmpul electric la care are loc strpungerea dielectricului i are expresia: U Rd = str = E str , (1.20) d unde: U str este tensiunea la care se strpunge dielectricul de grosime "d". Tensiunile dintre conductorii utilizai n circuitele electronice nu sunt de valori ridicate, ns grosimile "d" sunt reduse. Dielectricii utilizai pentru realizarea condensatoarelor, au grosimi de ordinul micronilor i din acest motiv se impune ca rigiditatea lor dielectric s fie ridicat. 1.3.3. Funcii neliniare i parametrice Materialele dielectrice, cum sunt cristalele feroelectrice, pentru care permitivitatea relativ complex este o funcie de intensitatea cmpului electric continuu E0 , sau alternativ Ecf , pot fi utilizate pentru realizarea unor funcii de

circuit neliniare i parametrice. Astfel, utilizarea unui condensator cu cristal feroelectric ntre armturi, ntr-un circuit oscilant, va permite modificarea frecvenei oscilaiilor, prin aplicarea unei tensiuni continue la bornele
5

condensatorului. Aceste materiale sunt utilizate n construcia unor amplificatoare, stabilizatoare, modulatoare n amplitudine sau faz. Diagramele din fig. 1.5 s-au trasat pentru temperaturi constante inferioare temperaturii TC peste care proprietile feroelectrice i polarizaia spontan dispar.

f ig.1 .5 D ependen a p ermitiv it ii relativ e reale a cris talelor fero electr ice d e v a loar e a e f e c t iv a cmp u lu i electric altern ativ (a ) i d e in tensitatea cmpu lui electr ic con tinuu ( b). [ C t]

1.3.4. Funcia de traductor piezoelectric Prin interaciuni de natur elastic-electric, se transform energia mecanic sau tensiunea mecanic n energie electric sau tensiune electric. Efectul piezoelectric direct i invers, este utilizat pentru realizarea de traductoare, microfoane, doze piezoelectrice, traductoare ultrasonice, difuzoare pentru frecvene nalte. Efectul piezoelectric mai este utilizat i pentru realizarea de dispozitive cu und elastic de volum (rezonatoare, filtre ceramice) i cu und elastic de suprafa (filtre treceband, optimale, linii de ntrziere). 1.3.5. Funcia de traductor electro-optic Materialele dielectrice cu polarizare spontan, cum sunt unele cristale feroelectrice i cristalele lichide, care n straturi subiri sunt optic active, permit modularea comandat electric a unui fascicul luminos transmis sau reflectat de dielectric. Aceste materiale sunt utilizate pentru realizarea dispozitivelor de afiaj alfanumerice i a deflectoarelor de flux luminos. 1.3.6. Funcia de traductor de temperatur Susceptivitatea electric a cristalelor feroelectrice are o dependen pronunat de temperatur i determin astfel variaia pronuntat a polarizaiei spontane cu temperatura, proces specific utilizat n conversia energiei fluxului radiant din spectrul infrarou apropiat i ndeprtat, n energie electric. 1.3.7. Funcia de electret Funcia de electret se bazeaz pe polarizaia remanent de lung durat a electreilor, generat de cmpul electrostatic intern i este utilizat pentru realizarea dozimetrelor, a filtrelor pentru gaze sau a microfoanelor. 1.4. Polarizarea de deplasare a dielectricilor Polarizaia electric temporar P t poate fi exprimat ca sum a momentelor electrice temporare mediate p t med ale celor N molecule din unitatea de volum:

N A p med , (1.21) M unde este densitatea de mas a materialului, M este masa molecular, iar N A
6

P t = N p med =

reprezint numrul lui Avogadro. Pentru un mediu liniar, omogen i izotrop, se admite ca momentul electric temporar mediat al unei molecule este proporional cu intensitatea cmpului efectiv E e f , care acioneaz asupra ei: p med = 0 E ef , (1.22) unde reprezint polarizabilitatea moleculei i este o mrime complex microscopic, caracteristic materialului, iar cmpul efectiv E e f se determin considernd c fiecare molecul ocup o cavitate vid practicat n mediul dielectric i are expresia: 1 E ef E + Pt , (1.23) 3 0 Din relaiile (1.5), (1.6) i (1.21), (1.23), rezult relaia Clausius Mosotti: r 1 N = , (1.24) 3 r +2 care reprezint relaia de legtur ntre polarizabilitate - mrime microscopic i permitivitate - mrime macroscopic. Aproximrile prin care s-a stabilit relaia i reduc domeniul de valabilitate la dielectricii gazoi.
1.4.1. Modelul teoretic al dielectricului cu polarizare de deplasare fr pierderi prin conducie Modelul teoretic a fost conceput astfel nct s permit stabilirea relaiei dintre permitivitatea relativ complex i frecvena cmpului electric aplicat din exterior. Dependena permitivitii relative complexe: r (E ) = 1 + e (E ) , de

intensitatea cmpului electric aplicat este o lege de material, fiind diferit pentru dielectrici diferii. Polarizarea de deplasare presupune existena unor fore elastice de interaciune. Astfel, sarcinile electrice sunt presupuse ca fiind legate elastic n poziiile de echilibru: electronii legai elastic de nucleu i ionii din nodurile reelei cristaline, legai elastic de ionii vecini. Cmpul electric exterior determin deplasarea sarcinilor din poziiile lor de echilibru, genernd astfel polarizarea de deplasare, iar la anularea cmpului electric, sarcinile revin la poziiile iniiale. Presupunem c deplasrile sarcinilor electrice sunt orientate pe direcia axei "z" paralel cu direcia cmpului electric exterior. Ecuaia micrii n regim tranzitoriu de revenire a sarcinii electrice la anularea cmpului electric aplicat este de forma: [Ct]. d 2z dz 2 + 2 + 0 z = 0 , (1.25) 2 dt dt unde: 2 reprezint factorul de amortizare al micrii, iar 0 este pulsaia proprie de rezonan a particulei ncrcate electric. n situaiile reale, micarea de revenire este slab amortizat, iar factorul de amortizare este redus. Astfel, pentru valo ri << 0 , soluia ecuaiei (1.25) este: ' z (t ) = z o e t cos( o t + 0 ) , (1.26) unde: z(t) reprezint poziia particulei n raport cu poziia de echilibru z(t=0) corespunztoare momentului i ni ial cnd se anuleaz cm pul el ectric exterior; z 0
7

este amplitudinea oscilaiei, 0 este faza iniial, iar ' = 1 este constanta de timp de relaxare i reprezint timpul dup care amplitudinea scade la 1/e din valoar ea maxim z 0 . Amplitudinea i faza iniial sunt constante de integrare. ntruct momentul electric elementar este n raport direct cu deplasarea particulei ncrcate electric fa de poziia de echilibru, expresia polarizabilitii este analoag re la iei (1.26): ' (t ) = (0)e t cos( o t + 0 ) , (1.27) unde: (0) este polarizabilitatea la momentul iniial. Considerm un sistem liniar i ca orice sistem fizic, satisface principiul cauzalitii. Dac sunt precizate condiiile iniiale i la limit i dac sunt cunoscute legile de material, starea materialului stabilit prin mrimile E i P, este univoc determinat. Aplicnd principiul suprapunerii efectelor i cunoscnd dependena n timp a polarizabilitii, expresia permitivitii r elative complexe n funcie de frecvena cmpu lui electric aplicat, este de forma: unde: r = r

r = r + (t )e jt dt ,
o

(1.28)

inst

,este permit ivit atea relativ instantanee corespunztoare unor

frecv e ne: f . Din relaiile (1.27) i (1.2 8), rezult:


1 + j tg 0 1 j tg 0 + r = r + [ (0) ' 2] cos 0 . ' ' 1 j (0 ) 1 + j (0 + )

(1.29 )

Prin identif icarea re laiei (1.29) cu relaia (1.15) rezult: a) pentru << 0 ,

=
' r

'
r st

= r
'

(1 tg )cos + (0 ) 1+

' ' 0 0 2 ' 0

(1.30)

r,, = 0 , unde: r, st reprez int p ermitivitatea relativ n regim staionar: f=0. b) pentru 0 i av n d n vedere c n cazurile reale este ndeplinit condiia 0 , >> 1 , 0 , , (1.31) r, = r + r 2 1 + ( , ) 2 0 , , (1.32) r,, = r,, max = r 2 1 + ( , ) 2
unde: (1 , tg 0 ) cos 0 ; r = r st r = (0) 1 + ( 0 , ) 2 c) pent ru >> 0 ,
,

(1.33)

(1.34) (1.35) Dependenele de frecvene ale componentelor permitivitii relative complexe , n conformi tate cu rela iile: (1.30) (1.35) sunt reprezentate n fig.1.6a.
8

r, = r, , r,, = (0) cos 0 / .

f ig.1 .6 D ependen e le d e f r e cv en ale co mp onen te lor permitiv it ii relativ e c o mp l ex e (a) i sch e ma e ch iv a len t p en tru < 0 a cond ens a toru lu i cu d ie le c tr ic cu po lar iza re d e d ep las are f r p ierder i pr in condu c ie (b) [C t].

Pentru frecvene relativ joase permitivitatea este constanta: r, = r, st , pierderile prin polarizare fiind ca i cele prin conducie, nesemnificative. Schema echivalent a unui condensator cu dielectric fr pierderi prin conducie este reprezentat n fig.1.6.b. Pulsaiile de rezonan 0 ale electronilor se afl n spectrul vizibil ( 0 = 2 1015 rad/s) iar ale ionilor n spectrul infrarou ( 0 = 2 1013 rad/s). Pentru frecvene superioare frecvenei de rezonan, componenta reala a permitivitii redevine constanta: r, = r , iar pierderile prin polarizare, ca i componenta r,, , tind rapid spre zero. Schema echivalent din fig.1.6a se va completa cu o rezisten echivalent de pierderi, conectat n paralel, daca n dielectric apar i pierderi prin conducie electric.
1.4.2. Pierderi prin conducie n dielectrici Dielectricii liniari posed sarcini electrice "libere" n concentraie redus care se pot deplasa n cmp electric exterior, constituindu-se n curent electric de conducie. Conducia electric n volumul materialului este caracterizat prin conductivitate volumetric sau rezistivitate volumetric: = 1 / , iar procesul de conducie superficial, care poate interveni la dielectricii solizi, este caracterizat prin aceleai mrimi, dar superficiale: s , s . a) Dielectrici gazoi Curentul electric de conducie n dielectricii gazoi este format din ioni i electroni liberi, generai printr-un proces de ionizare n prezena unor factori externi cum ar fi radiaii n spectrul infrarou i ultraviolet, sau n prezena cmpului electric care determin ionizarea prin ciocnirea moleculelor gazului cu particule ncrcate electric i accelerate n cmp. n fig.1.7 se disting trei domenii specifice conduciei prin dielectrici gazoi. n primul domeniu, pentru intensiti relativ reduse ale cmpului electric dependena curent tensiune este liniar, rezistivitatea i rezistena electrica fiind mrimi constante. Pentru intensiti medii: E >10 5 V/m, toi purttorii de sarcin electric creai de factori externi ajung la electrozi, curentul I de conducie are valoarea constanta i crete brusc pentru tensiuni superioare valorii de

f ig.1 .7 D ependen a cur e n t t en s iun e n c a zu l d ie l e c tr i c i lor g azo i [ C t].

strpungere U str cnd sunt create condiii pentru ionizare prin ciocniri ale atomilor dielectricului gazos, datorit vitezelor mari ale purttorilor de sarcin electric accelerai de cmpul electric. b) Dielectrici lichizi Conducia electric a dielectricilor lichizi este o funcie de structur molecular i depinde de tipul i cantitatea de impuriti, mai ales la lichidele cu polarizare prin deplasare. Cu creterea temperaturii conductibilitatea se marete datorit creterii gradului de disociere, dar mai ales prin creterea mobilitii purttorilor de sarcin. O relaie empiric are forma: = Ae a / T (1.36) unde: A i a sunt constante caracteristice ale materialului dielectric lichid. c) Dielectrici solizi Conducia electric n dielectricii solizi este asigurata prin electroni i de asemenea prin defecte ale structurii cristaline denumite vacane ionice, a cror mobilitate depinde pronunat de temperatur. Expresia empiric a conductivitii este de forma: = B / Te b / T (1.37) unde: B i b sunt constante caracteristice materialului dielectric solid. ntruct creterea exponeniala, asociat celui de-al doilea factor, este superioar scderii de tip hiperbolic asociat primului factor, creterea temperaturii determin mrirea conductivitii. O relaie similar, are forma: (1.38) = 0 e b / T unde: 0 este o constant de material. Densitatea curentului de conducie are expresia: J = E (1.39) crescnd att cu temperatura ct i cu intensitatea cmpului electric aplicat. n fig.1.8 se disting, de asemenea, 3 zone specifice conduciei prin dielectricii solizi. Pentru intensiti relativ reduse ale cmpului electric: E < 10 6 V / m , conducia electric este neglijabil datorit lrgimii mari a benzii interzise, astfel nct saltul unui electron de pe nivel energetic corespunztor benzii de valena pe un nivel energetic din banda de conducie se poate efectua numai cu un aport substanial de energie din exterior. Rezistivitatea i rezistena electric sunt mrimi constante. Pentru intensiti medii ale cmpului electric aplicat, se produc i o n i zr i pr i n ci o c n i r i al e a t omi l o r c u p a r t i c u l e n c rcate electric, iar conduc ia
10

f ig.1 .8 D ependen a cur e n t c mp e le c tr i c n c a zu l d i e l ec tr i ci l o r so l i zi [ C t].

devine neliniar. Pentru intensiti ridicate: E > 108 V / m , procesul de ionizare n avalana, conduce la strpungerea distructiv a dielectricului. Rezistivitatea superficial este ridicat la dielectricii solizi insolubili n ap, i sczut la cei solubili sau cu structura poroas.
1.4.3. Modelul teoretic al dielectricilor cu polarizare de deplasare i pierderi prin conducie Considerm un material dielectric plasat ntre dou suprafee metalice, ncrcate electric, n regim staionar (fig.1.9 a i b). Din legea fluxului electric aplicat unei suprafee care cuprinde suprafaa de separaie dintre metal i dielectric i din relaia (1.39), rezult relaia: Dd A 0 rst Ed A 0 rst = = . (1.40) qV / I = Id A Ed A

Relaia (1.40) se poate scrie i sub forma: r C0U CU (1.41) = st = rst C0 rp = C rp = p , qV / I = U / rp U / rp unde: C este capacitatea ansamblului format din dielectric i cele dou armturi metalice, C 0 este capacitatea ansamblului fr dielectric, rp este rezistena de

pierderi prin conducie, iar p este constanta de timp a grupului C rp (fig.1.9c). Din relaiile (1.40) i (1.41) rezult expresiile rezistenei de pierderi: rp =

0 , C0

(1.42)

rp =

p
st

r C0

(1.43)

fig.1.9 Forma liniilor de cmp i de curent intr-un dielectric cu pierderi prin conducie electric: (a) forma lin iilor d e cmp ; (b) forma lin iilor d e curen t; (c) sch e ma ec h iva len t a condensatorului cu dielectric cu polarizare de deplasare i pierderi prin conducie [Ct].

11

1.4.4. Dependena de frecven i de temperatur relative complexe pentru dielectricii cu polarizare pierderi prin conducie Din schema echivalent (fig.1.9c) a condensatorului conducie, presupus valabil i pentru regimul nestaionar, admitanei condensatorului: Y = 1 / rp + j rst C0 = j r C 0 = j ( r' j r" )C 0 .

a permitivitaii de deplasare i

cu pierderi prin rezulta expresia (1.44)

Cu relaia (1.42), expresiile componentelor permitivitii relative complexe sunt:

r' = r ,

r" =

1 1 1 r , = = 0 rp C0 p
st

st

(1.45)

(1.46)

iar tangenta unghiului de pierderi este:


tg =

r" = , ' r 0 r
st

(1.47)

i scade, ca i cu creterea frecvenei. Dac temperatura este constant, conductivitatea conform relaiilor (1.37), (1.38) este o mrime constanta, iar dac temperatura se modific, tangenta unghiului de pierderi se va modifica la fel ca i conductivitatea dup o lege exponenial, conform relaiilor (1.37), (1.47). Dependenele de frecven la temperatura constant ale permitivitii relative reale i ale tangentei unghiului de pierderi sunt mrimi caracteristice materialului dielectric, fiind reprezentate pe baza relaiilor (1.45), (1.47) n fig.1.10. Componenta reala a permitivitii relative caracterizeaz materialul dielectric din punct de vedere al proprietii sale de a se polariza. n cazul unui condensator cu dielectric, cu ct aceasta proprietate este mai pronunat sau r ' este mai ridicat, cu att se mrete i capacitatea condensatorului, sau proprietatea lui de a acumula sarcini electrice pe armturi. Dielectricii cu polarizare de deplasare au permitivitatea real constant pn la frecvenele de rezonan proprie ale ionilor i electronilor i pierderi prin conducie reduse, care scad cu creterea frecvenei.
" r

f ig.1 .10 D ep enden a d e f re cv en la te mp era tur a cons tan t a p ermitiv it ii reale i a ta ngen tei ungh iu lu i d e pierder i p entru d i electr ici cu po lar izare de dep lasar e i p ierd er i pr in condu cie [ C t].

1.5. Polarizarea de orientare a dielectricilor 1.5.1. Modelul teoretic al dielectricilor cu polarizare de orientare i pierderi prin conducie n absena cmpului electric exterior momentele electrice elementare sunt distribuite aleatoriu, iar din punct de vedere macroscopic polarizaia este nul. 12

n prezena unui cmp electric exterior momentele electrice tind s se orienteze n direcia cmpului, iar polarizaia temporar este diferit de zero. Modelul teoretic simplificat presupune dou stri stabile ale dipolilor: A i B, n care momentele electrice au aceai direcie cu a cmpului electric aplicat, dar sensuri opuse. Aceasta ipoteza nu exclude posibilitatea existenei unor stri diferite de strile A i B, doar c aceste stri sunt presupuse mai puin probabile. n fig.1.11 sunt reprezentate diagramele electrice corespunztoare diferitelor stri, n absena sau n prezena cmpului electric exterior. n absena acestuia, cele 2 stri sunt egal probabile, ele fiind separate printr-o barier de potenial W o . Numrul de momente electrice din starea A este egal cu cel corespunztor strii B, n momentul iniial, cnd se aplic cmpul exterior, sau: N A (0)=N B (0)=N/2, (1.48) unde N reprezint numrul total de stri A i B. n prezena cmpului electric exterior, cu orientare identic cu cea a momentelor din starea B, bariera de potenial se micoreaza cu W e , favoriznd tranziiile momentelor electrice din starea A n starea B. Energia W e reprezint lucru mecanic efectuat de cmp pentru a modifica orientarea momentului electric din starea A n starea B. Astfel, numrul momentelor din starea B va fi superior celui corespunztor strii A, sau: N B (t ) > N A (t ) (1.49) inegalitatea fiind cu att mai pronunat, cu ct intensitatea cmpului electric este mai ridicat. Aplicnd sistemului de momente electrice elementare statistica Boltzmann, rezult c diferena N B (t ) N A (t ) variaz exponenial cu timpul [Ct]. Polarizabilitatea sistemului de momente electrice variaz n timp proporional cu aceast diferen, conform unei relaii de forma: t (t ) = (0) e '' , (1.50) unde: (t ) este polarizabilitatea la momentul iniial, iar '' este constanta de relaxare.

f ig.1 .11 Re lie fu l d e po te n ia l pen tru un d ielectr ic cu 2 stri stab ile: (a) - f r cmp e l e ct r ic e x ter io r ; (b) - n pr e zen a c mp ului e le c tr ic ex te r ior cu or ie n tar e d ipo la r . [ C t]

Introducnd relaia (1.50) n relaia (1.28), care se aplic i dielectricilor cu polarizare de orientare, se obine:

r = r + (0) e
0

t
' ' jt

= r +

(0) '' , 1 + j ''

(1.51)

13

Prin identificare cu relaia (1.15), pentru un dielectric fr pierderi prin conducie rezult: r r' = r + , (1.52) 2 1 + ( '' )

r'' = r
tg =

1 + ( '' )

''

(1.53) , (1.54)

r st + r ( '' ) unde: r = r st r .

r ''

Pentru un dielectric cu pierderi prin conducie, relaia (1.53) se completeaz cu valoarea corespunztoare pierderilor prin conducie dat de relaia (1.46). Astfel, expresiile componentelor permitivitii relative complexe i tangentei unghiului de pierderi, sunt de forma: r 'r = r + , (1.55) 2 1 + ''

r,, = r
tg =

,, + r st , ,, 2 1 + ( )

(1.56) (1.57)

r st [1 + ( ,, ) 2 ] + r ,, 2 , [ r st + r ( ,, ) 2 ]

Pe baza relaiilor (1.52) i (1.57), verificate experimental, rezult schemele echivalente ale condensatoarelor cu i fr pierderi prin conducie, reprezentate n fig.1.12.

f ig.1 .12 S che ma e ch iv a le n t a condensatoru lu i cu d ielectr ic cu po lar izar e d e o r ien tare: (a) f r p ierd er i pr in condu cie i ( b ) cu p ierder i p r in condu c ie . [ Ct]

1.5.2. Dependena de frecven i temperatur a permitivitii relative complexe pentru dielectricii cu polarizare de orientare i pierderi prin conducie Din diagramele reprezentate n fig.1.13, stabilite pe baza relaiilor (1.55), (1.57), se observ c la temperatur constant, permitivitatea real descrete monoton cu frecvena, datorit ineriei orientrii momentelor elementare atunci cnd frecvena crete. La frecvene ridicate, dielectricul are permitivitate real r , datorat exclusiv polarizrii de deplasare electronic. 14

Tangenta unghiului de pierderi este puternic dependent de frecven. Primul maxim corespunde regimului staionar (=0) i este datorat pierderilor prin conducie, iar al doilea maxim este datorat pierderilor prin polarizare. Permitivitatea real n regim staionar scade pronunat cu temperatura dup 3Tc legea Curie: r st = . (1.58) T Tc

f ig.1 .13

Depend en a de f re cv en la temp eratur con s tan t a p e r mi t i v i tii r ea l e i a tangen tei ungh iu lu i de p ierder i pen tru d ielectr ic ii cu po lar izar e de or ien tare i p ierder i pr in condu cie . [ C t]

n figurile (1.14) i (1.15) sunt reprezentate diagramele de variaie ale permitivitii reale i tangentei unghiului de pierderi cu frecvena i temperatura.

f ig.1 .14 D ep enden a d e fr ecv en t la dou temperatu r i d iferite a p ermitiv it ii r ea l e i a ta ngen tei ungh iu lu i d e p ierder i, p en tru dielectr icii cu po lar izar e de or ien tare i p ierder i pr in condu cie . [ C t]

La frecvene mici i medii, permitivitatea real, prezint o puternic dependen de temperatur, iar la frecvene ridicate, devine preponderenta contribuia polarizrii de deplasare electronic, care se modific nesemnificativ cu temperatura. Interseciile caracteristicilor pentru diferite temperaturi presupun o dependen neunivoc. Astfel, mrimile la un moment dat, depind de evoluia anterioar, comportarea dielectricului fiind diferit la creterea, respectiv scderea temperaturii.

f ig.1 .15 Dep enden a d e t e mp er a tu r la frecven constan t a p er mi t i v i tii r ea l e i a tangen tei ungh iu lu i d e p ierder i pen tru d ielectr ic ii cu po lar izar e de or ien tare i p ierder i pr in condu cie . [ C t]

15

Tangenta unghiului de pierderi prezint un maxim datorat pierderilor prin polarizare i crete exponenial la temperaturi ridicate, datorit pierderilor prin conducie.
1.6. Rigiditatea dielectric

Rigiditatea dielectric Rd , sau intensitatea cmpului electric la care are loc strpungerea E str , este prin definiie, tensiunea la care se strpunge dielectricul raportat la grosimea dielectricului sau distana dintre electrozii aplicai pe suprafaa dielectricului. Rigiditatea dielectric are o dependen puternic de form geometric a electrozilor, care stabilete configuraia i gradul de neuniformitate a cmpului electric.
1.6.1. Rigiditatea dielectricilor gazoi Strpungerea dielectricilor gazoi are loc atunci cnd energia cinetic a purttorilor de sarcin: electroni i ioni, accelerai n cmpul electric, este suficient pentru a produce ionizarea prin ciocnire a moleculelor gazului. Presupunem, aa cum se ilustreaz n fig.1.16a, c o particul ncrcat cu sarcin electric q, se deplaseaz pe direcia cmpului E , considerat constant, parcurgnd distana S1 , n timpul t1 i S 2 n timpul t 2 . Fora care acioneaz asupra particulei are expresia: F = Eq = ma , (1.59) unde: m este masa particulei, iar a este acceleraia ei.

f ig.1 .16 Pa rc ursu l lib er mij lo c iu a l une i p ar ticu le n c r c a te e l ec tr i c (a) i d epend en a r ig id it ii aeru lu i de d istan a d in tre e lec troz i p lan i, la pr esiun e i te mp e ra tu r nor ma le ( b).

Viteza particulei depinde de timpul n care acioneaz cmpul electric asupra ei i are expresia: v = a t = ( Eqt ) / m (1.60) Presupunnd c la momentul t=0 are loc o ciocnire a unei particule ncrcate electric cu o molecul a gazului, care are ca efect eliberarea unui electron. Energia cinetic a electronului, proporional cu viteza lui, pn n momentul unei noi ciocniri are valoarea cu att mai ridicat cu ct parcursul liber mijlociu este mai mare. Dependena rigiditii aerului de distana dintre electrozi, de form plan este reprezentat n fig.1.16b. Creterea presiunii gazului determin micorarea parcursului liber mijlociu, scderea energiei dobndite ntre dou ciocniri succesive, scderea posibilitii de ionizare a gazului i creterea rigiditii. n cmp electric uniform i electrozi
16

plani, rigiditatea aerului la presiunea de 1atm. este: R d =30kV/cm, iar la 10atm., R d =300kV/cm. Din curbele Pachen (fig.1.17a) se observ c exist o tensiune minim aplicat electrozilor sub care strpungerea nu mai este posibil, indiferent de presiune sau distana dintre electrozi. Valoarea acestei tensiuni este cuprins ntre 280 V i 420 V, pentru aer fiind 350 V. Rigiditatea dielectric a gazelor n cmp omogen depinde de frecven. Aceast dependen este reprezentat pentru aer, n fig.1.17b. La frecvene ridicate rigiditatea crete pentru c durata procesului de ionizare prin ciocnire devine comparabil cu semiperioada cmpului electric. Astfel, la un moment dat t < t1 (fig.1.16a), sensul cmpului electric este inversat i particula ncrcat cu sarcina electric, nu va mai parcurge spaiul S 1 corespunztor ciocnirii cu o molecul a gazului. n condiiile n care rigiditatea aerului este mult mai redus dect rigiditatea unui dielectric solid, apare strpungerea aerului la suprafaa dielectricului solid, fenomen numit conturnare i care depinde de configuraia i frecvena cmpului electric, starea suprafeei dielectricului i presiunea aerului.

f ig.1 .17 Cur b e le P a chen p en t r u a er (a) i d ep end en ta d e fre cv en ta a r ig id it ii a er u lu i (b) . [ C t]

1.6.2. Rigiditatea dielectricilor lichizi Strpungerea are loc printr-un mecanism de ionizare prin ciocnire. Parcursul liber mijlociu fiind mult mai redus dect n dielectricii gazoi, rigiditatea dielectricilor lichizi este crescut, avnd valori de pn la 100 MV/m. Prezena impuritilor, cu valori diferite ale permitivitilor n raport cu cea a lichidului, determin micorarea rigiditii. Impuritile se distribuie de-a lungul liniilor de cmp sub forma unor "lanuri", favoriznd strpungerea. Pentru cmpuri electrice cu frecven ridicat, pierderile n dielectric, care sunt importante mai ales la lichide cu polarizare de orientare, produc nclziri locale, favoriznd strpungerea prin creterea numrului de purttori de sarcin. 1.6.3. Rigiditatea dielectricilor solizi. Tipuri de strpungeri Dei parcursul liber mijlociu este redus, n cmpuri electrice intense, pot avea loc ionizri prin ciocniri care conduc la strpungerea prin ionizare a dielectricului. Mecanismul strpungerii se bazeaz pe multiplicarea n avalan a 17

purttorilor de sarcin electric i este distructiv. Din fig.1.18 se observ c rigiditatea dielectricilor polari este crescut deoarece prezena dipolilor nu favorizeaz eliberarea electronilor care particip la strpungere. Dielectricii nepolari au rigiditate sczut, independent de temperatur pn la temperatura de topire. Incluziunile sau neomogenitile de material, produc concentrri sau dispersri ale liniilor de cmp electric, favoriznd strpungerea. Strpungerea prin ionizarea incluziunilor gazoase , n interiorul crora intensitatea cmpului electric are valori superioare intensitii cmpului electric din dielectric, are loc n materiale cu porozitate.

f ig.1 .18 D ep enden a r ig id it i i d e t e mp e r a tu r a n c a zu l s tr punger ii electr ice: 1-d ielectric po lar (po limetacrilat d e me til); 2 - d ielectric nepo lar (po lietilen a). f ig.1 .19 S tr punger e a te r mic a d iele c tr i c i lor : d ep en d en a d e te mp era tur a can tit ii d e c ldur a d e zvo ltata dator ita p ierde rilor n d ielectric (lin ie plin ) i a can tit ii de c ldur c ed a t me d iu lu i (lin ie n tr erup ta) [C t].

1.7. Dielectrici solizi cu polarizare temporar [Ct] Polarizarea de deplasare exclusiv electronic este destul de rar ntlnit, apare la polimeri termoplastici cu molecula neutr, pentru temperaturi inferioare temperaturii de plasticitate peste care devin uor deformabili. Permitivitatea real i tangenta unghiului de pierderi au valori reduse: 'r =2 2,5; tg = n 10 -4 , i prezint stabilitate cu temperatura i frecvena. Astfel de materiale sunt polistirenul, politetrafluoretilena, polietilena, polipropilena. Dielectricii cu molecula neutr, cu legturi ionice sau parial ionice, poseda polarizare de deplasare electronic i ionica , au valori relativ ridicate ale permitivitii reale i valori reduse ale tangentei unghiului de pierderi: tg = n x 10 -4 , fiind stabile la variaiile frecvenei sau temperaturii. Astfel de materiale sunt oxizii: SiO 2 ( r ' =4), Al 2 O 3 ( r ' =10), Ta 2 O 5 ( r ' =27), TiO 2 ( r ' =107), sau combinaii care conin aceti oxizi. Mica muscovit conine oxizi de siliciu i aluminiu; fiind foarte stabil din punct de vedere termic, este utilizat pentru fabricarea condensatoarelor. Mica flogopit are proprieti dielectrice inferioare fa de mica muscovit, dar stabilitate termica superioar. Sticla silicat este compus din bioxid de siliciu n amestec cu oxizi ai metalelor alcaline Na 2 O, K 2 O sau ali oxizi, care determin apariia polarizrii 18

structurale, implicnd mrirea permitivitii reale dar i a tangentei unghiului de pierderi. Dielectricii ceramici conin oxizi de aluminiu i siliciu n amestec cu oxizi de bariu BaO sau magneziu MgO. Din prima categorie fac parte ceramica mulitic, celsiana, corund, iar din a doua categorie, ceramica stealit i spinel. Aceste materiale sunt utilizate pentru realizarea prilor electroizolante ale dispozitivelor electronice. Dielectricii ceramici care conin oxizi de titan i zirconiu posed permitivitate crescut ( r, > 20), stabilitate termic i n timp, fiind utilizai n fabricarea condensatoarelor. Dielectricii cu molecule care au momente electrice proprii, distribuite aleatoriu n absena cmpului electric exterior, prezint polarizare de orientare. Performanele dielectrice caracterizate prin r, i tg , sunt reduse, depinznd de temperatur i frecven, iar pierderile sunt mari. Astfel de materiale sunt polimeri cu molecula liniara care le confer flexibilitate i elasticitate (policlorura de vinil, polietilentereftalat, poliamide i polimetanice), precum i polimeri cu molecula spaial, care le confer rigiditate mecanic i termic (rini formaldehidice i epoxidice, celuloz).
1.8. Dielectrici solizi cu polarizare spontan [Ct] Polarizarea de deplasare electronic a ionilor reelei cristaline, este asociat prezenei unui cmp electric cristalin intern. Astfel, dac un ion este plasat ntr-un centru de simetrie al reelei, asupra sa vor aciona din motive de simetrie, componente egale i de sens opus ale cmpului intern, iar ionul respectiv nu posed moment electric propriu. Un ion plasat pe o ax sau ntr-un plan de simetrie, poate avea moment electric propriu orientat n lungul axei sau n planul de simetrie. Polarizarea de deplasare ionic apare datorit necoincidenei centrelor sarcinilor electrice pozitive i negative ale celulei elementare. Considerm o celula elementar cu simetrie tetragonal, reprezentata n fig.1.20. Cationul este deplasat cu distanta d 2 de-a lungul axei de simetrie 0z, rezultnd astfel polarizarea de deplasare ionic. Datorit simetriei reelei, att cationii ct i anionii sunt plasai pe axe de simetrie. Sub aciunea cmpului electric intern, att cationii ct i anionii au polarizarea de deplasare electronic pe direcia axei. Astfel, polarizarea de deplasare ionic i electronic au aceeai direcie i sens, iar cristalul va prezenta polarizare spontan pe direcia 0z, care este axa de uoara polarizare. Axele de polarizare grea sunt coninute n plane perpendiculare pe axa de uoar polarizare, sau de polarizare spontan i au aceeai indici Miller (vezi anexa 1.1). Pentru apariia polarizaiei spontane, este necesar ca n interiorul cristalului forele de interaciune de natur electric s depeasc forele de natur elastic. Prin aplicarea unui cmp exterior intens i orientat antiparalel cu polarizaia spontan, exist posibilitatea comutrii cationului n poziie simetric fa de centrul de simetrie al celulei, ceea ce determin modificarea sensului tuturor momentelor elementare ale ionilor, iar polarizaia spontan a cristalului va avea sensul cmpului electric aplicat. Dielectricii cu polarizare spontan prezint o puternic dependen a polarizaiei de temperatur, scznd cu creterea temperaturii, iar la temperatura 19

Curie, polarizaia spontan se anuleaz, cristalul avnd doar polarizaie temporar. Materialele feroelectrice, pentru care entropia se modific brusc la temperatura Curie, se numesc cu tranziii de ordinul 1, iar cele pentru care entropia variaz continuu, se numesc cu tranziii de ordinul 2. Aceste dependene sunt reprezentate n fig.1.21. La temperaturi superioare temperaturii Curie T C , aceste materiale nu mai au proprieti feroelectrice.

f ig.1 .20 Celu l e le me n ta r cu sime tr ie tetragonal .

f ig.1 .21 D ep enden a modu lu lu i polar iz aiei spon tane d e te mp eratu r, p en tr u f er o e le c tr i c i cu tr an z iii d e ord inu l 1 (a ) i de ord inu l 2 (b).

1.8.1. Materiale feroelectrice [Ct] a) Structuri de domenii n funcie de numrul direciilor prefereniale ale vectorului polarizaie, materialele feroelectrice se clasific n uniaxiale cu o axa de uoara polarizaie i axe perpendiculare de polarizaie grea, i multiaxiale, n care vectorul polarizaie are mai multe direcii de uoara polarizare. Din motive energetice, care vor fi discutate detaliat la materialele feromagnetice, polarizaia nu are o distribuie uniform sau aleatoare n volumul unui cristal feroelectric, ci se formeaz domenii n care polarizaia spontan egal cu polarizaia de saturaie, este uniform, domenii separate prin perei de domenii reprezentai n fig.1.22. Pentru titanatul de bariu BaTiO 3, cu simetrie tetragonal, a crui structur de domenii este reprezentat n fig.1.22c, grosimea pereilor de 180 este de 2nm, iar cea a pereilor de 90 , care apar n regiunea cubic central, este de10nm.

f ig.1 .22 Per e i d e 180 ( a) i d e 90 (b) n cr istale feroelectr ice.

20

Structura de domenii se modific sub influena cmpului electric, temperaturii i tensiunilor mecanice, ct i n timp. b) Dependena permitivitii relative complexe de cmpul electric aplicat, temperatur i frecven. Partea real a permitivitii feroelectricilor are valori foarte mari, de ordinul zecilor sau sutelor de mii, i prezint o puternic dependen de temperatur, mai ales n apropierea temperaturii Curie. n fig. 1.23, sunt reprezentate dependenele componentei reale a permitivitii, de temperatur i de cmpul electric aplicat din exterior.

f ig.1 .23 D ep enden a p r i i r e a le a p er mi t i v i t ii co mp lexe d e temp eratur : f er o e le c tr i c i cu tr an z iii d e faz de ord in 2 (a) ; f er o e le c tr i c i cu tr an z iii d e f az d e ord in 1 (b) ; d epend en a p r ii reale a p ermitiv it ii d e c mp , n f az a n ef ero ele c tr i c ( c).

n faza neferoelectric, corespunztoare unor temperaturi superioare temperaturii Curie, permitivitatea real se modific cu temperatura conform unei relaii asemntoare cu relaia (1.58): A r' = , (1.64) T T0 unde: A este o constant de material.

f ig.1 .24 Cic lu l h is teres is (a) ,(b) i d ep endena p e r mi t i v i t ii diferen ia le d e c mp u l e l e c tr i c ap l ic a t , n f a za f er o e le c tr i ca ( c).

n procesul de polarizare corespunztor fazei feroelectrice, polarizaia P, respectiv inducia electric D, se modific n funcie de intensitatea cmpului electric aplicat, dup un ciclu de histeresis, reprezentat n fig.1.24. Ciclul histeresis inducie-cmp, este mai nclinat i mai alungit dect ciclul polarizaie-cmp, care prezint dou segmente orizontale corespunztoare saturaiei, cnd toate momentele electrice elementare sunt orientate n direcia cmpului electric exterior, suficient de intens. Curba de prima polarizaie presupune polarizaie i inducie iniial nule pentru cmp nul. Starea materialului
21

feromagnetic la un moment dat este caracterizat prin polarizaie, mrime local sau moment electric, mrime global i cmp electric. n fig. 1.24, s-au reprezentat ciclurile de histeresis limit: astfel, numai punctele din interiorul ciclului de histeresis pot caracteriza starea materialului la un moment dat, care depinde de evoluia anterioar a procesului de polarizare. n fig. 1.24a, sunt reprezentate cicluri de histeresis minore, care presupun existena unei componente alternative suprapus sau nu, peste componenta continu a cmpului electric exterior. Pentru ciclul de histeresis, se definesc mrimile: Cmpul coercitiv EC , este cmpul electric exterior minim necesar pentru a produce anularea polarizaiei; Polarizaia remanent Pr , este polarizaia materialului corespunztoare absenei cmpului electric exterior; Polarizaia de saturaie Psat este polarizaia maxim a materialului, orientat n sensul cmpului electric aplicat; Permitivitatea relativ diferenial, este panta ciclului de histeresis n punctul considerat: 1 D ; (1.65) r'dif = 0 E T =const . Permitivitatea relativ reversibil este panta ciclului minor care se sprijin pe un punct plasat pe ciclul de histeresis: 1 D (1.66) r'rev = lim E 0 0 E E = E0 ; D = D0 i are valoare inferioar permitivitii relative difereniale, pentru c axa ciclului minor este mai puin nclinat dect tangenta n punctul respectiv al ciclului de histeresis; Permitivitatea relativ iniial, se definete n originea axelor de coordonate: 1 D (1.67) r'in. = lim E 0 0 E E = 0; D = 0 Dependena permitivitii relative reversibile de intensitatea cmpului electric continuu sau alternativ, este reprezentat n fig. 1.5, iar dependena de frecvena cmpului electric este reprezentat n fig. 1.25a. Permitivitatea reversibil este constant pn la frecvena de relaxare, care are valoarea de 2GHz, pentru titanatul de bariu. Pentru frecvene inferioare celei de relaxare, partea imaginar a permitivitii crete aproape liniar cu frecvena (fig. 1.25b). Pierderile de energie n materiale feroelectrice au valori ridicate, fiind proporionale cu suprafaa ciclului de histeresis i dependente de temperatur. Astfel, n apropierea temperaturii Curie, tangenta unghiului de pierderi, este crescut: tg 0,1 .

f ig.1 .25 Dep enden a de fr ecv en a p e r mi t i v it ii rev er s ib ile r e a le (a) i a p r ii imag in are a p ermitiv iti i f er o e le c tr i lor (b) .

22

Pierderile ridicate impun utilizarea unei scheme echivalente serie pentru un condensator feroelectric, care este reprezentat mpreun cu diagrama vectorial asociat, n figura (1.26).

f ig.1 .26 S ch e ma e ch iva len t s er i e i d ia g r a ma v e c to r i a l p entru un conden sator cu f ero e le c tr i c ( cu p i erd er i se mn i f i ca t iv e).

Tangenta unghiului de pierderi are expresia: tg = 'r' 'r = rs CS

(1.68)

Experimental se constat c valorile C S i rs sunt aproape independente de temperatur i cmpul electric aplicat. Rezult c dependenele prii imaginare a permitivitii relative fa de temperatur i cmp, au aceeasi form ca i dependenele prii reale, reprezentate n fig. 1.23. c) Cristale feroelectrice Cristalele feroelectrice au structuri de tip perovskit, piroclor sau cu legatur de hidrogen. Structura perovskit ABO 3 este reprezentat n figura (1.27). Prin A s-a notat un element mono-, bi-, sau trivalent, iar B reprezint un element tri-, tetra-, sau pentavalent. Aceste structuri au simetrie cubic i conin cationi metalici n interstiii octaedrice formate din anioni de oxigen. Structurile tip perovskit pot avea proprieti feroelectrice, numai atunci cnd la temperaturi inferioare temperaturii Curie, apar mici deformaii fa de reeaua cubic. n structurile de tip piroclor A 2 B 2 O 7 , reeaua cristalin este format din octaedrii [BO 6 ] , cu vrfurile comune i uor deformabile. Aceti octaedri deformai determin apariia polarizaiei spontane. n structurile cu legatur de hidrogen, polarizaia spontan apare ca o suma a momentelor electrice dipolare ale legturilor covalente de hidrogen: A-H, dipolul astfel format interacionnd electrostatic cu un alt ion de tip B.

f ig.1 .27 C el u l a e le me n ta r a s tru c tur ii p erov skit p en tru T>T c.

1.8.2. Cristale lichide [Ct] Cristalele lichide sunt substane organice cu molecule lungi, cu seciuni circulare, care se pot roti n jurul axei proprii i care posed moment electric 23

permanent puternic. Ele formeaz o familie foarte numeroas. Starea de cristal lichid, caracterizat prin ordonarea moleculelor i anizotropie, se manifest ntre dou temperaturi de tranziie: pentru temperaturi inferioare temperaturii de topire, cristalul devine solid, iar pentru temperaturi superioare temperaturii de limpezire, cristalul devine izotrop. n figura (1.28) sunt reprezentate cele dou tipuri de cristale lichide. n cristale lichide smectice, moleculele formeaz straturi cu grosime de aproximativ 20, n care moleculele sunt paralele ntre ele. Fa de planul stratului, moleculele sunt perpendiculare sau nclinate, se pot deplasa n plan, dar nu se pot deplasa dintr-un plan n altul. n cristalele lichide colesterice, direcia de orientare a moleculelor, se modific de la un strat la altul, ntr-o manier elicoidal. Moleculele se pot deplasa n planul stratului i dintr-un strat n altul.

f ig.1 .28 Mod e lu l ordon rii mo leculare: lich id izo trop (a); cris tal lich id smectic ( b ); cris tal lich id n e ma tic (c) ; cr is ta l lic h id co le s ter ic ( d)

Cristalele lichide nematice au de asemenea molecule paralele ntre ele, care se pot deplasa n toate direciile. Cristalele lichide nematice au doar polarizare temporar, care se manifest anizotrop, avnd o axa de simetrie care, reprezint axa de uoar polarizare. Notm cu r , r permitivitile relative complexe n lungul axei de simetrie, respectiv dup o direcie perpendicular pe axa de simetrie. Pentru un cmp electric aplicat nclinat fa de planul dipolilor, expresiile componentelor induciei electrice de-a lungul axei i de-a lungul unei direcii perpendiculare pe ax, sunt [Ct]: D// = r, // 0 E cos (1.69)
' '

D = r, 0 E sin (1.70) unde: este unghiul format ntre axa de simetrie i direcia cmpului electric aplicat. Cristalele lichide au anizotropie dielectric pozitiv, dac: r, // r, > 0 i negativ n caz contrar. Pentru minimizarea energiei interne, moleculele se orienteaz paralel cu cmpul electric n cristalele lichide cu anizotropie pozitiv i perpendicular pe liniile de cmp, pentru cele cu anizotropie negativ. n straturi subiri, cristalele lichide sunt optic active i posed birefringen pronunat. Unele structuri de cristal lichid nematic rotesc planul de polarizare al fluxului luminos liniar polarizat, n funcie de intensitatea cmpului electric aplicat.
1.8.3. Cristale piezoelectrice [Ct] Efectul piezoelectric direct este proprietatea unor cristale de a-i modifica starea de polarizare sub aciunea tensiunilor mecanice, iar efectul piezoelectric 24

invers este deformarea reelei cristaline sub aciunea cmpului electric. Interaciunea care transform prin intermediul cristalului, energia electric n energie elastic i invers, este folosit pentru realizarea unor dispozitive cu und elastic de volum sau de suprafa. Din categoria materialelor utilizate pentru realizarea dispozitivelor cu unda elastic de volum, fac parte cuarul (SiO 4 ) i unele cristale feroelectrice cum sunt titanatul de bariu (BaTiO 3 ) , sau niobatul de sodiu i potasiu. Cuarul este utilizat sub form de bare sau plachete paralelipipedice pentru fabricarea rezonatoarelor, iar cristalele feroelctrice sunt utilizate pentru realizarea filtrelor, traductoarelor de vibraii acustice, ct i a rezonatoarelor. Frecvena de rezonan depinde de dimensiunile cristalului. Dispozitivele cu und elastic de suprafa utilizeaz undele Rayleigh polarizate eliptic i atenuate n adncime (vezi anexa 1.2). Aceste dispozitive sunt formate dintr-un traductor emitor, care transform semnalul electric n und elastic, care se propag pe suprafaa unui cristal piezoelectric. Un traductor receptor transform unda elastic n semnal electric. Cuarul, niobatul de litiu, germaniatul de bismut, nitratul de aluminiu, sunt doar cteva dintre aceste materiale utilizate la realizarea filtrelor trece band, (pna la frecvene de ordinul: n GHz ), linii de ntrziere, codoare i decodoare.
1.8.4. Electrei [Ct] Electreii sunt materiale dielectrice care prezint polarizaie remanent de lung durat. a) Termoelectreii se obin prin nclzirea n cmp electric a dielectricului pn la o temperatur apropiat de temperatura de topire. Mobilitatea sarcinilor electrice se mrete, producndu-se acumulri de sarcini pe suprafeele dielectricului. Dipolii se vor orienta dup direcia liniilor de cmp electric i vor "nghea" n poziiile lor, prin scderea temperaturii. Eterosarcina se formeaz prin orientarea dipolilor, sau deplasarea sarcinilor (fig.1.29a) Omosarcina este sarcina distribuit superficial transferat de la electrozi prin strpungeri locale ale interstiiului electrod electret, apare n cmpuri electrice intense i, avnd pondere mai mare dect eterosarcina, stabilete semnul sarcinii elecetrice superficiale (fig. 1.29b).

f ig.1 .29 For ma r e a s ar c in i lor t er mo el e c tr eilor : e tero s arc in i (a ) ; o mo sa rc in i ( b ).

Electreii formai n cmp electric sczut (E<0,5 MV/m), nu prezint omosarcin (fig. 1.30a), care scade n timp printr-un proces de relaxare a dipolilor. Cei formai n cmp electric intens (E>100MV/m), posed omosarcin (fig. 1.30b), care scade printr-un proces de conducie. Electreii formai n cmpuri electrice medii, posed att eterosarcin ct i omosarcin, care se
25

compenseaz la un moment dat.

f ig.1 .30 Varia i a n t i mp a d en si t ii de sarcin a e l e c tr e ilor : ter mo ele c tr ei forma i n c mp u r i s l ab e (a) ; te r mo e l e c tr ei f o r mai n c mp u r i p u te r n ic e ( b) ; t e r mo e le c tr e i f o r mai n c mp ur i me d ii ( c) .

b) Fotoelectreii sunt realizati din materiale fotoconductoare (cum este sulfura de zinc), plasate n cmp electric i puternic iluminate. Dac energia cuantelor de lumin este suficient pentru a transfera electroni din banda de valen n banda de conducie, aceti electroni sunt captai pe nivele locale, create prin defecte n reeaua cristalin (fig. 1.31). Dup anularea fluxului luminos i a cmpului electric, electronii captai pe nivele locale produc polarizaie remanent, dar revin n poziiile iniiale prin nclzirea materialului. Iluminarea distruge instantaneu polarizaia remanent, determinnd trecerea tuturor electronilor de pe nivelele locale n banda de conducie.

f ig.1 .31 D ia g r a ma n iv el e l o r ene r g et i c e nt r - u n f o t e le c tr e t.

c) Pseudoelectreii se obin prin captarea electronilor radiaiei (format din electroni) i pe nivelele locale generate prin defecte ale reelei cristaline ale suprafeei iradiate (fig. 1.32).

f ig.1 .32 S tr u c tu r a p s eu d o e le c tr eilor.

26

Cmpul electric al sarcinii astfel fixate va aciona asupra sarcinii din electrodul metalic, atrgnd sarcina electric pozitiv pe suprafaa inferioar a materialului dielectric.
1.9. ntrebri 1. Definii starea de polarizare a materialelor dielectrice i mrimile polarizaie i moment electric i precizai unitile lor de msur; 2. S se indice criteriul dup care se clasific materialele dielectrice i s se enumere tipurile de materiale dielectrice, precum i semnificaiile mrimilor n funcie de care se efectueaz clasificarea materialelor dielectrice. 3. Clasificai materialele dielectrice din punct de vedere al relaiei cauzale ntre cmpul electric i polarizaia temporar i comentai relaia sub aspectul susceptivitii electrice i al postefectului; 4. Explicai apariia postefectului n materialele dielectrice pe baza relaiilor i diagramelor asociate; 5. S se explice necoliniaritatea vectorilor inducie electric i cmp electric pentru frecvene nalte i apariia postefectului; 6. Analizai curbele de histeresis ale dependenelor: polarizaie-cmp, respectiv inducie-cmp electric, pentru materialele feroelectrice i explicai prin ce difer cele dou diagrame; Se are n vedere nclinarea diferit a celor dou tipuri de curbe, datorit expresiei induciei electrice, care este o funcie de cmpul electric aplicat. 7. Scriei legea de material pentru materiale dielectrice, utiliznd mrimi vectoriale sau complexe i artai motivul pentru care relaia ntre mrimile complexe este mai susceptibil interpretrii teoretice; 8. Explicai motivul pentru care vectorii asociai induciei electrice i cmpului electric nu mai sunt coliniari atunci cnd frecvena cmpului electric aplicat materialului dielectric se mrete; 9. Explicai apariia postefectului n materiale dielectrice pe baza relaiilor i diagramelor i analizai comportarea materialelor dielectrice atunci cnd frecvena cmpului electric aplicat din exterior se mrete; 10. S se argumenteze corectitudinea expresiei permitivitii electrice complexe din diagramele fazoriale ale unui condensator cu dielectric, utiliznd schema echivalent paralel; 11. Pentru determinarea componentei reale a permitivitii relative i a tangentei unghiului de pierderi a unui material dielectric, se utilizeaz un circuit cu rezonan de tensiune i un Q-metru. S se stabileasc configuraiile circuitelor de msurare i algoritmul msurrilor; (vezi anexa 1.3) 12. Enumerai i comentai tipurile i subtipurile de polarizaii ale materialelor dielectrice; 13. S se explice motivul intersectrii caracteristicilor din familia de caracteristici ale componentei reale a permitivitii n funcie de cmpul electric continuu aplicat, pentru materialele feroelectrice; 14. Definii rigiditatea dielectric i specificai condiiile impuse unui material dielectric cu funcie de izolaie electric; 15. S se deduc relaiile Debye pentru dielectricii cu polarizare de deplasare i s se traseze diagramele stabilite pe baza relaiilor. R : Cunoscnd expresia polarizabilitii unui material dielectric cu polarizare de deplasare i fr pierderi prin conducie: 27

t cos( 0 t + 0 ), unde: este constanta de timp de relaxare, 0 este pulsaia de rezonan a particulei ncrcate electric, iar 0 este faza iniial, se vor determina expresiile componentelor permitivitii relative complexe. Expresia permitivitii complexe este:

(t ) = (0) exp

r = j = r + (t ) exp( jt )dt

' r " r 0

unde r este permitivitatea relativ instantanee, corespunztoare frecvenei care tinde spre infinit . n expresia permitivitii se introduce expresia polarizabilitii, se descompune funcia armonic ntr-o diferen de funcii armonice i se integreaz expresiile astfel obinute, avnd in final expresia: (0) 1 + jtg 0 1 jtg 0 + r = r + cos 0 . 2 1 j 0 1 + j 0

(0) 1 + jtg 0 1 jtg 0 + cos 0 . , 2 1 j 0 1 + j 0 1 + jtdg 0 cos 0 . r" = 0. sau: r = rst = r + (0 ) = 1 + ( 0 ) 2 Pentru 0 i 0 >> 1, expresia permitivitii complexe este: r = r +

Pentru << 0 , expresia are forma:

r = r +

(0)
2

r 2 1 + ( )2 unde: = 0 i:

r' = r +

tg 0 1 + j tg 0 1 2 0 2 0 0 0 "

cos 0 . , sau 0 r = r 2 1 + ( )2

r = rst r =

(0) 1 tg 0 cos 0 2 1 1 + ( 0 )

La frecvena de rezonan pierderile de energie care se transform n cldur i de asemenea r" , care caracterizeaz pierderile de energie, sunt maxime. Pentru: >> 0 , expresia permitivitii complexe este:

r = r + r' = r

(0)

j 1 cos 0 ., sau: + 2 2 1 1 + ( 0 ) 1 + ( 0 ) (0 ) si r" = cos 0

16. Definii polarizabilitatea electric i precizai semnificaia mrimii i crui aspect al comportrii materialului dielectric i corespunde; 17. S se arate care este semnificaia fizic a polarizabilitii i care este legtura dintre polarizabilitatea i permitivitatea real. Se are n vedere c amplitudinea mrit a coordonatei liniare (a particulei ncrcate electric), sau unghiulare (a dipolului) n procesul de relaxare la 28

anularea cauzei perturbatoare (cmp electric), implic polarizabilitate mrit, ntruct momentul elementar este n raport direct cu deplasarea liniar sau unghiular fa de poziia de echilibru. 18. Utiliznd schema echivalent paralel a unui condensator cu dielectric s se argumenteze asocierea dintre componenta real a permitivitii i capacitatea dielectricului de a se polariza, precum i asocierea dintre componenta imaginar a permitivitii i pierderile de putere activ din dielectric; 19. S se stabileasc diagrama puterilor pentru un condensator cu dielectric utiliznd schema echivalent paralel. 20. S se argumenteze gradul de generalitate al expresiei permitivitii relative complexe n funcie de permitivitatea relativ instantanee i polarizabilitate, expresie care este valabil att pentru dielectricii cu polarizare de deplasare ct i pentru cei cu polarizare de orientare. Se are n vedere procesul de relaxare la anularea cauzei perturbatoare. 21. S se stabileasc ipotezele modelului teoretic al dielectricului ideal cu polarizare de deplasare i fr pierderi prin conducie; 22. S se compare dou materiale dielectrice diferite din punct de vedere al polarizabilitii, avnd n vedere ecuaia de micare, de revenire a sarcinilor electrice la anularea cmpului electric exterior . Se va ine cont c un material dielectric are polarizabilitate crescut atunci cnd pentru acelai cmp electric aplicat, deplasarea liniar sau unghiular (pentru dipoli) fa de o poziie de echilibru (n absena cmpului electric exterior), este mai mare. 23. S se descrie modul n care s-a obinut expresia permitivitii relative complexe n funcie de polarizabilitate, i s se precizeze motivul pentru care expresia obinut este valabil att pentru dielectricii cu polarizare de deplasare ct i pentru cei cu polarizare de orientare; n cele dou cazuri, expresiile polarizabilitii sunt diferite, avnd constante de timp de relaxare diferite, dar procesele sunt asemntoare cu deosebirea c deplasarea liniar a sarcinilor electrice, sub influena cmpului electric aplicat se transform n deplasare unghiular pentru dipoli; 24. S se determine expresia conductivitii materialelor dielectrice solide n funcie de temperatur. R: Comportarea materialului dielectric este similar comportrii unui material semiconductor. Presupunem cunoscute: limea benzii interzise E g , concentraiile de electroni din banda de conducie N c i valen N v , mobilitile electronilor n i golurilor p , dependenele de temperatur ale concentraiilor de electroni: Cy T 1.5 i ale mobilitilor: n , p T 2.5 . La conducia electric particip ambele tipuri de purttori de sarcin, cu concentraiile n, p, a cror expresii sunt: n = NC e ; p = NV e , unde: k este constanta lui Boltzmann, iar E F este nivelul Fermi. Presupunem nivelul Fermi plasat la mijlocul benzii interzise. n acest caz, expresia conductivitii este:
EC E F kT E F EV kT

= n + p = e(N C n + N V p ) e
unde: e- este sarcina electronului.

E F EV 2 kT

(1)

29

Pentru ca: N T 1.5


b

si T 2.5 .Conductivitatea se poate scrie sub forma:

B = e T , unde: b i B sunt mrimi independente de temperatur. Aceast T expresie este valabil i pentru dielectricii solizi. Cu creterea temperaturii, creterea de tip exponenial a conductivitii este mai pronunat dect scderea de tip hiperbolic, n consecin, conductivitatea va crete cu creterea temperaturii; 25. Un senzor de temperatur este realizat dintr-o plac din siliciu de grosime 1 i seciune S. Se cunosc: limea benzii interzise E g ,concentraiile
de electroni din banda de conducie N c i valen N v , mobilitatea electronilor n i golurilor p , dependenele de temperatur ale concentraiilor de electroni:

C , T 1.5

ale

mobilitilor:

n , p T 2.5 .

se

determine

sensibilitatea

senzorului dR/dT, dac se cunosc conductivitiile: 1 , 2 la temperaturile T1 si T2 . R: La conducia electric particip ambele tipuri de purttori de sarcin, cu concentraiile n, p; a cror expresii sunt: n = N c exp[ (EC E F ) / kT ], p = N V exp[ (E F EV ) / kT ], unde: k este constanta lui Boltzmann, iar E F este nivelul Fermi. Presupunem nivelul Fermi plasat la mijlocul benzii interzise. n acest caz, expresia conductivitii este: = n + p = e(N C n + N V p ) exp( E g / 2kT ), (1)

unde e- este sarcina electronului. Pentru c N T 1.5 i T 2.5 ,conductivitatea se poate scrie sub forma: B b = exp , T T unde: B i b sunt mrimi independente de temperatur. Aceast expresie este valabil i pentru dielectricii solizi. Cu creterea temperaturii, creterea de tip exponenial a conductivitii este mai pronunat dect scderea de tip hiperbolic, n consecin, conductivitatea va crete cu creterea temperaturii. ntruct se cunosc valorile 1 , 2 la T1 , T2 , rezult:
T T1T2 ln 2 2 1T1 , b= B = 1T1 exp( b / T1 ) = 2T2 exp( b / T2 ). T2 T1 Expresia rezistenei senzorului de temperatur este de forma: l T l R= = exp(b / T ), S BS iar panta de conversie, sau sensibilitatea senzorului, este:

1 dR b exp (1 b / T ). = dT BS T Valorile conductivitiilor pentru cele doua temperaturi se pot calcula din relaia (1), dac se cunosc concentraiile N c i N v i mobilitile n i p la
dou temperaturi diferite.

30

26. S se traseze i s se comenteze diagramele componentelor permitivitii relative complexe n funcie de frecvena cmpului electric aplicat, obinute pe baza relaiilor Debye; 27. S se analizeze pierderile prin conducie a materialelor dielectrice gazoase, lichide i solide, cu diagramele i explicaiile aferente. 28. Utiliznd legile fluxului electric i a conduciei electrice, s se descrie relaiile rezistenei de pierderi a materialelor dielectrice cu polarizare de deplasare i pierderi prin conducie n regim staionar; 29. S se deduc pe baza schemei echivalente a materialelor dielectrice cu polarizare de orientare i pierderi prin conducie, expresiile componentelor permitivitii electrice i a tangentei unghiului de pierderi i s se descrie dependena acestora n funcie de frecven i temperatur; 30. S se descrie ipotezele care stau la baza modelului teoretic al dielectricilor cu polarizare de orientare i s se pun n eviden deficientele acestor ipoteze simplificatoare; 31. Pe baza modelului teoretic al dielectricilor cu polarizare de orientare, s se stabileasc i s se comenteze comparativ cu expresia analoag pentru dielectrici cu polarizare de deplasare, expresia permitivitii relative complexe; 32. S se determine expresia conductivitii materialelor dielectrice solide n funcie de temperatur. R: Comportarea materialului dielectric este similar comportrii unui material semiconductor. Presupunem cunoscute: limea benzii interzise E g ,

concentraiile de electroni din banda de conducie N c i valen N V , mobilitile electronilor n i golurilor p , dependenele de temperatur ale concentraiilor de electroni: N C ,V T 1.5 i ale mobilitilor: n , p T
2 .5

La conducia electric particip ambele tipuri de purttori de sarcin, cu concentraiile n, p, a cror expresii sunt: , unde: k este constanta lui Botzmann, iar E F este nivelul Fermi. Presupunem nivelul Fermi plasat la mijlocul benzii interzise. n acest caz, expresia conductivitii este:

n = NC e

EC EF kT

; p = NV e

EF EV kT

= n + p = e(N C n + NV p )e
unde: e este sarcina electronului. Pentru c:

Eg 2 kT

(1)

N T 1 .5 i

T 2 .5 ,

conductivitatea se poate scrie sub

b B T e , unde: B i b sunt mrimi independente de temperatur. forma: = T

Aceast expresie este valabil i pentru dielectricii solizi. Cu creterea temperaturii, creterea de tip exponenial a conductivitii este mai pronunat dect scderea de tip hiperbolic, n consecin, conductivitatea va crete cu creterea temperaturii. 33. S se traseze i s comenteze dependenele de frecven i temperatur al componentei reale a permitivitii i ale tangentei unghiului de pierderi pentru dielectrici cu polarizare de orientare i pierderi prin conducie;
31

34. S se deduc relaiile Debye pentru orientare i pierderi prin conducie i s se traseze i a tangentei unghiului de pierderi, stabilite pe frecven, pentru diferite temperaturi; R: Cunoscnd expresia polarizabilitii

dielectrici cu polarizare de diagramele permitivitii reale baza relaiilor, n funcie de


unui material

dielectric cu t polarizare de orientare i fr pierderi prin conducie (t ) = (0) exp ;unde este constanta de timp de relaxare, se vor determina expresiile componentelor permitivitii relative complexe. Expresia permitivitii relative complexe este:

r = r' j r" = r + (t ) exp( jt )dt

unde r este permitivitatea relativ instantanee, corespunztoare frecvenei care tinde spre infinit. Permitivitatea relativ n regim staionar sau pentru frecven nul se noteaz cu rst iar r = rst r > 0 ,pentru c pe msur ce frecvena se mrete apar pierderi prin polarizare. n expresia permitivitii se introduce expresia polarizabilitii i prin identificare rezult: r' = r + 2 1 + ( )

r" = r

2 1 + ( ) r tg = rst + r ( )2

Dac se consider un dielectric cu pierderi prin conducie i polarizare de orientare, n expresia componentei r" mai apare un termen corespunztor pierderilor de putere prin conducie:

+ rst , 2 p 1 + ( ) unde: p = 0 rst , iar tangenta unghiului de pierderi are forma: r" = r "
r

rst 1 + ( )2 + r 2 tg = ' = r [ rst + r ( ) 2 ]


Prin anularea derivatei tangentei unghiului de pierderi se obine maximul datorat pierderilor prin polarizare, pentru: 1 rst

35. S se stabileasc relaiile Debye pentru materiale dielectrice cu neomogeniti; R: Se vor determina componentele permitivitii relative complexe ale unui material dielectric poros introdus ntre armturile unui condensator, care are in vid capacitatea C 0 .Condensatorul cu dielectric poros se consider ca fiind format din dou condensatoare cu dielectrici omogeni nseriate, a cror capaciti i rezistene de pierderi sunt cunoscute. 32

Admitana schemei echivalente are expresia: (1 + j 1 ) (1 + j 2 ) 1 Y= = j ( r' j r" ) C 0 1 + j R1 + R2 forma : unde: 1 = R1 C1 , 2 = R2 C 2 iar are
R1 R2 (C1 + C 2 ) R1 + R2 Prin identificare se obin expresiile componentelor permitivitii relative complexe: 1 rst = ( 1 + 2 + ), r C 0 (R1 + R2 ) ' r = r + 2 1 + ( ) 1 r = 1 2 unde: C 0 (R1 + R2 ) r" = r + rst 2 1 + ( ) = rst C 0 (R1 + R2 )

Alt variant de rezolvare se obine considernd schema echivalent serie. Relaiile de legtur ntre componentele R p ,C p ale schemei echivalente i componentele R S ,C S ale schemei echivalente serie sunt: RS = R p sin 2 C S = C p 1 + tg 2 , unde: tg 2 = ( ) C p R p = C S RS .
1

Admitana schemei echivalente serie, este de forma: j C Y= = j r' j r" C 0 , 1 + jCR 1 1 C = C1 1 + . + C 2 1 + 2 2 (C1 R1 ) (C 2 R2 ) unde: R1 R2 R= + . 2 (C1 R1 ) (C 2 R2 )2

Prin identificare se obin expresiile componentelor r' i r" .

33

36. S se explice motivul pentru care caracteristicile din familia de caracteristici r, ( f ); tg ( f ) - cu parametru temperatur, se pot intersecta, rezultnd din punct de vedere matematic: nedeterminarea procesului fizic; 37. S se traseze i s se explice pentru dielectricii gazoi alura caracteristicilor rigiditii dielectrice n funcie de distana dintre electrozi, forma electrozilor, presiunea i frecvena semnalului de tensiune aplicat electrozilor; 38. S se analizeze strpungerea dielectricilor solizi prin ionizare proprie i a incluziunilor gazoase; 39. S se analizeze pe baza relaiilor i diagramelor, strpungerea termic a dielectricilor solizi; 40. S se argumenteze pe baza relaiilor i diagramelor asociate strpungerii termice a dielectricilor solizi, modalitile de evitare a acestui tip de strpungere electric; 41. Enumerai tipurile i subtipurile de materiale dielectrice cu polarizare de deplasare temporar i spontan i precizai proprietile caracteristice acestor materiale dielectrice; 42. Explicai natura polarizaiei spontane de deplasare ionic utiliznd pentru exemplificare o structur elementar cu simetric tetragonal, apariia cmpului electric intern i efectele acestuia asupra polarizrii de deplasare electronic; 43. S se exemplifice i s se motiveze apariia polarizrii de deplasare ionic n dielectrici solizi cu polarizare spontan, precum i procesul de comutare a sensului polarizaiei sub influena cmpului electric exterior; 44. Explicai comportarea materialelor feroelectrice n funcie de temperatur i cmpul electric aplicat, pe baza diagramelor polarizaiei, respectiv ale componentei reale a permitivitii electrice; 45. Prin ce se aseamn materialele feroelectrice n faza neferoelectric cu materialele dielectrice cu polarizare de orientare; 46. Analizai i comparai curbele de histeresis P = f (E ) si D = f (E ) pentru materiale feroelectrice i stabilii pe baza diagramelor, componentele reale ale permitivitii electrice; 47. Cunoscnd ciclul de histeresis limit pentru un material feroelectric, s se traseze ciclurile de histeresis minore atunci cnd peste componenta continupozitiv sau negativ a cmpului electric aplicat, se suprapune i o component alternativ; Se cere s se traseze diagrama P(E) sau D(E), tiind c toate punctele de stare ale materialului care se afl n interiorul ciclului de histeresis limit i se consider cazurile n care peste componenta continu a cmpului (care stabilete un punct situat pe curba de prim polarizare, pe ciclul limit sau pe un ciclu minor cuprins n interiorul ciclului limit), se aplic i o component variabil n timp (dup o lege armonic), care determin deplasarea punctului de stare pe un ciclu minor. 48. S se motiveze relaia de inegalitate dintre permitivitatea real diferenial i cea reversibil, pentru un material feroelectric; 49. S se argumenteze forma diferit a dependenelor induciei electrice, respectiv polarizaiei electrice n funcie de cmpul electric aplicat unui material feroelectric; Se are vedere nclinarea diferit a celor dou tipuri de curbe, datorit 34

expresiei electrice, care este o funcie de cmpul electric aplicat. 50. Descriei comportarea materialelor feroelectrice pe baza dependenelor componentei reale a permitivitii electrice de cmpul electric exterior: alternativ i continuu, precum i pe baza dependenei de frecvena cmpului electric aplicat; 51. Analizai pierderile de energie din materialele feroelectrice: de care mrimi depind aceste pierderi i explicai pe baza schemei echivalente a materialului feroelectric i pe baza constatrilor experimentale similitudinea alurii dependenelor componentelor imaginare i reale ale permitivitii, de temperatur i cmpul electric aplicat; 52. S se specifice mrimea de care depind preponderent pierderile de energie n materialele feroelectrice mult mai ridicate dect la materiale dielectrice; 53. Enumerai tipurile de cristale lichide i precizai caracteristicile acestor materiale i efectele electrooptice pe care le prezint; 54. Descriei procesele care au loc ntr-un cristal piezoelectric utilizat n dispozitive cu und elastic de volum i se suprafa; 55. Descriei structura i modul de funcionare a unui filtru trece-band cu und de suprafa, preciznd care sunt caracteristicile distinctive ale acestui dispozitiv; 56. Explicai cum se genereaz eterosarcina i omosarcina electreilor i modul n care se modific densitatea de sarcin superficial i polarizaia remanent n timp. 57. Explicai procesul de distrugere instantanee prin iluminare a polarizaiei remanente a fotoelectreilor.
1.10 Probleme 1 . Un condensator plan, avnd ca material dielectric ntre armaturi, ceramic mulitica cu coninut de bariu, cu 'r =7,3, distanta dintre armaturi fiind: d=1cm, functioneaza la o tensiune aplicata de 12KV. Datorita unui soc mecanic, la una dintre armaturi s-a creat un interstitiu de aer, cu grosime =0,5mm. Sa se calculeze valoarea cmpului electric n interiorul condensatorului n cele doua situatii si sa se determine ordinea de strapungere n cazul n care strapungerea are loc. Se cunosc rigiditatile aerului si ceramicii: E st r.ae r =3MV/m, E s tr . ce ra mi c a =19MV/m.

Rezolvare: Tensiunea aplicata armaturilor are expresia:

U12 = E
1

dl =Ed

de unde rezulta: E =
U12 12 10 3 = = 1,2 MV m < E str.ceramica d 10 2

35

si condensatorul nu se strapunge. Pentru condesatorul cu interstitiu de aer, tensiunea aplicata armaturilor, este: U12 = E
1 2

dl =E 0

+ dE

Din legea fluxului elctric rezulta teorema continuitatii inductiei electrice pe suprafete normale pe directia cmpului electric: D 0 = 0 E 0 = 0 'r E =D Rezolvnd sistemul de ecuatii, rezulta: U 12 = 0,879 MV m < E str .ceramica , E = d + r' E 0 = 'r E = 6,4 MV m > E str .aer Interstitiul de aer se va strapunge si sub actiunea arcului electric se va deteriora n timp dielectricul ceramic si n final se va distruge condensatorul. Este de subliniat pericolul existentei interstitiilor de aer, chiar si uniforme si cu att mai mult neuniforme, in interiorul spatiului dintre armaturi. Presupunem ca se aplica condensatorului tensiunea U = 12KV, si ulterior se ntrerup conexiunile bornelor sursei de tensiune cu armaturile condensatorului. Se va analiza si n acest caz efectul interstitiului asupra strapungerii ansamblului. Daca suprafata armaturilor este S si sarcina electrica acumulata pe armaturi este q, capacitatea condensatorului fara interstitiu de aer, este: C = q = 0 'r S
U d

iar capacitatea condensatorului cu interstitiu de aer, are expresia: C =


C 1 + 'r d

Intruct sarcina electrica acumulata pe armaturi nu se modifica, trensiunea la armaturile condensatorului cu interstitiu de aer are expresia: q = U(1 + 'r ) . U = d C' S-a constatat ca pentru tensiunea U = 12KV aplicata condensatorului cu interstitiu de aer, aerul se va strapunge. Cresterea de tensiune datorita aparitiei interstitiului implica o crestere suplimentara a cmpului n interstitiul de aer: E '0 =
U +d 'r

(1 +

' r ) d

Prin urmare strapungerea aerului va avea loc si n acest caz.


2 . Dielectricul dintre armaturile unui condensator plan cu suprafata armaturilor S= 100cm 2 si distanta dintre ele: d=10m, este o folie din polistiren, fara interstitii de aer, cu: 'r = 2,5, =10 1 0 m, E s t r =30MV/m. Sa se calculeze puterea activa dezvoltata prin conductie electrica pentru o tensiune continua aplicata condensatorului: U =200V. Rezolvare: Initial se verifica daca nu se strapunge condesatorul la tensiunea aplicata.

36

E =

U = 20 MV m < E str d

Densitatea de curent se determina cu expresia: J = E = E = 2 103 A m 2 Puterea dezvoltata prin conductie electrica se determina in doua moduri: a) Puterea activa specifica dezvoltata in unitatea de volum, are expresia: p = J E = 4 104 W m3 , iar puterea activa este: P=pSd=4 10 3 W b) Curentul de conductie prin rezistenta echivalenta paralela a condensatorului este: I=JS=2 10 - 5 A , iar rezistenta echivalenta are expresia: R = = 107 . Rezulta pierderile de putere activa, care se transforma in caldura: P a =RI 2 =
U2 = 4 10 3 W . R
d S

In conditii stationare, pierderile de putere activa se datoreaza exclusiv curentilor de conductie si prin urmare sunt minime.
3 . Sa se considere aceeasi problema n conditiile n care tensiunea aplicata condensatorului nu este continua ci alternativa, iar tangenta unghiului de pierderi -4 este: tg = 410 . Sa se calculeze puterea activa dezvoltata n condensator pentru o tensiune: U e f =200V la frecventa de 5KHz si modulul permitivitatii relative complexe. Rezolvare: Valoarea efectiva a unei marimi sinusoidale se determina prin echivalarea marimii sinusoidale cu aceeasi marime - dar continua, care produce aceeasi disipatie de putere ntr-un rezistor a carui rezistenta este data. In curent alternativ, pe lnga pierderile prin conductie apar si pierderi prin polarizare electrica. Consideram schema echivalenta paralel si diagramele fazoriale asociate.

Se determina componentele schemei echivalente paralel:


Cp =
Rp =

0 r, S
d
1

= 22 10 9 F
= 3,62 10 6

C p tg

Puterea activa dezvoltata n rezistenta este:


Pa = U2 = 11 10 3 W Rp

37

Se observa ca puterea disipata n curent alternativ este superioara celei dezvoltate n curent continuu. Modulul permitivitatii complexe se detrmina din relatia:

r = r, 2 + r,, 2 = r, 1 + tg 2 r, = 2,5
Diagrama puterilor este un triunghi asemenea triunghiului curentilor, din care s-a obtinut, cu deosebirea ca laturile triunghiului sunt segmente de dreapta a caror lungime corespunde puterii respective.

4 . O baterie de condensatoare de putere, destinata compensarii factorului de putere: cos , functioneaza la o tensiune alternativa: U=220 V si frecventa: f=50 Hz, fiind parcursa de un curent: I=10 A. Uleiul folosit ca dielectric se caracterizeaza prin: tg = 300 10 4 , r' = 2,2 si E str = 20MV / m . Sa se calculeze valoarea capacitatii si cresterea de temperatura, atunci cnd se aplica condensatorului o tensiune corespunzatoare cmpului electric: E = E str / 10 .

Puterea disipata se degaja prin convectie cu coeficientul: k = 10W / m 2 C . Condensatorul este de forma paralelepipedica si constructie interdigitala avnd suprafata armaturilor: S = 1m 2 si distanta dintre armaturi: d = 0,675mm .
Rezolvare: Consideram schema echivalenta paralel a condensatorului.

Tangenta unghiului de pierderi are expresia: 1 P UI cos tg = ctg = a = . = Pr UI sin R pC p Stiind ca: S 2 = Pa2 + Pr2 , rezulta: Pa = 65,97W Pr = 2199VAr Rezistenta echivalenta de pierderi a schemei este: U2 Rp = = 734 , Pa iar valoarea capacitatii rezulta din expresia tangentei unghiului de pierderi: 'S 1 Cp = = 0 r tot = 145 10 6 F . d R ptg Suprafata totala a armaturilor este:

38

S tot =

Cpd

' r

= 4,55 10 3 m 2 ,

iar grosimea condensatorului este egala cu numarul de armaturi nmultite cu distanta dintre ele: L =
Stot d = 3,1 m S

Suprafata exterioara a condensatorului prin care se degaja puterea activa disipata, considernd suprafetele S, de forma patrata, este: S e x t =2S+4L S = 14,4 m 2 Cresterea de temperatura, sau diferenta ntre temperatura e ,de echilibru termic si temperatura mediului ambiant o , este: ( e - o ) =
Pd = 0,48 o C Sext k

Pentru dimensiunile relativ temperatura este nesemnificativa.

mari

ale

condensatorului,

cresterea

de

5 . Un material dielectric cu polarizare de orientare si piederi prin conductie, are rezistivitatea =10 1 1 cm si tangenta unghiului de pierderi tg =30010 - 4 la frecventa f=1MHz. Cunoscnd valoarea permitivitatii relative statice: r s t =4,5 si instantanee: r i =3,8, sa se determine constanta de relaxare si pierderile de putere activa ale unui condensator plan paralel cu suprafata armaturilor: S=100cm 2 si distanta dintre armaturi, sau grosimea dielectricului: d=10m, alimentat la o tensiune: U=100V, cu frecventa: f=1MHz. Rezolvare: Relatiile utilizate sunt:
'r = ri + r 1 + ( ) 2

,
st

r'' = r
tg =

r + , 2 1 + ( )

r'' , r' unde: r = rst ri , iar = 0 rst corespunde pierderilor prin conductie.

Notnd: = x , din expresia tangentei unghiului de pierderi, a carei valoare este cunoscuta, rezulta doua valori pentru constanta de relaxare : 1 = 0,945 10 6 s ; 2 = 0,032106 s . Avnd n vedere modul n care s-a definit constanta de relaxare n cadrul modelului teoretic al dielectricului, valoarea mai mare a constantei de relaxare este conforma cu realitatea fizica. Pierderile specifice de putere activa n dielectricul dintre armaturile condensatorului se determina considernd schema echivalenta paralel a condensatorului, pentru care: 1 tg = = 300 10 4 . C p R p

39

' Pentru frecventa relativ ridicata: f=1MHz , r = r ri , iar capacitatea

schemei echivalente paralel, este:


Cp = 0 ri S d = 33,5 109 F 1 2 f C p tg U2 = 63,5W . Rp

Rezistenta de pierderi rezulta:


Rp = = 1,58 10 2 ,

iar pierderile de putere activa sunt:


Pa =

In curent continuu, rezistenta echivalenta de pierderi este:


R 'p = d = 108 ; S
= 0,1mW .

iar pierderile de putere activa sunt:


Pa' = U2 R 'p

Din analiza dependentelor componentelor permitivitatii relative complexe de produsul dintre frecventa si constanta sau au rezultat formele simplificate ale expresiilor acestor componente pentru frecventa f=1MHz. Se observa ca tangenta unghiului de pierderi ca si pierderile de putere activa au valori ridicate pentru aceasta frecventa.
6 . Consideram un condensator cu armaturi plan paralele, avnd suprafetele de forma patrata: S=100cm 2 si distanta dintre armaturi: d=1mm. Dielectricul dintre armaturi se caracterizeaza prin: 1 =10 8 m la T 1 =300K si 2 = 1,1 108 m , la T 2 =400K, E s t r =10MV/m, t o p i r e =130 C. Condensatorului i se aplica o tensiune U, lent crescatoare. Sa se precizeze care tip de strapungere apare mai nti: cea electrica sau cea termica. Se considera ca puterea disipata se degaja exclusiv prin convectie termica, cu k = 10W/m 2 C. Rezolvare : Presupunem ca se aplica condensatorului o tensiune U. Puterea dezvoltata prin conductie si puterea degajata prin convectie, au expresiile:

P cond = J E S d = E S d = ( 0 E S d )e
2 2

A Te

U2 = ( 0 S )e Te , d

Pconv = kS(Te T1 ) ,

unde: T e este temperatura de echilibru stabil. Constantele A si 0 , din expresia conductivitatii se determina din valorile rezistivitatii pentru cele doua temperaturi:

1 = 10 8 = 0 e

A 300

,
A 400

2 = 1,1 108 = 0e

Prin dezvoltarea functiei exponentiale n serie Taylor, se obtine: A=114 si


40

0 =1,4610 - 8 . Cresterea relativa a conductivitatii cu temperatura determina valoare A, n timp ce 0 depinde de valoarea conductivitatii la o temperatura
precizata. Presupunem ca tensiunea aplicata condensatorului are valoarea maxima: U = E str d = 10 KV si calculam valorile temperaturii de echilibru, care corespund egalitatii dintre puteri. Expresiile temperaturilor de echilibru sunt:
Te1, 2 1 U2 U2 2 U 4 T1 + 0 max T12 + 2 0 max (T1 2A) + 0 max kd kd 2 2d2 k

Se

retine

valoarea

Te1 = 405K ,

iar

valoarea

Te2 = 40 K

se

considera

necorespunzatoare. Rezulta ca nainte de a fi atinsa tensiunea corespunzatoare strapungerii electrice, dielectricul - cu rezistivitate redusa, se ncalzeste excesiv si se topeste. Daca vom considera un dielectric cu rezistivitate mai mare cu un ordin de marime, tensiunea maxima admisa nu va determina topirea dielectricului. Pentru o rezolvare mai exacta, se pot retine mai multi termeni din seria Taylor asociata functiei exponentiale, sau conductivitatea poate fi exprimata sub forma: b B = e T, T unde: constantele B si b se determina n mod similar.
7 . Prin masurari la diferite frecvente asupra unui ulei sintetic de transformator, introdus ntre armaturile unui condensator, a carui capacitate n aer este: C 0 =1000pF, s-a obtinut o schema echivalenta, valorile componentelor fiind: C 1 =2700pF, C 2 =2300 pF si R 2 =47 . Sa se determine: permitivitatea relativa statica si instantanee, constanta de timp de relaxare, pulsatia si frecventa pentru care tangenta unghiului de pierderi este maxima - datorita pierderilor prin polarizare si valoarea acestui maxim. Pierderile prin conductie sunt neglijabile.

Rezolvare:

C1 + C2 =5. C0 C 2 Permitivitatea relativa instantanee este: r = 1 = 2,7 . C0 1 Permitivitatea relativa statica este: r st =

3 Constanta de timp de relaxare este: = C2 R2 = 1,081 107 s 4 Pulsatia si frecventa corespunzatoare valorii maxime a tangentei 1 rst unghiului de pierderi, sunt: m = = 1,26 107 rad / s ; f m = m 2 10 6 Hz . r 2 5 Valoarea maxima a tangentei unghiului de pierderi este:

41

(tg ) max =

rst r = 0,313 . 2 rst r

8 . Consideram c on dens atorul din figura, format din doua straturi d ie lec tric e "1" si "2", care sunt caracterizate prin permitivitatile relative: r1 , r2 , tensiunile

de strapungere:

E str1 , E str2 si tangentele unghiurilor de pierderi: tg 1 , tg 2 .

Suprafata armaturilor este S, distanta dintre ele este d, iar k este un numar cuprins ntre zero si unu. Sa se determine tensiunea maxima care poate fi aplicata condensatorului si tangenta unghiului de pierderi.

Rezolvare: Inductia electrica - normala pe suprafata de separatie, se conserva, iar tensiunea aplicata este suma tensiunilor corespunzatoare celor doua straturi dielectrice, sau:
U = E dl = E1kd + E2 (1 k )d
1 2

E1 0 r1 = E2 0 r2 unde E 1 , E 2 sunt intensitatile cmpurilor electrice din interiorul straturilor dielectrice. In expresia tensiunii aplicate condensatorului n functie de intensitatile cmpurilor electrice E 1 , E 2 din interiorul dielectricilor, elementul de linie dl , s-a consid erat cu acee asi dire ctie si se ns ca si int ensitat ile cmpurilor electrice E1 , E2 . Consideram: E1 = E str1 , rezulta: E 2 = E str1 r1 / r2 , iar:
U max1 = E str1 d [k + (1 k )

r ]. r
1 2

Consideram: E 2 = E str2 , rezulta: E1 = E str1 r2 / r1 , iar:


U max 2 = E str2 d [k

r + (1 k )] r
2 1

Tensiunea maxima care se poate aplica condensatorului are valoarea cea mai mica dintre cele doua valori obtinute. Condensatorul poate fi considerat ca fiind format din doua condensatoare nseriate. Tangenta unghiului de pierderi este de forma:

42

C tg + C1tg C 2 I ( R1 + R2 ) = 2 C1 . U C1 + U C 2 I (1 / C1 + 1 / C2 ) C1 + C2 Intruct se cunosc dimensiunile condensatoarelor dielectricilor dintre armaturi, rezulta: k r2 tg C1 + (1 k ) r1 tg C2 . tg C S = (1 k ) r1 + k r2 tg C s = U R1 + U R2 =

si

permitivitatile

In situatia n care suprafata de separatie dintre dielectrici ar fi paralela cu directia liniilor de cm p, co n d ensato rul se po ate con s idera ca fiin d format din doua condensatoare con ectate n paralel.
9 . Un condensator este format dintr-un strat de aer si un strat de ulei. Permitivitatile relative si intensitatile cmpurilor electrice de strapungere pentru aer sau ulei sunt: r0 = 1 , r1 = 6,7 , E str0 = 3,2MV / m , Estr1 = 30MV / m . Cunoscnd

grosimile stra tur ilor: d 0 = 7,5m , d1 = 17,5m , sa se determ ine tensiun ea maxima care poate fi aplic ata c o ndensator ului. Pentru o t ensiune crescat oare sa se precizeze ordinea de stra punger e a diel ectricilor. Sa se rezolve pro blema si n cazul n care stra tul de a e r se n lo cuieste cu un s t rat dielectric cu r2 = 3 si E str2 = 40 MV / m .

Rezolvare: Tensiunea aplicata arma tu rilor condensatorului are expresia: U = E 0 d 0 + E1 d1 , iar din teorema continuitatii inductiei electrice pe suprafete norm ale pe direct ia cmpului electric: D0 = 0 r0 E 0 = 0 r1 E1 = D1 ,

rezulta ca valoarea intensitatii cmpului electric n aer este mai mare dect n dielectric: E 0 = r1 E1 , deci n prima instanta se strapunge stratul de aer. Tensiunea maxima care se poate aplica condensatorului este: d U max = Estr0 (d 0 + 1 ) = 32,3V .

Daca se nlocuieste stratul de aer cu un strat dielectric, intensitatea cmpu lui n dielectric este de asemenea mai mare dect n ulei pentru ca permitivitatea uleiul ui are valoare superioara permitivitatii dielectricului:
E2 =

r E1 . r
1 2

Prin aplicarea unei tensiuni crescatoare, dielectricul se strapunge la o


43

valoare a tensiunii:
U max = E str2 (d 2 +

r d 1 ) = 612,5V . r
2 1

10 . Cunoscnd expresia polarizabilitatii unui material dielectric cu polari zare de depl asare si fara pierderi prin conductie: (t ) = (0)e t / cos(0t + 0 ) , unde: este constanta de timp de relaxare, 0 es te pulsatia de rezonanta a

partic ulei ncarcata electric, iar 0 este faza initiala , sa se determine expresiile componentelor permitivitatii relative complexe.
Rezolvare: Expresia permitivitatii relative complexe este:

r = r' j r" = r + (t )e jt dt
0

unde r este permitivitatea relativa instantanee, corespunzatoare frecventei care tinde spre infinit. In expresia permitivitatii se introduce expresia polarizabilitatii, se descom pune functia armonica ntr-o difere nta de produse de functii armonice si se integreaza expresiile as tfel obtinute, obtinn du-se n final expresia: 1 jtg0 (0) 1 + jtg0 r = r + + cos 0 . 2 1 j (0 ) 1 + j (0 + ) Pentru: << 0 , expresia are forma:

r = r +
sau:

(0) 1 + jtg0 1 jtg0 + cos 0 , 2 1 j0 1 + j0


(1 0 tg0 ) cos 0 2 1 + 0 2

r' = r = r + (0) =
st

Pentru: 0 si 0 >> 1 , expresia permitivitatii complexe este : 1 tg0 (0) r = r + [1 + j (tg0 )] cos 0 , 2 20 20 sau: 0 , r' = r + r 2 1 + ( ) 2 0 r" = r 2 1 + ( ) 2 unde: = 0 si: 1 ' tg0 cos 0 1 + ( 0 ) 2 La frecventa de rezonanta piederile de energie care se transforma n caldura si dea semen ea r" , care caracterizeaza pierderile de energie, sunt maxime. P e n t r u: >> 0 , expresia permitivitatii complexe este:
r = rst r = (0)

r" = 0

44

r = r + (0)
sau: r' = r

j 1 cos 0 2 2 1 + ( ) 1 + ( )

r" =

0 cos 0

11 . Cunoscnd expresia polarizabilitatii unui material dielectric cu polari zarea de orientare si fara pierderi prin conduc tie (t ) = (0)e t / , unde este constanta de timp de relaxare, sa se determine expresiile componentelor permitivitatii relative complexe. Rezol vare: Expresia per mitivitatii relative complexe este:

r = r, j r,, = r + (t )e jt dt
0

unde: r este permitivitatea relativa instantanee pentru o frecventa care tinde spre infinit. Permitivitatea rela tiva n regim stationar, sau pentru frecventa nula se noteaza cu: r st , iar r = r st r > 0 , pentru ca pe masura ce frecventa se mareste apar pierderi prin polarizare. In expresia perm iti vitatii se introduce expresia polarizabilitatii si prin identificare, rezulta: r r, = r + , 1 + ( ) 2

, 1 + ( ) 2 r tg = . r st + r ( ) 2 r,, = r

Daca se considera un dielectric cu pierderi prin conductie si polarizare de orient are, n expresi a componentei r,, mai apare un termen co respunzator pierderilor de putere prin conductie:

+ r st , 2 1 + ( ) unde: = 0 r st , iar tangenta unghiului de pierderi are forma: r,, = r

2 2 r,, r st [1 + ( ) ] + r tg = , = . r [ r st + r ( ) 2 ] Pri n anularea derivatei tangentei unghiului de pierderi se obtine maximul datora t piederilor prin polarizare, pentru:

r st r

45

12 . Sa se determine componentele permitivitatii relative complexe ale unui material dielectric poros introdus nte armaturile unui condensator, ca re are n vid capacitatea C 0 . Condensatorul cu dielectric poros se considera ca fiin d format din dou a condensatoare cu dielectrici omogeni nseriate, a caror capacit ati si rezistent e de pierderi sunt cunoscute.

Rezol vare: Admitanta schemei echivalente are expresia: 1 (1 + j 1 )(1 + j 2 ) Y= = j ( r, j r,, )C0 R1 + R2 1 + j unde: 1 = R1C1 , 2 = R2C2 iar are forma: RR = 1 2 (C1 + C2 ) R1 + R2 prin identificare se obtin expresiile componentelor permitivitatii relative complexe: r r, = r + , 1 + ( ) 2

r,, = r

+ r st , 2 1 + ( )
1 ( 1 + 2 + 3 ) , C0 ( R1 + R2 )

unde: r st =

1 1 2 , C0 ( R1 + R2 ) = r st C0 ( R1 + R2 ) .

r =

Alta varianta de r ez olvare se obtine considernd schema echivalenta serie. Relatiile de legatura ntre componentele R p , C p ale schemei echivalente paralel si componentele R s , C s ale scheme i echivalente serie sunt: Rs = R p sin 2
Cs =C p (1 + tg 2 ) ,

unde: tg =

C p R p = RsCs .

Admitanta schemei echivalente serie, este de forma: 1 jC Y = = j ( r, j r,, )C0 , Z 1 + jRC


1 1 unde: C = C1 1 + . + C2 1 + 2 2 (C1R1 ) (C2 R2 )

46

R=

R1 R2 . + 2 1 + (C1R1 ) 1 + (C2 R2 ) 2

Prin identificare se obtin expresiile componentelor r, , r,, .


13 . Pentru o frecventa de rezonanta f*, s-au determinat cu un Q-metru, valorile capacitatii variabile si ale factorului de calitate pentru acelasi condensator cu si fara dielectric ntre armaturi: C V 0 , Q 0 , respectiv: C v , Q. Sa se determine valoarea permitivitatii electrice a dielectricului utilizat si tangenta unghiului de pierderi pentru frecventa f*. Factorul de calitate al bobinei utilizate este mult superior factorului de calitate al condensatorului cu dielectric, iar valoarea capacitatii variabile conectata n serie doar cu inductivitatea L, la frecventa de rezonanta f*, este C v * .

Rezol vare:

1 astfel nct pulsatia de rezonanta , se poate LC 4L consid era ca fiind egala cu pulsatia oscilatiilor proprii ale circuitului ser ie: Presupunem ca :
2

(rL + rS )2

<<

1 1 rL + rS . LC 2 L LC Acea sta conditie fiind ndeplinita, factorul de calitate al bobinei este: L 1 , QL = rL CrL iar factorul de calitate al circuitului rezonant serie este de forma: 1 QQ Qcircuit = = C L , C (rS + rL ) QC + QL sau:

1 1 1 = + Q circuit Q C Q L

Prin urmare, factorul de calitate al circuitului este egal cu fact orul de calitate al unei compon en te, daca factorul de calitate al celeilalte componente are valoare mult superioara. Pentru cele trei conexiuni, frecventa de rezonanta este aceeasi:
f* = 1 2 LC
* V

1 2 C V0 + C 0

1 2 C V + C

Componenta reala a permitivitatii relative se determina din relatia:


47

' =
r

* C CV CV . = * C0 CV CV0

Factorii de calitate ai condensatorului cu si fara dielectric sunt: 1 1 . ; Q0 = Q= (rS + rL )(CV + C ) rL CV0 + C0

Presupunnd ca: rS >> rL , se poate scrie relatia: 1 1 * * = CV (rS rL ) CV rS , Q Q0 iar tangenta unghiului de pierdri a condensatorului cu dielectric, rezu lta: * 1 1 CV CV tg = rS C = * Q Q0 CV
1.11. Anexe Anexa 1.1. - Reprezentarea mrimilor electrice cu variaie sinusoidal n timp O mrime care variaz n timp dup o lege armonic u = U max cos t , se poate reprezenta sub forma unui vector care se rotete cu vitez unghiular , constant n jurul unui punct de referin. Pentru a obine valoarea instantanee (la un moment dat) a mrimii este suficient s proiectm vectorul pe o ax oarecare, care trece prin punctul de referin i este preferabil ca axa s fie astfel aleas nct n momentul iniial, proiecia s fie maxim. ntre mrimile care variaz dup legi armonice pot aprea defazaje iniiale.

u (t ) = U max cos t i (t ) = I max cos (t t )

M = e j = (cos + j sin ) = a + jb

i (t ) = I max cos(t ) Astfel, curentul poate fi defazat n urma tensiunii pentru c valoarea maxim a curentului se obine dup un interval t, de timp. Defazajele iniiale se reprezint n diagramele vectoriale i se pstreaz n timpul rotaiei vectorilor. Mrimile care variaz dup o lege armonic cu pulsaie sau frecven f constante, se pot asocia unei mrimi vectoriale sau care se rotete n plan n jurul unui punct de referin. Dac mrimea vectorial se poate asocia unei mrimi complexe, o mrime complex nu se poate asocia unei mrimi vectoriale

48

dect dac se precizeaz centrul de rotaie, care se poate alege pentru simplificarea reprezentrii, n originea axelor de coordonate. Avantajul utilizrii reprezentrii cu mrimi complexe, care are centrul de rotaie precizat, este c el al transform rii e cuaiilor integro-dife renial e n ecuaii algebrice, ntruct operaiile de derivare i integrare se transform n nmuliri sau mpriri cu j. Pe de alt parte, mrimile complexe se pot nmuli sau mpri i se preteaz analizei n domeniul frecven, n timp ce reprezentrile sub form de funcii armonice se preteaz analizei n domeniul timp. Dac o mrime care variaz n timp dup o lege armonic se asociaz unei mrimi complexe M , cu modul = M i defazaj iniial = t . Valoarea instantanee se obine prin proiecia mrimii complexe pe axa real. nmulirea cu j a numrului complex, are ca efect defazarea naine cu /2 a segmentului OP, care va ocupa poziia OP, iar nmulirea cu j determin defazarea n urm cu /2 astfel nct poziia segmentului OP va fi OP. nmulirea cu un numr real (supraunitar sau subunitar) nu modific unghiul ci doar modulul mrimii complexe. Mrimile complexe reprezentate n planul complex sunt segmente care formeaz ntre ele diferite unghiuri. Prin nmulirea sau mprirea cu un numr complex, a mrimilor complexe care formeaz o diagram n planul complex, unghiurilor segmentelor fa de axa de referin cresc sau scad cu acelai unghi: M N = m e j m n e j n = m n e j ( m + n ) Din diagrama tensiunilor sau curenilor, se pot obine diagramele puterilor, impedanelor sau admitanelor. Pentru a transforma de exemplu, triunghiul imped anelor n triunghi al ad m itan elor este necesar s se transforme n prima etap, schema echivalenta serie n schema echivalent paralel, iar n etapa a doua, s se traseze diagrama curenilor i s se mpart mrimile complexe cu mrimea complex corespunztoare tensiunii de alimentare. Prin nmulirea sau mprirea cu j, diagramele se rotesc cu /2 n sens orar, respectiv invers orar.
Anexa 1.2. - Reele Bravais

Celula Bravais este definit prin vectorii a1 , a 2 , a3 , astfel nct: a 1 =a; a 2 =b; a 3 =c.

49

Indicii Miller ai unui plan atomic (h,k,l) sunt cele mai mici numere ntregi, a a a care sunt n acelai raport ca i: 1 = h; 2 = k ; 3 = l. x0 y0 z0 Direcia perpendicularei pe un plan (h,k,l) se noteaz:[h,k,l]. Toate planurile paralele i toate direciile paralele au aceeai indici Millerpozitivi, nuli sau negativi. Pentru celula cu axe ortogonale i simetric tetragonale, (fig. a.1b), interseciile planului (0,0,1) cu axele Ox, Oy sunt aruncate la infinit.
Anexa 1.3. - Filtru trece band cu unda de suprafa Dispozitivul electric utilizeaz unda elastic de suprafa de tip Rayleigh, care este o und polarizata eliptic i puternic atenuat n adncime. In fig. A.2.1.a este reprezentat reeaua cristalin distorsionat de unda Rayleigh. Punctele materiale ale stratului superficial sufer deplasri longitudinale paralele cu suprafaa monocristalului i transversale (fig.A.2.a). Propagarea este direcional, nedispersiv, iar viteza de propagare este mai redus dect a undelor de volum. Un semnal electric sinusoidal aplicat traductorului interdigital emitor, realizat prin depuneri metalice pe un substrat de niobat de litiu(fig.A.2.b), determin apariia n substrat a unui cmp electric n planul xOy, care produce deplasarea punctelor materiale (fig. A.2.c). Traductorul receptor efectueaz conversia n sens invers (fig. A.2.d). Traductoarele sunt conectate la sursa de semnal, respectiv la consumator, prin reele de adaptare. Undele de suprafa produse de seciunile vecine ale traductorului interdigital se vor impune n faz numai dac perioada structurii interdigitale este egal cu lungimea de unda 0 . Astfel conversia mrimii electrice n marimea elastic i invers este o conversie selectiv iar filtrul trece band are caracteristica atenuare frecven cu fronturi abrupte. Domeniul de utilizare este cuprins ntre sute de MHz i GHz. n acelai mod se pot realiza filtre adaptate pentru recunoasterea unui semnal modulat n frecven.

F ig A . 2 Repr ezen tare pen tru und a Rayleigh pe supr af aa unu i mo nocr istal ( a) ; tr adu ctor in terd i g ital (b) ,(c) i f iltru cu und a d e sup ra f a .

50

Anexa 1.4. - Consideraii teoretice asupra Q-metrului si msurri cu Q-metrul Msurrile efectuate cu Q-metrul se bazeaza pe rezonanta de tensiune a circuitului serie, format dintr-un induc tor si un con d ensator (fig. 1).

Pulsatia de rezonanta:

1 LC

difera de pulsatia oscilatiilor proprii: r << 1 (LC ) si sunt egale pentru: 2 L


2

1 r P = LC 2L

Daca rezistenta bobinei est e ne glijabila, factorul de calitate:

Q = r
L

0 L

are valoare ridicata, iar pentru rezistenta serie r S neglijabila, factorul de calitate 1 QC = 0rS C al condensatorului:
< o Ur U L UL U rS C (a) (b) = o U L =j o LI XI
x

I caracter U capacitiv UC (d) Ur = o

> o Uc UL caracter inductiv I

I rL QL L UL

I r=r L +r S

UL

(c ) L U

QC

UC

r=r S +r L C UC (x ) P rL = o LI
rC

U L = j o L C ( U=U r =rI
2

XI
C 0

rC

0C
2

P rL = o LI

e) Z I U/r P ac =r S I

(f )

j C
0

U=U r =rI

I (y )

P aL =r L I

(z )

r 0 car. car. capacitiv inductiv car. rezistiv 0 car. car. capacitiv inductiv car. rezistiv

Fig. 1 Ci rcuit rezonant seri e [ i di agramel e asoci ate

Regimul rezonant al circuitului serie se poate obtine prin modificarea inductivitatii, capacitatii sau a frecventei tensiunii sinusoidale aplicate circuitului. Masurarile curente cu Q-metrul presupun o valoare constanta a inductivitatii bobinei fara miez magnetic. Proprietatile miezului magnetic se
51

modifica cu frecventa, determinnd modificarea valorii inductivitatii bobinei. Factorul de calitate al bobinei se modifica n acelasi mod ca si raportul: w/r L , pentru ca inductivitatea L, se considera invarianta n raport cu frecventa. Astfel, factorul de calitate Q L , poate sa creasca cu frecventa, atunci cnd frecventa creste n masura mai mare dect rezistenta r L , sau poate sa scada cu frecventa, atunci cnd cresterea rezistentei de pierderi r L este superioara cresterii frecventei. De asemenea, factorul de calitate poate sa fie constant ntr-un interval limitat de frecvente. Utiliznd miezuri magnetice cu pierderi reduse, se pot obtine inductoare cu factori de calitate superiori fata de inductoarele fara miez magnetic pentru aceiai valoare a inductivitatii. Valorile ridicate ale factorului de calitate al bobinelor cu miez magnetic sunt obtinute ntr-un interval limitat de frecvente. Pentru frecventele superioare, pierderile datorate miezului magnetic se maresc substantial si de asemenea cresc pierderile prin efect pelicular. Factorul de calitate al unui condensator scade cu cresterea frecventei, iar prezenta dielec tricului dintre armaturi micsoreaza factorul de calitate, datorita rezistentei de pierderi r S crescute. Pentru frecvente ridicate, schema circuitului se completea za cu compone nte parazite, cum sunt: capacitatea dintre spirele bobinei, sau inductivitate a terminalelor si armaturilor condensatorului, iar diagramele fazoriale si relatiile stabilite sunt valabile. La rezonanta factorul de calitate al circuitului (fig. 1.a), n ipoteza ca: 1 0 = LC , are expresiile: 1 1 (1) Qcirc. = C ( + ) = 1 1 rS r L +

Q Q
C

Q
sau: 1

circ.

r +r
S

=
L

1 1
L

Q Q
1
C

1
C

(2)

circ.

+
L

(3)

Q-metrul masoara factorul de calitate al circuitului n regim rezonant. Pentru a masura factorul de calitate al unei componente, este necesar ca factorul de calitate al celeilalte componente sa fie mult mai ridicat. De exemplu, pentru a masura factorul de calitate al unui condensator, este necesar ca bobina sa fie astfel dimensionata si realizata, nct factorul ei de calitate sa fie ridicat, pentru ca factorul de calitate masurat sa fie egal cu: Q c i r c . =Q C , iar valoarea inductivitatii sa permita obtinerea rezonantei n intervalul de frecvente pentru care este proiectat Q-metrul respectiv. La rezonanta, tensiunile pe bobina si condensator sunt egale cu tensiunea de alimentare a circuitului, multiplicata cu valoarea factorului de calitate al condensatorului, mult inferioara valorii factorului de calitate al bobinei: U L =U C =Q C U, sau: Q C =U C /U. Astfel, tensiunea pe condensator este o masura a factorului de calitate al condensatorului atunci cnd tensiunea de alimentare a circuitului U are o valoare (standard) constanta. Voltmetrul care masoara tensiunea pe condensator se eta lon eaza n unitati Q, indicatia fiind reala numai atunci cnd circuitului i se aplica o tensiune egala cu tensiunea

52

standard. Pentru circuitul din fig.1.b, n ipoteza ca rezistenta r L este neglijabila, expresia factorului de calitate al condensatorului, este (fig.1.f): 1 UC = (4) , QC = P rc = Pac 0 r s C U iar pentru circuitul din fig. 1.x, n ipoteza ca rezistenta r s este neglijabila, expresia factorului de calitate al bobinei (fig. 1.z), este:

P P

rL aL

I
2

Prin urmare, tensiunea pe condensator este o masura a factorului de calitate al bobinei, atunci cnd valoarea factorului de calitate al condensatorului este m ult superioara: Q C Q L , sau valoarea rezistentei r S este neglijabila. Pentru valori apropiate ale factorului de calitate: Q C Q L ,masurarile cu Qmetrul sunt afectate de erori. Pentru exemplificare, consideram ca frecventele regimului rezonant al circ uitului de masurare sunt cuprinse ntre frecventele limita: f 1 si f 2 . Presupunem ca factorul de calita te al bobinei este superior factorului de calitate al condensatorului, valorile fiind nsa apropiate. Pentru frecvente cuprinse n intervalul: sf 1 ,f M t, factorul de calitate al circuitului, care conform relatiei (3), are expresia:

U
U

U
U

(5)

circ

QQ Q +Q
L C L

( 6 ),

creste pentru ca factorul de calitate Q L , creste cu frecventa, conform relatiei (5), efectul pelicular are pondere redusa n pierderile totale, iar pierderile de putere activa n dielectricul condensatorului nu se maresc sensibil. Pentru frecvente cuprinse n intervalul: sf M ,f 2 t, factorul de calitate Q C , a carui valoare este comparabila cu Q L , scade conform relatiei (4), n masura mai mare dect creste Q L , iar factorul de calitate al circuitului scade cu cresterea frecventei, datorita cresterii pronuntate a pierderilor de putere activa n dielectric, ct si datorita efectului pelicular. Prin urmare, se obtine un maxim al factorului de calitate al circuitului pentru frecventa f M , maxim care este rezultatul unor erori de masurare.
QL 1/Q L Q circ 0 0 QC f1 fM f2 f 0 1/Q C f1 fM f2 f Q circ f1 fM Q circ f2 f

caracteristic` eronat`

caracteristic` real`

f1

fM

f2

f1

fM

f2

f1

fM

f2

Fig. 2

Ilustrarea posibilit`]ilor apari]iei erorilor de m`surare a factorului de calitate al unui condensator cu dielectric, atunci cnd valoarea factorului de calitate

53

Acest exemplu se bazeaza pe serii de masurari efectuate cu Q-metrul, pentru determinarea dependentei de frecventa a permitivitatii relative a unui dielectric plasat ntre armaturile condensatorului, masurari care au condus la aparitia unui maxim al permitivitatii, la aceeasi frecventa la care s-a obtinut si maximul factorului de calitate al circuitului. n situatia n care factorul de calit ate al bobinei este cu mult superior factor ului de calitate al condensatorului cu dielectric, factorul de calitate masurat al circuitului: Q c i r c =Q C , scade cu cresterea frecventei, conform relatiilor (3) si (4), iar masurarile nu mai sunt afectate de erorile mentionate.
Schema constructiva a Q-metrului Schema Q-metrului este reprezentata n fig. 3. Q-metrul este format dintrun oscilator cu frecventa reglabila ntr-un interval, iar amplitudinea tensiunii sinusoidale generate este de asemenea reglabila, fiind masurata cu un voltmetru electronic pe a carui scala este marcata tensiunea standard. Ajustarea indicatiei voltmetrului pe zero se efectueaza anulnd tensiunea oscilatorului. Circuitul de cuplaj realizeaza o impedanta extrem de redusa de iesire si este format dintr-un cablu c oaxial a carui lungime l este inferioara sfertului de lungime de unda minim, care corespunde frecventei maxime a oscilatorului. La una din extremitatile cablului se aplica tensiunea U, furnizata de oscilator, iar la cealalta extremitate, conductorul central se conecteaza la tresa cablului coaxial. n cablul coaxial se formeaza o unda stationara, distributia amplitudinilor fiind reprezentata n fig. 3

Masurarile cu Q-metrul se por efectua numai atunci cnd se ataseaza bobina L X . Exista posibilitatea conectarii n paralel cu condensatorul variabil ncorporat C V a unui condensator C X . Voltmetrul electronic care masoara tensiunea pe condensator U C este etalonat n unitati Q. Indicatia voltmetrului este conforma cu realitatea, numai atunci cnd tensiunea furnizata de oscilator are valo area U-standard, pentru care s-a efectuat etalonarea voltmetrului VE2. Reglajul pe zero al indicatiei voltmetrului VE2 se efectueaza prin anularea tensiunii furnizata de oscilator, n aceeasi etapa n care se efectueaza reglajul pe zero al indicatiei voltmetrului VE1. Masurarile cu Q-metrul se bazeaza pe relatia: 1 (7) f0= 2 L X CV sau:

= 0

L (C + C )
X V X

(8)

54

n situatia n care se conecteaza C X n paralel cu condensatorului variabil C V . Regimul rezonant corespunde valorii maxime a tensiunii U C si se obtine conform relatiei (7), prin modificarea frecventei oscilatorului, sau prin m odificarea capacitatii variabile C V , ntruct - dupa cum s-a mentionat anterio r, valoarea inductivitatii L X , a bobinei fara miez magnetic, se poate considera c onstanta n raport cu frecventa. O masurare cu Q-metrul presupune citirea frecventei de rezonanta, a capacitatii variabile si a factorului de calitate: (f 0 ;C V ;Q).
CS 1 rL C10 (a) LX 2 C20 1 rL CL (b) -CP 0 (C) CV CS LX 2 1 2 o

Fig. 4

Determinarea capacit` ]ii parazite a bobinei

Schema echivalenta a bobinei este reprezentata n fig. 4. Capacitatile C 1 0 , C 2 0 reprezinta, n forma concentrata, capacitatea distribuita a bobinei fata de masa electrica sau carcasa Q-metrului, iar C S este capacitatea spirelor bobinei. Daca se considera: C L =C 1 0 +C 2 0 , iar - cu aproximatie relativ mare, C L (ca si C S ), n paralel cu C V (fig. 3), rezulta o metoda simpla pentru determinarea capacitatii parazi te a bobinei: C P =C L +C S . Din relatia (8), rezulta dependenta liniara: 1/ o 2 =L X (C V +C P ). ntruct L X nu se modifica cu frecventa, din doua masurari cu Q-metrul rezulta punctele A si B, iar dreapta care trece prin cele doua puncte, prelungita n cadranul II, stabileste - la intersectia cu axa absciselor, valoarea aproximativa a capacitatii parazite a bobinei C P . Din relatia (7) , se observa ca r e glajul fin pentru obtinerea rezonantei, se efectu eaza cu capacitatea variabila C V , iar reglajul brut - prin modificarea frecventei oscilatorului. Astfel, daca valoarea capacitatii variabile creste cu 10%: C V =1 ,1C V , pentru obtinerea regimului rezonant, este necesar ca frecventa
= f / 1,1 = 0,95 f oscila torului sa fie: Pentru o modificare pronuntata a capacitatii variabile, variatia corespunztoare a frecventei - pentru obtinerea rezonantei, este redusa. Etapele unei masurari cu Q-metrul sunt urmatoarele: 1. Se comuta ntrerupatorul aparatului pe pozitia pornit. 2. Se regleaza pe zero indicatiile celor doua voltmetre electronice pentru tensiune nula a oscilatorului, cursorul de reglaj al amplitudinii tensiunii furnizate de oscilator fiind rotit n sens invers orar, pna la limita. Aceasta etapa se repeta pentru fiecare masurare , pna cnd se stabilizeaza regimul termic al Q-metrului (aproximativ 30 min.). 3. Pentru o tensiune oarecare (a carei valoare este inferioara valorii standard), furnizata de oscilator, se modifica - dupa caz, fie capacitatea variabila astfel nct sa se obtina maximul indicatiei voltmetrului VE2, fie frecventa oscilatorului. Prin modificarea frecventei se modifica si amplitudinea tensiunii oscilatorului, nsa maximul indicatiei voltmetrului VE2 se obtine numai pentru o frecventa precis stabilita. Din relatia (7) rezulta ca sensul variatiilor capacitatii variabile, respectiv a frecventei, este opus. Sa presupunem ca frecventa este impusa, iar regimul rezonant se obtine prin modificarea capacitatii variabile. Pentru stabilirea valorii capacitatii variabile corespunzatoare rezonantei,

'

55

capacitatea variabila se modifica ntr-un sens, astfel nct indicatia maxima a voltmetrului VE2 sa scada cu o valoare Q, minim sesizabila, retinndu-se pozitia cursorului. Se modifica apoi capacitatea variabila n sens opus, astfel nct sa se obtina aceeasi scadere minim sesizabila Q a indicatiei si se retine noua pozitie unghiulara a cursorului. Pozitia unghiulara mediana a cursorului corespunde regimului rezonant si pentru aceasta pozitie se citeste valoarea capaci tatii variabile. Din fig. 5. rezulta ca aprecierea corecta a valorii C V 0 , corespunde rezonantei, este mai dificila pentru factori de calitate redusi, pentru ca modificarea capacitatii variabile corespunzatoare deviatiei Q , minim sesizabile, este mai pronuntata, iar stabilirea pozitiei mediane a cursorului este mai imprecisa. Reglajele pe zero ale celor doua voltmetre electronice se vor efectua atunci cnd regimul termic stabil de functionare a Q-metrului NU a fost atins , sau cnd se modifica domeniul de masurare al voltmetrelor electronice.
Q Q max Q Q Q max Q

CV C V0 CV (a)

CV

C V

CV0 (b)

CV

CV

Fig.5

Dependen]a indica]iei Q-metrului de capacitatea variabil` ncorporat` , pentru factori de calitate ridica]i (a) [ i sc` zu]i (b)

Tensiunea oscilatorului se mareste pna la valoarea U - standard, inscri ptionata pe scala voltmetrului VE1. Capacitatea variabila se ma i poate ajusta conform instructiunilor etapei precedente, pentru ca intervalul de variatie a capacitatii variabile, delimitat de valorile: C V , C V , corespunzator aceleiasi modificari Q, minim sesizabile a indicatiei, se micsoreaza cu cresterea tensiunii oscilatorului. Se citesc cele trei marimi corespunzatoare unei masurari: f, C V , Q. Masurarile cu Q-metrul se caracterizeaza prin precizie ridicata, datorata regimului rezonant. Cu ajutorul Q-metrului se pot aprecia comportari ale materialelor dielectrice, sau magnetice si ale componentelor electronice pasive la variatii a le frecventei. Rezonanta circuitului de masurare se va obtine prin modif icarea frecventei oscilatorului de la frecvente joase spre frecvente nalte. Proce dnd invers , se poate obtine un maxim (fals) al indicatiei Q-metrului la o frecve nta ridicata, pentru ca n circuitul de masurare intervine capacitatea parazi ta a bobinei, iar schema circuitului precum si relatiile utilizate, nu mai sunt valabile.
Determinarea permitivitatii relative si tangentei unghiului de pierderi a dielectricilor n functie de frecventa Pentru determinarea si trasarea grafica a dependentelor functionale ale permitivitat ii relative si tangentei unghiului de pierderi n functie de frecventa, este n ecesar sa se efectueze masurari cu Q-metrul pentru trei tipuri de circuite, frecventa de rezonanta fiind aceeasi. n fig. 6 sunt reprezentate intervalele de frecventa corespunzatoare celor trei tipuri de circuite si ordinea efectuarii

56

masurarilor. De asemenea este indicat sensul de modificare al capacitatii variabile. Capacitatea variabila a Q-metrului se poate modifica ntre limitele: C v m i n si C v m a x . Pentru o rotatie completa a cursorului n sens orar, capacitatea variabila se mareste cu un pF si se micsoreaza cu aceeasi valoare, pentru o rotatie completa a cursorului n sens invers orar. Din relatia (7), rezulta ca frecventa limita inferioara - pentru un anumit circuit de masurare, se obtine pentru C v m a x , iar frecventa limita superioara - pentru C v m i n . Pentru o frecventa cuprinsa n intervalul comun, se efectueaza masurari cu Q-metrul n trei etape , corespunzatoare celor trei tipuri de configuratii ale circuitului de masurare. n prima etapa , circuitul este alcatuit din bobina fara miez magnetic si condensatorul variabil al Q - metrului. n etapa urmatoare se conecteaza in parale l cu condensatorul variabil un condensator C 0 fara dielectric ntre armaturi, iar n ultima etapa ntre armaturile condensatorului se introduce dielectricul a carui comportare cu frecventa este studiata; distanta dintre armaturi fiind constanta, capacitatea C a condensatorului astfel obtinut este superioara valorii C 0 . Dielectricul NU se poate extrage si reintroduce ntre armaturi fara a se modifica configuratia geometrica a ansamblului. Conform relatiei (7), frecventa minima care corespunde capacitatii variabile minime se micsoreaza din aceleasi motive. Prin urmare, intervalul comun de frecvente pentru o valoare prestabilita a inductivitatii L n care se pot efectua masurari cu Q - metrul este delimitat de frecventa minima determinata n etapa I si frecventa maxima determinata n etapa III. Se impun valorile capacitatii variabile si rezulta frecventele limita. Se considera n frecvente n intervalul comun pentru care se citesc (la rezonanta) valorile: f, C V , Q. n prima etapa, factorul de calitate al circuitului are valoarea ridicata, iar domeniul de masurare al Q - metrului se pozitioneaza pe domeniul maxim. n ultima etapa apar pierde ri de pu tere activa n dielectric, iar factorul de calitate al circuitului egal aproximativ cu factorul de calitate al condensatorului, este redus, si domeniul de masurare al Q - metrului se pozitioneaza pe un domeniu inferior. Daca pentru primele doua masurari se impun valorile capacitatii variabile rezultnd frecventele limita, pentru celelalte 3n-1 masurari se impune o frecventa din intervalul comun si rezulta valoarea capacitatii variabile si factorul de calitate. Frecventa ramne constanta pentru masurarile n, n+1 si 2n, 2n+1, iar capacitatea variabila se mareste cu valoarea C-C 0 , respectiv cu C 0 . Sensurile de variatie ale frecventei si capacitatii sunt opuse dupa cum s-a aratat anterior. La masurarea a doua, corespunzatoare etapei III, dielectricul se introduce ntre armaturi astfel nct interstitiile de aer sa fie minime. Se efectueaza toate masurarile etapei III, apoi se scoate dielectricul dintre armaturi fara a modifica pozitia reciproca a armaturilor sau a condensatorului fata de Q - metru. Astfel, interstitiile inevitabile de aer dintre dielectric si armaturi nu se modifica si nu apar surse suplimentare de erori este esential sa nu se modifice pozitia condensatorului n raport cu Q - metrul pentru a nu se modifica configuratia cmpului electromagnetic de dispersie al condensatorului, precum si capacitatile parazite fata de carcasa Q - metrului care sunt surse de erori sistematice, ce nu modifica alura caracteristicilor trasate grafic. Din motive similare, armatura conectata la borna b a Q - metrului (fig. 6), care este conectata la masa electrica si carcasa aparatului, nu se va deconecta pe parcursul masuratorilor, ci doar armatura conectata la borna a se va deconecta pentru efectuarea masuratorilor primei etape. Conectarea armaturilor condensatorului la bornele a
57

sau b se va efectua astfel nct sa se asigure contacte electrice pe suprafata pentru a elimina rezistentele de contact.
Etapa I domeniu: Qmax a CV3 b Etapa II domeniu: Q max<Qmax a CV2 b C0 fmin2 : CVn+1=CVn+(C-C0) n+1 Cv 2n CV (fmin)max : 0 Cvmax CV2n+1=CV2n+C0 2n+3 2n+2 2n+1 fmax

Cv fmax2

L a CV1

Etapa III domeniu: Q max<Qmax fmin3 C b

Cv

Se impune frecven]a, rezult` : CV n fn n-1 interval Cv fn-1 comun f3 f2 f1c 3 2 1 (fmax)min : Cvmin

Fig. 6 Intervalele de frecven]` [i ordinea efectu`rii m`sur`rilor n intervalul comun de frecven]e

Pentru o frecventa precizata de rezonanta, valorile capacitii variabile corespunztoare celor trei circuite de msurare sunt: C V 3 - pentru etapa I, C V 2 pentru etapa II si C V 1 - pentru etapa III, iar Q 0 este factorul de calitate al condensatorului fr dielectric si Q corespunde condensatorului cu dielectric. Cu aceste notaii, expresiile permitivitii relative si tangentei unghiului de pierderi, pentru frecventa respectiva, sunt:

r, =

CV 3 CV 1 CV 3 CV 2

(9)

1 1 CV 3 CV 1 tg = (10) CV 3 Q Q0 Determinrile se efectueaz pentru fiecare frecventa din cele n frecvente cuprinse n intervalul comun, iar rezultatele se traseaz grafic. Tangenta unghiului de pierderi se mrete cu creterea frecventei, datorita creterii pierderilor prin polarizarea dielectricului. Pentru intervale comune de frecvente relativ reduse, componenta reala a permitiviti relative a dielectricului se modif ica n limite rel ativ reduse.

Anexa 1.5. 1.5.1. L e gea fluxului electric Fluxul e lectric printr-o suprafa nchis este egal cu sarcina total q r

din volumul v , m rginit de aceast suprafa:


58

D dA = q

(A.1)

unde: D este inducia electric, iar elementul de suprafa dA este orientat spre exteriorul suprafeei considerate. S-a considerat ca sens pozitiv al fluxului electr ic sensul normalei pe suprafaa, orientat spre exterio r.
1.5.2. Teorema refraciei liniilor de cmp electric La trecerea dintr-un mediu cu permitivitate diferit componenta tangenial la suprafaa de separaie, nencrcat cu sarcin electric, a intensitii cmpului electric se conserv, componenta normal a induciei electrice se conserv, iar raportul tangentelor unghiurilor ntre normala la supraf aa de separaie i liniile cmpului electric este egal cu raportul permitivitilor.

tg 1 1 0 r1 = = tg 2 2 0 r2

1.5.3. Legea conservrii sarcinii electrice Viteza de scdere n timp a sarcinii electrice din interiorul unei suprafee nchise este egal cu intensitatea curentului de conducie total i , care prsete supraf a a . dqv i = dt 1.5.4. Notaii utilizate i uniti de msur

Q sarcina electric [C] e = 1,6021*10 - 1 9 [C] sarcina electronului E intensitatea cmpului electric [V/m] D inducia electric [C/m 2 ] 0 1 / (4 *9*10 9 ) [F/m] permitivi tatea abso lut h = 6,6256 * 10 - 3 4 [Js] con stanta lui Pl anck c = 2,998*10 8 [m/s] viteza luminii U tensiunea continu [V]
59

u tensiunea variabil (c u sau fr componenta continu) I cutrent continuu [A] i curent variabil (cu sau fr com ponenta continu) J densitate de curent [A/m 2 ] p a putere activ specific (pe unitate de volum) [W/m 3 ] P a puterea activ [W] P r putere reactiv [VAr] S putere aparent [VA] R rezisten [ohm] [ ] - rezistivitate [ m] - conductivitate [S/m] T temperatura absolu t [K] - temperatura [ C] k = 1,3804*10 - 1 6 [J/K] constanta lui Boltz mann H intensitatea cmpului m agnetic [A/m] B inducia magnetic [T] 0 = 4 *10 - 7 [H/m] p ermeabilitatea absolut L inductivitatea [H ] C capacitatea [F] Q factorul de calitate U H tensiunea magnetic [A] - flux magnetic [Wb] W energie [J] X reactan [ ] G conductan [S ] Y admitan [S]

60

Capitolul 2. Materiale magnetice


2.1. Definiii i clasificri Materialele magnetice se caracterizeaz prin stri de magnetizaie. Starea de magnetizaie este de natur atomic i este generat de micarea electronilor pe orbit i n jurul axei proprii, precum i de micarea nucleului n jurul axei proprii, rezultnd momentele magnetice orbitale i de spin, a cror sum reprezint momentul magnetic elementar. Notm cu m = mi suma geometric a momentelor elementare din unitatea de volum V. Magnetizaia M , este definit prin relaia: m , (2.1) M = lim V V i este o mrime microscopic, local sau punctual, care mpreun cu intensitatea cmpului magnetic din punctul considerat, caracterizeaz starea materialului magnetic n punctul respectiv. Momentul magnetic m , este o mrime macroscopic sau global, definit prin relaia: (2.2) m = Mdv ,
vm

unde: v m este volumul materialului magnetic. Starea de magnetizaie care exist n absena cmpului magnetic exterior H, se numete spontan sau permanenta M p , iar cea care rezult ca efect al cmpului magnetic exterior, se numete temporar i are expresia: M t = m H , (2.3) unde: m este o mrime complex caracteristic materialului i reprezint susceptivitatea magnetic. Pentru dielectricii izotropi liniari, este constant, iar pentru cei neliniari, este dependent de cmpul magnetic H. Susceptivitatea magnetic a materialelor magnetice anizotrope, este un tensor, fiecare component a magnetizaiei temporare depinznd de toate componentele cmpului magnetic aplicat. Interaciunea dintre cmpul magnetic exterior i material este stabilit prin legea de material: B = 0 H + 0 M = 0 ( H + M t + M p ) = 0 (1 + m ) H + 0 M p =
= 0 r H + 0 M p ,

(2.4) unde: 0 = 4 10 7 [ H / m] , este permitivitatea vidului, B este inducia magnetic, iar r = 1 + m reprezint permeabilitatea relativ a materialului i este o mrime
complex, ca i susceptivitatea magnetic m , pentru materialele izotrope, fiind definit prin relaia: B . (2.5) r = 0 H Permitivitatea absolut are expresia:

= 0 r .

(2.6)
61

Unitile de msur pentru cmpul magnetic, magnetizaie i inducie magnetic n sistemul internaional SI sunt: [A/m], respective [T].
2.2. Tipuri de magnetizri

n funcie de semnul susceptivitii magnetice, materialele magnetice cu magnetizaie temporar i fr magnetizaie spontan se clasific n: a) Materiale diamagnetice , cum sunt Au, Ag, Cu. Susceptivitatea magnetic a acestor materiale este negativ, de valori foarte mici (fig. 2.1a) i independent de temperatur i presiune. Introduse n cmp magnetic, aceste materiale au tendina de deplasare spre regiunile n care intensitatea cmpului este mai redus, pentru c r < 1 [Sor]. Cmpul magnetic exterior modific micarea electronilor, suprapunnd peste micarea orbital o micare de precesie, genernd un moment magnetic indus, care se opune cmpului magnetic inductor, micorndu-l. b) Materiale paramagnetice , cum sunt Al sau Cr, au susceptivitatea magnetic pozitiv, dependent de cmpul magnetic (fig. 2.1b) i de valori relative reduse, motiv pentru care aceste materiale se numesc i nemagnetice. Dependena susceptivitii de temperatur este pronunat (fig. 2.1c), respectnd, pentru un camp magnetic aplicat constant, relaia: m = C /T , (2.7) unde: C este constanta Curie caracteristic materialului.

(a)

(b)

(c)

f ig.2 .1 D ependen a susc ep tiv it i i d i a ma g n e t i ce d e in t en s i ta t e a c mp u lu i ma g n e t ic (a ), d epend en a s us cep tiv it ii p ar a ma gn e tic e d e inte ns ita te a c mp u lu i ma gn e tic (b) i de te mp eratur ( c).[ C t]

n cmp magnetic exterior, momentele magnetice elementare se orienteaz n direcia cmpului, iar la intensiti ridicate ale cmpului magnetic, apare un proces de saturaie, cnd toate momentele s-au orientat n direcia cmpului. Introduse n cmp, aceste materiale sunt atrase spre regiunile cu cmp mai intens pentru ca r > 1 [sor]. Materialele magnetice, care posed magnetizaie spontan sunt: a) Materialele feromagnetice , a cror moment magnetic elementar spontan este rezultat din necompensarea momentelor magnetice de spin. Pentru minimizarea energiei interaciunilor de schimb dintre atomii nvecinai, momentele magnetice de spin se orienteaz paralel, formnd domenii de magnetizare, n care magnetizaia este uniform i egal cu magnetizaia de saturaie. Susceptivitatea i permeabilitatea magnetic au valori mari, care depind de cmpul magnetic aplicat, de temperatur i de solicitrile mecanice. b) Materialele antiferomagnetice i ferimagnetice se caracterizeaz prin existena a dou subreele magnetice, cu particule care au momente magnetice
62

elementare spontane orientate antiparalel, egale pentru materialele antiferomagnetice i inegale pentru cele ferimagnetice. Ferimagnetismul este antiferomagnetism necompensat.
2.3. Funciile materialelor magnetice [Ct]

Materialele magnetice utilizate cu precdere pentru realizarea funciilor prezentate n continuare, sunt feromagnetice sau ferimagnetice. a) Funcia de miez magnetic O bobin cu miez magnetic, are inductivitatea L de r ori mai mare dect aceeai bobin fr miez: L = r L0 . Pentru evitarea distorsiunilor de neliniaritate datorate neliniaritii dependenei magnetizaiei de cmpul magnetic aplicat din exterior prin apariia procesului de saturaie, se impune ca magnetizaia de saturaie a materialului s fie ridicat. De asemenea se impune ca intensitatea cmpului coercitiv, care este prin definiie, cmpul magnetic pentru care magnetizaia se anuleaz, s fie sczut, pentru ca ciclul histerezis, asemntor cu cel al materialelor feroelectrice, s fie ct mai ngust. b) Funcia de generare a cmpului magnetostatic Pentru ca intensitatea cmpului magnetic generat de un magnet permanent, s fie ct mai ridicat, se impune ca intensitatea cmpului coercitiv s fie ridicat, pentru a mpiedica procesul de demagnetizare i de asemenea, magnetizaia remanent, definit ca fiind magnetizaia n absena cmpului exterior, s fie ct mai ridicat. c) Funcia de nregistrare magnetic a informaiei Se impune ca magnetizaia remanent a materialului s depind univoc de cmpul magnetic excitator, iar intensitatea cmpului coercitiv s fie ridicat pentru a micora posibilitatea tergerii informaiei sub influena unor cmpuri magnetice perturbatoare. d) Funcii neliniare i parametice Aceste funcii se bazeaz pe caracterul neliniar al curbei de magnetizare a materialelor magnetice. e) Funcia de ecranare Adncimea de ptrundere , a cmpului electromagnetic, care variaz sinusoidal n timp cu frecvena f, ntr-un material magnetic cu permeabilitatea r i conductivitatea , este: (2.8) Pentru a reduce adncimea de ptrundere la frecvene joase se impun valori ridicate ale permeabilitii relative. a) Funcia de traductor piezomagnetic Efectul piezomagnetic const n modificarea strii de magnetizaie, ca urmare a modificrii dimensiunilor materialului magnetic, supus solicitrilor mecanice. Efectul invers sau magnetostrictiv, este utilizat pentru realizarea traductoarelor, care convertesc variaiile de cmp magnetic, n variaii dimensionale sau vibraii. b) Funcia de traductor de temperatur Proprietile fero- i ferimagnetice dispar la temperaturi superioare temperaturii Curie TC , peste care materialele devin paramagnetice, sau nemagnetice. Proprietatea este utilizat pentru realizarea de elemente termoregulatoare. 63

= 1 / f r

2.4. Feromagnetismul 2.4.1. Modelul teoretic al feromagnetismul Momentul magnetic elementar al unui atom este suma dintre momentele magne tice orbitale i de spin ale electronilor i m omentul magnetic de spin al nucleu lui. Momentele magnetice orbitale n general se compenseaz reciproc, iar momentul magnetic de spin al nucleului, este foarte redus. Rezult, c momentul magnetic elementar spontan, este determinat n principal, de momentele magnetice de spin ale electronilor. Electronii din stratul de valen-cvsiliberi, nu contribuie la apariia momentului magnetic spontan. Elementele, care au substraturi electronice complet ocupate, nu au moment magnetic spontan, pentru c electronii n numr par pe fiecare substrat au stri cuantice diferite i spini orientai antiparalel, momentele magnetice de spin compensndu-se reciproc. Spinii electronilor se orienteaz conform regulii lui Hund, astfel nct energia strii s fie minim. Numai elementele, care au substraturi electronice incomplet ocupate de electroni, prezint moment magnetic spontan. Astfel de elemente sunt: Fe, Ni, Co, elemente din seria lantanidelor, sau a pamnturilor rare i actinidelor. 2.4.2. Formarea domeniilor de magnetizare. Energii implicate P rima teorie cantitativ a domeniilor feromagnetice a fost elaborat de L.D.L andau i E.M.Lifschitz, care au stabilit importan ener giilor de demag netizare pentru existena structurii de domenii.[Lan]. Din motive termodinamice, starea cu energie minim a unei plci de grosime finit, corespunde unei structuri stratificate de domenii. Datorit interaciunilor puternice ntre momentele magnetice elementare, apare tendina de orientare paralel a momentelor magnetice; n interiorul unui domeniu, magnetizaia este uniform i egal cu magnetizaia de saturaie: M = M S . Domeniile sunt separate prin perei de domenii. Analiza proceselor de demagnetizare se poate efectua la nivel macroscopic, cu ajutorul mrimilor m acrosco pice: cmp i moment magnetic, la nivel de domenii, sau macroscopic detaliat, cu ajutorul mrimilor: cmp magnetic i magnetizaie, pereii de domenii fiind considerai simple suprafee de separaie, la nivel microscopic, unde intervin i energiile specifice pereilor de domenii, la nivel nanoscopic i la nivel molecular. n abordarea proceselor de magnetizare la nivel de domenii, pentru a elimina contribuia energiei de demagnetizare a peretului, s-a impus criteriul de divergen nul, asupra magnetizaiei M din interiorul peretelui: div M = 0 , n sensul c nu exist sarcini magnetice fictive sau cmpuri de demagnetizare, asociate peretelui. Criteriul de divergen nul este meninut n interiorul materialului, excepie fcnd suprafeele de separaie ale materialului, unde:
div M = div M S =

m , 0

(2.9)

unde: m reprezint de nsitatea superficial a sarcinilor magnetice fictiv e. Prezena sarcinilor magnetice fictive, este echivalent cu prezena cmpului de demagnetizare H D (fig. 2.2a). Expresia energiei de demagnetizare este:

ED =

0
2

vm

M S dv

(2.10)

64

i are valoarea pozitiv pentru c sensul cmpului demagnetizant H D este opu s magnetizaiei M din interiorul materialului sau din interiorul unui domeniu de magnetizare. Pentru anularea energiilor de demagnetizare produse de sarcinile magnetice superficiale fictive, domeniile de nchidere au forma de prism dreptunghiular n structur Landau Lifschitz, cu flux nchis (fig. 2.2b). Pe msur ce grosimea g a plcii se micoreaz, structura cu flux nchis devine fin (fig. 2.2c), limea d a domeniilor se micoreaz i structura se transform treptat n structura Kittel cu flux deschis (fig. 2.2e).

f ig.2 .2 Structur i d e domen ii cu f lux d esch is (a) i cu f lux n ch is (b, c), c ar e s e tr ans f o r m n stru ctur i cu f lux d e sch is (d,e) pe m s u r c e g r o s i me a p lcii g se mic o r e a z . C mp u l ma gn e tic ap licat H A d e t e r mi n ex tind erea do me n iilor cu ma gn et i zaie o mo p ar a le l ( f).

Ener gia structurii i l im ea domeniilor, sunt mrimi care varia z propo r ion al cu g [Lan] . Cmpul magnetic aplicat normal pe suprafeele de separa ie, determin extinderea domeniilor cu magnetizaia orientat n sensul cmpului i restr ng erea domeniilor cu magnetizaie orientat n sens opus (fig. 2.2f). Energia de interaciune cu cmpul magnetic exterior are expresia: E H = 0 H A M S dv , (2.11)
vm

fiind pozitiv sau negativ n funcie de orientrile celor doi vectori. Energia total ET = E D + E M , a str ucturii este minim atunci cnd E M are valoare negativ , sau cnd vectorii H A i M S au acelai sens. Domeniile cu magnetizaia orientat n sens ul cmpulu i aplicat se extind n detrimentul dom en iilor cu magnetizaia orientat n sens opus. Pentru o structur Kittel n absena cmpului magnetic exterior energia structurii este minim pentru limi egale ale domeniilor magnetice adiacente [Dan], rezultnd c pen tru structura monodomeniu, cu magnetizaie uniform n ntreg volumul plcii, energia este maxim.
65

ntr-o abordare la nivel microscopic este necesar s se in cont i de contribuiile energiilor specifice peretelui de domenii, ct i de energia de anizotropie, a crei expresie este de forma: 2 2 2 E A = K 1 ( 12 2 + 2 32 + 32 12 ) + K 2 12 2 32 (2.12) unde: K 1 , K 2 sunt constante de anizotropie caracteristice materialului, care prezint o ax de uoar magnetizare (nor mal de suprafeele de separaie n cazul reprezentrilor din fig.2.2), iar 1 , 2 , 3 , sunt cosinuii directori. Energia de anizotropie, este energia necesar orientrii momentelor magnetice spontane dispuse paralel cu axa de uoar magnetizare n direcia definit prin 1 , 2 , 3 . Energia de schimb a peretelui, rezultat din interaciunile de schimb, are expresia: A E schimb = 2 [( 1 ) 2 + ( 2 ) 2 + ( 3 ) 2 ]dl (2.13)

lp

unde: A este o constant de interaciune, este limea peretelui sub 1% din limea domeniului d, l p este lungimea per ete lui, iar i sunt diferenele dintre cosinuii directori ai magnetizaiei M = M S n dou domenii adiacente. Energia de anizot ro pie a peretelui, are expresia: (2.1 4) E K = K cos 2 dv ,
vp

unde: K este o consta nta de anizotropie, v p este volumul peretelui, iar este unghiul format ntre magnetizaie i o ax de magnetizaie grea (perpendicular pe axa de magnetizare uoar i paralel cu suprafeele de separaie, n cazul reprezentrilor din fig.2.2). Trecerea de la un domeniu de magnetizare la un alt domeniu, n care magnetizaia are o orientar e diferit, se efectueaz prin rotaii succesive ale mome ntelor magnetice elementare, pentru c energia de schimb n perete nu se modific brusc. Dac rotaiile vectorului magnetizaie se efectueaz n plane paralele cu suprafeele de separaie ale peretelui, pereii sunt de tip Bloch, iar dac rotaiile au loc n planuri perpendiculare pe suprafeele peretelui, pereii sunt de tip Neel. n fig.2.3 se reprezint procesul de rotaie al magnetizaiei ntro structur de tip Kittel. Din expresia 2.10 rezult c un domeniu magnetic extins are o energie de demagnetizare ridicat, c eea ce conduce la formarea unor domenii mai restrnse, care p resupun o energie de demagnetizare mai redus [Dan].

(a)

(b)

f ig.2 .3 D ep lasar ea per e te lu i Bloch sub inf lu en a cmpu lu i ma gnetic ex ter ior (a), p r in mo d if ic are a or ien tr ii ma g n e t iz a ie i n p lanur i p ar a le l e cu supr afe e le p er e te lu i ( b ). Cu lin ie ngro a t s- au r epr ez en ta t v ec tor ii ma gn e tiz aie pe n tru H A 0 , c ar e s e ro tes c tr ep ta t n d ir e c ia c mp u lui e x ter io r.

66

Pe de alt parte, pentru a forma un nou perete despritor , este necesar un aport su plimentar de energie, care este rezu ltatul interaciunilor de schimb, energi a necesar avnd expresia (2.13). Procesul de formare a unor noi domenii de magnetizare nceteaz i structura de domenii devine stabil , atunci cnd reducerea energiei de demag netizare-prin formarea de noi domenii, este compensat de creterea enegiei necesare pentru a forma noi perei despritori. Energia peretelui este o combinaie dintre energia de schimb, care crete pronunat conform relaiei (2.13), cu micorarea lim ii peretelui i energia de anizot ropie, care crete odat cu mrirea volumului peretelui. Energia de schimb favorizeaz spinii paraleli, iar forele de interaciune de schimb vor tinde s mreasc limea a peretelui. Din expresia energiei de anizotropie (2.14), rezult c o lime mare a peretelui presupune i o energie de anizotropie de valoare ridicat. Limea stabil a peretelui este determinat de echilibrul forelor de schimb i de anizotropie. n cmp magnetic aplicat din exterior, vectorul magnetizaie se rotete determinnd modificarea configuraiei de domenii,astfel nct criteriul de diverg en nul a magnetizaiei, s fie meninut intern, iar energia total a sistemului n care intervine i energia de interaciune cu cmpul magnetic exterior, s fie minim.[Dan].
2.4.3. Anizotropia magn etic P roprietile magnetice ale unor materiale depind de anumite direcii prefer eniale sau axe de uoar m agnetizare (mu), de-a lungul crora se orient eaz vectorul magnetizaie. n mod asemntor se definesc axele de magnetizare grea (mg), sau medie (mm). a) Anizotropia magnetocristalin

f ig.2 .4 D ir ec iile d e ma gn etiz are uo ar ( mu) , gr ea ( mg) i me d ie ( mm) p en tru f ier (a) , n ichel (b) i cobalt ( c) .[ Ct].

Mome ntele magnetice de spin i orbitale se orienteaz dup direcii prefer e niale, determ inate de structura cristalin, or ientri pentru care la echili bru termodinamic energia intern a cristalului este minim. n fig.2.4 sunt reprezentate celulele elementare pentru Fe, Ni, Co, care cristalizeaz n sistem cubic cu volum centrat, cu fee centrate , respectiv n sistem hexagonal compact (vezi anexa 1.1).
67

Materialele ferimagnetice cu structur spinelic cum este ferit cubica prezint o direcie de uoar magnetizare care, ca i la Ni, coincide cu diagonala principal a cubului. b) Anizotropia indus Anizotropia indus se obine fie prin laminare la rece, fie prin tratament termic n cmp magnetic. Prin laminare la rece, muchiile cuburilor elementare, care c oincid cu axa de uoa r magnetizare, sunt orientate paralel cu direcia lamin rii, obinndu-se o structur Goss. Procedeul se utilizeaz la fabricarea tolelor de transformator. Prin nclzire n cmp magnetic exterior la o temperatur superioar temperaturii Curie TC , momentele magnetice elementare se orienteaz dup direcia liniilor de cmp. Prin rcire brusc, momentele magnetice i pstreaz starea imprimat de cmpul magnetic, rezultnd anizotropie magnetic indus. Procedeul se utilizeaz la fabricarea magneilor permaneni.
2.4.4. Magnetizarea materialelor feromagnetice. Curba de magnetizare Magnetizarea materialelor feromagnetice sub influena cm pului magnetic exteri or are loc prin rotirea magnetizaiei din interiorul unui domeniu i prin d eplas area pereilor de domenii. Domeniile cu magnetizaia orientat n direcia cmpu lui magnetic aplicat se extind n detrimentul celorlalte domenii, care se restrng. Pentru intensiti reduse ale cmpului magnetic, deplasrile pereilor de domenii sunt reduse, iar procesul de magnetizare este reversibil; astfel, la anularea cmpului, configuraia de domenii revine la forma iniial. La intensiti crescute ale cmpului magnetic, procesul de magnetizare se efectueaz prin salturi de energie (Barkhausen), iar procesul este ireversibil. Defectele de structur ale reelei cristaline fixeaz pereii de domeni i, iar energia necesa r deplasrii pereilor variaz continuu n timpul deplasrii, prezentnd fluctuaii. La anularea cmpului magnetic exterior, structura de domenii nu revine la configuraia iniial i posed magnetizaie remanent. Proce sul de magnetizare este ilustrat prin curba de magnetizare, reprez entat n fig.2.5. Din relaia (2.4), rezult c din dependena magnetizaie cmp se poate obine dependena inducie cmp, dac se adaug primul termen al rela iei (2.4), care reprezint o linie dreapt ce trece prin originea axelor de coordonate. Astfel, curba de prim magnetizare ct i ciclurile de histerezis limit sau minore care sunt cuprinse n interiorul ciclului limit, sunt rotite n sens invers orar, alura lor fiind mai alungit. Segmentele CD, corespunztoare strii de saturaie a materialului, nu mai sunt paralele cu axa absciselor, ci nclinate, avnd panta-egal cu panta dreptei asociat primului termen al relaiei (2.4). Starea materialului la un moment dat este determinat prin magnetizaie i cmp magnetic, depinznd de evoluia anterioar a procesului de magnetizare. Numai punctele de stare (H,M) i (H,B) din interiorul ciclului limit pot caract eriza starea materialului. Presupunem, c n momentul iniial, materialul este demagnetizat (M=0), n absena cmpului magnetic exterior, iar structura de domenii este de tip Landau Lifschitz. Pentru intensiti red use ale cmpului magnetic aplicat materialului (segm entul OA al curbei de prim magnetizare), procesul de magnetizare este reversibil. Pentru intensiti mrite (segmentul AB), procesul este ireversibil, iar n punctul B, structura se apropie de structura monodomeniu, avnd magnetizaia 68

orientat dup o ax de uoar magnetizare. Segmentul BC corespunde rotaiei magnetizaiei din direcia de uoar magnetizare din direcia cmpului magnetic H A . Starea materialului este saturat, n sensul c toate momentele magnetice elementare sunt orientate omoparalel cu cmpul H A . Micornd cmpul H A , punctul ce caracterizeaz starea materialului, se va deplasa pe segmentul CE, stru ctura de domenii transformndu-se treptat din structura monodomeniu corespunztoare punctului C, ntr-o structur asimetr ic cu flux nchis. n punctul E, dei cmpul magnetic aplicat este nul, materialul prezint magnetizaie ( i inducie ) remanent M r , orientat n direcia cmpului magnetic aplicat anterior. Cmpul magnetic cresctor, avnd sensul opus, determin deplasarea punctului ce caracterizeaz starea materialului pe segmentul EF, sau pe curba de demagnetizare, materialul magnetizat comportndu-se ca un magnet permanent. Magnetizaia materialului scade cu creterea cmpului, iar n punctul F se anuleaz, obinndu-se starea demagnetizat a materialului, n prezena cmpului coercitiv H C . Dac suprapunem o component alternativ H peste componenta continu H 0 , (care poate fi i nul) se obine un ciclu minor. Un punct P situat pe ciclul limit, se va d epla sa iniial pn n punctul P plasat pe ciclul limit, iar ulterior se va deplasa pe un ciclu minor a crui ax, ce trece prin punctele P, P este ma i puin nclinat dect tangenta n punctul P. Cicluri minore, a cror ax trece prin punctele P*, P**, se obin pentru materialul a crui stare iniial este demagnetizat (n absena cmpului magnetic exterior), prin aplicarea unui cmp magnetic alternativ. Prin scderea treptat a amplitudinii cmpului alternativ, se obine-n final, starea demagnetizat corespunztoare punctului O. Materialul se

f ig.2 .5 Curba d e ma gn etizar e n coordon ate H-M (a ).

69

poate readuce n stare demagnetizat prin aplicarea unei componente alternative H ~ suprapus peste componenta continu H 0 a cmpului, care se micoreaz treptat pn la anulare, ulterior anulndu-se treptat i componenta alternativ.

f ig.2 .5 Curba d e ma gn etizar e n coordon ate H- B ( b). Va ria ia p er mi t i v i t ii r e la t iv e s ta ti c e n f u n cie d e in t en s i ta t e a c mp u lu i ma g n e t ic ap l i ca t (c) .

Permeabilitatea relativ static r st i diferenial r dif sunt definite pentru un punct situat pe curba de magnetizare, ale crui coordonate (H,B) sunt cunoscute: B , (2 .1 5) r st = 0 H
1 B (2.16) = tg . 0 H ntruct pe poriunea OA, curba de p rim magnetizare (fig.2.5a) este concav, iar pe poriunea AB, este convex, permeabilitatea relativ difereni al se modific conform cu reprezentarea din fig. 2.5c, tinznd spre o valoare minim, pentru intensiti ridicate ale cmpului magnetic aplicat. Permitivitatea relativ reversibil i iniial se definesc prin relaiile: 1 B r rev = lim (2.17) H = H 0 ; B = B0 = tg < tg H 0 0 H ciclu reversibil 1 B (2.18) ri = lim H =0 ; B =0 H 0 0 H ciclu ireversibil Valoarea permitivitii relative reversibile este inferioar valorii permitivitii relative difereniale, pentru c axa ciclului minor, este mai puin nclinat fa de axa absciselor, n comparaie cu tangenta n punctul con s iderat p e curba de prim magnetizare, sau pe ciclul limit (fig. 2.5a). Variaiile rapide ale cmpului magnetic exterior sunt urmrite ci n trziere de ma gnetizaie (i inducie), datorit vscozitii magnetice . Pentru u n cmp magne tic, a crui intensitate se modifi c n timp, conform rel aiei: H (t ) = H 0 sin t , (2.19) magnetizaia materialului are expresia: M (t ) = m ( ) H 0 sin[t ( )] . (2.20) Datorit p ostfectului, legea de material (2.4), nu mai este valabil cu exactitate, atunci cnd un material fero- sau ferimagnetic este introdus ntr-un cmp magnetic variabil. Cmpul magnetic nu mai este coliniar cu magnetizaia,

r dif = lim

H 0

70

sau inducia din interiorul materialului. Defazajul ( ) ntre cmpul magnetic i magnetizaie se mrete cu cre terea frecvenei. n regim nestaionar se definete permeabilitatea relativ dinamic: B , (2.21) rdin = 0 H care este proporional cu panta medie a ciclului de histerezis descris n jurul punctu lui caracteristic strii materialului. Datorit postefectului, valo area permitivitii dinamice este inferioar val orii permitivitii statice i scade cu creterea frecvenei. Pentru frecvene cr esctoare, nclinaia axelor ciclurilo r minore fa de axa absciselor, se micoreaz i, de asemenea, valorile permitivitilor se micoreaz. Pentru magnei permaneni se definete permeabilitatea relativ permanent coresp unztoare punctelor situate pe curba de demagnetizare: B , (2.22) rper = C < H <0 0 H cicluHreversibil

care e ste afectat n acelai mod de creterea frecvenei cmpului magnetic exterior.
2.4.5. Infl uena factorilor externi asupra proprietilo r feromagneticilor a) Influena temperaturii Magnetizaia unui materi al magnetic scade cu creterea temperaturi i datori t agitaiei termice. La temperaturi superioare temperaturii Curie, energia termic a reelei depete energia interaciunilor de schimb, domeniile cu magnetizare spontan dispar, iar materialul devine paramagnetic sau nemagnetic (fig. 2.6a). Temperaturile Curie sunt: 770C pent ru f ier, 362C pentru nichel, 1127C pentru cobalt.[Ct].

( a)

(b)

f ig.2 .6 D ependen e le ma g n e t iz a ie i n fun ci e d e t e mpe r a tu r a (a ) i p e r me a b i l i tii r e la t iv e in iiale n fun cie de fre cv en a ( b ) p en tr u ma t e r i a le f er o ma g n e t ic e.

b) Influena frecvenei Datorit vscozitii magnetice sau postefectului, magnetizaia nu urmrete instantaneu variaiile rapide ale cmpului magnetic. nclinaia cicluri l or de hister ezis n raport cu axa absciselor scade cu creterea frecvenei, iar pe rmeabilitile relative scad de asemenea. Pentru tole de transformator frecvena critic de la care apar modificri pronunate ale permeabilitii relative iniiale (fig. 2.6b), are expresia aproxi mativa [Ct]: 71

f cr

r D 2
i

(2.23)

unde: D reprezint grosimea tolei, iar este conductivitatea materialului tolei. Pentru frecvene superioare: f > f cr permeabiliatea relativ este n raport direct cu 1 . f c) Influena impuritilor Impuritile, cum sunt carburi metalice sau materiale neferomagnetice, se asimileaz cu defecte ale reelei cristaline, care fixeaz pereii de domenii mpiedicnd deplasarea acestora, avnd efectul global de cretere a magnetizaiei (i induciei) remanente i mai ales a cmpului coercitiv. Impuritile sunt utilizate la fabricarea magneilor permaneni. De asemenea, elemente din seria pmnturilor rare (lantanide) sunt utilizate n acest scop. Elemente cum sunt Ni, Co, Cr sau Mb determin creterea per mitivitii relative i a magnetizaiei de saturaie i scderea cmpului coercitiv. Aceste elemente su nt utilizate la fabricarea materialelor magnetice linia re, pentru m iezuri mag netice. Materialul tolelor pentru transformator conine Si, care determin creterea rezisti vitii materialului i n consecin, micorarea pierderilor de putere prin cureni turbionari.
2.5. Ferimagnetism [Ct] 2.5.1. Modelul teoretic al ferimagnetismului Structura materialelor ferimagnetice se caracterizeaz prin existena a dou (sau mai multe) subr eele magnetice a cror particule au momente elementare spontane orienta te antiparalel. Momentele magnetice de spin constitui e componenta principal a momentului magnetic elementar. Contribuiile celor dou subreele la magnetizaie sunt diferite. Momentele magnetice elementare ale celor dou reele nu se comp ense az reciproc, ceea ce conduce la apariia unui moment magnetic spontan. ntre cele dou subreele interaciunea este puternic i de natur antiferomagnetic, iar n subreea, interaciunea este slab i de natur ferom agnetic. Anizotropia mag neto-cristalin pronunat a monocristalelor crescu te epitaxial din soluiile lichide cu fondani, cum sunt granaii magnetici uniaxiali, rezult din distribuia preferenial a ionilor magnetici. Feritele cubice sunt reprezentative pentru clasa materialelor ferimagnetice, prezint anizotropie i magnetostriciune i au dependene pronunate ale magnetizaiei de temperatur i de cmpul magnetic aplicat, asemntoare cu cele ale materialelor feromagnetice. n fig.2.7 sunt prezentate dependenel e de temperatur ale magne tizaiei pentru ferite si granai. Spre deosebire de materialele feromagnetice, temperaturile Curie ale feritelor sunt mult mai sczute, fiind cuprinse ntre 60 o C i 450 o C. Momentele magnetice ale celo r 2 subreele se compenseaz n cazul granailor, la tempe ratura T K , iar peste temperatura Curie, granatii, ca i feritele, devin paramagnetici sau nemagnetici.

72

M5

M5

TC

TK

TC

f ig.2 .7 D ependen e le ma g n e t i zaiei d e temp eratur p en tru f er i t e ( a) i p en tru gr ana i (b)

2.5.2. Materiale ferimagnetice Feritele monocristaline au structura spinelic sau hexagonal: MeOAl 2 O 3 precum i structur de tip granat: A 3 B 5 O 1 2 . Cationul Me poate fi mangan, fier, cobalt, nichel sau zinc, n feritele cu structur spinelic, i bariu, stroniu sau plumb, n feritele cu structura hexagonal. Elementul A din structura de tip granat, aparine seriei pmnturilor rare, iar elementul B este fier, galiu sau aluminiu. Feritele sinterizate, sunt realizate din pulberi i un liant. Prin nclzire n casete, amestecul se solidific obinnd forma casetei, Rezistivitatea feritelor este ridicat cu valori pn la: = 10 8 cm , dar permitivitile relative, magnetizaia i inducia de saturaie i remanen au valori mai sczute dect la materialele feromagnetice. Feritele sinterizate, sunt utilizate pentru realizarea miezurilor magnetice ale bobinelor i transformatoarelor, care funcioneaz la frecvene superioare frecvenei de 50Hz. Puterea transferat din nfurarea primar n infurarea secundar a unui transformator, depinde de seciunea miezului magnetic, deci de dimensiunile miezului. Pentru un miez feromagnetic comun, puterea transferat pe unitatea de suprafa a miezului, la frecvena de 50Hz, este n raport direct cu ptratul seciunii miezului. Pentru un miez ferimagnetic care funcioneaz la frecvene de ordinul zecilor sau sutelor de kHz, puterea transferat pe unitatea de suprafa este mult mai ridicat, pentru c numrul de perioade dintr-o secund este mult mai mare, iar puterea este transferat pe parcursul unei perioade. Pentru o putere dat a transformatorului, dimensiunile transformatorului cu miez de ferit, scad considerabil n comparaie cu dimensiunile transformatorului cu miez f eroma gnetic. ntruct transformatorul funcioneaz pe baza legii induc iei electromagnetice, transferul de energie din primar n secundar, se efectueaz prin intermediul fluxului magnetic: = BS, unde este seciunea miezului sau mai exact, prin intermediul variaiei n timp a fluxului magnetic: d/dt. Valoarea maxim a fluxului este limitat de procesul de saturaie al miezului, sau de valoarea maxim a induciei n miez: B m a x = B s a t . Dar nu valoarea fluxului magnetic este important n transferul de energie, ci viteza cu care se modific fluxul magnetic n timp. Aplicnd nfurrii primare o tensiune cu form de variaie sinusoidal n timp, transferul d e energie se efectueaz pe parcursul unei perioade. Puterea transferat, este prin definiie, energia transferat ntr-o secund. Astfel, numrul d e transferuri de energie din primar n secundar, este propo rional cu frecvena tensiunii aplicate nfurrii primarului. Pentru frecvene ridicate, creterea puterii transferate datorit creterii frecvenei, este 73

mult mai pronunat la miezurile din ferit sinterizat in comparaie cu miezurile feromagnetice din tole, dect scderea puterii transferate datorit unor valori reduse ale permeabilitaii relative, ale induciei magnetice i implicit ale fluxului magnetic. Pe de alt parte, rezistivitatea feritelor sinterizate este foarte ridicat, iar pierderile prin cureni turbionari sunt reduse. Miezurile feromagnetice, dei sunt alctuite din tole pentru micorarea pierderilor prin cureni turbionari, la frecvene ridicate se nclzesc excesiv datorit acestor cureni.
2.6. Piezomagnetism [Ct]

Piezomagnetismul este proprietatea materialelor magnetice de modificare a strii de magnetizare sub influena tensiunilor mecanice (fig.2.8a). Magnetostriciunea sau efectul piezomagnetic invers, const in deformarea reelei cristaline a materialului sub influena cmpului magnetic exterior, care produce modificri ale strii de magnetizaie (fig.2.8b).

f ig.2 .8 D ependen a indu c ie i magnetice d e cmp u l ma gnetic ap licat i d e so licitarea me c n i c ( a) i v a r iaia alung ir ii relativ e p iezo me gnetice funcie de ma g n e tiz a ie la un mo no cr is ta l d e fie r n e ten s ion a t (b) . [ Ct]

P entru a prezenta piezomagnetism, este necesar s se a plice materialelor magnetice un cmp magn etic exterior, care determin apariia strii de magnetizare temporar.
2.7. Pierderi n materiale fero- i ferimagnetice 2.7.1. Permeabilitatea relativ complex i tangenta unghiului de pierderi Presupunem c expresia permeabilitaii relative complexe, definit prin relaia (2.5), este de forma: r = r ' j r " (2.24)

i caracterizeaz materialul magnetic din punct de vedere al capacitii sale de a se magnetiza ct i din punct de vedere al pierderilor de putere activ. Vom arta n continuare c expresia (2.24), este confirmat teoretic. Considerm o bobin cu miez magnetic, reprezentat in fig.2.9a. Impedana bobinei are expresia: ' " " ;' Z = j r L0 = r r L0 = r L0 + j r L0 , (2.25)

74

unde: L 0 este inductivitatea bobinei fr miez. Prin urmare, o bobin cu miez este echivalent cu o bobin fr miez si fr pierderi de putere activ n miez, avnd inductivitatea de r ori mai mare: L m = r L 0 , conectat in serie cu o rezisten de pierderi de valoare: r m = r L 0 Din schema echivalent se observ c r caracterizeaz materialul din punct de vedere al capacitii sale de a se magnetiza, iar r - din punctul de vedere al pierderilor de putere activ din material care se transform n cldur (fig.2.9b).

f ig.2 .9 S ch ema e c h iva l en t a un ei bob in e cu miez ma gnetic i d i agr a me f a zor i a le a so c ia t e.

Din diagrama vectorial (fig.2.9c), asociat schemei echivalente, se obine in do u etape, diagrama permeabil itii relative complexe (fig.2 .9e), care confir m valabilitatea expresiei (2.24). Pe de alt parte, din diagrama vectori al (fig.2.9c), se obine diagrama puterilor (fig.2.9f), tangenta unghiului de pierd eri fiind definit prin relaia: Pa U r I UI sin m rm r" . (2.26) tg m = = = = = Pr U L I UI cos m Lm r ' Tangenta unghiului de pierderi - care e o mrime real - este utilizat ca mrime ce caracterizeaz materialul magnetic din punct de vedere al pierderilor de putere activ si nu partea imaginar a permeabilitii relative complexe. Factorul de calitate, are expresia: Lm 1 , (2.27) = Q= tg m rm crescnd cu frecvena, atunci cnd pierderile n miezul magnetic nu se mresc semnificativ. Cu relaia (2.26), relatia (2.24) obine forma: r = r ' (1 jtg m ) (2.28)

75

2.7.2. Pierderi prin cureni turbionari Materialele feromagnetice au conductibilitate electric ridicat. Introduse in cmp magnetic variabil, conform legii induciei electromagnetice, n aceste materiale se induc tensiuni electromotoare care genereaz cureni turbionari. Pentru micorarea pierderilor prin cureni turbionari, miezul feromagnetic este format din tole izolate electric ntre ele. Expresia tangentei unghiului de pierderi prin cureni turbonari a miezurilor feromagnetice alctuite din tole, este [Ct]: d 2 0 " (2.29) tg m = r ' = rrev f 6 r unde: d este grosimea tolei, iar f este frecvena cmpului magnetic aplicat. Din fig.2.10a i relaia (2.29), se observ c partea imaginar a permeabilitii relative, ca si tangenta unghiului de pierderi, au valori acceptabile pentru frecvene inferioare frecvenei limit: f l i m = 50100Hz.

f ig.2 .10 D ep enden e le d e f r e cv en ale p erm eab ilitii ma gn e tic e p en tru ma te r ia le cu p ierder i pr in cur eni turb ion ar i ( a) i pr in ma gn e t iz ar e ( c) ; v ar i aia indu c ie i i p er me a b i l i t ii rela tiv e la ap licarea bru s c a c mp u lu i mag n e t ic ( b ) .

Micorarea grosimii tolelor si a conductivitii materialului feromagnetic (prin aliere cu siliciu) determin micorarea acestor pierderi. Miezurile ferima gnetice au conductibiliti elect rice si pierderi prin cureni turb ionari extrem de sczute, iar relaia (2.29) nu mai este valabil pentru aceste miezuri, care pot transfera la frecvene ridicate, puteri mult mai mari dect miezurile feromagnetice.
2.7.3. Pi erderi prin histeresis Energia specific, pe unitatea de volum, fu rnizat de cmpul magnetic exterior I pentru parc urgerea unui ciclu de histeresis, este proportionala cu supraf a a ciclului:
WH

[J / m ] =
3

ciclu

[A / m]

dB [T ] .

(2.30)

Pierderile specifice pe unitatea de mas sunt: W [ J / kg ] pH = [H ] , f Hz unde: Kg / m 3 este densitatea volumetric.


76

(2.31)

O relaie em piric a fost obinut de Steinmetz: n WH = Bmax (2.32) unde: i n sunt constante de material, cu valori cuprinse ntre 1 i 2. Determinarea analitic a pierderilor prin histeresis, este dificil datorita neliniaritii curbei de histeresis. Astfel, pentru o variaie sinusoidal a cmpului magnetic, variaia induciei nu este sinusoidal, iar permeabilitatea relativ complex, este o funcie de intensitatea si frecvena cm pului magnetic aplicat. Pierderile prin histerersis se reduc prin utilizarea unor materiale fero- si ferimagnetice cu suprafaa ciclului de histeresis redus.
2.7.4. Pierderi prin magnetizare La apilcarea brusc a unui cmp magnetic, a crui intensitate poate fi relativ sczut, inducia magnetic obine instantaneu valoarea B i (fig. 2.10b), dup care se modific n timp dup o lege exponenial, cu constanta de timp m . n mod asemntor se modific si permeabilitatea relativ a materialului. Experimental se constat ca procesul tranzitoriu este de natura unei "vscoziti" termice, disprnd la tempetura absolut. Cu creterea frecvenei, inducia urmrete cu ntrziere variaiile rapide ale campului magnetic, iar r se micoreaz, pentru c nclinaia ciclurilor de histeresis se micoreaz. De asemenea, n relaia (2.20), defazajul () ntre cmpul magnetic sinusoidal i magnetizaia materialului, crete cu creterea frecvenei, rezultnd un maxim al pierderilor prin magnetizare i al prii imaginare a permea bilitii relative (fig.2.10c). La frecvene mai ridicate, magnetizaia (i inducia) nu mai urmresc variaiile cmpului i pierderile prin magnetizare scad. 2.7.5. Pierderi prin rezonan magnetic Prin aplic area brusc a unui cmp magnetic continuu H 0 , datorit forei Loren tz de interaciune ntre cmpul magnetic si micarea orbital a electronilor, apare o acceleraie centripet suplimentar, care imprim electronilor o micare de precesie in jurul direciei cmpului (2.1 la)

f ig.2 .11 M ic ar e a d e p r ec e s ie a mo r t iz a t ( a) i n e a mo r t iz a t (b) a mo me n tu lu i ma g n tic m i d epend en ele d e f r e cv en a le p e r me a b i l i t ilor ma g n e tice a ma te r ia le lor cu p ierd er i pr in re zon an ma gn etic (d) i a fer itelo r (d) [ C t]

77

Micarea de precesie Larmoor, cu pulsaia L = H 0 , unde este coeficientul giromagnetic, este o micare amortizat datorit interaciunilor cu re eaua cristalin . Aplicnd un cmp magnetic H 1 = H 1 max sin L t , cu orientare perpendicular n raport cu directia campului H 0 , micarea de precesie nu mai este amorizat, rezultnd rezonana magnetic. Dependenele componentelor permeabilitii relative de frecven a cmpului magnetic H 1 , reprezentate in fig. 2.11d, sunt asemntoare celor din fig. 1.6. Pierderile maxime de putere avnd loc la frecvene Larmoor. Pentru ferite se constat experimental ca exist dou maxime ale componentei r : primul maxim apare la rezonana deplasrii pereilor Bloch, iar al doilea la frecvena Larmoor (fig.2.11.c).
2.8. Tipuri de materiale magnetice [Ct]

Materialele magnetice cu cmp coercitiv redus se numesc moi si sunt utilizate la fabricarea miezurilor magnetice, iar cele dure, cu cmp coercitiv ridicat, sunt utilizate la fabricarea magneilor permaneni i pentru nregistrarea ma gnetic a informaiei. a) Materiale pentru miezuri magnetice Aliajele feroase cu coninut de siliciu sunt utilizate sub form de tole, la realizarea miezurilor de transformator. Aliajele Fe-Ni, de tip permalloy avand r > 100000 i B s a t = 1,5T, cu coninut de nichel in proporie de 4050 %, sub form de tole cu grosimi de ordinul zecilor de m, sunt utilizate pentru realizarea transformatoarelor care funcioneaz la frecvene ridicate (zeci de kHz). Aliajele Fe-Co, de tip permendur, avnd B s a t = 2,5T, sunt folosite pentru fabricarea electromagneilor, iar aliajele Fe-Co-Ni, de tip perminvar, a cror permeabilitate nu se modific sernnificativ pn la intensiti ridicate ale cmpului magnetic aplicat, se utilizeaz la realizarea miezurilor liniare pentru bobine, datorit dependenei liniare a induciei (magnetizaiei) de cmp. De asemenea, feritele sinterizate sunt des utilizate pentru realizarea miezurilor magnetice ale bobinelor i transformatoarelor care funcioneaza la frecvene ridicate. b) Materiale pentru magnei permaneni Eficacitatea unui magnet permanent se apreciaz prin valoarea energiei n intrefier, valoare care depinde de produsul (BH). Se impune ca ma terialele utilizate la fabricarea magneilor permaneni s posede un indice de calitate (BH) de valoare ridicat. Astfel de ma teriale sunt: oelurile aliate cu coninut de cobalt, nichel, alumi niu sau cupru. Anizotropia magnetic este indus prin tratament termic n cmp magnetic. Feritele cu coninut de cobalt sau bariu, sunt de asemenea utilizate pentru realizarea magnenilor permaneni. Materialele ferimagnetice, n compoziia crora sunt elemente din seria pmanturilor rare, sunt utili zate pentru generarea unor cmpuri magnetice extrem de intense. c) Materiale pentru nregistrarea magnetic a informaiei Aceste materiale presupun o dependen univoc ntre inducia remanent i cmpul magnetic exterior precum i valori ridicate ale cmpului magnetic
78

coerci tiv, pentru evitarea tergerii accidentale a informaiei n prezena unor cmpuri magnetice perturbatoare. Materialul magnetic, sub form de granule, cu dimensiuni cuprinse ntre 0,5m i lm, se amestec cu un liant dielectric i se depune pe un substrat, sub forma unui strat cu grosimea de aproximativ 20m. Dimensiunile granulelor din oxizi de fier (Fe 2 O 3 ) sau crom (CrO 2 ) si uniformitatea stratului depus infl u enteaza raportul semnal / zgomot si calitatea nregistrrii. Performane deosebite sunt obinute cu pelicule metalice din aliaje Fe-Co-Ni. d) Materiale termocompensatoare i piezomagnetice Materialele temocompensatoare sunt aliaje de Ni cu Fe, Cu sau Cr si se caracterizeaz prin temperaturi Curie: T C < 100C. Permeabilitatea acestor materiale crete pronunat cu scderea temperaturii, aceasta proprietate fiind utilizat pentru a menine constant ntr-un interval larg de temperatur, fluxul magn etic produs de un magnet permanent. Pent ru compensarea variaiei fluxului se introduce n circuitul magnetic un material termocompensator. Materialele piezomagnetice se caracterizeaz prin efect piezomagnetic pronunat, efect utilizat la realizarea generatoarelor sonice si ultrasonice. Astfel de materiale sunt aliajele Ni-Fe, Ni-Co sau feritele cu coninut de cobalt.
2.9. ntrebri

1. Descriei starea de magnetizaie a materialelor magnetice i definii mrimile caracteristice. 2. S se argumenteze motivul pentru care susceptivitatea magnetic poate sau nu poate fi negativ sau nul; Se are n vedere relaia dintre inducia magnetic i cmpul magnetic aplicat i c pentru permeabilitatea nul inducia este nul n prezena cmpului, iar pentru permeabilit atea negativ sensurile induciei i cmpului sunt opuse, rezult nd incompatibilitatea cu teoria cmpului e lectromagnetic. 3. Clasificai succint materialele magnetice dup tipul magnetizaiei i al dependenei magnetizaiei de cmpul magnetic apl icat. 4. S se explice apariia magnetizaiei temporare la materialele diamagnetice i paramagnetice i a magnetizaiei spontane la materia lele fero- i ferimagnetice; 5. Analizai tipurile de magnetizri pe baza proceselor care au loc n fiecare tip de material magnetic: 6. S se ara te care sunt asemnrile i deosebirile dintre materialele dielec trice i cele magnetice, din punctul de vedere al definirii mrimilor caracteristice i clasificrii acestor materiale: 7. Enumerai i comentai pe baza diagramelor asociate, principalele funcii ale materialelor magnetice: Se pornete de la expresiile induciei electrice i magnetice, respectiv ale polari zaiei i magnetizaiei n funcie de cmpul electric sau magnetic aplicat i se dezvolt difereniat aspectele (dia- i paramagnetice etc.) legate de aceste expresii. 8. Explicai modul prin care se realizeaz funcia de nregistrare magnetic a inform aiei. Pentru informaia numeric se utilizeaz materiale suport cu ciclul histeresis dreptunghiular, iar pentru informaia analogic, corespondena biunivoc ntre magnetizaie i cmp magnetic alternativ cu intensitate redus, peste cmpul
79

magnetic variabil, astfel nct punctul curent, care caracterizeaz starea local a materialului s se deplaseze pe caracteristica de prim magnetizare. 9. Explicai natura fizic a apariiei feromagnetismului. 10. Exprimai i comentai principalele energii care intervin n procesul de magnetizare, n tratarea macroscopic detailat a procesului de magnetizare, la nivel de domenii: 11.Analizai o structur magnetic cu flux deschis, de tip monodmeniu i structurile cu flux nchis- de tip Landau- Lifschitz, precum i evoluia acestor structuri atunci cnd grosimea eantionului magnetic se micoreaz : 12. Explicai din punct de vedere energetic condiia ca structura de domenii a unui material feromagnetic s devin stabil; 13.Explicai din punct de vedere energetic, stabilirea limii peret elui de d omenii; 14.Motivai pe baza energiilor implicate, formarea domeniilor de magnetizare i a perechilor de domenii, punnd accentul pe modul prin care se realizeaz echilibrul energiilor i echilibrul stabil att a limii domeniilor de magnetizare, ct i a limii pereilor d e domenii; Pe baza expresiilor energiilor implicate, se va arta c echilibrul atabil se obine atunci cnd creterea unor energii este asociat cu scderea altor ene rgii: 15.S se analizeze modificarea structurii de domenii pentru grosimi descresctoare ale materialului feromagnetic, pentru grosimi mari i mici, structura de domenii fiind cu flux deschis, iar pentru grosim i intermediare structura fiind cu flux nchis; Se vor trasa schematic structuriile cu flux deschis, de tip monodomeniu (cu energie de demagnetizare ridicat), cu flux nchis (fr sarcini magnetice fictive superficiale) i structura Kittel (cu limi ale domeniilor de magnetizare comparabile cu grosimea eantionului astfel nct nu se mai pot forma monenii prismatice de nchidere); 16.Scriei legea de material pentru materiale magnetice, utiliznd mrimi vectoriale sau complexe i artai motivul pentru care relaia ntre mrimile complexe este mai susceptibil interpretrii teo retice; 17.Analizai anizotropia magneto-cristalin i indus i precizai direciile axelor de magnetizare uoar , medie i grea pe baza celulelor elementare, pentru fie r, nichel i cobalt; 18.Descriei procesul de magnetizare al materialelor fero- i ferimagnetice, pe baza curbei de magnetizare, utiliznd pentru exemplificare, o structur magnetic cu flux n chis; 19.Analiza pe baza curbei de magnetizare, diferitele tipuri de cicluri minore, care apar atu nci cnd peste componenta continu a cmpului magnetic aplicat, se sup rapune i o component alternativ, preciznd modul n care se deplaseaz punctul de stare al materialului magnetic, pe aceste cicluri minore; 20.Considernd curba de magnetizare a materialelor feromagnetice, s se indice i s se explice poriunile n care procesele de magnetizare sunt reversibile, sau ireversibile i s se explice apariia strilor magn etizat i demagnetizat, la interseciile curbei cu axele de coordonate ; 21.Comparai permeabilitile magnetice: diferenial i reversibil i analizai modificarea permeabilitii magnetice reversibile, atunci cnd intensitatea cmpu lui magnetic aplicat se modific;
80

22.S se agumenteze motivul pentru care relaia de legtur ntre inducia magnetic i cmpul magnetic aplicat, este o relaie ntre mrimi complexe i are un grad de exactitate mai redus. Se are n vedere c n cmpul magnetic staionar, dar mai ales variabil, intervin proprietile de material, prin susceptibilitatea magnetic, vscozitatea magnetic, pierderile prin magnetizare i postefectul. 23.S se motiveze relaia de inegalitate dintre permeabilitatea magnetic diferenial i cea reversibil, pentru un material feromgnetic. 24.Motivai, utiliznd postefectul, scderea permeabilitii magnetice relative atunci cnd frecvena cmpului magnetic aplicat se mrete. 25.S se arate cum se modific fo rma ciclului de histeresis minor la creterea fre cvenei cmpului magnetic aplicat din exterior. 26.Descriei modul n care se deplaseaz peretele de domeniu a unei structuri de tip Kittel i motivai, pe baz energetic, extinderea domeniilor de magnetizare n care magnetizaia are acelai sens cu cmpul magnetic aplicat; 27.S se analizeze din punct de vedere energetic, extinderea domeniilor cu magnetizaia orientat n sensul cmpului magnetic aplicat. R: Presupunnd c energia total este suma dintre energia de demagnetizare poz itiv i energia de interaciune cu cmpul magnetic aplicat din exterior, energia total minim se obine pentru semnal negativ al energiei de interaciune cu cmpul magnetic exterior. 28.Descriei prin relaii i diagrame fazoriale, pierderile de putere activ n materialele fero- i ferim agnetice i specificai semnificaiile componentelor permeabilitii magnetice relative complexe: 29.Pentru determinarea componentei reale a permeabilitii relative i a tangentei unghiului de pierderi a materialelor ferom agnetice, se utilizeaz un circuit rezonant serie i un Q-metru. S se stabileasc configuraiile circuitelor de msurare i algoritmul msurrilor. 30.S se argume nteze micorarea componentei reale a permeabilitii magnetice relative, atunci cnd frecvena cmpului magnetic aplicat se mrete i s se explice alura dependenei de frecven a componentei imaginare a permeabilitii m agnetice relative. 31.Analizai pierderile prin cureni turbionari i modalitatea de micorare a lor. 32.Analizai pierderile prin histeresis i precizai modalitatea de micorare a lor. 33.Analizai, pe baza curbei de magnetizare, pierderile prin magnetizare; 34.Analizai pierderile prin rezonan magnetic. 35.Avnd n vedere pierderile prin rezonan magnetic, s se argumenteze similitudinea dependenelor de frecven ale componente lor permeabilitii relative a materialelor feromagnetice, cu dependenele de frecven ale componentelor permitivitii relative a materialelor dielectrice cu polarizare de deplasare i s se explice apariia pierderilor prin rez onan magnetic. R: Se are n vedere c n ambele situaii apare un proces de rezonan.
2.10. Probleme

1. Se considera un tor realizat dintr-un material feromagnetic, care se magnetizeaza la saturatie prin intermediul unei infasura ri parcurse de un curent si care se anuleaza ulterior, iar nfasurarea se ndeparteaza. Sa se determine
81

valoarea ntrefierului astfel nct sa se obtina indicele de calitate maxim n miez : (B m H m ) m a x .

Rezolvare:

Indicele de calitate maxim n miez se obtine n punctul P( H c ,


2

Br 2

), situat pe

caracteristica de demagnetizare, aproximata cu un arc de elipsa. Din legea fluxului magnetic prin suprafata rezulta ca inductia magnetica n fier si ntrefier are aceeasi valoare si sens; daca se presupune sectiunea torului suficient de redusa pentru a considera cmpul magnetic uniform pe sectiune si daca se neglijeaza efectele de margine, sau S m =S : B m S m =B S Din legea circuitului magnetic rezulta sensul opus al cmpului magnetic n miez H m , fata de cmpul magnetic n ntrefier : H = B / 0 :

Hdl = H m l m + H l ,

unde : l m este lungimea mediana a miezului feromagnetic. Rezulta: B m =B = 0 H = 0 H m l m ,


l

i ar pentru a obtine indicele de calitate maxim, care corespunde energiei maxime n miez, lungimea optima a ntrefierului, este:
l optim = 0Hclm Br

Densitatea totala de energie w este suma densitatilor de energie n miez si ntrefier: H B H B w = wm + w = m m + .


2 2

Daca punctul P se deplaseaza pe curba de demagnetizare ntr-un sens, sau n sens opus fata de punctul de referinta P( H c , Br ), cresterea de energie totala
2 2

datorita cresterii un ui termen, este mai mica dect scaderea de energie, datorita scaderii celuilalt termen. Prin urmare densitatea maxima de energie a sistemului forma t din miezul magnetic si ntrefier corespunde punctului P( H c ,
2 Br 2

).

Este de retinut ca atunci cnd se cunoaste dimensiunea ntrefierului, pentru obtinerea unei energii ridicate n ntrefier, materialul magnetic trebuie sa indeplineasca conditia impusa pentru l o p t i m . Sa se studieze n acest sens problema inversa, cu aplicati e - de exemplu - la difuzoare sonore.
2. Un disc feromagnetic avnd = 6 10 - 7 m si dimensiunile: D = 10 cm , g = 1 mm, este strabatut normal de un cmp magnetic omogen cu B e f = 0,5 T si 82

frecventa f = 50 Hz. Sa se calculeze pierderile prin curenti turbionari n disc.

Rezolvare: Din legea inductiei electromagnetice rezulta:

Edl =

B dS = t t S

Datorita simetriei cilindrice:


E= r B r = B max cos t. 2 t 2

Densitatea de curent are expresia:


J = E = E r = B max cos t 2

Puterea activa dezvoltata n unitatea de volum este:


p(t ) = J E = E2 r2 2 = B max 2 cos 2 t 4

Puterea a ctiva dezvo ltata n disc are expresia:


P(t ) = p(t )dv = 2 B 2 cos 2 tD 4 g / (128 ), max
v

Tinnd cont de relatia:


T 0

sin

xdx = cos 2 xdx =


0

T 2

puterea activa dezvoltata pe o perioada, sau putere medie, este:


Pmed = 1T 2 P(t )dt = f 2 Bef D 4 3g / (32 ) 100 W T 0

Valoarea relativ ridicata a puterii disipate prin curenti turbionari se datoreaza valorii ridicate a inductiei magnetice n spatiul n care este plasat discul feromagnetic.
3. Pentru un disc ferimagnetic cu ciclu de histeresis dreptunghiular caracterizat prin: H c = 25 A/m si B r = 1,2 T, avnd diametrul D = 10 cm si grosimea g = 1 mm, sa se determine pierderile de putere activa pri n h ister esis, la o f recventa de 50 kHz. Rezolvare: Energia specifica, corespunzatoare unitatii de volum, furnizata de cmpul ma gne tic exterior, pentru parcurgerea unui ciclu de histeresi s, are expresia: w H = HdB = 2B r 2H c = 120J / m 3
ciclu

Energia corespunzatoare ntregului volum al discului, este:


WH = D 2 g w H = 3 10 4 J 4

83

Pierderile de putere prin histeresis sunt egale cu energia m agnetic exterior, in tr-o secunda,sau: P H = f W H = 50 . 10 3 . 3 . 10 - 4 = 15 W. Valoarea ridicat a a pierderilor de putere prin histeresis ri dicate a inductiei r emanente, cmpul coercitiv avnd comparabila cu inten sitatea cmpului magnetic al pamntului

furnizata de cmpul se datoreaza valorii intensitate redusa, (15 A/m).

4. Pe un miez magnetic avnd tg m = 5 10 - 2 , se bobineaza o nfasurare alimentata la o tensiune: U=220 V si frecventa: f =50 Hz, curentul prin nfasurare fi i nd: I=1A. Sa se determine: parametri schem ei echivalente paralel; raportul sectiune/lungime daca r =1100 si numarul de spire este: N=100; modulul pe rmeabilitatii rela tive complexe; expresia puterii dezvoltate instantaneu n cazul n care pierderile de putere activ a sunt nule.

Rezolvare: Expresiile tangentei unghiului de pierderi si pu terii aparente sunt:


tg m = Pa UI cos m L m , = = Rm Pr UI sin m
S2 = Pa2 + Pr2 .

Din sistemul de ecuatii rezulta valorile: P a = 10,99 W ; P arametri schemei e chi valente paralel au expresiile:
Rm = Lm = U2 = 4405, Pa U2 = 0,701H. Pr
N 2S , l

Pr

= 219 VAr

Din expresia inductivitatii:


L m = 0 'r

r ezu lta:
Lm S = = 0,05m . l 0 ' r N 2

Permeabilitatea relativa complexa are expresia: r = 'r j 'r' = 'r (1 j tg m ), iar modulu l permeabilitatii complexe este:
r = 'r 1 + tg 2 m = 1101,42.

D aca consideram ca pierderile de putere activa sunt nule, defazajul ntre tensiune si curent este: m = /2 , iar expresia puterii reactive este:
Pr = U max sin t I max cos t = U max I max sin 2t = U ef I ef sin 2t. 2

Rezulta ca puterea are o pulsatie dubla fata de pulsatia tensiunii si curentului. Se va studia aceeasi problema utiliznd schema echivalenta serie.
84

5. La aceeasi frecventa de rezonanta f*, s-au determinat cu un Q-metru, va lorile capacitatii variabile si ale factorului de calitate pentru aceeasi bobina cu si fara miez ferimagnetic. Sa se determine valoarea permeabilitatii magnetice relative si tangenta unghiului de pierderi a bobinei cu miez pentru frec venta f*. Factorul de calitate al condensatorului variabil este mult mai ridicat decat cel al bobin ei.

Rezolvare: Pentru bobina fara miez magnetic, se pot scrie relatiile:


f* 1 2 L 0 C v 0 ; Q0 = L 0 ; r cu r cu = 1 Q0 L0 , C v0

unde: r cu este rezistenta infasurarii. Pentru bobina cu miez, relatiile sunt asemanatoare:
f* 1 2 L m C v ; Q= L m ; r cu + r m r cu + r m = 1 Q Lm ,, Cv

u nde: r m sunt pierderile in miezul magnetic. Rezulta:


L 0 C v0 = L m C v ; rm = L m L m L 0 . r cu = Q Q1 Q0

Stiind ca:

L m C v = 'r L 0 C v

si

r m = 'r' L 0 ,

rezulta:

1 'r = 2 . L0C v

Componenta reala a permeabilitatii magnetice se poate determina si cu relatia:


'r = L m C v0 = = 15,86 L0 Cv

Se prezinta trei variante de calcul a tangentei unghiului de pierderi: V arianta I:


tg m = 'r Q 0 Q rm 1 L 1 1 1 = 0 = ' = ' = 0,048. L m Q L m Q 0 Q r Q 0 r Q0Q

V arianta II: Pentru bobina fara miez:


L m = 'r L 0

tg cu =

r cu L 0

1 . Q0

P entru bobina cu miez, se pot scrie urmatoarele relatii:


tg m = 1 r cu + r m 1 = = ' tg cu + tg m , Q 'r L 0 r
1 1 + Q 'r Q 0

de unde rezulta:
tg m =

Va rianta III: Pentru bobina cu miez, factorul de calitate are expresia:


85

Q=

'r L 0 L m = . r cu + r m r cu + 'r' L 0

Stiind ca:
'r = 1 = 15,86, L0Cv
2

1 'r L 0 'r 1 = = 0,76, 'r' = r cu L 0 Q Q 0 Q

tangenta unghiului de pierderi,este:


tg m = 'r' 'r = 0,048.

Permeabilitatea relativa are expresia:


r = 'r 1 + tg 2 m 'r .

6. Pentru un material feromagnetic se cunoaste curba de magnetizare. Di ntr-o ba n da de latime: l=3 cm, gro sime: g=0,35 mm si lungime: L=48 m, se co nfectioneza un tor prin infasurarea benzii pe un cili ndru cu diametrul: D=10.8 cm . Pe tor se bobineaza uniform: N=175 spire. Sa se determine permeabilitatea relativa statica si diferentiala in punctu l d e functionare al miezului pentru un curent i=0.6 A si sa se calculeze inductivitatea. Intensitatea campului magnetic se co nsidera uniforma pe sectiunea miezului.

HA / m 150 200 245 280 310

BT 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7

Re zolvare: S e determina dimensiunile sectiunii torului . R + Re , Rm = i

, L = 2R m n , de unde rezulta: R e = 9,09 cm, iar R m = 7,245 cm; n = 10 5 spirale. S ectiunea miezului este: S = (R e R i )l = 11,07cm 2 L egea circuitului magnetic ar e forma: H dl = H 2 R m = J ds = N i,

2 R e R i = ng

de unde rezulta: H = 230 A/ m. Prin interpolar e liniara, rezulta: B = 0,468 T. Permeabilitatile relative statica si diferentiala in punct ul de functionare, au va lorile:

86

rst = r
dif

B = 1,62 103 0H B 0,5 0,4 = = 1,77 10 3 . 0 H 4 10 7 (245 200)


N 2S = 151mH 2R m

I nductivitatea torului are expresia:


L = 0 rst

I nductivitatea s -a calculat utiliznd permeabilitatea relativa statica ntrucat curentul care parcurge nfa surarea este cos iderat alternativ. Daca se considera n fasurarea ca fiind parcursa de un cur ent continuu: I = 0,6 A, peste care se su p rapune un curent alternativ cu amplitudine relativ redusa, inductivitatea to ru lui are valoarea:
L = 0 r dif N 2S = 165mH 2R m

7. Un miez magnetic de forma dreptunghiulara, are sectiunea S = 1cm 2 , lungimea a=4cm, latimea b=3cm. Pe o portiune c=2cm, materialul magnetic "2" are permeabilitate magnetica r = 300 diferita de restul miezului magnetic. Sa se determine curentul printr-o nfasurare cu N = 100 spire astfel ca inductia n miez sa fie: B = 0,5 T. Din curba de m agnetizare a m aterialului magnetic "1" rezulta ca pentru inductia magnetica de 0,5 T, inte nsita tea cmpului magnetic corespunzator este H 1 = 245 A/m.

Rezol vare: D in legea cir cu itului magnetic, rezulta :


H1 l1 + H 2 l 2 = Ni,

u nde : l 1 = 2 (a+b) - c = 11cm l 2 = c = 3cm Intensitatea cmpului magnetic n materialul magnetic "2" este :
H2 = B = 1327A / m 0 r

D in prima relatie rezulta valoarea cure ntului: i = 0,67 A Se va studia aceeasi problema n care materialul magnetic "2" este un magnet pe rmanent. Se vor analiza conditiile n care ener gia magnetica a ansamblului este ma xima.
8. Se considera o bobina cu miez magnetic conectata n serie cu un rezistor a carei rez istent a este : R=80 ohm. Circuitului i se aplica o tensiune alternativa U=220V cu frecv enta f=50Hz, curentul prin circuit are valoarea I=1A, iar tensiunea pe bobina este U 1 =180V. Sa se determine parametrii schemei ec h ivalente a bobinei si pierderile d e pu tere activa n miezul magnetic stiind ca 87

re zistenta nfasurarii masurata n curen t continuu are valoarea

r cu

= 20 ohm.

Rezolvare: P atratul laturii opuse u nui unghi obtuz este egal cu suma patratelor celorlalte doua laturi plus de doua ori produsul uneia dintre aceste laturi cu proiectia ce le ilalte laturi pe ea. Prin urmare :
cos =
2 U 2 U1 U 2 2 = 0,407. 2 U1 U 2

Cunoscnd valorile tensiun i i aplicate bobinei si curentului care o parcurge, rezulta : U Z L = 1 = 180
I

Parametrii schemei echivalente sunt : r L = Z L cos =73 , =164 iar inductivitatea bobinei cu miez are valoarea : L= Z L sin =0,52H.
L = Z L sin = Z L 1 cos 2
2f

Pierderile totale de putere activa cuprind pierderile de putere n nfasurarea din cupru si n miezul magnetic : P a = Pcu + Pm = I 2 r cu + I 2 r m = I 2 r L =73 W. P ierderile de putere n nfasurarea din cupru, sunt : Pcu = I 2 r cu =20 W iar pierderile n miez magneic si rezisten ta echivalenta de pierderi au valorile : Pm = P Pcu =53 W
rm = Pm I2

=53

9. Se considera un ecran sub forma de placa cu suprafata S=8cm si cu grosimea d=0,2 mm, realizat dintr-un material conductor cu conductivitatea = 6, 25 10 7 S/m. Ecranul este strabatut de un c mp magnetic omogen cu B = -3 B 0 2 sin t , B 0 = 10 T, f = 1 MHz. Atenuarea cmpului n adncimea "x" a ecranului se considera de tip exponential : B = B 0 e - x / , unde = 1/ (f 0 ) este adncimea de patrundere a cmpului fata de suprafata: x = 0, a ecranului. a) S a se determine inductia magnetica dupa ecranul magnetic; b) Sa se compare densitatile de energie magnetica ale cmpului nainte si dupa ecranare si sa se determine pierderile de energie (prin curenti turbionari), care se transforma n caldura, n ecran.

88

Rezol vare: a) Adncim ea de patrundere are valoarea :


= 1 f 0

= 0,0636 mm,

iar inductia magnetica dupa ecran, este :


B1 = B 0 e = 43,2 10 6 T .

b) Energiile magnetice specifice nainte si dupa ecranare sunt : 1 1 2 w m0 = B0 H 0 = B0 = 0,397J / m 3 ,


2 2 0 w m1 = 1 1 2 B1H1 = B1 = 74,3 10 5 J / m 3 2 2 0

Prin urmare enegia dupa ecranare este de 535 ori mai mica dect nainte de ecranare. La frecvente ridicate, adncimea de patrundere este redusa si ecranele pot fi confec tionate din materiale conductoare fara proprietati magnetice care ar presupune existenta pierderilor prin magnetizare si histeresis. Pierderile specifice de energie prin cur enti turbionari sunt :
w = w m 0 w m1 = 0,396J / m 3

P ierderile de energie n ntreg v olumul ecranului sunt :


W = w S d = 6,33 10 8 J

iar puter ea tr ansformata n c aldura are valoarea : P = f W = 63,3 mW . Este de retinut ca n fiecare perioada energia se transforma n caldura si cu ct numarul de perioade dintr-o secu nda este mai mare, cu att si pierderea de en ergie prin curenti turbionari, transfor mata n caldura, este mai mare.
10 . Se conside ra un tor realizat dintr-un material feromagnetic cu r = 30 00, de sectiune patrata, cu raza interioara si exterioara: R i = 4 cm, R e = 7 cm, pe care se bobineaza: N = 500 spire, parcurse de un curent I = 0,5 A. Sa se de termine de pendenta de raza a cmpului magnetic si fluxul magneic n miez. Se practica un ntrefier: =1 mm si se neglijeaza efectele de margine : S =S F e . Sa se de te rmine intensitatea cmpului magnetic n ntrefier si inductia magnetica pentru valoarea medie a razei R m =(R 1 +R 2 )/2.

Rezolvare: Expresia intensitatii cmpului magnetic se obtine din legea circuitului magnetic :

Hdl = 2RH = IN; H = 2R

IN

Valorile e xtreme ale intensitatii campului magnetic sun t : H m i n = 571 A/m , H m a x = 1000 A/m.
89

Fluxul magnetic n miez are expresia :


B dS = 0 'r
SFe

R IN l ln e = 3,8 10 3 Wb . 2 Ri

Pentru miezul cu ntrefier, din legile ci rcuitului si fluxului magnetic rezulta relatiile: ' ' H'dl = 2(R m )H Fe + H = IN,
' ' B 'Fe = 0 'r H 'Fe = 0 H = B .

Rezulta, pentru, raza medie a torului :


' H =

IN 'r 1 + 2R m

'r

= 22,4 10 4 A / m

' ' B = 0 H = B'Fe = 0,281T.

11. Un miez feromagnetic toroidal din tole, cu raza me die : R = 2 cm si se ctiune: S F e = 1,77 cm 2 , bobinat uniform cu N = 7000 de spi re, are urmatoarea curba de magnetizare :

B T 0,1 0,2 0,3 0 ,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 HA/m 22 35 45 50 75 85 90 120 150 BT 1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 1,6 1,7 HA/m 188 275 400 750 1700 3200 6000 10500 a) Sa se calculeze curentul maxim, stiind ca B m a x = 1,65 T; b) Pentru I m a x , sa se determine rst , rdif ; c) Sa se calculeze I m a x , daca se practica un ntrefier = 1 cm, cu sectiune: S = 2 cm 2 . d) Sa se calculeze rst , rdif pentru miezul cu ntrefier si I = 1 A;
Rezolvare

a) Prin interpolare lin iara, curba de m agnetizare : B H, identica cu = B S H l = U H , se aprox im eaza pr in segmente de dreap ta. Intensitatea maxima a cmpului magnetic n mi ez are va loarea : H m a x = 8250 A/m, iar din legea circuitului magnetic, rezulta curentul corespunzator : I= 2RH max =1,29 A.
N

Cmpul magnetic sa cosiderat constant pe sectiunea miezului , iar fluxul de dispersie s-a neglijat. b) Permebilitatile m a gnetice statice si diferentiale n punctul de funtionare sunt: B max B r st = = 159,15; r dif = = 17,68. .
0 H max 0 H

c) Din legea fluxului magnetic pentru o suprafata nchisa, care cuprinde


90

su pr af ata d e separatie Fe-ntrefier, rezulta : B B S B S = B FeSFe ; H = = Fe Fe = 1162 10 3 A / m .


0 0S

Din legea circuitului magnetic rezulta : U H Fe + U H = H Fe l Fe + H l = H Fe (2R ) + H = NI ; I = 15,7 A. d) Valoarea solenatiei este : = NI = 7000 A. Prin interpolare liniara se de termina valorile cmpului magnetic si ale inductiei magnetice corespunzatoare valorii solenatiei. Cele doua portiuni de circuit magnetic : fier si ntrefier, sunt strabatute de acelasi flux magnetic, curba rezultanta fiind obtinuta prin nsumarea ab sc iselor corespunzat oar e unei ordonate. Din caracteristica rezulta valoarea fluxului magnetic * corespunzatore solenatiei . Pentru aceasta valoare a flu x ul ui, din cele doua curbe de magnetizare: pentru fier si ntrefier, rezulta valorile tensiunilor magnetice U H si U HFe . Cu valorile obtinute se determina intnsitatea cmpului m agnetic si inductia magnetica n fier. Procedeul este ilustrat n tabel. 0,9 1 1,1 B F e T 0, 8 0, 8 85 0,9 7 2 B T H F e A/m 150 188 275
H = B 10 3 0

[A / m]

63 5

703

77 4

U HFe = H Fe l Fe [ A] U H = H [A ] U HFe + U H = NI [A]

14,4 21,8 31,9 6350 7030 7740 6367,4 7051,8 7771,9

NI = 7000 Valorile cmpului si inductiei, rezultate prin interpolare liniara sunt: H* = Fe * * 185,2A/m, B Fe 1T, B 0,88T. Cu aceste valori, rezulta permeabilitatile ma gnetice re lative corespunzato ar e p un ctului de functionare precizat prin va lorile cmpului si inductiei :
rst = B* B Fe = 4330; r dif = = 6750. 0 H 0 H* Fe

Este de remarcat ca valorile permeabilitatilor sunt apropiate pentru ca punctul de functionare se gaseste pe portiunea aproximat iv liniara a curbei de magnetizare, spre deosebire de rezultatele de la pun ctul b), stabilite pentru un punct de functionare situat n regiunea de saturatie a c urbei de magnetizare. e) Sa se calculeze rst si rdif ,presupunnd ca n ntrefier se introduce un material ferimagnetic cu ciclu de histeresis dreptunghiular, avnd inductia remanenta : B r = 0,5 T si cmp coercitiv: H c = 100 A/m. Curentul care parcurge nfasurarea are valoarea: I=1A.
12. Pentru determinarea tangentei unghiului de pierde ri magnetice a unei ferite, sau determinat cu un Q-metru pentru diferite frecvente, urmatoarele valori ale permeabilitatii magnetice relative : 'r = 100 pentru f = 0Hz; 'r = 92 pentru f = 2MHz si 'r = 83,7 pentru f = 3MHz. Lund n considerare doar pierderile prin ma gn etizare, sa se determine tangenta unghiului de pierderi n materialul considerat pentru frecventele de 2MHz si 3MHz si frecventa pentru care aceste pi erderi sunt maxime. 91

Rezolvare

Procesul de magnetizare al materialelor ma gnetice se poate considera similar pr ocesu lui de polarizare al materialelor dielectrice cu polarizare de orientare. In consecinta, relatiile asociate procesului de magnetizare vor fi similare celor care su nt asociate procesului de polarizare, permitivitatea electrica relativa fiind nlocuita prin permeabilitatea magnetica relativa. Astfel, componentele permeabilitatii magnetice relative complexe, au forma :
'r = r i + 'r' = r 1 + ( m )2 m r

, , este permeabilitatea pentru frecventa nula, iar m este

1 + ( m )2

unde : infinit,

ri

este permeabilitatea instantanee pentru frecvente care tind spre


st

r = r r i ,

rst

constanta de timp de re laxar e. Pentru cele 3 frecvente la ca re s-au e fectuat determinarile, se pot scrie relatiile : f = 0 ; 100 = ri + r , f = 2 MHz ; 92 =
ri

1+ ( m )2

, ,

f = 3 MHz ; 8 3 ,7 =

ri

1 + ( m )2

de unde rez ulta : ri = 63, r = 37, m = 4,18 10 - 8 s. Tangenta unghiului de pierdri are expresia : r ( m ) tg m = , rst + ri ( m )2 si are valor ile : f = 2 MHz ; tg m = 9,38 10 - 2 f = 3 MHz ; tg m = 13,66 10 - 2 . Frecventa la care att pierderile n materialul ferimagnetic ct si tangenta unghiului de pierderi, sunt maxime, este : f*
1 2 m r st ri

= 4,8 MHz.

13. Sa se arate ca n absenta cmpului magnetic exterior, latimile domeniilor ad i acente ale unei structuri Kittel sunt egale.Dan.

Rezolvare: Cmpul demagnetizant este rezultatul prezentei magnetizatiei M s , care este presupusa uniforma n interiorul unui domeniu magnetic, sau - echivalent, este 92

rezultatul prezentei sarcinilor magnetice fictive uniform distribuite pe suprafetele domeniilor, avnd densitatea superficiala m . Relatia de legatura ntre M s si m este : div s M s = m / 0 . Structura de domenii fiind periodica, se defineste marimea " ", prin relatia: = d+ d / 2 . Cmpul demagnetizant elementar d H d , din interiorul unui domeniu produs de elementul de suprafata : dA=dx dy, ncarcat cu sarcini magnetice cu densitate m , ntr-un punct P, de raza vectoare r , are expresi a :
dH D = m dA r 4 0 r 2 r

Prin integrare, se obtine expres ia com ponentei normale a cmpului de magnetizant produs de o fsie de lungime infinita si latime finita, ncarcata cu sarcini m agnetice fic tiv e, n punctul P, din care fsia se vede sub unghiul 2 1 :
HD = m ( 2 1 ) . 4 0

Cmpul demagnetizant se mediaza n raport cu coordonata "z", fiind o functie continua n rapor t cu variabila "x". Pentru ca ve ctorii cmpului demagnetizant si ma gnetizatiei n tr -un pu nct din interior ul unui domeniu, sa fie orientati an tiparalel, este nec es ar c a expresia c mpului demagnetizant mediat sa fie corectata astfel nct sa se asigure semne (si sensuri) opuse n punctele din ve cinatatea peretelui de do meniu, apartinnd domeniilor adiacente si anularea lui n p erete. S-a aplicat o co rectie de tip liniar ntr-o regiune simetrica n raport cu pe retele domeniului. Energia de demagnetizare a unui material ma gnetic cu volum v m , are forma :
ED = 0 2
vm

H D Mdv.

Cunoscnd expresia cmpului demagnetizant n punctele din interiorul str ucturii, magneti zatia fiind presupusa c onstanta: M = M s , rezulta prin integrare ex presia energiei de demagnetizar e, a carei valoare este pozitiva ntruct cmpul de magnetizant si magnetizatia a u orientari opuse. Energia de demagnetizare se determina pentru doua domenii adiacente de latimi inegale si lungimi egale. Intruct structura Kittel este o succesiu n e de astfel de perechi de domenii, relatiile obtinute sunt valabile la nivelul ntregii structuri. Expresia energiei de dem agnetizare pentru ansam blul format din doua domenii, cu lungimi egale "l", es te :
E D = 0 M s hl
d + 2

H c z med D

(x; 0)dx + 0 M s hl H c z med (x; 0)dx, D


0

d 2

unde : H c z med reprezint componenta normala pe suprafeele de separaie ale D structurii cmpului demagnetizant mediat si corect at, iar "h" reprezint grosimea structurii. Expresia energiei de demagnetizare este o funcie para n raport cu " ", fiind pozitiva pentru valori "d" si "h" apropiate : d > h si 0 d/2. Energia de demagnetizare pentru : 0 este superioara en ergiei de demagnetizare co re spunztoare valorii : = 0, iar starea energetica stabila a structurii Kittel corespunde l imilor egale ale domeniilor cilindrice adiacente. Valoarea energiei de demagnetizare nu este afectata de corectarea expresiei cmpului demagnetizant, dar aplicarea coreciei faciliteaz calculul integralelor.
93

2.11. Anexe 2.1 1.1. Legea in duciei electromagnetice Tensiunea electromotoare produs prin inducie electromagnetic de-a lun gul unei curbe nchise oarecare, este egal cu viteza de scdere n timp a flu xului magnetic printr-o suprafa S , c are se sprijin pe curba : d (A.2) E dS = dt SBdA , unde: E este intensitatea cmpului electric, dS este elementul de linie, B es te ind ucia magn et ic, iar dA este elementul de suprafa. Legea induciei electromagnetice se poate scrie sub forma: S d S S = ue = E dS = + ( grad ) S , (A.3) dt t unde: S este fluxul magnetic prin suprafaa S , iar mediul se sonsider un

flui d, n care fiecare punct are o vitez de deplasare diferit, cmpul vitezelor fiind continuu.
2.11.2. Legea circuitului magnetic Tensiunea magnetomotoare de-a lungul unei curbe nchise oarecare, este egal cu suma dintre curentul de conducie total ce strbate o suprafa S , care se sprijin pe curba (i viteza de scdere n timp a fluxului electric prin suprafaa S ): d (A.4) H dS = S J dA + dt SD dA ,

un de: H este intensitatea cmpului magnetic, iar J este densitatea de curent.


2.11.3. Legea fluxului magnetic Fluxul magnetic printr-o suprafa este nul: B dS = 0

Aceast lege, comparat cu legea fluxului electric stipuleaz inexistena unor sarcini magnetice similare celor electrice.
2.11.4. Determinarea coordonatelor punctului situat pe un arc de elips, pentru care produsul coordonatelor este maxim

94

Coordonatele unui punct situat pe o elips satisfac relaiile: x2 y2 = 1 2 , a2 b sau:


a2 2 y . b2 Se determin coordonatele punctului pentru care produsul (xz) are valoarea maxim prin anularea primei derivate: 2 2 2 d 1 y a2 a y2 = a2 a y2 a y =0. 2 2 2 dy b b b a2 2 2 a 2 y b Rezult: b y0 = , 2 iar: a . x0 = m 2 Prin urmare, punctul pentru care produsul coordonatelor este maxim este la intersecia arcului de elips cu diagonala dreptunghiului care intersecteaz axele de coordonate n aceleai puncte ca i arcul de elips. Se observ c exist un singur extrem, care este un maxim, pentru c produsul coordonatelor se anuleaz n puncte de intersecie cu axele de coordonate. Pentru un arc de cerc: a=b, tangenta n punctul P( x0 , y 0 ) este paralel cu prima bisectoare. Dac punctul P se va deplasa pe tangenta la cerc n punctul P, ntr-un sens sau n sens opus fa de punctul de referin P, pentru care produsul xz este maxim, creterea ordonatei/abscisei va fi egal cu descreterea abscisei/ordonatei: x = y = k . n acest caz: ( x + x)( y + y ) = ( x + k )( y k ) = xy + ky kx k 2 , produsul fiind maxim n punctul P i nul la intersecle tangentei cu axele. Dac punctul P se deplaseaz pe un cerc, sau pe un arc de elips, scderea produsului este mai pronunat. x = a2
2.11.5. Interpolare lin iar

coor d onata x * se determin conform relaiilor:

Interpolarea liniar presupune aproximarea unui segment de linie curb cu un segment de linie dreapt. Se cunosc valorile funciei: y=f(x) pentru dou valori ale coordonatei x: y1 = f ( x1 ) ; y 2 = f ( x 2 ) . Valoarea funciei pentru
95

tg =

y y * = ; x x *

x * -x 1 y x* = y1 + ( y 2 y1 ). x 2 - x1 x Segmentul P P * este cu att mai redus i eroarea cu att mai mic, cu ct varia iile variabilelor sunt mai reduse.
y* = y1 + y* = y1 +

2.11.6. Determinarea permeabilitii relative i tangentei unghiului de pierderi a materialelor ferimagnetice n func ie de frecven Determinrile se efectueaz cu Q - metrul i se bazeaz pe relaia (7), corespunztoare regimului rezonant al circuitului serie format din condensatorul varia bil C v , ncorporat Q - metrului - cu factor de calitate mai redus. n fig. 7 sunt repr ezentat e intervalele de frecven corespunztoare celor dou tipuri de circuite i ord inea efecturii msurtorilor. De asemenea, este indicat sensul de modi ficare a capacit ii variabile. Di n relaia ( 7 ), rezult c frecvenele limit se obin cu valorile limit ale capacitii variabile, valoarea limit inferioar a unei mrimi corespunznd valorii limit s uperioare a celeilalte mrimi. Prin introducerea miezului ferim agnetic n interiorul bobinei, inductivitatea bobinei se mrete, iar frecvenele limit se micoreaz, pentru c produsul: LC v , din relaia ( 7 ), se mrete. Miezul ferimagnetic de form cilindric, se introduce n interiorul bobinei astfel nct axa miezului s coincid cu axa bobinei. Dac m iezul a fost intro dus, el nu poate fii extras i reintrodus din nou , pentru c poziia miezului fa de bobin, sau geometria ansamblului nu mai este identic cu cea precedent. ntruct determinrile presupun msurri n regim rezonant pentru cele dou tipuri de circuite - la aceeai f r e c v e n , e s t e n e c e s a r s s e st a b i l e a s c i n t e r va l ul c o mu n d e f r e c v e n e n care s e
Etapa I domeniu: Qmax Lo (fmin)max 0 n+1 CV CV Etapa II domeniu: Qmax< Qmax CV Se impune frecven]a, rezult`: CV : Cvmax n+2 ;Q 2n-2 2n-1 2n fmax1

L CV

fmin2

n-1 Cv interval fn fn-1 comun

1 (fmax)min: Cvmin

;Q

f3

f2

f1

96

poate obine rezonan a pentru ambele tipuri de circuite. innd cont de tipul Q metrului, se dimensi o neaz corespunztor bobina de msurare a parametrilor miezu lu i ferimagnetic n funcie de frecven. Frecvena minim se determin cu valoarea maxim a capacitii variabile, bobina fiind fr miez: se impune C v m a x , se modific frecvena pn se obine rezonana i se citesc valorile: (f m i n ) m a x ; Q 0 . n cazul n care frecvena nu este numr ntreg, se m rete frecvena astfel nct s fie numrul ntreg din vecintate, iar capacitatea variabil se micoreaz pen tru obinerea rezonanei i se citesc noile valori. Frecvenele din intervalul comun de frecvene (fig. 7), sunt numere ntreg i. Aceast prim msurare se va repeta ulterior, impunnd frecvena i rezult nd valorile capaciti variabile i factorul de calitate, valori c are nu vor diferii semnificativ de cele determinate anterior. Motivaia acestei proceduri se va clarifica ulterior. Frecvena maxim a intervalului comun de frecven se determin cu valoarea minim a capacitii variabile, pentru circuitul format cu bobina cu miez ferimagnetic. n cazul n care frecvena nu este numr ntreg, se va micora astfel nct s devin numrul ntreg din vecintate, iar capacitatea variabil se va mrii coresp unztor, pentru obinerea rezonanei circuitului. Se citesc valorile: (c a x ) m i n ; C v ;Q. ntruct factorul de calitate scade sensibil, este necesar ca sensibilitatea Q - metrului s fie mrit, ceea ce implic efectuarea reglajelor pe zero ale celor dou voltmetre electronice. Se efectueaz toate msurtorile etapei a II-a, capacitatea variabil crescnd pentru c frecvena se micoreaz. Prin extragerea miezului din interiorul bobinei, la msurarea n+1,inductivitatea bobinei se micoreaz de la valoarea L, la valoarea L 0 , iar capacitatea variabil se mrete pentru c frecvena : (f n ), rmne constant. Trecnd de la msurarea n la msurarea n+2, pe de o parte capacitatea variabil trebuie mrit, avnd n vedere cele expuse anterior, iar pe de alt parte, trebuie micorat pentru c frecvena se mrete. Pentru a cunoate sensul de variaie a capacitii variabile, se prefer reluarea primei msu rtori. Se reamintete ordinea corespunztoare unei msurtori cu Q - metrul. Obinerea regimului rezonant prin modificarea frecvenei sau a capaciti variabile, pentru o valoare oarecare a tensiunii furnizate de oscilatorul Q metrului. La rezonan, indicaia instrumentului care msoar factorul de calitate, este maxim. Reglajul pe zero al celor dou voltmetre electronice, pentru tensiune nul a oscilatorului (fig. 7) se efectueaz pentru fiecare msurare, pn cnd regimul termic al Q- metrului s-a stabilizat i la fiecare modificare a sensibilitii instrumentului care indic valoarea factorului de calitate. Modificarea tensiunii oscilatorului astfel nct indicaia voltmetrului care msoar aceast tensiune s fie cea corespunztoare valorii standard - marcat pe scala instrumentului. Valoarea capacitii variabile se poate ajusta n situaia n care valoarea tensiunii oscilatorului s-a mrit n comparaie cu valoarea la care sa obinut rezonana - n prima etap a msurrii. Se citesc valorile mrimilor: (f,C v ,Q). Pentru o frecven precizat, relaiile utilizate pentru determinarea permeabilitii magnetice relative i tangentei unghiului de pierderile miezului ferimagnetic, sunt: 1 1 L CV 0 ' L0 = ;L = ; r= = ( 11 ) 2 2 2 2 4 f CV 0 4 f CV L0 CV
97

' r Q0 Q tg m = ' r Q Q0

( 12 )

unde: Q i Q 0 sunt factorii de calitate ai bobinei cu i fr miez ferimagnetic. Ca i la materialele dielectrice, tangenta unghiului de pierderi crete cu creterea frecvenei. Factorul de calitate al bobinei cu miez are expresia:

L ( 13 ) rL unde: r L este rezistena de pierderi n miez. Pentru valori reduse ale rezistenei de pierderi i pentru valori identice ale inductivitii L factorul de calitate al bobinei cu miez poate fi superior factorului de calitate al bobinei fr miez i poate crete - n anumite limite cu creterea frecvenei - atunci cnd raportul /r L crete. Pentru obinerea unei valori identice a inductivitii, numrul de spire al bobinei fr miez este mai mare, iar efectul pelicular este mai pronunat. Inductivitile reglabile utilizate n electronic se pot realiza numai cu bobine avnd miez ferimagnetic, care se introduc mai mult sau mai puin n interiorul bobinei. Avnd n vedere expresia inductivitii unei bobine: L= 0 r N 2 S/l ( 14 ) unde: S este seciunea, iar l este lungimea bobinei, se poate aprecia modul de variaie a inductivitii cu temperatura. Presupunem c bobina are lungimea egal cu raza seciunii circulare. Creterea temperaturii determin mrirea dimensiunilor bobinei. Raportul S/l se modific cu temperatura - conform relaiei: S R2 = = R0 (1 + ) ( 15 ) l R unde: R 0 este raza seciunii circulare la temperatura ambiant de referin, este coeficientul (pozitiv) de variaie cu temperatura al conductorului de cupru cu care este realizat bobina, iar este variaia de temperatur. n concluzie, inductivitatea bobinelor cu lungime redus se mrete cu creterea temperaturii, iar inductivitatea bobinelor lungi i cu seciune redus scade cu creterea temperaturii. Este de remarcat c variaiile absolute i nu cele relative ale seciunii, respectiv lungimii, determin comportamentul inductivitii la variaii de temperatur. Aceste aspecte sunt deosebit de importante pentru dimensionarea bobinelor circuitelor acordate. Cu ajutorul Q - metrului se poate depista existena unei spire n scurtcircuit n primarul sau secundarul unui transformator cu miez ferimagnetic. Factorul de calitate al nfurrii primarului sufer o scdere pronunat n cazul existenei unui scurtcircuit datorit pierderilor mari de putere activ n spira n scurtcircuit.

QL =

98

Capitolul 4. Materiale conductoare i supraconductoare


3.1. Definiii i clasificri Materialele conductoare se caracterizeaz prin valori mari ale conductivitii. Materialele conductoare cu conductibilitate electronic au valori ale conductivitii: >10 5 S/m. Conducia electric rezult prin deplasarea dirijat a electronilor din banda de conducie, sub influena cmpului electric exterior. Astfel de materiale sunt metalele i grafitul. Materialele conductoare cu conductivitate ionic, sunt electroliii sau soluiile de acizi, sruri sau hidrai. Conducia electric este realizat prin deplasarea dirijat a ionilor pozitivi i negativi sub influena cmpului electric exterior, rezultnd un proces electrochimic cu schimbarea compoziiei electrolitului i separarea de electrozi a componentelor. Conductivitatea acestor materiale este mai redus dect a celor cu conductibilitate electronic. Dup starea de agregare, materialele conductoare se clasific n: conductoare solide (metalele), conductoare lichide (mercur, electrolii) i conductoare gazoase (gaze supuse la tensiuni superioare tensiunii de strpungere, sau plasma care prezint att conductibilitate ionic, ct i electronic). 3.2. Modelul conduciei electrice n materialele conductoare solide. Starea de conductibilitate Materialele conductoare posed electroni n banda de conducie, la temperatura absolut electronii fiind distribuii pe nivele energetice conform statisticii Fermi-Dirac (vezi anexa 3.3). La temperatura absolut, nivelul maxim de energie E e , al electronilor, este egal cu nivelul Fermi, care se afl n interiorul benzii de conducie. n fig.3.1a este reprezentat spectrul energetic al materialelor care posed electroni de conducie. La materialele conductoare limea benzii interzise E g este extrem de redus. Micarea dirijat a purttorilor de sarcin sub influena cmpului electric sau electromagnetic este caracterizat prin densitatea de curent J , care reprezint cantitatea de sarcin dq, care trece prin unitatea de seciune transversal A a conductorului n unitatea de timp: 1 dq J= = E , (3.1) A dt unde E este intensitatea cmpului electric aplicat. Modelul clasic al conduciei presupune existena unui gaz electronic, electronii de valen devenind electroni de conducie pe seama energie cmpului electric sau electromagnetic aplicat. Astfel, un atom furnizeaz unul sau doi electroni de valen, pentru conducie atomul devenind un ion pozitiv localizat n reeaua cristalin prin legturi cu atomii vecini (vezi anexa 5 legtura metalic). Concentraia n, mare a electronilor de conducie, i gradul ridicat de ocupare a nivelelor energetice din banda de conducie plaseaz nivelul Fermi n interiorul benzii de conducie, iar E e =E F , la temperatura absolut. Sub influena cmpului electric exterior, electronul are o micare accelerat, fiind supus unei fore: F = q E = eE = amn , (3.2) 99

unde e este sarcina electronului, a este acceleraia electronului, iar m n este masa electronului.

fig. 3.1 Spectrul energetic al materialelor cu conductibilitate electronic (a) i diagrama variaiei vitezei electronului de conducie n micare dirijat (b).

Presupunem c n momentul ciocnirii cu un atom, electronul cedeaz ntreaga energie cinetic dobndit pe seama cmpului electric, cu eliberarea unui electron de conducie, care se va deplasa accelerat spre un atom vecin. Vitezele maxim i medie (de drift) ale electronului au expresiile: eE Vn max = at med = t med , (3.3) mn
Vn = Vn med = Vn max 2 = e t med E = n E , 2m n

(3.4)

unde t m e d este timpul mediu ntre dou ciocniri succesive, iar

n =

et med 2m n

reprezint mobilitatea electronului. Utiliznd relaia (3.4), relaia (3.1) devine: 1 enAdl 1 J= = ( enA) = enVn = en n E , (3.5) A dt A unde: n este concentraia electronilor n unitatea de volum (n 10 2 2 cm - 3 ), iar dl este elementul de linie, n ipoteza c conductorul este filiform. Din relaiile (3.1) i (3.5) rezult: = en n . (3.6) Pentru undele electromagnetice cuanta particulei este numit foton, iar pentru undele elastice este denumit fonon. Fotonii i fononii se supun staticii Bose Einstein, fiind denumii i bozoni. Din punct de vedere al mecanii cuantice, mecanismul transferului de energie la un conductor parcurs de curent, care se nclzete i poate fi considerat un gaz de fononi, este un proces care implic interaciunea dintre electroni i fononi. nclzirea conductorului prin putere disipat care se transform n cldur, este consecina procesului de interaciune, n care sunt creai mai muli fononi dect sunt distrui. Rezistivitatea a materialului este rezultatul acestor interaciuni electron-fonon.

100

3.3. Funciile materialelor conductoare 3.3.1. Funcia de conducie a curentului electric Pentru ndeplinirea funciei de conducie, este necesar ca materialul s posede rezistivitate sczut, rezisten mecanic i la coroziune i s existe posibilitatea de prelucrare prin laminare, trefilare, lipire sau sudare. Materialele utilizate frecvent sunt Cu, Al, Ag, Au i aliaje Cu-Zn (alama) sau Cu-Be, care prezint elasticitate i rigiditate mecanic. 3.3.2. Funcia de limitare a curentului electric Pentru ndeplinirea acestei funcii, este necesar ca materialul (utilizat la fabricarea rezistoarelor bobinate de putere) s prezinte rezistivitate ridicat, maleabilitate i ductilitate, astfel nct s poat fi obinute prin trefilare diametre reduse, invarian a proprietilor i dimensiunilor ntr-un domeniu larg de temperaturi i potenial electrochimic ct mai apropiat de cel al cuprului din care sunt confecionate terminalele rezistoarelor, astfel nct tensiunea termoelectromotoare de zgomot s fie redus. Sunt utilizate aliaje Cu-Ni (constantan), Cu-Ni-Mn (manganina), Cu-Ni-Zn (nichelina), sau Ni-Cr-Al-Co (Kantal). 3.3.3. Funcia de contactare comutare Materialele utilizate pentru realizarea contactoarelor i comutatoarelor sunt aliaje cu argint, oxidul de argint avnd conductibilitatea electric apropiat de cea a argintului. Pentru a rezista la un numr mare de acionri, se impune ca aliajele s posede duritate mecanic i temperaturi de topire ridicate, pentru a nu fi deteriorate de arcul electric format la ntreruperea contactului. Se utilizeaz aliajele argintului cu wolfram, molibden sau cupru. 3.4. Starea de supraconductibilitate

Starea de supraconductibilitate este o stare ordonat a electronilor de conducie, care const n formarea unor perechi slab legate de electroni, denumite perechi Cooper. Natura i originea ordonrii a fost explicat de Bardeen, Cooper i Schrieffer. Teoria BCS, care prezint un nivel intrinsec avansat, a devenit o baz important pentru dezvoltri ulterioare. Mai multe efecte au furnizat dovezi impresionante pentru descrierea strii fundamentale supraconductoare n baza teoriei BCS, printre care cuantificarea fluxului magnetic printr-un inel supraconductor.
Teoria BCS a supraconductibilitii [Kit] O interaciune atractiv ntre electroni (interaciunea net este mai puin repulsiv pentru starea supraconductoare dect pentru starea normal conductoare), poate conduce la o stare fundamental a ntregului sistem electronic, care este separat de strile excitate printr-un interval de energie interzis (fig.3.2). n stare supraconductoare, spectrul energetic are o singur stare fundamental separat de strile excitate printr-un interval de energie interzis E 10 - 4 E F ; E F =n x eV. Procesul are loc astfel: un electron interacioneaz cu reeaua i o deformeaz, cednd energie i emind un foton. Dac frecvena fotonului (i energia lui) este mult mai mare dect frecvena proprie, de 101

rezonan, a ionilor din nodurile reelei, fotonul este absorbit de alt electron. Se produce un schimb rapid de energie ntre cei doi electroni, pentru c al doilea electron vede reeaua deformat i se adapteaz pentru a profita de deformaie i a-i micora energia. n modul acesta, cel de-al doilea electron interacioneaz cu primul electron prin intermediul deformaiei reelei. Dac micorarea energiei corespunde unei interaciuni atractive ntre cei doi electroni, superioar repulsiei electrostatice, se formeaz o pereche Cooper de electroni, care este de tip boson. Interaciunea este dinamic, iar frecvena fononului trebuie s fie mult mai mare dect frecvena de rezonan a ionilor din nodurile reelei, pentru ca energia s nu fie absorbit de ionul din reea. Electronii supraconductori, grupai n perechi Cooper, au vectori de und egali i de sens contrar, iar spinii sunt opui. Energia potenial, de atracie a strii BCS, acioneaz astfel nct micoreaz energia total a strii BCS fa de starea Fermi. Strile uniparticul sau unielectronice (ale strii normale conductoare) sunt caracterizate prin vectori de und i spini orientai n dou sensuri diferite: , unde indicii vectorului k sunt valori particulare ale vectorului de und, conform unui cod sau convenii arbitrare. Strile uniparticul sunt ocupate n perechi, formnd stri multiparticul: dac o stare cu vectorul de und este ocupat, atunci i starea este ocupat, iar dac prima stare este vacant i a doua stare este vacant. Modelul teoretic al supraconductibilitii, cu bosoni ( , ), nu trebuie neles ntr-un sens prea strict, ntruct interaciunea dintre electroni este dinamic, iar n volumul ocupat de o singur pereche Cooper, exist aproximativ 10 6 electroni. Teoria BCS se aplic cel mai bine unui gaz de bosoni cu un numr foarte mare de bosoni pe acelai orbital. Principiul de excluziune al lui Pauli, care stabilete c doi electroni nu pot avea aceleai valori pentru cele patru numere cuantice: azimutal, magnetic, principal i de spin, nu se aplic bosonilor, rezultnd proprietatea fundamental a strii BCS: se pot gsi n aceeai stare orict de muli electroni supraconductori pe nivele energetice inferioare benzii interzise. Aceast stare se caracterizeaz printr-un grad de ordine mai ridicat i o valoare mai mare a entropiei, comparativ cu starea normal de conducie. Probabilitatea de mprtiere a electronilor n reeaua cristalin este foarte redus, iar electronii circul prin reea fr ciocniri. Legtura de tip boson ntre cei doi electroni din perechea Cooper, este foarte slab i poate fi uor distrus prin agitaie termic. Pentru T T S C , o parte din electronii supraconductori escaladeaz banda interzis E i , trecnd n zona electronilor normali de conducie, iar pentru T>T S C , toi electronii sunt situai n tona n, fiind distribuii pe defectele din reea (fig. 3.2b). n starea supraconductoare (fig. 3.2b), repartiia electronilor este modificat n raport cu repartiia electronilor corespunztoare strii conductoare (fig. 3.2a), n sensul c n vecintatea nivelului Fermi E F se formeaz o band interzis de lime E i 4kT S C , unde k este constanta lui Boltzmann, iar T S C este temperatura la care este obinut starea supraconductoare. La temperaturi superioare, dar apropiate de T S C , n regiunea n se gsesc electroni normali de conducie, iar n regiunea s se gsesc electroni supraconductori grupai n perechi Cooper avnd energii inferioare electronilor normali. Fenomenul central al supraconductibilitii este efectul Maissner: pentru temperaturi T<T S C fluxul magnetic este expulzat din supraconductor, iar n interiorul supraconductorului inducia magnetic este nul: B=0 ( m =1; 'r =0), iar cmpul electric E i densitatea de curent sunt diferite de zero ntr-un strat
102

superficial =10 - 7 10 - 8 [m], numit adncime de ptrundere. Din acest motiv, unele materiale supraconductoare, cum sunt Al, Zn, Sn, Pb etc., sunt depuse sub form de pelicule subiri pe materiale conductoare (Cu).

fig. 3.2 Spectrul energetic al benzii de conducie pentru un material conductor (a) i supraconductor (b). Dependenele de temperatur ale rezistivitii (c) i ale adncimii de ptrundere (d) pentru un material supraconductor.

Dependenele de temperatur ale rezistivitii i adncimii de ptrundere sunt reprezentate n fig.3.2c i fig.3.2d. Cmpul magnetic exterior produce disocierea instantanee a perechilor Cooper, iar starea de supraconductibilitate este distrus. Din teoria BCS rezult c interaciunea dintre electroni este atractiv pentru T T S C , iar pentru T>T S C starea fundamental nu mai este atractiv, revenindu-se la starea normal. n baza teoriei BCS, se demonstreaz c fluxul magnetic total, ce trece printr-un inel supraconductor, poate lua numai valori cuantificate, cuanta fiind denumit fluxon: h/2e, unde e este sarcina electronului, iar h este constanta lui Planck. Acest rezultat este verificat experimental i confirm existena perechilor de electroni n structura strii supraconductoare.
Efectul Josephson [Kit] Un strat izolator ntre dou materiale conductoare constituie o barier pentru fluxul electronilor de conducie, ntre cele dou materiale conductoare. Dac stratul izolator sau bariera este suficient de ngust (cu grosime: 10 20), exist probabilitatea ca un electron s treac bariera izolatoare prin efect tunel (sau prin tunelare fig. 3.3a). Dependena tensiune-curent este liniar (ohmic). Tunelarea uniparticul este complet diferit de tunelarea multiparticul (n perechi de electroni), care apare n starea supraconductoare a unei jonciuni Josephson. Efectul Josephson n curent continuu : un curent curge prin jonciunea josephson n absena oricrui cmp electric sau magnetic. Efectul Josephson n curent alternativ : o tensiune continu aplicat jonciunii Josephson produce oscilaii de radiofrecven ale curentului n lungul jonciunii, iar o tensiune de radiofrecven aplicat mpreun cu o tensiune continu, produce un curent continuu prin jonciune. Curentul continuu curge 103

chiar la o tensiune aplicat nul, pn se atinge valoarea curentului critic I c r . Pentru tensiuni superioare tensiunii critice: U>U c r , jonciunea Josephson are o rezisten finit, iar curentul are o component oscilatorie cu pulsaia =2eU/h, care depinde numai de tensiunea aplicat.

fig. 3.3 Ansamblu care permite tunelarea uniparticul sau multiparticul (a) i caracteristica tensiune-curent a unei jonciuni Josephson (b) n stare supraconductoare

Realizarea jonciunilor Josephson din niobiu (Nb), sau nitrit de niobiu (NbN), ca materiale supraconductoare, i a oxidului de aluminiu n locul siliciului amorf, ca barier, a permis micorarea dimensiunilor jonciunii la valori submicronice (0,25m) i realizarea unor divizoare simple de frecven care opereaz n logic RSFQ (Rapid Single Flux Quantum) cu o frecven de 770 GHz [Bro]. Logica RSFQ se bazeaz pe deplasarea unui fluxon spre interiorul sau exteriorul unui inel supraconductor, care conine o singur jonciune Josephson (i un unt rezistiv exterior pentru eliminarea comportrii histeretice a jonciunii). Deplasarea fluxonului induce un impuls foarte scurs de-a lungul jonciunii. Dac jonciunea Josephson are suprafaa de 1m 2 , impulsul cu amplitudinea de 2mV, are durata de 1ps, iar curentul prin inelul supraconductor este de 100A [Bro]. Impulsurile devin mai scurte i mai mari prin micorarea dimensiunilor jonciunii Josephson. Temperatura de funcionare a inelului supraconductor este T S C =5K, iar jonciunea nu sufer degradri prin cicluri multiple de rcire. Efectul Josephson n curent alternativ este utilizat ca standard pentru definirea voltului. Frecvena fluxonilor sau a biilor asociai fluxonilor de ieire este corelat cu tensiunea continu aplicat jonciunii, astfel nct pentru fiecare V corespund 483,5Mb/s. Pentru acurateea acestei tehnici de evaluare, metoda sa adoptat la nivel mondial n anul 1990, pentru definirea de etalon al voltului. Tehnologia de fabricare a jonciunilor Josephson pentru logica RSFQ a fost adaptat pentru realizarea de dispozitive cu tunelare magnetic, utilizate pentru realizarea de memorii i senzori magnetici, care msoar cmpuri magnetice biologice. Pentru a crete temperatura de funcionare a jonciunilor Josephson la T S C =9 10K, s-a utilizat nitritul de niobiu, ca supraconductor, i oxidul de magneziu, ca barier.
3.5. ntrebri

1. Analizai modelul teoretic al conduciei electrice n materialele conductoare solide i relaiile care se pot scrie cu ajutorul lui. 2. Explicai cu ajutorul mecanicii cuantice nclzirea unui conductor parcurs de un curent electric.
104

3. Analizai starea de conductibilitate pe baza nivelelor energetice i a probabilitii de ocupare a lor, potrivit statisticii Fermi-Dirac. 4. Enunai i exemplificai principalele funcii ale materialelor conductoare. 5. Explicai succint teoria BCS a supraconductibilitii: 6. Comparai pe baza nivelelor energetice i a strilor fundamentale ale sistemelor energetice, conducia respectiv supraconducia electric; 7. Explicai formarea perechilor Cooper n materialele supraconductoare: 8. Precizai n ce const efectul Meissner, ca fenomen central al supraconductibilitii. 9. Explicai semnificaia adncimii de ptrundere pentru un material supraconductor i caracterizai materialul supraconductor din punctul de vedere al susceptibilitii i permeabilitii magnetice. 10. Enumerai efectele care au furnizat dovezi importante pentru descrierea, n baza teoriei BCS, a strii fundamentale supraconductoare. 11. n ce const efectul Josephson n curent continuu i curent alternativ, reprezentai i comentai diagrama tensiune-curent pentru o jonciune Josephson. 12. n ce const i pe ce se bazeaz logica RSFQ. 13. Enunai principiul pe care se bazeaz utilizarea RSFQ n circuitele numerice i care sunt condiiile n care acestea pot funciona; 14. n ce const tunelarea uniparticul i multiparticul. 15. Pe ce baz s-a stabilit standardul pentru definirea unitii de tensiune electric.
3.6. Anexe Anexa 3.6.1. - Statistica Fermi-Dirac Modelul de ocupare a benzilor permise rezult din statistica Fermi-Dirac, conform creia probabilitatea de repartiie f(E) a particulelor denumite fermioni, care se supun acestei statistici(cu spin semintreg, cum sunt electronii, protonii, etc.) n absena unor fore de interaciune exterioare, are expresia : 1 (A.3.1) f 0 (E ) = E EF exp +1 kT unde : E este energia unei stri cuantice, E F este nivelul Fermi(de ordinul neV), definit ca nivelul pentru care probabilitatea pentru ocupare de ctre un electron la o temperatur T>0K, este 0,5, iar K este constanta lui Boltzman. Nivelul Fermi este o mrime de calcul. Relaia (A.3.1) este reprezentat grafic n figura A.3

f ig.A .3 Prob ab ilitatea d e o cupare a unu i n iv e l en ergetic in fun c ie d e en erg ia n ive lu lu i, conform statisticii Fermi-Dirac ( a) s i r epr e zen tare a sp a ia l a s t r ii fund a me n ta le a unu i g a z Fermi in absena un e i fore ex ter io are s au d e in te ra ciun e (b)

105

Limea benzii interzis are expresia : Wi = WF 4kT La temperatura absolut: T-0K, limea benzii interzise se anuleaz iar nivelul maxim de energie este nivelul Fermi. Dualitatea und particul stabilete c unda are proprieti de particul, cu energie E=h=, iar particula poate fi descris ca o und de materie cu pulsaia =E/ i vector de und k=p/ . n absena unei forte exterioare sau de interaciune, toate strile unei particule de gaz Fermi cu k<kF sunt ocupate i toate strile cu k>kF sunt vacante. O stare excitat poate fi obinut prin ndeprtarea unui electron dintr-un punct interior suprafeei Fermi i plasarea lui n exteriorul suprafeei. Pentru undele electromagnetice, cuanta particulei este denumit foton, iar pentru undele elasticefonon. Fotonii i fononii se supun statisticii BoseEinstein, se numesc bosoni si se caracterizeaz prin funcii de und simetrice, care nu i schimb semnul atunci cnd strile particulelor se schimb ntre ele. Expresia unei unde plane este :

E (z,t) = E 0e

j ( t kz )

(A.3.3)

Unde : E 0 este amplitudinea undei.


Anexa 3.6.2. - Noiuni de mecanic cuantic Experimentul Compton i fotoelectric au demonstrat c unda are proprieti

de particul cu energie : E = hf = h

(numr) de und : k =

2f (c fiind viteza luminii), iar este constanta lui c

= h i impuls p = hk unde k este vector 2

Planck. Principiul de incertitudine al lui Heisenberg stabilete relaia ntre nedeterminarea n impuls p i nedeterminarea n poziie x a unei particule : p x h / 2 , deci impulsul p (sau vectorul k ) i poziia particulei nu se pot determina simultan. Din punct de vedere determinist, potrivit cruia starea unei particule este complet determinat atunci cnd se cunoate poziia iniial, viteza particulei precum i fora care se exercit asupra ei, trebuie abandonat. In teoria cuantica, mrimea /2 corespunde msurrii simultane a coordonatelor i impulsului particulei. Luis de Broglie stabilete dualitatea und-particul n sensul ca o particul de energie E si impuls p poate fi descris ca o und de materie cu pulsaia =E/ i vector de und k = p / h , punndu-se astfel bazele teoriei cuantice. Cuantele de energie f se numesc fotoni pentru undele electromagnetice i fotoni pentru undele elastice. Pentru a completa natura corpuscular a luminii s-a asociat unui foton (fonon) impulsul p = hk . Statistica Fermi-Dirac se aplic electronilor de conducie din materialele conductoare i semiconductoare, care au spin semintreg i care se numesc fermioni. Diferena dintre statisticile Bose-Einstein i Fermi-Dirac const n proprietatea de simetrie a funciei de und. Statistica Fermi-Dirac presupune funcii de und antisimetrice, care i schimb semnul atunci cnd strile particulelor se schimb ntre ele. In cadrul acestei statistici este valabil 106

principiul de excluziune al lui Pauli, care stabilete c doi sau mai muli electroni nu pot ocupa aceeai stare cuantica, adic nu pot avea aceleai patru numere cuantice : azimutal, magnetic, principal i de spin.
Anexa 3.6.3. - Legturi chimice

Legturile chimice se pot clasifica n trei tipuri: electrovalena, covalent i legtura metalic. Electrovalena sau legtura ionic const n atracia electrostatic pe care o exercit ionii ncrcai cu sarcini electrice opuse. Ionii au libertate de micare n limitele impuse de forele de atracie. Astfel electrovalena nu este o legtur propriu-zis, sau o legtur slab. Atomii de un tip cedeaz uor electroni, iar atomii de alt tip accept electroni suplimentari. Prin transfer de electroni se formeaz electrovalena:

Covalena este o legtur puternic. Atomii legai prin legturi covalente ocup poziii reciproce fixe care nu se pot modifica dect modificnd substana din punct de vedere chimic. Natura fizic a legturii se bazeaz pe fore mecaniccuantice iar gradul de complexitate este mai ridicat dect a electrovalenei. O legtur covalent ia natere prin punerea n comun sau participarea a doi electroni cte unul de la fiecare dintre atomii care se combin formnd o molecul:

Legtura coordinativ este o legtur dintre electroni neparticipani care nu fac parte din covalent, care pot forma legturi formate din doi electroni cu atomi, molecule sau ioni, care accept n stratul de valen una sau mai multe perechi de electroni. Legtura coordinativ este o legtur covalent n care ambii electroni provin de la aceeai molecul donoare.
Legtura metalic Natura fizic a legturii metalice este diferit de cea a legturilor precedente, fiind o legtur slab. ntre atomi se stabilesc legturi n care intervin doi electroni. Legturile nu sunt fixe ci se desfac i se refac nencetat. Numrul de electroni este prea mic pentru a forma covalente i din acest motiv electronii de valen se repartizeaz egal, statistic ntre toi electronii, fiind totodat i foarte mobili. ntre unele molecule n starea solid, lichid i n gaze comprimate, exist fore de atracie mult mai slabe dect legturile chimice, numite fore Van der Waals. Legtura Van der Waals este in principal, o legtur electrostatic ntre molecule care au momente electrice nenule.

107

Capitolul 4. Materiale semiconductoare


Materialele semiconductoare se caracterizeaz prin conductibiliti electrice cuprinse ntre limitele: = 10 8 10 5 [S/m] la temperatura mediului ambiant. Materialele semiconductoare elementare sunt: carbon, siliciu, germaniu, staniu, bor, fosfor, arsen, stibiu, sulf, seleniu, telur i iod, iar cele compuse sunt de ordinul sutelor, cele mai frecvent utilizate fiind: galiu-arsen, solide de indiu arsen. Din punct de vedere al legturilor interatomice (vezi anexa 3.3), semiconductorii se pot clasifica n: - semiconductori cu legtura covalent, direcional, realizat prin asocierea a doi electroni cu spini antiparaleli provenii de la 2 atomi nvecinai, cum sunt: Si, Ge, Sn, S, Se i Te; - semiconductori cu legtura hibrid, cum sunt: soluiile solide ale indiului cu arsen i GaAs. Cu ct gradul de ionicitate subunitar este mai ridicat, cu att legtura are un caracter ionic mai pronunat, iar materialul are o comportare dielectric, mai pronunat. 4.1. Procedee de obinere i purificare a materialelor semiconductoare [Ct] Pentru obinerea materialelor semiconductoare monocristaline, se utilizeaz procedee de cretere din topitur n incinte nchise. Incintele nchise sunt utilizate pentru creterea monocristalelor de dimensiuni mari, evitndu-se astfel impurificarea accidental. Incintele deschise sunt utilizate pentru obinerea monocristalelor de dimensiuni relativ reduse, transportul de substan efectundu-se prin intermediul unui gaz. n fig.4.1 este reprezentat o instalaie de cretere a monocristalelor din topitur n atmosfer reductoare de hidrogen, dup metoda Csochralsky. Procesul este iniiat cu ajutorul unui germene monocristalin, care se coboar n topitur, se topete parial i se extrage apoi treptat din topitur cu viteze cuprinse ntre 1-2mm/min. Procedeul se bazeaz pe existena unui gradient de temperatur i pe migrarea moleculelor din starea lichid ctre cristal, datorit rcirii, entropia fiind mai ridicat n cristal. Semiconductorul topit cristalizeaz pe germene i repet structura acestuia, obinndu-se n final o bar monocristalin ce are structura cristalin identic cu structura germenului. Metoda de cretere epitaxial a materialelor semiconductoare presupune existena unui substrat suport monocristalin, tiat dup un plan cristalografic prestabilit. Transportul de substan are loc din faza gazoas, lichid, sau solid prin evaporare. Gradul de puritate i de uniformitate a stratului depus epitaxial, este mai ridicat dect al suportului. Prin aceast metoda pot fi crescute i straturi cu compoziie chimic diferit de cea a substratului, cu condiia ca structuira stratului depus s aib o constant a reelei care s difere cu cel mult 1% fa de constanta reelei substratului suport pentru ca s nu induc anizotropie prin tensiune, perpendicular pe suprafaa de cretere a monocristalului. Pentru obinerea unui grad ridicat de puritate a materialelor semiconductoare, sau concentraii de impuriti cuprinse sub limitele 10 1 0 10 1 2 cm - 3 , se utilizeaz metode fizice care se bazeaz pe redistribuia impuritilor la suprafaa de separaie ntre faza lichid i solid. 108

n fig.4.1.a este reprezentat o instalaie de purificare prin topire zonar simpl. Bara din material semiconductor fixat la capete, este plasat ntr-un tub de cuar vidat. Prin intermediul unei rezistene de nclzire materialul se topete local, realizndu-se dou interfee lichid solid. Concentraia de impuriti N S , din faza solid difer de concentraia de impuriti N l , din faza lichid. Pentru coeficieni de segregaie N S /N l >1, impuritile migreaz din faza solid n cea lichid, sau invers dac N S /N l <1. Pentru coeficieni de segregaie unitari, metoda de purificare este ineficient. Rezistena de nclzire se deplaseaz de-a lungul incintei cu o vitez de 0,5 pn la 5mm/min. H

1 2 3

1 3 4 1

4
H (a) (b)
f ig.4 .1. Inc in te p en tru ob in erea mo no cr is talelor semiconductoar e p r in cre tere d in top itur (a) i de pur if icare pr in topir e zonar (b). [1 - ma ndr in ; 2- ger men mo no cr is ta lin ; 3- re z is ten a d e n c lz ire; 4- tub d in cu ar ; - te r mo cup lu ].

Dup mai multe deplasri complete, impuritile se acumuleaz la capetele barei, care sunt ndeprtate ulterior, obinndu-se un grad ridicat de puritate n poriunea central. Pentru a spori eficiena metodei, numrul rezistenelor de nclzire se poate mri, zonele de topire fiind multiple, iar numrul de deplasri complete de-a lungul incintei se micoreaz. Zona topit este meninut ntre cele dou pri solide ale barei, datorit tensiunilor superficiale Elementele arsen i fosfor au coeficieni de segregaie apropiai de unitate i se elimin din zona topit prin evaporare. 4.2. Modelul teoretic al conduciei electrice Siliciul este elementul cel mai frecvent utilizat pentru realizarea dispozitivelor semiconductoare i posed patru eletroni pe ultimul nivel energetic de valen. Structura reelei cristaline este tip cubic, fiecare atom stabilind legturi covalente cu atomii vecini. n fig.4.2. a este reprezentat modul n care un electron devine electron comun al atomilor nvecinai, iar n fig.4.2.b se reprezint procesul de generare a unei perechi electron-gol. La temperatura absolut, banda de valen a unui material semiconductor este complet ocupat de electroni. Prin nclzire, n urma furnizrii de energie 109

din exterior, electronii din banda de valen vor trece n banda de conducie (fig.4.3.a), escaladnd banda interzis E g (relativ redus: 0,67 eV pentru Si; 1,1 eV pentru Ge; 1,4 eV pentru Ga-As i, relativ ridicat 3,49 eV, pentru GaN). Plecarea unui electron din banda de valen presupune descompletarea unei legturi covalente, care fixeaz atomii n reeaua cristalin. Atomul cu legtura descompletat reprezint o vacan, sau un gol i se poate asimila cu o particul cu masa efectiv i sarcina pozitiv egal cu sarcina electronului e, dar de semn opus (fig.4.3.b). Golurile, dei dunt dispuse din punct de vedere energetic n banda de valen, pot contribui - ca i electronii, la transportul sarcinii electrice.
4+ S S S S 4+ 4+ 4+ S 4+ 4+

4+

4+

4+

4+

4+

4+

(a)

(b)

f ig.4 .2. n trep trund er ea orb ite lor ce lor 4 e lec tron i d e v a len a i S i (a) i modu l d e g ener ar e t e r mi c a un ei p erech i d e electron-go l (b).

Sub influena unui cmp electric exterior sau interior, golul i poate schimba poziia prin ocuparea lui de ctre un electron, care las n urma lui un gol n locul de unde a plecat. Astfel, golul s-a deplasat de la un atom la altul fr ca ceilali electroni ai celoi doi atomi s prseasc banda de valen. Rezult dou tipuri de purttori de sarcin: electroni de conducie i goluri. Semiconductorul cu grad ridicat de puritate, se numete intrinsec, ntruct mecanismul de generare a perechilor electron-gol, este intrinsec, bazndu-se pe ruperea legturilor covalente. Perechile electron-gol generate termic, dispar prin refacerea legturii covalente, procesul de generare i anihilare a perechilor fiind un proces care se desfoar permanent i nceteaz doar la temperatura absolut. Nivelul Fermi E F este plasat, n semiconductorul intrinsec la mijlocul benzii interzise. Semiconductorii care conin impuriti se numesc extrinseci, ntruct mecanismul de conducie electric se efectueaz n principal prin purttori de sarcin majoritari, generai n mod extrinsec prin impurificarea materialului semiconductor cu elemente cu valene superioare sau inferioare valenei elementului semiconductor. Conducia electric reprezint micarea dirijat a purttorilor de sarcin mobili sub influena cmpului electric exterior (efectul de drift), sau prin crearea unei distribuii neuniforme a purttorilor de sarcin mobili (efectul de difuzie). Dac impuritile din monocristalul de Si sunt atomi pentavaleni (P, As, Sb), introdui prin substituie, patru electroni de valen stabilesc legturi covalente cu atomii de siliciu nvecinai, iar un electron rmne liber, deci se creeaz un purttor de sarcin majoritar, cu sarcina electric negativ, iar s e mi c o n d u c t o r u l s e n u me t e d e t i p n . I mp u r i t i l e ( S , L i ) s e p o t i n t r o d u c e i 110

E T>0K T=0K EC EF Eg KT EC EFd + Ed Ev PFD 1 0,5 0


(a)

Ed

Ec

Ea EFa
nivele ocupate
(b)

Ed

nivele ocupate

(c)

f ig.4 .3. Prob ab ilitatea Fermi Dirac P F D , d e o cu p are a n iv e le l o r ene r g e tic e i sp ec tru l energ e tic al semicondu ctor ilor o mog en i i izo trop i in tr in s ec i (a) i ex tr in se c i d e tip n ( b ) i d e t ip p (c).

interstiial avnd acelai efect - de creare n semiconductor a purttorilor de sarcin majoritari. Posednd un numr de electroni de valen n exces fa de atomii vecini ai Si, sunt elibarai electroni de conducie printr-un proces de ionizare. Atomul de impuritate se transform ntr-un ion donor care reprezint o sarcin pozitiv imobil. Prin introducerea n materialul semiconductor a impuritilor donoare, se creeaz un nivel energetic donor E d . Electronii pot trece cu uurin de pe nivelul donor n banda de conducie, escaladnd banda E d situat n banda interzis (fig.4.3.b). Dac impuritile sunt atomi trivaleni (B, Al, In) introdui prin substituie, trei electroni de valen stabilesc legturi covalente cu atomii de siliciu nvecinai, iar legtura covalent cu al patrulea atom rmne descompletat. Exist posibilitatea ca un electron de valen s fie captat pe nivelul acceptor E a creat prin introducerea impuritilor acceptoare i situat n banda interzis E g , n apropierea benzii de valen (fig.4.3.c). Se cedeaz astfel n banda de valen un purttor de sarcin majoritar pozitiv sau un gol, iar semiconductorul se numete de tip p. Semiconductorii extrinseci posed i perechi electron-gol generai termic, iar numrul purttorilor de sarcin majoritari este egal cu numrul impuritilor introduse prin substituie. Atomii de impuritate determin apariia unor nivele i benzi energetice situate n banda interzis, sau suprapuse peste benzile permise, a cror lime E este mult mai redus fa de limea benzii interzise E g . n semiconductorul de tip n, energia necesar electronului de valen excedentar al atomului donor, pentru a deveni electron de conducie, este: E g = E c E d i este de ordinul sutimilor de eV. n semiconductorul de tip p energia necesar unui electron de valen pentru a se ataa unui atom acceptor ionizndu-l i lasnd n urma sa un gol este: E a = E a E v . Nivelul Fermi este plasat la mijlocul benzii interzise E g pentru semiconductorul intrinsec i la mijlocul benzilor donoare E d , sau acceptoare E a , pentru semiconductorii extrinseci. Cu creterea temperaturii, nivelele Fermi donoare E F d , sau acceptoare E F a , se apropie de mijlocul benzii interzise E g , iar limea benzii interzise E g 4kT se mrete, semiconductorul extrinsec comportndu-se ca un semiconductor intrinsec. Cu creterea temperaturii, electronii extrai din banda de valen, pot 111

depi cu mult pe cei care trec n banda de conducie de pe un nivel donor sau o capcan de electroni. Capcanele de electroni sunt stri localizate n banda interzis, n apropierea nivelului energetic E c , electronul captat avnd o probabilitate dominant de a fi excitat n banda de conducie. De asemenea centrele de recombinare ale electronilor, sunt stri localizate n banda interzis, n apropierea nivelului energetic E v , de pe care un electron are o probabilitate dominant de a fi captat din banda de valen, lsnd n urma sa un gol. Pentru un semiconductor impurificat cu atomi donori i acceptori n numr egal, n banda interzis vor coexista nivele donoare i acceptoare i, de asemenea, nivele Fermi acceptoare i donoare, iar spectrele energetice din fig. 4.3.b i c, se vor suprapune. Semiconductorul degenerat se va comporta ca un semiconductor intrinsec (compensat), cu un numr egal de purttori de sarcin: electroni sau goluri, avnd ns conductibilitate crescut pentru c purttorii de sarcin au fost generai i prin mecanism de generare extrinsec. De asemenea, pe nivelele donoare sau acceptoare vor exista atomi ionizai, cu sarcini electrice imobile, care nu particip la conducia electric. Dac gradul de impurificare cu impuriti donoare este ridicat, nivelul Fermi donor va fi plasat n interiorul benzii de conducie, ca i la materialele conductoare, pentru c exist o probabilitate dominant ca electronii s ocupe un nivel energetic din banda de conducie. ntr-un mod similar, dac impuritile n numr mare, sunt acceptoare, nivelul Fermi acceptor va fi plasat n interiorul benzii de valen. n ambele cazuri, semiconductorul este degenerat. Impulsul unui foton este neglijabil n comparaie cu impulsul unui electron. Tranziiile electronului ntre dou nivele energetice sunt mprite n dou clase n funcie de modificarea sau nemodificarea impulsului (h/2 )k al electronului n timpul tranziiei. Tranziiile directe au loc fr modificarea impulsului electronului, n timp ce n tranziiile indirecte, impulsul electronului se modific prin absorbia sau eliberarea unui fonon, dar impulsul total se conserv prin interaciunea cu reeaua cristalin sau cu fononii: fononii pot fi creai sau anihilai. Conductibilitatea electric datorit electronilor i golurilor este proporional cu constanta mediat de timp de relaxare (E), caracteristica revenirii la echilibru a sistemului datorit interaciunilor sale, dup ntreruperea cauzei perturbatoare, cum ar fi cmpul electric aplicat semiconductorului. Astfel, expresiile conductivitii datorit electronilor respectiv golurilor, sunt: ne 2 ~ n = ( E ) = en n , (4.1) mn

ne 2 ~ ( E ) = en p , (4.2.) mn unde: n, p , sunt concentraiile volumetrice ale electronilor, respectiv golurilor, m n , m p , sunt masa electronului respectiv a golului, iar n , p , sunt mobilitile electronului i golului. Mobilitatea electronilor este net superioar mobilitii golurilor (la temperatura ambiant pentru n =1350[cm 2 /Vs]; p =480[cm 2 /Vs] ). n prezena mai multor tipuri de interaciuni, fiecare interaciune fiind caracterizat prin constanta de relaxare i , n relaiile (4.1) i (4.2) se va introduce o constant de relaxare:

p =

112

1 (4.3) ef = , i n regim staionar, densitile de curent corespunztoare celor dou tipuri de purttori de sarcin, sunt: Jn = nE , (4.4)
J p = pE ,

(4.5)

iar densitatea total de curent i conductivitatea, au expresiile: J = J n + J p = E n+ p ,

(4.6)

n p ~ (E ) = e( n n + p p ) , + (4.7) mn m p unde: m n i m p , sunt masele electronului respectiv golului. Relaiile (4.4), (4.7), sunt valabile doar n ipoteza c vectorii J i E sunt coliniari, ipotez confirmat n regim staionar i pentru frecvenele relativ reduse a unui cmp electric alternativ aplicat unui material izotrop. Majoritatea materialelor semiconductoare prezint anizotropie structural. Distanele interatomice sunt diferite pentru direcii cristalografice diferite, iar gradul de compactitate al structurii este diferit pentru planuri atomice diferite. Pentru siliciu, cu structura cubic de tipul diamantului, gradul maxim de compactitate corespunde direciei [111], distanele dintre planurile (111) fiind minime (vezi anexa 1.2). Energia electronului n monocristal depinde de direcia sa de deplasare, exprimat prin vectorul de und k (vezi anexa 3.2) iar masa electronului este un parametru cu valori diferite - n funcie de direcia de deplasare. Masa efectiv (sau echivalent) m*, depinde sensibil de direcia de micare n cristal a purttorilor de sarcin. Pentru Si, masa efectiv a electonului raportat la masa de repaus m o , este m n * / m o = 0,19 0,98 , n timp ce masa efectiv a golului raportat la masa de repaus, este: m n * / m o = 0,16 0,52 . Masa efectiv a electronului (sau golului), este un tensor, iar vectorii J i E nu sunt n general coliniari, astfel nct micarea electronului nu se va desfura dup o traiectorie care coincide cu o linie de cmp electric, care n general, nu este o linie dreapt. Anizotropia cristalin determin orientarea diferit a vectorilor J i E , liniile de curent electric fiind orientate n general pe o alt direcie dect cea a liniilor de cmp electric. Straturile semiconductoare subiri au o comportare electric diferit fa de semiconductorii masivi. Aceast comportare se explic prin existena unor stri energetice locale create la suprafaa de separaie a stratului. n mod inevitabil, perfeciunea reelei cristaline este alterat ntruct, dac suprafaa este liber, ultimul strat de atomi nu poate avea toate legturile satisfcute, fiind posibil absorbia pe suprafa a unor atomi sau molecule (oxigen, azot, amoniac, ap etc.). Dac suprafeele stratului sunt n contact intim cu atomii altui material depus epitaxial sau prin alt procedeu, perturbaia introdus de interfee este cu att mai pronunat cu ct grosimea stratului semiconductor este mai redus. Aceste perturbaii sau defecte ale reelei cristaline determin apariia unor stri energetice locale ce modific spectrul energetic al materialului semiconductor, prin introducerea unor nivele localizate n banda interzis, sau suprapuse peste benzile permise. n pelicula conductoare se poate modifica concentraia i

o = n + p = e2

113

mobilitatea purttorilor de sarcin, sau chiar tipul de conductivitate (de exemplu: pelicula de tip n poate deveni de tip p ). Este posibil ca straturile de suprafa s fie ocupate de electroni de conducie care induc n stratul superficial o sarcin pozitiv, avnd ca efect o scdere a concentraiei de electroni, sau apariia unui strat de srcire. Strile de suprafa pot fi ocupate i cu electroni de valen i stratul superficial devine semiconductor de tip p , numit strat de inversiune. n cazul n care strile de suprafa au un caracter donor, concentraia de electroni de conducie se mrete, iar stratul devine strat de acumulare. Prin oxidarea termic, suprafaa siliciului de tip p devine strat de inversie de tip n , sau dac siliciul este de tip n , devine strat de acumulare. Gazul electronic bidimensional (2DEG), poate fi obinut ntr-un strat canal subire (20nm) din GaInAs, mrginit superior i inferior de alte dou straturi subiri din AlInAs. Datorit discontinuitilor mari ntre benzile de conducie ale celor trei straturi, se obin mobiliti ridicate ale gazului electronic bidimensional, care pot depi valoarea de 10.000cm 2 /Vs i de asemenea, densiti ridicate ale curentului prin canal [Mat]. Structurile formate din straturi subiri din AlInAs GaInAs AlInAs sau AlGaAs GaAs AlGaAs se numesc heterojonciuni i sunt utilizate pentru fabricarea tranzistoarelor cu efect de cmp de frecvene ridicate, de tip HEMT (high electron mobility transistor) sau a diodelor LASER. n ultimul timp s-au obinut heterojonciuni cu structuri formate din nitrit de galiu (GaN) nitrit de aluminiu galiu (AlGaN) [Eas]. n tranzistoarele cu efect de cmp cu GaN, exist n mod natural regiuni puternic polarizate n stratul din nitrit de aluminiu galiu, unde sunt concentrai electroni n numr foarte mare n apropierea regiunii de polarizare, fr a intra in nitritul de aluminiu galiu, datorit limii de band interzis mai mare a acestuia, care acioneaz ca o barier. Tranzistoarele cu efect de cmp cu GaN nu necesit dopare cu impuriti. Gazul electronic bidimensional poate fi creat n alte heterojonciuni semiconductoare, numai prin dopare cu impuriti pentru a putea suporta un exces fie de electroni, fie de goluri. Tranzistoarele realizate cu nitrit de galiu, pot dubla sau tripla eficiena tranzistoarelor realizate cu siliciu sau arseniur de galiu sub aspectul puterii consumate n raport cu puterea transferat a semnalului util. Conductivitatea termic a nitritului de galiu este de 7 ori mai mare dect a arseniurii de galiu, iar rigiditatea dielectric (300MV/m), este de asemenea mult mai mare dect a arseniurii de galiu (40MV/m), ceea ce permite miniaturizarea mrit a dispozitivelor realizate cu nitrit de galiu. Banda interzis a nitritului de galiu (3,49eV) este incompatibil mai mare dect a arseniurii de galiu (1,4eV), sau a siliciului (0,67eV) i este la originea performanelor dispozitivelor realizate cu nitrit de galiu. 4.3. Dependena de frecven a conductivitii electrice [Ct] Un material semiconductor se comport n cmp electric ca un material dielectric cu pierderi prin conducie relativ ridicate, ntruct limita inferioar a conductivitii materialului semiconductor, este egal cu limita superioar a conductivitii unui material dielectric: =10 - 8 [S/m]. n materialul semiconductor, deoarece pierderile prin conducie sunt preponderente, cele prin polarizare se pot neglija. Schema echivalent a unui condensator cu material semiconductor ntre armturi este identic cu cea a condenstorului cu polarizare de deplasare i pierderi prin conducie, prezentat n paragraful 1.4.4 i reprodus n fig.4.4.a. 114

J
ru=1/0

C=rC0

rp

Cu=r0 Lu= ~ /0

' 0 1

(a)

' ' 0 1
~

( b)

0,1

1 ( c)

10

0,1

1 ( d)

10

f ig.4 .4. Scheme le ech ivalen te ale unu i cond ensator cu semiconductor (a) i corespun z to are un it ii d e vo lu m a ma ter ialu lui semiconductor ( b). D epend en ele d e f r e cv en a co mpon en te lor condu ctiv it ii co mp lex e (c, d).

Admitana condensatorului cu material semiconductor, avnd suprafaa S, a armturilor i distana d, ntre ele, conform schemei echivalente, are expresia: 1 Y= + j 'r C0 , (4.8) rp

S d , este rezistena de pierderi prin conducie, iar C0 = 0 , este S d capacitatea condensatorului cu aceleai dimensiuni, dar avnd aer ntre armturi. Considernd mrimile cu variaie sinusoidal n timp, reprezentate n complex simplificat, pentru o tensiune U , aplicat armturilor, se stabilete un curent: I = Y U i un cmp E = U / d , ntre armturi. Relaia (4.8) obine forma: S S (4.9) Y = I / U = ( J S ) / (Ed ) = + j 'r 0 , d d unde: J , este densitatea de curent, iar conductivitatea , s-a considerat mrime complex, ntruct n regim nestaionar, datorit anizotropiei materialului sau a frecvenelor ridicate,liniile densitii de curent J = E i ale curentului I = J S , sunt diferite de liniile cmpului electric E . Relaia (4.9), corespunztoare unitii de volum a materialului semiconductor, are expresia: J = ( + j 0 r )E . (4.10) Densitatea de curent J = I / S , este curentul electric care strbate unitatea de suprafa a semiconductorului, iar intensitatea cmpului electric: E = U / d , este tensiunea electric distribuit pe unitatea distanei dintre armturi, sau a grosimii semiconductorului. Termenul al doilea al relaiei (4.10), s-a introdus pentru a caracteriza comportarea dielectric a materialului semiconductor, iar primul termen este asociat proprietii de conducie a materialului semiconductor.
unde: rp =

115

Comportarea semiconductorului n regim nestaionar poate fi descris, prin aceleai expresii ca i n regim staionar, constanta de timp de relaxare fiind ns o mrime complex:

unde: 0 reprezint constanta de timp de relaxare pentru regimul staionar. Expresia conductivitii complexe este similar expresiei (4.11): n 0 p , = n + p = e2 + = (4.12) ~ mn m p 1 + j unde: 0 , este conductivitatea n regim staionar. Cu relaia (4.12), relaia (4.10) obine forma: 0 1 ' ' (4.13) J = ~ + j 0 r E , 1 + j + j 0 r E = 1 ~ + j 0 0 Schema echivalent corespunztoare unitii de volum a materialului semiconductor, este reprezentat - conform relaiei (4.13) n fig.4.4.b i este compus din rezistena unitar r = , capacitatea unitar C = 0 'r i ~ inductivitatea unitar: L = / . Schema echivalent pune n eviden apariia

0 , 1 + j 0

(4.11)

rezonaei la frecven: 1 1 fr = ~ = 2 2 0 'r

0 , ~ 0 'r

(4.14)

care are valori n domeniul microundelor. Relaia (4.12) poate fi scris sub forma: ~ 0 (1 j ) ~ 0 0 0 = (4.15) = ~ 1 + ( )2 = 1 + ( )2 j 1 + ( )2 . ~ ~ ~ 1 + j Utiliznd relaiile (4.10) i (4.15), din relaia: = ' + j ' ' , (4.16) rezult prin identificare expresiile componentelor conductivitii complexe a materialului semiconductor n funcie de frecvena cmpului electric aplicat.

' =

0 , ~ 1 + ( )2

(4.17)
~ 0

, (4.18) ~ 1 + ( )2 Dependena de frecven, la temperatura mediului ambiant, ale componentelor conductivitii sunt reprezentate n fig.4.4.c,d. Interaciunile purttorilor de sarcin cu impuritile ionizate i cu fononii sunt predominante.

' ' = 0 'r

116

4.4. Funciile materialelor semiconductoare 4.4.1. Funcia de conducie comandat n tensiune Funcia de conducie comandat n tensiune a materialelor semiconductoare, se bazeaz pe fenomenul de perturbare a distribuiei purttorilor de sarcin sub influena unui cmp electric intern sau aplicat din exterior. Aplicarea unei tensiuni electrice U , respectiv a unui cmp electric E = gradU , unui semiconductor omogen, determin nclinarea nivelelor i benzilor energetice. ntr-un semiconductor de tip n, sub influena cmpului E , electronii de conducie sunt accelerai, deplasndu-se de-a lungul liniilor de cmp. n urma interaciunilor cu reeaua cristalin, electronii pierd parial sau total energia lor cinetic, pe care o cedeaz fononilor reelei. Datorit prezenei cmpului electric, electronii dobndesc din nou energie, iar n final rezult o micare dirijat a electronilor, care reprezint contribuia lor la curentul electric prin semiconductor. Printr-un proces similar, se desfoar conducia realizat de goluri, care sunt purttori minoritari, sensul deplasrii fiind sensul cmpului electric aplicat i opus sensului de deplasare a electronilor. Viteza medie ordonat a electronilor, este viteza de drift i are expresia ca i n cazul materialelor conductoare: e ~ vn d = n E = E , (4.19) mn unde: n , este mobilitatea electronilor, care pentru Si - la temperatura mediului ambiant, are valoarea de: n = 1350 [cm 2 /Vs] . n mod analog, viteza de drift a golurilor este: e ~ v pd = p E = E , (4.20) mp

unde: p , este mobilitatea golurilor, care pentru Si - la temperatura ambianta are p = 480 [cm 2 /Vs] . valoarea de: n cazul n care materialul semiconductor conine o concentraie neuniform de purttori de sarcin pe o direcie oarecare r , rezult prin injecie spaial de purttori proces numit dopare, apare un cmp electric intern sau imprimat, care determin un proces de difuzie a purttorilor de sarcin, densitile corespunztoare ale curenilor de electroni sau goluri avnd expresiile: J ndif = eDn grad n(r ) , (4.21)

J pdif = eD p grad p(r ) ,

(4.22)

unde: Dn , p = kT n , p / e , sunt coeficienii de difuzie ai purttorilor de sarcin. Pentru ndeplinirea funciei de conducie electric comandat n tensiune, se impune ca valorile conductivitii electrice, s fie controlabile i reproductibile din punct de vedere tehnologic, iar permitivitatea real s fie redus pentru micorarea capacitilor parazite. Astfel de materiale sunt: Si, GaAs, Ge, GaN.
4.4.2. Funcia de conversie opto - electronic Radiaiile electromagnetice incidente pe suprafaa unui material semiconductor, genereaz purttori de sarcin, care se vor deplasa dirijat sub 117

aciunea unui cmp electric exterior. n aplicaiile uzuale, prezint interes radiaiile din spectrul infrarou, vizibil i ultraviolet. Radiaia electromagnetic este parial reflectat i parial absorbit de materialul semiconductor, partea absorbit determinnd ionizarea atomilor reelei i crearea de purttori de sarcin liberi (efect fotoelectric intern). Pentru energii mari ale radiaiilor, electronii sunt extrai din material i emii n exterior (efect fotoelectric extern). Absorbia proprie reprezint interaciunea dintre un foton cu energie E f = h , i un electron de valen, care trece n banda de conducie, escaladnd banda interzis de lime E g , atunci cnd: E f > E g (fig.4.5.a), crendu-se astfel un gol. Absorbia proprie apare la semiconductorii intrinseci, iar lungimea de und limit, care reprezint lungimea maxim i corespunde frecvenei minime, are expresia: 2c 2h i = = , (4.23) E g i care pentru siliciu, are valoarea i = 1 ,1 m, n domeniului infrarou. Pentru lungimi de und superioare: > i , semiconductorul este transparent, iar pentru < i , semiconductorul este opac, absorbind radiaiile n domeniul vizibil sau ultraviolet. Absorbia datorat impuritilor (fig.4.5.b), are loc n semiconductori extrinseci i rezult din interaciunea dintre un foton i un atom de impuritate, care este ionizat pe baza energiei fotonului. Astfel sunt generai purttori de sarcin de un singur tip, atomii ionizai reprezentnd sarcini electrice imobile. Pragul de absorbie limit E a , d este mult mai redus dect la semiconductorii intrinseci, iar lungimea de und limit, sau lungimea de und maxim, este mult mai mare dect la semiconductorii intrinseci, deci n domeniul infrarou ndeprtat, avnd expresia: 2hc (4.24) e = i , Ea ,d Semiconductorii extrinseci au sensibilitate crescut la radiaii, pentru c pragul lor de absorbie este mult mai redus n comparaie cu cel al semiconductorilor intrinseci, dar prezint dezavantajul funcionrii la temperaturi joase, apropiate de temperatura absolut, deoarece la temperatura ambiant impuritile sunt ionizate prin absorbie de energie termic i nu mai reacioneaz la iluminri (n spectrul vizibil), sau iradieri (n spectrul infrarou).

Ec

Ec Ed

Ed Ea

Eg
Ev nivele ocupate
(a) 118

Ea Ev

(b)

f ig.4 .5. Ab sorb ia proprie (a) i d a tor a t impur it ilor ( b) a unu i fo ton.

Generarea purttorilor de sarcin prin efect fotoelectric intern, este contracarat de un proces de recombinare, care are ca efect micorarea numrului purttorilor de sarcin, cu o vitez de recombinare V r , proporional cu concentraia de purttori n exces n , pentru electroni i p pentru goluri, n prezena iluminrii. Expresiile vitezelor de recombinare ale electronilor i golurilor sunt: n , (4.25) Vrn ' p , (4.26) Vr p ' unde: 'n , p , reprezint timpii de via ai purttorilor de sarcin n exces i care pot fi considerai constani pentru iluminri reduse: n << n; p << p , unde n i p reprezint concentraiile purttorilor de sarcin n absena iluminrii. Pentru iluminri puternice : n >> n; p >> p , timpii de via variaz invers proporional cu iluminarea. Conductivitatea total a materialului t , are o component corespunztoare absenei iluminrii i o component de fotoconductivitate : t = + , (4.27) unde: = e n n + p p , (4.28)

Pentru ndeplinirea funciei de conversie optoelectric, este necesar ca materialul semiconductor s prezinte: - sensibilitate ridicat fa de radiaia electromagnetic, constant ntr-un domeniu larg de lungimi de und, sau dimpotriv s prezinte un maxim pentu o anumit lungime de und; - valori mari ale timpilor de via ai purttorilor n exces, pentru evitarea procesului de recombinare; - mobiliti ridicate n , p , pentru asigurarea unor viteze mari de rspuns; - conductiviti reduse n absena iluminrii, pentru asigurarea unui raport semanl/zgomot ridicat.
4.4.3. Funcia de detecie a radiaiilor nucleare [Ct] Radiaia nuclear este format fie din electroni (radiaia ), fie din particule nucleare grele, cu mas mult mai mare dect masa electronului, cu sau fr sarcin electric, aa cum sunt protonii, neutronii, deutronii, tritonii etc., sau radiaia electromagnetic cu energie ridicat, cum este radiaia X sau . Particulele nucleare ncrcate electric, genereaz perechi electron gol, spre deosebire de neutroni, sau radiaia , care produc ntr-o prim etap, particule ncrcate electric i care ulterior genereaz perechi electron gol. Procesul de stopare electronic, este un proces de interaciune neeleastic, care apare la viteze mari ale particulelor incidente i n care energia particulei determin excitarea, sau emisia electronilor. Stoparea nuclear reprezint o interaciune n care particula incident imprim atomilor reelei cristaline o micare de translaie. Puterea de stopare P S , reprezint pierderea de energie a particulei pe unitatea de lungime a traiectoriei parcurse n materialul semiconductor, iar parcursul mediu l o , reprezint lungimea medie a traiectoriei parcurse de particul pn la oprire. 119

n fig.4.6 sunt reprezentate dependenele puterilor de stopare i parcursul de energie al particulelor incidente. Pentru ndeplinirea funciei de detecie a radiaiilor nucleare, este necesar ca materialele semiconductoare s prezinte sensibilitate ridicat la radiaiile nucleare, mobiliti ridicate ale purttorilor de sarcin, pentru asigurarea unor viteze de rspuns ridicate, rigiditatea dielectric ridicat i conductivitatea electric sczut, ntruct dispozitivele de detecie a radiaiilor nucleare fucnioneaz la tensiuni ridicate.
PS[MeV/mm ] lo [mm] 10 10 PS[MeV/mm ] Ge Ee 0,01 0,1 1 10 0,01 Si Ep 100

10

Ee 0,01 0,1 1

(a)

(b)

(c)

f ig.4 .6. D ependen e le p u t er i i d e sto p are d e en erg i a e le c tr o n i l o r E e (a) sau p ro ton ilor E p ( c) i ale par cur sulu i me d iu al electron ilor (b) .

4.4.4. Funcia de conversie electro - optic

Materialele semiconductoare electroluminescente funcioneaz pe baza proprietii de emisie a radiaiei luminoase atunci cnd materialului i se aplic un cmp electric, sau este parcurs de curent electric. Procesul care determin emisia optic, este replica procesului prin care se absoarbe radiaia electromagnetic. Sub influena cmpului sau curentului electric, electronii ocup nivele energetice i revin pe nivele inferioare printr-un proces de recombinare. Mecanismele de recombinare radiativ a purttorilor de sarcin n exces, sunt realizate prin excitaie intrinsec, care const n ionizarea prin ciocnire a impuritilor n prezena unui cmp electric intens (E > 10MV/m), prin excitaie datorat injeciei de curent electric, sau prin multiplicare n avalan, prin excitaie optic, sau prin efect tunel. Dup durata proceselor de recombinare, emisia optic se numete fluorescen, (pentru durate cuprinse ntre: 10 - 5 10 - 8 s) sau fosforescen (pentru durate cuprinse ntre: 1 10 4 s). Mecanismele de recombinare sunt de mai multe tipuri (fig.4.7.a). Recombinarea direct are loc atunci cnd electronul trece din banda de conducie n banda de valen, cu eliberare de energie radiativ (cu emisia unui foton), sau neradiativ, cnd energia electronului este cedat reelei cristaline, (care absoarbe un fonon). Recombinarea indirect are loc prin intermediul unor nivele energetice plasate n banda interzis, n procesul de recombinare fiind implicai i fononii care caracterizeaz strile vibraionale ale reelei cristaline. Recombinarea indirect, prin care electronul de conducie ocup ntr-o prim etap un nivel

120

local, iar ulterior trece n banda de valen, are un caracter predominant neradiativ. Recombinarea prin alipire este caracteristica semiconductorilor extrinseci de tip p (pentru care, impuritile sunt ionizate la temperatura ambiant), i const n captarea unui electron de conducie de ctre un ion acceptor.
E Ec Ed Ea Ev EFn Absorbie E2 E1 Ec EF Ev EFp Direct 2 1 Indirect Prin alipire n(E) E2 h = E2 E1 E1 1 2 n(E) Eg Emisie EFn EFp n d T = 0k E T > 0k

( a)

(b)

(c)
goluri n regiunea n EF electroni n regiunea p p n p electroni

(d)

goluri

( e)

(f)

fig. 4.7. Mecanisme de recombinare direct, indirect i prin alipire, pentru un material izotrop (a) i con f iguraia sup rafe e lor ech ien erg e tic e n fun c ie de num r u l d e s tr i n (E), (sau numrul de und k), pentru un semiconductor care prezint inversie de populaie (b). T r an z iie spon tan (c) i s t i mu la t pr in in ter me d iu l unu i foton a e lec tronu lu i, cu emis ie s t i mu la t a fo ton ilor , ca re sun t n fa z i au ace e a i fr ecv en (d) . Jonc iune pn n ep o lar i z a t la ech ilibru (e) i p o la r iz a t d ir ec t la n ee ch ilibru (f).

Procesele de recombinare radiativ pot avea un caracter spontan, corespunztor unei stri de echilibru termic sau stimulat, corespunztor unei stri de dezechilibru provocat. Recombinarea spontan genereaz fotoni cu direcii, frecvene i faze aleatoare, emisia fiind incoerent, iar recombinarea stimulat genereaz fotoni cu aceeai frecven i aceeai direcie, emisia fiind coerent. La emisia stimulat, se genereaz un foton care are aceeai frecven, direcie de propagare i faz ca i fotonul stimulator (fig. 4.7.d). Atunci cnd mai muli electroni se afl n starea de excitaie E 2 , dect n starea fundamental E 1 , iar tranziia este determinat prin intermediul unui foton, sistemul prezint inversie de populaie. n prezena unui cmp de radiaie cu: h = E 2 E 1 emisia stimulat va depi absorbia fotonilor i mai muli fotoni cu energie h vor depi sistemul, n comparaie cu numrul de fotoni care intr n sistem. Acest proces se numete amplificare cuantic.
121

Pentru ca materialul semiconductor s constituie o surs optic, este necesar ca emisia radiativ prin recombinare stimulat s fie mai pronunat dect absorbia luminoas, ceea ce se poate realiza printr-o inversiune de populaie (fig.4.7.b). Inversiunea de populaie const n ocuparea cu electroni a nivelelor inferioare ale benzii de conducie pn la pseudonivelul Fermi E F n i eliberarea nivelelor superioare ale benzii de valen pn la pseudonivelul Fermi E F p . Astfel toate nivelele sau strile energetice implicate n tranziiile emisive nu mai sunt disponibile pentru tranziiile de absorbie, energia implicat n procesul de absorbie fiind superioar energiei furnizate n procesul de emisie. Pseudonivelele Fermi E F n i E F p nlocuiesc nivelele Fermi E F , n condiiile de dezechilibru al cristalului. Sursele semiconductoare de fotoni coereni, pot fi obinui prin mai multe procedee: prin pompaj optic cu o surs optic, prin radiaie de electroni sau prin intermediul unei jonciuni pn puternic dopate, parcurs de un curent. n general, prin dopri puternice se creaz semiconductori de tip p i n degenerai, cvasi-nivelele Fermi fiind plasate n exteriorul limitelor E c , E v ale benzii interzise (fig.4.7.b). La echilibru, cvasi-nivelele Fermi sunt aliniate (fig.4.7.e). La polarizare direct a jonciunii pn , cvasi-nivelele Fermi se distaneaz n raport direct, cu valoarea tensiunii directe aplicate (fig.4.7.f). Sub influena tensiunii de polarizare direct, golurile se vor deplasa n regiunea n iar electronii n regiunea p . Astfel, electronii i golurile vor fi spaial coincidente i are loc recombinarea radiativ a lor pe distana d. ntruct electronii sunt mult mai mobili dect golurile, adncimea d a regiunii active, este n principal determinat de mobilitatea electronilor i este de acelai ordin de mrime cu lungimea de und a modulului electromagnetic care este amplificat (vezi dioda LASER). Densitatea curentului prin jonciune, pentru care apare inversia de populaie i emisia stimulat a radiaiei, este de ordinul zecilor de mii de amperi pe cm 2 pentru jonciuni simple i de ordinul sutelor de amperi pe cm 2 pentru heterojonciuni duble [Das].
4.4.5. Funcia de conversie termo electric [Ct] Din expresiile (4.1), (4.2), (4.7) ale conductivitii materialului semiconductor, rezult posibilitatea interaciunii dintre cmpul termic i cmpul electric din interiorul materialului, ntruct att numrul de purttori de sarcin ct i timpul lor de relaxare, depind de temperatur. Prin urmare, temperatura poate influena sau chiar genera curentul electric prin semiconductor. Temperatura influeneaz structura de benzi energetice, modificnd valorile benzilor E C , E V , E F , i limea benzii interzise: E g . Cu creterea temperaturii, limea benzii interzise: E g 4kT , se mrete, dar mobilitatea i numrul purttorilor de sarcin crete n msur mult mai mare, iar conductivitatea materialului semiconductor se mrete. n fig.4.8.a, sunt prezentate dependinele de temperatur ale concentraiilor de purttori n semiconductori intrinseci. Numrul purttorilor de sarcin intrinseci crete exponenial cu temperatura, deci influena temperaturii asupra curentului prin materialul semiconductor este considerabil. Pentru temperaturi relativ sczute (T < T 1 ), procesul de generare a purttorilor de sarcin este extrinsec, iar conductivitatea materialului semiconductor: n , se modific exponenial cu temperatura (fig.4.8.b). Pentru temperaturi medii (T 1 < T < T 2 ), procesul de generare extrinsec nceteaz datorit 122

epuizrii atomilor donori, deci concentraia de electroni de conducie n , rmne constant, crescnd doar mobilitatea n a electronilor, dar se mrete agitaia termic, care are efect preponderent i conduce la scderea conductivitii n . Pentru temperaturi ridicate (T > T 2 ), mecanismul intrinsec de generare a = i crete purttorilor de sarcin devine predominant, iar conductivitatea exponenial cu temperatura. nj [cm-3] 1018 1017

n,i

n i

Ge Si

1011

GaAs 1/T 1/300


( a)

T1
(b)

T2

f ig.4 .8. D ependen e le d e t e mp era tu r a le con c en tr a iilor d e pur t tor i d e s ar c in n s e mic o n d u c to r i in tr ins e c i (a) i ale conductivit ii semicondu ctor ilor ex tr in seci d e tip n (b) .

Un gradient de temperatur poate genera un curent electric ntr-un material semiconductor prin difuzia purttorilor de sarcin situai n regiunea cu temperatur ridicat i concentraie mare de purttori, spre regiunea cu temperatur sczut i concentraia redus de purttori. Dac circuitul rmne deschis, ia natere un cmp electric E s , care se va opune tendinei de deplasare a purttorilor spre regiunea mai rece, a crui expresie este: E s = s gradT , (4.29) unde: s = n 10 mV/K , este o constant de material, numit tensiune diferenial. Pentru ndeplinirea funciei de conversie termo - electric, se impune ca materialele semiconductoare s prezinte: coeficient de variaie cu temperatura: 1 d ; timp de relaxare redus, pentru viteze de rspuns ridicate; = dt conductivitate redus, pentru asigurarea sensibilitilor ridicate; stabilitate termic i tensiune diferenial ridicat. Astfel de materiale sunt oxizii de Cu, Co, Cr, Ni, Mn precum i SnSb, PbSb, InSb, GaAs [Ct].
4.4.6. Funcia de conversie magneto electric [Ct] Presupunem un material semiconductor parcurs de un curent electric, plasat ntr-un cmp magnetic transversal, prezentat n fig.4.9. Sub influena cmpului magnetic E , aplicat semiconductorului, o particul ncrcat cu sarcin pozitiv, se va deplasa de-a lungul liniilor cmpului electric n absena unui cmp magnetic exterior (fig.4.9.b). n prezena cmpului magnetic exterior H , cu orientare transversal fa de cmpul E , fora Lorentz care acioneaz asupra particulei, are i o component 123

transversal pe direcia de micare, iar traiectoria particulei se curbeaz n sensul forei Lorentz, a crei expresie este: F = q E = q( vx B ), (4.30) unde q este sarcina pozitiv a particulei. Fora Lorentz care acioneaz asupra purttorilor de sarcin negativ, are aceeai direcie dar sens opus, sensul de micare i de curbare a traiectoriilor electronilor fiind de asemenea opus. Astfel, pe suprafaa S 1 , se vor acumula sarcini electrice pozitive, iar pe suprafaa S 2 , sarcini electrice negative, rezultnd un cmp Hall E H a crui expresie este: E H = RH J x H , (4.31) unde: R H este constanta Hall i depinde - pentru materiale semiconductoare cu anizotropie, de intensitatea cmpului magnetic aplicat, iar J este densitatea de curent prin semiconductor. Efectul Hall const n deformarea liniilor de cmp electric i de curent n prezena cmpului magnetic transversal i apariia cmpului Hall E H orientat perpendicular pe planul determinat de vectorii E i H . Efectul magnetorezistiv const n modificarea rezistivitii materialului semiconductor n prezena unui cmp magnetic aplicat normal pe direcia de micare a purttorilor de sarcin. S2 H H _ B E
J
+

EH
+

S1
(a) (b) (c)
f ig.4 .9. Efectu l Hall n ma teriale semico ndu ctoare (a) i for a ca re a cion ea z asupr a pur t t o r i lor mob il i d e s a r c in e l ec tr i c po zitiv n prezen a c mp u lu i e le c tr i c (b) i ma gn e tic (c).

Datorit forei Lorentz, proiecia parcursului liber mijlociu al purttorilor pe direcia cmpului electric aplicat se micoreaz prin curbarea traiectoriilor purttorilor de sarcin (fig.4.9.c), rezultatul global fiind mrirea rezistivitii materialului. n cmpuri magnetice intense apare un proces de saturaie i rezistivitatea materialului nu se va mri pentru o mrire suplimentar a intensitii cmpului magnetic. Pentru ndeplinirea funciei de conversie magneto-electric, este necesar ca materialele semiconductoare s posede valori ridicate ale constantei Hall i ale densitii de curent, iar cmpul Hall s nu fie influenat de factori externi, cum ar fi temperatura. Astfel de materiale sunt: InSb, InAs.
4.4.7. Funcia de conversie mecano - electric Interaciunea mecano electric se manifest fie sub forma unei dependene a energiei electronilor din banda de conducie, de gradul de distorsionare a reelei cristaline, fie sub forma unui efect piezoelectric asemntor celui ntlnit la materialele dielectrice. 124

Primul tip de interaciune care apare la deformri ale reelei cristaline de tip armonic i la frecvene ridicate ( f 100 GHz ), genereaz un potenial de deformaie U d de forma: Ud = d S (4.32) unde: d este constantade material, iar S reprezint deformarea elastic. Interaciunea prin efect piezoelectric exist att n regim staionar ct i variabil, iar cmpul electric produs de o deformaie S depinde de frecven. Pentru ndeplinirea funciei de conversie mecano electric este necesar ca materialele semiconductoare s prezinte rezistiviti, mobiliti ale purttorilor i coeficieni piezoelectzrici ridicai, iar constantele de atenuare ale undelor elastice de volum i de suprafa s fie reduse. Astfel de materiale sunt: CdS, CdSe, ZnO, GaAs.
4.5. ntrebri

1. Clasificai materialele semiconductoare dup criteriile compoziiei i tipului legturilor atomice. 2. Stabilii i analizai modelul teoretic al conduciei electrice n materialele semiconductoare i scriei expresiile conductibilitii, utiliznd constanta de timp mediat de timp de relaxare; 3. Analizai din punct de vedere al mecanicii cuantice, mecanismul de generare i recombinare a perechilor electron-gol, n materialele semiconductoare. 4. Analizai i comparai din punct de vedere al mecanicii cuantice materialele semiconductoare intrinseci i extrinseci, precum i modul de obinere, prin impurificare, a acestor materiale; 5. Exprimai apariia anizotropiei structurale a materialelor semiconductoare i modul n care energia i masa efectiv a electronului, depinde de direcia sa de deplasare. 6. Descriei procedeele de purificare a materialelor semiconductoare. 7. Descriei procedeele de obinere a materialelor semiconductoare monocristaline. 8. Stabilii dependenele de frecven ale componentelor conductibilitii electrice complexe, considernd materialul semiconductor ca un material dielectric cu polarizare de deplasare i cu pierderi prin conducie i deducei schema echivalent a materialului semiconductor, motivnd relaiile formale obinute: 9. S se deduc schema echivalent a unui material semiconductor, utiliznd expresia densitii de curent n funcie de intensitatea cmpului electric aplicat. 10. Analizai procesele de drift i de difuzie din materialele semiconductoare i stabilii expresiile mrimilor asociate acestor procese. 11. Precizai n ce const frnarea nuclear i cea electronic a ionilor implantai ntr-un material amorf; 12. Descriei canalizarea ionilor implantai n materiale monocristaline i analizai profilul concentraiei de impuriti reale i ideale; 13. Stabilii corelaia dintre unghiul critic de inciden a ionilor implantai i gradul de compactitate a reelei monocristaline;

125

14. Enumerai principalele materiale semiconductoare utilizate pentru fabricarea dispozitivelor semiconductoare i precizai succint dezavantajele pe care le prezint n comparaie cu nitritul de galiu; 15. Precizai avantajele pe care le prezint nitratul de galiu pentru fabricarea dispozitivelor semiconductoare n comparaie cu alte materiale semiconductoare utilizate n acelai scop i enumerai principalele domenii n care posibilitile nitratului de galiu depesc posibilitile celorlaltor materiale semiconductoare; 16. Analizai ntr-un mod comparativ i difereniat, pe baza schemelor structurale, dou tranzistoare cu efect de cmp realizate cu siliciu, respectiv nitrit de galiu i explicai succint prin ce difer cele dou structuri, avnd n vedere procesele care au loc; 17. Explicai formarea unei heterojonciuni la suprafaa de separaie dintre cristalul suport de nitrit de galiu i stratul depus de acesta, din nitrit de aluminiugaliu i analizai formarea gazului electronic bidimensional; 18. Explicai motivul pentru care gazul electronic bidimensional se poate forma n materiale semiconductoare numai prin dopare cu impuriti, excepie fcnd sistemul format din nitrit de galiunitrit de aluminiugaliu; 19. Comparai nitritul de galiu cu alte materiale semiconductoare, din punctul de vedere al mobilitii electronilor, al cmpului de strpungere n avalan, al benzii interzise, al temperaturii de funcionare i al densitii de putere pe milimetru de lungime a grilei; 20. Apreciai influena benzii interzise largi a nitritului de galiu asupra posibilitilor de emisie i absorbie a radiaiei electromagnetice i comparai posibilitile mai mari ale nitritului de galiu cu cele ale altor materiale semiconductoare;
4.6. Probleme 1. S se explice motivul pentru care siliciul, germaniul, nitritul de galiu i diamantul au aspecte diferite dei au structuri cristaline asemntoare. Limea benzii interzise pentru siliciu, este: Eg = 1,11 eV ; pentru germaniu: Eg = 0,67 eV ; pentru nitritul de galiu: Eg = 3,49 eV , iar pentru diamant: Eg = 5,4 eV . Rezolvare: Aspectul diferit se datoreaza diferenelor ntre lungimile de und maxime absorbite de Si, Ge i diamant, a cror expresie este: hc hc = max = , unde: h = 6,63 10 - 3 4 J s, c = 2,998 10 8 m/s. E min E g

Pentru germaniu: m a x = 1,86 m, pentru siliciu: m a x = 1,12 m , pentru nitrit de galiu: m a x = 0,36 nm , iar pentru diamant: m a x = 0,23 m. innd cont c spectrul vizibil presupune lungimi de und cuprinse ntre limitele: 0,4 m i 0,73 m, rezult absorbia mai puternic a luminii incidente pe suprafaa cristalelor de germaniu i siliciu, ceea ce le confer aspectul cenuiu. Diamantul i nitritul de galiu nu absorb lumina vizibil incident, care este transmis sau reflectat de cristal.
2. S se determine grosimea x a stratului de siliciu consumat prin oxidare, pentru a realiza un strat din bioxid de siliciu cu grosimea x 0 . Se 126

cunosc: masa atomic a siliciului: A S i = 28,09 u.a.m., masa molecular a bioxidului de siliciu: A S i O 2 = 60,08 u.a.m., densitile volumetrice: S i = 2,33 g / cm 3 , S i O 2 = 2,27 g / cm 3 i numrul lui Avogadro: N = 6,023 10 2 3 molecule/mol.
Rezolvare: Numrul lui Avogadro reprezint numrul de molecule coninute ntr-un mol de substan sau numrul de atomi coninui intr-un atom gram de substan. O molecul gram sau un mol de substan este masa de substan exprimat n grame, egal numeric cu masa molecular a substanei, exprimat n uniti atomice de mas. Notm cu S suprafaa plachetei de siliciu supus procesului de oxidare. Numrul de atomi de siliciu este egal cu numrul de molecule de bioxid de siliciu sau: ASiO2 A S x Si Si = S x0 SiO2 , N N de unde rezult x = 0,455 x 0 . Prin oxidare, volumul stratului din bioxid de siliciu este aproape dublu fa de volumul de siliciu consumat. Acest rezultat este utilizat n tehnologia de realizare a circuitelor integrate. 3. Un monocristal de siliciu intrinsec se inclzete de la temperatura T = 300 K pn la temperatura T = 400 K . Legea de variaie a concentraiei de sarcin intrinseci este de forma:

ni = A0 T 2 e 2kT , unde: A 0 este o constant, limea benzii interzise este Eg = 1,11 eV , iar constanta lui Boltzmann are valoarea : k = 8,62 10 - 5 eV / k . S se calculeze: a) Coeficientul de variaie cu temperatura al rezistivitaii, la temperatura T = 300 K.
b) Rezistivitatea la temperatura T = 400 K, tiind c rezistivitatea la T = 300 K este i (300 K) = 2 10 3 m .
Rezolvare: a) Rezistivitatea depinde invers proporional de concentraia de purttori de sarcin n i sau:

E g

i = A1 T

E g

e 2kT

Coeficientul de variaie cu temperatura al rezistivitii este: E g 1 d 2 = i = + = 0,074 K - 1 2kT 2 T i dT

b) Raportul rezistivitilor corespunztoare celor dou temperaturi este:

127

i (T `) T 2 = e i (T ) T `

E g 1 1 2k T ` T

Se observ o variaie extrem de pronunat a rezistivitii semiconductorului intrinsec cu temperatura, rezistivitatea la temperatura ambiant fiind relativ ridicat. Semiconductorii extrinseci au rezistivitate mai sczut la temperatura ambiant, iar variaia cu temperatura este mai puin pronunat.
4. S se calculeze curentul care trece printr-o plac de siliciu dopat cu 10 1 6 atomi de bor / cm 3 , de lungime: L = 100 m i seciune: S = 10 - 3 cm 2 , tensiunea aplicat avnd valoarea U = 20 V, la temperatura ambiant, pentru care la conducia electric particip doar purttorii de sarcin majoritari i la 300 C, cnd la conducia electric particip i purttorii de sarcin minoritari. Se cunosc forma dependenei mobilitaii purttorilor de sarcin de temperatura: T - 2 , 5 , sarcina electronului: e = 1,6021 10 - 1 9 C, concentraiile purttorilor de sarcin la temperatura ambiant: p = 1,002 10 1 6 cm - 3 , n = 1,12 10 1 4 cm - 3 i mobilitile purttorilor la temperatura ambiant: n , 3 0 0 = 1000 cm 2 / Vs, p , 3 0 0 = 350 cm 2 / Vs.

Rezolvare: Semiconductorul extrinsec realizat prin dopare cu bor este de tip p, concentraia golurilor fiind superioara concentraiei de electroni. La temperatura ambianta: T = 300 K, rezistivitatea are expresia: 1 = 1,72 cm , = e pp

iar curentul prin plac este: U U S I= = = 1,16 A R L La temperatura : T = 573 K, mobilitaile purtatorilor sunt:
T n = n,300 300
2,5

cm 2 = 198,34 V S

cm 2 T = 69,42 , V S 300 iar rezistivitatea placii semiconductoare este: 1 = 8,707 cm = e n n + p p

p = p,300

2,5

Curentul care va trece prin placa are valoarea:


128

I=

U S = 0,23 A L

Prin urmare, la o cretere pronunata a temperaturii, curentul prin placa de semiconductor extrinsec scade de cinci ori, deci mult mai puin comparativ cu o plac din semiconductor intrinsec unde curentul ca i rezistivitatea, se modific cu mai multe ordine de marime.
5. Efectul Hall apare in materialele conductoare si semiconductoare. Coeficientul Hall pentru cupru are valoarea: R H = 7,3 10 - 1 1 m 3 /C, iar conductivitatea este: n = 6,7 10 9 S/m. S se determine densitatea electronilor n si mobilitatea lor . S se determine expresia coeficientului Hall pentru un semiconductor extrinsec, lund n considerare ambele tipuri de purttori de sarcin. Rezolvare: Cmpul Hall are expresia: E H = RH J B , iar coeficientul Hall se poate exprima sub forma: R H = n / , unde: n este mobilitatea electronilor, conducia electric n cupru fiind asigurat prin electroni. Rezult valoarea mobilitii electronilor: n = R H = 4900 cm 2 /Vs.

n n = , n e n n rezultnd valoarea:
RH =

Concentraia electronilor se determin din relaia:

n=

RH e

= 8,57 10 22 cm 3 .

Pentru un semiconductor extrinsec, conducia electric este asigurat de ambele tipuri de purttori de sarcin, a cror participare la conducia electric se exprim prin raportul:

n, p

RH
unde : b =

n n p 1 b2 n p , = + = e (b n + p )2 n . p

. Coeficientul Hall are expresia:

6. S se reprezinte diagrama benzilor energetice pentru siliciu dopat cu: N A = 10 atomi de bor/cm 3 . S se poziioneze nivelul Fermi intrinsec si nivelul Fermi. Folosind nivelul Fermi ca nivel de referin, s se indice energiile electronului si densitatea golurilor pentru temperaturile: -78 C; 27 C; 300 C. Pentru temperatura ambiant (27 C), se cunosc: E g = 1,11 eV; k = 8,62 10 - 5 eV/K; n i = 1,45 10 1 0 cm - 3 .
16

129

Rezolvare: Notam cu N C , N V concentraia purtatorilor de sarcini in banda de conducie, respectiv de valen. Expresile concentrailor purtatorilor de sarcin sunt: (EC EF )

n = Nc e

k T p = NV e unde funcia exponenial reprezint probabilitatea ocuparii de catre un electron a unei stri energetice localizate la marginea benzii de conducie, respectiv de valen, pentru care corespund energiile E C , respectiv E V .

, (EF EV )

k T

Pentru un semiconductor intrinsec, relaiile devin: ( EF Ei )


n = ni e p = ni e
k T

(Ei EF )
k T

i ntruct n = p = n i , rezult: N 1 1 Ei = (EC + EV ) + kT ln V 2 2 NC Este de remarcat c N C si N V depind de temperatur in acelai mod: 3/2 N C T , N V T 3 / 2 , iar raportul lor ramne constant. Pentru semiconductorul intrinsec, nivelul Fermi este plasat la mijlocul benzii interzise la T = 0 K . Admind ipoteza ionizarii complete a impuritilor, concentraia de goluri la echilibru, are expresia: 1 p = N A + N A 2 + 4 ni 2 2 Densitatea purtatorilor de sarcini din semiconductorul intrinsec, depinde de temperatur i de laimea benzii interzise, presupus independent de temperatur, conform relaiei:

ni T11,5
sau:

E g

kT

,
1,5 E g 1 1 kT T 300

ni ,T

T = ni ,300 300

Poziiile nivelului Fermi si valorile concentraiilor purttorilor de sarcin sunt reprezentate n diagrame i nscrise n tabel: T 1 = 195 K T 2 = 300 K T 3 = 573 K n i [ cm - 3 ] 7,28 10 4 1,45 10 1 0 1,06 10 1 5 p [ cm - 3 ] 10 1 6 10 1 6 1,002 10 1 6 E i - E F [ eV ] 0,431 0,348 0,111

130

Cu creterea temperaturii semiconductorul extrinsec se comport ca un semiconductor intrinsec, nivelul Fermi apropiindu-se de nivelul Fermi intrinsec. Temperatura are un efect puternic asupra purttorilor de sarcin intrinseci generai termic i nu afecteaz prea mult concentraia purttorilor de sarcin majoritari.
7. S se calculeze Nivelul Fermi pentru siliciu dopat cu 10 6 ,1018 ,1019 atomi donori/cm 2 la temperatura camerei, presupunnd ionizarea complet. Cu valorile obinute, s se verifice dac ipoteza ionizrii complete este justificat. Se considera nivelul donor plasat fa de marginea benzii de conducie, la 0,05 eV. Se cunoate concentraia de impuriti a siliciului intrinsec: 19 3 ni = 1,45 10 cm , precum i limea benzii interzise: Eg = 1,11eV .
0,05 eV Ec Ed Ef Ei Ef-Ei Ed-Ef
Eg = 0,555eV 2

Rezolvare: Presupunnd completa ionizare a impuritilor, sau n = N D , poziia nivelului Fermi E F fa de nivelul Fermi intrinsec Ei corespunde temperaturii absolute T0 = 0 K , pentru fiecare caz, este:

(a)

E F Ei = k T ln

(b) (c) E F Ei = 0,527eV ; Impuritile sunt ionizate atunci cnd nivelul donor nu este ocupat cu electroni. Probabilitatea de ocupare a nivelului donor, conform statisticii Fermi Dirac, este: 1 1 f (E D ) = = E E E / 2 ( E E )( E E )
D F g C D F i

n1 = 0,348eV ; ni E F Ei = 0,467eV ;

1+ e

kt

1+ e

kt

131

iar probabilitatea ca nivelul donor s nu fie ocupat de un electron, este: 1 f ( E D ) i se calculeaz pentru fiecare caz in parte: 1 f ( E D ) =99,7% (a) 1 f ( E D ) =81,26% (b) 1 f ( E D ) =30,00% (c) Prin urmare, ipoteza ionizrii complete a impuritilor donoare este valabil n primele dou cazuri. Pentru nivelele ridicate de dopare, aceast ipotez nu mai este conform cu realitatea fizic. De altfel, la concentraii mari 2 semiconductorul este degenerat i nu mai este valabil relaia n p = ni .
4.7. Anexe Rezistena de ptrat Rezistena de ptrat R reprezint rezistena unui strat cu grosimea g de form ptrat i se msoar in ohm/p.(fig.A.9.). Rezistena pe ptrat se poate exprima n funcie de rezistivitatea materialului. Pentru un semiconductor de tip n, rezistena pe ptrat are expresia: 1 1 1 R= = = = n unde: e e n N D g e n ng n g g i n sunt sarcina i mobilitatea electronului, N D =n este concentraia atomilor donori sau electronilor. Rezistena stratului are forma: L R= R I

132

Capitolul 5. Jonciuni semiconductoare si heterojonciuni


5.1. Jonciuni semiconductoare Tehnicile industriale de impurificare sau dopare a materialelor semiconductoare asigur realizarea unor concentraii cu profile diversificate n zone localizate cu rezoluii ridicate. Se urmrete controlul ct mai riguros al parametrilor jonciunilor semiconductoare care alctuiesc un dispozitiv semiconductor. 5.1.1. Difuzia din surs finit i infinit Difuzia reprezint procesul de ptrundere prin substituie sau interstiial a atomilor de impuritate in monocristalul semiconductor si se datoreaz existentei unui gradient de concentraie al impuritilor n reactorul de difuzie. Atomii difuzeaz din regiunea cu concentraie mare spre regiunea cu concentraie mai redusa, la o temperatura cuprinsa intre 8001300C, care favorizeaz procesul de difuzie. Admitem prezenta unui camp electric exterior E ext si a unui camp interior (sau imprimat) E int datorita impuritatilor ionizate care au patruns in monocristal, procum si datorita dislocatiilor din reteaua cristalina (vezi anexa 7). De asemenea, admitem aparitia unei reactii chimice la suprafata semiconductorului cu consum de material dopant, reactie care se desfasoara cu viteza k s . Fluxul atomilor de impuritate ce traverseaza unitatea de suprafata a plachetei in unitatea de timp, este: F = grad ( DN ) + E N k s N , (5.1) unde: D este un coeficient de difuzie, N este concentratia atomilor dopanti, iar este mobilitatea atomilor de impuritate. Descrierea procesului de transport de substanta este data de legea a II-a a lui Fick: N (5.2) = div F . t Pentru siliciu, se poate considera k s = 0; E ext = 0; campul electric interior se

poate neglija E int 0 , iar coeficientul de difuzie D se poate considera independent de N si de concentratia defectelor structurale ale retelei atunci cand concentratiile de impuritati au valori medii sau mici. In aceste conditii, relatia (5.2), obtine forma: N = Ddiv( gradN ) = DN = DN . (5.3) t Pentru cazul unidimensional sau pentru o variatie unidimensionala a concentratiei de impuritati de-a lungul axei Ox, prima lege a lui Fick are forma: N ( x, t ) F = gradDN ( x, t ) = D j, (5.4) x unde j este vectorul cu modul unitar, sau versorul orientat de-a lungul axei Ox. Concentratia de impuritati la un moment dat este descrescatoare de-a lungul axei Ox sau N ( x) / x < 0 (fig. 5.1a).
133

Pentru cazul unidimensional, legea a doua a lui Fick are forma:

N ( x, t ) 2 N ( x, t ) =D . t x2

(5.5)

f ig . 5 . 1 D i s t r i b u i a c o n c e n t r ai e i d e i mp u r i t i n tr - u n tu b in f in it d e lu n g i d e s e ciu n e u n i t a r , n i p o t e z a c la mo me n tu l in ii a l , n t r e a g a c a n t i t a t e d e i mp u r i t i e s t e c o n c e n t r a t n p la n u l x = 0 ( a ) . I n c in ta d e s c h is d e d i f u z i e c u r e p r e z e n t a r e a detaliat a plachetei semiconductoare din incinta (b): 1-plachete semiconductoare; 2-surse de impuriti; 3-tub din cuar; 4-cuptor cilindric; 5-rezistene de nclzire.

Presupunem c n momentul iniial, ntreaga cantitate de impuriti este concentrat n planul x=0 i difuzeaz n ambele sensuri ale direciei Ox, ntr-un tub semiconductor infinit de lung, de seciune unitar. Cu creterea timpului, impur itile ptrund mai adnc n materialul semiconductor (fig.5.1a). Rezolvarea ecuaiei (5.5) se ef ectueaz prin substituie, concentraia de i mpuriti consider ndu-se de forma: N ( x , t ) = Aex + t , (5.6) unde: A, este o mrime care nu depinde de timp i de coordonata x a planului n care se determin concentraia de impuriti (fig.5.1a), iar si , sunt parametri care se vor de termina astfel nct s fie respectat legea a doua a lui Fick, care ob ine forma: N ( x , t ) 2 N ( x, t ) = N ( x, t ) = DN ( x, t ) = D . (5.7) t x 2 Din relaiile (5. 6) i (5.7), rezult: =D 2 , iar relaia (5.6) obine forma: 2 (5.8) N (x , t ) = Ae x + Dt .
134

n continuare se vor determina mrimea i constanta A din condiiile iniiale i la limit, innd cont c sursa de impuriti este finit i concentrat la momentul iniial n planul x=0. Pentru adncimi x, tinznd spre infinit, concentraia de impuriti tinde spre 0 i, ntruct A nu depinde de timp i coordonata x, funcia exponenial tinde spre 0, sau x- 2 Dt - . Considerm cantitatea de impuriti finit Q, ca fiind de forma unei funcii Dirac: Q (x=0). Pentru un timp i o adncime tinznd spre infinit, concentraia de impuriti va tinde spre 0: N(x ,t ) 0. Pe de alt parte, concentraia de impuriti ntr-un plan corespunztor coordonatei x (fig.5.1a), va descrete cu creterea timpului, ntruct s-a presupus c la momentul iniial, cantitatea de impuriti este finit. Rezult c exponentul funciei (5.8), are forma: x2 x 2 Dt = k , (5.9) t unde: k este o mrime care nu depinde de x i t. Din relaia (5.9), se determin marimea , n funcie de k. Pentru ca soluia s fie unic, este necesar s fie ndeplinit condiia: k=1/(4D). Dac n relaia (5.9) n loc de x 2 /t s-ar fi luat x n + 1 /t n , mrimea k ar fi depins de x i t. Rezult expresia concentraiei de impuriti: 2 2 2 N ( x, t ) = Ae x / 4 Dt = Ae x / L , (5.10) unde: L = 2 Dt este adncimea sau lungimea de difuzie. Cunoscnd cantitatea de impuriti finit Q, constanta A se determin din relaia (vezi anexa): 2 x N (x , t )dx = A2 Dt e [ x / ( 2 Dt )] d ( ) = A2 Dt = Q . (5.11) 0 0 2 Dt Pentru un semiconductor semiinfinit, n care aceeai cantitate de impuriti Q difuzeaz ntr-un singur sens -sensul axei Ox- concentraia de impuriti ntrun plan corespunztor coordonatei x, la un moment dat, va fi dubl, iar expresia normat a concentraiei de impuriti are forma: N (x , t ) 1 2 = (5.12) e [ x / ( 2 Dt )] . Q Dt Dac sursa de impuriti este finit, concentraia de impuriti n planul x=0 va fi constant n timp, sau: N(0,t)=N s , unde N s este concentraia superficial de impuriti, corespunztoare unei temperaturi date. Pentru un timp tinznd spre infinit, concentraia de impuriti n materialul semiconductor -de lungime finit, este N s . Dac la momentul iniial, concentraia preexistent de impuriti n planul corespunztor coordonatei x, este N 0 (x,0), creterea normat a concentraiei de impuriti n planul respectiv, n conformitate cu relaia (5.12), are expresia: x N (x , t ) N 0 (x ,0) 2 1 x = 1 (5.13) 0 e [ x / ( 2 Dt )] dx =erfc 2 Dt . N s N 0 (x ,0) Dt Dac concentraia iniial de impuriti este nul: N 0 (x,0)=0, concentraia normat de impuriti provenite din sursa infinit are expresia: x x N (x , t ) = erfc = erfc . (5.14) L Ns 2 Dt
135

Dac sursa de difuzie pstreaz n timpul difuziei o concentraie constant N s de impuriti la suprafaa semiconductorului, difuzia se numete din surs infinit sau predifuzie i se utilizeaz pentru introducerea n monocristalul semiconductor a unei cantiti determinate de impuriti, avnd ca rezultat obinerea unui semiconductor extrinsec de tip n sau p. Dac difuzia are loc pornind de la o cantitate determinat Q de impuriti, difuzia se numete din surs finit i este utilizat pentru realizarea jonciunilor semiconductoare prin introducerea n semiconductorul extrinsec rezultat din predifuzie, a unei cantiti controlate i localizate de impuriti de tip opus celor din semiconductorul extrinsec. Se precizeaz c att semiconductorul extrinsec ct i jonciunile semiconductoare, pot fi realizate prin ambele tipuri de difuzie. Coeficientul de difuzie D=D 0 exp(-b/T), poate fi considerat constant la temperatur constant, D 0 i b fiind mrimi constante, care depind de materialul semiconductor i de tipul de impuriti difuzate. Relaiile (5.12), (5.14) i (5.15) sunt valabile pentru concentraii medii de impuriti i adncimi medii -de ordinul micronilor. Pentru concentraii mari de impuriti i adncimi reduse, relaiile (5.12) i (5.14) nu mai sunt valabile, iar coeficientul de difuzie depinde de concentraia de impuriti, de interaciunea dintre atomii materialului semiconductor i impuriti, precum i de procesul de difuzie spre exteriorul semiconductorului. Impuritile se introduc n monocristalul semiconductor din sursa solid, lichid sau prin transport chimic. Procedeul de difuzie presupune realizarea unei presiuni pariale suficient de ridicate a impuritilor n gazul purttor (azot, argon), care s asigure la suprafaa plachetei monocristaline o concentraie superficial maxim N s , a impuritilor la temperatura din reactor. Impuritile se introduc din sursa lichid prin evaporare n incinta de difuzie sau reactor. La echilibru termic, presiunea parial a impuritilor n gazul purttor, este egal cu presiunea vaporilor sursei la temperatura din reactor. Difuzia din sursa lichid presupune trecerea gazului purttor prin sursa lichid prin barbotare, nainte de a fi introdus n reactor. Presiunea parial a impuritii n gaz, este egal cu presiunea de vapori a lichidului la temperatura din reactor. Difuzia realizat prin transport chimic presupune declanarea unei reacii chimice la sursa de impuriti, care elibereaz impuritile in reactor. Incinta de difuzie poate fi nchis sau deschis. n fig. 5.1b este prezentat o incint de difuzie deschis, impuritile fiind obinute prin evaporarea surselor solide plasate n zona 1 i care sunt transportate n zona 2, prin intermediul unui gaz purttor. n zona 1 temperatura este mai sczut dect n zona de difuzie 2, ns suficient de ridicat pentru ca s menin presiunea necesar de vapori. Temperatura n zona de difuzie este cuprins ntre 1200C i 1300C i este meninut n limite stricte (2%). Diametrul mult mai mare al cuptorului cilindric n raport cu dimensiunile plachetelor, asigur obinerea unui gradient de temperatur constant. La suprafaa plachetei semiconductoare (fig. 5.1b), se realizeaz un echilibru vapori-solid. Acest echilibru este stabil dac impuritatea transportat de gazul purttor, care se deplaseaz cu viteza v, compenseaz cantitatea de impuritate ce difuzeaz n semiconductor. Deoarece gazul prezint pierderi de concentraie de-a lungul axei Ox -n exteriorul plachetei semiconductoare -ca urmare a difuziei impuritilor n semiconductor, rezult o concentraie
136

superficial variabil a impuritilor. Dac concentraiile superficiale sunt sczute, sau fluxul de impuriti a ajuns la o valoare staionar -prin prezena n permanen a unui exces de impuriti, corelaia dintre presiunea de vapori i concentraia superficial poate fi neglijat, iar echilibrul superficial se stabilete rapid. Dac echilibrul la suprafa este atins lent, va exista o diferen ntre concentraia superficial real i cea care corespunde echilibrului. n concluzie, pentru realizarea unei difuzii din faza de vapori, este necesar s fie stabilit la suprafaa plachetei semiconductoare, o concentraie de echilibru corespunztoare solubilitii maxime a impuritilor n semiconductor. n cazul ideal, concentraia de echilibru este proporional cu presiunea vaporilor i prin controlul presiunii vaporilor se influeneaz concentraia superficial a impuritilor. Relaiile (5.12) i (5.14) sunt prezentate n fig.5.2. Profilele concentrailor de impuriti difuzate din sursa infinit sunt abrupte, n timp ce profilele obinute prin difuzia din sursa finit pot fi abrupte, dac timpul i lungimea de difuzie au valori reduse, sau pot fi gradate, dac timpul i lungimea de difuzie au valori crescute. Din expresiile soluiilor (5.12) i (5.14) ale ecuaiei (5.5), rezult c impuritile ptrund mai adnc n placheta semiconductoare cu creterea timpului de difuzie. Concentraii uniforme de impuriti n placheta semiconductoare -de grosime finita, se pot obine prin difuzii efectuate ntr-un timp ndelungat. Prin difuzia ulterioar a unor impuriti de tip opus celor preexistente n semiconductor, se realizeaz o jonciune semiconductoare. Procesul este descris prin relaia (5.13).

f ig . 5 . 2 P r o f ilu l n o r ma t a l d is tr ib u i e i d e i mp u r i t i p e n tr u d if u z ia d in s u r s a in f in it ( a ) i f i n it ( b )

Cu creterea temperaturii la care are loc difuzia, coeficientul de difuzie: D=D 0 exp(-b/T) se mrete i impuritile ptrund mai adnc n materialul semiconductor impurificat. Din acest motiv, se impune meninerea riguroas a temperaturii n incinta de difuzie la valoarea corespunztoare solubilitii maxime a impuritii n placheta semiconductoare.
5.1.2. Obinerea jonciunilor semiconductoare Dac ntr-un semiconductor extrinsec de tip n se introduce impuriti de tip p, numrul impuritilor donoare i acceptoare fiind egal, semiconductorul se va comporta ca un semiconductor intrinsec compensat, ntruct electronii 137

provenii de la atomii donori pot fi captai de atomii acceptori. Nu vor exista purttori de sarcin majoritari ci numai perechi electron-gol generate termic sau prin efect fotoelectric, precum i prin mecanism extrinsec. Presupunem c impuritile acceptoare -cu concentraie N A , sunt introduse n placheta semiconductoare de tip n -uniform dopat, (avnd concentraia de impuriti constant: N D =N B =ct.), prin suprafaa superioar de separaie, din sursa infinit sau finit de impuriti (fig. 5.3a). Concentraia de impuriti donoare, este maxim la suprafaa plachetei i scade pe msur ce adncimea x se mrete, iar pentru: x=x j concentraia impuritilor donoare, este egal cu concentraia impuritilor acceptoare preexistente n semiconductorul n. Adncimea jonciunii x j este redus pentru difuzii din sursa infinit (fig. 5.3b) i poate fi extins sau restrns pentru difuzii din sursa finit (fig. 5.3c). Adncimea de difuzie din sursa infinit x j a , se determin din condiia: x N ( x ja , t p ) = N B N B erfc , (5.15) 2 DV t p

unde: D V , este coeficientul de difuzie a impuritilor preexistente spre exteriorul plachetei semiconductoare. n ipoteza c DV D , expresia adncimii jonciunii abrupte, care se obine prin difuzie din sursa infinit, este: NB x ja = Dt p arg erfc . (5.16) NB + NS Adncimea de difuzie din sursa finit a jonciunii gradate x j g , se determin din condiia: (5.17) N ( x jg , td ) = N B , i are expresia: Q 1 2 . (5.18) x jg = 2 Dtd ln Dt N B d Dac gradientul de concentraie al impuritilor este redus, tensiunea de strpungere a jonciunii (gradate) este ridicat.
1

138

f ig . 5 . 3 O b i n e r e a j o n ciu n ilo r s e mic o n d u c to a r e p r in d if u z ie ( a ) i p r o f i l e l e c o n c e n t r ai l o r d e i mp u r i t i r e a l i z a t e p r i n d if u z ie d in s u r s a in f in it ( b ) i f i n it ( c ) .

5.1.3. Localizarea zonelor dopate Etapele procedeelor litografice utilizate n tehnologia planar pentru localizarea zonelor n care sunt introduse impuriti n cantiti prestabilite, sunt reprezentate n fig. 5.4. Etapa I: Pasivizarea suprafeei plachetei prin formarea unui strat omogen, uniform i suficient de gros din bioxid de siliciu (SiO 2 ), sau nitrat de siliciu (SiN 4 ), prin care nu difuzeaz impuritile. Etapa II: Depunerea prin centrifugare sau pulverizare a unui strat sensibil la iluminare n spectru ultraviolet, iradiere cu radiaii , X, sau prin bombardare cu ioni. Stratul sensibil la radiaiile n spectrul ultraviolet (sau vizibil) se numete fotorezist, fiind pozitiv atunci cnd este format din polimeri care depolimerizeaz prin expunere i negativ cnd este format din monometri care polimerizeaz prin expunere. Rezoluia n ultraviolet este de 500 linii/mm i crete cu micorarea lungimii de und a radiaiei incidente. Astfel, pentru radiaia care este format din electroni, rezoluia este de 2000 linii/mm, permind o localizare mai exact precum i dimensiuni mai reduse ale zonei disipate, iar prin scanare s-au obtinut rezolutii de 130nm intre linii. Etapa III: Iluminarea sau iradierea selectiv a stratului fotorezist sau electronerezist -prin intermediul unei mti depus pe sticl sau metalica. Fiecare masc este format dintr-o configuraie de zone opace i transparente, avnd dimensiunile dispozitivului semiconductor, multiplicat pe dou direcii ortogonale cuprinse n planul mtii. Prin mascare se delimiteaz si zona atribuit unui anumit dispozitiv semiconductor. Mastile utilizate n etape tehnologice ulterioare se poziioneaz prin intermediul unor repere, astfel nct zona delimitat a dispozitivului semiconductor s coincid ct mai exact cu cea delimitat prin mascarea anterioar.

139

f ig . 5 . 4 E t a p e l e p r o c e d e u l u i l i t o g r a f i c d e l o c a l i z a r e p e s u p r a f aa p l a c h e t e i s e mic o n d u c t o a r e ( d i n s i l i c i u ) a z o n e l o r d e d o p a r e c u i mp u r i t i: 1 b io x id d e s i l i c i u ; 2 s t r a t f o t o r e z i s t ; 3 s t r a t f o t o r e z i s t i l u min a t ; 4 ma s c a d e s e le c ta r e a z o n e i d e d o p a r e .

Etapa IV: Developarea stratului de resist n solveni organici, care nu reacioneaz cu bioxidul de siliciu. Monomerii sunt solubili n solveni i sunt ndeprtai de pe stratul de bioxid de siliciu, iar polimerii sunt insolubili i rmn pe stratul de bioxid de siliciu. Etapa V: Corodarea stratului de protecie n zonele neprotejate de rezist polimetrizat. Pentru bioxidul de siliciu se utilizeaz soluii de acid fluorhidric (HF). Etapa VI: ndeprtarea stratului de rezist polimerizat cu un alt solvent organic, inactiv fa de siliciu i bioxidul de siliciu. Rezult o masc din bioxidul de siliciu cu o fereastr prin care se poate efectua o difuzie selectiv (sau o metalizare a suprafeei plachetei ntr-o etap tehnologic ulterioar). Prin procedeul descris, se pot realiza jonciuni planare fr defecte i pe suprafee relative mari ale plachetei monocristaline, al crei strat superficial poate fi crescut epitaxial pentru asigurarea unei structuri i compoziii ct mai uniforme. Datorit difuziei laterale, n zonele de la marginea ferestrelor, pereii jonciunii nu sunt cilindrici, dezavantaj care poate fi nlturat doar prin implantarea ionica a impuritilor. Prin compensarea tipului de impuriti preexistente, se pot crea n aceeai zon mai multe jonciuni. Numrul maxim de difuzii succesive este limitat la trei pentru majoritatea dispozitivelor semiconductoare, datorit atingerii la suprafa a concentraiei maxime de impuriti. Dezavantajul principal al procedeului de realizare a jonciunilor semiconductoare, const n posibilitatea contaminrii stratului de bioxid de siliciu cu ioni de hidrogen sau natriu, care au mobilitate ridicat i pot determina apariia unor straturi de inversie, care compromit jonciunea. Pe de alt parte, prin stratul de bioxid de siliciu pot difuza aluminiu i galiu mai ales atunci cnd grosimea stratului este redus. Procedeele recente de litografie prin utilizarea unui fascicul focalizat de electroni, care este deplasat treptat pe ntreaga suprafa a plachetei semiconductoare pentru impresionarea stratului sensibil la radiaia de electroni, permit rezoluii care sunt limitate la 130 nm. Procesul de impresionare dureaz sute de ore. Pentru eliminarea duratei mari de prelucrare a suprafeei plachetei semiconductoare (cu diametrul de 100 mm) i mrirea rezoluiei, se utilizeaz o matri realizat prin procedeul descris, cu care sunt presate regiuni localizate din stratul depus pe suprafaa plachetei semiconductoare, ndeprtndu-se astfel stratul protector i permind prelucrri ulterioare ale regiunii respective.
140

Procedeul de imprimare nanolitografic (Nano-Imprint Lithography) dureaz 20 de secunde i permite rezoluii de 6 nm.
5.1.4. Implantarea ionic Implantarea ionic reprezint procedeul de introducere a impuritilor n placheta semiconductoare prin bombardarea suprafeei plachetei cu un fascicul nefocalizat de ioni, avnd energii cuprinse ntre keV i sute de keV. O instalaie de implantare ionic este reprezentat n fig.5.5.

f ig . 5 . 5 I n s t a l ai e d e i mp la n t a r e i o n ic : 1 s u r s a d e io n i;2 s e p a r a to r ma g n e tic ; 3 f a s c ic u l n e f o c a liz a t d e io n i; 4 i n t a ; 5 ma s c a me t a l i c s a u s t r a t g r o s d i n b i o x i d d e s i l i c i u ; 6 z o n a d o p a t .

Ionii provenii de la o surs de ioni, sunt accelerai spre separatorul magnetic i condui spre int prin mijloace de corecie i deflexie electromagnetic. Delimitarea zonelor de implantare ionic se efectueaz prin intermediul unei mti metalice, sau din strat gros de bioxid de siliciu. Ionii care ptrund n int reacioneaz cu electronii liberi sau legai. Pentru valori mari ale energiei ionilor incideni pe suprafaa intei, devine semnificativ frnarea electronic a ionilor, rezultat din interaciunea ionilor cu electronii intei. Efectul frnrii electronilor asupra traiectoriei ionilor n int este neglijabil, pierderea de energie a ionilor fiind nesemnificativ.

f ig . 5 . 6 T r a ie c to r ia u n u i io n in c id e n t n in t ( a ) i p r o f i l u l c o n c e n t r a i e i d e i o n i n in t p e n tr u io n i c u ma s i n f e r i o a r ( b ) , s a u s u p e r io a r ma s e i a t o mi l o r in tei ( c ) .

141

Frnarea nuclear a ionilor (fig. 5.6a), rezult din ciocnirea ionilor incideni cu atomii intei. Pierderea de energie este semnificativ i se produc defecte ale reelei cristaline sau dislocaii. Pentru un material amorf, distribuia concentraiilor de ioni depinde de raportul n care se gsesc masele ionilor i atomilor intei (fig. 5.6b,c). Adncimea x 0 , care corespunde concentraiei maxime de ioni, este inferioar adncimii maxime.

f ig . 5 . 7 C a n a l i z a r e a i o n i l o r i mp la n t ai i d e p e n d e n a u n g h i u l u i c r i t i c d e d i r e ci a O x a c a n a l u l u i ( a ) ; p r o f i l u l c o n c e n t r a i e i d e i mp u r i t i s p a iu ( b ) .

n plachetele monocristaline apare un proces de canalizare a ionilor implantai, atunci cnd unghiul de inciden al fasciculului de ioni, este inferior unghiului critic c r . Pentru un unghi =0, apare mprtierea ionilor pe defectele reelei monocristaline. Cu creterea gradului de compactitate, unghiul critic scade i de asemenea scade i adncimea de ptrundere a ionilor implantai. Pentru siliciu, gradul de compactitate maxim corespunde direciei [111]. Distribuia spaial a ionilor canalizai, depinde de starea suprafeei plachetei, de temperatur i de doza de iradiere. Procesul de canalizare se evit prin crearea unui strat amorf pe suprafaa plachetei din siliciu. Stratul amorf se poate obine prin bombardarea suprafeei cu ioni inactivi -din punct de vedere electric, cu atomii de siliciu. Pentru doze mari de radiaii, ionii implantai pot distruge reeaua monocristalin crend un strat superficial amorf. Pentru unghiuri de inciden a fasciculelor de ioni > c r se evit de asemenea, apariia canalizrii. n figura 5.7b, este reprezentat distribuia ionilor implantai i canalizai n funcie de adncimea lor de ptrundere ntr-o plachet semiconductoare dopat uniform, cu o concentraie N B de impuriti, de tip opus fa de ionii implantai. Cu o linie punctat s-a reprezentat distribuia ideal a ionilor implantai, iar cu linie continu s-a trasat distribuia real. Profilul concentraiei de impuriti implantate, se poate delimita n trei zone. n prima zon, din apropierea suprafeei expuse iradierii, impuritile au o distribuie asemntoare cu cea din materialele amorfe (fig.5.6c). n aceast zon, mai ales pentru doze mari de radiaii, se distruge reeaua cristalin chiar de ctre ionii implantai, ceea ce reprezint cauza principal a decanalizrii. Zona a doua conine impuriti decanalizate, care au pierdut energie prin interaciune cu electronii plachetei, ieind din canal. Zona a treia conine impuriti care s-au deplasat n canal pn n momentul opririi. Valoarea adncimii maxime x m a x , este apropiat de adncimea x j a jonciunii semiconductoare, obinut prin implantare ionic, spre deosebire de jonciunea obinuta prin difuzie, unde cele dou valori difer substanial. Scderea pronunat a concentraiei de impuriti n zona III,
142

constituie unul dintre principalele avantaje ale procedeului de obinere a jonciunilor semiconductoare prin implantare ionic. Un alt avantaj important al procedeului descris const n temperatura mai redus la care se desfoar procesul de implantare ionic. Adncimea jonciunii x j este afectat de mai muli factori, iar n cazul implantrii ionilor de bor sau fosfor, cu doze cuprinse ntre: 10 14 10 15 cm 3 , pe direcia [111] a unui monocristal de siliciu cu un numr preexistent de impuriti cu concentraie mai redus dect 10 15 , la temperatura de 700 C 800 C , adncimea jonciunii se poate calcula cu relaia empiric: x[jm ] = 0.075 E (5.19) unde: E, este energia fasciculului de ioni, exprimat n keV. Procedeul de localizare a zonelor dopate este cel litografic, similar cu procedeul utilizat pentru difuzie, cu diferena c masca prin care se efectueaz implantarea ionic este metalic, sau este constituit dintr-un strat gros de bioxid de siliciu. Adncimile la care ptrund impuritile, sunt sensibil mai mici dect n cazul difuziei. Profilele de implantare au un maxim pronunat i fronturi rapid cztoare. Prin implantare ionic se pot realiza dopri extrem de reduse, care implic rezistiviti ridicate ale semiconductorului astfel realizat i, de asemenea, se pot realiza dopri n straturi extrem de reduse (sub o sutime de micrometru), iar timpul de via a purttorilor de sarcin nu este micorat, ntruct temperatura este mult mai redus dect n cazul difuziei. Prin implementare ionic cantitatea de impuriti introduse n semiconductor se poate controla riguros, iar zonele implantate se pot localiza mult mai exact, prezentnd suprafeele laterale cilindrice, datorit energiilor mari ale fasciculului de ioni. 5.1.5 Alierea Procedeul de obinere a jonciunilor semiconductoare prin aliere nu este aplicabil numai n tehnologia planar, cum sunt difuzia sau implementarea ionic. n fig.5.8 sunt prezentate etapele obinerii unei jonciuni semiconductoare prin alierea indiului cu germaniul. Alierea se efectueaz n casete de aliere sau prin limitarea lateral determinat de tensiunile superficiale care apar ntre fazele lichid-solid. Pastila din indiu mpreun cu placheta de germaniu, se nclzesc pn la o temperatur suficient de ridicat pentru ca s se asigure topirea indiului, dar inferioar temperaturii de topire a germaniului. Pastila de indiu este parial dizolvat n topitur. Prin rcirea lent a ansamblului se obine o zon (5), recristalizat i saturat cu impuriti. Se impune ca rcirea s se desfoare lent, pentru evitarea apariiei tensiunilor interne, care ar putea duce la un profil neregulat al jonciunii semiconductoare, care oricum prezint neregulariti.

143

f ig . 5 . 8 E t a p e l e o b i n e r i i j o n c iu n ilo r s e mic o n d u c to a r e p r in a lie r e : I n c l z i r e ; I I me n i n e r e l a t e mp e r a t u r c o n s ta n t ; I I I r c i r e l e n t a . 1 in d iu ; 2 g e r ma n iu ; 3 a me s te c d e in d iu to p it c u g e r ma n iu s o lid ; 4 a me s te c e u te c tic ; 5 g e r ma n iu p d o p a t; 6 j o n ciu n e s e mic o n d u c to a r e .

Aliajul eutectic reprezint amestecul a dou componente n proporii strict determinate, pentru care, la o anumit temperatur, care depinde de componentele amestecului, s rezulte aceeai concentraie a componentelor n faza solid ca i n lichidul aflat n echilibru cu faza solid. Temperaturile de topire i solidificare ale aliajului eutectic sunt identice. Adncimea jonciunii, de ordinul micrometrilor, este dificil de controlat. Jonciunile realizate prin aliere sunt abrupte deoarece concentraia realizat de impuriti corespunde solubilitii maxime a impuritii n materialul semiconductor.
5.2. Heterojonciuni

Heterojonciunile simple sau duble sunt structuri de tipul AlGaAs GaAs, sau Al InAs GaInAs AlInAs, AlGaAs InGaAs AlGaAs, sau AlGaAs GaAs AlGaAs, precum i alte combinaii i sunt utilizate pentru realizarea diodelor LASER[Shi;Zha] i a tranzistoarelor cu efect de cmp HEMT[Mat;Lai] (High Electron Mobility Tranzistor), care funcioneaz n frecvene de zeci de GHz. Ambele tipuri de dispozitive exploateaz discontinuitile mari ntre benzile interzise ale straturilor n contact, ceea ce determin pe de o parte indici de refracie diferii pentru stratul intermediar fa de cele dou straturi vecine, iar pe de alt parte, n stratul intermediar, se poate obine o densitate ridicat a gazului electronic bidimensional (2DEG), combinat cu o mobilitate ridicat a electronilor i, implicit o densitate ridicat de curent. Gazul electronic bidimensional, se formeaz n interfaa dintre straturile structurii, densitatea superficial de electroni fiind 4.5 1012 cm 2 , iar mobilitatea electronilor depete 10000cm 2 /Vs [Mat]. Densitatea curentului de prag al diodelor LASER, realizat cu heterojonciune simpl este de ordinul: n kA / cm 2 , iar pentru heterojonciuni duble, curentul de prag scade cu un ordin de mrime la: n 100 A / cm 2 [Das]. Dispozitivele active bazate pe utilizarea ca material de baz a siliciului sau a arseniurii de galiu, sau n general, toate dispozitivele semiconductoare, sunt eficiente doar n proporie de 10%, restul de 90% din puterea consumat fiind transformat i pierdut n cldur. Dispozitivele realizate cu nitrit de galiu (GaN) pot dubla sau chiar tripla aceasta eficien, la care se adaug posibilitile sporite de miniaturizri, sub aspectul eliminrii procedeelor de rcire forat i a circuitelor de corecie a semnalului de ieire. Pe de alt parte, dispozitivele cu GaN funcioneaz la frecvene ridicate i puteri transferate ridicate [Eas]. Heterojonciunile cu GaAs sunt dopate cu impuriti, pentru c gazul electronic bidimensional poate fi creat n semiconductori numai prin dopare cu impuriti, pentru a putea suporta un exces fie de electroni, fie de goluri. Heterojonciunile cu GaN nu necesit dopri, pentru c exista n mod natural regiuni puternic polarizate, care posed sarcini electrice. Atunci cnd nitritul de aluminiu galiu este crescut pe nitrit de galiu, la limita celor dou cristale apare o heterojonciune simpl. n cristalul de nitrit de galiu, atomii individuali posed electroni, sau sunt ionizai. Atomii mari de galiu
144

i cei mici de azot, sunt aranjai cu o oarecare neregularitate unul n raport cu cellalt, din cauza diferenei de mrime. Aceast combinaie dintre ionizare i neregularitate conduce la o polarizare electric spontan n cristal, sau la o separare a sarcinilor electrice n nenumrai ioni negativi i pozitivi, care sunt distanai ntr-un mod regulat. n cristalul de nitrit de galiu, polarizaia global este nul, pentru c polarizaiile regiunilor ncrcate cu sarcini electrice de semn opus, se anuleaz peste tot. Aceast anulare nu mai are loc atunci cnd cristalul de nitrit de galiu formeaz o heterojonciune la suprafaa de separaie cu un alt cristal, cum ar fi nitratul de galiu i aluminiu. n acest caz, modificarea abrupt de interfa, determin apariia unei regiuni ncrcate electric n imediata vecintate a suprafeei de separaie dintre cele dou cristale. Aceast regiune ncrcat cu sarcini electrice i polarizat, se mrete n continuare prin polarizare piezoelectric, ca urmare a tensiunii mecanice cauzate de diferena de 3.3% ntre constantele de reea ale celor dou reele cristaline diferite. Aceste polarizri combinate, induc la rndul lor un exces de electroni liberi n nitritul de galiu. Electronii se concentreaz n numr foarte mare n apropierea regiunii de polarizare, fr a intra n nitritul de aluminiu galiu, datorit limii de band interzis mai mare a acestuia, care acioneaz ca o barier . Astfel se formeaz spontan un gaz electronic bidimensional n nitritul de galiu. Mobilitatea el ectronilor n nitritul de galiu ( 2000cm 2 / Vs ), este mai ridicat dect n siliciu ( 1500cm 2 / Vs ) i mai sczut dect n arseniura de galiu ( 8500cm 2 / Vs ), dar conductivitatea termic este de apte ori mai mare dect a arseniurii de galiu, iar rigiditatea dielectric (3MV/cm) este cu mult superioar fa de arseniura de galiu (0.4MV/cm). Mobilitatea electronilor n gazul electronic bidimensional din nitritul de galiu, este mult crescut numai n vecintatea interfeei cu nitritul de galiu aluminiu. Din punctul de vedere al limii benzii interzise (3.49eV), nitritul de galiu devanseaz toate celelalte materiale semiconductoare cunoscute. Limea mare a benzii interzise, se asociaz cu comportarea de dielectric a nitritului de galiu, care se poate polariza i a crui rigiditate dielectric, este de valoare ridicat. Cu ct este mai larg banda interzis, cu att este mai mare energia i frecvena fotonului emis. Din acest motiv, nitritul de galiu poate emite fotoni n spectrul verde, albastru, purpuriu i ultraviolet. Fotonii care au toate frecvenele spectrului vizibil, au energii mai mici dect limea benzii interzise a nitritului de galiu, astfel c trec prin cristal fr a fi absorbii, iar cristalul are aspectul transparent. Temperatura maxim a dispozitivelor realizate cu nitrit de galiu, este 300 C , n timp ce temperatura m axim a celor realizate cu siliciu, este de 150 C [Eas].
5 .3. ntrebri

1. Definii procesul de difuzie a im puritilor ntr-un monocristal semiconductor i descriei reactorul de difuziune; 2. Analizai relaiile care descriu procesul tra nsportului de material dopant prin difuzia acestuia n materialul semiconductor; 3. Determinai expresia concentraiei de impuriti ntr-un plan transversal n raport c u fluxul de impuriti i la un moment precizat, pentru difuzia din sursa finit;
145

4. Determinai expresia concentraiei de impuriti ntr-un plan transversal n raport cu fluxul de impuriti i la un moment precizat, pentru difuzia din sursa infinit; 5. Scriei relaiile concentraiilor normate de impuriti pentru difuzia din sursa finit i infinit i trasai diagramele asociate, cu explicaiile de rigoare; 6. Descriei procedeul de obinere a jonciunii semiconductoare prin difuzia impuritilor de tip opus i trasai diagramele asociate; 7. Descriei procedeul litografic de localizare a zonelor dopate i analizai modul prin care lungimea de und a radiaiei utilizate influeneaz rezoluia procedeului; 8. Descriei procesul MIL de prelucrare a unei plachete semiconductoare i precizai avantajele pe care le prezint n comparaie cu alte procedee; 9. Descriei i analizai procedeul de implementare ionic i precizai avantajele pe care le prezint acest procedeu n comparaie cu difuzia; 10. Precizai n ce const frnarea nuclear i cea electronic a ionilor implantai ntr-un material amorf; 11. Descriei canalizarea ionilor implantai n materiale monocristaline i analizai profilul concentraiei de impuriti reale i ideale; 12. Stabilii corelaia dintre unghiul critic de inciden a ionilor implantai i gradul de compactitate a reelei monocristaline; 13. Enumerai principalele materiale semiconductoare utilizate pentru fabricarea dispozitivelor semiconductoare i precizai succint dezavantajele pe care le prezint n comparaie cu nitritul de galiu; 14. Precizai avantajele pe care le prezint nitratul de galiu pentru fabricarea dispozitivelor semiconductoare n comparaie cu alte materiale semiconductoare utilizate n acelai scop i enumerai principalele domenii n care posibilitile nitratului de galiu depesc posibilitile celorlaltor materiale semiconductoare; 15. Analizai ntr-un mod comparativ i difereniat, pe baza schemelor structurale, dou tranzistoare cu efect de cmp realizate cu siliciu, respectiv nitrit de galiu i explicai succint prin ce difer cele dou structuri, avnd n vedere procesele care au loc; 16. Explicai formarea unei heterojonciuni la suprafaa de separaie dintre cristalul suport de nitrit de galiu i stratul depus de acesta, din nitrit de aluminiugaliu i analizai formarea gazului electronic bidimensional; 17. Explicai motivul pentru care gazul electronic bidimensional se poate forma n materiale semiconductoare numai prin dopare cu impuriti, excepie fcnd sistemul format din nitrit de galiunitrit de aluminiugaliu; 18. Comparai nitritul de galiu cu alte materiale semiconductoare, din punctul de vedere al mobilitii electronilor, al cmpului de strpungere n avalan, al benzii interzise, al temperaturii de funcionare i al densitii de putere pe milimetru de lungime a grilei; 19. Apreciai influena benzii interzise largi a nitritului de galiu asupra posibilitilor de emisie i absorbie a radiaiei electromagnetice i comparai posibilitile mai mari ale nitritului de galiu cu cele ale altor materiale semiconductoare;
5.4. Probleme

146

1. Un monocristal din siliciu este dopat cu impuriti acceptoare cu concentraia: N A = 1,1 1016 cm 3 i cu impuriti donoare cu concentraia: N D = 1015 cm 3 . a) S se determine concentraiile purttorilor de sarcin majoritari si minoritari; b) S se poziioneze nivelele Fermi fa de nivelul Fermi intrinsec; Se cunosc dependenele de temperatur a concentraiei purttorilor de sarcin pentru semiconductorul intrinsec i a mobilitii purttorilor precum i valorile la T1 = 300 K.

cm 2 cm 2 ni = A T e ni = 1,45 10 cm ; n = 1000 ; p = 400 , V s V s unde: A i a sunt constante, Eg = 1,11 eV este limea benzii interzise, constanta lui Boltzmann are valoarea k = 8,62 10-5 eV/K, sarcina electronului este e=1,610-19 C, iar concentraiile electronilor i golurilor la temperatura T, sunt:
1,5

Eg 2 kT

; = a T 2,5 ;

10

n = ni

EF EFi e k T

; p = ni

EFi EF e kT

nivelul Fermi intrinsec EFi fiind plasat la mijlocul benzii interzise.


Rezolvare: a) ntre concentraiile de purttori de sarcin exist relaiile: np = n i 2 ; p+N D = n+N A , monocristalul fiind neutru din punct de vedere electric. Din sistemul de relaii rezult: 1 n = N D N A ( ) ( N D N A )2 + 4 ni 2 , 2 sau: 2 ni 2 ; n= 2 2 N D N A ( ) ( N A N D ) + 4ni
2 ni 2 N D N A ( ) ( N D N A )2 + 4ni 2

p=

sau:
p= 1 N A N D ( ) ( N A N D )2 + 4 ni 2 . 2

Expresiile cu semnul plus corespund din punct de vedere fizic, ntruct concentraiile de purttori nu pot avea valori negative. Concentraia de purttori n semiconductorul intrinsec la temperatura T 2 = 600 K se determin din relaia:
ni , T2 T2 = ni , T 1 T1
1,5

Wi 1 1 2 k T2 T 1

de unde rezult: n i , T 2 = 1,87610 1 5 cm - 3 valoare mult superioar concentraiei ni, T1.


147

La temperatura T 1 , n i , T 1 << N A N D , iar concentraiile se determin cu relaiile aproximative: p N A N D = 1016 cm 3


ni 2 = 2,1 1014 cm 3 N A ND La temperatura T 2 = 600 K se utilizeaz relaiile exacte, rezultnd valorile: p = 1,03410 1 6 cm - 3 , n = 3,410 1 4 cm - 3 . b) Poziia relativ a nivelului Fermi faa de nivelul Fermi intrinsec pentru temperaturile T 1 i T 2 , se determin din relaia: p E Fi E p = kT ln , n de unde rezult valorile: E F i E F = 0,347 eV pentru T 1 = 300 K i 0,088 eV pentru T 2 = 600 K. Prin urmare, cu creterea temperaturii, nivelul Fermi al semiconductorului extrinsec de tip p se apropie de nivelul energetic maxim corespunztor benzii de valen. Este de reinut c poziia nivelului Fermi depinde att de temperatur ct si de concentraia de purtatori de sarcin. n

2. Admind cunoscut expresia fluxului de particule care difuzeaz prin unitatea de suprafa, n unitatea de timp: F = D gradC , iar C este concentraia particulelor, s se determine relaia care descrie procesul de transport de materie pentru cazul unidimensional.
y dS 1 dx x 2

Rezolvare: Difuzia este un proces de transport (atomi, molecule) determinat de micarea termic a atomilor reelei cristaline a materialului semiconductor n direcia scderii concentraiei materialului difuzant. C Pentru cazul unidimensional fluxul materialului difuzant este: F = D . dx Acceptnd c fluxul de materie n unitatea de timp, prin unitatea de suprafa, pe o direcie perpendicular pe aceast suprafa, depinde de coordonatele spaiale ale suprafeei considerate. Numrul de particule care traverseaz suprafaa 1 sau 2, n intervalul de timp dt, este: dN 1 = F1 dS dt dN 2 = F2 dS dt , F F unde: F2 = F1 + dx , sau dN 2 = F1 + dS dt x x n acelai interval de timp dt, numrul particulelor din elementul de volum dV=dxdS, se modific cu: dN = dN 1 dN 2 : 148

F F dN = F1 F1 + dx dS dt . dS dt = x x
Variaia n unitatea de timp a numrului de particule din unitatea de volum C dN ce difuzeaz n direcia axei x este: = . (dx dS ) dt t Prin urmare: C F C 2C = D 2 . = = ( D gradC ) = D x x t x x x C = D C , iar expresia Pentru o direcie oarecare a fluxului de impuriti , t , unde: D0 este un coeficient care coeficientului de difuzie este: D = D0 e caracterizeaz reeaua cristalin a materialului sem i conductor din punct de vedere al difuziei, iar WD este energia de activare a unei microdifuzii de tip interstiial, sau prin substituie.
3. Cunoscnd profilul conc entraiei de goluri dintr+un semiconductor, s se s tabileasc expresia densitii curentului de difuzie a golurilor J pdif (x) i expresia
WD kT

cmpu lui electric intern. p+

p0

p(0)

p(x)

p
x

R ezolvare: Curentul de difuzie apare numai n regiunea : x (0, w) , unde: grad `p ( x) 0 i are expresia: p ( 0) p 0 dp ( x) J pdif = e D p grad `p ( x) = e D p = e Dp = const. , dx w kt coeficientul de difuziune avnd forma: Dp = p , e unde: e este sarcina electronului i a golului, k este constanta lui Boltym ann, iar p este mobilitatea golului.

Expresia cmpului electric intern care apare ntre regiunile cu concentraii dif erite de goluri i care se opune curentului de difuzie, rezult din condiia de anulare a curentului total de goluri: dp( x) J p = p ( x) e p E ( x) e D p =0. dx Expresia cmpului intern este de forma:
149

p (0) p 0 1 1 dp( x) kT = . p p( x) dx e p ( x) w Se va considera aceeai problem pentr u o jonc iune semiconductoare la e chilibru, n care exis t dou tipuri de cure n i de difuziune: de goluri i de electroni. Cm pul intern se va reprezenta grafic. E ( x) =
4. Un strat epitaxial din siliciu, dopat cu 1016 atomi de bor/cm 2 este crescut simultan pe patru substraturi de siliciu, do pate cu: a ) 1014 atomi de fosfor /cm 3 ; b) 1016 atomi de fosfor /cm 3 ; c) 1018 atomi de fosfor /cm 3 ; d) 1016 atomi de stibiu /cm 3 . Str atu l epitaxial este crescut timp de 20 minute, la temperatura de 1250 C . S se calculeze adncimea jon ciunii pentru fiecare caz, tiind c profilul fixat de im puriti, innd con t d e redistribuia impuritilor att n stratul epitax ial ct i n substrat este: N x N2 x 1 + erf , N ( x) = 1 1 erf 2 2 D2 t 2 D1t 2 unde: N 1 i N 2 sunt concentraiile purttorilor de sarcin de tip opus din substrat i stratul epitaxial, iar D1 i D2 sunt coeficien ii de difuzie, a cror valori sunt: 1m 2 / h pentru bor, fosfor i 0,36m 2 / h pentru stibiu. S se calculeze adncimile jonciunilor pentru fiecare caz.
N N2
substrat

Dp

N1

Strat epitaxial x

xj
R ezolvare: Adncimea jonciunii

x j se determin din condi ia:

N ( x j ) = 0 . Pentru

p rimul caz, reprezentat n diagram, se obine: xj xj , = 1016 1 + erf 1014 1 erf 1,095 1,095 14 16 xj 10 10 = 14 = 0,98 . erf 1,095 10 + 1016 ntruct arg erfc0,02 = 1,64 , rezult x j = 1,095 1,64 = 1,8m . Pentru al doilea caz i ultimul caz concentraia impuritilor din substrat i stratul epitaxial vor trece prin punctul N 1 / 2 = N 2 / 2 , care corespunde planului: x=0, ind iferent de va loarea co eficientului de difuzie. Prin urmare: x j = 0 . Deosebirea dintre cele dou cazuri const n redistribuia mai redus a
150

impuritilor substratului din ultimul caz, datorit coeficientului de difu ziun e mai redus. Pentru al treilea caz, se procedeaz ca i n primul caz, i ntruct: N 2 p N 1 , jonciunea va fi situat n semiplanul drept, iar adncimea jonciunii este: x j = +1,8m .
5. O jonc i une p + n s-a realizat efectund o predifuzie de bor timp de t p = 15 minute la temp eratura de 990C pe o plachet din siliciu de tip n, dopat cu

5 1015 atomi de fosfor/cm 3 . Difuzia propriu-zis a borului s-a efectuat la 1200 C , timp de: t d = 9 ore. S-a msurat rezistivitatea medie a stratului p + : = 0,19m , iar adncimea jonciunii are valoarea coeficienii de predi fuzie i difuzie: concentraiile superficiale:
20

x j = 7 m . Se cunosc
1/ 2

D p = 6 10 m / h
2 3
17

Dd = 0,6m / h1 / 2

N s , p = 3 10 cm ; N s ,d = 6 10 cm . S s e determine

concentraia de impuriti n funcie de d istan, cantitatea total de impur it i difuzate pe unitatea de sup rafa i gradientul de conce ntraie n regiunea jonciunii.
Rezolvare: Profilul concentra iei de impuriti dup predifuzie are expresia: x N p ( x) = N s , p erfc + NB , (1) 2 Dp t p

unde: N s este concentraia superfic ial uniform de impuriti acceptoare, D p este coeficientul de predifuzie, iar N B este concentraia preexistent de impuri t i donoare. Dup difuzie se obine o distribuie gausian de impuriti:

N d ( x ) = N s ,d e

x2 4Dd t D

+ NB ,

(2)

dac este ndeplinit condiia: Dp t p Lp = = 1,67 10 2 0,25 Dd t d Ld i dac redistribuia impuritilor n substrat este presupus neglijabil. Pentru x = x j , relaia (2) se anuleaz i rezult lungimea de difuziune:

Ld = Dd t d = 2,56m 2 . Lungim ea de difuzie se poate calcula direct ntruct se cunosc valorile Dd i t d , rezultnd: Ld = 3,24m 2 . Diferena dintre cele dou valori provine din aprecierea imprecis a tim pului de difuziune, prima valoare fiind afectat de o eroare mai mic. Expresia concentraiei de impuriti n funcie de distan este:

+ 5 1015 cm 3 , unde: distana x este exprimat n m . N d ( x ) = 6 1017 e


151

x2 10 , 24

Cantitatea total Q, de impurit i, pe unitatea de suprafa, introdus n s emi conductor, se determin cu rela ia: Q = N s ,d Dd t d = 5,10 1014 cm 2 . Cantitatea Q se mai poate determina i din relaia:
Q(t ) = N p ( x, t )dx .
0

Prin integrarea expresiei: x , rezult: N p ( x, t ) = N s , p erfc 2 Dp t p Q(t ) = 2 Dp t p

N s , p = 1,01 1015 cm 2 .

Din aceleai motive se va opta pentru prima valoare. Valoarea N s , p corespunde solubilitii maxime a materialului dopant n s emiconductor. Din relaia (2) rezult, expresia gradientului concent raiei de impuriti n regun ea jonciun ii :

dN d (x) dx
5.5. Anexe

=
x= x j

xj 2 Dd t d

N B = 7,6 10 18 cm 4 .

Defecte ale reelei cristaline Din punct de vedere geom etric, defectele de structur se clasific n: 1. De fecte punctuale, care pot fi de tip Schottky (vacante n reeaua c ristal in), de tip Frenkel (atom i interstiiali), sau de tipul atomilor de impur iti. Aceste defecte sunt asociate prezenei gradienilor de temperatur care a par n procesul de cretere epitaxial a monocristalului, sau n procesul de impurificare. 2. Defecte liniare, care pot fi de tipul microfisurilor sau de tipul dislocaiilor. Dislocaiile sunt cele mai frecvente defecte care apar n procesul de cretere epitaxial sau de difuzie a impuritilor n monocristal. Energia potenial a reelei cristaline scade n regiunea dislocaiei, iar impuritile din cristal tind s difuzeze spre regiunea perturbat, genernd o atmosfer de impuriti. irul liniar de atomi din reeaua cristalin este ntrerupt la extremitatea dislocaiei, avnd ca rezultat cte o legtura chimic nesatisfcut corespunztoare atomilor de la extremitile irului. Se creeaz astfel un nivel local acceptor. Impuritile difuzeaz mult mai rapid n regiunea dislocaiei, unde exist fie vacante, fie atomi interstiiali sau de substituie, care constituie centrul de recombinare al purttorilor de sarcin minoritari. Durata de via a purttorilor minoritari scade pe msur ce numrul de dislocaii crete. Timpul de comutare al unei jonciuni poate fi redus substanial prin crearea de dislocaii n regiunea jonciunii, dar tensiunea de strpungere scade n egal msur. 3. Defecte volumice, care se datoreaz incluziunii unei faze strine. Aceste defecte determin reducerea performanelor dispozitivului semicon-ductor. 152

Proprietile funciei de eroare

Funcia de eroare are forma: x 2 2 erfc( x) = e d

Funcia complementar de eroare are expresia:


erfc( x) = 2

e
x

d = 1 erf ( x)

erfc( x) = 0 erfc() = 0 2 erfc( x) x

pentru
2

x >> 1

ex p e n tr u x >> 1 erfc( x) x 2 d [erfc( x)] = 2 e x dx x 1 x2 erfc( x' )dx' = x erfc( x) + (1 e ) 2


0

153

Capitolul 6. Rezistoare
Rezistoarele sunt elemente de circuit caracterizate prin diferite valori ale rezistenei electrice - definit ca fiind raportul dintre tensiunea aplicat rezistorului i curentul care l parcurge. Rezistoarele liniare - cu valoare fix sau variabil a rezistenei - se caracterizeaz prin independena valorii rezistenei de tensiunea electric, curent, sau ali factori externi. Rezistoarele a cror rezisten se modific cu temperatura, tensiunea electric sau cu iluminarea, se numesc termistoare, varistoare sau fotorezistoare. 6.1. Rezistoare liniare Din punct de vedere constructiv, rezistoarele liniare pot fi bobinate, peliculare sau de volum. Mrimile caracteristice sunt: - Rezistena nominal R n i tolerana procentual t, valori care sunt normalizate i nscrise pe rezistor n clar, sau utiliznd codul culorilor. Inscripiile n clar ale rezistenei nominale sunt formate din 3 cifre. Primele 2, reprezint cifrele semnificative ale valorii rezistenei, iar a 3-a cifr reprezint puterea numarului zece, care reprezint factorul de multiplicare al primelor 2 cifre. Codul culorilor este utilizat n acelasi mod: primele 2 benzi colorate, dispuse n apropierea extremitii rezistorului, reprezint cifrele semnificative ale valorii rezistenei, iar a 3-a band colorat este puterea numrului 10. Tolerana, sau abaterea maxim a valorii rezistenei fa de valoarea nominal, este nscris pe rezistor fie n clar, fie utiliznd o band colorat dispus pe extremitatea opus celei pe care s-a nscris prin benzi colorate, valoarea nominal. Corespondena ntre culori i numere, sau codul culorilor, pentru valori nominale sau tolerane, este: Culoare negru maron = negru + rou rou portocaliu galben verde albastru violet gri = negru + alb alb auriu argintiu Cifr Toleran asociat 0 1 1% 2 3 4 5 6 7 8 9 2% 5% 10%

153

Ma rc ar ea valor ii re z is ten ei u tiliznd codu l cu lorilor.

- Puterea nominal de disipaie P n i tensiunea nominal U n . Valorile ridicate ale rezistenelor sunt limitate de tensiunea maxim admis, iar valorile reduse, de puterea disipat maxim admis. n acest sens, se definete rezistena critic: 2 Rcr = U n / Pn . (6.1) Pentru majoritatea rezistoarelor de putere mic, puterea se apreciaz dup dimensiuni, iar pentru rezistoarele de putere, puterea este nscris n clar prin cifre. Coeficientul de variaie cu temperatura a rezistenei rezistorului, care are expresia: 1 R [ , (6.2) Rppm ] = R unde: R este valoarea rezistenei i este temperatura, coeficientul R este nscris n clar pe rezistoarele de precizie i se msoar n pri pe milion. Se mai definete un coeficient de variaie a valorii rezisentei sub influena factorilor externi, cum ar fi: umiditatea sau alterarea n timp, printr-un proces de mbtrnire: R R1 k [%] = 2 100 (6.3) R1

f ig.6 .1 S ch ema e c h iva l en t a u n e i r e z i s ten e cu zgo mo t (a), d ep enden ele tens iun ii d e zgo mo t te r mic d e v alo are a re z iste ne i (b) i d e f re cv en ( d ). D i str ibu ia te ns iun ii d e z go mo t termic ( c) i depend en a te ns iun ii d e zgo mo t provo cat d e tre c er ea cur en tu lu i pr in re z is tor, de fr ecv en ( e). [ C t]

154

Tensiunea de zgomot este un parametru ce caracterizeaz rezistoarele din punct de vedere al zgomotului datorat temperaturii, sau provocat de trecerea unui curent prin rezistor. Zgomotul termic este limita inferioar a zgomotului prezent ntr-un rezistor, sau ntr-un element de circuit care conine rezisten parazit. Reactanele nu genereaz zgomot termic. Schema echivalent a rezistorului cu zgomot este reprezentat n fig.5.1a. Tensiunea de zgomot termic, are expresia: U t = 4kTBR (6.4) unde: k, este constanta lui Boltzmann, iar B este limea benzii. Zgomotul termic este independent de compoziia rezistenei i temperatur, iar amplitudinea zgomotului este distribuit dup o lege normal, reprezentat n figura 5.1c, unde: p, este densitatea de probabilitate i reprezint probabilitatea ca amplitudinea zgomotului s fie cuprins ntr-un interval dU t . Zgomotul de contact, care pentru rezistoare se numete i zgomotul de exces, este cauzat de conductivitatea fluctuant a rezistorului - urmare a contactului mecanic, sau electric imperfect ntre 2 sau mai multe materiale din care este alctuit rezistorul. Zgomotul de contact este n raport invers cu frecvena, numindu-se i zgomot "1/f"; are amplitutidine mult superioar zgomotului termic la frecvene joase i distribuie normal a amplitudinii. Expresia curentului de zgomot de contact, este: I zg kI cont .med . (6.5) B f unde: B este limea de band centrat pe frecvena f, k este o constant care depinde de tipul materialului din care este realizat rezistorul, iar I cont .med e ste valoarea mediat a curentului continuu, care parcurge rezistorul. Zgomotul de contact este cea mai important surs de zgomot din circuitele de joas frecven i apare atunci cnd un material neomogen este parcurs de un curent. n fig.6.1e este reprezentat tensiunea electromotoare de zgomot datorat trecerii curentului electric prin rezistor, n funcie de frecven, pentru rezistoare realizate din carbon aglomerat sau pelicule din carbon, respectiv pelicule metalice. [C t] Rezistenele variabile prezint suplimentar, o rezisten ntre cursor i elementul rezistiv, iar rezistena minim este diferit de 0. Legea de variaie a valorii rezistenei cu deplasarea liniar, sau unghiular a cursorului, poate fi liniar, exponenial sau logaritmic. Pentru micorarea rezistenei i zgomotului de contact, cursorul se realizeaz din grafit, bronz grafitat sau aliaj Cu-Zn. Schema echivalent i comportarea cu frecvena Rezistorul fizic posed pe lng rezisten - care are ponderea maxim, capaciti i inductiviti parazite. Schema echivalent, este reprezentat n fig.6.2.

f ig.6 .2 Sche me e ch iv a le n te a le r e z is to ru lu i (a ; b ) i d iagr ama f a zor ia l ( c).

155

Capacitile C10 , C 20 , ale rezistorului fa de masa electric a circuitului n care este introdus, sunt parametri distribuii, care sunt reprezentai ca parametri concentrai n figura 6.2b. Inductivitatea parazit este de ordinul nH. Expresia general a admitanei unui circuit, este: R jX 1 1 X R (6.6) Y= = = 2 j 2 = G jB = 2 2 Z R + jX R + X Z Z unde: Z , este impedana circuitului, X, este reactana circuitului, G i B, sunt conductana i susceptana circuitului. La rezonan (fig. 6.2c), curenii prin cele 2 laturi ale schemei echivalente, sunt mult mai mari dect curentul I 0 de alimentare. Regimul rezonant presupune putere reactiv nul sau defazaj nul ntre tensiunea aplicat circuitului i curentul prin circuit. Reactana X i susceptana B, sunt nule. Pentru circuitul din fig. 6.2b, expresia admitanei este: R 1 L (6.7) Y= + j C = 2 + j C 2 2 2 R + j L R + (L) R + (L) Din condiia ca la rezonan susceptana circuitului s fie nul, rezult frecvena de rezonan: C CR 1 1 1 (6.8) 0 = 1 R2 = 1 = 1 C , L L L/R LC LC LC
unde: C , L , sunt constantele de timp ale circuitului format numai din rezisten i capacitate, respectiv numai din rezisten i inductivitate. Dac: CR 2 << 1 , 0 LC . L L Din relaia 6.7, rezult c pentru frecvene joase i pentru: L = > CR = C , R inegalitate cu att mai pronunat, cu ct valoarea rezistenei R este mai redus, expresia aproximativ a admitanei circuitului, este: L 1 1 1 1 1 Y j 2 j 2 = , 2 R R R + (L) L R jL (6.9) iar caracterul circuitului este inductiv. Pentru frecvene ridicate, expresia aproximativ a admitanei este: Y jC , (6.10) iar caracterul circuitului este capacitiv. Susceptana minim a circuitului, L se obine pentru: = 1 , sau pentru L = C , ceea ce corespunde conform relaiei CR 2 (6.8), unei frecvene nule de rezonan. n concluzie, rezistoarele cu valori reduse ale rezistenei nominale Rn , au caracter inductiv, care pentru: R n > 1K , este neglijabil, iar cele cu valori Rn ridicate, au caracter capacitiv. Rezistoarele cu valori intermediare: R n = 200 500 , pentru care L C , au susceptan neglijabil i caracter pur rezistiv ntr-un domeniu larg de frecvene.
156

Tipuri de rezistoare Rezistoarele bobinate sunt realizate prin nfurarea pe un suport izolator ceramic sau din fibre de sticl, a unui conductor cu rezistivitate ridicat i coeficient de temperatur redus, obinndu-se valori ale rezistenei cuprinse ntre zecimi de ohm i sute de kohmi, cu tolerane: t<0.1%. Aliajul Ni-Cr, denumit nichelin, este frecvent utilizat, ntruct coeficentul de variaie cu temperatura este redus i se poate modifica sub influena tratamentului termic, devenind pozitiv sau negativ in funcie de temperatur, abaterile fa de valoarea nominal fiind astfel reduse ntr-un interval larg de temperatur. Tensiunea termoelectromotoare - de termocuplu i tensiunea de zgomot de contact - cu terminalele realizate din Cu, sunt reduse pentru aliajul Ni-Cr. Puterea nominal a rezistoarelor bobinate este relativ ridicat, fiind n raport direct cu diametrul conductorului i dimensiunile rezistorului. Pentru micorarea inductivitilor parazite, bobinarea conductorului se poate efectua pe un suport plat, bifilar sau ncruciat. Rezistoarele de volum sunt realizate dintr-un amestec din material conductor (grafit), un material izolant (bioxid de titan, zirconiu, caolin, etc.) i un liant (rin formaldehidic). Rezistoarele de volum sunt neinductive, dar capacitatea lor parazit nu este de neglijat, fiind rezultatul conectrii n serie i n paralel, a tuturor microcapacitilor realizate ntre dou particule conductoare, avnd ca dielectric materialul izolator, cu permitivitate electric relativ ridicat. Tehnologia de realizare este simpl, dar performanele electrice sunt mai reduse n comparaie cu celelalte tipuri de rezistoare, iar dispersia valorilor rezistenei este crescut. Rezistoarele peliculare sunt realizate prin depunerea pe un suport izolant (ceramic) a unui strat cu grosimi cuprinse ntre 10 3 100m , din carbon aglomerat sau cristalin, din metale sau aliaje metalice, sau din oxizi metalici. Stratul din carbon aglomerat este format dintr-un amestec similar celui utilizat pentru fabricarea rezistoarelor de volum, iar performanele rezistorului sunt sczute. Rezistoarele cu pelicule din carbon cristalin, au performane electrice mai bune, coeficient de temperatur negativ i sunt obinute prin reacia de piroliz (descompunere prin nclzire), a unei hidrocarburi saturate (metan, benzen, heptan). Rezistoarele cu pelicule metalice sau din oxizi metalici, au performane superioare: tensiuni de zgomot, tolerane i coeficieni de temperatur redui. Tensiunile termoelectromotoare i de zgomot, care apar la extremitile peliculei - n contact cu terminalele din Cu, sunt reduse pentru aliajul Ni-Cr. Pelicula rezistiv este realizat i din aliaje Ni-Cu, bioxid de staniu, sau din combinaii de metale i materiale izolatoare, denumite cermeturi, pentru valori mari ale rezistenelor. 6.2. Rezistoare dependente de temperatur [Ct]

Proprietatea unor materiale de modificare pronunat a rezistivitii la variaiile de temperatur, este utilizat pentru realizarea rezistoarelor dependente de temperatur, numite termistoare. Astfel de materiale sunt semiconductorii de tip "n" impurificai cu oxizi de Fe, Co, Ni, Mn, Cr, care mresc rezistivitatea i dependena de temperatur. Expresia rezistenei unui termistor cu coeficient de temperatur negativ, este:
157

B (6.11) RT = A exp , T unde: A reprezint valoarea rezistenei la temperatura maxim admis, iar B este o constant proprie termistorului, cuprins ntre limitele 2000 i 4000. Coeficientul de temperatur are expresia: 1 dRT B R = = 2 . (6.12) RT dT T Ineria termic a termistorului cu nclzire indirect (cldura produs de curentul prin termistor fiind neglijabil), este caracterizat prin constanta de timp , care reprezint intervalul de timp necesar pentru ca temperatura termistorului s ating valoarea: 1-1/e=0.622, din valoarea temperaturii mediului n care este brusc introdus. Termistoarele cu nclzire direct au patru terminale, dou terminale fiind ale rezistenei de nclzire, izolat electric de termistorul propriu-zis. Pentru aceste termistoare, constanta de timp reprezint intervalul de timp necesar atingerii temperaturii finale, atunci cnd rezistenei termistorului i se aplic un semnal treapt de curent i poate ajunge la valori de ordinul zecilor de secunde. n regim staionar, dependena tensiune curent, pentru un termistor cu nclzire indirect i coeficient de temperatur negativ, este reprezentat n figura 6.3a. Coeficientul de disipare D, reprezint puterea consumat pentru ridicarea temperaturii corpului cu un grad i are n consecin, expresia: P D= (6.13) T Tamb unde: Tamb , este temperatura mediului ambiant, iar T, este temperatura de echilibru termic al termistorului nclzit prin puterea disipata P. Cu relaiile (6.11) i (6.13) se poate arta c exist un maxim al caracteristicii tensiune-curent (fig. 6.3a), numai dac este ndeplinit condiia: B>4T a m b , iar temperatura la care se obine acest maxim, este cuprins ntre limitele: 45C 85 C. Pn la atingerea tensiunii maxime U m a x , procesul de nclzire al termistorului este indirect, cldura produs prin puterea disipata proprie, fiind neglijabil. Pentru valori ridicate ale curentului prin termistor: I >I 1 , procesul de nclzire al termistorului, este un proces direct, puterea disipat determinnd creterea temperaturii termistorului.

f ig.6 .3 D ependen a tensiun e-curent p en tru un termistor cu co efic ien t d e temp eratur n eg a tiv (a) i d epend en a r ez is tene i d e te mp er a tu r p en tru un termistor cu co efic ien t d e temp eratur po zitiv (b).

158

Termistoarele cu coeficient de temperatur pozitiv, pot fi realizate pe baz de titanat de bariu BaTiO 3 , care este un material feroelectric. Tehnologia de fabricaie este asemntoare tehnologiei materialelor ceramice. Prin substituia 2+ 3+ ionilor bivaleni de bariu - Ba , cu ioni trivaleni de lantan - La i a ionilor 4+ 5+ tetravaleni de titan - Ti , cu ioni pentavaleni de stibiu - Sb , se obine o conducie de tip "n". Prin tratament termic n atmosfer de oxigen, atomii de oxigen ptrund prin porii de la suprafaa materialului i capteaz electroni, 2devenind n timpul rcirii, ioni negativi O . Se realizeaz astfel o sarcin superficial negativ, care atrage sarcina spaial pozitiv, cu formarea unor bariere de potenial de nlime U b , care determin apariia unei rezistene suplimentare n termistor R T , proporional cu numarul n, de bariere de potenial pe unitatea de lungime, a crei expresie este: U (6.14) R T n exp b , U T unde: U T = kT/q, este tensiunea termic, q fiind sarcina electronului, iar valoarea la 300K, U T =26mV. Bariera de potenial U b , are o variaie invers proporional

cu

permitivitatea relativ 'r a titanatului de bariu, care depinde pronunat de temperatur, iar pentru temperaturi superioare temperaturii Curie Tc, legea de variaie este: C , (6.15) 'r = T TC unde: C, este o constant de material (vezi 1.8.1). Prin urmare, bariera de potenial depinde n raport direct de temperatura, sau: T TC , (6.16) Ub C crescnd ca i rezisten R T - conform relaiei (6.14), cu creterea temperaturii. Efectul de cretere a rezistenei termistorului, se manifest ntr-un domeniu limitat de temperaturi, superioare temperaturii Tc (fig. 6.3b). Temperatura T 1 este cuprins ntre limitele: -30 C 180 C, iar la temperaturi superioare temperaturii T 2 , electronii captai de atomii de oxigen sunt eliberai, iar nlimea i numrul barierelor de potenial, ca i rezistena R T , scad. Pentru temperaturi cuprinse ntre T 1 i T 2 , expresia rezistenei termistorului este: R T = A + C e BT , (6.17) unde: A,B,C sunt constante caracteristice de material. Datorit structurii granulare i valorii ridicate a permitivitii 'r , performanele n regim dinamic ale termistorului sunt reduse prin prezena capacitii parazite, care se poate considera conectat n paralel cu rezistena R T , a termistorului.

159

6.3. Rezistoare dependente de tensiune [Ct]

Rezistoarele a cror rezisten este dependent de tensiunea aplicat, se numesc varistoare. Pentru fabricarea varistoarelor, se pot utiliza materiale pe baz de carbur de siliciu - SiC, oxid de zinc ZnO, precum i oxizi de titan, zirconiu sau mangan. Tehnologia de fabricaie este asemntoare cu tehnologia materialelor ceramice, utilizndu-se un material de baz i un liant. In urma presrii i sinterizrii amestecului, se obin contacte stabile ntre granulele din carbura de siliciu sau oxid de zinc.

f ig.6 .4 Caracteristicile statice a le mic r ov ar is toru lu i (a) i var istoru lu i ( b ; d ) i s ch e ma ech iv a len ta ( c).

Dup sinterizare, varistoarele sunt supuse unui tratament de mbtrnire, aplicndu-se impulsuri de tensiune cu amplitudine superioar tensiunii nominale. In regiunea de contact dintre 2 granule se formeaz un circuit serie din 2 diode n opoziie, caracteristica acestui microvaristor fiind reprezentat n fig. 6.4a. Prin conectarea serie - paralel i paralel - serie a microvaristoarelor, rezult varistoare a cror caracteristici statice globale, sunt reprezentate n fig. 6.4b. Schema echivalent a unui varistor (fig. 6.4c), conine inductivitate L i capacitate C p parazite, rezistena de scurgeri a materialului R p i rezistena serie R S a terminalelor. Expresia curentului prin varistor n funcie de tensiunea aplicat, este de forma: I=k 1 U+k 2 U n , (6.18) unde: k 1 , k 2 , sunt constante de material, iar exponentul n, este supraunitar. Curentul prin varistor crete n msur mai mare dect crete tensiunea aplicat varistorului. O expresie aproximativ ntre tensiune i curent, are forma: (6.19) I = kU , unde: k, este o constant de material, iar , caracterizeaz gradul de neliniaritate al caracteristicii i nu depinde de temperatur. Pentru carbura de siliciu: =5, iar pentru oxidul de zinc: =25 (fig. 6.4b). Pentru varistoarele realizate din oxid de zinc, granulele conductoare din ZnO sunt separate de o faz intergranular izolatoare cu grosime de ordinul sutimilor de m . La tensiuni reduse aplicate termistorului, nu are loc strpungerea fazei intergranulare, curentul prin varistor este curentul de scurgeri, iar rezistena dinamic, egal cu
160

rezistena static, este R p . Pentru tensiuni aplicate mai ridicate, este valabil relaia (6.18) sau (6.19), iar rezistena dinamic a varistorului este redus i proporional cu 1/ . Caracteristica tensiune-curent este cu att mai abrupt, cu ct exponentul , are valoare mai ridicat. Procesul de strpungere a fazei intergranulare, are loc prin tranziia electronilor din banda de valen n banda de conducie (efect de tunelare). Pentru tensiuni i cureni de valori ridicate, rezistena dinamic a varistorului se marete i rezistena serie a terminalelor devine preponderent. Varistoarele pot funciona la tensiuni de ordinul nkV i cureni de ordinul nkA i sunt utilizat e pe ntru stabilizarea tensiunilor sau limitarea curenilor dintrun circuit electric.
6.4. Rez istoare dependente de fluxul luminos [Ct]

R ezistoarele dependente de fluxul luminos se numesc fotorezistoare i funcioneaz pe baza efect ul ui fotoelectric intern n mat eriale semiconductoare.

f ig. 6.5 S tr u c tu r a s i mp l i f i ca t (a ) i in te rd igita l (b) a u n u i f o to r e z is to r .

Considerm structura din fig. 6.5a expus unei iluminri, care determin apariia efectului fotoelectric (vezi anexa). Numrul el ectr oni lor elibera i pe secund n mat erialul semiconductor este: N = ldEv , (6.20) unde: , este o constant ce depinde de lungimea de unda , a fluxului luminos sau radiant, iar E v este iluminarea suprafeei de inciden ld. Prin aplicarea unei tensiuni U, m icarea electronilor se orienteaz dup direcia liniilo r de cmp, avnd viteza: U , (6.21) vn = n d unde: n , este mobilitatea electronilor. Notm cu , durata medie de via a electronilor liberi, care particip la curentul electric d e conducie. Durata me die de via a electronilor depinde de lungimea de und i de iluminarea E v : = 0 ( ) Ev , (6.22) unde: , este o constant caracteristic m a teria lului semiconductor. Din totalul electronilor liberi N, num ai o fraciune vn / d va contribui la formarea fotocurentului, care are expresia:

161

vn e, d unde: e , este sarcina electronului. Utiliznd relaiile (6.20) i (6.22), relaia (6.23) obine forma: I = N

(6.23)

I = ldEv n

1 1 U 0 eEv = l nU 0 e Ev d d d

(6.24)

Rezistena fotorezistorului are expresia: U d 1 R = = Ev (1 ) = AEv . (6.25) I l n 0e Pentru asigurarea unor sensibilitai i liniaritai ridicate a caracteristicii de transfer, este necesar ca factorul de multiplicare A, sa fie ct mai redus, iar exponentul , ct mai ridicat. Caracteristica I = f (U ) , este liniar pentru valori reduse ale tensiunii U, iar la tensiuni ridicate, panta caracteristicii scade. Constanta A, se poate micora constructiv, prin micorarea raportului d/l, sau prin utilizarea unor electrozi interdigitali (fig. 6.5b). Caracteristica spectral a fotorezistorului prezint n general, un maxim pentru o anumit lungime de und, pentru care sensibilitatea are valoarea maxim. Aceast lungime de un d poate fi situat n domeniul infrarou pentru fotore z istoare, realizate din seleniu impurificat cu telur, sau n domeniul vizibil: = 400 730nm, pentru fotorezistoare realizate din sulfur de cadmiu CdS, impurificat cu fier sau cupru.
6.5. ntrebri

1. Precizai i analizai mrimile definitorii ale unui rezistor i enumerai i caracterizai diferitele tipuri de rezistoare; 2. S se analizaze zgomotul termic i de exces al rezistoarelor; 3. S se descrie procedeul prin care se obin termistoarele NTC i s se discute expresia i diagrama asociat; 4. S se descrie procedeul prin care se obin termistoarele PTC i s se discute expresiile i diagramele asociate; 5. S se descrie procedeul prin care se obin varistoare i s se discute comportarea acestora pe baza schemei echivalente i a diagramelor asociate; 6. S se analizeze procesele care au loc ntr-un fotorezistor i s se deduc expresia rezistenei fotorezistorului n funcie de iluminarea lui, precum i procedeul prin care se poate mri sensibilitatea fotorezistorului prin modif icarea structuri lui; 7. Care este valoarea unui rezistor marcat cu benzi colorate i a unui rezi stor marcat cu cifre; 8. Analizai compo rtarea cu frecvena unui rezistor, pe baza schemei echival ente i stabilii condiiile i intervalul de valori n care rezistorul are c omportare rezistiv, precum i modalitiile de micorare a componentelor r eactive parazite;

162

6.6. Probleme 1. Sa se studieze com portarea c u frecventa a unui rezistor pe baza s chemei ech ivalente si a diagrame i fazorial e asociate.

Rezolvare: Exp resia tangentei unghiului de defazaj intre tensiune si cu rent este: I I sin L = tg = C R I R cos R Exprim and functiile trigonom etrice in functie de tg , se obtine:

tg =

[L C ( R R

+ 2 L2 ) .

In regim rezonant: tg=0, sau: 2 L = C ( R 2 + 0 L2 ), unde: 0 este pulsatia la rezonanta, a carei expresie este: C 1 1 0 = 1 R2 = 1 C L L LC LC Rezulta ca la frecvente ridicate: tg>0, deci curentul este defazat inaintea tensiunii si comportarea este de tip capacitiv, iar pentru frecvente joase, comportarea este de tip inductiv, curentul fiind defazat in urma tensiunii. La rezonanta, caracterul este pur rezistiv. Admitanta schemei echivalente este de forma: R X R L 1 Y= = 2 j 2 = 2 + j[C 2 ] = G jB 2 2 Z Z Z R + (L) R + (L) 2 Susceptanta B si de asemenea comportarea parazita minima a admitantei, intr-un domeniu larg de frecvente se obtine pentru egalitatea constantelor de timp: L =L/R=RC= C . Aceasta conditie este indeplinita pentru valori medii ale reziste ntei R (de ordinul sutelor de ohmi). Pentru valori mai reduse ale rezistentei: L/R>RC, caracterul este inductiv, iar pentru valori ridicate ale rezistentei:L/R<RC, caracterul este capacitiv.
2. Un senzor de temperatura este realizat dintr-o placa din siliciu de gro sim e 1 si sectiune S. Se c uno sc : la timea benzii interzise Eg, concentratiile de electroni din banda de conductie Nc si valen ta N v , mobilitatile electronilor n si golurilor p , dependentele de temperatura ale concentratiilor de elect roni: 163

N c,v ~ T 1.5 si ale mobilitatilor: n, p ~ T 2.5 . Sa se determine sensibilitatea senzorului


dR/dT, daca se cunosc v a lorile conductivita tii: 1 , 2 la temperaturile T 1 si T 2 .
Rezolvare: La conductia electrica participa ambele tipuri de purtatori de sarcina, cu concentratiile n, p, a caror expresii sunt: n = N c exp[( Ec E F ) / kT ] ; p = NV exp[( E F EV ) / kT ] ,

unde: k este constanta lui Boltzma nn, iar E F este nivelul Fermi. Presupunem nivelul Fermi p lasat la mijlocul benzii interzise. In ace st caz, expr esia condu ctivitatii este: = n + p = e( N c n + NV p ) exp(E g / 2kT ) , (1) unde: e este sarcina electronului. Pentru ca: N~T 1 . 5 si ~T - 2 . 5 , conductuvitatea se poate scrie sub forma: B = exp(b / T ) , T unde: B si b sunt marimi independente de temperatura. Aceasta expresie este vala bila s i pentru die le ctric i solizi. Cu cresterea te mperaturii, cresterea de tip exponential a conductivitatii este m a i pronuntata decat scaderea de tip hiperbolic, in co ns ecinta, conductivitatea va creste cu cr esterea tem peraturii. Intrucat se cunosc valoriile 1 si 2 la T 1 si T 2 , rezulta: T b = (T1T2 ln 2 2 ) /(T2 T1 ), 1T1 B = 1T1 exp(b / T1 ) = 2T2 exp(b / T2 ) . Expresia rezistente i senzor ului de temper at ura este de forma: l T l R= = exp(b / T ) , S BS iar panta de conversie, sau sensibilitatea senzorului, este: dR l b = exp (1 b / T ) . T dT BS Valorile conductivitatilor pentru cele doua temperaturi se pot calcula cu relatia (1), daca se cunosc concentratiile N c , N v si mobilitatile n , p la doua temperaturi diferite.
3. Sa se calculeze tole rant a si co eficien t u l de variatie cu temperatura al rezist entei circuitului format prin conectarea in paralel si in serie a doua rezistoare care au valorile nominale R 1 si R 2 , tolerantele t t , t 2 si coeficientii de variatie cu tempera tu ra 1 , 2 . Rezolv are: Pentru calculul rezisten tei c ircui tului form at p rin conectarea in paralel a celor doua rezistoare, R p =R 1 R 2 /(R 1 +R 2 ), se utilizeaza relatia: t p = h1 t1 + h2 t 2 ,

unde:

h1 =
164

R1 R p R2 , = R p R1 R1 + R2

R2 R p R1 = , R p R2 R1 + R2 Prin inlocuire, rezulta: R t + R1t 2 tp = 2 1 . R1 + R2 Coeficientul de variatie cu temperatura are expresia: R + R p = h11 + h2 2 = 2 1 1 2 . R1 + R2 Pentru circuitul realizat prin conectarea in serie a celor doua rezistoare se utilizeaza aceeasi relatie pentru calculul tolerantei, rezultand: R t + R2 t 2 ts = 1 1 . R1 + R2 Coeficientul de variatie cu temperatura se determina cu aceeasi relatie ca si cea utilizata pentru circuitul paralel, rezultand: R + R2 2 s = 1 1 . R1 + R2 Relatii similare se pot obtine pentru doua condensatoare conectate in serie sau in paralel. h2 =
4. Sa se determine toleranta si coefi cien tul de variatie cu temperatura a te nsiunii U 2 cunoscand valorile rezi stente lor, tolerantelor si co eficientii de variatie cu temperatura.
R1 = 1k; t1 = 5 %; 1 = 100 ppm / 0C , R2 = 2k; t 2 = 5 %; 2 = 100 ppm / 0C ,

U 1 = 10V ; t3 = 2.5 %; 3 = 100 ppm / 0C .

Rezolv are: Toleranta tensiunii U 2 are expresia: tU 2 = h1 t1 + h2 t 2 + h3 t3 ,

unde : R U 2 R1 h1 = 1 = , U 2 R1 R1 + R2 R U 2 R1 h2 = 2 = , U 2 R2 R1 + R2 U U 2 = 1. h3 = 1 U 2 U 1 Cu aceste expr es ii, toleranta tensiunii U 2 are valoarea: R1 tU 2 = (t1 + t 2 ) + t3 = 5.83 %. R1 + R2 Intrucat coeficientii i au valori pozitive sau negative,coeficientul de variatie cu temperatura al tensiunii U 2 , are valoarea:
165

R1 ( 2 1 ) + 3 = 166 ppm / 0C R1 + R2 5. Un rezistor cu valoarea nominala a rezistentei: R n =820k, functioneaza la o temperatura cuprinsa in intervalul [-40C,+100C]. Sa se calculeze curentul m axim care poate parc urge rezistorul stiind ca puterea nominala este: P n =1W, tensiunea m axima este U m a x =500V, temperatura nominala si maxima sunt n =70C, m a x =130C.

U = h11 + h2 2 + h3 3 =
2

Rezolvare: Puterea nominala reprezinta puterea maxima disipata de rezistor la functionare indelungata, intr-un mediu ambiant a carui temperatura este cel mult egala cu temperatura nominala. Temperatura maxima este temperatura la care poate ajunge rezistorul care disipa puterea nominala intr-un mediu ambiant cu temperatura nom in ala n . Factorul de disipatie D este inversul rezistentei termice Rth: Pn 1 D= = , Rth max n iar puterea ac tiva P a , dezvoltata in rezistor este o functie de temperatura a a m ediului ambia nt: P a =P n , pentru a n , a Pa = Pn n , pentru a > n . max n La a =100C, rezistorul poate disipa puterea: a Pa = Pn n = 0.5W . max n Tensiunea la bornele rezistorului are valoarea: U = Pa Rn = 640V > U max .

Prin urmare, puterea maxima disipata de rezistor este: 2 U max Pmax = = 0.3W . Rn Curentul ma xi m prin rezistor are valoarea: Pmax I max = = 0.6mA . Rn
6. Sa se determine tipurile de rezistoare si valorile R 1 , R 2 , astfel incat prin conectarea rezistoarelor in serie sa rezulte rezistenta echivalenta: R s =3k, c oeficient de variatie cu temperatura: =0 si tol eranta t s =10%. Rezistenta R s este parcurs a de un curent: I=10mA si functioneaza intr-un mediu ambiant cu temperatura cuprinsa in intervalul [-10C,+60C]. Rezolvare: Cele doua conditii impuse conexiunii serie sunt: R s =R 1 +R 2 , R + R2 2 s = 1 1 = 0. R1 + R2 166

Din relatia: R 1 1 +R 2 2 =0, rezulta ca rezistentele R 1 si R 2 se vor alege astfel incat coeficientii de variatie cu tempe ratura sa fie cu semn opus. Prin urmare, un r ezistor va fi de tip RCG, cu 1 =-400ppm / C, iar celalalt va fi de tip RBC, cu 2 =200ppm/C. Rapor tu l valorilor celor doua rezistoare este: R1 = 2 = 2, R2 1 iar suma lor este: R 1 +R 2 =3R 2 =3k. Rezulta: R 1 =2k ; R 2 =1k. Puterile di sipate pe rezistoarele R 1 si R 2 sunt: P 1 =R 1 I 2 =0.1W, P 2 =R 2 I 2 =0.2W, iar tensiunile p e cele doua rezistoare sunt: U 1 =R 1 I=10V, U 2 =R 2 I=20V. Toleranta rezistentei R s are expresia: R t + R2 t 2 t1 + 2t 2 tS = 1 1 = = 10% , R1 + R2 3 de unde rezulta to lerantele celor doua rezistoare: t 1 +2t 2 =30%, t 1 =t 2 =10% . Se va studia aceeasi problema pentru conexiunea paralel a celor doua r ezisto are.
7. Sa se determine toleranta si coeficientul de variatie cu tempera tura p entru conexiuea serie a unui termistor cu un rezistor. Se presupun cunoscute valorile nom inale R T si R si coeficientii de variatie cu temperatura: T si R . Rezolvare: Rezistenta termistorului echivalent este: R e =R T +R. Tolera nta t e a termistorului echivalent, are expresia: t e =|h 1 |t 1 +|h 2 |t 2 , unde: R Re RT , h1 = T = Re RT R + RT R Re R = . h2 = Re R R + RT Rezulta: R t + Rt R te = T T . R + RT Coeficientul de variatie cu temperatura e al termistorului echivalent, tinand cont ca: T >> R , este: R + R R R e = h1 T + h2 R = T T T T . R + RT R + RT 167

Se va studia aceeasi problema pentru conexiunea paralal a celor doua componente.


8. S se determine valoarea rezistentei R care se conecteaza in paralel cu un termistor cu coeficient de variatie cu temperatura negativ, a carui valoare la 2 5C este: R T , 2 5 =130 si constanta B=3300K, astfel incat coeficientul de variatie cu temperat ura al termistorului echivalent, la 40C sa fie de -2%/C. Se neglij eaza coeficientul R de variatie cu temper atura al rez ist orului. Rezolvare:

RT R . ( RT + R) Coeficientul de variatie cu temperatura al termisto rului echivalent, este de forma: R T e . R + RT Rezistenta termistorului cu coeficient T <0, este: R T =Aexp(B/T) , unde: constanta A se determina din valoarea rezistente i termistorului la 25C: 130 A= = 2 10 3 . exp(3300 / 298) Rezistenta termistorului la 40C, are valoarea: Rezi st enta termistorului echivalent este: Re =
B

R=A e 313 =75. 8 , iar coeficientul de varia tie cu temperatura al termistorului la temperatura de 40 C, este: B 3300 40 = 2 = = 3.36% . T 3132 Im punand valoarea coeficientului e : R T e = 2% / C, RT + R rezult a: R R = T e = 111.5 . T e Pentru rezistor se adopta valoarea nominalizata R=110 . Se va studia aceeasi problema pentru conexiunea serie a celor doua componente.
9. Sa se calculeze curentul maxim printr-un rezistor cu valorile nominale: R n =100 , P n =0.5W, U n =150V, conectat in serie cu un termisto r cu coeficient de v ariatie cu temperatura negativ, avand parametri: R 2 5 =62, P n =0.6W, B=330K, D=9.5mW/ C, care i n functionare atinge temperatura de 85 C. Circuitul functioneaza la temperaturi cuprinse in intervalul [0, 45 C]. Rezolvare: Puterea disipata de un termistor si evacuata mediului ambiant, este de forma: P e v =D(T c -T a )-D T , 168

unde: D este coeficientul de disipare termica, egal cu inversul rezistentei termice a termistorului fata de mediul ambiant, T c este temperatura corpului termis torului, T a este temperatura mediului ambiant, iar T este supracresterea temperatu rii corpului termistorului fata de mediul ambiant. In regim termic stationar, puterea disipata este in totalitate cedata mediului ambiant: U2 2 Pd = RT I = = Pev . RT Tinand cont de expresia rezistentei termistorului: R T =Aexp(B/T), se obtin expresiile tensiunii si curentului prin termistor in functie de temperatura: U = D(T Ta ) A exp( / T ) , B I = D(T Ta ) exp( B / T ) / A .
I Rmax

Valorile maxime ale curentilor prin rezistor si termistor sunt: Pn = = 70.7 mA , Rn


Pd max = RT D( max a ) . RT

I Tmax =

. Puterea maxima disipata in termistor are valoarea: P d m a x =D( m a x - a )=0.38W< P n , iar co nstanta A are valoarea: A=R 2 5 /exp(B/T)=0.9610 3 . Rezistenta termistorului la 85 C este:

R85 = Ae = 9.67 , iar curentul maxim p rin termistor la 85C are valoarea: 0.38 I Tmax = = 198.2mA . 9.67 P rin urmare, curentul maxim admisibil prin circuitul serie este: I max = min{I Rmax , I Tmax } = I Rmax = 70.7mA .

B 358

169

6.7. A nexe 6.7.1. Uniti de m sur radiometrice si foto metrice

Radio metrie Simbol Energie radianta Qe Putere radi ant flux radiant Iluminare energetic Intensitate radianta Radian specif ic e E Ie

Uniti J W W/m 2 W/Sr W/m 2 S r

Energie luminoasa Putere luminoas flux luminos Iluminare Intensitate luminoas Strlucire

Fotometrie Simbol Qv v Ev Iv

Uniti lumen s
lm = cd Sr

lm / m 2 = lux
lm / Sr = cd
lux / Sr = lm / m Sr

Candela este unitatea de masur fundamental si reprezint intensitatea lumin oas a unei suprafee de 1/600000 m 2 de corp negru la temperatura de solidificare a platinei, n direcie noramal. Un watt este echivalent cu 680 lumen la lungimea de und de 565 nm , care c orespunde culorii galben verzui situata la mijlocul spectrului vizibil cu lungim i de unda cuprinse ntre 400 nm (violet) si 730 nm (rosu).
6.7.2. Tolerana global a valorii , este abaterea relativ maxim a valorii reale x r fa de valoarea nominal x n , n condiiile aciunii simultane a tuturor factorilor care influeneaz valoarea: t g = (x m a x - x n )/ x n . Avnd n vedere c tolera n a t, coeficientul de variaie cu temperatura T i coeficientul de variaie a valorii sub aciunea unui factor extern K j , au expresiile:
t = max xr xn , xn

T =
Kj =

1 dx , x dT x j x0 x0

unde: x j i x 0 , sunt valorile nainte i dup aciunea factorului j, valoarea maxim are expresia:
x max = x n (1 + t )(1 + T )(1 + K j ) ,
j =1 n

ia r expresia toleranei globale este:


t g = t + T + K j + t T + t K j + T K j + t T K j .
j =1 j =1 j =1 j =1 n n n n

ntruct mrimile t T i K j , sunt relativ reduse, ele po t fi neglijate, la f el ca i produsele lor, i ar expresia toleranei globale devine:
170

t g = t + T + K j .
j =1

In tervalul de tem p erat ur se poate considera n mod acoperitor, ca fiind: T = = max{Tc max T0 , T0 Tc min } = max{ c max 0 , 0 c min } , unde: Tc max ( c max ), Tc min ( c min ), sunt temperaturile maxim i minim a corpului componentei, iar T0 ( 0 ) este temperatura la care se msoar valorile nominale (2 0C sau 25C). O component care funcioneaz ntr-un mediu cu temperatura: T a [ Tc max , Tc min ], are temperatura corpului: T c = T a + T p , unde T p , este creterea de t emperatur datorat acumulrii n corpul componentei, a unei pri din cantitatea de cldur care se disip n component. n majoritatea cazurilor se poate considera T c T a .
6.7.3. Tolerana i coeficientul de variaie cu temperatur al parametrului unui circuit electronic se determin n funcie cu temperatur ai componentelor. Considerm un circuit alctuit din componente caracterizate prin valorile: x 1 , x 2 ,..., x i , iar semnalele de intrare independente ntre ele sunt: x i + 1 ,..., x n . Se va determina tolerana i coeficientul de variaie cu t emperatur al unui parametru f = (x 1 , x 2 ,..., x n ) n funcie de toleranele i coefici enii de variaie cu temperatur a i mrimilor x 1 , x 2 ,..., x n . Prin definiie tolerana parametrului f este: f f 0 f 0 f min t f = max max , , f0 f0

unde: f = f (x 1 0 , x 2 0 ,, x n 0 ). Prin deyvoltare n serie Taylor a parametrului f, rezult pentru tolerana, expresia: t f = hi t i ,
i =1 n

x f xi = xi 0 , iar t i tolerana mrimii x i . unde: hi = i f xi Coeficientul de variaie cu temperatur a parametrului f, are expresia:

f = hi i ,
i =1

unde: i este coeficientul de variaie cu temperatur a mrimii x i .

171

Capitolul 7. Condensatoare
7.1 Parametrii condensatoarelor Condensatoarele sunt elemente de circuit caracterizate prin capacitate. Condensatoarele se pot clasifica - din punct de vedere al posibilitii de modificare a capacitii, n condensatoare fixe i variabile. Legea de variaie a capacitii condensatoarelor variabile n funcie de deplasarea unghiular a unei armturi fa de cealalt armatur, poate fi liniar, ptratic - pentru realizarea circuitelor acordate, sau exponenial - pentru aparate de msurare. Din punct de vedere funcional, condensatoarele se pot clasifica n: neporalizate i polarizate, sau electrolitice. Celor polarizate - de capacitate ridicat, li se aplic o tensiune continu, a crei valoare este superioar valorii maxime a tensiunii alternative suprapuse peste tensiunea continu. Capacitatea nominal a condensatoarelor fixe C n , este normalizat, sau standardizat, pentru valori inferioare valorii de 1F . Valoarea capacitii unui condensator polarizat, utilizat pentru filtrarea unor tensiuni variabile, cuplarea sau decuplarea unor circuite electronice, poate fi diferit de valoarea nscris n clar pe condensator, cu -10% 50%, ntruct scopul urmarit prin introducerea condensatorului n circuit, nu este afectat de creterea valorii capacitii. In circuite a caror comportare este influentat de valoarea capacitii, se utilizeaza condensatoarele nepolarizate, cu tolerane pn la valoarea : t = 1% . Tensiunea nominal U n , continu sau alternativ, nscris pe condensator, este tensiunea maxima, care poate fi aplicat condensatorului, fr riscul strpungerii dielectricului dintre armturi. Rezistena de izolaie a condensatoarelor, este foarte mare, atingnd valori de sute de Mohm - pentru condensatoare nepolarizate, ceea ce presupune cureni de conducie i pierderi prin conducie extrem de reduse. Tangenta unghiului de pierderi nu scade sub valoarea: tg = n 10 4 , chiar i pentru condensatoare nepolarizate de foarte bun calitate i reprezint o limitare a performanelor unui condensator cu dielectric solid (sau lichid), n care apar pierderi prin polarizare, n comparaie cu un condensator cu dielectric gazos, n care pierderile prin polarizare sunt nesemnificative. Intervalul temperaturilor de funcionare este cuprins ntre 40C 85C, sau -55C 105C. Influena factorilor externi, dar mai ales mbtrnirea dielectricului, conduce la modificarea capacitii i performanelor condensatorului. Pentru obinerea unor capaciti specifice ridicate : C = C n / V , unde V este volumul condensatorului, se utilizeaz materiale cu rigiditi dielectrice i permitiviti ridicate, sub form de straturi cu grosimi micrometrice. 7.2 Schema echivalent i comportarea cu frecvena [Ct] In fig. 7.1 sunt reprezentate schemele echivalente ale unui condensator nepolarizat. Rezistena terminalelor i armturilor s-a notat cu rS , iar rezistena de pierderi n nveliul de protecie al condensatorului, cu rP . Pierderile n dielectricul dintre armturi, sunt cuprinse n schema echivalent, care conine rezistena corespunztoare de pierderi : 1 = . Ctg 172

F ig . 7 . 1

S ch e ma e chiv a len t comp le t (a) i s i mp l if ic a t (b; c) a unu i cond ensator n ep o lar i z a t.

Inductivitatea parazit L, este datorat conexiunilor, ct i formei constructive a armturilor. Intre componentele schemelor echivalente serie (fig. 7.1b) i paralel (fig. 7.1c), exist relaiile : R S = R P sin 2 , (7.1) CP , (7.2) CS = = CP cos 2 Prin urmare, capacitatea schemei echivalente serie C S , este superioar valorii capacitii schemei echivalente paralel C P , inegalitate care este cu att mai pronunat, cu ct tangenta unghiului de pierderi tg , are valoare mai ridicat. Notm tangenta unghiului de pierderi n materialul de protecie al condensatorului, sau datorat rezistenei rP , cu : 1 1 , (7.3) tg P = = QP rp C Considernd pierderile att n dielectricul dintre armturi ct i n nveliul de protecie al condensatorului, tangenta unghiului de pierderi, este: 1 , (7.4) tg P + = R e C unde rezistena echivalent de pierderi se obine din expresia: 1 1 = + Ctg . (7.5) Re rP Cu relaia (7.6), relaia (7.5) obine forma : r Ctg 1 (7.6) tg P + = + P = tg P + tg rP C rP C Capacitatea dintre nodurile a si b ale schemei echivalente, care reprezint capacitatea echivalent serie a condensatorului, conform relaiei (7.2), este : 2 C ab = C ' = C 1 + (tg P + tg ) . (7.7)

Tangenta unghiului de pierderi n rezistena rS , este : 1 tg S = = rS C ' . QS Impedana schemei echivalente din fig.7.1a, are expresia :

(7.8)

173

1 . (7.9) 1 / rP + Ctg + jC Utiliznd relaiile (7.4) (7.9), n relaia (7.10), aceasta devine : tg P + tg + tg S 1 2 C ' + . (7.10) Z 1, 2 = C ' jC ' Din relaia (7.10) rezult componentele schemei echivalente serie(fig 7.1b): tg C , (7.11) RS = C ' C' , (7.12) CS = 2 1 ( / r ) 1 reprezint pulsaia de rezonan a unde : tg C = tg P + tg + tg S , iar r = LC ' condensatorului. Se constat c: C < C ' < C S . Capacitatea serie C S crete cu creterea frecvenei (fig.7.2a), iar din expresia tangentei unghiului de pierderi : 1 tg C = + tg + rS C ' , (7.13) rP C rezult c pierderile n rezistenele rP i rS au pondere crescut la frecvene joase, respectiv nalte, n timp ce la frecvene medii, pierderile n dielectric sunt preponderente (fig 7.2b). Z 1, 2 = rS + jL +

F ig . 7 .2

D epend en ele d e fre cv en a l e ca p a c i t i i s e r ie (a) i tangen tei ungh iu lu i d e p ierde r i (b), p en tru un cond ensator n epo lar izat.

La condesatoarele electrolitice, o armatur este metalul pe care se formeaz oxidul dielectric, iar cealalt armtur, este constituit dintr-un electrolit lichid (sau solid), n contact cu o folie metalic. Electrolitul poate lipsi, armtura fiind depus direct pe stratul de oxid. Pentru marirea suprefeei efective (sau echivalente), suprafaa metalului pe care se formeaz oxidul, este asperizat.

174

F ig . 7 .3 S ch e ma e ch iva len t co mple t (a) i s i mp l i f i c a t ( b) a cond en satoru lu i electro litic p o l ar iz a t.

n schema echivalent a condensatorului electrolitic, reprezentat n fig. 7.3a, sunt incluse : rezistena electrolitului re , grupurile ( rd e , C d e ); ( rec , C ec ), care reperezinta contactul dielectric - electrolit, respectiv electrolit catod, precum i capacitatea C a c ntre anod i catod. Schema simplificat este reprezentat n fig. 7.3b.
7.3 Tipuri de condensatoare

Din punct de vedere constructiv, condensatoarele nepolarizate sunt de tip planar - monostrat sau multistrat (fig.7.5a), sau de tip axial, cilindric sau bobinat (fig. 7.5b). Condensatoarele electrolitice se realizeaza frecvent n varianta a doua. Inductivitatea parazit a condensatoarelor monostrat sau multistrat, este extrem de redus, iar inductivitatea condensatoarelor bobinate se micoreaza substanial prin bobinarea foliilor dielectrice cu suprafee metalizate astfel nct forma condensatorului s rezulte plat (fig. 7.5c). Ataarea electrozilor se realizeaz prin presiune (sau termo- presiune), astfel nct contactul electric cu suprafeele metalizate sau foliile metalice, s fie asigurat.

Fig. 7.5 Cond ensatoare d e tip p lanar mu ltistr at (a ), bob inate cilindr ic ( b) i p la t (c).

Dielectricii utilizai pentru realizarea condensatoarelor nepolarizate pot fi: pelicule plastice polare sau nepolare, materiale ceramice sau mica muscovit.
175

Dielectricii polari (polietilentereftalat sau policarbonat), posed permitiviti ridicate, permind obinerea unor capaciti specifice mari. Cei nepolari (polistiren), au stabilitate cu temperatura i frecvena, dar permitiviti sczute. Condensatoarele cu pelicule plastice, se realizeaz sub forma bobinat, n timp ce condensatoarele ceramice i cele cu mic, se realizeaz sub form mono sau multistrat. n compoziia materialului ceramic poate intra titanatul de bariu, care prezint valori extrem de ridicate ale permitivitii. Condensatoarele multistrat au inductiviti parazite extrem de reduse, tensiuni nominale i capaciti specifice extrem de ridicate, grosimea straturilor dielectrice care pot fi din dioxid de siliciu i a celor conductoare din cupru , fiind sub-micronic. Condensatoarele electrolitice utilizeaza ca material dielectric, oxizi de aluminiu (Al 2 O 3 ), tantal (Ta 2 O 5 ) sau titan (TiO 2 ), care posed permitiviti ridicate, avnd de asemenea grosimi submicronice, ceea ce creaz posibilitatea obinerii unor capaciti de valori mari la dimensiuni mici ale codensatorului. Condensatorul cu oxid de aluminiu utilizeaz ca electrolit acidul boric, hidroxidul de amoniu sau glicoletilena impregnat n folii de celuloz. Tensiunea nominal poate atinge valoarea : U n =500 V. Condensatorul cu tantal, are anodul sinterizat din pulbere din tantal, iar electrolitul este o pelicul solid semiconductoare din bioxid de mangan (MnO 2 ). Tensiunea nominal este mai redus: U n =10 100V, iar inductivitatea parazit este considerabil mai redus dect cea a condensatoarelor cu oxid de aluminiu. Supus impulsurilor de tensiune, oxidul de tantal cristalizeaz, rezistivitatea lui se micoreaz i condensatorul se poate distruge prin nclzire datorit pierderilor de putere prin conducie.
7.4 ntrebri

1. Enumerai parametri electrici a condensatoarelor nepolarizate i precizai condiiile n care acestea pot funciona; 2. Analizai comportarea cu frecvena a unui condensator, pe baza schemei echivalente i stabilii condiiile n care acesta poate funciona ca i capacitate; 3. Artai schematic structurile diferitelor tipuri de condensatoare;
7.5 Probleme 1 . Se considera un condensator circular cu armaturi plane paralele, cu sectiunea S=20 cm 2 , dielectricul dintre armaturi avand grosimea g=0.17mm , r = 5 , = 108 m , E s t r =15MV/m . Sa se determine tensiunea maxima U m a x , care

poate fi aplicata condensatorului si valorile componentelor schemei echivalente a condensatorului.

176

Rezolvare:

Tensiunea maxima care poate fi aplicata condensatorului are valoarea: U m a x =E s t r g=2.55kV. Pentru determinarea inductivitatii parazite L p se aplica legea circuitului magnetic pentru o curba inchisa : ' H dl = J ds ,
S

de unde rezulta expresia fluxului magnetic corespunzator densitatii de current J, presupusa constanta in volomul materialului dielectric: R R J J R2 = B(r )ds = 0 r gdr = 0 g . 2 2 2 0 0

Inductivitatea parazita are expresia: g L p = = 0 = 0.17 10 10 H . I 4 Rezistenta echivalenta de pierderi prin conductie are valoarea: ' r p = g / S = 8.5M , iar capacitatea condensatorului este: c = 0 r S / g = 520 pF .

In curent alternativ, apar si pierderi prin polarizare, iar schema echivalenta a condensatorului este mai complexa.
2 . Un condensator este realizat prin bobinarea a doua folii din hostafan metalizate pe ambele fete, cu grosimi g=8m; stratul metalizat prin evaporare in vid avand grosimea de 1m. Latimea foliilor este: l=50mm, iar diametrul exterior al condensatorului este: D=1.4cm. Materialul dielectric se carcterizeaza prin: r' = 2.85, tg = 4.5 10 4 la frecventa: f=10kHz, E s t r =100MV/m. Sa se calculeze :

a) capacitatea condensatorului; b) inductivitatea parazita in varianta inductiva, caracterizata prin atasarea electrozilor doar la cele doua straturi metalizate si in varianta neinductiva, care presupune metalizari decalate pe cele doua fete ale foliilor, care se scurtcircuiteaza la extremitatiile latimii foliilor; c) pierderile de putere activa pentru o tensiune egala cu 10% din tensiunea maxima admisa. 177

R ezolvare : Prin bobina rea celor doua folii metalizate se formeaza doua condensatoare c onectate in paralel. Lungimea L a celor doua folii determina suprafata armaturilor. Condensatorul astfel realizat este echivalent cu un condensator format dintr-o singura folie, cu lungime dubla. O spira medie are lungimea : D l1 = 2Rmed = 2 , 4 iar numarul spirelor rezultate prin bobinarea foliilor , este : D . n1 = 4g Lungim ea totala este : D 2 , L = n1l1 = 8g iar suprafata armaturilor , are expresia : D 2 S1 = 2 L l = . 4g
178

Capacitatea condensatorului este : 'r S C= 0 = 3F . g Aplicam legea circuitului magnetic pentru varianta inductiva : H dl = H i dl + H e dl H i l = i .

int

ext

Fluxul magnetic prin suprafata S es te de forma : i = B S = 0 (2 L g ) , l iar inductivitatea parazita, are valoarea : L = = 0 2 L g = 3.86 10 9 H . i l Pentru varianta neinductiva, legea circuitu lui magnetic este de forma : ' H dl = H i dl + H e dl H i 2 L = i .
'
int

ext

F l uxul magnetic prin suprafata S e ste de forma : i (l g ) , = 0 2L iar inductivitatea parazita are valoarea : ' 0 L = = l g = 3.3 10 14 H . i 2L Raportul inductivitatilor parazite corespunzatoare celor doua variante este : L = 1.17 105 . L Pentru schema echivalenta paralel a condensatorului sunt valabile relatiile: P 1 , tg = a = Pr R p C p U2 = U 2C p tg . Rp Tensiunea limita m axima care poate fi aplicata condensatorului corespunde strapungerii dielec tric ului : U m a x =E s t r g=800V . Pierderile active de putere corespunzatoare unei tensiuni U=80V, sunt : P a =0 .54 3W . Desi valoare a tangentei unghiului de pierderi este redusa, pierderile de putere activa sunt relativ mari datorita frecventei ridicate . Pa =
3 .Sa se determine valorile limita ale duratei impulsului de iesire a unui circuit monostabil : T=RC/2, stiind ca R=1M , t 1 = 2.5%, 1 = 50 ppm / 0C , t 2 = 5% , 2 = 100 ppm / 0C , C=100pF. Circuitul functioneaza intr-un mediu cu temperatura cuprinsa in intervalul [-3 0 0 C10 0 0 C ] . Rezolvare :

Toleranta duratei impulsului este de forma : tT = h1 t1 + h2 t 2 ,


179

unde : R T h1 = =1, T R C T h2 = =1 . T C Prin urmare : t T =t 1 +t 2 =7.5% . Coeficientul de variatie cu temperatura are expresia : T = h1 1 + h2 2 = 1 + 2 , iar valoarea coeficientului este cuprinsa intre limitele 50150ppm / 0C . Valoarea nominala a duratei impulsului este : T 0 =RC/2=50s , iar valorile limita sunt : Tmin = T0 (1 tT )[1 T ( 0 min )] = 45.9 s, Tmax = T0 (1 + tT )[1 + T ( max 0 )] = 54.4s, Expresiile duratelor limita al e impulsului s-au determinat cu valoarea maxima a coeficientului de variatie cu temperatura, considerand temperatura normala de functionare: 0 =20 0 C.
4 . Sa se determine tipurile condensatoarelor C 1 , C 2 conectate in p aralel si sa se calculeze capacita tile lor, astfel incat capacitatea echivalenta sa fie 25pF, iar coeficientul de variatie cu temperatura sa fie nul.

Rezolvare : Capacitatea ec hivalenta este : C p =C 1 +C 2 . Coeficientul de variatie cu temperatura al capacitatii echivalente, are expre s ia : C C p C C p C + C 2 2 , p = h11 + h2 2 = 1 1 + 2 2 = 1 1 C p C1 C p C 2 C1 + C 2 unde : 1 , 2 sunt coeficientii de variatie cu tem p eratura ai condensatoarelor C1 , C2 . Ansa mblu l celor doua condensatoare este caracterizat prin relatiile : C p =C 1 +C 2 , C 1 1 +C 2 2 =0 . Di n cond itia a doua, rezulta semne opuse pentru 1 si 2 . Solutia prob lemei nu e ste u n ica. Una din solutii consta in alegerea unui condensator C 1 , cu 1 =100ppm/C si a unui condensator C 2 , cu 2 = 33 ppm / C . Rezulta valorile celor doua capacitati, din relatiile : 33 C1 = C 2 2 = C2 , 1 100 33 C2 + C 2 = 25 . 100 Valorile celor doua condensatoare sunt : C 1 =6.2pF ; C 2 =18.8pF . Sa se studieze aceeasi problema in cazul in care cele doua condensatoare se con ecteaza in serie.
180

5 .Sa se analizeze solicitarea electrica a condensatorului cu urmatorii parametri: C n =12nF, U n =25V, I n =0.05A, P n =2mW, tg=510 - 4 . P uterea maxim disipat de conde nsator depinde de frecven -ca i tg i are valoarea: Pd max = U n I n tg = 0.625mW < Pn . Prin urmare nu exist limitare n putere, rmnnd posibilitatea depirii tensiunii nominale sau a curentului nominal. Frecvena critic care delimiteaz regiunile n care limi tarea este de tensiune sau curent, se determin din relaiile corespunztoare limitrii de tensiune sau curent care sunt identice: I n = cr C n U n , In , Un = cr C n rezulznd:

f cr =

In = 26.5kHz . 2 C n U n

Pentru: f f cr , U c = U n = 25V , I c = C n U n i

Pd = U c I c tg = C n U n tg ,
2 2

In tg . Cn S se studieze aceeai problem pentru un ansamblu format din dou condensatoare cu parametri difer ii, conectate n p aralel.

iar pentru f f cr , I c =n=0.05A, U c = I n /( C n ) , i Pd = U c I c tg =

6 .S se analizeze solicitarea electric a unui condensator cu parametri: C n =100nF , U n =50V , n=0.2A , P n =10mW , tg =10 - 2 .

Rezolvare: Puterea ma xim disipat de condensator, are valoarea: P d m a x =U n ntg =0.1 W>P n . Prin urma re ex ist posibilitatea depirii puterii nominale, sau exist limitare n putere, dup cum exist limitare n tensiune i curent. n acest caz sunt definite dou frecceven e critice, care corespund limitarii n tensiune, respec tiv n curent. Condiia limitrii n tensiune corespunde situaiei n care la bornele condensatorului se aplic tensiunea U n , iar puterea disipat este P n , sau: P n =U n I c tg =U n 1cr C n U n tg , rezultnd: Pn f cr1 = = 637 Hz , 2 2U n C n tg iar din con diia limitrii n curent, care corespunde situaiei n care curentul prin condensator este n i puterea disipat este P n , sau:
181

Pn = I nU c tg = I n

In tg , cr 2 C n

rezult:
f cr 2 = In tg = 637kHz . 2C n Pn
2

Pen tru cele trei domenii de frecven sunt valabile relaiile: f<637Hz:U c =U n =50V; I c = C n U n ; 2 P d =U c I c tg = C n U n tg ; f [637Hz, 637kHz]: P d =P n =10mW; Pn ; Uc = C n tg
Ic = Pn C n ; tg

f> 637 kH z: I c =n=0. 2A; I Uc= n ; Cn


2 I n tg . Cn S se st udieze aceeai problem pentru dou condensatoare conectate n paralel, care au una, respectiv dou frecvene critice.

Pd

7 . Sa se determine relatiile de legatura ntre componentele schemelor echivalente paralel si serie ale unui condensator.

182

Rezolvare : Din egalitatea admitantelor celor doua scheme echivalente, rezulta: 1 (1) R pCS = , sin cos iar din egalitatea tangentelor unghiurilor de pierderi, rezulta: P 1 sin . (2) tg = a = = CS RS = Pr C p R p cos Daca se considera componentele schemelor echivalente serie si paralel independente de frecventa, relatia (2) este valabila doar pentru frecventa: , = RS CS RPCP . Pentru ca relatia (2) sa fie adevarata pentru toate frecventele, trebuie sa admitem dependenta de frecventa a componentelor. Din sistemul de relatii: 1 1 , (1 ' ) CS = R p sin cos (2 ' ) CS = 1 sin , RS cos

rezulta: (3) RS = R p sin 2 . Din sistemul de relatii: 1 1 , (1") R p = CS sin cos 1 cos (2") R p = , C p sin rezulta: (4) C p = CS cos 2 , sau: (5) CS = C p (1 + tg 2 ) . Conform relatiilor (3) si (4) expresia tangentei unghiului de pierderi este:

183

(6) tg =

Pa sin = = Pr cos

RS CS = S , R pC p p

unde: s , p sunt constantele de timp ale celor doua circuite echivalente. Intruct tangenta unghiului de pierderi este prin definitie raportul puterilor, iar puterea aparenta S, este suma dintre puterea activa si reactiva, rezulta ca ipotenuzele triunghiurilor puterilor sunt egale cu puterea aparenta, sau: * * (7) U I U I = U 2 I 2 = S 2 .

) (

8 . Sa se determine tangenta unghiului de pierderi pentru conexiunea serie si paralel a doua condensatoare cunoscnd valorile capacitatilor si ale tangentelor unghiurilor de pierderi.

Rezolvare:

Este recomandabil - datorita facilitatilor de scriere a relatiilor ca pentru conexiunea serie sau paralel, sa se utilizeze schemele echivalente serie respectiv paralel ale condensatoarelor. Pentru schema echivalenta serie a condensatorului, tangenta unghiului de pierderi este: tg c = U R / U C = CR , de unde rezulta : R = tg / C . Pentru conexiunea serie, tangenta unghiului de pierderi este : C 2 tg C1 + C1tg C 2 tg C S = U R1 + U R2 / U C1 + U C 2 = . C1 + C 2 Pentru schema echivalenta paralel a condensatorului, tangenta unghiului de pierderi este: tg p = I R / I C = 1 / (CR ) ,

)(

de unde rezulta : 1/R= tgC. Pentru conexiunea paralel, tangenta unghiului de pierderi este : C tg + C2tg C 2 . tg C p = I R1 + I R2 / I C1 + I C 2 = 1 C1 C1 + C2 Metoda grafica de rezolvare adoptata - remarcabila prin simplitatea ei, se poate aplica conexiunilor serie-paralel ale mai multor condensatoare, diagramele

)(

184

construite pentru un anumit tip de conexiune compunndu-se ntr-o singura diagrama, n care se poate aplica relatii metrice n triunghi.
9 . Pentru doua condensatoare se cunosc valorile capacitatilor : C 1 ,C 2 si ale coeficientilor de variatie cu temperatura : C1 , C 2 . Sa se determine coeficientii de

variatie cu temperatura : C P , C S , pentru conexiunea paralel si serie ale celor doua condensatoare. Rezolvare : Prin definitie, coeficientul de variatie cu temperatura este : 1 C p . C = C Pentru conexiunea paralel, coeficientul de variatie cu temperatura este de forma :

1 C p 1 C1 C2 C1C1 + C2 C2 = + . = p C p C1 + C2 C1 + C2 Pentru conexiunea serie, expresia coeficientului de variatie cu temperatura, este

C =

C =
S

C1 + C2 C1C2 C1 C2 + C 2 C1 = . C1C2 C1 + C2 C1 + C2

10 . Presupunem cunoscuti coeficientii de variatie ai capacitatii cu temperatura : C1 , C2 precum si valorile capacitatilor C1 , C 2 . Sa se determine coeficientii

echivalenti de variatie cu temperatura ai permitivitatilor relative : ' , '


rS

rp

pentru conexiunea serie si paralel ale celor doua condensatoare. Rezolvare : Din expresiile capacitatilor celor doua condensatoare : 0 r'1 S1 C1 = = k1 r'1 d1
C2 =

0 r' S 2
2

d2

= k 2 r'2

rezulta : d r'1 dC2 d r' 2 dC1 = k1 ; = k2 , d d iar din expresiile coeficientilor de variatie a capacitatii cu temperatura, rezulta : d r'1 1 dC1 1 k1 C1 = = = r'1 , ' C1 d d k1 r1
185

d r'2 1 dC 2 1 = = = r'2 . k2 ' d C 2 d k 2 r2

Pentru conexiunea serie, coeficientul de variatie a capacitatii cu temperatura, are forma : dC2 2 dC1 2 C C + 1 dCS C1 + C2 d 1 d 2 C 2 C1 + C1 C2 CS = = = (C1 + C2 ) 2 C1 + C2 C S d C1C2 Se observa ca ' are o expresie similara : C1 + C 2 Pentru conexiunea paralel, expresia coeficientului de variatie a capacitatii cu temperatura, este :
C =
p

=
' rS

C1 + C 2
' r2 ' r1

rS

C C1 + C2 C 2 dC dC 2 1 dC p 1 1 1 dC1 1 dC 2 = ( 1+ )= (C1 + C2 )= 1 C p d C1 + C 2 d d C1 + C 2 C1 d C 2 d C1 + C 2
rp

iar coeficientul de variatie ' are forma :

=
' rp

C1 + C2
, r1 , r2

C1 + C2

7.6. Anexa Aspecte teoretice cu privire la condensatoarele polarizate

n regim staionar sau cvasistaionar, schema echivalent a unui condensator polarizat sau electrolitic se poate simplifica, dup cum se ilustreaz n fig. 4.3. n aceast schem echivalent, intervin cu pondere crescut att rezistena terminalelor condensatorului i a electrolitului, ct i rezistena de pierderi prin conducie, n dielectricul format din oxid de aluminiu: Al 2 O 3 . Un electrod (catodul), este alctuit din aluminiu, iar cellalt (anodul), este conectat la electrolit. Din schema echivalent pot fi excluse la pulsaii reduse: 0, att inductivitatea L, ct i componenta: 1/(Ctg ).

186

Fig. 4.3. Schema echivalent i structura unui condensator polarizat, n regim staionar.

Catodul este alctuit dintr-o folie din aluminiu, cu conductivitate electronic, electronii avnd mobilitate e ridicat, iar anodul este un electrolit cu aciune oxidant asupra aluminiului i cu conductivitate ionic, ionii avnd mobilitate i redus, ceea ce justific introducerea n schema echivalent a rezistenei serie r s . Capacitatea condensatorului depinde de grosimea a stratului dielectric din oxid de aluminiu, precum i de suprafaa efectiv a armturilor, care depinde de gradul de rugozitate al stratului de oxid i al foliei din aluminiu. n absena unei tensiuni aplicate ntre electrozi, ntre folia din aluminiu i electrolit exist o barier de potenial electrochimic U b , care nu permite purttorilor de sarcin: electroni sau ioni, s strbat jonciunea.

187

Aplicnd ntre electrozi o tensiune cresctoare de polarizare direct U d i r . , numrul purttorilor de sarcin se mrete pe de o parte, iar pe de alt parte, nlimea barierei de potenial se mrete, avnd ca rezultat micorarea numrului purttorilor de sarcin care strbat jonciunea. ntruct primul efect este preponderent, curentul continuu prin condensator se mrete, dar n msur relativ redus, datorit celui de al doilea efect. Aceste concluzii, precum i cele expuse n continuare, s-au obinut pe baza rezultatelor experimentale, corelate cu studiul teoretic al proceselor care au loc. La polarizare invers, nlimea barierei de potenial se micoreaz, iar numrul purttorilor de sarcin care strbat jonciunea se mrete semnificativ pentru valori ale tensiunii: U i n v . > 1V, iar condensatorul se poate distruge prin nclzire excesiv datorit puterii disipate, dac curentul prin condensator nu este limitat printr-o rezisten. Cu creterea temperaturii, reactivitatea electrolitului fa de aluminiu se mrete, avnd ca urmare micorarea grosimii a stratului dielectric, care devine mai uniform sau mai puin rugos, determinnd micorarea suprafeei efective a armturilor. ntruct primul efect este preponderent, capacitatea condensatorului se mrete. Reactivitatea crescut a electrolitului determin creterea nlimii barierei de potenial electrochimic, ceea ce este echivalent cu mbuntirea proprietilor dielectrice ale oxidului de aluminiu. Astfel, rezistena de pierderi n materialul dielectric r p se mrete, iar tangenta unghiului de pierderi tg se micoreaz. n acelai timp, mobilitatea ionilor se mrete considerabil, ceea ce este echivalent cu scderea pronunat a rezistenei r s . ntruct acest ultim efect este preponderent, pentru tensiune aplicat constant, cu creterea temperaturii curentul continuu prin condensator se mrete. Aplicnd condensatorului o tensiune invers la care apare procesul de strpungere, care nu este distructiv datorit prezenei n circuitul de msurare a unei rezistene de limitare a curentului invers, canalele din stratul de oxid se refac mai rapid la temperaturi crescute, datorit reactivitii sporite a electrolitului. Astfel folia din aluminiu se oxideaz mai rapid n regiunea n care a existat un canal de strpungere, prin care electrolitul a ajuns n contact direct cu folia din aluminiu, iar numrul i contribuia canalelor de strpungere la curentul invers se micoreaz. Aceeai comportare se obine i la polarizare direct n regim de strpungere, curentul prin condensator fiind limitat n acelai mod, prin intermediul unei rezistene conectate n serie cu condensatorul. Refacerea stratului dielectric se poate efectua prin dou procedee. Primul procedeu const n nclzirea condensatorului ntr-o incint termostatat, iar al doilea procedeu presupune aplicarea unei tensiuni de polarizare direct, care se mrete treptat,controlnd n permanen curentul prin condensator, care este de asemenea limitat printr-o rezisten. Dac prin creterea tensiunii aplicate, curentul se mrete substanial, se va micora tensiunea astfel nct valoarea curentului s se ncadreze n limite reduse, de ordinul ctorva zeci de A. Condensatorul se menine n aceast stare o perioad de timp, n care curentul se va micora datorit refacerii stratului de oxid, dup care se crete tensiunea direct aplicat, astfel nct curentul s se ncadreze n aceleai limite reduse.

188

Capitolul 8. Inductoare
8.1. Parametri inductoarelor i forme constructive Inductoarele sunt elemente de circuit caracterizate prin inductivitate. Valoarea inductivitii nu este normalizat, sau standardizat. Pentru mrirea inductivitii inductorului, se utilizeaz miezuri freo- sau ferimagnetice. Din punct de vdere a posibilitii de modificare a inductivitatii, inductoarele cu miez magnetic, se clasific n: fixe i variabile. Modificarea inductivitii se realizeaz prin deplasarea miezului magnetic n raport cu spirele inductorului. Miezurile magnetice au forme variate: bar, tor, de tip E, oala, etc. Pentru micorarea pierderilor prin cureni turbionari, miezurile feromagnetice sunt realizate din tole izolate ntre ele prin straturi de oxizi. Pentru evitarea saturrii miezurilor magnetice cu circuit magnetic nchis, cum sunt miezurile de transformator, sau oalele din ferit, se practic un ntrefier, iar nfurarea se plaseaz astfel nct cmpul magnetic de dispersie n ntrefier s fie minim, soluia optim fiind determint de forma constructiv a miezului. Bobinajele ntr-un singur strat asigur capacitate parazit i flux de dispersie redus. Bobinajele multistrat permit realizarea unor valori mari ale inductivitii, dar capacitatea parazit este mult crescut. Dei straturile se izoleaz ntre ele prin folii dielectrice, exist pericolul strpungerilor la marginile nfurrii, unde tensiunea ntre dou spire, este maxim. Pentru nlturarea acestui dezavantaj, bobinarea se efectueaz: piramidal - numrul de spire pe un strat fiind mai mic dect cel al stratului pe care este nfurat, sau secionat - carcasa pe care se bobineaz avnd mai multe sectiumi, astfel nct tensiunea pe o sectiune s reprezinte tensiunea aplicta inductorului mpartita la numrul de seciuni. Pentru o densitate maxim admis de curent , cmpul magnetic maxim , generat de un inductor cu sau fr miez magnetic, depinde exclusiv de seciunea S, a nfurrii. Conform legii circuitului magnetic: H max l m = Ni max = N J max Ssp (8.1)

unde: l m , este lungimea median a circuitului (miezului) magnetic, N, este numrul de spire al nfurrii parcurse de curentul i m a x , seciunea spirelor fiind Ssp. S Pentru un factor de umplere al nfurrii unitar, numrul de spire este: N= , Ssp iar relaia (8.1), obine forma: H maxlm = SJ max (8.2) Pentru un transformator cu miez feromagnetic, numrul de spire se alege astfel nct cderea de tensiune pe spir, s fie cuprins ntre 0.5 0.7 V, pentru evitarea strpungerilor (la marginile nfurrii) i suprasolicitrii miezului magnetic. Conductorul de bobinaj este din cupru emailat sau izolat cu fibre textile. Pentru mrirea rezistenei de izolaie, lacurile de email - pe baz de rini poliuretanice sau epoxidice, se depun n mai multe straturi pe conductori din cupru. La freccevene ridicte sunt utilizate miezurile din ferit sinterizat, iar conductoarele pot fi liate pentru micorarea efectului pelicular. La freccevene ridicte, capacitatea de transfer a puterii din nfurarea primar n nfurarea secundar a transformatorului - prin intermediul induciei electromagnetice, este superioar pentru miezurile din ferit fa de cele feromagnetice. Miezurile din ferit au o rezistivitate ridict i pierderi prin cureni turbionari extrem de 189

reduse. Miezurile feromagnetice, dei sunt alctuite din tole, nu pot fi utilizate la freccevene ridicate, pentru c puterea disipat prin cureni turbionari, care crete pronunat cu frecven, determin nclzirea excesiv a miezului. ntruct tensiunea electromotoare indus n secundarul transformatorului, depinde conform legii induciei electromagnetice, de derivat n raport cu timpul a induciei magnetice din miez, pentru aceeai valoare efectiv a tensiunii din secundar, numrul de spire al secundarului i primarului, este mai redus pentru un transformator cu miez ferimagnetic, datorit frecvenei ridicte, dei permeabilitatea i inducia maxim au valori mai reduse. Energia se transfer din primar n secundar n fiecare perioad a tensiunii alternative aplicte primarului. Dei energia transferat prin intermediul miezului ferimagnetic, n timpul unei perioade, este relativ redus, datorit valorilor reduse ale permeabilitii i induciei, numrul mare de perioade n unitatea de timp presupune valori mari ale energiei totale transferte n unitatea de timp, sau valori mari ale puterii transferate. Astfel puterea transferat pe unitatea de suprafa a seciunii miezului, este cu un ordin de mrime mai mare, pentru miezurile din ferit, comparativ cu cele feromagnetice. Ecranarea bobinelor i transformatoarelor se realizeaz cu folii magnetice cu permeabilitate ridicat, mulate pe inductor, prin care se nchid liniile cmpului magnetic de dispersie. Pentru micorarea cmpului magnetic de dispersie al unui transformator cu miez de tip E, se utilizeaza o spir n scurtcirciut sub forma unei fii din cupru mulat pe carcasa nfurrilor i pe miezul magnetic. n acest caz cmpul magnetic de dispersie este micorat prin autoinducie, tensiunea electromotoare indus de cmpul de dispersie, genernd un cmp indus, care se opune variaiei cmpului inductor. Cmpul de dispersie al transformatoarelor realizate cu miezuri fero-sau ferimagnetice toroidale, este minim.
8.2 Schema echivalent i comportarea cu frecven [Ct]

n fig.8.2 sunt reprezentate schemele echivalente ale unei spire a inductorului cu miez magnetic. Rezistenele rp i rn , corespund pierderilor n rezistena de izolaie a conductorului i carcasei pe care este nfurat, respectiv pierderilor n miezul magnetic, rCu este rezistena spirei din cupru , C este capacitatea parazit dintre dou spire vecine, iar L este inductivitatea spirei. Daca cele N spire ale nfurrii sunt identice, schema echivalent a inductorului este identic cu cea a unei spire. Parametrii electrici sunt distribuii de-a lungul inductorului, dar prin nsumare, se asimileaz unor parametri concentrai. Capacitatea distribuit a spirelor inductorului fa de masa circuitului, s-a inclus n capacitatea C. ntre componentele schemelor echivalente paralel (8.2.b) i serie (fig. 8.2.c), exist relaiile: RS = R p sin 2 , (8.3)
Ls = Ls (1 + tg 2 ) . cos 2 Inductivitatea schemei Lp = (8.4) echivalente paralel

Lp ,

este

superioar

valorii

inductivitii schemei echivalente serie Ls , inegalitate care este cu att mai pronunat, cu ct tangenta unghiului de pierderi tg , are valoare mai ridict. Tangenta unghiului de pierderi n conductor, are expresia:
190

1 r = Cu , QCu L iar tangenta unghiului de pierderi n miezul magnetic, este: tg Cu =

(8.5)

tg m =

r 1 = m . Qm L

(8.6)

Fig. 8.2 S ch e ma ech iv ale n t co mp le t (a) i s imp l i f i c t (b,c) a unu i indu ctor.

Considernd pierderile att n materialul conductor ct i n miezul magnetic, tangenta unghiului de pierderi, are forma:

tg Cu + m =

rCu + rm = tg Cu + tg m . L

(8.7)

Prin transformarea schemei echivalente serie, format din componentele: rCu , rm i L (fig. 8.2a) n schema echivalent paralel, conform relaiilor (8.5), (8.7), inductivitatea are expresia: L`= Lab = L 1 + (tg Cu + tg m ) 2 . (8.8) Tangenta unghiului de pierderi n rezistena de izolaie, are expresia: 1 L` . (8.9) tg p = = Qp rp Admitana schemei echivalente din figura (5.10a), are expresia: 1 1 . (8.10) Y 1, 2 = + jC + rp rCu + rm + jL Utiliznd relaiile (8.5) (8.9), relaia (5.10) obine forma: tg Cu + tg m + tg p 1 , (8.11) Y 1, 2 = + L` jL`/(1 2 L`)C iar componentele schemei echivalente paralel (fig. 8.2b), au expresiile: L` Rp = , (8.12) tg L L` LP = (8.13) 1 ( / r ) 2 1 unde: tg L = tg Cu + tg m + tg p , iar r = . Se constat c: L<L'<L p . L`C 191

Inductivitatea paralel crete cu creterea frecvenei (fig. 5.11a), iar din expresia tangentei unghiului de pierderi: r r L` (8.14) tg L = Cu + m + L L rp

F ig . 8 . 3 D ep enden e le d e fr ecv en a l e in d u c tiv it ii p aralel (a) i a tangen tei ungh iu lu i de p ierde r i ( b), p en tru un indu ctor cu miez ma g netic.

Rezult ca la freccevene joase predomin pierderile n nfurarea inductorului, iar la freccevene ridicte, pierderile n rezistena de izolaie sunt predominante. Pentru freccevene medii, pierderile n miezul magnetic sunt r preponderente, depinznd de raportul m , (fig. 8.11b).

8.3 ntrebri

1. Precizai modalitile de evitare a strpungerii electrice a unei nfurri multistrat de transformator; 2. Precizai modalitile de micorare a cmpului electromagnetic de dispersie a unui transformator; 3. Comparai miezurile de transformator realizate cu tole, respectiv din ferit sub aspectul puterii tranformate din primar n secundar;
Probleme

1. Sa se determine relatiile de legatura ntre componentele schemelor echivalente serie si paralel ale unui inductor.

Rezolvare:
192

Din egalitatea impedantelor celor doua scheme echivalente, rezulta: L p 1 + (tg )2 = , (1)
Rs tg

iar din egalitatea tangentelor unghiurilor de pierderi, rezulta: (2)


tg = L p sin Pa R = = s = Pr L s Rp cos

Daca se considera componentele schemelor echivalente independente de frecventa, relatia (2) este valabila doar pentru frecventa : ' = (R s R p ) / (L s L p ) . Configuratia diagramelor fazoriale se modifica cu frecventa, iar componentele se vor determina pentru o frecventa precizata. Pentru ca relatia (2) sa fie indeplinita pentru orice frecventa, este necesar sa admitem dependenta componentelor schemelor echivalente de frecventa. Din sistemul de relatii: 1 (1) L p = R s , (2)
sin cos R p sin Lp = , cos

rezulta: (3) R s = R p sin 2 . Din sistemul de relatii: (1) R s = L p sin cos , (2)
R s = L s sin , cos

rezulta: (4) L s = L p cos 2 , sau: (5) L P = Ls (1 + tg 2 ) . Conform relaiilor (3) si (4), expresia tangentei unghiului de pierderi este: (6)
tg = Pa sin = = Pr cos Lp / R p Ls / R s = p s ,

unde: s , p sunt constantele de timp ale celor doua circuite echivalente. ntruct tangenta unghiului de pierderi este prin definiie raportul puterilor, iar putere aparenta S, este suma puterilor, rezult c ipotenuzele triunghiurilor puterilor sunt egale cu puterea aparenta, sau: (7) (U I* ) (U * I ) = U 2 I 2 = S2 2. Sa se studieze influenta ntrefierului asupra valorii inductivitii unei bobine cu miez magnetic. Se considera lungimea ntrefierului relativ redusa fata de lungimea: l = l m + l a circuitului magnetic si se neglijeaz efectele de margine: S Sm.

Rezolvare:
193

Inductivitatea bobinei fara intrefier este:


L m = 0 r Sm N 2 = l N2 . l 0 r Sm
S m S N 2 = 0 r r S m l + S l m Sm N 2 = S r m l + lm S

Cu ntrefier, inductivitatea are expresia:


L = N2 l lm + 0S 0 r S m Sm N 2 l = 0 r

= 0 r

r S N2 1 0 m . S l l S l l l r m + m r m + m S l m l S l l

Permeabilitatea magnetica efectiva are expresia:


ref = r r Sm l l m + S l l r r Sm l +1 S l .

Factorul de demagnetizare este:


fd = Sm l . S l

Pentru valori: r f d >> 1 care corespund unor lungimi l ale intrefierului mari, expresia aproximativa a permeabilitatii magnetice efective este:
r ef = r rfd +1 1 . fd

Prin urmare, prin marirea intrefierului, permeabilitatea magnetica relativa efectiva si inductivitatea bobinei sunt independente de materialul miezului magnetic, fiind determinate doar de dimensiunile miezului(si numarul de spire).
8.5 Anexe

1. Se consider dou miezuri de transformator identice din punct de vedere al dimensiunilor dar realizate din materiale diferite . Miezul feromagetic se caracterizeaz prin inducie maxim B m a x i permeabilitate magnetic relativ r de valori ridicte, iar miezul feromagnetic se caracterizeaz prin valori ale induciei maxime i permeabilitii magnetice de 100 de ori mai sczute . Frecvena de funcionare a transformatorului cu miez feromagnetic este 50 Hz, respectiv 500 kHz pentru miezul feromagnetic. S se analizeze cele dou miezuri din punct de vedere al puterii pe unitate de suprafa a seciunii miezului, transferat din nfurarea primar n cea secundar, ct i din punct de vedere al numrului de spire al nfurrilor astfel nct pentru tensiuni identice aplicte nfurrilor primare, s rezulte aceleai tensiuni n nfurrile secundare. Se vor neglija pierderile de putere prin cureni turbionari, histeresis i magnetizare, iar fluxul de dispersie este nesemnifictiv .

194

Rezolvare : Considerm forma sinusoidala de variatie a tensiunii aplicte primarului. Inducia magnetic n miez este de forma : B=B m a x sint. Din legea induciei electromagnetice rezult : d(t ) dB(t ) 1 (t ) = N1 = N1 S = N1SBmax cos t , dt dt d(t ) 2 (t ) = N 2 = N 2 SBmax cos t , dt unde: N 1 , N 2 reprezinz numrul de spire al nfurrii primarului i secundarului, iar este fluxul magnetic care strbate nfurrile primarului i secundarului . ntruct pierderile de putere s-au considerat neglijabile, u u1l , i1 1 = L1 0 r N12 S
i2 u2 u 2l = L2 0 r N 22 S

u1 N1 = , u2 N 2 i1 N 2 = , i2 N1 u 1 i 1 =u 2 i 1 , unde: 1 este lungimea median a miezului magnetic . Presupunem c tensiunile sinusoidale aplicte nfurrilor primare ale celor dou miezuri au aceeai valoare efectiv, dar freccevene diferite. Pentru ca valorile efective ale curenilor prin cele dou nfurri s fie egale, este necesar ca numrul de spire N 1 , al nfurrii miezului feromagnetic s fie micorat de zece ori : u1l u1l . i1 = = 4 2 0 r N1 S 10 0 ( r / 100)( N1 / 10) 2 S Pentru a obine n secundar aceeai tensiune: u 2 =N 2 u 1 /N 1 , este necesar ca i N 2 s fie micorat de zece ori . Pentru a compara cele dou miezuri din punct de vedere al puterii transferate din primar n secundar, considerm c la bornele secundarului este conectat un rezistor pe care se disip puterea transferat din primar . Tensiunea alternativ u 2 (t) se echivaleaz cu o tensiune efectiv continu U 2 e f care disip aceeai putere pe rezistorul R. Pentru miezul feromagnetic, respectiv ferimagnetic, expresiile valorilor efective din secundarul transformatorului sunt : B U 2ef = N 2 S max , 2 B / 100 N U ' 2 ef = 2 S 10 4 max = 10U 2 ef . 10 2 Datorit frecvenei ridicte a transformatorului cu miez ferimagnetic, valoarea efectiv a tensiunii din secundar este de zece ori mai mare dect cea
195

corespunztoare miezului feromagnetic atunci cnd ncrcarea miezului i inducia magnetic n miez sunt maxime . Puterea transferat din primar n secundar este proporional cu ptratul tensiunii efective, prin urmare puterea transferat din primar n secundar, pe unitatea de suprafa a seciunii miezului este de 100 de ori mai mare pentru miezul ferimagnetic fa de cel feromagnetic. Principala limitare a frecvenei de funcionare a miezurilor feromagnetice alctuite din tole, se datoreaz pierderilor prin cureni turbionari (i prin histeresis) care determin nclzirea excesiv a miezului. Miezurile ferimagnetice au rezistivitate ridict i pierderi prin cureni turbionari neglijabile . Este de menionat c transferul de energie din primar n secundar se efectueaz pe parcursul unei perioade. Cu toate c att inducia magnetic, ct i permeabiliatea relativ au valori mai reduse pentru materialele ferimagnetice, iar energia transmisa pe o perioad este mai redus dect cea corespunztoare miezurilor feromagnetice, numrul mare de perioade cuprinse n intervalul de o secund, conduce la creterea sensibil a puterii transferate . Suplimentar se va arta ca intensitatea maxim a cmpului magnetic i inducia maxim depinde exclusiv de seciunea nfurrii A, atunci cnd nu intervin limitri datorit saturaiei miezului . Considernd un factor de umplere unitar i notnd seciunea spirei cu A s p , numrul de spire este : N=A/A s p . Cmpul magnetic se obine pentru : i m a x =J m a x A s p . Din legea circuitului magnetic, rezult : A H max l = N imax = J max Asp = A J max . Asp

196

Capitolul 9. Structuri de dispozitive semiconductoare discrete


Sunt prezentate diferite structuri de dispozitive, dintre care unele sunt de dat recent i care funcioneaz fie pe baz de jonciuni, fie pe baz de heterojonciuni. Tranzistoarele cu nitrit de galiu, sunt asemenea prezentate, punndu-se n eviden performanele remarcabile ale acestora. 9.1. Diode Diodele semiconductoare se pot realiza n tehnologie planar, jonciunea fiind realizat prin difuzarea sau implantarea impuritilor n placheta semiconductoare tiat dup un plan cristalografic prestabilit. n fig. 9.1a este reprezentat o diod semiconductoare cu structura planar epitaxial utilizat pentru redresarea tensiunii alternative, pentru stabilizarea unei tensiuni variabile, pentru detecie sau comutaie. Stratul dopat suplimentar n+ micoreaz rezistena n sens direct a diodei datorit numrului suplimentar de purttori de sarcin. Diodele varicap se pot realiza att n tehnologia planar ct i prin aliere. Pentru ca variaia capacitii de barier s fie pronunat, atunci cnd tensiunea invers, aplicat diodei se modific, este necesar ca profilul de impuriti al jonciunii s fie abrupt. Un profil hiperabrupt se obine prin aliere (fig. 9.1b). Diodele varicap sunt utilizate n circuite acordate, sau pentru mixare i modulaie n frecven. Diodele Schottky, cu jonciuni de tip metal semiconductor (fig. 9.1c), funcioneaz cu un singur tip de purttori majoritari de sarcin electroni. Pentru mrirea tensiunilor de strpungere invers stratul din bioxid de siliciu se metalizeaz parial, sau se realizeaz un inel de gard dintr-un semiconductor de tip p. Metalizarea anodului diodei este realizat din mai multe straturi, fiecare strat avnd o funcie bine precizat. Primul metal depus pe stratul epitaxial de tip n este crom sau molibden care confer proprieti de contact optime. Al doilea strat este din nichel, care corespunde din punct de vedere al interaciunilor cu aliajele utilizate pentru ataarea terminalului i reprezint un ecran prin care se evit contaminarea contactului cu compui ai aliajului folosit pentru ataarea terminalului. Al treilea strat este din argint, care protejeaz stratul de nichel mpotriva oxidrii. Diodele Schottky funcioneaz la frecvene ridicate i sunt utilizate n circuite detectoare, modulatoare sau convertoare din domeniul microundelor. Diodele PIN se caracterizeaz prin existena unui strat semiconductor intrinsec ntre dou straturi extrinseci de tip opus (fig. 9.1d). Regiunea intrinsec, cu rezistivitate ridicat, este fie un strat semiconductor p (denumit ), fie un strat n (denumit ), iar jonciunea PIN este fie p + pn sau pn , fie pnn + sau pn . Procedeul de obinere al unei jonciuni PIN n tehnologia planar, const n creterea unui strat epitaxial pe un suport monocristalin, cu puritate mai ridicat dect a suportului i care constituie stratul intrinsec. n etapa urmtoare se depune epitaxial un strat n care purttorii de sarcin sunt de tip opus. Diodele PIN au tensiuni de blocare mai ridicate, iar aplicaiile lor sunt n domeniul microundelor.

197

Fig. 9.1 Stru ctur i d e d iod e semicondu ctoar e : planar ep itax ia l ( a), a l i a t v ar icap (b), Scho ttk y ( c) , PIN (d). 1 me taliz r i ; 2 b iox id de siliciu ; 3 siliciu ; 4 ind iu ; 5 g erman iu.

9.2. Tranzistoare bipolare Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive semiconductoare cu dou jonciuni i pot fi realizate n tehnologie planar sau prin aliere. n fig. 9.2 sunt reprezentate diferite structuri de tranzistoare bipolare.

Fig. 9.2 S tru c tur i d e tr an z is to ar e b ipo lare : a liat ( a) ; d ifuz at a lia t (b) ; p lanar ep ita x ia l (c) ; dub lu imp lanta t (d) . 1 ind iu ; 2 g er ma n iu ; 3 b iox id de siliciu ; 4 siliciu ; 5 aliaj au r n ich el; 6 amb aza .

198

Tranzistoarele cu germaniu, se pot realiza prin alierea pastilelor din indiu cu placheta din germaniu (fig. 9.2.a). Daca se realizeaz un gradient de concentraie a purttorilor majoritari electroni determinnd apariia unui cmp electric de drift, timpul de tranzit al purttorilor minoritari n baz se micoreaz i determin mrirea frecvenei limit superioar de funcionare a tranzistorului (fig. 9.2.b). Tranzistoarele cu siliciu se realizeaz n tehnologie planar, jonciunile semiconductoare fiind realizate prin difuzie (fig. 9.2c), sau implantare ionic (fig.9.2d). Prin implantare ionic, grosimea bazei se poate reduce i astfel frecvena limita superioar de funcionare, se mrete. Baza este mai slab dopat dect emitorul pentru ca purttorii majoritari din emitor s contribuie n msur mai mare la formarea curentului din emitor. Pentru mrirea performanelor, se utilizeaz difuzii sau implantri duble, se creeaz straturi ngropate sau insule de ecranare sub contactul de baz, se decupeaz regiunile laterale ale jonciunilor semiconductoare , sau se utilizeaz materiale semiconductoare compuse, cu mobiliti ridicate ale purttorilor de sarcin. Formele constructive ale tranzistoarelor bipolare ct i materialele semiconductoare utilizate sunt variate, iar tehnologiile de realizare sunt adaptate pentru realizarea unor dispozitive performante. 9.3 Tranzistoarele unijonciune n tranzistoarele unijonciune, prin intermediul unei jonciuni semiconductoare se comand curentul prin dispozitiv. n fig. 9.3 sunt reprezentate tranzistoarele unijoniune realizate prin aliere sau prin difuziune.

Fig. 9.3 S tr u c tu r a a l i a t ( a) i d if u z a t (b ) d e tr anzistor unijon c iune de tip n .

Tranzistoarele unijoniune se utilizeaz n circuite generatoare de impulsuri pentru comanda sincronizat pe faz a tiristoarelor, pentru generatoarele de tensiune liniar variabil, etc. 9.4 Tranzistoarele unipolare Tranzistoarele unipolare cu grila jonciune pot fi considerate tranzistoare de volum, ntruct conducia electric ntre surs i dren se efectueaz ntr-un canal a crui seciune se modific prin tensiunea aplicat grilei. n fig. 9.4a, este reprezentat un astfel de tranzistor, a crui form constructiv este circular sau nchis, sursa nconjurnd grila, iar drena este localizat centrat. Structura poate fi realizat prin difuziune, sau implantare ionic. Prin implantare ionic, 199

cantitatea de impuriti poate fi mai exact controlat i se asigur un grad ridicat de uniformitate pe suprafaa plachetei, precum i o delimitare mai strict a zonelor impurificate. Printr-o difuzie dubl, se realizeaz un canal mai ngust dect printr-o difuzie simpl i prin aceasta, se obin performane superioare. n fig. 9.4b, este reprezentat un tranzistor unipolar cu grila jonciune de tip Schottky, conducia electric efectundu-se ntr-un strat implantat cu sulf. Metalizarea sursei i drenei, este efectuat cu aliaj din aur i germaniu, pentru realizarea jonciunilor Schottky.

Fig. 9.4 S tru c tur i d e tr an z is to ar e cu ef ec t de c mp , r ea liz a te n tehno log ie p lanar : ( a) cu grila jon c iune i canal n ; (b) Scho ttk y cu gr ila jonciune; (b) cu gr il i z o la t i canal n indus; (d ) cu gril izolat i canal n in iial. 1 aliaj aur-g erma n iu ; 2 alu min iu ; 3 strat imp lan ta t cu su lf ; 4 str a t izolator.

Tranzistoarele unipolare cu gril izolat, pot fi considerate tranzistoare de suprafa, ntruct conducia electric are loc ntr-un canal sau strat de inversie extrem de subire. Dac stratul izolator pe care este depus grila, este din bioxid de siliciu, tranzistorul este de tip MOS (metal oxid - semiconductor), sau de tip MIS (metal izolator - semiconductor), dac se utilizeaz un alt material izolator. n structura reprezentat n fig. 9.4c, grila acoper o parte din regiunile sursei i drenei, pentru realizarea canalului ntre surs i dren. Capacitatea ntre dren i gril este astfel n mod nedorit, crescut. Acest dezavantaj, este nlturat n structura cu canal iniial din fig. 9.4d, dar prin tranzistor va circula un curent apreciabil chiar i atunci cnd tensiunea dintre gril i surs este nul, spre deosebire de tranzistorul unipolar cu canal indus. Structurile cu gril izolat, funcioneaz n regim de mbogire a canalului, n timp ce structurile cu gril jonciune funcioneaz prin srcirea regiunilor de sarcin spaial. Datorit impendanelor de intrare foarte ridicate, pe grila structurilor MOS sau MIS se pot acumula sarcini electrice, care pot determina deteriorarea tranzistorului prin strpungere. Pentru protejarea grilei, acesta se conecteaz constructiv la substrat, prin intermediul unei diode Zener. De asemenea sursa poate fi conectat constructiv la substrat.

200

Structurile prezentate ale tranzistoarelor unipolare sunt structuri orizontale, ntruct conducia electric are loc pe direcii paralele cu suprafeele dispozitivului. Pentru tranzistoarele MOS de putere se utilizeaz structuri verticale de tip celular. O astfel de structur cu canal dublu implantat este reprezentat n fig. 9.5.

Fig. 9.5 Stru ctura de tip celu lar a unu i tr an zistor un ipo lar d e pu ter e cu canal n : 1 me talizri; 2 b iox id d e siliciu ; 3 siliciu po licristalin; 4 strat ep itax ial.

Grila este realizat din siliciu policristalin i este ngropat ntr-un strat izolator din bioxid de siliciu. Prin metalizarea sursei cu aluminiu, se realizeaz un scurt circuit ntre regiunile p i n + , conectndu-se astfel baza la emitorul tranzistorului bipolar parazit, pentru a preveni comutarea tranzistorului n regim dinamic, iar jonciunea parazit baza colector este polarizat invers. Un numr de cteva mii de astfel de celule sunt conectate n paralel. Construcia vertical asigur o utilizare optim a suprafeei plachetei, o bun disipare de putere i tensiuni de strpungere ridicate. Implantarea dubl, cu o lungime a canalului extrem de redus, asigur viteze foarte mari de cretere a curentului.

Fig. 9.6 Stru ctura dub lu dop at a unu i tr an zistor HEMT de pu ter e.

Heterostructura unui tranzistor unipolar de putere cu Al In As Ga In As, cu nalt mobilitate a electronilor, este reprezentat n fig. 9.6.

201

Tranzistorul HEMT este realizat pe o structur dublu dopat, pentru mrirea densitii superficiale a electronilor n canal. Seciunea grilei este de forma literei T, cu amprenta de 0,2m si lungimea de 800m , iar nlimea tranzistorului, este de 100 m . Mobilitatea gazului electronic bidimensional din

canal, depete valoarea: n = 10000cm 2 / Vs , fiind cu un ordin de mrime mai mare dect mobilitatea electronilor din dispozitivele semiconductoare prezentate anterior. Mobilitile mari ale gazului electronic din canal, se obin prin controlul riguros al interfeelor canalului cu straturile vecine. Frecvena limit superioar de funcionare a tranzistoarelor HEMT depete valoarea de 100GHz. Cu astfel de tranzistoare se pot realiza circuite amplificatoare, sau oscilatoare n banda de frecven W. n fig. 9.7 sunt reprezentate structurile unor tranzistoare cu efect de cmp cu siliciu i nitrit de galiu.

Fig. 9.7 Tran zisto are cu efect de cmp cu siliciu (a) i n itr it d e g a liu (b ) n st r i d e conducie (ON) i d e b lo c are (OF F).

ntr-un tranzistor cu efect de cmp, semnalul de tensiune aplicat pe gril comand fluxul de sarcini electrice ntre surs i dren. Modificrile mici ale tensiunii pe gril sunt astfel amplificate, determinnd modificri mult mai mari ale curentului, ntr-un circuit exterior conectat ntre surs i dren. n tranzistoarele cu efect de cmp realizate cu nitrit de galiu i nitrit de aluminiu i galiu, exist n mod natural regiuni puternic polarizate cu sarcini electrice n stratul de nitrit de aluminiu i galiu de sub surs, gril i dren. ntr-un tranzistor cu efect de cmp cu siliciu, purttorii de sarcin trebuie atrai printr-o tensiune pozitiv aplicat grilei, iar n absena acestei tensiuni, tranzistorul este blocat n stare normal. n tranzistorul cu efect de cmp cu nitrit de galiu, la limita dintre stratul din nitrit de aluminiu i galiu, crescut peste stratul de nitrit de galiu, apare o heterojonciune HJ. Stratul de sarcini pozitive de la marginea de jos a nitritului de aluminiu i galiu, determin apariia unui strat complementar, format din electroni mobili, n stratul de nitrit de galiu. Electronii mobili din stratul complementar formeaz gazul electronic bidimensional (2DEG), care

202

exist n mod natural. O tensiune negativ aplicat grilei, interfer cu acest strat, oprind curgerea curentului. Dac starea normal a tranzistorului cu efect de cmp cu siliciu, este blocat (OFF), n absena unei tensiuni pozitive aplicat grilei, starea normal a tranzistorului cu efect de cmp cu nitrit de galiu, este starea de conducie (ON), cu condiia ca s fie aplicat o tensiune ntre dren i surs. Din punct de vedere constructiv, grila trebuie s aib o geometrie lung, (pentru puteri mari) i ngust, (pentru frecvene mari). Pentru grile nguste, timpul de tranzit al electronilor este micorat, iar lungimea grilei este limitat de degradarea semnalului dintr-o latur la alta a grilei. Pentru frecvene de 10 GHz, s-au realizat tranzistoare cu efect de cmp cu nitrit de galiu cu densiti de putere pe unitatea de lungime a grilei, de 10 W/mm, valoare care este atins doar de un numr redus de tranzistoare cu galiu arsen, care nu depesc, n general, valoarea de 1 W/mm la 10GHz, n timp ce tranzistoarele ordinare cu siliciu amplific eficient semnalul electric pn la frecvene de 2 3 GHz.
9.5 Dispozitive multijonciune

n figura multijonciune.

9.8

sunt

reprezentate I

cteva

dispozitive

semiconductoare

Fig. 9.8 Stru ctur i d e d ispozitiv e semico ndu ctoare mu ltijonciune: tir istor dub lu d ifu zat ( a) i aliat d ifu zat (b) ; tr iac (c) i d iac (d) 1 d is c d in mo libden ; 2 me ta lizr i; 3 a liaj a ur-n iche l; 4 b iox id de siliciu.

Caracteristicile tensiune curent ale dispozitivelor semiconductoare multijonciune, prezint poriuni cu panta (sau rezistena) negativ, permind astfel comutarea din starea local n starea conductoare, prin injectarea unui curent n electrodul poart (fig. 9.8a,b). Tranziia din stare conductoare n stare blocat, se efectueaz prin inversarea tensiunii aplicate ntre anod i catod. Curenii prin tiristor, au valori mult mai ridicate dect curenii prin poart, iar tensiunea invers ntre catod si anod este de asemenea ridicat. Tiristoarele cu blocare pe poart (GTO), prezint i posibilitatea tranziiei din starea conductoare n starea blocat, prin aplicarea unei tensiuni corespunztoare pe
203

poart. Pentru blocarea tiristoarelor cu blocare asistat pe poart (GATT), se inverseaz mai nti tensiunea anod catod, iar apoi se aplic semnal pe poart. n tiristoare, puterea este disipat pe jonciunea corespunztoare anodului, iar anodul este n contact electric i termic cu ambaza sau carcasa metalic, care se monteaz pe un radiator. Triacul i diacul se pot considera ca fiind formate din dou tiristoare, respectiv diode, conectate prin construcie n opoziie (fig. 9.7c,d). Dispozitivele semiconductoare multijonciune sunt utilizate frecvent pentru controlul i comanda curenilor alternativi industriali, dar nu au aplicaii i n circuitele electronice de puteri reduse.
9.6 Dispozitive optoelectronice

n fig 9.9 sunt reprezentate cteva structuri uzuale de dispozitive semiconductoare optoelectronice.

Fig. 9.9 Stru ctur i d e d ispozitiv e semico ndu ctoare op toelectron ice: fo tod iod a d ifu zan t (a) ; fo to tr an zistor (b) ; d ioda emisiv ( c) i c e lu l a f o to e le c tr i c (d). 1 b ioxid d e siliciu; 2 electrod d in aur ; 3 me talizr i; 4 e le c trod tr an spar en t.

Dispozitivele semiconductoare optoelectronice realizeaz conversia fluxului luminos incident V , n curent sau tensiune electric, prin efect fotoelectric intern, sau funcioneaz pe baza procesului de emisie a radiaiei luminoase atunci cnd se aplic materialului semiconductor un cmp electric, sau este parcurs de un curent electric. Din prima categorie fac parte fotodiodele, fototranzistorii i celulele fotoelectrice. Pentru realizarea conversiei, este necesar s se aplice fotodiodelor sau fototranzistoarelor, o tensiune electric, n timp ce n celula fotoelectric conversia se face direct. Fluxul incident V , genereaz perechi electron gol, care se deplaseaz spre electrozi datorit existenei cmpului intern E, din zona de sarcin spaial a jonciunii. Tensiunea care apare la electrozii fotocelulei, este rezultatul acumulrilor de sarcini electrice pe electrozi i este n raport direct cu iluminarea suprafeei expuse fluxului luminos. Pentru obinerea unui randament ridicat al conversiei ntr-un domeniu larg de lungimi de und, celulele fotoelectrice se realizeaz din mai multe jonciuni suprapuse. Jonciunea colector baz a fototranzistoarelor, se polarizeaz invers,

204

la fel ca i la diodele emisive, jonciunea emitor baz fiind polarizat direct sau nepolarizat. Electronii generai prin efect fotoelectric, se deplaseaz spre colector, iar golurile se deplaseaz spre baz i ncarc baza cu sarcin electric pozitiv, polariznd direct baza, ceea ce determin injecia electronilor din emitor n baz. Curentul de injecie la emitor, dureaz att timp ct golurile generate din baz se recombin sau difuzeaz prin jonciunea emitor-baz. Un senzor corespunztor unui pixel, pentru cele trei culori considerate fundamentale n sistemele de prelucrare digital a imaginii i de televiziune, este reprezentat n fig. 9.10.

n p n p
Fig . 9.10 S en zo r d if u z at p en tr u c e le tr e i cu lor i f u n d a me n ta le : 1 dren d e tip n s lab dop a t ; 2 str a t d e tip p, c o le c to r n s p e c tr u l a lb a s tr u ; 3 s tr a t d e t ip n , co l ec to r n s pe c tru l v erd e ; 4 sub str a t d e tip p , co lec tor n sp ec tru l ro u.

Senzorul este format din trei straturi cu absorbie a radiailor n spectrele: albastru, verse i rou. Radiaiile cu frecven i energii mai ridicate din spectrul albastru, sunt absorbite de primul strat, n timp ce radiaiile din spectrul verde sau rou cu frecvene i energii mai reduse trec prin primul strat colector, pentru c energiile acestor radiaii sunt insuficiente pentru a produce tranziia electronilor din banda de valen n banda de conducie, prin escaladarea benzii interzise. Analog se produce absorbia radiaiilor din spectrul verde n stratul colector plasat sub primul strat colector, iar n substrat sunt absorbite radiaiile din spectrul rou, care au frecvenele i energiile cele mai sczute din spectrul vizibil i care traverseaz primele dou straturi. Acest tip de senzor mbuntete sensibil rezoluia i contrastul imaginilor captate. Structura diodei fotoemisive din fig. 9.9c, este alctuit dintr-un substrat semiconductor opac i un strat optic activ, dopat cu zinc situat la suprafaa de emisie. n domeniul infrarou se utilizeaz GaAs, in rou galben GaAsP, n rou GaPZn, n verde galben GaPN, iar n albastru ZnSe. Nitritul de galiu se utilizeaz pentru emisia n toate culorile spectrului, inclusiv pentru lumina alb. Procesele care au loc ntr-o diod fotoemisiv i o diod LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation), nu difer n mod esenial. Dioda fotoemisiv poate fi considerat o diod LASER de calitate inferioar, iar dioda LASER poate fi considerat drept o diod emisiv de foarte bun calitate. n general, un LASER este format din trei elemente importante: un mediu activ, o

205

surs de pompaj i o cavitate rezonant (fig. 9.11a). Sursa de pompaj pentru un mediu semiconductor, poate fi o surs optic (pompaj optic), un fascicul de electroni sau un curent printr-o jonciune p n. Cavitatea rezonant nu este neaprat necesar. Rolul cavitii const n scurtarea LASER-ului din punct de vedere constructiv i n stabilirea profilului modului electromagnetic.

(e)

Fig 9.11 Reprezen tarea simp lificat a unu i LASER (a), a cav it ii r ezonan te (b), a h e terojon ciun ii dub le cu d istr ibu ia cmp u lui op tic ( c), a modu lu i ele c tro ma gn etic tr ansv ers a l d e o rd inu l z ero (d) i a d iod ei LA SER cu emisia n lungu l jon ciuni i ( e) .

n cavitatea rezonant, undele electromagnetice se rentorc n punctul de plecare dup dou reflexii pe cele dou suprafee ale cavitii. Datorit surselor de pompaj i mediului activ n care se propag, ctigul este mai mare sau egal cu pierderile, iar undele electromagnetice ajung n punctele de plecare cel puin cu aceeai intensitate cu care au plecat. Ctigul din jonciunea semiconductoare puternic dopat, este foarte mare i este generat prin inversie de populaie ntre benzile de conducie i de valen ale semiconductorului . Coerena se obine prin amplificarea acelor unde, care formeaz unde staionare n cavitate. Lungimea cavitii trebuie s fie egal cu un numr ntreg de jumti de lungimi de und, pentru a obine unde staionare n cavitate. Multiplii ntregi ai jumtilor de lungimi de und, se numesc modurile longitudinale ale cavitii. Desigur c exist o infinitate de lungimi de und, care satisfac condiia ca lungimea cavitii s fie un multiplu ntreg al jumtii de lungime de und, dar numai un numr
206

finit de unde formeaz unde staionare n cavitate, iar acest numr (1000 2000), depinde de cavitatea LASER-ului. Aceste lungimi de und sunt centrate simetric pe lungimea de und a radiaiei cu amplificarea maxim n cavitate. Spotul de ieire al fasciculului LASER, este denumit modul electromagnetic transversal (TEM). n majoritatea LASER-elor, modul transversal este de ordinul zero i este un spot de form rotund i cu un profil Gaussian al cmpului optic n seciune transversal (fig. 9.11d). Spotul de ieire al unei diode LASER cu emisie a radiaiei n lungul jonciunii, nu este rotund ci tinde s devin eliptic, iar divergena tinde s devin larg (fig 9.11e). Radiaia electromagnetic se propag ntr-o diod LASER ntr-un mod puin diferit n comparaie cu dioda fotoemisiv. ntr-o diod fotoemisiv, care se polarizeaz invers, fotonii emii pot fi modelai ca entiti independente, care se propag n structur la fel ca i nite raze. n dioda LASER, care se polarizeaz direct, fotonii se modeleaz ca nite entiti colective, care traverseaz structura ntr-o manier confinat (ghidat i focalizat) de-a lungul jonciunii p-n, parcurs de curent. n fig. 9.11c este reprezentat o heterojoniune dubl i undele staionare cu un singur maxim (modul 0) i cu dou maxime (modul 1), ale cmpului optic din cavitatea rezonant. Straturile care formeaz cavitatea, au indici de refracie diferii, favoriznd astfel reflexia undelor electromagnetice. n fig. 9.11d este reprezentat modul n care este reflectat i ghidat (confinat) radiaia electromagnetic, n lungul jonciunii, atunci cnd unghiul de inciden , este mai mic dect un unghi limit, care este o funcie de indici de refracie n1 i n 2 ai straturilor semiconductoare i pentru care reflexia este total. Unda electromagnetic poate fi descris ca o und plan, care se propag n direcia ghidului, cu care face unghiurile: , suferind reflexii totale la marginile ghidului i formeaz unde staionare n direcie perpendicular pe axa ghidului. Prin modificarea mrimilor i d se pot obine mai multe moduri transversale. Densitatea curentului de prag de la care ncepe emisia stimulat a radiaiei, pentru heterojoniunea de galiu arsen din fig. 9.11c, are valoarea de ordinul a 500 A/ cm 2 , fiind mult mai sczut dect pentru heterojoniunea simpl (7000 A/ cm 2 ) sau pentru jonciunea p-n (40000 A/ cm 2 ) de galiu arsen. Suprafaa emergent a diodei LASER din fig. 9.11e, transmite 95% din radiaia incident, iar suprafaa opus transmite 5% din radiaia incident spre o fotodiod conectat n circuitul de reglaj i stabilizare a curentului prin dioda LASER. Reflexia diferit a celor dou suprafee laterale opuse ale jonciunii poate fi obinut cu inserii prin clivare. Funcionarea diodei semiconductoare LASER, reprezentat n fig. 9.12, se bazeaz pe reflexia Bragg n cristale. Pachetul de straturi reflectorizante este format din perechi Bragg de straturi cu grosimi, compoziii i indici de refracie diferii. Oglinda Bragg este un reflector distribuit. n apropierea lungimii de und Bragg, cuplajul ntre unda direct i cea reflectat, este foarte puternic. Emisia mono-mod este liniar polarizat, direcia de polarizare diferind de la un exemplar la altul, iar divergena fasciculului emis, este redus. Prin implantare cu protoni se reduce dispersia curentului care stimuleaz emisia LASER, ntruct rezistivitatea semiconductorului n zona implantat, este crescut. Lungimea de und a emisiei LASER, este = 0.85m , n spectrul infrarou.

207

Fig . 9.12 S tru c tur a un ei d iod e LASE R cu c av ita te ver tic a l i e mi s i e d e supraf a . Gro s imile straturilor sunt n m .

Diodele LASER cu emisie re suprafa, prezint avantajul obinerii unui fascicul emis cu seciune circular, iar diametrul spotului se poate modifica constructiv, modificndu-se n acelai raport, puterea consumat.
9.7. Limitri in utilizarea dispozitivelor semiconductoare 9.7.1 Limitri de tensiune [Ct]

Strpungerea electric a unei jonciuni semiconductoare polarizate invers este de trei tipuri: strpungere prin tunelare, n avalan i prin patrundere.

208

Fig.9.13 . Concentraiile de impuritai i cmpurile electrice associate, pentru jonciuni abrupte (a) si gradate (b); dependena cmpului de strpungere invers a jonciunii, de concentraiile de impuritai ale substratului de siliciu dopat uniform (c). Strpungerea prin patrundere a unei jonciuni (d). Strpungerea prin tunelare, sau Zener corespunde tranziiei electronilor din banda de valena in banda de conducie, in prezena unui cmp electric exterior intens, ce depete o valoare critic: E c r 100 V/ m. Acest tip de strpungere apare in jonciuni cu dopri puternice: N S = 10 2 0 cm - 3 , profil abrupt i zone de tranziie ale jonciunii foarte inguste (0,01 m)(fig. 9.13a). Pentru concentraii superficiale de inpuriti N S cu mult superioare si de tip opus impuritilor din placheta semiconductoare dopat uniform cu impuriti cu concentraie N B , limea w a zonei de tranziie sau de sarcina spaial, se determin in funcie de tensiunea invers U i n v ,aplicat jonciunii cu relaia. U inv , (9.1) eN B unde: e, este sarcina electronului, iar tensiunea de strpungere are expresia:

w=

0 , r

(9.2) 2eN B Cu creterea numrului de impuritai N B , coeficientul K a corespunzator jonciunii cu profil abrupt, se micsoreaz i, de asemenea, scade si tensiunea de strpungere. Strpungerea n avalan corespunde procesului de ionizare i apare in jonciuni slab dopate, cu profil gradat de impuriti (fig. 9.13b). In prezena unui camp electric exterior, perechile electron-gol generate termic, obin ntre dou ciocniri successive, energii suficient de ridicate, pentru a provoca ruperea unei legturi covalente, genernd o nou pereche electron-gol. Cmpul critic pentru strpungerea n avalan, corespunztor unor dopri reduse, este E c r 10 V/ m si depinde de materialul semiconductor. Laimea zonei de tranziie a jonciunii sau de sarcin spaial, este:

U str =

0 r

2 E cr

2 = K a E cr ,

209

eN ( x) iar tensiunea de strpungere are expresia: U strap =

w=

12 0 r, U ing

(9.3)

, 3 32 0 r M cr 1, (9.4) K g Ecr5 , 9eN ( x) Cu ct gradientul de concentraie N(x) este mai redus, cu att este mai redus coeficientul k g corespunztor jonciunii cu profil gradat i, de asemenea, tensiunea de strpungere este mai redus.O jonciune cu o modificare mai redus a concentraiei de impuritati in zona de tranzitie a jonciunii, are - pentru acelai cmp critic o tensiune de strpungere invers mai ridicat. Pentru dopri medii, apar ambele tipuri de strpungere (fig. 9.13c). Suprafeele curbate ale jonciunilor difuzate favorizeaz strpungerea, datorit gradului crescut de neuniformitate al cmpului electric. Prin decupare lateral (fig.9.13a) sau metalizarea stratului de oxid (fig. 9.13b) se elimin acest incovenient. Reducerea cmpului sau mrirea tensiunii de strpungere, se poate realiza si prin introducerea unui inel de gard conectat la un potenial convenabil (fig. 9.13c). Acest procedeu, se utilizeaza frecvent la structuri de tip metal semiconductor sau Schottky. Strpungerea prin ptrundere (fig. 9.13b), apare in jonciuni cu lime w n ,exagerat de redus. Cu cresterea tensiunii inverse, zona haurat de sarcina spaial, va ajunge sa se extind pe toata lungimea w n i s ating contactul metalic, nainte ca intensitatea cmpului electric-n regiunea spaial s ajung la o valoare critic.(fig.9.13d) In momentul atingerii contactului metalic, curentul invers prin jonciune va crete brusc. Proiectarea dispozitivului semiconductor se efectueaz astfel, nct strpungerea prin avalan s apar naintea strpungerii prin ptrundere, obiectiv care se poate realiza prin dopare slab i grosimi ale structurii suficient de mari.

Fig. 9.14 Procedee constructive de micorare a tensiunii de strpungere invers a jonciunii semiconductoare, prin decupare lateral (a) , metalizarea stratului de bioxid de siliciu (b) i introducerea unui inel de gard (c) La structurile unipolare de tip MOS, datorit rezistenei foarte mari de intrare, pe grila se pot acumula sarcini electrice, care pot conduce la deteriorarea dispozitivului prin strpungere. Protejarea dispozitivului se efectueaz prin conectarea in paralel a unei diode Zener,a crei tensiune de deschidere este superioar tensiunii aplicate dispozitivului la funcionare normal. 9.7.2 Limitari de current Pentru o jonciune semiconductoare polarizat direct, la injecii mari de current, se constat o comportare rezistiv determinat de rezistena zonelor neutre ale jonciunii. In figura 9.15 sunt reprezentate dou structuri de transistor, n care apare efectul de limitare a curentului prin aglomerare, la periferia emitorului. 210

F ig . 9 .15 Ef ec tu l de ag lo me r er e a cur en tu lu i pen tru o s tructur a l i a t ( a) p + =10 1 9 c m - 3 ; s i d if u z a t (b) d e tr anz is to r cu con ce n tra i i d e imp ur i t a i: n,p =10 1 6 c m - 3 ; ++ 21 -3 n =10 c m .

Curentul bazei circul pe o direcie perpendicular pe direcia curentului de colector. Tensiunea emitor-baz corespunztoare periferiei emitorului, este inferioar tensiunii emitor-baz corespunztoare zonei centrale a emitorului. n consecina apare efectul de aglomerare a curentului la periferia emitorului. Pentru evitarea acestui inconvenient, regiunea emitorului se realizeaz constructiv astfel nct pentru o suprafa a emitorului precizat prin dimensiunile dispozitivului, suprafaa lateral a jonciunii emitor-baz sa fie ct mai ridicat. Acest obiectiv poate fi atins de exemplu printr-o geometrie de tip stelat, sau interdigital a tranzistorului. 9.7.3. Limitri termice [Ct] Temperatura maxim de funcionare a unui dispozitiv semiconductor cu siliciu este cuprins ntre 150 o C 200 o C. Pentru evitarea depirii temperaturii maxime admise, dispozitivul semiconductor se realizeaz constructiv atunci cnd este cazul, astfel nct s permit ataarea unui radiator, care s preia cldura de la dispozitivul semiconductor i s o transmit prin convecie, sau radiaie spre mediul ambient. Rezistena termic ntre jonciune i mediul ambiant exterior, are expresia: j amb RT ja = , (9.5) Pd unde: j si a m b , sunt temperaturile jonciunii i mediului ambient, iar P d este puterea disipat pe jonciune. Aceast rezisten termic - de valoare ridicat, se poate micora prin ataarea unui radiator. n aceasta situaie, schema echivalent a transmisiei de energie termic, este reprezentat n figura 9.16

211

Fig. 9.16 Modelul electric al transferului de energie termica de la jonciune spre mediul ambiant.

Dispozitivul semiconductor se realizeaz constructiv astfel nct temperatura capsulei C , s fie ct mai apropiat de temperatura jonciunii, sau rezistena termic intre jonciune i capsul RT jc , s fie ct mai redus. n cazul tranzistoarelor, puterea se disip cu preponderen pe jonciunea baz-colector, iar colectorul este in contact direct cu capsula tranzisorului. Rezistena ntre capsul i radiator RTcr , se micoreaz prin realizarea unui contact ntre capsul si radiator pe o suprafa extins, care sa permit transferul de energie termic. Se introduce vaselin siliconic ntre radiator i capsul, pentru eliminarea interstiiilor izolate de aer. Pentru reducerea rezistenei ntre radiator i mediul ambiant RTra , radiatorul se execut din aluminiu profilat, astfel nct suprafaa efectiv expus mediului s fie crescut, favoriznd schimbul de cldur cu mediul ambient, prin convecie, iar eloxarea in culoare neagr a aluminiului, favorizeaz transmisia energiei termice prin radiaie. Puterea disipat pe jonciune variaz n timp i din acest motiv, n schema echivalent a transmisiei de energie termic, se introduc capacitile termice ntre jonciune i capsul CT jc , capsul i radiator CTcr , radiator i mediul ambiant

CTra : CT jc < CTcr < CTra . Constanta de timp R T C T , crete din zona activ a
jonciunii spre radiator, cu cteva ordine de mrime. Prin realizarea unor capaciti termice mai mari n zona activ a structurii, impulsurile de putere cu care poate fi ncrcat dispozitivul se mresc sensibil, dar cresc i dimensiunile dispozitivului. 9.7.4. Limitri de frecven [Ct] Limitele superioare ale intervalului de frecvent n care poate fi utilizat dispozitivul semiconductor, sunt determinate de structura acestuia i de prezena inevitabil a capacitilor si inductivitilor parazite. Frecvena superioar se poate mri in principal, prin micorarea capacitii jonciunii semiconductoare C j . La polarizare direct a jonciunii semiconductoare, se manifest cu preponderen capacitatea de difuzie C d . Transferul de sarcin electric, prin intermediul purttorilor de sarcin majoritari, are loc concomitent cu apariia unor sarcini electrice distribuite spaial pe cele dou fee ale jonciunii, formate din purttori de sarcin minoritari in exces, i care se asociaz prezenei capaciti de difuzie: U (9.6) C d = C d0 exp U , T unde: C d0 , este capacitatea de difuzie n absena unei tensiuni U, aplicate jonciunii, iar U T = kT/e este tensiunea termic. Capacitatea de difuzie are valori cuprinse ntre zeci de pF pn la zeci de F. Pentru polarizare invers (U<0), capacitatea de barier scade exponenial cu tensiunea aplicat (fig. 9.7.5a). Capacitatea de difuzie se poate exprima n funcie de timpul de via , al purttorilor minoritari in exces: (9.7) Cd = gd, di unde g = este conductana diferenial. du

212

Capacitatea de difuzie se micoreaz prin reducerea timpului de via a purttorilor minoritari de sarcin. In acest sens, se utilizeaz ca material semiconductor arseniurea de galiu GaAs, sau se creeaz n structura dispozitivului dislocaii, care au ca efect nedorit micorarea tensiunii de strpungere a jonciunii(vezi anexa 5.1). Limitele care apar datorit capacitii de difuzie pot fi evideniate prin utilizarea structurilor metal- semiconductor sau Schottky, n care curentul electric este constituit exclusiv din purttori de sarcina majoritari. Capacitatea de bariera devine important la polarizarea invers a jonciunii semiconductoare si depinde de nlimea barierei de potenial U d ct si de tensiunea invers aplicat jonciunii. O relaie aproximativ este: Ub (9.8) C b = C b0 Ub U unde: C b0 este capacitatea de barier in absena unei tensiuni U, aplicate jonciunii. La polarizare direct, bariera de potenial se micoreaz dar nu dispare in totalitate, ceea ce ar fi echivalent cu dispariia jonciunii semiconductoare. Prin urmare, tensiunea aplicat diodei polarizate direct nu poate depi valoarea corespunztoare barierei de potenial. Tensiunea invers este limitat superior doar de apariia strpungerii jonciunii. Cu creterea tensiunii inverse, capacitatea de barier se micoreaz.

Fig . 9.17 Depend en a ca pa c it ilo r d e d ifu z ie i b ar ier a de te ns iun e ap lic a t ( a) i s tr u c tu r a c u cap a ci t a te d e b ar ie r r edu s (b)

Legea de variaie a capacitii de barier in funcie de tensiunea invers aplicat, este determinat de profilul concentraiei de impuriti din vecintatea jonciunii. Capacitatea de barier maxim este de ordinul zecilor de pF (fig. 9.17a).Capacitatea de barier se poate exprima in funcie de suprafaa jonciunii S i limea efectiv w, a zonei de sarcin spaial: 0 r' S Cb = . (9.9) w Conform relaiei (9.7.9), capacitatea de barier se poate micora prin utilizarea materialelor semiconductoare cu permitivitate sczut, sau cu suprafaa redus a jonciunii. n figura 9.7.5b este reprezentata o astfel de structur de tip platou nalt, n care rezistena serie n sens direct a diodei semiconductoare s-a micorat printr-o dopare suplimentar de tip n + . Frecvena limit superioara de funcionare a unui tranzistor, este determinat de timpul de tranzit al purttorilor minoritari n baz, precum i de

213

valoarea rezistenei distribuite a bazei tranzistorului. Timpul de tranzit poate fi descris prin relaia: w t tr B , (9.10) 2 DB unde: w B , este limea efectiv a bazei, iar D B este constanta de difuzie a purttorilor minoritari prin baz. Timpul de tranzit se micoreaz prin reducerea grosimii bazei, evitnd ns posibilitatea strpungerii prin ptrundere. Prin utilizarea arseniurii de Ga, in care electronii au mobilitate ridicat, timpul de tranzit se micoreaz datorit reducerii constantei de difuzie. De asemenea, timpul de tranzit se poate reduce prin utilizarea unei structuri drift, care se realizeaz printr-o dubl difuzie a bazei, astfel nct concentraia de impuriti nu mai este uniform i determin apariia unui cmp electric intern, sau imprimat. Cmpul intern favorizeaz difuzia purttorilor minoritari prin baz i reduce timpul de tranzit cu un ordin de mrime.
9.8. ntrebri

1. Descriei structurile i proprietile diodelor: planar epitaxial, shottky i varicap; 2. Descriei structurile tranzistoarelor: planar epitaxialdifuzat i dublu implantat i precizai diferenele care apar n funcionarea acestora. 3. Descriei structura unui senzor pentru cele trei culori fundamentale i analizai modul de operare al acestuia; 4. Descriei structurile fotodiodei difuzate i ale diodei fotoemisive. 5. Descriei structura unui fototranzistor planar epitaxial, cu comentariul asociat. 6. Descriei structura i performanele unui tranzistor cu efect de cmp, de putere i cu structur hexagonal; 7. Descriei structura i procesele care au loc ntr-un tranzistor HEMT; 8. Descriei modalitatea de realizare a emisiei stimulate ntr-o diod laser; 9. Desriei structura i procesele care au loc ntr-o diod laser cu cavitate longitudinal: 10. Descriei structura i procesele care au loc ntr-o diod laser cu cavitate transversal i emisie de suprafa:

9.9. Anexa Etapele tehnologice de realizare a unui tranzistor bipolar cu performane medii

Studiul plachetelor cu tranzistoare de tip npn, n diferite faze tehnologice se efectueaz cu un microscop, iar plachetele corespunztoare principalelor etape tehnologice n ordinea de fabricaie, sunt: 1. Material iniial: Substrat N * * ; = 0,007 - 0,015 cm; grosime: 350 - 380 m; provenien Wacker.

214

2. Epitaxie: Crescut strat epitaxial: 2,6 cm cu 12 m n proces cu nclzire inductiv prin radiofrecven; surs siliciu: Si Cl 4 ; temperatur 1200 C; mediu: hidrogen; dopant: fosfin. 3. Oxidare iniial: temperatura: 1150 C; oxidare umed utiliznd vapori obinui prin arderea direct a hidrogenului n oxigen (oxidare pyrogenic). 4. Plachet cu ferestrele de baz deschise. Fotogravur (incluznd i plachetele nr.8, 12, 14). Se realizeaz folosind mti de sticl; lac fotosensibil: fotorezist AZ1350 H cu developantul corespunztor; Aliniere - expunere prin proiecie; UV - 200 W; raport proiecie 1:1, atac chimic: oxid n soluie: NH 4 F i HF standard; ndeprtare fotorezist n plasm de oxigen. 5. Predifuzie bor: 950 C; surs: nitrur de bor; mediu: oxigen i azot. 6. Deglazurare: proces pentru nmuiere sticl de bor; se efectueaz termic ( 700 C), n vapori i oxigen. 7. Difuzie bor: 1200 C; cu oxidare; jonciune X B = 2,67 m (U/l = 30); concentraie la suprafa: 8 10 1 8 cm 3 Gauss. 8. Plachet cu ferestrele de emitor deschise. 9. Predifuzie fosfor: 1000 C; mediu: azot i oxigen; surs: POCl 3 , la temperatura camerei. 10. Difuzie fosfor: 1050 C; cu oxidare n vapori; jonciune: W B = 1,07 m; X E = 2,00 m (msurare interferometric); Concentraie: 10 2 1 cm 3 Gauss. 11. Tratament termic; ndeprtare sticl de fosfor: 900 C; mediu: azot cu oxigen. 12. Plachet cu ferestrele de contacte deschise. & 13. Depunere aluminiu; grosime: 10000 A ; msurare cu cristal cuar n timpul procesului; procedeu depunere: evaporare cu fascicol de electroni deflectat la 270 ; energie maxim: 10 kW; aluminiu, 99,999% puritate. 14. Plachet dup masca de interconexiuni. 15. Sinterizare: 550 C; gaz - formare. 16. Lepuire (subiere) mecanic cu alumin: 12 - 15 m pentru grosime sub 250 m, necesar n procesul de trasare. 17. Depunere aur: aur 99,999 %; contact colector; prin evaporare termic n vid. 18. Aliere aur: 400 C; mediu: azot.

215

Capitolul 10. Structuri de circuite integrate


Circuitele integrate sunt realizate n tehnologie planar i pot fi formate dintr-o singur structur semiconductoare: (monolitic), sau din mai multe structuri (fragmentate). Din punct de vedere al funciei de transfer pe care o realizeaz, circuitele integrate sunt liniare, sau analogice i numerice, sau logice. Tehnologiile de fabricare a circuitelor integrate, s-au dezvoltat n multiple variante, dintre care vor fi prezentate doar cteva variante ilustrative, chiar dac nu sunt cele mai evoluate [Ct, Gra], care evideniaz modalitaile de realizare a elementelor de circuit, concomitent cu realizarea dispozitivelor semiconductoare. 10.1. Circuite integrate bipolare 10.1.1. Procesul standard cu strat ngropat Prin tehnologia de fabricaie a circuitelor integrate, se urmrete obinerea unor performane superioare ale tranzistoarelor de tip npn, care reprezint cea mai complex i frecvent ntlnit component de circuit i presupune realizarea pe un substrat de tip n, a unei difuzii localizate de tip n + , urmat de creterea unui strat epitexial de tip n peste substrat. Stratul ngropat n + reduce rezistena serie din colector a tranzistorului. Componentele circuitului integrat sunt izolate ntre ele prin ziduride izolare. n figura 10.1, este reprezentat structura unui tranzistor npn realizat prin difuzie n stratul epitexial crescut peste stratul ngropat n substrat.

Fig . 10.1 S tru c tur a d e tr anz is tor d ifu za t, ca re fa c e p ar te d in tr-un c ir cuit in tegrat.1 - me talizari; 2 b iox id de siliciu ; 3 substrat metalizat

Tranzistorul este de tip lateral sau orizontal, intruct componenta principal a curentului de emitor, este paralel cu suprafaa plachetei semiconductoare. Numai la tranzistorul cu structur vertical, la care colectorul este substratul metalizat, injecia vertical a curentului de emitor, este colectat de colector. Tranzistorul parazit T p , are jonctiune baz-emitor polarizat invers la funcionarea normala a tranzitorului, iar curentul prin dioda parazit D p , este redus. Prin difuzia de tip p + efectuat n zidurile de izolare, se realizeaz pe insula de izolare pe care este format tranzistorul, dou diode conectate n opoziie, care realizeaz o izolaie suplimentar ntre insule. Regiunea emitorului 216

este mai puternic dopat dect regiunea bazei: n + + = 10 2 1 cm - 3 ; p + = 10 1 9 cm - 3 , iar insula situat deasupra stratului ngropat, este mai slab dopat: n = 10 1 6 cm - 3 . Performanele la frecvene ridicate cresc cu micorarea grosimii w, a bazei i a capacitaii parazite Cp. 10.1.2. Elemente de circuit realizate in tehnologia circuitelor integrate bipolare Prin tehnologia planar a circuitelor integrate bipolare se mai pot realiza tranzistoare bipolare de tip pnp, tranzistoare unipolare-cu gril jonciune, diode sau diode Zener, rezistoare sau condensatoare. Tranzistoarele bipolare de tip pnp au performane mai reduse dect cele de tip npn datorit mobilitii mai reduse a golurilor faa de electroni. Canalul tranzisoarelor unipolare cu gril jonciune, se realizeaz in timpul difuziei bazei sau colectorului, canalul fiind de tip p (fig. 10.2a), respectiv n.

Fig. 10.2 Structura de tranzistor unipolar (a) i diode (b) sau diode Zener compensate termic, formate cu tranzistoare bipolare . Diodele sunt realizate prin conectatarea bazei la emitorul unui tranzistor bipolar npn ( fig.10.2b). Tensiunea de strpungere la polarizare invers a jonciunii baz-emitor, este de aproximativ 7V. Coeficientul pozitiv de variaie cu temperatura al tensiunii pe dioda Zener, poate fi compensat prin conectarea in serie a unei diode cu coeficient negativ de variaie al tensiunii cu temperatura (fig. 10.2c). Datorit valorii ridicate a tensiunii de zgomot, diodele Zener se evit in circuitele integrate cu zgomot redus. Rezistoarele sunt realizate fie prin difuzia bazei pentru valori ridicate ale rezistenei baza fiind slab dopat, fie prin difuzia de emitor care este puternic dopat, pentru obinerea unor valori reduse ale rezistenei serie. In fig. 10.3 sunt reprezentate rezistoarele difuzate (a) si de tip baza strangulat(b). ntruct tranzistorul parazit are baza flotant, prin tranzistor circula doar un curent rezidual. Capacitaile parazite ale jonciunilor intervin doar la frecvene ridicate. Rezistorul de tip baza strangulat, are structura identica cu cea a tranzistorului unipolar i n consecin, valoarea rezistenei nu este constant, ntruct caracteristica tensiune curent este neliniara si depinde pronunat de temperatur. 217

Rezistena pe patrat R , este mai ridicat dect la rezistoarele difuzate, pentru c grosimea stratului rezistiv, este: X B X E < X B (vezi anexa), iar LR valoarea rezistenei: R = , este crescut. Rezistoarele de volum, sunt rezisoare l difuzate, care sunt realizate n ntreg volumul stratului epitexial din interiorul unei insule de izolare. Valoarea rezistenei nu depinde de tensiunea aplicat, iar tensiunile de strpungere sunt ridicate. Prin introducerea unor etape suplimentare in procesul tehnologic, se pot realiza rezistoare peliculare cu proprietai net superiore rezistoarelor difuzate. Se utilizeaz pelicule din NiCr, SnO 2 sau Ta, cu grosimi submicrometrice, depuse pe stratul izolator de bioxid de siliciu.

Fig. 10.3 Structura de rezistoare semiconductoare realizate pentru difuzia bazei (a) sau prin difuzia bazei i emitorului (b) . Condensatoarele cu valori relativ reduse ale capacitaii, utilizeaz bioxidul de siliciu ca dielectric. Structura unui astfel de condensator, este reprezentat in fig. 10.4. Grosimea controlata g a bioxidului de siliciu nu poate fi redusa sub valoarea de 0,15m datorit apariiei porilor, iar valoarea capacitaii C depinde de suprafaa armaturii A.

Fig. 10.4 Structura de condensator realizat n tehnologia circuitelor integrate bipolare . Pentru micorarea rezistenei serie R S , stratul in contact cu armatura B se dopeaz puternic. Dac armatura B este incarcat cu sarcin pozitiv fat de substrat, capacitaea parazit C p , este capacitatea de bariera a diodei parazite D p . 218

Pentru realizarea stratului izolator cu grosimea g, este necesar ca n procesul tehnologic sa fie introduse etape suplimentare, care sunt caracteristice realizrii dispozitivelor semiconductoare de tip MOS. 10.2 Circuite integrate MOS Tranzistoarele de tip MOS se caracterizeaz prin valori ridicate ale impedanelor de intrare i puteri consumate relativ reduse. Funcionarea tranzistoarelor de tip MOS, este principial diferit de cea a tranzistoarelor bipolare, iar tehnologia planar de realizare a tranzistoarelor MOS, nu este compatibil cu tehnologia tranzistoarelor bipolare. 10.2.1 Procesul standard p MOS Procesul de fabricaie a tranzistoarelor de tip MOS cu canal p, are faa de procesul n-MOS, avantajul c proprietile de suprafa ale siliciului de tip n, sunt mai stabile dect cele ale siliciului de tip p. Astfel, tensiunea de prag are tolerane reduse i este reproductibil. Planul cristalografic utilizat pentru realizarea tranzistoarelor de suprafaa MOS, este planul [111], cu grad maxim de compactitate, sau [100]. In fig. 10.5. sunt reprezentate etapele tehnologice de realizare a unui tranzistor MOS cu canal p. In etapa I, se depune prin oxidare un strat uniform de bioxid de siliciu pe suprafaa plachetei semiconductoare, tiat dup un plan cristalografic precizat. Printr-un procedeu litografic, similar celui utilizat pentru localizarea zonelor difuzate, se deshid ferestre in stratul de bioxid de siliciu, pentru difuzia borului la o temperatur cuprinsa intre 1000 o C si 1100 o C. n etapa a II-a se difuzeaz bor prin ferestre i se realizeaz regiunile de surs si dren de tip p. n etapa a III-a se acoper structura cu un strat uniform din bioxid de siliciu, care se ndeparteaza n etapa a IV-a, n regiunea grilei, deschizndu-se o fereastr pentru gril sau poart. n etapa a V-a se efectueaz depunerea unei pelicule din bioxid de siliciu, cu grosimea g- strict controlat, peste ntreaga structur . Printr-un procedeu litografic, n etapa a VI-a se deschid ferestre de contact in regiunea sursei si drenei.

Fig. 10.5 Etapele de realizare ale unui transistor cu gril izolat i canal p
indus.

219

n etapa a VII-a se depune o pelicul de aluminiu, prin evaporare n vid, peste ntreaga structur, iar n etapa a VIII-a, pelicula metalica continu este intrerupt, delimitndu-se metalizarile corespunzatoare fiecarui electrod n parte. Circuitele integrate p-MOS cu poarta din aluminium, au puteri disipate relativ ridicate si funcioneaz la frecvene mai scazute dect cele la care electrodul porii este realizat din siliciu policristalin. 10.2.2 Circuite integrate n MOS si c MOS Datorit mobilitaii mari a electronilor, frecvena de funcionare a circuitelor n MOS este de cteva ori mai ridicat dect a circuitelor p MOS. Spre deosebire de circuitele integrate p MOS, circuitele n MOS sunt compatibile cu circuitele integrate logice TTL, tensiunea de alimentare fiind de 5V, identic cu cea a circuitelor logice. Puterea disipata este mult mai redus comparativ cu circuitele p MOS de aceeai complexitate. Circuitele integrate c MOS sunt alcatuite cu tranzistoare MOS cu canal n si cu canal p. Pentru realizarea tranzistoarelor n MOS se introduc etape tehnologice suplimentare in procesul standard p MOS. Circuitele integrate c MOS pot fi realizate pe un suport izolant din safir, pe care se depune epitaxial o pelicul din siliciu, care se dopeaz selectiv in toat grosimea stratului epitaxial. Stratul izolator al grilei, se realizeaz ca i in procesul standard p MOS, iar tranzistoarele cu efect de cmp se pot realiza cu canal n sau p, indus sau iniial. 10.3. Anexa - Rezistena de ptrat Rezistena de ptrat R reprezint rezistena unui strat cu grosimea g de form ptrat i se msoar in ohm/p.(fig.A.9.). Rezistena pe ptrat se poate exprima n funcie de rezistivitatea materialului. Pentru un semiconductor de tip n, rezistena pe ptrat are expresia: 1 1 1 = = = n R= e n N D g e n ng n g g unde: e i n sunt sarcina i mobilitatea electronului, N D =n este concentraia atomilor donori sau electronilor. Rezistena stratului are forma: L R= R I

220

Bibliografie [Bro] [Ct] [Dan] [Das] [Dim] [Dol] [Eas] [Gra] [Kit] [Lai] D. K. Brock, E. K. Track, J. M. Rowell: Superconductor ICS: the 100-GHz second generation, I.E.E.E. Spectrum, December 2000, pg. 40-46. V. M. Ctuneanu, .a.: Materiale pentru electronic, Ed. Did. i Ped., Bucureti, 1982. I. Z. Dandea: The magnetization process of the stripe domain microstructure. Energetic Study, Bul. t. al Univ. Politehnica Timioara, Tom 43 (57) fasc. 1, 1998, pg. 25-40. P. Das: Lasers and Optical Engineering, Springer Verlag, 1991, ISBN 0-387-97108-4. I. Dima, .a.: Materiale i dispozitive semiconductoare, Ed. Did. i Ped., Bucureti, 1980. V. Dolocan: Fizica jonciunilor semiconductoare, Ed. Academiei, Bucureti, 1982. L. F. Eastman, U. K. Mishra: The Thoughest, I.E.E.E. Spectrum, Maz 2000, pg.28-33. P. R. Gray, R. G. Mayer: Circuite integrate analogice, Ed. Tehnic, Buc. 1983. Ch. Kittel: Introducere n fizica corpului solid, Ed. Tehnic, Buc.1983. R. Lai, M. Wojtowics, C. H. Chen, M. Biedenbender, H. C. Yen, D. C. Streit, L. Tan, P. H. Liu: High power 0,15m V-band Pseudomorphic InGaAs-AlGaAs-GaAs HEMT, I.E.E.E. Microwave and Guided Wave Letters, Oct. 1993, vol. 3, nr. 10, pg. 363-365. L. D. Landan, E. M. Lifshitz: Physicalische Zeitschrift, nr. 8/1935, pg. 153. M. Matloulian, A. S. Brown, L. D. Rhodes 20Ghz High Efficiency AlInAs-GaInAs on InP Power HEMT, I.E.E.E. Microwave and Guided Wave Letters, May 1993, vol. 3, nr. 5, pg. 142-144. C. D. Neniescu: Chimie general, Ed. Tehnic, Bucureti, 1963. D. D. Sandu: Electronica fizic, Ed. Academiei, Bucureti, 1973. A. Shima, M.Miyashita, T. Miura, T. Kadowski, N. Hayafujii, M. Aiga, W. Susaki: Uniform and High Power Characteristics of 780nm AlGaAs TQW Laser Diodes Fabricated by Large Scale MOCVD, I.E.E.E. Journal of Quantum Electronics, Jan. 1994, vol. 30, nr. 1, pg. 24-29. R. Stere, .a.: Tranzistorul cu efect de cmp, Ed. Tehnic, Bucureti, 1972. J. P. Zhang, K. Peterman: Beam Propagation Model for Vertical Cavity Surface Emitting Lasers: Threshold Properties, I.E.E.E. Journal of Quantum Electronics, July 1994, vol. 30, nr. 7, pg. 1529-1536.

[Lan] [Mat] [Nen] [San] [Shi]

[Ste] [Zha]