Sunteți pe pagina 1din 31

PROIECT CIA AMPLIFICATOARE AUDIO DE PUTERE

1. Introducere
Am ales ca tema de proiect descrierea principalelor aspecte ale proiectarii amplificatoarelor audio de putere. Se porneste de la o tema de proiectare care stabileste schema bloc a amplificatorului si principalii parametri ai amplificatorului. Tema de proiectare se refera la un amplificator de audiofrecventa de mare putere realizat dintr-un etaj de iesire in clasa B polarizat cu ajutorul etajului pilot care lucreaza in clasa A. Pentru asigurarea unui curent mare de iesire tranzistoarele finale sunt realizate din doua tranzistoare in conexiune darlington. Amplificarea in tensiune si adaptarea cu sursa de semnal de intrare este realizata cu ajutorul etajului de intrare de tip diferential care lucreaza de asemenea in clasa A. Amplificarea globala a amplificatorului este stabilita prin intermediul reactiei negative. Principalii parametri functionali ai amplificatorului audio de putere sunt: P Puterea nominala pe sarcina Ps (W) Rezistenta de sarcina Rs () Rezistenta de intrare Ri (K) Amplificarea in tensiune Av (-) Sursa de alimentare va asigura urmatorii parametri: Curentul maxim I0M (A) Rezistenta de iesire maxima R0M () Tensiunea de alimentare este 220Vac 10%.

Pentru proiectarea etajelor amplificatorului audio de putere a fost utilizat setul de parametri urmator: Nr. 8. PS (W) 50 Amplificator RS() Ri(k ) 6 45 Sursa de alimentare I0M(A) R0M() 4.1 7.2

AV(-) 10

2.

Schema bloc , descrierea functionarii, explicarea blocurilor functionale

Schema bloc a amplificatorului audio de putere este urmatoarea :

Termenul de amplificatory este foarte comun. In general, scopul unui amplificator este de a prelua un semnal de intrare si de a-i creste amplitudinea. Exista multe tipuri diferite de amplificatoare, fiecare cu un anumit scop, insa in acest proiect ma voi referi la amplificatoarele audio de putere. Acestea sunt concepute pentru a prelua un semnal de la o sursa si apoi pentru a-l actiona asupra difuzoarelor. Singurul lucru diferit intre semnalul de intrare si cel de iesire este puterea semnalului. Toate amplificatoarele de putere au o unitate de masura numita watt. O alat unitate de masura pentru amplificatoare este impedanta, care se masoara in ohmi ; cele mai des intalnite impedante sunt de 8 ohmi, 4 ohmi, 2 ohmi. Amplificatoarele moderne folosesc in marea majoritate tranzistoare in loc de tuburi. Tuburile sunt in general dispozitive tensiune mare curent mic, iar tranzistoarele sunt tocmai invers tensiune mica curent mare. Amplificatoarele cu tranzistoare au numeroase avantaje fata de amplificatoarele cu tuburi : sunt mai eficiente, mai mici, nu au nevoie de transformtor audio pentru iesire, iar tranzistoarele nu necesit inlocuirea periodica. Amplificatoarele de putere iau energia necesara pentru amplificarea semnalelor de intrare de la priza de curent la care sunt conectate, insa nici un amplificator nu este eficient 100%, pentru ca o parte din energie de la priza se pierde. Majoritatea energiei pierdute de un amplificator se transforma in caldura, de aceea este foarte important sa se asigure o ventilatie corespunzatoare in jurul echipamentului. Amplificatoarele de putere folosite de DJ au o putere incepand de la 75 watt pe canal pana la 1000 watt pe canal.Trebuie sa fim constienti ca mai multa putere nu inseamna neaparat o amplificare superioara sau un sunet de o calitate mai buna. Un amplificator conceput foarte bine la 200 de watt pe canal poate fi mult mai bun decat un alt amplificatory conceput pentru 500 watt pe canal.

Dupa cum se poate observa si in schema bloc a amplificatorului audio de putere exista cateva blocuri functionale : a) b) c) d) e) etajul de intrare diferential etajul pilot etajul final reactia negativa sursa de alimentare

a) Etajul de intrare diferential Etajul diferential este alcatuit din doua tranzistoare in conexiune EC care lucreaza in clasa A si sunt cuplate diferential. Componentele acestui etaj sunt urmatoarele: Tranzistoarele T1,T2 Rezistentele R6, R8, R9, R11, R31 si D1, R7 Principalele functii ale acestui etaj sunt: Obtinerea unei impedanle de intrare convenabile. Regleaza echilibrarea starii de repaus (in absenta semnalului) a intregului amplificator de putere Permite cuplarea retelei de reactie negativa Dimensionarea componentelor etajului diferential 1. Alegerea tranzistoarelor T1, T2 Tranzistoarele T1, T2 se aleg de tipul BC 178 si se imperecheaza (se sorteaza doua tranzistoare cu caracteristici cat mai apropiate). Aceste tranzistoare au urmatoarele valori limita absolute: VCE0=30V Ptot=300mW IC=100mA Tj=175oC IB=50mA

2. Dimensionarea rezistentei de colector a tranzistorului T1 (R11) Se alege RCT1=R11 <ZinT3min


Z inT 3 min = h11eT 3 min + h21eT 3 R15 I B ,T 3 max 2 I CT 3 h21 Emediu ,T 3 = 2.8 = 160 A 100

I C ,T 3 min I B ,T 3 max = 160 A g m ,T 3 min = 40 I C ,T 3 min = 6.4 h11,T 3 = Z inT 3 min = h11eT 3 min + h21eT 3 R15 = 8k + 100 0.027 k 11k

T 3 min 50 = = 7.8k 8k g m ,T 3 min 6. 4

Pentru polarizarea bazei lui T3 trebuie ca: (IC,T1-IB,T3) R11=VBET3+VR15 0.92V Din motive de zgomot, pentru a avea factorul de zgomot F = 3dB trebuie ca: ICT1 300A Se alege ICTI = ICT2 = 250A

3. Verificarea functionarii la semnal mic


u BE ,T 1 = i C ,T 1 g m ,T 1 = iC ,T 1 40 I C ,T 1 = 80 A = 8mV 40 250 A / V

4.

Determinarea tensiunii stabilizate de D1

Pentru a simula generatorul de curent din emitor trebuie ca tensiunea stabilizata Vz>>V BE,T1. Deoarece IBT1 e foarte mic, se poate neglija tensiunea intre baza si masa UR6. Practic Vz = VR8 +VBE.TI + VR6 VR8 +VBE.TI Pentru ca R8 sa se comporte ca un generator de curent continuu trebuie ca VR8 = ct, dar VBE.T1 variaza cu VBE,T1 => tensiunea stabilizata de dioda trebuie se fie mult mai mare ca tensiunea baza emitor a tranzistorului T1, Vz >> VBE,T1. Pentru tranzistorul T1 curentul de colector si tensiunea colector emitor au valorile : IC,T1=250A si VCEEC=30V 5. Dimensionarea rezistentelor R6, R31 Se alege R6=R31=39k, 2% avand in vedere ca in jurul acestei valori se va situa Zintr a intregului amplificator.

Dimensionarea rezistentelor R9, R8 Pentru BC178B din catalog se obtine h21 E = 240 I B ,T 1 = => VR6=40mV. Considerand VBE,T10.6V => V1/2R9 + VR8 = Vz VBE,T1 VR6 = 7.56V Se alege pentru R9 o valoare de 500 si atunci caderea de tensiune suplimentara pe jumatate din rezistenta din emitorul lui T1 este V1/2R9 I C .T 1 R9 = 62.6mV V R 8 7.5V Curentul prin rezistenta R8 este suma curentilor de colector ai tranzistorilor T,, T2
I R 8 = 2 I CT 1 = 500 A R8 = VR8 7.5V = = 15k 5% I R 8 0.5mA
1 2 250 A 1A 240

6. Polarizarea diodei D1 Alegem o dioda zener de tipul PL 8,2V care pentru o functionare normala trebuie polarizata la Iz =5mA.
EC VZ =3.96k IZ + IRS Se alege R7 =3.3 k

R7=

7. Determinarea amplificarii etajului diferential


RSdif Amplificarea etajului diferential poate fi aproximata astfel : unde RSdif este 1 R9 2 R11 || Z in.T 1 1.8 = 1.8k AVdif = 7.2 7 rezistenta de sarcina a diferentialului RSdif = 2 0.25 AVdif

b) Etajul pilot

Etajul pilot, conform cu Figura 4-1. este de tip emitor comun EC si lucreaza in clasa A. Pentru utilizarea completa a sursei de alimentare a circuitului de putere este necesara o tensiune de excitatie varf la varf mai mare ca tensiunea de alimentare Vex,vv > Ec, conditie greu de realizat. In Figura 4-2. tg = Rsat ai tg = Rrez definite in raport cu ICER. Se observa ca in cazul real excursia tensiunii Vex,vv este mult mai mica decat E c si asimetrica. K1 si K2 sunt coeficientii de utilizare ai tensiunii de alimentare pentru tranzistorul T1 respectiv pentru tranzistorul T2. In schemele cu iesire pe condensator, datorita inegalitatii dintre K 1 si K 2 (in general K1<K2) apar distorsiuni la nivele mari si apare o componenta continua (u) ce deplaseaza punctul static de functionare (PSF-ul) in sensul egalizarii factorului de utilizare, Figura 4-2. In schemele in care iesirea nu se face pe condensator, ca in cazul acestui project, apare o curbura a caracteristicilor. Solutia poate fi folosirea unei tensiuni de alimentare a etajului pilot Ep>Ec, fapt ce conduce la complicarea sursei de alimentare sau la solutia de bootstrapare a rezistentei RC.

Pentru acest montaj se poate considera: In regim static rezistenta de alimentare este

Rst=Rc=RB+RG In regim dinamic Zs pentru etajul pilot este Rdin. In regim dinamic rezistenta aparenta de alimentare este Rst a = si sursa are valoarea EC = .

Avantajele utilizarii acestei solutii sunt urmatoarele: Excursia curentului se limiteaza la IVV = 2*Iex<2*ICQ Deoarece ICQ > Iex, aceasta solutie este avantajoass pentru usurarea regimului termic al etajului pilot. Se obtine astfel k1k2

Conditia de functionare a schemei este ca rezistenta dinamica Rdin>RC = RB+RG


Dimensionarea componentelor etajului pilot

1.

Se calculeaza curentul de excitatie maxim


ICT
5 mx a

Iexmax=IBT5max= 5 min = 4.6mA t Se pot neglija curentii reziduali si se alege ICT3=ICQ=8mA> Iexmax=4.6 mA 2. Rezistenta statica de alimentare RC=RB+RG=R13+R12=
EC =3.75 k IC 3 T

Alegem R12=360 si R13=3 k 3. Sarcina dinamica a pilotului Rdin


R13 h11T 6 R13 R13 + h11 T 6 + (1+h21Ef R13 + h11 T 6 )(RS+R30)

6 T unde h11T6 = gm 6 =125 T h21Ef = h21T6 h21T8 =1000

h11T6 = h11T6+(1+h21Ef)R29 =715.6

=> Rdin= 5.05 k


Se verifica Rdin=5.05 k > RB+RG = 3.36k

4.

Tensiunea minima pe tranzistorul pilot Vpmin = VBEmin,T8 + VCE min,T6 =0.6+0.2=0.8V

5.

Alegerea tranzistorului pilot

Pentru o functionare cat mai buna a bootstrapului se alege un tranzistor cu VCEsat si ICER mici. Se alege BD 139 cu parametri : VCE0=80V VCER=100V VEBO=5V H21E=50 200 IC=1A ICM=1,5A IB=0,2A Tj=150C Ptot=12,5W fT=50MHz Rthj-C 10C

La I C = 2 I CQ = 16 mA VCEsat = 0.6 si I CER =0.2mA Tensiunea ce trebuie preluata de R15 este


V R15 = V p min VCEsatT 3 = 0.8 0.6 = 0.2V R15 V R15 0.2V = = 25 Calculele impun alegerea I CQ 8mA

lui R15 = 27 cu toleranta de 5% 6. Curentul de baza al tranzistorului T3


,T 3

Considerand h21 Emediu 7.


BE =

=100 I BT 3 =

8mA = 80 A 100

Verificarea functionarii la semnal mic


IC I ex kT = = 0.024V = 24 mV < 26 mV = g m 40 I CQ q

8.

Amplificarea in tensiune a etajului pilot


Rdin R15 = -187

Etajul pilot este de tip emitor comun cu sarcina distribuita avand amplificarea in tensiune: Avp Calculul f recventei de taiere T = 0 fT3 0.351.25MHz

9.

10.

Calculul circuitului de polarizare al tranzistorilor finali

Circuitul de polarizare este alcatuit din tranzistorul T 4 (superdioda) si potentiometrul R14. Se considera necesar pentru deschiderea tranzistorilor finali o tensiune de 2 x 0,7V. Pentru tranzistorul T4 alegem tipul BC 107A avand urmatoarele valori limita absolute: VCE0=50V Ptot=300mW IC=100mA Tj=175oC IB=5 In PSF tranzistorul T4 are urmatorii parametri: IC,T4=8mA VCE,T41.4V => IB,T4 =
I C ,T 4 h21 E ,T 4
A 36

Se alege prin divizorul de baza curentul : Id 0.5mA >> IB,T4 => R14=R1 + R2 = 2.8 k Se alege R14 = 2.5k

c) Etajul final Este realizat cu doua tranzistoare bipolare complementare in conexiune colector comun. Deoarece tehnologia bipolara este axata pe tranzistore de putere de tip npn si pentru cresterea amplificarii in curent a etajului final se utilizeaza pentru cele doua tranzistoare finale de putere configuratii darlington de tip npn si pnp.

Fig. 3.1. Configuratie darlington de tip npn Consideram T5 si T7 in regim activ normal RAN VBE=VBE5 + VBE7>0 VCE = VCE7 =VCE5 +VBE7>0 Pentru ICB0=0 IC = IC5 + IC7 = F5IB5 + F7IB7 = F5IB5 + F7IE5 = 7 +1 F 7 +1 F F F = F5IB5 + F7 7 IC5 = F5IB5 + F7 7 F5IB5 = 7 +1 F 7 +1 F F F = F5IB5(1 + F7 7 ) = F5IB(1 + F7 7 )
I c IB

RAN

7 +1 F F = F5(1 + F7 7 ) F5(1+F7)

F5F7

Principalii parametri ai configuratiei Darlington de tip npn sunt: F F7F5 = mare h11 =
VB E VBE 5 +VBE 7 = = h11T5+(1+F5)h11T7 = mare IB IB 5

avantaj avantaj

VCESaturatie = VCE7Saturatie = nu se modifica VBE = 2VBE5 = 2VBE7 = mare

avantaj dezavantaj

Fig. 3.2. Configuratie darlington de tip pnp Consideram T1 si T2 in RAN. VEB = VBE6 > 0 VEC = VCE8 = VEC6 + VBE8 > 0 Pentru ICB0 = 0 IC = IE8 = (F8+1)IB8 = (F8+1)IC6 = = (F8+1)F6IB6 = (F8+1)F6IB F=
IC =(F8+1)F6 IB

RAN

F8 F6

Principalii parametri ai configuratiei Darlington de tip pnp sunt: F

F8 F6 = mare avantaj

avantaj

h11 = h116 = nu se modifica VEB = VBE6 = nu se modifica VEC = VCE8 = VEC6 + VBE8 = mare

avantaj dezavantaj

Cand T6 se satureaza se pierde controlul lui IC6 prin I B6 iar IC6 se inchide prin jonctiunea BE a lui T8 care ramane in RAN. => V EC,Saturatie = V EC6, Saturatie + V B E 8 = 0,2 + 0,6 = 0,8V

12

Tehnologia bipolara standard este orientata pe fabricarea tranzistoarelor de tip npn care au conductie verticala si au factorul de amplificare in curent F = mare (100200). Tranzistoarele pnp sunt de tip lateral cu conductie orizontala sau tranzistor de substrat cu conductie verticala avand F mic. In practica se folosesc configuratiile darlington cu rezistenta in paralel cu jonctiunea baza-emitor a tranzistorului bipolar de putere de tip npn (R 2 6 si R27). Rolul acestor rezistente este urmatorul: La functionarea in clasa B" in repaus curentul prin T 7 este mic iar curentul de baza va fi si el mic. La curenti mici de colector pentru T5 amplificarea in curent a tranzistoarelor are o cadere pronuntata => amplificarea este redusa => reactia negativa va fi ineficienta asupra neliniaritatii curbei de transfer. La imbinarea caracteristicilor tranzistoarelor complementare apar distorsiuni de trecere (cross-over) si pentru micsorarea acestora se face o polarizare initiala in regim static al tranzistoarelor. Rezistenta R 26 mareste curentul de colector al tranzistornlui T5 in regim de repaus deoarece la I C7 mic, h 11,T7 e foarte mare si cea mai mare parte a curentului dat de T5 trece prin R 26 si astfel T 5 lucreaza la curenti acceptabili cu F5 suficient de mare. La curent de colector mare pentru T7, h11.T7 scade exponential si R 26 se poate neglija. Rezistenta R 26 permite evacuarea sarcinii stocate prin circulatia unui curent invers de baza in perioada corespunzatoare blocarii => R 26 imbunatateste functionarea la frecvente inalte, dar nu elimina efectele daca frecventa de lucre e mai mare ca f. Puterea disipata de tranzistorii finali T 7, T8 Puterea maxima ce se poate obtine la iesire este: P0=EC*ICM EC este tensiunea de alimentare pentru un tranzistor final I CM este curentul de colector maxim al tranzistorilor finali

Fig. 3.3. Diagramele de functionare a etajului final in contratimp Puterea absorbita de la sursa de alimentare este: 13

Pa=2EC Imed Imed este curentul mediu absorbit de la sursa Imed = k


1 T
T /2

I
0

C M

sin

2 ICM tdt = k T

k este factorul de utilizare a tensiunii de alimentare Pa=2ECImed = 2ECk


IC M

2k

P0 = 0.636kP0

Puterea nominala pe sarcina are expresia: PS=


1 1 RS(kICM)2= RSk2I2CM=0.5k2P0 2 2

RS este rezistenta de sarcina Puterea disipata de tranzistorii finali este: Pd(T7+T8)=Pa-Pu=(0.636k-0.5k2)P0 Randamentul =
0.5k P0 PS = =0.785k Pa 0.636 kP0
2

Derivand expresia puterii disipate de tranzistorii finali in raport cu k => puterea disipata maxima pe tranzistorii finali Pd max(T7+T8) la k=0.636. Pentru k = 0.636 Pdmax(T7+T8)=[0.6362-0.5(0.636)2]P0=0.2P0 Pentru un singur transistor final PdmaxT7,T8 =
1 (0.636k-0.5k2)P0 pentru k = 0.636 2

PdmaxT7,T8 =0.1P0 Dimensionarea componentelor etajului final Pentru dimensionarea componentelor etajului final se impun conditiile: Puterea nominala pe sarcina Ps la o frecventa convenabila, respectiv 1kHz (din setul de date utilizate pentru exemplificare Ps=60) Impedanta de sarcina nominala la lkHz are caracter predominant rezistiv Rs (din setul de date utilizate pentru exemplificare R S =4)

14

1.

Determinarea valorilor de varf ale curentului si tensiunii pe sarcina 2 PS I V IS RS 2 50 P S= = S S IS = = =4.08 A RS 6 2 2 VS=RsIS=6*4.08A=24.48V


2

2. R29

Se admite o pierdere de putere de maxim 10% pe rezistentele de emitor R28 si R28=R29=0.59<0.1 X 6 toleranta 5% Caderea maxima de tensiune pe R28, R29 este

VR28=VR29=R28IS=2.4 V I V PdR28,R29= S R 28 =2.44W (valoare medie, T7,T8 lucreaza in clasa B). Se aleg R28 si 4 R29 de 3W. 3. Se alege rezistenta pentru circuitul de protectie la suprasarcina R30=0.1 V30=R30IS=0.408V I V PdR30= S R 30 =0.83W Se alege R30de 2W. 2 Se aleg tranzistorii finali

4.

S-a optat pentru tranzistori finali bipolari de putere de tip BDY 26 (183T2) avand urmatorii parameti: Ptot=87.5W VCE0,VCER=180V IC=6A h21E=20180 (la IC=2A) VBE<1V VCES=0.6V fTmin<10 MHz Ptot este puterea totala disipata VCE0 este tensiunea colector emitor cu baza in gol VCER este tensiunea colector emitor cu rezistenta specificata intre baza si emitor Ic este curentul de colector h 21E este factorul de amplificare in curent static in conexiunea emitor comun VBE este tensiunea baza emitor VCES este tensiunea colector emitor in saturatie fTmin este frecventa de taiere minima 5. Verificarea la strapungere a tranzistorilor finali EC 0.9 VCER, EC=27V 162 = 0.9 VCER

15

6.

Determinarea tensiunii reziduale pe darlingtonul npn Vrez=VCEST5+VBET7max

In cazul cel mai defavorabil: T7,T8=20 IBT7,T8= T 7 , T 8 = T 7 , T 8 =0.204mA In functie de IBT7,T8 se aleg T5 si T6 (BD 139, BD 140) Pentru BD 139, VCEST5 = 0,5V => Vrez = 0,5 + 1 = 1,5V 7. Determinarea tensiunii de alimentare EC VS+VR30+VR28+Vrez=28.788 V=Ec Se alege EC=30V>EC 8. Calculul energetic al tranzistorilor finali P0 = ECICM = ECIS =122.4W k=
E 'C 28 .788 = =0.95 EC 30
ICT 7 , T 8 IS

Pa = 0.636kP0 = 73.95W PS =
1 2 k P0 = 55.23W 2

Pd = Pa-PS = 18.72W (Puterea disipata pe T7 si T8 ) Puterea disipata pe un tranzistor final este maxima pentru k=0,636 este Pd max T7 = Pd max T8 = 0.1*P0 = 12.24 W In cazul nostru pentru k=0,95 puterea disipata pe un tranzistor final este PdT7,T8 = 0.5 (0.636k 0.5k2) P0 = 9.36 W = 0.785 k = 0.75 9. Dimensionarea rezistenfelor R 2 6 ,R 2 7
V BEMT R26

Se aleg R 26 , R27 = 39, toleranta 5% ICMT5 = IBMT7 + IR26 = IBMT7+


7

=204mA+1V/39 230mA

16

I C M T 5 este curentul de colector maxim al tranzistorului T5 IBMT7 este curentul de baza maxim al tranzistorului T7 V B E M T 7 este tensiunea baza emitor maxima a tranzistorului T7

10.

Estimarea sarcinii dinamice pentru T5, T6 RST5=[h11T7+T7(RS+R30+R28)] || R26 h11T7=


V BEMT I BT 7
7

4.9

RST5=(4.9+20*6.69) || 39=30.4 11. Calculul energetic al tranzistorilor complementari P0=ICMT5EC=0.23*30=6.9W Pdmax=0.1P0=0.69W Tranzistoarele BD139 si BD140 corespund, avand urmatorii parametri: VCE0=80V VCER=100V VEB0=5V h21E=50 200 IC=1A ICM=1.5A IB=0.2A Tj=150oC Ptot=12.5W fT=50MHz Rthj-C 10oC

12.

Calculul frecventei de taiere


f 100 500 kHz f 0.35 0.25 M z H

T = 0 pentru T7 si T8 pentru T5 si T6

17

d) Reactie negativa Se apreciaza un factor de transfer pe bucla de reactie optim la frecvente medii:

R10 R10 + R 31

1 10

Datorita divizarilor introduse de protectia termica, tensiunea reala de intrare pe diferential este: R6 R2 || ( R5 + R6 ) Vin .dif = D1 D2 V gen unde D1 = = 0.95 si D2 = = 0.89 R6 + R5 R1 + [ R2 || ( R5 + R6 )] Se alege pentru V gen =1.5Vef U in ,dif = 0.95 0.89 1.5 =1.3Vef Tensiunea nominala de iesire este: Vn= Amplificarea
AVr
IS ( RS + R 30 ) 2

=17.4 V cu reactie este

V R + R31 R R 15 .95 = n = = 13 .3 = 10 = 1 + 31 31 = 12 .3 Vin .dif 1.3 R10 R10 R10

Deoarece amplificarea in tensiune in bucla deschisa a amplificatorului de putere este data de etajul pilot si etajul diferential Av = Avp Avdif = (-7)(-187)=1309 R 1 39 Avr R10 31 = = 3.17 k r 12 .3 12 .3 R10 = 3.3k 5%

e) Sursa de alimentare Sursa de alimentare pentru etajul final este constituita dintru-un transformator coborator de tensiune care are infasurarea secundara cu priza mediana.Acest fapt permite ca dupa redresare si filtrare sa se obtina fata de masa doua tensiunu egale si de semne opuse. Aceasta cofiguratie are avantajul utilizarii unei singure punti redresoare pentru cele doua tensiuni.

Dimensionarea redresorului 1.Dimensionarea condensatorilor de filtraj Pentru dimensionarea capacitatilor de filtraj se estimeaza curentul mediu consumat de amplificator la 2A si corespunzator acestuia rezistenta echivalenta a sursei pe una din tensiuni este RSE =13. Se impune ca frecventra corespunzatoare constantei de timp t=CRSE sa fie mult mai mica decat frecventa de taiere in banda respectiv 10Hz. Se alege f=2Hz =>C1,2 =6121F si alegem C1,2=6800F

2.Dimensionarea puntii redresoare Pentru dimensionarea puntii redresoare calculam tensiunea inversa si curentul maxim prin aceasta: Vinv=1,2 Vrmax=1,5230=90V Imax=3,5 Irmax =9,9A Se alege o punte 20PM1 cu tensiunea inversa de 100V si curentul maxim de 30A.

Dimensionarea transformatorului 1.Datele de calcul ale transformatorului Principalele date de calcul ale transformatorului sunt: Puterea aparenta secundara

Consumul estimat pe un canal este 88W iar pe patru canale 352W.Se ia 360W rotunjind puterea consumata de preamplificator si celelalte etaje intermediare. Tensiunile in secundar Pentru etajul final trebuie o tensiune continua de 2x30V adica 2x30x0,707=2x21Vef valoare eficace.Pentru preamplificatoare trebuie 22,5Vef. Tensiunea in primar Tensiunea in primar este V1=220Vef Frecventa retelei de alimentare Frecventa retelei de alimentare este f=50Hz Factorul de putere al sarcinii Factorul de putere al sarcinii se considera cos2=1 2.Alegerea miezului Se alege un miez din tole stantate E+I ,din tabla de otel electrotehnic,de grosime 0,5mm avand pierderi specifice in fier PFs=2W/Kg 3.Intensitatile curentilor transformatorului Se considera cos1=0,9 si randamentul =0,9.Coeficientul k este egal cu 1 pentru transformatoare monofazate si 3 pnetru transformatoare trifazate. I1=S2 cos2 /k V1 cos1=2A I2f=S2/k V2=9,5A 4.Sectiunea miezului Sectiunea miezului transformatorului se determina cu ajutorul relatiei: SM=ks [(S1kG)/(fBMJ)] unde: Kseste un coeficient care tine cont de tipul transformatorului de tipul bobinajului si de numarul de faze al transformatorului.Conform tabelului urmator ks=6,65. Numar de faze Tip transformator Tip bobinaj ks 1 Cu coloane Bobine circulare 4,75 Bob.dreptunghiulare In manta(E+I) 3 Cu coloane Bobine circulare Bob.dreptunghiulare 5,7 6,65 3,5 4

Sl este puterea aprenta in primar =S2/=400W kG este raportul intre greutatile materialelor active fier si cupru.

Depinde de gradul de solicitare al acestora si anume inductia magnetica in miez respectiv densitatea de curent in cupru.Uzual kG=4-7 pentru transformatoare calculate pnetru pret minim si kG=2-3 pentru transformatoare calculate pentru greutate totala minima.Alegem kG=4. Inductia in miez BM si densitatea de curent J se aleg in functie de puterea aparenta de calcul S. S(w) BM(T) J(a/mm) <100 0.8-0.9 2.5-4 100-600 0.9-0.95 2-3 600-1000 0.95-1 1.8-2.5 1000-2500 1-1.2 1.6-2.1 2500-6000 1.2-1.3 1.5-1.9

Se alege BM=1T si J =3A/mm Sectiunea miezului SM22cm Se aleg tolele de tip E cu a=50mm. 5.Numarul de spire al infasurarilor Numarul de spire al infasurarilor este determinat de tensiunea infasurarii si numarul de spire pe volt. ns/v=1/1,41fBMSM=2spire/volt Numarul de spire al primarului: nl=V1/ 1,41fBMSM= V1 ns/v=440spire Numarul de spire al infasurarii secundare pentru etaj final: n2f=2xV2f x ns/v=76spire Numarul de spire al infasurarii secundare pentru preamplificator si etajele intermediare: n2p=V2p x ns/v=45spire 6.Sectiunile si diametrele conductoarelor Sectiunea conductorului din infasurarea primara este SCI =I1/J=0,66mm Diametrul conductorului din infasurarea primara este DCI =0,91mm se alege DCI =0,9mm Sectiunea conductorului din infasurarea secundara pentru etajul final este

SC2f =I2f /J=3,16mm Diametrul conductorului din infasurarea secundara pentru etajul final este DC2f =1,99mm se alege DC2f =2mm Sectiunea conductorului din infasurarea secundara pentru preamplificator si etajele intermediare este Sc2p =I2p /J=0,01mm Diametrul conductorului din infasurarea secundara pentru etajul final este DC2p =0,11mm se alege DC2p =0,12mm

3. Simularea amplificatorului
Simularea amplificatorului audio de putere a fost efectuata la inceput din punct de vedere al punctului static de functionare. Deoarece nu se utilizeaza condensator la iesirea pe difuzor este necesara obtinerea unei tensiuni la iesirea pe difuzor cat mai apropiata de 0V prin ajustarea rezistentei semireglabile R9 care in simulare a fost inlocuita cu doua rezistente obisnuite respectiv R9 si R91. Pentru R9 = 250 si R91 = 260 la iesirea pe difuzor se obtine o componenta continua de 72,33nV valoare care este suficient de mica. Comparand PSFurile tranzistoarelor simulate cu cele proiectate se observa abateri destul de mici: ICT1 = 241,6A, ICT2 = 255,2A fata de I CT1 = I CT2 = 250A IBZ-081= 5,044mA fata de Iz = 5mA ICT3 = 7,734mA fata de ICT3 = 8mA I C T7 = ICT8 = 2,467mA, valoare acceptabila pentru eliminarea distorsiunilor de trecere, obtinuta prin reglarea rezistentei semireglabile R14 = 2,5K, care in simulare a fost inlocuita cu doua rezistente fixe R141 = 1,3K si R142 = 1,2K. Dupa simularea PSFului s-a efectuat o simulare tranzitorie si au fost extrase semnalele din punctele indicate in Figura 10-1., iar aceste semnale pot fi vizualizate in Figura 10-2. respectiv semnalul de la generatorul de semnal cu amplitudinea de 1V, pana la iesire, respectiv semnalul pe Rs din Figura 10-7., cu amplitudinea de 10V. Se deduce usor ca amplificarea in tensiune are valoarea 10, valoare ce corespunde cu cea din tema de proiectare.
3 8 . 6 4 6 m R 1 2 3 6 0 . 6 2 8 m A R 1 3 R 7 8 . 6 4 6 m 3 k 3 . 9 k A B A 1 D 9 2 D 1 3 N 4 . 0 4 p 1 A 4 9 4 8 . 8 m V D 1T 35 6 5 . 8 4 9 . 5 7 4 A 5 5 VV d 2 1 c . 1 5 m A 1 m 5 A 3 0 . 0 0 V 5

T 7 8 u

. 1

1 1 R 2 2 0 k

. 4 2

C 0 0 L = V A = 1 4 0

1 0 A . 7 u

R 1 3 . 98

. 0 C 5 4 1 3 3

32 V . 7 1

V V F

O A R

F M E

F P Q

. 34

1 V T 1 3 K H Cz 1 0 7 A B - 1 2 4 . 8 p A - 8 . 6 4

8 R 1 8 1 9 5 . 0 -n6 A. 9 2 3 m A Q 2 N 3 0 52 . 0 0 . p2 A9 m 1 V 3 . 5 9 2 u 3 A . 0 1 - 2m 4 V 8 . 1 n V D 6 1 23 0. 5 0 9 u A T 9 1 2 3 . 0 Dp A1 N 4 1 4 8 R 2 6 6 . 9 2 3 2 m 9 A3 . 0 B C 1 0 7 A R 1 9 3 9 3 0 8 . 0 5 34 V9 6 . 4 u A - 1 2 2 . 11 p. 0 A 13 07 .n 71 A 30 m0 V R 8 C 4 R 1 6 T 1 1 1 5 k 4 7 u - 9 3 9 .7 5 0 f A 4 - 1 6 3 R . 92 f 4 A R 1 4 6 13 7 . 1 u A 3 9 . 0 8 1u . A 3 k -1 B 2 .C1 1 7 0 7 f AA 3 8 1 . 0 f A 0 7 . n 3 3 9 0 A 7 . 9 6 0 m A 1 0 . 7 3 m DV 1 N 4 1 4 8 6 0 6 . 9 m V 0 0 . 6 u A 4 . 9 3 1 m A T 4 1 D. 0 8 3 37 8n 1A . 0 f A 6 . 9 1 0 m R 3 2 6 0 . 28 3u 5A . B6 uZ A - 0 8 1 B C 1 0 7 A 1 2 0 . 5 m V R 2 2 R 2 8 R 9 R 9 1 C 5 3 . 9 k4 . 0 4 6 u V 0 . 5 9 4 0 k 2 5 0 2 5 0 R 1 4 2 2 0 0 u 2 9 . 6 4 m V R 3 1 - 7 . 9 9 1 9 . 2m k5 A 9 8 . 0 u A 0 R 5 2 B6 0C . 18 7u 8A B 6 u 3 A 9 k 2 3 5 . R 3 0 T 1 T 2 1 8 . 9 4 m V 0 V 8 7 . 5 - n 5 A 7B 2 C . 61 n7 A8 - B5 1 3 . 6 n A 1 8 . 9 4 m V 1 8 . 9 4 m 3 V . 8 0 39 .m 1 1 4 u 2 . 2 k 0 . 1 R 1 0 3 8 . 9 7 m V R 2 9 R 0p R .A 0 6 6 m 7 V 0 . 1 - n 2 A 3 5 3.V 1 . 3u kA 6 0 5 . 3 3 4 u VR 2 3 0 . 5 9 6 3 9 k 5 1 3 . 6 n A C 6 3 . 9 k 0 CA 3 2 0 0 u 5 8 . 8 5 f A R 4 2 0 0 . -4 2 u 6 A 0 . 2 u A 1 1 . 2 4 u 1 A D. 3 1 6 N 8 n4 AR 4 2 8 5 1 p1 A 0 5 1 0 u 1 8 . 3 8 p A D T9 1 2 3 9 0 0 1 8 . 0 2 m V 1 1 7 . 0 p A 1 5. 3 8 6 . 88 5n f A A R 1 7 R 2 1 - 3 2 . 8 1 f A 11 T27 1.7 5 0 8 f A 1 0 B0 C 1 7 1 7 6 . 6 9 m V B C - 2 9 . 1 0 V 4 7 0 0 - 2 6 . 0 4 f A 9 8 . 5 7 1 p 8 A . 9 4 1 m 6 V. 6 9 m V 1 6 . 6 9 3m 0 1 D8 . 1 4 N 0 p4 A1 4 8 D 5 D 7 R 2 0 D 1 N 4 1 4 8 - 1 8 . 4 0 p A 1 7 . 8 1 1 m 1 . V 2 4 u A 3 T . 68 2 0 m A 1 0 0 T 3 8 . 6 0 4 m A T 8 B D 1 3 5 / P L P - 5 9 7 . 1 m V - 7 . 4 1 2 u5 A 6 . 8 p A 4 1 6 0 . 0 u A 3 8 . 0 0 6u 2A . 2 5 u A B D 1 3 6 / P L P R 1 1 D 1 N D 4 12 4 8 8 . 6 6 6 m A - 3 . 8 1 2 m 6 A. 5 4 1 5 . 6 k D 33 8 . 0 0 u A R 1 5- 2 9 . 7 7 V - 2 9 . 8 5 R V 2 7Q 2 N 3 0 D 1 N 4 1 4 8 2 7 3 . 8 1 -2 1 m 7 . A 0 8 n 3 9 - 2 9 . 5 5 V - 8 . 6 6 6 m A - 3 0 . 0 0 V 2 6 . 8 9 V 4 7 . 4 9 m 1

A m V

0A 4 s

V VV d c

2 . 9

n A 5 5 A

Fig. PSF-ul amplificatorului audio de putere

In continuare voi prezenta cateva semnale si simulari de semnale efectuate cu ajutorul programului PSpice.

Fig. Semnalul generatorului

Fig. Semnalul simulat in baza tranzistorului T1

Fig. Semnalul simulat in baza tranzistorului T2

Fig. Semnalul simulat in colectorul tranzistorului T3

Fig. Semnalul simulat in emitorul tranzistorului T7

Fig. Semnalul simulat pe rezistenta de sarcina RS

4.

Schema electrica si lista componentelor folosite

R 1 2 3 6 0 R 7 3 . 9 k R 3 k D 1 3 D 1 4 B D

1T 35 5 T 7

4 1 4 6 D 1

1 8 Q 2 N 3 0 5 5 V 3 0 V d c 1

T 9 B R 8 1 5 k C 4 4 7 u R 1 4 1 1 . 3 k R 2 1 2 0 k R 1 3 . 9 R 4 0 C 4 V V F O A R F M E F P Q L = = = 0 1 7 u C 4 7 2 u R 2 3 k 5 . 2 k R 6 3 9 k A R 4 1 5 0 R 9 2 5 0 R 9 1 2 5 0 R 3 1 3 9 k R 1 0 3 . 3 k C 1 3 0 u B D D T 3 B R 1 1 5 . 6 k D 1 N D D4 12 4 8 D 3 1 N 4 1 4 D R 1 3 5 / P L P C 1 N 5 B Z - 0 8 1 B C T 4 1 0 7 R 1 A 2 C C 1

0 7 A

R 1 6 4 7 0

2 0 0 4 1 4 8 R 1 9 1 0 0 T 1 B C 1

R 1

2 6 3 9 R 2 4

B C 1 7 8 B T 1 T 2 B C 1 7 8 B

4 2 1 . 2 k

5 0 0 u

7 7 3 9 0 D 1 N 4 1 4 8 D 8 R 2 2 3 . 9 k

R 2 8 0 . 5 9 R 3 0 R 6 s

0
R 6 2 0 0 C R u D R 4 4 8 D 1 D N 7 4 1 4 8 R 1 B D 2 0 0 1 3 0 T 6 T 8 6 / P R L P 2 7Q 3 9 1 7 D 1 N 4 1R 4 2 8 5 T 1 2 9 3 9 0 1 7 7 2 3 3 . 9 k 2 9 0 . 5

0 . 1 9

1 V T 1 3 1 K HB zC 1 0 7

0
V 3 0 V d c 2

1 T7 17 0 4 1

7 0

R 2 1 1 0 B0 C

1 5 2 7

3 0 5

Lista componentelor amplificatorului Rezistente R1=3,9 ,5% R2=120 K,5% R3=Th,40K,5% R4=150 ,5% R5=2,2 K,5% R6=39 K,2% R7=3,3 K,5% R8=15 K,5% R9=500 ,5% R10=3,6 K,5% R11=5,6 K,5% R12=360 ,5% R13=3 K,5% R14=2,5 K,5% R15=27 ,5% R16=470 , 5% R17=470 , 5% R18=200 , 5% R19=100 , 5% R20=100 , 5% R21=100 , 5% R22=3,9 K,5% R23= 3,9 K,5% R24=390 ,5% R25= 390 ,5% R26=39 ,5% R27= 39 , 5% R28=0,59 ,5% /3W R29= 0,59 ,5% /3W R30= 0,1 , 5% R31=39 K, 2%

Tranzistori T1=BC178B T2=BC178B T3=BD139 T4=BC107A T5=BD139 T6=BD140 T7=BDY26(183T2) T8=BDY26(183T2) T9=BC107A T10=BC177A T11=EFT 353

Condensatori C1=4,7 F/35V C2=4,7 F/35V C3=10 F/35V C4=47 F/35V C5=200 F/35V C6=200 F/35V

Diode D1=PL 8V2 D2-D9=1N4148 EC=30V

Lista componentelor sursei de alimentare Condensatori C1=6800F/63V C2=6800F/63V Transformator monofazat V2=2x19Vef I2=2A Punte redresoare 20PM1

5. Scheme pentru amplificatorul audio de putere TDA2004


Circuitul TDA2004 scoate o putere de 2x10W pe o sarcina de 2ohmi. Acest circuit poate fi folosit si ca amplificator auto, montajul este usor de realizat si puterea lui ajunge pentru o camera de dimensiuni mici. Schema montajului si un exemplu de realizare practica sunt prezentate mai jos: