CAPITULO

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FUNDAMENTOS DE ELECTRONICA

9.1 CONDUCCION INTRINSECA Un material semiconductor puro se dice que es intrnseco. En dicho materia, hay pocos electrones disponibles para la conduccin cuando la temperatura es baja, pues son pocos los que tienen la energa suficiente para saltar a la banda de conduccin. Por lo tanto, el material aparecer como un aislador con todos los elctrones de valencia estrechamente ligados en enlaces covalentes. Sin embargo, si la temperatura del cristal de germanio se eleva lo suficiente, hallaremos que la resistencia hmica del material disminuye. El aumento de temperatura comunica a los electrones de valencia una energa cintica suficiente para que algunos de ellos salten a la banda de conduccin, en la que tienen libertad para actuar como portadores de corriente cuando estn bajo la influencia de un campo elctrico. El hueco de la banda de valencia es otro tipo de portador de corriente y tambin determina la conductividad del germanio intrnseco. Consideremos la Figura FE1, que muestra un electrn e que salta el intervalo de energa y es arrastrado despus a travs de la banda de conduccin cuando se aplica un campo elctrico. Este campo puede ser establecido conectando las terminales de una batera a cada uno de los extremos del cristal. Ahora bien, el electrn, considerado por s mismo, constituye un portador de corriente.

+4

+4 e
(Hueco)

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

Figura FE1

FE 9-1

Tngase en cuenta que al saltar el intervalo se rompi un enlace covalente y que en la regin de donde vino este electrn qued una vacante o hueco. Si consideramos que el electrn eliminado estaba equilibrado por una carga igual y opuesta debido a los ncleos inmediatos, debemos esperar que este hueco tenga una carga igual y opuesta a la del electrn. Este hueco atraer a un electrn de un enlace covalente inmediato, el cual dejar tambin un hueco en su posicin anterior. Entonces, un tercer electrn llenara el hueco dejado por el segundo electrn, y as sucesivamente. Obsrvese que los electrones se desplazan en la banda de conduccin y los huecos se desplazan en la banda de valencia. Si se aplica un campo elctrico, los huecos son arrastrados hacia el terminal negativo, mientras que los electrones son arrastrados hacia el terminal positivo. El hueco es tambin un portador de corriente, y al llegar al extremo negativo del cristal, es neutralizado por un electrn. En el germanio, se ha encontrado que los huecos son arrastrados con una velocidad aproximadamente la mitad de la de los electrones para una intensidad determinada del campo elctrico. As pues, vemos que la ruptura de un enlace covalente produce no uno, sino dos portadores de corriente. Los huecos no circulan por el circuito exterior, sino slo el interior del semiconductor. Este tipo de conduccin, que implica la generacin de pares hueco-electrn, se llama conduccin intrnseca. Posteriormente, veremos que la presencia de pares hueco-electrn es a menudo indeseable, y que queremos nicamente o huecos o electrones. La conductividad del germanio aumentar si aumenta l nmero de portadores de corriente. Por el contrario, disminuir si disminuye el nmero de portadores de corriente. Podramos controlar la conductividad rompiendo enlaces covalentes, pero esto es indeseable por dos razones. Primera, nuestra fuente de control debe suministrar una gran cantidad de energa para romper un enlace covalente. Segunda, los portadores de corriente de ambos tipos (huecos y electrones) se producen en cantidades iguales. En consecuencia, se han buscado otros medios para controlar la conductividad de los semiconductores; se han encontrado que la adicin de ciertas impurezas reduce estas caractersticas indeseables. 9.2 SEMICONDUCTORES DOPADOS Consideremos la adicin de una diminuta cantidad de arsnico a una masa de germanio fundido. Cuando l liquido solidifica en un cristal, los tomos de arsnico se distribuirn de un modo uniforme por toda la estructura cristalina. Como hay muchsimos ms tomos de germanio que de arsnico, cada tomo de arsnico estar virtualmente rodeado por cuatro tomos de germanio. Lo mismo que en el cristal puro, cada tomo de arsnico estaba rodeado por cuatro tomos de germanio (vase la Figura FE1). El arsnico tiene cinco electrones de valencia en vez de los cuatro del germanio. En el cristal, 4 de los electrones de valencia del arsnico formarn enlaces covalentes con 4 electrones de valencia del germanio, quedando el quinto electrn dbilmente ligado y sin ningn lugar particular a donde ir. Si este electrn se aleja del tomo de arsnico, quedar en la estructura del cristal y estrechamente ligado en ella un in de arsnico cargado positivamente. Solamente se necesita una cantidad pequea de energa para desplazar el electrn citado hasta la banda de conduccin. Obsrvese que al transferir este electrn a la banda de conduccin, no deja detrs hueco alguno. Recurdese que un hueco representa la vacante de un electrn en un enlace covalente. Por lo tanto, al aadir una impureza pentavalente (con 5 electrones de valencia), hemos salvado las dos objeciones asociadas con la variacin de la conductividad por el control de la produccin de pares electrn-hueco. Tambin podra haberse empleado otras impurezas pentavalentes, como fsforo o antimonio, para conseguir un tipo de germanio que sea rico en electrones dbilmente ligados. Este germanio rico en electrones se llama tipo N, y las impurezas pentavalentes se llaman tomos donadores.

FE 9-2

La presencia de tomos donadores en la red cristalina tiene el efecto de crear una estrecha banda de energa permitida que est situada justamente debajo de la banda de conduccin. Este caso se ilustra en la Figura FE1. El nivel de donadores est ocupado por el quinto electrn, dbilmente ligado, del tomo donador. En realidad, a la temperatura ordinaria, la mayora de los electrones donadores estn excitados a la banda de conduccin.

+4

+4 e
(Hueco)

+4

+4

+5

+4

Banda de conduccin +4 +4 +4

Banda de valencia Figura FE2

Tambin es posible producir germanio tipo P, que es rico en huecos, aadiendo diminutas cantidades de una impureza trivalente (con tres electrones de valencia) a la masa fundida. Las impurezas trivalentes tpicas (tomos aceptores) son: indio, aluminio y galio. Obsrvese que ahora tenemos un enlace covalente incompleto al que le falta un electrn. Esto est de acuerdo con nuestra definicin anterior de hueco. En este caso, el hueco es el nico portador de corriente, pues no existen electrones dbilmente ligados. Aqu tenemos abundancia de cargas positivas libres, por lo tanto, se llama al material germanio tipo P. En este caso, los tomos de la impureza se convierten en iones negativos ligados tan pronto como los electrones de los enlaces covalentes adyacentes se desplazan a los huecos. Entonces quedan neutralizado el hueco original, pero aparece otro hueco en la regin de donde vino el electrn que lo neutraliza. La presencia de tomos aceptres en la red cristalina tiene efecto de crear un estrecho nivel de aceptores justamente por encima de la banda de valencia, como se muestra en la Figura. No se necesita ms que una pequea cantidad de energa para elevar un electrn de la banda de valencia al nivel de aceptores. Esto deja un hueco en la banda de valencia que puede ser considerado como un portador de carga positiva. Si a la banda fundida se aadiesen cantidades pequeas, pero iguales, de impurezas tipos P y N, obtendramos un cristal que se comportara de un modo muy semejante al germanio puro. La razn de ello es que los electrones de la impureza tipo N llenan los huecos de la impureza tipo P. Debe tenerse en cuenta que ningn ejemplar prctico es de tipo N y P nicamente, sino que la adicin controlada de impurezas (conocida por dopado) hace que predomine el uno el otro.

FE 9-3

+4

+4

+4

+4 +4

+4

+4

+4

+4

+4

Figura FE3

El silicio (Si) tiene 4 electrones de valencia y forma enlaces covalentes similares a los del germanio (Ge). El dopado produce efectos similares. La diferencia principal entre el Ge y l Si es la anchura del intervalo de energa entre las bandas de valencias y de conduccin: el intervalo en el Si es mayor, por lo que se requiere ms energa para romper un enlace covalente y transferir un electrn de la banda de valencia a la de conduccin. Esto significa que para una temperatura dada, el Si puro tiene menos portadores de corriente disponibles que el Ge puro. Aunque la resistividad del Si es mayor y puede resultar una desventaja en algunos casos, el efecto total de la temperatura sobre los transistores de Si ser menor que sobre los de Ge.

FE 9-4