MOSFETs I

Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA II
1
TRANS TRANS STORES DE EFEITO DE CAMPO STORES DE EFEITO DE CAMPO
Consideraes gerais
Dispositivo com trs terminais.
Usados em mltiplas aplicaes: amplificao de sinais, dispositivos digitais.
Princpio bsico: Uso de uma tenso entre dois terminais para controlar a corrente no terceiro
terminal.
Uso do sinal de controlo de modo a permitir que a corrente no terceiro terminal varie de zero a um
valor elevado (dispositivo actuando como interruptor).
FET Field Effect Transistor
Comparados com os BJT, os transstores MOS podem ser fabricados muito mais pequenos (i.e.,
ocupando uma rea de silcio muito mais pequena na pastilha de circuito integrado), alm de o seu
processo de fabrico ser mais simples. O consumo de energia tambm inferior.
Vantagens dos MOSFETs
ELECTRNICA II
2
SLSI Super large scale
integration
1000 million -
Pentium III (30
million)
ULSI Ultra large scale
integration
10 million to 1000
million
Pentium (3 million) VLSI Very large scale
integration
100K - 10 million
Intel 8086 (29,000) LSI Large-scale
integration
5000 - 100,000
MSI Medium-scale
integration
50 - 5000
SSI Small-scale
integration
2 -50
Exemplo Abreviatura
Nvel de
integrao
Transstores
Este nvel de integrao definido em termos de transstores por circuito.
ELECTRNICA II
3
Estrutura do MOSFET
A Fig. 1 mostra a estrutura fsica do MOSFET do tipo
canal-n enriquecido ( frente veremos o porqu desta
designao).
O transstor fabricado num substrato do tipo p.
No substrato, foram criadas duas regies do tipo n
fortemente dopadas, indicadas na Fig. 1 como regies n+,
designadas por fonte (source) e dreno.
Uma camada fina (tipicamente de 2-50 nm) de dixido de silcio
(SiO
2
), (isolante elctrico), foi desenvolvida na superfcie do
substrato, cobrindo a rea entre as regies da source e do dreno.
Seguidamente, deposita-se metal por cima da camada de
xido para formar o elctrodo gate do dispositivo.
Finalmente, realizam-se contactos metlicos nas regies da source, dreno e substrato.
Desta forma, foram criados quatro terminais: os terminais da gate (G), da source (S), do dreno
(D) e do substrato ou corpo (B).
O nome do transstor MOS (metal-xido-semicondutor) deriva da sua estrutura fsica.
Fig.1
ELECTRNICA II
4
Estrutura do MOSFET
O substrato forma junes pn com as regies da source e do dreno. Em funcionamento normal,
estas junes pn so mantidas permanentemente inversamente polarizadas.
Uma vez que o dreno vai estar com uma tenso positiva relativamente source, as duas junes
pn podem ser efectivamente colocadas em corte, ligando simplesmente o terminal do substrato ao
terminal da source. Admite-se que esse o caso na descrio do funcionamento do MOSFET a seguir
desenvolvida.
Desta forma, o substrato poder ser considerado como no tendo nenhum efeito no funcionamento
do dispositivo, e o MOSFET poder ser tratado como um dispositivo de trs terminais, i.e., a gate (G),
a source (S) e o dreno (D).
Iremos verificar que uma tenso aplicada gate controla o fluxo de corrente entre a source e o
dreno. Esta corrente fli na direco longitudinal do dreno para a source na regio designada por
canal.
A regio do canal tem um comprimento L e uma largura W, dois importantes parmetros do
MOSFET. Tipicamente, L tem valores entre 0.11 e 3 m, e W entre 0.2 e 100 m.
O MOSFET normalmente construdo como um dispositivo simtrico. Assim, a source e o dreno
podem ser trocados sem alterao das caractersticas do transstor.
ELECTRNICA II
5
Funcionamento sem tenso na gate Funcionamento sem tenso na gate
Se no for aplicada qualquer tenso de polarizao gate, entre a source e o dreno existem dois
dodos em srie opostos.
Um dodo constitudo pela juno pn formada pela regio n+ do dreno e o substrato do tipo p e o
outro pela juno formada pelo substrato e a regio n+ da source.
Se se aplicar uma tenso v
DS
positiva entre o dreno e a source, a existncia destes dois dodos
impede que flua corrente entre o dreno e a source.
De facto, o percurso entre o dreno e a source tem uma
resistncia muito elevada (da ordem de 10
12
).
Cria Cria o de um canal para a condu o de um canal para a condu o de corrente o de corrente
Source e o dreno ligados massa. Aplicao de uma
tenso positiva gate (Fig. 2).
Uma vez que a source est massa, toda a tenso da
gate aparece entre a gate e a source, pelo que foi designada
por v
GS
.
A tenso positiva da gate tem dois efeitos:
Fig. 2
ELECTRNICA II
6
A tenso positiva da gate tem dois efeitos: A tenso positiva da gate tem dois efeitos:
Por um lado, origina que as lacunas (cargas positivas) sejam repelidas da regio do substrato
situada por baixo da gate (a regio do canal).
Estas lacunas so empurradas para baixo, deixando atrs uma regio esvaziada de portadores.
Esta regio de depleo contm ies negativos correspondentes aos tomos aceitadores que
perderam as lacunas que foram repelidas.
Por outro lado, a tenso positiva da gate atrai electres das regies n+ da source e do dreno (onde
existem em abundncia) para a regio do canal. Quando o nmero de electres acumulado junto da
superfcie do substrato por baixo da gate suficiente, constitui-se, de facto, uma regio n ligando a
source e o dreno, como se indica na Fig. 2.
Aplicando uma tenso positiva entre o dreno e a source, fli corrente nesta regio n induzida,
transportada pelos electres mveis. A regio n induzida forma, assim, um canal por onde a
corrente fli do dreno para a source, pelo que essa designao apropriada.
O MOSFET da Fig. 2 chamado MOSFET de canal n ou, alternativamente, transstor NMOS.
ELECTRNICA II
7
O valor de v
GS
necessrio para que um nmero suficiente de electres mveis se acumulem na
regio do canal para formar um canal condutor chamado tenso limiar e designado por Vt.
Obviamente, Vt para um FET de canal n positiva. O valor de Vt controlado durante o fabrico do
dispositivo e, tipicamente, toma valores compreendidos entre 0.5 e 1.0 V.
A gate e o corpo do MOSFET formam um condensador de placas paralelas em que o dielctrico a
camada de xido. A tenso positiva da gate faz com que se acumule carga positiva na placa superior
do condensador (o elctrodo da gate). A correspondente carga negativa da placa inferior formada
pelos electres do canal induzido. Desenvolve-se, assim, um campo elctrico vertical entre a gate e o
substrato. este campo elctrico que controla a quantidade de carga no canal, determinando assim a
sua condutividade e, consequentemente, a corrente que fli no canal quando se aplica uma tenso
v
DS
.
Note-se que um MOSFET de canal n formado num substrato do tipo p e o canal criado
invertendo a superfcie do substrato do tipo p para o tipo n. Por esta razo, o canal induzido ,
tambm, designado por camada de inverso.
ELECTRNICA II
8
Consideremos, primeiramente, o caso em que v
DS
pequena (digamos, 50mV).

A tenso v
DS
faz com que flua uma corrente i
D
no canal n
induzido.
Esta corrente constituda por electres que viajam da
source para o dreno (da os nomes source e dreno).
Por conveno a direco da corrente contrria ao fluxo
das cargas negativas, logo a corrente no canal do dreno
para a source.
A grandeza de i
D
depende da densidade de electres no
canal, que, por sua vez, depende da grandeza de v
GS
.
Funcionamento com pequeno valor Funcionamento com pequeno valor de v de v
DS DS
Tendo-se j induzido um canal, aplique-se agora uma tenso v
DS
positiva entre o dreno e a source
(Fig. 3).
Fig.3
ELECTRNICA II
9
Concretamente, para v
GS
=V
t
o canal est limiarmente induzido pelo que a corrente ainda
muito pequena.
Para v
GS
> Vt mais electres so atrados para o canal (aumento da profundidade) dando
origem a uma reduo da resistncia ou aumento da condutncia. A condutncia do canal
proporcional tenso da gate em excesso (v
GS
- V
t
) ou tenso de overdrive (V
OV
) (V
OV
= v
GS
V
t)
A corrente i
D
ser proporcional a v
GS
- V
t
e, obviamente, tenso v
DS
que origina i
D
.
DS DS
ELECTRNICA II
10
Esboo de i
D
versus v
DS
para vrios valores
de v
GS
(Fig. 4)
.
Vemos que o MOSFET funciona como uma
resistncia linear cujo valor controlado por
v
GS
.
A resistncia infinita para v
GS
V
t
, . O seu
valor diminui medida que v
GS
se torna maior
do que V
t
.
A descrio anterior indica que para o MOSFET conduzir, necessrio induzir um canal. O
aumento de v
GS
acima da tenso limiar V
t
enriquece o canal, e da as designaes funcionamento
em modo de enriquecimento e MOSFET de enriquecimento. Finalmente, notemos que a corrente que
sai do terminal da source (i
S
) igual corrente que entra pelo terminal do dreno (i
D
) e que a corrente
da gate i
G
= 0.
CONCLUSES IMPORTANTES CONCLUSES IMPORTANTES
DS DS
Fig.4
ELECTRNICA II
11
Funcionamento com v
DS
superiores
Considere-se, agora, que v
DS
se torna maior, e que v
GS
mantida constante num valor maior do
que V
t
.
Note-se que v
DS
aparece como uma queda de
tenso ao longo do canal, i.e., se percorrermos o
canal desde a source at ao dreno, a tenso
(medida em relao source) aumenta de 0 at v
DS
.
Assim, a tenso entre a gate e pontos ao longo
do canal diminui desde o valor v
GS
, na extremidade
da source, at ao valor v
GS
- v
DS
, na extremidade do
dreno.
Uma vez que a profundidade do canal depende desta tenso, conclumos que o canal no
tem, agora, profundidade uniforme; pelo contrrio, exibe a forma afunilada que se v na Fig. 5,
com maior profundidade do lado da source e menor do lado do dreno.
Fig. 5
ELECTRNICA II
12
Quando v
DS
aumenta, o canal torna-se mais afunilado e a sua resistncia aumenta
correspondentemente. Assim, a curva i
D
- v
DS
deixa de ser rectilnea, encurvando como se mostra na
Fig. 6.
Funcionamento com v
DS
superiores
Fig. 6
Curvatura devido ao aumento da
resistncia do canal com v
DS
Quase linha recta, com inclinao
proporcional a (v
GS
V
t
)
Note-se que medida que v
DS
aumenta, a tenso v
GD
= v
GS
- v
DS
, diminui, i.e., a tenso entre a gate e
o canal na extremidade do dreno. Quando v
DS
atinge o valor que reduz a tenso v
GD
ao valor V
t
, i.e.,
v
GS
- v
DS
= V
t
ou v
DS
= v
GS
- V
t
, a profundidade do canal do lado do dreno diminui para um valor
quase nulo, dizendo-se ento que o canal est estrangulado (pinched off).
A corrente satura porque o canal
estrangulado na zona do dreno.
v
DS
no afecta mais o canal.
ELECTRNICA II
13
A tenso v
DS
para a qual ocorre a saturao designada por v
DSsat
Para cada valor de v
GS
V
t
, h um valor correspondente de v
DS,sat
.
O transstor opera na regio de saturao se v
DS
v
DS,sat
.
A regio das caractersticas i
D
-v
DS
obtidas para v
DS
< v
DS,sat
chamada regio de trodo, uma
designao herdada do tempo das vlvulas. Esta regio tambm designada como regio hmica.
Notas Importantes
Evolu Evolu o do canal o do canal medida que medida que v v
DS DS
aumenta enquanto aumenta enquanto v v
GS GS
permanece constante. permanece constante.
Fig. 7
t GS DSsat
V v v =
Funcionamento com v
DS
superiores
ELECTRNICA II
14
Deduo da relao i
D
v
DS
.
Assuma-se que a tenso v
GS
aplicada entre a gate e a source com v
GS
> V
t
, para induzir o canal.
Assuma-se, tambm, que a tenso v
DS
aplicada entre o dreno e a source.
Considere-se a operao na regio trodo, para a qual o canal deve ser contnuo e assim v
GS
deve ser maior de que V
t
, ou de forma equivalente, v
DS
< v
GS
V
t.
O canal nestas circunstncias tem a forma ilustrada na Fig. 8.
A regio do canal forma um condensador plano em que
o SiO
2
funciona como dielctrico.
ox
ox
ox
t
C
c
=
Capacidade por unidade
de rea da gate
= Permitividade do xido = 3.9 c
o
c
ox
= 3.45 x 10
-11
F/m
Fig. 8
t
ox
a espessura do xido
ELECTRNICA II
15
Exemplo Para t
ox
= 10 nm C
ox
= 3.45 x 10
-3
F/m
2
Considere-se, agora, a faixa infinitesimal da gate a uma distncia x da source.
A capacidade desta faixa C
ox
W dx.
Para o clculo da carga armazenada nesta faixa infinitesimal da gate, multiplica-se a capacidade pela
tenso efectiva entre a gate e o canal no ponto x (Q=CV), onde esta tenso a tenso que responsvel
pela induo do canal no ponto x (dada por, v
GS
v(x) V
t
) onde v(x) a tenso no canal no ponto x.
A carga do electro dq na poro infinitesimal do canal, no ponto x, :
] ) ( )[ (
t GS ox
V x v v Wdx C dq =
O sinal negativo, refere-se ao facto da carga ser negativa.
(1)
Deduo da relao i
D
v
DS
.
ELECTRNICA II
16
A tenso v
DS
produz um campo elctrico ao longo do canal na direco negativa x. No ponto x,
este campo dado por:
dx
x dv
x E
) (
) ( =
O campo elctrico E(x) leva a que a carga se movimente em direco ao dreno, com uma
velocidade dx/dt
dx
x dv
x E
dt
dx
n n
) (
) ( = =
Mobilidade dos electres
A corrente resultante i pode ser obtida por
dt
dx
dx
dq
dt
dq
i = =
(2)
(3)
(4)
Usando as equaes (1) e (3), vem:
dx
x dv
V x v v W C i
t GS ox n
) (
] ) ( [ =
(5)
Deduo da relao i
D
v
DS
.
ELECTRNICA II
17
Embora calculada num ponto especfico do canal, a corrente i tem de ser constante em todos os
pontos, ao longo do canal.
Assim, a corrente tem de ser igual corrente da source para o dreno (i
D
)
dx
x dv
V x v v W C i i
t GS ox n D
) (
] ) ( [ = =
(6)
) ( ] ) ( [ x dv V x v v W C dx i
t GS ox n D
=
ou
Integrando ambos os lados da equao, com limites de x=0 a x=L, correspondentemente, para
v(0) = 0 a v(L)=v
DS
} }
=
DS
v
t GS ox n
L
D
x dv V x v v W C dx i
0 0
) ( ] ) ( [
) (
(
=
2
2
1
DS DS t GS ox n D
v v V v
L
W
C i (7)
Expresso que representa a caracterstica
i
D
-v
DS
na regio do trodo.
Deduo da relao i
D
v
DS
.
ELECTRNICA II
18
O valor da corrente no incio da regio de saturao, pode ser obtida substituindo v
DS
= v
GS
V
t
2
) ( ) (
2
1
t GS ox n D
V v
L
W
C i =
(8)
Expresso que representa a caracterstica
i
D
-v
DS
na regio de saturao.
Para um dado valor de v
GS
, obtm-se o correspondente valor de saturao i
D
.
n
C
ox
uma constante determinada pelo processo tecnolgico usado para fabricar o MOSFET canal
n. designado por parmetro de transcondutncia do processo.
Este parmetro determina o valor da transcondutncia do MOSFET, designado por k
n
e tem as
dimenses de A/V
2
:
ox n n
C k =
'
Substituindo (9) em (8) e (7), resulta:
(9)
2
2
1
) (
'
t GS n D
V v
L
W
k i =
) (
'
(
=
2
2
1
DS DS t GS n D
v v V v
L
W
k i
Regio de saturao
Regio de trodo
Deduo da relao i
D
v
DS
.
ELECTRNICA II
19
Das equaes (7) e (8), constata-se que a corrente de dreno proporcional relao entre largura
do canal W e o comprimento do mesmo L, conhecido aspect ratio do MOSFET.
Os valores de W e de L podem ser seleccionados pelo projectista de modo a obter a caracterstica
i v desejada.
EXEMPLO 1
Considere um processo tecnolgico com: L
min
= 0.4 m, t
ox
= 8 nm,
n
=450 cm
2
/(Vs) e V
t
= 0.7 V.
a) Determine C
ox
e k
n
.
b) Para um MOSFET com W/L = 8 m / 0.8 m, calcule os valores de V
GS
e de V
DSmin
, necessrios
para operar o transstor na regio de saturao com uma corrente dc I
D
= 100A.
c) Para o dispositivo em (b), determine o valor de V
GS
necessrio para que o dispositivo opere como
uma resistncia de 1000 O para um valor muito pequeno de v
DS
.
Deduo da relao i
D
v
DS
.
ELECTRNICA II
20
SOLUO
a)
(b)
(c)
Para operao na regio de
saturao
Assim,
Resultando,
ou
e
Para o mosfet na regio do trodo com v
DS
muito
pequeno.
A resistncia do dreno para a source r
DS
, pode ser
determinada:
ELECTRNICA II
21
O MOSFET de canal p
Um MOSFET de enriquecimento de canal p (transstor PMOS) fabricado num substrato do tipo n
com regies p
+
para o dreno e a source, e usa lacunas como portadores de carga.
O dispositivo funciona da mesma maneira que o de canal n, excepto que v
GS
e v
DS
so negativas e a
tenso limiar V
t
negativa. A corrente i
D
entra pelo terminal da source e sai pelo terminal do dreno.
Como os portadores de carga nos NMOS so electres, e estes tm uma mobilidade cerca de trs
vezes maior do que as lacunas, no silcio, os transstores NMOS podem ocupar uma rea menor e,
assim, serem mais rpidos, alm de requererem menores tenses de alimentao.
Todavia, no se deve ignorar os PMOS por duas razes: os PMOS continuam a ser fabricados para
circuitos discretos, e principalmente porque os circuitos CMOS (MOS complementar) que so
actualmente a tecnologia dominante, utilizam os dois tipos de transstores, NMOS e PMOS.
ELECTRNICA II
22
A Fig. 9 temos uma seco
transversal duma pastilha CMOS
ilustrando como os transstores
PMOS e NMOS so fabricados.
MOS complementar ou CMOS MOS complementar ou CMOS
Note-se que enquanto o transstor NMOS implementado directamente no substrato do tipo p, o
transstor PMOS fabricado numa regio n especialmente criada, conhecida como um poo n. Os
dois dispositivos so isolados um do outro por uma espessa regio de xido que funciona como um
isolante.
Fig. 9
A tecnologia MOS complementar utiliza transstores MOS das duas polaridades.
De facto, actualmente, a tecnologia CMOS a mais usada de todas as tecnologias de circuitos
integrados MOS, quer no que respeita a circuitos analgicos, quer digitais.
ELECTRNICA II
23
Caracter Caracter sticas sticas tenso tenso- -corrente corrente do MOSFET do MOSFET
Smbolo de circuito
A Fig. 10(a) mostra o smbolo de circuito para o MOSFET de
enriquecimento de canal n.
O espao entre as duas linhas verticais, que representam a gate e o canal,
indica que o elctrodo da gate isolado do corpo do dispositivo.
A polaridade do substrato do tipo p e o canal n indicado pela seta do
trao que representa o substrato.
Esta seta tambm indica a polaridade do transstor, i.e., que se trata de um
dispositivo de canal n.
Para identificar a source e o dreno (sem ter de escrever S e D), a
simbologia do circuito modificada (Fig. 10(b). Para o efeito uma seta
colocada no terminal da source, distinguindo esta do terminal de dreno.
A seta aponta na direco normal do fluxo de corrente, indicando
assim a polaridade dispositivo (i.e. canal n)
Fig. 10
ELECTRNICA II
24
Embora o smbolo da Fig. 10(b), claramente distinga a source do dreno, na prtica a polaridade
da tenso aplicada atravs do dispositivo que determina a source e o dreno.
O dreno O dreno sempre positivo relativo sempre positivo relativo source source num FET canal n. num FET canal n.
Em aplicaes onde a fonte est ligada ao corpo do dispositivo
(situao mais comum), possvel simplificar ainda mais o smbolo do
circuito ( Fig. 10 (c)).
Fig. 10
Caractersticas i
D
- v
DS
Na Fig. 11(a) temos um MOSFET de canal n
enriquecido, com tenses v
GS
e v
DS
aplicadas e
indicando os sentidos normais das correntes.
Fig. 11
ELECTRNICA II
25
Este circuito conceptual pode ser usado para medir
as caractersticas i
D
-v
DS
, que so uma famlia de curvas,
cada uma medida com uma tenso v
GS
constante.
de esperar que cada uma das curvas i
D
-v
DS
, tenha a
forma mostrada na Fig. 6.
Na realidade as curvas i
D
-v
DS
prticas tem o aspecto
apresentado na Fig. 11 (b).
As caractersticas da Fig. 11(b) indicam que h trs
regies distintas de funcionamento: a regio de corte, a
regio de trodo e a regio de saturao.
A regio de saturao a regio usada para o
funcionamento de FET como amplificador.
Para funcionar como interruptor, utilizam-se as
regies de corte e de trodo.
Fig. 11
Fig. 11
Caractersticas i
D
- v
DS
ELECTRNICA II
26
Caractersticas i
D
- v
DS
O dispositivo est em corte quando v
GS
< V
t
.
Para operar o MOSFET na regio de trodo, precisamos primeiro de induzir o canal,
e manter v
DS
suficientemente pequeno para que o canal permanea contnuo. Isto consegue-se
assegurando que a tenso gate-dreno :
Esta condio pode ser representada explicitamente em termos de v
DS
.
DS GS SD GS GD
v v v v v = + =
Assim, ou
(10)
(11)
(12)
As Eqs. (11) e (12) constituem as duas condies necessrias para assegurar o funcionamento da
regio de trodo.
Isto , o MOSFET de canal n enriquecido funciona na regio de trodo quando v
GS
maior do que V
t
e a tenso de dreno menor do que a tenso da gate pelo menos de V
t
volt.
Na regio de trodo, as caractersticas i
D
-v
DS
podem ser aproximadamente descritas pela relao.
) (
'
(
=
2
2
1
DS DS t GS n D
v v V v
L
W
k i
(13)
ELECTRNICA II
27
Se v
DS
for suficientemente pequena, por forma a podermos desprezar o termo v
DS
2
, obtemos para as
caractersticas i
D
-v
DS
junto da origem, a seguinte relao:
| | ) (
'
DS t GS n D
v V v
L
W
k i ~
(14)
Esta relao linear representa o funcionamento do transstor MOS como uma resistncia
linear r
DS
, cujo valor controlado por v
GS
. Mais especificamente, para um valor em particular
v
GS
= V
GS
, r
DS
dado por:
) (
-1
'
(
= =
=
t GS n
D
DS
DS
V v
L
W
k
i
v
r
GS
V
GS
v
small
DS
v
Para operar o MOSFET na regio de saturao, o canal tem de ser induzido,
e estrangulado na extremidade do dreno, elevando v
DS
a um valor que faa com que a tenso gate-
dreno se torne inferior a V
t
,
Operao na regio de saturao
(15)
(16)
(17)
Caractersticas i
D
- v
DS
ELECTRNICA II
28
A condio pode ser expressa explicitamente em termos de v
DS
.
(Canal estrangulado)
Isto , o MOSFET de canal n enriquecido funciona na regio de saturao quando v
GS
maior do
que V
t
e a tenso de dreno no inferior tenso da gate mais do que V
t
volt.
A fronteira entre a regio de trodo e a regio de saturao caracterizada por
(Fronteira)
(18)
(19)
Substituindo este valor de v
DS
em

2
1
) (
2 '
(
=
DS DS t GS n D
v v V v
L
W
k i
Valor de saturao da corrente i
D
2
2
1
) (
'
t GS n D
V v
L
W
k i = (20)
Caractersticas i
D
- v
DS
ELECTRNICA II
29
Caractersticas i
D
- v
DS
Assim, em saturao, o MOSFET fornece uma
corrente de dreno cujo valor independente da
tenso de dreno v
DS
e determinado pela tenso
da gate v
GS
de acordo com a relao quadrtica
da Eq. (20).
Um esboo mostrado na Fig. 12.
Como a corrente de dreno independente da
tenso de dreno, o MOSFET saturado
comporta-se como uma fonte de corrente ideal
cujo valor controlado por v
GS
de acordo com a
relao no linear da Eq. (20).
A Fig. 13 mostra uma representao do
circuito em funcionamento na regio de
saturao.
Fig. 12
Fig.13
ELECTRNICA II
30
Voltando s caractersticas i
D
-v
DS
da Fig. 11(b), note-se que a fronteira entre as regies de trodo e
de saturao est representada como uma curva a trao interrompido.
Uma vez que esta curva caracterizada por v
DS
= v
GS
- V
t
, a sua equao pode ser obtida
substituindo v
GS
- V
t
por v
DS
, quer na equao da regio de trodo (Eq. (13)), quer na equao da regio
de saturao (Eq. (20)).
Assim,
Caractersticas i
D
- v
DS
2 '
2
1
DS n D
v
L
W
k i =
Deve notar-se que as caractersticas representadas nas Figs. 4, 11 e 12 so para um MOSFET com
k
n
(W/L) = 1.0 mA/V

2
e V
t
= 1 V.
O diagrama da Fig. 14 mostra os nveis relativos que as tenses terminais do transstor NMOS de
enriquecimento devem ter para o funcionamento nas regies de trodo e de saturao.
ELECTRNICA II
31
Nveis de tenso relativos nos terminais para
um NMOS para funcionamento na regio de
trodo e saturao
Fig. 14
Um transstor NMOS de enriquecimento com V
t
=0,7 V tem a source ligada massa e uma tenso de
1,5 V aplicada gate. Quais as regies de funcionamento para: (a) V
D
=0,5 V; (b) V
D
=0,9 V; (b) V
D
=3 V.
Exerccio 1
Exerccio 2
Se o transstor NMOS do Exerccio 1 tiver
n
Cox=100A/V
2,
W=10m e L=1m, determine o valor da
corrente de dreno para as trs situaes indicadas (a), (b) e (c).
ELECTRNICA II
32
Resistncia de sa Resistncia de sa da finita em satura da finita em satura o o
A equao (14) e o circuito equivalente correspondente da Fig. 13, indicam que na saturao i
D
independente de v
DS
.
A variao Av
DS
na tenso dreno-source causa uma variao nula em i
D
, o que implica que a
resistncia incremental na direco do dreno de um MOSFET saturado infinita.
Isto no entanto uma idealizao baseada na premissa de que, uma vez o canal estrangulado na
extremidade do dreno, posteriores aumentos de v
DS
no tm qualquer efeito sobre a forma do
canal.
Na prtica o aumento de v
DS
para alm de v
DS,sat
afecta um pouco o canal.
Concretamente, medida que v
DS
aumenta, o ponto de estrangulamento do canal move-se
ligeiramente do dreno em direco source.
Tal ilustrado na Fig. 15, da qual se nota que a tenso ao longo do canal permanece constante:
t GS DSat
V v v =
ELECTRNICA II
33
A tenso adicional aplicada ao dreno, surge como uma queda de tenso atravs da regio de
depleo estreita, entre o fim do canal e a regio do dreno.
Esta tenso acelera os electres que atingem o fim do dreno do canal, varrendo-os para o dreno
atravs da regio de depleo.
Com a largura da camada de depleo, o
comprimento do canal reduzido de L para L-
AL
Fenmeno designado por modulao do
comprimento do canal.
Visto que i
D
, inversamente proporcional ao
comprimento do canal (eq. 20), com a
diminuio deste, i
D
aumenta com o aumento
de v
DS
.
Fig. 15
ELECTRNICA II
34
Para levar em considerao a dependncia de i
D
em funo de v
DS
, na saturao, substitui-se L, na
eq. 20, por L - AL, obtendo-se:
2 '
) (
2
1
t GS n D
V v
L L
W
k i
A
=
2
1
1
2
1
) (
) / (

'
t GS n
V v
L L L
W
k
A
=
2
1
2
1
) (
'
t GS n
V v
L
L

L
W
k
|
.
|
\
|
+ ~ (assumido que (AL/L) <<1)
Assumindo que AL proporcional a v
DS
DS
v L
'
= A
um parmetro relacionado com o processo tecnolgico, com dimenses de m/V.
Substituindo na expresso de i
D
:
) 1 ( ) (
2
1
) ( 1
2
1
2 ' 2
'
'
DS t GS n t GS DS n D
v V v
L
W
k V v v
L L
W
k i + =
|
|
.
|
\
|
+ =
Usualmente /L designado por
L
'
=
(21)
ELECTRNICA II
35
A Fig. 16 mostra um conjunto tpico de caractersticas i
D
-v
DS
exibindo o efeito da modulao do
comprimento do canal.
A dependncia linear observado entre i
D
e v
DS
, na regio de saturao, representada na equao
(21) pelo factor (1 + v
DS
).
Na Fig. 16 notamos que prolongando para a
esquerda a parte rectilnea das caractersticas i
D
-v
DS
na saturao, elas intersectam-se num mesmo ponto
do eixo v
DS
, caracterizado por v
DS
= -1/ = -V
A
, onde V
A
uma tenso positiva.
Da equao 21, se i
D
= 0, ento:
/ 1 =
DS
v
1
=
A
V
Fig. 16
ELECTRNICA II
36
V
A
um parmetro do processo tecnolgico, com dimenses de Volt designada como tenso de
Early.
Para um dado processo, V
A
proporcional ao comprimento do canal L, que o projectista
seleccione para um MOSFET.
Pode-se representar V
A
=V
A
L, em que V
A
inteiramente dependente do processo tecnolgico,

cujas unidades so V/m.
Tipicamente, V
A
varia na gama de 5 V/m a 50 V/m.

A equao 21, indica que quando a modulao do comprimento do canal considerada, os
valores de saturao de i
D
dependem de v
DS
.
Assim, para um dado v
GS
, uma variao Av
DS
produz uma correspondente variao Ai
D
, na corrente
de dreno i
D
.
Uma consequncia bvia da modulao do comprimento do canal que a resistncia de sada em
saturao finita.
Definindo a resistncia de sada r
o
(resistncia em saturao) como,
(22)
ELECTRNICA II
37
Usando as equaes (21) e (22) podemos obter
1
2
2
= ) (
'
t GS
n
o
V v
L
W k
r
(23)
A equao (23) pode ser escrita de modo simplificado
como
D
o
I
r
1
= (24) ou
D
A
o
I
V
r = (25)
Em que I
D
a corrente de dreno sem levar em considerao a modulao do comprimento do canal.
2
2
1
) (
'
t GS n D
V v
L
W
k I =
Assim a resistncia de sada inversamente
proporcional corrente de dreno.
Modelo de circuito equivalente, incorporando r
o
.
Fig. 17
ELECTRNICA II
38
A Fig. 18(a) mostra o smbolo de circuito do
MOSFET de enriquecimento de canal p.
A Fig. 18(b), mostra o smbolo modificado. Uma
seta usada apontando na direco normal do fluxo
de corrente.
Para o caso habitual de se ligar o substrato
source, usa-se o smbolo simplificado da Fig. 18(c).
Polaridades da tenso e da corrente para
operao normal
Para um dispositivo canal p a tenso
de limiar V
t
negativa.
Para induzir um canal, aplica-se uma
tenso na gate que seja mais negativa
de que V
t
.
v
GS
s V
t
ou v
SG
> |V
t
|
Fig. 18
(d)
(26)
Caracter Caracter sticas do MOSFET de canal p sticas do MOSFET de canal p
ELECTRNICA II
39
A corrente de dreno fli para o exterior do terminal de dreno.
Para operar na regio de trodo, v
DS
tem de satisfazer
t GS DS
V v v > (canal contnuo) (27)
Isto , a tenso de dreno deve ser maior de que a tenso da gate em pelo menos |V
t
|.
A corrente i
D
representada de forma idntica equao para o NMOS (eq. 13), substituindo
apenas k
n
por k
p
) (
'
(
=
2
2
1
DS DS t GS p D
v v V v
L
W
k i
(28)
v
GS
, V
t
, e v
DS
so negativos e o parmetro de transcondutncia k
p
dado por,
ox p p
C k =
'
(29)
Mobilidade das lacunas no canal induzido
Regio de trodo Caracter Caracter sticas do MOSFET de canal p sticas do MOSFET de canal p
ELECTRNICA II
40
Para operar na regio de saturao, v
DS
tem de satisfazer relao:
t GS DS
V v v s
(canal estrangulado)
Isto , a tenso de dreno deve ser menor do que a (tenso da gate + |V
t
|). A corrente i
D
dada pela
mesma equao usada para os NMOS (Eq. (21)), substituindo apenas k
n
por k
p
) ( ) (
'
DS t GS p D
v V v
L
W
k i + = 1
2
1
2
(30)
(31)
v
GS
, V
t
, e v
DS
so negativos.
Fig. 19
Regio de saturao Caracter Caracter sticas do MOSFET de canal p sticas do MOSFET de canal p
Para que o transstor PMOS fique activo (on), a tenso da gate
tem de ser menor de que a tenso da source de um valor no
mnimo igual |V
t
|. Para funcionar na zona de trodo a tenso do
dreno deve exceder a tenso da gate pelo menos |Vt|, caso
contrrio o PMOS opera na saturao.
ELECTRNICA II
41
O papel do substrato O papel do substrato - - o efeito do corpo o efeito do corpo
Em muitas aplicaes, o terminal B do substrato (ou corpo) ligado ao terminal da source, pelo
que a juno pn formada entre o substrato e o canal induzido (ver Fig. 5) fica inversamente
polarizado de forma permanente. Em tais casos, o substrato no desempenha nenhum papel no
funcionamento do circuito e a sua existncia pode ser ignorada.
Nos circuitos integrados, contudo, o substrato usualmente comum a vrios transstores MOS. A
fim de manter a condio de polarizao inversa na juno substrato-canal, o substrato
habitualmente ligado tenso de alimentao mais negativa num circuito NMOS ( mais positiva
num circuito PMOS).
A tenso inversa resultante entre a source e o corpo (V
SB
num dispositivo de canal n) vai afectar o
funcionamento do transstor.
Para verificar esse efeito, considere-se um transstor NMOS e admita-se que o substrato est
negativo relativamente source. A tenso inversa alarga a regio de depleo (ver Fig. 2), o que, por
sua vez, reduz a profundidade do canal.
Para que o canal recupere o seu estado inicial, v
GS
tem de ser aumentada.
ELECTRNICA II
42
O efeito de V
SB
sobre o canal pode ser mais convenientemente representado como uma alterao
da tenso limiar V
t
. Concretamente, pode mostrar-se que aumentando a tenso de polarizao
inversa do substrato V
SB
, a tenso V
t
aumenta de acordo com a relao.
(32)
Em que V
t0
a tenso de limiar para V
SB
= 0; um parmetro ligado ao processo de fabrico, dado
por,
ox
s A
C
qN c
2
=
(33)
q a carga do electro (1.6x10
-19
C), N
A
a concentrao de dopantes do tipo p no substrato e c
s
a
permitividade do silcio (11.7 c
0
).
O parmetro tem a dimenso de V
1/2
e tipicamente igual a 0,4 V e |
f
um parmetro fsico
sendo 2
f
tipicamente igual a 0,6 V.
ELECTRNICA II
43
A equao 32 tambm se aplica a dispositivos canal p com V
SB
substitudo por V
BS
(ou de modo
alternativo |V
SB
|.
negativo.
No clculo de , N
A
substitudo por N
D
(concentrao de dopantes do poo n no qual o PMOS
formado).
Para dispositivos canal p, 2|
f
tipicamente 0.75 V e tipicamente -0.5 V
1/2
.
A Eq. (32) indica que um aumento de V
SB
origina um aumento de V
t
, o que, por sua vez, causa uma
diminuio de i
D
mesmo que v
GS
tenha sido mantida constante.
Conclui-se, assim, que a tenso do substrato controla i
D
; desta forma, o corpo actua como uma
segunda gate para o MOSFET, um fenmeno chamado efeito do corpo.
O efeito do corpo pode causar uma degradao considervel do desempenho do circuito.
ELECTRNICA II
44
Quer V
t
, quer k
so dependentes da temperatura.
O valor da tenso limiar V
t
diminui cerca de 2 mV por cada C de aumento da temperatura.
Esta diminuio de |Vt| causa um aumento correspondente da corrente de dreno, com o aumento
da temperatura.
Todavia, uma vez que k diminui com a temperatura e este efeito dominante, o efeito global de um
aumento da temperatura a diminuio da corrente de dreno.
Este interessante resultado aproveitado nas aplicaes dos MOSFETs em circuitos de potncia.
Ruptura e proteco da entrada
Aumentando progressivamente a tenso do dreno, atinge-se um valor para o qual a juno pn
formada pela regio do dreno e o substrato entra em rotura por avalanche.
Esta ruptura ocorre geralmente para tenses entre 20 e 150 V e manifesta-se por um sbito
aumento da corrente (conhecida por avalanche fraca).
Efeitos da temperatura Efeitos da temperatura
ELECTRNICA II
45
Um outro efeito de ruptura, que ocorre para tenses mais baixas (cerca de 20 V) nos dispositivos
modernos, chama-se perfurao.
Manifesta-se nos transstores com canais relativamente curtos, quando a tenso do dreno aumenta
a ponto de a regio de depleo que envolve a regio do dreno se estender atravs do canal at
source, provocando o aumento rpido da corrente de dreno.
A perfurao, normalmente, no causa danos permanentes no transstor.
Ainda, um terceiro tipo de ruptura ocorre quando a tenso gate-source excede um valor de cerca
de 30 V.
Trata-se da ruptura da camada de xido da gate e causa a destruio do transstor.
Apesar de 30 V ser uma tenso elevada e, portanto, poder pensar-se que dificilmente atingida,
deve recordar-se que o MOSFET tem uma impedncia de entrada muito elevada e uma capacidade de
entrada muito pequena pelo que mesmo pequenas quantidades de carga esttica acumulada na
capacidade da gate podem levar a que esta tenso seja excedida.
Para evitar a acumulao de carga no condensador da gate de um MOSFET, os circuitos
integrados MOS incluem normalmente dispositivos de proteco da gate, que invariavelmente fazem
uso de dodos clamping.
Ruptura e proteco da entrada
ELECTRNICA II
46
RESUMO RESUMO Transstor NMOS
Modelo de circuito equivalente para grandes sinais
ELECTRNICA II
47
RESUMO RESUMO Transstor PMOS
Caracter Caracter sticas sticas i i- -v v
Modelo de circuito equivalente para grandes sinais
ELECTRNICA II
48
Concretamente, apresenta-se um conjunto de exemplos de anlise e projecto de circuitos com
MOSFETs em c.c.
Nos exemplos que se seguem, por questes de simplicidade e para focar a ateno na essncia da
operao do circuito MOSFET, despreza-se modulao do comprimento do canal, i.e., assume-se que
=0.
Exemplo 2
Projectar o circuito da Fig. 20 (determinar R
D
e R
S
) por forma
que o transstor funcione com I
D
= 0,4 mA e V
D
= +0.5 V. O
transstor NMOS tem V
t
= 0.7 V,
n
C
ox
= 100 A/V
2
, L = 1 m e
W = 32 m. Despreze o efeito de modulao do comprimento
do canal (i.e., admita que = 0).
Fig. 20
Circuitos com MOSFETs em corrente contnua
ELECTRNICA II
49
Visto que V
D
=0.5 V maior de que V
G
, significa que o transstor NMOS opera na regio de
saturao.
Assim, usa-se a expresso i
D
da regio de saturao, para determinar o valor requerido de V
GS
,
Substituindo
resulta
ou
Assim,
De acordo com a Fig. a gate est ao potencial
zero.
Assim, a source tem de estar a -1,2V, e o valor
de R
s
pode ser determinado
Para estabelecer a tenso de
+0,5V no dreno, tem-se de
seleccionar R
D,
do seguinte
modo
ELECTRNICA II
50
EXEMPLO 3
Projecte o circuito da Fig. 21 para obter uma corrente I
D
de 80 A. Determine o valor requerido
para R e a tenso contnua V
D
. Admita que o transstor NMOS tem V
t
= 0.6 V,
n
C
ox
= 200 A/V
2
,
L=0.8 m e W=4m. Despreze o efeito de modulao do comprimento do canal (i.e., admita que
=0).
Fig. 21
Redesenhe o circuito da Fig. 20, para o seguinte caso: V
DD
= - V
SS
= 2.5 V, V
t
= 1V,
n
C
ox
= 60 A/V
2
, L
= 3 m e W = 120 m, I
D
=0,3mA e V
D
= + 0.4 V.
Exerccio 3
ELECTRNICA II
51
EXEMPLO 3 (cont)
Uma vez que V
DG
= 0, (V
D
=V
G
), o FET est na regio saturao.
Assim,
A partir da qual se obtm V
0V
:
Assim,
A tenso de dreno ser:
O valor requerido para R pode ser
determinado como se segue:
ELECTRNICA II
52
Considere o circuito do exemplo 3. Admita de a tenso V
D
aplicada gate de outro transstor Q
2
conforme a Fig. 22. Assuma que Q
1
igual a Q
2
. Determine a corrente e tenso do dreno para Q
2
.
Exerccio 4
Fig. 22
ELECTRNICA II
53
EXEMPLO 4
Projecte o circuito da Fig. 23 para estabelecer uma tenso de dreno de 0,1 V. Determine a
resistncia efectiva entre o dreno e a source neste ponto de funcionamento. Considere V
t
= 1 V e
k
n
(W/L) = 1 mA/V
2
.
Uma vez que a tenso de dreno inferior tenso da gate em 4,9 V e V
t
= 1 V (V
GS
=5V), o
MOSFET est a funcionar na regio trodo. Assim, a corrente I
D
dada por
Fig. 23
ELECTRNICA II
54
EXEMPLO 4 (cont)
O valor de R
D
pode ser determinado como segue:
Num problema prtico de projecto escolhe-se o valor normalizado mais prximo: com resistncias
de 5%, 12 k. A resistncia efectiva entre dreno e source pode ser determinada como segue:
Se no circuito do exemplo 4, o valor de R
D
duplicado, determine os valores para I
D
e V
D
.
Exerccio 5
ELECTRNICA II
55
Analse o circuito da Fig. 24 (a) e determine as tenses nos ns e correntes nos ramos do circuito.
Seja V
t
= 1 V e k
n
(W/L) = 1 mA/V
2
. Despreze o efeito de modulao do comprimento do canal (i.e.,
assuma que = 0).
EXEMPLO 5
Uma vez que a corrente da gate zero, a tenso da gate
simplesmente determinada pelo divisor de tenso formado pelas
duas resistncias de 10 M,
1 2
2
G G
G
DD G
R R
R
V V
+
=
Com esta tenso positiva na gate, o transstor NMOS est em conduo. No sabemos, contudo,
se est a funcionar em saturao ou na regio trodo. O procedimento a adoptar j nosso
conhecido: assume-se que o transstor est em saturao, resolve-se o problema e verifica-se a
validade da suposio. Naturalmente, se se concluir que a hiptese incorrecta, resolve-se
novamente o problema, com o transstor a funcionar na regio de trodo.
Fig. 24
ELECTRNICA II
56
EXEMPLO 5 (cont)
Considere-se a Fig. 24 (b). Uma vez que a tenso da gate
5 V e a tenso da source I
D
6 (kO)= 6 I
D
, tem-se:
Assim, I
D
dada por
2
2
1
) (
'
t GS n D
V v
L
W
k i =
2
1 6 5 1
2
1
) ( x x =
D
I
O que conduz seguinte equao do 2 grau em I
D
:
Esta equao d dois valores para I
D
: 0,89 mA e 0,5 mA. O primeiro valor leva a uma tenso da
source de 6 0,89 = 5,34 V, que superior tenso da gate, pelo que no fisicamente aceitvel,
visto que implicava que o transstor NMOS estivesse ao corte. Assim,
Uma vez que V
D
> V
G
- V
t
o transstor est em saturao, como se tinha admitido.
Fig. 24
ELECTRNICA II
57
EXEMPLO 6
Este valor da tenso de dreno obtido com R
D
dada por R
D
=4/0,5=8 kO.
Projectemos o circuito da Fig. 25 por forma que o transstor funcione em saturao com I
D
= 0,5
mA e V
D
= +3 V. Admitamos que o transstor PMOS de enriquecimento tem Vt = -1 V, K
p
(W/L)=1
mA/V
2
e = 0. Determinemos tambm o maior valor de R
D
que ainda permite o funcionamento na
regio de saturao.
Fig. 25
Uma vez que o MOSFET est em saturao podemos usar
Como V
GS
tem de ser negativa (V
GS
< V
t
), conclumos que a nica
soluo desta equao que faz sentido V
GS
= -2 V. Ento, como a
source est a +5 V, a tenso da gate tem de ser +3 V. Isto pode ser
conseguido escolhendo adequadamente os valores de R
G1
e de R
G2
. Uma
escolha possvel R
G1
= 2 M e R
G2
= 3 M.
O valor de R
D
pode ser obtido a partir de R
D
=V
D
/I
D
=3/0,5=6 kO.
O funcionamento em modo de saturao ser mantido at ao
ponto em que V
D
exceda V
G
de , i.e. V
Dmax
=3+1=4 V.
t
V
obtendo V
OV
=(V
GS
-V
t
)=+/-1 V.
ELECTRNICA II
58
Esta importante aplicao do MOSFET deve-se ao facto de que, quando operado na regio de
saturao, este actua como uma fonte de corrente controlada por tenso.
Variaes na tenso gate-source (v
GS
) d origem a variaes na corrente de dreno i
D
.
O MOSFET na saturao pode ser usado para implementar um amplificador de
transcondutncia.
Todavia, o interesse reside em amplificao linear, i.e., em amplificadores cujo sinal de sada
(corrente de dreno) tenha um comportamento linear com o seu sinal de entrada (a tenso v
GS
).
Objectivo: Objectivo:
A tcnica usada para obter uma amplificao linear baseia-se na escolha de uma apropriada
polarizao (DC) atravs de V
GS
, qual corresponde uma corrente I
D
, sendo depois sobreposta a
tenso a amplificar v
gs
.
Mantendo v
gs
pequeno, a variao resultante na corrente de dreno, i
d
, poder ser considerada
proporcional a v
gs
.
O MOSFET como amplificador e interruptor
ELECTRNICA II
59
Opera Opera o para grandes sinais o para grandes sinais Caracter Caracter stica de transferncia stica de transferncia
A deduo da caracterstica da tenso de transferncia, permite de forma clara visualizar a regio
ao longo da qual o transstor pode ser polarizado para operar como amplificador de pequenos
sinais, bem como as regies onde este pode operar como interruptor (i.e., totalmente ON ou
totalmente OFF) .
A Fig. 26, ilustra a estrutura bsica do amplificador MOSFET mais utilizado: O circuito source comum
(CS).
O nome source comum deve-se ao facto de que quando o circuito
visualizado como uma rede de dois portos, o terminal da source ligado
massa comum a ambos os portos de entrada (entre gate e source) e de
sada (entre dreno e source).
Variaes em v
GS
(ou neste caso, variaes em v
I
, visto que v
GS
= v
I
), do
origem a variaes em i
D
.
A tenso de sada v
0
vem:
D D DD DS
i R V v v = =
0 (34)
Fig. 26
ELECTRNICA II
60
Determinao da caracterstica da tenso de transferncia do amplificador source comum da Fig. 26.
Assuma-se que v
I
varia entre 0 e V
DD
.
Dois modos de obteno da caracterstica: - grfico
- analtico
Modo gr Modo gr fico fico
O funcionamento do circuito source comum determinado pelas caractersticas i
D
-v
DS
do MOSFET
e pela relao entre i
D
e v
DS
, imposta pela ligao do dreno source de tenso V
DD
, via resistncia R
D
.
Assim,
D D DD DS
i R V v =
(35)
ou, de modo equivalente,
(36)
Trata-se de uma equao linear nas variveis i
D
e v
DS
e pode, portanto, ser representada por uma
recta no plano i
D
-v
DS
.
ELECTRNICA II
61
Modo gr Modo gr fico ( fico (Cont Cont.) .)
A Fig. 27 mostra as curvas caractersticas i
D
- v
DS
, com a recta sobreposta, de acordo com a eq. 36.
Fig. 27
Esta recta intersecta o eixo v
DS
em V
DD
e tem uma
inclinao igual a -1/R
D
.
Uma vez que R
D
representa a resistncia de carga
do amplificador (i.e., a resistncia atravs da qual o
amplificador proporciona a sua tenso de sada), a
recta na Fig. 27 conhecida como recta de carga.
A construo grfica da Fig. 27 pode agora ser
usada para determinar v
0
(igual a v
DS
) para um dado
valor de v
I
(v
GS
=v
I
).
Para um dado valor de v
I
, localiza-se a
correspondente curva i
D
-v
DS
e calcula-se v
0
a partir do
ponto de interseco desta curva com a recta de
carga.
ELECTRNICA II
62
Qualitativamente o circuito funciona do seguinte modo:
Visto que v
GS
= v
I
, verifica-se que para v
I
< V
t
o
transstor estar ao corte pelo que i
D
ser zero e v
0
=
v
DS
= V
DD
. Neste caso o ponto de funcionamento o
representado pela letra A.
medida que v
I
> V
t
, o transstor fica ON; i
D
aumenta
e v
0
decresce.
Visto que v0 inicialmente elevado , o transstor
estar na regio de saturao.
Tal corresponde aos pontos ao longo do segmento
da recta de carga de A at B.
Nesta regio foi identificado um ponto de funcionamento particular Q, obtido para V
GS
= V
IQ
com
coordenadas V
0Q
= V
DSQ
and I
DQ
.
A operao na regio de saturao permanece at que v
0
decresa at um ponto que inferior a
v
I
de um valor V
t
volts.
ELECTRNICA II
63
Para o ponto correspondente a v
DS
= v
GS
V
t
, o MOSFET entra na regio de trodo, (ponto B da Fig.
27).
O ponto B definido por
t IB OB
V V V =
Para v
I
> V
IB
, o transstor entra mais profundamente na regio trodo.
A tenso nesta regio decresce lentamente para zero.
O ponto de funcionamento C ilustrado na Fig. 27 obtido para v
I
= V
DD
.
A tenso de sada correspondente V
OC
usualmente muito pequena.
Esta determinao ponto-a-ponto da caracterstica de transferncia, resulta na curva de
transferncia mostrada na Fig. 28.
ELECTRNICA II
64
Fig. 28
ELECTRNICA II
65
Opera Opera o como interruptor o como interruptor
Como switch, o MOSFET operado em pontos extremos da curva de transferncia.
O dispositivo est ao corte mantendo v
I
< V
t
, correspondendo regio de operao delimitada
pelo segmento XA, com v
O
= V
DD
.
O MOSFET comuta para o estado ON, aplicando uma tenso prxima de V
DD
. Nesse caso est a
funcionar prximo do ponto C, com v
O
muito pequeno (no ponto C v
O
= V
OC
).
Opera Opera o como amplificador linear o como amplificador linear
Para que o MOSFET opere como amplificador, usa-se o segmento correspondente ao modo
saturao da curva de transferncia.
O dispositivo polarizado num ponto localizado prximo do meio da curva, sendo o ponto Q um
bom exemplo de um ponto apropriado.
O sinal de tenso a amplificar (v
i
) sobreposto tenso DC V
IQ
, como mostrado na Fig. 28.
Mantendo v
i
suficientemente pequeno de modo a restringir a operao a um segmento quase
linear da curva de transferncia, o sinal de tenso de sada v
O
resultante, ser proporcional a v
i
.
ELECTRNICA II
66
Nestas circunstncias, o amplificador tem um comportamento praticamente linear e v
O
ter a
mesma forma de onda de v
i
, excepto na amplitude.
O ganho no ponto Q dado por
IQ I
V v
I
O
v
dv
dv
A
=
=
Assim, o ganho em tenso igual inclinao da curva de transferncia no ponto Q.
A inclinao negativa. O amplificador source comum inversor. Tal pode ser verificado a partir
das formas de onda de v
i
e v
O
.
O aumento de v
i
, conduz distoro do sinal de sada, vista a operao deixar de estar restrita a
um segmento quase linear da curva de transferncia.
Opera Opera o como amplificador linear ( o como amplificador linear (cont cont) )
ELECTRNICA II
67
Seleco apropriada do ponto Q
Visto que o sinal de sada sobreposto tenso dc V
OQ
ou V
DSQ
, importante que V
DSQ
seja tal de
modo a permitir a excurso desejada do sinal de sada.
Isto , V
DSQ
deve ser menor de que V
DD
, por uma quantidade aprecivel e maior de que V
OB
por
uma quantidade suficiente, para permitir uma completa excurso do sinal de sada.
Se V
DSQ
prximo de V
DD
, os picos positivos sero cortados.
Se V
DSQ
prximo da fronteira da regio trodo, o MOSFET entrar nesta regio para a parte do
ciclo prxima dos picos negativos.
O projectista dever ter em conta o valor de R
D
que determina a curva de transferncia. , por este
motivo, mais apropriado localizar o ponto Q fazendo referncia ao plano i
D
v
DS
. Este ponto
ilustrado na Fig. 29.
ELECTRNICA II
68
Seleco apropriada do ponto bias Q
Fig. 29
A figura mostra duas rectas de carga e
correspondentes pontos de funcionamento. O
ponto Q
1
, no permite que a parte positiva do
sinal oscile (demasiado prximo de V
DD
).
O ponto Q
2
demasiado prximo da
fronteira da regio do trodo e pode no
permitir suficiente oscilao da parte negativa
do sinal.
ELECTRNICA II
69
Expresses anal Expresses anal ticas para a caracter ticas para a caracter stica de transferncia stica de transferncia
As curvas i v que descrevem a operao do MOSFET nas trs regies: corte, saturao e trodo,
podem ser facilmente usadas para deduzir expresses analticas para os trs segmentos da
caracterstica de transferncia na Fig. 27
Segmento da regio de corte (XA) Segmento da regio de corte (XA)
DD O t I
V v V v = s e

Segmento da regio de satura Segmento da regio de satura o (AQB) o (AQB)
t I O t I
V v v V v > > e

Desprezando a modulao do comprimento do canal e substituindo a expresso para i
D
,
2
2
1
) ( ) C (
ox n t I D
V v
L
W
i
|
.
|
\
|
=
em
D D DD o
i R V v =
vem,
2
2
1
) ( C R
ox n D t I DD o
V v
L
W
V v
|
.
|
\
|
=
(37)
ELECTRNICA II
70
A eq. 37 pode ser usada para deduzir uma expresso para o ganho em tenso A
V
, para o ponto Q
para o qual v
I
= V
IQ
. Assim, usando,
IQ I
V v
I
O
v
dv
dv
A
=
=
) ( C R
ox n D t IQ v
V V
L
W
A
|
.
|
\
|
=
O ganho de tenso proporcional aos valores de R
D
, ao parmetro de transcondutncia k
n
n
C
ox
, a W/L e tenso overdrive no ponto bias (V
0V
= V
I0
V
t
).
Uma outra expresso simples e muito til para o ganho em tenso, pode ser obtida substituindo
v
I
= V
IQ
e v
0
= V
OQ
na eq. 37, utilizando a eq. 38 e substituindo V
IQ
V
t
= V
0V
. Resulta, assim,
(38)
OV
RD
OV
OQ DD
v
V
V
V
V V
A
2
2
=
=
) (
Onde V
RD
a queda de tenso DC na resistncia de dreno R
D
, i.e., V
RD
= V
DD
V
OQ
.
O ponto terminal (B) do segmento da regio de saturao caracterizado por
t IB OB
V V V =
(39)
(40)
Expresses anal Expresses anal ticas para a caracter ticas para a caracter stica de transferncia stica de transferncia
ELECTRNICA II
71
As coordenadas do ponto B podem ser determinadas substituindo v
O
= V
OB
e v
I
= V
IB
na eq.
37 e resolvendo a equao resultante em simultneo com a eq. 40.
Segmento da regio tr Segmento da regio tr odo (BC) odo (BC)
t I O t I
V v v V v s > e

Substituindo a expresso para i
D
, na regio trodo,
(
=
2
2
1
O O t I D
v v V v
L
W
i ) ( ) C (
ox n
em
D D DD O
i R V v =
Resulta:
(
+ ~ ) ( C R 1 /
ox n D t I DD o
V v
L
W
V v
Usando a expresso para r
DS
, resistncia source-dreno prxima da origem do plano i
D
v
DS
,
(
= ) ( C /
ox n t I DS
V v
L
W
r 1
(41)
D DS
DS
DD O
R r
r
V v
+
=
(42)
Expresses anal Expresses anal ticas para a caracter ticas para a caracter stica de transferncia ( stica de transferncia (cont cont.) .)
ELECTRNICA II
72
D
DS
DD O
R
r
V v ~
Em regra r
DS
<< R
D
, pelo que a equao 39 reduz-se a (43)
Para que a anlise realizada anteriormente seja mais concreta, considere o circuito source comum da
Fig. 26, para o caso em que k
n
(W/L) = 1mA/V
2
, V
t
= 1 V, R
D
= 18 kO e V
DD
= 10 V.
RESOLU RESOLU O O
Determine-se, inicialmente as coordenadas de pontos
importantes na curva de transferncia.
(a) Ponto X
V , 10 0 = =
O I
v V v
(b) Ponto A
V , 10 1 = =
O I
v V v
EXEMPLO 7
Expresses anal Expresses anal ticas para a caracter ticas para a caracter stica de transferncia ( stica de transferncia (cont cont.) .)
A expresso apresentada faz sentido: para valores pequenos de v
0
o MOSFET funciona como uma
resistncia r
DS
, que forma com R
D
um divisor de tenso.
ELECTRNICA II
73
(c) Ponto B: Substituindo,
t OB IB I
V V V v + = = 1 + =
OB I
V v
e v
O
= V
OB
na eq. 37, resulta:
0 10 9
2
= +
OB OB
V V
S uma das razes tem sentido fsico, nomeadamente, V 1 =
OB
V
Pelo que, V V
IB
2 1 1 = + =
(d) Ponto C: Da eq. 41, vem : V 061 . 0
) 1 10 ( 1 18 1
10
=
+
=
OC
V
Este valor muito pequeno, o que justifica a utilizao da expresso aproximada dada pela eq. (41).
EXEMPLO 7 (cont.)
ELECTRNICA II
74
Vamos agora determinar a polarizao do amplificador de modo a operar num ponto apropriado do
segmento da regio de saturao.
Visto que este segmento se estende desde v
O
= 1 V a 10 V, escolha-se operar a V
OQ
= 4 V.
Este ponto permite a excurso do sinal em ambas as direces, proporcionando um ganho em
tenso mais elevado do que seria obtido com o valor mdio (i.e., V
OQ
= 5.5 V).
Para operar a uma tenso de sada DC de 4V, a corrente de dreno dc tem de ser,
mA
R
V V
I
D
OQ DD
D
.333 0
18
4 10
=
=
A tenso overdrive requerida V
OV
, pode ser calculada usando
2
2
1
OV D
V i
L
W
k
'
n
=
V 816 . 0
1
333 . 0 2
=
=
OV
V
O MOSFET tem de ser operado com uma tenso gate- fonte, dada por,
V .816 1 = + =
OV t GSQ
V V V
EXEMPLO 7 (cont.)
ELECTRNICA II
75
O ganho em tenso deste amplificador, para este ponto de polarizao, pode ser determinado a
partir da eq. (38):
V/V 7 . 14 ) 1 816 . 1 ( 1 18 = =
v
A
Para perceber a operao de amplificao, aplica-se um sinal de entrada v
i
de 150 mV
pp
de
amplitude, com forma de onda triangular.
A Fig. 30 mostra um tal sinal sobreposto tenso DC de polarizao V
GSQ
= 1.816 V
Como mostrado, v
GS
varia linearmente entre
1.741V e 1.891 V, em torno do valor de
polarizao de 1.816 V.
Correspondentemente, i
D
, ser:
Fig. 30
mA i v Para
D GS
275 . 0 ) 1 741 . 1 ( 1
2
1
V, 741 . 1
2
= = =
mA i v Para
D GS
333 . 0 ) 1 816 . 1 ( 1
2
1
V, 816 . 1
2
= = =
mA i v Para
D GS
397 . 0 ) 1 891 . 1 ( 1
2
1
V, 891 . 1
2
= = =
EXEMPLO 7 (cont.)
ELECTRNICA II
76
Note-se que o incremento negativo em i
D
(0.333-0.275) = 0.058 mA, enquanto o incremento
positivo (0.397-0.333) = 0.064 mA, os quais so ligeiramente diferentes.
Tal indica que o segmento da curva i
D
v
GS
(ou de modo equivalente, da curva v
O
v
I
), no
perfeitamente linear, como era esperado.
A tenso de sada varia em torno do valor de polarizao V
OQ
= 4 V e ter os seguintes limites:
V 05 . 5 18 275 . 0 10 e 275 . 0 V, 741 . 1 = = = =
O D GS
v mA i v Para
V 85 . 2 18 397 . 0 10 e 397 . 0 V, 891 . 1 = = = =
O D GS
v mA i v Para
Assim, enquanto o incremento positivo 1.05 V, a excurso negativa um pouco maior (1.15 V),
uma vez mais como resultado da caracterstica de transferncia no-linear.
A distoro de v
O
pode ser reduzida, diminuindo a amplitude do sinal de entrada.
Um outro ponto de vista acerca da operao do amplificador, pode ser obtido considerando a sua
anlise grfica, mostrada na Fig. 31.
EXEMPLO 7 (cont.)
ELECTRNICA II
77
Note-se que medida que v
GS
varia,
devido a v
i
, o ponto de operao
instantneo move-se ao longo da recta de
carga.
Note-se, ainda, que polarizando o
transstor para um ponto de funcionamento
no centro da regio de saturao ,
assegura-se que o ponto de operao
instantneo, permanece sempre na regio
de saturao e assim a distoro no-linear
minimizada.
Fig. 31
EXEMPLO 7 (cont.)
ELECTRNICA II
78
Polarizao em circuitos amplificadores MOS
Um passo essencial no projecto de um circuito amplificador MOSFET, passa pelo estabelecimento
de um ponto de operao DC apropriado, para o transstor.
Este passo conhecido por projecto de polarizao (bias).
Um ponto de operao DC apropriado caracterizado por uma corrente de dreno DC (i
D
) estvel e
previsvel e por uma tenso dreno-source DC (V
DS
) que assegure a operao na regio de saturao,
para todos os nveis de sinais de entrada esperados.
Polariza Polariza o usando um o usando um valor de V valor de V
GS GS
fixo. fixo.
A forma mais simples de polarizao de um MOSFET, consiste em fixar a tenso gate-source num
valor que proporcione a corrente desejada I
D
.
Este valor de tenso pode ser obtido a partir da tenso da fonte de tenso V
DD
, usando um divisor
de tenso apropriado.
Em alternativa, V
GS
pode ser uma adequada tenso de referncia existente no sistema.
Independentemente do modo como V
GS
gerado, este tipo de polarizao no a melhor.
ELECTRNICA II
79
Tal pode ser explicado atravs da expresso para I
D
:
2
2
1
) ( C
ox n t GS D
V V
L
W
I =
Tenso de limiar
Capacidade do xido
aspect ratio do transstor
Estes parmetros variam fortemente entre dispositivos do mesmo tamanho e tipo.
Alm disso, V
t
e
n
dependem da temperatura.
Assim, se fixarmos o valor de V
GS
, a corrente de dreno I
D
, torna-se bastante dependente da
temperatura.
Para reforar o facto de que uma tenso fixa de polarizao V
GS
no constitui uma boa tcnica, a
Fig. 32, mostra duas curvas caractersticas (i
D
v
GS
), representando valores extremos para MOSFETs
do mesmo tipo.
GS GS
fixo. fixo.
ELECTRNICA II
80
Observa-se que para um valor fixo de V
GS
, a diferena na evoluo da corrente de dreno pode ser
substancial.
Fig. 32
GS GS
fixo. fixo.
ELECTRNICA II
81
Uma excelente tcnica de polarizao consiste na fixao da tenso da gate V
G
usando uma
resistncia da source para a massa. Tal ilustrado na Fig. 33 sendo V
G
dado por
D S GS G
I R V V + =
Se V
G
muito maior de que V
GS
, I
D
ser essencialmente determinada pelos valores de V
G
e R
S
.
Mesmo que V
G
no seja muito maior de V
GS
, a resistncia R
S
proporciona realimentao negativa,
a qual actua como estabilizador da corrente de polarizao I
D
.
Para perceber o funcionamento, considere-se a situao em que I
D
aumenta
por qualquer razo.
A equao (44), indica que nestas circunstncias, como V
G
constante, V
GS
ter de decrescer.
Tal resulta num decrscimo em I
D
, variao esta oposta ao inicialmente
assumido.
R
S
actua de forma a manter I
D
o mais constante possvel.
A esta aco de realimentao negativa de R
S
d-se o nome de resistncia de
degenerao.
(44)
Fig. 33
Polariza Polariza o, fixando V o, fixando V
G G
e ligando uma resistncia na e ligando uma resistncia na source source
ELECTRNICA II
82
O grfico da Fig. 34 ilustra este processo de polarizao, onde so mostradas duas caractersticas
i
D
v
GS
, para dois dispositivos, que representam os extremos de uma dada produo de MOSFETs.
O segmento de recta desenhado representa as restries impostas pelo circuito de polarizao
(eq. 44)
A interseco desta linha recta com a curva caracterstica i
D
v
GS
, proporciona as coordenadas do
ponto de polarizao (I
D
e V
GS
).
Comparativamente ao caso de V
GS
de valor fixo,
neste caso a variao obtida em I
D
muito menor.
Note-se que a variao decresce medida que V
G
e
R
S
so incrementados.
Fig. 34
G G
ELECTRNICA II
83
As Fig. 35 (c) e (e) ilustram duas implementaes prticas para este esquema de polarizao.
O circuito da Fig. 35 (c) utiliza uma fonte de tenso V
DD
, obtendo-se V
G
atravs de um divisor de
tenso (R
G1
e R
G2
).
Visto que I
G
= 0, R
G1
e R
G2
, podem ser seleccionadas com elevada valor (na gama dos MO),
permitindo ao MOSFET apresentar uma resistncia de entrada elevada a uma fonte de sinal, que
pode ser ligada gate atravs de um condensador de acoplamento.
Fig. 35
G G
ELECTRNICA II
84
A funo do condensador C
c1
bloquear uma eventual componente DC, permitindo acoplar o sinal
v
sig
entrada do amplificador sem perturbao do ponto de polarizao DC do MOSFET.
O valor de C
c1
deve ser seleccionado de modo a possuir um valor elevado tal que, para todas
frequncias do sinal de interesse, este se comporte como um curto-circuito.
A resistncia R
D
, deve ser seleccionada com o maior valor possvel para obter-se um ganho
elevado, mas suficientemente pequena de modo a permitir que o sinal desejado varie sem distoro,
mantendo o MOSFET permanentemente na saturao.
Fig. 36
G G
ELECTRNICA II
85
Quando existem duas fontes de tenso de disponveis, pode ser usado o
esquema de polarizao mais simples ilustrado na Fig. 35 (e).
Este circuito uma implementao da equao 44, com V
G
substitudo por V
SS
.
A resistncia R
G
apresenta uma resistncia elevada a uma fonte de sinal que lhe
seja eventualmente ligada.
EXEMPLO 8 EXEMPLO 8
Admita que se pretende projectar o circuito da figura 35(c), afim de estabelecer uma corrente de
dreno I
D
=0.5mA. O MOSFET especificado para ter V
t
= 1 V e k
n
W/L = 1mA/V
2
. Por questes de
simplicidade, despreze o efeito de modulao do comprimento do canal (i.e., assuma = 0). Use
uma fonte V
DD
= 15 V.
Determine a percentagem de variao verificada no valor de I
D
, quando o MOSFET substitudo
por uma outra unidade tendo o mesmo k
n
W/L e V
t
= 1,5V.
G G
ELECTRNICA II
86
EXEMPLO 8 ( EXEMPLO 8 (cont cont.) .)
Como regra, para o projecto deste circuito clssico, escolhe-se R
D
e R
S
de modo a
proporcionarem 1/3 da tenso da fonte V
DD
atravs de R
D
, transstor (i.e., V
DS
) e R
S
.
Para V
DD
= 15 V, esta escolha faz com que V
D
= +10 V e V
S
=+ 5V.
Visto que requerido I
D
= 0.5 mA, pode-se obter os valores de R
D
e R
S
do seguinte modo:
O =
= k
I
V V
R
D
D DD
D
10
5 0
10 15
.
O = = = k
I
V
R
D
S
S
10
5 0
5
.
O valor de V
GS
pode ser determinado, calculando previamente a tenso overdrive V
OV
usando,
2
2
1
OV n D
V L W k I ) / (
'
=
2
1
2
1
5 . 0
OV
V =
V V
OV
1 =
Assim, V V V V
OV t GS
2 1 1 = + = + =
Visto que V
S
= +5V, resulta para V
G
: V V V V
GS S G
7 2 5 = + = + =
G G
ELECTRNICA II
87
Afim de estabelecer esta tenso na gate, pode-se seleccionar R
G1
= 8 MO e R
G2
= 7 MO.
O circuito projectado mostrado na Fig. 37.
Fig. 37
Observe-se que a tenso DC no dreno (+10V) permite a
excurso de um sinal positivo de +5V (i.e., at V
DD
) e de um sinal
negativo de -4V (i.e. abaixo de (V
G
V
t
)).
Se o transstor NMOS substitudo por um outro tendo V
t
= 1.5 V, o
novo valor de I
D
pode ser determinado por,
2
) 5 . 1 ( 1
2
1
=
GS D
V I
e
D S GS G
I R V V + =
D GS
I V 10 7 + =
mA I
D
.455 0 =
Assim, a variao em I
D
:
mA I
D
. . . 045 0 5 0 455 0 = = A
i.e.
%
.
.
9 100
5 0
045 0
=
x
(variao)
EXEMPLO 8 ( EXEMPLO 8 (cont cont.) .)
G G
ELECTRNICA II
88
Polariza Polariza o usando uma resistncia de o usando uma resistncia de realimenta realimenta o o Dreno Dreno- -Gate Gate
Uma outra forma de polarizao de um circuito discreto utiliza uma resistncia de realimentao
ligada entre o dreno e a gate mostrado na Fig. 38.
Fig. 38
A resistncia de realimentao de elevado valor R
G
(usualmente na gama dos
MO), fora a tenso DC na gate a um valor igual tenso no dreno (porque I
G
= 0).
Assim, pode-se escrever
D D DD DS GS
I R V V V = =
Que pode ser rescrito como
D D GS DD
I R V V + =
(45)
A eq. (45) tem a mesma forma que a eq. (44). Se por qualquer razo I
D
aumentar, V
GS
tem de decrescer.
O decrscimo em V
GS
, por sua vez, causa um decrscimo em I
D
, variao
que oposta inicialmente assumida.
Assim, a resistncia de realimentao, proporcionada por R
G
, funciona
de modo a manter o valor de I
D
o mais constante possvel.
ELECTRNICA II
89
O circuito da Fig. 38, pode ser utilizado como um amplificador source-comum, aplicando um de
sinal de tenso na gate via um condensador de acoplamento, de modo a no perturbar as condies
de polarizao j estabelecidas.
O sinal de sada no dreno, pode ser acoplado a outra parte do circuito, via condensador.
Polariza Polariza o usando uma fonte de corrente constante o usando uma fonte de corrente constante
O circuito mais eficiente para polarizao de um amplificador MOSFET
baseado na utilizao de uma fonte de corrente. A Fig. 39 ilustra essa
configurao.
A resistncia R
G
apresenta uma resistncia elevada a uma fonte de sinal
que lhe seja eventualmente ligada.
A resistncia R
D
, estabelece uma tenso DC apropriada no dreno, que
permite a excurso desejada do sinal de sada e assegura que o transstor
permanea sempre na regio de saturao.
Fig. 39
Polariza Polariza o usando uma resistncia de o usando uma resistncia de realimenta realimenta o o Dreno Dreno- -Gate Gate
ELECTRNICA II
90
A Fig. 40 ilustra um circuito para implementao da fonte de corrente constante I.
O elemento fundamental do circuito o transstor Q
1
, cujo dreno est curto-circuitado sua gate,
operando assim na regio de saturao, tal que:
2
1
'
1
) (
2
1
t GS n D
V V
L
W
k I
|
.
|
\
|
=
onde foi desprezado a modulao do comprimento do canal (i.e.
= 0).
A corrente de dreno de Q
1
fornecida por V
DD
, atravs de R.
Visto que as correntes de gate so zero,
R
V V V
I I
GS SS DD
REF D
+
= =
1
(46)
(47)
Onde a corrente atravs de R, a corrente de referncia da fonte de
corrente, designada por I
REF
.
Dados os parmetros de Q
1
e o valor desejado para I
REF
, as equaes
(46) e (47) podem ser usadas para determinar o valor R.
Fig. 40
ELECTRNICA II
91
Considere-se o transstor Q
2
:
Q
2
possui o mesmo V
GS
que Q
1
.
Assumindo que este opera na regio de saturao, a sua corrente de dreno, que a corrente I da
fonte de corrente, ser:
2
2
2
1
) (
2
'
t GS n D
V V
L
W
k I I
|
.
|
\
|
= =
onde foi desprezada a modulao do comprimento do canal (i.e. = 0).
(48)
Equaes (47) e (48), permitem a obteno de uma relao entre a corrente I e a corrente I
REF
.
1
2
) / (
) / (
L W
L W
I I
REF
=
(49)
Como se verifica, I relacionado com I
REF
pela relao dos aspect ratios de Q
1
e Q
2
.
Este circuito conhecido como espelho de corrente, sendo muito popular no projecto de
amplificadores MOS.
ELECTRNICA II
92
Considere o circuito da Fig. 35(c) usando uma tenso de alimentao de 15V. Para o MOSFET
temos: Vt=1,2 V, =0, k
n
=80 A/V
2
, W=240 m and L= 6 m. A corrente de dreno de 2 mA e um
tero da tenso de alimentao aplicada a R
S
e R
D
, respectivamente. A maior das resistncia
R
G1
e R
G2
vale 22 MO. Quais os valores de R
G1
, R
G2
, R
S
, R
D
. Para os valores encontrados a que
distncia de encontra V
D
da saturao?
Exerccio 6
Dimensione o circuito da Fig. 41 de forma a que o transstor
funcione na saturao com V
D
a 1 V da regio de trodo, com I
D
=1
mA e V
D
=3 V, para os seguintes dispositivos (considerar 10 A no
divisor de tenso):
a)
b)
Exerccio 7
2 '
/ 5 , 0 / , 1 V mA L W k V V p
t
= =
2 '
/ 25 , 1 / , 2 V mA L W k V V p
t
= =
Fig. 41

MOSFETs I

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Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores

pequena (digamos, 50mV).

(W/L) = 1.0 mA/V

inteiramente dependente do processo tecnolgico,

varia na gama de 5 V/m a 50 V/m.

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