UNIVERSIDAD TECNOLOGICA NACIONAL

FACULTAD REGIONAL ROSARIO

ELECTRONICA I
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

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INTRODUCCION Los diferentes tipos de transistores que existen pueden agruparse en dos grandes grupos o familias: a) Transistores bipolares y b) Transistores unipolares. Los transistores bipolares (Bipolar Junction Transistor), reciben la denominacin bipolar debido a que basan su funcionamiento en dos tipos de portadores de carga: electrones (-) y huecos (o lagunas) cuya carga es (+), mientras que los transistores unipolares (Unipolar Junction Transistor) se denominan as porque para su funcionamiento utilizan un slo tipo de portadores de carga: electrones huecos (o lagunas). Un tipo de transistor perteneciente al grupo de los unipolares, es el denominado transistor de efecto de campo (Field Effect Transistor). Dicho transistor, es particularmente adecuado para ser utilizado en circuitos integrados debido a su reducido tamao. El trmino efecto de campo se debe, a que el control de la corriente a travs de dicho transistor, se ejerce (como veremos al analizar su funcionamiento) mediante un campo elctrico exterior, por lo que el control de los mismos es por tensin y no por corriente como ocurre en los transistores bipolares. Los F.E.T. pueden ser de dos tipos:

1. J.F.E.T. (Junction Field effect Transistor): Transistor uniunin de efecto de campo. 2. M.O.S.F.E.T. (Metal Oxide Semiconductor Transistor): Transistor metal xido semiconductor de efecto de campo.

1.-TRANSISTOR UNIUNION DE EFECTO DE CAMPO (JFET)

1.1-Caractersticas Vulgarmente se los llama simplemente FET , pudiendo ser de dos tipos:

1. JFET de canal N 2. JFET de canal P

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Ambos tipos presentan tres electrodos o terminales: Puerta (Gate), Surtidor o fuente(Source) y Drenador (Drain). Fuente o surtidor (S): terminal por donde entran los portadores provenientes de la fuente externa de polarizacin. Drenador (D): terminal por donde salen los portadores procedentes de la fuente y que atraviesan el canal. Puerta (G): terminal constituido por regiones altamente impurificadas (zona de dopado) a ambos lados del canal y que controla la cantidad de portadores que atraviesan dicho canal. Los JFET de canal N estn constituidos por una barra de material semiconductor tipo N, denominada canal, con dos regiones de material semiconductor tipo P; mientras que en los JFET de canal P , la barra o canal es de material semiconductor tipo P, rodeada por dos regiones de material N como puede apreciarse en la figura 1. En un JFET de canal N, la corriente se debe a electrones, mientras que en un JFET de canal P, se debe a huecos o lagunas.

1.2- Diferencias con el transistor bipolar Constructivamente, el JFET, slo tiene una unin P-N en vez de dos, como ocurre con el BJT. Al comparar al JFET con el BJT se aprecia que el drenador o drenaje (D) es anlogo al colector, en tanto que la fuente o surtidor (S) es anloga al emisor, por ltimo la puerta o compuerta (G), es anloga a la base. La fuente y el drenaje de un JFET se pueden intercambiar sin afectar el funcionamiento del mismo. La diferencia fundamental que existe entre el transistor bipolar y el JFET en cuanto al control, radica en que en el primero, el control de la corriente entre colector y emisor se hace por medio de la base, es decir se trata de un control por corriente, mientras que en el JFET el pasaje de la corriente del drenador al surtidor es controlado por el gate y es un control por tensin. Otra diferencia notable entre ambos esta dada en las impedancias de entrada, siendo mucho mayor la del JFET (Zi = 108 a 1012) comparada con la de un transistor bipolar (Zi = 102 a 106). La elevada impedancia de entrada del JFET constituye su principal ventaja, y se debe a que la unin P-N se encuentra polarizada en forma inversa. La corriente (IG) que circula por la compuerta equivale a una corriente de fuga, siendo su magnitud del orden de los nanoamperes.
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1.3- Polarizacin En los JFET la polaridad del potencial de puerta debe ser tal, que mantenga la unin P-N de entrada polarizada en forma inversa como puede apreciarse en la figura 2. La corriente de la compuerta (IG), es despreciable debido a que se trata de una corriente inversa de fuga, por lo tanto tiene un valor sumamente bajo.

1.4- Funcionamiento El anlisis del funcionamiento de este tipo de transistores, lo haremos a partir un JFET de canal N, sin embargo el funcionamiento de un JFET de canal P puede hacerse siguiendo la misma metodologa. Su principio de funcionamiento se basa fundamentalmente en los efectos producidos por la regin agotada que se crea en las proximidades de toda unin P-N cuando esta se polariza inversamente. Supongamos en primera instancia que aplicamos una diferencia de potencial VGS entre G y S,haciendo VDS = 0; como se observa en la figura 3a. La unin P-N queda polarizada en forma inversa, originndose una circulacin de una corriente de fuga (IG) despreciable. Mientras la diferencia de potencial aplicada VGS sea pequea, las regiones agotadas sern de pequeo espesor, luego y a medida que esta tensin aumenta, tambin aumenta el espesor de dichas regiones. Este proceso contina as hasta que se produce la unin de ambas regiones; se dice entonces que el canal se ha cortado o estrangulado. Esto ocurre para un valor de VGS determinado que se denomina tensin de estrangulamiento, en ingls tensin pinch off, y que la simbolizaremos V(P)GS. A continuacin, hacemos V GS = 0 y aplicamos una V DS entre D y S com se ve en la figura 3b. Se produce entonces la circulacin de una corriente ID a travs del canal, que depende de la VDS aplicada, de la resistencia intrnseca del canal y de su geometra. La unin P-N tambin se polariza en forma inversa, pero ahora las regiones agotadas presentan la forma de cua debido a que en su parte superior la unin est ms inversamente polarizada que en la parte inferior, debido a que all el gradiente del potencial es mayor, es decir la tensin va cayendo a lo largo del canal en forma progresiva (debido a la resistencia propia del canal). A medida que VDS aumenta, las regiones agotadas se hacen cada vez ms
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grandes, haciendo que las junturas tiendan a tocarse cerca del D. Esto hace que el canal se vaya estrechando, restringiendo as el paso de portadores (en este caso electrones pues se trata de un JFET de canal N). Cuando VDS alcanza un determinado valor, se produce el estrangulamiento del canal, cerrndolo casi por completo y provocando la disminucin de la corriente. Esto ocurre para una VDS , VDSsat, sensiblemente igual a la de estrangulamiento. Dicha coincidencia no debe sorprender ya que en ambos casos se ha aplicado una polarizacin inversa a la unin, aunque en cada uno se haya producido una geometra distinta de las regiones agotadas. Sin embargo en este caso y a pesar de la casi total obstruccin del canal, sigue circulando la corriente ID , debido al efecto del campo elctrico generado por la tensin V DS aplicada, capaz de inyectar electrones en las zonas de vaciamiento y recogerlos en el drenador. Generalmente los dos procesos analizados anteriormente, se presentan de forma simultnea, sin embargo, es usual mantener VDS = cte. y provocar el estrechamiento del canal variando V GS (control por compuerta).

Conclusiones: Observamos que al variar la tensin V DS , aumenta o disminuye el ancho del canal, con lo que tambin aumenta o disminuye la corriente de drenador ID debido al cambio de la resistencia efectiva del canal. Entonces al contrario de lo que ocurre en los transistores bipolares, si consideramos a la ID como corriente de salida, sta es controlada por cambios de tensin en vez de por cambios de corriente. Como se desprende del anlisis realizado, los JFET deben su nombre al efecto de control, sobre la corriente de salida, que ejerce el campo elctrico creado en las proximidades de la unin P-N inversamente polarizada.

1.4-Caracterstica de drenador o de salida de un JFET Consideremos ahora el circuito de la figura 4, por medio del cual vamos a analizar como vara la corriente de drenador I , en funcin de la tensin VDS , tomando a la tensin VGS como D parmetro; es decir: ID = f(V DS ) para V GS = cte.

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Como resultado obtendremos una familia de curvas de la corriente ID (figura 5) que se conoce como caracterstica de drenador o de salida del JFET; todo esto nos servir para obtener importantes conclusiones acerca del funcionamiento de los mismos. Con la tensin VGS polarizamos en forma inversa a la puerta del JFET (condicin de funcionamiento) y variamos dicha tensin por medio del potencimetro P, realizando el ajuste de V GG al valor deseado observando al voltmetro V1. Variando VDD controlamos el valor de D (midiendo VDD con el voltmetro V2 y la I con el I D ampermetro A1).

Procedimiento: Ajustamos VGG y VDD de forma tal que V GS = V DS = 0, en este caso no circular corriente (ID) por el canal entre S y D. Aumentamos ligeramente V DD, esto origina la circulacin de una corriente ID proporcional a ella. En estas condiciones, el canal se comporta como una resistencia comn, por lo que la corriente crece linealmente con la tensin aplicada. A medida que se sigue aumentando la tensin VDS , la seccin transversal promedio del canal se va reduciendo a causa del incremento de polarizacin inversa de las junturas de la compuerta, lo que provoca la modificacin de las pendientes de la caracterstica. Cuando VDS alcanza el valor VDS0, las variaciones de ID a partir de ID0 dejan de ser proporcionales a las variaciones de V DS y la ID se hace prcticamente constante. En ese momento se alcanza el estrangulamiento del canal y a ello se debe la estabilizacin de la corriente ID. En estas condiciones un incremento de la VDS no produce un aumento apreciable de la corriente ID. Pero si se sigue aumentando la tensin VDS hasta el valor VDS(B) , se alcanza la regin de ruptura, donde la corriente ID crece en forma incontrolada provocando la destruccin del JFET por efectos trmicos. Ajustando el valor de VGS a un nuevo valor VGS1 < VGS0 y repitiendo el proceso anterior, se encuentra un nuevo valor de I 1 < ID0 , a partir del cual la corriente del drenador se estabilizar D nuevamente.

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Este nuevo valor de corriente de drenador, ID1 , ser menor que el anterior (ID0 ) ya que ahora cooperan V GS1 y VDS1 al estrechamiento del canal. Si seguimos dando nuevos valores a VGS, tales que VGS4 < VGS3 < VGS2 < VGS1, obtendremos los correspondientes valores de ID a partir de los que se produce nuevamente la estabilizacin de la corriente del drenador. Se alcanzar un valor de VGS, VGS4 = V(P)GS para el que , aunque VDS aumente hasta valores prximos a la tensin de ruptura, ID permanecer en valores mnimamente apreciables, debido a que el canal se cierra casi por completo, al haberse alcanzado la tensin V(P)GS, llamada tensin de estrangulamiento o de pinch off. Nuevos valores de VGS, sin alcanzar la VGS mxima, darn resultados anlogos, ya que no se hace ms que reforzar la condicin de estrangulamiento o corte del canal.

Conclusiones: Haciendo VGS cada vez mayor en valores negativos, se reduce el valor de la ID en el punto de estrangulamiento o de pinch off. Si VGS se hace suficientemente grande (en valores negativos) el pinch off tiene lugar casi con ID = 0. El JFET estar cortado cuando la polarizacin inversa V GS sea suficiente para que ID = 0. Al igual que en los transistores bipolares se pueden distinguir tres regiones o zonas de trabajo: saturacin: o zona hmica, que est determinada por los valores de VDS comprendidos entre el origen y el correspondiente al codo de la caracterstica de salida o de drenador. activa o lineal: es la porcin horizontal de la caracterstica. En esta zona se comporta como un dispositivo de corriente cte. corte: determinada por valores de VGS menores o iguales a V(P)GS. En esta zona, el JFET se comporta como un dispositivo de tensin cte., similar a un diodo Zener.

1.5-Curva de transconductancia o caracterstica de transferencia del JFET Esta curva (figura 6) no es ms que otra forma distinta de representar la misma informacin anterior. La caracterstica de transferencia se define como:

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ID = f(V GS ) con V DS = cte. donde V DS > V DSsat

Esta caracterstica puede aproximarse a la parbola: ID = IDSS . [1 - (V GS / V(P)GS)]2

para valores de V GS comprendidos entre cero y V (P)GS. Por lo tanto, conociendo la corriente IDSS (correspondiente al parmetro VDS ) y la tensin V (P)GS se puede predecir con facilidad el valor de la ID correspondiente a una tensin VGS determinada. Debido a la ligera pendiente que presentan las curvas de drenador a partir del codo, lo que representa no es totalmente independiente de VDS en dicha regin, existir una caracterstica de transferencia para cada valor particular de V DS . Generalmente,en los catlogos de informacin tcnica de los FET se ofrece una sola curva para un valor determinado de V DS 1.6-Transconductancia o conductancia mutua Un parmetro tambin importante del JFET es la llamada transconductancia o conductancia mutua (gm), que nos muestra una medida de la amplificacin posible del JFET. Este parmetro es similar a la ganancia de corriente (hfe ) para un BJT; el valor de gm, es un medida del cambio en la corriente de drenaje para un cambio en la tensin compuerta-fuente, Es usual encontrar el parmetro gm en las hojas de datos expresado como yfs .Dicho parmetro representa la tangente a la curva en un punto determinado y, como tal curva, en cada uno de sus puntos ofrecer una tangente distinta o pendiente diferente, lo que implica que gm no es constante (ver figura 6), siendo en este caso g m1 > gm2 . gm = (did / dVgs) VDS = cte. (ID /VGS)VDS = cte. recordando que ID = IDSS . [1 - (V GS / V(P)GS)]2 , entonces: gm = dIDS / dVGS = -2 . (IDSS / V(P)GS ) . [1 - (V GS / V(P)GS)]2

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Se define: g m0 = -2 . (IDSS / V(P)GS ), transconductancia para V GS = 0 , luego:

gm = gm0 . [1 - (V GS / V(P)GS)]

Como IDSS y V(P)GS son de signo opuesto, g m0 es siempre positivo. Ntese que cualquiera de las dos expresiones anteriores son la inversa de una resistencia, siendo sus unidades:

A(amperio) / V(voltio) = S (siemens) o Mho (mohmio) y comunmente empleados sus submltiplos mS y S.

1.7-Dependencia del JFET con la temperatura El JFET se ve afectado de la siguiente forma por la temperatura: ID = f (1/T) si la Temperatura aumenta, la ID disminuye

La ID depende directamente de la movilidad de los portadores. Al aumentar T, la agitacin de los iones de la red cristalina del canal hace que la movilidad disminuya; gm tiene la misma variacin con la temperatura, esto es, si T aumenta implica que g m disminuya. Notemos que esta corriente de portadores mayoritarios disminuye con la temperatura, contrariamente a lo que ocurre en un BJT, cuya corriente de portadores minoritarios aumenta con la temperatura.

1.8-Polarizacin de un JFET Una forma sencilla de polarizar un JFET es mediante el empleo de dos fuentes de alimentacin VDD y VGG como vimos anteriormente, pero evidentemente no es la ms prctica por el hecho de tener que usar dos fuentes y porque adems las caractersticas de todo JFET ofrecen variaciones entre sus valores mximos y mnimos. Por estas razones, se procura emplear circuitos cuya polaridad sea vlida para JFETs del mismo tipo, pero con diferencias en sus caractersticas.
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En general, cualquier forma de polarizacin, deber hacer (+) al Drenador frente al Surtidor, y () a la fuente frente al mismo terminal, para un JFET de canal N; para uno de canal P deber cumplirse lo inverso. Autopolarizacin por resistencia de fuente En la figura 7 podemos ver un JFET de canal N polarizado de esta manera. Como hemos despreciado la corriente de puerta, la cada de tensin en RG vale cero, luego:

VS = ID . RS VGS = V G- VS = 0 - VS = - VS = -ID . Rs

por lo que la polarizacin efectiva puerta-fuente es igual a la cada de tensin en la resistencia de fuente y dicho voltaje depende de la corriente de drenador, por lo tanto una variacin de ID implica una correccin de la polarizacin puerta-surtidor. El principal inconveniente radica en que la variacin de la caracterstica de transferencia de un JFET a otro provoca variaciones importantes del punto Q de polarizacin, como se muestra en la figura 8 a) , donde la curva inferior corresponde a los valores mnimos y la superior a los mximos de los garantizados por el fabricante, para un mismo tipo de JFET; luego, cualquiera comprendida entre ellas ser vlida. La recta de polarizacin viene determinada por el valor de RS , as en la figura 8 b), tenemos que: RS1 < RS2 < RS3 , cada valor de RS determina una recta de polarizacin y, por tanto, puntos estticos de polarizacin Q distintos. A la hora de calcular el circuito de polarizacin se habr de proceder eligiendo sobre la curva de transferencia el valor de VGS correspondiente a la D requerida por las condiciones de I diseo. Posteriormente se busca RS de la forma:

RS = - VGS / ID Cuando se trata de situar el punto esttico en las proximidades del punto medio de la curva, es vlida la ecuacin: RS = - V(P)GS / IDSS

Polarizacin por divisor de tensin

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Este tipo de polarizacin reduce el efecto de variacin del punto de polarizacin esttica cuando vara la caracterstica de transferencia, es decir, es ms estable que el anterior y puede apreciarse en la figura 9. La tensin de polarizacin puerta-surtidor ser: VGS = V G - VS = V R2 - VRS

o tambin VGS = [V DD / (R1 + R2)] . R2 - ID . RS

lo que ofrece una recta de polarizacin como la de la figura 10, pudindose trazar mediante la determinacin de los puntos: A de coordenadas (V GS = V R2 ; ID = 0) B de coordenadas (V GS = 0 ; ID = V R2 / RS). Como se puede apreciar, la variacin de la condicin de reposo para ambas curvas es mucho menor, ya que la pendiente de la recta es muy pequea.

1.9-El JFET como amplificador Al igual que los BJT , cuando el JFET se emplea como amplificador, se puede disponer en cualquiera de las tres configuraciones determinadas por la forma de conectarlo, esto es: fuente o surtidor comn (S.C.), drenador comn (D.C.) y puerta comn (G.C.). Sus caractersticas son similares, teniendo en cuenta las peculiaridades que los hacen distintos a las ofrecidas en disposiciones anlogas por los transistores bipolares. Se puede relacionar de la siguiente forma: Fuente comn con Emisor comn. Drenador comn con Colector comn. Puerta comn con Base comn. A modo de ejemplo, en la figura 11 a), se muestra la configuracin de fuente comn (S.C.), siendo los circuitos equivalentes para el anlisis en continua, y en seal los de las figuras 11 b) y c), respectivamente. El circuito equivalente para c.c. es el ya estudiado de polarizacin por divisor de tensin, queda para el lector el anlisis para el de c.a.
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Impedancia de entrada Debido a que la entrada de seal al JFET es aplicada a una unin inversamente polarizada,su impedancia de entrada (ZIT ) es muy elevada, y la de entrada al circuito ser:

ZI = R1 // R2 // ZIT y como generalmente, R1 // R2 << ZIT se toma: ZI = R1 // R2

Ello obliga a que tanto R1 como R2 tomen valores elevados, con la finalidad de que consiguiendo el efecto del divisor de tensin no sacrifiquen la principal ventaja del JFET, esto es, su elevada impedancia de entrada. Las resistencias de valores superiores a 10 M crean problemas de estabilidad y por lo general, se buscan otras soluciones para poder utilizar resistencias de valores ms bajos, sin que la impedancia de entrada se vea afectada por ello; la figura 12 ofrece una de estas soluciones. Al ser la corriente de puerta nula, dicho terminal est al mismo potencial que el punto de unin de R1 y P, sin embargo, la impedancia de entrada queda modificada de la siguiente forma: ZI = (R1 // P) + R2

donde R2 puede tomar valores de algunos M, con lo que la impedancia queda elevada de forma considerable y se puede hacer casi independiente de R1 y P. Impedancia de salida Esta caracterstica viene dada por: Zo = RD // ZoT

como la impedancia de salida del propio JFET (ZoT ), cuando ste trabaja en la regin activa, es elevada, usualmente mayor de 100 K, se suele tomar: Zo = RD

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Ganancia de tensin La tensin de salida vendr determinada por: vo = - id . RD ya que, gm = i d / vgs id / vi entonces, id = gm . vi luego: vo = - gm . vi . RD la ganancia ser: Av = vo / vi = - gm . vi . RD / vi = - gm . RD

donde el signo menos representa la inversin de fase de la salida respecto a la entrada. Ntese que la ganancia de tensin es realmente pobre frente a la configuracin anloga para transistores bipolares; ello es debido a que vi es del orden de algn voltio, mientras que ld es de mA y, por tanto, vo representa solamente algunos voltios. A la misma conclusin se llega analizando las unidades de g m y RD. Relacin de fase Las grficas 13 a) y b), muetran los efectos de la seal de entrada sobre la corriente y la tensin de salida. En ambos casos se puede observar que la tensin de salida est desfasada 180o con respecto a vi . Un aumento de vi provoca una mayor corriente de drenador y por lo tanto una menor tensin drenador-surtidor, ocurriendo lo contrario para disminuciones de vi . Distorsin Los diferentes tipos de distorsin que se pueden presentar, son similares a las de los transistores bipolares, por dos casos:
1-

Seal de entrada excesiva, lo que puede provocar que la curva de transconductancia haga

presente su no linealidad y, adems, que lleve al JFET a las regiones de corte y saturacin.

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2-

Desplazamiento del punto Q, ofreciendo vo recortes en las crestas positivas o negativas, en

funcin de que Q se desplace en sentido descendente o ascendente a lo largo de la recta de carga. Nota: Omitiremos el anlisis de amplificadores en las configuraciones drenador comn (DC) y puerta comn (GC), ya que este es anlogo a lo visto en transistores bipolares para la configuracin emisor comn (EC). La obtencin de la recta de carga, tambin se obtiene de manera similar a lo expuesto en transistores bipolares.

1.10-El JFET en conmutacin Los requisitos son los mismos que los expuestos para transistores bipolares, por lo tanto, basta recordar que en este modo de trabajo se evita la regin activa si no es para lograr las transiciones de corte a saturacin o viceversa, y dichas transiciones han de ser lo ms rpidas posible.

1.11-Parmetros caractersticos del JFET Los fabricantes, suelen ofrecer las siguientes especificaciones y caractersticas de un JFET en su hoja de datos:

1. Idmx : Mxima corriente permitida de drenador. 2. IGmx : Mxima corriente permitida de compuerta. 3. VDSmx : Mxima tensin permitida drenador-surtidor. 4. VGSOmx : Mxima tensin permitida compuerta-surtidor con drenador abierto. 5. VDGOmx : Mxima tensin permitida drenador-puerta con surtidor abierto. 6. IDSS : Corriente de drenador con la G en c.c. con el S y para una V DS determinada. 7. V(P)GS : Tensin de estrangulamiento G y S para una V DS y ID dadas con el canal cortado. 8. Ptot :Potencia total mxima disipable a una temperatura dada. 9. gm o yfs : transconductancia o transadmitancia. 1.12-Aplicaciones Se los utiliza en las siguientes aplicaciones:
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1. Amplificador de tensin 2. Conmutador analgico 3. Compuerta digital 4. Resistencia variable con la tensin 5. Amplificador de VHF con baja distorsin 6. En medidores de PH 7. En electroencefalgrafos 8. En electrocardigrafos 9. Etc.

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2.-TRANSISTOR METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR (MOSFET) 2.1-Caractersticas Una de las caractersticas ms importantes del MOSFET es su tamao; es tan pequeo comparado con un transistor bipolar (BJT), que slo ocupa el 20 o 30 % del rea del chip que ocupara un BJT tpico. Por lo tanto, los MOSFET pueden alcanzar densidades de empaquetamiento muy elevadas en un circuito integrado, de all que se los utilice ampliamente en ellos. Adems tienen la capacidad de disipar altas potencias y conmutar grandes corrientes en menos de un nanosegundo: mucha ms rapidez que la actualmente alcanzable utilizando un BJT, es por esta razn que se lo utiliza como interruptor de alta potencia y alta frecuencia. Su funcionamiento es similar al del JFET, sin embargo hay diferencias bsicas de las que resulta que el MOSFET tiene una impedancia de entrada mucho ms alta que la del JFET, y que es del orden de 1014 . Existen dos tipos constructivos de MOSFET: 1. MOSFET de empobrecimiento 2. MOSFET de enriquecimiento a su vez estos pueden ser de canal N de canal P.

2.2-MOSFET de empobrecimiento En las figuras 14 y 15 se muestran la estructura interna, el smbolo, la caracterstica de transferencia y las caractersticas de drenador de los dos tipos de mosfet de empobrecimiento El MOSFET de empobrecimiento de canal N consiste en un sustrato de material tipo P (silicio contaminado o dopado con impurezas tipo P) en el que se han difundido dos regiones de material tipo N. Estas dos regiones forman la fuente o surtidor (S) y el drenaje o drenador (D), constituyendo conexiones de baja resistencia entre los extremos del canal N y los contactos de aluminio de la fuente y el drenador. La puerta se forma cubriendo la regin comprendida entre el drenador y la fuente con una capa de dixido de silicio (SiO2), encima de la cual se deposita una placa metlica. La denominacin metal- xido -semiconductor proviene de esta formacin de la puerta con metal, xido y un semiconductor.

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El funcionamiento del MOSFET de empobrecimiento, es similar al del JFET, como puede verse en las figuras 14 a), b) y c). Al aplicar una tensin VDS entre el drenador y el surtidor, se originar la circulacin de una corriente ID entre ambos terminales. Si se aplica una tensin negativa VGS entre la puerta y el surtidor , se produce la salida de los electrones de la regin del canal empobrecindolo. Cuando VGS alcanza el valor V P , el canal se estrangula, provocando que cese la circulacin de la corriente ID. Por el contrario si la VGS aplicada fuese positiva, los valores positivos de esta tensin aumentaran el tamao del canal, dando por resultado un aumento de la corriente ID. Todo esto puede apreciarse en la caracterstica de transferencia mostrada en la figura anterior. Ntese que el MOSFET de empobrecimiento puede operar tanto para valores positivos como negativos de la VGS., sin embargo la caracterstica de transferencia contina para v alores positivos de la tensin V GS. Como la compuerta est aislada del canal por la capa de dixido de silicio, la corriente de compuerta es sumamente baja (10-12 A) y V GS puede ser de cualquier polaridad. Como puede verse en las figuras anteriores, el smbolo para el MOSFET posee un cuarto terminal, el sustrato . La flecha apunta hacia adentro para uno de canal N y hacia afuera para uno de canal P. La fuente, el drenador y el sustrato forman un transistor bipolar; por lo general siempre se lo conecta a la tensin ms negativa existente en el circuito. La tensin del sustrato afecta a la tensin inicial VP y a la caracterstica corriente de drenadortensin de puerta del MOSFET. La figura 16, muestra dicha variacin. La corriente drenador-fuente tambin vara al variar la tensin del sustrato, ya que cuando cambia la tensin fuente-sustrato, cambia la tensin umbral V T . El MOSFET de empobrecimiento de canal P , que se muestra en la figura 15 , se construye igual al de canal N, salvo que ahora se invierten los materiales N y P al igual que las polaridades de las tensiones y corrientes.; su funcionamiento es anlogo teniendo en cuenta las salvedades mencionadas.

2.3-MOSFET de enriquecimiento El MOSFET de enriquecimiento, que al igual que el anterior, puede ser de canal N de canal P, se muestra en las figuras 17y 18.
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La construccin comienza con un material de sustrato (de tipo P para canal N y de tipo N para canal P) sobre el cual se difunde material de tipo opuesto para formar la fuente y el drenador. El smbolo para el MOSFET de enriquecimiento, muestra una lnea quebrada entre fuente y drenador para indicar que no existe un canal inicial. El MOSFET de enriquecimiento de canal N difiere constructivamente del de empobrecimiento de canal n en que no tiene capa de material N, sino que requiere de una tensin positiva entre la puerta y la fuente para establecer un canal. Este canal se forma por la accin de una tensin positiva compuerta-fuente (V GS) ,que atrae electrones de la regin del sustrato ubicada entre el drenador y la compuerta que estan formados por material semiconductor tipo P. Es decir que el canal no tiene existencia fsica como ocurre con el mosfet de empobrecimiento, sino que se forma a partir de una tensin aplicada V GS. Una V GS positiva, provoca que los electrones se acumulen en la superficie inferior de la capa de xido, producindose el enriquecimiento de la regin del canal. Cuando la tensin alcanza el valor umbral ,V T , han sido atrados a esta regin los electrones suficientes para que se comporte como canal N conductor. No habr una corriente apreciable ID hasta que V GS exceda el valor V T . Para el MOSFET de enriquecimiento, no existe un valor de IDSS ya que la corriente de drenaje es cero hasta que el canal se ha formado. El MOSFET de enriquecimiento de canal P tiene caractersticas similares pero opuestas a las del MOSFET de enriquecimiento de canal N. Aunque se halla ms restringido en su intervalo de operacin que el MOSFET de empobrecimiento, el MOSFET de enriquecimiento se emplea en circuitos integrados debido a su reducido tamao y construccin simple.

2.4-VMOSFET (VMOS) Este tipo de MOSFET fue desarrollado para aumentar la capacidad de manejo de potencia en dispositivos de estado slido; en ellos el canal de conduccin se ha modificado para formar una V, como puede verse en la figura 19 en lugar de la lnea recta convencional entre fuente y drenador. Se aade una capa de semiconductor adicional.

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El trmino VMOS se deriva del hecho de que la corriente entre fuente y drenador sigue un trayecto vertical debido a la construccin. El drenaje est ahora localizado en una pieza de material semiconductor adicional. Los FETS convencionales estan limitados a corrientes del orden de miliamperes, pero los FET VMOS se encuentran disponibles para corrientes del orden de los 100 A. Esto proporciona un gran incremento de potencia respecto a los FETS convencionales. Otras ventajas adicionales de los VMOS son las siguientes: coeficiente de temperatura negativo para prevenir fallas trmicas baja corriente de fuga alta velocidad e conmutacin posibilidad de ser utilizados como BJT para amplificadores lineales de alta potencia

2.5-MOSFET de simetra complementaria (CMOS) El MOSFET de simetra complementaria, denominado CMOS est fabricado como muestra la figura 20 a). Consiste en un mosfet de canal P (PMOSFET) y uno de canal N (NMOSFET), ambos del tipo de enriquecimiento. Se trata de un circuito inversor representado en la figura 20 b), donde T2 es el PMOSFET y T1 es el NMOSFET. Los dos drenajes estn conectados entre s por lo que la corriente fluye desde la alimentacin V SS hasta masa; la figura 20 c) muestra las conexiones del sustrato. La operacin del inversor es la siguiente: cuando V i < V T1 , el transistor T1 est en corte y, como usualmente ocurre, V SG2 = V SS - Vi > V T2 , por lo que el transistor T2 conduce. Estando T1 en corte, no fluye corriente en T2 aunque est en el estado de conduccin; as la salida del inversor es V o = V SS. Cuando aumenta la tensin de entrada V i por encima de V T1 , T1 y T2 conducen y la tensin de salida disminuye. Finalmente, cuando V i aumenta lo suficiente para que T2 pase al estado de corte, es decir: VSS - Vi < V T2 , entonces, como T1 est en conduccin, la tensin de salida V = 0 volt. Entre el PMOSFET y el NMOFET se emplean otras conexiones cuando el CMOS ha de ser utilizado en aplicaciones diferentes.

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Una de las aplicaciones ms importantes de los circuitos CMOS, tal vez la ms importante, es su utilizacin como compuertas lgicas en circuitos integrados. Esto se debe a elevada velocidad de conmutacin, consumo extremadamente pequeo de potencia de c.c. y tamao extremadamente pequeo, lo que lo hace particularmente apto para la denominada integracin en muy alta escala (VLSI).

NOTA: Adems de los FET analizados existen otros transistores de efecto de campo tales como DMOS, MESFET, etc., que no han sido tratados en el presente trabajo. Se invita a aquellos lectores que estn interesados en profudinzar ms en el tema a recurrir a la bibliografa citada al final del apunte.

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- INFORMACION TECNICA DE ALGUNOS JFETs Y MOSFETs -

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-BIBLIOGRAFIA1. SEMICONDUCTORES AVANZADOS Y OP-AMP - J. P. Garca, A. Robles y C. Otero - Edit. Mc Graw - Hill - 1992.

2. DISEO ELECTRONICO, CIRCUITOS Y SISTEMAS - Savan, Rover y Carpenter.- Edit. Addison Wesley Iberoamericana - 1995.

3. CIRCUITOS ELECTRONICOS DISCRETOS E INTEGRADOS - D. Schiling, C. Belove, T. Apelewicz y R. Saccardi.- Edit. Mc Graw - Hill - 1993.

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