Valores positivos de VD:

ID IS e

VD / nVT

Valores negativos de VD:

I D I S

Valor cero de VD:

I D I S e 1 I S 1 1 0
0

Desvo de la condicin ideal del diodo semiconductor de Si.

Aumento del voltaje debido a la presencia de resistencia de cuerpo interna y resistencia de contacto externa de un diodo.

Regin Zener.
En la grfica V-I del diodo existe un punto donde la aplicacin de un voltaje demasiado negativo producir un cambio abrupto de las caractersticas tpicas. La corriente se incrementa muy rpido en una direccin opuesta a la de la regin de voltaje positivo. El potencial de polarizacin en inversa que produce este cambio de las caractersticas se llama: Potencial Zener, cuyo smbolo es VZ.

Comportamiento del diodo en la regin zener:

Al incrementar el voltaje en la regin de polarizacin inversa, se incrementa la velocidad de los portadores minoritarios generadores de la corriente Is. Estos portadores logran adquirir una mayor velocidad y por tanto aumentan su energa cintica asociada (Wk=1/2mv) volvindose suficiente para liberar ms portadores por colisiones con otros tomos que de otra forma seran estables. Los diodos que emplean esta parte nica de la caracterstica de una unin p-n (regin zener) se llaman: diodos Zener. El mximo potencial de polarizacin en inversa que se puede aplicar antes de entrar a la regin zener se llama voltaje inverso pico (valor PIV) o voltaje de reversa pico (valor PRV).

Diodos de diferentes compuestos: Ge, Si y GaAs.

punto de levantamiento vertical de las caractersticas es diferente para cada material, aunque la forma
El general de cada una es muy semejante.

Los voltajes de rodilla (Vk) se presentan a continuacin:

Semiconductor

Vk(V)
0.3 0.7 1.2

Ge Si GaAs

Diodos de diferentes compuestos: Ge, Si y GaAs.

La forma de la curva en la regin de polarizacin inversa es parecida para cada material. Diferencia significativa en las magnitudes de Is.

Semiconductor

Is
1 A 10pA 1pA

Ge Si GaAs

Diodos de diferentes compuestos: Ge, Si y GaAs.

Las magnitudes relativas a los voltajes zener para cada material son distintas.

Semiconductor

VZ

Ge Si GaAs

100V-400V 50V-1kV 10%+Si

El diodo ideal:
Permite un flujo abundante de carga cuando se establece una polarizacin en directa. Permite un nivel muy pequeo de corriente (casi cero) cuando la polarizacin es en inversa.
Para describir el comportamiento del diodo semiconductor se utiliza la analoga con un interruptor mecnico, ya que el diodo puede controlar el flujo de corriente entre sus dos terminales. El diodo se diferencia del interruptor en el sentido de que cuando ste se cierra slo permite que la corriente fluya en una direccin.

1.

2.

El diodo ideal:

A cualquier nivel de corriente sobre la lnea vertical, el voltaje a travs del diodo ideal es de 0V y la resistencia es de 0.

En la lnea horizontal, corriente es de 0mA y resistencia es de .

la la

Por la forma y ubicacin de la curva del diodo comercial en polarizacin directa, existir

una resistencia de diodo de ms de 0.

Nivel de resistencia del diodo:

A medida que el punto de

operacin de un diodo se mueve de una regin a otra, su resistencia tambin cambia debido a la forma
no lineal de caracterstica. la curva

Resistencia de CD o esttica:

La aplicacin de un voltaje en cd a un circuito que contiene un diodo produce

un punto constante.

de

operacin

La resistencia del diodo en este punto se halla aplicando la siguiente ecuacin:

VD RD ID

Ejemplo:
Determinar los niveles de resistencia de cd del diodo de la figura adjunta, con:
1. 2. 3.

ID = 2mA. ID = 20mA. VD = -10V.

Circuitos equivalentes del diodo.

Circuito

Es una combinacin de elementos apropiadamente seleccionados para que representen mejor las caractersticas reales de un dispositivo o sistema en una regin de operacin particular. Existen tres modelos (circuitos equivalentes) del diodo bsicos: Modelo lineal por segmentos. Modelo simplificado. Dispositivo ideal.

equivalente:

1. 2. 3.

Modelo lineal por segmentos. Consiste en simular con ms o menos precisin las caractersticas del dispositivo mediante segmentos de lnea recta.

Consideraciones: Los segmentos de recta no duplican con exactitud las caractersticas, sobre todo en el codo. Los segmentos resultantes son suficientemente parecidos a la curva real. En la seccin inclinada, la resistencia promedio es el nivel de resistencia del circuito equivalente. El diodo ideal establece que slo hay una direccin de conduccin. La batera especifica que el voltaje a travs del dispositivo debe alcanzar el voltaje umbral.

1.

2.

3.

4.

5.

Modelo simplificado. En un diodo de Si polarizado en directa en un sistema electrnico en condiciones de cd experimenta una cada de 0.7V a travs de ste en el estado de conduccin, a cualquier nivel de corriente en el diodo.

Consideraciones:
La resistencia promedio es suficientemente pequea para ser ignorada, en comparacin con los dems elementos de la red.

1.

Modelo ideal. El circuito est conformado nicamente por un diodo ideal, con sus caractersticas.

Consideraciones: Se dice que el nivel de 0.7V puede ser ignorado en comparacin con el nivel de voltaje aplicado al sistema.

1.

Notacin para diodos semiconductores. En la mayora de los diodos, cualquier marca ya sea un punto o una banda, aparece en el ctodo.

Varios tipos de diodos.