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UNIVERSIDADE TECNOLGICA FEDERAL DO PARAN

COORDENAO DE ELETRNICA - COELE

Apostila didtica:

CURSO DE TECNOLOGIA EM AUTOMAO DE PROCESSOS INDUSTRIAIS

Apostila didtica:

ELETRNICA INDUSTRIAL

Prof. Mrio Lcio da Silva Martins, Me. Eng.

Pato Branco, PR, Brasil


2 Semestre 2006

Professor: Mrio Lcio da Silva Martins Contato: mariolsm@terra.com.br ou mariolsm@gmail.com Ementa da Disciplina Eletrnica Industrial: Chaves semicondutoras de potncia: diodo, transistor, MOSFET, IGBT, SIT, SCR, triac. Acoplamento tico e Galvnico. Circuito de Disparo de Semicondutores de Potncia: TCA 785, UJT. Dissipadores: especificaes.

Contedo da Ementa da Disciplina Eletrnica Industrial: Chaves semicondutoras de potncia: diodo, transistor, MOSFET, IGBT, SIT, SCR, triac. o Introduo Eletrnica Industrial; o Chaves Smicondutoras de Potncia: Diodos: comutao de linha; rpidos; Schottky; Tiristores: SCR; TRIAC; GTO; LASCR; Transistores: BJT; MOSFET; IGBT; SIT; Rels de estado slido: SSR; DIAC; Controle de fase com SCR e TRIAC; Circuitos de Proteo do Gate; Especificaes e teste de chaves semicondutoras Acoplamento tico e Galvnico. o Transformadores de pulso; o Opto-acopladores; Circuito de Disparo de Semicondutores de Potncia: o UJT; o TCA 785; o Exemplos de circuitos de controle de potncia AC; Dissipadores: especificaes o Dissipao Trmica o Determinao da Potncia mdia dissipada; o Circuito trmico em regime permanente; o Circuito trmico em regime transitrio; o Dissipadores e suas especificaes;

Objetivos gerais: Em termos gerais o papel da Eletrnica Industrial processar e controlar a energia eltrica nas mais diversas formas e aplicaes. Isto obtido com a utilizao de

circuitos especiais denominados de "conversores estticos". Estes conversores estticos fazem uso de dispositivos semicondutores para manipular a energia. Portanto, o objetivo principal desta disciplina promover o conhecimento das caractersticas de funcionamento dos dispositivos semicondutores de potncia. Especificar os dispositivos semicondutores de potncia empregados em aplicaes industriais. Alm das caractersticas destes dispositivos tambm sero apresentados os circuitos especiais utilizados para o acionamento, proteo e dimensionamento trmico dos

semicondutores. O conhecimento das caractersticas dos semicondutores e dos elementos que os circundam ser fundamental para capacitao dos alunos para realizao de manuteno corretiva em circuitos de potncia.

Metodologia: Sero ministradas aulas tericas onde o contedo ser exposto de forma descritiva onde as caractersticas gerais e as particularidades de cada tpico sero discutidas. Para que o contedo seja da disciplina seja assimilado de forma mais adequada, alm das aulas tericas, sero ministradas aulas prticas no laboratrio de simulao, onde situaes reais sero invocadas possibilitando ao aluno utilizar o conhecimento adquirido em sala de aula para resolver problemas do dia a dia do engenheiro.

Avaliao: A avaliao se dar de modo continuado, ou seja, alm das duas provas descritivas (com peso 6.0 cada), o aluno ser avaliado em sala de aula atravs de exerccios e de trabalhos envolvendo simulao de circuitos (com peso 4.0 para cada avaliao).

Bibliografia Sugerida: 1. RIBEIRO, Mauricio Eduardo Bernardino - Trad.; LANDER, Cyril W.; Eletronica industrial: teoria e aplicacoes. 2. ed. Sao Paulo: Makron Books do Brasil, c1997. 2. ALMEIDA, J. L. Eletrnica Industrial. So Paulo: Ed. rica, 1985. 3. PALMA, Guilherme Rebouas da. Eletrnica de Potncia. So Paulo, Ed. rica, 1994.

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4. LEITE, Dulio Moreira. Proteo Contra Descargas Atmosfricas. So Paulo: Officina de Mydia Editora. 5. SANCHES, Durval. Eletrnica Industrial montagem. Rio de Janeiro: Ed. Intercincia, 2000. 6. ALMEIDA, J. L. Dispositivos Semicondutores tiristores: controle de potncia em CC e CA. So Paulo: Ed. rica. 7. BASCOP, Ren P. Torrico; PERIN, Arnaldo Jos. O transistor IGBT aplicado em Eletrnica de Potncia. Porto Alegre: Ed. Sagra Luzzato, 1997.

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UNIDADE 1 CHAVES SEMICONDUTORAS DE POTNCIA

Aula 1: 1 Introduo: A maioria dos circuitos empregados na eletrnica industrial faz uso de dispositivos semicondutores que operam como chaves as quais, idealmente, apresentam resistncia infinita quando em estado de bloqueio e, resistncia nula quando no seu estado de conduo. Alm disto, a transio entre os estados de conduo e bloqueio ocorre instantaneamente sem perdas. Embora estas consideraes sejam vlidas e muito teis em muitas situaes e anlises, necessrio para o engenheiro ter uma idia geral sobre os aspectos fsicos dos semicondutores assim como ser capaz de entender o vocabulrio e as no-idealidades que dizem respeito aos fenmenos eltricos destes dispositivos semicondutores. Neste contexto apenas necessrio expor uma descrio qualitativa dos dispositivos semicondutores chaveados e seus mecanismos de funcionamento. At os dias de hoje, grande parte dos dispositivos semicondutores tais como diodos, tiristores e transistores so baseados numa estrutura monocristalina de silcio. 2 Definio de um dispositivo retificador (chave semicondutora de potncia): Dispositivo retificador aquele que permite a circulao de corrente em um nico sentido. Como mostrado no diagrama da Figura 1.

(a)

(b)

Figura 1 - Diagrama de um dispositivo retificador.

3 Estrutura bsica:

Aula 1: Chaves Semicondutoras de Potncia Princpios Bsicos

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A passagem de corrente eltrica em um meio depende da aplicao de um campo eltrico e da existncia de portadores livres (usualmente eltrons) neste meio. Em metais, como o cobre ou a prata, a densidade de portadores livres (eltrons) da ordem de 1023/cm3, enquanto nos materiais isolantes, como o quartzo ou o xido de alumnio, o valor da ordem de 103/cm3. Os chamados semicondutores, como o silcio, tm densidades intermedirias, na faixa de 108 a 1019/cm3. Nos condutores e nos isolantes, tais densidades (portadores livres) so propriedades dos materiais, enquanto nos semicondutores estas podem ser variadas, seja pela adio de impurezas de outros materiais, seja pela aplicao de campos eltricos, irradiao, etc. O material ativo a partir do qual a maioria dos dispositivos retificadores de potncia so construdos o silcio. O Silcio um elemento do Grupo IV da Tabela Peridica e, portanto, possui quatro (4) eltrons na ltima rbita da estrutura atmica (camada ou rbita de valncia). tomos de matrias com quatro eltrons em sua camada mais externa ou ainda molculas com a mesma propriedade, permitem o estabelecimento de ligaes muito estveis, uma vez que o compartilhamento dos eltrons externos pelos tomos vizinhos (ligao covalente), produz um arranjo com 8 eltrons na camada de valncia. Em qualquer temperatura acima do zero absoluto (-273 C ou 0 K), algumas destas ligaes covalentes so rompidas (ionizao trmica), produzindo eltrons livres. O tomo que perde tal eltron se torna positivo. Eventualmente um outro eltron tambm escapa de outra ligao e, atrado pela carga positiva do tomo, preenche a ligao covalente. Desta maneira tem-se uma movimentao relativa da carga positiva, chamada de lacuna, que, na verdade, devido ao deslocamento dos eltrons que saem de suas ligaes covalentes e vo ocupar outras. Esta ionizao trmica, numa estrutura pura de silcio (em equilbrio), gera o mesmo nmero de eltrons e lacunas. Esta estrutura pura dita silcio intrnseco e os eltrons so considerados como portadores de carga. Tanto lacunas quanto eltrons contribuem para conduo, embora as lacunas apresentem menor mobilidade devido ligao covalente. Pares de eltrons-lacunas esto continuamente sendo gerados pela ionizao trmica e, para manter o equilbrio mencionado, os pares gerados anteriormente se desfazem e tornam a se recombinar. A concentrao de portadores se mantm igual e fortemente dependente da temperatura. Para se obter um dispositivo retificador semicondutor necessrio aumentar-se muito o nmero de eltrons e lacunas livres. Isto pode ser obtido atravs da dopagem do silcio. O silcio dopado chamado de

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extrnseco e a medida que a concentrao do elemento dopante aumenta, a condutividade do material resultante tambm aumenta. A. Semicondutores Dopados Se ao Silcio for acrescido (combinado) um elemento do Grupo V (como o fsforo) haver um eltron livre na estrutura do cristal, visto que os elementos do Grupo V possuem cinco eltrons na ltima rbita de sua estrutura atmica. Este eltron livre possibilita um grande aumento na conduo do material. Como o eltron uma carga negativa, o material resultante conhecido como semicondutor do tipo N. Ento um elemento do Grupo V chamado de doador, pois este doa um eltron para aumentar a condutividade. Por outro lado, se o Silcio for combinado com um elemento do Grupo III (como o alumnio ou o boro) com trs (3) eltrons na ltima rbita, surge uma lacuna na estrutura cristalina. Esta lacuna pode receber um eltron livre e, por esta razo, considerada uma carga positiva. O material resultante da juno do Silcio com um elemento do Grupo III conhecido como semicondutor tipo P. Ento o elemento do Grupo III chamado de receptor pois ionizado por uma carga negativa. Em ambos os casos no se tm mais o equilbrio entre eltrons e lacunas, passando a existir um nmero maior de eltrons livres nos materiais dopados com elementos da quinta coluna da tabela peridica, ou de lacunas, caso a dopagem seja com elementos da terceira coluna. Respectivamente, produzem-se os chamados materiais semicondutores tipo N e tipo P. Observa-se, no entanto, que o material permanece eletricamente neutro, uma vez que a quantidade total de eltrons e prtons a mesma. Os eltrons em silcio extrnseco do tipo N e as lacunas em silcio extrnseco do tipo P so chamados de portadores majoritrios, enquanto que as lacunas no silcio extrnseco do tipo N e os eltrons no silcio extrnseco do tipo P so chamados de portadores minoritrios. Em outras palavras, quando a lacuna introduzida pelo boro (Grupo III) captura um eltron livre, tem-se a movimentao da lacuna (silcio extrnseco Tipo P). Neste caso diz-se que as lacunas so os portadores majoritrios, sendo os eltrons os portadores minoritrios. J no material tipo N, a movimentao do eltron excedente deixa o tomo ionizado, o que o faz capturar outro eltron livre. Neste caso os portadores majoritrios so os eltrons, enquanto os minoritrios so as lacunas.

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B. Juno pn A juno pn o local do semicondutor onde as impurezas que so utilizadas para dopar o silcio (dopantes) mudam de p para n. Pode-se dizer que o diodo bipolar gerado na juno pn, que a base de qualquer dispositivo semicondutor. Existem vrios processos que podem ser utilizados para formar uma juno pn, dentre os quais podem ser citar difuso, implantao inica, etc.

(a)

(b)

Figura 2 - Diagrama da juno pn. (a) Grfico da concentrao de dopantes na juno; (b) Corte transversal da juno.

A Figura 2(a) mostra a concentrao de dopantes de acordo com o corte transversal da juno pn mostrado na Figura 2(b), onde NC/CC o perfil de concentrao de impurezas. A Figura 3 mostra quatro instantes de uma juno pn. A Figura 3(a) mostra os dois silcios tipo N e tipo P. A Figura 3(b) mostra a formao da camada de depleo e o fluxo dos doadores ionizados ( ) e dos receptores ionizados ( ). A Figura 3(c) mostra que o fluxo de doadores e receptores chamado de corrente de difuso e possui o sentido do silcio tipo N para o silcio tipo P. A Figura 3(d) mostra que o fluxo de doadores forma uma barreira de potencial onde carga positiva formada pelos doadores ionizados se concentra numa regio prxima a juno no material tipo P, enquanto que carga negativa formada pelos receptores ionizados se concentra numa regio prxima a juno no material tipo N. Estas cargas fazem com que haja um fluxo de lacunas e eltrons exatamente oposto ao fluxo da corrente de difuso. Esta corrente chamada de corrente de fuga. Estes dois fenmenos ocorrem simultaneamente e entram em equilbrio.

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O diodo da Figura 4(a) formado pela juno dos materiais tipo N e tipo P em um nico cristal. Os eltrons livres do material tipo N e as lacunas livres do material tipo P se combinam numa regio denominada de juno que se localiza na fronteira entre os dois materiais. Uma barreira de potencial criada ao longo da juno com um valor que varia de 0,4 a 0,6 V. A regio formada ao longo da barreira de potencial denominada de camada de depleo. Quando a regio p (Anodo) colocada num potencial maior do que o potencial que se encontra a regio n (Catodo), a barreira de potencial ao longo da juno se estreita e a corrente do circuito flui livremente atravs desta, como mostrado na Figura 4(b). Por outro lado, se a regio n (Catodo) colocada num potencial maior do que o potencial que se encontra a regio p (Anodo), a barreira de potencial ao longo da juno se amplia. Isto ocorre porque os eltrons da regio n so atrados para o potencial positivo externo, enquanto que as lacunas da regio p so atradas para o potencial negativo externo. Neste caso a nica corrente que flui uma pequena corrente de fuga.

(a)

(b)

(c)

(d)

Figura 3 - Juno pn. (a) Juno pn com portadores no difusos: doadores ionizados, receptores ionizados, + lacunas e - eltrons; (b) Juno pn com portadores difusos (sentido da corrente de difuso); (c) Juno pn e camada de depleo (barreira de potencial) e sentido da corrente.

Assim, os eltrons so representas pelo smbolo (-), as lacunas pelo smbolo (+), os doadores ionizados por ( ) e os receptores ionizados por ( ). Algumas referncias definem uma regio com grande concentrao de doadores ionizados como n+, analogamente uma regio com grande concentrao de receptores ionizados definida como p -. Ao contrrio, uma regio com muitos eltrons e poucos doadores ionizados

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definida como n

e uma regio com muitas lacunas e poucos receptores ionizados

definida como p+.

(a)

(b)

(c)

Figura 4 - Juno pn. (a) Barreira de potencial e distribuio de cargas; (b) Juno pn diretamente polarizada; (c) Juno pn inversamente polarizada.

C. Controle do tempo de vida e definio do tempo de vida Dois processos bsicos tm sido desenvolvidos para reduzir o tempo de vida dos portadores em dispositivos semicondutores de potncia, so eles: (i) difuso trmica de ouro ou platina; e (ii) bombeamento do silcio com partculas com grande energia, como eltrons e ftons. A principal conseqncia do controle do tempo de vida o aumento da velocidade de chaveamento do semicondutor. O preo pago por esta maior velocidade um aumento na queda de tenso de conduo do dispositivo. O que tempo de vida ? Se o silcio do tipo N irradiado por ftons com energia suficiente para ionizar os eltrons de valncia, pares de eltrons-lacunas so produzidos. Como j existe uma abundncia de eltrons (portadores majoritrios) no silcio do tipo N, o excesso de

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lacunas (portadores minoritrios) de maior importncia. Se a fonte de luz que provoca o bombardeamento por ftons for removida, a constante de tempo associada a recombinao, ou o tempo de decaimento do excesso de portadores minoritrios chamado de tempo de vida dos portadores minoritrios, h. Para o silcio do tipo P exposto a luz, um excesso de portadores minoritrios gerado e, aps a fonte que gera estes portadores em excesso ser removida, o tempo de decaimento associado a este proceso tambm definido como tempo de vida dos portadores minoritrios, e. O tempo de vida dos portadores minoritrios frequentemente chamado de tempo de vida de recombinao.

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