Micro Senzo Ri

Fac.
Electronica, Telecomunicatii si Teoria Informatiei
MICROSENZORI
Note de Curs anul IV
Dr. ing. Carmen Moldovan
Cap. I
Clasificarea senzorilor
Cap.1. INTRODUCERE Microsenzorii element esential al proceselor de masura si control in aplicatii, cum ar fi: monitorizare industriala, fabrici automatizate, industria de automobile, transporturi, telecomunicatii, roboti, computere, monitorizarea mediului, sanatate si agricultura => in toate sferele vietii economice si sociale. Odata cu dezvoltarea microprocesoarelor si a circuitelor integrate specifice, procesarea semnalelor a devenit ieftina, de o mare acuratete si conduce la cresterea gradului de inteligenta al echipamentelor electronice. Stimularea cercetarii in aria senzorilor conduce la dezvoltarea tehnologiei senzorilor si microsistemelor si la realizarea de noi tipuri de senzori. Cele 5 tipuri majore de senzori (viteza, temperatura, acceleratie, pozitie si presiune) domina si vor domina inca piata si estimarile arata o crestere continua si liniara a pietii senzorilor pana in anul 2010. Cercetarile care conduc la dezvoltarea si imbunatatirea tehnologiilor specifice de realizare a senzorilor si microsistemelor sunt extrem de importante, cu aplicatii importante si de durata. Senzorii sunt dispozitive care ofera o interfata intre echipamente si lumea fizica. Ei ajuta electronica sa vada, sa auda, sa miroasa, sa guste si sa atinga. In interfata lor cu lumea reala, senzorii tipic convertesc marimi fizice sau chimice neelectrice in semnale electrice. Diagrama bloc a unui sistem de traductoare:
Diafragma bloc a unui sistem de traductoare
Rolul traductoarelor de intrare este de a culege informatia din lumea reala, care este de tip marime fizica sau chimica, cu alte cuvinte de a simti lumea; traductorii de intrare sunt uzual numiti senzori. Rolul traductoarelor de iesire este de a converti un semnal electric intr-o forma acceptabila simturilor noastre si sa initieze unele actiuni, spre ex. deschiderea si inchiderea unei valve. Traductoarele de iesire sunt uzual numite actuatori. Traductoarele de intrare-iesire sunt uzual realizate prin microprelucrarea siliciului.
Pag. I. 1
Cap. I
In fabricarea senzorilor si actuatorilor siliciul este cel mai uzual material (90% component cu alte materiale semiconductoare sau nu). Cateva caracteristici ale siliciului, care il fac atat de utilizat: - modulul Young este apropiat de al otelului; - densitatea apropiata de aluminiu si o treime din densitatea otelului; - nu se deformeaza plastic - cristalul de siliciu este elastic, el nu prezinta histerezis mecanic; - duritatea siliciului este apropiata de cea a quart-ului si mai mare decat cea a tungsten-ului, Al => Si excelent ca material mecanic. - este piezorezistiv: Clasificarea senzorilor semiconductori: Tipuri de senzori O caracteristica a unui senzor este conversia energiei dintr-o forma in alta. Este de aceea util sa consideram variate forme de energie. Din punct de vedere fizic putem distinge 10 forme de energie: - energie electrica se refera la campuri electrice, curent, tensiune; - energie magnetica distribuita cu campul magnetic; - energia masei descrisa de legea lui Einstein E = mc2; - energia nucleara este data de energia de legatura intre nuclee; - energie radianta este asociata undelor radio electromagnetice, microundelor, luminii vizibile, undelor infrarosii, ultraviolete, X-ray, gama ray; - energia termica asociata energiei cinetice a atomilor si moleculelor; - energie atomica este asociata fortei dintre nuclei si electroni; - energie moleculara este energia de legatura in molecule; - energie gravitationala asociata atractiei gravitationale dintre masa si pamant; - energie mecanica se refera la miscare, deplasare, forta; -
Pentru masuratorile propuse avem 6 tipuri de marimi: - marimi chimice semnalele provin de la cantitati ale materiei, cum ar fi: concentratie, compozitie, rate reactiei; - marimi electrice semnale de tip tensiune, curent si sarcina; - marimi magnetice intensitate, camp magnetic, densitate de flux; - marimi termice temperatura, caldura, flux de caldura; - marimi mecanice forta, presiune, viteza, acceleratie, pozitie; - marimi radiante caracterizeaza undele magnetice: intensitate, legatura de unda, polarizare, faza.
Pag. I. 2
Cap. I
Clasificarea senzorilor semiconductori: 1. Acustic - amplitudinea undei, faza, polarizare - viteza undei 2. Biologic - Biomasa (identitati, concentratii) 3. Chimici - componente (concentratii, stari) 4. Electrici - sarcina, curent - potential, diferenta de potential - camp electric (amplitudine, faza, polarizare) - conductivitate - permitivitate 5. Magnetici - camp magnetic - flux magnetic - permeabilitate 6.Mecanici - pozitie, viteza, acceleratie, forta, stres, presiune, masa, densitate - viteza fluxului - vascozitate - cristalinitate, integritate structurala 7. Optici - amplitudinea undei, faza, polarizare, spectru 8. Radiatie - energie, radiatie 9. Termici - temperatura, flux, caldura specifice, conductivitate termica
Prelucrare semnal
Schema marimilor de intrare (de masurat) si a celor de iesire
Pag. I. 3
Cap. II
Tehnici de microprelucrare
Cap.2. TEHNICI DE MICROPRELUCRARE Tehnologiile de microprelucrare pot fi clasificate n: - microprelucrare de volum - microprelucrare de suprafa
Microprelucrarea de volum Microprelucrarea de volum se bazeaz pe corodareasiliciului monocristalin i structurile micromecanice dezvoltate cu aceast tehnologie sunt realizate din siliciu microcristalin sau depus sau prin creterea de structuri pe siliciu. n microprelucrarea de volum pot fi utilizate dou tehnici: corodarea de pe faa plachetei i corodarea de pe spatele plachetei. Structurile micromecanice realizate prin tehnologii de microprelucrare pot fi mprite n trei categorii: - microstructuri statice structuri 3-D statice caviti, orificii circulare, conectoare electrice miniaturizate - microstructuri dinamice, diafragme i membrane, puni, borne Aceste structuri necesit un control al deplasrii pentru a realiza funcia dorit. - microstructuri cinetice - micromotoare, arcuri cu utilizri n microrobotic i microchirurgie Microprelucrarea de suprafa Utilizeaz straturi depuse sau crescute pe substrat pentru a fabrica dispozitive micromecanice. Astfel, procesele de microprelucrare de suprafa necesit un strat de sacrificiu care este nlturat ntr-o etap ulterioar pentru a elibera structura mecanic. Exist combinarea celor dou tehnici, pe care am avut-o n vedere, studiind materiale de mascare pentru oxizi, polisiliciu, metale, corodani organici i anorganici ai siliciului cu protejarea celorlalte elemente ale dispozitivelor existente pe chip, ct i tehnici de sudare plachete. Proiectarea de design, de tehnologii i de procese trebuie s in cont de toate aceste elemente cat i de forele specifice microlumii (forele electrostatice i forele de forfecare care sunt mari i deformeaz puternic sistemele micromecanice, n timp ce ineria i greutatea nu au importan), s-i asimileze legile i s ncerce s creeze tehnologii i procese mbuntite care s respecte aceste legi, dar care s ofere performane acceptabile din punct de vedere al productorilor de senzori i microsisteme.
Pag. II. 1
Cap. II
Corodarea umed anizotrop Corodarea umed anizotrop este un proces de corodare preferenial dup anumite direcii a unui material, utiliznd corodani din surs lichid. Siliciul monocristalin este compus din atomi aranjai ntr-o structur de diamant cu simetrie cubic. Corodanii anizotropi pentru siliciul uzual folosit sunt: hidrazin-ap, EDP (ethylendiamin-pirocatechol-ap), KOH (hidroxid de potasiu-ap), TMAH (hidroxid de tetrametilamoniu), CSOH (hidroxid de cesiu-ap). Corodanii sunt compui dintr-un component primar (hidrazin, etilendiamin, hidroxid de potasiu, etc.), un agent complexant (alcool izopropilic, catechol) i un diluant (ap). Dependena ratei de corodare de orientarea cristalografic este o trstur de baz a corodanilor anizotropi. Mai exact, suprafeele <111> se corodeaz cu o rat mai lent dect alte plane cristalografice. Aceasta indic c rata de dizolvare este o funcie de orientarea cristalului de siliciu. Calitativ, corodarea anizotrop este funcie de densitatea atomilor de siliciu pe centimetru ptrat (unitatea de arie). Ca o consecin a anizotropiei este posibil s dezvoltm structuri unice, care nu ar putea fi construite astfel. Spre exemplu, considerm o plachet de orientare <100> cu o fereastr ntr-un strat de SiO2 care acoper suprafaa. Expus la un corodant anizotrop apare o form de trunchi de piramid ca n figura de mai jos.
Fig.2.1.
Trunchiul este mrginit de planele <111> care au o rat de corodare foarte mic. Pe <111> au o nclinare de 54,7oC. Dependena de orientare a ratei de corodare cu EDP pe <100> este artat de fig.2.2. Rata de corodare variaz i ca funcie de tipul corodantului i de condiiile locale de corodare.
Pag. II. 2
Cap. II
Fig.3.2 Rata de corodare functie de directia cristalografica (siliciu <100> corodat in EDP) Configurarea structurilor. Pentru a obine o structur dorit muchiile ferestrei trebuie s fie corect orientate. Spre exemplu, pentru a obine un trunchi piramidal ca n fig. 2.3. , muchiile ferestrei trebuie s fie aliniate n direcia <110> ca in fig. 2.4. Fig.2.3. Profilul corodarii intr-o placheta <100> folosind o fereastra patrata ca masca.
Fig.2.3. Profilul corodarii in Si <100>
Pag. II. 3
Cap. II
Fig.2.4. Alinierea ferestrei de corodare pe o placheta <100> pentru a obtine profilul din fig.2.3.
Dac geometric este dezaliniat colurile concave i muchiile vor fi tiate prin corodare (Fig.2.4)
Fig.2.4. Aspectul unei ferestre dezaliniate corodate anizotrop

Pag. II. 4
Cap. II
O fereastra ptrata pe Si <100> da un trunchi de piramid ca in fig.2.3. Rata de corodare respecta legea lui Boltzman.
Re = Ro exp( Ec ): KT
Ro factor preexponenial Ec en. de activare K constanta Boltzman= 86,1 x 10-6 eV/K T temp n K
Selectivitate Corodanii anizotropi pot fi puternic selectivi la materialele de mascare (SiO2, Si3N4, SiON, Au) EDP - nu atac Au, Ag, Ta - atac Al - rata de atac a Si3N4, SiO2 este aproape nula KOH rat mare de corodare la oxizi, deci selectivitate scazuta TMAH selectivitate la SiO2, Si3N4 Tehnici de stop-corodare pentru corodarea anizotrop 1. Stop corodarea la regiunile puternic dopate n bor
Fig.2.5. Rata de corodare in EDP a concentratia de bor
siliciului dopat cu bor functie de
Pag. II. 5
Cap. II
Rate de corodare funcie de concentratia de bor La conc. de bor > 2,5 x 1019 cm-3, corodarea este independent de coninutul de bor. Peste aceast conc. critic, corodarea depinde de conc.de bor i rata scade n 3 ordine de mrime.
Rc 1
4
CB
Explicaia degenerarea siliciului
Fig. 2.6. Stop corodare la jonctiunea p-n
2. Stop corodarea electrochimic Corodani anizotropi alcalini pot fi utilizai pentru ndeprtarea chimic a siliciului (Si) nedorit i astfel sunt pstrate regiunile pasivate electrochimic. Ambele tipuri de plachete de Si(n) i Si(p) pot fi pasivate. Procesul (ECE) corodare anizotrop controlat electrochimic are un avantaj fa de doparea puternic cu bor (3x1019 cm-3) datorit tensionrii puternice a Si prin tratamentul termic necesar n cazul doprii cu bor. Oricare din prile jonciunii p sau n poate fi protejat la corodare prin legarea sa la anod, att timp ct potenialul anodic nu este suficient de mare pentru a crete polaritatea jonciunii p-n, cnd partea p este protejat. Corodarea se oprete cnd partea expus corodrii n soluie a jonciunii p-n este complet corodat. Fenomenul de pasivitate electrochimic este datorat formrii unui strat pasivant de bioxid de siliciu prin oxidare anodic, cnd reactantul ajunge la jonciune. De fapt, ideea de baz este realizarea unei membrane de siliciu de tip n, de obicei, un strat epitaxial obinuit, depus pe substratul de siliciu de tip p care va fi corodat selectiv pn la siliciul epitaxial de tip n.
Pag. II. 6
Cap. II
Aceast corodare selectiv se realizeaz prin aplicarea potenialelor electrochimice diferite la cele dou tipuri de siliciu de pe placheta imersat n soluia de corodare anizotrop. Realizarea jonciunii p-n pe o plachet de tip p se efectueaz prin depunerea epitaxial a unui strat epitaxial de tip n cu o anumit rezistivitate pe substratul de tip p al plachetei, caracterizat i acesta de o anumit rezistivitate. Pentru realizarea corodrii pn la jonciunea p-n se aplic o tensiune pozitiv direct pe siliciul de tip n printr-un contact ohmic, n timp ce contactul electric pe siliciul p este fcut prin soluia b de corodare cu un electrod adecvat utilizat pentru msurtori. Sub o polarizare anodic suficient, siliciul se pasiveaz ca urmare a formrii oxidului anodic i corodarea se oprete.
Fig. 2.7.a. Instalatie de corodare electrochimica
2.7.b. Definire microstructuri prin stop corodare electrochimic.

Pag. II. 7
Cap. II
3. Stop corodarea la timp de corodare n cazul timpului stop-corodare s-au avut n vedere : - viteza de corodare pentru toi reactanii este influenat considerabil de transportul substanelor n soluie spre plachet i de transportul produilor rezultai prin corodarea suprafeei plachetei. - se va lucra in solutii bine controlate ca temperatura, concentratie, agitare ai. conditiile sa fie perfect reproductibile dupa stabilirea experimentala a ratei de corodare Corodarea anizotrop chimic Corodarea anizotrop a siliciului monocristalin s-a studiat n soluii alcaline n funcie de: - orientarea planelor siliciului monocristalin - pasivarea siliciului monocristalin cu un strat de oxid sau nitrur - doparea cu bor la concentraii ridicate a siliciului monocristalin Viteza de corodare a fost determinat n funcie de: - temperatur - compoziia reactantului - orientarea planelor cristalului de siliciu - pasivarea siliciului - doparea puternica cu bor Corodanii lichizi anizotropi ai siliciului monocristalin: - cu component anorganic KOH, NaOH, LiOHH2O, CsOH - cu component organic etilendiamina, hidroxid de tetrametil amoniu, hidrazina, hidroxizi de amoniu cuaternari). Agentul complexant pentru a efectua dizolvarea const de obicei din alcool izopropilic, n-propanol, izobutanol, pirazin sau colin pentru sistemul organic. Pasivitatea siliciului este realizat cu: - oxid de siliciu termic, CVD, PSG, BPSG - nitrur de siliciu - oxinitrur de siliciu Corodanii anizotropi ai siliciului monocristalin manifest o reducere puternic a vitezei lor de corodare la concentraii de bor ridicate, depind aproximativ 2x1019 cm-3. Corodarea chimic selectiv s-a folosit n cazul depunerilor de siliciu epitaxial pe substraturi izolante i n procesele de izolare dielectric ale circuitelor integrate. Pentru soluii foarte concentrate s-a observat o descretere a ratei de corodare cu putere a patra a diluiei, n mod similar s-a constatat i n cazul suliciului dopat cu bor.
Pag. II. 8
Cap. II
Reducerea vitezei de corodare a fost gsit a fi invers proporional cu puterea a patra a concentraiei de bor pentru o soluie alcalin diluat, fiind mai puin eficace pentru o soluie alcalin concentrat. 3.1 Corodarea anizotrop chimic a siliciului monocristalin n soluie alcalin anorganic Hidroxidul de potasiu cea mai frecvent folosit soluie anorganic. Observaii: 1. viteza de corodare maxim a fost obinut la o concentraie de 1015%KOH fr adaos de alcool izopropilic i n jur de 30% KOH cu alcool izopropilic. 2. n cazul plachetelor de Si<100> energia de activare a fost gsit a fi ntre 0.52 i 0.60 eV 3. raportul vitezelor de corodare pentru planele cristalelor Si<100>/Si<111> este de 35:1. Specia principal de reacie a fost determinat ca fiind HO-. SiO2(OH)2-- se considera a fi produsul de corodare primar, cu polimerizare ulterioar. Si + 2H2O + 2HO- Si(OH)2O2-- + 2H2 Raley a presupus c 4e- sunt injectai n banda de conducie prin reacia de oxidare iniial care sunt mai trziu consumai n etapa de reducere: Si + 2HO- Si(OH)2++ + 4eSi(OH)2++ + 4e- + 4H2O Si(OH)6-- + 2H2
Pag. II. 9
Cap. II
Fig. 2.8.Profilul de corodare pentru siliciul <100> corodat anizotrop
Figura 2.9. Profilul de corodare pentru siliciul <110> corodat anizotrop
Pag. II. 10
Cap. II
Proprietile de cristalografie ale siliciului Structura cristalin a siliciului este de tip diamant cu o constant de reea = 5,43 . Structura este de tip fee cubice centrate. De mare importan pentru corodarea anizotrop sunt orientarea planelor relevante ale cristalului. Acestea sunt: - planele {111} plane care se corodeaz cel mai lent i - planele {100}, {110} care se corodeaz repede.
Figura 2.10. Planele de interes in cristalul de siliciu
Pentru micromecanic, dou direcii sunt importante <100> i <110>. Plachetele <111> nu pot fi microprelucrate utiliznd corodani cunoscui. Planele cristalului sunt caracterizate de un set de 3 indici numii indici Miller. Ei descriu vectorii normali (perp.) la planele cristaline n discuie. Ex: ntr-o reea cubic simpl se gsesc atomi n lungul direciilor x, y sau z, la o distan care este un numr ntreg al constantei reelei. Vectorii ax, ay genereaz un plan pe care vectorul az este normal. Acest plan este <001>. Mecanismul general la corodarea anizotrop Si Si Si : + 2OH- Si Si Si OH OH + 2e-cond
Pag. II. 11
Cap. II
La corodarea siliciului n KOH => Si + H2O + 2KOH K2SiO3 + 2H2 Si + 2OH- Si(OH)2++ + 4e4H2O + 4e- 4OH- + 2H2 Si(OH-)2++ + 4OH- SiO2(OH)2-- + 2H2O ________________________________ ntreaga reacie este nsumat astfel: Si + 2OH- + 2H2O SiO2((OH)2-- + 2H2 La corodarea unui V-Groove
= 54,7.
hhh tg = => a == a atg2 h 2 x nlimea = 2 h => limea unui V-Groove =2a = 2 2
La corodarea unei membrane:
a = W + 2 h
Lipirea structurilor micromecanice la substrat - lipirea structurilor la substrat dup supracorodare n ageni chimici umezi apare in cazul structurilor eliberate prin corodare de sacrificiu Mecanismul i natura forelor care atrag straturile subiri la substrat sunt controversate. Dou mecanisme joac un rol important: a) fora care trage structura n jurul suprafeei pasive probabil determinata de tensiunile de suprafa dintre lichidul n care plachetele sunt curatite si suprafata plachetelor. Sunt fore Van der Vools, electrostatice, legturi de H2 i reacii chimice care intr n joc, rezultnd o legtur permanent a structurii la substrat. Metode de evitare: - prevenirea contactului ntre structur i substrat n timpul fabricaiei corodare uscat.
Pag. II. 12
Cap. II
- reducerea forelor de aderen Utilizarea suprafeelor hidrofobe sau creterea rugozitii suprafeei.
Pag. II. 13
Capitolul 2Senzori de siliciu integrati si tehnici de microprelucrare ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
2. 2. MICROPRELUCRAREA DE SUPRAFATA A SENZORILOR Avantajele tehnologiei de microprelucrare a suprafe]ei constau `n capacitatea de a produce senzori mai mici precum [i din faptul c\ prezint\ multe aspecte comune cu tehnologia circuitelor integrate. Ca urmare al progresului, far\ precedent `n acest domeniu din ultimii ani, ne-am concentrat asupra microprelucrarii suprafe]ei polisiliciului. Studiul polisiliciului pentru aplica]iile de microprelucrare a suprafe]ei include: depunerea, doparea, annealing, straturile de sacrificiu [i corodarea de sacrificiu precum [i caracterizarea filmelor de polisiliciu.
Conceptul de baza al tehnologiei de microprelucrare a suprafetei Microprelucrarea suprafe]ei este o tehnica pentru fabricarea structurilor multi
strat 3D micromecanice [i configurarea filmelor sub]iri. Conceptul de baza al tehnologiei de microprelucrare a suprafe]ei a fost demonstrat ini]ial pin depuneri de filme metalice de catre Nathanson in 1960. Interesul a sporit `n aceasta direc]ie dupa anul 1987, cand a `nceput dezvoltarea acestei tehnologii [i continua cu un succes deosebit [i astazi.
Structuri multi strat

Conceptul de baz\ al tehnologiei de microprelucrare a suprafe]ei este descris in fig.2.14. Mai `ntai, un strat izolator este depus pe un substrat de siliciu pentru izolarea electrica, numit [i strat protector. Apoi, un strat de sacrificiu este depus deasupra stratului izolator [i configurat. Urmatoarea etap\ const\ `n depunerea stratului de polisiliciu, peste stratul de sacrificiu, urmat de configurarea sa. ~n final, stratul de sacrificiu este [i el corodat, folosind corodarea selectiv\ a acestuia. Deci, se ob]ine o structur\ micromecanic\ liber\. Abordarea microprelucrarii de suprafa]\ este atractiv\ deoarece structurile mai mici pot fi ob]inute cu un control dimensional mult mai bun `n compara]ie cu microprelucrarea de volum. Alte diferen]e `ntre microprelucrarea de volum [i de suprafa]\ sunt subliniate in tabelul 2.11. Microprelucrarea de suprafa]\ confera posibilitati pentru utilizarea de combina]ii variate de filme sub]iri. Stratul de
polisiliciu poate fi `nlocuit cu: nitrura de siliciu, dioxid de siliciu, poliimida, tungsten,
molibden, carbura de siliciu amorfa, aliaj TiNi, permaloi Ni-Fe sau filme composite ca polisiliciu-ZnO sau polisiliciu-nitrur\ de siliciu - polisiliciu. Compozi]ia stratului de sacrificiu depinde de stratul materialului din care va fi format\ structura micromecanic\ . Tabelul 2.12 prevede un rezumat al combina]ilor diferite de strat de sacrificiu [i de stratul materialului din care va fi format\ structura micromecanic\, descrise in literatura/L. Ristic, Sensor Technology and Devices, 1994 Artech House, Boston, pp.95-150/. Aceasta este o ilustra]ie de eventual\ tehnologie de microprelucrare de suprafa]\. Fara `ndoial\, tehnologia de microprelucrare de suprafa]\ reprezint\ cercetarea de viitor `n ceea ce prive[te posibilit\]ile utiliz\rii de noi materiale, care la randul lor ofer\ o varietate de alte solu]ii tehnologice.
Strat de sacrificiu
Substrat
Strat de izolare
Polisiliciu Strat de sacrificiu
Substrat
Strat de izolare
Strat activ
Substrat Strat de izolare
Fig.2.14. Suprafata microprelucrata: (a) stratul de sacrificiu configurat; (b) stratul activ configurat; (c) bara suspendata dupa corodarea de sacrificiu. Tabel 2.11. Compararea microprelucrarii de volum cu cea de suprafa]\
Tr\s\turi caracteristice
Microprelucrarea de volum
Microprelucrarea de suprafa]\ Polisiliciu
Stratul materialului din care va Siliciu fi formata structura micromecanica Stratul de sacrificiu M\rimea
PSG, SiO2
Factorii de procesare
Mare (dimensiunile cavit\]ii Mic\ (precizie `nalt\ controlat\ tipice sunt de ordinul a sute deprin grosimea filmului depus; m) dimensiunile tipice sunt mai mari de ca]iva m) a)Procesarea pe o fa]\ sau pe a)Procesarea pe o fa]\ (pe fa]\) b)Selectivitatea materialului la ambele fe]e(fa]\ [i spate) b)Selectivitatea materialului la corodare c)Corodarea: izotrop\ corodare d)Stres rezidual `n filme (depinde c)Corodarea: anizotrop\ de: depunere, dopaj, annealing) (depinde de orientarea cristalului) d)Stop corodare e)Configurarea
Tabel 2.12 Combinarea stratului materialului din care va fi format\ structura micromecanic\ [i a stratului de sacrificiu pentru microprelucrarea de suprafa]\ Stratul materialului din care va fi formata Stratul de sacrificiu structura micromecanica Grosimea tipic\ (m) Material Grosimea Material tipic\ (m) Polisiliciu1- 4 1- 7 PSG, SiO2 Si3N40.2 - 2 2 PSG, SiO2 SiO21-3 1- 3 Polisiliciu Poliimid\10 1.5 - 3 Al W2.5 - 4 8 SiO2 Mo0.5 0.7 Al SiC1.5 1.5 SiO2 TiNi8 3 Poliimid\ sau 2 Au 7 Al sau 7 NiFe 2.5 Cu 0.6 PSG 2 PSG PoliSi-ZnO 2 0.95 PoliSi1- 0.2 -1 Si3N4PoliSi
Straturi de sacrificiu si corodarea de sacrificiu
Straturile de sacrificiu depuse sub form\ de film pot fi utilizate ca un material de e[afodaj `n realizarea structurilor tridimensionale. Aceste straturi, deasemenea, pot servi drept surs\ de dopare. Utilizarea oxidului dopat cu fosfor ca strat de sacrificiu este solu]ia cea mai des `ntalnit\. Rata de corodare [i propriet\]ile de curgere pot fi stabilite controland `ncorporarea dopantului. Mai mult, selectivitatea corod\rii oxidului de siliciu `n solu]ia de acid fluorhidric diluat (HF) este `n general bun\ [i atunci cand acesta este depus peste alte materiale ca polisiliciul [i nitrura de siliciu. ~n general, se depune sticl\ fosfosilicat (PSG) pentru aplica]ile microprelucrarii de suprafa]\ care `n mod obi[nuit este ob]inut\ termic LPCVD (depunere chimic\ `n stare de vapori la presiune joas\) utilizand silan SiH4, oxigen O2 [i fosfin\ PH3. De[i ratele de corodare ale acestor filme sunt importante, `n multe aplica]ii de microprelucrare de suprafa]\, procesul de corodare al PSG-ului de sacrificiu este un proces complex, astfel corodarea poate s\ se implice [i pe sub strat cu o vitez\ decorodare limitat\. ~n fig.2.15 se arat\ o schem\ reprezentativ\ cu [apte etape distinctive identificate a secven]ei corod\rii de sacrificiu. S-a stabilit c\ limit\rile de transfer de substan]\ extern\ sunt nesemnificative [i procesul de corodare s-a modelat ca un sistem constant cu parametru localizat al reac]iei de difuzie. Fluxul de difuzie (dif), sau viteza de transport a reactantului la interfa]a fluidsolid, se calculeaz\ cu ecua]ia: Cb Cs dif = DHF ~n mod analog se stabile[te [i pentru fluxul de reac]ie (rec), ecua]ia: rec = kef (Cs)n ~n ecua]ia stabilit\ pentru fluxul de reac]ie (rec), constantele de vitez\ ale adsorb]iei, reac]iei de suprafa]\ [i desorb]iei sunt reprezentate de kef, iar n este ordinul de reac]ie. Cb [i Cs sunt concentra]iile de volum [i respectiv de suprafa]\ ale reactantului. DHF reprezint\ difuzia HF `n ap\ [i lungimea de difuzie. Astfel, rezultatele experimentale pentru solu]iile concentrate de HF (49%) corelate cu modelul de anticipare arat\ c\ numai dup\ 10min. `n solu]ia de corodare, difuzia reactantului are vitez\ determinant\.
Absorbtie
Desorbtia produsului
Reactie la suprafata
Fig.2.15.Reprezentarea schematica a mecanismului corodarii de sacrificiu a PSG

1Transportul reactantului extern 2Difuzia reactantului 3Difuzia produsului 4Transfer de mas\ al produsilor de reactie spre exterior
De asemenea, se arat\ c\ geometria canalului de corodat afecteaz\ timpul de corodare `n func]ie de distan]a corodat\ `ntr-un canal rectangular crescand cu l\]imea canalului. Cand reactantul este `n faz\ lichid\ difuzeaz\ direct propor]ional cu temperatura, timpul de corodare pentru PSG poate fi mic[orat prin cre[terea temperaturii solu]iei de corodare.Vitezele reac]iei de corodare depind exponen]ial cu temperatura [i `n acela[i timp [i selectivit\]ile celorlalte materiale din solu]ie (de exemplu, nitrura de siliciu, metale) pot fi serios afectate. ~n cazul unei aplica]ii particulare, condi]iile corod\rii de sacrificiu vor varia [i pot fi optimizate pentru fiecare situa]ie `n parte. Crescand concentra]ia de fosfor atat cat este necesar pentru cresterea vitezei de corodare al stratului de PSG, poate constitui o decizie hazardata, cu urm\ri `n special asupra lungimilor de difuzie, care pot fi mici [i de asemenea cu urm\ri asupra selectivit\]ii `n corodare care deja constituie o grij\ major\. Mai mult, m\rind expunerea polisiliciului `n solu]ia de HF se pot degrada propriet\]ile mecanice, de
aceea se urm\re[te pentru corodarea de sacrificiu ca timpul s\ fie cat mai scurt. Con]inutul mai mare de PSG poate totu[i determina o curgere mai neuniform\ sau o deformare a aderen]ei stratului de material din care va fi format\ structura pe perioada ciclurilor de relaxare a stresului de la temperatura ridicat\. Aceast\ problem\ poate fi `mpiedicat\ prin folosirea unui film de sacrificiu combinat. Filmele de oxid de sacrificiu combinate sunt descrise `n fig.2.16 [i au fost utilizate pentru acele experimente care au necesitat grosimi totale de 2m (filmele dopate [i nedopate). Etapa de acoperire cu filme de sacrificiu devine o problem\ mai important\ cu cat complexitatea microstructurii cre[te, dimensiunile critice descresc [i straturile multiple din materialul din care va fi format\ structura devin obi[nuite. Straturile tipice pentru aplicatiile de microprelucrare de suprafata sunt mai groase de cativa micrometri, cu distan]area dintre structurile vecine de acela[i ordin. Aceasta poate avea drept rezultat dificultatea de a planariza suprafete care au capatat topografii nedorite aparute in timpul proceselor de depunere a diferitelor straturi.
Polisiliciu Oxid nedopat 2 PSG Oxid nedopat 1 Si3N4
Siliciu
Fig.2.16. Sectiune transversala printr-o structura multistrat de sacrificiu si polisiliciu
1. L. Ristic, Sensor Technology and Devices, Artech House, Boston, London, Cap. 3, Cap.4, pag. 49-150 2. H. Seidel, L. Csergi, A. Heuberger, H. Baumgartel, Anisotropic Etching of Crystalline Silicon in Alkaline Solutions, J. Electrochem. Soc., Vol.137, No.11, (1990), pp.3612-3633.
3. Miko Elwenspoek, Etching Technology, UETP-MEMS Course, Chapter I, II, III, IV, V 4. S.M.Sze, Semiconductor Sensors, Wiley & Sons, 1994, 17-96, 97-143, 153-194, 473-523 4. S. Tan, M.L.reed, H. Han, R. Boudreau, Mechanisms of Etch Hillock Formation, J. of Micro. Sys., vol. 5., no. 1, March 1996, pp.66-71. 5. E. Peeters, B. Puers and W. Sansen, A Two Wire, Digital Output Multichannel Microprobe for Recording Single-unit Neural Activity, Sensors and Actuators B, 4 (1991) 217-223. 6. S. Wang, V. McNeil and M. Schmidt, Selective etchimg of n-type silicon using pulsed potential anidozation, 1991 IEEE, pp.819-822. 7. M.C. Jeong, C.H.Pyun, I.H. Yeo, Voltammetric Studies on the Palladium Oxides in Alkaline Media, J. Electrochem. Soc., Vol.140, No.7, (1993), pp.1986-1988. 9. C. Moldovan, R. Iosub, D. Dascalu, Gh. Nechifor, Anisotropic Etching of Silicon in a Complexant Redox Alkaline System, Eurosensors XII, Southampton, pp. 10091012 14. M. Elwenspoek, On the Mechanism of Anisotropic Etching of Silicon, JES, Vol.140, No7. July 1993, pp2075-2080 15. C. D. Gutsche, B. Dhawan, K. Hyum No, R. Mathukrishnan, Calixarenes. 4. The Synthesis, Characterization, and Properties of the Calixarenes from p-tertButylphenol, J. Am. Chem Soc., 103 (1981), 3782-3792 16. S. Shinkai, K. Araki, J. Shibata, D. Tsungawa, O. Manabe, Autoaccelerative Diazo Coupling with Calix[4] arene: Substituent Effects on the Unusual Co-operativity of the OH Groups, J. Chem. Soc. Perkin Trans.1 (1990), 3333-3337 17. Linus Pauling, General Chemistry, W.H. Freeman and Company, San Francisco, 1970, translated in Bucharest 1972, pp. 461-462 18. K. Sato, M. Shikida, Y. Matsushima, T. Yamashiro, K. Asaumi, Y. Iriye, M. Tamamoto, Characterization of orientation-dependent etching properties of singlecrystal silicon: effects of KOH concentration, Sensors and Actuators A, 64 (1998) 8793 19. P. M. M. C. Bressers, J. J. Kelly, J. G. E. Gardeniers and M. Elwenspoek, Surface Morphology of p-Type (100) Silicon Etched in Aqueous Alkaline Solution, Journal of the Electrochemical Society, 143 (1996), 1744-1750 20. M. Elwenspoek, Stationary Hillocks on Etching Silicon, Proceedings, The Ninth Micromechanics Europe Workshop MME'98, Ulvik in Hardanger, Norway, June 3-5, 1991, pp 70-73 21. H. Schrder, E. Obermeier, A. Steckenborn, Formation, prevention and removal of micropyramids on KOH etched <100> silicon, Proceedings, The Ninth Micromechanics Europe Workshop MME'98, Ulvik in Hardanger, Norway, June 3-5, 1991, pp 28-31 22. T. Abe, A Contamination-Free Microstructure in a Humid Environment by Means of a Combination of Hydrophilic and Hydrophobic Surfaces, Journal of Microelectromechanical Systems, 7 (1998), 94-101
Cap. III
Tehnici de excitatie - detectie
Cap. 3. TEHNICI DE EXCITATIE DETECTIE
Toti senzorii mecanici se bazeaza pe principii fizice pentru a transforma semnalul mecanic intr-un semnal electric. Tehnicile de citire (read-out) pot fi clasificate: a. Metode statice: 1. detectia stresului- piezorezistiv (stres normal) - tensiunea transversala (stres de forfecare) senzorii Hall - efectul de piezojonctiune 2. detectia deformarii- capacitate, interferenta optica
b. Metode rezonatoare Pentru senzori rezonatori, frecventa de rezonanta este elementul utilizat in detectia marimilor de intrare. Ex: Pentru un senzor de presiune, frecventa de rezonanta a unei membrane de Si depinde de presiunea aplicata. Citirea poate fi piezorezistiva, electrica sau optica. Piezorezistivitatea este o proprietate de material care se refera la faptul ca pentru anumite materiale rezistivitatea in volum este influentata de stresul mecanic aplicat materialului. Senzorii rezonatori Un senzor rezonator este un dispozitiv cu un element vibrator la rezonanta care-si schimba frecventa de iesire (frecventa de rezonanta mecanica), functie de un parametru fizic sau chimic de intrare. Senzorii rezonatori din siliciu reactioneaza la schimbarile de stres prin schimbarea frecventei de rezonanta, fiind de 100 de ori mai sensibili ca traductoarele piezorezistive analogice standard. Materialul rezonatorului La primele tipuri de rezonatoare elementul rezonator era realizat din metal (diferite metale), dar cum calitatea rezonatorului este strans legata de proprietatile mecanice ale materialului rezonator, alte materiale au fost investigate si utilizate. Materialele monocristaline Si si cuartul au foarte bune proprietati rezonatoare, un Q intrinsec foarte mare. Acestea sunt considerate cele mai bune candidate pentru realizarea elementelor rezonatoare. Factorul de calitate Q este o masura a pierderii de energie a rezonatorului, sau in alte cuvinte, o masura a atenuarii mecanice. Factorul Q ca: este definit Q = 2 maximul de energie stocata intr-o perioada/energia disipata pe perioada - Siliciul este foarte elastic, anizotrop. Proprietatile mecanice ale siliciului monocristalin si marele numar al diferitelor procese de fabricatie comuna in tehnicile de microprelucrare fac
Pag. III. 1
Cap. III
posibila realizarea de senzori rezonatori performanti, cu rezolutie inalta, acuratete si repetabilitate. -Siliciul policristalin are un Q intrinsec < QSi monocristalin, dar are cateva caracteristici bune: - utilizeaza procesele de depunere standard, optimizate pentru eliminarea stresului, - este suficient de elastic si se preteaza foarte bine la microprelucrarea de suprafata. - Cuartul are avantajul ca este un material piezoelectric care poate fi utilizat pentru excitatia si detectia vibratiei. Principiile excitatiei si detectiei rezonatorilor Un senzor complet consta din: rezonator, unitate de excitatie, unitate de detectie si circuitul de feedback (fig.3.1)
Fig.3.1. Schema bloc a senzorului rezonator
Circuitele de pe bucla de reactie asigura rezonatorul sa fie mentinut pe modul dorit de rezonanta, atunci cand frecventa de rezonanta este schimbata ca rezultat al schimbarii in cantitate masurata. Exista sase tipuri principale de excitatie-detectie: 1) Excitatie electrostatica si detectie capacitiva.
Fig. 3.2
Pag. III. 2
Cap. III
Sunt 2 electrozi intr-o vecinatate, unul dintre electrozi este o parte a structurii vibratoare
Si, n
Fig. 3.3. Sectiune transversala a unui senzor rezonator cu un electrod punte din polisiliciu, realizat prin microprelucrare de suprafata
In puntea cu rol de electrod se prevad gauri pentru reducerea efectului de pompare a aerului. 2) Detectie si excitatie piezoelectrica Un material piezoelectric va fi deformat daca este supus unei tensiuni mecanice externe. Siliciul nu este piezoelectric. Se depune ZnO.
Fig.3.4.
Un astfel de material isi schimba caracteristicile electrice daca este supus stresului de deformare. Aceasta proprietate este utilizata in detectarea vibratiei utilizand aceeasi structura pentru excitatie.
3) Excitatie si detectie dielectrica Aceasta tehnica utilizeaza o structura sandwich formata dintr-un strat dielectric intre doi electrozi, asezate pe o bara vibratoare ca in fig3.5.
Pag. III. 3
Cap. III
Fig.3.5.
- o tensiune aplicata creaza forte de atractie intre cei doi electrozi care vor deforma stratul dielectric. Deformarea acestuia va crea un stres lateral rezultand un moment de indoire a structurii multistrat, - structura multistrat poate fi utilizata pentru detectia vibratiei. Modificarea grosimii stratului dielectric introduce modificari in capacitatea dintre cei doi electrozi. 4) Excitatie prin incalzire rezistiva si detectie piezorezistiva Este posibil sa generam o vibratie daca o anumita arie a rezonatorului este supusa unor pulsuri de caldura. Caldura creaza o expansiune laterala a materialului rezultand o deflexie a elementului rezonator. Incalzirea termica se poate realiza printr-un rezistor difuzat integrat sau printr-un rezistor de poli.
Fig.3.6.
- Senzorii integrati sunt utilizati pentru detectia vibratiei, caci siliciul este un material piezorezistiv. - Un rezistor supus la stres isi modifica rezistenta detectia.
5. Excitatie optica si detectie optica

Pag. III. 4
Cap. III
- Lumina absorbita de la un laser focalizat pe un rezonator este utilizata pentru a genera un stres termic necesar vibratiei. - Un aranjament optic poate fi utilizat pentru detectia vibratiei
Fig.3.7
- Principalul avantaj al utilizarii tehnicii de detectie optice este aceea ca ea nu poate sa interfere si sa degradeze vibratia si ca nu este dorit un aranjament integrat de detectie. 6. Excitatie si detectie magnetica
Fig.3.8.
Forta rezultanta din interactiunile intre curentul electric prin structura si campul magnetic este utilizata pentru excitarea rezonatorului. Operatia inversa excitatiei magnetice, unde vibratia unui conductor intrun camp magnetic creaza o tensiune indusa, poate fi utilizata pentru a detecta vibratia.
Pag. III. 5
Cap. III
MODELUL MATEMATIC PENTRU DETERMINAREA FRECVEN}EI DE REZONAN}| {I A SENSIBILIT|}II UNEI MICROPUN}I DIN POLISILICIU Frecven]a unui rezonator mecanic este o prob\ important\ de sensibilitate pentru parametrii care `[i modific\ poten]ialul sau energia cinetic\.. Parametrii fizici sau chimici pot fi sesiza]i prin `nc\rcarea asociat\ rezonatorului sau prin acoperirea lui cu straturi sensibile (ex: polimeri). Rezonan]a mecanic\ poate fi atinsa prin excitarea structurii `n mai multe moduri. De asemenea vibra]ia rezultat\ poate fi detectat\ `n diverse moduri. Vom analiza cazul important al excit\rii electrostatice [i detec]iei capacitive. Pentru acest caz vom utiliza un model liniar pentru a analiza r\spunsul rezonatorilor la parametrii variabili `n timp Fig. 1 ilustreaz\ un rezonator punte care vibreaz\ `n modul fundamental. Pentru un rezonator punte care vibreaz\ `n modul fundamental, deflexia vertical\ este: w(u,t) = W1(u) ejt (1)
unde W1(u) este amplitudinea fundamentalei. La mijlocul micropun]ii deci `n punctul de amplitudine maxim\, energia poten]ial\ Ep este egal\ cu energia total\ a vibra]iei. Segmentele diferen]iale ale pun]ii sunt supuse unui moment de `ndoire [i unei `nc\rc\ri axiale, ambele contribuind la energia poten]ial\ Ep:
L
d2 W1 ( u)
EP =
~n rela]ia (2), E = Modulul lui Young I = hs3/12 = momentul de iner]ie al pun]ii de grosime s [i l\]ime h = unghiul format de segmentele diferen]iale supuse unui moment de `ndoire z = segmentul diferen]ial al pun]ii Energia cinetic\ maxim\ Ec, se ob]ine un sfert de ciclu mai tarziu, cand fiecare segment trece prin linia central\ cu o vitez\ vw (u) = 1W1(u) :
2 EC = 1 2 C = m v w(u) /2 E * 2 = 1 /2
L
1 / 2M du + F(z u)du = E I/2 du + du2 000
F dW1 ( u) 2 du du (2)0
L 2
hsW1 ( u)du
(3)
= densitatea Prin legea conserv\rii energiei, prima frecven]\ de rezonan]\ este dat\ de rela]ia: 21 = EP / EC* Rezult\:
Pag. III. 6
(4 )
Cap. III
EI d2 W1 ( u) F dW1 ( u) du du + 2 du2 du 0 2
(5)
12 = 0L12 2 hsW1 ( u)du0 O aproximare foarte bun\ se ob]ine pentru frecven]a de rezonan]\ cu rela]ia (5), `n condi]iile unor presupuneri corecte asupra formei modului de vibra]ie. Frecven]a de rezonan]\ este important\ pentru realizarea design-ului senzorilor rezonan]i. ~n general, un parametru p poate s\ perturbe energia cinetic\ sau poten]ial\ a structurii. Sensibilitatea S este definit\ ca schimbarea frac]ional\ a frecven]ei de rezonan]\ o , datorat\ schimb\rii incrementale a parametrilor, S = o-1 (do /dp ) Substituind expresia frecven]ei de rezonan]\ (16) ob]inem pentru S: S = -(1/2)(1/Eco*)(dEc*/dp)p=o(1/2)(1/Epo) (dEp/dp)p=o(6) Consider\m o micropunte de polisiliciu de grosime 1,35 m, acoperit\ cu un strat polimer de b=150nm cu proprietatea de a absorbi vaporii organici chimic compatibili, pe care o excit\m pe modul fundamental. Introdus\ `ntr-un mediu chimic activ, rezult\ o cre[tere a masei care perturb\ energia cinetic\. ~n rela]ia (6) considerand concentra]ia de vapori c, sensibilitatea devine: S = -(1/4ECO*) (df /dc) h f bW12 ( u) du
0 L
(7)
b = grosimea stratului polimer h f = l\]imea stratului polimer f = densitatea stratului polimer Expresia (7) indic\ c\ S poate fi crescut\ prin cre[terea grosimii stratului polimer b, relativ la grosimea stratului de polisiliciu, care contribuie la Eco*. ~n plus, stratul polimer trebuie concentrat `n centrul pun]ii, unde W1(u) este maxim. Microrezonatorul punte este sensibil la perturba]iile energiei cinetice. Dac\ forma modului de vibra]ie nu este alterat\ prin aplicarea for]ei F [i nu exist\ o `nc\rcare static\ ini]ial\, vom ob]ine pentru sensibilitate:
L dW1 ( u) du1 du 0S=22 L (8) d2 W1 ( u) EI du du2 0unei pun]i `nc\rcat\ axial este independent\ de `nc\rcarea Sensibilitatea 2
aplicat\ [i propor]ional\ cu raportul energiilor poten]iale de `ntindere [i de `ndoire.

Pag. III. 7
Cap. III
EXEMPLU DE DETERMINARE A FRECVENTEI DE REZONANTA SI A SENSIBILITATII

Vom alege pentru func]ia W1(u), expresia, W1(u) = A sin ( u/ L),A = amplitudinea oscila]iei L = lungimea micropun]ii Am ales aceast\ form\ a modului de vibra]ie, ]inand cont de condi]iile la limit\ (puntea este prins\ la ambele capete), decisin (0) = 0, pentru u=0 sin () =0, pentru u=L Inlocuind `n rela]ia (5) func]ia W1 , se obtine :
12 =
EI
sin du + cos du L LL2 0 L 0 L 2 1u hs sin du 2L

0
L 2 2 F u u
(9) sau
1 =
4 L 1L F 2 L 1L sinEI++ sin 256 2 2 2 16 2 22 1L L 1 hs sin 2 22
(10)
Micropuntea a fost realizata din polisiliciu.Valorile elementelor care intervin sunt: -grosimea pun]ii s =1.0 -2.0m; -lungimea pun]ii L = 100 500 m -la]imea pun]ii h = 10 50 m. -densitatea polisiliciului = 2100 kg/m3; -modulul de elasticitate E = 1.5 1011 N/m2; -momentul de iner]ie al barei I = hs3/12
Din graficul ob]inut (Fig.2) `n care am determinat frecven]a de rezonan]\ func]ie de lungimea L [i l\]imea micropun]ii h, se constat\ c\ frecven]a de rezonan]\ este de ordinul sutelor de KHz. Restul m\rimilor din rela]ia (9) sunt constante. Varia]ia l\]imii micropuntii are o contribu]ie nesemnificativ\ asupra frecven]ei de rezonan]\ comparativ cu influen]a introdus\ de varia]ia lungimii acesteia. Frecven]a de rezonan]\ scade cu cre[terea lungimii micropun]ii. Valorile ob]inute sunt acceptabile ca ordin de m\rime din punctul de vedere al proiect\rii circuitelor de detec]ie [i sunt `n conformitate cu modelul teoretic folosit . Simularea am f\cut-o utilizand programul MATLAB.
Pag. III. 8
Cap. III
Pornind de la constatarea c\ l\]imea are o contribu]ie ne`nsemnat\ `n varia]ia frecven]ei de rezonan]\, am simulat frecven]a de rezonan]\ utilizand rela]ia (9), func]ie de varia]ia lungimii L [i a for]ei axiale aplicate F. Graficul rezultat (Fig.2) ne indic\ c\ la aceea[i lungime frecven]a de rezonan]\ cre[te cu cre[terea for]ei aplicate, iar la accea[i for]\ aplicat\ frecven]a de rezonan]\ descre[te cu cre[terea lungimii pun]ii. ~nlocuind func]ia W1(u) `n rela]ia (8), se ob]ine varia]ia sensibilit\]ii `n func]ie de lungimea micropun]ii:
L
S=
u cos du L0 22EI
2L
(11)
sau
sin du L 0 L 2L L+ sin 2
(12)
S=
EI 2 L 2 sin L 2
Din graficul ob]inut (fig.3) se constat\ cre[terea sensibilit\]ii cu lungimea micropun]ii. Lungimea micropun]ii a fost aleas\ `ntre 100-500 m. Se constat\ o sc\dere a sensibilit\]ii cu cre[terea l\]imii pun]ii. Sensibilitatea este independent\ de for]a axial\, dar depinde de momentul de `ndoire. Se constat\ o bun\ sensibilitate la lungimi relativ mari (0.5 mm). Rezultatele ob]inute constituie o referin]\ important\, care au fost luate `n considerare, `n proiectarea structurii rezonatoare.
Fig.1. Rezonator punte care vibreaza pe modul fundamental
Pag. III. 9
Cap. III
Fig.2. Frecventa de rezonan]a a unei pun]i din polisiliciu, functie de lungime si latime
.
Fig.3. Sensibilitatea unei pun]i din polisiliciu func]ie de dimensiuni
(lungime, latime)
Pag. III. 10
Cap. IV
Microsenzori pentru marimi mecanice bazati pe piezorezistivitate
Piezorezistivitatea este o proprietate de material exprimata prin aceea ca rezistivitatea n volum este influentata de stresul mecanic aplicat materialului. Mai multe materiale prezinta dependenta de stres prin mobilitate sau numar de purtatori de sarcina ca functie de volumul materialului. - Schimbarea volumului afecteaza diferenta de energie ntre banda de conductie si cea de valenta. Deci, numarul de purtatori si astfel rezistivitatea se schimba. - Siliciul monocristalin are o piezorezistivitate ridicata combinata cu proprietati mecanice excelente, care l fac dorit pentru conversia deformarii mecanice ntr-un semnal electric. - Siliciul este adesea utilizat ca material de baza pentru senzori piezorezistivi de presiune, debit, forta, acceleratie.
Avantajele folosirii siliciului ca material piezorezistiv: siliciul este un material foarte robust; rezistoarele sunt limitate la suprafata siliciului unde stresul este maxim fabricatia de serie poate profita de tehnologiile compatibile C.I. este posibila integrarea circuitelor electronice direct pe cipul senzorului pentru amplificarea semnalului si compensarea temperaturii.
Descrierea matematica a piezorezistivitatii Vom da o descriere matematica a piezorezistivitatii fara a considera natura sa fizica. Ea ncepe cu o relatie generala tridimensionala ntre curent si campul electric. Este introdusa o metoda pentru a descrie influenta stresului n aceasta relatie. - simetria retelei cristaline ne ajuta sa simplificam modelul matematic destul de complex altfel Pentru un cristal anizotrop tri-dimensional, vectorul camp electric () este legat de curentul (i) printr-un tensor de rezistivitate ( 3 x 3). 1 1 6 5 i1 = i 2 6 2 4 2 3 5 4 3 i3
(1)
Piezorezistivitatea ntr-un sistem de coordonate aliniat cu axele cristalului Siliciul si germaniul au o structura de cristal cubica. Daca axele carteziene sunt aliniate cu axele <100> ale cristalului, atunci 1, 2 si 3 definesc dependenta campului electric n lungul uneia din axele <100> ale cristalului de curentul n aceeasi directie. 4, 5 si 6 sunt rezistivitatile legate de campul electric din lungul unei axe de curentul din directia perpendiculara. - pentru un conductor izotrop, spre exemplu, siliciul nestresat, 1= 2= 3= si 4= 5= 6= 0 - ntr-un material piezorezistiv aceste 6 componente depind de stresul n material care poate sa fie descompus n sase componente: trei componente ale stresului normal 1, 2, 3 n lungul axelor cristalului cubic si trei componente ale stresului de forfecare 1, 2, 3 definite n figura.
Pag. IV.1
Cap. IV
Figura 1 Daca ne referim la rezistivitatile ntr-un camp izotrop nestresat, atunci putem scrie cele sase componente ale rezistivitatii: 1 1 2 2 3 3 (2) = + 4 0 4 5 0 5 0 6 6 Efectul de piezorezistenta poate fi descris prin raportarea fiecaruia din cele sase schimbari de rezistenta fractionale, i / la fiecare din cele sase componente ale stresului. Matematic, acestea conduc la o matrice de 36 coeficienti. Prin definitie, elementele acestei matrice sunt numite coeficienti de piezorezistenta ij. Pentru a defini matricea, ar trebui sa facem 36 de masuratori independente. Considerand un material cristalin, aceasta sarcina este mult simplificata. - conditiile de simetrie conduc la anumite relatii ntre diferite componente ale matricii, care reduc numarul de componente independente la mai putin de 36. - pentru un cristal cubic al siliciului si germaniului mimam trei coeficienti diferiti si matricea devine: 1 11 12 12 0 0 0 1 0 0 0 2 12 11 12 2 1 3 12 12 11 0 0 0 3 (3)= 4 0 0 0 44 0 0 1 0 0 0 0 0 44 5 2 6 0 0 0 0 0 44 3 Combinand ecuatiile (1) (2) si (3) rezulta expresia campului electric ntr-un cristal cubic sub stres.
Pag. IV.2
Cap. IV
1 = i1 + 111i1 + 12(2+3)i1 + 44(i23 + i32) 2 = i2 + 112i2+ 12(1+3)i2 + 44(i13 + i31) 3 = i3 + 113i3+ 12(1+2)i3 + 44(i12 + i21) Contributia Efectul deReflecta o comportare conductieipiezorezistentapiezorezistiva complicata constante
(4)
Acesti coeficienti sunt proprietati de material si variaza de la un material la altul. Coeficientii de piezorezistivitate pot fi pozitivi sau negativi si variaza cu concursul dopajului si a temperaturii. Dependenta de concentratia dopajului Pentru un siliciu slab dopat, probele de siliciu au un dopaj 1015cm-3. Se observa o independenta a rezistivitatii de stresul zero n directia longitudinala de masurare si se concluzioneaza ca coeficientul de piezorezistenta sunt independenti de concentratia de impuritati. Pentru concentratii de impuritati ridicate la siliciu (>1016cm-3) s-a observat o descrestere a coeficientilor de piezorezistenta.
Figura 2 Pentru motive practice, este clar ca conc. de dopare nu trebuie aleasa prea ridicata pentru a pastra coeficientul de piezorezistenta sufieint de mari. Dependenta de temperatura Calculul matematic prevede o scadere a piezorezitivitatii cu cresterea temperaturii ca n figura 3
Figura 3
Pag. IV.3
Cap. IV
La temperaturi joase n jurul lui OK, relatia este lineara cu pante 1. Altfel spus, coeficientii de piezorezistenta cresc liniar cu inversa temperaturii. S-a aratat ca pentru siliciu de tip n, linearitatea este urmata de un domeniu larg de temperatura 2000 800C. Pentru Si de tip p, relatia este valabila n domeniu 1000800C. n general orice coeficient de piezorezistenta poate fi exprimat printr-o valoare la dopaj scazut, la Tamb, un 0, multiplicat de un factor functie de N si T (N,T) = 0P(N,T) Factorul piezorezistentei P(N,T) bazat pe calcule matematice pentru siliciu de tip p, este aratat n figura 4.
pt.
Figura 4. Coeficientul de piezorezistenta P(N,T) functie de conc. de impuritati si temperatura Senzori piezorezistivi Senzori tip membrana constau n: membrana din siliciu monocristalin suspendata pe un suport de siliciu; piezorezistori integrati pe membrana.
Figura 5 Daca se aplica o presiune, membrana se ndoaie n sens sus sau jos, inducand tractiunea sau compresia rezistorului. Rezistenta se schimba datorita acestui stres si poate fi usor masurata. Senzori de tip bara Configuratia unui accelerometru tip bara este aratata n figura 6
Figura 6 Stresul cauzat prin deflectia masei initiale sub actiunea acceleratiei este concentrat pe suprafata barei. Piezorezistoarele sunt plasate pe bara aproape de suport, unde stresul este maxim. Tehnologia de fabricatie este similara cu cea pentru membrane.
Pag. IV.4
Cap. IV
Procesarea barei este mai complicata deoarece placheta de siliciu este complet corodata la un capat al barei, n timp ce pentru senzori membrana suprafata plachetei care contine piezorezistori poate fi mai usor protejata de solutia de corodare. Senzori capacitivi Senzorii capacitivi convertesc o schimbare a marimii de masurat ntr-o schimbare de capacitate. Un capacitor consta n 2 electrozi separati printr-un dielectric, schimbarea de capacitate avand loc prin miscarea unuia dintre electrozi fata de celalalt, sau prin schimbarea dielectricului ntre 2 electrozi fixi. n general, primul principiu este aplicat. Teoria despre senzorii capacitivi este simpla. Capacitatea este definita ca: s C = = permitivitatea d s = suprafata d = distanta ntre electrozi Cand un electrod este deplasat cu o distanta mica d, capacitatea se schimba prin C. Daca d << d, sensibilitatea la un astfel de eveniment este data de: Cs = 2 dd Astfel, pentru a proiecta senzori capacitivi cu o sensibilitate ridicata, ar trebui sa facem aria armaturilor mai mare si distanta dintre ele mai mica. n realitate exista factori tehnologici care limiteaza ambele aceste valori. Acesti factori includ: dimensiunile senzorului, acuratetea fabricatiei, reproductibilitatea si amortizarea miscarii electrodului, daca senzorul este introdus n gaz sau lichid. - Daca miscarea electrodului nu este paralela sau daca schimbarea de capacitate cauzata de deflexia unei parti a electrodului, atunci schimbarea de capacitate ar trebui calculata prin integrare peste ntregul spatiu al dielectricului deformat. C = C 0 dxdy d W(x, y) unde functia W(x,y) da deplasarea de la pozitia originala a fiecarui punct (x,y) la armatura capacitorului. - Pentru senzorii semiconductori, electrodul care se misca este adesea o membrana de siliciu subtire care deflecta, spre exemplu, prin aplicarea unei presiuni uniforme aplicate pe ea, schematic reprezentata n figura 7. n acest caz functia deflexie W(x,y) nu poate fi usor calculata.
Figura 7. Sectiune transversala a senzorului capacitiv de presiune Un alt senzor capacitiv relativ uzual este de tip electrod mobil din siliciu suspendat prin bare mobile, asa cum se arata n figura 8.
Pag. IV.5
Cap. IV
Figura 8. Sectiune transversala a unui accelerometru capacitiv Presupunand o rotatie n jurul unei axe paralele la unul din capetele electrodului din siliciu, capacitatea C poate fi calculata functie ca o functie de s 2d + lO C(O) =l = lungimea masei initialeln lO 2d lO d = distanta de la centrul masei nclinate la armatura fixa a capacitorului
Pag. IV.6
Cap. V
Senzori acustici
Senzori acustici
Senzorii acustici sunt dispozitive care utilizeaz\ modele elastice la frecven]e `n domeniul MHz c]iva GHz pentru a m\sura cantit\]i fizice, chimice sau biologice. Sensibilitatea foarte mare face ace[ti senzori atractivi pentru detec]ia vaporilor chimici sau a gazelor. ~n multe cazuri ie[irea acestor senzori este `n frecven]\ care poate fi m\surat\ simplu sau cu un num\r\tor electronic. Primul senzor ultrasonic utiliza vibra]ia unui cristal de cuar] plat fabricat pentru a utiliza frecven]a `n determinarea elementelor unui oscilator electronic. Dispozitivul este cunoscut ca QCM (Quartz Crystal Microbalance) este apropiat de senzorul (TSM) modul forfecare `n grosimea stratului (Thickness Shear Mode). Ad\ugarea unui strat de acoperire pentru a absorbi vaporii de ap\ sau moleculele de gaz formeaz\ un senzor a c\rui frecven]\ de rezonan]\ depinde de nr. de molecule absorbite.
Recent, au ap\rut dispozitive SAW (Surface Acoustic Waves) utilizand unde acustice de suprafata, FPW (Flexural plate Waves) `ntr-o membran\ foarte sub]ire si APM (Acoustic Plate Mode), aranjament `n care undele sar la un unghi `ntre planele `nvecinate ale pl\cii. To]i senzorii pe care `i discut\m se bazeaz\ pe mi[carea elastic\ a undelor `n partea solid\ a senzorului. Undele elastice `ntr-un solid sunt produse cnd atomii solidului sunt for]a]i `ntr-o mi[care de vibra]ie `n jurul pozi]iei lor de echilibru. Asupra atomilor deplasa]i ac]ioneaz\ o for]\ de restaurare care tinde s\ aduc\ atomii `napoi `n pozi]iile lor originare. Ace[ti senzori sunt proiecta]i astfel `nct propagarea caracteristicilor acestor unde viteza de faz\, coeficientul de atenuare este afectat\ de m\rimile de interes. Astfel: - `n unele dispozitive, for]ele mecanice induse printr-o presiune aplicat\ sau o accelera]ie cresc viteza undei.
Pag. V. 1
Cap. V
Senzori acustici
`n alte dispozitive, efectele gravimetrice (absorb]ia moleculelor, atacul bacteriilor, etc.) determin\ o sc\dere a vitezei undei. Prin contactul senzorului cu un lichid, unda este atenuat\.
Materiale acustice
Materialele piezoelectrice sunt utilizate ca substrat al senzorului. Straturi sub]iri ca ZnO, AlN, PZT (titanat zirconat de plumb), niobat de litiu sunt utilizate ca materiale pentru senzori. Aplica]ii: senzori de presiune, accelerometre, senzori de vapori.
Unde acustice `n solide

Propagarea undelor acustice `n solide este utilizat\ `n senzori acustici, actuatori, instrumente medicale [i biologice, oscilatori acustici `n volum, linii de `ntrziere. Dispozitivele IDT (Interdigital Transducers) se bazeaz\ pe propagarea SAW. Cele mai uzuale propriet\]i ale undelor acustice: viteza joas\ comparativ cu cea a undelor electromagnetice viteza tipic\ `n solide: 1,5x105 cm/s 12x105 cm/s. Viteza SAW: 3,8x105 cm/s 4,2x105 cm/s.
Dispozitivele SAW pot fi realizate s\ lucreze pe frecven]a fundamentalei de 5GHz, au o arie mic\, pot fi integrate cu electronica.
Mi[c\rile undei elastice

Undele elastice se pot propaga `n solide ca `n figur\. ~ntr-un solid nem\rginit numai undele longitudinale [i transversale se pot propaga.
Pag. V. 2
Cap. V
Senzori acustici
~n cazul undei longitudinale de volum a) particulele solidului se mi[c\ paralel cu direc]ia de propagare indirect\ (s\geata). O und\ SAW c) poate se propaga `n lungul suprafe]ei unui solid semiinfinit care are o singur\ margine. Viteza SAW `n mediu omogen este independent\ de frecven]\, ca [i `n cazul undelor `n volum. Mi[carea particulelor unei SAW este aproape de suprafa]\ [i descre[te aprox. La zero la o adncime de o lungime de und\ .
Materiale piezoelectrice
Piezoelectricitatea determin\ distribu]ia polariz\rii electrice [i demonstreaz\ cum un cmp piezoelectric reac]ioneaz\ la un stres electric emi]nd unde depolarizate. Cnd o for]\ ac]ioneaz\ asupra unui material piezoelectric: - dac\ for]a extern\ este o tensiune aplicat\, va avea loc o deplasare, - dac\ for]a extern\ este o deplasare mecanic\ se va produce un cmp electric. Acest fenomen se nume[te piezoelectricitate. Material: ZnO, AlN, LiNbO3, Pb(ZrTi)O2 (zirconat titanat de plumb).
Pag. V. 3
Cap. V
Senzori acustici
Aplica]ii ale senzorilor acustici

Senzori SAW: Dezvoltarea recent\ a senzorilor SAW reprezint\ o mare `mbun\t\]ire `n aplica]iile senzorilor acustici `n naviga]ie [i procesarea semnalelor de comunica]ii. Un PZT, ZnO, AlN, permite ca SAW [i circuitele electronice s\ fie fabricate pe acela[i substrat monolitic. Pentru traductoarele SAW monolitice substratul este `n general un semiconductor ca Si sau GaAs. Dispozitivele SAW se bazeaz\ pe efectul piezoelectric pentru a transforma un semnal electric `n semnal mecanic sau acustic. Substratul SAW este tradi]ional, un monocristal cu dublu rol: regenereaz\ unde SAW [i ofer\ un mediu pentru propagarea acestora. Dac\ substratul este la fel de sub]ire ca SAW, [i energia acustic\ este limitat\ `n interior la cteva lungimi de und\ ale suprafe]ei, substratul poate fi aproximat cu un solid semi-infinit constnd `ntr-un semicristal. Solu]ia utiliz\rii unei bare ca substrat este simpl\ dar baza nu poate fi utilizat\ mai departe. Este necesar\ formarea unui strat piezoelectric, ca ZnO pe Si sau AlN pe GaAs pentru a genera unde acustice, rezultnd o structur\ dubl\ constnd `n dou\ materiale diferite ca propriet\]i, iar viteza SAW [i coeficientul de cuplare piezoelectric\ vor fi dispersate. Stratul piezoelectric poate fi depus prin CVD (depunere chimica din faza de vapori) sau sputtering (imprastiere). Elementele senzorilor SAW [i coprocesoarele pot fi integrate pe acela[i chip ceea ce fac ca dispozitivul sa fie extrem de atractiv. Accelerometru piezoelectric bar\ `ncastrat\: Una din aplica]iile senzorilor acustici este accelerometrul integrat utilizat la m\surarea accelera]iei unui vehicul `n mi[care. Datele accelera]iei cu informa]ia valorilor ini]iale fac accelerometrul dorit pentru un estimator de pozi]ie [i vitez\ cum ar fi sistemul de pozi]ionare global (GPS). Accelerometrul este un beam `ncastrat fabricat ca un circuit integrat. Elementul de detec]ie este un capacitor ZnO care este construit pe beam [i genereaz\ un semnal propor]ional cu accelera]ia. Acest semnal, procesat pe circuitul electronic al cipului este semnalul de ie[ire al accelerometrului. Accelera]ia, ac]ionnd asupra beam-ului, determin\ constrngeri (for]e) `n capacitorul piezoelectric, rezultnd o tensiune de ie[ire propor]ional\ cu accelera]ia de intrare. Pe cip este integrat un capacitor de compensare a temperaturii [i un amplificator de izolare. Semnalul este apoi convertit `ntr-un format digital printr-un convertor tensiune-frecven]\ care poate fi integrat [i `n afara cipului (hybrid). Dac\ sensibilitatea cerut\ este mai mic\, se poate fabrica beam-ul cu o singur\ fa]\ corodat\. Beam-ul se poate realiza din SiO2 prin procesare planar\. Dac\ nivelul accelera]iei este ridicat, se fabric\ beam-ul dubl\ fa]\ corodat\, Si fiind parte a structurii.
Pag. V. 4
Cap. V
Senzori acustici
Pag. V. 5
Cap. VI
Senzori chimici
Senzori chimici
Senzorii chimici sunt senzitivi la stimulii produsi datorita unor componente sau elemente chimice. O proprietate importanta a senzorilor chimici este semnalul electric de iesire foarte mic. Senzorii chimici sunt destinati recunoasterii prezentei substantelor chimice si a concentratiei lor. Senzorii sunt divizati in senzori de gaz si senzori de lichid. Biosenzorii sunt o clasa speciala a senzorilor chimici. Diferenta majora intre bio si chemo este ca biosenzorii au o mai mare selectivitate si sensibilitate. Elementul de bio-recunoastere este uzual un bioreactor pe varful unui senzor astfel ca raspunsul biosenzorului va fi determinat prin difuzia analitului, produsilor de reactie, co-reactanti sau specii care interfera, si cinetica procesului, de recunoastere. Urmatoarele elemente biologice pot fi detectate calitativ si cantitativ de biosenzori, organisme, tesuturi, celule, membrane, enzime, anticorpi. ~n fabricatia unui biosenzor una din cheile succesului este imobilizarea analitilor pe traductoare fizice. Selectivitatea poate fi definita ca abilitatea senzorului de a raspunde in primul rand la doar un element chimic sau componenta in prezenta altor specii. Clasificare: - Senzori enzimatici enzime (glucoza, penicilina, uree) - Senzori electrochimici - Senzori termici Senzori termici Principiul un element termic este acoperit cu un strat senzitiv senzitiv selectiv. Introducand senzorul in mediul de masurat, acesta masoara caldura disipata in timpul reactiei intre proba si stratul senzitiv. Cresterea de temperatura ca rezultat al reactiei chimice este proportionala cu schimbarea incrementala in entalpia dH: dT = - dH/Cp,Cp capacitatea calorica Senzori electrochimici Sunt cei mai versatili si cei mai dezvoltati dintre toti senzorii chimici. Se impart in: - senzori potentiometrici masoara tensiunea - senzori ampermetrici masoara curentul - senzori conductometrici masoara conductivitatea sau rezistivitatea. Toate aceste metode utilizeaza electrozi speciali. Regula: necesita intotdeauna un circuit inchis astfel incat un curent electric (continuu sau alternativ) sa fie posibil a fi masurat. Daca circuitul electric necesita o bucla inchisa, senzorul necesita cel putin 2 electrozi, unul numit de obicei electrod de referinta. Senzori potentiometrici Utilizeaza efectul concentratiei la echilibru a unei reactii redox care are loc la interfata electrod-electrolit intr-o celula electrochimica. Un potential electric poate aparea la interfata datorita reactiilor redox.
Pag. VI. 1
Cap. VI
Senzori chimici
Ox + Z e = Re d
Ec. Nernst:
n = nr. Electronilor transferati, F = constanta lui Faraday, R = constanta gazelor, E0 = potentialul electrodului in cazul standard. O membrana ion selectiva esre componenta cheie a tuturor senzorilor potentiometrici. Se stabileste referinta fata de care senzorul raspunde la ioni de interes in prezenta variatelor componente din proba. O membrana ion selectiva formeaza o interfata nepolarizata cu solutia. Senzori CHEMFET Senzorii chimici potentiometrici utilizand tranzistoarele FET se numesc CHEMFET. Au dimensiuni mici si putere scazuta. Se utilizeaza in biologie, medicina, etc. Efectul de camp este un mecanism dorit pentru generarea potentialului care ofera o mare selectivitate si sensibilitate chimica. CHEMFET este un tranzistor cu efect de camp, cu poarta largita, cu potential electrochimic inserat intre suprafata portii tranzistorului (nemetalica) si electrodul de referinta. ~n general sunt 4 tipuri de CHEMFET: - ion selectiv, - gaz selectiv, - enzima selectiv, - imuno-selectiv.
RT C * E = E0 +ln *0 , unde nF C R
Fig. 1
Pag. VI. 2
Cap. VI
Senzori chimici
Daca concentratia ionica variaza, densitatea de sarcina pe poarta CHEMFET se schimba de asemenea. Selectivitatea ionica este determinata de complexarea suprafetei pe poarta izolatorului. Selectivitatea senzorului poate fi obtinuta prin varierea compozitiei portii materialului. ~n plus, membranele ion selective pot fi depuse deasupra portii pentru a oferi o larga selectie a diferitilor senzori chimici. O schimbare in densitatea de sarcina la suprafata afecteaza conductanta in canalul CHEMFET care poate fi masurata ca o variatie in curentul de drena. Astfel, daca o tensiune de intrare E este aplicata intre sursa si drena CHEMFET-ului, curentul rezultat, controlat prin potentialul electrochimic, este de fapt o functie de concentratia a diferiti electroliti in solutie. Variatia curentilor de drena ca raspuns la concentratia electrolitilor poate fi tratata ca o tensiune de iesire conventionala VOUT, deci CHEMFET-ul devine un device cu 3 terminale: S, D si electrodul de referinta. Senzori de concentratie Senzori gravimetrici Masurarea unei cantitati microscopice a masei poate fi realizata cu senzori gravimetrici. Ex: Un oscilator piezoelectric de cuart cu o frecventa de rezonanta proprie, functie de masa si forma cristalului.
m masa adaugata, Sm sensibilitatea.
f = S m m , unde f0
Pag. VI. 3
Lithographic Process
I. INTRODUCTION Speaking about Silicon Technology we think at two important fields: A. silicon, the most important semiconductor for the electronics industry; B. silicon, the most important material for sensors and actuators. A. At the present, silicon-based devices constitute over 95% of all semiconductor devices sold worldwide. Silicon (Si) has been well studied and many of its physical properties have been measured. Another semiconductor proved insuitable in certain applications because of its propensity to exhibit high junction leakage currents, is germanium (Ge). These currents result from germaniums relatively narrow bandgap (0.66eV). For this reason, silicon (1.1eV) became a practical substitute and has almost fully supplanted germanium as a material for solid-state device fabrication. Silicon devices can operate up to 150C versus 100C germanium. Other reasons for silicon utilization: planar processing technology; thermally grown silicon dioxide; success properties of economic consideration (cheaper compared to Ge or GaAs). Advances in VLSI will have a profound effect on the world economy because VLSI is the key technologies for the Information Age (now, in Europe, Japan and USA, information workers constitute 50% of the work force. VLSI technology is synonymous with silicon VLSI technology and from this results the importance of silicon technology.
B. Sensors are devices that provide an interface between electronic equipment and the physical world. They help electronics to see, to hear, to smell, to taste and to touch. In their interface with the real world, sensors typically convert nonelectrical, physical or chemical quantities into electric signals. Microsensors have become an essential element of process, control and analytical measurement systems, finding countless applications in: industrial monitoring, factory automation, automotive industry, transportation, telecommunications, computers and robotics, environmental monitoring, health care and agriculture. A simple block diagram of a sensing system is shown in the following figure:
INPUT TRANSDUCER SIGNAL PROCESSING OUTPUT TRANSDUCER
Fig.1 Simple block diagram of the sensing system
The term transducer is used for both the input and the output blocks of the sensing system. The role of the input transducer is to get information from the real world about a physical or chemical quantity, to sense the world. For this reason the input transducers are commonly called sensors. Often the electrical signals generated by sensors are weak and have to be amplified or processed in the same way. The signal-processing block of the sensing system does this. The role of the output transducer is to convert an electrical signal into a form acceptable for our sensor or to initiate some action (for example, opening or closing a valve). For this reason the output transducers are often called actuators.
II. MOS ICs FABRICATION The scheme of the metal-oxide-semiconductor (MOS) integrated circuits (ICs) fabrication steps is presented in fig.1. MOS-ICs are complex devices (with millions of individual components) that are manufactured on a single silicon crystal and interconnected (routed) by thin wires that are microns wide. The process of forming these devices out of a single piece of silicon crystal will be described summary. Integrated circuits consist of layers (substrates) of insulated semiconducting and conducting regions. These layers are assembled in such a way as to form transistors that are interconnected to produce a certain desired electrical function. The individual transistor comes in a variety of types and each type of transistor will also have different needs when it comes to processing. The major ICs technologies that are used today are: n-channel metal-oxide-semiconductor (NMOS); complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS); bipolar; integrated-injection-logic bipolar (I2L). Table-1 shows the relative attributes of each of the ICs technologies from the point of view of the circuit characteristics.
An IC is realized by a lot of deposited or growth layers (oxides, metals, Si3N4, polysilicon), the configuration of these layers and the controlled impurification. The technological processes, which make possible the ICs fabrication, are: epitaxy; oxidation; lithography; reactive plasma etching; dielectric and polysilicon film deposition; diffusion; ion implementation; metallization. The designer task is to create (design) the geometrical configuration for every layer. The assembly of geometrical configuration of a circuit is called layout. Every layer configuration is realized with a physical support of glass covered with chrome (Cr), emulsion or Fe2O3, called mask, which transfers layout to the silicon wafers. 5, 7, 8, 12 or more masks form the assembly of masks used to define an IC. Many iteration of logical, functional and topological design are necessary to obtain the final lay-out which is transferred in specific file types (CIF, TDB, GDSII, PS) for pattern generator (PG) or photoplotter => post-processing step (which also must consider the type of resist covering the mask positive or negative). The final masks obtained are used in wafer fabrication in the technological laboratories or silicon foundries. To protect the master (original) masks, some copies are realized. The designer must also realize the test chip on the mask, containing the test structures and the assembly plan necessary for ICs encapsulation. Mask fabrication. On a mask there are circuit chip and test chip. The circuit chip contain the alignment and control geometry, the test geometry (n-channel and p-channel test transistor),
The final dimensions of the layout (compensations included) must be transferred exactly on the mask and this depends on the PG resolution and the mask fabrication process parameters: exposure energy, developer, etching (time, temperature). The best PG from Romania has 1 m resolution and the transfer of data is accepted with dimensional and alignment errors of + 0.1 m. Wafer fabrication. A 3" wafer contains about 100 : 1000 circuits. 8" wafers are used. Usually, in an oxidation process, about 100 : 150 wafers are processed. Advantages: this simultaneously processing goes to a lower price of the circuits and reproducibility of the parameters. Disadvantages: if the process parameters are not correct, then all the wafers can be damaged; a small yield goes to a higher price; the processes must be very well controlled. Very important are the alignment geometries, the photolithographic control geometries and the test transistors with independent pads that can be electrical tested on every chip. Lithographic process. The steps of this process are presented in fig.
Resist Film Substrate
Mask Resist Film Substrate
Exposure + Developer
Film Substrate x y Fig.6
Etching + Stripper
The transfer of geometries from the mask into the resist is called lithography. The transfer from resist in the film is called etching (engraving). Relations between the circuit design and the technology of fabrication: the transfer of geometries from layout in the film is not very precisely because process errors occur; these errors must be minimized and controlled. The designers of the circuits must know the technological steps and adjust the layout with the predictable errors. Ex.: A lithographic predictable error is the dimensional variations of the geometries due to the underetching. How can we correct this? A film can be isotropic or anisotropic etched. The etching from the fig.6 is perfectly anisotropic; that means the etching rate on y-direction (ry) is great and on x-direction (rx) is "0". It is the ideal case. But in reality, rx / 0 and can be equal with ry. This is the isotropic case.
Resist Film Substrate
Resist ly Film Substrate
l x = l y ( isotropic case )
l x is the underetching l y is the thickness of the film
lx Fig.7
The wet etching of oxides and metals is isotropic. Practical, the underetching is determined by precise measurements of the dimensions. Ex.: We measure the channel of the test transistor on the same 9 chips of every wafer from 25 wafers after developer and etching. Statistically we can determine the underetching of a thermal oxide of 6000 , etched in BHF 10:1 at 35C. If A is the anisotropic degree, then: r A def 1 - x , where rx is the horizontal etching rate and ry is the vertical etching rate. ry r x = r y => A = 0 => isotropic process r x = 0 => A = 1 => ideal anisotropy A high degree of anisotropy can be obtained by dry etching (plasma etching). The degree of anisotropy depends on the plasma machine and of the process parameters. The underetching must be considered from the layout design step. Dimensional compensations are introduced in every mask layout considering the underetching of the specific layers. Ex.:
l d
l = line d = underetching
tc = 6'30" => d = 0.6 lf = 7 ld = 8.2 = lf + 2d ld = dimension on the layout lf = the final line need
xOx = 6000
The layout dimensions = the real need dimension + the dimension due to the underetching + the tolerance of mask realization.
The compensations affect the density of integration. For the small dimensions these are very critical, so the configuration of small geometries need a high degree of anisotropy. Selectivity. We supposed, in the discussion before, that the substrate and the resist mask are not etched. Practical, the resist and the substrate have a finite etch rate. the etch rate of the film The selectivity of the etching process the etch rate of another film = To consider the etching of a "h" thickness film: h = difference % ( 0 < h < 1 ) - the maximum thickness: h(1+h) - the minimum thickness: h(1-h) We assume the etch rate U has the variations: U(1-) , U(1+) , ( 0 < < 1 ) h (1 + h ) The etching time: t c = U (1 ) t
Ctotal
h (1 +
U (1 ) D c = a fraction of the etching time resulting an overetch. During the film etching, the resist mask is etched too:
Before etching Layer x y
) (1 + D c ) (*)
to be sure the film is etched
After etching
If the maximum etch rates of the resist layer on y and x are U mask is narrower (smaller) at every edge by the value:
ry and
rx ,
the resist
Wr = U ry ctg + U rx t t c 2 = angle which specifies the profile of the resist edge.

Considering the following expression results: (**) rx(1 + D c ) Wr = 2h If U ry =U r(1+) , rwhere: U ry is the vertical etch rate of the resist, U r is the average U1 r U y etch rate of the resist and r is an uniformity factor, then the selectivity of the film etching compared with the resist mask is:
ry 1
+U h ctg +
Sr =
U U ry
and
U U
rx ry
= 1 Ar
(***) ,
where Ar is the anisotropy of the resist etching. From (**) (***) => S r = 2hFr [ctg + (1 A Wr
r
)]
, where
1 + h Fr = (1 + D c )(1 + r ) is the uniformity factor that describes the most defavorable 1 case of coincidence of different non-uniformities.
50
40
30
Sr Sr
20
10
0 0 2 4
h W r
h/DWr
10
If the thickness of the layer would be perfectly uniform and the etching rate also, (h = = 0), and no etching over time (Dc = 0), then the selectivity compared with the substrate is not important. But this case is not possible.
Material left on the step edge
H
Substrate
h
Substrate
Before etching
After etching
For a step of H height and a perfectly anisotropic etching (A=1), the etching must be increased with a fraction Dc=H/h after the removing of the layer from the plane (flat) regions. This H/h ratio must constitute de minimum value of the uniformity factor Fr.
Silicon Technology
CMOS Technology
III. CMOS TECHNOLOGY CMOS technology employs both NMOS and PMOS transistors to form the logic elements. The advantage of this technology is that the particular logic elements only draw significant current during the transition from one state to another, but draw very little current between transitions, allowing power consumption to be minimized. The circuit diagram of a CMOS inverter is illustrated in fig.a. The cross section of the inverter structure fig.b shown the n-channel transistor formed in a p-region called tub or well. The p-channel transistor is formed in the n-substrate.
Vi VO VSS
p
+
VDD
S
+
G n
D
+
G p
S
+
p-well
n-channel
p-channel
The gates of the transistors are connected to form the input. Fabrication process sequence. For ex. The CMOS-Al gate technology is chosen. The overview and the cross-section of the CMOS standard Al-gate device are presented in fig.(8.25). Summary of the process: 1. wafers:n-type , 57 cm , 81014 cm-2 (impurity concentration) threshold voltages: 1.5 V for p-channel transistors +1.5 V for n-channel transistors 1000 MOS oxide 81014 cm-2 (impurity concentration for p) 51015 cm-2 (impurity concentration for n) 2. Oxidation (8000 ) 3. p-well configuration (mask M1) 4. Implantation (B+) and Diffusion (810 junction): 2.31013 cm-2 at 100 KeV 5. Source-Drain n-transistor configuration (mask M2) 6. Implantation (P-) and Diffusion 7. Source-Drain p-transistor configuration (mask M3) and protection rings 8. Boron deposition and Diffusion 9. Photolithography (mask M4) depth junction of n-transistors and protection rings for p-transistors 10. Phosphorus deposition
Silicon Technology
CMOS Technology
11. 12. 13. 14. 15. 16. 17.
CVD oxide deposition CVD oxide configuration (mask M5) MOS oxide growth Photolithography (mask M6) contacts Aluminum deposition Aluminum configuration (mask M7) PSG deposition and pads configuration (mask M8)
The protection rings are necessary to capture the minor carriers and to reduce the sensibility at the thyristor parasitic effect. The disadvantage of the stop diffusion is the increase of the area and the decrease of the integration density. The design rules consider all these protection geometries.

Micro Senzo Ri

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Micro Senzo Ri

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Fac.

Electronica, Telecomunicatii si Teoria Informatiei

Note de Curs anul IV

Dr. ing. Carmen Moldovan

Diafragma bloc a unui sistem de traductoare

Schema marimilor de intrare (de masurat) si a celor de iesire

Fig.2.3. Profilul corodarii in Si <100>

Fig.2.4. Aspectul unei ferestre dezaliniate corodate anizotrop

Fig.2.5. Rata de corodare in EDP a concentratia de bor

siliciului dopat cu bor functie de

Explicaia degenerarea siliciului

Fig. 2.6. Stop corodare la jonctiunea p-n

Fig. 2.7.a. Instalatie de corodare electrochimica

2.7.b. Definire microstructuri prin stop corodare electrochimic.

Fig. 2.8.Profilul de corodare pentru siliciul <100> corodat anizotrop

Figura 2.9. Profilul de corodare pentru siliciul <110> corodat anizotrop

Figura 2.10. Planele de interes in cristalul de siliciu

La corodarea unei membrane:

Capitolul 2Senzori de siliciu integrati si tehnici de microprelucrare ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Structuri multi strat

Capitolul 2Senzori de siliciu integrati si tehnici de microprelucrare ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Polisiliciu Strat de sacrificiu

Substrat Strat de izolare

Capitolul 2Senzori de siliciu integrati si tehnici de microprelucrare ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Microprelucrarea de suprafa]\ Polisiliciu

Straturi de sacrificiu si corodarea de sacrificiu

Capitolul 2Senzori de siliciu integrati si tehnici de microprelucrare ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Capitolul 2Senzori de siliciu integrati si tehnici de microprelucrare ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Fig.2.15.Reprezentarea schematica a mecanismului corodarii de sacrificiu a PSG

Capitolul 2Senzori de siliciu integrati si tehnici de microprelucrare ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Fig.2.16. Sectiune transversala printr-o structura multistrat de sacrificiu si polisiliciu

Capitolul 2Senzori de siliciu integrati si tehnici de microprelucrare ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Capitolul 2Senzori de siliciu integrati si tehnici de microprelucrare ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Tehnici de excitatie - detectie

Cap. 3. TEHNICI DE EXCITATIE DETECTIE

Tehnici de excitatie - detectie

Fig.3.1. Schema bloc a senzorului rezonator

Tehnici de excitatie - detectie

Tehnici de excitatie - detectie

5. Excitatie optica si detectie optica

Tehnici de excitatie - detectie

Tehnici de excitatie - detectie

1 / 2M du + F(z u)du = E I/2 du + du2 000

Tehnici de excitatie - detectie

aplicat\ [i propor]ional\ cu raportul energiilor poten]iale de `ntindere [i de `ndoire.

Tehnici de excitatie - detectie

EXEMPLU DE DETERMINARE A FRECVENTEI DE REZONANTA SI A SENSIBILITATII

sin du + cos du L LL2 0 L 0 L 2 1u hs sin du 2L

4 L 1L F 2 L 1L sinEI++ sin 256 2 2 2 16 2 22 1L L 1 hs sin 2 22

Tehnici de excitatie - detectie

Fig.1. Rezonator punte care vibreaza pe modul fundamental

Tehnici de excitatie - detectie

Microsenzori pentru marimi mecanice bazati pe piezorezistivitate

Microsenzori pentru marimi mecanice bazati pe piezorezistivitate

Microsenzori pentru marimi mecanice bazati pe piezorezistivitate

Microsenzori pentru marimi mecanice bazati pe piezorezistivitate

Microsenzori pentru marimi mecanice bazati pe piezorezistivitate

Microsenzori pentru marimi mecanice bazati pe piezorezistivitate

Microsenzori pentru marimi mecanice bazati pe piezorezistivitate

Unde acustice `n solide

Mi[c\rile undei elastice

Aplica]ii ale senzorilor acustici

m masa adaugata, Sm sensibilitatea.

Fig.1 Simple block diagram of the sensing system