COMANDO DA AERONUTICA ESCOLA DE ESPECIALISTAS DE AERONUTICA

ENSINO INDIVIDUALIZADO

DISCIPLINA:

ELETRNICA APLICADA

MDULO 1

ELETRNICA ANALGICA

ELABORAO:

1S BCO LUS CARLOS RUFINO DE SOUZA 3S BCO FABIANO XAVIER FONTINATI CORRA

EEAR -2004-

DOCUMENTO DE PROPRIEDADE DA EEAR Todos os Direitos Reservados Nos termos da legislao sobre direitos autorais, proibida a reproduo total ou parcial deste documento, utilizando-se qualquer forma ou meio eletrnico ou mecnico, inclusive processos xerogrficos de fotocpias e de gravao - sem a permisso, expressa e por escrito, da Escola de Especialistas de Aeronutica - Guaratinguet, So Paulo.

Guaratinguet So Paulo 2004 2

SUMRIO
Texto I Anlise de Circuitos ............................................................................................ 6 Exerccios do texto I .......................................................................................................... 15 Gabarito do texto I ............................................................................................................ 16 Texto II Decibel............................................................................................................... 17 Exerccios do Texto II........................................................................................................ 22 Gabarito do Texto II.......................................................................................................... 23 Texto III Dispositivos Semicondutores ......................................................................... 24 Exerccios do Texto III ...................................................................................................... 30 Gabarito do Texto III ........................................................................................................ 31 Texto IV Diodos .............................................................................................................. 32 Exerccios do Texto IV ...................................................................................................... 41 Gabarito do Texto IV ........................................................................................................ 42 Texto V Circuitos a Diodo.............................................................................................. 43 Exerccios do Texto V........................................................................................................ 56 Gabarito do Texto V.......................................................................................................... 57 Texto VI Transistores de Juno .................................................................................. 58 Exerccios Texto VI ........................................................................................................... 69 Gabarito do Texto VI ........................................................................................................ 70 Texto VII Amplificadores Lineares .............................................................................. 71 Exerccios do texto VII ...................................................................................................... 88 Gabarito do Texto VII....................................................................................................... 89 Texto VIII Osciladores e Multivibradores ................................................................... 90 Exerccios do Texto VIII ................................................................................................. 102 Gabarito do Texto VIII ................................................................................................... 103 Texto IX Noes de Circuitos Integrados................................................................... 104 Exerccios do texto IX...................................................................................................... 110 Gabarito do Texto IX ...................................................................................................... 111 Texto X Ampliadores Operacionais............................................................................ 112 Exerccios do texto X ....................................................................................................... 124 Gabarito do Texto X........................................................................................................ 125 Texto XI Dispositivos Especiais................................................................................... 126 Exerccios do Texto XI .................................................................................................... 148 Gabarito do Texto XI ...................................................................................................... 149 Auto-Avaliao................................................................................................................. 150 Gabarito da Auto-Avaliao........................................................................................... 153 Concluso ......................................................................................................................... 154 Bibliografia....................................................................................................................... 155

Introduo
A evoluo rpida da eletrnica, nas ltimas dcadas do sculo XX, em especial da eletrnica analgica, vem ampliando os horizontes dos meios de telecomunicao, de tal maneira que nossos pais e avs jamais poderiam imaginar em suas juventudes. Voc j imaginou, alguma vez, que um sinal de udio pudesse ser codificado em forma de "piscadas" de um diodo LED e captado, um pouco alm, por um simples fototransistor, amplificado e levado at um fone de ouvido? Esse tipo de comunicao, j utilizado em sistemas profissionais, onde so empregados LEDs de infravermelho, fibras ticas, etc. Bem, tudo isso pode parecer estranho para quem nunca ouviu falar de LED, fototransistor, fibra tica, etc. No se preocupe, pois este mdulo trar todo o conhecimento necessrio para que voc assimile esses conceitos. Aqui, voc ter a oportunidade de conhecer os conceitos bsicos da eletrnica analgica, assunto este absolutamente necessrio para o especialista em comunicaes. Lembre-se que a finalidade da presente disciplina no torn-lo apto a realizar manutenes em equipamentos, e sim, introduzi-lo no fantstico mundo da eletrnica, a fim de que voc possa aplicar tais conhecimentos em assuntos que envolvam noes de rdio-transrecepo, deteco, etc. Tenha absoluta certeza de que os conceitos aqui abordados sero de suma importncia no desempenho de suas atividades profissionais. Comearemos abordando a Anlise de Circuitos, em seguida passaremos para os Dispositivos Semicondutores e finalizaremos, o presente mdulo, abrangendo os Dispositivos Especiais. Elabore uma metodologia de estudo, para voc seguir de maneira lgica e seqencial os assuntos propostos e possa obter um estudo mais proveitoso e satisfatrio. Respire fundo e vamos iniciar o nosso estudo! BOA SORTE !

Roteiro

I TEMA :

ELETRNICA ANALGICA

II Tudo o que se faz tem um objetivo. Portanto, aps realizar as atividades propostas por este Mdulo, voc estar apto a:

1 identificar os princpios bsicos da eletrnica em estado slido (Cp); 2 -identificar os princpios bsicos de funcionamento dos circuitos eletrnicos analgicos (Cp); 3 identificar os princpios bsicos dos dispositivos semicondutores na eletrnica analgica (Cp);e 4 descrever o funcionamento eletrnicos. (Cn). dos semicondutores nos circuitos

As letras Cp e Cn que aparecem no final de cada objetivo da disciplina significam que os mesmos devero ser atingidos a nvel de compreenso e conhecimento, respectivamente. I I I ATIVIDADE DE ENSINO: Para que voc tenha um bom desempenho durante o curso e alcance os resultados desejados, aps a leitura de cada texto, voc dever realizar os exerccio propostos. Sempre leia o texto e refaa os exerccios propostos para fixar bem a matria estudada. IV AUTO-AVALIAO: Aps realiz-la, voc ter uma noo do grau de conhecimento adquirido. Para isso, d o mximo de ateno matria e procure acertar todos os exerccios de avaliao. Caso isso no acontea, reestude os textos.

Texto I Anlise de Circuitos

Nesta atividade de ensino voc ler textos e resolver exerccios que lhe permitiro atingir os seguintes objetivos:

Empregar a 1 e 2 leis de Kirchhoff (Ap) e; Empregar circuito de Thevenin, Norton e Superposio (Ap).

LEIS DE KIRCHHOFF Um circuito como o da figura 1, possui mais do que um caminho fechado e uma rede eltrica. A e B so os pontos de encontro de trs fios condutores e so chamados ns de rede. Um ramo o trecho de circuito entre dois ns consecutivos.

Fig. 1 - Esquema de uma rede eltrica com dois ns e trs ramos.

A figura 2 apresenta os trs ramos da rede indicada anteriormente, com as respectivas correntes.

Fig. 2 - Os trs ramos da rede.

Malha de uma rede qualquer caminho fechado. A figura 3 indica as trs malhas da rede da figura 1.

Fig. 3 As trs malhas da rede.

As redes eltricas so resolvidas mediante duas leis, chamadas Leis de Kirchhoff. 1 LEI DE KIRCHHOFF: LEI DOS NS A soma das correntes que chegam num n igual a soma das correntes que saem do mesmo n. Exemplos: Determine a intensidade e o sentido da corrente eltrica no fio condutor OZ, para as seguintes figuras:

Soluo Ser aplicada a lei dos ns em cada caso: a) Corrente que chega em O:5A, e a que sai : 7A . Ento, no fio OZ, a corrente ser: I1= 7-5 = 2A e no sentido de Z para O, ou seja chegando ao n O. b) Saindo: 12A chegando: 8A :. I2= 12 8 = 4A, chegando ao n O. c) Saindo: 3 + 4 = 7A Chegando: zero :. 7A chegando em O, pelo fio OZ:. I3 = 7A. d) Chegando: 4 + 2 = 6A no ponto O, logo 6A saem de O pelo fio OZ, ou seja: I4 = 6A .

2 LEI DE KIRCHHOFF: LEI DAS MALHAS (Lei de Kirchhoff para Tenso - LKT) Quando se percorre uma malha completa, a soma algbrica de todas as foras eletromotrizes, contra-eletromotrizes e produtos R x i encontrados na malha zero.

E + (R . i) = 0

Nessa soma, cada parcela tem seu sinal determinado da seguinte maneira: 1.) Adote arbitrariamente um sentido de percurso para percorrer a malha

2.) O sinal de cada "E" dado conforme atravesse, no sentido positivo para o negativo ou do negativo para o positivo, o gerador ou receptor ideal: Se entra em E pelo plo escreve-se "+" E. Se entra em E pelo plo escreve-se "-" E. + , - ,

3.) O sinal de cada R.i dado comparando os sentidos de com i: Se

e i so concordantes, escreve-se + R.i .

Se

e i so discordantes, escreve-se R.i.

Exemplo:

Para a malha indicada, determine E

Soluo: A 2. lei de Kirchhoff : E + (R . i) = 0 Ser adotado arbitrariamente o sentido horrio para percorrer a malha:

Sinal de E: positivo

Sinal do produto 3.5:positivo

Sinal do produto 2.10: negativo

Lei das malhas: E + 3x5 2x10 = 0 :. E = 5V Resposta: 5V

O TEOREMA DE THEVENIN O teorema de Thevenin consiste num mtodo usado para transformar um circuito complexo num circuito simples equivalente. O teorema de Thevenin afirma que qualquer rede linear de fontes de tenso e resistncias, se considerarmos dois pontos quaisquer da rede, pode ser substituda por uma resistncia equivalente RTh em srie com uma fonte equivalente VTh. Exemplo: Calcule o equivalente Thevenin ao circuito nos terminais a e b .

Figura 4 1 Passo Calcule RTh. Faa um curto-circuito na fonte de tenso V = 10 V. R1 e R2 esto em paralelo. RTh = R 1R 2 4(6) 20 = = = 2,4 R 1 + R 2 4 + 6 10

Curto-circuito

2 Passo Calcule VTh. VTh atenso atravs dos terminais a e b, que tem o mesmo valor da queda de tenso atravs da resistncia R2. I= V 10 10 = = = 1A R 1 + R 2 4 + 6 10 VTh = IR2 VTh = 1(6) = 6 V

O equivalente Thevenin (Fonte de Tenso) est representado na figura abaixo.

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O TEOREMA DE NORTON O teorema de Norton est estreitamente relacionado com o teorema de Thevenin. Dado um circuito de Thevenin, o teorema de Norton diz que voc pode substitu-lo pelo circuito equivalente da figura 5b . O circuito de Norton tem uma fonte de corrente ideal em paralelo com a resistncia da fonte. Observe que a fonte de corrente produz um valor fixo de corrente igual a

iN

V TH R TH

Observe tambm que a resistncia de Norton tem o mesmo valor da resistncia de Thevenin:

RN = RTH
A corrente de Norton s vezes chamada corrente de carga em curto-circuito, porque ela igual corrente que circularia se a resistncia de carga fosse zero. Podemos nos lembrar facilmente da resistncia de Norton porque ela igual a resistncia de Thevenin. Por exemplo, se a resistncia de Thevenin for de 2 K, a resistncia de Norton ser de 2 K. A nica diferena que a resistncia de Norton aparece em paralelo com a fonte de corrente, enquanto a resistncia de Thevenin aparece em srie com a fonte da tenso.

Figura 5 - (a) Circuito de Thevenin; (b) Circuito de Norton.

Exemplo: A figura 6a (abaixo) mostra um circuito de Thevenin. Converta-o para um circuito de Norton.

Figura 6 Derivao do circuito de Norton a partir do circuito de Thevenin.

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Soluo Primeiro, curte-circuite os terminais de carga, conforme mostrado na figura 6b , e calcule a corrente de carga, que : 10V = 5mA 2K

iN =

Essa corrente de carga curto-circuitada igual corrente de Norton. A resistncia de Norton igual a resistncia de Thevenin:

RN = 2 K
Segundo, desenhe o circuito de Norton da figura 6c. A corrente de Norton igual corrente de carga curto-circuitada ( 5mA ) e a resistncia de Norton igual a resistncia de Thevenin (2 K).

TEOREMA DE SUPERPOSIO 1 Enunciado O teorema da superposio estabelece que em qualquer rede contendo uma ou mais fontes de tenso (e/ou corrente), a corrente em qualquer elemento do circuito a soma algbrica das correntes que seriam causadas por cada fonte individualmente, estando as demais substitudas por suas respectivas resistncias internas . 2 - Aplicao Para ilustrar a aplicao do teorema vamos analisar o circuito da figura abaixo, onde desejamos encontrar o valor e o sentido das correntes em R1, R2 e R3.

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a) Primeiramente usaremos (consideraremos E2 com R.i = 0) :

E1 e substituiremos E2 por um curto

RT = 6 + 3 = 9 ET = E1 = 4V

IT = I1 = 0,444 A

b) - Agora usaremos E2 (consideraremos E1 com R.i = 0) :

substituiremos

E1 por um curto

RT = 6 + 3 = 9 ET = E2 = 6V

IT = I2 = 0,666 A

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As correntes no circuito ficam assim distribudas :

Em R1 obteremos 0,444A e 0,333 A, ambos no mesmo sentido, ou seja de F para A, logo o resultado final de 0,777A de F para A; Em R2 obtemos 0,333A de E para B e 0,222A de B para E, logo o resultado final de 0,111A no sentido de E para B; Em R3 obtemos 0,222A e 0,666A no mesmo sentido, ou seja de C para D, logo a resultante ser de 0,888A. O resultado final ser mostrado na figura abaixo.

Verificao:

IR3 = IR1 + IR2

0,888A = 0,777A + 0,111A. Com isso encerramos o primeiro texto deste mdulo. Espero que voc tenha entendido a matria. Confirme isso resolvendo os exerccios propostos.

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Exerccios do texto I
1 A soma das correntes que chegam num n igual a soma das correntes que saem do mesmo n. Esta lei se refere a: a) 2 lei de Kirchhoff b) Teorema de Thevenin c) 1 lei de Kirchhoff d) Teorema de Norton

2 Determine a intensidade e o sentido da corrente eltrica no fio condutor OZ, para a figura abaixo: O 8A 2A X Y I3 Z

3 Determine E na figura abaixo:

7A

4 3 12A

4 - O teorema ______________ estabelece que em qualquer rede contendo uma ou mais fontes de tenso (e ou corrente), a corrente em qualquer elemento do circuito a soma algbrica das correntes que seriam causadas por cada fonte individualmente, estando as demais substitudas por suas respectivas resistncias internas. a)de Norton b)da Superposio c) deThevenin d)de Kirchhoff

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Gabarito do texto I
1- C 2 I3 = 10 A 3 8V 4-B

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Texto II Decibel
Nesta atividade de ensino voc ler textos e resolver exerccios que lhe permitiro atingir os seguintes objetivos:

Identificar o conceito de Decibel (Cn); Calcular ganho ou perda de um amplificador em db (Ap) Identificar os nveis de referncia para esboar as relaes entre dbm, db e dbw (Cn); Identificar as relaes de tenso e corrente (Cn) e Identificar a medida de potncia em dbm (Cn)

DECIBEL Muitos fabricantes de equipamentos eletrnicos utilizam um sistema conhecido como notao em decibel para descrever algumas especificaes e capacidades de seus equipamentos. A noo de decibis imprescindvel queles que trabalham no campo das telecomunicaes e eletrnica. O conceito de decibel (dB), uma unidade usada principalmente no tratamento de equipamento de som, resultado do fato de que a potncia e nveis de udio so relacionados em base logartmica. Isto , um aumento no nvel de potncia, digamos de 4 para 16 W, no resulta em um aumento no nvel de udio por fator de 16/4 = 4. O aumento ser por um fator de 2, resultado da potncia associada ao nmero 4; 42 = 16. Em termos logartmicos, a relao pode ser escrita por log4 16 = 2. A resposta do ouvido humano aos estmulos sonoros logartmica, isto , um aumento na intensidade de 10 para 100 no produz o mesmo aumento aparente de 1 para 10. Se, por exemplo, dobramos a potncia de um amplificador, nosso ouvido no sentir que a intensidade sonora foi dobrada. Bel o logartmico na base 10 da relao entre a potncia de sada e a potncia de entrada de um dispositivo.

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1 Bel= log (P2/P1), onde:

P2= potncia de sada P1= potncia de entrada

Como bel uma unidade grande, utilizamos o submltiplo decibel. A equivalncia entre Bel e decibel dada pela frmula abaixo:

1 Bel = log (P2/P1) = 10 log (P2/P1) dB

Veremos alguns exemplos aplicativos do uso do decibel. 1 - Um amplificador de udio requer 15mW de potncia para excit-lo na entrada. A sada do amplificador de 180mW. Qual o ganho em dB? Soluo: P1= 15mW - P2= 180mW G(dB) = ?

G (dB) = 10 log (P2/P1) = 10 log 180/15 logo; G (dB) = 10 log 12 = 10 . 1,0792 = G (dB) = 10,79 2 Um dispositivo excitado com 10 mW na entrada e a sada apresenta 1 mW. Qual o ganho, em dB, desse dispositivo? 10,79

Soluo : P1 = 10 mW P2 = 1mW G (dB) = ? G (dB) = 10 log (P2/P1) = 10 log (1/10) G (dB) = 10 log 10-1 = -10 log 10 = -10 . 1 = - 10 G (dB) = - 10 (perda) 18

Observe que neste caso o dispositivo apresenta um ganho de -10 dB ou uma perda de 10 dB. Logo, podemos concluir que o dispositivo um atenuador.

Voc poder determinar a relao entre as potncias de sada e de entrada de um dispositivo, conhecendo apenas o seu ganho em dB. Veja o exemplo: Um dispositivo tem um ganho de 30 dB. Qual a relao entre as potncias de sada e de entrada? Soluo : G (dB) = 10 log (P2/P1) 30 dB = 10 log (P2/P1) 3 dB = log (P2/P1) P2/P1 = 103 = 1000 P2/P1 = 1000

Por ltimo , voc conhecendo os ganhos ou perdas de vrios estgios de um dispositivo, poder calcular o ganho ou perda total desse dispositivo, em dB, somando algebricamente os ganhos e perdas parciais de cada estgio. Veja o exemplo: Um microfone conectado a um pr-amplificador, cujo o ganho de 45 dB. Aps o pr-amplificador, conectado um atenuador de 10 dB e este ligado a um amplificador final cujo ganho de 50 dB. Qual o ganho ou perda total?

Soluo: G (dB) = 45 - 10 + 50 = 85 dB 19

As especificaes de equipamentos eletrnicos de comunicaes (amplificadores, microfones etc.) so normalmente dadas em decibis. Para uma potncia especificada de sada P2 , deve haver um nvel de potncia de referncia Pref . O nvel de referncia normalmente considerado de 1mW, embora se aplique 6 mW como padro. A resistncia associada com o nvel 1 mW 600, que o valor da impedncia caracterstica das linhas de transmisso de udio. Quando o nvel 1 mW empregado como nvel de referncia, o smbolo de decibel dBm. A frmula geral : N (dB) = 10 log (P/Pref) onde: N (dB) = nvel em dB. P = potncia conhecida. Pref = potncia de referncia Valores de potncia de referncia: OBSERVAO: Conforme o valor da potncia de referncia, N pode ser expresso em dBm, dB ou dBW.

Pref = 1 mW, o nvel de P ser dado em dBm. Pref = 6 mW, o nvel de P ser dado em dB. Pref = 1 W , o nvel de P ser dado em dBW Veremos alguns aplicativos utilizando os nveis de referncia. 1 - Quanto vale 2 mW em dBm? Soluo: N (dBm = 10 log (P/Pref) como para dBm a Pref de 1 mW N (dBm) = 10 log (2mW/1mW) = 10 log 2 = 3 dBm

2 Expresse a potncia de 1mw em dBm. Soluo: N (dBm) = 10 log (P/Pref) como para dBm a Pref de 1 mW N (dBm) = 10 log (1mW/1mW) = 10 log 1 = 0 dBm

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3 D o valor de 6mW em dB. Soluo: N (dB) = 10 log (P/Pref) como para dB a Pref de 6 mW N (dB) = 10 log (6mW/6mW) = 10 log 1 = 0 dB

4 Expresse 2W em dBW

5 Expresse 1W em dBW. Soluo: N (dBW) = 10 log (P/Pref) como para dBW a Pref de 1W N (dBW) = 10 log (1W/1W) = 10 log 1 = 0 dBW. Podemos tambm calcular o ganho em decibel em funo da tenso ou da corrente. facil! Lembre-se: P = R . I2 = E2 / R Para haver a mxima transferncia de potncia em um determinado dispositivo, necessrio que as resistncias de sada (R2) e de entrada (R1) sejam iguais. Portanto, para determinar o ganho em decibel, em funo da tenso ou da corrente, voc usar uma das seguintes equaes: G(dB)= 10 log P2/P1 = 10 log R2.I22 / R1.I12 = 10 log I22 / I12 = 20 log (I2 / I1) ou G(dB)= 10 log P2/P1 = 10 log (E2)2/R2 : (E1)2/R1= 10 log E22/R2 : R1/E12 = 10 log (E2/E1)2 = 20 log (E2/E1)

Caro amigo(a), terminamos o texto com a certeza de que voc tenha percebido a importncia dos decibis para as telecomunicaes, entretanto vale a pena assimilar os conceitos relacionados a decibis para ento fazer os exerccios do texto II. Vamos a luta!

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Exerccios do Texto II
1 o logaritmo na base 10 da relao _______________ entre a _____________ de um dispositivo. (a) (b) (c) (d) Potncia de sada, potncia de entrada. Potncia de entrada, potncia de sada. Resistncia de entrada, resistncia de sada. Resistncia de sada, resistncia de entrada.

2 O valor de 6mW em dB ? (a) (b) (c) (d) 3dB 0dB 2dB 1dB

3 - dBm o decibel relativo a : (a) (b) (c) (d) 1W 6W 1 mW 6 mW

4 - O valor de 2 W em dBW : (a) (b) (c) (d) 0 1 2 3

5 - O valor de 1 W em dBW : (a) (b) (c) (d) 0 1 2 3

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Gabarito do Texto II

1A

2B

3C

4D

5A

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Texto III Dispositivos Semicondutores

Nesta atividade de ensino, voc ler textos e resolver os exerccios que lhe permitiro atingir os seguintes objetivos:

- Identificar a estrutura atmica dos semicondutores (Cn) ; - Identificar eltrons de valncia e banda de energia do tomo (Cn); - Identificar cristais semicondutores intrnsecos e extrnsecos (Cn); - Diferenciar as caractersticas dos semicondutores tipo P e N (Cp); - Identificar portadores de cargas majoritrios e minoritrios (Cn). Para entender como os diodos, transistores e circuitos integrados funcionam, voc precisar estudar os semicondutores: materiais que no so condutores nem isolantes. So elementos bsicos de qualquer equipamento eletrnico, destinados principalmente produo de sinais de radiofreqncia e de telecomunicaes digitais. Neste texto, mostraremos a estrutura atmica e principais caractersticas de um semicondutor. Fique atento as explicaes! SEMICONDUTORES Um semicondutor um elemento de valncia quatro. Isso significa que um tomo isolado desse material possui quatro eltrons na sua rbita mais externa ou rbita de valncia. O nmero de eltrons na rbita de valncia a chave para a condutibilidade. Os melhores condutores possuem apenas um eltron de valncia, semicondutores possuem quatro eltrons de valncia e isolantes, oito eltrons de valncia. O que seria rbita de valncia? a rbita que controla as propriedades eltricas do tomo. Para enfatizar a importncia da rbita externa(valncia), veremos a estrutura atmica dos tomos de Cobre(condutor) e Germnio(semicondutor).

COBRE 29+ 29-

GERMNIO +32 -32

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A parte central de um tomo (ncleo + rbitas internas) de Cobre tem uma carga lquida igual a + 1, ele contm 29 prtons e 28 eltrons internos. Como o eltron de valncia est numa rbita muito grande em torno da parte central e com uma carga lquida de apenas +1, a atrao pelo eltron externo muito pequena. Em razo dessa pequena atrao, o eltron externo as vezes chamado eltron livre. A idia que voc deve ter sempre em mente sobre um tomo de Cobre : como o eltron de valncia levemente atrado pela parte central (ncleo). Uma fora externa pode facilmente deslocar esse eltron livre do tomo. Por isso, o tomo de Cobre um bom condutor. A menor tenso pode fazer com que o eltron livre num fio de cobre circule de um tomo para outro. Os melhores condutores(prata , cobre e ouro) possuem um simples eltron de valncia. O tomo de Germnio um exemplo de um semicondutor. Como observamos ,o tomo de Germnio possui quatro eltrons na rbita externa (valncia), caracterstica de um semicondutor. O tomo de Germnio possui carga lquida + 4. Sua atrao com a parte central (ncleo) maior e, por isso, chamado semicondutor. Outro material semicondutor o Silcio. o mais usado como semicondutor. Seu tomo isolado possui 14 prtons e 14 eltrons e possui carga lquida +4 conforme figura abaixo.

SILCIO +14 -14

CRISTAIS Sabemos que os tomos, ao se combinarem, formam redes estruturais, cujos formatos podem ser amorfos ou cristalinos. - Amorfos : Quando a estrutura no tem forma definida. Ex : borracha , plsticos, gases, lquidos ,etc. - Cristalinos : Quando a estrutura bem definida(sempre em forma de cristais, dos mais variados tamanhos). Ex: diamante , germnio, silcio, cobre, etc. Quando tomos de Silcio se combinam para formar um slido, eles so arranjados segundo um padro ordenado chamado cristal. Cada tomo de silcio compartilha seu eltron aos outros tomos de Silcio, assim a rbita de valncia fica com oito eltrons formando o cristal e tornando-o quimicamente estvel.

CRISTAL DE SILCIO

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Cada tomo vizinho compartilha um eltron com o tomo central. Desse modo, todos os tomos centrais contribuem para que haja quatro eltrons adicionais dando um total de oito eltrons na sua rbita de valncia. Na verdade, os eltrons no pertencem mais um tomo isolado; eles so agora compartilhados pelo tomos adjacentes. Cada eltron compartilhado est sendo puxado em sentidos opostos, o eltron uma ligao entre as partes centrais opostas. Esse tipo de ligao qumica conhecido como ligao covalente. Num cristal de silcio, existem bilhes de tomos de silcio, cada um com oito eltrons de valncia. Esses eltrons de valncia so as ligaes covalentes que mantm os tomos de cristal unidos, formando slido. Cada tomo de um cristal de Silcio tem oito eltrons em sua rbita de valncia. Esses oito eltrons produzem uma estabilidade qumica que resulta num pedao de material slido. Existem equaes matemticas avanadas que explicam parcialmente por que oito eltrons produzem estabilidade qumica em diferentes materiais, mas nenhuma sabe na verdade por que o nmero oito to especial. A rbita de valncia no pode sustentar mais de oito eltrons. Alm disso , os oito eltrons de valncia so chamados eltrons de ligao, porque esto fixos pelos tomos. Por causa desses eltrons de ligao , um cristal de Silcio um isolante quase perfeito na temperatura ambiente (aproximadamente 25C). A energia trmica do ar ( de -273 C a aproximadamente 25 C) faz os tomos do cristal de silcio vibrarem num vaivm, dentro do cristal. Quanto mais alta a temperatura, dentro da faixa especificada acima, mais fortes so as vibraes desses tomos. As vibraes dos tomos de silcio podem, ocasionalmente , deslocar um eltron da rbita de valncia. Quando isso ocorre, o eltron liberado ganha energia suficiente para deslocar para outra rbita maior, conforme mostra a figura abaixo;

CRISTAL DE SILCIO

Nessa rbita maior, ele se torna um eltron livre. Alm disso , a sada do eltron deixa um vazio na rbita de valncia que chamado lacuna. Essa lacuna se comporta como uma carga positiva, porque ela pode atrair e manter capturado qualquer eltron nas proximidades. Num cristal de Silcio puro, so criados iguais nmeros de lacunas e de eltrons livres pela energia trmica. Os eltrons livres se movem randomicamente atravs do cristal. Ocasionalmente, um eltron livre se aproxima de uma lacuna, atrado e capturado. Essa unio de um eltron livre com uma lacuna chamada recombinao. O tempo entre a gerao de um eltron livre e seu desaparecimento chamado tempo de vida. Ele varia de alguns nanossegundos at vrios microssegundos, dependendo da perfeio do cristal e de outros fatores.

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SEMICONDUTORES INTRNSECOS Um semicondutor intrnseco um semicondutor puro. Um cristal de silcio ser um semicondutor intrnseco se todos os tomos do cristal forem de silcio. Na temperatura ambiente, um cristal de silcio se comporta como um isolante aproximadamente, porque ele tem apenas alguns eltrons e lacunas produzidos pela energia trmica. A figura abaixo mostra um cristal de Silcio entre placas metlicas carregadas, positivas e negativas. Suponha que uma energia trmica tenha gerado um eltron livre e uma lacuna. O eltron livre est numa rbita maior direita do cristal. Devido a carga negativa da placa, o eltron livre ser repelido para a esquerda. Esse eltron livre pode mover-se de uma rbita para a prxima at alcanar a placa positiva. Eltron Livre

NOTA: O movimento do eltron livre tem o sentido oposto ao da lacuna; Todo movimento de eltron produz uma lacuna.

SEMICONDUTORES EXTRNSECOS O semicondutor extrnseco um semicondutor impuro. Um semicondutor impuro adicionando impurezas aos tomos de um cristal intrnseco para alterar sua condutibilidade eltrica. O processo de formar um cristal extrnseco se chama dopagem. Um semicondutor dopado chamado semicondutor extrnseco. Atravs da dopagem podemos aumentar o nmero de eltrons ou o nmero de lacunas de um semicondutor. A dopagem pode ser feita adicionando tomos pentavalentes (cinco eltrons na rbita de valncia) ou tomos trivalentes(trs eltrons na rbita de valncia) ao cristal de silcio. 27

(a) tomos Pentavalentes (doador): Antimnio e Fsforo. (b) tomos Trivalentes: (receptor): Alumnio, Boro e Glio.

TIPOS DE SEMICONDUTORES EXTRINSECOS Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de eltrons livres ou um excesso de lacunas. Por isso , existem dois tipos de semicondutores . a) Semicondutor Tipo n: Nmero de eltrons livres maior que o nmero de lacuna. Os eltrons livres so chamados de portadores majoritrios e as lacunas portadores minoritrios. Usa dopagem com tomos pentavalentes.

Cada crculo com sinal positivo representa um tomo pentavalente e cada sinal negativo representa um eltron que esse tomo produziu. b) Semicondutor Tipo p: nmero de lacunas maior que o nmero de eltrons livres. As lacunas so chamadas de portadores majoritrios e os eltrons livres so chamados de portadores minoritrios. Usa dopagem com tomos trivalentes.

Cada crculo com sinal negativo representa um tomo trivalente e cada sinal positivo representa uma lacuna. 28

NVEIS DE ENERGIA Podemos identificar a energia total de um eltron pelas dimenses de sua rbita. Eltrons em rbitas menores esto nos primeiros nveis de energia e nas maiores esto em segundos nveis de energia e assim sucessivamente. Como o eltron atrado pelo ncleo , necessria uma energia extra para o eltron ser levado para uma rbita maior. Quando um eltron sai da sua primeira ou segunda rbita, ele ganha energia potencial em relao ao ncleo. Aps um eltron ser levado para uma rbita maior, ele pode voltar para seu nvel de energia original. Quando isso ocorre o , o eltron devolve sua energia extra em forma de calor, luz ou outro tipo de radiao. Um exemplo prtico de nveis de energia o diodo emissor de luz (LED). A tenso aplicada leva os eltrons aos nveis mais altos de energia. Quando eles voltam para seus nveis originais , devolvem a energia em forma de luz. Dependendo do material utilizado, a luz pode ser vermelha, verde, laranja, azul etc. As formas de energia externas capazes de levar eltrons para uma rbita maior so calor, luz e tenso.

BANDAS DE ENERGIA A figura abaixo representa os nveis de energia de um semicondutor intrnseco(feito de um s material). Dois eltrons num cristal no podem ter exatamente os mesmos nveis de energia. Por isso , todos os eltrons da primeira rbita tm nveis de energia ligeiramente diferentes. por isso que o primeiro nvel de energia da figura mostrado como uma banda de nveis de energia em vez de uma reta horizontal. De modo similar , os eltrons da Segunda rbita ficam dentro da segunda banda e os eltrons de valncia, na banda de valncia. Na temperatura -273C (temperatura zero absoluto), todos os eltrons de valncia esto firmemente presos banda de energia de valncia. Mas na temperatura ambiente, a energia trmica pode ocasionalmente levar um eltron de valncia para banda de conduo, conforme mostrado na figura;
BANDA DE CONDUO

25C - 273C

BANDA DE VALNCIA 2 BANDA 1 BANDA

Observao: A figura acima mostra as bandas de energia para um semicondutor tipo n. Repare que a banda de conduo tem muitos eltrons livres, enquanto a banda de valncia tem apenas algumas colunas. No semicondutor tipo p, observa-se a situao contrria, isto , a banda de conduo possui poucos eltrons livres enquanto a banda de valncia tem muitas lacunas. 29

Exerccios do Texto III

-RESPONDA AS QUESTES:

01 Um semicondutor elemento de valncia ? ............................................................................................................................................. 02 Qual a carga lquida de um semicondutor ? ............................................................................................................................................. 03 Qual a rbita que controla as propriedades eltricas do tomo ? ............................................................................................................................................. 04 O material mais utilizado como semicondutor o ? ............................................................................................................................................. 05 O vazio deixado por um eltron na rbita de valncia chamado de ? ............................................................................................................................................ 06 O movimento do eltron livre tem sentido ......................da lacuna.

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Gabarito do Texto III

01 - Quatro

02 - + 4

03 rbita de valncia

04 Silcio

05 Lacuna

06 Oposto

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Texto IV Diodos
Nesta atividade de ensino voc ler textos e resolver exerccios que lhe permitiro atingir os seguintes objetivos:

Identificar as caractersticas de um diodo de juno(Cp); Explicar os efeitos das polarizaes direta e inversa na juno PN de um diodo(Cp); Identificar o smbolo e forma fsica do diodo de juno(Cp); Distinguir a ruptura por avalanche e por efeito trmico numa polarizao inversa(Cp); Conhecer a curva caracterstica do diodo de juno(Cp); e Identificar o circuito equivalentes dos diodos(Cp).

Por si s , um pedao de semicondutor tipo n tem a mesma utilidade de um resistor de carbono ; o mesmo pode ser dito do semicondutor tipo p . Mas quando um fabricante dopa um cristal , de modo que metade dele seja do tipo p e a outra metade seja do tipo n , acontece um fato novo. A borda entre o tipo p e o tipo n chamada de juno pn . A juno pn deu origem a todos os tipos de invenes, incluindo diodos, transistores e circuitos integrados. A compreenso da juno pn permite que voc entenda todos os dispositivos semicondutores. Um fabricante poder fabricar um cristal simples com um material tipo p de um lado e um material tipo n do outro, conforme mostrado na figura. A juno a borda onde as regies do tipo p e do tipo n se encontram , e diodo de juno outro nome para um cristal pn. A palavra diodo a contrao de dois eletrodos, onde di representa dois.

JUNO PN

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Cada tomo pentavalente num cristal de silcio produz um eltron livre. Por essa razo, podemos visualizar um pedao de semicondutor tipo n , conforme mostrado no lado direito da figura. Cada crculo com sinal de mais representa um tomo pentavalente e cada sinal de menos um eltron livre que ele forneceu para semicondutor. De modo similar, podemos visualizar os tomos trivalentes e as lacunas de um semicondutor tipo p , conforme mostrado no lado esquerdo da figura. Cada sinal de menos, dentro do crculo, representa um tomo trivalente e cada sinal de mais, uma lacuna na sua rbita de valncia. Por causa da repulso entre os eltrons livres no lado n, tendem a difundir em todas as direes. Alguns eltrons livres se difundem atravs da juno. Quando um eltron livre penetra na regio p, ele se torna um portador minoritrio. Com tantas lacunas a sua volta, esse portador minoritrio tem pouco tempo de vida. Logo que ele entra na regio p, o eltron livre cai numa lacuna. Quando isso ocorre, a lacuna desaparece e o eltron livre passa a ser um eltron de valncia. Cada vez que um eltron se difunde atravs da juno , ele gera um par de ons. Quando um eltron sai do lado n, ele deixa para trs um tomo pentavalente que brevemente uma carga negativa; esse tomo pentavalente passa a ser um on positivo . Aps a imigrao , o eltron cai numa lacuna do lado p e faz com que tomo trivalente que o capturou se torne um on negativo. Veja figura;

Os ons so presos na estrutura do cristal por causa das ligaes covalentes e no podem se mover como os eltrons livres e as lacunas. Cada par de ons positivo e negativo na juno chamado de dipolo. A gerao de um dipolo significa que um eltron livre e uma lacuna saram de circulao. Como o nmero de dipolos aumenta, a regio prxima da juno fica vazia de portadores. Chamamos essa regio vazia de camada de depleo. Cada dipolo possui um campo eltrico entre o on positivo e o on negativo. Portanto , quando eltrons livres adicionais penetram na regio da camada de depleo, o campo eltrico tenta empurr-los de volta para a regio n. A intensidade do campo eltrico aumenta medida que os eltrons cruzam a juno at que o equilbrio seja atingido. Para uma primeira aproximao, isso significa que o campo eltrico eventualmente interrompe a difuso de eltrons por meio da juno. 33

O campo eltrico entre os ons equivalente a uma diferena de potencial chamada de barreira de potencial. temperatura de 25C, a barreira de potencial aproximadamente igual a 0,3V para os diodos de germnio e 0,7V para os diodos de silcio.

POLARIZAO DOS DIODOS: DIRETA E REVERSA(INVERSA) POLARIZAO DIRETA Observe a figura:

Quando os eltrons livres se movem para juno , ons positivos so gerados na extrema direita do cristal. Esses ons positivos puxam os eltrons do circuito externo para o cristal. Desse modo , eltrons livres podem sair do terminal negativo da fonte cc e circular para a extrema direita do cristal. Eltrons entram pela extrema direita do cristal , enquanto a massa de eltrons na regio n se move na direo da juno. A borda esquerda desse grupo em movimento desaparece quando ela atinge a juno (os eltrons se recombinam com as lacunas). Desse modo , h uma contnua enxurrada de eltrons. Os eltrons que desaparecem na juno se tornam eltrons de valncia. Como eltrons de valncia , eles se movem atravs das lacunas na regio p. Quando os eltrons de valncia alcanam a extrema esquerda do cristal, deixam o cristal, passam para o circuito externo e circulam at o terminal positivo da fonte. Aps ter deixado o terminal negativo da fonte, ele entra pela extrema direita do cristal, viaja atravs da regio n como um eltrons livre. Na juno ele se recombina com uma lacuna e se torna um eltron de valncia, viaja atravs da regio p como um eltron de valncia , deixa a extrema esquerda do cristal circulando para o terminal positiva da fonte.

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POLARIZAO REVERSA OU INVERSA

O terminal negativo da bateria atrai as lacunas e o terminal positivo da bateria atrai os eltrons livres. Por isso lacunas e eltrons livres circulam afastando da juno. Quando isso ocorre aumenta a rea na juno e chamamos de camada de depleo. Quanto mais larga for a camada de depleo, maior ser sua diferena de potencial. A camada de potencial pra de aumentar quando sua diferena de potencial se iguala tenso reversa aplicada. Em outras palavras a camada de depleo diretamente proporcional a tenso reversa aplicada. Quanto maior a tenso maior ser a largura da camada de depleo.
P n

CAMADA DE DEPLEO

Aps a estabilizao da camada de depleo h uma pequena corrente com a polarizao reversa ou inversa. A energia trmica gera pares de eltrons e lacunas incessantemente. Significa que existem poucos portadores majoritrios e minoritrios nos dois lados da juno. A camada de depleo empurra o eltron livre para a direita, forando um eltron a deixar a extrema direita do cristal. Da mesma forma a camada de depleo empurra a lacuna para a esquerda. A lacuna na extremidade esquerda de p admite a entrada de um eltron do circuito externo, que cai na lacuna. Como a energia trmica est incessantemente gerando pares de eltrons e lacunas dentro da camada de depleo, teremos uma pequena corrente continua pelo circuito externo. A corrente reversa provocada pela variao trmica chamada de corrente de saturao. 35

Quanto maior a temperatura na juno , maior a corrente de saturao. Alm da corrente devida aos portadores minoritrios gerados termicamente, existe uma pequena corrente circulando pela superfcie do diodo polarizado reversamente. Conhecida como corrente de fuga da superfcie, causada pelas impurezas na superfcie e pelas imperfeies na estrutura do cristal. RESUMO: A corrente reversa total de num diodo consiste de uma corrente de portadores minoritrios(muito pequena e que depende da temperatura) e uma corrente de fuga de superfcie(muito pequena e diretamente proporcional tenso). Em muitas aplicaes a corrente reversa num diodo de silcio to pequena que no a notamos. A idia principal a ser lembrada que : a corrente aproximadamente zero num diodo de silcio reversamente polarizado.

RUPTURA: Os diodos tm tenses nominais mximas. Existe um limite do valor de tenso reversa que um diodo pode suportar antes de ser destrudo. EFEITO AVALANCHE: Como sabemos, existe uma pequena corrente reversa de portadores minoritrios. Quando a tenso reversa aumenta, ela acelera os portadores minoritrios. Esses portadores minoritrios colidem com os tomos do cristal. Quando esses portadores minoritrios adquirem energia suficiente , podem chocar-se e liberar eltrons de valncia, isto , produzir eltrons livres. O processo geomtrico porque um eltron livre libera um eltron de valncia obtendo , portanto, dois eltrons livres. Esses dois eltron livres, por sua vez, libertam mais dois eltrons, obtendo quatro eltrons livres. Esse processo continua at que a corrente reversa se torne alta.

A tenso de ruptura de um diodo depende do nvel de dopagem. A tenso de ruptura em um diodo retificador geralmente maior que 50v.

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RUPTURA PELO EFEITO TRMICO: A ruptura de uma juno pelo efeito trmico, d-se quando o nmero de portadores minoritrios gerados pela temperatura, provocar no diodo, uma corrente inversa que resulte numa potncia maior do que a capacidade de dissipao da juno. A ruptura pelo efeito trmico causada por uma condio anormal do funcionamento do diodo. Esta situao contornada atravs de sistemas de refrigerao adequados que evitam que a juno se danifique por excesso de temperaturas .

Em geral os diodos de germnio suportam temperaturas at 75C e os de silcio at 150C

SMBOLO ESQUEMTICO O Smbolo do diodo parecido com uma seta que aponta do lado p (anodo) para o lado n (catodo). Por isso, a seta do diodo lembra que a corrente convencional circula facilmente do lado p para o lado n. Se voc usa o sentido real da corrente, os eltrons circulam facilmente contra a seta do diodo.

p n

Smbolo esquemtico de um diodo retificador

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CURVA DO DIODO Alguns dispositivos eletrnicos so lineares, por exemplo um resistor. Eles so chamados de lineares porque o grfico da corrente versus tenso uma linha reta, o que quer dizer que a corrente diretamente proporcional a tenso. Um diodo diferente. Por causa da barreira de potencial , um diodo no age como um resistor. H uma curva de corrente versus tenso o que difere do resistor, portanto o diodo produz um grfico no linear.

i +
p n mA Circuito com polarizao direta V 0,7V

Diodo de silcio

A figura acima representa um circuito com polarizao direta e seu grfico de corrente versus tenso. Com auxlio de um potencimetro podemos variar a tenso aplicada ao diodo. medida que aumentarmos a tenso sobre o diodo, podemos observar que o miliampermetro indicar uma corrente cada vez maior. No diodo de silcio a corrente cresce bruscamente quando a tenso chega a 0,7V e no diodo de germnio 0,3V. Esses valores de tenso no qual a corrente comea a aumentar rapidamente chamada de tenso de joelho.

38

i
Tenso de ruptura p n V

mA Circuito com polarizao inversa

Diodo de silcio

Na figura acima temos um circuito para anlise das caractersticas inversas de um diodo. Atuando no potencimetro , faamos com que a tenso negativa sobre o elemento P aumente lentamente. Nesta situao poderemos observar que a corrente quase desprezvel. Se continuarmos a aumentar a tenso sobre o diodo, chegaremos a um determinado valor de tenso em que h um aumento brusco de corrente inversa, podendo danificar a juno. A regio de tenso que provoca este rpido acrscimo na corrente inversa e chamado de regio de ruptura. O ponto de ruptura de suma importncia e depende de suas caractersticas de fabricao. Os diodos construdos com cristais de silcio suportam maiores tenses inversas do que os diodos de germnio. O grfico abaixo representa as curvas dos diodos de silcio e germnio polarizado diretamente e inversamente.

Ge

Si

0,3V Si Ge

0,7V

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O funcionamento de um diodo pode ser comparado com o de uma chave. Quando polarizado diretamente , a corrente sobre ele limitada pelo circuito externo, pois praticamente entra em curto agindo como uma chave fechada. Nos diodos de silcio entra em curto com 0,7V e nos diodos de germnio com 0,3V. Quando est polarizado inversamente, a corrente no circuito limitada por ele mesmo , que no a deixa fluir, correspondendo ento como um circuito aberto (chave aberta).

DIODO

DIRETAMENTE POLARIZADO

INVERSAMENTE POLARIZADO

A seguir sero propostas alguns exerccios para que voc possa avaliar o seu progresso.

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Exerccios do Texto IV
1 Como chamada a corrente reversa de um diodo provocada pela variao trmica? 2 Numa juno PN como chamado cada par de ons? 3 Qual o valor da barreira de potencial de um diodo de germnio? 4 Qual o valor da barreira de potencial de um diodo de silcio? 5 A corrente de fuga de superfcie de um diodo proporcional a: 6 Quanto vale a tenso de joelho de um diodo de silcio? 7 Quanto vale a tenso de joelho de um diodo de germnio? 8 Como se comporta um diodo diretamente polarizado? 9 Como se comporta um diodo reversamente polarizado? 10 Desenhe o smbolo de um diodo:

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Gabarito do Texto IV
1 Corrente de Saturao 2 - Dipolo 3 0,3V 4 0,7V 5 - Tenso 6 0,7V 7 0,3V 8 Chave fechada 9 Chave aberta 10 -

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Texto V Circuitos a Diodo

Nesta atividade de ensino voc ler textos e resolver exerccios que lhe permitiro atingir os seguintes objetivos:

Identificar o conceito e a finalidade de um retificador (Cn); Identificar o funcionamento de um circuito retificador de meia onda (Cp); Identificar o funcionamento de um circuito retificador de onda completa com transformador de tomada central e com circuito de ponte (Cp); Conhecer a finalidade de um circuito filtro (Cn); Identificar a finalidade do circuito regulador (Cp); Identificar uma fonte de alimentao (Cn); e Identificar os circuitos: limitador, dobradores de tenso, grampeadores (Cp).

FONTES DE ALIMENTAO Equipamentos de Telecomunicaes como: Transcepo de HF e VHF, microcomputadores, etc, necessitam de alimentaes com tenses contnuas para seus circuitos semicondutores. A rede eltrica no nos proporciona tenses contnuas como as pilhas e baterias fornecem. Pela rede eltrica so fornecidas tenses alternadas no compatveis com nossos equipamentos. E para o funcionamento dos circuitos eletrnicos, h necessidade de uma fonte de fora com sada DC para operao correta de seus elementos. O quadro abaixo representa as quatro formas de converso de uma forma de energia em outra, veja os exemplos possveis para entradas e sadas de energias eltricas. ENTRADA SADA AC AC DC DC DC AC AC DC DENOMINAO Regulador AC ou transformador Regulador DC/ou conversor DC Inversor Fonte Retificadora

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Todas tm aplicao em eletrnica, mas a fonte retificadora (AC em DC) a mais importante para o nosso estudo. A energia primria para a maioria das fontes de alimentao retificadora a tenso AC de 60Hz existente na rede eltrica. Antes que esta tenso senoidal possa ser aplicada aos circuitos eletrnicos, ela deve ser transformada em uma tenso DC. Essa transformao s obtida atravs de dispositivos que constituem a fonte de alimentao retificadora. Essa fonte possui quatro funes bsicas. So elas:

ajuste da amplitude da tenso AC(transformao); retificao; filtragem; regulagem;

FONTES RETIFICADORAS As companhias eltricas fornecem para nossos lares uma tenso senoidal (corrente alternada) monofsica que varia de regio para regio. Existem regies onde a tenso de 127V rms e outras regies 220V rms. H uma relao entre o valor rms e o valor mximo (valor de pico) da senide que dada por : Vrms = 0,707 Vp Ex :Suponha que a tenso numa tomada de alimentao seja de 120V rms. Qual deve ser a tenso de pico? Vp= Vrms 0,707 Vp = 120 V 0,707 = 170V

Essa equao diz que a tenso rms igual a 70,7% do valor de pico. Porm essas tenses de linha so muito altas para serem utilizadas diretamente em dispositivos eletrnicos.

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O que faremos ento para tornar a tenso da linha compatvel com os dispositivos eletrnicos? Existe um dispositivo chamado transformador que tem a capacidade de abaixar a tenso de linha em nveis mais apropriados para circuitos eletrnicos. Veja a figura 1:

Figura.-1

A tenso induzida no secundrio dada pela equao: N2 V1 N1

V2 =

Exemplo: um transformador abaixador tem uma relao de 5:1. Se a tenso no primrio for de 120 V rms, qual ser a tenso no secundrio? V2 = 120 V = 24 V 5 RETIFICADOR DE MEIA ONDA O circuito retificador de meia onda o mais simples e capaz de converter uma corrente alternada em corrente contnua .

Retificador de meia onda Fig.2

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Conforme a figura 2, a tenso da rede aplicada na tomada no enrolamento do transformador primrio. No semiciclo positivo da tenso no primrio, o enrolamento secundrio tem um semiciclo positivo da senide nos seus terminais. Isso significa que o diodo est diretamente polarizado. Porm, no semiciclo negativo da tenso no primrio, o enrolamento secundrio tem um semiciclo negativo da senide. Logo, o diodo fica reversamente polarizado. Perceberemos ento que no semiciclo positivo aparecer no resistor de carga , o que no acontece com semiciclo negativo. A figura 3 mostra a tenso na carga. Esse tipo de forma de onda chamado sinal de meia onda, porque o semiciclo negativo foi ceifado ou retirado. Como a tenso na carga tem apenas os semiciclos positivos , a corrente na carga unidirecional, o que significa que ela circula apenas num sentido. Portanto, a corrente na carga contnua e pulsante. Ela comea no zero do semiciclo, depois aumenta at o valor mximo no pico positivo, em seguida diminui at zero fica com esse valor durante o semiciclo negativo total.

Fig.3

VALOR DE TENSO Vdc OU VALOR MDIO DE UM RETIFICADOR DE MEIA ONDA: Se voc ligasse um voltmetro cc no resistor de carga da fig. ele indicar uma tenso cc de Vp/,que poder ser escrito como; Vdc= 0,318Vp Onde Vp o valor de pico do sinal de meia onda no resistor de carga. Ex: Na Europa, um retificador de meia onda tem uma tenso de entrada de 240 V rms, se o transformador abaixador tiver uma relao de espiras de 8:1, qual ser a tenso de pico na carga? Qual o Vdc na carga? Vp = 240 = 340 0,707 Vp2=340 : 8 =42,5

Vdc = 0,318 Vp2 = 0,318 . 42,5=13,5Vdc 46

Obs: 0,7 a tenso de joelho de um diodo de silcio. Resposta : 42,5 Vac e 13,5 Vdc Essa tenso cc algumas vezes chamada valor mdio do sinal de meia onda, porque o voltmetro l a tenso mdia de um ciclo completo. RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA COM TOMADA CENTRAL

Fig.4

A figura 4 mostra um retificador de onda completa. O circuito usa um transformador com centertrap (center tape), dois diodos retificadores (D1 e D2) e um resistor de carga RL. As formas de onda tenso para este circuito so mostradas na figura 5. A tenso que aparece entre os pontos A e C do secundrio do transformador mostrada em (A), enquanto que a tenso entre os pontos B e C mostrada em (B). A tenso atravs da resistncia de carga mostrada em (C).

t1

t2

t3

t4
Fig. 5

t5

t6

t7

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Durante o funcionamento , quando o ponto A no secundrio do transformador positivo em relao ao ponto C, o ponto B negativo com relao ao mesmo. Esta condio ocorre de t1 a t2 conforme mostrado na figura 4-5 . Durante este tempo , o diodo D1 conduzir e o diodo D2 no. O sentido da corrente na carga de baixo para cima e que a corrente flui somente na metade do enrolamento do secundrio, entre os pontos A e C. Durante o perodo de t2 a t3, o diodo D2 conduz e D1 no. A tenso DC atravs do resistor carga uma srie de pulsos unidirecionais, mas h o dobro de pulsos que havia no retificador de meia onda. Dois pulsos de sada ocorrem para cada ciclo de entrada. Portanto , os pulsos de sadas ocorrem em uma freqncia que o dobro da entrada. Se a freqncia de entrada de 60 Hz a de sada ser de 120 Hz. VALOR CC OU VALOR MDIO DE UM RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA: Se um voltmetro cc fosse conectado resistncia de carga da figura 4-4, ele indicaria uma tenso cc de 2vp/, que equivalente a

Vdc= 0,636Vp

Onde Vp o valor de pico do sinal de meia onda na resistncia de carga. Por exemplo se a tenso pico fosse 17V, o voltmetro cc indicaria Vdc = 0,636 Vp2 = 0,636 . 17 = 10,8 Vdc Essa tenso cc o valor mdio do sinal de onda completa porque o voltmetro l a tenso mdia de um ciclo completo. RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE

Retificador Completo em ponte Fig. 6

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A figura 6, mostra um retificador de onda completa em ponte. Se usarmos quatro diodos em vez de dois , poderemos eliminar a necessidade de uma tomada central aterrada. A vantagem de no usarmos uma tomada central que a tenso retificada na carga o dobro daquela que teria o retificador de onda completa com tomada central. Durante o semiciclo positivo da tenso da linha, os diodos D2 e D3 conduzem, o que produz um semiciclo positivo no resistor da carga. Durante o semiciclo negativo da tenso de linha, os diodos D1 e D4 conduzem, produzindo outro semiciclo positivo no resistor de carga. O resultado um sinal de onda completa no resistor de carga. Como a tenso total do secundrio est aplicada aos diodos em conduo que esto em srie com o resistor carga, a tenso na carga tem um valor ideal de pico que o dobro da tenso do retificador de onda completa discutido anteriormente.

Sinal de onda completa

As vantagens do retificador em ponte so sada em onda completa, tenso ideal de pico igual a tenso de pico do secundrio e a no necessidade do enrolamento secundrio com tomada central (CENTERTRAP). Essas vantagens fizeram do retificador em ponte o projeto mais popular de retificador. Muitos equipamentos usam o retificador em ponte para converter a tenso ca da linha em uma tenso cc adequada ao uso dos dispositivos semicondutores. FILTRO A tenso de sada de um retificador aplicada numa carga pulsante em vez de ser estvel. Durante um ciclo completo na sada, a tenso na carga aumenta a partir de zero at um valor de pico e depois diminui de volta a zero. Esse no o tipo de tenso cc de que a maioria dos circuitos eletrnicos precisa. necessria uma tenso estvel ou constante similar produzida por uma bateria. Para obter esse tipo de tenso retificada na carga, precisamos de um dispositivo chamado filtro.

Fig.7

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O tipo mais comum o filtro com capacitor mostrado na figura 7. Para simplificarmos a explicao inicial sobre filtros, consideramos o diodo (D1) da figura, sendo como um diodo ideal. Como sabemos um diodo ideal se comporta como uma chave. Como voc pode ver, um capacitor foi ligado em paralelo ao resistor de carga. Antes de ligarmos a alimentao, o capacitor est descarregado, logo, a tenso de carga zero. Durante o primeiro quarto de ciclo da tenso no secundrio, o diodo est diretamente polarizado. Idealmente, ele funciona como uma chave fechada. Como o diodo conecta o enrolamento secundrio diretamente ao capacitor, ele carrega at o valor de tenso de pico Vp. Logo aps pico positivo, o diodo pra de conduzir, o que significa uma chave aberta. Com o diodo agora aberto, o capacitor descarrega por meio da resistncia de carga. A idia principal sobre o filtro com capacitor esta: por um projeto deliberado, a constante de tempo de descarga (que o produto RL e C) muito maior que o perodo T do sinal de entrada. Portanto o capacitor apenas perder uma parte de sua carga durante o tempo que o diodo estiver polarizado inversamente. Quando a tenso da fonte atingir novamente seu valor de pico, o diodo conduzir brevemente e recarregar o capacitor at o valor da tenso de pico, que aproximadamente a tenso de pico do secundrio. A tenso na carga agora uma tenso cc mais estvel ou quase constante. A nica diferena para uma tenso cc pura a pequena ondulao (ripple) causada pela carga e descarga do capacitor. Uma forma de reduzir essa ondulao pelo aumento da constante de tempo de descarga que igual a RLC.

Um outro modo de reduzir a ondulao pelo uso de um retificador de onda completa com tomada central ou em ponte; portanto, a freqncia de ondulao de 120 Hz em vez de 60 Hz. Nesse caso, o capacitor carregado duas vezes e descarrega-se apenas metade do tempo. Como resultado, a ondulao menor e a tenso cc na sada mais prxima da tenso de pico.

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CIRCUITOS REGULADORES So circuitos capazes de manter a tenso na carga quase constante, independente da alta variao na tenso de linha e na resistncia de carga. O principal componente de um circuito regulador de tenso o diodo Zener. O diodo zener, tambm chamado de diodo regulador de tenso, um diodo que funciona de maneira similar a um diodo de juno comum PN, quando polarizado diretamente. Se polarizado inversamente, alm de no deixar passar a corrente eltrica, ele apresenta uma caracterstica muito especial: consegue manter a tenso entre seus terminais a um valor preestabelecido, mesmo sendo o valor aplicado maior que o valor nominal (especificao de cada diodo) do diodo.

Exemplo de funcionamento do Diodo Zener Usando um diodo Zener de 4,7 V conseguimos transformar qualquer tenso acima de 4,7 V em 4,7 V. Neste caso, a aplicao de uma tenso de 9 V em cima desse diodo far com que este seja reduzida para 4,7 V. Essa transformao tambm chamada regulao de tenso. Da que a aplicao mais usual do diodo Zener como um regulador de tenso.

Fig.8

A figura 8 mostra a sada de um sinal j retificado e filtrado. Observao: No texto X deste mdulo Dispositivos Especiais , estudaremos com maiores detalhes o funcionamento do diodo Zener.

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OUTRAS APLICAES PARA DIODOS DE JUNO PN DOBRADORES DE TENSO So circuitos com dois ou mais diodos retificadores que tem a finalidade de produzir uma tenso mdia igual a um mltiplo do valor da tenso de pico. Essas fontes de alimentao so utilizadas com dispositivos de alta e baixa corrente, como os tubos de raios catdicos. Veremos ento dois tipos de dobradores de tenso; 1 - Dobrador de Tenso de Meia Onda:

Fig 9

Funcionamento: no pico do semiciclo negativo, D1 fica diretamente polarizado e D2, reversamente polarizado. Idealmente , isso carrega o capacitor C1 com tenso de pico Vp. No pico do semiciclo positivo, D1 fica reversamente polarizado e D2, diretamente polarizado. Como a fonte ca e C1 esto em srie, C2 tentar carregar at uma tenso de 2Vp. Depois de vrios ciclos , a tenso em C2 ser igual a 2Vp.

Fig.10

Conectando ao circuito uma resistncia, conforme mostra a figura 10, est claro que o capacitor descarrega pelo resistor de carga. Para isso a carga dever ser de baixo valor, ou alta resistncia (uma constante de tempo). Com isso a tenso de sada ser o dobro da tenso de entrada. Essa tenso de entrada se origina de um transformador. A principal finalidade dos circuitos dobradores de tenso elevar a tenso a valores altos. Sabemos que podemos elevar a tenso atravs de transformadores, porm os transformadores so de grandes propores, o que leva o projetista a optar por circuitos dobradores.

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2 Dobrador de Tenso de Onda Completa

Fig.11

A figura 11 mostra um dobrador de tenso de onda completa. Durante o semiciclo positivo da fonte Ca, o capacitor de cima carrega at o valor de pico com a polaridade mostrada. No semiciclo negativo, o capacitor de baixo carrega at o valor de pico com a polaridade mostrada. Para cargas leves, a tenso final de aproximadamente 2Vp. O LIMITADOR (CEIFADOR) A principal finalidade de um circuito limitador de retirar uma parte do sinal de tenso acima ou abaixo de um nvel especificado. No apenas til para a formao de sinais, mas tambm para proteo de circuitos que recebem sinais. Esses diodos so de pequenos sinais, isto , tm baixa potncia, abaixo de 0,5 W e freqncias acima de 60 Hz, ao contrrio dos diodos retificadores que possuem potncia acima de 0,5 W e freqncia de 60 Hz.-

Fig.12

Funcionamento: Durante o semiciclo negativo, o diodo est reversamente polarizado e aparece como uma chave aberta. O semiciclo positivo foi ceifado. Se houver a inverso da polaridade do diodo, obtm-se um limitador negativo que corta os semiciclos negativos. Veja figura 12;

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APLICAO DE UM CIRCUITO LIMITADOR POLARIZADO Com o limitador polarizado, figura 12-1, voc pode mover o nvel de ceifamento para um valor V + 0,7 para tenses de entrada maior que esse valor, o diodo conduz e a sada mantida em V + 0,7. Se a tenso de entrada for V + 0,7, o diodo abre e o circuito passa a ser um divisor de tenso. Combinando os limitadores, pode-se criar limitadores como o da figura 12-2.

Fig.12-1

Fig.12-2

O Limitador pode ser usado como protetor de cargas contra valores excessivos de tenso. A figura 12-3 mostra um diodo PN cuja funo a de proteger a carga. Se um valor de tenso for excessivo na entrada do circuito da figura 12-3 (Vent), o diodo conduz (entrada ser superior a + 5,7V) e far o diodo conduzir. A tenso destrutivamente alta, por exemplo + 100 V, ela nunca atingir a carga porque o diodo grampeia a tenso em + 5,7 V.

Figura 12-3 O GRAMPEADOR CC O grampo do diodo uma variao do limitador. Um grampeador cc diferente. Ele acrescenta uma tenso cc ao sinal. Se um sinal de entrada varia de 10V a + 10V, um grampeador cc positivo produzir uma tenso de sada que aproximar de 0 a 20V. Um grampeador cc negativo produzir uma sada de 0 20V.

Grampeador CC positivo Figura 13

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A figura 13 mostra um grampeador positivo. No primeiro semiciclo negativo da tenso de entrada, o diodo conduz. No pico negativo, o capacitor deve-se carregar com Vp. Aps o pico negativo, o diodo corta funcionando como uma chave aberta. A constante de tempo RLC feita deliberadamente muito maior que o perodo T do sinal de entrada. Por essa razo, o capacitor permanece quase totalmente carregado durante o tempo em que o diodo est em corte. Para uma aproximao, o capacitor age como uma bateria de Vp volts. Sendo assim a tenso na sada um grampeador de sinal positivo. Para obtermos um grampeador de sinal negativo, devemos mudar a polaridade do diodo. A polaridade do capacitor invertida e o circuito age como um grampeador negativo. Tanto os grampeadores positivos quanto os grampeadores negativos so muito usados em receptores de televiso para grampear cc e acrescentar uma tenso cc ao sinal de vdeo. Um outro dispositivo que grampeia um sinal de entrada o DETECTOR DE PICO A PICO, cuja funo a de deixar a sua sada preparada para aplicao de um voltmetro cc. A combinao funciona como um voltmetro ca de pico a pico. Se por exemplo um sinal de 10 a + 40 V for aplicada na entrada deste detector, ento teremos na sada do mesmo e entrada do voltmetro cc um valor de 50 V de leitura, veja a figura 14.

DETECTOR DE PICO A PICO Figura 14 Bem amigos, aqui terminamos este texto, cujo estudo veio de encontro com as expectativas propostas pelos objetivos. Espero que voc tenha observado como importante o estudo dos semicondutores, entre eles o diodo, e verificar que muitos dispositivos eletrnicos utilizam diodos para retificao, estabilizao e adequao dos sinais senoidais. A seguir sero propostas alguns exerccios para que voc verifique seu nvel de aprendizagem ! Boa Sorte!

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Exerccios do Texto V
1 Quanto vale 110 Vrms no valor de pico? 2 Um transformador tem relao de espiras de 3:1. A tenso do primrio de 127Vrms. Qual ser a tenso de sada em rms desse mesmo transformador? 3 Qual a funo do centertrap em um retificador de onda completa? 4 O que so circuitos reguladores? 5 Em que situao opera o diodo Zener? 6 Qual a finalidade do circuito filtro 7 Qual tipo de retificador representa a figura abaixo?

8 O que so circuitos limitadores? 9 Qual a finalidade dos dobradores de tenso? 10 O que so circuitos grampeadores?

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Gabarito do Texto V
1- 155Vp 2 42V 3- O centertrap age como um divisor de tenso 4 So circuitos capazes de manter a tenso na carga quase constante, independente da alta variao na tenso de linha e na resistncia de carga. 5 Opera na regio de ruptura do diodo. 6 - Tornar a tenso, aps retificada, em uma tenso CC mais pura semelhante a tenso de uma bateria. 7 Onda completa em ponte. 8 So circuitos que tem a finalidade de retirar uma parte do sinal de tenso acima ou abaixo de um nvel especificado 9 Produzir uma tenso mdia igual ao mltiplo do valor da tenso de pico. 10 So circuitos que acrescentam uma tenso CC ao sinal.

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Texto VI Transistores de Juno

Nesta atividade de ensino voc ler textos e resolver exerccios que lhe permitiro atingir os seguintes objetivos:

Identificar a teoria do transistor (Cp); Diferenciar os transistores atravs de sua simbologia (Cp); Identificar as correntes e as tenses do transistor, bem como suas relaes (Cp); Identificar as caractersticas das configuraes base comum, emissor comum e coletor comum (Cn); Esboar as curvas caractersticas das configuraes atravs dos grficos (Cp); Definir ganhos de corrente, de tenso e de potncia em um transistor (Cn); Identificar polarizao de transistor e seus circuitos bsicos (Cn); e Identificar saturao e ponto de corte de um transistor (Cn);

Antes de falar sobre a formao do transistor veremos um pouco de sua histria. O sinal de TV ou de rdio recebido por uma antena to fraco que ele no pode, fazer funcionar um alto-falante ou um tubo de imagem de TV. Por isso necessrio amplificar um sinal fraco at que ele tenha potncia suficiente para aplicaes prticas. Antes de 1951, as vlvulas eram os principais dispositivos usados para amplificao de sinais. Eram excelentes amplificadoras, porm apresentavam uma srie de desvantagens. Dentre elas: Precisavam de potncia maior , 1 W ou mais; a vida til de seu filamento era pequena.; ocupam maior espao e aumenta a temperatura interna dos equipamentos. Em 1948, os pesquisadores Bardeen, Brattain e Shockley anunciaram o primeiro transistor de juno, um dispositivo semicondutor capaz de amplificar sinais de rdio e de TV. A origem da palavra transistor vem de transference resistor ou resistor de transferncia. As vantagens do transistor ultrapassam de longe as desvantagens de uma vlvula. Dentre essas vantagens podemos citar: potncia menor (rdios portteis, por exemplo, necessitam de pouca potncia, quando comparado com a potncia da vlvula, para funcionamento dos dispositivos eletrnicos); tamanho reduzido ocupando menor espao, e como gera pouco calor pode funcionar em temperaturas baixas. 58

O transistor possibilitou a inveno de vrios outros dispositivos, inclusive a do circuito integrado (CI.), um dispositivo pequeno que contm milhares de transistores. Veremos neste texto o transistores bipolares, que funciona por eltrons e lacunas. (A palavra bipolar vem do termo dois plos). FORMAO DE TRANSISTOR O transistor constitudo de uma pequena estrutura cristalina. Um transistor tem trs regies dopadas. A regio inferior chamada de emissor, a regio do meio a base e a regio superior o coletor. Em particular o transistor da figura 1 um transistor npn, mas tambm podem ser produzidos como transistores pnp

Fig. 1

Existe no transistor duas junes: uma entre a base e o emissor e outra entre a base e o coletor. Por isso o transistor similar a dois diodos. Ento podemos nos referir a essas duas partes como diodo emissor (o da esquerda) e o diodo coletor (o da direita).

Fig. 2

NOTA: A camada da depleo no emissor bem estreita devido a sua alta dopagem; e a depleo no coletor mais larga devido a sua menor dopagem.

A figura 1 mostra as regies antes de acontecer a difuso. Os eltrons livres em cada regio n se difundem atravs da juno e se recombinam com as lacunas na regio p. os tomos que perderam eltrons no elemento N se tornam ons positivos e no elemento P os tomos receberam eltrons se tornando ons negativos. O resultado so as duas camadas de depleo. Veja figura 2. Para cada camada de depleo, a barreira de potencial de 0,7V (tratando-se de dispositivos de silcio) e 0,3V(tratando de dispositivos de germnio) na temperatura de 25C. 59

Na maioria dos transistores , mais de 95% dos eltrons vo do emissor para o coletor, menos de 5% circulam pelo terminal externo da base. O nvel de dopagem do coletor est entre a dopagem do emissor e o da base. SMBOLOS ESQUEMTICOS DOS TRANSISTORES A figura 3 representa os smbolos esquemticos de transistores NPN e PNP.

Fig. 3

AS CORRENTES E AS TENSES NO TRANSISTOR: A figura 4 mostra os smbolos esquemticos dos transistores NPN e PNP com suas respectivas correntes e sentidos eletrnicos (para o sentido convencional, a corrente inverter de posio para ambos transistores). O sentido da corrente oposto ao da seta do smbolo do transistor.

Fig. 4

No smbolo do transistor a seta est situada no emissor e sempre aponta para o elemento N

Como podemos observar existem trs correntes diferentes num transistor: a corrente no emissor IE, a corrente na base IB e a corrente no coletor IC. Como o emissor uma fonte direta, sua corrente a maior das trs. Quase todos os eltrons do emissor circulam pelo coletor, logo, 60

a corrente no coletor aproximadamente igual corrente no emissor. A corrente de base muito pequena comparada com as demais. A lei das correntes de Kirchhoff diz que a soma de todas as correntes que entram num n ou juno igual soma das correntes que saem desse n ou juno. Quando aplicada num transistor, a lei das correntes de Kirchhoff fornecem importante relao sobre as correntes do transistor. IE = IC + IB Essa equao diz que a corrente do emissor igual soma das correntes do coletor e da base. Numa aproximao, a corrente do coletor pode ser considerada igual ao do emissor. Os portadores majoritrios dos transistores NPN so os eltrons e dos PNP so as lacunas. Assim, nos transistores NPN, a corrente flui de emissor para coletor, no mesmo sentido que os portadores majoritrios. J nos transistores PNP, a corrente flui de coletor para emissor, em sentido contrrio ao dos portadores majoritrios. Em um transistor NPN, a corrente IB a parte de IE que no atinge o coletor. Logo, esta sai da base. No transistor PNP, a IB deve se somar IC para formarem a IE.

Cada uma das junes de um transistor apresenta uma queda de tenso , que denominada conforme a juno. Vejamos essas denominaes: VBE ou VEB Tenso entre a base e o emissor; VBC ou VCB Tenso entre a base e o coletor; VCE ou VEC Tenso entre o coletor e o emissor.

seja:

Das trs, a maior VCE. Podemos ento dizer que VCE a soma das outras duas, ou VCE = VBE + VBC.

Podemos tambm medir a tenso de um elemento qualquer do transistor em referncia terra. Nesse caso os termos empregados sero: VB Tenso entre a base e terra; VE Tenso entre o emissor e terra; VC Tenso entre o coletor e terra.

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Esses termos so vlidos para qualquer transistor em qualquer configurao.

Resumindo: VCE = VBE + VCB; IE = IB + IC: A Ic controlada pela barreira de potencial da juno base-emissor e O sentido da corrente sempre contrrio ao da seta do smbolo.

POLARIZAO DE UM TRANSISTOR ? Um transistor no capaz de amplificar um sinal ca, sem antes estar polarizado com energia DC. A alimentao cc do transistor, tambm chamada de polarizao, o que faz a mgica da amplificao. Obviamente, se o transistor no fosse alimentado por uma fonte de alimentao, ele no teria como funcionar. Na realidade, o transistor usa a tenso da fonte para aumentar a tenso dada para ele amplificar. Os ganhos de tenso obtidos com um amplificador podem ser assustadoramente grandes, mas so limitados polarizao do transistor.

A figura 5 mostra os smbolos dos transistores PNP e NPN, polarizados com duas baterias. Para entendermos melhor cada configurao devemos saber como feita a polarizao de um transistor. Polarizar significa aplicar tenses e correntes DC aos seus elementos de modo que a juno base-emissor seja polarizada diretamente e a juno base-coletor inversamente. A polarizao determina o ponto de operao esttica do transistor em sua curva caracterstica. Observao: todo transistor possui um grfico chamado curva caracterstica. atravs dessa curva que um circuito amplificador calculado e criado. Existem basicamente duas curvas caractersticas, uma para a entrada do transistor e outra para a sada. A curva caracterstica de sada a mais importante, pois atravs dela que iremos definir o ponto de operao esttica (ponto Q - quiescente) de funcionamento do transistor. Esse ponto justamente onde o transistor trabalhar em situao esttica (polarizao DC), aguardando o sinal de entrada AC para amplificao, situao dinmica.

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TIPOS DE CONFIGURAO Independentemente de sua aplicao, o transistor s pode ser ligado de trs maneiras possveis. Essas maneiras so baseadas em qual dos terminais do transistor ser ligado ao terra (plo negativo) do circuito. Assim, essas trs configuraes so chamadas emissor comum, coletor comum e base comum, dependendo do terminal que ligado ao terra, e so apresentadas na figura 6 com os transistores NPN e PNP.

Fig. 6

Para verificarmos os tipos de configurao levaremos em conta o seguinte:

a) Sempre que a base, o emissor ou o coletor estiver aterrado, este ser comum; b) Na configurao base comum a entrada do sinal ser no emissor; c) Na configurao emissor comum a entrada do sinal ser na base; d) Na configurao coletor comum a entrada ser na base. CONFIGURAO BASE COMUM

Fig. 7

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Na configurao base comum temos as seguintes caractersticas: a base aterrada, comum ao emissor e ao coletor; a entrada do sinal no emissor; a sada do sinal no coletor; impedncia de entrada baixa; impedncia de sada Alta; na sada , pelo coletor, o sinal AC est em fase com o sinal AC de entrada (pela base); g) ganho de tenso alto; h) ganho de corrente baixo () e i) ganho de potncia baixo. Nota-se que a juno emissor-base est polarizada diretamente e a juno coletor-base inversamente. Com estas polarizaes, entrada e sada do circuito apresentam, respectivamente, baixa e alta resistncia. Devido a baixa resistncia de entrada, um amplificador em base comum no to usado quanto um amplificador em emissor-comum, pois a impedncia de entrada de um amplificador base-comum to baixa que ela sobrecarrega quase todas as fontes de sinais (AC). As fontes so foradas a trabalharem com freqncias maiores do que realmente elas podem realmente fornecer, ocasionando assim uma perda do sinal de entrada. Um amplificador base-comum discreto no muito usado em baixas freqncias, sua utilidade est para freqncias acima de 10 Mhz, onde as fontes de baixas impedncias so comuns. Como as impedncias de sada e entrada so respectivamente, alta e baixa, neste tipo de configurao haver um alto ganho de resistncia e consequentemente um elevado ganho de tenso, da o nome transistor que significa transfere resistor , isto , com uma resistncia baixa na entrada, haver uma transferncia de resistncia alta para sada. O ganho de corrente outro fator importante. Percebe-se que o ganho de corrente menor do que um e que as impedncias de entrada e sada so respectivamente, baixas e altas, ocasionando assim uma baixa corrente de sada dividida pela alta corrente de entrada, conforme mostrado na frmula de ganho de corrente () em base-comum. = Ic Ie a) b) c) d) e) f)

A conseqncia direta desse baixo ganho de corrente a presena de uma baixa potncia na sada do amplificador.

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AMPLIFICADOR EM CONFIGURAO COLETOR COMUM

Figura 8

Na configurao coletor comum temos as seguintes caractersticas: a) b) c) d) e) f) g) h) i) o coletor aterrado, comum ao emissor e a base; a entrada do sinal na base; a sada do sinal no emissor ; impedncia de entrada alta; impedncia de sada baixa; na sada , pelo emissor, o sinal Ac est em fase com o sinal Ac de entrada (pela base); ganho de tenso baixo ; ganho de corrente alto () e ganho de potncia mdio.

O amplificador em coletor-comum tambm chamado de seguidor de emissor. Sua funo a de evitar a sobrecarga em amplificadores de configurao emissor-comum. Quando se conecta a sada de um coletor em emissor-comum a uma carga cuja resistncia baixa, o ganho de tenso cai a um valor muito baixo, ocasionando sobrecarga. O que se faz conectar um seguidor de emissor entre o amplificador emissor-comum (EC) e a pequena resistncia de carga. O seguidor de emissor aciona a pequena resistncia de carga com praticamente nenhum ganho de tenso, alm disso, ele tem uma impedncia de entrada to alta que no sobrecarrega o amplificador EC. O ganho de tenso baixo, pois as resistncias de sada e entrada, respectivamente, so baixa e alta, portanto a amplificao menor do que a unidade. E por causa da realimentao negativa muito forte, o ganho de tenso bastante estvel, quase no existe distoro (a impedncia de entrada da base muito alta).

Observao: O que Realimentao negativa? A corrente na base uma entrada para o transistor, enquanto as correntes do coletor e do emissor so as sadas. Quando o ganho de corrente aumenta, isso aumenta a sada (corrente no emissor) em um determinado valor. Essa corrente de sada circula pelo resistor do emissor Re, que diminui a entrada (corrente no emissor) em determinado valor. Isso muito importante: a sada muda a entrada (refere-se a uma sada controlando a entrada). 65

AMPLIFICADOR EM CONFIGURAO EMISSOR COMUM

Figura 9

Na configurao emissor comum temos as seguintes caractersticas: a) b) c) d) e) f) o emissor aterrado, comum a base e ao coletor; a entrada do sinal na base; a sada do sinal no coletor ; impedncia de entrada mdia; impedncia de sada mdia; na sada , pelo emissor, o sinal AC est defasado 180 com o sinal AC de entrada (pela base); g) ganho de tenso mdio ; h) ganho de corrente mdio () e i) ganho de potncia mdio. Note que a configurao de emissor-comum apresenta uma inverso de fase de 180 no sinal. Em amplificadores de udio comerciais, comum o uso de amplificadores de mais de um estgio, isto , a sada do amplificador conectada entrada de um segundo circuito amplificador, de forma amplificar ainda mais o som. Como o segundo estgio ir inverter novamente o sinal, na sada do amplificador ele ser apresentado de forma correta. A configurao emissor- comum a mais usada. Apresenta ganhos mdio de tenso e potncia e conseqentemente impedncias de entrada e sada mdias. O ganho de corrente mdio e calculado por = Ic Ib

Os capacitores usados na entrada e sada so capacitores de desacoplamento. Eles so colocados de forma que s entre ou saia do circuito tenso alternada. A tenso contnua do circuito (tenso da fonte) ser bloqueada pelos capacitores. Com isso, a tenso da fonte no sai para o circuito que esteja na entrada do amplificador (um CD por exemplo), no danificando esses circuitos. O capacitor colocado no emissor do transistor chamado de capacitor de desvio (by-pass) e serve para aumentar o ganho do circuito.

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CARACTERSTICAS ESTTICAS E DINMICAS DE UM AMPLIFICADOR EM EMISSOR COMUM Todo transistor possui um grfico dado em seu data sheet (livro de dados tcnicos) chamado curva caracterstica. atravs dessa curva que um circuito amplificador calculado e criado. Existem duas curvas, uma para a entrada e outra para a sada. A curva caracterstica de sada a mais importante. Quando se projeta um amplificador, temos uma noo de qual ser o seu uso. Assim, sabe-se que o transistor dever ser escolhido para essas aplicaes, baseado em sua curva caracterstica.

Figura 10

Curva caracterstica de sada com a reta de carga e ponto quiescente Q. Funcionamento esttico e dinmico de um transistor em configurao emissor comum Em cima da curva caracterstica de sada, traamos uma reta (chamada de reta de carga) e descobrimos o ponto de operao do transistor, chamado de ponto quiescente Q. Esse ponto justamente onde o transistor trabalhar (FUNCIONAMENTO ESTTICO DO TRANSISTOR polarizao DC ao circuito com transistor). Definindo esse ponto, automaticamente definiremos valores de operao do transistor no circuito, tornando o clculo do amplificador extremamente simples, isto , o clculo dos resistores para a correta polarizao do transistor. De imediato, o ponto Q indicar qual ser a corrente de coletor Ic no eixo y e a tenso entre coletor e emissor Vce no eixo x que devero ser usados pelo transistor. O ponto Q deve ficar centralizado na reta de carga com a finalidade de manter o ponto esttico atravs de uma corrente Ib estvel, no grfico temos Ib = 20 A. Ao traar a reta de carga, uma certa corrente de coletor Ic tambm estar definida, essa mxima Ic chamada de corrente de saturao, pelo grfico vale 3 mA. E ao definir o ponto Q, o ponto indicar imediatamente a tenso entre coletor e emissor Vce que dever ser usada no eixo x. A mxima Vce coincide com o valor da bateria de polarizao Vcc, pelo grfico a Vce = Vcc (Tenso de corte). Se a corrente de base aplicada no transistor for muito baixa, ele entrar em uma regio chamada de regio de corte, onde sua corrente de coletor ser tambm muito baixa. Podemos dizer, inclusive, que o transistor estar desligado. 67

Por outro lado, se a corrente de base for muito alta e o transistor no conseguir acompanhar a sua corrente de coletor apropriadamente isto , tentarmos efetuar uma amplificao de corrente maior do que a suportada pelo transistor, ele entrar em uma regio chamada regio de saturao. Quando o transistor entra nessa regio, o amplificador tambm no funciona, mas dessa vez por excesso de corrente. Quando isso ocorre, a tenso entre coletor e emissor (Vce) fica tipicamente em 0,7 V. O ponto Q fica no meio da reta de carga, se ao contrrio, o ponto Q estivesse em uma outra situao que no seja o ponto mdio da reta de carga, um transistor poderia rapidamente entrar em saturao ou em corte, ou vice-versa (FUNCIONAMENTO DINMICO DO TRANSISTOR sinal sendo amplificado em cima da polarizao DC do circuito com transistor), e os tempos de corte e saturao poderiam estar diferentes para processos de chaveamento (comutao de estados) e at mesmo a forma de onda de sada poderia ser cortada (ceifada) em uma certa parte da onda. Veja as figura 11, na figura 11-(a), temos funcionamento correto do amplificador e na figura 11-(b), temos um transistor em saturao com uma parte da onda de sada cortada ou ceifada.

Figura 11

(a)

(b)

O modelo de amplificador que explicamos at agora chamado classe A (assunto do texto VI). Nesse tipo de amplificador o transistor amplifica durante as duas alternncias do sinal de entrada, o que exige maior dedicao do transistor durante a amplificao do sinal. Percebe-se que para manter uma boa estabilidade do ponto Q necessrio fazer a corrente de base Ib mais estvel possvel, isto , imune s variaes de corrente na base, provocada por um aumento da temperatura, por exemplo. A polarizao por divisor de tenso (PDT) a que proporciona a maior estabilidade do ponto Q. Por outro lado, percebe-se que um transistor s conseguir amplificar sinal, quando estiver polarizado com energia DC adequada situao e com os elementos passivos (resistores, capacitores e bateria- Vcc) calculados para funcionar nos pontos estabelecidos. No nos interessa os clculos, e sim as caractersticas gerais de funcionamento do transistor nas situaes esttica e dinmica. Fique tranqilo e passe aos exerccios para compreender os assuntos aqui abordados. 68

Exerccios Texto VI

1 Cite duas vantagens do transistor com relao a vlvula. 2 Podemos afirmar que o transistor se comporta como______diodos. 3 A porcentagem de eltrons que passa do emissor para o coletor quando polarizamos diretamente o emissor de ? 4 Um circuito onde o sinal aplicado no emissor e retirado do coletor est na configurao__________________comum. 5 Um circuito coletor comum possui o sinal de entrada aplicado_______________e retirado_____________________. 6 Na configurao Emissor comum o sinal aplicado ___________________e retirado__________________ 7 O ganho de corrente designado configurao____________________comum. a)alfa emissor c)alfa coletor b) beta - emissor d)beta - base por_____________se refere

8 Qual a configurao possui o maior ganho de corrente? 9 Qual dos desenhos a seguir possui o sentido correto de corrente?

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Gabarito do Texto VI
1 Potncia menor , tamanho reduzido. 2 dois diodos 3 95% 4 Base 5 na Base - no Emissor 6 na Base no Coletor 7-b 8 coletor comum 9-c

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Texto VII Amplificadores Lineares

Nesta atividade de ensino voc ler textos e resolver exerccios que lhe permitiro atingir os seguintes objetivos:

Definir um amplificador linear (Cn); Identificar no amplificador transistorizado: impedncia de entrada e de sada, bem como ganho de corrente, de tenso e de potncia (Cn); Identificar os mtodos de acoplamento nos amplificadores (Cn); Identificar os amplificadores classes: A, B, AB, e C (Cn);

Identificar os amplificadores de baixa e alta freqncia (Cn); Identificar os amplificadores de tenso e de potncia (Cn); e Identificar um amplificador: push-pull (Cn).

Um amplificador recebe um sinal de um determinado transdutor ou outra fonte de entrada, e fornece uma verso amplificada desse sinal para um dispositivo de sada ou outro estgio amplificador. Um sinal de um transdutor na entrada geralmente pequeno (tape-deck , CD ou alguns microvolts de uma antena receptora) e precisa ser amplificado o suficiente para acionar um dispositivo de sada (alto-falante ou outro dispositivo de potncia). Linearidade na amplificao e amplitude de ganho so os fatores principais de um amplificador de pequenos sinais. Como os sinais de tenso e corrente so pequenos nestes tipos de amplificadores, a quantidade de potncia que ele capaz de fornecer e sua eficincia so fatores de pouco interesse. Amplificadores de tenso servem para aumentar a tenso de um sinal de entrada e amplificadores de potncia ou de grandes sinais servem para acionar um dispositivo (altofalante) que trabalham com potncias na faixa de alguns watts a dezenas de watts. Um bom casamento de impedncia e potncias adequadas fazem com que tenhamos uma boa eficincia (quantidade de potncia AC transferida para a carga) na sada de um amplificador em estgios. Antes de iniciarmos nosso estudo dos amplificadores, vamos entender o que vem a ser casamento de impedncias.

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IMPEDNCIA DE ENTRADA Esta caracterstica nos diz com que tipo de sinal o amplificador trabalha. Um dispositivo s pode entregar toda a sua potncia a outra se houver um casamento de impedncia entre eles, conforme mostra a figura 1.

Fig. 1

Os sinais que devem ser amplificados por um amplificador podem ter as mais diversas origens, provindo de dispositivos que tenham impedncias diversas. Assim, enquanto um microfone dinmico um dispositivo de baixa impedncia (em torno de 200 ), uma cpsula de cristal de toca discos tem uma impedncia muito alta, da ordem de 500K. Isso significa que, se ligarmos estes dois dispositivos na entrada de um amplificador que tenha por exemplo uma alta impedncia de entrada , o microfone de baixa impedncia no vai conseguir excit-lo havendo um funcionamento anormal. IMPEDNCIA DE SADA Esta caracterstica nos diz o que podemos ligar na sada do amplificador. Para que possamos ligar um alto-falante, por exemplo, o amplificador deve ter uma baixa impedncia de sada. No entanto se o amplificador ou a etapa amplificadora tiver de excitar um outro aparelho cuja a entrada seja de alta impedncia , ser conveniente que ele tenha uma alta impedncia de sada. Impedncia como sabemos medida em ohms. CASAMENTO DE IMPEDNCIAS Para haver a mxima transferncia de sinal, o estgio de entrada deve ter a impedncia equilibrada com a da fonte de sinal e o estgio final deve ter a impedncia equilibrada com a da carga . Da mesma forma, a impedncia de sada de um estgio deve estar "casada" com a impedncia de entrada do estgio seguinte. Alm do equilbrio de impedncia, de vital importncia isolar a passagem de corrente contnua de uma etapa para outra

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Os amplificadores podem ser classificados de acordo com: aA freqncia - Amplificadores de audiofreqncia (AF). - Amplificadores de videofreqncia. - Amplificadores de radiofreqncia (RF). A polarizao - Classe A. - Classe B. - Classe C. - Classe intermediria AB. O sistema de acoplamento - Acoplamento RC. - Acoplamento a transformador. - Acoplamento direto. - Acoplamento por impedncia. O uso ou emprego - Amplificadores de potncia ou de corrente. - Amplificadores de tenso.

b-

c-

d-

A seguir faremos um estudo sobre cada item mencionado. Iniciaremos falando sobre as faixas de freqncias. FREQNCIAS DE OPERAO As faixas de freqncias de operao determinam o tipo de amplificador. Amplificadores de audiofreqncia Estes amplificadores ampliam uma faixa de freqncia que vai de 20 Hz at 20 KHz, faixa esta, sensvel ao ouvido humano e que, por esta razo, chamada de faixa de audiofreqncia. Em receptores de rdio, intercomunicadores e muitos outros equipamentos, vamos encontrar esses amplificadores. Amplificadores de videofreqncia Abrangem uma ampla faixa de freqncia que vai de 30 KHz at 6 MHz. Estes amplificadores so empregados na amplificao de sinais que devem ser visveis nas telas de radares, televisores, etc. Amplificadores de radiofreqncia Apesar de possuir uma faixa muito larga (30 Khz at vrios Ghz), diferenciam-se dos outros dois tipos, porque ampliam uma faixa estreita de freqncia dentro do espectro de radiofreqncia. 73

Essas freqncias so assim estipuladas: Denominao Freqncia Mdia Freqncia Alta Freqncia muito alta Freqncia Ultra-alta Faixa 300 a 3000 kHz 3 Mhz a 30 MHz 30 Mhz a 300Mhz 300 MHz a 3000Mhz Veculo Radiofuso em AM Radiofuso Ondas curtas Televiso e radiofuso AM Televiso

CLASSE DE OPERAO

De acordo com a polarizao empregada para o transistor, podemos atribuir as classes de operao. Os amplificadores de classe A operam durante as duas alternncias do sinal de entrada (360). Os de classe B operam durante 180 do sinal de entrada (uma alternncia), enquanto que os de classe C amplificam apenas 120 do sinal de entrada (menos de uma alternncia).

A classe de operao determinada pela circuito de polarizao de entrada. Na maioria dos amplificadores a polarizao e a reta de carga tm valores fixos, definidos pelos valores de seus componentes. Consideraremos, em nossas anlises, somente os efeitos do circuito de polarizao de entrada.

Faremos a seguir um estudo sobre cada tipo de classe.

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CLASSE A

Os amplificadores de classe A so polarizados para operar na regio ativa da curva de sada. Geralmente operam na parte linear das curvas caractersticas, a fim de obter, na sada, uma resposta fiel (no distorcida) do sinal de entrada. Neste tipo de amplificador, o transistor amplifica completamente a forma de onda aplicada em sua entrada. Para amplificar durante os 360 , requer que o ponto Q seja polarizado em nvel tal que o sinal possa variar para cima e para baixo sem atingir uma tenso suficientemente alta capaz de ser restringida pelo nvel da fonte de tenso de polarizao de sada, ou descer a um ponto que possa atingir o nvel inferior da fonte da polarizao de sada (0 V). A figura 3 mostra o funcionamento de um amplificador em emissor-comum com polarizao direta entre base e emissor (entrada do amplificador). Percebe-se que o ponto Q da curva caracterstica de sada est localizado no ponto mdio da reta de carga. A entrada foi estabilizada (idealmente) com uma corrente de base igual a 500 A. A sada do amplificador est entre coletor-emissor e o sinal com duas alternncias ou 360 e eficincia entre 25% a 50%.

Figura 3

A figura 4, mostra a polarizao do ponto Q em situaes acima e abaixo do ponto mdio da reta de carga. Observe as possveis distores do sinal de sada.

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Figura 4

CLASSE B Em algumas aplicaes, no necessrio amplificar totalmente o sinal da entrada, o que faz com que a eficincia do amplificador aumente. No caso do amplificador linear classe B a eficincia de 78,5%. Amplificadores de classe B operam na regio ativa das curvas, durante uma das alternncias do sinal de entrada, e permanecem em corte durante a outra. Desde que somente a metade do sinal de entrada amplificada, os amplificadores classe B so normalmente empregados em "push-pull" (amplificadores de potncia formados por dois transistores que conduzem alternadamente e que produzem na sada, um sinal que rplica do sinal de entrada). A figura 5 mostra a polarizao de entrada para uma certa Ib constante, prximo de zero.

Figura 5

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O ponto de polarizao DC est, portanto, em 0 V, com a sada variando, ento, a partir da polarizao, durante meio ciclo. A sada no uma reproduo fiel da entrada, nesses amplificadores a fidelidade do sinal est comprometida.

CLASSE AB

Figura 6

Um amplificador pode ser polarizado em um nvel DC acima do nvel correspondente corrente zero de base da classe B e acima da metade do nvel da fonte de tenso da classe A; esta condio de polarizao empregada em amplificadores classe AB. A operao classe AB ainda requer uma conexo push-pull para atingir um ciclo de sada completo, mas o nvel de polarizao DC geralmente, muito prximo do nvel zero de corrente de base para uma melhor eficincia de potncia, entre 50% e 78,5%, para operao classe AB, as oscilao do sinal de sada ocorre entre 180 a 360, e no constitui uma operao classe A, nem classe B.

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CLASSE C

Figura 7

A operao em classe C polarizada para uma operao em menos de 180 do ciclo e s opera com circuitos sintonizados (ressonantes) os quais fornecem um ciclo completo de operao para a freqncia sintonizada ou ressonante. Com polarizao inversa aplicada entrada do transistor, a corrente de base permanece em zero at que a corrente produza uma queda de tenso atravs da resistncia de entrada , tenso esta que deve estar com polaridade oposta da fonte de polarizao do circuito de entrada e deve superar a tenso da fonte. Esta classe de operao usada, portanto, em aplicaes especiais de circuitos sintonizados, tais como rdio ou comunicaes e geralmente no usado para transferir grandes quantidades de potncia; portanto, a eficincia no dada aqui. RESUMINDO Um Amplificador em classe A conduz durante 360 do sinal de entrada; em classe B, somente durante 180, devido ao circuito de base estar aberto; em classe C, o circuito de base polarizado inversamente, conduzindo menos de 180 . Agora que voc j estudou e compreendeu como o circuito se comporta de acordo com a polarizao de base, passaremos a falar de outro assunto.

SISTEMAS DE ACOPLAMENTO A freqncia do sinal aplicado pode ter um efeito pronunciado na resposta de um circuito simples ou multiestgio. A anlise realizada at ento baseou-se no espectro de freqncias mdias. Em baixas freqncias, no podemos mais substituir os capacitores de acoplamento e de desvio por curtos-circuitos, pois, nesta faixa de freqncia, suas reatncias no so desprezveis. Em altas freqncias, os elementos capacitivos isolados e do circuito iro limitar a resposta do sistema. O aumento do nmero de estgios em um sistema em cascata ir limitar tambm tanto a resposta em alta freqncia como a resposta para baixas freqncias. 78

Um nico estgio amplificador, normalmente no suficiente nas aplicaes em aparelhos como receptores, transmissores e outros equipamentos eletrnicos. Um ganho mais elevado obtido pela conexo de vrios estgios amplificadores, da a importncia dos sistemas de acoplamento, pois, um bom sistema de acoplamento fornecer uma boa resposta de freqncia.

Um sistema de acoplamento deve prover a transferncia de sinal de um estgio para outro com um bom casamento de impedncia.

TIPOS DE ACOPLAMENTO Os quatro tipos de acoplamento mais usados em A.F. so os seguintes: - redes RC; - transformadores; - redes de acoplamento por impedncia; e - direto. Em sistemas de RF, outro tipo de acoplamento empregado o SINTONIZADO. ACOPLAMENTO RC A figura 8 representa um amplificador de dois estgios acoplados mediante uma rede RC. O capacitor C1 (de acoplamento) tem dupla funo: 1) - isolar a tenso de CC presente no coletor do primeiro estgio, para que no aparea na base do transistor do estgio seguinte 2) - Transferir o sinal de um estgio para o outro. O capacitor de acoplamento deve ter, tambm, uma reatncia reduzida para as tenses do sinal e, portanto, seu valor de capacitncia deve ser relativamente alto. necessrio que o valor do capacitor seja mdio, por causa da mdia impedncia de entrada do estgio seguinte (configurao emissor-comum). O sinal que sai do primeiro estgio desenvolve-se no resistor R1 (resistor de carga). O capacitor C1 (capacitor de acoplamento) e o resistor R2 (resistor de base) constituem a rede de acoplamento RC entre os dois estgios. A eficincia do amplificador acoplado mediante uma rede RC baixa, por causa da dissipao de potncia de CC no resistor de carga (efeito joule).

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Veja a figura seguinte.

Figura 8

RESPOSTA DE FREQNCIA DO ACOPLAMENTO RC As freqncias muito baixas so atenuadas pelo capacitor de acoplamento, porque a sua XC torna-se alta com a diminuio da freqncia. A resposta em altas freqncias, para o transistor, est limitada pelo efeito "shunt" da capacitncia emissor-coletor do primeiro estgio e da capacitncia base-emissor do segundo estgio. Veja a figura 8. Observe que C1 e R2 esto em srie e, em baixas freqncias, a XC consideravelmente alta, provocando assim o mximo de queda de sinal em C1 e o mnimo em R2. A capacitncia de emissor-coletor representada em paralelo com R1 que, para altas freqncias, resulta numa resistncia total mnima, possibilitando o desvio de grande parte ou at mesmo de todo o sinal para o terra, o mesmo acontece para a capacitncia de base-emissor Na figura seguinte ilustramos as curvas de respostas de freqncia, com capacitores de acoplamento de 10 F e 0,01 F.

Figura 9

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Analisando as duas curvas, fica evidente que o capacitor de 10 F prov uma melhor resposta para a freqncia de udio (que vai de 20 Hz a 20 KHz).

VANTAGENS E DESVANTAGENS DO ACOPLAMENTO RC O acoplamento RC bastante usado em circuitos transistorizados, por oferecer uma boa resposta de freqncia, sendo de simples instalao, de peso e dimenses reduzidas e de preo relativamente baixo. Embora ele oferea uma boa resposta de freqncia, no o tipo de maior eficincia, em face das dificuldades em casar as impedncias entre os estgios. Este problema sanado, em parte, se a resistncia de carga de coletor for mantida com um valor prtico, o mais baixo possvel, e aumentando-se a impedncia de entrada do estgio seguinte, com um valor conveniente de resistncia de emissor. Outra desvantagem desse tipo de complemento est no fato de haver perdas, quando usado em circuitos que operam em freqncias muito baixas, devido ao aumento da XC. ACOPLAMENTO A TRANSFORMADOR O acoplamento interestgios, por meio de transformadores, mostrado na figura seguinte. O enrolamento primrio do transformador T1 a impedncia de carga de coletor do primeiro estgio. O enrolamento secundrio de T1 desenvolve o sinal de CA, para a base do transistor do segundo estgio e tambm age como caminho de retorno de CC, da base.

Figura 10 A resistncia muito baixa, no circuito de base (1 estgio), auxilia a estabilizao da polarizao no ponto quase ideal. Como no h resistor de carga de coletor para dissipar a potncia (pois a carga de coletor o primrio do transformador que, por ser um elemento reativo, no dissipa potncia), a eficincia do amplificador acoplado a transformador muito boa. Por este motivo, o processo de acoplamento a transformador muito usado em equipamento portteis e operados com bateria.

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VANTAGENS E DESVANTAGENS DO ACOPLAMENTO A TRANSFORMADOR Os transformadores facilitam o equilbrio entre a carga de sada do transistor e a entrada do transistor seguinte, necessrio para se obter o mximo de ganho de potncia (eficincia alta). A resposta de freqncia de um estgio acoplado por intermdio de transformador no to boa quanto a do estgio acoplado por rede RC. A resistncia "shunt" (reatncia indutiva) do enrolamento primrio, causa a queda de resposta para as baixas freqncias (XL = 2 f L), nesta situao XL mnimo e haver curto atravs dos terminais do primrio do transformador. O ganho deve ser zero (freqncia = 0), j que neste ponto no h um fluxo circulante atravs do ncleo para induzir o secundrio. Nas altas freqncias, a resposta reduzida pelas capacitncias de coletor e de emissor do 1 estgio. Alm da resposta de freqncia ser pobre, os transformadores so mais caros, mais pesados e ocupam maior rea que os resistores e capacitores empregados no acoplamento RC. Portanto, o uso do acoplamento a transformador limitado aquelas aplicaes que requerem alta eficincia de sada. ACOPLAMENTO POR IMPEDNCIA O acoplamento por impedncia similar ao acoplamento RC, com a exceo de que o resistor de carga substitudo por um indutor (L1), conforme ilustrado na figura 12.

Figura. 11

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A resistncia de carga somente a resistncia do fio do enrolamento, o qual proporciona uma mnima queda de tenso de CC. Grandes valores de indutncia devem ser usados, para que seja oferecida uma alta reatncia nas baixas freqncias (X.L = 2..f.L). O ganho do estgio acoplado por impedncia cresce com o aumento da freqncia, j que a reatncia indutiva diretamente proporcional freqncia. Na faixa de altas freqncias o ganho diminui, por causa da capacitncia distribuda no circuito (junes CE e BE), que desvia o sinal. Os campos magnticos que cercam a impedncia de carga podem causar, tambm, um acoplamento indesejvel a outros circuitos. Por isso, esses campos devem ser controlados atravs de indutncias apropriadas (blindadas). O acoplamento LC no muito empregado em udio e sim em alguns estgios de RF. ACOPLAMENTO SINTONIZADO O acoplamento por tanque sintonizado empregado em estgios de RF e nunca em udio. O circuito da figura seguinte nos mostra um estgio acoplado por tanque sintonizado.

Figura 12

Os circuitos sintonizados so empregados em estgios de RF por oferecer uma alta seletividade ao sinal a ser amplificado discriminando os demais.

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ACOPLAMENTO DIRETO A figura 13 mostra um circuito com acoplamento direto. Este tipo de acoplamento usado para a amplificao de sinais chamados de "corrente contnua", em virtude da freqncia ser muito baixa.

Figura 13

Para o amplificador com acoplamento direto, no h capacitores de acoplamento ou de desvio que proporcionem uma queda no ganho em baixas freqncias. Observe, na figura 13, que um transistor NPN ligado diretamente a um transistor PNP. A direo do fluxo de corrente indicada pelas setas. Se a corrente de coletor do primeiro estgio for maior que a corrente de base do estgio seguinte, devemos ligar o resistor RC (carga do coletor), como est indicado pela linha tracejada, para desviar a corrente excedente. Como o nmero de componentes necessrios no amplificador acoplado diretamente mnimo, teremos o mximo de economia e tambm a mxima fidelidade de sinal. Entretanto, o nmero de estgios que podem ser acoplados diretamente limitado.

AMPLIFICADORES DE TENSO E POTNCIA Os amplificadores de tenso (baixo nvel) so estgios de amplificao projetados para produzir um grande valor de tenso atravs da carga do circuito de coletor. Para produzir uma alta tenso, utilizvel atravs de um circuito de carga, necessrio que a oposio variao de IC seja a mxima possvel (alta resistncia), qualquer que seja a carga (resistor, reatncia ou impedncia). Os amplificadores de potncia (alto nvel) so estgios amplificadores, construdos para fornecer grandes quantidades de potncia para a carga no circuito de coletor. Num amplificador de potncia deve haver uma grande corrente no circuito de coletor (baixa resistncia), uma vez que a potncia o produto da resistncia pelo quadrado da corrente. Os amplificadores de potncia e de tenso podem ser reconhecidos pelas caractersticas dos componentes do circuito de coletor. Assim, um estgio amplificador construdo para produzir um grande sinal de tenso, atravs de uma alta RL, um amplificador de tenso. J um amplificador projetado para desenvolver uma alta corrente de coletor atravs de uma RL de baixo valor, um amplificador de potncia.

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Os pr-amplificadores so etapas de baixo nvel, que se destinam amplificao de sinais originrios de dispositivos, tais como microfones, detetores, cpsula magnticas, etc

O circuito de entrada de um amplificador transistorizado deve ser alimentado com a corrente de sada de um pr-amplificador. Neste caso, cada transistor considerado como um amplificador de corrente ou potncia, operando a um nvel de corrente ou de potncia mais elevado que o nvel do estgio anterior e menos elevado que o do estgio seguinte.

O nvel de potncia de um estgio amplificador de udio determinado pelos requisitos do projeto. Em alguns casos os amplificadores de baixo nvel podem operar com potncias variando de picowatts at miliwatts, enquanto que nos amplificadores de potncia podem operar com vrios watts.

AMPLIFICADORES DE TENSO

Amplificador Tenso EC Fig. 14

Em amplificadores de udio comerciais, comum o uso de amplificadores de mais de um estgio, isto , a sada do amplificador conectada entrada de um segundo circuito amplificador, de forma a amplificar ainda mais o som. Como o segundo estgio ir inverter novamente o sinal, na sada do amplificador ele ser apresentado de forma correta. O amplificador de tenso usado nos primeiros nos estgios de amplificao. A figura 14 mostra um amplificador de tenso em classe A na configurao emissor-comum. A finalidade deste amplificador de proporcionar ganho de tenso nos primeiros estgios de um amplificador de udio.

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AMPLIFICADORES DE POTNCIA Aps vrios estgios com ganho de tenso, o sinal amplificado excursiona por toda a reta carga. Um estgio a mais, deve ser o estgio de potncia em vez de ganho de tenso. Nesse ltimo estgio, as correntes no coletor so muito maiores porque as impedncias de carga so muito menores. O estgio final de amplificao deve fornecer uma corrente suficiente para acionar uma baixa impedncia. AMPLIFICADOR DE POTNCIA EM PUSH-PULL Um amplificador push-pull um circuito composto por dois transistores NPN e/ou PNP e um transformador. Para este circuito oferecer uma sada sem distoro deve receber dois sinais iguais e defasados de 180, provenientes de um divisor ou inversor de fase (transformador com tomada central). Algumas vezes preciso maior potncia de sada do que aquela produzida por um estgio de sada simples. Nestas condies aumenta-se a potncia de sada usando-se dois transistores no estgio final. Para isso, a disposio simtrica oferece a mais alta potncia com o mnimo de distoro. Polarizando-se os transistores na classe AB, obtm-se uma melhor operao, pois nesta situao eles ficam conduzindo por mais da metade de um ciclo, evitando assim a distoro de crossover (no linearidade do sinal na passagem do sinal do positivo para o negativo, ou vice-versa), enquanto na classe B existe a possibilidade de ocorrer este tipo de distoro. O amplificador em push-pull fornece uma potncia que o dobro da fornecida por um amplificador simples de potncia. A carga de coletor deve ser duas vezes a carga usada para o circuito simples. Assim, a indutncia mnima do primrio do transformador de sada deve ser igual ao dobro da indutncia necessria para o caso de um s transistor. Na figura seguinte apresentamos um amplificador de potncia em oposio de fase (Push-Pull) em classe A.

Fig. 18

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Para que um amplificador em push-pull opere satisfatoriamente, necessrio que o circuito inversor de fase fornea dois sinais de mesma amplitude e defasados de 180, e que os transistores de sada tenham o mesmo fator de amplificao.

A seguir sero propostas alguns exerccios para que voc possa avaliar o seu progresso.

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Exerccios do texto VII

1 - Qual a finalidade de um amplificador ? R __________________________________________________________________________ ____________________________________________________________________________ ____________________________________________________________________________ 2 - O que vem a ser impedncia de entrada ? R __________________________________________________________________________ ____________________________________________________________________________ ____________________________________________________________________________ 3 - Os amplificadores de videofrequncia abrangem uma faixa de freqncia que vai de 30 KHz at 6 GHz. ( ) - Certo ( ) - Errado

4 - Os amplificadores de _________________________ ampliam uma faixa de freqncia que vai de 20 Hz at 20KHz. 5 - Os amplificados podem ser classificados de acordo com: R __________________________________________________________________________ ____________________________________________________________________________ ____________________________________________________________________________ 6 - Um amplificador em classe A conduz durante __________________; em classe B, somente durante__________________ ; e em classe C, conduz______________________ . 7 - Quais os tipos de acoplamento mais usados em AF ? R __________________________________________________________________________ ____________________________________________________________________________ ____________________________________________________________________________ 8 - Facilitar o equilbrio entre a carga de sada do transistor e a entrada do transistor seguinte, necessrio para se obter o mximo de ganho de potncia, uma vantagem de que tipo de acoplamento ? a - Acoplamento sintonizado b - Acoplamento por impedncia c - Acoplamento a transformador d - Acoplamento por rede RC 88

Gabarito do Texto VII

1) R - Aumentar a tenso, a corrente ou o nvel de potncia de um sinal a um valor necessrio, a fim de operar um dispositivo de sada. 2) R - a caracterstica que nos diz com que tipo de sinal o amplificador trabalha. 3) R - ( x ) - Errado 4) R - audiofreqncia 5) R - A freqncia ; A polarizao; O sistema de acoplamento ; O uso ou emprego. 6) R - Um amplificador em classe A conduz durante as duas alternncias ( 360 ); em classe B, somente durante uma alternncia ( 180 ); em classe C, conduz em menos de uma alternncia. 7) R - Redes RC; Transformadores; Redes de Acoplamento por Impedncia e Direto 8) R - C

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Texto VIII Osciladores e Multivibradores

Nesta atividade de ensino voc ler textos e resolver exerccios que lhe permitiro atingir os seguintes objetivos:

Identificar o conceito de oscilador e multivibrador (Cn); Descrever os tipos de osciladores e seus funcionamentos (Cp); Identificar os tipos de cristais osciladores e seus funcionamentos (Cn); Diferenciar osciladores de multivibradores (Cn); e Identificar os tipos de multivibradores e seus funcionamentos (Cp).

Introduo A grande preocupao do ser humano vem sendo, atravs dos tempos , aperfeioar os sistemas de comunicaes, a fim de que se possa integrar todo o planeta de forma to eficiente que todos ns nos sintamos em uma aldeia global Tarefa difcil essa, devido incompatibilidade entre as aptides dos sentidos do ser humano e as possibilidades de realizao de um sistema de comunicao. Seno, veja: a capacidade do ser humano emitir ou captar vibraes sonoras, isto , falar e ouvir, est limitada a uma faixa de freqncia de 20 Hz a 20Khz. Para essa faixa de freqncia precisaramos de uma antena em torno de 15 Km de altura e com menor atenuao atmosfrica (freqncia menores que 100Khz sofrem maior atenuao atmosfrica) de modo que pudssemos realizar a transferncia de informao com maior eficincia possvel. S esses dois motivos j eliminaram a possibilidade de enviar a informao diretamente por uma antena. Da surgiu a idia de modulao, isto , usar um sinal de RF (alta freqncia) para transportar um sinal de informao em AF (baixa freqncia). Para que um sinal de RF (portadora) transporte uma informao preciso fazer com que uma de suas propriedades varie proporcionalmente com a amplitude (AM), fase (PM) ou freqncia (FM) da informao (sinal de informao).

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 a que entra o papel do Oscilador, que um dispositivo capaz de transformar a energia DC aplicada em energia AC, isto criar o sinal de RF (portadora) para que o sinal modulado possa modificar uma das caractersticas da portadora. Para que haja essa transformao necessrio que parte do sinal de sada retorne entrada de forma adequada, ou seja, necessrio que haja uma realimentao positiva (regenerao dos sinais dentro do oscilador de RF). Veja figura abaixo:

Diagrama de Blocos do Transmissor AM-DSB OSCILADORES Alm da necessidade de uma realimentao positiva, devem ser incorporados ao circuito oscilador a transistor, elementos determinantes de freqncia e as necessrias tenses DC de polarizao. O transistor atua como uma chave e conduz periodicamente sempre que a energia realimentada pelo circuito sintonizado, e mantm as oscilaes do circuito tanque. Para determinar a freqncia de operao do oscilador, podem ser incorporados ao circuito, conjuntos indutncia-capacitncia, um cristal ou ainda uma rede resistiva-capacitiva. As tenses de polarizao para o oscilador so as mesmas necessrias para um amplificador a transistor. Um fator de suma importncia a estabilizao do ponto Q do oscilador a transistor, pois a instabilidade da operao DC afetar consideravelmente a amplitude do sinal de sada, a forma de onda e ainda a estabilidade de freqncia. OSCILAO ELETRNICA A oscilao eletrnica feita com uma bobina e um capacitor ligados em paralelo. Para entendermos como este circuito oscila, consideramos o que ocorre ao se carregar e descarregar o capacitor da figura 5 - Passo 1 O capacitor C1 se carrega para o valor de Vcc, com a polaridade indicada. - Passo 2 C1 se descarrega sobre L1. 91

- Passo 3 - A energia est acumulada em campo, sendo a tenso atravs do tanque zero e a corrente mxima. - Passo 4 - L1 entra em colapso, determinando corrente no mesmo sentido do passo 2. - Passo 5 - C1 se carrega com polaridade oposta do passo 2. - Passo 6 - C1 se descarrega sobre L1, com corrente oposta do passo 2. - Passo 7 - A energia est acumulada sobre a forma de campo ,sobre L1. - Passo 8 - L1 entra em colapso, determinando corrente no mesmo sentido do passo 6. - Passo 9 - C1 fica carregado novamente , conforme o passo1. Sobre L1 e C1 h resistncia, a qual dissipa parte do sinal em forma de calor, havendo, portanto, a necessidade de virar a chave novamente para a bateria, a fim de carregar novamente C1, compensando a referida perda de energia. Os osciladores trabalham em freqncias que normalmente no conseguiramos virar a chave com rapidez suficiente, a fim de realimentar o capacitor na hora precisa: por isso a chave substituda por um controle eletrnico (AMPLIFICADOR TRANSISTOR). Ao fazermos esta substituio, temos duas grandes vantagens: - O circuito passa a ter amplificao; e - A realimentao precisa e controlada.

Fig 5

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REQUISITOS DE UM CIRCUITO OSCILADOR 1 O AMPLIFICADOR O circuito oscilador , essencialmente, um amplificador que recebe uma realimentao conveniente. Para gerar energia AC, uma poro da energia de sada do amplificador a transistor deve ser retornada ao circuito de entrada, em uma relao de fase, para dar uma realimentao regenerativa com a energia de entrada. O diagrama bloco do oscilador da figura 6, mostra as energias (potncias) de sada, entrada, de realimentao e a energia enviada carga. A energia enviada carga (Pc), ser a energia de sada (Ps) menos a energia de realimentao (Pr) : Pc = Ps Pr.

Fig 6 A potncia de realimentao (Pr) no a potncia de sada (Ps), pois a rede de realimentao age como um atenuador, causando desta forma, perdas ao sinal realimentado. Na figura 7. temos o resistor R, representando as perdas causadas pelo circuito de realimentao.

Fig 7 O resistor R simula um atenuador para o sinal realimentado. Se o oscilador necessitar, para seu funcionamento, de um sinal de entrada (Pr) de 2mW, e sendo a perda na rede de realimentao de 1mW, a potncia do sinal de realimentao dever ser, no mnimo, de 3mW, ou seja: Pe = Pr - perdas

Quando o ganho de potncia do amplificador menor que a unidade, ocorrem oscilaes amortecidas. As oscilaes tornam-se cada vez menores at desaparecem completamente. Utilizando a figura 8 podemos fazer uma anlise comparativa dos requisitos estudados anteriormente. Suponhamos que no haja atenuao do sinal realimentado e que o ganho de potncia deste amplificador seja de 0,9mW. 93

Sendo o sinal inicial de 1mW, a potncia do primeiro pulso seria de 0,9mW. Se toda essa potncia fosse realimentada para entrada e fosse amplificada, a potncia do segundo pulso seria de 0,81mW. Realimentando essa potncia para entrada, teramos um pulso de 0,73mW na sada, e assim sucessivamente, conforme mostra a tabela da figura 8

Fig 8 Como vemos, o resultado seria uma reduo cada vez maior do sinal de sada. O processo continuaria at que a oscilao cessasse por completo. Concluindo, para manter a oscilao o fator de ganho de potncia do amplificador deve ser maior que a unidade. 2 - REALIMENTAO A total transferncia de energia s conseguida quando h casamento de impedncia. Assim sendo, um amplificador a transistor poder apresentar total desequilbrio entre suas entradas e sadas. Esse desequilbrio acarreta perda para o sinal de realimentao. CIRCUITOS OSCILADORES BSICOS H uma grande variedade de osciladores que usa circuitos LC. Os mais conhecidos so os Osciladores Armstrong, Colpitts e Hartley. OSCILADOR ARMSTRONG Este oscilador o mais simples e conhecido tambm como oscilador com realimentao por bobina de reao. Seu circuito mostrado na figura 11: Figura 11

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OSCILADOR HARTLEY

Fig 11 Fig 12 Este circuito usa uma indutncia dividida para obter a realimentao. CRF significa choque de rdio-freqncia e serve para evitar que as oscilaes atinjam a fonte CC. -OSCILADOR COLPITTS O oscilador Colpitts assemelha-se ao Hartley alimentado em paralelo. A diferena est em que o Colpitts, ao invs de ter o conjunto de indutncia dividida, para obter a realimentao, usa um conjunto de capacitncia dividida. A figura 13 ilustra um circuito oscilador Colpitts.

Fig 13

-OSCILADORES A CRISTAL O mtodo mais satisfatrio de se estabilizar a freqncia dos osciladores, utilizados nas telecomunicaes, consiste em adotar cristais. Estes osciladores, controlados por cristais, so usados na maioria dos transmissores comerciais e militares. O controle de freqncia por meio de cristais est baseado nos efeitos de Piezoeletricidade. Quando certos cristais so comprimidos ou expandidos em direo especficas, os mesmos geram cargas eltricas na superfcie. E quando certos cristais so colocados entre duas superfcies metlicas (placas) atravs das quais exista uma diferena de potencial, os cristais vibram mecanicamente num movimento de contrao e expanso. As placas protegem o cristal contra agentes externos, 95

choques, etc. Alm disso, nelas so feitos contatos hmicos atravs dos quais aplicada uma diferena de potencial. Para oscilarem perfeitamente, os cristais devem ainda ser submetidos a um tratamento de laboratrio, onde sofrero um determinado tipo de corte, que um dos fatores determinantes de freqncia de operao.

Cristal de seco hexagonal

-TIPOS DE CRISTAIS Praticamente todos os cristais mostram o efeito piezoelctrico, mas poucos so adequados para serem usados como equivalentes de circuitos sintonizados para fins de controle de freqncia. Entre os cristais mais adequados para este fim, encontram-se o QUARTZO, o SAL de ROCHELLE e a TURMALINA. Dos quais o SAL de ROCHELLE a substncia piezoeltrica mais ativa e gera a maior quantidade de tenso por uma dada presso mecnica. O SAL de ROCHELLE tem sido aplicado em microfones, alto-falantes de cristal e tambm era aplicado nos antigos toca discos. A TURMALINA quase to boa quanto o QUARTZO em uma considervel faixa de freqncia e superior em uma faixa entre 3 a 30 MHz, mas possui a desvantagem de ser uma pedra semipreciosa o que eleva o seu custo e a exclui do uso geral. O QUARTZO usado universalmente para o controle de freqncia, por causa de seu baixo custo, robustez mecnica e de pouca variao de freqncia em funo da variao da temperatura. Apresenta uma estabilidade maior e mantm constante a freqncia do circuito oscilador. um dos materiais mais permanentes que j se conhece, sendo quimicamente inerte e fisicamente resistente. De todos os materiais encontrados o mais satisfatrio, embora sua faixa de operao esteja compreendida entre 50 KHz e 50 MHz, fora, portanto, da faixa de udio.

(a) smbolo eltrico do cristal (b) ckt equivalente (c) variao da impedncia com a freqncia. 96

-MULTIVIBRADORES Com o desenvolvimento dos sistemas eletrnicos, houve a necessidade de se criar circuitos que operem ou que forneam sinais ou formas de ondas no senoidais. Os sinais podem ser definidos como variaes momentneas de tenso ou de corrente. Estes sinais incluem tenses de onda quadrada, onda retangular ou pulsos. Os multivibradores so usados em Sistemas Pulsados, para transmisso de sinal analgico ou digital a partir de ondas quadradas (digitais). A modulao por Pulsos consiste, na utilizao de uma portadora Trem-de-Pulsos que, de uma forma diferente da portadora senoidal, tem um conjunto de caractersticas que permitem maior diversidade dos possveis tipos de modulao. O que feito, na verdade, uma tomada de amostras do sinal de informao por parte da portadora trem-de-pulsos e essa tomada de amostras deve ser feita a intervalos de tempo tais que caracterizem perfeitamente o sinal de informao. O multivibrador, diferente dos osciladores, o dispositivo eletrnico capaz de produzir uma tenso de sada de onda quadrada ou retangular. Estes sinais podem ser contnuos, como uma cadeia repetitiva de ondas quadradas, ou simples impulso produzido a intervalos de tempo definidos. Basicamente o multivibrador um circuito de dois estgios, em que a sada de um reacoplada entrada do outro para manter a oscilao. Existem vrios tipos de circuitos multivibradores, elaborados para suas aplicaes especficas. Os circuitos multivibradores so muito empregados atualmente em computadores, radar, receptores de TV, osciloscpios, manipuladores digitais, cronmetros , etc. -TIPOS DE MULTIVIBRADORES Uma maneira de classificar os multivibradores de acordo com a forma de funcionamento. Desta forma encontramos trs tipos de multivibradores:

Astvel (de oscilao livre); Monoestvel disparo) e; (de um

Biestvel (de dois disparos)

97

Os multivibradores astveis geram uma srie contnua ou uma cadeia de pulsos, sem necessidade de sinal de entrada (pulso disparador). Por esse motivo, os multivibradores astveis so tambm denominados multivibradores de oscilao livre, eles no necessitam ser disparados. Os multivibradores monoestveis e biestveis precisam ser dispararados, para produzir uma onda quadrada ou retangular. O multivibrador monoestvel deve ser excitado atravs de um pulso disparador, ou de comutao, a fim de completar um ciclo. Por tal motivo, este tipo de circuito comumente chamado de multivibrador de um disparo. Os multivibradores biestveis , mais conhecidos como flip-flop, necessitam de dois pulsos de comutao para completar um ciclo. Os multivibradores podem tambm ser classificados, de acordo com a durao de seus pulsos de sada, em: - Simtricos e; - Assimtricos No multivibrador simtrico, a durao ou largura dos pulsos de sada igual ao intervalo de tempo entre os pulsos. Em conseqncia, a onda de sada equilibrada, podendo este circuito ser chamado de multivibrador equilibrado ou balanceado. No multivibrador assimtrico, a largura do pulso maior ou menor que o intervalo de tempo entre um pulso e outro, sendo este chamado de multivibrador desequilibrado. Como o multivibrador astvel de oscilao livre, o seu funcionamento simtrico depende exclusivamente dos valores dos seus componentes, isto , esteja balanceado. Os multivibradores monoestveis, em funcionamento simtrico, dependem principalmente da seqncia, em que os pulsos comutadores de entrada forem aplicados. Os multivibradores Simtricos so empregados para gerar ondas quadradas , enquanto que os Assimtricos so usados para gerar ondas retangulares. MULTIVIBRADOR ASTVEL O multivibrador astvel ou de oscilao livre aquele que no necessita de pulsos de comutao de entrada para o seu funcionamento. Basicamente este circuito formado por dois transistores, um levado a corte, o outro levado a saturao. O corte de um transistor produz um pulso que satura o outro. Este multivibrador possui duas condies de instabilidade. O nome de oscilador deve ser dado somente a este multivibrador; outros tipos funcionam somente durante um ou meio ciclo. Este tipo de circuito gera infinitamente uma forma de onda com temporizao fixa. Por exemplo, um gerador de forma de onda quadrada que gere uma forma de onda com freqncia de 1 Khz. Quando esse circuito ligado ele comea a gerar essa forma de onda e no pra mais, s parando quando o circuito for desligado. Se voc ligar um LED na sada de um mutivibrador astvel, ele ficar piscando indefinidamente na freqncia determinada em sua construo. 98

Fig 14

MULTIVIBRADOR MONOESTVEL O multivibrador monoestvel, como indica seu nome, tem uma condio estvel em qualquer das duas regies, isto , saturao ou corte. Um pulso externo de comutao faz com que um transistor passe de uma regio par outra, s que depois de certo perodo, determinado pela constante de tempo do circuito (RC), o transistor voltar sua condio original, ou seja, de estabilidade inicial.

Fig 15 Este tipo de circuito gera um pulso de comprimento fixo a partir de um sinal (chamado de gatilho) aplicado em sua entrada. O importante nesse tipo de circuito que, independentemente do tempo de durao do gatilho, a durao da forma de onda na sada ser sempre a mesma. Se voc ligar um LED na sada de um multivibrador monoestvel, ele se acender somente quando for dado um pulso na entrada de gatilho do multivibrador e ficar aceso somente durante o perodo que foi definido na construo do multivibrador.

Fig 17 99

MULTIVIBRADOR BIESTVEL O multivibrador biestvel, tambm conhecido como Flip Flop, tem dois estados estveis e pode permanecer em qualquer um deles. Quando um transistor se acha no estado de condio, o outro estar em corte. Para inverter o estado necessrio que um pulso de comutao seja aplicado entrada. Para completar um ciclo na sada, sero necessrios dois pulsos de comutao.

Fig. 18

Fig. 19

Caro aluno! Podemos observar que pelas formas de onda, que a freqncia de sada s ser controlada pelos pulsos de disparo, uma vez que o acoplamento de um estgio para o outro direto e que a amplitude de onda sada depende da tenso que alimenta o circuito.

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Um circuito biestvel aquele que pode permanecer indefinidamente em qualquer de seus estados estveis e que pode ser induzido a realizar uma transio brusca de um a outro estado, mediante uma excitao exterior. Os multivibradores biestveis so largamente empregados em operaes digitais, tais como em contadores e armazenagem de informaes binares. Tambm amplamente usado na gerao de ondas quadradas, quando pulsos sncronos so aplicados como disparadores.

A seguir sero propostas alguns exerccios para que voc possa avaliar o seu progresso.

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Exerccios do Texto VIII

1- Define qual a funo bsica de um oscilador: 2 Para mantermos a oscilao o fator ganho de __________ do amplificador dever ser _______que a unidade 3 O controle de freqncia por meios de cristal est baseado no efeito ___________________. 4 Como feita a oscilao eletrnica? 5 Como tambm e conhecido o oscilador Armstrong? 6 Qual o mtodo mais utilizado em estabilizar a freqncia em equipamentos de telecomunicaes? 7 Qual a desvantagem do cristal de Turmalina? 8 Qual a faixa de operao do Quartzo? 9 Como podem ser classificados os multivibradores de acordo com a durao de seus pulsos de sada? 10 Os _____________. multivibradores assimtricos so empregados para gerar ondas

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Gabarito do Texto VIII

1 Dispositivo capaz de transformar a energia DC aplicada em energia AC. 2 Potncia , maior. 3 Piezoeltrico. 4 feita com uma bobina e um capacitor ligados em paralelo. 5 oscilador com realimentao por bobina de reao. 6 Aplicao de osciladores de cristal. 7 Por ser uma pedra semipreciosa, eleva o custo. 8 Entre 50KHz e 50MHz. 9 Simtricos e Assimtricos. 10 Retangulares.

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Texto IX Noes de Circuitos Integrados

Nesta atividade de ensino voc ler textos e resolver exerccios que lhe permitiro atingir os seguintes objetivos: Conceituar a microeletrnica (Cn); Descrever a tecnologia de fabricao do Circuito Integrado (Cn); Comparar os componentes integrados com os convencionais, considerando as tcnicas de fabricao e tamanho (Cp); Discutir o emprego de CI em projetos (Cn); e Apontar os circuitos integrados mais utilizados na indstria, identificando suas funes (Cn).

INTRODUO At este momento, discutimos os circuitos Discretos. A palavra discreto significa separado ou distinto. Este termo se refere ao uso de resistores e transistores separados na construo de um circuito. Um circuito discreto aquele no qual todos os seus componentes so soldados juntos ou interconectados mecanicamente. MICROELETRNICA O transistor permitiu aos projetistas produzirem equipamentos eletrnicos menores, mais versteis, de maior confiana, menos dispendiosos e requerendo menor potncia de alimentao. Mas o transistor foi somente o prenncio de uma revoluo maior, a do circuito integrado monoltico. Os circuitos integrados, com as funes prprias de um circuito completo, em espao comparvel ao que antes era ocupado por um nico transistor, so componentes bsicos dos equipamentos eletrnicos. Com aparecimento do transistor e do diodo semicondutor , depois da segunda guerra, incentivou mais o desenvolvimento da miniaturizao dos elementos passivos (resistores e capacitores). A utilizao destes componentes em miniatura foi possvel por causa das caractersticas do transistor permitir o funcionamento dos circuitos com baixa tenso e potncia. A montagem de transistores com os novos componentes passivos, em pequenos blocos de circuitos impressos, proporcionou uma reduo significativa no tamanho e peso dos equipamentos (micromontagem). A grande vantagem de se usar um circuito integrado que ele traz, em um s circuito, o que antes teria necessidade de vrios componentes. Para tirar maior proveito na reduo do tamanho, as pesquisas se desenvolveram, chegando microeletrnica.

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Erradamente os termos microeletrnica e CI se empregam em um mesmo sentido. Microeletrnica a denominao geral dada aos componentes eletrnicos e montagem de circuitos extremamente pequenos. Um CI um caso particular de microeletrnica. O CI um conjunto inseparvel de componentes eletrnicos montados em uma nica estrutura que no pode ser dividida sem que suas propriedades eletrnicas sejam destrudas.

Os Circuitos Integrados constituem uma parte da microeletrnica, sendo que nem todas as unidades Microeletrnicas tm que ser necessariamente Circuitos Integrados.

Os circuitos integrados podem ser classificados em dois tipos: lineares (analgicos) e digitais. Os CIs digitais so compostos por circuitos lgicos utilizados na eletrnica digital tais como portas lgicas, flip-flops, contadores, etc - assunto a ser abordado no mdulo II de Eletrnica Aplicada.

FABRICAO DE CI Antes de entrarmos nas tcnicas de fabricao de CI, falaremos da diviso dos CI de semicondutores. Os CI de semicondutores se dividem em dois grupos: os circuitos monolticos e os circuitos hbridos. Nos circuitos monolticos so fabricados por uma tecnologia especial dentro de uma pastilha de silcio, enquanto que nos circuitos hbridos , varias destas pastilhas so colocadas em um mesmo invlucro e so conectadas entre si. Os circuitos monolticos so fabricados simultaneamente em nico cristal de silcio com menos de 1mm2. O processo, usado atualmente para fabricao do CI, baseado na tcnica da difuso do silcio, que fora desenvolvida para a fabricao do silcio. Esse processo tornou-se predominante na indstria, em face da possibilidade de proporcionar dispositivos ativos de alta qualidades (transistores).

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A figura 1 representa as fases bsicas s quais submetido o silcio. O material inicial um cristal de simples , uniforme, de silcio do tipo N ou do tipo P, como mostrado em A . As tcnicas de difuso permitem a introduo de impurezas nas profundidades e larguras desejadas no material inicial. A penetrao vertical das impurezas controlada pela temperatura de difuso e pelo tempo. O controle lateral de difuso torna-se possvel pela combinao das propriedades de vedao do dixido de silcio com as tcnicas fotoqumicas. Quando determinadas regies, do tipo N so difundidas em um material inicial do tipo P, como mostrado na figura B, so formados nodos isolados no circuito. Os diodos, formados pela substncia P, e os nodos do tipo N fornecem um isolamento eltricos entre os nodos. A difuso de regies adicionais do tipo P e do tipo N formam transistores, como mostrado em C. A placa de silcio , ento, revestida com uma camada de xido isolante, e o xido aberto nos pontos adequados, para permitir a metalizao e interconexo, como mostrado em D. Quando se necessita de resistores, a difuso do emissor do tipo N omitida e dois contatos hmicos so estabelecidos para uma regio do tipo P, formada simultaneamente com a difuso da base, como mostrado em E. Quando se necessita de capacitores, o prprio xido usado como dieltrico, como mostrado em F. Em G mostra a combinao de trs tipos de elementos em uma placa simples.

Fig 1

Os transistores do CI, feitos por este processo, so similares aos convencionais. Por outro lado, os resistores do CI so sumamente diferentes dos comuns. Estes so fabricados, geralmente, em tamanhos convencionais e os diferentes valores dos resistores se obtm fazendo-se variar a resistncia do material condutor. Nos CI, a resistncia do material no pode variar para se obter valores diferentes de resistores, porque a resistncia do material 106

determinada pelo valor requerido para a fabricao do transistor, e seu valor hmico depende, primordialmente , de sua forma geomtrica. Podemos ainda citar outras vantagem do CI em relao ao convencionais como: menor volume , elevada confiabilidade, baixo custo de produo, etc. Cada CI consta de uma configurao completa com diversos componentes, em alguns casos milhares ou milhes, e que portanto s pode ser usado para uma aplicao determinada. Diferentemente dos transistores, os CI dificilmente admitem equivalentes. Sua estrutura complexa, faz com que um integrado projetado para determinado uso s seja til naquela aplicao, o que nos leva a uma classificao destes componentes em dois grupos: os de uso geral e os dedicados. Os de uso geral so relativamente simples e formam funes que podem ser utilizadas de diversas formas. Por exemplo, um integrado que tenha um pequeno amplificador de udio, evidentemente s pode ser usado como amplificador de udio, mas podemos instal-los em rdios, pequenos toca-discos, gravadores, intercomunicadores, etc. J os dedicados possuem funes complexas nicas. Por exemplo, um integrado de calculadora que exera as funes bsicas desta mquina no pode ser usado de outra forma seno numa calculadora com as mesmas caractersticas que correspondam ao projeto inicial.

A utilizao de CI dedicados vinculada ao nico projeto pelo qual fora destinado e no possui equivalentes.

Hoje em dia podemos contar com milhares tipos de CI o que torna muito difcil estudlos separadamente. Os tipos diversos de integrados tambm determinam os invlucros, e da mesma forma que no caso dos transistores temos muitas aparncias para integrados. Os mais antigos so os invlucros metlicos redondos , que ainda podem ser encontrados em aparelhos mais velhos. A numerao da pinagem destes integrados feita observando o componente por baixo. A contagem feita no sentido horrio. O invlucro mais comum de oito pinos, mostrado na figura. Trata-se de um invlucro de baixa potncia, ou seja , empregados em CI que trabalham com sinais de pequena intensidade.

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Oito pinos Fig 2

O mais comum na atualidade o invlucro DIL(Dual In Line) que mostrado nas diversas verses, veja fig. Podemos encontrar invlucros de 8 a 40 pinos, dependendo da complexidade do CI.

Fig 3 Existem ainda os CI que operam com sinais de grande intensidade ou que devem controlar correntes intensas so montados em invlucros que facilitam a utilizao de radiadores de calor. Veja a fig 4

Fig 4 A necessidade cada vez maior de montagens compactas e ainda a produo atravs de mquina levaram a ultraminiaturizar os invlucros, surgiu ento a tecnologia SMD (tecnologia de montagem em superfcie). 108

Fig 5

NVEIS DE INTEGRAO
SSI (SMALL SCALE INTEGRATION) Integrao em Pequena Escala Se refere aos CIs com menos de 12 componentes integrados. A maioria dos Chips SSI utiliza resistores, diodos e transistores bipolares integrados. MSI (MEDIUM SCALE INTEGRATION) Integrao em Mdia Escala Se refere a CIs que tm de 12 a 100 componentes integrados por chip. Os transistores bipolares ou MOS (MOSFETS de modo intensificao) podem ser utilizados como transistores integrados de um CI. A maioria dos chips MSI utiliza tambm componentes bipolares. LSI (LARGE SCALE INTEGRATION) Integrao em Larga Escala Se refere a CIs com mais de 100 componentes. Como so necessrios menos passos para fazer um transistor MOS integrado, um fabricante pode produzir mais desses transistores em um chip do que transistores bipolares. Por isso, a maioria dos chips LSI de tecnologia MOS.

A seguir sero propostos alguns exerccios para que voc possa avaliar o seu progresso.

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Exerccios do texto IX
1. CIs monolticos so (a) (b) (c) (d) Formas de circuitos discretos CIs em um nico chip Tambm chamados de CIs hbridos Circuitos de alto custo.

2. Use C (certo) ou E (errado) ( ) A microeletrnica uma parte do CI. ( ) O CI um conjunto inseparvel de componentes eletrnicos montados em uma nica estrutura.

3. O CI de semicondutores se dividem em (a) (b) (c) (d) Discretos e integrados Pastilha de silcio e monoltico Monolticos e hbridos Tipo P e N

4. Complete: Os CIs __________________ possuem funes complexas nicas, sendo vinculado ao nico projeto pelo qual fora destinado e no possui ____________________ .

5. NO considerado invlucro de um CI (a) (b) (c) (d) Oito pinos DIL SMD Pastilha de silcio

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Gabarito do Texto IX

1. B

2. ( E ) (C)

3. C

4. DEDICADOS ; EQUIVALENTES

5. D

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Texto X Ampliadores Operacionais

Nesta atividade de ensino voc ler textos e resolver exerccios que lhe permitiro atingir os seguintes objetivos:

Identificar ampliador operacional e sua funo bsica (Cp); Identificar o smbolo e as caractersticas do ampliador operacional (Cn); Identificar o funcionamento e circuitos dos ampliadores operacionais como: Inversor, sem inverso, seguidor de fonte, somador com inverso, somador sem inverso, subtrador, conversor corrente-tenso, diferenciador, integrador (Cn);

INTRODUO Embora haja uma grande quantidade de CIs que contm somente circuitos digitais, e muitos outros que contm apenas circuitos lineares, h uma variedade de unidades que contm ambos os circuitos, lineares e digitais, os Ampliadores Operacionais, que so amplificadores especiais, extremamente teis nos trabalhos com circuitos digitais. O Ampliador Operacional (Amp. Op. ) um amplificador diferencial, com duas entradas e uma sada cuja magnitude determinada pela diferena entre as duas entradas e pelo ganho do Amplificador Operacional.

AMPLIADORES OPERACIONAIS O amplificador operacional foi um dos primeiros CIs a ser fabricado, um dispositivo eletrnico capaz de realizar operaes matemticas bsicas, integrao, clculos logartmicos, etc. Eles pode tambm operar como indutor, circuito sintonizados, filtros, geradores, etc. Ampliadores capazes de operar com sinais que vo desde corrente contnua at vrios Megahertz, podem ser obtidos a partir deste dispositivo.

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CARACTERSTICAS IDEAIS DE UM AMPLIADOR OPERACIONAL Ganho de tenso infinito (AV = ); ( elevado ganho ou fator de multiplicao ) Resistncia de entrada infinita (R1 = ); ( impedncia de entrada infinita - significa que os sinais fracos podem ser usados nas entradas, sem carregar os circuitos ). Resistncia de sada nula (RS=0); Atraso nulo; Balanceamento perfeito (VS=0 se V1=V2); ( impedncia de sada ZERO ); Resposta de freqncia infinita (BW=).

SIMBOLOGIA E CONSTITUIO

Sendo: V1= Entrada inversora V2= Entrada no inversora VS= Sada +V e -V= Alimentao
Smbolo A.O

Constituio de um A.O

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A entrada diferencial deste dispositivo amplifica a diferena entre os sinais aplicados s entradas. A etapa intermediria alm de proporcionar uma maior ganho de tenso, tambm diferencial e tem como finalidade principal agir como isolador buffer. A etapa de sada possui um ganho de potncia e tambm uma baixa impedncia. A figura 1A mostra a forma original de um amplificador diferencial na qual ele apareceu historicamente pela primeira vez. Ele tem duas entradas V1 e V2. Por no haver nenhum capacitor de acoplamento ou de desvio, os sinais de entrada podem ter freqncias de qualquer valor at zero, que eqivale freqncia cc. A tenso de sada Vout a tenso entre os coletores. Idealmente, o circuito simtrico com transistores e resistores de coletor idnticos. Como resultado, a tenso de sada zero quando as duas tenses de entrada so iguais. Quando V1 for maior do que V2, a tenso de sada tem a polaridade oposta.

Fig. 1

A figura 1B mostra a forma modificada de um Amplificador diferencial que usado em CIs de ampliadores operacionais. Os ampliadores operacionais precisam ser alimentados por uma fonte de alimentao simtrica (Vcc), isto , por uma fonte que oferea uma tenso de alimentao positiva e uma tenso de mesmo valor, porm negativa (por exemplo, + 9 V e 9V). Alguns amplificadores operacionais (circuitos integrados) possuem ainda uma entrada chamada offset, usada para regular o nvel CC presente na sada do amplificador, isto , nvel de tenso contnua sobre a qual a sada alternada ir flutuar.

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PINAGEM Tomaremos como exemplo o A.O bastante difundido, o 741 (TBA221B). basicamente um circuito integrado monoltico construdo numa nica base de silcio. Caracteriza-se por apresentar um alto ganho (tpico de 200.000) e por elevada impedncia de entrada (2M). A figura 2 ilustra um A.O 741.

Pinos 1 2 3 4 5 6 7 8 Fig 2

Funo Ajuste de decalagem (off-set) Entrada inversora (V2) Entrada no inversora (V1) Alimentao (- V) Ajuste de decalagem (off-set) Sada (VS) Alimentao ( + V) Sem ligao

O ajuste de decalagem (offset) compensa as diferenas existentes entre os semicondutores que formam o amplificador diferencial internamente ao Ampliador Operacional.

AMPLIADOR OPERACIONAL COMO AMPLIFICADOR a) MALHA ABERTA A figura 3 mostra um Ampliador Operacional em malha aberta ligado como amplificador .

Fig 3 115

O ganho de um amplificador em malha aberta dado pela frmula: A = VO VI Sendo: VO = tenso de sada; VI = tenso de entrada.

Se considerarmos o amplificador em questo como ideal, seu ganho pode ser infinito. Para que o ganho seja infinito (A = ), necessrio que tenhamos A = VO/VI = . Isto significa que a tenso de entrada igual a zero, VI = 0. Ento A = VO/0 = . O fato do ganho ser infinitamente grande nos leva a admitir a hiptese de que o potencial do ponto x tende para zero. Por este motivo o ponto x coincide como o ponto y e conhecido como terra virtual. Outra caracterstica de um amplificador ideal que sua resistncia de entrada infinita (RI = ). Com isso temos: IN = 0 IR1 = IR2. Observao: Existe trs tipos de " terra ", que so : terra mecnico, terra CA e o terra virtual. O " terra virtual " no providencia um caminho para a corrente entre o n e a " terra ". o n tem sempre uma tenso ZERO em relao ao "terra" ( " terra " para tenso no o mesmo que " terra " para corrente ). b) MALHA FECHADA A figura 3-2 mostra um Ampliador Operacional em malha fechada ligado como amplificador e seu circuito equivalente.

Figura 3-2
Vo Vs R2 R1

A=

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CONCLUSES Com esta simples demonstrao, chegamos a algumas concluses que nos sero muito importantes; 1-Podemos determinar o ganho em malha aberta (sem realimentao, ou seja, sem R1 e R2): A = VO/VI; 2-O ganho do amplificador em malha fechada pode ser calculado da seguinte forma: A = -(R2/R1) = VO/VS; 3-A tenso de sada poder ser negativa ou positiva, dependendo da aplicao do sinal de entrada; 4-Se R1=R2, o circuito se comporta como um simples inversor: VO = -VS; 5-Se R1<R2, o circuito amplifica e inverte; 6-Se R1>R2, o circuito atenua e inverte; 7-O ganho do circuito pode depender nica e exclusivamente dos valores de R2 e R1 e no apenas do ganho A(intrnseco do amplificador),pois: A = -R2/R1.

CIRCUITOS COM AMPLIADORES OPERACIONAIS - APLICAES LINEARES So circuitos que exercem funes analgicas. Circuitos lineares ou analgicos so os que processam ou manipulam sinais cujas amplitudes variam continuamente dentro de uma faixa. Podem ser englobados nessa categoria os osciladores, os amplificadores, os filtros ativos, os temporizadores, os circuitos somadores , os seguidores de fonte, dentre outros.

Observao: Um filtro pode ser construdo, utilizando-se componente passivos: resistores, capacitores e indutores. Alm destes, um filtro ativo utiliza Amplificadores Operacionais como elemento e cuja resposta em freqncia limitada.

117

a) AMPLIFICADOR COM INVERSO Com relao ao circuito ilustrado na figura , suponhamos que R1= 20K, R2= 100K e R3= 0. Com isso podemos obter o ganho que ser de 5, pois:

A = - R2 = -100 = -5 R1 20

Observe tambm que a realimentao ser sempre na sada de VO, para o terminal (entrada) inversor. Se a entrada aplicada ao circuito for de 1V, a sada ser de 5V. Este circuito, portanto, executa tambm a funo de multiplicador. Em sistemas analgicos de computao, este fator de multiplicao (A = - 5), poder ser alterado atravs de R2. b) AMPLIFICADOR SEM INVERSO

Fig 4

A conexo da figura 4 mostra um circuito com ampliador operacional que trabalha como um amplificador no-inversor ou multiplicador de ganho constante. Deve-se observar que a conexo amplificador inversor mais amplamente usada porque tem melhor estabilidade em freqncia. R Vo = 1+ 2 Vi R1

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c) SOMADOR COM INVERSO O circuito da figura 5 est montado para exercer a funo de somador, que tem por objetivo fornecer na sada uma tenso cujo valor igual soma das tenses aplicadas entrada.

Fig 5 Podemos ento escrever a equao da tenso de sada: R R R Vo = 4 V1 + 4 V2 + 4 V3 R R2 R3 1 Cada entrada adiciona uma tenso sada, multiplicada pelo seu correspondente fator de ganho. Se mais entradas so usadas, cada qual acrescenta uma componente adicional sada. Um dos empregos dos circuitos somadores como conversor digital para analgico. d) SUBTRADOR o circuito projetado para fornecer na sada um valor de tenso igual diferena entre as tenses de entrada. A figura 6 abaixo ilustra um A.O subtrador:

Fig 6

Com isso podemos escrever: R R R Vo = f V2 f f V1 R R 3 R1 2 119

e) INTEGRADOR Se o componente de realimentao usado for um capacitor, a conexo resultante chamada de integrador. Os integradores so circuitos capazes de transformar um sinal de onda retangular num sinal de onda triangular, conservando, porm, a mesma freqncia. Uma tenso constante de entrada pode ser transformada numa tenso que varia linearmente com o tempo na sada por meio deste circuito. O circuito integrador muito utilizado na resoluo de equaes diferenciais e integrais. Na prtica comum implementar, conforme o circuito da figura 7:

Fig 7

Vejamos, agora, a figura, ela ilustra um circuito integrador com seu respectivo grfico:

Fig 8

120

Conforme observamos no grfico de formas de ondas, a freqncia de sada idntica a da entrada, mas a amplitude menor (2,5V). O fato da onda de sada ter fase oposta da entrada porque as variaes de Vi ocorrem no terminal inversor. Suponhamos que a freqncia de entrada seja de 1 KHz, por exemplo, entre T1 e T2 temos o tempo de uma alternncia do sinal de entrada. De T1 at T3 temos o tempo de uma Hertz, ou seja, um perodo T. A amplitude do sinal de entrada de 5 volts de pico. f) DIFERENCIADORES O circuito diferenciador exatamente o oposto do circuito integrador. Sendo a diferenciao uma operao inversa integrao, os circuitos diferenciadores so capazes de fornecer formas de ondas retangulares na sada, quando for aplicada entrada sinais triangulares. A figura nos mostra um circuito capaz de realizar uma diferenciao.

R2 10K

Vi 2,5V

270 R1

C1 .1F 741

+ 15V

Vo R3 10K 15V

Vo

Fig 9

-5V

No circuito da figura um sinal de entrada triangular transformado num sinal de sada retangular, uma vez que a expresso do sinal de entrada do 1 grau e a derivada uma constante. Com os valores dos componentes dados no circuito , temos um sinal triangular na entrada, a uma freqncia de 1KHz e amplitude igual a 2,5V (os mesmos dados do circuito anterior). Observando o grfico da figura anterior, veremos um sinal triangular de entrada de 2,5V e de pico fornece um sinal retangular na sada, com 5V de pico. Da mesma forma que o circuito integrador, o sinal de sada est defasado 180 do sinal de entrada, pois as variaes de Vi so feitas no terminal inversor.

121

g) CONVERSOR CORRENTE - TENSO Esse circuito permite que a corrente proveniente de um circuito anterior seja convertida em tenso sem interferir nessa corrente. Se usssemos um resistor para converter a corrente em tenso, a tenso sobre o resistor, que seria varivel com a corrente, interferiria na corrente ao circuito anterior. Como pode ser observado na figura , a tenso Vf apresentada ao circuito fornecedor I constante e no depende dessa corrente. Vf s depende do divisor de tenso formado por R2 e R3.

Vf R2 R3

Conversor Corrente - Tenso h) AMPLIADOR OPERACIONAL DE GANHO UNITRIO (SEGUIDOR DE FONTE) O circuito da figura 11 ilustra um ampliador seguidor de fonte.

Fig 11

Este circuito caracteriza-se por apresentar uma elevadssima impedncia de entrada (cerca de 400.000.000 ohms) e uma baixssima impedncia de sada(inferior a 1 ohm). Como podemos observar na figura a sada realimentada diretamente na entrada inversora, ou seja , nenhum resistor no caminho da realimentao. Assim o sinal (VS) aplicado entrada no inversora, aparecendo, portanto, no terminal VO em fase, isto , com a mesma polaridade . Em virtude do ganho deste circuito ser unitrio, a amplitude do sinal de sada ser a mesma que o do sinal de entrada. 122

Um dos empregos do ampliador operacional como circuito isolador ou separador (buffer - um circuito de buffer fornece um meio de isolar o sinal de entrada de uma carga, por meio de um estgio sem inverso de fase ou polarizao). Neste caso, o circuito deve fornecer ganho unitrio. Da, a aplicao direta do seguidor de fonte. Uma utilizao imediata do circuito isolador permitir medir tenses em circuitos de alta impedncia utilizando voltmetro de baixa impedncia. Fazendo uma breve anlise do circuito da figura verificamos que o ponto x coincide com o ponto y (curto virtual). Deste modo, temos que VO est em paralelo com VS. no havendo resistor no elo de realimentao (R2=0), ento coincide com o ponto y. Assim, podemos dizer que VO = VS. E sendo o ganho G = VO , temos que VO = 1 VS VS Logo, sendo G = Vo Vs e Vo = Vs , conclumos que G = 1.

A seguir sero propostos alguns exerccios para que voc possa avaliar o seu progresso.

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Exerccios do texto X
1. Um A. O. tipo 741C tem uma tenso de sada de 5V.Qual a tenso de entrada se o ganho de tenso for 100.000 ?

2. COMPLETE: O 741C um componente eletrnico que possui um ganho de tenso A = 100.000, uma impedncia de entrada Zin = 2 M e uma impedncia de sada muito baixa onde Zout = 75 . Esse componente um ________________________ .

3. Coloque o nome das letras representadas na figura. VA = ____________________________ VB = ____________________________ VC = ____________________________

4. O estgio de entrada de um ampliador operacional geralmente um Amplificador (a) (b) (c) (d) Diferencial Push-pull classe B Emissor Comum Push-pull classe D

5. Considerando a figura abaixo, assinale a alternativa INCORRETA:

(a) (b) (c) (d)

ampliador operacional da figura possui um fator de amplificao igual a 1000. A entrada inversora possui tenso mais alta que a no inversora. Este ampliador operacional possui uma impedncia de entrada elevada. A entrada inversora e a no-inversora possuem valores de tenses iguais. 124

Gabarito do Texto X
1 Vin = 50 V

2 Amplificador Operacional

3 VA = entrada no inversora VB = entrada inversora VC = tenso de sada amplificada

4A

5- D

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Texto XI Dispositivos Especiais

Nesta atividade de ensino, voc ler textos e resolver que lhe permitiro atingir os seguintes objetivos:

a) identificar o conceito de diodo Tnel, Varactor, Gunn, Pin (Cp); b) identificar o conceito e funcionamento de Termistor (Cn); c) identificar os smbolos, as caractersticas e as aplicaes dos dispositivos fotossensveis: fotorresistor, fototransistor, fotodiodo e fotovoltaica (Cp); d) identificar a estrutura, a simbologia e o circuito equivalente do transistor unijuno (UJT) (Cn); e) identificar a estrutura, o funcionamento e a simbologia de um JFET (Cn); f) identificar a estrutura, o funcionamento e a simbologia de um MOSFET modo crescimento e depleo (Cn); g) identificar as caractersticas e o funcionamento de um LED(Cp); h) identificar a estrutura e o funcionamento de um SCR (Cp); i) identificar a estrutura e o funcionamento de um TRIAC, (Cp); e j) explicar o funcionamento de um diodo Zener (Cp).

Introduo
No texto III, voc examinou o funcionamento do diodo relacionando o smbolo, juno e caractersticas fsicas dos diodos. No texto V, voc tambm teve a oportunidade de estudar as caractersticas e circuitos a transistor de juno, bem como relacionar as configuraes possveis. Agora, neste texto, voc ter a oportunidade de relacionar os principais caractersticas dos dispositivos especiais a transistor e diodo. fundamental que voc perceba, que muitos tpicos que iro ser estudados, foram relacionados em assuntos anteriores a este texto. 126

Ento, aproveite bem o assunto que iremos abord-lo, pois ele ser de grande valia para os conhecimentos futuros das telecomunicaes. Vamos em frente !

Diodo Zener
O diodo Zener um diodo que funciona de maneira similar a um diodo de juno comum, porm, quando ele est polarizado inversamente, alm de no deixar passar a corrente eltrica, ele apresenta uma caracterstica muito especial: consegue manter a tenso entre seus terminais a um valor preestabelecido. Por exemplo, usando um diodo Zener de valor nominal 5,0 V conseguimos transformar qualquer tenso original acima de 5,0 V em 5,0V. Devido a estas caractersticas o diodo Zener usado como regulador de tenso (circuitos que mantm a tenso na carga quase constante) das fontes de alimentao, como foi visto no texto V deste mdulo. Funcionamento do Diodo Zener

a) Smbolo Zener b) Curva do diodo Zener Fig. 1 Uma tpica curva caractersticas V-I (tenso-corrente) de um diodo zener, mostrada na figura 1. Note que as caractersticas gerais, direta e reversa, do diodo zener, so similares quelas dos diodos de juno comuns. O diodo zener projetado para operar com uma tenso de polarizao reversa que muito alta, e faz com que o dispositivo atinja a regio de ruptura e conduza uma alta corrente reversa. A corrente reversa do diodo zener permanece a um valor muito baixo at que a tenso reversa suba a um valor que suficiente para que o diodo atinja a ruptura. Ento, a corrente reversa atravs do diodo cresce a uma proporo extremamente rpida, com o crescimento da tenso reversa aps o ponto de ruptura. A curva V-I, portanto, mostra que, aps o ponto de ruptura, uma grande variao na corrente reversa acompanhada por apenas uma pequena 127

mudana na tenso reversa. Isto ocorre porque a resistncia do diodo cai consideravelmente com o acrscimo da tenso reversa aps o ponto de ruptura. Uma vez que o ponto de ruptura foi ultrapassado, diz-se que o diodo est operando em sua regio de ruptura zener ou simplesmente regio zener. A corrente que passa pelo diodo enquanto ele est operando em sua regio zener freqentemente referida como a corrente zener e pode ser representada pelo smbolo IZ . Examinando a figura 1 atentamente, notaremos que a ruptura no ocorre instantaneamente. A curva arredondada na proximidade do ponto de ruptura. A ruptura de um diodo zener determinada pela sua resistividade, a qual por sua vez, pode ser controlada pela vrias tcnicas de dopagem que so usadas para construir dispositivo. Um diodo zener feito para ter um valor especfico de tenso de ruptura, o qual comumente denominado de tenso zener e designado como VZ (comumente entre 3,3 a 9,1 volts). importante perceber que quando um diodo zener classificado com uma tenso zener especfica VZ, esse valor no representa a tenso reversa que necessria inicialmente para levar o diodo ruptura. A tenso zener um valor nominal que representa a tenso reversa sobre o diodo, quando a corrente zener um valor qualquer especificado, chamado de corrente de teste zener (IZT). A curva V-I na figura 1- mostra os valores da tenso zener relativa (VZ) e da corrente de teste zener (IZT) para um diodo zener tpico. A corrente corrente de teste zener simplesmente representa valor tpico de corrente reversa que sempre menor que a mxima corrente reversa (IZM) com a qual o diodo pode trabalhar seguramente. A figura tambm mostra que uma pequena corrente reversa ou de fuga (IR), passa pelo diodo antes que o ponto de ruptura seja atingido. Sendo que o diodo zener normalmente usado em sua regio de ruptura ( com certa tolerncia), esta corrente no , de modo geral, muito importante. Entre outras aplicaes do diodo Zener, citamos: como chave, em circuitos limitadores, em circuitos de estabilizao da polarizao de transistores, na proteo de circuitos, na proteo de medidores, na supresso de fasca e na regulao de tenso alternada. Diodo Tnel Os diodos comuns de juno e os diodos zener at agora vistos tm junes PN levemente dopadas e caractersticas de tenso/corrente bastante similares. Entretanto, h um tipo especial de diodo de juno, produzido atravs de uma tcnica especial e fortemente dopado (com uma alta concentrao de impurezas). Este dispositivo chamado de diodo tnel.

Fig. 2

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Um diodo de juno PN existe aproximadamente um tomo de impureza para cada 10 milhes de tomos de silcio ou germnio. J no diodo Tnel existem 1.000 tomos de impureza para cada 10 milhes de tomos de silcio ou germnio. Esse excesso de portadores (eltrons livres ou lacunas) fez com que a barreira de potencial do diodo ficasse menor. Por causa dessa forma diferente de ser construdo, a curva caracterstica de um diodo Tnel totalmente diferente daquela de um diodo de juno. Existe uma regio de resistncia negativa, que vemos claramente figura 3.

Figura 3

CARACTERSTICAS: Juno altamente dopada e barreira de potencial interna elevada; Regio de depleo muito estreita; Tenso reversa de ruptura bastante baixa (conduz altas correntes quando polarizado reversamente); Resistncia negativa, isso significa que um aumento na tenso direta produz uma diminuio na corrente direta (numa parte da curva direta, entre Vp tenso de pico e Vv tenso de vale). A resistncia negativa dos diodos tneis til em circuitos osciladores (converso de potncia cc em potncia ca) que so projetados para gerar sinais alternados de alta freqncia (microondas perto de 200 Mhz at 10 Ghz) e tambm circuitos de comutao (chave eletrnica) de alta velocidade, capacidade especial do diodo tnel, j que ele requer potncias muito baixas para operar a velocidades muito altas. Pela curva do diodo, ele comea conduzir a uma tenso muito mais baixa do que um diodo de juno, porm h uma regio chamada vale, na qual, em vez de o diodo continuar conduzindo, ele comea a apresentar uma resistncia, ou seja, ele vai deixando de conduzir, at atingir o fim do vale, onde o diodo tnel passa a operar com um diodo convencional. Esse pico inicial que a grande vantagem diodo tnel, pois sua rpida comutao e tenso de conduo permite que ele seja utilizado em circuitos de radiofreqencia operando a freqncia muito altas, onde os diodos de juno normalmente no podem ser usados por serem lentos demais para a aplicao desejada.

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A figura 3-1, mostra um circuito ressonante LC com diodo tnel (oscilador), a resistncia negativa usada para suportar oscilaes que so produzidas no circuito LC e as perdas de potncia neste so efetivamente reduzidas a zero por causa da presena do diodo tnel.

Figura 3-1

DIODO VARACTOR OU VARICAP Os varactores so diodos de silcio otimizados para que suas capacitncia sejam variveis (figura 4), isto , esses diodos foram projetados para tirar o mximo proveito da capacitncia varivel. Como a capacitncia controlada pela tenso CC, os varactores substituem os capacitores de sintonia mecnica na maioria das aplicaes, tais como os receptores de televiso e rdios de automveis. As folhas de dados dos varactores fornecem um valor de referncia de capacitncia medida numa tenso reversa especfica, tipicamente de 4V. Por exemplo, a folha de dados do 1N5142 fornece uma capacitncia de referncia de 15pF a 4V. Estes diodos podem ser aplicados em VHF, UHF ou nas freqncias mais baixas de faixa de AM e so usados em controles automticos de freqncia. Alm do valor de referncia de capacitncia, as folhas de dados fornecem uma faixa de sintonia e uma faixa de tenso, por exemplo, junto com o valor de referncia de 15 pF, a folha de dados do 1N5142 mostra uma faixa de sintonia de 3:1 para uma faixa de tenso de 4 a 60V. Isso significa que a capacitncia diminui de 15 para 5 pF quando a tenso varia de 4 a 60V. A faixa de sintonia de um varactor depende do nvel de dopagem. Por exemplo, a figura 4 (b) mostra o perfil da dopagem para um diodo com juno abrupta (o tipo comum de diodo). Observe que a dopagem uniforme em ambos os lados da juno. Isso significa que o nmero de lacunas e eltrons livres igualmente distribudo. A faixa de sintonia de um diodo de juno abrupta est entre 3:1 e 4:1.

Fig 4

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Para obter faixas de sintonia maiores, alguns varactores tm uma juno hiperabrupta, cujo perfil de dopagem mostrado na figura 4 - C. Esse perfil revela que a densidade de cargas aumenta medida que no aproximamos da juno. A concentrao mais forte leva a uma camada de depleo mais estreita e a uma capacitncia maior. Alm disso, variando a tenso reversa, obtemos efeitos mais pronunciados na capacitncia. Um varactor hiperabrupto tem uma faixa de sintonia de 10:1, suficiente para sintonizar uma rdio em AM por toda sua faixa de freqncia (535 at 1.605Khz). Circuitos Moduladores FM Em telecomunicaes, circuitos moduladores consistem em alterar uma caracterstica da onda portadora (onda transportadora de sinal) proporcionalmente ao sinal modulante (sinal a ser transportado sinal de informao). O sinal de informao (fig 4-1 (a)), mediante a alterao da caracterstica da onda portadora (fig 4-1(b)), interfere nesta freqncia, modificando-a sua estrutura. O sinal modificado (e(t) fig 4-1 (c)) transmitido atravs da antena da estao transmissora para a antena da estao receptora, que ento demodula e devolve o sinal de informao, sinal de udio, para o alto-falante do receptor. A figura 4-1 mostra as freqncias, eo(t) = sinal da portadora , fig 4-1 (b), em(t) = sinal de informao, fig 4-1 (a), e e(t) = sinal modulado , fig 4-1 (c),. (d) (a)

(b) (e) (c)

Figura 4-1

O circuito da figura acima, representa um modulador de FM com diodo varactor. A idia deste circuito a seguinte: O oscilador cria o sinal da portadora (eo(t)) atravs de um Oscilador Hartley (figura 4-1(d)) representado pela indutncia dividida L2 e C3. O sinal de informao ou modulante (em(t)) somado ao sinal Vp (sinal atravs de R1, R2, P1 e L1) aplicada sobre o varicap (Cd) provoca o efeito visto pela figura 4-1 (e), isto , a capacitncia do varicap(Cd) ir variar, em torno de um determinado valor (Co), proporcionalmente ao sinal modulante. O circuito modulador FM, com varicap, aproveita simplesmente a poro linear da curva (figura 4-1 (e)) para obter uma funo de transferncia linear na modulao. A modulao FM chega ao emissor do transistor T1 para onde direcionada para os demais blocos do sistema de amplificao. 131

DIODOS PIN Este diodo contm regio no-dopada ou intrnseca (semicondutor puro), intercalada entre sees P e N altamente dopadas, como mostra a figura 5.

Fig 5 Uma vez que esse diodo inclui uma camada tipo P, uma camada intrnseca ou I, e uma camada tipo N, ele recebeu a denominao de diodo PIN. Os diodos PIN so capazes de mudar de um estado de operao a outro a uma razo extremamente rpida e so usados, portanto, em aplicaes de chaveamento a altas velocidades e gerao de pulsos. Quando usado como chave, o diodo PIN forado a ligar-se ou desligarse, submetendo-se sua tenso de polarizao direta ou reversa. A resistncia interna do diodo PIN varia linearmente com a tenso direta e o dispositivo responde bem s baixas correntes e tenses de polarizao. De modo geral, os diodos PIN encontram suas maiores aplicaes nas mais altas freqncias (microondas). Encontram-se disponveis tanto dispositivos de baixa potncia como de alta potncia. DIODOS GUNN Os diodos de efeito Gunn so usados para gerar sinais RF na faixa de microondas. Estes dispositivos so capazes de produzir oscilaes quando usados em combinao com um circuito ressonante e uma tenso de operao CC. Os diodos de efeito Gunn so feitos geralmente de cristais semicondutores de arseneto de glio tipo N e no tm juno PN como os diodos comuns. Entretanto, produzem ainda uma resistncia negativa em seu material semicondutor. Embora os diodos de efeito Gunn no tenham uma juno PN e no sejam, portanto, diodos verdadeiros, eles so projetados geralmente para serem polarizados em um sentido especfico. Em muitos casos, se forem polarizados no sentido oposto, eles sero danificados. LED (Light Emitting Diode - Diodos Emissores de Luz) O LED um diodo que emite luz quando passa corrente por ele. um componente de estado slido e que possui polaridade. Se ligarmos diretamente um LED a uma fonte de tenso, ele queima, por esse motivo que devemos ligar um resistor (Rs) para controlar a corrente sobre o LED (veja figura 6).

Fig 6

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Os LEDs so vendidos em uma variedade incrvel de cores, formatos e tamanhos. A escola do tipo de LED a ser usado em um determinado circuito fica a critrio puramente esttico. Visualmente o plo negativo (catodo) de um LED pode ser determinado pela existncia de um pequeno chanfrado ao seu lado ou pelo comprimento de seu terminal, que mais longo que o anodo, veja a figura

Existem ainda os displays de 7 segmentos. Esses displays so vrios LEDs juntos em uma nica pea, formando o dgito 8. Com um display de 7 segmentos possvel montar qualquer nmero de 0 a 9 (e at mesmo algumas letras), bastando para isso alimentar os LEDs correspondentes. Veja a figura abaixo

TERMISTORES O termistor um resistor sensvel temperatura: ou seja, a resistncia apresentada entre seus terminais est relacionada com a temperatura de sua estrutura. No um dispositivo de juno, apesar de ser composto de Ge ou Si com uma mistura de xidos de cobalto, nquel, estrncio ou mangans. So componentes eletrnicos, que tm a propriedade de aterrar a resistncia hmica, com a variao da temperatura. Existem termistores com coeficiente de temperatura positivo e negativo, o que equivale a dizer que, no primeiro caso, teremos um aumento de resistncia quando ocorrer um aumento de temperatura; no segundo caso teremos o inverso, ou seja, haver uma diminuio no valor hmico do termistor quando ocorrer um aumento de temperatura. Os termistores so muitos utilizados em circuitos de polarizao de transistores, pois neste caso, eles compensariam as variaes da polarizao devido ao aumento da temperatura. 133

Os termistores com coeficiente de temperatura negativo (NTC) so os mais utilizados em polarizaes de transistores.

Fig. 7

Funcionamento A VBE no circuito 0,7V e a IB 300 A . Com o aumento da temperatura ambiente, a IC tende a aumentar devido ao aumento da ICO. Porm, este aumento da temperatura afeta tambm o NTC, diminuindo a sua resistncia, com o conseqente aumento da corrente atravs dele. Essa maior corrente solicitada, aumenta a queda de tenso em RE, diminuindo a VBE (VE = VBE + VRE ) e menores sero a IB e IC. O resultado que este simples dispositivo tende a manter o circuito no seu ponto de operao. DISPOSITIVOS FOTOSSENSVEIS Dispositivos fotossensveis so aqueles que apresentam novas caractersticas quando sobre ele incide um fluxo luminoso. Dentro do grupo de componentes fotossensveis, destacam-se: a) b) c) d) Fotorresistor Fototransistor Fotodiodo Fotovoltaica a) Fotorresistor LDR (Light Dependent Resistor resistor dependente de luz) Os fotorresistores so constitudos de material semicondutor. Quando o fluxo luminoso incide sobre os mesmos a sua condutividade aumenta , ou, falando em termos de resistncia, a sua resistividade diminui. Os materiais mais utilizados para a construo dos fotorresistores so: o sulfeto de cdmio e o sulfeto de chumbo.

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Aplicao:

Fig.8

Quando no h fluxo luminoso, a resistncia LDR alta, e a corrente que circula na bobina do rel no suficiente para acion-lo. Quando um fluxo luminoso incide sobre o fotorresistor a sua resistncia diminui, e a corrente aumenta atingindo um valor suficiente para operar o rel. Consequentemente, com este simples circuito possvel efetuar o controle automtico de portas, alarme contra ladres, controle de iluminao em recinto, contagem industrial, etc. b) FOTODIODO

Fig. 9

Quando incide na regio de transio um feixe luminoso, so quebradas ligaes covalente, aumentando a concentrao dos portadores minoritrios e , consequentemente, a corrente de fuga aumenta. Este aumento da corrente vai atuar num circuito acoplado ao fotodiodo.

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Caractersticas: O fotodiodo constitudo por uma juno PN encerrada num cilindro metlico, tendo uma lente em uma extremidade, por onde penetra o fluxo luminoso. Aplicao: Como exemplo de aplicao, tomemos a ilustrao da figura 10 que tem por objetivo processar a contagem de produtos que esto sendo transportados por uma correia. O fluxo luminoso proveniente de uma lmpada interrompido quando o produto se interpe entre a lmpada e o fotodiodo.

Fig. 10

Quando isto acontece a corrente atravs do diodo diminui, fazendo com que a tenso esttica aplicada na base do transistor amplificador aumenta, isto provoca uma aumento na polarizao direta BE, logo, IC aumenta, fazendo com que a tenso coletor-terra diminua, originando um pulso no coletor que acoplado ao contador. Estes pulsos sero registrados pelo contador, o qual informar a quantidade de objetos. c) FOTOTRANSISTOR Os fototransistores so constitudos por duas junes PN acondicionados num invlucros, tendo em uma de suas extremidades uma pequena lente que converge o feixe luminoso sobre a juno base-emissor, a qual denominada de juno fotossensvel. Quando a luz incide em sua juno base-emissor, sua condutividade aumenta, ocasionando um aumento na corrente do coletor. Quanto mais intenso for o fluxo luminoso, mais intensa ser sua corrente de coletor. Devido a sua amplificao, o fototransistor fornece 10 vezes mais corrente do que o fotodiodo, sob mesmas circunstncias.

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Aplicao Os fototransistores possuem as mesmas aplicaes dos fotodiodos. Podemos citar, como por exemplo, a leitura ptica , controle automtico de brilho, alarme contra incndio, etc.

Figura 11 d) FOTOVOLTAICAS Conforme o nome indica., tais clulas produzem uma tenso eltrica quando submetidas a ao de um fluxo luminoso. Smbolo fotovoltaico Figura 12 A clula fotovoltaica basicamente um dispositivo da juno PN feito de materiais semicondutores. O selnio e silcio so os preferidos. O desenvolvimento das pesquisas no campo dos semicondutores permitiu a fabricao de clulas fotovoltaicas de silcio de excelente rendimento.. Aplicao Sua principal aplicao tem sido gerar a energia eltrica que alimenta satlites de comunicaes e meteorolgicos .

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Bateria Solar Um grande nmero de clulas so colocadas lado a lado e ligadas de maneira conveniente, em srie, em paralelo, ou em combinao srie e paralelo. Quando exposta a luz solar, o conjunto pode fornecer energia suficiente para o funcionamento dos instrumentos de uma aeronave militar ou de um satlite artificial.

OBS: A transformao da energia solar em eletricidade obtida atravs do efeito fotovoltaico.

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO O transistor de efeito de campo (FET Field Effect Transistor Transistor de Efeito de Campo) um exemplo de um transistor unipolar (movimento de eltrons livres ou lacunas). A aplicao tpica de um FET a mesma de um transistor convencional: amplificador (lembre-se de que o FET tem muito pouco ganho de tenso do que o transistor bipolar). Enquanto este trabalha como dispositivo controlado por corrente (corrente de base) e usados para altas tenses, aquele, o FET, um dispositivo que controlado pela tenso entre porta e fonte (VGS) e usados para altas impedncias de entrada. O FET, no entanto, apresenta algumas vantagens sobre os transistores convencionais (bipolares ou de juno): Alta impedncia de entrada (na ordem de 100 M). Permite criar amplificadores de vrios estgios com muito mais facilidade do que o transistor de juno ou bipolar. Baixssimo nvel de rudo, isto , imune interferncias. Maior estabilidade trmica (possibilidade de adquirir boa estabilizao de transistor); Identificamdo os FETs bsicos, suas estruturas e funcionamento. O JFET O primeiro tipo de transistor que discutiremos o FET de juno, abreviado como JFET. Aqui est a idias bsica por de trs de um FET. A figura 13(a) mostra um pedao de um semicondutor tipo n. isso no um JFET, mas o primeiro passo para a construo de um JFET. A extremidade inferior chamada fonte e a superior, dreno. A tenso de alimentao VDD fora os eltrons livres a flurem da fonte para o dreno. Estes elementos de um JFET so anlogos ao emissor e ao coletor de um transistor bipolar. Para construir um JFET, um fabricante difunde duas reas de semicondutor tipo p no semicondutor tipo n, como mostrado na figura 13 b. cada uma dessas regies p chamada porta. Quando o fabricante conecta um terminal para cada porta, o dispositivo chamado JFET de porta dupla. O principal uso de um JFET de porta dupla com misturador de sinais (mixer), um circuito especial usado em equipamentos de comunicao com a finalidade de misturar um sinal de udio (sinal modulante) com um sinal de uma portadora para transmisses em amplitude ou freqncia moduladas (dispositivo quadrtico). 138

A maioria dos JFETs tem as duas portas interconectadas internamente para obter um nico terminal de porta externo, como as duas portas esto sempre no mesmo potencial, o dispositivo funciona como se ele tivesse apenas uma nica porta. A porta de um JFET anloga base de um transistor bipolar. Na figura 13 b, a porta uma regio p, enquanto a fonte e o dreno so regies n. por isso, um JFET parecido com dois diodos. A porta e a fonte constituem um dos diodos, e a porta e o dreno constituem o outro. Como os JFETs so dispositivos de silcio, eles necessitam de apenas 0,7V de polarizao direta para obter uma corrente significativa em qualquer diodo. BIPOLAR JFET

Emissor Base

Fonte (S source) Porta ( G gate)

Coletor Figura 13 Como ele funciona

Dreno (D drain)

Figura 14 A tenso de alimentao no dreno positiva e na porta negativa. Por isso, a tenso entre a porta e o dreno negativa. Portanto, o diodo porta-dreno reversamente polarizado. Os dois diodos em um JFET so reversamente polarizados para um funcionamento normal. No momento em que a tenso de alimentao de dreno aplicada ao circuito, os eltrons livres comeam a circular da fonte para o dreno. Esses eltrons livres tm de passar atravs do estreito canal entre as camadas de depleo. A tenso da porta controla a largura desse canal. Quanto mais negativa a tenso da porta, mais estreito o canal e menor a corrente de dreno. 139

Quase todos os eltrons livres passam atravs do canal em direo ao dreno. Por isso, ID = IS . Smbolos:

Figura 15 OBS: A resistncia de entrada em JFET polarizado bastante alta chegando a ter centenas de megaohms. Essa a grande vantagem que um JFET tem sobre um transistor bipolar. Ela a razo dos JFETs predominarem em aplicaes nas quais uma alta impedncia de entrada necessria (seguidor de fonte).

O MOSFET DE MODO DEPLEO O FET de xido de semicondutor e metal, ou MOSFET, tem uma fonte, uma porta e um dreno. Contudo, ao contrrio de um JFET, a porta est eletricamente isolada do canal. Por isso, a corrente de porta extremamente pequena, mesmo que a porta seja positiva ou negativa. O MOSFET algumas vezes chamado IGFET, que quer dizer FET de porta isolada. Devido ao isolamento da porta por uma camada de xido, a impedncia de entrada de um MOSFET maior que a de um JFET. A Idia Bsica A figura 16 mostra um MOSFET de modo depleo canal n. ele uma parte de material tipo n com uma regio p direita e uma porta isolada esquerda. Os eltrons livres podem fluir da fonte para o dreno atravs do material n. A regio p chamada substrato (ou corpo). Os eltrons que fluem da fonte para o dreno tm de passar atravs do estreito canal entre a porta e a regio p.

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A fina camada de dixido de silcio (SiO2) depositada no lado esquerdo do canal. Dixido de silcio o mesmo que vidro, que um isolante. Em um MOSFET, a porta um eletrodo metlico. Como a porta metlica est isolada do canal, um valor insignificante de corrente de porta flui mesmo quando a tenso da porta positiva.

MOSFET de modo depleo Figura 16

Smbolo esquemtico MOSFET modo depleo canal tipo N

A figura 17(a) mostra o MOSFET de modo depleo com uma tenso de porta negativa. A tenso de alimentao VDD fora os eltrons livres a fluir da fonte para o dreno. Esses eltrons fluem atravs do estreito canal esquerda do substrato. Como em um JFET, a tenso da porta controla a largura do canal. Quanto mais negativa a tenso da porta, menor a corrente de dreno. Quando a tenso da porta suficientemente negativa, a corrente de dreno cortada. Como a porta do MOSFET est eletricamente isolada do canal, podemos aplicar uma tenso positiva na porta, como mostrado na figura 17(b) . a tenso positiva na porta aumenta o nmero de eltrons livres que fluem atravs do canal. Quanto maior a tenso positiva na porta, maior a conduo da fonte para o dreno. A possibilidade do uso de uma tenso positiva na porta que distingue o MOSFET de modo depleo do JFET.

Figura 17

141

OBSERVAO: Os terminais FONTE e DRENO do MOSFET no devem ser invertidos. MOSFET possui baixa capacitncia de entrada e essa caracterstica o torna apto a trabalhar em altas freqncias. Por causa do seu baixo rudo, o MOSFET modo depleo so usados nos estgios de entrada de equipamentos de altas freqncias (VHF na faixa de 30 a 300 Mhz e UHF na faixa de 300 a 3000 Mhz). Quando usados como amplificadores Cascode, o MOSFET modo depleo proporciona uma maior ganho de tenso, em altas freqncias, do que um amplificador bipolar. Uma dificuldade inerente ao MOSFET o perigo de danos sua fina camada de xido. Cargas eletrostticas podem furar essa camada e danificar o dispositivo. As cargas se acumulam facilmente devido impedncia de entrada que impede sua descarga. Os MOSFETs no devem ser retirados do circuito com a alimentao ligada.

O MOSFET DE MODO CRESCIMENTO OU INTENSIFICAO Embora o MOSFET de modo depleo seja usado em situaes especiais, porm, ele desempenha um importante papel na histria porque fez parte da evoluo em direo ao MOSFET de modo crescimento ou intensificao, um dispositivo que revolucionou a indstria eletrnica. Esse segundo tipo de MOSFET tornou-se muito importante em eletrnica digital e computadores. Sem ele, os computadores pessoais no existiriam. A Idia Bsica A figura 18(a) mostra um MOSFET de canal n do tipo crescimento ou intensificao. O substrato estende-se por todo o caminho at o dixido de silcio. Como voc v, no h mais um canal n entre a fonte e o dreno. Como ele funciona? A figura 18(b) mostra a polarizao normal. Quando a tenso da porta zero, a alimentao VDD tenta forar a ida dos eltrons livres da fonte para o dreno, mas o substrato p tem apenas uns poucos eltrons livres produzidos termicamente. Pondo de lado esses portadores minoritrios e alguma fuga de superfcie, a corrente entre a fonte e o dreno zero (VGS = 0). Por isso, um MOSFET de modo crescimento ou intensificao est normalmente no estado desligado (off) quando a tenso da porta zero. Isso completamente diferente dos dispositivos de modo depleo como o JFET ou o MOSFET de modo depleo. Quando a porta suficientemente positiva, ela atrai eltrons livres na regio p. Os eltrons livres recombinam-se com as lacunas na regio prxima ao dixido de silcio. Quando a tenso da porta suficientemente positiva, todas as lacunas encostadas ao dixido de silcio so preenchidas e eltrons livres comeam a fluir da fonte para o dreno. O efeito o mesmo que a criao de uma fina camada de material tipo n prxima ao dixido de silcio. Essa camada condutora chamada camada de inverso tipo n. Quando ela existe o dispositivo, normalmente aberto, de repente conduz e os eltrons livres fluem facilmente da fonte para o dreno.

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O VGS mnimo que cria a camada de inverso tipo n chamado tenso de limiar, simbolizado por VGS(th). Quando VGS menor do que VGS(th), a corrente de dreno zero. Mas quando VGS maior do que VGS(th), uma camada de inverso tipo n conecta a fonte ao dreno e a corrente de dreno grande. Dependendo do dispositivo em particular que est sendo usado, VGS(th) pode variar de menos de 1 V at mais de 5V.

Figura. 18

Smbolo MOSFET modo intensificao Canal N

OBSERVAO
Os JFETs e os MOSFETs de modo depleo so classificados como dispositivos de modo depleo porque suas condutividades dependem do funcionamento das camadas de depleo. O MOSFET de modo intensificao classificado como um dispositivo de modo intensificao porque a sua condutividade depende do funcionamento da camada de inverso tipo n. Os dispositivos de modo depleo so normalmente fechados quando a tenso da porta zero, enquanto os dispositivos de modo intensificao so normalmente abertos quando a tenso da porta zero.

SCR (Silicon Controlled Rectifier Retificador Controlado de Silcio) O SCR um diodo PNPN com um terminal chamado de porta (gate). da famlia dos tiristores e funciona como chave eletrnica. Aplicando uma pequena corrente na porta de um SCR ele dispara e ento a chave fechada. O SCR como um rel eletrnico, com a vantagem de no usar nenhum componente mecnico para fechar o contato.

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Figura 19

Funcionamento de um SCR

Figura 20

Admita que a trava da figura 20 (a) esteja aberta. Ento, o circuito equivalente uma chave aberta como mostra na figura 20 (b). Como no h corrente atravs do resistor de carga, a tenso de sada igual tenso de alimentao. Isso significa que o ponto de operao est na extremidade inferior da reta de carga (figura 20 (d)). Como podemos fechar a trava? Uma forma pelo disparo. A idia aplicar um pulso estreito para polarizar diretamente o diodo base-emissor de Q2 na figura 20(a). No ponto A do eixo do tempo, o disparo liga momentaneamente a corrente de base de Q2. A corrente de coletor de Q2 avana subitamente e fora uma corrente de base atravs de Q1. Por sua vez, a corrente de coletor de Q1 avana e aciona com maior intensidade a base de Q2. Como o coletor de Q1 agora alimenta a corrente de base de Q2, o pulso de disparo no mais necessrio. Uma vez que a realimentao positiva comece, ela ir auto-sustentar e levar os dois transistores saturao. A mnima corrente de entrada necessria para indicar a operao de chaveamento chamada corrente de disparo.

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Quando saturados, os dois transistores se parecem idealmente com curto-circuitos, e a trava estar fechada (figura 20 (c)). Idealmente, a trava tem zero volt de tenso atravs dela quando fechada, e o ponto de operao est na extremidade superior da reta de carga (Figura 20 (d)). Como se abre uma trava ? Uma forma de abrir a trava aplicar um disparo com polaridade reversa no circuito da Figura 20 (a) . Quando se usa um disparo negativo, em vez de um positivo, a corrente de Q2 diminui. Isso fora a corrente de base de Q1 diminuir. Como a corrente de coletor de Q1 tambm diminui, a realimentao positiva leva os dois transistores ao corte, o que abre a trava. Uma outra forma de abrir um SCR por meio de um desligamento por baixa corrente (reduzir Vcc a zero). Quase todos os SCR so dispositivos industriais que podem trabalhar com correntes de altos valores, variando num faixa de menos de 1 at mais de 2500 A. Possuem tenses de disparo e correntes de manuteno (corrente abaixo da qual o SCR no conduz) relativamente altas. Uma das mais importantes aplicao do SCR a de proteger cargas delicadas (circuitos integrados) e caras contra sobretenses da fonte de alimentao. TRIAC (Triode Alternative Current - Triodo para corrente alternada) O SCR controla a corrente em apenas uma direo e necessitaramos de artifcios para us-lo no corrente dos dois ciclos CA. O TRIAC vem contornar esse problema e tambm conhecido como triodo tiristor bidirecional. Estrutura O TRIAC possui duas sees de quatro camadas em paralelo, sendo uma PNPN e a outra NPNP, podendo ser comparado a dois SCRs ligados em paralelo e em direes opostas. Apresentamos apenas o circuito equivalente e o smbolo mais usado. Como podemos ver na figura 21 o TRIAC pode ser comparado como dois SCRs ligados em paralelos, em direo opostas. O TRIAC possui trs terminais: anodo 1 anodo 2 e porta (gate). ANODO 2

ANODO
(G) 1

A2

PORTA (G)

Figura 21

b) Smbolo

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Observao: Um TRIAC pode ser ativado pelo semiciclo positivo ou semiciclo negativo, enquanto um SCR s pode ser ativado pelo semiciclo positivo. TRANSISTOR DE UNIJUNO - UJT (Unijunction Transistor) Da famlia do Tiristor, o UJT um dispositivo que no um amplificador. Seu uso para uma ampla variedade de aplicaes: osciladores, circuitos de disparo (usado como chave eletrnica, ele gera ondas teis no desempenho de muitas funes de circuitos eletrnicos), geradores dente de serra, etc, alm de ser um dispositivo de baixa absoro de potncia que o torna muito importante em projetos de sistemas relativamente eficientes. constitudo fisicamente por duas regies dopadas com trs terminais externos, isto , possui um emissor e duas bases. O emissor fortemente dopado e por esta razo, a resistncia entre as bases relativamente alta, tipicamente de 5 a 10K quando o emissor est aberto (resistncia interbase, simbolizada por RBB) .

C Figura 22

Na figura 22 C a tenso atravs de R1 chamada de tenso intrnseca de afastamento (V1) porque ela mantm o diodo emissor com polarizao reversa para todas as tenses de emissor menores que V1. Idealmente temos que aplicar um pouco mais que V1 para que a tenso no emissor ligue o diodo emissor. OBS: O transistor de unijuno utilizado em osciladores (geradores dentes-de-serra)

O circuito da figura 23 mostra um UJT com trs sadas teis: ondas dente de serra, disparos positivos e disparos negativos. Os disparos aparecem durante o tempo de retorno da onda dente de serra, porque o UJT conduz intensamente nesse momento.

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Figura 23

Chegamos ao final deste texto. Agora, voc dever fazer exerccios propostos e se por acaso houver dvidas reestude o texto para consolidar seus conhecimentos.

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Exerccios do Texto XI
1 Qual dos transistores abaixo unipolar ? (a) (b) (c) (d) NPN PnP J-FET TJU

2 O FET possui ________________________ impedncia e ______________ capacitncia de entrada. (a) (b) (c) (d) Alta-alta Alta-baixa Baixa-baixa Baixa-alta

3 Um sensor de calor chamado de (a) (b) (c) (d) VDR TERMISTOR FOTOCDULA LDR

4 Um diodo zener normalmente empregado quando polarizado ___________________ 5 Os dispositivos fotossensveis, que alteram sua resistividade com a incidncia de luz so as (a) (b) (c) (d) foto clulas clulas fotocondutivas clulas fotovoltaicas clulas fotoeltricas

6 Um tiristor pode ser usado como (a) (b) (c) (d) um resistor um amplificador uma chave uma fonte de alimentao

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Gabarito do Texto XI
1C

2B

3B

4 inversamente

5B

6-C

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Auto-Avaliao
1 - Calcule a corrente de carga IL e a tenso de carga VL no circuito da figura abaixo aplicando o teorema de Thevenin.

2 Mostre o equivalente Thevenin e calcule VL. Determine VL por superposio. Calcule VL pelo teorema do equivalente Norton.

3 Determinar a potncia relativa a 10 dBm. 4 Determinar a potncia em dBm relativa a 2 W. Dado log 2 = 0,3. 5 Quantos eltrons de valncia tem um tomo de germnio ? a) 0 b) 1 c) 2 d) 4 6 Um semicondutor intrnseco tem algumas lacunas na temperatura ambiente. O que originou essas lacunas ? a) a dopagem b) os eltrons livres c)a energia trmica d) os eltrons de valncia

7 Que tipo de dispositivo o diodo ? a) bilateral b) linear c) no-linear d) unipolar 150

8 A tenso de sada de um retificador em ponte um sinal a) de onda completa. b) de meia onda . c) senoidal. d) defasado . 9 A forma de converso de energia AC em DC chamada de __________ . a) transformador. b) conversor DC. c) inversor. d) fonte retificadora. 10 Quanto ao transistor, a base estreita e a) fortemente dopada. b) levemente dopada. c) Metlica. d) dopada com material pentavalente. 11 - Na configurao emissor comum a entrada do sinal ser na ________ . a) b) c) d) base. emissor. coletor. no diodo retificador.

12 - Polarizao por divisor de tenso (PDT) a que proporciona a __________ estabilidade do ponto Q na polarizao de transistor. a) menor b) maior c) pior d) equilibrada

13 - Em sistemas de RF, acoplamento mais empregado o a) a transformadores c) sintonizado b) direto d) por impedncia

14 Num transmissor AM-DSB, como o que est mostrado na figura abaixo, o bloco que produz energia DC em AC chamado de a) b) c) d) Modulador AM-DSB. Oscilador de RF. Amplificador de potncia RF. Amplificador de potncia de udio.

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15 - O multivibrador o dispositivo eletrnico capaz de produzir uma tenso de sada em onda a) quadrada ou retangular. b) senoidal. c) senoidal e retangular. d) triangular e quadrada. 16 Dispositivo eletrnico capaz de produzir resposta de freqncia infinita (BW=) chamado de a) conversor de freqncias. b) Ampliador operacional. c) Filtro passivo. d) Amplificador de potncia. 17 O ampliador operacional de ganho unitrio tambm chamado de a) b) c) d) seguidor de emissor seguidor de fonte conversor de sinais conversor digital-analgico.

18 - Os circuitos integrados compostos por circuitos lgicos utilizados na eletrnica digital tais como portas lgicas, flip-flops, contadores so considerados a) analgicos b) digitais c) de freqncia senoidal d) retificadores 19 - Se refere a CIs que tm de 12 a 100 componentes integrados por chip ? a) b) c) d) SSI MSI LSI VSI

20 - O diodo Zener usado como __________ a) b) c) d) regulador de corrente. conversor de tenso. regulador de tenso. conversor de corrente.

21 NO considerado um tiristor ? a) b) c) d) SCR UJT TRIAC JFET 152

Gabarito da Auto-Avaliao
1 RTh = 10; VTh = 60 V ; IL = 1,5 A e VL = 45V . 2 - RTh = 3; VTh = 22,5 V e VL = 18V . IN = 7,5 A e RN = 3 . 3 P = 0,1 mW. 4 P = 33 dBm 5D 6C 7C 8A 9D 10 - B 11 A 12 - B 13 - C 14 B 15 - A 16 B 17 B 18 B 19 B 20 C 21 D

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Concluso
Caro aluno(a), voc deve ter percebido que aps o trmino dos assuntos, esse mdulo mostrou ao instruendo como identificar os princpios bsicos dos semicondutores e relacionlos aos processos de telecomunicaes. Sabe-se , porm, que o assunto no se esgota por aqui, h muito o que aprender em outras disciplinas de nossa especialidade. Fique certo, que os conhecimentos adquiridos no mdulo 1 sero teis para complementao do mdulo 2 (Eletrnica Digital). Por outro lado, com aquisio de modernas aeronaves pela Fora Area Brasileira, a eletrnica vem sendo a principal ferramenta capaz de dar suporte aos especialistas que utilizam de uma sub-rede avinica, rede esta constituda por equipamentos analgicos e digitais de ltima gerao. Sendo assim, a importncia da eletrnica no ramo da aviao, faz com que os conhecimentos de componentes eletrnicos possam lev-los(las) a entender o meio de transmisso de dados em equipamentos de transcepo de sinais, alm de propiciar metodologias na gerao de sinais de sistemas criptogrficos atravs de equipamentos destinados para tal. Portanto, amigo(a), aproveite bem esse mdulo para acompanh-lo(a) em assuntos posteriores e aplicaes imediatas das Telecomunicaes do Sistema de Controle do Espao Areo Brasileiro SISCEAB O AUTOR.

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Bibliografia

ELETRNICA : volume 1 / Albert Paul Malvino ; 4 ed. So Paulo: Makron Books, 1995.

Apostila Eletrnica BET EEAR

Fundamentos de Eletrnica: Volume nico / Gabriel Torres ; Editora Axcel Books do Brasil, 2002.

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