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Implantacin inica los iones se implantan mediante un haz de iones altamente energtico.
Esta tcnica se usa tanto en Si como en GaAs. Es un proceso ms moderno, complejo y costoso que la difusin
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Comparacin entre tcnicas de difusin (superior) y de implantacin inica (inferior) para la introduccin selectiva de dopantes en un substrato semiconductor.
C (x)
x
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En GaAs, la difusin es menos controlable, adems las estructuras avanzadas de diferentes capas requieren en su mayora procesos epitaxiales.
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F = D
C x
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F = D
C x
Es similar a otras leyes en las cuales la causa es proporcional al efecto (Ley de Ohm, de Fourier). El signo negativo el flujo produce la reduccin del gradiente de concentracin. D = Difusividad o Coeficiente de Difusin D (cm2/s) (est relacionada con la dependencia de la frecuencia del salto de los tomos a la capa vecina).
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E D(T ) = D0 exp A K T B
El coeficiente de difusin depende de la temperatura de la manera de manera exponencial: EA: la energa de activacin de la impureza
Difusividades medias de dopantes substitucionales en Si
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Existe un lmite para la difusin: Supongamos que establecemos un depsito en la superficie de impurezas en exceso. La concentracin en superficie (Cs) es constante a lo largo del tiempo e igual al limite de solubilidad del slido es la concentracin mxima que, para cada temperatura, puede ser introducida en el slido. Para mayores valores de impurezas, stas precipitan en otra fase.
Observar la solubilidad de impurezas como el fsforo (P), Arsnico (As) y Boro (B).
C F C = = D t x x x
CASO PARTICULAR: D=cte: coeficiente de difusin no depende de la concentracin (ocurre as en muchas aplicaciones). 2 Segunda ley de Fick se reduce a:
2 =D 2 t x
NOTA: N=C (concentracin de dopantes)
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( x, t ) =
x erfc 0 2 Dt
La concentracin en la superficie se mantiene cte en el tiempo e igual al lmite de solubilidad, N0. La anchura de difusin aumenta con el tiempo (determinada por la funcin error).
APLICACIONES: regiones de fuente y drenador de MOSFET, as como en el emisor del BJT de Si y en la mayora de las difusiones de GaAs
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Perfiles de difusin de fuente constante. Concentracin de impurezas para diferentes tiempos de difusin
x2 Q0 ( x, t ) = exp 4 Dt Dt
Q0 es una constante La concentracin en x=0 decrece como
1/ t
2 Dt
APLICACIONES: dopajes muy profundos pero con valores bajos de la concentracin en la superficie:
Dopaje de la base de un BJT.
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Perfiles de difusin de fuente Limitada. Concentracin de impurezas para diferentes tiempos de difusin
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( x, t ) =
x erfc 0 2 Dt
SOLUCIN: buscamos la profundidad en la que la concentracin cae hasta el 1 % del valor en la superficie Impurity conc/surface conc= 10-2. Grficamente obtenemos: Despejamos el valor de x:
x z = = 1.75 2 Dt
x = 1.75 2 Dt
Obtenemos para la
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Podemos ilustrar los contornos de concentracin de dopaje constante en los que se observa la difusin lateral.
La penetracin lateral es del orden del 75-80 % de la penetracin en la direccin vertical para concentraciones que son ms de dos rdenes de magnitud bajo la concentracin superficial
Hornos de difusin:
Se realizan normalmente en tubos abiertos (los hornos de difusin) en los que las obleas se colocan en una barquilla dentro de un tubo horizontal de cuarzo de alta pureza. El horno se calienta (mediante arrollamientos resistivos se controla la T electrnicamente en la zona central del horno: entre T entre 600 C y 1200 C.
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Comparacin entre tcnicas de difusin (superior) y de implantacin inica (inferior) para la introduccin selectiva de dopantes en un substrato semiconductor.
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Vamos a estudiar:
Procesos microscpicos en la implantacin inica
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Proceso de baja T al poder realizarse a T ambiente, es posible una gran flexibilidad a la hora de elegir las mscaras (Si3N4, Al, Silica)(incluso fotoresinas). Es posible realizar la implantacin inica a travs del xido de Si: SiO2 como mscara.
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Debido a los choques internos en el semiconductor al realizar la implantacin produce un dao en la superficie del cristal semiconductor.
Es necesario un posterior recocido (anneal) (a T elevada) para reparar este efecto Re-cristaliza. Re-activa los dopantes. Este recocido es delicado en GaAs.
Tambin es un inconveniente la sofisticacin y el coste del Equipo Implantador que a estudiaremos ms tarde.
Esquema (resumen) de las ventajas/desventajas de la implantacin inica, as como de los parmetros de una implantacin-inica tpica
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Espectrgrafo de masas, que desva los iones por la aplicacin de un campo magntico producido por las bobinas del espectrgrafo. Ajustando este campo se puede seleccionar el ion que atraviesa el diafragma de salida Columna de aceleracin. Los iones seleccionados en el espectrgrafo de masas son acelerados al atravesar diversos diafragmas de potenciales crecientemente negativos. (hasta unas energas mximas y tpicas de 300 KeV (algunas aplicaciones se alcanzar algunos MeV).
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Diafragma Seleccin
Placas aceleradoras
Espectrgrafo de masas
Haz de iones
Lentes electrnicas
Fuente de iones
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Espectrgrafo de masas
Diafragma Seleccin
Va
Lentes electrnicas
Vaco
Haz de iones
Placas aceleradoras
Placas deflectoras
Fuente de iones
Fotografa del Implantador de alta energa, Eaton HE3, mostrando el haz de iones impactando en la estacin de obleas de 300 mm.
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La implantacin inica
Una dosis se distribuye justo bajo la superficie. Sin embargo, el mximo de concentracin aparece en una distancia: Rp Posteriormente, (si se desea) los dopantes se redistribuyen mediante una fase de recocido:
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Una vez que el in entra, es guiado a lo largo del canal hacia distancias considerables la distancia de penetracin de un in acanalado es mucho mayor que la de un blanco amorfo. Se producen de manera inesperada perfiles de impurificacin muy profundos en la componente de concentracin aparece una cola debido a la componente de acanalamiento
Esquema de un recorrido inico en un monocristal mostrando el comportamiento acanalado y el no acanalado y sus consecuencias en la concentracin de dopantes
(110)
(111)
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(100)
External chamber Process Gas Esquema de un sistema de recocido rpido (RTA: Rapid Thermal Annealing) Tungsten-Halogen Lamps Pyrometer
T> 1000C, se activan impurezas de iones ligeros y pesados implantadas. Si es necesarias T elevadas se recurre entonces al recocido trmico rpido: RTA (Rapid Thermal Annealing):
elevaciones/descensos/mantenimientos sbitos de temperatura hornos especiales RTA. mjmm@usal.es
Quartz Chamber
Wafer
La superficie de proteccin se mantiene mientras se realiza la implantacin a travs del xido de este modo la superficie del Si no es expuesta durante el proceso.
Implantacin de Boro a travs de SiO2. Capa de SiO2 de 120 nm que cubre la superficie del Si
Al conseguir el auto-alineado de fuente y drenador se reduce el efecto de las capacidades de overlap. Esta implantacin y el posterior recocido puede modificar el dopaje de la interfaz Si/SiO2 de puerta Se controla el voltaje umbral, que es proporcional a la carga:
VT = q
QT Cox
Cox =
ox
tox
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