Captulo 2 Defectos lineales: Dislocaciones

A pesar de que en un principio, las dislocaciones se consideraron como un simple concepto matemtico, en 1934 Taylor, Polanyi y Orowan propusieron, independientemente, que stas eran las responsables de la capacidad del cristal de deformarse plsticamente. En la dcada de los 50, se pudo probar esta teora gracias a unos experimentos realizados mediante un microscopio electrnico de transmisin (TEM). Desde entonces, se ha puesto de maniesto la importancia de las dislocaciones en la plasticidad del cristal y en numerosos aspectos del comportamiento del material. En este sentido, las dislocaciones denen la capacidad del cristal de deformarse bajo presin, controlan otros comportamientos del material como el creep y la fatiga, la ductilidad y la fragilidad, el endureciminento mediante indentacin y la friccin, e inuyen en una gran cantidad de situaciones como en radioactividad, electrnica y crecimiento de cristales, entre otras.

2.1.

Estructuras cristalinas

Un cristal es un conjunto de tomos dispuestos peridicamente en el espacio, es decir, que puede construirse mediante la superposicin de bloques idnticos distribuidos a lo largo del espacio. Estos bloques idnticos se denominan base y la forma en la que se distribuyen en el espacio, red cristalina:

Estructura cristalina = base + red cristalina

CAPTULO 2.

DEFECTOS LINEALES: DISLOCACIONES

Figura 2.1: Cristal.

Mientras que la base puede estar formada por uno o ms tomos, la red cristalina es un conjunto innito de puntos matemticos ordenados de forma peridica a lo largo del espacio. En 1948, el fsico francs Auguste Bravais demostr que tan solo existen 14 tipos de redes cristalinas en tres dimensiones con distintas propiedades simtricas, desde entonces, dichas redes son conocidas como redes de Bravais. Cualquier red de Bravais est completamente denida por los llamados vectores primitivos de la red, es decir, que cualquier punto de la red se puede escribir mediante una combinacin lineal de dichos vectores (e1 , e2 y e3 ):

= n1 e1 + n2 e2 + n3 e3

(2.1)

donde

n1 , n2

n3

son nmeros enteros arbitrarios. Al paraleleppedo ms pequeo con un

punto de la red en cada uno de sus vrtices se le llama celda primitiva y cada lado de dicha celda es un vector primitivo de la red. Normalmente, para reejar mejor la simetra, se utilizan vectores (a, b y c) distintos a los primitivos, el paraleleppedo formado por estos vectores se denomina celda unidad.

Entre las distintas redes de Bravais cabe citar la SC (cbica simple), la BCC (cbica centrada en el cuerpo) y la FCC (cbica centrada en las caras):

Figura 2.2: Estructuras cristalinas cbicas.

CAPTULO 2.

DEFECTOS LINEALES: DISLOCACIONES

En la estructura cbica simple la celda unidad coincide con la primitiva y las posiciones de los puntos de la red se pueden denir mediante:

= ia + j b + k c

(2.2)

donde

i, j

son nmeros enteros. Sin embargo, en las redes BCC y FCC la celda unidad es

ms grande que la celda primitiva. Los puntos de la red BCC son:

R R

= ia + j b + k c
(2.3)

= i+

1 2

a+

j+

1 2

b+

k+

1 2

Y los puntos de la red FCC son:

R R R R

= ia + j b + k c
1 2 1 2

= i+ = i+

a+

j+

1 2

b + kc
(2.4)

a + jb +
1 2

k+ k+

1 2 1 2

c c

= ia + j +

b+

Para obtener cualquiera de estas estructuras es suciente con asociar un solo tomo de la misma especie qumica a cada punto de la red.

Por otra parte, es comn expresar la posicin de los tomos de un cristal con unidades de vectores de la red y, para este propsito, se introducen los ndices de Miller. stos se utilizan frecuentemente para describir direcciones de lneas, orientaciones de planos y, en lo relativo a las dislocaciones, para especicar la direccin de su lnea y su plano de deslizamiento. Por ejemplo, un vector l que conecta dos puntos de la red de Bravais puede describirse como combinacin lineal de los vectores: l

= ia + j b + k c, [i j k]

segn la notacin de Miller. A continuacin, se

presentan una serie de reglas bsicas que hay seguir para usar correctamente dicha notacin:

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DEFECTOS LINEALES: DISLOCACIONES

Para especicar una direccin paralela a l se seleccionan los ndices que corresponden al vector con la longitud ms pequea entre todos los paralelos a l. Las componentes negativas se especican mediante una barra sobre el correspondiente ndice. Para identicar una familia de direcciones simtricas los ndices se escriben entre corchetes angulares:

ijk

Para describir un plano cristalogrco, se usan los ndices de la direccin normal al plano entre parntesis:

(i j k) {i j k}

Para identicar una familia de planos simtricos los ndices de la direccin normal se escriben entre llaves:

2.2.

Concepto de dislocacin

Una dislocacin es un defecto de lnea en la red cristalina y puede denirse especicando qu tomos han perdido su localizacin respecto a la red perfecta o libre de defectos. Existen mltiples formas de crear una misma dislocacin, sin embargo, la estructura y las propiedades de las dislocaciones no dependen de cmo se crearon. A partir de la lnea de dislocacin, borde situado entre la parte desplazada y la no desplazada del plano de corte, podemos denir el ngulo caracterstico como el ngulo entre dicha lnea y el vector de desplazamiento. Atendiendo a dicho ngulo, podemos diferenciar tres tipos de dislocaciones: dislocaciones de cua o arista (0 ), dislocaciones helicoidales o de tornillo (90 ) y dislocaciones mixtas (0 -90 ).

Figura 2.3: Tipos de dislocaciones

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A pesar de que la forma de las dislocaciones puede ser muy compleja, la distorsin introducida en el cristal puede ser cuanticada mediante el vector de Burgers. ste se puede determinar visualmente o realizando el correspondiente circuito de Burgers, secuencia de saltos de un tomo hasta su vecino (por ejemplo, 8 saltos hacia abajo, 8 a la derecha, 8 arriba y 8 a la izquierda). Si el circuito no contiene ningn defecto, el tomo de salida ser el mismo que el de llegada, sin embargo, si encierra una dislocacin, el vector que apunta al tomo de llegada desde el de salida, es el vector de Burgers. Si se traslada o se deforma el circuito, siempre que no corte la lnea de dislocacin, el vector no vara, por lo que se puede decir que es una propiedad intrnseca de la dislocacin.

Figura 2.4: Circuito de Burgers

2.3.

Dinmica de las dislocaciones

El movimiento de la dislocacin es un mecanismo que permite al cristal deformarse plsticamente cuando est sujeto a una tensin aplicada. Si denimos el plano de deslizamiento como aqul que contiene al vector de Burguers y a la lnea de dislocacin, podemos diferenciar dos tipos de movimiento: deslizamiento o movimiento conservativo, en el que la dislocacin se desplaza a lo largo del plano de deslizamiento y tan solo requiere una recombinacin de los vecinos, por lo que se conserva el nmero de tomos alrededor de la dislocacin; y el movimiento de escalada o no conservativo, en el que el desplazamiento es perpendicular a dicho plano y requiere que se produzca una difusin atmica (absorcin de tomos o emisin de vacantes). Mientras que en las dislocaciones de borde y en las mixtas se pueden dar ambos tipos de movimiento, en las de tornillo no se da la escalada, ya que el vector de Burguers es paralelo a la lnea de dislocacin y, por eso, el plano no est nicamente denido.

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DEFECTOS LINEALES: DISLOCACIONES

Figura 2.5: Movimiento de las dislocaciones

En realidad, el movimiento de las dislocaciones es una combinacin de escalada y de deslizamiento donde, dependiendo de la tensin, temperatura y otras condiciones, uno de los mecanismos es dominante. A bajas temperaturas, el deslizamiento suele ser dominante, mientras que a altas temperaturas o en condiciones de saturacin de vacantes, la escalada puede convertirse en el movimiento dominante.

Si consideramos que el movimiento de deslizamiento es el dominante, la movilidad de la dislocacin puede estar inuenciada por factores extrnsecos, impurezas que actan como obstculos por ejemplo, e intrnsecos, como las interacciones interatmicas. Dos parmetros que caracterizan la resistencia intrnseca de la red al movimiento de la dislocaciones son las barreras de Peierls y la tensin de Peierls. Si consideramos que una dislocacin se mueve a travs de su plano de deslizamiento, los efectos de la red cristalina sobre el movimiento pueden representarse por una energa que vara con la posicin de la dislocacin en la red. La periodicidad en la variacin de la energa es consecuencia de la traslacin de la simetra del cristal. Los mnimos de la funcin, conocidos como valles de Peierls, son las posiciones que preferentemente ocupan las dislocaciones. Para saltar de una valle a otro, stas necesitan superar una barrera energtica, que a tensin cero es conocida como barrera de Peierls. La barrera puede ser modicada por las fuerzas que actan sobre la dislocacin, de forma que si se alcanza la tensin crtica, llamada tensin de Peierls (a temperatura 0), la barrera desaparece completamente.

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Podemos diferenciar dos desencadenantes del movimiento, uno cuando la tensin local es menor que la tensin de Peierls y el otro cuando es mayor. En el primer caso, la dislocacin puede moverse gracias a las uctuaciones trmicas: un segmento de la dislocacin pasa al siguiente valle crendose dos curvas (Kinks), posteriormente, debido a la tensin y/o a la temperatura, las curvas avanzan hacia los extremos hasta que la dislocacin pasa completamente al siguiente valle. De esta forma, a medida que aumenta la temperatura se favorece el movimiento. En el segundo caso, si la tensin local es mayor que la tensin de Peierls ocurre el llamado regimen de arrastre viscoso, donde la velocidad es una funcin de la tensin y est limitada por la viscosidad debida a la interaccin de la dislocacin con la vibracin de la red. Aqu, por lo tanto, la movilidad decrece con la temperatura.

Figura 2.6: Movimiento mediante uctuaciones trmicas

2.4.

Anlisis y visualizacin de los datos

Si bien una simulacin puede abarcar un gran nmero de tomos, no tiene el mismo valor la informacin que ofrecen unos tomos que la que ofrecen otros. En simulaciones atomsticas de cristales slidos, es importante encontrar dnde estn los defectos y cmo se organizan los tomos alrededor de stos, mientras que el resto de los tomos son normalmente mucho menos interesantes. Como la estructura perfecta del cristal normalmente se corresponde con el estado de mnima energa, una forma de localizar los defectos del cristal es encontrar dnde la energa local excede a la energa por tomo en una red perfecta.

Una forma til de observar los nveles de energa de los tomos es mediante un histograma. Distintos niveles de energa pueden corresponder a diferentes formas de conguraciones atmicas, en concreto, los picos ms altos del histograma corresponden a conguraciones cercanas a la perfecta. Despus de un breve estudio, es posible localizar un intervalo de energa que

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DEFECTOS LINEALES: DISLOCACIONES

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corresponde a defectos en la red. A pesar de que este mtodo es simple y se usa frecuentemente, presenta algunas limitaciones, la ms importante es que la relacin seal-ruido suele ser baja. A temperatura nita, las uctuaciones trmicas pueden difuminar las diferencias entre las energas de los tomos, por lo tanto, el rastro de los defectos, que sera observado claramente a temperatura cero, puede ser completamente borrado por el ruido trmico. Para reducir la inuencia de ste, se puede usar un algoritmo para calcular el mnimo local eliminando los efectos de la temperatura.

Figura 2.7: Histograma de la energa local

Otra de las limitaciones del mtodo es que en los tomos de los defectos no se tiene por qu apreciar un nivel de energa ms alto que en el resto de los tomos, esto ocurre, por ejemplo, en los defectos de apilamiento en un metal con estructura FCC. En estas ocasiones, el mejor indicador de los defectos del cristal es el llamado parmetro de desviacin centrosimtrico (CSD). En muchas estructuras cristalinas, como las cbica simple, las FCC y las BCC, cada tomo es un centro de inversin simtrica, es decir, que por cada vecino que ocupa una posicin relativa r, existe otro que ocupa una posicin -r con el que forma un par centrosimtrico. El parmetro CSD de un tomo mide cuantitativamente su desviacin respecto a la simetra ideal de los tomos contiguos y se puede denir como:

Np

P =
i=1

ri

+ ri+Np

(2.5)

donde ri y ri+Np son las posiciones del par alrededor del tomo bajo consideracin, y estructuras perfectas, los vectores ri y ri+Np se cancelan, por lo que

Np

es un nmero que depende de la estructura atmica (6 para FCC y 4 para BCC). Para las

sera cero; mientras

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que, como los defectos de los cristales rompen la simetra local,

suele ser distinto de cero

cerca de un defecto. Adems de detectar los defectos cuyo rastro de energa es debil, el anlisis CSD es ms robusto que el ltrado de energa en cuanto al ruido trmico, es decir, que los defectos se detectan mediante el anlisis CSD hasta temperaturas relativamente altas. A pesar de presentar estas ventajas, dicho anlisis solo puede aplicarse cuando cada tomo es el centro de inversin de simetra en la estructura perfecta del cristal. A continuacin podemos observar un :

Figura 2.8: Histograma del parmetro CSD y resultado de una simulacin en el que se pueden observar los defectos alrededor de un microhueco tras haberlo deformado. La escala de colores de los tomos depende del valor del parmetro CSD, as los tomos rojos corresponden a dislocaciones parciales y los naranjas y amarillos a defectos de empaquetamiento