0 evaluări0% au considerat acest document util (0 voturi)
42 vizualizări1 pagină
CUPRINS
1. Tehnologia de fabricare a tranzistorului bipolar KT361…………........................3 2. Procedee fizice in tranzistorul bipolar cu structura p-n-p.......................................5 3. Caracteristicile statice aletranzistorului bipolar......................................................9 3.1 Cuplarea în schema baza comun.........................................................................10 3.2 Cuplarea în schema emitor comun..................................................
CUPRINS
1. Tehnologia de fabricare a tranzistorului bipolar KT361…………........................3 2. Procedee fizice in tranzistorul bipolar cu structura p-n-p.......................................5 3. Caracteristicile statice aletranzistorului bipolar......................................................9 3.1 Cuplarea în schema baza comun.........................................................................10 3.2 Cuplarea în schema emitor comun..................................................
Drepturi de autor:
Attribution Non-Commercial (BY-NC)
Formate disponibile
Descărcați ca DOC, PDF, TXT sau citiți online pe Scribd
CUPRINS
1. Tehnologia de fabricare a tranzistorului bipolar KT361…………........................3 2. Procedee fizice in tranzistorul bipolar cu structura p-n-p.......................................5 3. Caracteristicile statice aletranzistorului bipolar......................................................9 3.1 Cuplarea în schema baza comun.........................................................................10 3.2 Cuplarea în schema emitor comun..................................................
Drepturi de autor:
Attribution Non-Commercial (BY-NC)
Formate disponibile
Descărcați ca DOC, PDF, TXT sau citiți online pe Scribd
1. Tehnologia de fabricare a tranzistorului bipolar KT361........................3
2. Procedee fizice in tranzistorul bipolar cu structura p-n-p.......................................5 3. Caracteristicile statice aletranzistorului bipolar......................................................9 3.1 Cuplarea n schema baza comun.........................................................................10 3.2 Cuplarea n schema emitor comun......................................................................13 3.3 Cuplarea n schema colector comun...................................................................17 4. Schema echivalenta a tranzistorului bipolar la diferite fregvente de functionare..................................................................................................................17 4.1 Fregventa joasa..................................................................................................17 4.2 Fregventa medie.................................................................................................19 4.3 Fregventa inalta.....................................................................................................19 5. Parametrii hibrizi (H) ai tranzistorului bipolar.........................................................21 5.1 Legatura dintre parametrii h si parametrii fizici ai tranzistoarelor bipolare...........................................................................................................................22 6. Functionarea tranzistoarelor bipolare in regim de cheie electronica......................................................................................................................24 7. Functionarea tranzistoarelor bipolare la fregvente inalte........................................................................................................................28 8. Modelul matematic al tranzistorului..........................................................31 9.Utilizarea tranzistorului bipolar KT361 in circuite electronice................37 10. Parametrii de baza ai tranzistorului bipolar KT361..............................................43 11.Rezolvarea problemelor conform variantei............................................................45 12.Proiectarea etajului de amplificare dupa putere in baza tranzistorului bipolar.51 13. Anexa........................................................................................................................55 14.Bibliografie