Anne scolaire 2009/2010

ECOLE POLYTECHNIQUE
UNIVERSITAIRE DE
NICE SOPHIA-ANTIPOLIS


Cycle Initial Polytechnique
Premire anne



















Travaux Dirigs
dlectronique analogique

Quadriples
Diodes
Transistors bipolaires



Pascal MASSON



















3
SOMMAIRE




Quadriples TD No. 1 : Dtermination des paramtres impdances ........... 5
Quadriples TD No. 2 : Caractristiques des quadriples.............................. 7
Quadriples TD No. 3 : Dtermination des paramtres admittances .......... 11
Quadriples TD No. 4 : Reprsentation des quadriples................................ 13
Quadriples TD No. 5 : Association de quadriples......................................... 15
Quadriples TD No. 6 : Pour aller plus loin....................................................... 17
Diodes TD No. 1 : Prise en main de la diode PN ............................................... 19
Diodes TD No. 2 : Redressement dun signal ..................................................... 25
Bipolaire TD No. 1 : Prise en main du transistor NPN.................................... 29
Bipolaire TD No. 2 : Le transistor en metteur commun................................ 33
Bipolaire TD No. 3 : Test des batteries................................................................ 39
Bipolaire TD No. 4 : Convertisseur analogique - numrique......................... 43
Bipolaire TD No. 5 : Liaison optique ................................................................... 47
Epreuves de Quadriples 2007-2008 .................................................................. 53
Epreuves de Diode 2007-2008 ............................................................................. 55
Epreuves dlectronique analogique N1 2008-2009...................................... 59
Epreuves dlectronique analogique N2 2008-2009...................................... 65
Epreuves dlectronique analogique N3 2008-2009....................................... 69
Epreuves dlectronique analogique N4 2008-2009......................................... 73


4



5



Quadriples TD No. 1 : Dtermination des paramtres impdances


Exercice I : Matrice impdance

I
1
V
1
V
2
R
1
R
3
R
2
I
2
a
I
1
V
1
R
I
2
V
2
b
I
1
V
1
R
I
2
V
2
c
I
1
V
1
V
2
R
1
R
3
R
2
.I
2
I
2
R
4
.I
1
d
I
1
V
1
V
2
R
1
R
3
R
2
I
2
I
1
V
1
V
2
R
1
R
3
R
2
I
2
a
I
1
V
1
R
I
2
V
2
I
1
V
1
RR
I
2
V
2
b
I
1
V
1
R
I
2
V
2
I
1
V
1
R
I
2
V
2
c
I
1
V
1
V
2
R
1
R
3
R
2
.I
2
I
2
R
4
.I
1
I
1
V
1
V
2
R
1
R
3
R
2
.I
2
I
2
R
4
.I
1
d

Figure I.1.
I.1. Dterminer les paramtres de la matrice impdance du quadriple de la figure (I.1a).
I.2. Dterminer les paramtres de la matrice impdance du quadriple de la figure (I.1.b).
Retrouver les paramtres de cette matrice partir du rsultat de la question (I.1)
I.3. Dterminer les paramtres de la matrice impdance du quadriple de la figure (I.1.c)
partir du rsultat de la question (I.1).
I.4. Dterminer les paramtres de la matrice impdance du quadriple de la figure (I.1.d).
En dduire une nouvelle reprsentation du quadriple de la figure (I.1.a)
Exercice II : Matrice impdance dun quadriple actif

II.1. On se propose dtudier le quadriple de la figure (II.1.a) qui reprsente le schma petit
signal du transistor MOS (MtalOxideSemiconducteur).
II.1.a. Quelle est la dimension de gm ?
II.1.b. Dterminer les paramtres de la matrice impdance de ce quadriple.
II.2. Le schma petit signal du transistor bipolaire est donn la figure (II.1.b).
II.2.a. Quelles sont les dimensions des paramtres et ?
II.2.b. Dterminer les paramtres de la matrice impdance de ce quadriple.

6
II.3. Comme lindique la figure (II.1.c), on suppose que = 0 pour le transistor bipolaire et on
ajoute une rsistance R3 au montage lectronique (ici une rsistance dmetteur).
II.3.a. Dterminer les paramtres impdances du quadriple quivalent (transistor +
rsistance R3).
II.3.b. Retrouver le rsultat de la question (II.3.a) en utilisant deux lois des mailles.
II.3.c. En vous inspirant de la question (I.4) de lexercice (I), donner une nouvelle
reprsentation de ce quadriple.
a
I
1
V
2
R
2
I
2
g
m
.V
1
V
1
R
1
.V
2
I
1
V
2
R
2
I
2
.I
1
V
1
R
1
b a
I
1
V
2
R
2
I
2
g
m
.V
1
V
1
R
1
I
1
V
2
R
2
I
2
g
m
.V
1
V
1
R
1
.V
2
I
1
V
2
R
2
I
2
.I
1
V
1
R
1
.V
2
I
1
V
2
R
2
I
2
.I
1
V
1
R
1
b

I
1
V
2
R
2
I
2
.I
1
V
1
R
1
c
R
3
I
1
V
2
R
2
I
2
.I
1
V
1
R
1
c
R
3



Figure II.1.



7



Quadriples TD No. 2 : Caractristiques des quadriples


Exercice I : Caractristiques dun quadriple passe-bas du 1
er
ordre

Un exemple de quadriple passe-bas du premier ordre, aussi appel filtre passe-bas, est donn
la figure (I.1). Il est constitu dune rsistance et dune capacit et ne laisse passer que les
signaux de frquences infrieures une certaine frquence de coupure, FC.
I
1
V
1
R
I
2
V
2
C R
L
R
G
E
G
I
1
V
1
R
I
2
V
2
C R
L
R
L
R
G
E
G


Figure I.1.
I.1. Caractristiques dun quadriple en reprsentation impdance.
I.1.a. Donner lexpression de la rsistance dentre, RE.
I.1.b. Donner lexpression de la rsistance de sortie, RS.
I.1.c. Donner lexpression du gain en courant, Ai.
I.1.d. Donner lexpression du gain en tension, Av, et du gain composite Avg.
I.2. On sintresse maintenant au montage de la figure (I.1). On rappelle que limpdance
dune capacit est un nombre complexe qui dpend de la frquence ( = 2..F) du signal ses
bornes : Z = 1/(j.C.).
I.2.a. Donner les expressions des paramtres Z en fonction des lments du quadriple.
I.2.b. Donner lexpression de la rsistance dentre, RE. Que devient cette rsistance si il
ny a pas de charge ?
I.2.c. Donner lexpression de la rsistance de sortie, RS. Que devient RS si la rsistance
du gnrateur en entre, RG, est trs faible devant R ?
I.2.d. Donner lexpression du gain en courant, Ai.
I.2.e. Donner lexpression du gain en tension, Av, et du gain vide, Av0.
I.3. Montrer que le quadriple peut se mettre sous la forme quivalente donne la figure
(I.2). On donnera les expressions des lments.
I
1
V
2
I
2
V
1
R
G
E
G
R
L
R
E
R
S
E
GS
I
1
V
2
I
2
V
1
R
G
E
G
R
L
R
E
R
S
E
GS


Figure I.2.
I.4. On se propose de faire ltude en frquence de ce quadriple.
8
I.4.a. Donner lexpression du module du gain Av0.
I.4.b. Comment varie ce gain lorsque varie de 0 linfini ?
I.4.c. On obtient la pulsation de coupure, C0, lorsque le gain chute de 3 dB. Pour le cas
prsent, cela correspond : 20.logAV0 = 3 dB. Dterminer lexpression de la pulsation
et de la frquence de coupure.
I.4.d. Dterminer la valeur de la pente (dB/dec) du quadriple donne par
lquation (I.1) :
( ) ( )
0 C 0 v 0 C 0 v
. 10 A log . 20 . 100 A log . 20 pente = (I.1)
I.4.e. Donner la valeur de 20.logAV0 pour une pulsation trs infrieure C0.
I.4.f. Reprsenter la variation de 20.logAV0 en fonction de log().
I.4.g. Quelle est la pulsation de coupure, C, du gain AV ? La comparer avec celle du gain
AV0.
I.4.h. Donner lexpression du gain AV en dB.
I.4.i. Reprsenter la variation de 20.logAV en fonction de log() sur le graphique de la
question (I.4.f).
On rappelle ici quelques proprits des fonctions exponentielle et logarithme :
( )
( )
( ) y exp
x exp
y x exp =
( ) ( ) [ ]
n
x exp x . n exp =

( ) ( ) ( ) y log x log y . x log + =
( ) a log . x a log
x
= |

\
|


log(10) = 1 log(2) 0,3
Exercice II : Caractristiques du quadriple passe-bande

I
1
V
1
I
2
V
2
C
R
G
E
G
R
R
C
R
L
Q
1
Q
2
I
1
V
1
I
2
V
2
C
R
G
E
G
R
R
C
R
L
R
L
Q
1
Q
2

Figure II.1.
Un exemple de quadriple (Q1) passe-bande, aussi appel filtre passe-bande, est donn la
figure (II.1). Il est constitu dun filtre passe-haut en srie avec un filtre passe-bas (tudi
lexercice (I)). Pour simplifier lexercice, nous tudions le quadriple Q2 (quadriple en T), et
nous supposons que la charge RL ninfluence pas les performances du circuit (cest notamment
le cas lorsque ce filtre est connect lentre dun AOP Amplificateur Oprationnel).
II.1. Donner les expressions des paramtres Z en fonction des lments du quadriple.
9
II.2. En vous aidant de lexercice (I), montrer que le gain en tension, Av, est de la forme :
(

+
=
0
0
0
V
. Q . j 1
A
A (I.1)
o 0 reprsente la pulsation de rsonance dont on donnera lexpression. Donner la valeur de
Q, le facteur de qualit du filtre. Que reprsente A0 et quelle est la particularit du gain la
pulsation 0 ?
II.2. Comment varie ce gain lorsque varie de 0 linfini ?


10


11



Quadriples TD No. 3 : Dtermination des paramtres admittances


Exercice I : Matrice admittance

Y
1
Y
3
Y
2
I
1
V
1
V
2
I
2
I
1
V
1
Y
I
2
V
2
I
1
V
1
Y
I
2
V
2
a b
c d
I
1
V
1
V
2
Y
1
Y
3
I
2
Y
2
.V
2
Y
4
.V
1
Y
1
Y
3
Y
2
I
1
V
1
V
2
I
2
Y
1
Y
3
Y
2
I
1
V
1
V
2
I
2
I
1
V
1
V
2
I
2
I
1
V
1
Y
I
2
V
2
I
1
V
1
Y
I
2
V
2
I
1
V
1
Y
I
2
V
2
I
1
V
1
YY
I
2
V
2
a b
c d
I
1
V
1
V
2
Y
1
Y
3
I
2
Y
2
.V
2
Y
4
.V
1
I
1
V
1
V
2
Y
1
Y
3
I
2
Y
2
.V
2
Y
4
.V
1

Figure I.1.
I.1. Dterminer les paramtres de la matrice admittance du quadriple de la figure (I.1a).
I.2. Dterminer les paramtres de la matrice admittance du quadriple de la figure (I.1.b).
Retrouver les paramtres de cette matrice partir du rsultat de la question (I.1)
I.3. Dterminer les paramtres de la matrice admittance du quadriple de la figure (I.1.c)
partir du rsultat de la question (I.1).
I.4. Dterminer les paramtres de la matrice admittance du quadriple de la figure (I.1.d).
En dduire une nouvelle reprsentation du quadriple de la figure (I.1.a)
Exercice II : Matrice admittance dun quadriple actif


R
1
R
3
R
2
I
1
V
1
V
2
I
2
Y
1
.V
1
R
1
R
3
R
2
I
1
V
1
V
2
I
2
Y
1
.V
1


Figure II.1.

II.1. Dterminer les paramtres de la matrice admittance de ce quadriple.
II.2. Retrouver le rsultat de la question (II.1) en utilisant deux lois des noeuds.
12
II.3. En vous inspirant de la question (I.4) de lexercice (I), donner une nouvelle reprsentation
de ce quadriple.
II.4. Dterminer la matrice impdance de ce quadriple




13



Quadriples TD No. 4 : Reprsentation des quadriples


Exercice I : Schma quivalent

Le tableau (I.1) regroupe les paramtres des matrices de quatre quadriples actifs. R et Z
reprsentent des impdances. Y est une admittance. Les paramtres , et sont sans unit.
Donner le schma quivalent de ces quatre quadriples.
Paramtre
Quadriple 11 12 13 14
1 R1 Z Z R2
2 Z Y
3 1/R1 Y Y 1/R2
4 100 0 15 10 S


Tableau I.1.
Exercice II : Lien entre les diffrentes reprsentations

II.1. Exprimer les paramtres de la matrice hybride en fonction des paramtres de la matrice
admittance.
II.2. Exprimer les paramtres de la matrice hybride en fonction des paramtres de la matrice
impdance.
II.3. Exprimer les paramtres de la matrice de transfert en fonction des paramtres de la
matrice hybride.
II.4. Exprimer les paramtres de la matrice de transfert en fonction des paramtres de la
matrice impdance.
Exercice III : Les diffrentes reprsentations dun quadriple actif

.V
2
I
1
V
2
R
2
I
2
.I
1
V
1
R
1
.V
2
I
1
V
2
R
2
I
2
.I
1
V
1
R
1


Figure III.1.
Donner les matrices admittance, impdance, hybride et de transfert du transistor bipolaire en
petit signal donn la figure (III.1).

14


15



Quadriples TD No. 5 : Association de quadriples


Exercice I : Matrices de transfert (matrices chanes)

I.1. Donner lexpression des matrices de transferts des quadriples de la figure (I.1).
I
1
V
1
R
1
I
2
V
2
I
1
V
1
R
2
I
2
V
2
a b
I
1
V
1
R
1
I
2
V
2
I
1
V
1
R
1
I
2
V
2
I
1
V
1
R
2
I
2
V
2
I
1
V
1
R
2
R
2
I
2
V
2
a b


Figure I.1.
I.2. En vous aidant de la question (I.1), donner lexpression des matrices de transferts des
quadriples de la figure (I.2).
a b
c
I
1
V
1
V
2
R
1
R
3
R
2
I
2
R
1
R
3
R
2
I
1
V
1
V
2
I
2
I
1
V
1
R
1
I
2
V
2
R
2
a b
c
I
1
V
1
V
2
R
1
R
3
R
2
I
2
R
1
R
3
R
2
I
1
V
1
V
2
I
2
R
1
R
3
R
2
I
1
V
1
V
2
I
2
I
1
V
1
V
2
I
2
I
1
V
1
R
1
I
2
V
2
R
2
I
1
V
1
R
1
I
2
V
2
R
2

Figure I.2.
Exercice II : Matrices admittances

Rpondre aux questions suivantes pour les deux quadriples de la figure (II.1).
II.1. Montrer que les deux quadriples peuvent tre considrs comme lassociation de deux
quadriples en parallle et donner les schmas correspondants.
II.2. Dterminer les lments des matrices Y et Y de chacun des quadriples constituant
cette association. En dduire la matrice Y des quadriples.

16
V
1
I
1
V
2
I
2
V
1
I
1
V
2
I
2
a b
R
2
R
1
R
1
C
R
2
R
1
R
1
C
1
C
2
C
2
V
1
I
1
V
2
I
2
V
1
I
1
V
2
I
2
V
1
I
1
V
2
I
2
V
1
I
1
V
2
I
2
a b
R
2
R
1
R
1
C
R
2
R
1
R
1
C
1
C
2
C
2

Figure II.1.

17



Quadriples TD No. 6 : Pour aller plus loin


Exercice I : Dmonstration du thorme de MILLER

On se propose de dmontrer le thorme de MILLER partir du quadriple tudi lexercice
(II) du TD n 2. Ce thorme est trs utilis pour ltude, en rgime petit signal, des circuits
lectriques base de transistors bipolaire et/ou MOS
R
1
R
3
R
2
I
1
V
1
V
2
I
2
Y
1
.V
1
R
1
R
3
R
2
I
1
V
1
V
2
I
2
Y
1
.V
1


Figure I.1.
I.1. Montrer que ce quadriple correspond la mise en parallle de deux quadriples. Le
quadriple Q1 est constitu des lments R1, Y1.V1 et R3 et le quadriple Q2 de la rsistance R2.
I.2. Donner les matrices admittances de ces deux quadriples.
I.3. Donner lexpression du gain (ici vide), AV0, du quadriple Q1.
I.4. Donner lexpression de la matrice admittance du quadriple global.
I.5. Montre que ce quadriple est quivalent au quadriple Q1 auquel on a ajout une
rsistance en parallle sur lentre et une rsistance en parallle sur la sortie qui dpendent
de R2 et du gain AV0.
Exercice II : Adaptation dimpdance avec un quadriple

R
int
a
R
G
E
G
R
int
b
V
E
R
G
E
G
C
L
R
int
a
R
G
E
G
R
int
b
V
E
R
G
E
G
C
L

Figure II.1.
La figure (II.1.a) prsente un quadriple de rsistance dentre RE aliment par un gnrateur
EG ayant une rsistance srie RG.
II.1. Montrer que le gnrateur fournit le maximum de puissance au quadriple lorsque RE =
RG.
Dans notre cas RE est trs infrieur RG et on intercale entre le gnrateur et le quadriple un
quadriple dadaptation dimpdance constitu dune capacit (Z = 1/(j.C.) = j.XC) et dune
self (Z = j.L. = j.XL).
II.2. Donner lexpression de la matrice impdance du quadriple dadaptation.
18
II.3. Donner les expressions des rsistances dentre et de sortie de ce quadriple.
II.4. A quoi doit tre gale la rsistance dentre pour avoir une adaptation dimpdance entre
le gnrateur et le quadriple dadaptation ?
II.5. Donner finalement les expressions de XC et XL pour avoir une adaptation dimpdance.
Quelle doit tre la condition sur RG et Rint pour garantir lexistence de XC et XL.
II.6. Commenter lexistence dune frquence de travail pour ce circuit.




19



Diodes TD No. 1 : Prise en main de la diode PN


Exercice I : Diode passante ou bloque ?

E
G
R
1
I
D
2
D
1
D
3
R
2
R
3
I
1
I
2
I
3
E
G
R
1
I
D
2
D
1
D
3
R
2
R
3
I
1
I
2
I
3


Figure I.1. Les diodes sont identiques et
on a pour les rsistances : R1 = R2 = 100 ,
R3 = 200

On considre le circuit lectrique de la figure (I.1) o les diodes D1, D2 et D3 sont supposes
identiques : mme tension de seuil, VS, et mme rsistance srie, RS. Tracer la caractristique
I(EG) pour EG variant de 1 V 1 V pour les trois cas suivants :
I.1. On considre que les diodes sont idales : VS = 0 et RS = 0.
I.2. On considre que les diodes ont une tension de seuil VS = 0.5 V avec RS = 0.
I.3. On considre que les diodes ont une tension de seuil VS = 0.5 V avec RS = 100 .
Remarque : on pourra utiliser les graphiques donns la fin de ce TD et conserver les mmes
chelles afin de mieux apprhender limpact des paramtres des diodes.
Exercice II : Influence de VS et RS sur la polarisation de la charge

V
C
I
1
I
2
I
C
E
G
R
1
R
2
R
C
V
2
V
C
I
1
I
2
I
C
E
G
R
1
R
2
R
C
V
2


Figure II.1. Les paramtres du
circuit sont : R1 = R2 = 500 ,
RC = 100 et EG = 5 V.

On considre le circuit lectrique de la figure (II.1). Donner lexpression et la valeur du
courant IC pour les trois cas suivants :
II.1. La diode est idale : VS = 0 et RS = 0.
II.2. La diode a une tension de seuil VS = 0.5 V avec RS = 0.
II.3. La diode a une tension de seuil VS = 0.5 V avec RS = 100 .
II.4. Que se passe t-il si EG = 5.5 V, R1 = 1000 et R2 = 100 .


20
Exercice III : Point de polarisation et droite de charge


I
D
(
m
A
)
V
D
(V)
0,6 0,2 0,4 0,8
2
4
6
8
10
1 1,2 1,4
I
R
E
G
a
b
I
D
(
m
A
)
V
D
(V)
0,6 0,2 0,4 0,8
2
4
6
8
10
1 1,2 1,4
I
R
E
G
a
I
R
E
G
I
R
E
G
a
b

Figure III.1. Les paramtres du circuit sont : R = 175 , EG = 1,4 V.
Le montage tudier est donn la figure (III.1.a) et la caractristique de la diode la figure
(III.1.b).
III.1. Dterminer la tension de seuil et la rsistance srie de la diode.
III.2. Donner lexpression et la valeur du courant, I, qui circule dans le montage et de la
tension aux bornes de la diode. Placer ce point de polarisation sur la figure (III.1.b).
III.3. Retrouver ce courant par une mthode graphique (droite de charge).
III.4. Trouver le point de polarisation si EG = 0,6 V et R = 150 .
Exercice IV : La diode en rgime alternatif


I
D
(
m
A
)
V
D
(V)
0,6 0,2 0,4 0,8
2
4
6
8
10
1 1,2 1,4
I
R
E
G
a
b
I
D
(
m
A
)
V
D
(V)
0,6 0,2 0,4 0,8
2
4
6
8
10
1 1,2 1,4
I
R
E
G
a
I
R
E
G
I
R
E
G
a
b

Figure IV.1. Les paramtres de la diode sont : VS = 0.5 V, RS = 50 . La rsistance a pour
valeur R = 175 .
Le circuit que lon tudie ici est donn la figure (IV.1.a) et la caractristique de la diode la
figure (IV.1.b).
21
I
D
(
m
A
)
V
D
(V)
0,6 0,2 0,4 0,8
2
4
6
8
10
1
Figure IV.2.
I
D
(
m
A
)
V
D
(V)
0,6 0,2 0,4 0,8
2
4
6
8
10
1
I
D
(
m
A
)
V
D
(V)
0,6 0,2 0,4 0,8
2
4
6
8
10
1
Figure IV.2.

IV.1. La diode en rgime petit signal.
On applique une tension alternative de faible amplitude additionne une tension continue :
( ) t sin . 1 , 0 4 , 1 E
G
+ = (IV.1)
La tension continue (1,4 V) correspond au point de polarisation.
IV.1.a. En utilisant la mthode de la droite de charge, donner les valeurs extrmes que
prennent la tension aux bornes de la diode et le courant I.
IV.1.b. Tracer sur la figure (IV.2) lvolution temporelle de la tension aux bornes de la
diode et du courant I.
IV.1.c. Donner le schma quivalent du montage en rgime de petit signal. On ne
considre que les variations des signaux. Reprsenter alors la figure (IV.3) la variation
du courant et sur le mme graphique les variations du gnrateur et de la tension aux
bornes de la diode.
IV.1.d. On utilise prsent une caractristique plus raliste de la diode donne la
figure (IV.4). Commenter la notion de petit signal.

22


Figure IV.3.
I
D
(
m
A
)
V
D
(V)
0,6 0,2 0,4 0,8
2
4
6
8
10
1
I
D
(
m
A
)
V
D
(V)
0,6 0,2 0,4 0,8
2
4
6
8
10
1



Figure IV.4.
Caractristique plus
raliste de la diode.

IV.2. La diode en rgime grand signal.
On applique prsent une tension alternative de grande amplitude additionne une tension
continue :
( ) t sin . 6 , 0 7 , 0 E
G
+ = (IV.2)
En utilisant la mthode de la droite de charge, donner lvolution temporelle de la tension
bornes de la diode et du courant I en vous aidant de la figure (IV.5).
23
I
D
(
m
A
)
V
D
(V)
0,6 0,2 0,4 0,8
2
4
6
8
10
1
Figure IV.5.
I
D
(
m
A
)
V
D
(V)
0,6 0,2 0,4 0,8
2
4
6
8
10
1
I
D
(
m
A
)
V
D
(V)
0,6 0,2 0,4 0,8
2
4
6
8
10
1
Figure IV.5.





24









25



Diodes TD No. 2 : Redressement dun signal


Valeur efficace dune tension, Veff.
C'est la valeur de la tension continue qui provoquerait la mme dissipation de puissance que
u(t) si elle tait applique aux bornes d'une rsistance :
( )

+
=
T t
t
2
eff
dt t u
T
1
V
Exercice I : Redressement simple alternance

V
I
E
G
R V
I
E
G
R


Figure I.1.

On applique la tension EG = E.cos(t) au circuit de la figure (I.1). Pour les trois cas suivants,
tracer lvolution temporelle de la tension V aux bornes de la rsistance et dterminer
lexpression de la tension moyenne, Vmoy. On dterminera lexpression de la tension efficace,
Veff, pour le premier cas.
I.1. On considre que la diode est idale : VS = 0 et RS = 0.
I.2. On considre que la diode a une tension de seuil VS 0 avec RS = 0.
I.3. On considre que la diode a une tension de seuil VS 0 avec RS 0.
Exercice II : Redressement simple alternance avec filtrage

V
I
E
G
R C V
I
E
G
R C


Figure II.1.

On applique la tension EG = E.cos(t) au circuit de la figure (II.1), la diode tant idale.
II.1. Tracer lvolution temporelle de la tension V aux bornes de la rsistance.
II.2. Donner lexpression de londulation du signal aux bornes de la rsistance.
II.3. Donner lexpression de la tension moyenne en sortie et lexpression de la tension efficace.
II.4. On souhaite raliser une alimentation stabilise de 15 V partir du secteur (EDF), la
charge tant R = 1500
26
II.4.a. Quelle est la tension efficace dlivre par le secondaire du transformateur ?
II.4.b. Quelle doit tre la valeur de la C pour que londulation soit au maximum de 1 V ?
II.4.c. Quelle est la tension supporte par la diode la mise sous tension ?
II.4.d. Quel doit-on faire pour ne pas la dtruire ?
Exercice III : Redressement double alternance avec filtrage

V
E
G
R
C
D
1
D
3
D
2
D
4
V
E
G
R
C
D
1
D
3
D
2
D
4



Figure III.1.
On applique la tension EG = E.cos(t) au circuit de la figure (III.1).
III.1. Pour cette question, on ne prend pas en considration la prsence de la capacit. Pour
les trois cas suivants, tracer lvolution temporelle de la tension V aux bornes de la rsistance
et dterminer lexpression de la tension moyenne, Vmoy. On dterminera lexpression de la
tension efficace, Veff, pour le premier cas.
III.1.a. On considre que les diodes sont idales : VS = 0 et RS = 0.
III.1.b. On considre que les diodes ont une tension de seuil VS 0 avec RS = 0.
III.1.c. On considre que les diodes ont une tension de seuil VS 0 avec RS 0.
III.2. Pour cette question, on considre la prsence de la capacit.
III.2.a. Tracer lvolution temporelle de la tension V aux bornes de la rsistance.
III.2.b. Donner lexpression de londulation du signal aux bornes de rsistance en
supposant que les diodes sont idales.
III.2.c. Donner lexpression de la tension moyenne en sortie et lexpression de la tension
efficace.
III.2.d. On souhaite raliser une alimentation stabilise de 15 V partir du secteur
(EDF) la charge tant R = 1500 . Quelle doit tre la valeur de la capacit pour que
londulation soit au maximum de 1 V ?
27









28











29



Bipolaire TD No. 1 : Prise en main du transistor NPN


Exercice I : Point de polarisation du transistor

V
BE
R
C
V
E
V
DD
R
B
V
S
V
BE
R
C
V
E
V
E
V
DD
R
B
V
S


Figure I.1. On pose RC = 10 k, RB = 450 ,
VDD = 5 V. Le gain du transistor est = 100 et
les courbes IB(VBE) et IC (VCE) sont donnes
aux figures (I.2) et (I.3).
I.1. Dterminer lexpression de la droite de charge IB(VBE).
Exercice II : Conversion tension-lumire

E
G
V
DD
R
E
R
C
D
1
R
B
R
1
R
E
R
C
D
2
R
B
R
2
R
E
R
C
D
3
R
B
R
3
T
1
T
2
T
3
E
G
V
DD
R
E
R
C
D
1
R
B
R
1
R
E
R
C
D
2
R
B
R
2
R
E
R
C
D
3
R
B
R
3
T
1
T
2
T
3

Figure II.1. Les
paramtres du montage
sont : R1 = 100 k,
R2 = 200 k, R3 = 400 k,
RC = 3 k, RB = 400 k,
RE = 2 k, VDD = 10 V.
Les caractristiques du
transistor sont : VBE = 0,6 V,
= 100, VCEsat 0.2 V.
Les DEL sont identiques et
ont une tension de seuil
VS = 0,6 V, RS = 0.
On considre le circuit lectrique de la figure (II.1) o EG est une tension qui varie de 0 4 V
II.1. A partir de quelle tension EG le transistor T1 se dbloque ? Quel est le courant qui circule
dans la diode D1 et la tension VCE lorsque EG = 4 V ? Dans ce cas, est ce que IB peut tre
nglig dans le pont de base ? Reprendre si ncessaire le calcul de VCE.
II.2. Mmes questions pour les couples T2-D2 et T3-D3.



30
Exercice III : Inverseur dalimentation (pont en H)

D
1
D
2
T
1
T
2
T
3
T
4
V
DD
V
DD
R
1
R
2
R
3
D
1
D
2
T
1
T
2
T
3
T
4
V
DD
V
DD
R
1
R
2
R
3

Figure III.1. Schma lectrique
dun pont en H. Les paramtres du
montage sont : R1 = 1 k,
R2 = 20 k, R3 = 40 k, VDD = 10 V.
Les caractristiques des transistors
NPN sont : VBE = 0,6 V, = 10,
VCEsat 0.2 V. Pour les transistors
PNP on a : VBE = 0,6 V, = 10,
VCEsat 0.2 V.
Les DEL sont identiques et ont une
tension de seuil VS = 0,6 V, RS = 0.

Le schma de la figure (III.1) correspond un pont en H utilis pour alimenter un moteur et
en choisir le sens de rotation via linterrupteur. Dans cet exercice, le moteur est remplac par
deux LED. Dcrire qualitativement et quantitativement le fonctionnement de ce montage.
Exercice IV : Transistors monts en Darlington

R
C
R
E
V
DD
C
R
T
1
T
2
V
C E
G
R
C
R
E
V
DD
C
R
T
1
T
2
V
C E
G
E
G

Figure IV.1. On pose RC = 1 k,
RE = 8.8 k, VDD = 10 V, C = 1 F,
R = 1 k. Les caractristiques des transistors
sont : VBE = 0,6 V, = 100, VCEsat 0.2 V. Pour
la diode on prendra : VS = 0,6 V, RS = 0.
On considre le circuit de la figure (IV.1) dont
la capacit est initialement dcharge et EG
un gnrateur de signal carr damplitude 0 -
4V et de priode TP = 10 ms.
IV.1. Evolution temporelle de VC.
IV.1.a. Donner lexpression de VC(t) en
supposant que le courant IB1 est
ngligeable devant le courant de charge /
dcharge du condensateur.
IV.1.b. Tracer lvolution temporelle de
la tension VC.
IV.1.c. Dterminer lvolution
temporelle de la tension VC en
considrant des variations de temps t.
IV.2. Montrer que les transistors T1 et T2
sont quivalents un seul transistor dont on
dterminera les caractristiques VBE et .
IV.3. A partir de quelle tension VC la diode
sallume ?

31








32

33



Bipolaire TD No. 2 : Le transistor en metteur commun


Exercice I : Linverseur

V
BE
R
C
V
E
V
DD
R
B
V
S
V
BE
R
C
V
E
V
E
V
DD
R
B
V
S


Figure I.1. On pose RC = 10 , RB = 450 ,
VDD = 5 V. Le gain du transistor est = 100 et
les courbes IB(VBE) et IC (VCE) sont donnes
aux figures (I.2) et (I.3).
I.1. Dterminer lexpression de la droite de charge IB(VBE).
I.2. Dterminer les domaines de variation de IB et VBE lorsque VE passe de 0 5 V.
I.3. Dterminer lexpression de la droite de charge IC(VCE).
I.4. Dterminer les domaines de variation de IC et VCE lorsque VE passe de 0 5 V.
I.5. Reprsenter graphiquement la courbe VS(VE) sur la figure (I.4).
I.6. Quelle tension VE doit-on appliquer pour avoir VS = VDD / 2 ?
I.7. Si VE = 2,95 V, quelle est lallure de la courbe IC(VCE) si on fait varier RC de 0,1 10 k ?
I
B
(
m
A
)
2
4
6
8
10
V
BE
(V)
0,6 0,2 0,4 0,8 1
I
B
(
m
A
)
2
4
6
8
10
V
BE
(V)
0,6 0,2 0,4 0,8 1




Figure I.2.

34
I
C
(
m
A
)
200
400
600
800
1000
V
CE
(V)
3 1 2 4 5
I
C
(
m
A
)
200
400
600
800
1000
V
CE
(V)
3 1 2 4 5




Figure I.3.
V
E
(V)
3 1 2 4 5 0
V
S
(
V
)
3
1
2
4
5
0
V
E
(V)
3 1 2 4 5 0
V
S
(
V
)
3
1
2
4
5
0







Figure I.4.





35
Exercice II : Lamplificateur en classe A

C
3
V
L
V
BE
R
C
E
G
V
DD
R
2
R
1
R
L
R
E
C
1
C
2
C
3
V
L
V
BE
R
C
E
G
E
G
V
DD
R
2
R
1
R
L
R
E
C
1
C
2

Figure II.1. On pose RC = 232,5 , RE = 17,5 , R1 = 8,3 k, R2 = 21,4 k, RL = 1 k,
VDD = 5 V. Le gain du transistor est = 100 et les courbes IB(VBE) et IC (VCE) sont donnes aux
figures (II.2) et (II.3). EG est un gnrateur de signaux.
II.1. Etude en statique de la boucle dentre
On supposera que + 1
II.1.a. Dterminer la tension de seuil, VS, de la diode et sa rsistance srie RS.
II.1.b. Dterminer les valeurs de IB et de VBE en utilisant le schma lectrique quivalent
de la diode.
II.1.c. Dterminer les valeurs de IB et de VBE en utilisant lexpression de la droite de charge
statique IB(VBE). Il faudra utiliser la figure (II.2.a).
II.2. Etude en statique de la boucle de sortie
II.2.a. Dterminer le courant IC et la tension VCE en utilisant la loi des mailles.
II.2.b. Dterminer la tension VCE en utilisant lexpression de la droite de charge statique
IC(VCE). Il faudra utiliser la figure (II.3.a).
II.3. Etude en dynamique de la boucle dentre
Le signal EG est de la forme :
|
|

\
|
=
P
G
T
t
2 sin . 02 , 0 E
(II.1)
On considrera qu la frquence FP = 1 / TP, les capacits C1 C3 ne peuvent pas suivre les
variations du signal.
II.3.a. Dterminer le domaine de variation de IB et VBE.
II.3.b. Tracer lvolution temporelle de IB et VBE.
II.3.c. Donner le schma lectrique quivalent de la boucle dentre si on ne considre que
les variations temporelles des courants et des tensions.
36
Figure II.2.
b
c
a
I
B
(

A
)
40
80
120
160
200
V
BE
(V)
0,6 0,8 1
T
P
T
P
I
B
(

A
)
1,2 1,4
Figure II.2.
b
c
a
I
B
(

A
)
40
80
120
160
200
V
BE
(V)
0,6 0,8 1
T
P
T
P
I
B
(

A
)
1,2 1,4

Figure II.3.
b
c
T
P
T
P
I
C
(
m
A
)
a
I
C
(
m
A
)
V
CE
(V)
3 1 2 4 5
4
8
12
16
20
Figure II.3.
b
c
T
P
T
P
I
C
(
m
A
)
a
I
C
(
m
A
)
V
CE
(V)
3 1 2 4 5
4
8
12
16
20

37
II.4. Etude en dynamique de la boucle de sortie sans RL
On utilise le mme signal EG que la question (II.3).
II.4.a. Dterminer le domaine de variation de IC et VCE.
II.4.b. Dterminer lexpression de la droite de charge dynamique
II.4.c. Donner la valeur du gain vide AV0 = EG / VRL.
II.4.d. Donner le schma lectrique quivalent de la boucle de sortie si on ne considre que
les variations temporelles des courants et des tensions.
II.4.e. Donner lexpression du gain vide AV0 et sa valeur.
II.5. Etude en dynamique de la boucle de sortie avec RL
On utilise le mme signal EG que la question (II.3).
II.5.a. Dterminer le domaine de variation de IC et VCE.
II.5.b. Tracer lvolution temporelle de IC de VCE et de VL.
II.5.c. Dterminer la valeur du gain en tension en charge AV = EG / VRL.
II.5.d. Donner le schma lectrique quivalent de la boucle de sortie si on ne considre que
les variations temporelles des courants et des tensions.
II.5.e. Donner lexpression du gain AV et sa valeur.


38


39



Bipolaire TD No. 3 : Test des batteries


Exercice I : Indicateur de niveau de batterie (12 V)

R
3
D
2
V
DD
R
1
T
1
T
2
D
1
R
2
R
4
V
1
V
2
V
3
R
3
D
2
V
DD
R
1
T
1
T
2
D
1
R
2
R
4
V
1
V
1
V
2
V
2
V
3
V
3


Figure I.1. On pose R1 = 1,5 k,
R2 = 330 , R3 = 150 k, R4 = 510 ,
VDD = 12 V. Les deux transistors sont
identiques avec = 100 et VCEsat = 0,2
V. Les paramtres de la diode BE
sont : VS = 0,6 V, RS = 1 k
La diode Zener a pour caractristique
VZ = 10 V et Rz = 1 . La diode D2 est
une LED avec VLED = 1,5 V et
RLED = 1 k.
La dfaillance de la batterie de voiture (en gnral en hiver) est la principale cause dabsence
des tudiants en cours. On se propose ici dtudier un dispositif lectronique trs simple
(Figure I.1) qui permet lallumage dune LED lorsque la tension dune batterie passe en
dessous dun seuil critique (signe quil faut changer la batterie).
I.1. Cas de la batterie correctement charge.
I.1.1. Dterminer lexpression et la valeur du courant IB1.
I.1.2. Dterminer lexpression et la valeur de la tension V2.
I.1.3. Dterminer si la LED est allume.
I.2. On considre maintenant que la tension de la batterie de voiture est passe VDD = 10,5 V
I.2.1. Dterminer la valeur du courant IB1.
I.2.2. Dterminer lexpression et la valeur de la tension V2 et du courant IB2.
I.2.3. Dterminer lexpression et la valeur de V3.

40

Exercice II : Indicateur de niveau de tension

R
1
R
1
R
1
R
1
R
2
D
3
AOP
1
AOP
2
AOP
3
R
2
D
2
R
2
D
1
V
DD
V
E
V
3
V
2
V
1
R
1
R
1
R
1
R
1
R
2
D
3
AOP
1
AOP
2
AOP
3
R
2
D
2
R
2
D
1
V
DD
V
E
R
1
R
1
R
1
R
1
R
2
D
3
AOP
1
AOP
2
AOP
3
R
2
D
2
R
2
D
1
V
DD
V
E
V
3
V
3
V
2
V
2
V
1
V
1



Figure II.1. On pose R1 = 100 k,
R2 = 500 . VDD = 9 V.
Les LED D1 D3 sont identiques avec
VLED = 1,5 V et RLED = 1 k.
La tension de sortie des AOP est comprise
entre 0 et 9V.
Le circuit de la figure (II.1) sert tester la valeur dune tension comprise ente 0 et 9 V (valeur
de VDD)
II.1. Dterminer les expressions et valeurs des tensions V1 V3.
II.2. Expliquer le fonctionnement de la portion de circuit constitue par les composants AOP1,
R2 et D1.
II.3. En dduire la condition dallumages de LED D2 et D3.

41
Exercice III : Indicateur de tension fentre

R
1
R
2
R
3
R
4
D
3
AOP
1
AOP
2
R
4
D
2
R
4
D
1
V
DD
V
E
V
2
V
1
R
1
R
2
R
3
R
4
D
3
AOP
1
AOP
2
R
4
D
2
R
4
D
1
V
DD
V
E
V
2
V
2
V
1
V
1



Figure III.1. On pose R1 = 100 k,
R2 = 10 k, R3 = 100 k, R4 = R5 = R6 = 1
k VDD = 9 V.
Les LED D1 et D3 mettent du rouge et la
diode D2 du vert. Les autres
caractristiques sont identiques avec
VLED = 1,5 V et RLED = 1 k.
La tension de sortie des AOP est comprise
entre 0 et 9V.
On souhaite savoir si la tension dune batterie se situe dans une certaine gamme. On utilise
pour cela le circuit de la figure (III.1).
III.1. Dterminer les expressions et valeurs des tensions V1 et V2.
III.2. Expliquer le fonctionnement du circuit en indiquant les conditions dallumage des LED
D1 D3.

42


43



Bipolaire TD No. 4 : Convertisseur analogique - numrique


Dans tous les domaines de llectronique (ordinateur, lecteur MP3, RFID, radio, tl,
tlphone) la part du traitement numrique de linformation ne cesse de crotre par rapport
au traitement analogique. Cette prdominance du numrique tient aux avantages techniques
tels que la souplesse du traitement de linformation, lexcellente reproductibilit des
rsultats
Exercice I : Convertisseur analogique numrique FLASH (CAN FLASH)

Il existe plusieurs types de convertisseur analogique numrique et cet exercice se focalise sur
ltude de convertisseur FLASH (figure (I.1)). Le mot FLASH signifie que la conversion est
trs rapide. Le convertisseur choisi pour ce TD a une rsolution de 3 bits et il est constitu de
4 parties :
1) Une srie de 8 rsistances identiques qui donnent les tensions de rfrences.
2) 7 AOP
3) Un circuit logique de dcodage
4) Un circuit mmoire cadenc par une horloge
Le signal VE chantillonner est compris en 0 et 2 V
I.1. Donner les tensions de rfrence en entre de chaque AOP.
La valeur basse (respectivement haute) de la sortie des AOP correspondra au 0 logique
(respectivement au 1 logique).
I.2. Regrouper dans le tableau (I.1) les valeurs de VE, des sorties des AOP et des sorties du
circuit de dcodage sachant que S0 est le bit de poids faible et S2 le bit de poids fort.
I.3. Donner le quantum du CNA (diffrence de tension dentre correspondant 2 codes
successifs).
I.4. Donner la valeur du mot (S0 S2) lorsque VE = 0,9 V ; 1 V et 1,2 V.
I.5. VE est un signal sinusodal de frquence FP = 1 kHz donn par :

|
|

\
|
+ =
P
E
T
t
2 sin 1 V (I.1)
On choisi une frquence dhorloge du circuit mmoire FH = 8 kHz. Sur la figure (I.2), donner la
valeur binaire (mot) du signal VE chantillonn sur une priode. Le premier chantillon sera
pris t = 0.
44
R
R
R
A
V
DD
V
E
R
R
R
R
R
B
C
D
E
F
G
C
i
r
c
u
i
t

d
e

d

c
o
d
a
g
e
S
0
S
1
S
2
Circuit
mmoire
Horloge
R
R
R
A
V
DD
V
E
R
R
R
R
R
B
C
D
E
F
G
C
i
r
c
u
i
t

d
e

d

c
o
d
a
g
e
S
0
S
1
S
2
Circuit
mmoire
Horloge

Figure I.1. Les 7 AOP sont identiques. R = 10 k et VDD = 2 V.
VE G F E D C B A S2 S1 S0








Tableau I.1.
45
t
T
P
/2 T
P
0
V
E
(
V
)
1
2
0
t
T
P
/2 T
P
0
V
E
(
V
)
1
2
0

Figure I.2.
Exercice II : CNA rsistances pondres

Le convertisseur numrique analogique tudi dans cet exercice est constitu dun circuit
mmoire (qui applique sur ses sorties S0, S1 et S2 des mots binaires avec une frquence FH), de
transistors bipolaires utiliss comme interrupteur (bloqu satur), dune batterie de
rsistances pondres (R, 2.R et 4.R) et de deux AOP monts en amplificateur.
V
DD
V
S
S
0
S
1
S
2
Circuit
mmoire
Horloge
2.R
T
0
R
1
R
1
R
1
T
1
T
2
R
4.R
R
R
R
V
DD
V
S
S
0
S
1
S
2
Circuit
mmoire
Horloge
2.R
T
0
R
1
R
1
R
1
T
1
T
2
R
4.R
RR
RR
RR

Figure II.1. Les trois transistors et les 2 AOP sont identiques. La configuration du circuit est
telle que la sortie des AOP ne peut pas saturer. R1 = 10 k et VDD = 1 V.
II.1. Dterminer les expressions des courants qui peuvent traverser les rsistances pondres.
II.2. Pour le mot S2S1S0 = 001, donner la valeur des courants dans les rsistances pondres
ainsi que la valeur de VS.
II.3. Mme question pour le mot S2S1S0 = 010.
II.4. Mme question pour le mot S2S1S0 = 100.
II.5. Complter le tableau (II.1) en donnant les valeurs de VS.
II.6. La mmoire donne en sortie la suite binaire donne au tableau (II.2). La frquence entre
chaque mot est FH = 8 kHz et le mot reste en sortie jusqu ce quil soit modifi. Donner la
valeur de VS et reprsenter VS(t) sur la figure (II.2).

46
S2 S1 S0 VS
0 0 0
0 0 1
0 1 0
Tableau II.1. 0 1 1
1 0 0
1 0 1
1 1 0
1 1 1

H S2 S1 S0 VS
0
1 1 0

TH
1 1 1

2.TH
1 1 1

Tableau II.2. 3.TH
1 0 0

4.TH
0 0 1

5.TH
0 0 0

6.TH
0 0 0

7.TH
0 1 1

8.TH
1 1 0


t
2.T
H
T
H
0
V
E
(
V
)
1
2
0
t
2.T
H
T
H
0
V
E
(
V
)
1
2
0

Figure II.2.
47



Bipolaire TD No. 5 : Liaison optique


Rappel :
La surface dune calotte sphrique est donne par :
|

\
|
+

=
2 2
c
h . 4 p .
4
S
o est la hauteur et p le diamtre du contour.
h
p
h
p

Exercice I : le bloqueur de tlcommande

R
3
R
1
T
1
T
2
R
2
R
4
C
V
DD
R
5
D
1
V
2
V
1
V
3
V
4
V
5
V
6
R
3
R
1
T
1
T
2
R
2
R
4
C
V
DD
R
5
D
1
R
3
R
1
T
1
T
2
R
2
R
4
C
V
DD
R
5
R
3
R
1
T
1
T
1
T
2
R
2
R
4
C
V
DD
R
5
D
1
V
2
V
2
V
1
V
1
V
3
V
3
V
4
V
4
V
5
V
5
V
6
V
6



Figure I.1. On pose R1 = 100 k, R2 = 150 k,
R3 = 10 k, R4 = 1 k, R5 = 22 , C = 10 nF,
VDD = 4,5 V.
T1 est un transistor PNP avec 1 = 100 et
VCEsat1 = 0 V, VS1 = 0,6 V, RS1 = 1 k.
T2 est un transistor NPN avec 2 = 100 et
VCEsat2 = 0 V, VS2 = 0,6 V, RS1 = 1 k.
La diode D1 est une LED infra-rouge (IR) qui a
pour caractristiques VIR = 1,5 V et RIR = 250 .
Plus le courant dans la diode est important,
plus lmission dIR est importante.
Vous en avez marre des missions tls de votre petite sur ou petit frre, ou tout simplement
vous voulez faire une bonne blague quelquun : le bloqueur de tlcommande est fait pour
vous. Le but de ce circuit (figure (I.1)) est dinonder le rcepteur dinformations (0 et 1)
inexploitables qui feront passer le signal en provenance de la tlcommande comme un bruit
supplmentaire. La base du circuit est un oscillateur deux transistors (T1, T2) de type PNP et
NPN et dune capacit dont la charge bloque ou rend passant (T1 linaire et T2 satur) ces
transistors. Les tensions V1 V6 sont rfrences par rapport la masse.
Dans tout lexercice on considrera que le courant qui circule dans les rsistances R1 et R2 est
ngligeable devant les courants qui circulent dans R3 et T2.
On rappelle que la tension aux bornes de la capacit dun circuit R.C volue suivant
lquation :
( ) B
C . R
t
exp . A t V + |

\
|
= (I.1)
48
I.1. On se place t = 0 et on suppose que la capacit est dcharge.
I.1.1. Dire si la diode D1 est passante ou bloque et si les transistors T1 et T2 sont bloqus
ou passants (linaires ou saturs).
I.1.2. Donner lexpression et la valeur des tensions V1 V4.
I.2. A partir de t = 0+, la capacit commence se charger.
I.2.1. Dterminer lexpression de la tension V3 en fonction du temps.
I.2.2. Dterminer lexpression de la tension V2 en fonction du temps.
I.2.3. Dterminer lexpression de la tension V4 en fonction du temps.
I.2.4. Dterminer lexpression de la tension VBE1 en fonction du temps.
I.2.5. Dterminer lexpression et la valeur du temps t1 partir duquel le transistor T1 se
dbloque.
I.2.6. Dterminer lexpression et la valeur du temps t1 partir duquel le transistor T1 se
dbloque.
I.3. Une fois dbloqu, le transistor T1 reste en rgime linaire et son courant collecteur sature
le transistor T2.
I.3.1. Dterminer lexpression et la valeur de V2 t = t1
+
.
I.3.2. Dterminer lexpression et la valeur de V4 ainsi que IB1 t = t1
+
. On remarquera que
la capacit C3, via T1, devient lalimentation des rsistances R1 et R2.
I.4. On sintresse prsent la dcharge de la capacit. On prendra t1 comme origine des
temps.
I.4.1. Dterminer lexpression de la tension V3 en fonction du temps. On supposera pour
cela que le courant qui dcharge C passe par R3 et on ngligera les autres courants.
I.4.2. Dterminer lexpression et la valeur du temps t2 partir duquel on bloque T1.
I.5. Pour dterminer la frquence du cycle de charge dcharge du condensateur, il faut
reprendre la question I.2. On prendra t2 comme origine des temps.
I.5.1. Dterminer lexpression de la tension V3 en fonction du temps.
I.5.2. Dterminer lexpression de la tension V2 en fonction du temps.
I.5.3. Dterminer lexpression de la tension V4 en fonction du temps.
I.5.4. Dterminer lexpression de la tension VBE1 en fonction du temps.
I.5.5. Dterminer lexpression et la valeur du temps t2 partir duquel le transistor T1 se
dbloque.
I.5.6. Dterminer lexpression et la valeur du temps t2 partir duquel le transistor T1 se
dbloque.
I.6. Evolution temporelle des signaux.
I.6.1. Dterminer la priode du signal (par exemple de la tension V3) partir des
questions (I.4) et (I.5).
49
I.6.2. Tracer lvolution temporelle de la tension V3 sur la figure (I.2) en considrant les
instants t1, t2 et t3.
I.6.3. Tracer lvolution temporelle de la tension V3 sur la figure (I.2).
I.6.4. Tracer lvolution temporelle de la tension V2 sur la figure (I.3) et indiquer les
plages temporelles qui correspondent la diode IR peu ou trs lumineuse.
I.6.5. Tracer lvolution temporelle de la tension V4 sur la figure (I.3).

Figure I.2

Figure I.3

Figure I.4
50
Exercice II : Liaison Infra-Rouge

R
3
R
1
T
1
R
4
V
DD
V
E
D
1
T
2
T
3
T
4
V
DD
V
H
R
2
Emission Rception
R
3
R
1
T
1
T
1
R
4
V
DD
V
E
D
1
T
2
T
3
T
4
V
DD
V
H
R
2
Emission Rception

Figure II.1. On pose R1 = 100 k, R2 = R3 = R4 = 1 k, VDD = 3 V. Les transistors T1, T3 et T4
sont identiques avec = 100 et VCEsat = 0,2 V, VS = 0,6 V, RS = 1 k. T2 est un opto-transistor IR
de type NPN dont le courant de base a pour origine les photons reus. Les caractristiques de ce
transistor sont : 2 = 100 et VCEsat2 = 0 V, VS2 = 0,6 V, RS2 = 1 k. La LED infra-rouge (IR) D1 a
pour caractristiques VIR = 1,5 V et RIR = 250 . Plus le courant dans la diode est important,
plus lmission dIR est importante. Le courant ne pas dpasser par cette diode est de 20 mA.
II.1. Etude la partie Emission.
On considre que le signal VE(t) est binaire avec VE = 0 V pour un 0 et VE = VDD pour un 1.
II.1.1. Dterminer les valeurs de IB1 et VBE1 pour les deux valeurs possibles de VE.
II.1.2. Dterminer si la diode D1 met des IR pour les deux valeurs possibles de VE.
II.1.3. Pour VE = VDD, dterminer la tension aux bornes de la diode D1.
II.2. Parcours des IR entre lmission et la rception
On sintresse au flux de photons, mis par la diode IR, qui parcourt la distance r pour arriver
sur la base du transistor comme lindique la figure (II.2). Soit FD une grandeur, sans unit,
relative la conversion en photons du courant de la diode IR (IIR) donne par :

IR D
I . 2 , 0 F = (II.1)
Langle dmission des photons () est pour cette diode de 40.
Le courant de base du photo-transistor correspond la conversion photons courant donne
par :
' F . 1 I
D 2 B
= (II.2)
o FD est la portion de FD reue par la base du transistor dont la surface (SB) est de 1 mm
2
.
51
II.2.1. Donner lexpression de FD en fonction de , r et FD. On supposera que la base est
totalement intgre dans la surface de la sphre de rayon r.
II.2.2. Donner la valeur de IB2 pour les deux valeurs de VE lorsque r = 2 m.
D
1
T
2
r
40
D
1
T
2
T
2
r
40

Figure II.2.
II.3. Etude la partie Rception.
II.3.1. Dterminer la valeur de VS pour les deux valeurs de VE.
II.3.2. Dterminer les diffrentes voies qui pourraient permettre daugment la tension de
sortie pour VE = VDD.



52




53



Epreuves de Quadriples 2007-2008


EXERCICE I : Quadriple en reprsentation hybride (9 pts - 40 mn)

I
1
V
2
R
2
I
2
.I
1
V
1
R
1
R
G
E
G
Quadriple
X
I
1
V
2
R
2
I
2
.I
1
V
1
R
1
R
G
E
G
Quadriple
X



Figure I.1.
On se propose dtudier les caractristiques du montage de la figure (I.1) qui inclut un
quadriple constitu des lments R1, et R2. Ce quadriple sera reprsent par sa matrice
hybride et on rappelle que :
(

=
(

2
1
22 21
12 11
2
1
V
I
.
h h
h h
I
V
et

+ =
+ =
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
V . h I . h I
V . h I . h V
(I.1)
I.1. Etude du quadriple
I.1.1. Quelle est la dimension du paramtre ? (0.25 pt)
I.1.2. Par la mthode de votre choix, dterminer lexpression des paramtres hybrides du
quadriple en fonction de ses lments. (2 pts)
I.1.3. Dterminer lexpression de la rsistance dentre, RE, du quadriple. Dire alors si
la charge branche en sortie a une influence sur la rsistance dentre. (0.75 pt)
I.2. Pr tude du circuit de la figure (I.1)
I.2.1. Dterminer lexpression du gain AV = V2 / V1 en fonction de R1, R2, et X. (1.5 pts)
I.2.2. Donner lexpression du gain AV si on enlve la charge X ? Ce gain sera not AV0.
(0.5 pt)
I.2.3. Que fait le courant .I1 lorsque lon enlve la charge X ? (0.5 pt)
I.2.4. Dterminer lexpression du gain composite AVG = V2 / EG en fonction de RG, R1, R2,
et X). (0.5 pt)
I.3. Etude en frquence du circuit de la figure (I.1)
Le composant X est une self de : X = jL).
I.3.1. Montrer que le gain AV peut se mettre sous la forme (1.5 pts) :

=
C
V
j 1
G
A (I.2)
o G est un nombre rel. On prcisera lexpression de G et de C.
I.3.2. Donner lexpression de |AV| en fonction de G et de C. (0.5 pt)
54
I.3.3. Que devient |AV| lorsque tend vers 0 ou vers linfini ? (0.5 pt)
I.3.4. A quel type de filtre correspond lassociation du quadriple avec une self en sortie
et que reprsente C ? (0.5 pt)
EXERCICE II : Quadriple en reprsentation impdance (5 pts)

I
1
V
2
R
I
2
V
1
R
G
E
G
Quadriple
X
.V
1
C
I
1
V
2
R
I
2
V
1
R
G
E
G
Quadriple
X
.V
1
C


Figure II.1.
On se propose dtudier les caractristiques du montage de la figure (II.1) qui inclut un
quadriple constitu des lments C, .V1 et R.
II.1. Par la mthode de votre choix, dterminer les paramtres impdances de ce quadriple
(0,25 pt) Z11 = (0,25 pt) Z12 =
(0,25 pt) Z21 = (0,25 pt) Z22=
II.2. (1 pt) Dterminer lexpression du gain en tension AV = V1/V2.
II.3. (0,5 pt) Dterminer lexpression du gain en tension vide AV0.
II.4. (0,5 pt) Dterminer lexpression de la rsistance dentre, RE.
II.5. (1 pt) Dterminer lexpression du gain en tension composite AVG et montrer quil est de la
forme :

C
G
2
VG
j 1
G
E
V
A

+
= = (II.1)
o G est un nombre rel. On prcisera lexpression de G et de C.
II.6. (0,5 pt) Dterminer lexpression du module du gain en tension composite |AVG| en
fonction de G et C.
II.7. (0,5 pt) Du point de vu de la charge, que se passe til si la frquence du gnrateur est
trs suprieure C/(2.) ?

55



Epreuves de Diode 2007-2008


Exercice I : Diode et droite de charge (11 pts - 50 mn)

V
D
I
D
E
G
R
R
R
V
A
V
D
I
D
E
G
R
R
R
V
A

Figure I.1. la rsistance a pour
valeur R = 50 .
On se propose dtudier le montage de la figure (I.1). La caractristique ID(VD) de la diode est
donne la figure (II.2).
I.1. Etude de la diode
I.1.1. Quelle est la valeur de la tension de seuil, VS, de la diode ? (0.5 pt)
I.1.2. Quelle est la valeur de la rsistance srie, RS, de la diode ? (0.5 pt)
I
D
(
m
A
)
V
D
(V)
0,6 0,2 0,4 0,8
2
4
6
8
10
I
D
(
m
A
)
V
D
(V)
0,6 0,2 0,4 0,8
2
4
6
8
10

Figure I.2.
I.2. Droite de charge
I.2.1. Montrer (avec Thvenin) que, pour la diode, le montage de la figure (I.1) est
quivalent au montage de la figure (I.3). (1.5 pts)
V
D
I
D
0,5.E
G
1,5.R
V
D
I
D
0,5.E
G
1,5.R

Figure I.3. la rsistance a pour valeur
R = 50 .
56
I.2.2. Donner lexpression de la droite de charge du montage ? (1 pt)
I.2.3. La tension du gnrateur est EG = 1,5 V. Donner les coordonnes de deux points
particuliers de la droite de charge. (1 pt)
I.2.4. Tracer sur la figure (II.4.a) la droite de charge lorsque EG = 1,5 V. (1 pt)
I.2.5. Dterminer graphiquement la valeur du courant ID qui circule dans la diode et la
tension ses bornes, VD ? (1 pt)
I.3. Variations temporelles de ID et VD
On applique un signal en dent de scie ( ), de priode TP, donn par :
|
|

\
|
+ = 3 , 1 t .
T
6 , 2
5 , 1 E
P
G
pour t [0 ; TP] (I.1)
I.3.1. Tracer sur la figure (II.4.a) les deux droites de charge qui correspondent au
maximum et au minimum de EG ? (0.5 pt)
I.3.2. Donner le domaine de variation de ID et VD. (0.5 pt)
I.3.3. Sur la figure (I.4.b), tracer lvolution temporelle de ID sur au moins une priode.
(1.5 pts)
I.3.4. Sur la figure (I.4.c), tracer lvolution temporelle de VD sur au moins une priode.
(2 pts)
Figure I.4.
a b
c
I
D
1
(
m
A
)
V
D
(V)
0,6 0,2 0,4 0,8
2
4
6
8
10
1
T
P
T
P
Figure I.4.
a b
c
I
D
1
(
m
A
)
V
D
(V)
0,6 0,2 0,4 0,8
2
4
6
8
10
1
I
D
1
(
m
A
)
V
D
(V)
0,6 0,2 0,4 0,8
2
4
6
8
10
1
T
P
T
P



57
Exercice II : Rgulateur diode Zener (5 pts)

E
G
X
I
D
R
V
D
E
G
X
I
D
R
V
D


Figure II.1.
On se propose dtudier le dimensionnement des lments du montage de la figure (II.1) pour
obtenir une tension VD stable en cas de modification de la charge X. On notera VZ la tension de
seuil et RZ la rsistance srie de la diode Zener.
II.1. (0,5 pt) Quel est le gnrateur de Thvenin quivalent, Eth et Rth, vu par la diode
Zener ?
II.2. (1 pt) Donner lexpression de la droite de charge en fonction de Eth et Rth.
II.3. (0,5 pt) En ne considrant que la diode Zener et en supposant quelle est passante,
donner lexpression de VD en fonction de RZ, VZ et ID.
II.4. (1 pt) A partir des questions (II.1), (II.2) et (II.3), donner lexpression de VD en fonction
de RZ, EG, R et X lorsque la diode Zener est passante. On pourra mettre ce rsultat sous la
forme :

B 1
V E . A
V
Z G
D
+
+
= (II.1)
II.5. Pour la rgulation en tension il faut que VD soit le plus proche possible de la tension VZ.
II.5.1. (1 pt) Quest ce que cela impose pour le rapport RZ/R ?
II.5.2. (1 pt) Quest ce que cela impose pour le terme
X . R
X R
. R
Z
+
et donc pour X par
rapport R ?
Exercice III : Redressement simple alternance avec crtage (5 pts)

X V
4 V
E
G
D
1
D
2
X V
4 V
E
G
D
1
D
2


Figure III.1.
On se propose dtudier le circuit de la figure (IV.1) o X reprsente un circuit lectronique
trs fragile. Les diodes ont pour caractristiques :
Diode D1 : VS1 = 0,5 V, RS1 = 0 Diode D2 : VS2 = 0 V, RS2 = 0


58
III.1. Domaine de variation de la tension V.
III.1.1. (1 pt) Quelle tension peut-on avoir au maximum aux bornes de X et quelle
condition est-ce quon lobtient ?
III.1.2. (1 pt) Quelle tension peut-on avoir au minimum aux bornes de X et quelle
condition est-ce quon lobtient ?
III.2. (2 pts) Lvolution temporelle de la tension EG est donne la figure (IV.2). Cest une
sinusode qui prsente par moment et de faon alatoire des sur-tensions (sauts de tension).
Reprsenter sur cette figure (en rouge, bleu ou vert) lvolution temporelle de la tension aux
bornes de X.
4
2
2
4
6
E
G
(
V
)
t
6
8
2.T
P
0
8
4
2
2
4
6
E
G
(
V
)
t
6
8
2.T
P
2.T
P
0
8

Figure III.2.
III.3. (1 pt) Daprs vous, quel est le but de la prsence de la diode D2 en srie avec la tension
de 4 V par rapport au circuit lectronique (reprsent par X) ?


59



Epreuves dlectronique analogique N1 2008-2009


RAPPELS :


Impdance
(

=
(

2
1
22 21
12 11
2
1
I
I
.
Z Z
Z Z
V
V

+ =
+ =
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
I . Z I . Z V
I . Z I . Z V

Admittance
(

=
(

2
1
22 21
12 11
2
1
V
V
.
Y Y
Y Y
I
I

+ =
+ =
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
V . Y V . Y I
V . Y V . Y I

Rsistance dentre * :
X Z
Z . Z
Z
I
V
R
22
21 12
11
1
1
E
+
= =
Gain en tension * :
X
Z . Z Z . Z
Z
Z
V
V
A
21 12 22 11
11
21
1
2
v

+
= =
Rsistance de sortie * :
G 11
21 12
22
2
2
S
R Z
Z . Z
Z
I
V
R
+
= =
* RG reprsente la rsistance srie du gnrateur branche en entre. X reprsente
limpdance branche en sortie du quadriple.
Impdance dune capacit C 1/(jC) []
Impdance dune self L jL []



1. (3 pts) Par la mthode de
votre choix, dterminer les
paramtres impdances, le
gain et le gain vide de ce
quadriple :
R
R.I
2
I
1
V
2
R
I
2
.I
1
V
1
Quadriple
X
R
R.I
2
I
1
V
2
R
I
2
.I
1
V
1
Quadriple
X
(0.25 pt) Z11 = (0.25 pt) Z12 =
(0.25 pt) Z21 = (0.25 pt) Z22=
(1 pt) AV = (1 pt) AV0 =




60
(0.25 pt) Z11 =
(0.25 pt) Z12 =
(0.25 pt) Z21 =
2. (1 pt) Par la mthode de votre
choix, dterminer les paramtres
impdances de ce quadriple :
V
1
V
R
3.R
2.R
I
1
I
2
V
1
V
R
3.R
2.R
I
1
I
2
(0.25 pt) Z22 =

3. (3 pts) Par la mthode de
votre choix, dterminer les
paramtres impdances et la
rsistance dentre de ce
quadriple ainsi que le gain du
circuit :
I
1
V
1
V
2
R
2.R
I
2
2.R
I
1
V
1
V
2
R
2.R
I
2
2.R

(0.25 pt) Z11 = (0.25 pt) Z12 =
(0.25 pt) Z21 = (0.25 pt) Z22=
(1 pt) RE = (1 pt) AV =

(0.5 pt) Z11 =
(0.5 pt) Z12 =
(0.25 pt) Z21 =
4. (1.5 pt) Par la mthode de votre choix et
pour le quadriple ci contre, donner les
paramtres impdances :
I
1
V
1
I
2
V
2
C C
L L
I
1
V
1
I
2
V
2
C C
L L
(0.25 pt) Z22=

61

5. (2.5 pts) Soit le
circuit ci-contre dont
les lments sont :
EG = 4 V, R = 20 .


V
D
I
D1
E
G
R
R
0,5.R
D
1
D
2
I
D2
I
D
V
D
I
D1
E
G
R
R
0,5.R
D
1
D
2
I
D2
I
D

(2 pt) Donner lquation de la droite de charge ID = f(VD) :
(0.5 pt) Donner les valeurs de deux points particuliers de cette droite :

6. (4.5 pts) Par la mthode de votre choix, donner les paramtres impdances et
la rsistance dentre de ce quadriple ainsi que le gain, le gain vide et le gain
composite du circuit :
I
1
V
2
I
2
V
1
R
G
E
G
Quadriple
X R
2
g
m
.V
1
R
1
I
1
V
2
I
2
V
1
R
G
E
G
Quadriple
X R
2
g
m
.V
1
R
1

(0.25 pt) Z11 = (0.25 pt) Z12 =
(0.25 pt) Z21 = (0.25 pt) Z22=
(0.5 pt) RE = (1 pt) AV = V2 / V1 =
(0.5 pt) AV0 = (1.5 pt) AVG = V2 / EG =

62

7. (2 pts) Donner la tension de seuil et la rsistance srie de ces quatre diodes :
I
D
(
A
)
V
D
(V)
6 2 4 8
2
4
6
8
10
10
D
1
D
2
D
3
D
4
I
D
(
A
)
V
D
(V)
6 2 4 8
2
4
6
8
10
10
D
1
D
2
D
3
D
4

Diode 1 (0.25 pt) VS = (0.25 pt) RS =
Diode 2 (0.25 pt) VS = (0.25 pt) RS =
Diode 3 (0.25 pt) VS = (0.25 pt) RS =
Diode 4 (0.25 pt) VS = (0.25 pt) RS =

(0.25 pt) Y11 =
(0.25 pt) Y12 =
(0.25 pt) Y21 =
8. (1 pt) Par la mthode de votre choix,
donner les paramtres admittances de ce
quadriple :
I
1
V
1
V
2
I
2
L C
R
I
1
V
1
V
2
I
2
L C
R

(0.25 pt) Y22 =

63

(0.5 pt) Y11 =
(0.5 pt) Y12 =
(0.25 pt) Y21 =
9. (1.5 pts) Par la mthode de votre
choix, donner les paramtres
admittances de ce quadriple :
Y
Y
I
1
V
1
V
2
I
2
Y
Y
I
1
V
1
V
2
I
2
I
1
V
1
V
2
I
2

(0.25 pt) Y22=

10. (1.5 pts - BONUS)
Par la mthode de votre
choix, dterminer les
paramtres impdances de ce
quadriple.

I
1
V
1
V
2
4.R
I
2
4.R
R R
4.R
4.R
I
1
V
1
V
2
4.R 4.R
I
2
4.R
R R
4.R 4.R 4.R
4.R 4.R

(0.5 pt) Z11 = (0.5 pt) Z12 =
(0.25 pt) Z21 = (0.25 pt) Z22=

64

65



Epreuves dlectronique analogique N2 2008-2009


RAPPELS :


Impdance
(

=
(

2
1
22 21
12 11
2
1
I
I
.
Z Z
Z Z
V
V

+ =
+ =
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
I . Z I . Z V
I . Z I . Z V

Admittance
(

=
(

2
1
22 21
12 11
2
1
V
V
.
Y Y
Y Y
I
I

+ =
+ =
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
V . Y V . Y I
V . Y V . Y I

Hybride
(

=
(

2
1
22 21
12 11
2
1
V
I
.
h h
h h
I
V

+ =
+ =
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
V . h I . h I
V . h I . h V


Impdance dune capacit C 1/(jC) []
Impdance dune self L jL []
EXERCICE I : Pompe de charge (5 pts)

On considre le circuit
lectrique de la figure (I.1) o les
capacits C1 et C2 sont identiques
et les diodes D1 et D2 sont idales
(VS = 0, RS = 0). EG est un
gnrateur de signaux carrs dont
le chronogramme est donn la
figure (I.2.a). A t = 0, les capacits
sont dcharges et on supposera
que les temps de charge et de
dcharge des capacits sont trs
courts devant les temps hauts et
bas du signal EG.
E
G
D
1
D
2
C
1
C
2
V
A
V E
G
D
1
D
2
C
1
C
2
V
A
V
Figure I.1.
I.1. Quelle sont les valeurs des tensions VA et VR entre les instants t0 et t1 ? (0.5 pt)
I.2. Dcrire le fonctionnement de ce circuit entre les temps t1 et t2. (1 pt)
I.3. Dcrire le fonctionnement de ce circuit entre les temps t2 et t3. (1 pt)
I.4. Reprsenter lvolution temporelle des tensions VA et VR sur la figure (I.2). (2 pts)
I.5. Vers quelle valeur tend la tension VR ? (0.5 pt)
66







Figure I.2.

t
0
V
R
(V)
E
G
(V)
t
0
V
DD
t
0
V
A
(V)
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
0
= 0
a
b
c
t
0
V
R
(V)
E
G
(V)
t
0
V
DD
t
0
V
A
(V)
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
0
= 0
t
0
V
R
(V)
E
G
(V)
t
0
V
DD
E
G
(V)
t
0
V
DD
t
0
V
A
(V)
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
t
1
t
1
t
2
t
2
t
3
t
3
t
4
t
4
t
5
t
5
t
6
t
6
t
0
= 0 t
0
= 0
a
b
c

EXERCICE II : transistor NPN et droite de charge (11 pts)


On se propose dtudier le montage de
la figure (II.1). Les valeurs des
lments du montage sont : R = 60 ,
RC = 10 , VDD = 5 V.
Les paramtres du transistor NPN
bipolaire sont = 100, VCEsat = 0,2 V.
La caractristique courant-tension de
la diode base-metteur est donne la
figure (II.2.a).

I
B
I
C
V
BE
V
CE
R
C
E
G
V
DD
R
I
B
I
C
V
BE
V
CE
R
C
E
G
E
G
V
DD
R

Figure II.1.
II.1. Etude de la diode base-metteur
II.1.1. Quelle est la valeur de la tension de seuil, VS, de la diode ? (0.5 pt)
II.1.2. Quelle est la valeur de la rsistance srie, RS, de la diode ? (0.5 pt)
II.2. Droite de charge et diode base-metteur
On sintresse ici la partie du circuit constitue du gnrateur EG = 0,6 V, de la
rsistance R et de la jonction base-metteur.
67
II.2.1. Donner lexpression de la droite de charge (IB en fonction de EG, R et VBE) du
montage ? On remarquera que la pente de cette droite ne dpend pas de EG. (1 pt)
II.2.2. Donner les coordonnes de deux points particuliers de la droite de charge. (0.5 pt)
II.2.4. Tracer la droite de charge sur la figure (II.2.a). (1 pt)
II.2.5. Dterminer graphiquement la valeur du courant IB qui circule dans la diode et la
tension ses bornes, VBE ? (1 pt)
II.3. Variations temporelles de IB et VBE
On applique un signal sinusodale de priode TP, donn par :
|
|

\
|
+ =
P
G
T
t
2 sin . 4 , 0 6 , 0 E
pour t [0 ; TP] (II.1)
II.3.1. Pour les valeurs min et max de EG, tracer les deux droites de charge sur la figure
(II.2.a). Donner les valeurs de VBE lorsque IB = 0 pour ces deux droites de charge. (0.5 pt)
II.3.2. Donner le domaine de variation (valeurs min et max) de IB et VBE pour un priode
de EG. (0.5 pt)
II.3.3. Sur la figure (II.4.b), tracer lvolution temporelle de IB sur au moins une priode.
(1.5 pts)
II.3.4. Sur la figure (II.4.c), tracer lvolution temporelle de VBE sur au moins une
priode. (2 pts)
Figure II.2.
a b
c
I
B
(
m
A
)
2
4
6
8
10
V
BE
(V)
0,6 0,2 0,4 0,8 1
T
P
T
P
I
B
(
m
A
)
2
4
6
8
10
0,6 0,2 0,4 0,8 1
Figure II.2.
a b
c
I
B
(
m
A
)
2
4
6
8
10
V
BE
(V)
0,6 0,2 0,4 0,8 1
T
P
T
P
I
B
(
m
A
)
2
4
6
8
10
0,6 0,2 0,4 0,8 1

68
II.4. Variations temporelles de IC et VCE
Pour les deux questions ci-aprs, on ne re-dterminera pas les vritables valeurs de IC et de
VCE si le transistor est en rgime satur.
II.4.1. Donner les valeurs de IC et VCE lorsque EG = 0,2 V et dire si le transistor et en
rgime bloqu, linaire ou satur. (1 pt)
II.4.2. Donner les valeurs de IC et VCE lorsque EG = 1 V et dire si le transistor et en
rgime bloqu, linaire ou satur. (1 pt)
EXERCICE III : Paramtres des quadriples (4 pts)

III.1. (1.5 pt) Par la mthode de
votre choix, dterminer les
paramtres impdances de ce
quadriple :

I
1
V
1
V
2
I
2
R
R R
R
I
1
V
1
V
2
I
2
R
R R
R

(0.5 pt) Z11 = (0.25 pt) Z12 =
(0.5 pt) Z21 = (0.25 pt) Z22=

III.2. (1.5 pts) Par la mthode de
votre choix, dterminer les
paramtres hybrides de ce
quadriple :

R
.V
2
I
1
V
2
R
I
2
R.I
1
V
1
R
.V
2
I
1
V
2
R
I
2
R.I
1
V
1

(0.25 pt) h11 = (0.25 pt) h12 =
(0.5 pt) h21 = (0.5 pt) h22=

III.3. (1 pt) Par la mthode de
votre choix, dterminer les
paramtres admittances de ce
quadriple :

I
1
V
1
V
2
I
2
L C
R
I
1
V
1
V
2
I
2
L C
R

(0.25 pt) Y11 = (0.25 pt) Y12 =
(0.25 pt) Y21 = (0.25 pt) Y22=


69



Epreuves dlectronique analogique N3 2008-2009




RAPPELS :


Forme gnrale de la tension aux bornes de la capacit dun circuit R.C :
( ) B
C . R
t
exp . A t V
C
+ |

\
|
=
Modle lectrique quivalent de la diode lorsquelle est passante : VD = VS + RS.ID
Modle lectrique quivalent de la diode lorsquelle est bloque : VD = 0 et ID = 0

Schma lectrique quivalent du transistor
bipolaire NPN en rgime de petit signal
i
b
i
c
v
CE
.i
b
R
S
v
BE
B
C
E
i
b
i
c
v
CE
.i
b
R
S
v
BE
BB
CC
EE

I et V reprsentent des courants et tensions en statique ou en statique + dynamique
i et v reprsentent des variations de courants et de tensions (donc en dynamique)
V(t) = V0 + v(t) / I(t) = I0 + i(t)
EXERCICE I : Truqueur de voix (14 pts)
Dans cet exercice, on se propose dtudier le circuit de la Figure (I.1) qui sappelle un octaveur
et qui permet de doubler la frquence dun signal. Son utilisation sur la voix humaine permet
de lamener mis chemin entre la voix robot et celle du canard.
V
E
V
DD
C
1
T
1
R
3
R
1
R
2
R
4
V
BE
V
1
PARTIE 1
C
2
C
3
D
1
D
2
C
4
PARTIE 2
R
5
R
6
R
7
R
8
V
2
V
3
V
4
V
S
V
2

V
3

V
E
V
E
V
DD
C
1
T
1
R
3
R
1
R
2
R
4
V
BE
V
1
V
1
V
1
PARTIE 1
C
2
C
3
D
1
D
2
C
4
PARTIE 2
R
5
R
6
R
7
R
8
V
2
V
2
V
2
V
3
V
3
V
3
V
4
V
4
V
4
V
S
V
2
V
2
V
2

V
3
V
3
V
3

Figure I.1. Les valeurs des composants sont : R1 = 22 k, R2 = 15 k, R3 = R4 = 2,2 k,
R5 = 39 k, R6 = R7 = 100 k, R8 = 10 k. Les capacits seront quivalentes des fils aux
frquences considres. Les trois transistors sont identiques : = 100, VCEsat = 0,2 V, pour la
diode de base VS = 0,6 V et RS = 1 k. On considrera que 1+ (soit IC IE). Les diodes D1
et D2 sont identiques avec VSD = 1 V et RSD = 10 (indice D pour faire la diffrence avec la
diode du transistor). La tension dalimentation est VDD = 15 V.
70
I.1. Etude de ltage dentre (PARTIE 1) en rgime statique
I.1.1. Donner lexpression et la valeur (Eth et Rth) du gnrateur de Thvenin quivalent
au pont de base (R1, R2 et VDD) (0.5 pt)
I.1.2. Donner lexpression et la valeur de VBE, IB, IC et VCE. Dans quel rgime est polaris
le transistor T1 ? (2.5 pts)
I.2. Etude de ltage dentre (PARTIE 1) en rgime dynamique
On considrera que lon peut ngliger limpdance dentre de la PARTIE 2 devant R3 et R4. On
supposera aussi que les variations de VE sont suffisamment faibles pour que le transistor reste
en rgime linaire.
I.2.1. Donner le schma quivalent en petit signal de la PARTIE 1 du circuit (1.5 pts)
I.2.2. Donner lexpression et la valeur du gain en tension
E
2
2 V
V
' V
A

= . Simplifier cette
expression en considrant les valeurs de RS et R4. (1 pt)
I.2.2. Donner lexpression et la valeur du gain en tension
E
3
3 V
V
' V
A

= (1 pt)
I.3. Etude du doubleur de frquence (PARTIE 2) en rgime statique (2 pts)
Les deux diodes D1 et D2 sont passantes mais la limite du blocage (VD proche de VS).
Donner les valeurs :
du courant qui circule dans D1 : ID1 =
du courant qui circule dans D2 : ID2 =
de la tension V2 =
de la tension V3 =
de la tension V4 =
I.4. Etude du doubleur de frquence (PARTIE 2) en rgime dynamique
Sans le vrifier on admettra que lapplication dune tension v2 (dynamique) ngative
permet de bloquer la diode D1 et quune tension v3 (dynamique) ngative bloque D2.
On applique un signal sinusodale de priode TP, donn par :
|
|

\
|
=
P
E
T
t
2 sin . 1 V
pour t [0 ; TP] (I.1)
Pour les questions qui suivent, il faudra garder lesprit quil y a un tage (PARTIE 1) entre
VE et la PARTIE 2.
I.4.1. A t = 0,25.TP, donner les valeurs : (2 pts)
de la tension v2 =
de la tension v3 =
71
de la tension V2 =
de la tension V3 =
du courant qui circule dans D1 =
du courant qui circule dans D2 =
de la tension V4 =
I.4.2. A t = 0,75.TP, donner les valeurs : (2 pts)
de la tension v2 =
de la tension v3 =
du courant qui circule dans D1 =
du courant qui circule dans D2 =
de la tension V2 =
de la tension V3 =
de la tension V4 =
I.4.3. Tracer lvolution temporelle de la tension V4 sur la figure (I.2) o la tension VE est
dj indique. On indiquera sur le graphique les instants qui correspondent aux diodes D1
et D2 passantes. (1 pt)
t
1
2
3
0
1
2
3
V
E
T
e
n
s
i
o
n

(
e
n

V
)
t
1
2
3
0
1
2
3
V
E
V
E
T
e
n
s
i
o
n

(
e
n

V
)

Figure I.2.
I.4.4. Quelle est la frquence du signal V4 en fonction de TP ? (0.5 pt)
EXERCICE II : Dtecteur de mensonges (6 pts)

Il existe plusieurs dispositifs (plus ou moins compliqus) permettant de dtecter si une
personne ment. On se propose ici dtudier un circuit lectrique trs simple qui dtecte une
variation de la rsistance de la peau. Pour la peau sche, cette rsistance est de 1 M et elle
peut tre divise par 10 pour une peau moite (trs gros mensonge !). Le circuit que lon va
tudier est donn la figure (II.1) et correspond un oscillateur Abraham BLOCH (PARTIE
1) suivi dun tage qui alimente le haut parleur (PARTIE 2). La PARTIE 2 ne sera pas tudie.
72
R
1
C
1 R
4
C
2
R
2
R
3
T
1
T
2
R
6
R
5
V
A
PARTIE 1 PARTIE 2
T
3
V
DD
V
B
R
P
R
1
C
1 R
4
C
2
R
2
R
3
T
1
T
2
R
6
R
5
V
A
PARTIE 1 PARTIE 2
T
3
V
DD
V
B
R
P

Figure II.1. R1 = R4 = 1 k, R2 = 22 k, R3 = 10 M, R5 = 10 k, R6 = 25 , C1 = 22 nF et
C2 = 1 nF. Les trois transistors sont identiques : = 100, VCEsat = 0 V, pour la diode de base
RS = 1 k et VS = 0,6 V. On considrera que 1+ (soit IC IE). La tension dalimentation
est VDD = 9 V.
La rsistance de la peau, RP, est prleve avec un capteur constitu de fils distants de 1
2 mm. On considrera que RP peut varier de 1 M 100 k lorsque le doigt est pos sur le
capteur sinon elle est infinie.
II.1. Donner les valeurs min et max de la tension VA. (0.5 pt)
VAmin =
VAmax =
II.2. On considre qu linstant t = 0, le transistor T1 devient passant et que par consquent,
T2 se bloque. La tension de la base de T2 devient alors gale 0,6 VDD et la tension
VA = VCEsat. Donner lexpression de lvolution temporelle de la tension VBE2 du transistor T2 en
fonction de VDD, VS, R2 et C1. (1.5 pts)
II.3. La priode totale du signal est donne par :
2 T 1 T P
T T T + = (II.1)
o TT1 correspond au temps durant lequel le transistor T1 est passant et TT2 correspond au
temps durant lequel le transistor T2 est passant.
II.3.1. Le transistor T2 reste bloqu tant que VB2 est inferieur VS. Donner lexpression
de TT1. (1 pt)
II.3.1. Donner la valeur de TT1. (0.5 pt)
TT1 =
II.4. En vous inspirant de la question (II.3), dterminer lexpression de TT2 puis de la priode
TP. (1 pt)
II.5. Donner la valeur de la frquence FP du signal lorsque : (1.5 pt)
RP = FP =
RP = 1 M FP =
RP = 100 k FP =

73



Epreuves dlectronique analogique N4 2008-2009


RAPPELS :

Forme gnrale de la tension aux bornes de la capacit dun circuit R.C :
( ) B
C . R
t
exp . A t V
C
+ |

\
|
=


Schma lectrique de loscillateur Abraham
Block
R
C
R
C
R
R
T
A
T
B
Valim
R
C
R
C
R
R
T
A
T
B
Valim



Table de vrit de la mmoire RS ( 2
transistors bipolaires comme en cours)

milli m 10

3

micro 10

6

Prfixes
nano n 10

9

EXERCICE I : Multivibrateur astable (7 pts)

R
C
V
A
V
B
R
R
V
DD
V
DD
V
C
R
C
V
A
V
A
V
B
V
B
R
R
V
DD
V
DD
V
C
V
C



Figure I.1. Le gain de lAOP est de 100 000 et
on lalimente en VDD = 15 V et VDD = 15 V.
R = 10 k, C = 1 nF
Il existe plusieurs mthodes pour obtenir un signal dhorloge. Cet exercice met en uvre un
AOP utilis en comparateur, 3 rsistances identiques et une capacit. Les tensions VA VC sont
rfrences par rapport la masse. Pour bien suivre lvolution de ces tensions, vous pouvez en
tracer lvolution temporelle dans la partie BROUILLON.
74
I.1. On se place t = 0 et on suppose que la capacit est dcharge et que VC = VDD.
I.1.1. Donner la valeur de la tension VB. (0,25 pt)
I.1.2. Donner lexpression et la valeur de la tension VA. (0,25 pt)
I.2. A partir de t = 0+, la capacit commence se charger.
I.2.1. Dterminer lexpression de la tension VB en fonction du temps. (1,5 pts)
I.2.2. Dterminer lexpression du temps t1 partir duquel la tension VC devient gale
VDD. (1,5 pts)
I.3. A partir de t = t1+, la capacit commence se dcharger et VC = VDD. On prendra t1
comme origine des temps.
I.3.1. Donner la valeur de la tension VA. (0,25 pt)
I.3.2. Dterminer lexpression et la valeur de VB en fonction du temps. (1,5 pts)
I.3.3. Dterminer lexpression et la valeur du temps t2 partir duquel la tension VC
devient VDD. (1,5 pts)
I.4. Comme la question (I.2) correspond ltude du rgime transitoire, dterminer la
frquence doscillation partir de la question (I.3). (0,25 pt)
EXERCICE II : Le dtecteur de fume (alarme incendie) (6 pts)

R
1
V
DD
V
DD
E
m
i
s
s
i
o
n
Chambre
D
1
T
1
40
Set Q
Reset Q
R

c
e
p
t
i
o
n
Alarme
Oscillateur
Abraham Block
V
A
R
1
V
DD
V
DD
E
m
i
s
s
i
o
n
Chambre
D
1
T
1
40
Set Q
Reset Q
R

c
e
p
t
i
o
n
Alarme
Oscillateur
Abraham Block
V
A
R
1
V
DD
V
DD
E
m
i
s
s
i
o
n
Chambre
D
1
T
1
T
1
40 40 40
Set Q
Reset QQ
R

c
e
p
t
i
o
n
Alarme
Oscillateur
Abraham Block
Oscillateur
Abraham Block
V
A
V
A

Figure II.1. VDD = 3 1,5 = 4,5 V, R1 = 1 k. Les caractristiques de la diode IR sont :
VIR = 1,5 V, RIR = 1 k, angle de la lumire IR est = 40. Le photo transistor IR a pour
caractristiques = 100, VCEsat = 0 V. Limpdance dentre des entres SET et RESET de la
mmoire RS est RE = 1 k. Le 0 logique correspond 0 V et le 1 logique VDD. VA est
rfrenc par rapport la masse.
Le schma lectrique (simplifi) dun dtecteur de fume est donn la figure (II.1) et se
compose de quatre lments :
1) Lmetteur Infra-Rouge (IR)
2) La zone, que nous appellerons la chambre, dans laquelle entre la fume (dbut
dincendie ou tartine reste trop longtemps dans le grille pain).
3) Le phototransistor. On remarquera que la lumire IR ne peut pas atteindre la
base du phototransistor.
75
4) Le bloc alarme qui convertit la prsence de fume en signal sonore.
II.1. Donner lexpression et la valeur du courant qui circule dans la diode IR. (1 pt)
II.2. Expliquer comment la prsence de fume peut rendre passant le photo-transistor.
(0,5 pt)
II.3. Partie Rception
II.3.1. En labsence de lumire sur le photo-transistor, donner la valeur de la tension,
VA (rfrence par rapport la masse), lentre SET de la mmoire RS. (1 pt)
II.3.2. On suppose que larrive dun peu de lumire IR sur le photo-transistor
(prsence de fume) permet de le saturer. Donner la valeur de la tension lentre SET
de la mmoire RS. (0,5 pt)
II.4. Bloc ALARME
II.4.1. Initialement la sortie Q est 0. Quelle valeur binaire prend la sortie Q en
prsence de fume ? (1 pt)
II.4.2. Comment doit-on connecter la sortie Q loscillateur pour entendre la sirne.
Donner une seule solution (il en existe plusieurs). (1 pt)
II.4.3. Est-ce que la sirne continue de retentir si il ny a plus de fume. (0,5 pt)
II.4.4. Quel est lintrt de la prsence de lentre RESET ? (0,5 pt)
EXERCICE III : Le thermomtre lectronique (7 pts)

V
3
V
2
V
DD
V
DD
V
4
R
1
R
2
V
DD
D
1
R
4
R
3
R
5
V
1
v
d
I
V
ref
I
D
V
3
V
3
V
2
V
2
V
DD
V
DD
V
4
V
4
R
1
R
2
V
DD
D
1
R
4
R
3
R
5
V
1
V
1
v
d
I
V
ref
I
D

Figure III.1. R1 = 1 k, R2 = 12 k, R3 = 650 k, R4 = 895 , R5 = 11 k, VDD = 15 V,
Vref = 0,56 V. LAOP a un gain A = 100 000 et ses entres + et ne consomment pas de courant.
Les tensions V1 V4 sont rfrences par rapport la masse.
Le thermomtre lectronique que nous tudions dans cet exercice est bas sur la lecture de
la tension dune diode polarise en directe mais avant le seuil (0 V < VD < VS). Dans ce cas, le
courant de la diode est donn par :
|

\
|
=
T . k
V . q
exp I I
D
S D
(III.1)
o IS = 10

16
A, k = 1.38110

23
J K

1
, T (en Kelvin, K) = T (en Celsius, C) + 273,15 et
q = 1,610

19
C.
76
Seul la caractristique de la diode dpend de la temprature. LAOP est utilis dans
sa partie linaire (donc non satur).
III.1. Sachant que le courant consomm par la diode est ngligeable par rapport celui qui
passe dans les rsistances R1 et R2, donner lexpression et la valeur de la tension V1. (0,5 pt)
III.2. Pour simplifier lexercice, on suppose que le courant qui traverse la diode reste
constant avec la temprature, ID = 1,157 A. On a de plus V2 = VD (de lquation (III.1)).
Donner lexpression et la valeur de la variation de la tension V2 par rapport la temprature :
(1,5 pt)

T
V
VAR
2

= (III.2)
III.3. Dtermination de la tension V4 en fonction de la temprature.
III.3.1. Donner lexpression de V4 en fonction de A et de vd. (0,5 pt)
III.3.2. Dterminer lexpression du courant I en fonction de Vref, R4, vd et V2. (1 pt)
III.3.3. Donner lexpression du courant I en fonction de V2, vd, R5 et V4. (1 pt)
III.3.4. A partir des questions (III.3.1) (III.3.3), donner lexpression de V4 en fonction
de V2, Vref, R4 et R5. On prendra soins de simplifier les quations en considrant
que 1 >>> 1/A. On vrifiera que pour V2 = 0 on obtient : (1,5 pts)
ref
4
5
4
V
R
R
V = (III.3)
III.3.5. A T = 0C la tension VD est de 0,518 V. Donner la valeur de V4. (0,5 pt)
III.3.6. Donner la valeur de V4 A T = 50C. (0,5 pt)

77


78

ECOLE POLYTECHNIQUE
UNIVERSITAIRE DE
NICE SOPHIA-ANTIPOLIS


Cycle Initial Polytechnique
Premire anne








































Pascal MASSON
Polytech'Nice Sophia-Antipolis, Dpartement lectronique
1645 route des Lucioles
06410 BIOT

Tl : 04 92 38 85 86
Email : pascal.masson@unice.fr



Anne scolaire 2009/2010