Cmi 0253

Universit Joseph Fourier Grenoble I
N attribu par la bibliothque

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THESE
pour obtenir le grade de
DOCTEUR DE L'UNIVERSITE JOSEPH FOURIER
Spcialit : MICRO ET NANO ELECTRONIQUE
Prpare au Laboratoire TIMA
dans le cadre de l'Ecole Doctorale
ELECTRONIQUE, ELECTROTECHNIQUE, AUTOMATIQUE, TRAITEMENT DU SIGNAL
Prsente et soutenue publiquement
par
Marcin MARZENCKI
le 30 Mars 2007
Titre :
CONCEPTION DE MICROGNRATEURS INTGRS
POUR SYSTMES SUR PUCE AUTONOMES
Directeur de thse :
Skandar BASROUR
JURY
M. Daniel GUYOMAR ,Prsident
M. Bernard DULMET ,Rapporteur
M. Philippe PERNOD ,Rapporteur
M. Skandar BASROUR ,Directeur de thse
M. Eric YEATMAN ,Examinateur
M. Franois COSTA ,Examinateur
Remerciements
Je tiens tout d'abord remercier Monsieur Bernard COURTOIS, directeur du laboratoire TIMA, pour
m'avoir accept au sein de son laboratoire.
Je remercie particulirement Monsieur Skandar BASROUR pour m'avoir fait l'honneur de diriger ma
thse, pour m'avoir fourni tous les moyens ncessaires son bon droulement, pour sa disponibilit
permanente et pour la qualit de l'encadrement qu'il m'a offert. Grce lui, j'ai pu participer de nombreuses
confrences faisant ainsi connaissance avec la communaut scientifique.
Je remercie galement tous les membres de mon jury pour avoir accept de s'intresser mon travail et
d'avoir pass du temps l'valuer.
Ces travaux de thse ont t raliss dans le cadre du projet europen VIBES. Je remercie tous les
partenaires de ce projet, pour m'avoir permis de travailler dans une quipe internationale de qualit, en
particulier l'Universit de Southampton qui a dirig ce projet. Je remercie la Commission Europenne pour
son aide financire dans ce projet.
Je remercie chaleureusement Kasia qui m'a aid dans les moments le plus difficiles et qui a du
supporter plusieurs jours de solitude, ainsi que tout ma famille qui m'a constamment soutenu.
Je remercie chaleureusement tous ceux qui m'ont aid dans mon travail : tout d'abord Mikal COLIN
de la socit MEMSCAP pour sa disponibilit et son aide permanente, Yasser AMMAR, pour ses effort
fructueux de conception de la partie lectronique, ainsi que Brahim BELGACEM de l'Ecole Polytechnique
de Lausanne pour les ralisations des couches minces de PZT. Alexandre CHAGOYA ensuite,
administrateur du CIME, pour son support frquent, Irne PHENG pour les ralisations de cblage et Jean
NEUMANN pour son accueil chaleureux sur la plateforme capteur.
Je remercie galement tous ceux qui ont contribu par leur amiti faire de ces annes de thse une
priode trs agrable : ceux du fameux bureau 120 avec lesquels ce fut un plaisir de cohabiter (Guillaume,
Nicolas, Nam, Chrystian, Yasser), toute la bande du resto U (Alexandre, Hubert, Benot, Salvador, Libor,
Karine, Hela, Michele, Nadia, Louis et bien d'autres). Je remercie aussi les amis extrieurs TIMA
(Krzysiek, Sonia, Antonina, Maciek, Hynek...).
iii
Table des matires
Remerciements.............................................................................................................................................. iii
Table des matires.......................................................................................................................................... v
Table des figures............................................................................................................................................ ix
Liste des tableaux....................................................................................................................................... xvii
Prsentation du manuscrit............................................................................................................................. 1
Glossaire.......................................................................................................................................................... 3
Chapitre I : Introduction gnrale................................................................................................................ 5
I.1. Motivation systmes autonomes......................................................................................................... 5
I.2. Application envisage rseau de capteurs sans fil.............................................................................. 7
I.3. Enjeux consommation en nergie....................................................................................................... 8
I.3.1. Bilan nergtique d'un noeud sans fil............................................................................................ 9
I.3.2. Partie radiocommunication............................................................................................................ 9
I.3.3. Microcontrleur........................................................................................................................... 11
I.3.4. Capteurs...................................................................................................................................... 12
I.3.5. Calcul de la puissance consomme par le systme...................................................................... 12
I.4. Miniaturisation.................................................................................................................................... 15
Chapitre II : tat de l'art sur la rcupration de l'nergie ambiante....................................................... 17
II.1. Alimentation des systmes miniatures............................................................................................... 17
II.1.1. Sources d'nergie miniatures...................................................................................................... 17
II.1.2. Batteries et les piles miniatures.................................................................................................. 18
II.2. Rcupration de l'nergie des vibrations mcaniques......................................................................... 20
II.2.1. Gnrateurs quasi-statiques........................................................................................................ 20
II.2.2. Gnrateurs dynamiques et rsonants......................................................................................... 22
II.2.3. Couplage.................................................................................................................................... 23
II.2.4. Spectre de vibrations.................................................................................................................. 23
II.2.5. Trois principaux types de gnrateurs........................................................................................ 28
II.2.6. Rcapitulatif des gnrateurs rsonants...................................................................................... 37
Chapitre III : Gnrateurs pizolectriques.............................................................................................. 41
III.1. Pizolectricit.................................................................................................................................. 41
III.1.1. Gnralits................................................................................................................................ 41
III.1.2. Modlisation de l'effet pizolectrique..................................................................................... 43
III.1.3. Matriaux et technologies de fabrication.................................................................................. 46
III.1.4. Applications dans les microsystmes - couches minces pizolectriques................................. 48
v
III.2. Modle une dimension du gnrateur pizolectrique.................................................................... 50
III.2.1. Prsentation du modle............................................................................................................. 51
III.2.2. Dynamique du systme............................................................................................................. 52
III.2.3. Puissance d'entre..................................................................................................................... 64
III.2.4. Application pour les matriaux existants.................................................................................. 67
III.2.5. Bilan de la modlisation............................................................................................................ 69
III.3. Diffrents types de gnrateurs......................................................................................................... 70
III.3.1. Structure mobile........................................................................................................................ 70
III.3.2. Positionnement de l'lment actif............................................................................................. 70
III.4. Systmes non rsonants et ajustables................................................................................................ 72
III.4.1. Matrices de dispositifs.............................................................................................................. 72
III.4.2. Systmes ajustables.................................................................................................................. 73
III.4.3. Systmes non-rsonants............................................................................................................ 74
III.4.4. Systmes rsonants non-linaires.............................................................................................. 75
III.5. Conclusion........................................................................................................................................ 76
Chapitre IV : Premier lot de prototypes..................................................................................................... 79
IV.1. Modlisation des convertisseurs mcano-lectriques........................................................................ 79
IV.1.1. Poutre encastre-libre............................................................................................................... 79
IV.1.2. Poutre encastre-encastre........................................................................................................ 85
IV.1.3. Modlisation des spirales.......................................................................................................... 88
IV.1.4. Conclusions de la modlisation................................................................................................ 90
IV.2. Fabrication........................................................................................................................................ 90
IV.2.1. Filire technologique utilise.................................................................................................... 91
IV.2.2. Rsultats de fabrication............................................................................................................ 94
IV.3. Caractrisation exprimentale des dispositifs................................................................................... 98
IV.3.1. Chane d'acquisition.................................................................................................................. 98
IV.3.2. Structures de test....................................................................................................................... 99
IV.3.3. Poutre encastre-libre............................................................................................................. 100
IV.3.4. Poutre encastre-encastre...................................................................................................... 106
IV.3.5. Spirales................................................................................................................................... 111
IV.4. Conclusion...................................................................................................................................... 111
Chapitre V : Second lot de dispositifs........................................................................................................ 113
V.1. Conception des dispositifs............................................................................................................... 113
V.2. Modlisation analytique................................................................................................................... 114
V.2.1. Prsentation du modle............................................................................................................ 114
V.2.2. Variables indpendantes et les conditions aux limites.............................................................. 116
V.2.3. Modlisation............................................................................................................................ 117
V.2.4. Rponse une excitation sinusodale....................................................................................... 121
V.2.5. Introduction des pertes............................................................................................................. 123
V.2.6. Rsultats de la modlisation analytique................................................................................... 124
V.2.7. Comparaison avec les rsultats de simulation FEM................................................................. 126
V.2.8. Conception et optimisation de la structure............................................................................... 128
V.3. Structure en PZT.............................................................................................................................. 130
V.3.1. Filire technologique utilise................................................................................................... 130
V.3.2. Dispositifs................................................................................................................................ 136
V.3.3. Circuit de polarisation collective.............................................................................................. 142
V.3.4. Fabrication............................................................................................................................... 143
vi
V.3.5. Rsultats exprimentaux.......................................................................................................... 147
V.4. Dispositifs AlN................................................................................................................................ 155
V.4.1. Technologie de dpt de l'AlN................................................................................................. 155
V.4.2. Dispositifs................................................................................................................................ 155
V.4.3. Modlisation............................................................................................................................ 156
V.5. Bilan des performances de micrognrateurs................................................................................... 162
V.6. Conclusion....................................................................................................................................... 162
Chapitre VI : Systme de gestion de l'nergie......................................................................................... 165
VI.1. Introduction.................................................................................................................................... 165
VI.2. Approche passive............................................................................................................................ 166
VI.3. L'approche active............................................................................................................................ 167
VI.3.1. DC/DC adaptatif .................................................................................................................... 167
VI.3.2. Techniques non-linaires........................................................................................................ 168
VI.3.3. AC/DC actif............................................................................................................................ 169
VI.4. Rsultats exprimentaux................................................................................................................. 169
VI.5. Conclusion...................................................................................................................................... 172
Chapitre VII : Conclusion gnrale et perspectives................................................................................. 175
Bibliographie............................................................................................................................................... 171
Annexe A : Convention de la modlisation analytique............................................................................. 177
Annexe B : Modle analytique de la poutre.............................................................................................. 187
Annexe C : Mcanismes de dissipation de l'nergie dans micro rsonateurs......................................... 197
Annexe D : Proprits des matriaux utiliss dans la modlisation........................................................ 203
Annexe E : Rcapitulatif des rsultats exprimentaux............................................................................ 207
vii
Table des figures
Figure I.1 : volution de plusieurs domaines de la microlectronique portable et des batteries [2]................................. 6
Figure I.2 : Comparaison entre la densit de puissance en fonction du temps pour les diffrentes types de piles et
l'nergie ambiante solaire et vibrations mcaniques [3]............................................................................. 6
Figure I.3 : Noeud du systme de mesure mtorologique [1].......................................................................................... 8
Figure I.4 : Schma d'un noeud d'un rseau de capteurs sans fil....................................................................................... 9
Figure I.5 : Puce complte du systme WiseNET et la consommation de la partie radiocommunication en comparaison
avec d'autres protocoles [7]..........................................................................................................................11
Figure I.6 : Consommation en nergie du systme sur une priode de fonctionnement..................................................14
Figure I.7 : Smart Dust de l'Universit de Berkeley (a) et une vision d'un nud autonome aliment partir des
vibrations mcaniques environnementales (b)............................................................................................. 16
Figure II.1 : Schma de la chaussure pizolectrique propose par Shenck et al. [34] avec une feuille de PVDF et un
dimorphe introduits dans la chaussure......................................................................................................... 20
Figure II.2 : Vue de l'interrupteur de la socit EnOcean, avec : le support mcanique (1), les ressorts (2, 3), le
gnrateur pizolectrique (4), le circuit lectronique (5), le contact en caoutchouc (6) et le couvercle (7).
......................................................................................................................................................................21
Figure II.3 : Gnrateur rotatif pizolectrique propos par G. Poulin [33]. .................................................................. 21
Figure II.4 : Puissance normalise en fonction de la frquence d'excitation
et de l'amplitude pour les trois types de gnrateurs [36]........................................................................... 22
Figure II.5 : Reprsentation de couplage entre diffrents domaines nergtiques dans le systme de rcupration....... 23
Figure II.6 : Positionnement des acclromtres sur le corps humain pendant les tests.................................................. 24
Figure II.7 : Spectres des vibrations produites sur la cheville d'un homme qui court 12km/h......................................25
Figure II.8 : Spectres des vibrations gnrs par un four microondes [38]. ................................................................. 26
Figure II.9 : Spectre de vibrations gnres par un moteur tournant 15000 tr/min [39].............................................. 26
Figure II.10 : lments typiques utiliss dans les fraiseuses industrielles....................................................................... 27
Figure II.11 : Spectre typique de dplacement sur une terminaison d'une fraiseuse industrielle.....................................27
Figure II.12 : Schma d'un gnrateur capacitif avec Vin source de tension pour prcharger la capacit variable, CV
capacit variable, Cpar capacit parasite et Cstor capacit de stockage............................................. 29
Figure II.13 : Gnrateur capacitif propos par Meninger et al. dans [40] et la vue en coupe prsentant la plaquette du
dispositif et du support. ............................................................................................................................... 29
Figure II.14 : Gnrateur lectrostatique propos par G. Despesse dans [21]................................................................. 30
Figure II.15 : Schma d'un gnrateur lectrostatique utilisant une couche d'lectret pour prcharger la capacit (a) et
une photographie du prototype microfabriqu sur une plaquette SOI (b) [41]............................................30
Figure II.16 : Deux dispositifs capacitifs proposs par Roundy [38] : un petit dispositif microfabriqu (a) et un grand
dispositif partiellement microfabriqu avec une masse mobile en tungstne attache manuellement (b). 31
Figure II.17 : Gnrateur lectrostatique propos par Y. Chiu et al. [43]........................................................................ 31
ix
Figure II.18 : Schma d'un simple gnrateur lectromagntique propos par Amirtharajah et al. [44]......................... 32
Figure II.19 : Micro-gnrateur lectromagntique de Shearwood et Yates [45] avec un aimant m et une bobine
planaire en or................................................................................................................................................33
Figure II.20 : Micro-gnrateur lectromagntique prsent par Lee et al [46].............................................................. 33
Figure II.21 : Micro gnrateur lectromagntique cr dans le cadre du projet ZOFF III [48] .................................... 34
Figure II.22 : Micrognrateur lectromagntique propos par Glynne-Jones et al. dans [49]....................................... 35
Figure II.23 : Gnrateur lectromagntique PMG7 de la socit Perpetuum. ...............................................................35
Figure II.24 : Dispositifs proposs par Roundy et al. dans [52].......................................................................................36
Figure II.25 : Micrognrateur pizolectrique cr au MIT [54]. ................................................................................. 37
Figure II.26 : Schma du modle dvelopp par Williams et Yates [55]........................................................................ 38
Figure III.1 : Reprsentation schmatique de la polarisation d'un matriau pizolectrique l'chelle microscopique. 42
Figure III.2 : Cycle de polarisation d'un matriaux ferrolectrique, avec polarisation de saturation PS,
polarisation rmanente Pr et champ coercitif Ec......................................................................................... 42
Figure III.3 : Puissance dlivre par en lment pizolectrique en fonction du temps reprsentant le vieillissement des
cramiques soumises aux contraintes mcaniques rptitives [61]............................................................. 43
Figure III.4 : Axes de rfrence utiliss pour modlisation d'un solide pizolectrique..................................................43
Figure III.5 : Structure Perovskite en phase cubique (au-dessus de TC) avec A un grand cation, B un cation de
taille moyenne et O - oxygne..................................................................................................................... 47
Figure III.6 : Caractristiques lectro-mcaniques de relaxateurs et cramiques pizolectriques [65]......................... 48
Figure III.7 : Systme modlis comportant une masse sismique et un lment pizolectrique : le schma du modle
(a) ainsi qu'un exemple de structure simple (b)........................................................................................... 51
Figure III.8 : Dplacement de la masse sismique (a) et la puissance dissipe sur une rsistance de charge (b) en
fonction de la pulsation normalise et la valeur de la charge rsistive........................................................ 56
Figure III.9 : Valeur optimale de la rsistance de charge en fonction de la frquence d'excitation (a) et la valeur
optimale de la frquence d'excitation en fonction de la rsistance de charge (b). ...................................... 57
Figure III.10 : Dplacement de la masse sismique (a) et puissance maximale (b) en fonction de la pulsation normalise
avec une rsistance optimale connecte entre les lectrodes de l'lment pizolectrique. ...................... 57
Figure III.11 : Tension entre les lectrodes de l'lment pizolectrique en fonction de la frquence et la valeur de la
rsistance de charge..................................................................................................................................... 58
Figure III.12 : Puissance dissipe sur une charge rsistive de valeur optimale en fonction du niveau des pertes
visqueuses (a) et structurales (b) avec les autres facteurs de pertes fixs 1%...........................................59
Figure III.13 : Influence de la valeur des pertes dilectriques sur la puissance dissipe sur une rsistance de charge de
valeur optimale, pour et gales 1%...................................................................................................... 59
Figure III.14 : Valeur optimale de la rsistance de charge en fonction de la frquence, pour diffrents niveaux
d'amortissement visqueux (a) et structural (b)............................................................................................. 60
Figure III.15 : Influence de la valeur des pertes dilectriques sur la valeur optimale de la rsistance de charge............60
Figure III.16 : Variation de la frquence de rsonance (RES) et d'antiresonance (ARES) en fonction de la valeur du
coefficient de l'amortissement visqueux (a) et structural (b) pour toutes les autres pertes fixes 1%...... 61
Figure III.17 : Variation de la frquence de rsonance (RES) et d'antiresonance (ARES) en fonction de la valeur de
pertes dilectriques (a) et le coefficient du couplage pizolectrique (b) pour toutes pertes invariables
gales 1% ..................................................................................................................................................62
Figure III.18 : Influence du facteur de couplage sur la puissance dissipe sur une rsistance de valeur optimale dans le
domaine frquentiel (a) et en fonction de la rsistance de charge (b)..........................................................62
Figure III.19 : Relation entre le facteur de couplage ke et la puissance dissipe sur une rsistance de valeur optimale en
prsence des pertes visqueuses (a) et structurales (b).................................................................................. 63
Figure III.20 : Rendements de conversion : total (a) et pizolectrique (b). ...................................................................65
x
Figure III.21 : Rendements pour une rsistance optimale : rendement total (a) et pizolectrique (b). ......................... 66
Figure III.22: Influence de pertes visqueuses sur l'efficacit de conversion : l'efficacit totale sur une rsistance
optimale (a) et l'efficacit pizolectrique en rsonance sur une rsistance optimale (b)........................... 66
Figure III.23 : Puissance dissipe sur une rsistance de charge de valeur optimale pour les quatre matriaux considrs
: dans la gamme complte de frquences (a) et autour de la rsonance (b)................................................. 68
Figure III.24 : volution de valeurs optimales de rsistance en fonction de la frquence d'excitation pour les quatre
matriaux......................................................................................................................................................68
Figure III.25 : Positionnement de l'lment actif pizolectrique sur la structure mobile............................................... 70
Figure III.26 : Structure avec lments pizolectriques l'encastrement. .....................................................................71
Figure III.27 : Structure avec lment pizolectrique attach entre la structure mobile et le paroi fixe........................ 72
Figure III.28 : Dispositif de rglage de la frquence de rsonance par effet capacitif (a) et courbe de variation de la
frquence de rsonance (b).......................................................................................................................... 73
Figure III.29 : Dispositif avec rglage de frquence d'un gnrateur pizolectrique (a) et courbe de variation de la
frquence de rsonance en fonction de la tension applique (b)..................................................................74
Figure III.30 : Gnrateur capacitif paramtrique propos par Mitcheson et al. [83]................................................74
Figure III.31 : Deux comportements frquentiels possibles d'un systme non-linaire selon le signe du paramtre k2
[84] pour diffrents niveaux d'excitation..................................................................................................... 75
Figure III.32 : Gnrateur lectromagntique avec une frquence de rsonance ajustable grce la non-linarit du
systme, principe de fonctionnement (a) et rsultats exprimentaux (b).....................................................76
Figure IV.1 : Schma d'une poutre encastre-libre avec une masse sismique et une couche mince pizolectrique...... 80
Figure IV.2 : Frquence de rsonance de la poutre en fonction de la longueur de la masse sismique LM et la largeur de
la poutre BP .................................................................................................................................................81
Figure IV.3 : Rsultats de la simulation FEM : le modle utilis (a) et la distribution de la tension gnre sur
l'lectrode suprieure (b).............................................................................................................................. 82
Figure IV.4 : Dplacement vertical UZ et la tension gnre sur l'lectrode suprieure (a) et la contrainte Sx (b) pour la
poutre soumise une acclration statique de 10ms-2 en fonction de la position le long de la poutre.......82
Figure IV.5 : Rsultats de simulations harmoniques FEM : le spectre de dplacement vertical (UZ) et de la tension
gnre en circuit ouvert (Tension) pour une excitation harmonique de 2ms-2 d'amplitude...................... 83
Figure IV.6 : Reprsentation schmatique de la poutre avec les arrondissements l'encastrement................................ 84
Figure IV.7 : Rsultats de simulation du niveau de contraintes dans la poutre soumise une acclration statique de
10ms-2, pour la longueur courbe de 660m (a) et (b) et pour la longueur courbe de 830m (c) et (d) par
rapport la poutre droite (str)...................................................................................................................... 84
Figure IV.8 : Poutre encastre-encastre avec une grande masse sismique au centre en une couche mince
pizolectrique dpose sur la face suprieure du dispositif : un modle FEM (a) et les dimensions (b)...85
Figure IV.9 : Poutre encastre-encastre avec une grande masse sismique : dimensions de la structure (a) et le layout
de la puce (b)................................................................................................................................................87
Figure IV.10 : Modle FEM d'une structure spirale en bimorphe et les dtails de la construction................................. 88
Figure IV.11 : Taille et la frquence de rsonance d'une structure spirale...................................................................... 88
Figure IV.12 : Rsultats pour la spirale avec quatre bras : dformation de la structure (a) ; la dformation et la tension
gnres le long d'un bras (b).......................................................................................................................89
Figure IV.13 : Distribution de la tension gnre sur une structure spirale, avec les zones de polarit inverse en gris
(a) et un layout d'une spirale avec l'lectrode suprieure partage pour sparer les charges opposes (b)... 90
Figure IV.14 : Dimensions et disposition des motifs sur une puce de base pour le premier lot de dispositifs................ 91
Figure IV.15: Quatre masques utiliss pour la fabrication des micrognrateurs utilisant un dpt d'AlN.................... 94
Figure IV.16 : Rsultats d'usinage face avant : quatre dispositifs en forme de poutre (a) et un motif de test (b)........... 94
Figure IV.17 : Dimensions de la poutre encastre-libre ainsi que de la cavit la comportant (a) et une photo MEB du
xi
dispositif ralis (b)......................................................................................................................................95
Figure IV.18 : Poutre encastre-libre avec une courbure importante de la poutre : le masque en trois dimensions (a) et
le dispositif fabriqu mont sur un support (b)............................................................................................ 96
Figure IV.19 : Poutre encastre-encastre avec une masse sismique : photo de la face avant (a) et image MEB de la
face arrire (b).............................................................................................................................................. 96
Figure IV.20 : Spirale quatre bras : vue du masque en trois dimensions (a) et une photo MEB face arrire du
dispositif (b) et une photo de la structure dforme aprs sa libration (c)................................................. 97
Figure IV.21 : Exemples de spirales dformes aprs leur libration : une photo MEB (a) et une photo de la puce (b).
......................................................................................................................................................................97
Figure IV.22 : Photo du montage de test des micrognrateurs (a) et le schma du systme (b).................................... 98
Figure IV.23 : Photo MEB des structures de test (a) et la comparaison entre les rsultats exprimentaux et FEM pour
une structure de test (b)................................................................................................................................ 99
Figure IV.24 : Puce C7 comportant quatre structures identiques en forme de poutre encastre-libre : le layout (a) et le
photo de la puce fabrique (b)....................................................................................................................100
Figure IV.25 : Modle FEM de la structure analyse.................................................................................................... 101
Figure IV.26 : Rsultats de la simulation FEM : dplacement de la masse sismique (a) et tension gnre sur
l'lectrode suprieure en circuit ouvert (b), pour une excitation sinusodale de 0,2g d'amplitude............ 101
Figure IV.27 : Dplacement et puissance simuls pour le dispositif C7 en rsonance 236Hz. ................................. 102
Figure IV.28 : Trois positions du gnrateur en dflexion : l'extrme basse (a), la position neutre (b) et l'extrme haute
(c)............................................................................................................................................................... 102
Figure IV.29 : Comparaison de rsultats obtenus par la simulation FEM et exprimentalement (EXP)...................... 103
Figure IV.30 : Tension gnre (a) et puissance dissipe (b) sur une charge rsistive de 7M pour une excitation
sinusodale d'amplitude de 0,2g................................................................................................................. 104
Figure IV.31 : Layout de la puce B2 contenant quatre structures diffrentes du type poutre encastre-libre (a) et la
photo du dispositif fabriqu FEMTO ST (b)...........................................................................................104
Figure IV.32 : Puissance en fonction de la frquence d'excitation pour trois valeurs de charge et 0.2g (a) et le spectre
de puissance pour une acclration de 1,5g tmoignant d'une grande non-linarit du dispositif (b).......105
Figure IV.33 : Tension gnre (a) et puissance dissipe (b) en fonction de la valeur de la charge rsistive la
rsonance et pour une acclration d'excitation d'amplitude de 0,2g........................................................ 105
Figure IV.34 : Tension gnre et puissance dissipe sur une charge optimale la rsonance
en fonction de l'amplitude de vibration d'excitation.................................................................................. 106
Figure IV.35 : Relation entre les numros des voies de l'oscilloscope et les lectrodes du dispositif........................... 107
Figure IV.36 : Tensions gnres sur les lectrodes gauches la rsonance (a) et dans la rgion non-linaire (b) pour
une excitation de 1g................................................................................................................................... 107
Figure IV.37 : Tensions gnres sur les lectrodes droites la rsonance (a) et dans la rgion non-linaire (b) pour
une excitation de 1g................................................................................................................................... 107
Figure IV.38 : volution de la tension (a) et de la puissance (b) maximales en fonction de la valeur de la charge
rsistive pour une acclration d'excitation de 50mg................................................................................ 108
Figure IV.39 : volution de la valeur RMS maximale de la tension (a) et de la puissance (b) en fonction du niveau de
l'acclration d'excitation........................................................................................................................... 108
Figure IV.40 : Tension gnre sur une charge rsistive (a) et la puissance dissipe (b) en fonction de la frquence
d'excitation pour trois valeurs de charge....................................................................................................109
Figure IV.41 : Puissance dissipe sur une charge rsistive optimale en fonction de la frquence pour trois valeurs
d'excitation entre 1g et 2g pour les balayages en frquence positifs et ngatifs........................................ 110
Figure IV.42 : volution de la valeur de frquence de rsonance en fonction de l'amplitude d'excitation
pour deux sens du balayage en frquence.................................................................................................. 110
Figure V.1 : Schma d'une poutre avec une grande masse sismique (a)
xii
et l'indication des variables utilises dans la modlisation (b).................................................................. 115
Figure V.2 : Coupe de la poutre compose de deux couches, une purement mcanique de support (silicium) et l'autre
pizolectrique........................................................................................................................................... 117
Figure V.3 : volution des facteurs de qualit lis avec diffrents types de pertes en fonction de la pression du gaz
ambiant.......................................................................................................................................................124
Figure V.4 : Rsultats de la modlisation analytique du dplacement de la masse sismique (a) et de la puissance
dissipe sur une charge rsistive (b) en fonction de la valeur de la charge rsistive et de la frquence
d'excitation pour une amplitude d'acclration de 10ms-2 et 0,1% de facteur de pertes visqueuses. ...... 125
Figure V.5 : volution de la valeur optimale de la charge rsistive en fonction de la frquence d'excitation et du niveau
des pertes visqueuses................................................................................................................................. 126
Figure V.6 : Comparaison des frquences de rsonance calcules avec les diffrents modles en fonction de la taille de
la masse sismique (a) et pour la largeur de la masse sismique gale 1mm (b)....................................... 127
Figure V.7 : Variation de la valeur optimale de la rsistance de charge (a) et de la puissance dissipe sur une charge
rsistive de valeur optimale (b) pour trois valeurs des pertes visqueuses, simules en employant la
mthode des lments finis (FEM) et modlise analytiquement..............................................................128
Figure V.8 : volution de la puissance maximale en fonction de la valeur de la charge rsistive et le rapport des
paisseurs des couches............................................................................................................................... 129
Figure V.9 : Image MEB d'une coupe et de la surface d'une couche mince de PZT {100} de 4m d'paisseur [70]. . 130
Figure V.10 : Coefficient pizolectrique e31,f et la permittivit lectrique r en fonction de la concentration de
zirconium par rapport au plomb pour une couche de 1m [70]. .............................................................. 132
Figure V.11 : Modle de la puce contenant les dispositifs mont sur une carte PCB....................................................135
Figure V.12 : Gomtrie de la poutre utilise dans le deuxime lot de prototypes........................................................136
Figure V.13 : Modle FEM de la structure du second lot de prototypes avec la couche pizolectrique en PZT et une
capacit simple........................................................................................................................................... 137
Figure V.14 : Rsultats d'une simulation FEM : l'volution de la tension (a) et de la puissance (b) en fonction de la
valeur de la charge rsistive pour une acclration de 0,2g d'amplitude................................................... 137
Figure V.15 : volution de la frquence pour laquelle la tension dvient maximale en fonction de la valeur de la
charge rsisitve...........................................................................................................................................138
Figure V.16 : Comparaison de la tension gnre sur une capacit simple et les capacits partages connectes en
srie............................................................................................................................................................ 138
Figure V.17 : Capacits pizolectriques connectes en srie : schma de principe (a) et layout d'un dispositif (b).139
Figure V.18 : Arrangement des lectrodes "interdigites" avec le vecteur de polarisation P et les flches des
contraintes.................................................................................................................................................. 140
Figure V.19 : Dfinition de la capacit quivalente utilise pour calcul de la valeur de la capacit IDT. ................... 141
Figure V.20 : Deux propositions d'lectrodes interdigites : la version avec la largeur des pistes gale la distance
entre les pistes de 10m (a) et la version avec la largeur des pistes de 4m et la distance les sparant de
6m (b).......................................................................................................................................................141
Figure V.21 : Photo MEB des pistes de polarisation collective des structures sur le bord d'une puce.......................... 142
Figure V.22 : Cellules de base utilises pour accueillir les structures conues, avec deux et quatre pads par structure
selon son type.............................................................................................................................................143
Figure V.23 : Photo MEB de l'lectrode suprieure IDT sur la poutre (a) et les dtails du motif (b)........................... 144
Figure V.24 : Photo de la face avant de la plaquette PZT aprs la gravure profonde de la couche suprieure de silicium
sur le coin de la poutre (photo prise l'EPFL)...........................................................................................144
Figure V.25 : Photo MEB des dispositifs aprs la gravure face arrire avec un agrandissement de la masse sismique
pour valuer la qualit de gravure DRIE................................................................................................... 145
Figure V.26 : Rsultats d'analyse profilomtrique des dispositifs PZT : paramtres thoriques (a) et mesurs (b). ....146
Figure V.27 : Banc de mesure utilis pour caractriser les dispositifs...........................................................................147
xiii
Figure V.28 : volution de la tension (a) et de la puissance (b) gnres par une structure en fonction de la frquence
pour diffrents charges rsistives pour l'excitation de 0,2g d'amplitude................................................... 148
Figure V.29 : volution de la tension (a) et de la puissance (b) maximales en fonction de la valeur de la charge
rsistive pour une excitation d'amplitude 0,2g. ........................................................................................148
Figure V.30 : Valeurs exprimentales de la puissance pour la charge de 10k correspondant la rsonance (a) et pour
la charge de 2M correspondant l'antirsonance (b).............................................................................. 149
Figure V.31 : volution de la tension et de la puissance en fonction de l'amplitude de l'acclration pour le rsonance
(a) et l'antirsonance (b)............................................................................................................................. 149
Figure V.32 : volution de la valeur de frquence pour laquelle la tension gnre est maximale en fonction de la
rsistance de charge (a) et l'amplitude d'acclration d'excitation (b)....................................................... 150
Figure V.33 : Tension et la puissance en fonction de la valeur de la charge rsistive................................................... 150
Figure V.34 : Tension et puissance en fonction de l'amplitude de l'acclration pour la rsonance (a) et pour
l'antirsonance (b)...................................................................................................................................... 151
Figure V.35 : volution de la tension (a) et de la puissance (b) en fonction de la valeur de la charge rsistive........... 152
Figure V.36 : Tension et la puissance en fonction de l'amplitude d'acclration d'excitation....................................... 152
Figure V.37 : volution de la frquence pour laquelle la puissance dissip est maximale en fonction de la valeur de la
charge rsistive...........................................................................................................................................152
Figure V.38 : volution de la tension (a) et de la puissance (b) en fonction de la valeur de la charge rsistive........... 153
Figure V.39 : Tension de la puissance en fonction de l'amplitude de l'acclration d'excitation.................................. 153
Figure V.40 : Frquences de rsonance des dispositifs et tension gnre sur une charge de 5M pour une acclration
sinusodale de 0,2g..................................................................................................................................... 154
Figure V.41 : Dimension de la structure avec une couche pizolectrique de nitrure d'aluminium............................. 155
Figure V.42 : Le modle FEM de la structure utilisant la couche en nitrure d'aluminium............................................ 156
Figure V.43 : volution de la tension gnre sur l'lectrode (a) et la puissance dissipe (b)
en fonction de la valeur de la charge rsistive........................................................................................... 156
Figure V.44 : volution de la valeur de la frquence pour laquelle la puissance gnre
est maximale en fonction de la charge rsistive.........................................................................................157
Figure V.45 : Photo MEB du dispositif AlN du deuxime lot avec un agrandissement de la masse sismique............. 157
Figure V.46 : paisseurs de couches sur les motifs de test pour le second lot AlN : donnes de conception (a) et
rsultats d'analyse profilomtrique (b)....................................................................................................... 158
Figure V.47 : volution de la frquence de rsonance normalise, en fonction du niveau de sous-gravure................. 159
Figure V.48 : volution de la tension et la puissance en fonction de la valeur de la charge rsistive........................... 160
Figure V.49 : volution de la puissance en fonction de la frquence pour diffrentes valeurs de l'acclration
d'excitation (a), tension et puissance en fonction de l'amplitude d'excitation........................................... 160
Figure V.50 : Tension gnre sur une charge de 5M et pour une acclration de 0,2g en fonction de la valeur de la
frquence de rsonance pour les dispositifs AlN fabriqus....................................................................... 161
Figure VI.1 : Schma du systme de gestion de l'nergie utilis dans les microsystmes autonomes.......................... 165
Figure VI.2 : Schma de la diode dvelopp par Y. Ammar (a) et sa caractristique courant tension (b)................. 167
Figure VI.3 : Structure de Villard de multiplicateur de tension - pompe de charge...................................................... 167
Figure VI.4 : Le schma du systme propos par Ottman et al.[110]............................................................................ 168
Figure VI.5 : volution de la puissance gnre (a) et l'efficacit du transfert de nergie (b) en fonction de l'amplitude
de tension en circuit ouvert [109]............................................................................................................. 168
Figure VI.6 : La puissance thorique (a) et exprimentale (b) en fonction du coefficient de couplage au carr, obtenue
avec un gnrateur excit par une force de 45mN en rsonance avec un interface simple avec un pont de
diodes (1) et trois types d'interfaces SSHI (2) (4)................................................................................... 169
Figure VI.7 : Schma d'un systme de redressement actif............................................................................................ 169
xiv
Figure VI.8 : Caractristiques du systme contenant un micrognrateur pizolectrique AlN : volution de la tension
sur une capacit de 10nF pour la tension d'entre de 150mV (a) et la tension de sortie en fonction de la
tension fournie par le gnrateur (b).......................................................................................................... 170
Figure VI.9 : Photo du systme de gestion d'nergie ralis en tant que systme dans un botier (SoP)...................... 170
Figure VI.10 : Chargement d'une capacit de 1F avec un multiplicateur de tension et un gnrateur AlN pour
diffrents niveaux d'excitation (a) et volution de la tension sur les capacits de 1F et 400pF
pour l'acclration de 0,1g (b)....................................................................................................................171
Figure VI.11 : Schma du systme autoaliment........................................................................................................... 172
Figure VI.12 : L'volution de la tension sur la capacit Ccharge de 80nF
alimente avec la tension fournie par le micrognrateur de 140mV........................................................172
Figure A.1: Numrotation des axes dans la notation matricielle................................................................................... 180
Figure A.2: La masse sismique avec les deux axes de rotation..................................................................................... 180
Figure A.3: Poutre encastre - libre................................................................................................................................181
Figure B.1: Poutre encastre - libre................................................................................................................................ 187
Figure B.2 : Couches de la poutre avec l'axe verticale z et l'axe auxiliaire a.................................................................188
Figure B.3 : Le schma de la structure modlise (a) et l'indication des variables de dformation utilises (b)...........192
Figure C.1 : Schma d'une poutre avec les mcanismes de dissipation de l'nergie......................................................197
xv
Liste des tableaux
Tableau I.1 : Consommation en puissance de dispositifs choisis.....................................................................................12
Tableau I.2: Analyse d'une squence d'opration d'un noeud sans fil (avec CC contrleur de charge)....................... 14
Tableau II.1 : Densit d'nergie et la taille ncessaire pour fournir 100J avec les batteries Zinc-Air et les piles
miniatures.....................................................................................................................................................18
Tableau II.2 : Acclrations mesures sur un homme en mouvement............................................................................. 24
Tableau II.3: Tableau rcapitulatif des diffrents convertisseurs tudis avec EX donnes exprimentales, SIM
donnes de simulation, EM mthode lectromagntique, ES mthode lectrostatique, PZ mthode
pizolectrique............................................................................................................................................. 39
Tableau II.4 : Comparaison de densits d'nergie maximales caractristiques pour les trois mthodes de conversion.. 40
Tableau II.5 : Comparaison des trois principales mthodes de transduction lectro-mcanique utilises dans des
systmes de rcupration de l'nergie de vibrations mcaniques................................................................ 40
Tableau III.1 : Rgles de changement des indices entre la notation tensorielle et la notation simplifie (Voigt)........... 44
Tableau III.2 : Comparaison de la notation matricielle et tensorielle.............................................................................. 44
Tableau III.3 : quations constitutives de la pizolectricit avec la dfinition des coefficients pizolectriques et leurs
units............................................................................................................................................................ 45
Tableau III.4 : Comparaison des proprits des principaux matriaux pizolectriques................................................. 50
Tableau III.5 : Variables utilises dans le modle............................................................................................................54
Tableau III.6 : Paramtres de l'lment pizolectrique correspondant au matriau Piezo Systems type PSI-5A4E......54
Tableau III.7 : Paramtres du systme tudi...................................................................................................................55
Tableau III.8 : Matriaux considrs pour la conversion pizolectrique....................................................................... 67
Tableau IV.1 : Contraintes gnres dans la structure soumise trois valeurs de dplacements verticaux de la masse
sismique et les valeurs de la dformation ainsi que de la tension le long d'un bras pour chacun de cas..... 86
Tableau IV.2 : Caractristiques du dispositif test......................................................................................................... 100
Tableau V.1 : Conditions aux limites appliques sur la structure modlise................................................................. 116
Tableau V.2 : Paramtres gomtriques de la structure modlise................................................................................ 126
Tableau V.3 : Valeurs des capacits des dispositifs utilisant une couche mince de PZT.............................................. 146
Tableau VI.1 : Comparaison des types de batteries rechargeables [105][106]............................................................. 166
Tableau A.1: quivalence des indexes dans la notation tensorielle et la notation matricielle....................................... 179
Tableau A.2: Relation entre la notation matricielle et tensorielle pour les matriaux pizolectriques........................ 180
Tableau C.1 : Liste des constantes et variables utilises la modlisation...................................................................... 198
xvii
Prsentation du manuscrit
Ce manuscrit de thse explore la thmatique des microsystmes autonomes, notamment la
problmatique de leur alimentation en nergie. Le dveloppement intensif de la microlectronique et la
diminution constante de l'nergie ncessaire pour faire fonctionner des systmes lectroniques ont permis
l'apparition des systmes autonomes miniatures. Nanmoins, jusqu' prsent, l'nergie ncessaire tait
fournie par une source finie, par exemple une batterie lectrochimique. Cela implique, qu'aprs un certain
temps, le rservoir doit tre rempli, ou bien le dispositif cesse de fonctionner. Lobjectif de ce travail est
dexplorer la possibilit d'alimenter de tels systmes partir de l'nergie ambiante, plus prcisment de
l'nergie des vibrations mcaniques prsentes dans l'environnement. De plus, nous nous focaliserons sur la
miniaturisation d'un tel dispositif, et sur la possibilit de son laboration en employant les techniques de
micro fabrication et le dpt des couches minces pizolectriques. L'utilisation d'un dispositif de type MEMS
permettrait de crer des systmes autonomes sur une seule puce (SoC
1
) voire dans un botier (SoP
2
).
Cette thse sinscrit dans le cadre du projet europen VIBES (VIBration Energy Scavenging) qui est
un STREP (Specific Target Research Project) du sixime programme cadre de lUnion Europenne (IST-1-
STREP-507911). Le projet a dur trois ans (janvier 2004 jusqu'au juin 2007) et a vis la ralisation d'un
microsystme autonome, aliment avec l'nergie des vibrations mcaniques ambiantes, dont la taille ne
dpasse pas 100mm
3
. Les travaux de ce projet peuvent tre diviss en deux phases. La premire consiste en
l'exploration de la possibilit de rcolter l'nergie des vibrations trs basse frquence (environ 200Hz) en
gardant des dimensions millimtriques au dispositif. La deuxime partie analyse une application spcifique,
savoir une fraiseuse industrielle, laquelle produit des vibrations des frquences plus leves, autour de
1kHz. Les micrognerateurs d'nergie conus sont de type pizolectrique et lectromagntique, et
fournissent des puissances de l'ordre de quelques centaines de nanowatts plusieurs micowatts. Dans le
cadre de ce projet nous avons collabor troitement avec des tablissements acadmiques : l'Ecole
Polytechnique Fdrale de Lausanne, l'Institut FEMTO-ST Besanon, l'Universit de Southampton et
l'Institut Tyndall Cork ainsi qu'avec des partenaires industrielles : Philips, MEMSCAP et 01dB Metravib.
Ce mmoire est structur de la manire suivante : dans l'introduction nous prsentons l'aspect du
travail avec la thmatique des noeuds de capteurs sans fil ainsi que leurs besoins typiques en nergie.
Ensuite, dans le chapitre II, nous tablissons un tat de l'art des techniques existantes dans le domaine de la
rcupration de l'nergie des vibrations mcaniques et nous introduisons une comparaison des solutions
prsentes. Puis, dans le chapitre III, nous tudions l'effet pizolectrique et sa capacit tre utilis pour
1
SoC System On Chip
2
SoP System on a Package
Marcin Marzencki - Rapport de thse 1
gnrer de l'nergie lectrique. Dans le chapitre IV nous dtaillons la conception, la modlisation, la
fabrication et les rsultats exprimentaux du premier lot de prototypes visant explorer la possibilit de
rcolter l'nergie des vibrations de basse frquence et de frquence variable voir inconnue. Le chapitre V
prsente le flot de conception du deuxime lot de dispositifs, visant une application prcise d'une fraiseuse
industrielle produisant des vibrations des frquences leves. Dans le chapitre VI, nous tudions le systme
de gestion d'nergie, contenant des lments de redressement et d'lvation de tension ncessaires pour
transfrer l'nergie gnre vers un rservoir de stockage. Enfin, dans les conclusions nous prsentons les
aspects les plus importants de ce travail ainsi que les ides pour des dveloppements futurs.
Afin de faciliter la lecture, ce document comprend des annexes contenant un glossaire des symboles
utiliss ainsi que les dtails sur les modlisations analytiques.
2 Marcin Marzencki Rapport de thse
Glossaire
AlN Aluminium Nitride
ARES Antirsonance
CMOS Complementary Metal Oxyde Semiconductor
DRIE Deep Reactive Ion Etching
FEM Finite Element Method
IDT InterDigitated electrode
MEB Microscope lectronique Balayage
MEMS Micro ElectroMechanical System
PZT Lead Zirconate Titanate
RES Rsonance
RMS Root Mean Square
SoC System on Chip
SOI Silicon On Insulator
SoP System on a Package
WSN Wireless Sensor Node
Chapitre I : Introduction gnrale
Ce chapitre a pour but de prsenter lintrt dalimenter partir de l'nergie ambiante un dispositif
lectronique de trs basse consommation. Tout dabord, une motivation de ce travail et une application
potentielle sont prsentes. Ensuite une analyse de la consommation en nergie dun nud d'un rseau de
capteurs sans fil est dtaille et diffrentes approches pour l'optimisation d'un tel systme sont prsentes.
Finalement lintrt de la miniaturisation et les enjeux lis sont numrs.
I.1. Motivation systmes autonomes
Depuis quelques annes une volution remarquable des dispositifs autonomes peut tre constate. Ces
appareils sont conus pour travailler de manire isole, souvent dans des endroits difficilement accessibles et
pendant de longues priodes. Une application trs intressante est un rseau de capteurs sans fils (Wireless
Sensor Network) qui seront dcrits au paragraphe I.2, o une grande quantit de systmes distribus (des
nuds communicant entre eux sans fil) est utilise pour rcolter les informations sur leur environnent [1].
Cette application ncessite que chaque noeud soit de petite taille, de grande robustesse, d'une dure de vie
importante et de faible cot. Pendant longtemps les batteries ont favoris le dveloppement de ces appareils
en les rendant nergtiquement autonomes. Nanmoins, cette mthode dalimentation est devenue
insuffisante pour les applications modernes. En effet le remplacement ou la recharge dun grand nombre de
piles, dans un milieu hostile, est souvent conomiquement injustifi voire impossible. La dure de vie de
dispositifs ainsi aliments est directement lie la quantit de charges initialement stockes dans la pile et
donc sa taille. Il existe alors un compromis entre les dimensions du dispositif et sa longvit. On constate
que lvolution de la densit dnergie accumule dans une pile est plus lente en comparaison avec
lvolution des autres domaines touchant la microlectronique [2]. La figure I.1 prsente le progrs dans le
temps de domaines lis llectronique et la tlcommunication portable, et lvolution de la densit
dnergie dans les piles lectrochimiques sur une chelle logarithmique entre 1990 et 2003.
Pour viter lutilisation des rservoirs dnergie avec des capacits limites, on peut profiter de la
diminution considrable de la consommation en nergie de diffrents dispositifs lectroniques. Il est
maintenant envisageable dalimenter un systme lectronique partir dune source dnergie ambiante (une
nergie prsente dans lenvironnement du dispositif). Le principal avantage de cette solution est la continuit
dalimentation. En thorie la dure de vie d'un systme ainsi aliment est limite uniquement par la prsence
de la source dnergie ambiante utilise et non par la capacit du rservoir local. La comparaison entre la
densit de puissance de plusieurs types de piles et batteries et l'nergie ambiante faite par Roundy et al. [3]
est report sur la figure I.2. La densit de puissance dans les piles diminue avec le temps (dcharge,
vieillissement) mais la puissance que l'on peut rcuprer dans l'environnement, elle reste constante, parce que
dans la plupart des cas on peut supposer que le dispositif de rcolte est trop petit pour influencer
considrablement son entourage. Grce cela la taille du rservoir local peut tre rduite d'une faon
drastique et donc les dimensions du dispositif complet peuvent tre diminues. Ce travail de thse prsente
une tude visant optimiser et miniaturiser un dispositif de rcupration dnergie ambiante destin
alimenter un nud du rseau de capteurs sans fil.
Cette thse s'inscrit dans le cadre du projet VIBES (VIBration Energy Scavenging) (IST-1-5079911)
travers le Sixth Framework Program financ par de la Commission Europenne. Le but de ce projet est
de concevoir et fabriquer un nud autonome, aliment partir des vibrations mcaniques
Figure I.1 : volution de plusieurs domaines de la microlectronique portable et
des batteries [2].
Figure I.2 : Comparaison entre la densit de puissance en fonction du temps pour les diffrentes types de piles et
l'nergie ambiante solaire et vibrations mcaniques [3].
environnementales, communicant sans fil avec une station de base et rcoltant des informations comme la
temprature, l'humidit ou l'acclration.
I.2. Application envisage rseau de capteurs sans fil
Lavancement rcent dans le domaine des microsystmes (MEMS, MOEMS etc.), de la
communication sans fil et l'lectronique trs basse puissance a permis le dveloppement des nuds de
capteurs polyvalents sans fil (capables de mesurer diffrentes grandeurs et envoyer les rsultats par la voie
radio) qui peuvent tre petits, peux coteux et de trs faible consommation en nergie. Ces nuds
communiquent soit directement avec une station de base ou par l'intermdiaire des autres nuds (mode
ad hoc) pour transfrer les donnes rcoltes concernant les diffrentes valeurs environnementales, comme
la temprature, l'acclration ou l'humidit. Chaque nud doit donc tre capable d'acqurir des informations
avec divers capteurs, traiter les donnes obtenues et les envoyer vers une centrale. Un effort cumul de
plusieurs dispositifs peut mener la cration dune cartographie des valeurs sur de grandes surfaces. Grce
la petite taille et au faible cot, plusieurs nuds peuvent tre dploys prs du phnomne tudi sans
positionnement prcis pralable, ce qui est trs important dans le cas de la surveillance de zones difficilement
accessibles ou inconnues. De plus la redondance garantit la fiabilit de mesure et sa prcision (les nuds
sont identiques et par consquent interchangeables). Par exemple on peut imaginer la situation d'une
catastrophe naturelle o il est ncessaire de connatre la distribution de plusieurs facteurs pour bien guider les
actions des secours. Souvent dans ce cas, il n'y a pas de temps pour planifier et construire un rseau de
capteurs traditionnel. Un autre scnario peut consister en l'investigation d'un terrain inconnu, comme par
exemple les zones inaccessibles dans les montagnes. Pour rendre cela possible les nuds doivent possder
une capacit dauto organisation et de dtermination de leur position. Grce la prsence dun
microprocesseur sur chaque nud, les donnes peuvent tre traites et compresses pour diminuer la quantit
de bits communiquer.
Toutes ces caractristiques assurent une grande varit d'applications possibles dans des secteurs aussi
varis que lenvironnement, la dfense, la scurit voir la sant. Les applications de rseaux de capteurs sans
fil peuvent tre divises en trois groupes [4] :
la surveillance de lespace,
la surveillance des objets,
la surveillance des interactions entre les objets et lenvironnement.
La premire catgorie inclut la surveillance de l'habitat, de lenvironnement, de lagriculture, le
contrle du climat ou des alarmes intelligentes. La seconde inclut la surveillance des structures (btiments,
ponts etc.), des machines ou finalement des tres vivants. La dernire, et la plus complexe des catgories,
englobe la surveillance des interactions : la faune et la flore, la gestion des catastrophes aussi bien naturelles
qu'industrielles, le contrle de processus de fabrication ou la surveillance mdicale.
Il existe dj plusieurs applications de rseaux de capteurs sans fil. Par exemple une recherche sur le
microclimat des arbres gants en Amrique du Nord [1] utilise des nuds sans fil prsents dans la figure
I.3. Ce systme de mesure mtorologique complet est de la taille dun botier d'une pellicule de film, ce qui
permet de surveiller prcisment la distribution des diffrentes valeurs sans les influencer. Une autre
Marcin Marzencki Rapport de thse 7
application trs intressante, est le systme PinPtr de dtection et de la localisation des tireurs [5]. Dans ce
cas, l'application d'un simple rseau de capteurs acoustiques sans fil est utilis pour localiser un tireur dans
un milieu urbain.
Toutes les applications possibles peuvent garantir que les rseaux de capteurs sans fil vont tre une
partie intgrante de nos vies dans un avenir proche. Il existe dj quelques socits spcialises dans le
dveloppement des plateformes aussi bien au niveau matriel que logiciel, pour les rseaux de capteurs sans
fil, comme par exemple la socit Crossbow [6].
I.3. Enjeux consommation en nergie
Toutes les applications de rseaux de capteurs sans fil ncessitent que les nuds soient le plus petits
possible et autonomes pendant une priode de temps la plus longue possible. En fait, comme dans la plupart
des cas la disposition des nuds est inconnue a priori, leur entretien est difficile, voire impossible. Une
batterie ne peut tre ni remplace ni recharge. Cest pour cela que les solutions intgrant un rservoir limit
dnergie sont viter. Dans ce cas la dure de vie du dispositif est directement lie la quantit de charge
initialement alloue. La situation est identique avec lutilisation de rservoirs locaux dnergie (piles ou
microbatteries mais aussi les systmes combustion); pour augmenter la dure de vie du dispositif il faut
augmenter sa taille ce qui nest pas souhaitable. Comme on peut le voir dans la figure I.3, la batterie occupe
dj une grande partie du volume dun nud.
La solution alternative est d'utiliser l'nergie disponible dans l'environnement, comme par exemple le
rayonnement solaire, les gradients thermiques ou les vibrations mcaniques. En effet grce la diminution
constante de consommation en nergie des systmes lectroniques, l'nergie qui entoure le dispositif est
suffisante pour son fonctionnement. On peut imaginer que le systme ainsi aliment peut travailler en
continu ou en cycle de service rduit en cas o la quantit d'nergie disponible est trs faible. Dans ce dernier
cas, la partie du systme responsable de la gnration d'nergie travaillerait en continu, mais le reste serait
actif pendant une priode de temps brve pour consommer le moins possible. Ce scnario est trs bien adapt
notre application ; les rseaux de capteurs sans fil, parce que dans plusieurs circonstances les mesures
peuvent tre spares de quelques secondes voire mme quelques heures.
L'utilisation de l'nergie ambiante pour alimenter un systme le rend autonome, avec une dure de vie
uniquement limite par la prsence de la source de l'nergie qu'il utilise et par la fiabilit du circuit. Il y a
plusieurs exemples d'application dont les cas les plus intressants sont dtaills dans le chapitre suivant.
Figure I.3 : Noeud du systme de mesure mtorologique [1].
I.3.1. Bilan nergtique d'un noeud sans fil
Un schma d'un noeud d'un WSN
1
est prsent dans la figure I.4. Les flches de couleurs diffrentes
reprsentent respectivement le flot de l'nergie gnre et de l'nergie rgle en provenance d'un rservoir
local, et le flot de signaux de contrle.
Le schma peut tre divis en deux parties : une responsable de la gnration dnergie et lautre
responsable des mesures, traitement et communication des donnes. La premire partie est compose du
gnrateur qui permet la conversion de l'nergie environnementale en nergie lectrique, laquelle est ensuite
gre (convertisseurs AC/DC et DC/DC) par le convertisseur de puissance et transmise un petit rservoir
d'nergie (une capacit ou une batterie). Un contrleur de charge de trs basse consommation surveille le
fonctionnement de ces blocs, pour optimiser le transfert de l'nergie entre le gnrateur et le rservoir. La
partie mesures et communication est une partie principale qui ralise les tches attribues au nud. Elles
consistent normalement faire des mesures avec des capteurs divers, traiter (filtrer, compresser etc.) des
donnes rsultantes avec un microcontrleur et les transmettre en se servant de l'metteur - rcepteur.
Si l'nergie disponible dans l'environnement n'est pas suffisante pour que le nud entier puisse
fonctionner en continu, la partie mesures et communication peut tre active uniquement pendant une trs
courte priode de temps pour minimiser la consommation en nergie.
I.3.2. Partie radiocommunication
La partie radiocommunication l'metteur-rcepteur, est responsable de la communication entre le
nud et le monde externe. Pour viter toute liaison physique du nud il est prfrable d'utiliser une
transmission sans fil. Il existe deux mthodes principales pour tablir une telle connexion : un lien
radiofrqence et un lien optique (le plus souvent infrarouge). Dans notre travail les techniques optiques sont
exclure parce qu'elles sont directives et ncessitent des encapsulations spciales.
1
WSN : abbreviation pour Wireless Sensor Node, un noeud des capteurs sans fil
Figure I.4 : Schma d'un noeud d'un rseau de capteurs sans fil.
La consommation d'nergie de la partie radiocommunication dpend de la distance sur laquelle le
nud va communiquer et la distance dpend de l'architecture du rseau dans lequel se trouve le nud. Il
existe trois principales structures de communication [7] :
mode infrastructure avec une ou plusieurs stations de base,
mode ad hoc sans station de base,
mode mixte ad hoc avec une ou plusieurs stations de base.
Dans le premier mode chaque nud communique uniquement avec une station de base, matre de
toute la communication dans le rseau. Quand un dispositif veut communiquer dans ce mode il doit tre
une distance adquate avec la station de base et doit tre reconnu par cette station. Quand il veut
communiquer avec un autre nud, il communique les donnes la station de base, laquelle ensuite les
transmet au destinataire directement ou travers une autre station de base selon la localisation du
destinataire. Un protocole similaire est utilis par exemple dans la tlphonie cellulaire ou dans le WLAN de
type IEEE 802.11 (rseau d'ordinateurs sans fil).
Dans le mode ad hoc simple il n'y a pas de station de base. Si la destination est dans la zone de
couverture du nud source, les donnes sont envoyes directement. Si ce n'est pas le cas, le nud source
envoie les donnes un nud intermdiaire, qui peut les envoyer au destinataire ou encore un autre
intermdiaire jusqu' la destination finale. Dans le cadre de cette architecture, les donnes sont transportes
travers plusieurs nuds et le terme multihop transmission est souvent employ. Un exemple de cette
solution nomme PicoRadio est dvelopp au Berkeley Wireless Research Center [8].
Il peut exister aussi un mode mixte, dans lequel les nuds peuvent communiquer aussi bien avec une
station de base que dans le mode ad hoc travers d'autres nuds en fonction de la distance entre l'metteur et
le destinataire [7].
Un grand avantage du mode ad hoc est sa souplesse, sa robustesse et sa faible consommation
d'nergie. En fait dans plusieurs applications les nuds sont distribus sans positionnement pralable.
L'absence d'une infrastructure du rseau est un grand avantage et permet d'installer le rseau rapidement, par
exemple dans des zones de catastrophes naturelles. De plus, puisque tous les nuds sont quivalents, un
nud dfaillant peut tre entirement remplac par un autre. Finalement dans le mode ad hoc les distances
sur lesquels chaque nud communique sont beaucoup plus faibles entranant une consommation rduite des
blocs RF. En fait comme l'attnuation du signal RF augmente au moins quadratiquement avec la distance [7],
il est beaucoup plus avantageux au niveau de la consommation d'nergie de faire deux communication d'une
distance L qu'une seule d'une distance 2L.
D'un autre ct, la mthode directe avec une station de base est beaucoup plus simple mettre en
uvre et demande moins de puissance de calcul des nuds. De plus, les stations de base d'habitude n'ont pas
de grandes restrictions au niveau de la consommation d'nergie. Couramment il y a beaucoup de recherches
visant trouver une solution optimale entre ces deux cas extrmes. Un exemple d'une architecture de nuds
sans fil visant rduire la consommation d'nergie du systme est le projet WiseNET de CSEM
1
[7], dans le
cadre duquel la couche logicielle est dveloppe simultanment avec la couche matrielle pour optimiser
leurs interactions. Un systme complet sur puce comportant la partie radiocommunication, microcontrleur
1
CSEM : Centre Suisse d'lectronique et de Microtechnique
avec mmoire, interfaces de capteurs et module de gestion d'nergie sur un seul substrat a t conu et ralis
(figure I.5). Un accent est mis pour minimiser les temps de rveil du module de radiocommunication et sur
l'optimisation de la couche rseau de type MAC pour diminuer le taux d'erreur et de perte de paquets. Pour
visualiser le progrs dans ce domaine la figure I.5 montre aussi la consommation en nergie de diffrents
types de rseau en fonction de la quantit de communications en chelle bi-logarithmique. La recherche sur
le protocole WiseNET a abouti la cration d'un nud qui consomme en moyenne 25W en communiquant
un paquet de 56 octets toutes les 100 secondes, soit 100 fois moins qu'un protocole standard S-MAC ou
T - MAC.
D'autre part il existe des systmes metteur rcepteur classiques de trs faible consommation en
nergie. Un exemple trs intressant est le systme cre par la socit Semtech [9] ne consommant plus que
5mW en mode transmission et 500nW en mode rception, si la distance est de l'ordre de quelques mtres
avec une vitesse de transmission de 1820 bit/s. Une autre solution est prsente par la socit Zarlink
spcialise dans les Rseaux sur Corps (Body Area Network) [10]. Leur dispositif ne consomme que 2,1mW
en mode basse consommation avec la vitesse de transmission de 200 kbps. Une fonction trs intressante est
une possibilit de le mettre en mode sommeil avec une consommation de 400nW o il est possible de
rveiller le dispositif avec un signal externe sur la bande 2,45 GHz. Malheureusement les spcifications
dtailles de ces dispositifs ne sont pas encore connues.
I.3.3. Microcontrleur
Le microcontrleur va surveiller le systme pendant le priode de rcolte des informations et de leur
envoi. Un microcontrleur lent et simple est prfrable. En effet mme s'il va ncessiter plus de temps pour
faire les calculs il va consommer moins de puissance dans les phases d'attente de rponse des capteurs ou des
systmes de communication. De plus il consommera moins en tat de veille.
Un microcontrleur simple, par exemple un RISC de 4 bits oprant 32kHz, le EM6607 de EM
Microelectronics [11] ne consomme que 1,8A 1,2V en mode actif et 100nA en mode veille. Sa version
avec un convertisseur analogique - numrique consomme 9A 2.6V pendant une conversion.
Figure I.5 : Puce complte du systme WiseNET et la consommation de la partie radiocommunication en
comparaison avec d'autres protocoles [7].
Il existe aussi une solution complte pour l'acquisition des donns trs basse consommation - Sensium
TZE1030 cre par la socit Toumaz [12]. Ce dispositif accueille un microcontrleur, un metteur -
rcepteur, et un convertisseur analogique - numrique pour interfacer les capteurs. Il est destin aux systmes
de surveillance de la sant pour tre implant ou attach une personne malade. Il consomme en moyenne
2,5nW en faisant une lecture/mission par jour. Cette solution pourtant trs intressante est toujours en phase
de dveloppement et sa disponibilit et ses caractristiques dtailles ne sont pas encore connues.
I.3.4. Capteurs
La consommation de la partie capteurs dpend du type de composants utiliss. De plus il faut
considrer le choix entre les capteurs analogiques et les capteurs numriques ou intelligents (avec traitement
intgr des signaux). En fait pour l'application dans des nuds pour WSN, il est trs important de rendre la
rponse des capteurs insensible aux changements de la temprature ou de l'humidit. On peut imaginer deux
solutions :
soit le nud fait l'acquisition de toutes les informations environnementales qui peuvent nuire aux
rsultats et dans ce cas la compensation des uns par rapport aux autres peut se faire au niveau de la station
de base,
soit il n'est pas intressant de garder tous les paramtres pour l'utilisation finale, la compensation
doit se faire au niveau du nud.
La dernire solution va diminuer la consommation de la partie transmission mais va ncessiter plus
d'nergie pour celle des calculs et des mesures. Il faut aussi faire un choix appropri entre la consommation
en nergie et le bruit dans les capteurs. Ces deux paramtres sont d'habitude antagonistes pour les capteurs
passifs parce que pour obtenir une faible consommation d'nergie il faut que le capteur soit d'impdance
leve, ce qui augmente le bruit et diminue la qualit de la mesure [13].
Comme exemple on peut imaginer utiliser un capteur d'humidit Sensirion SHT11 qui consomme
0.55mA 2.4V ou un capteur de mouvement ADXL330 qui consomme 400W pendant une mesure.
Nanmoins, il est intressant d'utiliser uniquement des capteurs avec des sorties numriques pour viter
l'introduction d'un convertisseur analogique numrique externe ou au niveau du microcontrleur.
I.3.5. Calcul de la puissance consomme par le systme
Dans le tableau I.1 nous avons regroup les dispositifs que nous proposons d'utiliser dans le noeud
sans fil aliment partir de l'nergie ambiante.
Block Nom du
composant
Consommation
en mode actif
Consommation
en mode veille
Temps
d'opration
Temps de
dmarrage
Ref
Radiocommunication
Tx
nRF24L01 52A @ 1,9V 900nA @ 1,9V 350s 1,6ms [14]
Microcontrleur EM6607 1,8A @ 1,5V 100nA @ 1,5V T 1,5s [11]
Capteur numrique 1 LIS3LV02DQ 600A @ 2,5V 1A @ 2,5V 2ms 2ms [15]
Capteur numrique 2 AD7814 250A @ 2,7V 0,43A @ 2,7V 30s 40ns [16]
Tableau I.1 : Consommation en puissance de dispositifs choisis.
Pour l'metteur rcepteur un dispositif de Nordic Semiconductor a t retenu. Sa performance n'est
pas aussi bonne que les dispositifs de Semtech et Zarlink, mais ses spcifications sont connues. Dans son cas
un mode dit de Shock Burst peut tre utilis, il est caractris par une consommation de 52A seulement,
en transmission -6dBm et 10kBit/s. De plus dans ce mode c'est l'metteur rcepteur qui gre toute la
transmission sans engager le microcontrleur. Si 1k bit est considr pour un envoi il faut compter 100ms
d'activit de la partie metteur rcepteur.
Pour la partie microcontrleur une solution de EM Microelectronics Marin SA est propose. C'est un
microcontrleur ultra basse consommation en puissance avec une architecture de type RISC 4bit oprant la
frquence de 32kHz. Il comporte cinq ports d'entre/sortie pour faire l'interfaage avec des capteurs
numriques, des comptes rebours, des interruptions, 2k x 16 de mmoire non volatile ROM et 96 x 4 de
mmoire volatile RAM. Au niveau de la consommation il ncessite une tension entre 1,2V et 3,3V et 1,8A
en mode actif. Il existe aussi deux modes de veille : un ncessitant 500nA et l'autre 100nA.
Deux capteurs ont t choisis pour tre utiliss, les deux possdant des sorties numriques. Nous avons
dcid que les valeurs intressantes mesurer dans notre cas sont l'acclration et la temprature.
L'acclration est intressante parce nous envisageons l'application intgrant la surveillance de machines et
de plus, nous allons utiliser les vibrations mcaniques pour alimenter notre systme, alors forcment les
vibrations vont tre prsentes dans le milieu d'opration. Le LIS3LV02DQ est un acclromtre trois axes de
ST Microelectronics avec une plage d'opration de 2g ou 6g. Il consomme 600A sous une tension entre
2,16V et 3,6V pendant l'opration et ne ncessite que 2ms pour faire la premire mesure aprs dmarrage.
Finalement nous avons aussi dcid de mesurer la temprature avec un capteur numrique AD7814 d'Analog
Devices. C'est un dispositif d'acquisition de la temprature sur 10 octets avec la plage d'opration entre -55C
et 125C et une prcision de 2C. Il ne consomme que 250A sous une tension de 2,7V pendant 30s de
mesure.
La squence standard pour le fonctionnement du circuit est prsente dans le tableau I.2 et sur la figure
I.6, en supposant qu'il y a de l'nergie dans le rservoir au dbut du cycle (CC contrleur de charge). Les
temps indiqus dans le tableau prennent en compte les composants du tableau I.1. Tous les temps ont t
augments d'au moins 20% pour accepter une marge d'erreur. Nous avons aussi dcid que les mesures
doivent tre faites chaque minute.
Action Description Partie active Consommati
on
Dure
t
0
- t
1
Rveil du
microcontrleur
Le microcontrleur est rveill soit avec
un signal du compte rebours soit avec
un seuil sur le rservoir d'nergie
Microcontrleur, CC P
C
= 2,7W 1,5s
t
1
- t
2
Rveil des
capteurs
Le microcontrleur rveille les capteurs Microcontrleur,
capteurs, CC
P
RM
=1000W 2ms
t
2
- t
3
Mesures Les capteurs font les mesures et
envoient les donnes vers le
microcontrleur
Microcontrleur,
capteur et CC
P
M
=2200W 2ms
t
3
- t
4
Traitement des
donnes et mise
en sommeil des
capteurs
Aprs avoir accumul toutes les
donnes, le microcontrleur traite et
compresse les donnes
Microcontrleur et CC P
C
=2,7W 100ms
t
4
- t
5
Rveil de la partie
metteur
rcepteur
Microcontrleur rveille la partie
communication aprs avoir prpar les
donnes
Microcontrleur,
metteur rcepteur et
CC
P
RT
=50W 1,6ms
t
5
- t
6
Envoie des
donnes
Microcontrleur envoie les donnes en
utilisant l'metteur - rcepteur
Microcontrleur,
metteur rcepteur et
CC
P
T
=100W 100ms
t
6
- t
7
Mise en veille Mise en veille du bloc metteur
rcepteur et microcontrleur
Microcontrleur,
metteur rcepteur et
CC
P
C
=2,7W 1ms
t
7
- t
0
Rcolte de
l'nergie
Le dispositif est en train de recharger le
rservoir d'nergie
CC P
0
~60s
T La priode de
fonctionnement
La priode de rptition des actions
dont le longueur dpend de la relation
entre la quantit d'nergie rcolte et
consomme
CC P
MOY
60s
Tableau I.2: Analyse d'une squence d'opration d'un noeud sans fil (avec CC contrleur de charge).
Figure I.6 : Consommation en nergie du systme sur une
priode de fonctionnement.
Pour dfinir l'nergie consomme durant une priode d'activit il faut ajouter les nergies consomms
par chaque composant, selon la formule I.1. Pour avoir de la marge, nous allons surestimer le temps
d'opration du microcontrleur 2s et nous allons faire une supposition que l'acclromtre consomme 1mW
en dmarrage (contre 1,5mW en opration). De plus, la consommation pendant les mesures est surestime
parce que les deux capteurs sont considrs tre actifs, tandis que le capteur de temprature n'est oprationnel
que pendant une priode de 30s (contre 2ms de temps total de mesure).
E=2,7 W2 s+1 mW2ms+2,2mW2 ms+50W1,6ms+100 W100 ms=21,88 J (I.1)
La consommation moyenne pendant une priode d'activit est donc d'environ :
P
MOY
=
21,88 J
2 s
11W (I.2)
Pour gnrer l'nergie de 22J ncessaire pour le fonctionnement du nud (selon l'quation I.2) pendant 60
secondes de rcolte il suffit de gnrer une puissance moyenne (P
G
- P
0
sur la figure I.6) d'ordre de 370nW,
ce qui est tout fait envisageable, comme nous le montrerons dans le chapitre suivant. Si la puissance
gnre est infrieure 370nW, la priode de fonctionnement du systme va tre augmente. Par contre,
dans le cas o la consommation P
0
est gale, voire suprieure la puissance P
G
, il n'est pas possible de faire
fonctionner le circuit. Le dfi est alors de minimiser l'nergie consomme par le circuit pendant la priode de
rcolte (P
0
sur la figure I.6), c'est dire surtout au niveau du contrleur de charge.
I.4. Miniaturisation
Les applications des rseaux des capteurs sans fil ncessitent non seulement une grande autonomie,
mais aussi une petite taille des nuds. Pour y parvenir, les lments sont miniaturiss en utilisant les
techniques de micro fabrication et en utilisant de plus en plus les microsystmes lectromcaniques (MEMS
- Micro Electro Mechanical System). La technologie de fabrication des ces systmes a rcemment connu un
dveloppement rapide dans plusieurs domaines. Un exemple d'introduction russi sur le march est le
systme DLP (Digital Light Processor) de Texas Instruments trouv dans la plupart des vido projecteurs ou
la srie des acclromtres introduits par Analog Devices. L'ide est d'intgrer la partie lectronique
classique (traitement et stockage de donnes etc.) avec des lments lectromcaniques sur la mme puce ou
dans le mme botier. Les lments mcaniques sont fabriqus en utilisant des techniques drives de celles
utilises dans la microlectronique. Cela permet d'appliquer les rgles de fabrication collective. Grce cela
non seulement la taille des systmes peut tre drastiquement rduite mais aussi le cot de fabrication et des
matriaux utiliss.
Nanmoins, l'utilisation des techniques de micro fabrication est en dveloppement perptuel et toutes
les solutions ne sont pas encore matures. La fabrication et la conception sont parfois plus complexes qu'en
utilisant une approche traditionnelle.
Un exemple d'un nud micro fabriqu est le Smart Dust (une poussire intelligente) de
l'Universite de Berkeley prsent dans la figure I.7a. Dans ce projet la partie lectronique de traitement de
donnes ainsi que la partie de tlcommunication sont miniaturises et c'est uniquement la source d'nergie
(une pile lectrochimique), qui n'est pas micro fabrique. C'est une approche pragmatique dite d'assemblage
de modules hybrides.
Le travail prsent dans cette thse explore la possibilit d'utiliser les techniques de microfabrication
pour crer un nud autonome d'un WSN qui rcolte l'nergie ambiante pour s'auto-alimenter. Les techniques
de microfabrication concernent non seulement les parties lectroniques et tlcommunication, mais surtout
les dispositifs de rcolte d'nergie. C'est grce l'exclusion du grand rservoir d'nergie dominant jusqu'
maintenant la taille d'un tel systme, qu'il va tre possible de franchir une barrire supplmentaire dans la
miniaturisation de nuds de capteurs sans fil. Le but est d'intgrer tous les composants du systme dans un
botier ou sur une puce. La figure I.7b prsente une vision d'un systme complet intgr sur un substrat,
comportant non seulement toute la partie lectronique mais aussi la partie de gnration d'nergie.
Figure I.7 : Smart Dust de l'Universit de Berkeley (a) et une vision d'un nud autonome aliment partir des
vibrations mcaniques environnementales (b).
(a) (b)
Chapitre II : tat de l'art sur la rcupration de l'nergie
ambiante
Dans le premier chapitre nous avons prsent une tude de la consommation en nergie d'un nud de
capteurs sans fil (WSN) faisant partie d'un rseau destin mesurer diffrents paramtres du milieu dans
lequel il se trouve. Nous avons dmontr que la consommation d'un tel systme est suffisamment faible pour
pouvoir envisager de l'alimenter partir de l'nergie ambiante. Dans ce chapitre nous proposons une
comparaison de diffrentes techniques de rcupration de l'nergie ambiante et nous montrons des dispositifs
dj fabriqus ou tudis. Nous nous focalisons ensuite sur l'emploi des vibrations mcaniques prsentes
dans l'environnement et nous identifions et comparons les trois types de gnrateurs qui peuvent tre trouvs
dans la littrature.
II.1. Alimentation des systmes miniatures
Le problme d'alimentation de systmes miniatures abandonns est connu depuis fort longtemps.
Jusqu' prsent un rservoir d'nergie avec une capacit limite le plus souvent une pile lectrochimique, a
t employ. L'utilisation des piles lectrochimiques a permis le dveloppement des dispositifs portables,
mais son dsavantage intrinsque est que la quantit d'nergie utile est limite et lie sa taille. Par
consquent si on veut crer un dispositif miniature, nergiquement autonome, il faut faire un compromis
entre sa taille et sa dure de vie. Ce problme freine la miniaturisation et donc plusieurs tudes ont t
menes pour trouver une autre solution. Les fruits de ces recherches sont prsents dans la suite de ce
chapitre.
II.1.1. Sources d'nergie miniatures
Nous allons prsenter dans cette partie les principaux types de sources d'nergie miniatures. Nous nous
focalisons sur l'utilisation de l'nergie ambiante pour l'alimentation des systmes lectroniques, nanmoins
comme ce sont les piles lectrochimiques qui fournissent l'nergie aux dispositifs autonomes dans la plupart
des cas, nous allons commencer par prsenter ici l'tat de l'art sur les piles miniaturises.
Chapitre II : tat de l'art sur la rcupration de l'nergie ambiante
II.1.2. Batteries et les piles miniatures
Dans le cas tudi, le remplacement de la pile ou rechargement d'une batterie est exclure, donc elle
doit comporter la totalit d'nergie ncessaire pour toute la priode de fonctionnement du dispositif. C'est la
technologie Zinc-Air qui possde maintenant la plus grande densit d'nergie de 1100 Wh/litre (soit 3960
kJ/litre) dans le meilleur cas [17] mais il est ncessaire de fournir de l'oxygne pour le fonctionnement de ce
type de piles et elles sont difficilement miniaturisables. Les densits d'nergie des piles miniatures sont
encore plus faibles. La taille de ces sources contenant l'nergie ncessaire pour alimenter pendant 10 ans le
systme dcrit dans le chapitre I, est rsume dans le tableau II.1. Nous avons calcul que le systme va
ncessiter environ 100J pour fonctionner pendant une priode de 10 ans (22J pour une minute) et nous
avons ignor le phnomne de l'autodcharge. On peut remarquer que les dimensions des piles pour dure de
vie de 10 ans vont tre de l'ordre de 1000 mm
3
.

Type Taille Densit d'nergie Taille pour 10 ans Ref
Zinc-Air macro 3,96 J mm
-3
25 mm
3
[17]
Cymbet 12mm x 12mm x 0,5mm 0,092 J mm
-3
1087 mm
3
[18]
MgCuCl 14mm x 14mm x 0,1mm 0,093 J mm
-3
1075 mm
3
[19]
Li-po 1mm
2
x 0,25mm 0,12 J mm
-3
833 mm
3
[20]
Tableau II.1 : Densit d'nergie et la taille ncessaire pour fournir 100J avec les batteries Zinc-Air et les piles
miniatures.
De plus de la dure de vie limite, les piles chimiques sont gnralement composes de produits
toxiques. Cette solution est proscrire pour des dispositifs abandonns dans l'environnement, parce que la
collecte des dispositifs usags est impossible dans la pratique.
II.1.2.1. Diffrence de temprature
Le principe de cette mthode est d'utiliser la diffrence de temprature qui engendre un flux
thermique. Thoriquement, il suffit d'introduire un convertisseur entre deux points avec des tempratures
diffrentes pour rcolter de l'nergie. Mais en gnral, il est trs difficile d'obtenir des diffrences de
temprature leves pour des dispositifs de taille millimtrique. De plus, malgr une forte activit de
recherche, les performances des matriaux thermolectriques sont encore trs faibles. Il suffit de constater
que la figure de mrite caractrisant les performances intrinsques de matriaux thermolectriques valait un
depuis la dcouverte du Tellure de Bismuth en 1957 jusqu'en 1999 quand les premiers matriaux
nanostructurs sont apparus. Actuellement les meilleurs matriaux ne dpassent pas la figure de mrite de
trois [21]. Pour le moment, il est peu intressant d'utiliser cet effet pour alimenter les dispositifs autonomes,
sauf certains cas o la diffrence de temprature est trs leve. Un dispositif microfabriqu de 6mm
2
contennant 59 mille termocouples en poly-Si
70%
Ge
30%
propos par M. Strasser et al. [22] produit moins que
1W/cm
2
pour une diffrence de temprature de 10K au niveau de la puce, ce qui assez faible.
II.1.2.2. Rayonnement
Il existe quatre types de rayonnement que l'on peut utiliser pour une conversion lectrique.
L'utilisation de chacun est dtaille dans la suite du document.
Rayonnement solaire
C'est le type de rayonnement le plus souvent employ jusqu' aujourd'hui. Les cellules photovoltaques
sont utilises pour convertir directement le rayonnement solaire en nergie lectrique. Puisque la gamme de
puissances disponibles est trs intressante, ce domaine est en dveloppement constant depuis plusieurs
annes (piles solaires dans des calculatrices, des montres etc.) et il est trs difficile de le faire voluer dans
les trois ans de thse. De plus, il est ncessaire qu'un dispositif ainsi aliment soit bien expos au
rayonnement ce qui est possible uniquement dans une gamme spcifique d'applications. Il est par exemple
impossible d'utiliser cette mthode pour fournir de l'nergie aux systmes implants ou dposs dans des
endroits sombres.
Ondes hertziennes
Contrairement au rayonnement solaire, les ondes hertziennes souffrent beaucoup mois des obstacles.
Pour les bandes VHF et UHF, une rcolte d'nergie avec de petites antennes peut tre envisage [23], mais la
densit d'nergie est beaucoup trop faible pour alimenter un dispositif lectronique [24]. Ce sont uniquement
des localisations spcifiques comme ct d'une station de base de tlphonie portable qui pourrait s'avrer
plus efficace [25].
Rayonnement nuclaire
Malgr la trs grande capacit nergtique des matriaux radioactifs, il est trs peu envisageable
d'utiliser ce type de gnrateurs dans des systmes abandonns cause de la pollution radioactive possible.
Le rayonnement nuclaire naturel est trop faible pour une utilisation efficace. Il y a nanmoins un exemple
intressant d'une telle recherche un gnrateur cr l'Universit Cornell utilisant la radiation nuclaire
de
63
Ni avec le temps de dsintgration partielle de 100 ans [26]. La radiation gnre provoque la vibration
d'une poutre et ensuite l'effet pizolectrique est utilis pour transformer l'nergie mcanique en nergie
lectrique. Une efficacit de 2,78% avec une puissance de sortie de 1,3nW est reporte.
Un autre principe plus souvent utilis est l'effet bta-voltaque, analogue aux piles solaires [27]. Ces
dispositifs sont de trs basse efficacit de l'ordre de 0,5%. De plus il y a un compromis entre la dure de vie
et la puissance, parce que la radiation incidente dtruit progressivement le convertisseur.
II.1.2.3. Vibrations et contraintes mcaniques
L'ide de rcuprer l'nergie mcanique prsente dans l'environnement n'est pas nouvelle. Par contre
l'ide d'employer les vibrations pour alimenter des dispositifs lectroniques est en pleine mergence. Il y a
quelques exemples commerciaux de dispositifs aliments par le mouvement ou les secusses, comme une
lampe de poche de la socit Applied Innovative Technologies [28] ou la montre Seiko Kinetics [29]. De
plus une recherche intensive dans le domaine vise miniaturiser les gnrateurs. Selon l'tude faite par
Roundy et al. [30] les vibrations constituent une source d'nergie trs intressante avec des densits estimes
entre 50 et 250W/cm
3
. Un autre avantage de ce type de source est qu'il ne ncessite qu'une liaison
mcanique simple avec l'objet en vibration (contrairement la diffrence de temprature et les rayonnement
o le couplage du gnrateur avec la source est souvent trs difficile).
Nous allons dtailler dans la partie II.2.5 les mthodes de conversion de ce type d'nergie ainsi que les
dispositifs tudis et raliss.
II.1.2.4. Sources exotiques
Il existe aussi quelques systmes utilisant d'autres sources d'nergie environnementale, comme par
exemple le robot cr l'Universit de Bristol utilisant les insectes pour gnrer de l'nergie lectrique [31]
ou un projet dveloppe l'Universit de Texas dans lequel une pile implantable utilise le glucose du sang
pour fournir de l'nergie [32]. Ces solutions sont trs restreintes au niveau des applications du fait de
l'exigence de produits spcifiques pour s'alimenter, faible efficacit et courte dure de vie.
II.2. Rcupration de l'nergie des vibrations mcaniques
En suivant l'analyse prsente dans la partie prcdente, nous avons choisi d'tudier la rcuprations
de l'nergie de vibrations mcaniques. Deux types de gnrateurs peuvent tre dfinis, selon le mode
d'opration.
II.2.1. Gnrateurs quasi-statiques
Ce type de convertisseur utilise les contraintes mcaniques en rgime quasi-statique c'est dire que la
frquence de fonctionnement est beaucoup plus faible que la frquence de rsonance propre du systme de
rcupration. L'nergie dlivre par ces gnrateurs est proportionnelle la frquence de rptitions de
contraintes utilises [33]. De plus, ce sont uniquement des contraintes de fortes valeurs qui peuvent tre
utilises, comme le poids d'un homme en marche ou l'appui sur une touche.
Il y a plusieurs exemples d'application de ce type de gnrateurs, nous allons prsenter les cas les plus
intressants. Une analyse plus dtaille est effectue par G. Poulin dans sa thse [33].
Chaussure pizolectrique de M.I.T. Media Lab
Une quipe dirige par J. Paradiso au sein du M.I.T.
1
a mis au point le prototype d'une chaussure
capable de gnrer de l'nergie pendant la marche [34]. La structure est prsente sur la figure II.1.
La puissance rcupre sur une charge rsistive adapte est de 1,3mW pour la feuille de PVDF et
8,4mW pour le dimorphe (un amplificateur mcanique compos de deux lames flexibles autour d'un
lement pizolectrique) en PZT plac dans le talon.
1
Massachussets Institute of Technology, Cambridge, tats-Unis
Figure II.1 : Schma de la chaussure pizolectrique propose par Shenck et al. [34] avec une feuille de PVDF et un
dimorphe introduits dans la chaussure.
Interrupteur sans fil de EnOcean
La socit EnOcean propose des interrupteurs sans fil utilisant une nergie d'appui pour envoyer la
commande radio vers un rcepteur pilotant un commutateur de courant [35]. Ce dispositif est disponible
commercialement pour commander une lampe d'intrieur sans la ncessit de percer les murs et tirer les
cbles.
Gnrateur manivelle
G. Poulin dans sa thse [33] prsente la conception et la fabrication d'un gnrateur pizolectrique
manivelle. Il est compos de barreaux en matriau pizolectrique soumis une contrainte mcanique. Ce
dispositif est capable de gnrer une puissance lectrique de 13,2W sur une charge rsistive optimale, une
frquence de 55Hz. La modlisation d'un dispositif optimis donne 330W.
Tous les dispositifs prsents utilisent des contraintes trs importantes est sont trs difficiles
miniaturiser. De plus, le couplage du dispositif avec la source de dformation doit tre bien tabli. Il est trs
improbable de pouvoir crer une telle structure de taille millimtrique ralisable avec des techniques de
microfabrication.
Figure II.2 : Vue de l'interrupteur de la socit EnOcean, avec : le support mcanique (1), les ressorts (2, 3), le
gnrateur pizolectrique (4), le circuit lectronique (5), le contact en caoutchouc (6) et le couvercle (7).
Figure II.3 : Gnrateur rotatif pizolectrique propos par G. Poulin [33].
II.2.2. Gnrateurs dynamiques et rsonants
Dans ce cas le systme est mis en vibrations, soit par une excitation sinusodale, soit par un choc. En
suivant les travaux de P. D. Mitcheson de Imperial College, Londres [36] nous pouvons diffrentier trois
types de gnrateurs dynamiques : VDRG
1
les gnrateurs avec l'amortissement proportionnel la vitesse
de dplacement (par exemple gnrateurs lectromagntiques), CDRG
2
gnrateurs avec l'amortissement
dont l'amplitude de la force est invariable et oppose au dplacement (certains types de gnrateurs
capacitifs) et finalement CFPG
3
les gnrateurs paramtriques (non-linaires) qui ne fonctionnent pas en
rsonance (les systmes bistables). La figure II.4 prsente la puissance normalise en fonction de la relation
entre la frquence d'excitation (normalise par rapport la frquence de rsonance du systme) et l'amplitude
de dplacement de la masse sismique Z
l
(par rapport l'amplitude de source Y
0
). Nous pouvons constater que
dans les cas o la frquence d'excitation est proche de la frquence de rsonance du systme, ce sont les
gnrateurs rsonants qui donnent le plus de puissance. Si la frquence de vibration est infrieure la
frquence de rsonance c'est le CDRG qui s'avre plus avantageux, et c'est le VDRG dans le cas contraire.
L'utilisation d'un gnrateur paramtrique est justifie uniquement dans deux cas. Le premier cas est lie la
concordance de frquence de rsonance avec la frquence d'excitation. Il est avantageux d'utiliser un CFPG
quand la frquence de rsonance n'est pas connue priori, est variable sur une large plage de valeurs ou
quand il est impossible de concevoir un systme qui vibre la frquence d'excitation, par exemple cause
d'une contrainte de taille. C'est par exemple le cas d'un microsystme destin rcuprer les vibrations une
frquence trs faible. L'autre cas est lie avec l'amplitude de dplacement. Un systme paramtrique gnre
plus de puissance dans les systmes o l'amplitude de dplacement possible de la masse sismique est
moindre que l'amplitude d'excitation.

1
VDRG : Velocity-damped resonant generator
2
CDRG : Coulomb-damped resonant generator
3
CFPG : Coulomb-force parametric generator
Figure II.4 : Puissance normalise en fonction de la frquence d'excitation
et de l'amplitude pour les trois types de gnrateurs [36].
II.2.3. Couplage
Un facteur qui limite l'nergie rcuprable est le couplage entre les diffrents domaines nergtiques
prsents dans le systme.
Figure II.5 : Reprsentation de couplage entre diffrents domaines nergtiques dans le systme de rcupration.
La figure II.5 montre le schma du systme de gnration de l'nergie lectrique partir de l'nergie
mcanique. Il existe trois passages o le couplage peut tre dfini :
Entre la source d'nergie mcanique et le dispositif de rcupration. C'est le couplage purement
mcanique qui dfinit combien d'nergie est transmise au dispositif. Nous pouvons supposer que le
dispositif de rcupration d'nergie est suffisamment petit pour ne pas influencer la source initiale, donc
avec une connexion bien faite il est possible d'obtenir un facteur de couplage proche de 100%.
Entre le rservoir d'nergie mcanique et le rservoir d'nergie lectrique. Ce couplage est
dtermin par les proprits des matriaux utiliss, la forme du gnrateur et son mode de fonctionnement
comme nous l'expliquons dans la partie III.2 de ce mmoire.
Couplage entre la partie lectrique du gnrateur et le circuit de conditionnement et de stockage de
l'nergie lectrique (convertisseurs AC/DC, DC/DC et la charge lectrique). C'est un couplage purement
lectrique et sa valeur dpend de l'impdance de sortie du gnrateur et du type du circuit qui suit. Une
discussion de cette partie est propose dans le chapitre VI et aussi dveloppe dans les travaux de thse de
Yasser Ammar [37].
II.2.4. Spectre de vibrations
Intuitivement, un gnrateur rsonnant doit oprer sa frquence de rsonance pour produire le plus
d'nergie. Pour savoir quelles frquences sont les plus rpandues dans l'environnement, nous avons analys
deux cas : le premier concernant les vibrations gnrs par les hommes, et le second concernant les
machines.
II.2.4.1. nergie des vibrations mcaniques gnres par les hommes
Une grande quantit de dispositifs lectroniques utiliss par les hommes est aliment par des piles. Il
est donc intressant d'tudier si l'alimentation de ces appareils est possible avec les vibrations crs par la
personne qui les porte. La gamme de dispositifs qui peut tre ainsi aliment varie de la surveillance de sant
jusqu'au divertissement.
Pour dterminer quelles frquences sont gnres par les hommes en mouvement, nous avons analys
les tudes faites l'Universit de Southampton. Cette quipe a fait les mesures des vibrations gnres par un
homme de 76kg et d'une taille de 170cm, lors d'un dplacement 5 km/h (une marche), 8km/h (un footing)
et 12km/h (une course pied). Les acclromtres ont t placs sur la cheville, le poignet, la poitrine, le
bras et la tte, comme le montre la figure II.6. Il est noter que les mesures ont t faites sur un tapis roulant
avec une couche souple qui amortit en partie l'amplitude des vibrations. Les rsultats sont reports dans le
tableau II.2.
Localisation Vitesse [km/h] Acclration max
selon X [ms
-2
]
Acclration max
selon Y [ms
-2
]
Acclration max
selon Z [ms
-2
]
Cheville 5 21,4 107,8 20,4
Cheville 8 43 59,1 21,4
Cheville 12 63,6 98,4 39,9
Poignet 5 5,1 7,1 3,7
Poignet 8 37,8 25,8 9,7
Poignet 12 33 22,9 10
Poitrine 5 7,6 4,5 4,7
Poitrine 8 51,1 14 19
Poitrine 12 66 16,6 22,3
Bras 5 6,3 4,7 3,5
Bras 8 31,2 15,1 13,5
Bras 12 48,2 28,7 18,9
Front 5 6,8 4,1 6,9
Front 8 10,2 6,6 17,7
Front 12 14,7 8,7 22,8
Tte 5 6,3 6,5 4,1
Tte 8 20 10 4,3
Tte 12 25 13 7,1
Tableau II.2 : Acclrations mesures sur un homme en mouvement.
Figure II.6 : Positionnement des acclromtres sur le
corps humain pendant les tests.
Bien videmment les acclrations sont les plus importantes sur la cheville. C'est la cheville qui est la
plus proche du point d'impact avec le sol, par consquent les vibrations sont le moins amorties. L'amplitude
d'acclration augmente avec la vitesse de dplacement sauf pour le cas de la cheville, pour laquelle la valeur
la plus importante correspond la vitesse la plus basse. Cela peut tre expliqu par le fait que pendant la
marche un homme pose presque tout son poids sur le talon, tandis que pendant qu'il court le poids est pos
sur les orteils et donc les vibrations sont plus amorties. La frquence des signaux est lie avec la vitesse de
dplacement. Un exemple du spectre obtenu sur la cheville la vitesse de 12km/h est prsent la figure
II.7.
Les frquences avec des amplitudes importantes sont infrieures 100Hz. Pour bien utiliser ces
vibrations il faut construire un dispositif avec la frquence de rsonance dans cette zone, ce qui n'est pas
facile en prenant en compte la taille millimtrique vise pour le gnrateur. De plus, comme nous l'avions
constat prcdemment, les valeurs des frquences de vibration avec les amplitudes les plus leves dpend
de la vitesse de dplacement. Donc le dispositif doit soit s'adapter en continu la frquence prsente, ou
avoir une bande passante la plus large possible pour couvrir le plus de frquences possible. Le cas de
l'adaptation de frquence de rsonance du gnrateur la frquence d'excitation pour augmenter la puissance
gnre sera analys dans le chapitre III de ce mmoire.
II.2.4.2. Vibrations gnres par les machines
Contrairement au cas de vibrations gnres par les hommes, dans le cas de machines, le spectre de
vibrations est beaucoup plus large et atteint des frquences plus leves. De plus, un grand intrt est port
par les fabricants pour la surveillance des machines et l'usure des lments.
Figure II.7 : Spectres des vibrations produites sur la cheville d'un homme qui court 12km/h.
quipement domestique
Une tude faite par Roundy et al. [38] vise dterminer quelles frquences sont prsentes dans une
maison classique. En fait les frquences sont principalement des multiples de la frquence d'alimentation
lectrique utilise (figure II.8).
Dans le cas de ces tudes, les appareils utilisent le standard amricain de 60Hz. Les pics avec les
amplitudes les plus importantes apparaissent pour 120Hz et 240Hz. Les acclrations prsentes sont
infrieures 1g.
Moteur tournant 15000 tr/min
Le spectre des vibrations gnres par un moteur triphas qui tourne 15000 tr/min est montr sur la
figure II.9 [39]. La frquence fondamentale est de 250Hz et l'amplitude correspondante dpasse 1g.
Contrairement au cas prsent dans le paragraphe II.2.4.1, ici les vibrations des frquences allant jusqu'
10kHz prsentent des amplitudes importantes.
Figure II.9 : Spectre de vibrations gnres par un moteur tournant 15000 tr/min [39].
Figure II.8 : Spectres des vibrations gnrs par un four microondes [38].
Fraiseuse industrielle
Les fraiseuses sont des machines largement utilises pour fabriquer des pices avec grande prcision
entre autres dans l'industrie arospatiale et automobile,. Ces machines possdent des lments dont l'usage
doit tre surveill pour maintenir la qualit de fabrication. Les capteurs sont souvent monts sur les lments
en rotation ce qui rend difficile leur cblage. Une solution autonome serait trs intressante et pourrait
considrablement rduire le cot du montage. La figure II.10 montre les terminaisons typiques utiliss dans
les fraiseuses.
Les mesures faites par la socit 01dB Metravib sur ce type de machines rapportent le spectre de
dplacement typique pour l'usinage d'un matriau dur, prsent sur la figure II.11. Le pic de dplacement de
15m la frquence de 910Hz correspond l'acclration de 50g et le pic 1800Hz 130g. Les amplitudes
dpendent fortement du type de matriau usin, mais les frquences principales restent toujours le mmes.
Cette application est trs prometteuse en vue de l'application des gnrateurs utilisant les vibrations
mcaniques.
Figure II.11 : Spectre typique de dplacement sur une terminaison d'une fraiseuse industrielle.
Figure II.10 : lments typiques utiliss dans les fraiseuses industrielles.
II.2.4.3. Conclusion
Les deux types de sources de vibrations environnementales prsentes se caractrisent non seulement
par les frquences prsentes dans le spectre mais aussi par la caractristique du spectre en lui mme. Le
spectre des vibrations gnres par les hommes est concentr autour des frquences trs basses (100Hz
maximum), les vibrations des frquences hautes sont absentes. De plus, plusieurs pics d'amplitude peuvent
tre remarqus, donc le mouvement n'est pas sinusodal. La nature du mouvement implique aussi que la
caractristique en frquence change entre les activits ou diffrentes personnes effectuant la mme activit.
Tout cela empche l'utilisation des gnrateurs rsonants et favorise les gnrateurs dits paramtriques ,
proposs par l'quipe de l'Imperial College London [36]. Par contre dans le cas des vibrations gnres par
les machines, quelques pics de rsonance existent, mais part cela le spectre d'acclration est uniforme et
plat en frquence. Les amplitudes sont trs importantes (jusqu' 130g) donc l'nergie rcuprable est
abondante. Les frquences des vibrations produites par les machines sont d'habitude stables et le seul
problme semble de concevoir un dispositif qui a sa frquence de rsonance exactement centre sur le pic
fondamental de la vibration d'excitation.
II.2.5. Trois principaux types de gnrateurs
Dans la littrature il existe trois mthodes principales de conversion de l'nergie de vibrations
mcaniques en nergie lectrique. Les dispositifs aussi bien fabriqus que seulement modliss vont tre
prsents dans la suite, ordonns par le type de la transduction utilise.
II.2.5.1. Type lectrostatique
Principe de fonctionnement
La mthode dite lectrostatique (ou capacitive) tire profit du fait de la multiplication de l'nergie sur
une capacit dont la valeur peut tre modifie mcaniquement. Le schma simplifi de ce type de gnrateur
est prsent sur la figure II.12. Si deux conducteurs spars par un dilectrique peuvent se dplacer
relativement l'un par rapport l'autre, la capacit cre par ces deux conducteurs va varier
proportionnellement. Dans le cas ou une charge est prsente sur la capacit ainsi cre, la modification de sa
valeur va impliquer la variation de l'nergie lectrique accumule. Une conversion de l'nergie mcanique
(dplacement des lectrodes) en nergie lectrique (multiplication de l'nergie lectrique accumule) est
donc possible en suivant ce principe. Ce type de convertisseur n'est pas un gnrateur au sens propre du
terme mais plutt un multiplicateur d'nergie. Il ncessite donc une source de tension initiale pour
prcharger la capacit variable. L'nergie rcuprable est dcrite par l'quation II.1 [38] :
E=
1
2
V
i n
2
(C
max
C
min
)
(
C
max
+C
par
C
min
+C
par
)
(II.1)
Il est donc souhaitable d'augmenter la tension d'opration du dispositif ainsi que la plage de variation
de la capacit.
Dispositifs tudis
Un dispositif propos par Meninger et al. [40] est prsent sur la figure II.13. Un gnrateur
capacitif de taille de 1,5cm fois 0,5cm est ralis partir de deux plaquettes de silicium de 500m
d'paisseur. Une puissance de 8W est prvue d'aprs les simulations. Un microcontrleur spcifique a t
aussi conu pour optimiser le transfert de puissance.
Ghislain Despesse dans sa thse [21] propose un gnrateur de puissance fabriqu partir d'une
pice en tungstne. L'usinage se fait en utilisant l'lectrorosion, ce qui limine la possibilit de
miniaturisation (la limite de prcision est de 100m). Le systme montr la figure II.14 mesure environ
30 mm x 45mm x 10mm et pse 104g. La puissance maximale thorique qui peut tre tire de ce
gnrateur est de 1mW 50Hz. Nanmoins, dans le cas pratique, la non symtrie de la structure n'a permis
de rcuprer que 500W. Un test intressant a t fait en plaant ce gnrateur sur le moteur d'une voiture
diesel fonctionnant au ralenti avec la frquence de vibration principale autour de 30Hz. Une puissance de
232W t rcupre.Un autre dispositif est aussi tudi, un gnrateur lectrostatique microfabriqu en
silicium. Les problmes de fabrication n'ont pas encore permis d'obtenir des rsultats exprimentaux avec
cette structure.
Figure II.13 : Gnrateur capacitif propos par Meninger et al. dans [40] et la vue en coupe prsentant la plaquette
du dispositif et du support.
Figure II.12 : Schma d'un gnrateur capacitif avec Vin source de tension pour prcharger la capacit
variable, CV capacit variable, Cpar capacit parasite et Cstor capacit de stockage.
T. Sterken et al. [41] proposent une solution de prcharge de la capacit de conversion en utilisant
une couche d'lectret. Un prototype occupant la surface de 2,65mm
2
d'une plaquette SOI t conu. Une
puissance de 1W est estime par simulation pour une excitation de 5m la frquence de rsonance du
dispositif de 980Hz est prvue, mais aucune donne exprimentale n'est fournie. La figure II.15 prsente
le schma du montage ainsi que la photo du prototype microfabriqu.
F. Peano et T. Tambosso [42] introduisent une optimisation du convertisseur lectrostatique propos
par T. Sterken. Une puissance de 50W peut tre obtenue sur une charge rsistive adapte partir d'un
dispositif optimis avec l'excitation 911Hz de 5m d'amplitude. La taille totale du dispositif optimis
correspond celui de Sterken : 2,3mm x 5mm x 100m.
S. Roundy a analys pendant sa thse les mthodes de conversion de l'nergie des vibrations
mcaniques en nergie lectrique notamment avec la mthode capacitive. Il a mis au point deux types de
gnrateurs, un petit occupant une surface infrieure 1mm
2
d'une plaquette de silicium et l'autre plus
grand avec une masse sismique en tungstne attache manuellement sur une structure microfabrique. Les
problmes de fabrication n'ont pas permis de tester tous les dispositifs. C'est uniquement le petit dispositif
prsent sur la figure II.16a qui a pu tre valu et en plus pas avec une acclration externe, mais avec les
Figure II.15 : Schma d'un gnrateur lectrostatique utilisant une couche d'lectret pour prcharger la capacit
(a) et une photographie du prototype microfabriqu sur une plaquette SOI (b) [41].
(a)
(b)
Figure II.14 : Gnrateur lectrostatique propos par G. Despesse dans [21].
actionneurs intgrs (la masse sismique tait trop faible pour dformer la structure). L'nergie par cycle
s'lve 1,4nJ, donc l'auteur prvoit qu'avec une acclration suffisamment forte la frquence de 120Hz
une puissance de 337nW peut tre obtenue. Les autres structures n'ont pas gnr d'nergie soit cause de
problmes technologiques pendant la fabrication des doigts, soit cause d'une valeur trop faible de la
capacit variable.
Un gnrateur lectrostatique dvelopp l'Universit Chiao Tung Taiwan [43] est prsent sur la
figure II.17. Le dispositif t fabriqu mais aucun rsultat ne pouvait tre obtenu cause de problmes
technologiques. La puissance simule est de l'ordre de 200W/cm
2
pour un dispositif fabriqu partir
d'une plaquette SOI.
Conclusion
De nombreuses quipes se sont intresses aux micrognrateurs lectrostatiques. Plusieurs dispositifs
ont t fabriqus, surtout l'chelle macroscopique, mais malgr les essais aucun dispositif microfabriqu
n'est entirement fonctionnel. Bien que la technologie utilise soit standard (DRIE), les contraintes de
prcision sont trs difficiles respecter. De plus, plusieurs dsavantages intrinsques, comme la tension
d'opration leve ainsi que la ncessit de prcharger la capacit variable, limitent l'intrt de ce type de
conversion. La solution propose par T. Sterken d'utiliser lectret pour precharger la capacit complique le
procd de fabrication et donc limine l'avantage principal de cette mthode.
Figure II.16 : Deux dispositifs capacitifs proposs par Roundy [38] : un petit dispositif microfabriqu (a) et un grand
dispositif partiellement microfabriqu avec une masse mobile en tungstne attache manuellement (b).
(a)
(b)
Figure II.17 : Gnrateur lectrostatique propos par Y. Chiu et al. [43].
II.2.5.2. Type lectromagntique
La conversion lectromagntique consiste au mouvement d'un inducteur par rapport un champ
magntique. La variation du champ dans l'inducteur provoque l'apparition d'une force lectromotrice et d'un
flux de courant si un circuit ferm existe. La valeur de la tension gnre est dtermine par la loi de
Faraday, selon l'quation II.2.
e=N
d 1
dt
(II.2)
Avec :
e force lectromotrice
N nombre de tours de l'inducteur
champ magntique passant par l'inducteur
t temps
Une structure simple, propose par Amirtharajah et al. [44] utilisant cette principe de conversion, est
prsente la figure II.18.
En suivant le raisonnement de Roundy [38] un dispositif simple peut tre analys en vue d'valuer sa
tension de sortie. Si on considre un inducteur de N tours qui se dplace perpendiculairement dans un champ
magntique d'intensit B une distance maximale Y, la tension maximale (en circuit ouvert) qui peut tre
gnre est exprime par l'quation II.3.
V
co
=N B L
dy
dt
(II.3)
Pour un champ magntique maximal de 1 Tesla et un dispositif de 1cm
3
excit 100Hz, il est trs
improbable de gnrer une tension au-dessus de 100mV. De plus en miniaturisant le dispositif, non
seulement le nombre de tours dans l'inducteur diminue, mais aussi sa rsistance augmente ce qui agrandit les
pertes. Une valeur relle de tension est de l'ordre d'une dizaine de mV voir quelques millivolts ce qui pose de
graves problmes au niveau de la rectification. Une solution utilisant un transformateur n'est pas
envisageable en raison des grandes dimensions de celui-ci ncessaires pour le fonctionnement une faible
frquence.
Figure II.18 : Schma d'un simple gnrateur lectromagntique propos par Amirtharajah et al. [44].
Gnrateurs tudis
Le premier micro-gnrateur utilisant la mthode lectromagntique a t conu et fabriqu par
Shearwood et Yates [45]. Le schma du dispositif est montr dans la figure II.19. Un aimant de 2,4mg en
SmCo t utilis comme masse sismique.
La puissance obtenue est de l'ordre de 0,3W pour une excitation d'amplitude de 0,5m la frquence de
4,4kHz. La puissance est limite par les effets non linaires qui apparaissent dans la membrane qui
soutient l'aimant.
Un travail intressant t prsent par Johnny M. H. Lee et al. de l'Universit Chinoise de Hong
Kong [46]. Le but est de fabriquer un micro gnrateur lectromagntique de taille quivalente une pile
AA standard. Le schma de leur dispositif est prsent dans la figure II.20.
Une puissance exprimentale de 830W a t obtenue partir des vibrations la frquence de 110Hz de
150m d'amplitude. Le gnrateur est destin fournir la puissance ncessaire pour le fonctionnement
d'un noeud sans fil pour mesurer la temprature.
Figure II.19 : Micro-gnrateur lectromagntique de Shearwood et Yates [45] avec un aimant m et
une bobine planaire en or.
Figure II.20 : Micro-gnrateur lectromagntique prsent par Lee et al [46].
Une recherche visant perfectionner le dispositif dj propos par Shearwood et Yates [45] est
mene l'Universit de Barcelone [47]. Le dispositif avant optimisation produit 45nW partir d'une
acclration de 6,8m la frquence de 360Hz. Une simulation montre, qu'un dispositif optimal pourrait
produir jusqu' 280W 120Hz et 4,4m d'excitation. Cela correspond aux vibrations produites par un
petit four microondes. Le dispositif prsent est partiellement microfabriqu, mais l'aimant est
manuellement attach sur une membrane en kapton.
Les travaux mens l'Institut HSG-IMIT dans le cadre du projet ZOFF III du gouvernement Baden-
Wrttemberg en Allemagne ont abouti la cration d'un gnrateur micro assembl dont le schma est
montr dans la figure II.21.
La puissance maximale gnre est de l'ordre de 300W la frquence de 60Hz et une amplitude de
100m. Une solution intressante est prsente pour rgler la frquence de rsonance de ce systme grce
sa non-linarit. Cela sera discute en dtail dans le chapitre VI.
Un micro-gnrateur lectromagntique t propos par Glynne-Jones et al. de l'Universit de
Southampton [49]. Dans ce dispositif, la bobine est fabrique avec un fil en cuivre et le tout est assembl
la main, donc pas de possibilit de microfabrication. Des aimants massifs en NdFeB on t utiliss. Une
puissance maximale de 37W a t obtenue une excitation sinusodale de 13m en amplitude et 322Hz
en frquence. Une exprimentation intressante a t faite avec un autre dispositif de taille de 3,15cm
3
(figure II.22) : le gnrateur a t mont sur le moteur d'une voiture (Volkswagen Polo). Le test a consist
en un dplacement de 1,24km avec une vitesse moyenne de 25km/h. La puissance moyenne gnre tait
de 157W avec des pics de 3,9mW.
Figure II.21 : Micro gnrateur lectromagntique cr dans le cadre du projet ZOFF III [48]
Figure II.22 : Micrognrateur lectromagntique propos par Glynne-Jones et al. dans [49].
La socit Perpetuum [50], spin off de l'Universit de Southampton, explore la possibilit de
gnrer l'nergie lectrique partir des vibrations mcaniques en utilisant la conversion
lectromagntique. Leurs produits sont l'chelle macroscopique, mais ils travaillent pour crer un
dispositif microfabriqu, notamment la suite du projet europen VIBES.
Leur dernire cration le PMG7 prsente la figure II.23, est capable de fournir 5mW avec une
excitation de 0,1g et 400W avec une excitation de 25mg la frquence de 50Hz.
Conclusion
La mthode lectromagntique est trs intressante et largement utilise dans le cas de dispositifs
macroscopiques, mais aucune structure vraiment microfabrique n'est propose jusqu' prsent. La
miniaturisation est extrmement difficile cause de la ncessit d'utiliser les matriaux magntiques
exotiques et d'obtenir des distances trs faibles entre l'aimant et la bobine. Il existe aussi le problme de
conducteurs utiliss pour la fabrication de la bobine. En fait mme les lments ralises par dpts pais du
cuivre de faon lectrochimique (technique LIGA UV), ne garantissent pas encore des performances
satisfaisantes.
Figure II.23 : Gnrateur lectromagntique PMG7 de la socit Perpetuum.
II.2.5.3. Type pizolectrique
Ce type de gnrateur utilise l'effet pizolectrique, proprit de certains matriaux qui se chargent
lectriquement quand ils sont soumis une dformation mcanique. L'ide est donc de coupler ce matriau
une structure rsonante, laquelle va imposer la dformation de celui-ci. Les matriaux pizolectriques tant
facilement disponibles, il est relativement facile d'assembler un gnrateur macroscopique. Par contre c'est
seulement depuis quelques annes que les matriaux pizolectriques peuvent tre intgrs dans les
structures de type MEMS. En effet, les proprits des matriaux pizolectriques en couche mince sont
moins bonnes que celles des matriaux massifs. L'analyse dtaille de ce type de convertisseur va tre
prsente dans la suite de ce manuscrit.
Dispositifs
Un gnrateur pizolectrique compos d'une poutre encastre-libre de taille 23mm x 23mm,
fabriqu avec des mthodes d'usinage classiques t propos par l'quipe de l'Universit de Southampton
[51]. Une puissance de 2W, la rsonance 80Hz avec une excitation sinusodale d'amplitude 0,9mm, a
t obtenue. Pour l'instant aucune optimisation n'a t effectue sur ce dispositif.
Roundy prsente dans sa thse [52] une tude de diffrents types de convertisseurs destins
rcuprer l'nergie des vibrations mcaniques ambiantes. Les dispositifs pizolectriques optimiss
proposs occupent un volume de 1cm
3
et leur frquence de rsonance se situe autour de 120Hz. Les
puissances dissipes sur une charge rsistive optimale reportes pour une excitation 120Hz de 2,5ms
-2
sont de 200W pour le Design 1 et de 375W pour le Design 2 . Les dispositifs sont fabriqus avec
des technologies standard et utilisent les matriaux massifs (tel que tungstne pour la masse sismique) ce
qui les rendent trs difficilement miniaturisables dans leur tat actuel.
Jeon et al. du MIT [53] prsentent un micrognrateur pizolectrique, microfabriqu, utilisant les
couches minces de PZT. Un concept innovant, prsent dans la figure II.25, d'arrangement interdigit des
lectrodes est utilis pour augmenter la puissance gnre. Les dispositifs ont t fabriqus et tests avec
une charge rsistive. Une puissance maximale de 1,01W est reporte une excitation de 14nm (10g) la
Figure II.24 : Dispositifs proposs par Roundy et al. dans [52]
rsonance de 13,9kHz. Une tude visant rduire la frquence de rsonance est propose [54] et une
puissance de sortie de 31nW est prvue pour un dispositif oprant 150Hz avec une excitation d'environ
0,4g.
Conclusion
Les solutions utilisant les matriaux pizolectriques ne sont pas trs rpandues. Il existe plusieurs
exemples de dispositifs macroscopiques, mais les microfabriqus sont quasi inexistant. Cela est d au fait
que c'est uniquement depuis rcemment que les couches minces pizolectriques atteignent des performances
intressantes. Le seul inconvnient de ce type de transduction est la ncessit d'utiliser des matriaux
pizolectriques dont le dpt n'est pas encore bien matris et parfois incompatible avec le procd standard
CMOS. Nanmoins, nous avons dcid de l'explorer plus profondment et d'tudier la possibilit de cration
de micrognrateurs MEMS utilisant ce principe de conversion de l'nergie mcanique en nergie lectrique.
II.2.6. Rcapitulatif des gnrateurs rsonants
Comme nous l'avons montr dans la partie prcdente, il y a trs peu de solutions compltes de
rcupration de l'nergie ambiante, surtout miniaturises. Par contre il existe une trs grande demande pour
de tels dispositifs.
La partie la plus difficile concerne la comparaison de l'efficacit des gnrateurs. Pour ce faire, nous
utilisons le modle dvelopp par Williams et Yates [55] et duToit [54]. Dans ce modle simple, la rcolte
d'nergie dans un systme soumis aux vibrations est reprsent par un amortisseur visqueux b et une
hypothse est faite que la rcolte d'nergie n'influence pas la source. Le schma de ce modle est prsent sur
la figure II.26. L'nergie maximale disponible dans ce systme va tre calcule partir de l'quation
diffrentielle II.4 reliant le dplacement z(t) de la masse sismique M par rapport au botier aux vibrations
d'excitation caractrises par l'acclration A
i n
(t )=
y (t ) (avec k la raideur du ressort).

M

z(t )+b

z(t )+k z(t )=M A
i n
(t ) (II.4)
La puissance gnre est gale au produit de la vitesse de dplacement de la masse relativement au
botier et la force d'amortissement visqueux.
P(t )=b
z (t )
z(t ) (II.5)
Figure II.25 : Micrognrateur pizolectrique cr au MIT [54].
Pour rsoudre le systme des quations diffrentielles, les quations II.4 et II.5 peuvent tre
reprsentes dans le domaine de Laplace (quations II.6 et II.7), avec p variable de Laplace.
Z=
M A
i n
M p
2
+b p+k
(II.6)
P=
1
2
b p
2
Z
2
(II.7)
Si l'excitation y(t) est sinusodale et en plus si on considre que le systme opre la rsonance, la
variable le Laplace p peut tre remplace par j
N
, avec o
N
=.k M
1
tant la pulsation de rsonance du
systme. L'quation II.8 donne la relation entre les paramtres du systme et la puissance moyenne
rcuprable

P , avec
-1
=2M
N
b
-1
.
P=
M A
i n
2
4o
N
(II.8)
Selon ce modle, la puissance rcolte est proportionnelle la masse sismique en mouvement,
l'amplitude d'acclration d'excitation au carr et inversement proportionnelle la pulsation de rsonance et
au facteur d'amortissement reprsentant la rcolte de l'nergie. Comme la plupart des publications rapportent
uniquement le volume du systme, pour comparer les dispositifs nous allons faire la supposition que la
densit est gale pour tous les gnrateurs et nous allons remplacer la masse par le volume. De plus, nous
allons faire une simplification, que tout le volume du dispositif est occup par la masse sismique. De telle
faon nous pouvons dfinir une figure de mrite pour chaque dispositif en divisant la puissance de sortie
reporte, par le volume du dispositif, l'acclration d'excitation au carr et en multipliant le rsultat par la
pulsation de rsonance propre du systme (l'quation II.9).
FM=
P
out
o
N
V A
i n
2
(II.9)
Le tableau II.3 prsente un rcapitulatif sur les diffrents micrognrateurs raliss ou tudis. Nous y
reportons la puissance dclare, le volume du dispositif, les caractristiques de l'excitation, le type de test
s'il s'agit d'une simulation ou d'une exprimentation, le type de transduction utilis et si le dispositif est cr
avec des techniques de microfabrication. A partir de ce rcapitulatif, on constate que les dispositifs utilisant
Figure II.26 : Schma du modle dvelopp par Williams et Yates [55].
la transduction pizolectrique sont caractriss par une figure de mrite beaucoup plus leve que les autres
solutions.
P
u
i
s
s
a
n
c
e

[
W
]
V
o
l
u
m
e
F
r
q
u
e
n
c
e

[
H
z
]
A
m
p
l
i
t
u
d
e

[
m
]
A
c
c
r
a
t
i
o
n

[
m
s
-
2
]
T
y
p
e

d
e

t
e
s
t
T
r
a
n
s
d
u
c
t
i
o
n
F
i
g
u
r
e

d
e

M
r
i
t
e
S
i

m
i
c
r
o
f
a
b
r
i
q
u
r
e
n
c
e
q
u
i
p
e
830 1cm
3
110 150 71,7 EX EM 111,7 oui [46] Hong Kong
0,3 3x3x2 mm
3
4400 0,5 382 EX EM 3,16 oui [45] Sheffield
100 5 x 5 x 1 mm
3
330 30 129 SIM EM 499 non [55] Sheffield
1 5 x 5 x 1 mm
3
70 30 5,8 SIM EM 522 non [55] Sheffield
37 0,84cm
3
322 13 53 EX EM 31 non [49] Southampton
282 0,7cm
3
120 4,4 2,5 SIM EM 49e3 oui [47] Univ. Barc.
0,045 0,85cm
3
360 3,4 17,3 EX EM 0,3957 oui [47] Univ. Barc.
300 2,5cm
3
60 100 14,2 EX EM 224 non [48] HSG-IMIT
58 0,5 cm
3
120 4 2,25 SIM ES 1,69e4 oui [56] Roundy
24 28 x 28 x 2 mm
3
10 10 (?) EX ES 961,7 non [57] Imperial
50 2,3 x 5 x 0,1 mm
3
911 5 164 SIM ES 9,27e3 oui [42] Torino
1 2,65 x 0,5 mm
3
980 5 189 SIM ES 129 oui [41] IMEC
0,031 0,0011cm
3
150 4,7 4,2 SIM PZ 1,51e3 oui [54] MIT
1 0,03mm
3
13900 0,014 107 EX PZ 2,6e5 oui [53] MIT
277 3,3 x 0,5 x 0,3 cm
3
120 4,4 2,5 SIM PZ 4,05e4 non [58] Roundy
375 1cm
3
120 3,96 2,25 EX PZ 5,58e4 non [52] Roundy
2 23 x 20 x 0,5 mm
3
80 900 227 EX PZ 8,48e-2 non [59] Southampton
Tableau II.3: Tableau rcapitulatif des diffrents convertisseurs tudis avec EX donnes exprimentales, SIM
donnes de simulation, EM mthode lectromagntique, ES mthode lectrostatique, PZ mthode
pizolectrique.
En suivant les travaux de Shad Roundy, prsents dans sa thse [60], nous pouvons comparer les
densits thoriques d'nergie pour les trois types de gnrateurs.
Pour la conversion pizolectrique, deux matriaux sont considrs : le cramique PZT-5H pour le cas
pratique et un matriau monocristallin, trs cher et toujours en phase exprimentale, PZN-PT pour le cas
thorique.
Dans le cas de la conversion lectrostatique, l'nergie maximale dpend de la valeur maximale de la
tension entre deux parois de la capacit variable. Pour estimer cette valeur, il faut calculer la valeur
maximale du champ lectrique que peut supporter le gaz selon la courbe de Paschen. Dans l'air et sous la
pression atmosphrique cela correspond 100MV/m, donc 100 V/m. En utilisant cette valeur pour
calculer l'nergie, on obtient 44mJ/cm
3
. Nanmoins en pratique, les valeurs de l'ordre de 30MV/m sont plus
ralistes, ce qui correspond une nergie de 4mJ/cm
3
.
Pour la conversion lectromagntique, la permabilit magntique du vide a t utilis. La valeur
maximal du champ magntique ralisable est de 1 Tesla, ce qui correspond une nergie de 400mJ/cm
-3
. Si
une valeur plus raliste de 0,1T est utilise, l'nergie maximale est de 4mJ/cm
-3
.
Type de conversion quation pour l'nergie
maximale
Valeur maximale pratique
par cm
-3
Valeur maximale thorique
Pizolectrique
c
y
2 k
2
2
Y
17,7 mJ 335mJ
lectrostatique
e
E
2
2
4 mJ 44mJ
lectromagntique
B
2
2 j
0
4mJ 400mJ
Tableau II.4 : Comparaison de densits d'nergie maximales caractristiques pour les trois mthodes de conversion.
Finalement le tableau II.5 montre une comparaison des trois principales mthodes de conversion de
l'nergie de vibrations mcaniques en nergie lectrique. Les dispositifs utilisant la mthode lectrostatique
sont thoriquement les plus faciles intgrer, parce qu'il ne ncessitent pas de matriaux exotiques (dans le
plus simple des cas). Nanmoins, les problmes de tolrance et prcision de fabrication du systme avec des
doigts mobiles le rend difficile mettre en oeuvre en pratique. De plus, la densit d'nergie que l'on peut
obtenir partir de ces dispositifs est assez faible et pour qu'ils soient efficaces il faut qu'ils oprent avec des
tensions leves [21]. Les dispositifs utilisant la mthode lectro-magntique sont trs intressants au niveau
de la densit d'nergie, mais ils sont trs difficilement miniaturisables, surtout au niveau de la fabrication de
la bobine et des matriaux magntiques. De plus la tension produite est trs faible, ce qui complique la
conception du circuit de redressement. La mthode pizolectrique prsente des densits d'nergie trs
leves et en plus, grce la possibilit d'intgrer des couches minces pizolectriques dans les MEMS, les
dispositifs l'utilisant peuvent tre miniaturiss. C'est notamment pour ces raisons que nous avons choisi
d'explorer plus en dtails ce mode de conversion.
Transduction lectrostatique lectromagntique Pizolectrique
Miniaturisation
assez facile au niveau de
matriau (compatible avec
la technologie CMOS),
difficile au niveau des
tolrances
trs difficile,
intgration d'une bobine de
faible rsistance ncessaire,
matriaux magntiques
exotiques
moyenne, matriaux
pizolectriques exotiques
dposer
Densit d'nergie trs faible moyenne leve
Niveau de dveloppement trs avanc faible moyenne
Problmes spcifiques
besoin d'une source initiale
pour fonctionner, pour tre
efficace doit travailleur avec
des tensions trs levs
(40V), dbattement doit tre
contrl mcaniquement
trs faible tension de sortie,
intgration trs difficile
intgration des matriaux
pizolectriques, proprits
des couches minces
infrieures aux matriaux
massifs
Tableau II.5 : Comparaison des trois principales mthodes de transduction lectro-mcanique utilises dans des
systmes de rcupration de l'nergie de vibrations mcaniques.
Chapitre III : Gnrateurs pizolectriques
Ce chapitre explore l'utilisation de la pizolectricit pour transformer l'nergie des vibrations
mcaniques ambiantes en nergie lectrique utilisable. La premire partie prsente l'effet pizolectrique
sous un aspect physique et la convention utilise pour sa modlisation. Les diffrents matriaux, ainsi que
leurs procds de fabrication sont exposs dans la partie suivante. Ensuite, un modle du systme rsonant de
gnration d'nergie utilisant l'effet pizolectrique est analys. Il permet d'estimer l'nergie rcuprable en
fonction des diffrents paramtres gomtriques et physiques. Finalement dans la dernire partie, certains
aspects gnraux concernant la conception des gnrateurs seront discuts.
III.1. Pizolectricit
Les systmes lectromcaniques utilisant des matriaux de type pizolectrique sont connus depuis
bien longtemps, surtout dans le domaine des capteurs et des actionneurs. Comme exemple on peut citer les
gnrateurs d'arcs lectriques (allume-gaz), les microphones, les moteurs aussi bien rotatifs que linaires,
l'imagerie ultrasonore et les filtres onde de surface. Par contre, la gnration de l'nergie avec ce type de
conversion est un sujet assez nouveau. Il est nanmoins en dveloppement intensif depuis quelques annes,
comme nous l'avons prsent dans le chapitre prcdant. Ceci est d surtout l'amlioration de la qualit des
matriaux pizolectriques, notamment les cramiques PZT.
III.1.1. Gnralits
L'effet pizolectrique a t observ pour la premire fois par un minralogiste franais, l'Abb R.
Hay en 1817. Ensuite ce sont les frres Pierre et Jacques Curie qui ont explor le lien entre la structure
cristalline des matriaux et leur proprits pyro et pizolectriques. C'est eux qu'on attribue la dcouverte
exprimentale de l'effet pizolectrique. Cet effet se caractrise par une capacit de certains corps se
charger lectriquement lorsqu'ils sont soumis une contrainte mcanique : c'est l'effet direct ; ou de se
dformer suite l'application d'une tension lectrique : c'est l'effet inverse. En effet, une action mcanique (la
force F sur la figure III.1) provoque l'apparition d'un diple lectrique dans chaque maille cristalline du
matriau par dplacement des centres de gravit des charges positives et ngatives. L'quilibre
lectrostatique est rompu et une polarisation apparat. La pizolectricit ne peut pas se manifester pour des
conducteurs et de plus, l'absence du centre de symtrie dans la maille lmentaire du matriau est ncessaire.
Parmi les matriaux pizolectriques certains sont aussi ferrolectriques, c'est le cas de nombreux
matriaux ayant une structure cristalline de type perovskite. Un champ lectrique excitateur E implique
l'apparition d'une polarisation P, ce qui permet de dfinir une polarisation rmanente P
r
et une polarisation de
saturation P
s
ainsi qu'un champ coercitif E
c
(figure III.2).
Dans le cas des cramiques, les microcristaux sont ferrolectriques, donc ils ont une polarisation
spontane, mais l'agrgat dsordonn de ces cristaux ne donne aucun moment dipolaire global l'chelle
macroscopique. Pour rendre ces matriaux pizolectriques il faut les soumettre un champ lectrique
intense une temprature leve ce qui va aligner les diples (polarisation du matriau
1
). Avec le temps, les
cristaux reviennent leur tat dsordonn et la pizolectricit disparat : c'est le vieillissement de
1
Le terme poling est utilis en anglais
Figure III.1 : Reprsentation schmatique de la polarisation d'un matriau pizolectrique
l'chelle microscopique.
(a)
(b)
Figure III.2 : Cycle de polarisation d'un matriaux ferrolectrique, avec polarisation de saturation PS,
polarisation rmanente Pr et champ coercitif Ec.
cramiques, qui est une fonction logarithmique du temps. Ce phnomne peut tre acclr par l'application
rpte d'une contrainte mcanique. La figure III.3 prsente une variation de la puissance gnre par un
lment pizolectrique en fonction du temps [61]. Une diminution logarithmique avec le temps peut tre
remarque.
Finalement, une lvation de temprature tend dtruire l'alignement ordonn des diples
lmentaires. A une temprature dite de Curie, le moment lectrique macroscopique n'existe plus et le
matriau perd toutes ses proprits pizolectriques. Dans la plupart des cas, la temprature de Curie des
cramiques est infrieure celle des cristaux pizolectriques (200C pour le PZT contre 573C pour le
quartz).
III.1.2. Modlisation de l'effet pizolectrique
Les matriaux pizolectriques sont anisotropes, donc leur comportement est exprim l'aide de
tenseurs. La figure III.4 montre un tridre, qui dfinit six mouvements possibles dans l'espace : trois
translations le long des axes 1, 2, 3 et trois rotations autour des ces axes : respectivement 4, 5, 6. L'axe 3 est
choisi dans la direction de polarisation du matriau pizolectrique.
Figure III.4 : Axes de rfrence utiliss pour modlisation d'un solide
pizolectrique.
Figure III.3 : Puissance dlivre par en lment pizolectrique en fonction du temps reprsentant le vieillissement
des cramiques soumises aux contraintes mcaniques rptitives [61].
Dans un solide non pizolectrique, les tenseurs de contrainte mcanique T
ij
et de dformation S
ij
sont
lis par la souplesse s
ijkl
et la rigidit c
ijkl
. Dans le cas d'un matriaux pizolectrique, le domaine mcanique
est en plus li avec le domaine lectrique par les coefficients pizolectriques d
ijk
(ou drivs).
Une notation contracte (Voigt) est souvent utilise pour simplifier la notation de tenseurs d'ordre
deux quatre. Les indices tensoriels i, j sont remplacs par un indice p correspondant aux dplacements dans
l'espace dfini prcdemment. Les rgles de correspondance sont prsentes dans le tableau III.1 et III.2.
Dans la suite nous allons toujours utiliser cette convention simplifie.
Notation tensorielle Notation matricielle
ii=11 p = 1
ii=22 p = 2
ii=33 p = 3
ij=23 ou 32 p = 4
ij = 13 ou 31 p = 5
ij = 12 ou 21 p = 6
Tableau III.1 : Rgles de changement des indices entre la notation tensorielle et la notation simplifie (Voigt).
E
i
E
i
D
i
D
i
T
ii
T
p
, p = 1, 2, 3
T
ij
T
p
, p = 4, 5, 6
S
ii
S
p
, p = 1, 2, 3
S
ij
(i j)
1
2
S
p
, p = 4, 5, 6
d
ijj
d
ip
, p = 1, 2, 3
d
ijk
(j k)
1
2
d
ip
, p = 4, 5, 6
Tableau III.2 : Comparaison de la notation matricielle et tensorielle.
III.1.2.1. quations constitutives
Les matriaux pizolectriques convertissent l'nergie entre les domaines mcanique et lectrique. Un
modle isotherme linaire qui reprsente la relation entre les contraintes mcaniques et le champ lectrique a
t initialement propos par Woldemar Voigt en 1910. Ces relations constitutives, ainsi que les mthodes
d'valuation des proprits pizolectriques des matriaux ont t dcrites dans le IEEE Standard on
Piezoelectricity [62]. On peut dfinir quatre types d'quations pizolectriques, numres dans le tableau
III.3.
Les exposants S, T, E et D indiquent que ces valeurs sont considres constantes ou nulles. L'exposant
t indique une transpose de la matrice considre. Les quatre coefficients pizolectriques qui peuvent tre
dfinis sont dtaills dans le tableau III.3. Tous les coefficients sont des matrices de dimension 3 par 6.
quation constitutive Coefficient pizolectrique Unit
S=s
E
T+d
t
E
D=d T+e
T
E
d
ij
=
(
D
i
T
j
)
E=const
=
(
S
i
E
j
)
T =const
m/V ou C/N
T=c
D
S h
t
D
E=h S+
S
D
h
ij
=
(
T
i
D
j
)
S=const
=
(
E
i
S
j
)
D=const
N/C ou V/m
T=c
E
Se
t
E
D=e S+e
S
E
e
ij
=
(
T
i
E
j
)
S=const
=
(
D
i
S
j
)
E=const
N/Vm ou C/m
2
S=s
D
T+g
t
D
E=g T +
T
D
d
ij
=
(
S
i
D
j
)
T =const
=
(
E
i
T
j
)
D=const
m
2
/C ou Vm/N
Tableau III.3 : quations constitutives de la pizolectricit avec la dfinition des coefficients pizolectriques et
leurs units.
Les relations entre les coefficients pizolectriques sont prsentes dans les quations III.1
d =e
T
g=e s
E
e=e
S
h=d c
E
g=
T
d =h s
D
h=
S
e=g c
D
(III.1)
De plus, le lien entre les coefficients et ainsi que les matrices c et s sont prsents dans l'quation III.2.
=e
1
c=s
1
(III.2)
III.1.2.2. Symtrie des matrices pizolectriques
Les matriaux pour lesquels l'effet pizolectrique peut tre observ sont toujours non-
centrosymtriques. La structure la moins symtrique (triclinique) a 27 coefficients pizolectriques
diffrents, mais avec l'augmentation de la symtrie, le nombre des coefficients indpendants diminue. Les
cristaux ferrolectriques ont une symtrie du type m. La direction de polarisation est toujours nomme
3 et les directions perpendiculaires quivalentes sont nommes 1 . Pour ces matriaux la matrice de
coefficients pizolectriques d est rduite sous la forme prsente dans l'quation III.3 et la matrice de
souplesse mcanique est rduite la forme prsente dans III.4.
d =
|
0 0 0 0 d
15
0
0 0 0 d
15
0 0
d
31
d
31
d
33
0 0 0
(III.3)
s=
|
s
11
s
12
s
13
0 0 0
s
12
s
11
s
13
0 0 0
s
13
s
13
s
33
0 0 0
0 0 0 s
44
0 0
0 0 0 0 s
44
0
0 0 0 0 0 2( s
11
s
12
)
(III.4)
III.1.2.3. Coefficient de couplage lectromcanique
Le coefficient de couplage lectromcanique d'un matriau pizolectrique caractrise son aptitude
transformer l'nergie mcanique en nergie lectrique et inversement. Il est dfini par la relation prsente
dans l'quation III.5. En mode actionneur, l'nergie apporte est lectrique et l'nergie transform est
mcanique et inversement pour le mode capteur.
k
2
=
Energietransforme
Energie apporte
(III.5)
Le coefficient de couplage intrinsque est dfini par la norme ANSI/IEE87 et permet de comparer les
performances des matriaux, pour chaque mode de dformation. On distingue trois modes de dformation
fondamentaux d'un chantillon pizolectrique, selon la direction d'application de la dformation mcanique
par rapport l'axe de polarisation du matriau. Ce sont les modes : longitudinal 33, transversal 31 et de
cisaillement 15, lies avec les paramtres de couplage correspondants de la matrice d (quation III.3). Pour
maximiser la rponse d'un systme pizolectrique, il faut maximiser les coefficients de couplage selon la
gomtrie du systme et les contraintes appliques. Par exemple, dans le cas d'utilisation des barreaux
pizolectriques en compression, on a intrt choisir un matriau avec le coefficient d
33
le plus lev
possible. Plusieurs autres modes de dformation peuvent tre dfinis selon la gomtrie de l'chantillon
tudi et la direction du champ lectrique par rapport la polarisation P.
Pour calculer les coefficients de couplage intrinsques, les cycles mcaniques de rfrence sont
parcourus en rgime quasi-statique. Avec les cramiques pizolectriques actuelles, k est compris entre 0,3 et
0,8 selon le mode de dformation et pour les nouveaux mono cristaux relaxateurs il peut s'lever 0,94 [63].
Un coefficient dit effectif k
e
peut tre aussi dfini pour des systmes gomtrie et cycles de contraintes
quelconques aussi bien dans le domaine statique que dynamique. Ce coefficient peut tre suprieur au
coefficient intrinsque, ce qui est toujours le cas en rgime dynamique, o il est calcul en prenant en compte
les frquences de rsonance et d'anti-rsonance.
III.1.3. Matriaux et technologies de fabrication
Il existe plusieurs types de matriaux pizolectriques, dont les principaux sont dtaills dans la partie
suivante. Puisque nous nous concentrons sur la miniaturisation du gnrateur, la possibilit de dpt en
couche mince est tudie dans chaque cas.
Le matriau monocristallin pizolectrique naturel le plus connu est le quartz. Ses qualits sont
utilises dans la fabrication des rsonateurs et de certains capteurs (de pression par exemple). Par contre, son
facteur de couplage tant faible, il n'est pas intressant pour les applications de gnration d'nergie.
Il existe aussi des monocristaux synthtiques, comme les matriaux du type Li X O
3
(LiNbO
3
et
LiTaO
3
) qui prsentent une temprature de Curie leve (au-dessus de 500C) mais de faibles coefficients
pizolectriques (jusqu' 8pC/N).
La structure cristalline de la plupart de matriaux pizolectriques est de type perovskite ou une
drivation (figure III.5). Les oxydes de type perovskite ont une formule ABO
3
dans laquelle A correspond
un grand cation (Ba
+2
ou Pb
+2
) et B un cation de taille moyenne (Ti
+4
ou Zr
+4
). Ces cations sont localiss
dans des cages cres par des anions d'oxygne. Dans la grande famille de perovskites il existe des matriaux
avec des proprits ferrolectriques. Ils sont cubiques hautes tempratures et noncubiques et polaires
(tetragonalux, rhombohedraux, etc.) au-dessous de la temprature de Curie. En phase cubique le cation est au
centre de la cage d'oxygne, par contre en phase polaire il est dcentr et cre un diple. Plusieurs matriaux
pizolectriques appartiennent cette famille, comme le plus important : le PZT.
Le titanate zirconate de plomb (Pb(Zr
x
Ti
1-x
)O
3
) est le matriau cramique pizolectrique le plus
utilis. Les proprits pizolectriques les plus intressantes apparaissent pour la frontire morphotropique
de phase (une composition de 53/47 de zirconium par rapport au plomb pour la temprature ambiante). Il
existe plusieurs drivs de ce matriau :
Type100. Ce PZT est dop avec des cations de valence plus basse (comme Fe
+3
pour Ti
+4
et Zr
+4
,
Na
+1
pour Pb
+2
). Leur apparition stabilise la structure de la cramique, la durcit et diminue les pertes, mais
en mme temps diminue les proprits pizolectriques. Les matriaux de ce type sont utiliss dans des
applications de haute puissance et haute tension. Ils sont aussi appels dures (hard) ou Navy type I.
Type200. Ce PZT est dop avec des cations de valence plus leve (comme Nb
+5
pour Ti
+4
et Zr
+4
,
La
+3
pour Pb
+2
). Leur prsence provoque des changements inverses ceux de Type100 (la cramique est
plus molle, les pertes sont plus importantes) mais les proprits pizolectriques sont amliores. Ce type
de matriau est connu aussi comme Navy type II ou cramique douce (soft) et est utilis dans les capteurs
et autres applications ncessitant une haute sensibilit.
Type600. Les dopants de ce PZT sont isovalents (Ca
+2
, Sr
+2
pour Pb
+2
et Sn
+4
pour Ti
+4
/Zr
+4
). Ils
rduisent la valeur de la temprature de Curie. Ce type de PZT est aussi appel Navy type VI.
Rcemment des matriaux composs de relaxeurs (comme PbMg
1/3
Nb
2/3
O
3
PMN et PbZn
1/3
Nb
2/3
O
3
-
PZN) et de ferrolectriques standards (PbTiO
3
) sont apparus, et prsentent des proprits pizolectriques
remarquables, surtout en forme monocristalline. Par exemple le coefficient de couplage du PZN-PT va
jusqu' 0,95 dans la direction <100> avec un coefficient d
33
de l'ordre de 2000 3000 pC/N [64], par rapport
2pC/N pour le quartz. La figure III.6 prsente la comparaison de matriaux classiques de type PZT avec les
relaxeurs type PZN-PT. Ces dernirs se caractrisent par une dformation beaucoup plus importante et
peuvent supporter des champs lectriques levs. De plus le coefficient de couplage est suprieur celui des
cramiques. Nanmoins, ce matriau est encore trs cher et tant peu rpandu il est difficilement accessible.
Figure III.5 : Structure Perovskite en phase cubique (au-dessus de TC) avec A un grand cation, B un
cation de taille moyenne et O - oxygne.
Son laboration en couche mince est impossible, son utilisation immdiate dans les MEMS est donc
exclure.
Plusieurs polymres prsentent des proprits pizolectriques, par exemple les polyfluorures de
vinilydne (PVF
2
et PVDF). Leur laboration ncessite une phase d'tirement mcanique afin d'aligner les
chanes macromolculaires dans une seule direction et une phase de polarisation. Les polymres
ferrolectriques polariss sont souvent employs grce la facilit de leur fabrication et de leur utilisation
(dcoupage aise au cutter), une bonne adaptation d'impdance acoustique aux liquides et aux tissus
biologiques, une haute rsistance mcanique et une large varit des paisseurs disponibles (entre
quelques micromtres et une centaine de micromtres). Par contre leurs proprits pizolectriques sont
infrieures celles des cramiques (facteur de couplage d'ordre de 0,2) et leur tension de claquage est faible.
Il existe aussi une combinaison de polymres avec des cramiques pizolectriques. Elles sont
ralises soit en mlangeant une poudre de cramique et un polymre (phase 0-3) soit en rpartissant
priodiquement la phase cramique sous forme de barreaux dans une matrice polymre (phase 1-3). Pour
certaines gomtries la rponse pizolectrique peut tre amplifie. Ce type de matriau est surtout utilis
dans les applications concernant l'imagerie mdicale et les hydrophones.
Le plomb fait partie de la plupart de matriaux pizolectriques cramiques, ce qui les rend nocifs
pour l'environnement et pour les tres vivants. C'est pour cela qu'un grand effort est fait pour dvelopper des
matriaux dpourvu de cet lment. Jusqu' maintenant leurs proprits sont infrieures celles des
cramiques classiques. Un exemple de ce matriau est le (Na
0,5
K
0,5
)NbO
3
-LiTaO
3
(NKN) propos par Y. Guo
et al. [66]. Le coefficient de couplage k
P
s'lve 0,36 et le coefficient d
33
est d'environ 200pC/N.
III.1.4. Applications dans les microsystmes - couches minces pizolectriques
Dans la plupart des cas, l'utilisation des matriaux pizolectriques massifs est exclure dans les
microsystmes. C'est pour cela que la possibilit de fabriquer des matriaux pizolectriques en couches
minces est primordiale pour les applications dans ce domaine. Depuis quelques annes la qualit des couches
minces pizolectriques ne cesse de s'amliorer, et maintenant leurs proprits sont proches de celles des
matriaux massifs. Dans la suite, nous allons prsenter les principaux matriaux qui peuvent tre obtenus en
Figure III.6 : Caractristiques lectro-mcaniques de relaxateurs et cramiques pizolectriques [65].
couche mince (0,2m 4m) pour les applications dans les MEMS. Par contre, l'utilisation du mode 33 (le
plus avantageux au niveau de la rponse pizolectrique) est beaucoup plus complexe cause de la faible
paisseur de la couche. C'est pour cela que l'on utilise plutt le mode 31 sur les structures en flexion.
Nanmoins, dans le chapitre V nous prsenterons aussi des mthodes innovantes pour utiliser le mode 33
dans les dispositifs travaillant en flexion intgrant des couches minces pizolectriques.
Les principales mthodes de fabrication des couches minces pizolectriques sont :
Les techniques sol-gel : elles sont gnralement efficaces, mais sont suivies d'une tape de recuit
haute temprature. Le dpt ncessite plusieurs tapes, mais les couches obtenues sont de bonne qualit
[67] [65].
L'pitaxie de matriaux, tel que l'AlN : le dpt est trs cher et fournit des couches trs minces, mais
de bonne qualit [68].
La pulvrisation cathodique (PZT, AlN) : c'est la mthode la plus intressante pour sa compatibilit
avec la microlectronique parce qu'elle se droule basse temprature.
Le report de matriaux pizolectriques massifs sur le substrat de silicium, suivi d'un polissage :
cette mthode moins rpandue permet d'obtenir des paisseurs plus importantes avec des proprits
identiques celles de matriaux massifs.
Compte tenu des contraintes internes entre les couches et des variations de temprature pendant la
fabrication, les couches minces prsentent souvent des craquelures qui peuvent mettre les lectrodes en court
circuit. Finalement les mthodes de gravure aussi bien humide que sche ne sont pas toujours trs bien
matrises.
Nitrure d'aluminium et oxyde de zinc
Ces deux matriaux ont la structure cristalline de type wurtzite et deviennent polariss mais non
frrolectriques pendant le processus de dpt (pulvrisation). Ils ne ncessitent pas de phase de polarisation
et leur dpt est effectu une temprature ambiante, ce qui les rend trs intressants pour l'utilisation dans
la microlectronique et les microsystmes. Ils sont largement utiliss dans les filtres onde de surface
(SAW
1
) et les filtres onde de volume (BAW
2
) employs par exemple dans des tlphones portables [69].
Leurs paramtres pizolectriques sont mdiocres, mais grce la faible constante de permittivit lectrique
(~10) et aux faibles pertes mcaniques et dilectriques, ces matriaux peuvent s'avrer intressants. Le
chapitre IV contient plus de dtails sur le dpt des couches minces de nitrure d'aluminium.
Couches minces des cramiques PZT
Les couches minces des cramiques sont prpares soit par pulvrisation partir d'une cible massive
soit par dpt chimique le plus souvent par la mthode sol-gel. Dans tous les cas il faut veiller ce que le
plomb ne diffuse pas dans le substrat, ce qui complique le procd de fabrication. Les proprits de ces films
sont similaires celles des cramiques dures cause de l'immobilisation des faces de domaines. Jusqu'
rcemment les proprits des couches minces de PZT taient trs infrieures celles des matriaux massifs,
1
SAW Surface Acoustic Wave
2
BAW Bulk Acoustic Wave
mais les derniers travaux, notamment de l'quipe de Paul Muralt l'EPFL rapportent les proprits de
couches minces similaires celles du PZT4 massif [70]. Le chapitre V prsentera le processus de dpt de
couches minces de PZT plus en dtails.
Comparaison des matriaux pizolectriques
Le tableau III.4 prsente une comparaison des proprits des matriaux pizolectriques. Les
proprits dtailles des matriaux utiliss dans les simulations sont prsents en annexe D.
Matriau
[kgm
-3
]
r d33
[pC/N]
d31
[pC/N]
k33 k31 tan
[%]
Qm TC
[C]
Y33/Y11
[GPa]
Commenta
ire
Ref
Quartz 2650 4,5 2 0,1 0,03 >50 000 573 faible
couplage
[65]
soft PZT 7600 3400 600 276 0,76 0,40 1,9 65 200 51/59 855 de
l'APC
[64]
hard PZT 7600 1350 300 109 0,68 0,33 0,35 1400 320 63/76 841 de
l'APC
[64]
mono
PZN-PT
8200 4200 >2000 930 0,92 0,72 0,4 33 403,7 Cher, faible
qualit mec
[64]
PVDF 1780 10-15 -312 20 0,1 Incomp.
MEMS
[71]
PVDF/Tr
FE
1900 15-30 15-30 0,2 Incomp.
MEMS
[71]
AlN 3260 10 6,83 2,625 0,3 500 300 Faible
couplage
[72]
NKN 600 200 0,36 400 Sans plomb [66]
Tableau III.4 : Comparaison des proprits des principaux matriaux pizolectriques.
III.2. Modle une dimension du gnrateur pizolectrique
Avant de s'intresser un dispositif pizolectrique complet, nous allons tudier un systme une
dimension pour essayer d'estimer l'nergie rcuprable. De plus, ceci nous permettra d'explorer comment le
systme est influenc par diffrents paramtres comme la frquence d'utilisation, la valeur de l'acclration
d'excitation, la relation entre la raideur du ressort et la masse sismique et finalement l'impact de diffrents
types de pertes. Le systme de rcupration d'nergie simplifi a dj t tudi. La plupart du temps c'est le
modle propos par Williams et Yates (dj mentionn dans le paragraphe II.2.6) qui est employ. Ce
modle utilise un amortisseur visqueux pour reprsenter la rcupration d'nergie. Il a t utilis pour la
modlisation des trois types de gnrateurs, notamment : lectrostatique [21], pizolectrique [30] et
lectromagntique [55]. Nanmoins, ce modle simple est adapt uniquement pour certains convertisseurs
lectromagntiques dans lesquels l'influence de la rcupration sur le reste du systme est linaire par rapport
la vitesse. Pour amliorer la modlisation de notre systme, nous allons introduire un lment
pizolectrique au niveau du modle simple. En fait ce type de modle a dj t utilis par duToit et al. [54]
et Lefeuvre et al. [73]. Dans ce travail, le modle sera affin et analys surtout au niveau de la reprsentation
et de l'influence de plusieurs types de pertes.
III.2.1. Prsentation du modle
Le modle propos est prsent sur la figure III.7a. Il rend compte d'une structure spcifique une
masse sismique supporte par un ressort pizolectrique, prsents sur la figure III.7b. Les rsultats obtenus
avec ce modle peuvent tre utiliss pour d'autres structures rsonantes, dont la construction peut tre
approche par une masse sismique et un ressort pizolectrique .
En principe le modle est constitu d'une cage, soumise aux vibrations sinusodales y(t) par rapport
une paroi fixe. Le systme est compos de :
Une masse sismique M : le dplacement de la masse sismique par rapport la cage est dfini par la
coordonne w.
L'amortissement visqueux (celui dont la force rsultante est proportionnelle la vitesse), est
reprsent par le coefficient .
Le ressort de rigidit k. Nous proposons ici une prsentation simplifie o la partie mcanique est
spare de la partie pizolectrique. En d'autres termes, c'est le mme lment qui est compos d'un
matriau pizolectrique. La rigidit du ressort est lie avec la rigidit du matriau le constituant c
33
et les
dimensions du ressort (A aire de l'lment, L longueur de l'lment) par l'quation III.6.
k=c
33
E A
L
(III.6)
L'amortissement structural (celui dont la force est proportionnelle la dformation), est reprsent
par le coefficient . Il est pris en compte en rendant la valeur du coefficient de rigidit du matriau c
33
E
complexe selon l'quation III.7 [74].
c
c
=c
33
E
( 1+ j ) (III.7)
La rigidit du ressort va tre influence d'une manire similaire, suivant l'quation III.8 (avec A aire
de la surface suprieure de l'lment pizolectrique et L longueur de l'lment pizolectrique).
Figure III.7 : Systme modlis comportant une masse sismique et un lment pizolectrique : le schma du
modle (a) ainsi qu'un exemple de structure simple (b).
(a) (b)
k
c
=c
33
E
(
1+j
)
A
L
=k
0
(
1+ j
) (III.8)
L'amortissement pizolectrique avec une charge quelconque d'impdance Z est connecte entre
les lectrodes avec une diffrence de potentiel U. Ce sont uniquement les pertes dilectriques qui sont
considres dans cet lment, car les autres pertes ventuellement prsentes sont modlises par les
lments externes prcdemment dcrits. Elles sont introduites au niveau de la capacit pizolectrique
par l'angle de pertes ou tangente delta selon l'quation III.9.
e
c
=e
33
S
( 1 j tan6) (III.9)
La capacit de l'lment pizolectrique est exprime par la relation III.10.
C=c
33
S
(
1 j tan6
)
A
L
=C
0
(
1 j tan6
) (III.10)
C
0
reprsente la valeur de la capacit statique.
III.2.2. Dynamique du systme
Le comportement dynamique de ce systme peut tre dcrit en utilisant le principe d'quilibre des
forces. L'quation III.11 contient quatre forces : la force d'excitation externe, l'inertie de la masse sismique
par rapport la cage, la force due l'amortissement visqueux et finalement la force F
P
provenant du ressort
pizolectrique.
M w+\ w+F
P
+M A
i n
=0 (III.11)
La force F
P
est introduite par le ressort et est compose d'une partie d'origine lectrique et d'une partie
d'origine mcanique.

Pour dterminer sa valeur, les quations constitutives de la pizolectricit une
dimension (quations III.12) doivent tre utilises.
T
3
=c
c
S
3
e
33
E
3
D
3
=e
33
S
3
+e
c
E
3
(III.12)
Les quations III.12 peuvent tre transformes pour reprsenter les valeurs macroscopiques du modle
et les pertes structurales et dilectriques. Pour faire cela nous allons :
remplacer la contrainte T
3
par la force appliqu sur le systme selon la relation F
P
= T
3
A,
introduire la tension entre les lectrodes sur l'lment pizolectrique lie avec l'intensit du champ
lectrique E
3
par la relation : U = - E
3
L,
le dplacement lectrique D
3
peut tre remplac par la tension lectrique sur la charge Z en utilisant
le thorme de Gauss et la loi d'Ohm :
I =
U
Z
=
Q=
A
DdA=A

DU=Z A

D
la rigidit du matriau est remplace par la rigidit du ressort selon l'quation III.8,
la dformation du ressort S
3
est lie avec le dplacement de la masse sismique par rapport la cage
B : w = S
3
L,
la capacit pizolectrique correspond l'quation III.10,
finalement le coefficient e
33
du matriau pizolectrique est remplac par un paramtre li avec la
gomtrie du ressort par la relation : o=e
33
A
L
.
De telle faon nous obtenons le systme d'quations III.13.
F
P
=k
c
w+oU
U=oZ

wC Z

U

(a)
(III.13)
(b)
III.2.2.1. Rsolution du systme
Le systme d'quations III.13 va tre rsolu en passant par le domaine de Laplace, avec des valeurs
complexes de la rigidit k
c
et de la capacit C. Dans les quations III.14, p est la variable de Laplace et = Z
C

la constante de temps de la capacit de l'lment pizolectrique. Les variables dans le domaine de Laplace
sont reprsentes en gras.
F
P
=k
c
w+o
2
Z
p
1+t p
w
U=oZ
p
1+t p
w

(a)
(III.14)
(b)
Nous pouvons donc voir, que la force exerce par l'lment pizolectrique est compose de la partie
mcanique reprsente sur la figure III.7 par le ressort k
c
,

et la partie due au couplage pizolectrique.
Pour dcrire la dynamique du systme, l'quation III.14a va tre introduite dans l'quation III.11 porte
dans le domaine de Laplace.
M p
2
w+\ pw+k
c
w+o
2
Z
p
1+t p
w+M A
i n
=0
(III.15)
Pour exprimer le dplacement de la masse sismique, w est extrait de l'quation III.15. De plus, en
rgime permanent et pour une excitation sinusodale, la variable de Laplace p peut tre remplace par j.
w=
1+ j to
( \t+M ) o
2
k
c
+ j
|
M o
3
t
(
k
c
t+\+o
2
Z
)
o
M A
i n (III.16)
La valeur de la tension gnre entre les lectrodes de l'lment pizolectrique est obtenue en insrant
l'quation III.16 dans l'quation III.14b et en remplaant p par j.
U=
j ooZ M
( \t+M ) o
2
k
c
+ j
|
M o
3
t
(
k
c
t+\+o
2
Z
)
o
A
i n (III.17)
Pour faciliter l'interprtation, nous introduisons les variables du tableau III.5. La rigidit du ressort va
tre limine en la liant avec la valeur de la masse sismique M et avec la pulsation de rsonance mcanique
N
. De mme pour la constante laquelle va tre remplace par le coefficient de couplage k
e
. Le
comportement frquentiel va tre exprim par rapport la variable , celle-ci tant la pulsation normalise
par rapport la pulsation de la rsonance mcanique du systme
N
. De plus pour reprsenter les pertes
visqueuses nous allons utiliser un facteur sans units (pourcentage de l'amortissement critique) pour
remplacer . Cela va nous permettre d'utiliser des facteurs sans units pour les trois types de pertes. Les
calculs suivants ont t faits en utilisant le logiciel de calculs formels Maple
TM
10.
Symbole Relation Description
N
.
k
0
M
Pulsation de rsonance mcanique du
systme

N
-1
Pulsation normalise par rapport la
pulsation de rsonance mcanique
k
e
2
k
33
2
1k
33
2
=
e
33
2
c
33
E
c
33
S
=
o
2
C
0
k
0
Coefficient de couplage effectif
\
2 M o
N
Facteur de pertes visqueuses
(sans unit)
Tableau III.5 : Variables utilises dans le modle.
En utilisant les variables du tableau III.5, l'amplitude de la puissance dissipe sur la charge Z dans le
domaine de Laplace est exprime par l'quation III.18.
P=
B
2
D
2
A
6
D
6
+A
5
D
5
+A
4
D
4
+A
3
D
3
+A
2
D
2
+A
1
D+A
0
A
i n
2
(III.18)
Avec :
B
2
=Z C
0
M k
e
2
A
6
=o
N
2
(Z C
0
)
2
(1+tan
2
6)
A
5
=2 o
N
Z C
0
tan 6
A
4
=2o
N
2
(Z C
0
)
2
(
(2
2
1)(tan
2
6+1)k
e
2
)
+1
A
3
=4 o
N
2
( Z C
0
)
2
(
(1+tan
2
6)+k
e
2
tan6
)
+4 o
N
C
0
Z tan6(2
2
1)
A
2
=o
N
2
C
0
2
Z
2
|
2k
e
2
(1+tan6)+(
2
+1)(1+tan
2
6)+k
e
4
+4o
N
C
0
Z (k
e
2
+2 )+4
2
2
A
1
=4 +2o
N
Z C
0
( tan6(
2
+1)+k
e
2
)
A
0
=1+
2

(III.19)
L'quation III.18 est trop complexe pour l'analyser intgralement. Les influences des paramtres
comme la valeur de la charge rsistive, les pertes et la masse sismique vont tre analyses sparment. Les
valeurs reportes dans le tableau III.6 (correspondant au matriau de la socit Piezo Systems type PSI-
5A4E) et les valeurs du systme du tableau III.7, vont tre utilises pour estimer le comportement d'un
systme rel.
Symbole Valeur Description
L 0,01m longueur de l'lment pizolectrique
A 10
-4
m
2
surface des lectrodes
33
S
1800 permittivit lectrique relative du matriau pizolectrique
Y
3
52 GPa module de Young
tan 10
-2
tangente delta (pertes lectriques dans le matriau)
k
33
0,72 coefficient de couplage
C
0
76,8 pF capacit de l'lment pizolectrique
Tableau III.6 : Paramtres de l'lment pizolectrique correspondant au matriau Piezo Systems type PSI-5A4E.
Symbole Valeur Description
M 10g valeur de la masse sismique
N
2 100kHz pulsation de vibration mcanique
0,01 coefficient d'amortissement visqueux pertes dont la force est
proportionnelle la vitesse
0,01 coefficient d'amortissement structural pertes dont la force est
proportionnelle au dplacement
A
in
10 ms
-2
valeur de l'acclration d'excitation
Tableau III.7 : Paramtres du systme tudi.
III.2.2.2. Influence des paramtres mcaniques
Pour pouvoir analyser l'influence de la frquence d'utilisation du systme sur la puissance rcupre,
nous avons li la valeur de la rigidit du ressort k avec la valeur de la frquence de rsonance mcanique
N
.
Si toutes les valeurs du tableau III.6 et III.7 sont introduites dans l'quation III.18, en absence de pertes, nous
obtenons une puissance en rsonance dcrite par l'quation III.20. Elle est proportionnelle la valeur de la
masse sismique M, au carr de l'acclration d'excitation A
in
et inversement proportionnelle au carr de la
valeur de la pulsation de rsonance mcanique
N
.
P
M
o
N
2
A
i n
2
(III.20)
Ces rsultats sont partiellement en accord avec le modle dvelopp par Williams et Yates [55], mais
dans notre cas la puissance est influence par l'inverse du carr de la pulsation de rsonance, et non
plus par l'inverse de
N
. Cela est d au fait que la force lie l'effet pizolectrique est proportionnelle au
dplacement et non la vitesse. Il est toujours intressant d'augmenter la valeur de la masse sismique M (en
augmentant en mme temps la valeur de la rigidit du ressort k pour garder la mme frquence de rsonance,
qui est normalement impose par le milieu) et la valeur de l'acclration d'excitation A
in
.
En prsence de plusieurs sources d'excitation il peut tre plus intressant de travailler un pic de frquence
plus bas mme si son amplitude est faible.
III.2.2.3. Comportement frquentiel
Le comportement frquentiel d'un systme prsentant un couplage fort, c'est dire dans le cas ou le
fait de rcuprer de l'nergie influence le comportement de la totalit du systme, est beaucoup plus
complexe que le comportement d'un systme purement mcanique. La figure III.8a prsente le dplacement
de la masse sismique w et la puissance dissipe P sur une charge purement rsistive en fonction de la valeur
de cette charge et de la frquence d'excitation en chelle bi-logarithmique.
On peut remarquer, qu'il existe deux valeurs optimales de rsistance R pour lesquelles la puissance est
maximale. La premire correspondant la rsonance ( = 1) et l'autre l'antirsonance de l'lment
pizolectrique ( > 1). Dans le cas d'un systme sans pertes, la rsonance, l'impdance de l'lment
pizolectrique est nulle et infinie l'antirsonance. Comme nous allons le prsenter dans la suite, ces
valeurs dpendent fortement du niveau des pertes prsentes dans le systme. En diffrenciant l'quation
III.18 nous pouvons trouver la relation dfinissant la valeur optimale de la rsistance de charge (quation
III.21).
R
opt
2
=
( D
2
1)
2
+( 2D+)
2
D
2
o
N
2
C
2
(
D
4
B
4
+D
2
B
2
+DB
1
+B
0
)
(III.21)
Avec :
B
4
=1+tan
2
6
B
2
=2( 1+tan
2
6) ( 2
2
1)2 k
e
2
B
1
=4( 1+tan
2
6)+4k
e
2
tan6
B
0
=
(
tan
2
6+k
e
2
)
2
+tan
2
6+
2
+2k
e
2
+1
(III.22)
A partir des quations III.20 et III.21 nous pouvons voir que la valeur de la rsistance optimale est
inversement proportionnelle la valeur de la frquence de rsonance du systme et de la capacit de
l'lment pizolectrique. L'importance des pertes sur la valeur de la rsistance optimale va tre analyse
dans le paragraphe III.2.2.4.
En utilisant l'quation III.21 nous pouvons dfinir une valeur de rsistance de charge optimale pour
chaque valeur de frquence d'excitation. La figure III.9a prsente l'volution de la valeur de la rsistance
optimale pour un systme dont les caractristiques sont extraites des tableaux III.6 et III.7. La figure III.9b
montre le comportement de la valeur de la frquence d'excitation pour laquelle la puissance dissipe est
maximale en fonction de la valeur de la charge rsistive.
Figure III.8 : Dplacement de la masse sismique (a) et la puissance dissipe sur une rsistance de charge (b) en
fonction de la pulsation normalise et la valeur de la charge rsistive.
(b) (a)
(a)
(b)
Figure III.9 : Valeur optimale de la rsistance de charge en fonction de la frquence d'excitation (a) et la valeur
optimale de la frquence d'excitation en fonction de la rsistance de charge (b).
Le comportement du systme avec une rsistance optimale (dfini par l'quation III.21 et variable avec
) est prsent sur la figure III.10. La puissance en fonction de la dviation en frquence (figure III.10b)
montre que les deux pics de puissance (RES et ARES) sont d'amplitude identique. Par contre en ce qui
concerne les pics de dplacement de la masse sismique, les valeurs de correspondent bien aux pics de
puissance, mais l'amplitude n'est pas identique et est beaucoup plus importante pour le pic de rsonance.
(a)
(b)
Figure III.10 : Dplacement de la masse sismique (a) et puissance maximale (b) en fonction de la pulsation
normalise avec une rsistance optimale connecte entre les lectrodes de l'lment pizolectrique.
Au niveau de l'amplitude de la tension entre les lectrodes (figure III.11) le pic d'antirsonance est
beaucoup plus important que le pic de rsonance, ce qui est comprhensible tant donn que la tension
augmente toujours avec la charge (laquelle est beaucoup plus leve en antirsonance qu'en rsonance). Pour
trouver le point de fonctionnement optimal il faut surveiller la puissance et non la tension de sortie.
III.2.2.4. Influence des pertes
Nous allons analyser dans cette partie comment varient les paramtres du systme en fonction des
diffrents types de pertes.
Influence des pertes sur la puissance dissipe
La puissance dissipe sur une rsistance de charge optimale va tre value en fonction des trois types
de pertes. Comme nous l'avons dj constat, le comportement frquentiel prsente deux pics en puissance.
La figure III.12 prsente la puissance dissipe sur une rsistance de valeur optimale en chelle logarithmique
en fonction de la frquence d'excitation pour les pertes visqueuses et structurales. On peut constater que non
seulement l'amplitude de la puissance diminue avec l'augmentation des pertes, mais aussi que les pics
disparaissent en faveur d'un pic situ vers le milieu entre les pics de rsonance et d'antiresonance. Il est
noter que les pertes structurales influencent beaucoup plus la hauteur du pic de rsonance tandis que les
pertes visqueuses influencent les deux de manire semblable.
Les pertes dilectriques peuvent tre modlises comme une rsistance connecte en parallle sur la
capacit pizolectrique, dont la valeur R
p
dpend de la tangente delta selon la formule III.23.
Figure III.11 : Tension entre les lectrodes de l'lment pizolectrique
en fonction de la frquence et la valeur de la rsistance de charge.
R
p
=
1
oC
p
tan 6
(III.23)
Avec l'augmentation de la valeur des pertes dilectriques, la rsistance quivalente diminue et
influence donc de plus en plus le comportement du systme. C'est pour cela que le comportement en
antirsonance est influenc, car la valeur optimale de la rsistance de charge est trs leve (figure III.13).
Figure III.12 : Puissance dissipe sur une charge rsistive de valeur optimale en fonction du niveau des pertes
visqueuses (a) et structurales (b) avec les autres facteurs de pertes fixs 1%.
(a) (b)
Figure III.13 : Influence de la valeur des pertes dilectriques sur la puissance dissipe sur une rsistance de
charge de valeur optimale, pour et gales 1%.
Influence des pertes sur la valeur de la rsistance optimale
La valeur optimale de la rsistance de charge est fortement influence par les pertes prsentes dans le
systme. La figure III.14 prsente l'influence des pertes visqueuses et structurales sur la valeur optimale de la
rsistance de charge et la figure III.15 montre l'influence des pertes dilectriques.
(a)
(b)
Figure III.14 : Valeur optimale de la rsistance de charge en fonction de la frquence, pour diffrents niveaux
d'amortissement visqueux (a) et structural (b).
Figure III.15 : Influence de la valeur des pertes dilectriques sur la valeur optimale de la rsistance de charge.
En l'absence de pertes, la rsistance optimale est gale zro pour la rsonance (l'impdance de la
source est zro) et l'infini pour l'antirsonance (l'impdance de la source est infinie). Pour un systme
fortement amorti, la valeur optimale de la charge rsistive tend vers une valeur gale pour la rsonance et
l'antiresonance. Les pertes dilectriques influencent uniquement le comportement en antirsonance, o la
valeur de la rsistance de charge optimale est trs leve.
Dviation en frquence
La diffrence entre la frquence de rsonance et celle d'antirsonance varie en fonction de plusieurs
facteurs. C'est surtout la valeur du couplage qui les dfinit, mais aussi le niveau de pertes prsent dans le
systme. Les figures III.16a et b montrent l'volution de la valeur de la frquence d'excitation pour laquelle
la puissance dissipe sur une rsistance R est maximale, en fonction des facteurs de pertes visqueuses et
structurales. Puisque il y a deux maximums, un pour la rsonance (RES) et l'autre pour l'antirsonance
(ARES), nous prsentons chaque fois les deux courbes. Le niveau des pertes visqueuses influence surtout la
frquence d'antirsonance, laquelle se rapproche la frquence de rsonance (figure III.16a). Par contre dans
le cas des pertes structurales, la frquence de rsonance se rapproche de la frquence d'antirsonance. Dans
le cas rel, o les deux types de pertes sont prsents nous aurons les deux pics en frquence qui se
rapprochent et dans le cas extrme de forte amortissements nous aurons un seul pic.
La figure III.17a prsente l'influence du facteur de pertes dilectriques sur les frquences de rsonance
et antirsonance. De mme que dans les autres cas, ce type de perte influence surtout le comportement en
antirsonance. Avec l'augmentation de tan, la frquence correspondante l'antirsonanace diminue et
s'approche la frquence de rsonance. Finalement la figure III.17b indique l'volution de ces deux
frquences en fonction du facteur de couplage effectif k
e
. La diffrence entre la frquence de rsonance
(=1) et celle d'antirsonance augmente avec le couplage. En cas d'absence d'effet pizolectrique, le
systme est caractris par une seule frquence de rsonance.
Figure III.16 : Variation de la frquence de rsonance (RES) et d'antiresonance (ARES) en fonction de la valeur
du coefficient de l'amortissement visqueux (a) et structural (b) pour toutes les autres pertes fixes 1%.
(b)
(a)
Figure III.17 : Variation de la frquence de rsonance (RES) et d'antiresonance (ARES) en fonction de la valeur de
pertes dilectriques (a) et le coefficient du couplage pizolectrique (b) pour toutes pertes invariables gales 1% .
III.2.2.5. Facteur de couplage
Le facteur de couplage correspond la relation entre l'nergie mcanique fournie au systme et
l'nergie lectrique gnre. Nous utilisons ici un facteur de couplage effectif k
e
,

li au facteur intrinsque k
33
avec la relation reporte dans le tableau III.5. La figure III.18a prsente l'volution de la puissance dissipe
sur la rsistance de valeur optimale en fonction du facteur de couplage dans le domaine frquentiel.
(a)
(b)
Figure III.18 : Influence du facteur de couplage sur la puissance dissipe sur une rsistance de valeur optimale
dans le domaine frquentiel (a) et en fonction de la rsistance de charge (b).
(b) (a)
Nous remarquons qu'il existe une valeur de couplage critique partir de laquelle la puissance cesse
d'augmenter. La figure III.18b prsente la mme relation, mais cette fois-ci c'est la puissance en fonction du
facteur de couplage et la valeur de la charge rsistive. Nous pouvons voir que pour la mme valeur du facteur
de couplage deux pics existent dans le domaine frquentiel ainsi que deux valeurs optimales de rsistance de
charge. La valeur de puissance dissipe cesse d'augmenter quand les deux pics apparaissent. Il n'est pas
intressant d'augmenter le facteur de couplage au-dessus de ce point, sauf pour largir la bande passante du
gnrateur. La figure III.19 montre l'influence des pertes sur ce comportement.
Nous pouvons voir que la valeur critique du couplage ainsi que la puissance maximale varie avec le
niveau des pertes. En fait, dans les cas o les pertes sont leves, la puissance sature pour des valeurs de
couplage plus leves. Pour des valeurs des coefficients de pertes (, et tan) infrieures 10%, une valeur
de couplage k
e
de l'ordre de 0,5 (ce qui correspond k
33
de 0,45) est suffisant.
Nous pouvons dfinir deux zones en fonction de la valeur du couplage et le niveau de pertes, spars
par une courbe de tendance correspondante la valeur de couplage critique. Dans la zone Z
2
, de couplage
lev, le niveau de la puissance gnre est invariable avec le facteur de couplage, mais varie avec le facteur
de pertes. En revanche, dans la zone Z
1
, de couplage faible, la puissance dpend fortement du facteur de
couplage, donc il peut tre intressant d'augmenter le facteur de couplage, mme si cela implique
l'augmentation des pertes. Par exemple il est plus intressant d'utiliser les cramiques dures avec un facteur
de pertes faible que les cramiques douces avec un facteur de couplage plus important, mais aussi des pertes
plus importantes. Par contre dans des systmes trs faiblement coupls, il est plus intressant d'augmenter le
facteur de couplage que de diminuer les pertes.
(a)
(b)
Figure III.19 : Relation entre le facteur de couplage ke et la puissance dissipe sur une rsistance de valeur
optimale en prsence des pertes visqueuses (a) et structurales (b).
III.2.3. Puissance d'entre
La puissance dlivre par le gnrateur doit tre compare avec la puissance disponible pour
dterminer l'efficacit de la conversion. La puissance mcanique d'entre peut tre exprime de deux faons :
La premire prend en compte uniquement la puissance dlivre au systme mcanique. Dans ce cas
la formule III.24 va tre utilise pour exprimer la puissance d'entre, avec m tant la masse du systme en
mouvement et V la vitesse de dplacement du systme. En reprsentant l'quation III.24 dans le domaine
de Laplace, on obtient la formule III.25. En rgime permanent et pour un mouvement sinusodal, p peut
tre remplac par j pour obtenir l'expression de la puissance en fonction de la frquence.
P
i n
=m A
i n
V
i n
(III.24)
P
i n
=m
A
i n
2
p
(III.25)
P
i n
=
mA
i n
2
j o
(III.26)
Cette approche ne prend pas en compte la structure mcanique du systme, les pertes et la frquence de
rsonance mcanique.
La deuxime mthode part de l'ide d'explorer uniquement l'efficacit de transduction en liminant
l'influence de la structure mcanique. Pour faire cela, un systme similaire, purement mcanique est
analys. Il est dcrit par l'quation III.27 avec les pertes visqueuses et structurales . En passant par le
domaine de Laplace et en introduisant la pulsation de rsonance du systme
N
, le dplacement peut tre
reprsent par la formule III.28.
mA
i n
=m

w+2 mo
N

w+k (1+) w
(III.27)
w=
A
i n
p
2
+2o
N
p+o
N
2
(III.28)
La puissance qui peut tre transforme dans un tel systme est gale au produit de la force avec laquelle la
masse sismique dforme le ressort, et sa vitesse (quation III.29).
P
i n
=k w wP
i n
=k w
2
p (III.29)
En insrant l'quation III.28 dans l'quation III.29 et en remplaant p par j, on obtient la puissance
mcanique d'entre dans la formule III.30.
P
i n
=
k D j A
i n
2
o
N
3
|D
2
(
2
1)+( j D+1)
2
2 (III.30)
Dans cette analyse, l'acclration d'entre est prise invariable en frquence ce qui est en accord avec le cas
des machines industrielles prcdemment dcrites.
Dans le cas simple, la puissance d'entre dpend uniquement de l'amplitude de l'acclration d'entre
et de sa frquence ainsi que de la valeur de la masse du systme mis en vibration. Nous allons dfinir un
rendement total
tot
en divisant la puissance lectrique dissipe sur une rsistance de charge par ce type de
puissance mcanique d'entre. Ce rendement peut dpasser la valeur de 1, parce que le phnomne de
rsonance mcanique de la structure n'est pas inclus dans la puissance de rfrence. Dans le deuxime cas, la
gomtrie du systme est prise en compte, donc des facteurs comme la frquence de rsonance du systme,
les pertes et la raideur du ressort vont tre introduits. Dans ce dernier cas, la puissance d'entre en rsonance,
en l'absence de pertes est bien sr infinie. Nous allons dfinir le rendement pizolectrique
pz
en utilisant
cette puissance d'entre comme rfrence. La figure III.20 montre les deux types de rendement en fonction
de la frquence d'excitation et la rsistance de charge. Dans le cas du rendement total, deux pics en frquence
peuvent tre distingus, exactement comme dans le cas de la puissance de sortie. Par contre dans le cas du
rendement pizolectrique, on s'aperoit que pour le systme fonctionnant la rsonance mcanique, le
rendement de conversion est minimal. Par contre le rendement correspondant au pic d'antirsonance est
beaucoup plus lev. Cela montre uniquement la faiblesse de cette dfinition du rendement, parce qu'il utilise
le comportement d'un systme purement mcanique pour valuer la puissance d'entre, dans lequel
l'antiresonance n'existe pas.
(a)
(b)
Figure III.20 : Rendements de conversion : total (a) et pizolectrique (b).
Cette effet est encore plus visible sur la figure III.21 qui prsente les valeurs de rendement en fonction
de la frquence d'excitation pour une puissance dissipe toujours sur une rsistance de valeur optimale. Dans
le premier cas les deux pics sont de hauteur quivalente, mais dans le deuxime de cas le pic de rsonance
devient un minimum. Le vrai rendement devrait prendre en compte le couplage pour reprsenter
l'antiresonance, mais cela est impossible en utilisant un systme de rfrence purement mcanique.
La figure III.22 explore l'influence des pertes sur l'efficacit de conversion. D'aprs la figure III.22a,
les pertes visqueuses diminuent le rendement total, ce qui est attendu. Une partie de l'nergie d'entre est
perdue en frottement avec l'air. Dans le cas du rendement pizolectrique, c'est uniquement le comportement
en rsonance qui peut tre considr. D'aprs la figure III.22b, le rendement de conversion semble augmenter
avec les pertes. En fait le rendement de conversion augmente, mais la puissance de sortie diminue, parce que
l'nergie d'entre diminue plus vite que l'augmentation du rendement.
Figure III.21 : Rendements pour une rsistance optimale : rendement total (a) et pizolectrique (b).
(a) (b)
Figure III.22: Influence de pertes visqueuses sur l'efficacit de conversion : l'efficacit totale sur une rsistance
optimale (a) et l'efficacit pizolectrique en rsonance sur une rsistance optimale (b).
(b) (a)
Pour conclure, on peut dire que le rendement de conversion pizolectrique augmente avec les pertes
et en plus il est minimal la rsonance. Au niveau du rendement total du systme, il prsente deux pics
correspondants la rsonance et l'antirsonance du systme lectromcanique. Cette discussion dmontre
qu'il est trs difficile de dterminer le rendement de conversion d'un systme de rcupration d'nergie
surtout au niveau de la dfinition de l'nergie d'entre. Le rendement total est utile, mais prend en compte
non seulement le rendement du systme de conversion mais aussi le systme mcanique. Par contre le
rendement pizolectrique ne prend pas en compte l'antirsonance ce qui le rend inutile hors de la rsonance.
III.2.4. Application pour les matriaux existants
Nous avons dcid d'explorer quel niveau de puissance peut tre thoriquement obtenu avec diffrents
types de matriaux pizolectriques. Les matriaux que nous avons choisis sont prsents dans le tableau
III.8. Nous avons slectionn le monocristal de PZN-PT (le meilleur au niveau du couplage), diffrents types
de PZT et finalement l'AlN dont la dpt en couche mince est bien matrise.
Matriau k33 ke 33
S
Y [GPa] Q tan Ref
PZN-PT 0,92 2,3474 1386 120 61 0,82% 1% [75], [76]
PZT-5H 0,75 1,1339 3800 62 32 1,56% 2% PSI-5H4E
PZT4 0,7 0,9608 1450 70 500 0,1% 0,5% TRS100HD
AlN 0,3 0,3145 10,5 300 120 0,42% 0,1% [72], [69]
Tableau III.8 : Matriaux considrs pour la conversion pizolectrique.
Le lien entre la qualit mcanique et le coefficient d'amortissement mcanique est report dans
l'quation III.31. Dans tous les cas nous avons pris le mme facteur d'amortissement visqueux de 1%.
=( 2Q)
1
(III.31)
La figure III.23 prsente les puissances obtenues sur la rsistance de charge de valeur optimale pour la
gamme de frquences couvrant les deux pics et autour de la frquence de rsonance. Les dimensions des
lments pizolectriques ont t adapts pour que tous les systmes vibrent la mme frquence de
100kHz. Les quatre matriaux ont des facteurs de couplage diffrents donc aussi des carts diffrents entre la
frquence de rsonance et celle d'antiresonance. C'est le PZT4 qui dlivre le plus de puissance, grce au
facteur de couplage lev et aux trs faibles pertes. L'AlN propose un peu moins de puissance, malgr le
faible facteur de couplage. Ceci est d non seulement au faibles pertes mais aussi son faible coefficient de
permittivit lectrique. Les deux derniers matriaux, PZT5H et PZN-PT souffrent de pertes leves ce qui
limite leurs performances.
Ces rsultats sont en accord avec le paragraphe III.2.2.5 qui explore l'influence du facteur de couplage
sur la puissance de sortie. En fait pour les systmes fortement coupls, la puissance de sortie cesse
d'augmenter partir de la valeur de couplage d'environ 0,5 et ce sont les pertes prsentes dans le systme qui
dterminent l'efficacit de la conversion.
La figure III.24 montre les valeurs de rsistance optimale, en fonction de la frquence d'excitation
pour les quatre matriaux. Le gros inconvnient de l'utilisation de l'AlN, est que la valeur de rsistance
optimale est trs leve. Ceci est souvent trs difficile implmenter dans des systmes rels.
Figure III.24 : volution de valeurs optimales de rsistance en fonction de la
frquence d'excitation pour les quatre matriaux.
Figure III.23 : Puissance dissipe sur une rsistance de charge de valeur optimale pour les quatre matriaux
considrs : dans la gamme complte de frquences (a) et autour de la rsonance (b).
(b)
(a)
III.2.5. Bilan de la modlisation
Le but du modle prsent ici tait d'valuer les performances du gnrateur pizolectrique en
fonction des diverses paramtres du systme. Nous nous sommes bass sur des modles prcdemment
dvelopps en approfondissant l'analyse et en ajoutant une analyse dtaille de l'influence des pertes.
Le comportement du systme fortement coupl prsente deux pics un correspondant la rsonance
et l'autre l'antirsonance de l'lment pizolectrique. Le choix du point de fonctionnement du systme doit
porter sur les constatations suivantes :
En l'absence de pertes, la puissance dissipe en rsonance et l'antirsonance est identique, par
contre le dplacement de la masse sismique est plus important dans le cas de la rsonance.
Pour augmenter la puissance gnre il est toujours souhaitable de maximiser la masse sismique et
la raideur du ressort (pour garder la frquence de rsonance souhaite). Cela veut dire que l'utilisation des
matriaux lourds (tungstne) pour la masse sismique est considrer quand le dispositif est limit en
volume. De plus la puissance est inversement proportionnelle au carr de la frquence de rsonance du
systme, donc il est parfois plus intressant de travailler sur un pic de frquence plus basse mme s'il est
de plus faible amplitude.
La tension dveloppe sur la rsistance de charge est beaucoup plus leve en antirsonance, ce qui
facilite sa dtection.
Les pertes diminuent la puissance dissipe sur les deux pics, sauf les pertes dilectriques qui
influencent surtout l'amplitude du pic d'antirsonance.
Les valeurs optimales de la rsistance de charge sont fortement influences par les pertes et tendent
vers une valeur commune pour les deux pic pour des amortissements trs forts.
La puissance gnre augmente avec le facteur de couplage, mais uniquement jusqu' la valeur
critique (qui dpend du niveau de pertes) aprs laquelle, la puissance sature. De plus, il est intressant de
minimiser les pertes dans les systmes fortement coupls (mme si cela ncessite de diminuer le facteur de
couplage) et inversement dans des systmes faiblement coupls.
Entre les quatre matriaux valus, c'est le PZT4 qui s'avre le plus efficace. Ses performances sont
nettement meilleures que celles de l'AlN. Le PZT5H ainsi que PZN-PT souffrent de pertes trs levs qui
limitent leurs performances malgr le facteur de couplage trs lev.
Dans la conception de notre gnrateur, nous allons maximiser la masse sismique et minimiser les
pertes (dans la mesure du possible). La frquence de rsonance du systme va tre dfinie par les
caractristiques de l'excitation, mais nous allons valuer les pics en fonction de la puissance qu'ils peuvent
fournir. Nous allons aussi concevoir notre systme pour qu'il travaille la rsonance plutt qu'
l'antirsonance pour minimiser l'influence des pertes dilectriques. Les matriaux que nous allons utiliser,
notamment l'AlN et le PZT en couche mince dont les proprits sont proches de celles du PZT4, devraient
s'avrer trs efficaces au niveau de la gnration d'nergie dans des systmes rsonants.
III.3. Diffrents types de gnrateurs
Le modle prsent dans la partie prcdente est applicable pour tous les types de gnrateurs
rsonants utilisant l'effet pizolectrique pour convertir l'nergie mcanique en nergie lectrique.
Nanmoins, l'efficacit et la faisabilit du gnrateur dpendent de sa structure et de sa gomtrie. Nous
allons prsenter les diffrentes possibilits que nous avons analyses au cours de ce travail. Le but de cette
thse tant de crer un dispositif miniature, la possibilit de microfabrication va tre analyse dans chaque
cas.
III.3.1. Structure mobile
Le type de la structure mobile est important pour dfinir la frquence de rsonance du systme et le
couplage entre la partie mcanique et l'lment pizolectrique. Dans tous les cas, le dispositif va tre
compos d'une masse sismique, laquelle va imposer des contraintes sur le reste du systme. Selon les
rsultats de la modlisation du systme simple une dimension, il est souhaitable de maximiser la masse
sismique. De plus, comme nous l'avons dmontr dans le chapitre II, la gamme de frquences prsente dans
l'environnement est dans la plupart des cas limite aux basses frquences (infrieurs 1kHz), il faut donc
chercher baisser la frquence de rsonance propre du systme. Cette indication n'est pas facile suivre,
surtout si un dispositif miniature doit tre conu. Nous proposons trois types de structures rsonantes : une
poutre encastre-libre, une poutre encastre-encastre et une spirale. La modlisation de ces dispositifs va
tre prsente dans les chapitres suivants.
III.3.2. Positionnement de l'lment actif
Le positionnement de l'lment actif pizolectrique dfinit de quelle faon celui-ci va tre dform.
De plus, ce choix va influencer la relation entre l'nergie transfre dans l'lment actif et, celle perdue dans
l'encastrement.
Sur la structure mobile
L'attachement direct de l'lment actif sur la structure mobile est le plus facile mettre en oeuvre et le
plus souvent utilis. Dans ce cas, la dformation de l'lment actif pizolectrique est impose par la
dformation de la partie mcanique de la structure mobile. Ce type de systme est prsent dans la figure
III.25.
Figure III.25 : Positionnement de l'lment actif pizolectrique sur la structure mobile.
Dans ce cas, la partie mcanique de la structure mobile est directement lie au substrat, sans aucun
intermdiaire. Ce type de structure est facilement ralisable par les mthodes de microfabrication parce
qu'elle est compose de plusieurs couches. De plus la dflexion de la structure mobile impose une
dformation importante de l'lment actif, mais d'un autre ct, c'est seulement le mode sollicitant le
coefficient d
31
qui peut tre utilis. Par contre les pertes lies au rayonnement de l'nergie dans le substrat
sont importantes, surtout pour les frquences leves [77].
A l'encastrement
Le type d'encastrement influence d'une faon trs importante la quantit d'nergie convertie et les
pertes mcaniques dissipes dans le substrat. Pour augmenter la qualit de l'encastrement, il est toujours
souhaitable que le substrat soit fait d'un matriau dur et que la jonction entre la structure et le substrat soit
rigide. Sinon une grande partie de l'nergie est dissipe dans ce dernier. On peut imaginer l'introduction d'un
lment plus mou entre la structure mobile et l'encastrement pour que toute dformation soit concentre sur
cet lment. S'il est pizolectrique, un gain important peut tre obtenu par rapport aux structures
traditionnelles. De plus, l'lment pizolectrique peut travailler en compression, ce qui est trs favorable
pour sa dure de vie. Une telle structure est prsente sur la figure III.26.
Dans ce cas, la dformation de l'lment pizolectrique se fait au niveau de l'encastrement.
L'avantage de cette solution est qu'il est possible de contrler l'endroit ou l'nergie est dissipe par le choix
des matriaux utiliss. Par contre cette solution est trs difficilement miniaturisable. De plus dans le cas des
microsystmes, la partie mcanique est souvent faite en silicium, ce qui entame une restriction sur le choix
des matriaux. Dans cette solution le mode 33 de l'lment pizolectrique caractris par un facteur de
couplage beaucoup plus important que le mode 31 (0,72 contre 0,35 [78]) peut tre mis en oeuvre.
Entre la structure mobile et l'lment immobile
Dans cette solution, appele aussi systme levier , l'lment actif pizolectrique est plac entre la
structure mobile et la paroi fixe. Le mouvement relatif de ces deux points impose des contraintes sur
l'lment pizolectrique. La structure mobile est directement attache au substrat, comme dans l'approche
standard. Par contre il est possible d'utiliser le mode d33 comme dans l'approche l'encastrement .
Pourtant cette solution, montre la figure III.27, est trs difficilement miniaturisable.
Figure III.26 : Structure avec lments pizolectriques l'encastrement.
Entre les trois possibilits prsentes, c'est la solution o l'lment pizolectrique est plac
l'encastrement qui est la plus avantageuse. Par contre, c'est uniquement l'approche standard qui peut tre
facilement intgr en tant que MEMS. C'est pour cela que dans un dispositif microfabriqu, nous allons
utiliser cette solution. Pour les dmonstrateurs de taille centimtrique, les deux autres solutions peuvent
s'avrer plus efficaces.
III.4. Systmes non rsonants et ajustables
Dans nos travaux nous nous sommes focaliss sur la conception d'un systme rsonant dont la
frquence est gale la frquence d'excitation. Nanmoins, dans un cas rel, plusieurs facteurs peuvent
provoquer un dsaccord entre ces deux frquences. D'un ct, il est trs difficile de fabriquer des dispositifs
avec des frquences de rsonance bien dfinies et rptables cause de la dispersion des paramtres des
matriaux et l'imperfection de la gomtrie du dispositif. D'un autre ct, la frquence d'excitation en elle
mme peut tre soit variable, soit non prcisment dfinie. C'est pour cela que le sujet d'adaptation de
frquence est d'une importance primordiale dans notre dmarche. Dans la suite de ce paragraphe nous
prsentons deux types de solutions : les approches actives, ncessitant une intervention pour modifier
(ajuster) la frquence de rsonance du systme, et les approches passives, ou le systme possde une
rsonance non-linaire ou ne la possde pas du tout. Les systmes actifs impliquent normalement une
consommation d'nergie additionnelle, mais la base sont plus performants, par contre les systmes passifs
ne ncessitent pas d'alimentation. Dans la suite nous allons prsenter diffrentes approches proposes dans la
littrature.
III.4.1. Matrices de dispositifs
L'approche la plus simple pour concevoir un systme qui peut travailler effectivement en tant excit
des frquences diffrentes, est de concevoir une matrice de dispositifs dans laquelle chaque structure
lmentaire est caractrise par une frquence de rsonance lgrement diffrente. Cette approche est
analyse par S.M. Shahruz [79], [80] et est appele filtres passe bande mcaniques . Son dsavantage
intrinsque est que, une excitation donne, c'est uniquement un dispositif qui travaille en rsonance en
apportant de l'nergie tandis que les autres dispositifs fournissent des signaux trs faibles et en plus dphass.
Cela impose qu'un systme de commutation entre les dispositifs soit implment pour liminer les pertes et
les capacits parasites lies avec les dispositifs inactifs. De plus, il existe un compromis entre la taille du
systme et la largeur de la bande passante vise. Nanmoins, cet approche est facile raliser et ne ncessite
Figure III.27 : Structure avec lment pizolectrique attach entre la structure mobile et le paroi fixe.
pas d'nergie additionnelle pour fonctionner. On peut aussi noter qu'en ralit la dispersion des paramtres de
fabrication fait que mme sans le vouloir un tel systme est souvent cr.
III.4.2. Systmes ajustables
Les systmes ajustables permettent de changer leur frquence de rsonance par une action externe.
Pour faire cela la structure en elle mme doit tre modifie soit mcaniquement, soit lectriquement pour
ajuster sa frquence de rsonance. L'approche mcanique, prsente par exemple par la socit Perpetuum
[50], inclue un systme de rglage manuel en utilisant une vis qui modifie la rigidit de l'encastrement.
L'utilisation de cette technique dans des systmes miniatures est bien sr exclure.
Une autre solution est propose par G. Piazza et al. [81]. Le systme prsent sur la figure III.28a
consiste introduire une capacit entre l'lment mobile et le substrat. En chargeant la capacit, une force est
applique sur la structure ce qui provoque sa dformation. Cela fait varier la frquence de rsonance. Cette
mthode ncessite une source externe de tension leve et en plus, elle est trs peu efficace. En fait, les
rsultats reports sur la figure III.28b tmoignent d'une variation d'environ 1% au niveau de la frquence de
rsonance de la structure pour une tension d'actionnement de 20V.
Une approche similaire consiste introduire une lectrode de rglage sur un systme
pizolectrique. La figure III.29a prsente une structure propose par S. Roundy et al. [82]. Il s'agit d'une
poutre encastre-libre avec une masse sismique et deux lectrodes sur la couche pizolectrique : une pour la
rcolte de l'nergie et l'autre pour le rglage de la frquence de rsonance du dispositif. Une diffrence de
tension de 20V applique sur l'lectrode de rglage permet de faire varier la frquence de rsonance de 26% -
figure III.29b. Nanmoins, cette opration ncessite des quantits d'nergie importantes, mme plus
importantes que l'nergie rcolte. En fait, les tudes prsentes prcisent que l'utilisation de cette technique
pour adapter la frquence de rsonance donne des amliorations en puissance ngatives, c'est dire la
puissance consomme par le systme de rglage est trs suprieure celle gnre par le dispositif.
Figure III.28 : Dispositif de rglage de la frquence de rsonance par effet capacitif (a) et courbe de variation de la
frquence de rsonance (b).
(a) (b)
III.4.3. Systmes non-rsonants
Dans le chapitre II nous avons dj rfrenc les travaux de l'quipe de l'Imperial College Londres
concernant les systmes paramtriques. Ce sont des assemblages dont le comportement est intrinsquement
non-linaire et leur fonctionnement consiste en l'existence de deux (voir plus) positions stables de la masse
sismique entre lesquels elle se dplace excite par une force externe. La force excitatrice doit tre
suffisamment leve pour pouvoir dplacer la masse entre les deux positions stables. Si cela n'est pas le cas,
le systme va se comporter comme un systme rsonant autour d'une des positions stables. Si la force
excitatrice est suffisamment leve pour faire basculer la masse mobile, un tel systme se caractrise par le
fait que c'est uniquement l'amplitude de l'acclration externe applique qui compte et non sa frquence. Un
tel dispositif, utilisant la transduction capacitive, est propos par Mitcheson et al. [83] et prsent sur la
figure III.30.
La puissance est gnre quand l'lectrode mobile (la masse sismique) se dtache du contact de
prcharge et se dplace en diminuant la capacit du systme. La tension sur l'lectrode mobile augmente
(charge reste constante) et le dispositif se dcharge de l'autre ct de la cavit au maximum de tension et
minimum de la valeur de capacit. Puisqu'une nergie constante est gnre pendant chaque basculement, la
puissance gnre est proportionnelle la frquence d'opration du dispositif. Comme nous l'avons dj
Figure III.29 : Dispositif avec rglage de frquence d'un gnrateur pizolectrique (a) et courbe de variation
de la frquence de rsonance en fonction de la tension applique (b).
(a) (b)
Figure III.30 : Gnrateur capacitif paramtrique propos par Mitcheson et al. [83].
prsent dans le chapitre II ( II.2.2), ce systme est plus efficace que des systmes rsonants uniquement
quand la frquence d'excitation est trs infrieure la frquence de rsonance de la structure. C'est pour cela
qu'il est bien adapt pour des applications utilisant l'nergie des vibrations d'une trs faible frquence, par
exemple celles gnres par les tres humains.
III.4.4. Systmes rsonants non-linaires
La relation non-linaire entre la dformation et les contraintes provoque l'apparition d'effets
particuliers au niveau du comportement frquentiel des structures. Puisque cette relation est d'autant plus
marque que le niveau de contrainte est lev, les effets non-linaires sont visibles dans des systmes ou des
matriaux de trs bonne qualit qui permettent alors des dformations importantes. C'est le cas par exemple
des structures MEMS fabriques partir du silicium monocristallin.
Pour modliser le comportement non-linaire d'un systme simple d'une masse sismique supporte par
un ressort, la relation entre la force de rappel du ressort et sa dformation peut tre exprime par l'quation
III.32. Deux coefficients additionnels de rigidit sont introduits pour reprsenter la non-linarit.
F=k xk
1
x
2
k
2
x
3
(III.32)
L'quation de mouvement dynamique, d'un tel systme devient quation III.33.
M

x+\

x+kx+k
1
x
2
+k
2
x
3
=F cos ot (III.33)
Le comportement frquentiel est prsent sur la figure III.31. Pour des excitations leves, le
comportement dvient diffrent selon la direction du balayage en frquence et en plus une discontinuit (un
saut) appairait pour une frquence critique variable avec l'excitation. Des comportements de ce type peuvent
tre observs dans des systmes prcontraints, o la prsence des contraintes interns leves rend le
comportement de la structure trs non-linaire mme pour des faibles dformations. En augmentant
l'amplitude de dplacement la variation en frquence peut tre trs importante.
Une autre mthode pour rendre un systme non-linaire est d'introduire une force externe, dont la
relation avec le dplacement est non-linaire. Le comportement d'un tel systme va tre similaire celui
Figure III.31 : Deux comportements frquentiels possibles d'un systme non-linaire selon le signe du paramtre k2
[84] pour diffrents niveaux d'excitation.
prsent. Un exemple d'implmentation est le dispositif de rcupration d'nergie propos par Spreeman et
al. [85] reprsent sur la figure III.32a.
Le systme est constitu d'un aimant attach sur un ressort et deux aimants immobiles. La prsence
d'une force externe d'interaction entre les aimants rend ce systme fortement non-linaire, dont le degr peut
tre modifi manuellement par le positionnement des aimants. La gnration d'nergie se fait d'une manire
lectromagntique en utilisant les mmes aimants. La figure III.32b prsente les rsultats de modlisation de
la puissance gnre dans le domaine frquentiel pour six positions des aimants. Les pics de rsonance
tmoignent d'une forte non-linarit positive, c'est dire avec l'accroissement de l'amplitude d'excitation, la
frquence de rsonance augmente aussi.
Les mthodes non-linaires peuvent conduire la conception de systmes qui peuvent gnrer de
l'nergie de faon efficace pour une large gamme de frquences d'excitation. De plus, ces systmes ne
ncessitent pas de sources d'alimentation externes, contrairement aux systmes ajustables. Grce sa non-
linarit, le systme va toujours travailler en rsonance entre sa frquence de rsonance linaire et la
frquence de saut. Nous allons essayer d'utiliser les contraintes entre les couches structurelle et
pizolectrique pour concevoir un dispositif trs non-linaire.
III.5. Conclusion
Dans ce chapitre nous avons dcrit l'effet pizolectrique et nous avons examin l'aptitude des
matriaux pizolectriques pour la gnration de l'nergie lectrique. Ensuite, un modle gnral
unidimensionnel d'un gnrateur pizolectrique a t analys en dtails. Nous en avons extrait des
remarques pour guider la conception de nos dispositifs. Nous avons explor l'influence des pertes prsentes
dans le systme sur son comportement lectromcanique. Ce chapitre contient aussi une tude sur les types
de structures qui peuvent tre employes. Pour chaque cas, nous avons valu les possibilits de
miniaturisation, tant au niveau des matriaux utiliss que des gomtries des structures.
Figure III.32 : Gnrateur lectromagntique avec une frquence de rsonance ajustable grce la non-linarit du
systme, principe de fonctionnement (a) et rsultats exprimentaux (b).
(b)
(a)
Finalement nous avons touch une thmatique trs importante concernant l'adaptation de la frquence
de rsonance du systme la frquence d'excitation. Nous avons constat, que les mthodes non-linaires
rpondent au mieux aux performances souhaites dans les systmes miniatures.
Dans le chapitre IV, nous allons prendre en compte ces conclusions pour la conception des dispositifs
du premier lot.
Chapitre IV : Premier lot de prototypes
Dans ce chapitre nous prsentons la conception, la modlisation et la ralisation des premires
prototypes de micrognrateurs d'nergie. Ils sont fabriqus en utilisant une couche mince de nitrure
d'aluminium comme matriau pizolectrique. Tout d'abord les dispositifs en forme d'une poutre avec une
masse sismique au bout, prvus pour avoir la frquence de rsonance autour de 250Hz, vont tre prsents.
Ensuite les poutres encastre-encastres vont tre introduites, pour lesquels un comportement fortement non-
linaire va tre explor. Finalement les structures en forme de spirale, prvues pour vibrer une frquence en
dessous de 100Hz vont tre prsentes. Ce lot de prototypes sert valuer les potentiels de la technologie de
fabrication et explorer les performances de diffrentes structures notamment au niveau des basses
frquences de rsonance. De plus, il va permettre de remonter des valeurs exprimentales prcises des
grandeurs physiques mises en jeu, ce qui est ncessaire pour une bonne modlisation des structures. Une
conclusion contenant les indications pour les prochaines tapes de fabrication achve ce chapitre.
IV.1. Modlisation des convertisseurs mcano-lectriques
En suivant le raisonnement prsent dans les chapitres prcdents, nous avons choisi d'explorer trois
types de dispositifs, notamment les poutres encastres-libres, les poutres encastres-encastres et les spirales.
IV.1.1. Poutre encastre-libre
La structure principale que nous allons examiner est une poutre encastre-libre avec une grande masse
sismique au bout. Ce type de dispositif a dj t analys par Roundy [38], Lu et al. [86] et Ottman et al. [87]
au niveau macroscopique et Jeon et al. [53] en tant que MEMS. Ce type de structures est facilement
ralisable en utilisant des composants macroscopiques : un bimorphe pizolectrique et une masse sismique,
et donne des rsultats satisfaisants (voir les rsultats dans le chapitre II). La masse sismique attache au bout
de la poutre encastre-libre sert diminuer la frquence de rsonance du systme et augmenter la puissance
dlivre. La mise au point de cette structure en tant que MEMS est beaucoup plus difficile que l'approche
macroscopique surtout au niveau de l'intgration des couches minces pizolectriques et de la dfinition de la
masse sismique. Dans la suite de ce chapitre nous allons prsenter un procd spcifique que nous avons
dvelopp pour raliser ce type de structure. Dans le cas d'une structure microfabrique, il y a une seule
couche pizolectrique dpose sur la poutre, contrairement au bimorphe symtrique avec deux couches
pizolectriques, utilis dans les ralisations macroscopiques. Un exemple d'une structure de ce type est
prsent dans la figure IV.1.
La structure est compose d'une poutre en silicium de longueur L
P
, largeur B
P
et paisseur H
P
sur
laquelle une couche fine du matriau pizolectrique est dpose. Au bout de cette poutre une grande masse
sismique est attache dont la longueur est dnomme L
M
, la largeur B
M
et la hauteur H
M
. Une acclration
applique sur la structure provoque le dplacement de la masse et la dformation de la poutre, laquelle
impose des contraintes dans la couche pizolectrique laquelle ensuite gnre des charges lectriques.
IV.1.1.1. Frquence de rsonance
La frquence de rsonance d'une poutre avec une masse sismique (figure IV.1) peut tre obtenue
partir de l'quation IV.1. Dans ce calcul nous allons ngliger l'influence de la couche pizolectrique et nous
allons supposer que les dimensions de la masse sismique dfinissent uniquement la valeur de sa masse (elle
est donc considre ponctuelle). Une modlisation analytique plus pointue d'une structure de ce type va tre
prsente dans le chapitre suivant.
f
r
=
1
2n
.
3Y I
L
P
3
(
M+0,24 M
b
)
=
1
4 n
.
Y B
P
H
P
3
L
3
j
(
B
M
H
M
L
M
+0,24 B
P
H
P
L
P
)
(IV.1)
Avec :
fr la frquence de rsonance
Y le module de Young de la poutre
I =
1
12
B
P
H
P
3
le moment d'inertie par rapport l'axe neutre de la poutre
LP la longueur de la poutre
la masse volumique du matriau de la poutre
M la valeur de la masse sismique
Mb la masse de la poutre
BM la largeur de la masse sismique
HM la hauteur de la masse sismique
LM la longueur de la masse sismique
BP la largeur de la poutre
Figure IV.1 : Schma d'une poutre encastre-libre avec une masse sismique et une couche mince pizolectrique.
HP l'paisseur de la poutre
Dans le cas d'un dispositif microfabriqu, le matriau utilis est le silicium monocrystalin qui peut tre
assimil au premier temps comme matriau isotrope avec le module de Young de 160GPa. L'paisseur de la
masse sismique est impose par l'paisseur de la plaquette, environ 500m. Nous allons prendre 5m pour
l'paisseur de la poutre et nous allons limiter la surface occupe par le dispositif 4mm
2
. Puisque nous
essayons de minimiser la frquence de rsonance du dispositif, alors nous allons prendre la largeur de la
masse sismique gale 2mm. Avec ces suppositions, la frquence de rsonance en fonction de la largeur de
la poutre et de la longueur de la masse sismique est prsente sur la figure IV.2a. La figure IV.2b prsente la
mme valeur, mais pour la largeur de la poutre fixe 1mm.
La frquence est minimale pour la longueur de la masse sismique gale 1mm, c'est 50% de la
longueur totale du dispositif. C'est l'effet d'un compromis entre une longue poutre qui diminue la frquence
de rsonance, mais aussi diminue la taille de la masse sismique, et une grande masse sismique avec une
poutre courte. Pour une structure qui occupe 4mm
2
d'une plaquette en silicium, une frquence de rsonance
de moins de 130Hz peut tre obtenue. Par contre, la condition de la frquence de rsonance minimale se
traduisant par la longueur de la masse sismique de 50% de la longueur totale du dispositif n'est pas en accord
avec les rsultats de la modlisation 1D lesquels exigent que la masse sismique soit la plus grande possible
ainsi que la rigidit de la poutre de support. De plus, pour des paisseurs trs faibles de la poutre et grandes
masses sismiques, les problmes de fiabilit peuvent apparatre.
IV.1.1.2. Modlisation FEM
Nous avons cr un modle FEM pour analyser le comportement dynamique de la structure en forme
de poutre encastre-libre avec une grande masse sismique au bout. La figure a montre un modle FEM
Figure IV.2 : Frquence de rsonance de la poutre en fonction de la longueur de la masse sismique LM et la largeur
de la poutre BP .
(a)
(b)
ralis avec le logiciel ANSYS
TM
. La longueur et la largeur de la poutre sont gales 1mm et l'paisseur est
gale 5m. La largeur de la masse sismique est gale 2mm, la longueur 1mm et l'paisseur 0,5mm.
Une couche pizolectrique de PZT4 de 1m est dpose sur la structure. La frquence de rsonance simule
pour ce systme est gale environ 140Hz. Cette valeur est un peut plus leve que la valeur analytique
cause de la couche pizolectrique prise en compte. Nous avons effectu une analyse statique comprenant la
rponse de ce systme une acclration verticale de 10ms
-2
. La figure IV.3b montre la distribution du
potentiel sur l'lectrode suprieure de la structure dforme, l'lectrode infrieure tant la masse.
La polarit des charges gnres est uniforme sur l'lectrode, ce qui facilite la conception de la
gomtrie des lectrodes. Par contre comme il est montr sur la figure IV.4a, l'amplitude du potentiel est
maximale l'encastrement et minimale l'extrmit du ct de la masse.
Il y a donc un compromis faire au niveau de la taille de l'lectrode suprieure entre le maximum de la
charge collecte et le maximum de l'nergie gnre. La tension gnre est directement lie la contrainte
dans la poutre. Dans le cas idal (modle de Euler-Bernoulli), elle diminue linairement avec la distance de
Figure IV.4 : Dplacement vertical UZ et la tension gnre sur l'lectrode suprieure (a) et la contrainte Sx (b) pour
la poutre soumise une acclration statique de 10ms
-2
en fonction de la position le long de la poutre.
(a)
(b)
Figure IV.3 : Rsultats de la simulation FEM : le modle utilis (a) et la distribution de la tension gnre sur
l'lectrode suprieure (b).
(a)
(b)
l'encastrement mais en ralit il y a une faible influence de l'encastrement figure IV.4b. L'augmentation
abrupte des contraintes l'encastrement est lie au fait que dans la modlisation l'encastrement est idal, c'est
dire tous les dgres de libert sont fixs ce qui rsulte en une non-linarit.
Finalement nous avons effectu des simulations harmoniques pour examiner la rponse d'une telle
structure l'excitation sinusodale diffrentes frquences. Nous avons appliqu une acclration de 2ms
-2
d'amplitude. La figure IV.5 montre le spectre de dplacement vertical du bout de la poutre (UZ) et de la
tension gnre sur l'lectrode suprieure en circuit ouvert. Un amortissement visqueux de 0,5% a t
introduit pour reprsenter l'influence de la pression atmosphrique. Le dplacement maximal de l'ordre de
300m et une tension proche de 0,7V peuvent tre obtenus. Ces niveaux sont influencs par le niveau des
pertes prsentes dans le systme et augmentent avec le carr de l'amplitude de l'acclration (ce qui a dj t
explor dans le chapitre III concernant le systme 1D).
IV.1.1.3. Fiabilit du dispositif
La structure dcrite dans le paragraphe prcdent est caractrise par la distribution des contraintes
prsente dans la figure IV.4b. Le maximum est situ l'encastrement, et c'est pour cette raison, qu'il est le
plus probable que la structure va casser cet endroit. Nous avons fait des simulations FEM pour quilibrer la
distribution des contraintes dans la poutre. En fait, dans le cas idal, la poutre de forme triangulaire devrait
garantir des contraintes uniformes. Nanmoins dans le cas rel, les contraintes augmentent plus la
proximit de l'encastrement (figure IV.4b). C'est pour cela que nous avons dcid de faire des simulations
FEM de cette structure pour dfinir une forme optimale. Nous proposons d'introduire des arrondissements
l'encastrement (figure IV.6) pour augmenter la rigidit et pour rendre la poutre plus rsistante au problmes
de fabrication, surtout au niveau de la gravure face arrire et au retrait de la couche d'oxyde. Ces formes vont
permettre de limiter les pics de contraintes, mais aussi ils vont diminuer la tension gnre. Nous avons
compar des structures de diffrents formes aussi bien au niveau de l'angle de courbure que de la longueur
de la partie courbe a. Pour chaque gomtrie la largeur minimale de la poutre (B
P
)

t varie pour garder
la frquence de rsonance proche de 170Hz. La figure IV.7 prsente les rsultats concernant la valeur des
contraintes le long de l'axe de la poutre et la distribution des contraintes sur la surface de la poutre.
Figure IV.5 : Rsultats de simulations harmoniques FEM : le spectre de dplacement vertical (UZ) et de la tension
gnre en circuit ouvert (Tension) pour une excitation harmonique de 2ms
-2
d'amplitude.
Figure IV.6 : Reprsentation schmatique de la poutre avec les arrondissements l'encastrement.
Figure IV.7 : Rsultats de simulation du niveau de contraintes dans la poutre soumise une acclration statique de
10ms
-2
, pour la longueur courbe de 660m (a) et (b) et pour la longueur courbe de 830m (c) et (d) par rapport
la poutre droite (str).
Nous avons dcid qu'il n'est pas intressant d'uniformiser entirement les contraintes sur toute la
longueur de la poutre, mais plutt diminuer les maximums des contraintes pour ne pas trop diminuer
l'nergie disponible. Nous avons aussi dcid d'introduire un autre arrondissement au bout de la poutre du
(b)
(a)
(c)
(d)
ct de la masse sismique pour viter des possibles fractures lies la gravure et l'enlvement de la couche
enterre d'oxyde.
IV.1.2. Poutre encastre-encastre
Le cas le plus rpandu d'une poutre encastre-libre a certains dsavantages, notamment la fiabilit
limite par les dbattements importants. Par contre, la structure encastre-encastre est beaucoup plus
robuste et rigide. Cela est un grand avantage pour les systmes miniatures o la taille du systme limite
l'amplitude du dplacement maximal. De plus, en suivant les rsultats de la modlisation gnrale 1D,
prsents dans le chapitre III, il est plus avantageux au niveau nergtique de crer des systmes trs rigides,
avec une grande masse sismique. Par contre une telle structure, avec deux ou plusieurs encastrements, va se
caractriser par une frquence de rsonance beaucoup plus importante qu'une structure simplement encastre
avec la mme masse sismique. Finalement, les contraintes entre la couche pizolectrique et la couche de
support mcanique vont pas pouvoir se relaxer cause de l'existence de l'encastrement symtrique,
contrairement au cas de la poutre encastre-libre. Grce cela nous esprons observer des comportements
trs non-linaires avec cette structure, comme nous l'avons expliqu dans le paragraphe III.4.4.
Nous avons effectu des simulations FEM pour explorer le comportement d'une telle structure. La
figure IV.8 prsente un modle FEM d'une poutre encastre-encastre avec une masse sismique au centre.
Une couche pizolectrique de 1m a t dpose sur la structure.
Nous avons fait des simulations statiques en imposant un dplacement vertical sur la masse sismique.
On peut constater que, contrairement au cas de la poutre encastre-libre, des zones de compression et
d'longation existent sur le mme cot de la poutre. Le tableau IV.1 prsente des rsultats pour les
dplacements de la masse de 1, 10 et 100m. Les contraintes S
X
dans la structure dforme sont prsentes
dans la colonne de gauche, tandis que dans la colonne droite, nous avons report les valeurs des dformations
de la poutre et les valeurs de la tension gnre le long de la trajectoire entre les points A et B sur la figure
IV.8b.
Figure IV.8 : Poutre encastre-encastre avec une grande masse sismique au centre en une couche mince
pizolectrique dpose sur la face suprieure du dispositif : un modle FEM (a) et les dimensions (b).
(b) (a)
Contrainte Sx dans la structure Dformation de la poutre et tension gnre par la
couche pizolectrique
Dplacement 1m
Dplacement 10m
Dplacement 100m
Tableau IV.1 : Contraintes gnres dans la structure soumise trois valeurs de dplacements verticaux de la masse
sismique et les valeurs de la dformation ainsi que de la tension le long d'un bras pour chacun de cas.
Nous pouvons voir que pour des faibles dformations, les contraintes dans la couche pizolectrique
sont symtriques ainsi que les charges gnres. Par contre pour les dformations plus importantes, la
distribution des charges n'est plus symtrique, pour aboutir une distribution unipolaire sur la totalit de la
structure. Ce comportement est caractristique pour les structures symtriques dans lesquelles la partie
centrale (la masse sismique) ne subit pas de rotations. La dpendance de la distribution de la force applique
peut tre explique par le fait, que pour des forces leves, la majorit de la poutre n'est plus en
flchissement, mais plutt en longation. Ce fait rend difficile le placement des lectrodes. En fait il faut
prvoir plusieurs lectrodes, dont les signaux devront tre ensuite redresss sparment.
Nous proposons une structure de ce type, dont les dimensions sont prsentes sur la figure IV.9a et le
layout de la puce sur la figure IV.9b. Nous avons plac trois lectrodes spares sur chacun de bras pour
pouvoir rcolter les charges de polarit oppose. Une simulations FEM rsulte en une frquence de
rsonance de cette structure gale environ 800Hz sans prcontrainte. Nanmoins en ralit, nous nous
attendons des contraintes internes trs leves dans les bras de la structure, ce qui va augmenter sa
frquence de rsonance. Finalement, ces contraintes internes induites dans les couches pendant la fabrication
ainsi que sa rigidit et la bonne qualit des matriaux utiliss, vont rendre cette structure trs non-linaire. Ce
fait est particulirement intressant au niveau du comportement frquentiel, ce que nous avons montr dans
le chapitre prcdent et va tre encore analys dans la suite de ce chapitre.
Figure IV.9 : Poutre encastre-encastre avec une grande masse sismique : dimensions de la structure (a) et le
layout de la puce (b).
(b)
(a)
IV.1.3. Modlisation des spirales
En suivant les spectres des vibrations prsentes dans le chapitre II et la modlisation 1D du chapitre
III, il est souhaitable de crer des dispositifs avec la frquence de rsonance la plus faible possible. Les
spirales de petite taille peuvent avoir des frquences de rsonance trs basse, mais elles vont tre trs fragiles
et trs sensibles aux contraintes internes dans les couches, donc trs difficiles fabriquer. De plus, la
conception des modles complets analytiques de ce type de structures est trs complexe. Nous avons effectu
des simulations FEM des spirales avec un, deux et quatre bras avec une masse sismique au centre. La figure
IV.10 prsente un modle d'une spirale pizolectrique avec un bras et une masse sismique au centre.
IV.1.3.1. Frquence de rsonance
Les rsultats des modlisations effectues pour une spirale avec un bras confirment nos attentes. En se
fixant la surface maximale de deux millimtres carrs d'une plaquette en silicium pour un dispositif
microfabriqu, nous pouvons crer des structures avec une frquence de rsonance infrieure 100Hz. La
figure IV.11a montre la surface totale occupe par un dispositif en forme de spirale en fonction du nombre de
spires et la figure IV.11b montre la frquence de rsonance de ces mmes structures.
Figure IV.10 : Modle FEM d'une structure spirale en bimorphe et les dtails de la construction.
Figure IV.11 : Taille et la frquence de rsonance d'une structure spirale.
(b)
(a)
On peut voir qu'une structure occupant une surface de 2mm
3

constitue de 15 spires, a sa frquence de
rsonance aux environs de 80Hz. Nous avons analys plusieurs types de spirales, notamment des spirales
avec un, deux et quatre bras supportant une masse sismique au centre. Les frquences de rsonance des
structures simules varient entre 18,21Hz pour une spirale macroscopique faite partir d'une plaque
bimorphe de 30 par 30mm jusqu' 116Hz pour une spirale microfabrique partir d'une plaquette SOI
occupant une surface de 1,57mm
3
.
IV.1.3.2. Distribution des contraintes
Les structures avec deux et quatre bras tant symtriques, leur comportement devrait tre similaire la
poutre encastre-encastre. Les mmes problmes de distribution de charge peuvent tre constates. La
figure IV.12 montre la structure quatre bras soumise une acclration simulant la gravit et les rsultats
du dplacement et la tension gnre le long d'un de bras. Dans ce cas il est beaucoup plus difficile de
concevoir et de fabriquer une structure avec plusieurs lectrodes cause de la longueur et la finesse des bras.
La structure avec un bras devrait se comporter d'une faon similaire la poutre encastre-libre. La figure
IV.13a montre la distribution des charges sur la face suprieure de la structure soumise une acclration
verticale. Il est clair que dans ce cas les charges ne sont non plus unipolaires sur la mme face de la structure.
Nous proposons donc une structure prsente sur la figure IV.13b avec deux lectrodes suprieures dont la
gomtrie suit la distribution simule des charges.
tant conscient des problmes possibles lies avec les structures en spirale, nous proposons de
fabriquer une spirale macroscopique, en bimorphe compos de deux couches pizolectriques et quelques
structures avec multiples lectrodes en utilisant les mthodes de micro-fabrication.
Figure IV.12 : Rsultats pour la spirale avec quatre bras : dformation de la structure (a) ; la dformation et la
tension gnres le long d'un bras (b).
(b)
(a)
Figure IV.13 : Distribution de la tension gnre sur une structure spirale, avec les zones de polarit inverse en
gris (a) et un layout d'une spirale avec l'lectrode suprieure partage pour sparer les charges opposes (b).
IV.1.4. Conclusions de la modlisation
Nous avons prsent la conception et la modlisation de diffrentes structures de gnrateurs
pizolectriques. Nous nous focalisons sur la structure de la poutre encastre-libre, laquelle prsente le plus
d'avantages.
La modlisation des autres structures a rvl certains problmes lesquelles pourraient empcher leur
bon fonctionnement. Pour la poutre encastre-encastre le problme principal se situe au niveau de
l'incertitude de distribution des charges pendant la dformation de la structure. De plus, la rigidit intrinsque
de ce type de montage implique des frquences de rsonance plus leves ce qui n'est pas souhaitable. Nous
allons fabriquer quelques structures de ce type pour vrifier la conception des lectrodes partages et surtout
pour explorer le comportement nonlinaire de structures ayant une large bande passante.
Finalement au niveau des structures en spirale, malgr l'avantage de frquences de rsonance trs
basses, les autres problmes excluent le bon fonctionnement de ce type de structure. La distribution de
charges non uniforme sur les lectrodes et la fragilit intrinsque de la structure rendent trs difficiles la
conception et la fabrication. Nous allons nanmoins essayer de fabriquer quelques structures de ce type pour
tester leur faisabilit.
IV.2. Fabrication
Trois types de structures ont t implments, tous sur la mme puce de base de 1cm par 1cm,
prsente sur la figure IV.14. Chacune des puces contient le numro de la puce, la rfrence de la structure
implmente (rticule), un motif pour la mesure de la capacit de la couche pizolectrique (de surface
600m x 600m) et une srie de motifs pour la mesure des paisseurs avec un profilomtre. Pendant la
conception du layout de la puce nous avons port une attention particulire au fait que chaque surface
d'lectrode cre une capacit parasite (la couche infrieure de silicium tant la masse). C'est pour cela qu'il
fallait rduire au maximum la taille des plots ainsi que la longueur et la largeur des pistes. Nous avons
connect les structures en parallle pour rduire le nombre de plots. De plus, les structures connectes
(a) (b)
ensemble avaient la mme orientation sur la puce pour rduire l'impact d'erreur d'alignement sur la frquence
de rsonance.
IV.2.1. Filire technologique utilise
Nous avons dcid d'utiliser une couche de nitrure d'aluminium pour les premiers prototypes. Le
facteur de couplage pizolectrique de ce matriau n'est pas aussi bon que dans le cas du PZT, mais le dpt
des couches minces d'AlN est bien matris et possible une temprature faible (300C) donc compatible
avec la microlectronique. De plus, comme nous l'avons dj mentionn dans le chapitre III, la couche ne
ncessite pas la polarisation aprs son dpt. Ces avantages font que sa fabrication peut tre envisage
l'chelle industrielle.
La couche de nitrure d'aluminium utilise dans nos prototypes t labore en coopration avec la
socit MEMSCap. Le procd de dpt a t dvelopp l'ESIEE par S. Spirkovitch et L. Valbin [88]. Un
procd spcifique a t dvelopp pour fabriquer les micrognrateurs. Nous utilisons une plaquette SOI
dont la couche suprieure de silicium est fortement dope avec bore (p++) ce qui augmente sa conductivit et
permet de l'utiliser comme l'lectrode infrieure pour la capacit pizolectrique. La rsistivit varie alors
entre 0,01 et 0,05. Des plaquettes de 4 pouces double face polies ont t employes. L'paisseur du
silicium massif est de 450m, la couche de l'oxyde de silicium enterr est de 2m et l'paisseur de la couche
suprieure de silicium est de 5m.
Figure IV.14 : Dimensions et disposition des motifs sur une puce de base pour le premier lot de dispositifs.
Le procd commence avec le dpt d'une couche mince
pizolectrique en nitrure d'aluminium sur la plaquette SOI
initialement polie et nettoye chimiquement tapes (a) et (b).
Dans notre cas l'paisseur de la couche est de 1m et elle est
dpose par le biais d'une pulvrisation cathodique ractive
magntron (DC magnetron reactive sputtering). Le dpt se fait
une temprature de 300C avec une cible en aluminium sous
atmosphre de N
2
et Ar pendant 50min. Cette tape est
compatible avec les procds CMOS. Pour obtenir de bonnes
proprits pizolectriques de la couche, l'axe c de la structure
cristalline hexagonale doit tre oriente perpendiculairement
la surface de silicium. Des paisseurs allant jusqu' 2m ont t
dj obtenues avec cette technique, mais leur qualit n'est pas
suffisante (prsence de craquelures). L'apparition de ces dfauts
peut impliquer un court-circuit entre les lectrodes et rendre les
dispositifs inutilisables.
(a)
(b)
L'tape suivante (c) consiste dfinir les ouvertures dans
la couche de nitrure d'aluminium pour faire les contacts avec la
couche en silicium servant comme l'lectrode infrieure. Une
gravure humide est faite la temprature ambiante.
(c)
Aprs avoir grav la couche d'AlN, la couche en
aluminium de l'lectrode suprieure est dpose tape (d). La
technologie de dpt est encore une pulvrisation cathodique
ractive magntron avec une cible en aluminium et sous
atmosphre d'argon. L'paisseur vise de la couche est de
0,4m. La couche est ensuite grave chimiquement pour dfinir
les lectrodes et les contacts sur le substrat - (e).
(d)
(e)
Dans la suite les ouvertures dans la couche d'AlN sont
dfinis par gravure chimique, et avec le mme masque en
rsine les ouvertures, dans la couche suprieure en silicium
sont graves en utilisant la gravure sche profonde DRIE
1
(f).
Grce au fait que le mme masquage est utilis pour les deux
gravures, un trs bon alignement peut tre obtenu. La gravure
profonde est faite jusqu' la couche de l'oxyde enterr servant
comme couche d'arrt grce la trs grande slectivit de
gravure entre silicium et silice. Le masquage est conserv aprs
cette tape pour protger la face avant pendant l'usinage face
arrire.
(f)
Les ouvertures dans la face arrire, pour dfinir la masse
mobile, sont faites en utilisant un masque dur en aluminium
pour une gravure profonde DRIE (g). Encore une fois, c'est la
couche enterre de silice qui arrte la gravure.
(g)
L'tape (h) consiste enlever la couche d'oxyde de
silicium en utilisant l'acide BHF
2
. Si la rsine sur la face avant
est enleve, il sera ncessaire de protger la couche
d'aluminium (lectrode suprieure), ce qui est trs difficile tant
donn que la plaquette peut tre perce.
(h)
L'tape finale (i) consiste coller une plaquette spciale
(spacer), perce de part en part qui sert garantir un
espacement entre la masse sismique en mouvement et le
support. Les puces sont montes ensuite sur les supports en
cramique et cbles avec des fils en aluminium.
(i)
1
DRIE Deep Reactive Ion Etching
2
BHF Buffer Fluoridric Acid
Les quatre masques utiliss pendant la fabrication sont prsents sur la figure IV.15.
IV.2.2. Rsultats de fabrication
Les dispositifs ont t fabriqus en utilisant deux types de couches de nitrure d'aluminium. Un lot a t
fabriqu ESIEE Paris, l'autre FEMTO ST Besanon. L'usinage face avant s'est droul sans problmes
(figure IV.16).
Figure IV.15: Quatre masques utiliss pour la fabrication des micrognrateurs
utilisant un dpt d'AlN.
Figure IV.16 : Rsultats d'usinage face avant : quatre dispositifs en forme de poutre (a) et un motif de test (b).
(a) (b)
En revanche, c'est la gravure profonde de la face arrire qui est l'tape la plus sensible. Cela provient
du fait que malgr les effort dans la phase de conception, certaines zones graver sont plus petites que
d'autres. Comme il existe une corrlation forte entre la surface de gravure et la vitesse de gravure, certaines
zones ont t graves plus rapidement. La non-uniformit de gravure change l'aspect des structures et risque
de changer leur frquence de rsonance. De plus, une contrainte rsiduelle dans les couches a provoque une
dformation importante des structures. Dans le cas des structures faites Besanon, les contraintes taient
tellement importantes que la couche d'oxyde enterre t dchire avant la libration des structures, ou
mme avant la fin de gravure. Finalement, plusieurs structures ont t dtruites pendant la dcoupe des
plaquettes, surtout cause d'une trop forte pression du jet d'eau. Il fallait choisir entre protger les structures
avec un film bleu, qui tait difficile enlever sans destruction des structures, ou risquer leur destruction
pendant la dcoupe.
IV.2.2.1. Poutres encastre-libres
Plusieurs variantes de poutres de type encastre-libre ont t fabriques avec des gomtries et des
distributions d'lectrodes diffrentes. Les dimensions de la poutre ainsi que de la cavit dans laquelle elle se
trouve sont reportes sur la figure IV.17. Quatre structures ont t implmentes par puce, chacune dans sa
propre cavit carre d'environ 2mm de ct. Les dimensions de la cavit sont celles de la gravure face
arrire, l'ouverture face avant est 10m plus large pour ne pas tre gn par l'erreur d'alignement entre la face
avant et arrire. Il existe aussi un espacement de 5m entre l'lectrode en aluminium et l'ouverture face avant
pour viter les courts-circuits entre les lectrodes.
La figure IV.18 montre une structure avec une poutre caractrise par une grande courbure
l'encastrement. On aperoit une inclinaison importante due aux contraintes internes dans les couches. Cet
inclinaison est trs mauvaise non seulement au niveau de la performance du systme, mais surtout au niveau
de la fiabilit. En fait les cramiques pizolectriques sont trs peu rsistantes l'effort en tirement, mais
Figure IV.17 : Dimensions de la poutre encastre-libre ainsi que de la cavit la comportant (a) et une photo MEB du
dispositif ralis (b).
(a)
(b)
par contre supportent trs bien la compression. C'est pour cela que dans les applications traditionnelles les
lments pizolectriques sont prcontraints pour travailler toujours en compression. Dans notre cas, le fait
que les structures sont flchies vers le haut signifie que la couche pizolectrique est en traction par rapport
la couche de support mcanique. Cela risque de diminuer sa rsistance et sa dur de vie. Le cas plus
avantageux serait de trouver une composition des couches qui engendre la compression de la couche
pizolectrique ou au moins diminuer les contraintes dans l'empilement.
IV.2.2.2. Poutres encastre-encastres
Un type de poutre encastre-encastre a t implment pour comparer ses performances avec celles
des structures standard et pour explorer son comportement frquentiel non-linaire. La figure IV.19 prsente
la photo de la face avant du dispositif et une photo MEB de la face arrire. Les restes de la couche de l'oxyde
enterr, qui n'tait pas bien enleve, tmoignent d'un problme au niveau de la gravure profonde face arrire.
Les lectrodes sont bien dfinies et aucun court circuit n'a t dtect.
Figure IV.19 : Poutre encastre-encastre avec une masse sismique : photo de la face avant (a) et image MEB de la
face arrire (b).
(a)
(b)
Figure IV.18 : Poutre encastre-libre avec une courbure importante de la poutre : le masque en trois dimensions (a)
et le dispositif fabriqu mont sur un support (b).
(a) (b)
IV.2.2.3. Spirales
Nous avons implment plusieurs types de spirales pour vrifier leur faisabilit. La figure IV.20
prsente la spirale avec quatre bras. La figure IV.20b montre la vue de la face arrire de la structure toujours
protge par la rsine face avant (avant dcoupage). Les bras ainsi que la masse sismique sont bien dfinis.
Par contre, les structures tant trs fragiles, beaucoup d'entre elles ont t dtruites pendant la dcoupe
et la mise en botier. De plus, les contraintes dans les couches ont dform les spirales aprs leur libration,
comme le tmoignent la figure IV.20c pour la spirale quatre bras et les figures IV.21 a et b pour une
spirale avec un bras. En fait, pour certains dispositifs, les contraintes taient tellement leves que la couche
d'oxyde enterr tait dchire avant son enlvement. Puisque les structures sont toujours soumises une
excitation verticale, leur dformation rend les test exprimentaux trs difficiles.
Figure IV.21 : Exemples de spirales dformes aprs leur libration : une photo MEB (a) et une photo de la puce
(b).
(a)
(b)
Figure IV.20 : Spirale quatre bras : vue du masque en trois dimensions (a) et une photo MEB face arrire du
dispositif (b) et une photo de la structure dforme aprs sa libration (c).
(a) (b)
(c)
IV.3. Caractrisation exprimentale des dispositifs
A cause des problmes de fabrication, trs peu de dispositifs taient disponibles pour les tests. La
plupart des spirales tait endommages, surtout les spirales avec de bras fins. Nous avions notre disposition
deux puces contenant les poutres encastre-libres et une puce avec la poutre encastre-encastre.
IV.3.1. Chane d'acquisition
La chane de mesure utilise pour caractriser les premiers dispositifs est prsente sur la figure IV.22.
Le micrognrateur est connect avec une charge variable, purement rsistive (rsistance dcades)
qui varie entre 0 et 10M. Pour sparer le gnrateur de la partie acquisition, la sortie lectrique du dispositif
est branche sur l'entre d'un amplificateur d'instrumentation INA116 (Burr-Brown). Ce dispositif est
caractris par un courant d'entre d'une trs faible valeur (environ 3fA), ce qui est trs important tant donn
que les charges lectriques gnres sont trs faibles et la charge optimale est trs leve. La sortie de
l'amplificateur est observe sur un oscilloscope (Tektronix TDS3014) et branche sur l'entre d'une carte
d'acquisition National Instruments PCI-6024E. L'acclration d'xcitatoin tait contrle en utilisant un
acclromtre PCB Piezotronics 355B03. Une camra rapide Pixelink PL-A741 a t employe pour
visualiser le dispositif en mouvement.
Les dispositifs taient monts sur une plaquette en cramique et encastrs sur un support mtallique.
Ce dernier tant suffisamment rigide pour assurer que sa frquence de rsonance propre est bien suprieure
la frquence de rsonance du gnrateur. Le pot vibrant SignalForce V20 de la socit Data Physics tait
pilot par un amplificateur de puissance PA100E (Data Physics). Le signal d'excitation est gnr par un
gnrateur de fonction Agilent 33120A. Un logiciel dvelopp dans l'environnement LabVIEW
TM
(National
Instruments) pilote l'ensemble et permet de dfinir des balayages en frquence avec une prcision souhaite
et variable pendant la mesure. De plus, l'amplitude de l'acclration est contrle en continu et asservie en
Figure IV.22 : Photo du montage de test des micrognrateurs (a) et le schma du systme (b).
(b) (a)
boucle ferme pour assurer sa stabilit pendant toute la mesure. Le mme logiciel est utilis pour faire
l'acquisition et le traitement des donnes fournies par le micrognrateur. Une analyse FFT sert liminer les
signaux parasites, notamment le 50Hz, et mesurer ainsi uniquement le signal utile la frquence
d'excitation. Dans tous les cas, un balayage rapide est effectu pour dterminer la frquence de rsonance du
dispositif et ensuite des balayages plus prcis sont effectus autour de la frquence de rsonance pour
diffrentes rsistances de charge et d'acclrations.
IV.3.2. Structures de test
Pour vrifier les grandeurs physiques et les paramtres gomtriques des couches utiliss dans les
simulations, les structures de test prsentes dans la figure IV.23a ont t examines. Une analyse du
dplacement du bout de la poutre en mode actionneur a t effectue en utilisant un vibromtre laser. Les
rsultats exprimentaux obtenus ont t compars avec les simulations FEM. Les paramtres de la couche
pizolectrique utiliss dans la simulation, sont reports dans le tableau de l'annexe D.
La figure IV.23b montre le spectre exprimental et simul de la poutre de 1mm de longueur et de
0,1mm de largeur en mode actionneur excite avec une tension sinusodale de 100mV. Une supposition est
faite, qu'il reste 0,5m d'oxyde au-dessous de la poutre. Un amortissement visqueux de 5% t introduit
dans le modle pour limiter l'amplitude de dflexion de la structure. La frquence de rsonance simule est
gale 8990Hz contre 9444Hz constat exprimentalement, ce qui donne 4,8% d'cart. Cette diffrence peut
tre explique par l'incertitude des paramtres gomtriques de la structure, surtout au niveau des paisseurs
des couches. Ce bon accord permet de confirmer l'exactitude des paramtres et grandeurs physiques utiliss
dans les simulations.
Figure IV.23 : Photo MEB des structures de test (a) et la comparaison entre les rsultats exprimentaux et FEM
pour une structure de test (b).
(a)
(b)
IV.3.3. Poutre encastre-libre
Nous avons test deux dispositifs en forme de poutre encastre-libre.
IV.3.3.1. Dispositif p5
La figure IV.24 prsente les dispositifs examins de la puce C7 comportant le rticule p5.
Uniquement un dispositif tait fonctionnel, un autre tait physiquement prsent, mais le contact tait
rompu et les deux autres taient dtruits pendant la fabrication. Les dimensions de la structure teste sont
reportes dans le tableau IV.2.
Proprit Valeur
Dimension de la cavit 1970m x 1970m
Dimensions de la masse 1510m x 1010m
Longueur de la poutre 730m
Largeur de la poutre a l'encastrement 960m
Largeur de la poutre au milieu 710m
Largeur de la poutre ct masse sismique 850m
paisseur de la couche en aluminium 0,4m
paisseur de la couche en AlN 1m
paisseur de la couche en silicium 5m
paisseur de la couche en silice au-dessous de la poutre 0,5m
paisseur de silicium massif (masse sismique) 450m
Capacit de l'lment pizolectrique (prvue) 0,208nF
Tableau IV.2 : Caractristiques du dispositif test.
Figure IV.24 : Puce C7 comportant quatre structures identiques en forme de poutre encastre-libre : le layout (a) et
le photo de la puce fabrique (b).
(a)
(b)
La poutre de cette structure deux courbures de taille diffrente l'encastrement et au point
d'attachement de la masse sismique. La figure IV.25 montre le modle FEM de cette structure, avec les
couches d'aluminium, nitrure d'aluminium, silicium et silice. Une couche de silice de 0,5m est prsente
aussi au-dessous de la poutre.
Simulation FEM
Les simulations FEM ont t effectues pour prvoir le comportement de la structure examine. La
figure IV.25 prsente le modle utilis. Tout d'abord une simulation modale a rvl que la frquence de
rsonance de ce dispositif est gale 236Hz. Ensuite une simulation harmonique a t faite autour de cette
frquence. La figure IV.26a prsente le dplacement de la masse sismique en fonction de la frquence pour
l'excitation d'amplitude de 0,2g et un amortissement visqueux de 1%. Un dplacement maximal de 60m
peut tre constat. La figure IV.26b prsente la tension gnre sur l'lectrode suprieure du dispositif en
circuit ouvert.
Figure IV.25 : Modle FEM de la structure analyse.
Figure IV.26 : Rsultats de la simulation FEM : dplacement de la masse sismique (a) et tension gnre sur
l'lectrode suprieure en circuit ouvert (b), pour une excitation sinusodale de 0,2g d'amplitude.
(a)
(b)
La mme simulation a t effectue pour diffrentes excitations. La figure IV.27 prsente la simulation
du dplacement de la masse sismique et de la puissance dissipe sur une charge rsistive adapte de 3,2M
la rsonance de 236Hz et en fonction de l'amplitude d'excitation. Une puissance de 250nW peut tre
thoriquement obtenue avec une excitation sinusodale de 1g d'amplitude (dbattement de 260m). La
simulation ne prend pas en compte les effets non-linaires ventuels du dispositif lesquelles peuvent rduire
la puissance gnre.
Rsultats exprimentaux
La frquence de rsonance obtenue est de 196Hz sur une charge rsistive de 1M. Le balayage prcis
a t fait entre 180Hz et 220Hz. Une diffrence de frquence de rsonance entre la simulation (236Hz) et la
valeur exprimentale est plus importante que dans le cas des structures de test. Cela prouve que l'incertitude
des dimensions de la masse sismique ainsi que son placement sur la poutre rend difficile la prvision de la
frquence de rsonance de la structure. De plus, la valeur de la capacit mesure est de 0,186nF contre
0,208nF obtenu avec la simulation ce qui suggre que la couche pizolectrique est en effet plus paisse que
prvu. La figure IV.28 montre les trois positions extrmes de la structure en rsonance avec une excitation
sinusodale de 0,2g.
Figure IV.28 : Trois positions du gnrateur en dflexion : l'extrme basse (a), la position neutre (b) et l'extrme
haute (c).
(a)
(b) (c)
Figure IV.27 : Dplacement et puissance simuls pour le dispositif C7 en rsonance 236Hz.
Nous avons effectu un balayage en frquence de la structure pour plusieurs valeurs de la charge
rsistive et nous avons repr la valeur maximale. La figure IV.29 montre la comparaison des rsultats
obtenus avec la simulation FEM.
Il y a une diffrence au niveau de la charge optimale, ce qui peut provenir de la diffrence entre la
capacit de l'lment pizolectrique relle et simule. La charge optimale R
opt
pour un systme fortement
amorti peut tre calcule avec la formule IV.2 provenant du modle prsent par S. Roundy dans sa thse
[38], avec f
r
tant la frquence de rsonance du systme et C
p
la capacit de l'lment pizolectrique. Si on
prend les valeurs exprimentales pour la frquence de rsonance et la capacit, on obtient la valeur de la
rsistance optimale de 4,19M ce qui est trs proche de 4,2M constate exprimentalement.
R
opt
=
1
2n f
r
C
p
=4,19 M D
(IV.2)
Le dispositif test est caractris par une trs grande qualit des matriaux utiliss (silicium
monocristallin), ce qui est typique pour les MEMS. Ce fait provoque une apparition des effets non-linaires
dans son comportement. La figure IV.30 prsente deux spectres obtenus avec le mme dispositif : un pour le
balayage en frquence positive (les frquences augmentent), et l'autre pour le balayage ngatif pour la
tension (a), et la puissance (b). L'amplitude maximale est diffrente pour ces deux courbes. Cet effet peut
tre expliqu en supposant qu'avec des dformations plus importantes les matriaux deviennent plus rigides
et donc la frquence de rsonance augmente. La non-linarit provoque une limitation de l'amplitude de
puissance pour des excitations fortes. En fait elle n'augmente plus avec le carr de l'acclration d'excitation,
comme prvu par le modle linaire FEM ou analytique. Les effets non-linaires vont tre analyss plus en
dtails dans le paragraphe IV.3.4 concernant la poutre encastre-encastre.
Figure IV.29 : Comparaison de rsultats obtenus par la simulation FEM et exprimentalement (EXP).
IV.3.3.2. Dispositif p8
C'est une poutre encastre-libre fabrique FEMTO ST Besanon. Plusieurs problmes
technologiques lies surtout avec les contraintes trs leves dans les couches sont apparus pendant la
fabrication. En fait, les structures ont dchir la couche de silice avant la libration. C'est pour cela que trs
peu de dispositifs taient fonctionnels. Nous avons test une structure provenant de la puce B2 contenant le
rticule p8 dont le layout est prsent sur la figure IV.31a et la photo est montre sur la figure IV.31b. C'est
uniquement la structure en bas avec deux lgres courbures qui tait fonctionnelle. C'est la mme structure
que dans le cas prcdent.
Nous avons effectu les mmes tests que dans le cas prcdent. La frquence de rsonance
exprimentale vaut 371Hz. La figure IV.32a montre les valeurs de la puissance dissipe sur trois charges
rsistives diffrentes. La figure IV.32b prsente le spectre de la puissance dissipe sur une charge optimale
de 2M pour la mme structure, mais avec une acclration de 1,5g et deux directions de balayage en
frquence. Une forte non-linarit peut tre constate provenant des trs grandes dformations de la poutre.
Figure IV.31 : Layout de la puce B2 contenant quatre structures diffrentes du type poutre encastre-libre (a) et la
photo du dispositif fabriqu FEMTO ST (b).
(b)
(a)
Figure IV.30 : Tension gnre (a) et puissance dissipe (b) sur une charge rsistive de 7M pour une excitation
sinusodale d'amplitude de 0,2g.
(a) (b)
Pour les charges rsistives leves, une influence du bruit apport par le 50Hz se traduisant par une rponse
plate en tension hors le rsonance (figures IV.32).
Cette valeur est suprieure aussi bien la valeur simule de 236Hz qu' la valeur exprimentale
obtenue pour la structure p5 de 196Hz. Cela peut provenir du fait que la couche d'oxyde n'tait pas bien
enleve et qu'il y a des rsidus de rsine. Les deux facteurs contribuent l'augmentation de la rigidit de la
poutre et donc l'lvation de sa frquence de rsonance. De plus, pendant la gravure DRIE face arrire une
sous-gravure peut rduire la taille de la masse et augmenter la frquence de rsonance.
Nous avons effectu des tests pour trouver la valeur optimale de la rsistance de charge. La figure
IV.33 montre la tension gnre sur les lectrodes et la puissance dissipe en fonction de la valeur de la
charge rsistive. La valeur optimale se situe autour de 2M et une puissance de 7nW peut tre obtenue en
rsonance pour une excitation de 0,2g. L'avantage des structures en nitrure d'aluminium rside sur des
valeurs de rsistance optimale leves donc des tensions gnres pour la puissance optimale relativement
leves aussi.
Figure IV.32 : Puissance en fonction de la frquence d'excitation pour trois valeurs de charge et 0.2g (a) et le
spectre de puissance pour une acclration de 1,5g tmoignant d'une grande non-linarit du dispositif (b).
(a) (b)
Figure IV.33 : Tension gnre (a) et puissance dissipe (b) en fonction de la valeur de la charge rsistive la
rsonance et pour une acclration d'excitation d'amplitude de 0,2g.
(b) (a)
Pour connatre la relation entre la puissance de sortie et l'acclration d'excitation nous avons utilis la
charge optimale et nous avons fait un balayage en frquence pour mmoriser la valeur optimale de la tension
et de la puissance. La figure IV.34 montre cette dpendance pour le balayage positif (frquence croissante) et
pour le balayage ngatif (frquence dcroissante).
Nous pouvons voir une forte dpendance de la valeur maximale en fonction du sens du balayage. Cela
montre que la structure est fortement non-linaire surtout pour le balayage ngatif. Pour le balayage positif
l'amplitude maximale de tension augmente presque linairement avec l'acclration applique, ce qui est en
accord avec le modle linaire prsent dans le chapitre III. Une puissance de 265nW avec une amplitude
de tension de 1V peut tre obtenue grce une excitation sinusodale de 1,5g d'amplitude.
IV.3.4. Poutre encastre-encastre
Une structure de type poutre encastre-encastre a t teste. Le mme protocole de test a t suivi que
dans le paragraphe prcdent. La frquence de rsonance mesure exprimentalement se situe autour de
1800Hz. Le dispositif test possde six lectrodes indpendantes qui fournissent des tensions de polarits
inverses. Nous avons observ chaque lectrode sparment en comparant la phase du signal avec la phase
du signal d'excitation mesur par l'acclromtre. La figure IV.35 prsente la relation entre les numros de
voies de l'oscilloscope et les lectrodes du dispositif. Le signal provenant de l'acclromtre est toujours
connect sur la voie 1. Comme prvu par la modlisation FEM dans le paragraphe IV.1.2, les signaux
produits sur les lectrodes ne sont pas en phase. De plus, le comportement non-linaire peut tre constat
partir de la forme non-sinusodale des signaux. Dans le cas des lectrodes de gauche, il y a une lectrode qui
ne donne aucun signal et les deux autres sont en phase. Les lectrodes de droite marchent toutes et le signal
de l'lectrode intrieure est oppos. C'est l'imperfection de fabrication qui rend les signaux des lectrodes des
deux bras non symtriques. Dans la suite nous allons prsenter les rsultats obtenus en utilisant uniquement
l'lectrode extrieure gauche. De plus, puisque les signaux gnrs ne sont plus sinusodaux, nous allons
toujours reporter la valeur efficace (RMS) de la tension gnre.
Figure IV.34 : Tension gnre et puissance dissipe sur une charge optimale la rsonance
en fonction de l'amplitude de vibration d'excitation.
Figure IV.35 : Relation entre les numros des voies de l'oscilloscope et les lectrodes du dispositif.
Figure IV.36 : Tensions gnres sur les lectrodes gauches la rsonance (a) et dans la rgion non-linaire (b)
pour une excitation de 1g.
Figure IV.37 : Tensions gnres sur les lectrodes droites la rsonance (a) et dans la rgion non-linaire (b)
pour une excitation de 1g.
(b) (a)
(a)
(b)
Figure IV.38 : volution de la tension (a) et de la puissance (b) maximales en fonction de la valeur de la charge
rsistive pour une acclration d'excitation de 50mg.
Tout d'abord nous avons explor la dpendance de la tension et la puissance sur la valeur de la charge
rsistive. La figure IV.38 prsente les valeurs maximales RMS (a) et les valeurs maximales de la puissance
(b) en fonction de la valeur de la charge rsistive. Une excitation trs faible de 50mg a t choisie pour
minimiser les effets non-linaires. L'existence d'une charge optimale de 290k peut tre constate.
Ensuite nous avons analys les niveaux de tension et de puissance en fonction de l'amplitude de
l'acclration d'excitation. Les valeurs prsentes sur la figure IV.39 sont des maximums obtenus en faisant
le balayage en frquence.
Comme nous l'avons expliqu dans la partie prcdente de ce chapitre, l'intrt principal de cette
structure porte sur sa non-linarit. Les courbes sur la figure IV.39 tmoignent d'une relation fortement non-
linaire entre l'amplitude de l'acclration d'excitation et la tension gnre (laquelle devrait crotre
(b)
(a)
Figure IV.39 : volution de la valeur RMS maximale de la tension (a) et de la puissance (b) en fonction du niveau
de l'acclration d'excitation.
linairement avec l'acclration pour une structure linaire). De plus, nous remarquons que les niveaux
mesurs sont bien infrieurs pour le balayage ngatif par rapport au balayage positif. Cette structure prsente
un comportement fortement non-linaire, mme avec une excitation trs faible de 50mg, comme l'indique la
figure IV.40.
Pour valuer la variation de la frquence de rsonance de ce systme nous avons fait des balayages
prcis en frquence pour diffrentes amplitudes d'excitation. La figure IV.41 montre la puissance dissipe sur
la charge optimale de 290k pour des balayages croissants et dcroissants.
Nous constatons que les amplitudes de la puissance dpendent fortement du sens du balayage et
augmentent de plus en plus lentement pour des acclrations plus leves. Cela est un point caractristique
des rsonances non-linaires. Dans notre cas, pour l'acclration de 2g nous obtenons une variation de la
frquence de rsonance entre 1,8kHz et 2,45kHz, ce qui donne plus de 36% de changement. La figure IV.42
prsente l'volution de la valeur de la frquence pour laquelle la puissance gnre est maximale en fonction
de l'amplitude de vibration d'excitation. Cette variation de la frquence de rsonance nous permet d'imaginer
des applications de ces structures qui accepteraient des variations de frquence sans toute fois avoir une
perte importante sur l'amplitude de la puissance gnre. La non-symtrie des deux courbes (sens croissant et
dcroissant) montre que, pour arriver des amplitudes importantes sur une large plage des frquences il faut
augmenter la frquence d'excitation. C'est le cas par exemple des machines, qui dmarrent et
progressivement atteignent leur frquence de travail. Si cette frquence se trouve sur la partie plate de la
courbe (figure IV.41), la puissance gnre va tre leve.
En suivant ce raisonnement nous pouvons concevoir des dispositifs fortement non-linaires pour
des plages des frquences d'excitation et non plus pour des frquences prcises.
Figure IV.40 : Tension gnre sur une charge rsistive (a) et la puissance dissipe (b) en fonction de la frquence
d'excitation pour trois valeurs de charge.
(a) (b)
Figure IV.42 : volution de la valeur de frquence de rsonance en fonction de l'amplitude d'excitation
pour deux sens du balayage en frquence.
Figure IV.41 : Puissance dissipe sur une charge rsistive optimale en fonction de la frquence pour trois valeurs
d'excitation entre 1g et 2g pour les balayages en frquence positifs et ngatifs.
IV.3.5. Spirales
La fabrication des spirales s'avre trs difficile cause de leur fragilit et l'existence des contraintes
dans les couches. En fait, mme si la dfinition de la forme n'a pas pos de problmes, les structures ont t
dtruites pendant la dcoupe et le cblage. De plus, le niveau lev de contraintes a dform les structures en
rendant impossible leur vibration. C'est pour cela que nous n'avons pas pu obtenir de rsultats avec ce type
de structures. Les seuls rsultats purement mcaniques ont t obtenus, relevant les frquences de rsonance
autour de 150Hz. Le fait que des frquences proches peuvent tre obtenues avec des poutres, rend finalement
ce type de dispositif moins intressant.
IV.4. Conclusion
Dans ce chapitre nous avons prsent le premier lot de dispositifs base d'AlN. Nous avons
commenc par une modlisation des structures, en se basant sur un modle simple 1D, dvelopp dans le
chapitre III et en utilisant des modles FEM. Cette approche a abouti la conception de structures de
gnrateurs pizolectriques utilisant une couche en nitrure d'aluminium. Plusieurs gomtries de dispositifs
ont t proposes, notamment diffrents types des poutres encastre-libres, les poutres de type encastre-
encastre ainsi que des spirales. Des problmes lors des tapes de fabrication, gravure face arrire et
contraintes dans les couches, ont rendu la plupart des dispositifs inutilisables. Nanmoins, nous avons russi
de tester deux poutres de type encastre-libre ainsi qu'une poutre encastre-encastre. Des problmes de
fragilit pendant la fabrication ont rendu impossible les tests sur les spirales. Nous avons dcid
d'abandonner ce type de structures dans le futur. De plus, nous avons trouv que les structures vibrant une
frquence trs faible ont des dbattements importants et entrent dans un rgime non-linaire ce qui limite
leur performance. Une puissance maximale de 0,265W a t obtenue partir d'une poutre encastre-libre
excite sa rsonance avec une acclration de 1,5g d'amplitude. C'est un rsultat insuffisant pour alimenter
un noeud, mais il est toutefois trs encourageant pour la suite nos investigations. Finalement, nous avons
explor le comportement fortement non-linaire d'une poutre encastre-encastre. Pour des frquences de 2g
d'amplitude la frquence de rsonance de ce dispositif peut varier de 36% ce qui permet d'imaginer les
dispositifs qui peuvent tre excits efficacement par des acclrations de frquences variables.
Pour le deuxime lot de dispositifs nous allons opter pour les formes de poutre encastre-libre, avec
une lgre courbure l'encastrement qui permet d'augmenter sa robustesse. Nous allons viser les frquences
plus leves, autour du 1kHz correspondant des spectres gnrs par des machines outils. Le
fonctionnement une frquence plus leve, avec des dbattements moins importants, va permettre d'utiliser
des excitations d'amplitudes plus leves et de gnrer ainsi plus d'nergie. Le matriau pizolectrique
adopt pour le premier lot de dispositifs, le nitrure d'aluminium, s'avre efficace au niveau de la gnration
d'nergie et est relativement facile dposer. Ce sont seulement les contraintes leves qui posent des
problmes. Dans la suite nous allons utiliser aussi le PZT, lequel devrait produire plus d'nergie. Pour les
seconds prototypes nous allons dvelopper une mthode spcifique de dcoupe des chantillons qui inclut la
protection des dispositifs. Au niveau de la conception nous allons garder plus de place autour des dispositifs
non seulement pour faciliter la gravure et la libration des structures, mais aussi pour diminuer les pertes
visqueuses. Ayant choisi un type de structure, nous allons dvelopper un modle analytique prcis pour
pouvoir optimiser aussi bien sa gomtrie en fonction de proprits des matriaux utiliss.
Chapitre V : Second lot de dispositifs
Dans ce chapitre nous allons prsenter le second lot de micrognrateurs pizolectriques
microfabriqus sur un substrat SOI. Contrairement au premier lot, o plusieurs types de structures ont t
implmentes, dans ce cas, nous proposons uniquement des dispositifs de type poutre encastre-libre visant
une seule frquence de rsonance. L'application propose inclut la surveillance des machines industrielles et
c'est pour cela que la frquence de rsonance est fixe autour de 900Hz. Deux types de matriaux
pizolectriques sont utiliss : le nitrure d'aluminium (AlN) et le titanate zirconate de plomb (PZT). Le
premier a dj t employ dans le premier lot et a prouv son efficacit. Le second se caractrise par des
meilleurs coefficients pizolectriques, mais aussi par un procd de fabrication beaucoup plus complexe. De
plus, dans le cas des dispositifs PZT, la ncessit de polariser la couche permet d'introduire des concepts
innovants pour augmenter l'efficacit nergtique des micrognrateurs. Nous allons prsenter dans ce
chapitre la modlisation de ces dispositifs et les rsultats exprimentaux obtenus. Une conclusion permettra
de rsumer les principaux avantages et inconvnients caractristiques de ces structures, et de les comparer
avec des solutions existantes dans la littrature.
V.1. Conception des dispositifs
Aprs avoir fabriqu et test les dispositifs du premier lot, nous avons fait certaines remarques :
la fabrication des dispositifs MEMS avec une trs basse frquence de rsonance est possible, mais
ils sont trs fragiles et la puissance qu'il dlivrent est trs faible.
non seulement la robustesse, mais aussi la non-linarit des dispositifs, lie la dformation,
limitent la puissance maximale. Puisque l'amplitude de dbattement diminue avec la frquence, ce sont les
dispositifs travaillant des frquences plus leves qui peuvent fournir plus de puissance.
les structures de type poutre encastre-libre sont les plus prometteuses et dlivrent le plus de
puissance.
En prenant en compte ces remarques nous avons dcid de procder avec un seul type de structure,
notamment des poutres de type encastre-libre. Nous avons fix leur frquence de rsonance autour de
900Hz, ce qui correspond au spectre gnr par la fraiseuse industrielle prsente dans la partie II.2.4.2 de ce
mmoire.
Par ailleurs une possibilit s'est prsente d'utiliser des couches minces de PZT pour fabriquer nos
gnrateurs. Comme nous l'avons dj prsent dans le chapitre III, le facteur de couplage pizolectrique du
PZT est beaucoup plus important que celui de l'AlN. De plus cette couche mince, prpare l'cole
Polytechnique Fdrale de Lausanne en Suisse, possde des proprits proches de celles du PZT4 massif. Par
contre son dpt est beaucoup plus compliqu et ncessite des tapes de traitement thermique des
tempratures leves et une tape de polarisation en utilisant des tensions de ordre de 20V/m. La ncessit
de polariser la couche aprs son dpt donne une possibilit d'implmenter des structures innovantes,
permettant d'augmenter la tension gnre et de diminuer la capacit du dispositif. Ces concepts, ainsi que le
procd de fabrication des couches pizolectriques de PZT, vont tre prsents dans la suite de ce chapitre.
V.2. Modlisation analytique
Nous avons estim qu'un modle analytique prcis d'une poutre encastre-libre tait ncessaire pour
pouvoir mener des optimisations et pour bien comprendre son comportement. Ce type de structure a dj t
analys, mais les modles analytiques sont trs rares et simplistes. Un modle FEM est souvent utilis, lequel
malgr sa prcision, ne permet pas d'effectuer des optimisations efficaces de la structure aussi bien au niveau
gomtrique qu'au niveau des proprits des matriaux utiliss. S. Roundy a propos dans sa thse [38] un
modle analytique bas sur un circuit lectrique quivalent une poutre macroscopique. Ce modle a t
analys en supposant seulement que la frquence d'excitation est identique la frquence de rsonance du
dispositif et en simplifiant le couplage pizolectrique. D'un autre cot, il existe plusieurs modles de
structures pizolectriques sous forme d'une poutre ([89], [90]), mais ils ne sont pas utiliss pour analyser la
rcolte d'nergie. Une modlisation trs intressante a t propose par N.E. duToit [91] et [92], mais
uniquement un modle simplifi unidimensionnel est analys en dtails. De plus dans le domaine des
microsystmes, la structure active n'est plus un bimorphe symtrique comme dans des ralisations
macroscopiques, mais plutt un empilement asymtrique des couches avec une seule couche pizolectrique.
Son comportement n'est pas identique celui de la structure symtrique et il n'a pas t encore modlis en
vue de la rcolte de l'nergie des vibrations mcaniques. Nous proposons ici un modle d'une telle structure
et ensuite nous comparerons les rsultats obtenus avec une modlisation FEM pris en tant que rfrence.
V.2.1. Prsentation du modle
Nous avons dj prsent et analys le modle analytique simplifi d'une structure pizolectrique
unidimensionnelle dans le paragraphe III.2 de ce mmoire. Ce modle est intressant pour analyser
l'influence de plusieurs facteurs, comme le niveau de pertes ou la frquence de rsonance sur l'efficacit
nergtique du systme. Nanmoins il ne permet pas d'optimiser la gomtrie et la composition d'une
structure relle. Nous avons dvelopp un modle prcis d'une structure que nous allons fabriquer, en
prenant en compte tous les aspects spcifiques d'un dispositif MEMS. La partie suivante va prsenter les
points cls de la modlisation et nous invitons le lecteur consulter l'annexe B pour les dtails des calculs.
De plus l'annexe A contient la liste de tous les symboles utiliss ainsi que les dtails sur la notation de l'effet
pizolectrique et les valeurs effectives des paramtres des matriaux.
La structure que nous proposons est prsente sur la figure V.1. C'est une poutre encastre-libre,
comme celle dj teste dans le chapitre prcdent. Une couche pizolectrique est dpose sur la poutre et
elle subit des compressions et longations cycliques ce qui gnre des charges lectriques, accumules
ensuite sur les lectrodes mtalliques.
Nous avons dfini trois axes gomtriques : x en longueur, y en largeur et z selon l'paisseur de la
poutre. L'origine des axes est situe l'encastrement et au niveau de l'axe neutre de la poutre. La couche
pizolectrique est polarise verticalement donc l'axe (3) du matriau pizolectrique correspond l'axe z
gomtrique, l'axe (1) pizolectrique l'axe x gomtrique et finalement l'axe (2) pizolectrique l'axe y
gomtrique. Nous dfinissons les dimensions de la structure en utilisant l'indice P pour dnommer les
dimensions de la poutre et l'indice M pour dnommer les dimensions de la masse sismique. La longueur L
dfinit la distance entre l'encastrement et la projection du centre de gravit de la masse sismique sur l'axe x.
Nous introduisons aussi les variables suivantes :
w(x) : la dformation de la poutre en fonction de la position sur l'axe x,
w
1
: le dplacement vertical au niveau de l'attachement de la masse sismique au bout de la poutre,
w
2
: le dplacement vertical du centre de gravit de la masse sismique.
Nous dfinissons aussi le moment de rotation de la masse sismique M
R
par rapport son point
d'attachement sur la poutre et l'angle de rotation de la masse . La distance L
R
dfinit le bras de rotation de la
masse sismique. Puisque l'inertie rotationelle de la masse sismique va s'opposer sa rotation impose par
l'acclration, le signe de M
R
va tre ngatif par rapport au moment induit par la force d'inertie.
Le point caractristique de cette structure est la grande masse sismique attache sur une trs fine
poutre. Un tel assemblage est ncessaire pour obtenir une structure avec une frquence de rsonance basse,
correspondant au spectre des vibrations environnementales prsent dans le chapitre II. Il faut donc bien
considrer les points suivants :
la masse sismique est rigide,
l'acclration d'excitation est applique sur la masse sismique et non une force sur la poutre,
les effets de rotation de la masse sismique sont pris en compte,
la masse de la poutre est ngligeable par rapport la masse sismique,
Figure V.1 : Schma d'une poutre avec une grande masse sismique (a)
et l'indication des variables utilises dans la modlisation (b).
(a)
(b)
seul le premier mode de rsonance en flexion est pris en compte.
Dans un cas rel, la composition des couches constituant la poutre est trs complexe, comme nous le
prsentons dans le paragraphe V.3.1 de ce chapitre. Nanmoins dans notre modle, nous allons ngliger
l'influence des lectrodes (couches fines) qui influencent peu le comportement mcanique de la structure.
Dans tous les exemples numriques, nous utilisons le silicium comme matriau structural et le PZT-4 comme
matriau pizolectrique, dont les proprits sont dtailles dans l'annexe D. Les matrices des proprits
mcaniques et pizolectriques sont utilises pour prendre en compte l'anisotropie des matriaux. La poutre
modlise est fine et longue ce qui permet d'utiliser la convention de modlisation d'Euler-Bernoulli. Dans ce
cas, les contraintes en cisaillement sont ngliges.
V.2.2. Variables indpendantes et les conditions aux limites
Dans notre cas les variables mcaniques indpendantes sont les dformations horizontales S
1
et S
2
ainsi
que les contraintes verticales T
3
. La structure est encastre dans le substrat une extrmit de la poutre et une
masse sismique est attache son autre extrmit. Nous faisons une simplification des contraintes uniformes
en y ce qui impose que la dformation S
2
au niveau de la largeur de la poutre est nulle. La poutre est attache
sur le substrat, donc les couches sont libres de se dformer verticalement. Les contraintes verticales T
3
sont
donc nulles aussi. L'encastrement mcanique de la poutre impose aussi que le dplacement w, ainsi que la
tangente de la courbure de la poutre sont nuls l'encastrement. Au niveau lectrique, le placement des
lectrodes impose des surfaces quipotentielles sur les deux faces de la couche pizolectrique. Cela
implique que les vecteurs du champ lectrique E
1
et E
2
soient nuls. L'uniformit des dformations (uniform
strain) de la couche pizolectrique dans la direction y(2) impose que le vecteur de dplacement lectrique
D
2
soit nul aussi. La distribution des charges sur les lectrodes est uniforme selon y, mais ne l'est pas selon x.
Le champ lectrique par contre est uniforme en x parce que les lectrodes sont des surfaces quipotentielles.
En revanche il n'est pas uniforme en paisseur (les contraintes ne sont pas uniformes en paisseur). Le
tableau V.1 rsume toutes les conditions aux limites appliques sur la structure.
Condition Explication
w( x=0)=0 La dformation de la poutre est nulle l'encastrement.
|
w
x

x=0
=0 La tangente de la courbure de la poutre est nulle l'encastrement.
T
3
=0 Les couches sont libres de se dformer en paisseur.
S
2
=0
La poutre tant relativement courte et encastre de deux cots, sa largeur reste
inchange.
E
1
=E
2
=0
Les composantes horizontales des vecteurs de l'intensit du champ lectrique
sont nulles les lectrodes sont des surfaces quipotentielles.
E
3
=f (z , t ) La valeur du champ lectrique est une fonction de la coordonne z et du temps.
D
3
=f ( x , t )
La valeur du dplacement lectrique est une fonction de la coordonne x et du
temps.
D
2
=0 La condition des contraintes uniformes en y impose que D
2
= 0.
Tableau V.1 : Conditions aux limites appliques sur la structure modlise.
En prenant en compte ces remarques, nous allons utiliser les quations constitutives V.1. Les
coefficients avec l'exposant ef reprsentent les valeurs effectives des constantes respectives obtenus en
prenant en compte les conditions au limites appliques sur la structure. Les calculs aboutissants ces
quations, ainsi que la dmarche pour obtenir les valeurs effectives, sont prsents dans l'annexe A.
|
T
1
T
2
S
3
=
|
c
11
ef
c
12
ef
c
13
ef
S
1
|
e
31
ef
e
31
ef
e
33
ef
E
3
D
3
=e
31
ef
S
1
+c
33
ef
E
3

(a)
(V.1)
(b)
V.2.3. Modlisation
V.2.3.1. Axe neutre
Nous commenons par la dfinition de la position de l'axe neutre, c'est dire la coordonne pour
laquelle les forces rsultantes sont nulles. Pour calculer la position de l'axe neutre dans la poutre nous allons
ignorer l'existence de l'effet pizolectrique et nous allons considrer les deux couches comme des matriaux
purement lastiques. Le schma de composition des couches est prsent sur la figure V.2. De plus de l'axe
vertical z (dont l'origine est situ l'intersection avec l'axe neutre de la poutre) nous allons introduire un axe
auxiliaire a dont l'origine est situ sur la face infrieure de la poutre.
A partir de la figure V.2 nous pouvons dfinir les relations entre les coordonnes selon l'axe a et les
coordonns selon l'axe z (quations V.2).
z
1
=a
1
z
2
=a
2
a
1
=h
s
a
1
z
3
=a
3
a
1
=h
s
+h
p
a
1
(V.2)
La position a
1
de l'axe neutre sera calcule partir de l'quilibre des forces rsultantes dans la direction
x(1) dans la poutre, exprime dans l'quation V.3 [90]. T
1s
et T
1p
sont les contraintes respectivement dans le
support et dans le matriau pizolectrique.
0
a
1
T
1s
da+
a
2
a
3
T
1p
da=0 (V.3)
Figure V.2 : Coupe de la poutre compose de deux couches, une
purement mcanique de support (silicium) et l'autre pizolectrique.
Les quations V.4 prsentent la relation entre les contraintes T
1,
la dformation S
1
et la courbure de
la poutre (formule d'Euler-Bernoulli).
T
xs
=Y
S
ef
S
1
=Y
S
ef
(aa
1
)
T
xp
=c
11
ef
(aa1)
(V.4)
En insrant les quations V.2 et V.4 dans l'quation V.3 et en valuant les intgrales nous obtenons la
formule dfinissant la position de l'axe neutre par rapport la face infrieure de la poutre quation V.5. Les
calculs sont dtaills dans l'annexe B.
a
1
=
Y
S
ef
h
S
2
+c
11
ef
h
p
(2 h
S
+h
p
)
2(Y
S
ef
h
S
+c
11
ef
h
p
)
(V.5)
V.2.3.2. Courbure de la poutre
Pour trouver l'expression de la courbure de la poutre, nous allons analyser les moments agissant sur la
poutre. Nous allons ngliger la gravit et nous allons prendre en compte uniquement une acclration
sinusodale A
in
agissant sur la masse sismique.
La masse sismique est soumise une acclration et agit sur la poutre avec une force d'inertie et avec
un moment d'inertie lie sa rotation. Nous pouvons donc dfinir un moment total agissant sur la poutre
pour une position x quation V.6.
M
y
( x)=
m
B
P
(
A
i n

w
2
)
( Lx)
M
R
B
P
(V.6)
Le moment de rotation de la masse sismique M
R
est exprim dans l'quation V.7, avec J
0
le moment d'inertie
de rotation de la masse autour de son point d'attachement sur la poutre (calcul dans l'annexe A).
M
R
=J
0

2
0
t
2
(V.7)
Selon l'approche d'Euler-Bernoulli, la dformation S
1
de la poutre est lie sa courbure par la relation V.8.
S
1
=z
=
2
w
x
2

(a)
(V.8)
(b)
L'quilibre des moments dans la poutre est prsente dans l'quation V.9.
M
y
( x)=
z
1
z
2
T
1
z dz
z
2
z
3
T
1
z dz (V.9)
En introduisant l'expression de T
1
de l'quation V.1a, et de S
1
de l'quation V.8a, nous obtenons l'quation
V.10.
M
y
( x)=Y
s
ef
z
1
z
2
z
2
dz+c
11
ef
z
2
z
3
z
2
dz+e
31
ef
z
2
z
3
E
3
z dz (V.10)
Nous valuons les intgrales et nous obtenons l'quation V.11.
M
y
( x)=D
G
+e
31
ef
z
2
z
3
E
3
z dz (V.11)
D
G
tant la rigidit quivalente de la poutre dfinie dans l'quation V.12.
D
G
=
Y
S
ef
3
( z
2
3
z
1
3
)+
c
11
ef
3
( z
3
3
z
2
3
)
(V.12)
Nous liminons l'intensit du champ lectrique E
3
de l'quation V.11 en utilisant la relation V.1b et nous
arrivons la formule V.13.
M
y
( x)= D
G
' +D
3
( x) (V.13)
Avec deux constantes auxiliaires D
G
' et dfinies respectivement par les quations V.14 et V.15.
D
G
' =D
G
+
(e
31
ef
)
2
c
33
ef

z
3
3
z
2
3
3
(V.14)
=
e
31
ef
2c
33
ef
h
P
(
2 h
S
+h
P
2 a
1
) (V.15)
Nous allons employer l'quation V.16, pour obtenir la relation entre la tension entre les lectrodes u
0
(t) et
l'intensit du champ lectrique E
3
.
z
2
z
3
E
3
dz =u
0
( t ) (V.16)
En liminant E
3
avec l'quation V.1b, nous obtenons l'expression de la valeur du dplacement lectrique D
3
en fonction de la tension entre les lectrodes u
0
et la courbure de la poutre .
D
3
( x)=
c
33
ef
h
p

(
u
0
+
)
(V.17)
En introduisant cette dernire quation dans l'quation V.13, nous obtenons la relation entre le moment
agissant sur la poutre, sa courbure et la tension entre les lectrodes l'quation V.18.
M
y
( x)=D
G
' '
(
(u
0
)
(V.18)
Avec :
D
G
' ' =D
G
'
c
33
ef
h
p

2
(V.19)
(=
c
33
ef
h
p
D
G
' '
(V.20)
En insrant l'quation V.18 dans l'quation V.6, nous obtenons une quation reliant la courbure de la poutre
et la tension gnre entre les lectrodes avec l'acclration applique sur la structure l'quation V.21.
m
(
A
i n

w
2
)
( Lx)M
R
=B
P
D
G
' '
(
(u
0
) (V.21)
En transformant cette quation nous arrivons l'expression de la courbure de la poutre (quation V.22).
=
2
w
x
2
=
m
B
P
D
G
' '
(
A
i n
w
2
)
( Lx)
M
R
B
P
D
G
' '
+(u
0
(V.22)
V.2.3.1. Dplacement de la masse sismique
Nous allons faire deux intgrations de la formule exprimant la dformation de la poutre (quation
V.22) pour aboutir l'expression du dplacement de la masse. Pour cela, nous tiendrons en compte des
conditions aux limites cites dans le tableau V.1, disant que le dplacement de la poutre, ainsi que l'angle de
sa dformation sont nuls l'encastrement. Aprs la premire intgration nous obtenons l'quation V.23,
laquelle peut conduire la valeur de l'angle de rotation en bout de poutre (en mme temps que la rotation de
la masse sismique par rapport au bout de la poutre) l'quation V.24. Pour des petits angles de rotation de la
masse, la tangente peut tre approxime par la valeur de l'angle , ce qui facilite considrablement les
calculs.
w
x
=
m
B
P
D
G
' '
(
A
i n
w
2
)
x ( L
x
2
)
M
R
B
P
D
G
' '
x+(u
0
x (V.23)
0tan0=
|
w
x
x=L
P
=
L
P
B
P
D
G
' '
(
m
(
A
i n
w
2
)
( L
L
P
2
)M
R
)
+(u
0
L
P
(V.24)
Aprs la deuxime intgration nous obtenons l'expression de la dformation de la poutre en fonction de la
coordonne x, l'excitation et la tension entre les lectrodes.
w( x)=
x
2
2 B
P
D
G
' '
|
m
(
A
i n

w
2
)
(
L
x
3
)
M
R
+(u
0
x
2
2
(V.25)
Avec cette quation nous pouvons obtenir la formule dfinissant la dformation au bout de la poutre.
w
1
=
L
P
2
2 B
P
D
G
' '
|
m
(
A
i n

w
2
)
(
L
L
P
3
)
M
R
+(u
0
L
P
2
2
(V.26)
Pour obtenir le dplacement de la masse sismique, nous allons utiliser l'expression de la rotation de la masse
et le dplacement au bout de la poutre. Puisque la masse est rigide, le dplacement w
2
peut tre dfini par
l'quation V.27.
w
2
=tan0
(
LL
P
)
+w
1
=
|
w
x
x=L
P
(
LL
P
)
+w
1
(V.27)
Aprs l'introduction des quations V.24 et V.26 dans la dernire quation nous obtenons la formule
dfinissant le dplacement de la masse sismique w
2
.
w
2
=
L
P
L
eq
2
B
P
D
G
' '
m
(
A
i n

w
2
)
M
R
L
P
B
P
D
G
' '
(
L
L
P
2
)
+(u
0
L
P
(
L
L
P
2
)

(V.28)
Avec :
L
eq
2
=L
2
L
P
L+
L
P
2
3
(V.29)
V.2.3.1. Tension entre les lectrodes
Grce au thorme de Gauss, nous pouvons calculer la charge q(t) accumule sur une lectrode (avec
A l'aire d'une lectrode).
q(t )=
A
D
3
( x , t) dA=B
P
0
L
P
D
3
( x , t ) dx (V.30)
La variation de la charge sur les lectrodes dfinit le courant passant par la charge Z et grce la loi
d'Ohm fournit la tension entre les lectrodes u
0
quation V.31.
dq
dt
=i (t )=
u
0
(t )
Z
(V.31)
L'expression de la tension entre les lectrodes peut donc tre transforme de la faon suivante - quation
V.32.
u
0
(t )=Z B
P
0
L
P
D
3
( x , t)
t
dx (V.32)
En insrant l'quation V.17 et en valuant l'intgrale, nous obtenons une quation diffrentielle liant la
tension entre les lectrodes avec la dformation de la poutre.
u
0
(t )=B
P
Z
c
33
ef
h
P
(
du
0
dt
L
P
+
0
t
)
(V.33)
Les deux quations diffrentielles V.28 et V.33 peuvent tre rcrites pour aboutir la forme prsente
dans les quations V.34 avec les quatre variables : le dplacement de la masse sismique w
2
, la tension entre
les lectrodes de la couche pizolectrique u
0
, l'angle de rotation de la masse sismique et l'acclration
d'excitation A
in
.
m w
2
+
B
P
D
G
' '
Lp L
eq
2
w
2
( B
P
D
G
' '
L
eq
2
(
L
L
P
2
)
u
0
+
J
0
L
eq
2

0
(
L
L
P
2
)
=mA
i n
u
0
L
P
+

( B
P
Z D
G
' '
u
0
+
0=0

(a)
(V.34)
(b)
V.2.4. Rponse une excitation sinusodale
Nous allons analyser le comportement du systme excit avec une acclration sinusodale en rgime
permanent. Dans ce cas, les quations V.34 peuvent tre rsolues en passant dans le domaine de Laplace. Au
cours de cette analyse, les variables dans le domaine de Laplace sont prsentes en gras.
L'quation V.34a peut tre rsolue pour w
2
dans le domaine de Laplace. Aprs les transformations
prsentes dans le paragraphe B.2.1 dans l'annexe B, nous obtenons l'quation V.35.
w
2
=
L
P
m
|
L
eq
2
+H
1
p
2
+(U
0
L
P
(
L
L
P
2
)
B
P
D
G
' '
B
P
D
G
' ' +H
2
p
2
+H
1
L
P
m p
4
A
i n
(V.35)
Avec :
H
1
=
L
P
3
J
0
12 B
P
D
G
' '
(V.36)
H
2
=L
P
(
J
0
+L
eq
2
m
)
(V.37)
D'une manire similaire nous pouvons rsoudre l'quation V.34b pour la tension entre les lectrodes U
0
.
U
0
=Z ( L
P
m
(
L
L
P
2
)
( A
i n
p
2
w
2
)
p
1+H
3
p+12
H
1
L
P
2
p
2
+H
4
p
3
(V.38)
Avec :
H
3
=B
P
Z D
G
' '
(
L
P
(1+() (V.39)
H
4
=Z L
P
2
J
0
(
(V.40)
Finalement en insrant l'quation V.37 dans l'quation V.35 nous obtenons la formule liant l'amplitude
de dplacement de la masse sismique avec l'amplitude de l'acclration d'excitation.
w
2
=
G
t0
+G
t1
p+G
t2
p
2
+G
t3
p
3
G
b0
+G
b1
p+G
b2
p
2
+G
b3
p
3
+G
b4
p
4
+G
b5
p
5
+G
b6
p
6
+G
b7
p
7
mL
P
A
i n
(V.41)
Avec :
G
t0
=12B
P
D
G
' ' L
eq
2
G
t1
=
(
B
P
D
G
' '
)
2
( L
P
Z
(
12L
eq
2
+( L
P
2
)
G
t2
=J
0
L
P
3
G
t3
=B
P
D
G
' ' Z ( L
P
4
J
0

G
b0
=12
(
B
P
D
G
' '
)
2
G
b1
=12
(
B
P
D
G
' '
)
3
Z ( L
P
( 1+()
G
b2
=12 B
P
D
G
' ' L
P
( J
0
+mL
eq
2
)
G
b3
=
(
B
P
D
G
' '
)
2
(Z L
P
2
(12mL
eq
2
+12 J
0
+L
P
2
m()
G
b4
=L
P
4
m J
0
G
b5
=B
P
D
G
' ' L
P
5
mZ ( J
0
(V.42)
Pour le rgime permanent, nous pouvons substituer la variable de Laplace p par j. L'quation V.41
devient :
w
2
=
G
t0
G
t2
o
2
+j (G
t1
oG
t3
o
3
)
G
b0
G
b2
o+G
b4
o
4
+j (G
b1
oG
b3
o
3
+G
b5
o
5
)
m L
P
A
i n
(V.43)
L'expression de la tension entre les lectrodes peut tre obtenue en insrant l'quation V.43 dans
l'quation V.38.
V.2.4.1. Puissance gnre
La puissance apparente passant par une charge quelconque Z est exprime comme le produit de la
tension par le courant passant par cette charge. Aprs application de la loi d'Ohm, nous obtenons donc
l'quation V.44 dcrivant la puissance apparente S pour les signaux sinusodaux.
S=
U
U
2
Z
(V.44)
Si la charge est une rsistance pure R, la puissance P dissipe par la charge est exprime par l'quation V.45.
P=
U
U
2 R
(V.45)
V.2.5. Introduction des pertes
Nous avons dmontr dans le chapitre III que le niveau des pertes prsentes dans le systme peut
considrablement modifier son comportement. C'est non seulement le niveau de la quantit de l'nergie
produite qui varie, mais aussi les valeurs optimales du circuit de rcolte de l'nergie. Nous avons valu les
paramtres des pertes pour un dispositif MEMS de longueur 1,4mm (la longueur de la masse sismique est de
1mm), largeur 1mm, dont l'paisseur de la poutre est de 10m et l'paisseur de la masse sismique est de
0,5mm, qui vibre environ 1kHz (987Hz). Une couche pizolectrique de 2m est dpose sur la poutre
dont les caractristiques correspondent une couche mince en PZT que nous allons employer pour la
fabrication de nos dispositifs. Nous avons aussi estim que la paroi la plus proche est parallle et loigne de
500m. Nous invitons le lecteur consulter l'annexe C pour les dtails sur les discutions portant sur la
modlisation des diffrents types de pertes. Nous avons analys cinq types de pertes :
Pertes lies avec le frottement de l'air. Nous avons pris en compte la rgion visqueuse et
molculaire et nous avons dtermin la variation de facteur de qualit lie avec ce type de pertes en
fonction de la pression du gaz ambiant.
Pertes structurales. Nous avons utilis notre modle analytique de la poutre prsent dans ce
chapitre pour dterminer la valeur du facteur de qualit mcanique de la structure, correspondant aux
pertes de frottement interne. Pour faire cela nous avons utilis la valeur mesure du facteur de qualit de
mcanique de la couche PZT gal 135 [93], et le facteur de qualit du silicium monocristallin de 2 10
5
[94]. Le facteur de qualit de la structure a t dtermin partir du pic de rsonance de la structure avec
les lectrodes court-circuites. La largeur du pic de dplacement w
2
est gal 1,84Hz, ce qui donne le
facteur de qualit de la structure gal 536.
Pertes de compression. Ce sont des pertes lies avec la compression d'air entre la structure mobile et
une paroi parallle proche. Dans notre cas la paroi la plus proche est distante d'environ 500m. A la
pression atmosphrique (1000hPa) le facteur de qualit li avec ce phnomne est gal 49 10
3
. Nous
allons donc ngliger ce type de pertes.
Pertes dans le support. La poutre est lance, donc peu d'nergie est rayonne dans le substrat. Nous
avons calcul sa valeur et nous avons obtenu le facteur de qualit correspondant gal 1,8 10
6
. Nous
avons donc ignor l'existence de ce type de pertes aussi.
Pertes thermo-lastiques. Ce type de pertes est li l'chauffement de la structure et les contraintes
induites par sa dilatation thermique. Dans notre cas, le temps de relaxation thermique dans la structure est
bien infrieur la priode de vibration. En utilisant le modle de Zener [95] nous avons estim le facteur
de qualit li avec les pertes thermo-lastiques environ 26 10
6
.
La figure V.3 prsente l'volution des facteurs de qualit lis aux pertes structurales, au frottement
avec l'air et pertes de support en fonction de la pression. Nous pouvons conclure, que mme la pression
atmosphrique, ce sont les pertes structurales, donc la qualit de la couche pizolectrique, qui limitent la
performance du dispositif.
V.2.6. Rsultats de la modlisation analytique
Nous avons valu le comportement des structures du type poutre encastre-libre en utilisant notre
modle. Les calculs analytiques ont t fait en utilisant le logiciel de calculs formels Maple
TM
10.
V.2.6.1. Puissance gnre
Le but de ce modle est d'optimiser la structure du micro gnrateur de puissance. Dans le systme
rel, le circuit de traitement de puissance est compos d'une part par le redressement (AC/DC) et d'autre part
par l'adaptation du niveau de tension (DC/DC). Nanmoins dans le modle, nous allons utiliser une simple
rsistance R pour reprsenter la charge lectrique connecte au dispositif. Dans ce cas, pour une excitation
sinusodale, l'amplitude de la puissance moyenne dissipe est exprime par la relation V.46.
P=
U
0

U
0
2 R
(V.46)
Pour analyser les valeurs de puissance nous avons modlis un dispositif dont la longueur et la
largeur de la poutre sont gales 400m, l'paisseur du support mcanique en silicium est gal 5m et une
couche fine de PZT4 de 1m est dpose sur la poutre. La longueur et la hauteur de la masse sismique sont
gales 400m et la largeur de la masse est gale 410m. Une acclration sinusodale de 10ms
-2

est
applique.
Deux pics peuvent tre observs sur la figure V.4 : un correspondant la rsonance (RES) et l'autre
correspondant l'antirsonance (ARES). Les deux maximums apparaissent pour deux valeurs diffrentes de
la charge rsistive. De mme que dans le cas du modle 1D analys dans le chapitre III, la valeur optimale de
la rsistance est beaucoup plus faible en rsonance qu'en antirsonance.
Figure V.3 : volution des facteurs de qualit lis avec diffrents types de pertes en
fonction de la pression du gaz ambiant.
V.2.6.2. Influence des pertes
Pour rcolter le maximum d'nergie, la charge rsistive devrait tre gale une des valeurs optimales
correspondant la rsonance ou l'antirsonance. Nanmoins, comme nous l'avons dj prsent dans le
chapitre III pour un modle 1D, ces valeurs changent avec le niveau de pertes prsents dans le systme. Les
deux valeurs optimales tendent vers une seule, comme l'illustre la figure V.5. Cette valeur est gale celle
cite dans les travaux prcdents [96] et dpend uniquement de la valeur de la capacit du dispositif C
0
et de
la frquence d'opration f. D'un autre ct, les tudes prsentes par Roundy [97] prennent en considration
l'influence de l'amortissement visqueux sur la valeur optimale de la rsistance de charge mais ignorent son
comportement frquentiel avec deux valeurs optimales quation V.47 (avec k coefficient de couplage du
dispositif).
R
opt
=
1
2n f C
0
2
.4
2
+k
4
(V.47)
En fait le modle propos par S. Roundy a t valid seulement pour la frquence d'excitation gale
la frquence de rsonance du dispositif. L'existence de l'antiresonance a t omis. Ces modles ont t
utiliss pour des dispositifs macroscopiques, assembls la main, donc avec des facteurs de qualit faibles.
Dans le cas d'un systme MEMS, la qualit des matriaux utiliss est souvent trs leve et en plus ils
peuvent tre mis sous vide assez facilement. Le cas des systmes fortement amortis n'est plus valable et
l'influence des pertes sur le point optimal d'opration doit tre analys prudemment.
Figure V.4 : Rsultats de la modlisation analytique du dplacement de la masse sismique (a) et de la puissance
dissipe sur une charge rsistive (b) en fonction de la valeur de la charge rsistive et de la frquence d'excitation
pour une amplitude d'acclration de 10ms
-2
et 0,1% de facteur de pertes visqueuses.
(b) (a)
V.2.7. Comparaison avec les rsultats de simulation FEM
Nous avons compar les rsultats de la modlisation analytique avec ceux du modle FEM de la mme
structure simule avec le logiciel ANSYS
TM
.

Nous avons compar le comportement mcanique ainsi que la
puissance dlivre.
V.2.7.1. Frquence de rsonance
Nous avons effectu des simulations modales des structures de type poutre encastre-libre avec une
masse sismique avec diffrentes dimensions pour valuer l'impact des dimensions sur la frquence de
rsonance de la structure. Ensuite, nous avons fait les calculs avec notre modle analytique pour comparer
les rsultats. La figure V.6a prsente l'volution de la frquence de rsonance de la structure en fonction de la
hauteur et de la largeur de la masse sismique. Le reste des paramtres de la structure supposs constants est
report dans le tableau V.2.
Paramtre Valeur Paramtre Valeur
B
P
400m H
P
1m
L
P
400m B
M
410m
H
S
5m L
M
400m
Tableau V.2 : Paramtres gomtriques de la structure modlise.
Nous pouvons constater que pour les masses de grandes dimensions, l'inertie rotationelle influence de
plus en plus la valeur de la frquence de rsonance. Nous avons fait des simulations FEM pour dterminer
des valeurs prcises de la frquence de rsonance des dispositifs avec masses sismiques dont la largeur et la
longueur varient entre 100m et 1mm. Ensuite nous avons calcul les valeurs de frquence de rsonance de
ces mmes structures avec les modles analytiques pour les comparer en prenant les valeurs FEM en tant que
Figure V.5 : volution de la valeur optimale de la charge rsistive en fonction de la frquence
d'excitation et du niveau des pertes visqueuses.
rfrence. Nous avons employ trois modles analytiques. Le premier - simple , utilise la formule
prsente dans le paragraphe IV.1.1 et considre la masse sismique ponctuelle et attache au bout de la
poutre. Le suivant - sans rotation prend en compte les dimensions de la masse sismique et le fait qu'elle
est rigide, mais ignore l'existence de l'inertie rotationelle. Finalement le dernier utilise le modle complet
dvelopp dans ce chapitre. La figure V.6a prsente les rsultats de comparaison de ces trois modles
normaliss par rapport aux valeurs obtenues avec la modlisation FEM.
Tandis que pour le modle simple, l'erreur va jusqu' 120%, pour le modle le plus complet, l'erreur ne
dpasse pas 20%. La figure V.6b prsente la mme variation, mais pour la largeur de la masse sismique gale
1mm. L'introduction de la rigidit de la masse ne change pas la valeur de la rsonance pour des longueurs
de la poutre comparables avec la longueur de la masse (les deux gales 400m dans notre cas). Par contre
l'introduction de l'inertie rotationelle de la masse sismique permet de rduire l'erreur de manire importante,
mais donne toujours une valeur de frquence lgrement infrieure la frquence calcule avec la mthode
des lments finis.
V.2.7.2. Puissance
Une structure de type poutre encastre-libre a t modlise et simule. La longueur et la largeur de la
poutre ont t fixes 400m et les paisseurs respectivement 5m et 1m pour la couche de silicium et
PZT4. La longeur ainsi que la hauteur de la masse sont gales 400m et la largeur est gale 410m. La
frquence de rsonance d'une telle structure est gale 1111Hz pour le modle analytique et 1208Hz pour
le modle FEM (8% de diffrence). Les rsultats vont tre reprsents en fonction de la dviation de la
frquence d'excitation par rapport la frquence de rsonance calcule avec les modles analytique et FEM.
Les figures V.7 a et b prsentent respectivement la variation de la valeur de la rsistance optimale et la
puissance dissipe sur cette rsistance en fonction de la frquence d'excitation normalise pour trois valeurs
d'amortissement visqueux. Un bon accord peut tre constat entre les deux rsultats, avec une petite
diffrence au niveau frquentiel. Cela provient du fait que dans le modle analytique, nous avons fait une
Figure V.6 : Comparaison des frquences de rsonance calcules avec les diffrents modles en fonction de la taille
de la masse sismique (a) et pour la largeur de la masse sismique gale 1mm (b).
(a) (b)
supposition que les dformations sont uniformes dans la largeur de la poutre, ce qui augmente le couplage
dans la structure. Dans le cas du modle FEM les encastrements sont mieux reprsents et le couplage est
plus faible.
Au niveau des rsultats de la puissance, la mme remarque peut tre constate. En effet, il y a un bon
accord au niveau des valeurs de puissance, mais la diffrence entre la rsonance et l'antirsonanace est plus
importante dans le cas de la modlisation analytique.
Suite ces rsultats, nous pouvons conclure que le modle analytique reprsente bien le comportement
de la structure modlise. Les valeurs de la puissance et de la frquence de rsonance sont en bon accord
avec les valeurs FEM et surtout l'impact des pertes et de la frquence d'excitation est bien reproduit.
L'imprcision de la modlisation est surtout une consquence de la supposition des contraintes uniformes
dans la poutre dans la direction y. Nanmoins, la modlisation exacte de la dformation de la poutre en
largeur compliquerait les dmarches dans la modlisation analytique en rendant les calculs encore plus
complexes.
V.2.8. Conception et optimisation de la structure
Le but principale du modle analytique est de permettre une optimisation pousse de la structure au
niveau gomtrique. Malheureusement, le degr de complexit de notre modle dpasse le potentiel de notre
outil d'optimisation et c'est pour cela que nous allons introduire quelques simplifications. Tout d'abord nous
allons dfinir, dans quel domaine une optimisation peut tre effectue.
En prenant en compte les conclusions de la modlisation 1D du chapitre III, nous pouvons constater
que pour maximiser la puissance produite par un micrognrateur il faut augmenter au maximum la taille de
la masse sismique et la raideur du ressort. Nous visons concevoir une structure de type MEMS, partir
d'une plaquette en silicium SOI. Cela impose, que l'paisseur de la masse sismique doit tre gale
l'paisseur de la plaquette, typiquement 500m. De plus, la longueur minimal de la poutre est limite par le
distance minimal entre les parois pour garantir une bonne gravure DRIE face arrire. Aprs consultation avec
Figure V.7 : Variation de la valeur optimale de la rsistance de charge (a) et de la puissance dissipe sur une charge
rsistive de valeur optimale (b) pour trois valeurs des pertes visqueuses, simules en employant la mthode des
lments finis (FEM) et modlise analytiquement.
(a) (b)
des personnes responsables de cet tape, nous avons fix cette valeur 400m, pour tre sr de la russite
des tapes de fabrication. De plus nous limitons la longueur de la structure 1,5mm. Pour encore simplifier
notre dmarche de conception, nous fixons la largeur de la structure constante, c'est dire la largeur de la
masse est identique celle de la poutre. Finalement la frquence d'excitation est dtermine par le milieu,
alors pour une volume de la masse maximale, la raideur de la poutre doit tre adapte pour garder cette
frquence de rsonance. Cela nous laisse un seul dgre de libert au niveau de la conception le rapport
entre les paisseurs des couches structurale et pizolectrique de la poutre. La figure V.8 prsente l'volution
de la puissance en fonction de pour la structure dcrite, qui vibre 900Hz.
Nous constatons, que la couche pizolectrique doit tre la plus fine possible pour obtenir les meilleurs
rsultats. Cela est influenc aussi par la fait, que le facteur de qualit de la couche pizolectrique est trs
faible (132 contre 5 10
6
pour silicium monocrystallin) donc en diminuant l'paisseur de cette couche le
facteur de qualit de la structure augmente. Par contre, si l'paisseur de la couche pizolectrique diminue, la
capacit du dispositif augmente, ce qui n'est pas souhaitable au niveau du circuit de gestion d'nergie.
Figure V.8 : volution de la puissance maximale en fonction de la valeur de la charge rsistive et
le rapport des paisseurs des couches.
V.3. Structure en PZT
Dans ce paragraphe nous allons prsenter la conception, la fabrication et les rsultats exprimentaux
concernant les structures utilisant les couches minces de PZT. Nous allons commencer par l'introduction de
la technologie utilise et nous allons poursuivre en dcrivant en dtails les structures proposes. Nous allons
finir par l'analyse des rsultats exprimentaux.
V.3.1. Filire technologique utilise
Dpt de couches minces de PZT
L'intgration des couches minces de PZT est beaucoup plus complexe que celle des matriaux avec la
structure cristalline de wurzite (AlN, ZnO) cause de la ncessit du traitement haute temprature dans des
atmosphres oxydantes. Pour cela, il est ncessaire d'utiliser des lectrodes inertes, difficiles graver.
Plusieurs techniques de dpt ont t testes, notamment les mthodes physiques : pulvrisation par faisceau
ionique [98] pulvrisation RF magntron [99], pulvrisation DC magntron [100] et des mthodes
chimiques : MOCVD
1
[101], CSD
2
[102] et de type MOD
3
[103].
Les mthodes CSD semblent tre les meilleures pour la fabrication des MEMS, grce au faible cot
des machines et la trs bonne uniformit des couches. Par contre, la rptabilit des paramtres
pizolectriques et leur uniformit au niveau de la plaquette reste un grand dfi technologique. De plus, pour
obtenir des couches paisses, plusieurs tapes de cristallisation sont ncessaires, ce qui complique et rallonge
le processus. Finalement, l'tape de recuit (annealing) est invitable aprs le dpt pour cristalliser la couche.
La figure V.9 prsente une coupe d'une couche du PZT de 4m d'paisseur prpare l'Ecole Polytechnique
de Lausanne [70]. La couche est de trs bonne qualit; sans flures et avec une faible rugosit.
Dans la plupart des applications, les couches de PZT doivent tre dposes sur une lectrode, laquelle
ne doit pas s'oxyder et doit garder de bonnes proprits lectriques. La combinaison des couches la plus
employe est PZT/Pt/Ti/SiO
2
/Si. Le titane est la couche d'adhsion, la silice est utilise pour isoler de
l'lectrode et du substrat en silicium. L'empilement des couches sert aussi empcher l'oxyde de plomb de
1
MOCVD : Metal Organic Chemical Vapour Deposition
2
CSD : Chemical Solution Deposition
3
MOD : Metal Organic Decomposition
Figure V.9 : Image MEB d'une coupe et de la surface d'une couche mince de PZT {100} de 4m d'paisseur [70].
diffuser dans le substrat. Un grand dfi est de garder la stabilit de la composition des couches de l'lectrode
infrieure pendant le dpt de la couche PZT et la cristallisation une temprature leve (jusqu' 700C).
Le PZT peut tre grav soit de manire humide en utilisant la combinaison des acides HF et HCl soit de
manire sche par RIE. La gravure humide ne garantit pas des prcisions leves et de plus une sous-gravure
de 5 a 10 fois l'paisseur de la couche doit tre prvue. Pour la gravure sche la slectivit entre la couche
PZT est trs faible : 2 avec la rsine et 1.56 avec le Pt [65].
Technique sol-gel
Dans notre cas, la couche de PZT a t fabrique l'Ecole Polytechnique de Lausanne, dans l'quipe
du Professeur Paul Muralt. Une technique sol-gel a t utilise pour crer les couches de 2m sur une
lectrode infrieure en platine. Le choix de la composition de l'lectrode infrieure est trs important parce
qu'elle influence la texture cristalline, la qualit et les proprits de la couche pizolectrique. Dans notre cas
une couche en platine de 100nm est cre sur un substrat en titane (Ti/TiO
2
) de 10nm avec une couche
d'oxyde de silicium (thermique) entre silicium et titane pour empcher toute raction entre silicium et plomb
ou platine. La couche de platine doit avoir une composition homogne {111} pour obtenir la mme
orientation dans la couche pizolectrique. De plus une couche d'accrochage en PbTiO
3
de 10nm dpose par
pulvrisation est employe. La figure V.10 [70] montre la relation entre la composition du Pb(Zr
x
, Ti
1-x
)O
3
et
ses proprits pizolectriques et lectriques. Une couche d'orientation (100) arrive une valeur optimale
pour une composition de 53/47 de titane par rapport au zirconium (proche de la frontire de la
morphotrophique phase). Une valeur moyenne de -12Cm
-2

est reporte pour le coefficient e
31,f
[70].
Le dpt de PZT est compos de plusieurs tapes de cristallisation. Chaque tape commence avec le
dpt de la solution et l'uniformisation de son paisseur sur la plaquette par centrifugation (spinning).
Ensuite les solvants sont vapors par pyrolyse 350C pendant 15s. Cette opration est rpte quatre fois
pour obtenir une couche d'environ 240nm. Une couche ainsi cre est cristallise par RTA
1
650C sous flux
d'oxygne. Toutes ces tapes doivent tre rptes huit fois pour obtenir une couche de 2m. Les couches
finisses sont denses et sans craquelures jusqu' 4m d'paisseur. Les contraintes internes varient entre
+110MPa pour 1m jusqu' +50MPa pour 4m mais peuvent changer aprs polarisation. Il y a deux sources
de contraintes dans les couches qui peuvent conduire la cration des flures : une spcifique au processus
sol-gel consistant au rtrcissement de la couche pendant cristallisation et l'autre venant de la diffrence entre
les coefficients de dilatation thermique entre le PZT (8ppm/K) et le silicium (4ppm/K). L'utilisation d'autres
supports avec des coefficients de dilatation thermique plus proches du PZT pourrait permettre de crer des
couches plus paisses.
1
Rapid Thermal Annealing
Fabrication des dispositifs
Le processus commence avec une plaquette
SOI avec 5m de silicium en couche suprieure,
150nm d'oxyde de silicium et 525m de silicium
massif (a). La plaquette est polie des deux faces et
oxyde sur la face arrire. La couche suprieure de
silicium est fortement dope au bore. Cette plaquette
est oxyde thermiquement pour obtenir une couche
de SiO
2
de 200nm sur la face avant.
(a)
Ensuite les couches de titane (10nm), oxyde
de titane et platine (100nm) sont dposes sur la face
avant en utilisant la technique PVD (b). Cet
empilement de couches va servir d'lectrode
infrieure pour la capacit pizolectrique.
(b)
La gravure sche est utilise pour dfinir les
lectrodes (c). La couche est conserve presque
partout pour garantir une bonne adhsion de la
couche pizolectrique.
(c)
Figure V.10 : Coefficient pizolectrique e31,f et la permittivit lectrique r en fonction de la concentration de
zirconium par rapport au plomb pour une couche de 1m [70].
L'tape suivante consiste dposer une couche
active pizolectrique (d). Tout d'abord une couche
d'accroche
1
de 10nm en PbTiO
3
est cre (PVD) pour
garantir une bonne orientation {100}. Ensuite la
propre couche pizolectrique de 2m en PbZrTiO
3
est dpose en utilisant la technique sol-gel,
prcdemment dcrite.
(d)
Ensuite les ouvertures dans la couche PZT
sont faites par gravure humide pour prendre le
contact avec l'lectrode infrieure et pour dcouvrir
la surface de silicium pour la gravure suivante (e). Le
mtal de l'lectrode suprieure (400nm d'or sur une
couche d'accrochage en chrome de 20nm) est dpos
par vaporation sur rsine pour dfinir la structure de
l'lectrode avec la mthode du lift off . Un bon
accroche est obtenu sur le PZT, mais non sur le
platine (lectrode infrieure).
(e)
La couche pizolectrique dj dfinie (f) avec
les lectrodes est polarise en appliquant une tension
de l'ordre de 100 200kV/cm une temprature de
150C pendant 10 minutes. Cette polarisation n'tant
pas suffisante, une autre polarisation est ncessaire
aprs avoir fini les dispositifs.
(f)
Le traitement de la face avant est fini par la
gravure profonde DRIE de la couche en silicium
pour dfinir le profil de la masse sismique et de la
poutre (g). L'oxyde enterr sert arrter la gravure. Il
est important de garder la protection avec la rsine
de la face avant pendant la suite du traitement.
(g)
1
Seed layer
La gravure profonde DRIE est utilise pour
dfinir la masse sismique en face arrire (h). Un
masque dur en aluminium est employ pour
dfinir le motif. Dans la conception il est important
d'uniformiser la surface des ouvertures pour garantir
l'uniformit de la vitesse de gravure.
(h)
La masse sismique tant dfinie il reste l'tape
de libration de la structure (i). Pour faire cela il faut
protger la face avant (ce qui est possible avec la
rsine utilise pour la gravure DRIE face avant) et
plonger la structure dans le BHF. Un problme li
aux contraintes dans les couches, similaire celui
rencontr dans le premier lot, peut apparatre.
(i)
Finalement la plaquette avec les dispositifs est
mise entre deux autres plaquettes de silicium, selon
le procd dvelopp en coopration avec la socit
MEMSCap (j). La plaquette d'en bas (le spacer )
est attache avec une colle permanente pour garantir
une distance entre la masse sismique et le support sur
lequel la puce est monte. Des ouvertures sont
dfinies dans cette plaquette dont le motif
correspond aux ouvertures face arrire de la
plaquette initiale sans la masse. Ensuite une autre
plaquette est colle temporairement sur cette
composition pour protger le dispositif mobile.
L'empilement des trois plaquettes est ensuite plac
sur un film bleu pour dcoupage. Cette mthode
permet de protger les structures mobiles aussi bien
de la face avant (le jet d'eau ne pntre plus
l'empilement) que de la face arrire (collage du film
bleu.). Cet empilement de trois plaquettes est ensuite
prdcoup des deux cts et cass le long des lignes
de prdcoupe (tape de scribe and break ).
(j)
L'tape finale (k) consiste enlever la
plaquette suprieure de protection et le film bleu.
Contrairement la mthode utilise dans le premier
lot de dispositifs, ici le film bleu ne touche pas la
masse mobile, il n'y a donc pas de risque de casser la
poutre pendant le retrait. Finalement, les structures
sont colles sur un support, soit en cramique, soit en
PCB (supportant des tempratures leves) et cbles
avec des fils d'or. La structure avec la couche PZT
peut ncessiter une tape de polarisation, malgr la
polarisation collective au niveau de la plaquette. Si
c'est le cas, les dispositifs finis sont polariss un par
un dans un four. Dans ce cas un problme li
l'introduction de contraintes importantes dans les
structures dj libres peut apparatre. La structure
finie est ensuite protge par un capot transparent en
polycarbonate.
(k)
Un modle du dispositif mont sur la plaquette en PCB est montr sur la figure V.11. Le dispositif est
protg par un capot transparent et des fiches sont soudes pour faciliter la connectique. Cette carte PCB va
tre attache sur le pot vibrant avec des vis pour garantir une bonne immobilisation et pour viter l'apparition
de rsonances parasites dans le montage.
Figure V.11 : Modle de la puce contenant les dispositifs mont sur une carte PCB.
V.3.2. Dispositifs
Nous nous sommes concentrs sur la gomtrie d'une poutre encastre-libre, dj teste dans le
premier lot. Nanmoins, la ncessit de polariser la couche pizolectrique en PZT aprs son dpt donne
des possibilits intressantes au niveau de l'arrangement des lectrodes. Nous allons introduire trois types
d'lectrodes : un standard couvrant la totalit de la poutre et deux autres visant augmenter l'nergie
disponible et la tension gnre.
V.3.2.1. Structure mcanique
Tous les dispositifs sont bass sur la mme structure mcanique d'une poutre encastre-libre avec une
masse sismique au bout, vibrant environ 900Hz. Elle est issue de l'optimisation faite avec le modle
analytique et les contraintes technologiques prsentes dans le paragraphe V.2.8. La figure V.12 prsente
cette structure, dont la largeur est de 800m et la longueur est de 1200m. La masse sismique est carre de
800m de ct. L'assemblage est plac dans une cavit de 2mm par 2mm. Des courbures sont cres
l'encastrement pour diminuer les contraintes et pour garantir un bon encastrement. Une couche
pizolectrique de PZT de 2m est dpose sur la totalit du dispositif. La longueur de la poutre est dfinie
par la distance minimale entre les parois qui garantit l'uniformit suffisante de gravure DRIE.
V.3.2.2. lectrodes classiques
Les dispositifs classiques sont des poutres encastre-libres avec une grande masse sismique et une
seule lectrode qui recouvre la totalit de la poutre. La transduction est faite en utilisant une couche
pizolectrique en PZT polarise verticalement et rpartie d'une faon uniforme sur la totalit de sa surface
active. La figure V.12 prsente le schma d'un tel arrangement, qui ressemble aux structures dj prsentes
dans le chapitre IV.
Figure V.12 : Gomtrie de la poutre utilise dans le deuxime lot de prototypes.
Modlisation FEM
Les dispositifs du type poutre encastre-libre avec une masse sismique au bout ont t modliss en
utilisant la mthode des lments finis. La figure V.13 prsente les dtails du modle, avec la disposition des
couches. Les proprits de l'or, reportes dans l'annexe D, ont t utilises pour l'lectrode suprieure,
puisque la couche en chrome est trs fine (couche d'accroche). De mme, l'lectrode infrieure est constitue
de platine uniquement. Une couche de silice est conserve entre le PZT et le silicium.
Nous avons effectu des balayages en frquence (analyse harmonique) pour trouver les valeurs
optimales de la charge. La figure V.14 prsente l'volution de la tension (a) et de la puissance (b) en fonction
de la valeur de la charge rsistive pour deux valeurs de facteur de qualit mcanique de la structure. Nous
voyons que dans les conditions du faible amortissement, deux valeurs optimales de rsistance peuvent tre
distingues environ 11k et environ 0,6M. Cela est en accord avec les rsultats de la modlisation
analytique.
Figure V.13 : Modle FEM de la structure du second lot de prototypes avec la couche pizolectrique en PZT et une
capacit simple.
Figure V.14 : Rsultats d'une simulation FEM : l'volution de la tension (a) et de la puissance (b) en fonction de la
valeur de la charge rsistive pour une acclration de 0,2g d'amplitude.
(a) (b)
Au niveau frquentiel, la frquences de rsonance est gale 810Hz et la frquence d'antirsonance est
gale 819Hz. L'volution de la frquence pour laquelle la rponse lectrique du systme est maximale en
fonction de la valeur de la charge rsistive est prsent sur la figure V.15.
Selon les modlisations FEM, pour un facteur de pertes du systme de 0,2% une puissance de 18nW
peut tre obtenue sur une charge de 11k la rsonance qui vaut 810Hz ou sur une charge de 400k pour la
frquence d'antirsonance situe 819Hz.
V.3.2.3. lectrodes en srie
Les dispositifs standard se caractrisent par une capacit trs leve cause du fort coefficient de
permittivit lectrique du PZT (de l'ordre de 1800) et la faible paisseur de la couche pizolectrique. C'est
pour cette raison que la tension gnre reste faible malgr un coefficient de couplage pizolectrique lev.
Nous proposons donc de connecter plusieurs capacits pizolectriques en srie pour augmenter la tension et
diminuer la capacit quivalente (figure V.16).
Un tel montage contenant plusieurs dispositifs est aussi possible, mais dans ce cas le problme du
dphasage des signaux provenant des diffrents dispositifs peut survenir. En fait, puisque les dispositifs ne
sont jamais identiques, leurs frquences de rsonance ne sont pas identiques non plus. Leur rponse la
mme excitation va donc diffrer en phase. Les tensions gnres par ces dispositifs connects en srie vont
tre infrieures la somme des tensions de tous les dispositifs. Nous proposons donc de partager les
Figure V.16 : Comparaison de la tension gnre sur une capacit simple et les
capacits partages connectes en srie.
Figure V.15 : volution de la frquence pour laquelle la tension dvient maximale en fonction de la valeur de la
charge rsisitve.
lectrodes sur chaque dispositif pour crer des capacits montes en srie avec les phases de signaux
gnres identiques.
Modlisation analytique
Nous allons comparer la tension gnre sur une capacit simple de valeur C et un arrangement
constitu de n capacits cres en dcoupant la capacit simple. En supposant que les petites capacits cres
soient identiques, la charge gnre va tre repartie d'une manire quilibre sur toutes les capacits. La
capacit quivalente de n capacits identiques connectes en srie est gale C/n
2
. La tension de sortie d'un
tel systme est exprime par l'quation V.48.
U' =
Q
n
n
2
C
=
nQ
C
=nU (V.48)
La tension gnre par un systme mont en srie va tre n fois suprieure la tension gnre par un
systme standard. Par contre, il est facile de dmontrer que l'nergie gnre par ce dispositif va demeurer
inchange (l'quation V.49).
E' =
C
2 n
2
(U ' )
2
=
C
n
2
n
2
Q
2
2 C
2
=
Q
2
2C
=E (V.49)
Conception
Nous proposons un dispositif contenant trois capacits identiques connectes en srie. Les capacits
vont tre arranges comme indiqu sur la figure V.17. Cet arrangement permet d'viter de faire des contacts
entre l'lectrode infrieure (en platine) et l'lectrode suprieure en or, ce qui pourrait poser des problmes
technologiques. La structure va tre polarise en utilisant les mmes terminaisons que pour la rcolte de
l'nergie, comme dans le cas simple, mais avec des tensions trois fois plus lves. Il est trs important que
toutes les capacits soient identiques pour que la tension de polarisation soit uniformment divise. La
direction de polarisation sera alors alterns entre les capacits figure V.17.
Figure V.17 : Capacits pizolectriques connectes en srie : schma de principe (a) et layout d'un dispositif (b).
(a) (b)
V.3.2.4. lectrodes interdigites
Les dispositifs classiques soufrent de deux problmes : une tension de sortie faible provoque par la
capacit du dispositif leve et l'utilisation du mode 31 se caractrisant par le facteur de couplage plus faible
que le mode 33. Il existe une solution qui permet de s'affranchir de ces deux inconvnients. Nous proposons
d'utiliser des lectrodes interdigites, comme celles proposs par Jeon et al. [53] - (la figure V.18).
La polarisation de la couche pizolectrique se fait entre les lectrodes d'un mme ct de la couche,
donc elle est faite paralllement la surface de la structure. Dans le cas d'une poutre encastre-libre c'est
aussi la direction des contraintes induites dans la couche pendant la dformation, donc l'utilisation du mode
33 devient possible. De plus, comme les distances entre les lectrodes peuvent tre trs suprieures
l'paisseur de la couche, la capacit d'un tel arrangement va tre plus faible que la capacit d'un systme
classique. Nanmoins, puisque la couche est polarise horizontalement, la surface en dessous des lectrodes
est inactive et ne gnre pas de charges. Comme c'est la relation entre la largeur des pistes inchange et la
distance entre ces pistes qui dfinit l'efficacit du dispositif on peut imaginer augmenter la distance entre les
pistes en gardant la largeur des pistes constante. Cette solution implique que la tension de polarisation de la
capacit pizolectrique augmente proportionnellement la distance entre les doigts des lectrodes
1
. Il faut
donc minimiser la largeur des pistes pour augmenter l'efficacit de conversion. Il y a donc un compromis
faire entre l'augmentation de la prcision de fabrication pour crer des doigts fins, un risque de cassures des
pistes, la tension de polarisation acceptable et l'efficacit souhaite du dispositif.
Pour estimer la valeur de capacit des dispositifs ainsi crs, nous allons faire une simplification,
qu'une capacit interdigite est similaire une capacit simple avec une valeur de permittivit quivalente.
Cela va nous simplifier la tche de calculer la capacit des dispositifs implments, o c'est seulement la
valeur de la surface occupe par la capacit qui peut tre facilement value. Nous supposons, que le
matriau en-dessous des lectrodes est totalement inactif. Donc, un lment de la capacit interdigite,
prsent dans la figure V.19, peut tre approxim par une capacit de taille quivalente, polarise en
paisseur, avec une permittivit quivalente du matriau
eq
, dcrit par l'quation V.50.
e
eq
=
H
p
2
d ( d+e)
e
33
(V.50)
1
La distance entre les doigts des lectrodes peut tre considr comme une paisseur quivalent de la couche
pizolectrique.
Figure V.18 : Arrangement des lectrodes "interdigites" avec le vecteur de
polarisation P et les flches des contraintes.
De tel faon, la capacit C
IDT
du dispositif IDT peut tre value en sachant quelle est la distance entre
les lectrodes d, la largeur des lectrodes e et la surface occupe A
IDT
, par l'quation V.51.
C
IDT
=A
IDT
e
eq
H
p
(V.51)
Conception des dispositifs
Nous avons fabriqu deux types de structures avec les lectrodes interdigites en se basant sur la
mme structure gomtrique de la poutre. La seule diffrence se situe au niveau des dimensions des
lectrodes. Le premier type de structure a les doigts des lectrodes d'une large de 4m et la distance entre les
lectrodes gale 6m. Nanmoins dans le cas ou la technique employe s'avre insuffisante pour cette
prcision, nous avons implment aussi des structures avec des motifs minimaux de 10m (largeur des bras
et des distances). La figure V.20 prsente ces deux solutions avec toutes les dimensions.
Figure V.20 : Deux propositions d'lectrodes interdigites : la version avec la largeur des pistes gale la distance
entre les pistes de 10m (a) et la version avec la largeur des pistes de 4m et la distance les sparant de 6m (b).
(a)
(b)
Figure V.19 : Dfinition de la capacit quivalente utilise pour calcul de la valeur de la capacit IDT.
V.3.3. Circuit de polarisation collective
Nous avons dj mentionn que la couche pizolectrique en PZT ncessit une tape
de polarisation. Pour ce faire, une tension de l'ordre de 150 200kV/cm va tre applique entre les lectrodes
pendant 10min une temprature de 160C. Il est important aussi de garder la tension de polarisation
pendant le refroidissement des dispositifs pour garder le bon alignement des domaines. Le courant de
polarisation doit tre constamment surveill pour ne pas dtruire les pistes mtalliques. Une mthode de
polarisation de tous les dispositifs en mme temps est prfrable, mais plusieurs problmes peuvent
survenir :
l'interconnexion entre les dispositifs doit tre rompue pendant la dcoupe des plaquettes,
il existe plusieurs types de dispositifs contenant des structures d'lectrodes ncessitant des tensions
de polarisation diffrentes,
la suite du procd de fabrication peut dpolariser les structures les rendant inutilisables,
des dfauts dans les couches peuvent introduire des court-circuits entre les pistes de polarisation
rendant le processus impossible.
Pour rendre possible la polarisation pleine plaque nous avons conu un systme d' interconnexion
qui sont dtruites pendant la dcoupe des structures. Deux circuits spars sont mis en place : un pour
polariser les dispositifs simples environ 40V (pour 2m de PZT) et l'autre pour polariser les dispositif
interdigits et avec des capacits mises en srie ( environ 100V correspondant 6m de PZT). L'ide du
systme est prsente la figure V.21. Les quatre plots appartiennent une structure IDT et les deux plots
d'en bas appartiennent une structure srie , donc ncessitant une tension de polarisation leve. Dans
tous les cas, nous avons arrang les dispositifs de tel faon que les plots des structures ncessitant la mme
tension de polarisation soient toujours ct. Puisque chaque lvation de temprature peut dtruire
l'arrangement des diples, les deux tensions de polarisation doivent tre appliques en mme temps. De plus
les dispositifs peuvent tre polariss sparment en utilisant leurs plots de contact dans le cas ou la
polarisation collective s'avre insuffisante.
Figure V.21 : Photo MEB des pistes de polarisation collective des
structures sur le bord d'une puce.
V.3.4. Fabrication
Toutes les structures prsentes ont t implmentes sur une cellule de base, carre de 10mm de ct.
La dispositions des motifs est prsente sur la figure V.22.
Chaque puce contient quatre structures, places dans des cavits carres de 2mm de ct. Nous avons
assur une distance minimale de 2mm entre chaque cavit et le bord de la puce, pour augmenter la robustesse
et pour viter des problmes pendant la dcoupe des plaquettes. Dans le cas des structures de type IDT, il y a
quatre pads par structure, puisque il y a quatre lectrodes spares : deux au-dessous de la couche
pizolectrique et deux sur cette couche. Nous avons aussi analys la possibilit de faire la connexion entre
les lectrodes d'en bas et d'en haut de la couche pizolectrique sur la puce, mais au niveau technologique un
bon contact entre l'lectrode infrieure et suprieure ne peut pas tre assur. Dans le cas des structures
standards et avec trois lectrodes en srie il y a deux pads par structure. Contrairement la technologie AlN,
ici les pads ne constituent pas des capacits parasites, donc il n'est pas ncessaire de minimiser leur taille. A
part les structures de micrognrateurs, chaque puce contient une capacit de test carre de 0,25mm
2
et des
motifs de profilomtrie. Les lments du systme de polarisation pleine plaque sont visibles sur chaque
puce ainsi que les pads de polarisation qui pourraient tre utiliss en cas ou la connexion entre les pads
principaux de polarisation collective soit rompue. Finalement, nous avons prvu quatre contacts de la couche
suprieure de silicium sur chaque puce.
Les dispositifs ont t fabriques sur des plaquettes SOI de 4 puces. Malheureusement, nous avons t
obligs de lancer la fabrication trs tt pour prvoir de la marge pour des dlais lis avec des problmes
technologiques. Cela ne nous a pas permis de bien choisir les valeurs optimales des plaquettes. De plus, tant
donn que les dlais de livraison des plaquettes SOI non standard dpassent souvent quelques mois, nous
avons utilis les plaquettes disponibles dont l'paisseur de la couche suprieure de silicium tait gale 5m.
Dans la suite de ce paragraphe nous allons prsenter les rsultats de fabrication de nos structures.
Figure V.22 : Cellules de base utilises pour accueillir les structures conues, avec deux et quatre pads par structure
selon son type.
V.3.4.1. Traitement face avant
Le traitement de la face avant a t effectu sans problmes, avec une trs bonne dfinition des
lectrodes. L'lectrode infrieure t grave en utilisant la gravure sche, ce qui garanti une bonne
prcision. Par contre l'lectrode suprieure a t dfini en utilisant la technique lift off , mais malgr cela
une trs bonne prcision a t obtenue. La figure V.23 prsente les lectrodes interdigites de 4m de largeur
sur la poutre et les dtails des doigts.
La figure V.24 prsente la gravure profonde de la couche de silicium sur la face avant de la plaquette.
Figure V.24 : Photo de la face avant de la plaquette PZT aprs la gravure profonde de la couche suprieure de
silicium sur le coin de la poutre (photo prise l'EPFL).
Figure V.23 : Photo MEB de l'lectrode suprieure IDT sur la poutre (a) et les dtails du motif (b).
(a)
(b)
V.3.4.2. Traitement face arrire
La dernire tape de fabrication consiste en une gravure profonde face arrire du silicium. La
technique DRIE a t utilise pour dfinir des ouvertures travers toute l'paisseur de la plaquette. La
couche d'oxyde enterre servait arrter la gravure. Malheureusement, la gravure n'tait pas uniforme au
niveau de la plaquette et certaines rgions ont t graves plus rapidement que d'autres. C'est pour cela que
certaines structures ont t entirement librs, tandis que pour d'autres la couche de silicium n'a pas t
entirement enleve. La figure V.25 prsente les photos MEB d'une structure aprs la gravure face arrire
avec les dtails de la masse sismique pour valuer la qualit de la gravure DRIE.
On peut constater une lgre sous-gravure de la masse sismique ce qui va augmenter la frquence de
rsonance de la structure. Puisque la couche d'oxyde a t dchire, le dpt de rsine en face avant est
devenu impossible. C'est pour cela que les dbris d'oxyde qui restaient accroch sur les structures devaient
tre enlevs mcaniquement.
V.3.4.3. Analyse des couches
Nous avons analyse les paisseurs des couches en utilisant les motifs de profilomtrie placs sur
chacune des structures. La figure V.26a prsente l'arrangement thorique des couches et la figure V.26b
prsente les rsultats des mesures effectues en utilisant un interfromtre optique Fogale Zoom Surf 3D. La
courbe sur la figure V.26b tmoigne de l'paisseur de la couche suprieure de silicium d'environ 5m (plus
l'paisseur de l'lectrode infrieure de 300nm). L'paisseur de la couche pizolectrique mesure est de
2,20m. L'paisseur du mtal de l'lectrode suprieure est de 0,39m, s'il est dpos sur du PZT et de
0,35m s'il est dpos sur l'lectrode infrieure. Toutes ces mesures sont en bon accord avec les valeurs
thoriques.
Figure V.25 : Photo MEB des dispositifs aprs la gravure face arrire avec un agrandissement de la masse sismique
pour valuer la qualit de gravure DRIE.
Capacits des dispositifs
Nous avons aussi mesur les capacits statiques de tous les dispositifs ainsi que les valeurs des
capacits de test. Les valeurs de toutes les capacits mesures sont prsentes dans le tableau V.3 et
compars avec les valeurs attendus en prenant en compte les paisseurs de couches idales . La capacit de
test vaut environ 1039pF. En prenant en compte les dimensions (0.25mm
2
) nous pouvons en dduire le
coefficient de permittivit lectrique du matriau, gal 1073 contre 1160 attendu.
La capacit mesure d'une structure standard est d'environ 1500pF. La capacit calcule partir du
modle FEM, en prenant en compte l'paisseur de la couche pizolectrique de 2,20m est gale 1751pF.
Nous avons aussi valu les capacits des autres structures, notamment les structures interdigites en utilisant
le modle simplifi du paragraphe V.3.2.4. Dans tous les cas la capacit modlise suprieure la valeur
mesure, sauf pour le dispositif IDT10. Cela provient probablement du coefficient de permittivit lectrique
du matriau qui est plus faible que prvu.
Dispositif Valeur de la capacit mesure [pF] Valeur modlise [pF]
Capacit de test 1080 1284
Standard 1500 1751
Srie 120 190
IDT6m 150 175
IDT10m 80 42
Tableau V.3 : Valeurs des capacits des dispositifs utilisant une couche mince de PZT.
Figure V.26 : Rsultats d'analyse profilomtrique des dispositifs PZT : paramtres thoriques (a) et mesurs (b).
(b) (a)
V.3.5. Rsultats exprimentaux
Nous avons test les quatre types de dispositifs, notamment les structures avec les lectrodes standard,
les lectrodes partages et mises en srie et finalement les deux types d'lectrodes IDT. Le banc de mesure
utilis est le mme que celui dj prsent dans le chapitre IV pour les tests du premier lot de dispositifs.
Pour chaque mesure un balayage en frquence a t effectu partir duquel les valeurs intressantes ont t
extraites. D'une manire identique que dans les exprimentations antrieures, le systme d'excitation a
toujours t contre-ractionn pour garantir une excitation d'amplitude constante pendant toute la mesure. La
figure V.27 prsente la photo du banc de mesure avec un dispositif mont sur le pot vibrant. Nous prsentons
d'abord une tude de reprsentants de chaque type et ensuite nous tablissons une comparaison.
V.3.5.1. Structures classiques
Nous avons test la troisime structure de la puce PR2_3. C'est un dispositif standard, dont la
frquence mesure de rsonance est gale 885Hz. Tout d'abord nous avons valu cette structure avec
diffrentes charges rsistives dans le domaine frquentiel. La figure V.28 prsente la tension et la puissance
pour diffrentes valeurs de la charge rsistive. Les deux pics de rsonance et d'antirsonanace sont bien
visibles dans le cas de la puissance, tandis que pour la tension les valeurs sont beaucoup moins leves pour
le pic de rsonance et donc il est moins visible. Tout cela est en accord avec la modlisation prsente dans
le paragraphe V.2.
Figure V.27 : Banc de mesure utilis pour caractriser les dispositifs.
Nous avons ensuite fait des balayages en frquence pour des valeurs de la charge rsistive entre 1k et
10M pour trouver la valeur optimale de la rsistance de charge. La figure V.29 prsente l'volution de la
tension et de la puissance en fonction de la valeur de la charge rsistive en chelle logarithmique. La tension
augmente non-linairement avec la charge tandis que l'volution de la puissance prsente, comme prvu,
deux maximums. Le premier apparat pour la charge de 10k et correspond la rsonance et l'autre apparat
pour la charge de 2M et correspond l'antirsonance. Les valeurs de puissance sont comparables. Ces deux
rsultats sont en trs bon accord avec la modlisation FEM. En fait la valeur plus faible de puissance en
rsonance peut provenir du fait que la tension en rsonance est trs faible et donc le bruit rend difficile la
dtection prcise de son niveau.
Ensuite nous avons explor le comportement de la structure pour diffrents niveaux d''excitation. La
figure V.30 prsente les rsultats du balayage en frquence respectivement pour la rsonance (10k) et pour
Figure V.28 : volution de la tension (a) et de la puissance (b) gnres par une structure en fonction de la
frquence pour diffrents charges rsistives pour l'excitation de 0,2g d'amplitude.
(a) (b)
Figure V.29 : volution de la tension (a) et de la puissance (b) maximales en fonction de la valeur de la charge
rsistive pour une excitation d'amplitude 0,2g.
(b) (a)
l'antirsonance (2M) pour diffrents sens de balayage. Nous pouvons remarquer grce cette figure V.30
que la structure est non linaire et que la frquence pour laquelle la puissance devient maximale diminue
avec l'accroissement de l'acclration d'excitation. Ce comportement est inverse de celui observ sur des
dispositifs AlN prsents dans le chapitre IV o la frquence de rsonance augmente avec le niveau de
l'acclration d'excitation.
La figure V.31 prsente l'volution de la tension et de la puissance en fonction de l'amplitude
d'acclration respectivement pour la rsonance et l'antirsonance. Une puissance proche de 1W peut tre
obtenue pour des excitations de 2g aussi bien en rsonance qu'en antirsonance. Par contre l'intrt de
travailler en antirsonance porte sur la grande valeur de l'amplitude de tension gnre sur la charge
optimale, notamment presque 2V contre seulement 140mV en rsonance pour la mme excitation.
Finalement la figure V.32 prsente l'volution de la frquence pour laquelle la puissance dissipe est
maximale en fonction de la valeur de la charge et le niveau de l'acclration d'excitation. En faisant varier la
Figure V.31 : volution de la tension et de la puissance en fonction de l'amplitude de l'acclration pour le
rsonance (a) et l'antirsonance (b).
(a)
(b)
Figure V.30 : Valeurs exprimentales de la puissance pour la charge de 10k correspondant la rsonance (a) et
pour la charge de 2M correspondant l'antirsonance (b).
(a)
(b)
charge rsistive, nous changeons le fonctionnement de la structure entre la rsonance (environ 868Hz) et
l'antirsonance (environ 888Hz). Dans le cas de l'amplitude de l'acclration, la frquence de rsonance varie
entre 868Hz pour l'acclration de 0,2g et 861Hz pour 2g. Dans le cas de l'antirsonance la frquence varie
entre 888Hz pour 0,2g et 882Hz pour 2g. Dans le deux cas la variation est linaire et dcroissante.
V.3.5.2. Structures avec les lectrodes en srie
Nous prsentons ici les rsultats de test d'un dispositif de type srie . Nous avons explor le
comportement de la structure de la mme faon que dans le cas de la structure standard. La figure V.33
montre la tension (a) et la puissance (b) en fonction de la valeur de la charge rsistive. Puisque la capacit de
ce dispositif est infrieure celle du dispositif standard (120pF contre 1500pF tableau V.3), les valeurs
optimales sont plus leves, notamment de 130k pour la rsonance et de 3M pour l'antirsonance.
Figure V.32 : volution de la valeur de frquence pour laquelle la tension gnre est maximale en fonction de la
rsistance de charge (a) et l'amplitude d'acclration d'excitation (b).
(a) (b)
Figure V.33 : Tension et la puissance en fonction de la valeur de la charge rsistive.
(a)
(b)
Ensuite nous avons excit cette structure avec diffrents niveaux d'acclration autour de la rsonance
et de l'antirsonance. La figure V.34 prsente les rsultats, pour les deux sens de balayage en frquence.
Malheureusement, aucun gain au niveau de la tension de sortie n'a t constat. Le comportement est
trs similaire au dispositif classique. Ce sont uniquement les valeurs optimales de charge qui augmentent
dans le cas de la structure avec trois capacits mises en srie.
V.3.5.1. Structures avec les lectrodes interdigites
Nous avons fabriqu deux types des dispositifs avec des lectrodes interdigites. Nous prsentons ici
les rsultats de tests des dispositifs de chaque type.
IDT 6/4
Un dispositif avec les doigts de 4m espaces de 6m a t test. Nous avons connect ensemble les
lectrodes infrieures et suprieures de la mme polarit l'extrieur de la puce. Nous avons fait les mmes
tests que dans le cas des structures standard. La figure V.35 montre la tension (a) et la puissance (b)
maximales en fonction de la valeur de la charge rsistive. Contrairement au cas de la poutre de type
standard , ici nous remarquons que les deux pics sont trs peu espacs. Les deux valeurs optimales de
350k et de 1M dlimitent les valeurs de rsistance pour lesquels la puissance est maximale.
La variation de la tension et de la puissance en fonction de l'amplitude de l'acclration d'excitation est
prsente sur la figure V.36a pour le cas de la rsonance et dans la figure V.36b dans le cas de
l'antirsonance. Une puissance de 1,4W peut tre rcolte partir des vibrations de 2g d'amplitude sur une
charge optimale purement rsistive. De plus les tensions gnres sont trs leves, allant jusqu' 1,7V
d'amplitude.
Figure V.34 : Tension et puissance en fonction de l'amplitude de l'acclration pour la rsonance (a) et pour
l'antirsonance (b).
(a) (a)
Finalement la figure V.37 montre l'volution de la valeur de la frquence pour laquelle la puissance
dissipe est maximale en fonction de la valeur de la charge rsistive. Le rapprochement des deux pics, aussi
bien au niveau frquentiel visible sur la figure V.37, qu'au niveau de la valeur optimale de charge (figure
V.35b) suggre que le couplage est plus faible dans cette structure que dans la structure standard. Ce fait est
tonnant tant donn que nous avons conu cette structure pour augmenter le couplage en utilisant le mode
33. Cela peut tre expliqu en se rfrant au rsultats de modlisation 1D prsents dans le paragraphe
III.2.2.5. En fait, ce n'est pas seulement le couplage, mais aussi le niveau des pertes qui dfinit la valeur
critique de couplage pour lequel les deux pics apparaissent. Le plus faible facteur de qualit de cette structure
peut tre expliqu par le fait que pendant la polarisation des tensions trs leves ont t appliques ce qui
pourrait abmer sa structure.
Figure V.35 : volution de la tension (a) et de la puissance (b) en fonction de la valeur de la charge rsistive.
(b) (a)
Figure V.36 : Tension et la puissance en fonction de l'amplitude d'acclration d'excitation
(a) (b)
Figure V.37 : volution de la frquence pour laquelle la puissance dissip est maximale en fonction de la valeur de
la charge rsistive.
IDT10/10
Cette puce a t conue dans le cas o la prcision des tapes de fabrication s'avrait insuffisante pour
la puce avec les lectrodes de 4m de largeur. Puisque la largeur des lectrodes est identique l'espacement
entre les doigts, 50% de la surface de la poutre est inactive. A cause des distances plus grandes entre les
lectrodes, la capacit d'un tel dispositif est infrieure celle du dispositif IDT 6/4. La frquence de
rsonance de ce dispositif a t dtermine 846Hz. La figure V.38 montre la dpendance de la valeur de la
tension et de la puissance sur la valeur de la charge rsistive. Pour une acclration de 0,2g, une amplitude
maximale de la tension de 383mV peut tre obtenue sur une charge de 10M et une puissance maximale de
25,6nW sur une charge optimale de 700k.
Pour explorer la rponse de la structure pour des excitations plus leves, nous avons varie
l'amplitude de l'acclration. Les rsultats sont montrs sur la figure V.39. A 2g d'amplitude, la tension
gnre sur une charge optimale de 700k est de 1,135V ce qui se traduit par une puissance maximale de
0,92W.
Figure V.39 : Tension de la puissance en fonction de l'amplitude de l'acclration d'excitation
Figure V.38 : volution de la tension (a) et de la puissance (b) en fonction de la valeur de la charge rsistive.
(b)
(a)
Dans le cas de cette structure, les puissances gnrs sont moins importantes que pour la structure IDT
6/4, ce qui tait prvisible. De plus l'existence d'un pic de rsonance unique tmoigne d'un couplage plus
faible, ou des pertes plus leves dans ce type de gnrateur.
V.3.5.2. Dispersion des frquences de rsonance
Nous avons mesur les frquences de rsonance et la tension gnre sur une charge rsistive de 5M
pour les dispositifs utilisant une couche mince de PZT, provenant de la mme plaquette. La figure V.40
prsente la tension gnre en fonction de la valeur de la frquence de rsonance des dispositifs. Les types
des dispositifs sont distingus par des symboles et les structures provenant de la mme puce sont entours
avec des cercles identiques. De manire gnrale, la frquence de rsonance n'est pas lie avec le type de
l'lectrode utilis et varie entre environ 810Hz et 890Hz. Cette dispersion est provoque par la non-
uniformit des paisseurs des couches et les problmes au niveau de la gravure face arrire. En fait, la
gravure n'tait pas uniforme et certaines parties ont t sous-grave que les autres. Ces rsultats tmoignent
de la difficult raliser des dispositifs qui vibrent une frquence prcise. Cela implique la ncessit de
cration des dispositifs qui peuvent s'adapter des frquences variables, comme celui prsent dans le
paragraphe IV.3.4.
Figure V.40 : Frquences de rsonance des dispositifs et tension gnre sur une charge de 5M pour une
acclration sinusodale de 0,2g.
V.4. Dispositifs AlN
Nous avons dcid de ne pas abandonner l'utilisation de l'AlN malgr son faible facteur de couplage
pizolectrique. En fait, comme nous l'avons dj prsent, ce matriau se caractrise par une technologie de
dpt beaucoup plus simple que dans le cas du PZT et de plus est compatible avec le procd CMOS. Ce qui
compte aussi est que la couche ne ncessite pas des tapes de polarisation une temprature et tension
leves. Finalement les couches minces d'AlN possdent des proprits proches des matriaux massifs.
Grce ces points positifs nous avons dcid d'implmenter des dispositifs vibrant des frquences plus
hautes que dans le cas du premier lot en utilisant nouveau ce matriau.
V.4.1. Technologie de dpt de l'AlN
La technologie de dpt de l'AlN est identique celle dcrite dans le chapitre IV de ce mmoire.
Nanmoins dans cette nouvelle approche, la couche a t dpose par la socit Advanced Modular
Sputtering aux tats Unis et une tude spciale t faite pour minimiser les contraintes dans les couches
pour rduire la dformation des dispositifs et pour faciliter leur fabrication. De mme que pour les dispositifs
en PZT, des plaquettes SOI disponibles ont t utilises, savoir avec 10m de silicium en couche
suprieure et 150nm pour la couche de l'oxyde enterr. La fabrication de ces dispositifs a t ralise en
totalit dans la fonderie de MEMSCAP aux tats Unis sur des substrats SOI de 6 pouces.
V.4.2. Dispositifs
Nous avons implment la mme structure que dans le cas du PZT, prsent dans la figure V.41.
L'paisseur plus importante de la couche suprieure de silicium a entam des frquences de rsonance plus
leves.
Figure V.41 : Dimension de la structure avec une couche
pizolectrique de nitrure d'aluminium.
V.4.3. Modlisation
Nous avons analys le comportement de ce type de structure en employant le modle analytique et une
simulation FEM. La figure V.42 prsente le modle FEM utilis, avec la poutre compose de trois couches :
la couche mcanique en silicium, la couche pizolectrique et la couche de l'lectrode suprieure en
aluminium. Nous avons indiqu dans la partie concernant la fabrication des dispositifs AlN, que chaque piste
en mtal cre des capacits parasits. Pour prendre cela en compte, nous avons fait des simulations avec une
capacit de 20pF (valeur correspondant la capacit des plots de contact) pour faire une comparaison.
Nous avons effectu des simulations en rgime harmonique pour diffrentes valeurs de charge
rsistive et pour deux valeurs du coefficient d'amortissement. La figure V.43a montre l'volution de la
tension et la figure V.43b prsente la puissance.
Pour un faible amortissement, deux valeurs optimales peuvent tre distingues, tandis que pour
l'amortissement lev, seulement un pic est visible. La prsence de la capacit parasite des plots diminue la
tension gnre et la valeur optimale de la charge rsistive.
Figure V.42 : Le modle FEM de la structure utilisant la couche en nitrure d'aluminium.
Figure V.43 : volution de la tension gnre sur l'lectrode (a) et la puissance dissipe (b)
en fonction de la valeur de la charge rsistive.
(a)
(b)
La figure V.44 prsente l'volution de la frquence pour laquelle la puissance gnre est maximale en
fonction de la valeur de la charge rsisitve. La frquence de rsonance est gale environ 1577,5Hz et la
frquence d'antirsonance est gale environ 1583,5Hz.
V.4.3.1. Fabrication
La fabrication de ces dispositifs n'a pas pos de problmes surtout grce l'annulation des contraintes
dans les couches et la nouvelle mthode de dcoupe des plaquettes, comme nous l'avons expliqu dans le
paragraphe V.3.1, pour les dispositifs PZT. Le seul problme consiste en une sous-gravure trs importante de
la masse sismique, qui va entamer l'augmentation de la frquence de rsonance de la structure. La figure
V.45 prsente une photo MEB avec un agrandissement du bout de la masse sismique. Une sous-gravure
d'environ 70m est visible.
Figure V.45 : Photo MEB du dispositif AlN du deuxime lot avec un agrandissement de la masse sismique.
Figure V.44 : volution de la valeur de la frquence pour laquelle la puissance gnre
est maximale en fonction de la charge rsistive.
Nous avons analys les paisseurs des couches avec un profilomtre optique (Fogale Zoom Surf 3D).
La figure V.46 prsente les rsultats, compars avec les donnes de conception, pour une puce du centre de
la plaquette.
Nous constatons que l'paisseur de la couche pizolectrique est gale environ 920nm, contre 1m
vise. Les couches d'aluminium sont lgrement plus paisses que prvu. Il est visible par contre, que la
couche de silicium mesure 7,34m en paisseur contre 10m pris pour la conception. Pour vrifier ce
rsultat nous avons analys une autre puce, du bord de la plaquette. Nous avons trouv la valeur de 10,96m
ce qui confirme la non-uniformit de l'paisseur de la couche de silicium au niveau de la plaquette. Nous
avons utilis une plaquette SOI de 6 pouces, avec une paisseur initiale de la couche suprieure de silicium
de 10m. La variation au centre peut provenir du fait que la plaquette a t polie sur les deux faces ce qui
pourrait impliquer une non-uniformit des paisseurs de cette couche si la plaquette tait initialement
dforme.
La sous-gravure de la masse sismique et la non-uniformit de l'paisseur de la couche en silicium
peuvent provoquer une dispersion importante des frquences de rsonance des structures. Nous avons
modlis l'influence de ces deux facteurs sur la frquence de rsonance. A partir d'une simulation FEM, nous
avons trouv, que pour l'paisseur de la couche de silicium de 7m, la frquence de rsonance de la structure
tudie est gale 1016Hz contre 1583Hz pour 10m de silicium.
Pour estimer l'impact de la sous-gravure, nous avons dtermin la variation de la valeur de la masse
sismique en fonction du niveau de sous-gravure , dfini comme le rapport entre la largeur de sous-gravure
Figure V.46 : paisseurs de couches sur les motifs de test pour le second lot AlN : donnes de conception (a) et
rsultats d'analyse profilomtrique (b).
(a) (b)
et la largeur de la masse sismique (qui est carre) quation V.52. Nous avons fait la supposition que la
sous-gravure est uniforme dans toutes les directions.
M ' =M | ( 1j)
2
+j
2
/ 3
(V.52)
Pour estimer l'impact sur la frquence de rsonance il faut remarquer aussi que la sous-gravure
existe aussi au niveau de l'encastrement de la poutre. Tandis que au niveau de la masse, cet effet augmente la
frquence de rsonance, il la diminue pour la sous-gravure de l'encastrement. Nous avons utilis le modle
analytique, dvelopp dans la premire partie de ce chapitre pour valuer cette variation. Pour faciliter la
reprsentation, nous dfinissons une hauteur quivalente de la masse H
eq
, pour lequel la valeur de la masse
sismique est gale M' avec la largeur B
M
et la longueur L
M
inchanges et gales 800m. A partir de
l'quation V.52 nous pouvons dfinir cette valeur quation V.53.
H
eq
=H
M
| ( 1j)
2
+j
2
/3
(V.53)
La figure V.47 prsente l'volution de frquence de rsonance normalise par rapport au cas sans sous-
gravure, en fonction du niveau de la sous-gravure .
Nous constatons que ces deux phnomnes entranent une variation oppose et donc une trs faible
modification de la frquence de rsonance est observe. En ralit l'influence de la sous-gravure au niveau de
l'encastrement est moins importante car c'est la matire qui est au-dessous de la poutre qui est enleve. La
forme de la couche suprieure de silicium reste inchange, donc la partie dcouverte de la poutre reste trs
rigide.
Selon l'analyse prsente, la non-uniformit de l'paisseur de la couche en silicium va influencer le
plus le comportement de la structure et donc les frquences de rsonance seront infrieures la valeur vise.
Figure V.47 : volution de la frquence de rsonance
normalise, en fonction du niveau de sous-gravure.
V.4.3.2. Tests exprimentaux
Le dispositif test provient de la puce AR2_1. Sa frquence de rsonance constate exprimentalement
est gale 1368Hz. La figure V.48 prsente l'volution de la tension et la puissance en fonction de la valeur
de la charge rsistive. Une tension de 165,48mV peut tre obtenue sur une charge de 10M. La puissance
dissipe sur une charge optimale de 650k 0,2g est gale environ 6nW pour une tension de 88,4mV.
Nous avons aussi fait les mesures de la rponse des structures en fonction de l'amplitude de
l'excitation. Puisque ces structures vibrent une frquence suprieure que dans les cas prcdents, leur
dbattement est infrieur la mme excitation et donc ils peuvent supporter des acclrations plus
importantes. Nous avons fait des tests avec des amplitudes d'excitation allant jusqu' 4g. La figure V.49a
prsente les spectres de puissance pour diffrentes amplitudes d'acclration.
Figure V.48 : volution de la tension et la puissance en fonction de la valeur de la charge rsistive.
(b)
(a)
Figure V.49 : volution de la puissance en fonction de la frquence pour diffrentes valeurs de l'acclration
d'excitation (a), tension et puissance en fonction de l'amplitude d'excitation.
(b) (a)
Les dispositifs sont non-linaires avec les frquences de rsonance qui augmentent avec l'amplitude
d'excitation. C'est l'effet inverse de celui observ dans le cas des dispositifs intgrant une couche PZT o la
frquence pour laquelle la puissance est maximale diminue avec l'amplitude de l'acclration. La figure
V.49b prsente l'volution de la tension et la puissance en fonction de l'amplitude de l'excitation. Pour cette
excitation une puissance proche de 2W peut tre obtenue sur une charge optimale rsistive avec une tension
de 1,6V.
V.4.3.3. Dispersion des frquences de rsonances
Nous avons compar les frquences de rsonance et les tensions gnres par les structures fabriques.
La figure V.50 prsente la tension gnre par les dispositifs sur une charge de 5M et une excitation de
0,2g, en fonction de la valeur de leur frquence de rsonance. Les dispositifs provenant de la mme puce sont
montrs sur la figure en utilisant les mmes symboles.
Comme prvu, une dispersion trs importante aussi bien de la frquence de rsonance que de la
tension gnre, peut tre constate, mme entre les dispositifs de la mme puce. Cela provient trs
probablement de la non-uniformit de l'paisseur de la couche en silicium et aussi de la non-uniformit de la
gravure profonde de la face arrire. Des problmes de fabrication similaires peuvent rendre impossible la
cration de dispositifs prvus pour vibrer une frquence prcise.
Figure V.50 : Tension gnre sur une charge de 5M et pour une acclration de 0,2g
en fonction de la valeur de la frquence de rsonance pour les dispositifs AlN fabriqus.
V.5. Bilan des performances de micrognrateurs
Les dispositifs PZT
Nous avons fabriqu et test quatre types de dispositifs PZT. Le tableau comparatif contenant toutes
les valeurs caractristiques mesures pour tous les dispositifs peut tre trouv dans l'annexe E. De manire
gnrale, un dispositif peut produire une puissance suprieure 25nW (maximum 36,4nW) pour une
trs faible acclration de 0,2g et presque 1W pour une acclration de 2g d'amplitude (maximum
1,4W). Comme prvu, les tensions gnres en rsonance et en antirsonance sont trs diffrentes. Dans
tous les cas, la tension maximale en circuit ouvert est entre 300mV et 500mV pour une acclration de 0,2g.
Des tensions maximales proches de 2V d'amplitude ont t obtenues sur les charges rsistives optimales pour
une acclration de 2g. La structure de type IDT avec les lectrodes de 4m de largeur a produit le plus de
puissance et la tension la plus leve, ce que nous avions vis dans la phase de conception.
Finalement nous avons constat que les tensions gnres par les dispositifs standards
l'antirsonance sont comparables avec celles produites par les structures spcifiques (IDT et srie).
Les dispositifs AlN
Nous avons fabriqu et test les micrognrateurs pizolectriques utilisant les couches minces de
nitrure d'aluminium. A cause d'une trop forte sous-gravure de la masse sismique, les frquences de rsonance
des dispositifs sont suprieures de celles modlises. De plus nous avons constat une trs forte dispersion de
cette grandeur physique mme sur une mme puce. Grce au fonctionnement une frquence plus leve,
nous avons pu tester les dispositifs des acclrations d'amplitudes plus importantes, allant jusqu' 4g.
Pour des acclrations faibles de 0,2g, les tensions gnres par ces dispositifs varient entre environ
160mV en circuit ouvert et 100mV sur une rsistance optimale de 650k. La tension maximale que
nous avons pu obtenir sur une charge rsistive optimale s'lve 1,6V ce qui correspond une
puissance de 2W.
V.6. Conclusion
Ce chapitre prsente la conception, la modlisation, la fabrication et le test du deuxime lot de
micrognrateurs pizolectriques. Contrairement au premier lot de prototypes, nous nous sommes
concentrs sur un seul type de structure au niveau mcanique, visant des frquences leves. Nous avons
dvelopp et vrifi un modle analytique dtaill, avec lequel nous avons pu optimiser la structure et
explorer son comportement.
Nous avons utilis deux matriaux pizolectriques : le nitrure d'aluminium et le titanate zirconate de
plomb. Grce notre exprience acquise avec le premier lot, nous avons rencontr beaucoup moins de
problmes technologiques au niveau de la fabrication et nous avons russi obtenir plusieurs chantillons
que nous avons caractriss. Des puissances leves ont t obtenues, suprieures 1W pour des
excitations de 2g d'amplitude pour le cas des dispositifs PZT et de 2W pour 4g pour les dispositifs AlN.
Cela est suffisant pour alimenter un noeud sans fil, qui ncessite environ 370nW de puissance moyenne pour
fonctionner chaque 60s. En revanche, la dispersion des frquences de rsonance de structures complique la
conception des systmes rsonant une frquence prcise et implique l'utilisation des systmes adaptables.
La figure de mrite des ces structures, calcule selon la mthode dtaille dans le paragraphe II.2.6 est
trs proche des meilleures structures macroscopiques reportes dans la littrature, notamment de 51,5 10
3
pour les dispositifs PZT et 13,4 10
3
pour les dispositifs AlN contre 55 10
3
pour le meilleur dispositif
macroscopique propos par S. Roundy [104]. Les micrognrateurs pizolectriques prsents dans ce
mmoire sont ce jour les seuls dispositifs MEMS adapts aux frquences de vibrations ambiantes.
Les dispositifs AlN fournissent des puissances plus faibles que les dispositifs en PZT. Nanmoins pour
l'industrialisation ventuelle de ce type de micrognrateurs, le nitrure d'aluminium est beaucoup plus
intressant surtout pour sa facilit de dpt (compatible CMOS) et sa compatibilit cologique.
Chapitre VI : Systme de gestion de l'nergie
Jusqu' prsent nous avons montr les potentialits des micrognrateurs pizolectriques, en utilisant
une charge purement rsistive pour valuer l'nergie disponible. Dans ce chapitre nous prsentons la
thmatique de transfert de l'nergie produite entre le gnrateur et une unit de stockage. Ce sujet est dtaill
dans le travail de thse de Yasser Ammar [37] avec qui nous avons travaill dans le cadre du projet VIBES.
Nous dtaillons ici la problmatique de couplage du systme mcano-lectrique avec le circuit lectronique
de conditionnement de l'nergie lectrique. Finalement nous prsentons des rsultats exprimentaux obtenus
en utilisant notre gnrateur pizolectrique coupl soit avec un circuit simple de redressement et rgulation
de tension, soit avec les circuits dvelopps par Y. Ammar.
VI.1. Introduction
Les gnrateurs prsents dans ce manuscrit fournissent un signal alternatif de faible amplitude et trs
faible intensit de courant. Comme dans la plupart des cas, le systme de gestion d'nergie est compos d'une
partie de rectification du signal (AC/DC) et d'une partie d'adaptation la charge (DC/DC) comme montre le
schma de la figure VI.1. Les approches peuvent tre divises en passives et actives. Les premires ne
ncessitent pas d'alimentation tandis que les systmes actifs doivent tre alimentes pour pouvoir
fonctionner.
Le but de fonctionnement du micrognrateur est de charger un lment de stockage de l'nergie
lectrique. La solution le plus souvent utilise est une batterie rechargeable dont les caractristiques sont
numres dans le tableau VI.1.
Figure VI.1 : Schma du systme de gestion de l'nergie utilis dans les microsystmes autonomes.
Type Tension [V] Densit d'nergie
[Wh/kg]
Dure de vie Cot
Ni-Cd 1,2 40 longue faible
Ni-MH 1,2 90 moyenne moyen
Li-ion 3,6 125 longue lev
Li-polymre 3,1 300 longue trs lev
Tableau VI.1 : Comparaison des types de batteries rechargeables [105][106].
Les batteries de type lithium-polymre prsentent les densits d'nergie les plus intressantes, leur
cycle de charge est simple et de plus, ils devient possible de les dposer en couche mince [107]. C'est pour
cela qu'elles sont de trs bons candidats pour le microsystme autonome
Rcemment une autre solution est apparue, notamment des supercapacits. Par rapport aux batteries ils
prsentent un taux trs lev de puissance en charge et dcharge et un temps de dgradations trs long. De
plus leur fonctionnement est beaucoup moins influenc par la temprature et les matriaux utiliss sont
moins toxiques que dans le cas des batteries classiques. Par contre, la densit d'nergie est beaucoup plus
faible (3 5 Wh/kg) et la tension dlivre dpend de la quantit de la charge. Ce type de stockage est en
dveloppement intensif, notamment au niveau de l'utilisation des nanotubes de carbone pour augmenter la
surface des lectrodes MIT [108].
Dans le cas de l'application dans un microsystme autonome, l'utilisation des supercapacits est trs
intressante surtout pour la longue dure de vie et la non-toxicit des matriaux utiliss. La densit d'nergie
faible n'est pas un handicap majeur dans les systmes contenant un dispositif de rcupration de l'nergie. En
effet, il est ncessaire de garder uniquement une quantit limite d'nergie pour faire fonctionner le circuit
pendant quelques secondes au maximum et ensuite le rservoir est recharg, contrairement aux systmes
traditionnels o l'nergie pour toute la dure de vie doit tre emmagasine.
VI.2. Approche passive
L'approche passive la plus utilise est le pont de Gratz avec des diodes de redressement. Dans notre
cas, cet approche est peu intressante cause de la tension de seuil des diodes d'environ 0,7V, ce qui est
comparable avec les tensions gnres par nos dispositifs. En fait, mme si on utilise des diodes avec tension
de seuil faible et la tension gnre dpasse cette valeur, la plupart de l'nergie va tre perdue dans la diode.
L'approche passive est intressante uniquement dans le cas, o une diode avec une trs faible tension de seuil
peut tre employe.
Y. Ammar a dvelopp dans le cadre de sa thse des diodes trs faible tension de seuil partir des
transistors DTMOS
1
. L'volution du courant en fonction de la tension applique sur le dispositif est montre
sur la figure VI.2. La tension de seuil de cette diode est gale environ 200mV. Nous allons utiliser ce
dispositif pour rectifier le signal provenant du gnrateur.
Par ailleurs, une mthode passive peut tre utilise pour augmenter et rectifier la tension en mme
temps. Une structure de type multiplicateur de tension (Villard) qui permet de faire cela est prsente sur la
1
DTMOS Dynamic Treshold Metal Oxyde Semiconductor Transistor
figure VI.3. L'inconvnient intrinsque de ce type de circuit est son faible rendement provenant de la
ncessite de charger plusieurs capacits.
En remplaant les diodes classiques par les DTMOS, un systme capable de rectifier et amplifier la
tension peut tre conu. Nous allons tester nos gnrateurs avec un tel systme implment dans la
technologie ST 0,12m. Le circuit contient six tages avec deux capacits et deux diodes chacun.
VI.3. L'approche active
L'approche active consiste utiliser des circuits de pilotage pour augmenter le rendement nergtique
du systme. Pour faire fonctionner de tels systmes, il est ncessaire de fournir une source d'alimentation
externe. Cela peut tre garanti par le dispositif de stockage, qui est recharg par le systme. Pour que le
rendement nergtique du systme soit positif, l'nergie consomme par ces circuits doit tre infrieure
l'nergie gnre.
VI.3.1. DC/DC adaptatif
Le systme prsent par Lesieutre et al. [109] propose un systme adaptatif pour maximiser le transfert
d'nergie vers une batterie. Il est compos d'un pont de Gratz et un convertisseur DCM
1
DC/DC pilot par
un circuit de contrle adaptatif. (figure VI.4). Pour des tensions de sortie leves, le convertisseur permet de
tripler la puissance gnre. Nanmoins, comme le montre la figure VI.5, cela n'est pas le cas pour des
1
DCM : Discontinous Current Conduction Mode
Figure VI.2 : Schma de la diode dvelopp par Y. Ammar (a) et sa caractristique courant tension (b).
(a)
(b)
Figure VI.3 : Structure de Villard de multiplicateur de tension - pompe de charge.
tensions faibles. Au dessous de 25V et de la puissance de 2,5mW des circuits simples, sans contrle s'avrent
plus efficaces.
VI.3.2. Techniques non-linaires
Les techniques non-linaires utilises dans les applications de rcolte de l'nergie sont drives de la
technique semi passive d'amortissement structurel SSDI
1
dveloppe au laboratoire LGEF [111]. Sa variante
utilise pour la rcolte d'nergie est appele SSHI
2
, qui n'a plus pour but d'amortir des vibrations mais plutt
d'augmenter la quantit d'nergie fournie dans un rservoir [92]. Ces techniques s'avrent trs efficaces dans
les structures ou une dformation est impose et le couplage est relativement faible. La figure VI.6 compare
les rsultats obtenus avec des techniques actives et un circuit simple contenant uniquement un pont des
diodes.
Nous constatons, que pour les facteurs de couplage k
2
plus importantes que 6 10
-3
, les approches
actives sont quivalents, voire pires, que des approches passif avec un pont de diodes simple. De plus la
consommation du circuit de commande dtriore le bilan nergtique des systmes actives.
1
SSDI : Synchronised Switch Damping on Inductor
2
SSHI : Synchronised Switch Harvesting of Inductor
Figure VI.4 : Le schma du systme propos par Ottman et al.[110].
Figure VI.5 : volution de la puissance gnre (a) et l'efficacit du transfert de nergie (b) en fonction de
l'amplitude de tension en circuit ouvert [109].
(b)
(a)
VI.3.3. AC/DC actif
Comme nous l'avons expliqu, le plus grand problme au niveau du redressement du signal gnr par
le micrognrateur est l'existence de la tension de seuil des diodes, ce qui exclut leur utilisation. Pour enlever
ce handicap, un systme actif de redressement a t propos [37]. Les diodes sont remplaces par des portes
de transmission pilotes par des comparateurs. Les comparateurs dtectent la diffrence de potentiel entre la
sortie et le gnrateur et quand ce dernier est plus grand ils ouvrent les portes de transmission adquates.
Cela permet de redresser des signaux de trs faibles valeurs, thortiquement sans tension de seuil. Pour que
cette approche soit efficace il est indispensable d'avoir des comparateurs de trs faible consommation pour
que le rendement nergtique du fonctionnement du systme soit positif.
Un tel circuit a t conu et fabriqu dans notre quipe pour tre utilis avec les micrognrateurs. Les
rsultats exprimentaux tmoignent d'une trs faible consommation de ce circuit d'environ 60nW pour une
alimentation de 3,3V.
VI.4. Rsultats exprimentaux
Nous avons utilis les circuits prsents, raliss par Y.Ammar, avec notre micrognrateur
pizolectrique. Pendant les mesures nous avons utilis un botier blind pour accueillir le systme pour
Figure VI.7 : Schma d'un systme de redressement actif.
Figure VI.6 : La puissance thorique (a) et exprimentale (b) en fonction du coefficient de couplage au carr,
obtenue avec un gnrateur excit par une force de 45mN en rsonance avec un interface simple avec un pont de
diodes (1) et trois types d'interfaces SSHI (2) (4).
liminer l'influence des signaux parasites. Nous avons aussi vrifi, en faisant varier la frquence
d'excitation, que le signal fourni au multiplicateur de tension provient uniquement du micrognrateur.
Dans la premire phase, nous avons utilis un circuit multiplicateur de tension mont sur une carte de
test. La puissance tait fournie par un micrognrateur du deuxime lot utilisant une couche pizolectrique
en AlN dont la frquence de rsonance est gale 1610Hz. Une capacit de 10nF t choisie pour valuer
la performance du systme. L'amplitude du signal produit par le gnrateur en circuit ouvert est de 150mV.
La figure VI.8a prsente les rsultats exprimentaux de charge de la capacit. Nous constatons, que la
tension sature une valeur d'environ 1V aprs quatre minutes de charge. La figure VI.8b montre la tension
gnre par le systme en fonction de l'amplitude fournie par le gnrateur. Une amplification d'environ 8
fois peut tre constate.
Les mesures faites avec une carte de test ont soufferts des signaux parasites, surtout du 50Hz, ce qui
diminue l'efficacit du systme. Pour remdier ce problme, nous avons ralis un systme dans un botier
(System On a Package SoP) contenant une structure du micrognrateur AlN et une puce de multiplicateur
de tension. Le montage est prsent sur la figure VI.9.
Figure VI.8 : Caractristiques du systme contenant un micrognrateur pizolectrique AlN : volution de la
tension sur une capacit de 10nF pour la tension d'entre de 150mV (a) et la tension de sortie en fonction de la
tension fournie par le gnrateur (b).
(a) (b)
Figure VI.9 : Photo du systme de gestion d'nergie ralis en tant que systme dans un botier (SoP).
La structure a t excite sa frquence de rsonance de 1512Hz avec une excitation de 50mg
d'amplitude. Dans ces conditions, en circuit ouvert, la structure fournit un signal d'une dizaine de millivolts.
Nous avons utilis un tel montage pour charger une capacit de 1F. Les rsultats exprimentaux du
chargement de cette capacit sont reports sur la figure VI.10a. La figure VI.10b montre l'volution de la
tension pour deux valeurs de capacit de charge pour l'acclration d'excitation de 100mg. Ces rsultats
prouvent, qu'il est possible de gnrer des tensions leves avec des niveaux d'excitation trs faibles.
Finalement nous avons assembl un systme autoaliment prsent sur la figure VI.11, compos du
multiplicateur de tension VM et le AC/DC actif dcrit prcdemment. Le multiplicateur de tension charge
une capacit C
Vdd
(1F) qui fournit ensuite l'nergie ncessaire pour le fonctionnement du AC/DC actif. Ce
dernier est utilis pour charger une capacit C
charge
de 80nF.
Figure VI.10 : Chargement d'une capacit de 1F avec un multiplicateur de tension et un gnrateur AlN pour
diffrents niveaux d'excitation (a) et volution de la tension sur les capacits de 1F et 400pF
pour l'acclration de 0,1g (b).
(a)
(b)
La figure VI.12 prsente des rsultats exprimentaux obtenus en utilisant ce systme. L'amplitude de
tension gnre par le micrognrateur est gale 140mV et l'amplitude obtenue sur la capacit de sortie
C
charge
est gale environ 130mV. Le systme ne ncessite pas de l'alimentation externe et grce au
convertisseur AC/DC actif son rendement est lev.
VI.5. Conclusion
Dans ce chapitre nous avons prsent la problmatique lie au transfert de l'nergie entre le
micrognrateur pizolectrique et un rservoir lectrique. Nous avons distingu deux types d'approches : un
actif et l'autre passif. L'utilisation des systmes actifs est limite par leur consommation, laquelle doit tre
trs infrieure l'nergie rcolte par le dispositif. C'est pour cela, que l'utilisation des techniques adaptatives
ainsi que non-linaires est exclure dans les micrognrateurs.
Nous avons ralis et test un systme contenant le micrognrateur et le multiplicateur de tension
connects au niveau de la puce. Ce montage est capable de gnrer des tensions de plusieurs volts avec des
acclrations d'entre infrieures 100mg. L'nergie fournie la capacit aprs 200s de charge varie entre
4,2J pour 0,4g et 125nJ pour 0,1g, ce qui rsulte en puissance moyenne respectivement de 21nW et 0,6nW.
Figure VI.11 : Schma du systme autoaliment.
Figure VI.12 : L'volution de la tension sur la capacit Ccharge de 80nF
alimente avec la tension fournie par le micrognrateur de 140mV.
Nous avons aussi test un systme autoaliment, dans lequel un multiplicateur de tension fournit l'nergie
ncessaire pour un AC/DC actif qui charge une capacit de sortie.
Une travail d'optimisation sera fait pour augmenter la puissance gnre. Pour continuer ce travail
nous allons aussi tester la performance du gnrateur sur des supercapacits pour diffrents variations de
tension sur la charge (charge partir de zro et augmentation de tension).
Chapitre VII : Conclusion gnrale et perspectives
Nous avons prsent dans cette thse, une tude visant la ralisation des micrognrateurs de
puissance. Nous avons modlis, conu, et test des micrognrateurs pizolectriques raliss en utilisant
des techniques de microfabrication (MEMS). Deux approches ont t compares : une utilisant un matriau
avec des coefficients de couplage levs PZT, mais dont la technologie de dpt est trs difficile
matriser et l'autre lAlN avec des proprits pizolectriques moins bonnes, mais qui par contre, peut tre
relativement facile dposer, prsente une bonne qualit mcanique et n'est pas toxique. Nous avons cr
des modles analytiques prcis de la structure que nous avons ensuite utilis pour comprendre le
comportement des structures et pour optimiser leur gomtrie. Nous avons ralis deux types de dispositifs,
rpondant au cahier des charges prsent dans le chapitre I.
Le premier visant les frquences relativement basses de 200Hz et de faibles amplitudes
dacclration prsentes dans lenvironnement. Des problmes de nature technologique nous ont empch
de bien tester toutes les structures conues. Nanmoins des rsultats intressants ont t obtenus qui
confirmaient nos attentes. Nous avons dmontr quun dispositif occupant une surface infrieure 4mm
2
dune plaquette SOI, peut gnrer une puissance entre une dizaine de nanowatts pour une acclration trs
faible de 0,2g jusqu presque 300nW pour une acclration de 1,5g.
Lautre type de structures a t prvu pour vibrer des frquences plus levs, autour de 1kHz
correspondant au spectre des vibrations gnres par des machines outils industrielles. Dans ce cas deux
types de matriaux pizolectriques ont t utiliss et leur performances ont t compars. Les dispositifs
proposs, qui occupent une surface denviron 1mm
2
de la surface dune plaquette SOI, dlivrent des
puissances allant jusqu 2W pour des excitations de 2g 900Hz (PZT) et 4g 1500Hz (AlN).
La figure de mrite de ces dispositifs, selon la dfinition prsente dans le chapitre II, est trs proche
des valeurs reportes dans la littrature pour les meilleurs dispositifs macroscopiques. De plus les structures
prsentes sont les seuls microsystmes pizolectriques dont la frquence de vibration correspond une
application relle. La puissance gnre par les dispositifs est suffisante pour alimenter un petit nud sans fil
d'un rseau de capteurs, selon les spcifications dtailles dans le chapitre II de ce mmoire. Dailleurs la
Chapitre VII : Conclusion gnrale et perspectives
petite taille de ces dispositifs permet den utiliser plusieurs dans le cas d'acclrations dexcitation plus
basses.
Par ailleurs, nous avons tudi le problme trs important mais souvent ignor, de ladaptation de la
frquence de rsonance des dispositifs la frquence dexcitation. Nous avons utilis pour cela des structures
dont le comportement est fortement non-linaire.
Finalement, grce aux circuits spcifiques de gestion de l'nergie, dvelopps par Y. Ammar dans le
cadre de sa thse, nous avons pu tester un systme complet de gnration dnergie. Nous avons dmontr,
que mme avec des acclrations dentre trs faibles, le systme peut fournir des tensions relativement
leves, ncessaires pour charger une capacit ou une batterie utilise ensuite pour alimenter un nud de
capteurs sans fil. Un systme autoaliment a pu gnrer environ 6J pendant 200 secondes partir dune
acclration de 0,4g, ce qui donne une puissance moyenne de 30nW. Nous pouvons imaginer que plusieurs
dispositifs de ce type peuvent tre utiliss pour fournir de l'nergie aux systmes lectroniques.
Nous avons aussi pu raliser un systme sur botier (System On Package) contenant les
micrognrateurs et le systme de gestion de lnergie, ce qui reprsente un dispositif qui gnre une tension
continue, de valeur relativement leve, partir des vibrations mcaniques.
Le systme propos est une alternative pour les batteries lectrochimiques, prsentant des avantages
considrables, notamment une dure de vie limite uniquement par la fiabilit du dispositif et prsentant une
composition favorable pour l'environnement.
Dans la perspective d'une poursuite de ce travail, il nous semble pertinent dapprofondir le problme
de loptimisation de la structure en prenant en compte non seulement une charge purement rsistive, mais un
systme complet de gestion dnergie. Cela va tre ralis en mettant en uvre un modle VHDL-AMS de
lensemble du systme. Ce modle contiendrait la modlisation analytique du gnrateur, le modle du
circuit de gestion d'nergie et finalement un modle comportemental d'une supercapacit ou une batterie. Au
niveau de la conception et de la fabrication des dispositifs, nous pourrions raliser un autre lot de dispositifs,
dans lequel nous prendrions en compte les conclusions de la modlisation analytique, lesquelles ne
pourraient pas tre obtenus avant le dbut de fabrication des masques pour les dispositifs ainsi que les
conclusions des tests exprimentaux conduits. De plus nous voudrions explorer en dtail le sujet des
systmes non-rsonants et non-linaires rpondant au problme de ladaptation de la frquence optimale
d'opration du systme la frquence dexcitation.
Finalement nous envisageons de tester nos dispositifs sur un outil industriel pour vrifier leur
performance dans les conditions dune application relle.
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Annexe A : Convention de modlisation analytique
Annexe A : Convention de la modlisation analytique
A.1. Symboles
symbole description unit
A aire m
2
A
in
acclration applique au systme m s
-2
B
M
largeur de la masse m
B
P
largeur de la poutre m
c
11
ef
, c
12
ef
coefficient de conformit mcanique effective m

s
2
kg
-1
c
13
ef
coefficient de conformit mcanique effective 1
c
33
ef
coefficient de conformit mcanique effective kg m
-1
s
-2
c
xx
coefficient de conformit mcanique kg m
-1
s
-2
D dplacement lectrique s A m
-2
D
G
', D
G
'' rigidit quivalente pizolectrique kg m
2
s
-2
D
G
=YI rigidit quivalente en flexion par unit de largeur kg m
2
s
-2
d
xx
coefficient pizolectrique A s
3
kg
-1
m
-1
E intensit du champ lectrique kg m A
-1
s
-3
e
31
ef
coefficient pizolectrique effective A s m
-2
e
33
ef
coefficient pizolectrique effective A s
3
m
-1
kg
-1
e
xx
coefficient pizolectrique A s m
-2
f frquence s
-1
H
M
paisseur de la masse m
h
p
paisseur de la couche pizolectrique m
h
s
paisseur de la couche mcanique m
I moment d'inertie m
4
J moment d'inertie en rotation d'un corps solide kg m
2
L
M
longueur de la masse m
L
P
longueur de la poutre m
m masse kg
M moment par unit de largeur N
symbole description unit
p Variable de Laplace s
-1
S
x
= -z dformation de la poutre 1
s
xx
coefficient de raideur mcanique kg
-1
s
2
m
T effort Nm
-2
U potentiel lectrique kg m
2
s
-3
A
-1
V force de cisaillement N
w flchissement de la poutre m
Y module de Young kg s
-2
m
-1
Z impdance lectrique kg m
2
s
-3
A
-2
facteur de pertes structurales 1
xx
,
xx
ef
permittivit lectrique intrinsque et effective s
4
A
2
kg
-1
m
-3
angle de rotation de la masse rad
courbure de la poutre m
-1
facteur de pertes lies avec le frottement de l'air kg s
-1
masse volumique kg m
-3
coefficient de pertes visqueuses 1
coefficient de pertes structurales 1
effort de cisaillement Nm
-1
pulsation s
-1
A.2. Constantes supplmentaires
Symbole explication unit
D
G
D
G
=
Y
S
ef
3
( z
2
3
z
1
3
)+
c
11
ef
3
( z
3
3
z
2
3
)
kg m
2
s
-2
D
G
''
D
G
' ' =D
G
+
(e
31
ef
)
2
3c
33
ef
(
z
3
3
z
2
3
)
c
33
ef
h
P

2
kg m
2
s
-2
H
1
L
P
3
J
0
12 B
P
D
G
' '
m
2
s
2
H
2
L
P
J
0
+L
P
L
eq
2
m
kg m
3
H
3
B
P
Z D
G
' '

L
P
(1+)
s
H
4
Z L
P
2
J
0
s
3
L
L
P
+
L
M
2
m
L
eq
2
L
2
L L
P
+
L
P
2
3
m
2
Symbole explication unit
e
31
ef
2 c
33
ef
h
P
(
2 z
2
+h
P
)
kg m
3
s
-3
A
-1
c
33
ef
h
P
D
G
' '
s
3
A kg
-1
m
-3
A.3. Les conventions de notation des proprits pizolectriques
La pizolectricit est un proprit de certains matriaux de dvelopper une charge lectrique quand ils
subissent une contrainte mcanique. Inversement un champ lectrique appliqu sur ces matriaux induit des
contraintes mcaniques. Les quations constitutives de la pizolectricit sont reports dans l'quation A.1.
D
i
=d
ijk
T
jk
S
jk
=d '
ijk
E
i
(A.1)
La pizolectricit est une proprit anisotrope, tensorielle de 3me rang. Les notations tensorielles
sont utilises pour la dcrire. Nanmoins souvent les notations matricielles quivalents sont utiliss, avec les
conventions dtailles dans les tableaux A.1 et A.2. Au niveau des indexes p et q peuvent tre gales 1, 2, 3,
4, 5 et 6. L'indexe p remplace ij et l'indexe q remplace kl. Les rgles suivantes sont appliquer pour la
conversion :
p = i avec i = j
p = 9 (i + j) avec i j
q = k avec k = l
q = 9 (k + l) avec k l
ii = 11 p = 1
ii = 22 p = 2
ii = 33 p = 3
ii = 23 ou ii = 32 p = 4
ii = 13 ou ii = 31 p = 5
ii = 12 ou ii = 21 p = 6
Tableau A.1: quivalence des indexes dans la notation tensorielle et la notation matricielle.
E
i
E
i
D
i
D
i
T
ii
T
p
avec p = 1, 2, 3
T
ij
T
p
avec p = 4, 5, 6
S
ii
S
p
avec p = 1, 2, 3
S
ij
0,5 S
p
avec p = 4, 5, 6
d
ijk
avec j = k d
ip
avec p = 1, 2, 3
d
ijk
avec j k 0,5 d
ip
avec p = 4, 5, 6
Q
ijkl
avec k = l Q
pq
avec p = 1, 2, 3, 4, 5, 6
q = 1, 2, 3
Q
ijkl
avec k l 0,5 Q
pq
avec p = 1, 2, 3, 4, 5, 6
q = 4, 5, 6
Tableau A.2: Relation entre la notation matricielle et tensorielle pour les matriaux pizolectriques.
Les quations constitutives de la pizolectricit sont reports dans l'quation A.2. L'explication des
axes (indices p) est donne dans la figure A.1.
D
i
=d
ik
T
k
S
k
=d
ki
E
i
(A.2)
A.4. Calcul du moment d'inertie de la masse sismique
La masse sismique est prsente dans la figure A.2. Les deux axes de rotation sont dnomms :
Figure A.2: La masse sismique avec les
deux axes de rotation.
Figure A.1: Numrotation des axes
dans la notation matricielle.
O - l'axe qui passe par le centre de gravit de la masse
O' - l'axe qui passe les points d'ancrage de la masse sur la poutre
La dfinition du moment d'inertie :
J
y
=
V
j( x
2
+z
2
) dV
(A.3)
Si la densit de la masse est uniforme, le moment d'inertie de la masse sismique autour l'axe O peut tre
exprim comme :
J
O'
=j

L
M
/2
L
M
/ 2
H
M
/2
H
M
/ 2
B
M
/2
B
M
/2
( x
2
+z
2
) dy dz dx=j B

L
M
/2
L
M
/ 2
(
x
2
h+
h
3
12
)
dx (A.4)
J
O '
=
j
12
B
M
L
M
H
M
( L
M
2
+H
M
2
)=
m
12
( L
M
2
+H
M
2
)
(A.5)
En utilisant le thorme de Steiner (thorme des axes parallles) :
J
O
=J
O
' +m L
R
2
(A.6)
Finalement le moment d'inertie de la masse sismique autour de l'axe O s'exprime :
J
O
=
m
3
(
L
M
2
+H
M
2
) (A.7)
A.5. Calcul des valeurs effectives pour le cas de la poutre encastre
libre
Dans le cas d'une poutre encastre libre schmatise sur la figure A.3 on peut constater que :
Chaque couche est libre de se dformer en direction de z, alors T
3
= 0
La dformation en direction de l'axe y est impossible (l'encastrement et fixation la masse), alors
S
2
= 0
A.5.1. Le cas de silicium
Dans le cas de la couche de silicium la seule matrice considrer est la matrice d'lasticit
mcanique c quation A.8.
Figure A.3: Poutre encastre - libre.
|
T
1
T
2
T
3
=
|
c
11
c
12
c
13
c
12
c
22
c
23
c
13
c
32
c
33
|
S
1
S
2
S
3
(A.8)
Pour faire apparatre les valeurs indpendantes la relation A.8 est transforme de la faon suivante :
|
T
1
T
2
S
3
=| c
TTS
eff
|
S
1
S
2
T
3
(A.9)
Pour obtenir la matrice d'lasticit mcanique effective :
T
3
=c
13
S
1
+c
23
S
2
+c
33
S
3
S
3
=
c
13
c
33
S
1
c
23
c
33
S
2
+
1
c
33
T
3
(A.10)
T
1
=c
11
S
1
+c
12
S
2
+c
13
S
3
T
1
=
(
c
11
c
13
2
c
33
)
S
1
+
(
c
12
c
23
c
33
c
13
)
S
2
+
c
13
c
33
T
3
(A.11)
T
2
=c
12
S
1
+c
22
S
2
+c
23
S
3
T
2
=
(
c
12
c
13
c
33
c
23
)
S
1
+
(
c
22
c
23
2
c
33
)
S
2
+
c
23
c
33
T
3
(A.12)
En remettant les quations A.10 A.12 en forme matricielle :
|
T
1
T
2
S
3
=
|
c
11
c
13
2
c
33
c
12
c
23
c
33
c
13
c
13
c
33
c
12
c
13
c
33
c
23
c
22
c
23
2
c
33
c
23
c
33
c
13
c
33
c
32
c
33
1
c
33
|
S
1
S
2
T
3
(A.13)
Si T
3
=0 et S
2
=0 :
T
1
=
(
c
11
c
13
2
c
33
)
S
1
=Y
s
ef
S
1
(A.14)

Dans le cas d'une poutre encastre libre, une valeur de module de Young quivalente, Y
S
ef
va tre utilise.
A.5.2. Le cas du matriau pizolectrique :
Dans le cas d'un matriau pizolectrique il y a deux matrices considrer la matrice mcanique et
la matrice de couplage pizolectrique.
Pour un matriau pizolectrique linaire les quations constitutives (IEE87) :
T
i
=c
ij
E
S
j
e
ij
E
j
D
i
=e
ji
S
j
+c
ij
S
E
j
(A.15)
S
i
=s
ij
E
T
j
+d
ij
E
j
D
i
=d
ji
T
j
+c
ij
T
E
j
(A.16)
Si le matriau est orthotrophe (comme PZT, AlN, ZnO etc.) les quations A.15 peuvent tre
reprsentes par les quations A.17 et A.18 :
|
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
=
|
c
11
c
12
c
13
0 0 0
c
12
c
11
c
13
0 0 0
c
13
c
13
c
33
0 0 0
0 0 0 c
44
0 0
0 0 0 0 c
44
0
0 0 0 0 0 c
66
|
S
1
S
2
S
3
S
4
S
5
S
6
|
0 0 e
31
0 0 e
31
0 0 e
33
0 e
15
0
e
15
0 0

|
E
1
E
2
E
3
(A.17)
|
D
1
D
2
D
3
=
|
0 0 0 0 e
15
0
0 0 0 e
15
0 0
e
13
e
13
e
33
0 0 0
|
S
1
S
2
S
3
S
4
S
5
S
6
+
|
c
11
S
0 0
0 c
11
S
0
0 0 c
33
S
|
E
1
E
2
E
3
(A.18)
Si les contraintes et dformations de cisaillement sont ngliges :
S
4
=S
5
=S
6
=0
T
4
=T
5
=T
6
=0
(A.19)
Si le deux faces du matriau pizolectrique sont couvertes par des lectrodes :
E
1
=E
2
=0
D
1
=D
2
=0
(A.20)
Les quations constitutives deviennent :
|
T
1
T
2
T
3
=
|
c
11
c
12
c
13
c
12
c
11
c
13
c
13
c
13
c
33
|
S
1
S
2
S
3
|
e
31
e
31
e
33
|
E
3
(A.21)
D
3
=| e
13
e
13
e
33
|
S
1
S
2
S
3
+c
33
S
E
3 (A.22)
Pour une telle structure les variables indpendantes sont S
1
, S
2
et T
3
. Pour ces variables il faut transformer les
quations constitutives.
|
T
1
T
2
=
|
c
11
c
12
c
12
c
11
|
S
1
S
2
+
|
c
13
c
13
S
3
|
e
31
e
31
E
3
T
3
=
|
c
13
c
13
|
S
1
S
2
+c
33
S
3
e
33
E
3

(a)
(A.23)
(b)
Pour liminer S
3
qui n'est pas indpendant, on transforme A.23a pour obtenir :
S
3
=
T
3
c
33
+
e
33
c
33
E
3
1
c
33
|
c
13
c
13
|
S
1
S
2
(A.24)
Si on introduit A.24 dans A.23a on obtient :
|
T
1
T
2
=
|
c
11
c
12
c
12
c
11
|
S
1
S
2
+
|
c
13
c
13
(
T
3
c
33
+
e
33
c
33
E
3
1
c
33
|
c
13
c
13
|
S
1
S
2
)
|
e
31
e
31
E
3
S
3
=
T
3
c
33
+
e
33
c
33
E
3
1
c
33
| c
13
c
13
|
S
1
S
2
(A.25)
|
T
1
T
2
=
|
c
11
c
13
2
c
33
c
12
c
13
2
c
33
c
12
c
13
2
c
33
c
11
c
13
2
c
33
|
S
1
S
2
+
c
13
T
3
c
33
|
1
1
|
e
31
e
33
c
13
c
33
e
31
e
33
c
13
c
33
E
3
S
3
=
T
3
c
33
+
e
33
c
33
E
3
1
c
33
|
c
13
c
13
|
S
1
S
2
(A.26)
Finalement en forme matricielle complte on obtient :
|
T
1
T
2
S
3
=
|
c
11
c
13
2
c
33
c
12
c
13
2
c
33
c
13
c
33
c
12
c
13
2
c
33
c
11
c
13
2
c
33
c
13
c
33
c
13
c
33
c
13
c
33
1
c
33
|
S
1
S
2
T
3
|
e
31
e
33
c
13
c
33
e
31
e
33
c
13
c
33
e
33
c
33
E
3
(A.27)
En utilisant les valeurs effectives, on obtient :
|
T
1
T
2
S
3
=
|
c
11
ef
c
12
ef
c
13
ef
c
12
ef
c
11
ef
c
13
ef
c
13
ef
c
13
ef
c
33
ef
|
S
1
S
2
T
3
|
e
31
ef
e
31
ef
e
31
ef
E
3
D
3
=
|
e
31
ef
e
31
ef
e
31
ef
|
S
1
S
2
T
3
+c
33
ef
E
3
(A.28)
O les coefficients effectifs sont :
c
11
ef
=c
11
c
13
2
c
33
c
12
ef
=c
12
c
13
2
c
33
c
13
ef
=
c
13
c
33
c
33
ef
=
1
c
33

e
31
ef
=e
31
c
13
e
33
c
33
e
33
ef
=
e
33
c
33
c
33
ef
=c
33
S
+
e
33
2
c
33
(A.29)
Si S
2
=0 et T
3
=0 :
|
T
1
T
2
S
3
=
|
c
11
ef
c
12
ef
c
13
ef
S
1
|
e
31
ef
e
31
ef
e
33
ef
E
3
D
3
=e
31
ef
S
1
+c
33
ef
E
3
(A.30)
Annexe B : Modle analytique de la poutre
Dans cet annexe nous prsentons les dtails concernant la modlisation analytique d'une poutre
encastre-libre avec une masse sismique. Tout d'abord un comportement statique est analys d'un bimorphe
asymtrique avec une seule couche pizolectrique et une mcanique, sans masse sismique. Ensuite le
comportement dynamique et une rponse une excitation sinusodale sont tudis.
B.1. Comportement statique
La figure B.1 prsente la structure analyse, compose de deux couches, dont une pizolectrique.
Nous allons tudier le comportement mcanique de cette structure en rgime statique, notamment rponse
une force applique au bout.
B.1.1. Axe neutre
Pour trouver l'axe neutre du bimorphe dont la structure est prsente sur la figure B.2, un axe
auxiliaire a va tre utilis. Dans ce cas nous allons ignorer l'influence de l'effet pizolectrique. La
coordonne de dbut de l'axe neutre sur l'axe a est gale a
1
. Les coordonns a
2
et a
3
correspondent
l'interface entre le matriau pizolectrique et le matriau constituant le support mcanique et la face
suprieure de la couche pizolectrique, respectivement.
Figure B.1: Poutre encastre - libre
a
2
=h
s
a
3
=h
s
+h
p
(B.1)
La position de l'axe neutre va tre calcule en partant du fait que les forces rsultantes sont nulles sur
la section de la poutre. L'quilibre des forces rsultantes est exprim dans l'quation B.2.
0
a
2
T
xs
da+
a
2
a
3
T
xp
da=0
T
xs
=Y
S
ef
S
1
=Y
S
ef
(aa
1
)
T
xp
=c
11
ef
(aa1)
(B.2)
T
xs
est la contrainte dans le support mcanique dans la direction x et T
xp
est la contrainte dans le
matriau pizolectrique selon le mme axe. La valeur effective de Module de Young du matriau
pizolectrique (qui est suppos purement mcanique pour le moment) c
11
ef
est calcule de faon similaire de
celle du silicium (les mmes conditions aux frontires). Les dmarches sont dtailles dans l'annexe A.5.
Les coordonnes de l'axe z sont lies avec l'axe a de la faon suivante quation B.3.
z
1
=a
1
z
2
=a
2
a
1
=h
s
a
1
z
3
=a
3
a
1
=h
s
+h
p
a
1
(B.3)
A partir de l'quation B.2 on obtient :
Y
S
ef
0
a
2
(aa
1
)da+c
11
ef
a
2
a
3
(aa
1
)da=0 (B.4)
Y
S
ef
0
h
s
ada+c
11
ef
h
s
h
s
+h
p
ada=a
1
(
Y
S
ef
0
h
s
da+c
11
ef
h
s
h
s
+h
p
da
)
(B.5)
Y
S
ef
h
s
2
+c
11
ef
h
p
(2h
S
+h
p
)=2 a
1
(
Y
S
ef
h
s
+c
11
ef
h
p
)
(B.6)
Nous arrivons donc l'expression de la position de l'axe neutre par rapport la face infrieure de la
structure quation B.7.
a
1
=
Y
S
ef
h
S
2
+c
11
ef
h
p
(2h
S
+h
p
)
2
(
Y
S
ef
h
S
+c
11
ef
h
p
)
(B.7)
Figure B.2 : Couches de la poutre avec l'axe verticale z et l'axe auxiliaire a.
B.1.2. L'quilibre des moments dans la poutre
Dans cette partie nous prenons en compte les proprits pizolectriques ainsi que toutes les conditions
aux limites appliques sur la structure.
Le moment agissant sur la structure par unit de largeur (en ngligeant la gravit) est gal :
M
y
( x)=
F
B
P
( L
p
x)
(B.8)
Les dformations dans la poutre sont lies avec la courbure :
S
1
=z
=
2
w
x
2

(a)
(B.9)
(b)
L'quilibre des moments dans la poutre exige que :
M
y
( x)=
z
1
z
2
T
1
z dz
z
2
z
3
T
1
z dz (B.10)
Pour dcrire les contraintes dans la couche pizolectrique, les quations pizolectriques vont tre utiliss
(quation B.11).
T
1
=c
11
ef
S
1
e
31
ef
E
3
D
3
=e
31
ef
S
1
+c
33
ef
E
3

(a)
(B.11)
(b)
Aprs transformation de l'quation B.11b et introduction de la courbure , dfinie dans l'quation B.9b on
peut obtenir l'expression de l'intensit du champ lectrique dans le matriau pizolectrique :
E
3
=
D
3
c
33
ef
+
e
31
ef
c
33
ef
z (B.12)
En introduisant l'quation B.9a et B.11a dans l'quation B.10 on obtient l'expression du moment dans la
poutre en fonction de la courbure ainsi que le champ lectrique E
3
.
M
y
( x)=Y
s
ef
z
1
z
2
z
2
dz+c
11
ef
z
2
z
3
z
2
dz+e
31
ef
z
2
z
3
E
3
z dz (B.13)
En valuant les intgrales, on obtient l'quation B.14.
M
y
( x)=
(
Y
S
ef
3
( z
2
3
z
1
3
)+
c
11
ef
3
( z
3
3
z
2
3
)
)
+e
31
ef
z
2
z
3
E
3
z dz (B.14)
On peut introduire un terme de rigidit quivalente de la poutre D
G
:
M
y
( x)=D
G
+e
31
ef
z
2
z
3
E
3
z dz (B.15)
Avec :
D
G
=
Y
S
ef
3
( z
2
3
z
1
3
)+
c
11
ef
3
( z
3
3
z
2
3
)
(B.16)
La valeur de D
G
peut tre assimile avec le terme EI de la structure tudie.
Maintenant nous introduisons l'quation B.12 dans l'quation B.15 pour liminer l'intensit du champ
lectrique E
3
qui est variable avec z.
M
y
( x)= D
G
+
e
31
ef
c
33
ef
z
2
z
3
( D
3
+e
31
ef
z ) z dz (B.17)
Comme D
3
n'est pas variable avec z, l'quation B.18 peut tre obtenue en regroupant les lments avec .
M
y
( x)= D
G
' +D
3
( x) (B.18)
Avec :
D
G
' =D
G
+
(e
31
ef
)
2
c
33
ef

z
3
3
z
2
3
3
(B.19)
=
e
31
ef
2c
33
ef
h
P
(
2 h
S
+h
P
2a
1
)
(B.20)
Pour obtenir la relation entre la tension entre les lectrodes U
0
et l'intensit du champ lectrique E
3
, nous
allons utiliser le thorme de Gauss, exprim dans l'quation B.21.
z
2
z
3
E
3
dz=U
0
(B.21)
En introduisant la relation B.12 on obtient :
z
2
z
3
E
3
dz=
z
2
z
3
D
3
( x)
c
33
ef
dz+
z
2
z
3
e
31
ef
c
33
ef
z dz (B.22)
U
0
=
D
3
( x)
c
33
ef
h
p
+
e
31
ef
c
33
ef

z
2
z
3
z dz (B.23)
Alors :
D
3
( x)=
c
33
ef
h
p

(
U
0
+
e
31
ef
c
33
ef

z
2
z
3
z dz
)
(B.24)
D
3
( x)=
c
33
ef
h
p

(
U
0
+
)
(B.25)
En introduisant la dernire quation dans l'quation B.18 on obtient :
M
y
( x)= D
G
'
c
33
ef
h
p

(
U
0
+
)
(B.26)
Nous arrivons la formule B.27 qui lie la tension entre les lectrodes avec le moment agissant sur la poutre
et la courbure de celle-ci.
M
y
( x)=D
G
' '
(
(U
0
) (B.27)
Avec :
D
G
' ' =D
G
'
c
33
ef
h
p

2
(B.28)
(=
c
33
ef
h
p
D
G
' '
(B.29)
En suivant le loi de Gauss, nous pouvons calculer la charge q(t) accumule sur les lectrodes.
q(t )=
A
D
3
( x , t ) dA=B
P
0
L
D
3
( x , t )dx (B.30)
On insrant l'quation B.25 on obtient :
q(t )=B
P
c
33
ef
h
P
(
u
0
(t ) L+
|
w(t )
x

x=L
)
(B.31)
Si une impdance quelconque Z est connecte entre les lectrodes de la couche pizolectrique, le
courant i(t) circulant travers cette charge est li avec la tension entre les lectrodes par l'quation B.32.
i (t )=
dq
dt
=
u
0
(t )
Z
(B.32)
Alors en insrant l'quation B.31 dans B.32 on obtient :
u
0
(t )=B
P
Z
c
33
ef
h
P
(
du
0
dt
L+

t
|
w
x
x=L
)
(B.33)
Pour rsoudre cette quation diffrentielle il faut connatre la dformation de la poutre w(x).
B.1.3. Cas d'une structure avec trois couches.
Le bimorphe dcrit dans le paragraphe B.1.1 peut tre transform en bimorphe symtrique en ajoutant
une couche du matriau pizolectrique en bas de la poutre. Ce type de structure est largement utilis dans les
ralisations macroscopiques. Dans ce cas l'axe neutre est situ une coordonn a
1B
.
a
1B
=h
P
+
h
S
2
(B.34)
Les coordonns de l'axe z sont lies avec l'axe a de faon suivante.
z
1B
=a
1B
z
2B
=h
P
a
1B
z
3B
=h
P
+h
S
a
1B
z
4B
=2h
P
+h
S
a
1B
(B.35)
L'quilibre des moments dans la structure donne :
M
y
( x)=
z
1B
z
2B
T
P
z dz
z
2B
z
3B
T
S
z dz
z
3B
z
4B
T
p
z dz
M
y
( x)=Y
S
ef
z
2B
z
3B
z
2
dz+Y
P
ef
z
1B
z
2B
z
2
dz+
z
3B
z
4B
z
2
dz
)
(B.36)
M
y
( x)=
(
Y
S
ef
3
( z
3B
3
z
2B
3
)+
Y
P
ef
3
( z
4B
3
+z
2B
3
z
3B
3
z
1B
3
)
)
(B.37)
D'une manire identique que dans le cas prcdant, on peut y introduire un valeur de rigidit globale
quivalente de la poutre avec trois couches :
M
y
( x)=D
GB
(B.38)
Avec :
D
GB
=
Y
S
ef
3
( z
3B
3
z
2B
3
)+
Y
P
ef
3
( z
4B
3
+z
2B
3
z
3B
3
z
1B
3
)
(B.39)
B.2. Modle dynamique coupl
Dans ce modle tous les effets vont tre incorpors, savoir les effets de l'inertie rotationnelle de la
masse sismique, le fait qu'elle est rigide, et en plus, le couplage complet de la couche pizolectrique. La
structure modlise est reprsente sur la figure B.3a et les symboles des dplacements sont explicits dans
la figure B.3b
B.2.1. La partie mcanique
La masse sismique est soumise une acclration et agit sur la poutre avec une force correspondante
sa masse et un moment appliqu au bout de la poutre correspondant son inertie rotationnelle. Le moment
total agissant sur la poutre est dcrit par l'quation B.40.
M
y
( x)=
m
B
P
(
A
i n
w
2
)
( Lx)
M
R
B
P
(B.40)
Aprs l'introduction de l'expression B.27 nous obtenons :
m
B
P
(
A
i n

w
2
)
( Lx)
M
R
B
P
=D
G
' '
(
(U
0
)
(B.41)
Aprs transformations :
Figure B.3 : Le schma de la structure modlise (a) et l'indication des variables de dformation utilises (b).
(a)
(b)
=
m
B
P
D
G
' '
(
A
i n

w
2
)
( Lx)
M
R
B
P
D
G
' '
+(U
0
(B.42)
Aprs premire intgration :
w
x
=
m
B
P
D
G
' '
(
A
i n

w
2
)
x ( L
x
2
)
M
R
B
P
D
G
' '
x+(U
0
x (B.43)
La drive du dplacement de la poutre au niveau de la jonction entre la poutre et la masse (l'angle de rotation
de la masse sismique) s'exprime par l'quation B.44. De plus, pour des petites rotations, le tangent de l'angle
peut tre approxim par la valeur de cet angle.
|
w
x
x =L
P
=
L
P
B
P
D
G
' '
(
m
(
A
i n
w
2
)
( L
L
P
2
)M
R
)
+(U
0
L
P
=tan 00 (B.44)
Aprs une deuxime intgration on aboutit au dplacement de la poutre :
w( x)=
x
2
2 B
P
D
G
' '
|
m
(
A
i n

w
2
)
(
L
x
3
)
M
R
+(U
0
x
2
2
(B.45)
Dplacement de la poutre au niveau de la jonction entre la poutre et la masse :
w
1
=
L
P
2
2 B
P
D
G
' '
|
m
(
A
i n
w
2
)
(
L
L
P
3
)
M
R
+(U
0
L
P
2
2
(B.46)
Pour calculer le dplacement de la poutre au niveau du centre de gravit, il faut prendre en compte que la
masse sismique est trs rigide en comparaison avec la poutre. Nous allons donc faire une supposition que la
masse ne se dforme pas. Le dplacement w
2
est exprim par l'quation B.47.
w
2
=tan 0( LL
P
)+w
1
|
w
x
x=L
P
( LL
P
)+w
1
(B.47)
Aprs introduction de l'quation B.44 et B.46 et introduction de L
eq
2
on obtient l'expression pour le
dplacement w
2
.
w
2
=
L
P
L
eq
2
B
P
D
G
' '
m
(
A
i n

w
2
)
M
R
L
P
B
P
D
G
' '
(
L
L
P
2
)
+(U
0
L
P
(
L
L
P
2
)
(B.48)
Avec :
L
eq
2
=L
2
L
P
L+
L
P
2
3
(B.49)
Le moment de rotation de la masse sismique dans le domaine de Laplace :
M
R
=J
0
p
2
|
w
x
x=L
P
(B.50)
Aprs introduction de l'quation B.44 :
M
R
=
J
0
L
P
p
2
1+
L
P
J
0
B
P
D
G
' '
p
2
|
m
B
P
D
G
' '
( A
i n
s
2
w
2
)
(
L
L
P
2
)
+(U
0
(B.51)
En introduisant l'quation B.51 dans l'quation B.48 porte dans le domaine de Laplace, on obtient :
w
2
=
L
P
m
|
L
eq
2
+
L
P
3
J
0
12 B
P
D
G
' '
p
2
+(U
0
L
P
(
L
L
P
2
)
B
P
D
G
' '
B
P
D
G
' ' +L
P
( J
0
+L
eq
2
m) p
2
+
J
0
L
P
4
m
12 B
P
D
G
' '
p
4
A
i n
(B.52)
Aprs transformations :
w
2
=
L
P
m
|
L
eq
2
+H
1
p
2
+(U
0
L
P
(
L
L
P
2
)
B
P
D
G
' '
B
P
D
G
' ' +H
2
p
2
+H
1
L
P
m p
4
A
i n
(B.53)
Avec :
H
1
=
L
P
3
J
0
12B
P
D
G
' '
H
2
=J
0
+L
eq
2
m
(B.54)
B.2.2. La partie lectrique
En utilisant l'quation B.33 porte dans le domaine de Laplace :
U
0
=B
P
Z D
G
' '
(
p
(
U
0
L
P
+
|
w
x
x=L
P
)
(B.55)
En introduisant l'quation B.44 pour liminer la drive par rapport x :
U
0
=Z ( L
P
p
1+H
3
p
|
m( A
i n
p
2
w
2
)
(
L
L
P
2
)
M
R
(B.56)
Avec :
H
3
=B
P
Z D
G
' '
(
L
P
(1+()

(B.57)
En introduisant l'quation B.51 on obtient :
U
0
=Z ( L
P
m
(
A
i n
p
2
w
2
)
(
L
L
P
2
)
1 (B.58)
Avec
1=
p
1+H
3
p+12
H
1
L
P
2
p
2
+H
4
p
3
H
4
=Z Lp
2
J
0
(
(B.59)
B.2.3. Le couplage
Nous liminons la tension (quation B.58) de l'quation B.53 et nous obtenons :
w
2
=
G
t0
+G
t1
p+G
t2
p
2
+G
t3
p
3
G
b0
+G
b1
p+G
b2
p
2
+G
b3
p
3
+G
b4
p
4
+G
b5
p
5
+G
b6
p
6
+G
b7
p
7
m L
P
A
i n
(B.60)
Avec :
G
t0
=12B
P
D
G
' ' L
eq
2
G
t1
=
(
B
P
D
G
' '
)
2
( L
P
Z
(
12L
eq
2
+( L
P
2
)
G
t2
=J
0
L
P
3
G
t3
=B
P
D
G
' ' Z ( L
P
4
J
0
G
b0
=12
(
B
P
D
G
' '
)
2
G
b1
=12
(
B
P
D
G
' '
)
3
Z ( L
P
( 1+()
G
b2
=12 B
P
D
G
' ' L
P
( J
0
+mL
eq
2
)
G
b3
=
(
B
P
D
G
' '
)
2
(Z L
P
2
(12m L
eq
2
+12 J
0
+L
P
2
m()
G
b4
=L
P
4
m J
0
G
b5
=B
P
D
G
' ' L
P
5
mZ ( J
0
(B.61)
Pour le rgime permanent et excitation sinusodale, on peut utiliser s = j et l'quation B.60 dvient :
w
2
=
G
t0
G
t2
o
2
+ j
(
G
t1
oG
t3
o
3
)
G
b0
G
b2
o+G
b4
o
4
+ j
(
G
b1
oG
b3
o
3
+G
b5
o
5
)
mL
P
A
i n
(B.62)
En utilisant l'quation B.58 l'expression pour la tension entre les lectrodes peut tre obtenue :
U
0
=
K
t1
p+K
t3
p
3
K
b0
+K
b1
p+K
b2
p
2
+K
b3
p
3
+K
b4
p
4
+K
b5
p
5
+K
b6
p
6
+K
b7
p
7
(m L
p
3
Z A
i n
(B.63)
Avec :
K
t1
=B
P
D
G
' ' ( L
P
L)
K
t3
=2 H
4
L+2 L
eq
2
L
P
m L+L
P
H
4
L
eq
2
L
P
2
m
K
b0
=2 B
P
D
G
' ' L
P
2
K
b1
=2 B
P
D
G
' ' L
P
2
H
1
K
b2
=2 L
P
2
H
4
+24 B
P
D
G
' ' H
3
K
b3
=2 B
P
D
G
' ' L
P
2
H
2
+mZ B
P
D
G
' '
2
L
P
4
( L
P
2
2 L
eq
2
)+2 L
P
2
H
1
H
4
K
b4
=2 L
P
3
mH
3
+24 H
3
H
4
K
b5
=2 Lp
2
H
2
H
4
+2L
P
3
m H
1
H
3
K
b6
=24 L
P
mH
3
2
K
b7
=2 L
p
3
mH
2
H
3
(B.64)
Pour le rgime sinusodal, la puissance dissipe sur la charge Z peut tre obtenue partir de la relation B.65:
P=
U

U
2Z
(B.65)
Dans le cas d'une charge purement resistive (pas de dphasage), la puissance dissipe sur cette charge est
dcrite par la relation B.66.
P=
U
0
2
2 R
(B.66)
B.2.4. Introduction des pertes dilectriques et mcaniques
B.2.4.1. Pertes mcaniques amortissement structural
Si le facteur d'amortissement structural est appel , les pertes mcaniques peuvent tre reprsentes
comme une partie imaginaire du coefficient de rigidit. Avec cette hypothse l'expression B.16 de D
G
devient :
D
G
=Y
S
ef
(
1+ j
s
)
z
2
3
z
1
3
3
+c
11
ef
(
1+j
p
)
z
3
3
z
2
3
3
(B.67)
En faisant la sparation de la partie relle et la partie imaginaire :
D
G
=D
GR
+D
GI
=Y
S
ef
z
2
3
z
1
3
3
+c
11
ef
z
3
3
z
2
3
3
+Y
S
ef
j
s
z
2
3
z
1
3
3
+c
11
ef
j
p
z
3
3
z
2
3
3
(B.68)
Une supposition est faite que le coefficient de pertes est isotrope dans tous les matriaux. Pour le coefficient
supplmentaire D
G
'' :
D
G
' ' =D
GR
' ' +D
GI
(B.69)
B.2.4.2. Pertes dilectriques
Les pertes dilectriques sont prsentes uniquement dans la couche pizolectrique. Elles peuvent tre
reprsentes comme une partie imaginaire de la permittivit lectrique du matriau.
c
33
S
=c
33Re
S
j c
33Re
S
tan 6=c
33Re
S
c
33Im
(B.70)
La valeur effective :
c
33
ef
=c
33Re
ef
c
33Im
(B.71)
B.2.4.3. Pertes visqueuses
Les pertes visqueuses sont introduites par une force de frottement avec l'air ambiant. Cette force est
proportionnelle la vitesse de dplacement de la structure. Une discutions plus dtaille de cette thmatique
peut tre trouv dans l'annexe C.
Annexe C : Mcanismes de dissipation de l'nergie dans
micro rsonateurs
Annexe C : Mcanismes de dissipation de l'nergie dans micro rsonateurs
Nous proposons d'tudier les mcanismes de dissipation de l'nergie dans des micro rsonateurs. Nous
allons tudier une structure de type poutre encastre-libre avec une masse au bout. La structure ainsi que les
pertes sont schmatises sur la figure C.1.
La structure est constitue d'une poutre de longueur L
P
, largeur B
P
et paisseur H
P
, une masse sismique
de hauteur H
M
, largeur B
M
et longueur L
M
. La paroi la plus proche fixe et parallle la structure se trouve
distance g
0
de la face infrieure de la masse. Nous supposons que la structure se trouve dans l'air sous
pression p. Dans une telle structure, purement mcanique, quatre sources de pertes peuvent tre dfinis
[112] :
l'amortissement li au frottement avec l'air, caractris par le paramtre et value partir des
quations de Navier-Stokes
l'amortissement li la compression de l'air entre la structure et la paroi, dcrit par le paramtre
C
l'amortissement li au rayonnement de l'nergie dans le support, dcrit par le paramtre
S
l'amortissement interne du matriau, caractris par le paramtre
Figure C.1 : Schma d'une poutre avec les mcanismes de dissipation de l'nergie.
Nous allons analyser chaque type des pertes. Pour obtenir des valeurs numriques nous allons utiliser
des valeurs prsentes dans le tableau C.1.
Paramtre Valeur Explication
H
P
5m paisseur de la poutre
L
P
1.5mm longueur de la poutre
B
P
500m largeur de la poutre
H
M
500m hauteur de la masse
L
M
1mm longueur de la structure
B
M
500m largeur de la masse
w(x) variable avec x dplacement de la structure
g
0
500m distance entra la structure et la paroi
parallle la plus proche
S
2330 kg m
-3
densit du matriau de la structure en
vibration
Y 166 10
9
Pa module d'lasticit de la structure
M
a
28,964 10
-3
kg mol
-1
masse molaire de l'air sec
R 8,314472 J mol
-1
K
-1
constante du gaz
T 300K temprature absolue
p
a
variable pression du gaz
N
2 900Hz pulsation de rsonance
P proportionnelle la vitesse force de frottement de l'air
a
variable avec pression densit de l'air
1,81 10
-5
Pa s viscosit d'air
Tableau C.1 : Liste des constantes et variables utilises la modlisation.
C.1. Frottement avec l'air [94], [112]
L'amortissement li au frottement de l'air est variable avec la pression. La force de frottement est
proportionnelle la vitesse de dplacement de la structure dans le gaz quation C.1.
P=\

w (C.1)
Le facteur de qualit d'une structure en vibration est dfini par le rapport entre l'nergie emmagasine et
dissipe par priode (l'quation C.2).
Q=2n
nergievibratoire emmagasine
energie dissipe per priode
=2n
U
i
U
d
(C.2)
Pour calculer l'nergie emmagasine par la structure en rsonance (premier mode) la frquence
N,
nous
allons valuer l'nergie cintique maximale de la structure. Nous allons faire une simplification de ngliger
l'nergie cintique de la poutre par rapport l'nergie de la beaucoup plus grande masse sismique.
U
i
=U
kmax
=

L
P
L
P
+L
M
j
S
B
M
H
M

w
max
2
2
dx (C.3)
En appliquant la sparation des variables spatiales x et temporelles t selon l'quation C.4 et en prenant en
compte uniquement une vibration harmonique avec une pulsation , nous arrivons l'quation C.5.
w( x , t )=w
s
( x)e
j ot
(C.4)
U
kmax
=j B
M
H
M
2
o
N
2
L
P
L
P
+L
M
w
s
2
( x)dx (C.5)
Avec w
S
tant la forme du premier mode de vibration de la structure.
Pour obtenir l'expression de l'nergie dissipe, nous allons intgrer le travail fait par la force de
frottement (quation C.1) pendant une priode T quation C.6. Puisque notre structure est compose d'une
grande masse sismique attache au bout de la poutre (sa vitesse de dplacement est suprieure la vitesse de
dplacement de la poutre), c'est elle qui contribue le plus au frottement. Dans le calcul nous prenons donc en
compte uniquement la surface de la masse sismique.
U
d
=
0
T
P w dt=
1
B
M
L
M
0
T
0
B
M
L
P
L
P
+L
M
\ w( x , t )
2
dx dy dt =
\o
N
2
L
M

0
T
( e
j ot
)
2
dt

L
P
L
P
+L
M
w
s
2
( x) dx (C.6)
Pour le mouvement harmonique l'intgrale sur temps gale / donc la valeur du facteur de qualit
mcanique de l'quation C.2 peut tre exprime par (avec M la valeur de la masse sismique) :
Q=2n
j B
M
H
M
2
o
N
2
L
P
L
P
+L
M
w
s
2
( x)dx
1
L
M
\o
N
2 n
o

L
P
L
P
+L
M
w
s
2
( x)dx
=
M o
N
\
(C.7)
Pour trouver le coefficient la modlisation des pertes peut tre dcompose en trois zones :
la rgion intrinsque
C'est la rgion dans laquelle la pression de l'air est tellement faible que le frottement avec l'air est
ngligeable et des autres phnomnes prdominent, donc = 0.
la rgion molculaire (Knudsen)
L'amortissement est provoqu par des collisions indpendantes entre la structure et les molcules de
l'air. La force peut tre value partir de la thorie cintique de gaz, avec l'quation C.8.
\
m
=k
m
B p
a
L (C.8)
Avec :
k
m
=
.
32 M
a
9nRT
(C.9)
Le facteur de qualit mcanique dans le rgion molculaire Q
m
est exprim par l'quation C.10.
Q
m
=
jH
M
o
N
k
M
p
a
(C.10)
Dans cette rgion le facteur de qualit n'est pas lie ni avec la largeur ni avec la longueur de la poutre
parce qu'elles influencent d'une faon gale aussi bien l'nergie cintique que l'nergie dissipe par
frottement. Le facteur de qualit est proportionnel la frquence et inversement proportionnel la pression
du gaz.
la rgion visqueuse
Pour les pressions encore plus leves, l'air se comporte comme un fluide. Pour calculer son
comportement les quations de Navier-Stokes peuvent tre utilises. Puisque nous considrons une structure
constitue d'une poutre ayant une grande masse sismique au bout, nous allons ngliger la force de frottement
de l'air sur la poutre et nous allons prendre en compte uniquement la masse qui est plus grande et se dplace
beaucoup plus rapidement. Pour calculer la force de frottement une simplification est faite, que la masse est
remplace par une sphre dont la taille est suffisante pour contenir la vraie masse sismique donc avec le
rayon R
s
gal la moiti de la diagonale de la masse. Cette simplification est largement utilise [94], [112] et
confirme par les rsultats exprimentaux. Dans ce cas le facteur est dcrit par l'quation C.11.
\
v
=6njR
S
(
1+
R
S
6
)
(C.11)
Avec tant la largeur de la couche de frontire perpendiculaire la direction de mouvement qui exprime la
profondeur de pntration d'une onde latrale (la rgion turbulente). Cette valeur est exprime par l'quation
C.12.
6=
.
2 j
j
a
o
N
(C.12)
Pour les gazes parfaits, la densit du gaz est dfinie par l'quation C.13. De plus nous pouvons faire une
supposions que dans la rgion de pression considre, la viscosit du gaz n'est pas variable avec la pression.
j
a
=
M
a
RT
p (C.13)
Le facteur de qualit de la structure vibrante dans le rgion visqueuse Q
v
peut tre obtenu partir des
quations C.2 et C.11.
Q
v
=
M o
N
6nj R
S
(
1+
.
R
S
2
j
0
o
N
2 j
)
(C.14)
Les zones molculaire et visqueuse sont spares par la pression dite critique . Elle spare la rgion
o le facteur de qualit est proportionnel l'inverse de la racine de la pression et la rgion o le facteur de
qualit et inversement proportionnel la pression. La valeur de cette pression critique est dfinie par
l'quation C.15.
p
cr
=
j RT
2B
P
2
o
N
M
a
(C.15)
C.2. Compression de l'air
Dans le cas ou l'oscillateur est situ ct d'une paroi rigide, une force est introduite, lie au
mouvement de l'air entre la structure et la paroi. Ce type d'amortissement est surtout important dans des
structures avec des plaques trs proches en mouvement relative perpendiculaire par exemple des
actionneurs lectrostatiques. Dans notre cas c'est la distance entre la masse sismique et la surface en-dessous
qui peut crer le plus de force. Selon les calculs prsentes par H. Hosaka et al. [112] le paramtre des pertes
peut tre dcrit par l'quation C.16.
C
=
j B
M
2
2j g
0
3
H
M
o
(C.16)
Donc le facteur de qualit li la compression de l'air est dcrit par l'quation C.14.
Q
C
=
j g
0
3
H
M
o
j B
M
2
(C.17)
Dans ce le cas de nos structures il n'y a pas de parois proches et parallles la structure en vibration,
donc le facteur de qualit li la compression d'air va tre trs lev.
C.3. Frottement interne [113]
Une grande partie des matriaux soumis des cycles contraintes cycliques (allongement compression
restant dans le domaine d'lasticit) prsentent des relations contraintes dformation caractrises par des
boucles d'hystrsis. L'nergie dissipe par cycle est proportionnelle l'aire de la boucle d'hystrsis. Dans un
domaine restreint de frquences, cette force de frottement est indpendante de la frquence et est
proportionnelle au dplacement, donc la force lastique. La force de frottement est en phase avec la vitesse,
donc dcale de /4 par rapport aux contraintes. Ce type d'amortissement est dcrit par le paramtre
dtermin par les proprits des matriaux. Le coefficient d'amortissement utilis dans la modlisation est li
avec ce paramtre par l'quation (C.9).
S
=0.5j (C.18)
Le paramtre doit tre mesur exprimentalement. Nous allons prendre la valeur de Q mcanique de
silicium gal 2 10
5
reporte dans [94].
Nanmoins dans notre cas, la poutre est compose non seulement du silicium mais de plusieurs
couches constitues des matriaux diffrents. Pour obtenir le facteur de qualit de la structure entire il faut
explorer le comportement de la structure avec les pertes prsents dans tous les matriaux. Pour faire cela nous
avons employ le modle dvelopp dans le chapitre V et nous avons fait la supposition de l'absence des
autres types de pertes. Nous avons introduit les paramtres mesurs des matriaux que nous allons utiliser
dans la fabrication :
le facteur de qualit de l'AlN :
AlN
= 8,3e-3
le facteur de qualit du PZT :
PZT
= 7,4e-3
Les dimensions de la structure sont les suivantes : la largeur de la masse et de la poutre sont gales
800m, la longueur de la poutre est gale 400e-6, hauteur de la masse sismique est de 525m et la longueur
de la masse est de 800m. La couche en silicium fait 5m dans le cas de la structure PZT et 10m dans le cas
de la structure en AlN. Dans les calculs dans les deux cas, la poutre est compose uniquement d'une couche
de silicium et une couche pizolectrique respectivement en AlN (1m) ou en PZT (2m).
Le facteur de qualit t obtenu partir du spectre de dplacement en rsonance avec des lectrodes
du matriau pizolectrique court-circuites pour viter l'influence du couplage pizolectrique.
Nous avons obtenu le facteur de qualit de la structure en AlN gal 344 (f
res =
1414Hz) et 223 (f
res
=
545Hz) pour la structure en PZT.
C.4. Pertes de support
Dans le cas des structures microfabriques, la structure mobile ainsi que le support sont fait du mme
bout du matriau donc la friction entre les matriaux n'existe pas et c'est la vibration du substrat qui provoque
des pertes. Pour le premier mode de rsonance le paramtre d'amortissement peut tre approch par
l'quation C.19 [112].
S
=
0,23 H
P
3
L
P
3
(C.19)
Alors le facteur de qualit lie est exprim par l'quation C.20.
Q
S
=
L
P
3
0,115H
P
3
(C.20)
Pour notre structure, la longueur est beaucoup plus grand que la hauteur de la poutre, donc ce type de
pertes va tre ngligeable.
C.5. Pertes thermo-lastiques
Dans la modlisation nous avons nglig l'existence des pertes thermo-lastiques parce que la
constante de relaxation thermique est beaucoup plus courte que la priode de vibration de notre structure.
Nous avons estime la valeur du facteur de qualit li avec ce phnomne en utilisant le modle de Zener [95]
et nous avons obtenu Q = 26 10
6
.
Annexe D : Proprits des matriaux utiliss dans la
modlisation
Annexe D : Proprits des matriaux utiliss dans la modlisation
D.1. Silicium
Masse volumique : 2330 kg m
-3
Matrice de conformit mcanique du silicium monocristallin d'orientation cristalline [100] :
|c=
|
166 64 64 0 0 0
64 166 64 0 0 0
64 64 166 0 0 0
0 0 0 80 0 0
0 0 0 0 80 0
0 0 0 0 0 80
10
9
Pa (D.1)
D.2. Oxyde de silicium
-3
Matrice de conformit mcanique de l'oxyde de silicium :
| c=
|
78 16 16 0 0 0
16 78 16 0 0 0
16 16 78 0 0 0
0 0 0 31 0 0
0 0 0 0 31 0
0 0 0 0 0 31
10
9
Pa (D.2)
D.3. PZT en couche mince de l'EPFL
-3
Orientation 100
Pertes dilectriques : tan = 3-5%
Qualit mcanique : Q = 135
Couplage pizolectrique : e
31, f
= 12Cm
-2
Contraintes dans la couche : 100MPa
Matrice de permittivit lectrique :
|c
S
=
|
1160 0 0
0 1160 0
0 0 1160
c
0
s
4
A
2
kg
1
m
3
(D.3)
Matrice de conformit mcanique :
|c=
|
132 71 73 0 0 0
71 132 73 0 0 0
73 73 115 0 0 0
0 0 0 26 0 0
0 0 0 0 26 0
0 0 0 0 0 30
10
9
Pa (D.4)
Matrice de couplage pizolectrique e :
|e=
|
0 0 0 0 10,5 0
0 0 0 10,5 0 0
4,1 4,1 14,1 0 0 0
As m
2
(D.5)
D.4. Nitrure d'aluminium de MEMSCAP :
-3
Q = 120
tan = 0,1%
Matrice de permittivit lectrique :
|c
S
=
|
8 0 0
0 8 0
0 0 9.5
c
0
s
4
A
2
kg
1
m
3
(D.6)
|c=
|
345 125 120 0 0 0
125 345 120 0 0 0
120 120 395 0 0 0
0 0 0 118 0 0
0 0 0 0 118 0
0 0 0 0 0 110
10
9
Pa (D.7)
Matrice de couplage pizolectrique e :
|e=
|
0 0 0 0 0,48 0
0 0 0 0,48 0 0
0,58 0,58 1,55 0 0 0
As m
2
(D.8)
D.5. Les mtaux
D.5.1. Aluminium
Le mtal de l'lectrode suprieure dans la technologie AlN
Masse volumique : 2700
| c=
|
107 61 61 0 0 0
61 107 61 0 0 0
61 61 107 0 0 0
0 0 0 28 0 0
0 0 0 0 28 0
0 0 0 0 0 28
10
9
Pa

(D.9)
D.5.2. Titane
-3
Module de Young : 110e9
D.5.3. Platine
| c=
|
346 250 250 0 0 0
250 346 250 0 0 0
250 250 346 0 0 0
0 0 0 76 0 0
0 0 0 0 76 0
0 0 0 0 0 76
10
9
Pa

(D.10)
Masse volumique : 21000
D.5.4. Chrome-Or
Le matriau de l'lectrode suprieure dans la technologie PZT. La couche en chrome c'est une trs fine coche
s'accroche. Les proprits de la couche sont supposes identiques aux proprits d'une couche mince d'or.
-3
Y = 171 Gpa
Module de poisson : 0,42
Annexe E : Rcapitulatif des rsultats exprimentaux
Annexe E : Rcapitulatif des rsultats exprimentaux
Dans cet annexe nous prsentons un tableau contentant un rcapitulatif des rsultats exprimentaux
obtenus avec les dispositifs fabriqus.
Dispositif Frquences Tension
sur
10M
Ropt Tension sur Ropt
@0.2g [mV]
P sur Ropt
@0.2g [nW]
Vmax Ropt
[V]
Pmax at Ropt
[W]
@ g Notes
Res Ares @0.2g
[mV]
Res Ares Res Ares Res Ares Res Ares Res Ares
AR1_1_2 361 234.51 520k 165.10 6,81 1,04 0.27 1.5 R1 AlN
AR1_3 1805 290k 59.42 6,26 0.22 0.10 2.0 Nonlinear
AR2_1_1 1488 94.75 550k 52.66 2.52 1.25 1.41 4 R2 AlN
STD
AR2_1_3 1367 165.48 650k 1M 88.40 108.24 6.01 5.86 1.59 1.96 4 R2 AlN
STD
PR2_2_IDT 873 227.91 520k 137.35 18.14 0.63 0.38 2 IDT first
pol
PR2_2_SPL 872 120.90 500k 65.35 4,27 0.32 0.11 2 SPL first
pol
PR2_8_3 869 889 475.33 10k 2M 20.69 296.04 21.40 21.91 0.13 1,92 0.96 0.93 2 STD
PR2_10_1 855 877 448.62 10k 1.92
M
19.01 273.64 18.08 19.50 0.13 1,81 0.84 0.86 2 STD
PR2_9_4 833 835 513,27 350k 1M 159363 267,19 36,4 35,69 1,00 1,67 1,43 1,41 2 IDT6
PR2_11_1 846 383.02 700k 189.47 25.64 1,14 0.92 2 IDT10
PR2_11_2 855 862 444.48 130k 3M 71.88 337.95 19.87 19.04 0,41 1.92 0,65 0.62 2 SPL

TITRE

CONCEPTION DE MICROGENERATEURS INTEGRES
POUR SYSTEMES SUR PUCE AUTONOMES

Rsum

Lobjectif de ce travail est dtudier lalimentation de systmes lectroniques partir de lnergie des
vibrations mcaniques ambiantes. Nous nous sommes focaliss sur la miniaturisation du dispositif de
rcupration dnergie et son laboration partir des techniques de microfabrication. Les dispositifs
de type MEMS permettront de crer des systmes autonomes sur une seule puce (SoC) ou dans un
botier (SoP). Nous avons dvelopp des modles analytiques et par lments finis de
micrognrateurs pizolectriques. Les dispositifs ont t conus et fabriqus en utilisant deux
matriaux pizolectriques : AlN et PZT. Nous avons dmontr que de telles structures peuvent
fournir une puissance de lordre de quelques W. Grce des circuits spcifiques de gestion de
puissance, il est possible de charger un lment de stockage partir de vibrations de trs faible
amplitude. Les performances des premiers prototypes ont montrs quils taient bien adapts pour les
applications vises.

Mot cls : micro gnration dnergie, microsystme autonome, rcupration de lnergie ambiante,
rseau de capteurs sans fil, couches minces pizolectriques

TITLE

DESIGN OF MEMS MICRO POWER GENERATORS
FOR AUTONOMOUS SYSTEMS ON CHIP

Abstract

The goal of this work consists in exploring the possibility of using the energy of ambient mechanical
vibrations for powering autonomous electronic devices. We analyse the possibility of miniaturisation
of such generators by using microfabrication techniques and piezoelectric thin layers. A MEMS
micro energy scavenger would enable creation of autonomous systems on chip (SoC) or on a package
(SoP).
During this work we have developed detailed analytical and FEM models of piezoelectric micro
power generators. The results obtained were used for design and fabrication of prototype structures
using two types of piezoelectric thin layer materials: AlN and PZT. We have proven that these
devices can generate powers up to several microwatts on a matched resistive load. We have also
shown that in conjunction with special power management ASICs they can charge energy storage
elements from very low amplitude vibrations and therefore are well suited for the application aimed.

Keywords : micro power generation, autonomous microsystem, ambient energy harvesting, wireless
sensor networks, piezoelectric thin layers

Thse prpare au laboratoire TIMA (Technique de lInformatique et de la Microlectronique pour
lArchitecture des ordinateurs), 46 avenue Flix Viallet, 38031 Grenoble, France.

ISBN : 978-2-84813-100-9

Cmi 0253

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Universit Joseph Fourier Grenoble I

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y (t ) (avec k la raideur du ressort).

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